CN107797354A - Tft基板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种TFT基板。该TFT基板包括：沿竖直方向依次排列的第一显示区和第二显示区；所述第一显示区中的主区像素电极和次区像素电极分别与第二显示区中的主区像素电极和次区像素电极关于所述第一显示区和第二显示区的水平分界线镜像对称；所述第一显示区的扫描方向为从该第一显示区内的一子像素的次区像素电极所在的一侧往该子像素的主区像素电极所在的一侧扫描，所述第二显示区的扫描方向与第一显示区的扫描方向相反，能够使得第一显示区和第二显示区在扫描时均先产生耦合信号后写入像素电压，从而避免因信号耦合影响像素电压而造成的显示不良。

Description

TFT基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板。
背景技术
液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)是目前最广泛使用的平板显示器之一，液晶面板是液晶显示器的核心组成部分。液晶面板通常是由一彩膜基板(ColorFilter，CF)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFTArray Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成。一般阵列基板、彩膜基板上分别设置像素电极、公共电极。当电压被施加到像素电极与公共电极便会在液晶层中产生电场，该电场决定了液晶分子的取向，从而调整入射到液晶层的光的偏振，使液晶面板显示图像。
随着显示技术的不断发展，大屏幕、高分辨率、及高刷新频率成为了液晶显示面板追求的目标。作为大屏幕的问题点之一就是大视角色偏，该问题主流的解决方法是采用多畴(multi domain)显示，如8畴显示的像素设计，具体为将一个子像素分为主区(main)和次区(Sub)，并在主区和次区内分别设置一米字形结构的像素电极，该米字形结构的像素电极包含条状的竖直主干和条状的水平主干，且竖直主干和水平主干中心垂直相交，所谓中心垂直相交是指竖直主干和水平主干相互垂直，且二者将整个像素电极面积平均分成4个畴(domain)。每个畴都由与竖直主干或水平主干呈一定角度的条状分支(Slit)平铺组成，各条状分支与竖直主干和水平主干位于同一平面上，形成上下和左右均镜像对称的“米”字型结构的像素电极。
而高分辨率及高刷新频率，带来的风险就是像素的充电时间短和充电率不足的问题，解决该问题的方法包括采用更高载流子的有源层TFT和进行分屏设计，如图1所示，所谓分屏设计，就是将一块显示面板划分上显示区100和下显示区200，上显示区100和下显示区200同时进行相互独立的扫描且二者的扫描方向相反，使得上显示区100和下显示区200在一帧画面时间内所需要扫描的扫描线条数减半，充电时长增加一倍，但现有的上显示区100和下显示区200的结构完全相同，同时由于同一个子像素300的主区像素电极301和次区像素电极302分别位于其对应的扫描线400的两侧，因此，与所述扫描线400位于同一个金属层的同一个子像素300的阵列基板公共电极(Acom)线500会被分隔成两部分，这种分隔结构的阵列基板公共电极线500在所述阵列基板扫描过程中会在次区像素电极301中产生耦合信号且产生耦合信号的次区像素电极301的位置与扫描方向有关，如图1所示，上显示区100的扫描方向为从下往上扫描，当上显示区100的一行扫描线扫描完成并关闭后，会在与该行扫描线对应的一行主区像素电极302相邻的且位于该行主区像素电极302上方的一行的次区像素电极301中产生耦合信号；下显示区200的扫描方向为从上往下扫描，当下显示区200的一行的扫描线400扫描完成并关闭后，会在与该行扫描线对应的一行主区像素电极302相邻且位于该行主区像素电极302下方的一行的次区像素电极301中产生耦合信号，此时，耦合信号对上、下显示区100和200的影响不一致，尤其在下显示区200中，耦合信号产生于已经写入了像素电压的次区像素电极301中，会影响已经写入的像素电压的大小，造成显示不良。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板，能够避免耦合信号影响次区像素电极的电压，保证分屏设计中两个显示区的显示效果相同，避免显示不良。
