TW201814335A - 光學積層體及圖像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種高溫高濕下之導電層之龜裂得到抑制之光學積層體。本發明之光學積層體依序具有：包含偏光元件及位於偏光元件之至少一側之保護層的偏光板、第1相位差層、第2相位差層、導電層、以及密接積層於導電層之基材。基材之透濕度為5 mg/m2 ・24 h~10 mg/m2 ・24 h，尺寸變化率為0.3%以下，且線膨脹係數為5(×10-6 /℃)~10(×10-6 /℃)。

Description

光學積層體及圖像顯示裝置
本發明係關於一種光學積層體及使用其之圖像顯示裝置。
近年來，隨著薄型顯示器之普及，提出有搭載了有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板之顯示器(有機EL顯示裝置)。有機EL面板由於具有反射性較高之金屬層，故而容易產生外光反射或背景之映入等問題。因此，已知藉由將圓偏光板設置於視認側而防止該等問題。另一方面，於顯示單元(例如有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂內觸控面板型輸入顯示裝置之需求增加。此種構成之輸入顯示裝置由於圖像顯示單元與觸控感測器之距離較近，故而可對使用者給予自然之輸入操作感。 於內觸控面板型輸入顯示裝置用之偏光板(或圓偏光板)中，就薄型化、防止品質之不均、提高製造效率等觀點而言，對偏光板(或圓偏光板)與觸控感測器用導電性膜之一體化進行了研究。但是，與觸控感測器用導電性膜一體化之偏光板存在如下問題：於高溫高濕下，導電性膜之導電層容易產生龜裂。 [先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：日本專利特開2003-311239號公報 專利文獻2：日本專利特開2002-372622號公報 專利文獻3：日本專利第3325560號公報 專利文獻4：日本專利特開2003-036143號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明係為了解決上述先前之問題而成者，其主要目的在於提供一種高溫高濕下之導電層之龜裂得到抑制之光學積層體。 [解決問題之技術手段] 本發明之光學積層體依序具有：包含偏光元件及位於該偏光元件之至少一側之保護層的偏光板、第1相位差層、第2相位差層、導電層、以及密接積層於該導電層之基材。於該光學積層體中，該基材之透濕度為5 mg/m2 ・24 h~10 mg/m2 ・24 h，尺寸變化率為0.3%以下，且線膨脹係數為5(×10-6 /℃)~10(×10-6 /℃)。 於一實施形態中，上述偏光元件之吸收軸與上述第1相位差層之遲相軸所成之角度為10°~20°，該吸收軸與上述第2相位差層之遲相軸所成之角度為65°~85°。 於一實施形態中，上述第1相位差層及上述第2相位差層包含環狀烯烴系樹脂膜。於該情形時，上述第2相位差層之尺寸變化率例如為1%以下。 於另一實施形態中，上述第1相位差層及上述第2相位差層為液晶化合物之配向固化層。於該情形時，上述偏光板、上述第1相位差層及上述第2相位差層之積層體之尺寸變化率例如為1%以下。 根據本發明之另一態樣，提供一種圖像顯示裝置。該圖像顯示裝置具備上述光學積層體。 [發明之效果] 根據本發明，於具有偏光板、2個相位差層及觸控感測器用導電層之光學積層體中，使密接積層於導電層之基材之透濕度、尺寸變化率及線膨脹係數最佳化，藉此可顯著地抑制高溫高濕下之導電層產生龜裂。其結果，可實現具有非常優異之耐久性之光學積層體。
以下，對本發明之實施形態進行說明，但本發明不限定於該等實施形態。 (用語及記號之定義) 本說明書中之用語及記號之定義如下所述。 (1)折射率(nx、ny、nz) 「nx」為面內之折射率最大之方向(即遲相軸方向)之折射率，「ny」為於面內與遲相軸正交之方向(即進相軸方向)之折射率，「nz」為厚度方向之折射率。 (2)面內相位差(Re) 「Re(λ)」為於23℃下以波長λ nm之光所測得之面內相位差。例如，「Re(550)」為於23℃下以波長550 nm之光所測得之面內相位差。Re(λ)係於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，藉由式：Re(λ)=(nx-ny)×d而求出。 (3)厚度方向之相位差(Rth) 「Rth(λ)」為於23℃下以波長λ nm之光所測得之厚度方向之相位差。例如，「Rth(550)」為於23℃下以波長550 nm之光所測得之厚度方向之相位差。Rth(λ)係於將層(膜)之厚度設為d(nm)時，藉由式：Rth(λ)=(nx-nz)×d而求出。 (4)Nz係數 Nz係數係藉由Nz=Rth/Re而求出。 A.光學積層體之整體構成 圖1係本發明之一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。本實施形態之光學積層體100依序具有偏光板10、第1相位差層20、第2相位差層30、導電層41、及基材42。偏光板10包含偏光元件11、配置於偏光元件11之一側之第1保護層12、及配置於偏光元件11之另一側之第2保護層13。根據目的亦可省略第1保護層12及第2保護層13之一者。例如，於第1相位差層20亦可作為偏光元件11之保護層而發揮功能之情形時，亦可省略第2保護層13。基材42密接積層於導電層41。於本說明書中所謂「密接積層」，係指兩層不介隔接著層(例如接著劑層、黏著劑層)而直接且固著地積層。導電層41及基材42可分別以單層之形式成為光學積層體100之構成要素，亦可以基材42與導電層41之積層體之形式導入至光學積層體100中。再者，為了便於觀察，圖式中之各層之厚度之比率與實際不同。 於本發明之實施形態中，基材42之透濕度為5 mg/m2 ・24 h~10 mg/m2 ・24 h，較佳為6 mg/m2 ・24 h~9 mg/m2 ・24 h，更佳為7 mg/m2 ・24 h~8 mg/m2 ・24 h。基材42之尺寸變化率為0.3%以下，較佳為0.1%以下，更佳為0.05%以下。進而，基材42之線膨脹係數為5(×10-6 /℃)~10(×10-6 /℃)，較佳為6(×10-6 /℃)~9(×10-6 /℃)，更佳為7(×10-6 /℃)~8(×10-6 /℃)。藉由設置密接積層於導電層之基材，進而使該基材之上述特性配合地最佳化，可顯著地抑制高溫高濕下之導電層產生龜裂。再者，透濕度可依據JIS Z0208之透濕度試驗(杯式法)而確定。尺寸變化率係指於溫度85℃及相對濕度85%之環境下放置240小時之時的尺寸變化率。線膨脹係數可藉由依據JIS K 7197之TMA(thermomechanical analysis，熱機械分析)測定而確定。 於一實施形態中，第1相位差層20及第2相位差層30分別包含樹脂膜。於另一實施形態中，第1相位差層20及第2相位差層30可分別為液晶化合物之配向固化層。再者，分別於C-2項及D-2項中對樹脂膜詳細地進行說明，於C-3項及D-3項中對液晶化合物之配向固化層詳細地進行說明。 除了導電層41與基材42之密接積層以外，構成光學積層體之各層可經由任意適當之接著層(接著劑層或黏著劑層：未圖示)而積層，亦可與導電層41及基材42之情形同樣地密接積層。 光學積層體之尺寸變化率較佳為1%以下，更佳為0.95%以下。光學積層體之尺寸變化率越小越佳。光學積層體之尺寸變化率之下限例如為0.01%。若光學積層體之尺寸變化率為此種範圍，則可顯著地抑制高溫高濕下之導電層產生龜裂。 光學積層體之總厚度較佳為220 μm以下，更佳為80 μm~190 μm。於第1相位差層20及第2相位差層30為液晶化合物之配向固化層之情形時，光學積層體之總厚度較佳為175 μm以下，更佳為80 μm~140 μm。 光學積層體可為長條狀(例如卷狀)，亦可為單片狀。 以下，對構成光學積層體之各層、光學膜、及黏著劑更加詳細地進行說明。 