为实现上述目的，本发明提供了一种TFT基板，包括：沿竖直方向依次排列的第一显示区和第二显示区；
所述第一显示区和第二显示区均包括：阵列排布的多个子像素、多条平行间隔排列的沿水平的扫描线、以及多条阵列基板公共电极线；
每一行子像素对应一条扫描线，每一个子像素均包括：分别位于该子像素对应的扫描线两侧的主区像素电极和次区像素电极；所述多条阵列基板公共电极线与所述多条扫描线均位于第一金属层，并交替间隔排列；
所述第一显示区中的主区像素电极和次区像素电极分别与第二显示区中的主区像素电极和次区像素电极关于所述第一显示区和第二显示区的水平分界线镜像对称；
所述第一显示区的扫描方向为从该第一显示区内的一子像素的次区像素电极所在的一侧往该子像素的主区像素电极所在的一侧扫描，所述第二显示区的扫描方向与第一显示区的扫描方向相反。
所述第一显示区中的各个主区像素电极均位于其对应的扫描线远离所述第二显示区的一侧，所述第一显示区中的各个次区像素电极均位于其对应的扫描线靠近所述第二显示区的一侧，所述第一显示区的扫描方向为从靠近所述第二显示区的一侧往远离所述第二显示区的一侧扫描；
所述第二显示区中的各个主区像素电极均位于其对应的扫描线远离所述第一显示区的一侧，所述第二显示区中的各个次区像素电极均位于其对应的扫描线靠近所述第一显示区的一侧，所述第二显示区的扫描方向为从靠近所述第一显示区的一侧往远离所述第一显示区的一侧扫描。
所述第一显示区中的各个主区像素电极均位于其对应的扫描线靠近所述第二显示区的一侧，所述第一显示区中的各个次区像素电极均位于其对应的扫描线远离所述第二显示区的一侧，所述第一显示区的扫描方向为从远离所述第二显示区的一侧往靠近所述第二显示区的一侧扫描；
所述第二显示区中的各个主区像素电极均位于其对应的扫描线靠近所述第一显示区的一侧，所述第二显示区中的各个次区像素电极均位于其对应的扫描线远离所述第一显示区的一侧，所述第二显示区的扫描方向为从远离所述第一显示区的一侧往靠近所述第一显示区的一侧的扫描。
所述第一显示区和第二显示区均还包括：多条平行间隔排列的竖直的数据线，每一条数据线对应一列子像素。
每一个子像素均还包括：主区薄膜晶体管、次区薄膜晶体管、及电荷共享薄膜晶体管；
所述主区薄膜晶体管的栅极电性连接该子像素对应的扫描线，源极电性连接该子像素对应的数据线，漏极电性连接主区像素电极；所述次区薄膜晶体管的栅极电性连接该子像素对应的扫描线，源极电性连接该子像素对应的数据线，漏极电性连接次区像素电极；所述电荷共享薄膜晶体管的栅极电性连接该子像素对应的扫描线，源极电性连接次区像素电极，漏极电性连接该子像素的次区像素电极所在侧的阵列基板公共电极线；
所述主区像素电极与该主区像素电极所在侧的阵列基板公共电极线交叠的部分形成有主区存储电容，所述次区像素电极与该次区像素电极所在侧的阵列基板公共电极线交叠的部分形成有次区存储电容。
所述主区薄膜晶体管的栅极、次区薄膜晶体管的栅极、及电荷共享薄膜晶体管的栅极均位于第一金属层，所述主区薄膜晶体管的源极和漏极、次区薄膜晶体管的源极和漏极、电荷共享薄膜晶体管的源极和漏极、以及数据线均位于与第一金属层绝缘交叠的第二金属层。
所述主区像素电极和次区像素电极均为米字型结构。
所述主区像素电极和次区像素电极的材料均为ITO。
所述第一显示区的扫描和第二显示区的扫描同时进行且相互独立。
本发明的有益效果：本发明提供一种TFT基板，包括：沿竖直方向依次排列的第一显示区和第二显示区；所述第一显示区中的主区像素电极和次区像素电极分别与第二显示区中的主区像素电极和次区像素电极关于所述第一显示区和第二显示区的水平分界线镜像对称；所述第一显示区和第二显示区的扫描方向均为从所述子像素中次区像素电极所在的一侧往该主区像素电极所在的一侧扫描，能够使得第一显示区和第二显示区在扫描时均为先产生耦合信号后写入像素电压，能够避免耦合信号影响次区像素电极的电压，保证分屏设计中两个显示区的显示效果相同，避免显示不良。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的采用分屏设计的TFT基板的结构图；
图2为本发明的TFT基板的第一实施例的结构图；
图3为本发明的TFT基板的中一个子像素的等效电路图；