B.偏光板 B-1.偏光元件 作為偏光元件11，可採用任意適當之偏光元件。例如，形成偏光元件之樹脂膜可為單層之樹脂膜，亦可為兩層以上之積層體。 作為包含單層之樹脂膜的偏光元件之具體例，可列舉：對於聚乙烯醇(PVA)系膜、部分縮甲醛化PVA系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜，實施利用碘或二色性染料等二色性物質進行之染色處理及延伸處理而成者；PVA之脫水處理物或聚氯乙烯之脫氯化氫處理物等多烯系配向膜等。就光學特性優異之方面而言，較佳為使用利用碘對PVA系膜進行染色並進行單軸延伸而獲得之偏光元件。 上述利用碘進行之染色例如係藉由將PVA系膜浸漬於碘水溶液中而進行。上述單軸延伸之延伸倍率較佳為3~7倍。延伸可於染色處理後進行，亦可一面染色一面進行。又，亦可於延伸後進行染色。視需要對PVA系膜實施膨潤處理、交聯處理、洗淨處理、乾燥處理等。例如藉由在染色之前將PVA系膜浸漬於水中並進行水洗，不僅可將PVA系膜表面之污垢或抗黏連劑洗淨，而且亦可使PVA系膜膨潤而防止染色不均等。 作為使用積層體而獲得之偏光元件之具體例，可列舉：使用樹脂基材與積層於該樹脂基材上之PVA系樹脂層(PVA系樹脂膜)之積層體、或樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件。使用樹脂基材與塗佈形成於該樹脂基材上之PVA系樹脂層之積層體而獲得之偏光元件例如可藉由如下方式製作：將PVA系樹脂溶液塗佈於樹脂基材上並使其乾燥而於樹脂基材上形成PVA系樹脂層，獲得樹脂基材與PVA系樹脂層之積層體；對該積層體進行延伸及染色而將PVA系樹脂層製成偏光元件。於本實施形態中，具代表性而言，延伸包括使積層體浸漬於硼酸水溶液中並進行延伸。進而，延伸視需要可進而包括於硼酸水溶液中之延伸之前將積層體於高溫(例如95℃以上)下進行空中延伸。所獲得之樹脂基材/偏光元件之積層體可直接使用(即，可將樹脂基材作為偏光元件之保護層)，亦可自樹脂基材/偏光元件之積層體將樹脂基材剝離，並於該剝離面上積層與目的相應之任意適當之保護層而使用。此種偏光元件之製造方法之詳細內容例如係記載於日本專利特開2012-73580號公報中。該公報之整體記載係以參考之形式引用至本說明書中。 偏光元件之厚度較佳為18 μm以下，更佳為1 μm~12 μm，進而較佳為3 μm~12 μm，尤佳為5 μm~12 μm。 偏光元件之硼酸含量較佳為18重量%以上，更佳為18重量%~25重量%。若偏光元件之硼酸含量為此種範圍，則可藉由與下述碘含量之協同效應而良好地維持貼合時之捲縮調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲縮，並且改善加熱時之外觀耐久性。硼酸含量例如可由中和法使用下述式以每單位重量之偏光元件中所包含之硼酸量之形式算出。 [數1]偏光元件之碘含量較佳為2.1重量%以上，更佳為2.1重量%~3.5重量%。若偏光元件之碘含量為此種範圍，則可藉由與上述硼酸含量之協同效應而良好地維持貼合時之捲縮調整之容易性，且良好地抑制加熱時之捲縮，並且改善加熱時之外觀耐久性。於本說明書中，所謂「碘含量」意指偏光元件(PVA系樹脂膜)中所包含之所有碘之量。更具體而言，於偏光元件中，碘以碘離子(I- )、碘分子(I2 )、聚碘離子(I3 - 、I5 - )等形態存在，本說明書中之碘含量意指包含該等所有形態之碘之量。碘含量例如可藉由螢光X射線分析之校準曲線法而算出。再者，聚碘離子於偏光元件中以形成PVA-碘錯合物之狀態存在。藉由形成此種錯合物，可於可見光之波長範圍內表現出吸收二色性。具體而言，PVA與三碘化物離子之錯合物(PVA-I3 - )於470 nm附近具有吸光波峰，PVA與五碘化物離子之錯合物(PVA-I5 - )於600 nm附近具有吸光波峰。結果，聚碘離子可根據其形態於可見光之較廣範圍內吸收光。另一方面，碘離子(I- )於230 nm附近具有吸光波峰，實質上不參與可見光之吸收。因此，以與PVA之錯合物之狀態存在之聚碘離子可主要參與偏光元件之吸收性能。 偏光元件較佳為於波長380 nm~780 nm之任一波長下表現出吸收二色性。偏光元件之單體透過率如上所述為43.0%~46.0%，較佳為44.5%~46.0%。偏光元件之偏光度較佳為97.0%以上，更佳為99.0%以上，進而較佳為99.9%以上。 B-2.第1保護層 第1保護層12係由可用作偏光元件之保護層的任意適當之膜而形成。作為成為該膜之主成分的材料之具體例，可列舉：三乙醯纖維素(TAC)等纖維素系樹脂，或聚酯系、聚乙烯醇系、聚碳酸酯系、聚醯胺系、聚醯亞胺系、聚醚碸系、聚碸系、聚苯乙烯系、聚降𦯉烯系、聚烯烴系、(甲基)丙烯酸系、乙酸酯系等之透明樹脂等。又，亦可列舉(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、矽酮系等之熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂等。此外，例如亦可列舉矽氧烷系聚合物等玻璃質系聚合物。又，亦可使用日本專利特開2001-343529號公報(WO01/37007)中所記載之聚合物膜。作為該膜之材料，例如可使用含有於側鏈中具有經取代或未經取代之亞胺基之熱塑性樹脂、及於側鏈中具有經取代或未經取代之苯基及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組合物，例如可列舉含有包含異丁烯與N-甲基馬來醯亞胺之交替共聚物、及丙烯腈-苯乙烯共聚物之樹脂組合物。該聚合物膜例如可為上述樹脂組合物之擠出成形物。 如下所述般，本發明之光學積層體具代表性而言係配置於圖像顯示裝置之視認側，第1保護層12具代表性而言係配置於該視認側。因此，視需要亦可對第1保護層12實施硬塗處理、抗反射處理、抗黏附處理、防眩處理等表面處理。進而/或者，視需要亦可對第1保護層12實施改善介隔偏光太陽眼鏡進行視認之情形時之視認性的處理(具代表性而言，賦予(橢)圓偏光功能，賦予超高相位差)。藉由實施此種處理，即便於介隔偏光太陽眼鏡等偏光透鏡視認顯示畫面之情形時，亦可實現優異之視認性。因此，光學積層體亦可較佳地應用於可於室外使用之圖像顯示裝置。 關於第1保護層之厚度，只要可獲得上述所需之偏光板之厚度及與第2保護層之厚度之差，則可採用任意適當之厚度。第1保護層之厚度例如為10 μm~50 μm，較佳為15 μm~40 μm。再者，於實施有表面處理之情形時，第1保護層之厚度為包含表面處理層之厚度在內的厚度。 B-3.第2保護層 第2保護層13亦是由可用作偏光元件之保護層的任意之適當之膜而形成。成為該膜之主成分之材料係如上述B-2項中關於第1保護層所作之說明。第2保護層13較佳為光學各向同性。於本說明書中，所謂「為光學各向同性」，係指面內相位差Re(550)為0 nm~10 nm，厚度方向之相位差Rth(550)為-10 nm~+10 nm。 第2保護層之厚度例如為15 μm~35 μm，較佳為20 μm~30 μm。第1保護層之厚度與第2保護層之厚度之差較佳為15 μm以下，更佳為10 μm以下。若厚度之差為此種範圍，則可良好地抑制貼合時之捲縮。第1保護層之厚度與第2保護層之厚度可相同，亦可使第1保護層較厚，亦可使第2保護層較厚。具代表性而言，第1保護層較第2保護層厚。 C.第1相位差層 C-1.第1相位差層之特性 第1相位差層20可根據目的而具有任意適當之光學特性及/或機械特性。第1相位差層20具代表性而言具有遲相軸。於一實施形態中，第1相位差層20之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度較佳為10°~20°，更佳為13°~17°，進而較佳為約15°。