图4为本发明的TFT基板的第二实施例的结构图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，在本发明的第一实施例中，本发明提供一种TFT基板，包括：沿竖直方向依次排列的第一显示区1和第二显示区2；所述第一显示区1和第二显示区2均包括：阵列排布的多个子像素10、以及多条平行间隔排列的沿水平方向延伸的扫描线20、以及多条阵列基板公共电极线30；每一行子像素10对应一条扫描线20，每一个子像素10均包括：分别位于该子像素10对应的扫描线20两侧的主区像素电极11和次区像素电极12；
所述多条阵列基板公共电极线30与所述多条扫描线20均位于第一金属层，并交替间隔排列；
所述第一显示区1中的主区像素电极11和次区像素电极12分别与第二显示区2中的主区像素电极11和次区像素电极12关于所述第一显示区1和第二显示区20的水平分界线镜像对称。
具体地，如图2所示，所述第一显示区1中的各个主区像素电极11均位于其对应的扫描线20远离所述第二显示区2的一侧，所述第一显示区1中的各个次区像素电极12均位于其对应的扫描线20靠近所述第二显示区2的一侧，所述第一显示区1的扫描方向为从靠近所述第二显示区2的一侧往远离所述第二显示区2的一侧扫描；所述第二显示区2中的各个主区像素电极11均位于其对应的扫描线20远离所述第一显示区1的一侧，所述第二显示区2中的各个次区像素电极12均位于其对应的扫描线20靠近所述第一显示区1的一侧，所述第二显示区2的扫描方向为从靠近所述第一显示区1的一侧往远离所述第一显示区1的一侧扫描。
具体地，如图3所示，所述第一显示区1和第二显示区2均还包括：多条平行间隔排列的沿竖直方向延伸的数据线40、以及多条阵列基板公共电极线30，每一条数据线40对应一列子像素10，所述多条阵列基板公共电极线30与所述多条扫描线20均位于第一金属层，并交替间隔排列。每一个子像素10均还包括：主区薄膜晶体管T1、次区薄膜晶体管T2、以及电荷共享薄膜晶体管T3。
其中，所述主区薄膜晶体管T1的栅极电性连接该子像素10对应的扫描线20，源极电性连接该子像素10对应的数据线40，漏极电性连接主区像素电极11；所述次区薄膜晶体管T2的栅极电性连接该子像素10对应的扫描线20，源极电性连接该子像素10对应的数据线40，漏极电性连接次区像素电极12；所述电荷共享薄膜晶体管T3的栅极电性连接该子像素10对应的扫描线20，源极电性连接次区像素电极12，漏极电性连接该子像素10的次区像素电极12所在侧的阵列基板公共电极线30；
所述主区像素电极11与该主区像素电极11所在侧的阵列基板公共电极线30交叠的部分形成有主区存储电容C1，所述次区像素电极12与该次区像素电极12所在侧的阵列基板公共电极线30交叠的部分形成有次区存储电容C2。
进一步地，所述主区薄膜晶体管T1的栅极、次区薄膜晶体管T2的栅极、及电荷共享薄膜晶体管T3的栅极均位于第一金属层，所述主区薄膜晶体管T1的源极和漏极、次区薄膜晶体管T2的源极和漏极、电荷共享薄膜晶体管T3的源极和漏极、以及数据线40均位于与第一金属层绝缘交叠的第二金属层。
具体地，所述主区像素电极11和次区像素电极12均为米字型结构。优选地，所述主区像素电极11和次区像素电极12的材料均为ITO。
具体地，本发明的TFT基板在扫描时，将一帧画面的分别两个扫描部分，其中一个扫描部分由第一显示区1完成，另一个扫描部分由第二显示区2完成，所述第一显示区1和第二显示区2扫描完成之后组合显示出该一帧画面，也即所述第一显示区1的扫描和第二显示区2的扫描同时进行且相互独立，能够使得各个子像素10的充电时长增加一倍，避免子像素10的充电不足。
需要说明的是，本发明的TFT基板的工作过程为：所述第一显示区1和第二显示区2同时开始扫描，其中，所述第一显示区1从靠近所述第二显示区2的一侧往远离所述第二显示区2的一侧的扫描，同时所述第二显示区2从靠近所述第一显示区1的一侧往远离所述第一显示区1的一侧的扫描，也即所述第一显示区1从下往上扫描，第二显示区2从上往下扫描，在第一显示区1中，第一显示区1最下方的扫描线20先打开，向第一显示区1最下方的一行子像素10的主区像素电极11和次区像素电极12写入像素电压，随后第一显示区1最下方的扫描线20关闭，并产生耦合信号改变第一显示区1从下往上的第二行子像素10的次区像素电极12上电压，随后第一显示区1从下往上的第二条扫描线20打开，向第一显示区1从下往上的第二行子像素10的主区像素电极11和次区像素电极12写入像素电压，依次类推直至第一显示区1最上方的一条扫描线20扫描完成；在第二显示区2中，第二显示区2最上方的扫描线20先打开，向第二显示区2最上方的一行子像素10的主区像素电极11和次区像素电极12写入像素电压，随后第二显示区2最上方的扫描线20关闭，并产生耦合信号改变第二显示区2从上往下的第二行子像素10的次区像素电极12上电压，随后第二显示区2从上往下的第二条扫描线20打开，向第一显示区1从上往下的第二行子像素10的主区像素电极11和次区像素电极12写入像素电压，依次类推直至第二显示区2最下方的一条扫描线20扫描完成。