若第1相位差層20之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度為此種範圍，則藉由如下所述般將第1相位差層及第2相位差層之面內相位差分別設定為特定之範圍，並相對於偏光元件之吸收軸以特定之角度配置第2相位差層之遲相軸，可獲得於寬頻帶中具有非常優異之圓偏光特性(結果為非常優異之抗反射特性)之光學積層體。 第1相位差層較佳為折射率特性顯示nx＞ny≧nz之關係。第1相位差層之面內相位差Re(550)較佳為180 nm~320 nm，更佳為200 nm~290 nm，進而較佳為230 nm~280 nm。再者，此處，「ny=nz」不僅包含ny與nz完全相等之情形，亦包含實質上相等之情形。因此，可於不損及本發明之效果之範圍內存在ny＜nz之情形。 第1相位差層之Nz係數較佳為0.9~3，更佳為0.9~2.5，進而較佳為0.9~1.5，尤佳為0.9~1.3。藉由滿足此種關係，於將所獲得之光學積層體用於圖像顯示裝置之情形時，可達成非常優異之反射色相。 第1相位差層可顯示相位差值根據測定光之波長而變大之反分散波長特性，亦可顯示相位差值根據測定光之波長而變小之正波長分散特性，亦可顯示相位差值幾乎不因測定光之波長而變化之平坦之波長分散特性。於一實施形態中，第1相位差層顯示相位差值幾乎不因測定光之波長而變化之平坦之波長分散特性。於該情形時，相位差層之Re(450)/Re(550)較佳為0.99~1.03，Re(650)/Re(550)較佳為0.98~1.02。藉由將顯示平坦之波長分散特性且具有特定之面內相位差之第1相位差層與顯示平坦之波長分散特性且具有特定之面內相位差之第2相位差層以特定之遲相軸角度組合使用，可於寬頻帶中實現非常優異之抗反射特性。 第1相位差層包含光彈性係數之絕對值較佳為2×10-11 m2 /N以下、更佳為2.0×10-13 m2 /N~1.5×10-11 m2 /N、進而較佳為1.0×10-12 m2 /N~1.2×10-11 m2 /N之樹脂。若光彈性係數之絕對值為此種範圍，則於產生加熱時之收縮應力之情形時不易發生相位差變化。其結果，可良好地防止所獲得之圖像顯示裝置之熱不均。 C-2.包含樹脂膜之第1相位差層 於第1相位差層包含樹脂膜之情形時，其厚度較佳為60 μm以下，較佳為30 μm~50 μm。若第1相位差層之厚度為此種範圍，則可獲得所需之面內相位差。 第1相位差層20可包含可滿足上述C-1項所記載之特性之任意適當之樹脂膜。作為此種樹脂之代表例，可列舉環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚醚系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、丙烯酸系樹脂。於第1相位差層包含顯示平坦之波長特性之樹脂膜之情形時，可較佳地使用環狀烯烴系樹脂。 環狀烯烴系樹脂係以環狀烯烴作為聚合單元進行聚合而成之樹脂之總稱，例如可列舉日本專利特開平1-240517號公報、日本專利特開平3-14882號公報、日本專利特開平3-122137號公報等中所記載之樹脂。作為具體例，可列舉：環狀烯烴之開環(共)聚合物，環狀烯烴之加成聚合物，環狀烯烴與乙烯、丙烯等α-烯烴之共聚物(具代表性而言為無規共聚物)，及利用不飽和羧酸或其衍生物將其等改性而成之接枝改性物以及其等之氫化物。作為環狀烯烴之具體例，可列舉降𦯉烯系單體。作為降𦯉烯系單體，例如可列舉：降𦯉烯及其烷基及/或亞烷基取代物，例如5-甲基-2-降𦯉烯、5-二甲基-2-降𦯉烯、5-乙基-2-降𦯉烯、5-丁基-2-降𦯉烯、5-亞乙基-2-降𦯉烯等，該等之鹵素等之極性基取代物；二環戊二烯、2,3-二氫二環戊二烯等；二甲橋八氫萘、其烷基及/或亞烷基取代物、及鹵素等之極性基取代物，例如6-甲基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-乙基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-亞乙基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