根据上述工作过程可知，在本发明的TFT基板中，无论是第一显示区1还是第二显示区2都是先产生影响次区像素电极12的电压的耦合信号，然后再向次区像素电极12写入像素电压，从而可以通过像素电压直接覆盖因耦合信号而产生的电压，有效避免耦合信号对次区像素电极12的影响，减少显示不良。而作为对比，如图1所示，在现有技术中，其第二显示区200是先写入次区像素电极302的像素电压，再产生影响次区像素电极302的电压的耦合信号，从而次区像素电极302上已写入的像素电压会因耦合信号的产生而发生改变，造成显示不良。
具体地，如图4所示，图4为本发明的第二实施例，其与第一实施例的区别在于，所述第一显示区1中的各个主区像素电极11均位于其对应的扫描线20靠近所述第二显示区2的一侧，所述第一显示区1中的各个次区像素电极12均位于其对应的扫描线20远离所述第二显示区2的一侧，所述第一显示区1的扫描方向为从远离所述第二显示区2的一侧往靠近所述第二显示区2的一侧扫描；所述第二显示区2中的各个主区像素电极11均位于其对应的扫描线20靠近所述第一显示区1的一侧，所述第二显示区2中的各个次区像素电极12均位于其对应的扫描线20远离所述第一显示区1的一侧，所述第二显示区2的扫描方向为从远离所述第一显示区1的一侧往靠近所述第一显示区1的一侧扫描，其余均与第一实施例相同，此处不再赘述。
也即对于本发明的TFT基板，无论是第一实施例还是第二实施例，所述第一显示区1和第二显示区2扫描方向均为从该显示区内的一子像素10的次区像素电极12所在的一侧往该子像素10的主区像素电极11所在的一侧扫描，使得每一行扫描线20扫描完成后，耦合信号均产生于下一行待扫描的扫描线20对应的次区像素电极12上，保证第一显示区1和第二显示区2在扫描时都是先产生影响次区像素电极12的电压的耦合信号，然后再向次区像素电极12写入像素电压。
综上所述，本发明提供一种TFT基板，包括：沿竖直方向依次排列的第一显示区和第二显示区；所述第一显示区中的主区像素电极和次区像素电极分别与第二显示区中的主区像素电极和次区像素电极关于所述第一显示区和第二显示区的水平分界线镜像对称；所述第一显示区和第二显示区的扫描方向均为从所述子像素中次区像素电极所在的一侧往该主区像素电极所在的一侧扫描，能够使得第一显示区和第二显示区在扫描时均先产生耦合信号后写入像素电压，能够避免耦合信号影响次区像素电极的电压，保证分屏设计中两个显示区的显示效果相同，避免显示不良。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (9)

1.一种TFT基板，其特征在于，包括：沿竖直方向依次排列的第一显示区(1)和第二显示区(2)；
所述第一显示区(1)和第二显示区(2)均包括：阵列排布的多个子像素(10)、多条平行间隔排列的水平的扫描线(20)、以及多条阵列基板公共电极线(30)；
每一行子像素(10)对应一条扫描线(20)，每一个子像素(10)均包括：分别位于该子像素(10)对应的扫描线(20)两侧的主区像素电极(11)和次区像素电极(12)；所述多条阵列基板公共电极线(30)与所述多条扫描线(20)均位于第一金属层，并交替间隔排列；
所述第一显示区(1)中的主区像素电极(11)和次区像素电极(12)分别与第二显示区(2)中的主区像素电极(11)和次区像素电极(12)关于所述第一显示区(1)和第二显示区(20)的水平分界线镜像对称；
所述第一显示区(1)的扫描方向为从该第一显示区(1)内的一子像素(10)的次区像素电极(12)所在的一侧往该子像素(10)的主区像素电极(11)所在的一侧扫描，所述第二显示区(2)的扫描方向与第一显示区(1)的扫描方向相反。
2.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一显示区(1)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第二显示区(2)的一侧，所述第一显示区(1)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第二显示区(2)的一侧，所述第一显示区(1)的扫描方向为从靠近所述第二显示区(2)的一侧往远离所述第二显示区(2)的一侧扫描；
所述第二显示区(2)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第一显示区(1)的一侧，所述第二显示区(2)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第一显示区(1)的一侧，所述第二显示区(2)的扫描方向为从靠近所述第一显示区(1)的一侧往远离所述第一显示区(1)的一侧扫描。
3.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一显示区(1)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第二显示区(2)的一侧，所述第一显示区(1)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第二显示区(2)的一侧，所述第一显示区(1)的扫描方向为从远离所述第二显示区(2)的一侧往靠近所述第二显示区(2)的一侧扫描；
所述第二显示区(2)中的各个主区像素电极(11)均位于其对应的扫描线(20)靠近所述第一显示区(1)的一侧，所述第二显示区(2)中的各个次区像素电极(12)均位于其对应的扫描线(20)远离所述第一显示区(1)的一侧，所述第二显示区(2)的扫描方向为从远离所述第一显示区(1)的一侧往靠近所述第一显示区(1)的一侧扫描。
4.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一显示区(1)和第二显示区(2)均还包括：多条平行间隔排列的竖直的数据线(40)，每一条数据线(40)对应一列子像素(10)。
5.如权利要求4所述的TFT基板，其特征在于，每一个子像素(10)均还包括：主区薄膜晶体管(T1)、次区薄膜晶体管(T2)、及电荷共享薄膜晶体管(T3)；
所述主区薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接该子像素(10)对应的扫描线(20)，源极电性连接该子像素(10)对应的数据线(40)，漏极电性连接主区像素电极(11)；所述次区薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接该子像素(10)对应的扫描线(20)，源极电性连接该子像素(10)对应的数据线(40)，漏极电性连接次区像素电极(12)；所述电荷共享薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接该子像素(10)对应的扫描线(20)，源极电性连接次区像素电极(12)，漏极电性连接该子像素(10)的次区像素电极(12)所在侧的阵列基板公共电极线(30)；
所述主区像素电极(11)与该主区像素电极(11)所在侧的阵列基板公共电极线(30)交叠的部分形成有主区存储电容(C1)，所述次区像素电极(12)与该次区像素电极(12)所在侧的阵列基板公共电极线(30)交叠的部分形成有次区存储电容(C2)。
6.如权利要求5所述的TFT基板，其特征在于，所述主区薄膜晶体管(T1)的栅极、次区薄膜晶体管(T2)的栅极、及电荷共享薄膜晶体管(T3)的栅极均位于第一金属层，所述主区薄膜晶体管(T1)的源极和漏极、次区薄膜晶体管(T2)的源极和漏极、电荷共享薄膜晶体管(T3)的源极和漏极、以及数据线(40)均位于与第一金属层绝缘交叠的第二金属层。
7.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述主区像素电极(11)和次区像素电极(12)均为米字型结构。
8.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述主区像素电极(11)和次区像素电极(12)的材料均为ITO。
9.如权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一显示区(1)的扫描和第二显示区(2)的扫描同时进行且相互独立。
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