-氯-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-氰基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-吡啶基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘、6-甲氧基羰基-1,4:5,8-二甲橋-1,4,4a,5,6,7,8,8a-八氫萘等；環戊二烯之三~四聚物，例如4,9:5,8-二甲橋-3a,4,4a,5,8,8a,9,9a-八氫-1H-苯并茚、4,11:5,10:6,9-三甲橋-3a,4,4a,5,5a,6,9,9a,10,10a,11,11a-十二氫-1H-環戊并蒽等。 於本發明中，可於不損及本發明之目的之範圍內併用可開環聚合之其他環烯烴類。作為此種環烯烴之具體例，例如可列舉環戊烯、環辛烯、5,6-二氫二環戊二烯等具有1個反應性雙鍵之化合物。 上述環狀烯烴系樹脂之藉由利用甲苯溶劑之凝膠滲透層析(GPC)法所測得之數量平均分子量(Mn)較佳為25,000~200,000，進而較佳為30,000~100,000，最佳為40,000~80,000。若數量平均分子量為上述範圍，則製成機械強度優異且溶解性、成形性、流延之操作性較佳者。 於上述環狀烯烴系樹脂為將降𦯉烯系單體之開環聚合物氫化而獲得者之情形時，氫化率較佳為90%以上，進而較佳為95%以上，最佳為99%以上。若為此種範圍，則耐熱劣化性及耐光劣化性等優異。 作為上述環狀烯烴系樹脂膜，亦可使用市售之膜。作為具體例，可列舉：日本ZEON公司製造之商品名「ZEONEX」、「ZEONOR」，JSR公司製造之商品名「Arton」，TICONA公司製造之商品名「TOPAS」，三井化學公司製造之商品名「APEL」。 第1相位差層20例如係藉由將由上述環狀烯烴系樹脂所形成之膜進行延伸而獲得。作為由環狀烯烴系樹脂形成膜之方法，可採用任意適當之成形加工法。作為具體例，可列舉壓縮成形法、轉移成形法、射出成形法、擠出成形法、吹塑成形法、粉末成形法、FRP(Fiber Reinforced Plastic，纖維強化塑膠)成形法、澆鑄塗敷法(例如流延法)、壓延成形法、熱壓法等。較佳為擠出成形法或澆鑄塗敷法。其原因在於：可提高所獲得之膜之平滑性，獲得良好之光學均一性。成形條件可根據所使用之樹脂之組成或種類、相位差層所需之特性等而適當設定。再者，如上所述，環狀烯烴系樹脂係市售有大量之膜製品，故而亦可將該市售膜直接供於延伸處理。 樹脂膜(未延伸膜)之厚度可根據第1相位差層之所需之厚度、所需之光學特性、下述延伸條件等而設定為任意適當之值。較佳為50 μm~300 μm。 上述延伸可採用任意適當之延伸方法、延伸條件(例如延伸溫度、延伸倍率、延伸方向)。具體而言，可將自由端延伸、固定端延伸、自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法單獨使用，亦可同時或逐次使用。關於延伸方向，亦可於長度方向、寬度方向、厚度方向、傾斜方向等各種方向或維度進行。延伸之溫度相對於樹脂膜之玻璃轉移溫度(Tg)較佳為Tg-30℃~Tg+60℃，更佳為Tg-10℃~Tg+50℃。 藉由適當選擇上述延伸方法、延伸條件，可獲得具有上述所需之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數)之相位差膜。 於一實施形態中，相位差膜係藉由將樹脂膜進行單軸延伸或固定端單軸延伸而製作。作為固定端單軸延伸之具體例，可列舉一面使樹脂膜於長度方向上移動，一面於寬度方向(橫向)上將其進行延伸之方法。延伸倍率較佳為1.1倍~3.5倍。 於另一實施形態中，相位差膜可藉由將長條狀之樹脂膜於相對於長度方向成特定角度之方向上連續地傾斜延伸而製作。藉由採用傾斜延伸，可獲得具有相對於膜之長度方向成特定角度之配向角(於該角度之方向上具有遲相軸)的長條狀之延伸膜，例如與偏光元件積層時可實現輥對輥，從而可簡化製造步驟。再者，該角度可為光學積層體中偏光元件之吸收軸與第1相位差層之遲相軸所成之角度。如上所述，該角度較佳為10°~20°，更佳為13°~17°，進而較佳為約15°。 作為傾斜延伸中所使用之延伸機，例如可列舉可於橫向及/或縱向上施加速度左右不同之傳送力或拉伸力或牽引力之拉幅式延伸機。拉幅式延伸機中存在橫向單軸延伸機、同時雙軸延伸機等，只要可將長條狀之樹脂膜連續地傾斜延伸，則可使用任意適當之延伸機。 藉由在上述延伸機中分別適當地控制左右之速度，可獲得具有上述所需之面內相位差且於上述所需之方向上具有遲相軸之第1相位差層(實質上為長條狀之相位差膜)。 上述膜之延伸溫度可根據第1相位差層所需之面內相位差值及厚度、所使用之樹脂之種類、所使用之膜之厚度、延伸倍率等而變化。具體而言，延伸溫度較佳為Tg-30℃~Tg+30℃，進而較佳為Tg-15℃~Tg+15℃，最佳為Tg-10℃~Tg+10℃。藉由在此種溫度下進行延伸，於本發明中可獲得具有適當特性之第1相位差層。再者，Tg係膜之構成材料之玻璃轉移溫度。 C-3.包含液晶化合物之配向固化層之第1相位差層 第1相位差層20亦可為液晶化合物之配向固化層。藉由使用液晶化合物，可使所獲得之相位差層之nx與ny之差與非液晶材料相比顯著增大，故而可將用以獲得所需之面內相位差之第1相位差層之厚度顯著減小。其結果，可實現光學積層體之進一步之薄型化。於第1相位差層20包含液晶化合物之配向固化層之情形時，其厚度較佳為1 μm~7 μm，更佳為1.5 μm~2.5 μm。藉由使用液晶化合物，能以與樹脂膜相比顯著薄之厚度實現與樹脂膜同等之面內相位差。 於本說明書中，所謂「配向固化層」，係指液晶化合物於層內沿特定之方向配向且其配向狀態經固定之層。再者，「配向固化層」係包含如下所述般使液晶單體硬化而獲得之配向硬化層之概念。於本實施形態中，具代表性而言，棒狀之液晶化合物以沿第1相位差層之遲相軸方向排列之狀態配向(水平配向)。作為液晶化合物，例如可列舉液晶相為向列相之液晶化合物(向列液晶)。作為此種液晶化合物，例如可使用液晶聚合物或液晶單體。液晶化合物之液晶性之表現機制可為溶致性液晶與熱致性液晶之任一種。液晶聚合物及液晶單體可分別單獨使用，亦可組合。 於液晶化合物為液晶單體之情形時，該液晶單體較佳為聚合性單體及交聯性單體。其原因在於：藉由使液晶單體聚合或交聯(即硬化)，可將液晶單體之配向狀態固定。於使液晶單體配向後，例如若使液晶單體彼此聚合或交聯，則藉此可將上述配向狀態固定。此處，藉由聚合而形成聚合物，藉由交聯而形成三維網狀結構，但該等為非液晶性。因此，所形成之第1相位差層不會發生例如液晶性化合物所特有之因溫度變化而引起之向液晶相、玻璃相、結晶相之轉移。其結果，第1相位差層成為不受溫度變化影響之穩定性極其優異之相位差層。 液晶單體顯示液晶性之溫度範圍根據其種類而不同。具體而言，該溫度範圍較佳為40℃~120℃，進而較佳為50℃~100℃，最佳為60℃~90℃。 作為上述液晶單體，可採用任意適當之液晶單體。例如可使用日本專利特表2002-533742(WO00/37585)、EP358208(US5211877)、EP66137(US4388453)、WO93/22397、EP0261712、DE19504224、DE4408171、及GB2280445等中所記載之聚合性液晶原基化合物等。作為此種聚合性液晶原基化合物之具體例，例如可列舉BASF公司之商品名LC242、Merck公司之商品名E7、Wacker-Chem公司之商品名LC-Sillicon-CC3767。作為液晶單體，例如較佳為向列性液晶單體。 液晶化合物之配向固化層可藉由如下方式形成：對特定之基材之表面實施配向處理，於該表面塗敷包含液晶化合物之塗敷液並使該液晶化合物沿與上述配向處理對應之方向配向，將該配向狀態固定。藉由使用此種配向處理，可使液晶化合物相對於長條狀基材之長條方向沿特定之方向配向，結果，可使遲相軸於所形成之相位差層之特定方向上顯現。例如，可於長條狀之基材上形成於相對於長條方向成15°之方向上具有遲相軸之相位差層。此種相位差層即便於需要於傾斜方向上具有遲相軸之情形時，亦可使用輥對輥進行積層，故而光學積層體之生產性可顯著提高。於一實施形態中，基材為任意適當之樹脂膜，形成於該基材上之配向固化層可轉印至偏光板10之表面。於另一實施形態中，基材可為第2保護層13。於該情形時，可省略轉印步驟，於形成配向固化層(第1相位差層)後連續地藉由輥對輥進行積層，故而生產性進一步提高。 作為上述配向處理，可採用任意適當之配向處理。具體而言，可列舉機械性之配向處理、物理性之配向處理、化學性之配向處理。作為機械性之配向處理之具體例，可列舉摩擦處理、延伸處理。作為物理性之配向處理之具體例，可列舉磁場配向處理、電場配向處理。作為化學性之配向處理之具體例，可列舉斜向蒸鍍法、光配向處理。關於各種配向處理之處理條件，可根據目的採用任意適當之條件。 液晶化合物之配向係藉由根據液晶化合物之種類於顯示液晶相之溫度下進行處理而進行。藉由進行此種溫度處理，液晶化合物成為液晶狀態，該液晶化合物對應於基材表面之配向處理方向而配向。 於一實施形態中，配向狀態之固定係藉由將如上所述般經配向之液晶化合物冷卻而進行。於液晶化合物為聚合性單體或交聯性單體之情形時，配向狀態之固定係藉由對如上所述般經配向之液晶化合物實施聚合處理或交聯處理而進行。 液晶化合物之具體例及配向固化層之形成方法之詳細內容係記載於日本專利特開2006-163343號公報中。該公報之記載係以參考之形式引用至本說明書中。 D.第2相位差層 D-1.第2相位差層之特性 第2相位差層30可根據目的而具有任意適當之光學特性及/或機械特性。第2相位差層30具代表性而言具有遲相軸。於一實施形態中，第2相位差層30之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度較佳為65°~85°，更佳為72°~78°，進而較佳為約75°。第2相位差層30之遲相軸與第1相位差層20之遲相軸所成之角度較佳為52°~68°，更佳為57°~63°，進而較佳為約60°。若第2相位差層30之遲相軸與偏光元件11之吸收軸所成之角度為此種範圍，則藉由如上所述般將第1相位差層之面內相位差設定為特定之範圍，並相對於偏光元件之吸收軸以特定之角度配置第1相位差層之遲相軸，且如下所述般將第2相位差層之面內相位差設定為特定之範圍，可獲得於寬頻帶中具有非常優異之圓偏光特性(結果為非常優異之抗反射特性)之光學積層體。 第2相位差層較佳為折射率特性顯示nx＞ny≧nz之關係。第2相位差層之面內相位差Re(550)較佳為80 nm~200 nm，更佳為100 nm~180 nm，進而較佳為110 nm~170 nm。 第2相位差層之其他特性係如上述C-1項中關於第1相位差層所作之說明。 D-2.包含樹脂膜之第2相位差層 於第2相位差層包含樹脂膜之情形時，其厚度較佳為40 μm以下，較佳為25 μm~35 μm。若第2相位差層之厚度為此種範圍，則可獲得所需之面內相位差。於第2相位差層包含樹脂膜之情形時，其材料、特性、製造方法等係如上述C-2項中關於第1相位差層所作之說明。 D-3.包含液晶化合物之配向固化層之第2相位差層 第2相位差層30亦可與第1相位差層同樣地為液晶化合物之配向固化層。於第2相位差層30包含液晶化合物之配向固化層之情形時，其厚度較佳為0.5 μm~2 μm，更佳為1 μm~1.5 μm。於第2相位差層包含液晶化合物之配向固化層之情形時，其材料、特性、製造方法等係如上述C-3項中關於第1相位差層所作之說明。 D-4.第1相位差層與第2相位差層之組合 第1相位差層及第2相位差層能以任意適當之組合之形式使用。具體而言，可為第1相位差層包含樹脂膜，第2相位差層包含液晶化合物之配向固化層；亦可為第1相位差層包含液晶化合物之配向固化層，第2相位差層包含樹脂膜；亦可為第1相位差層及第2相位差層均包含樹脂膜；亦可為第1相位差層及第2相位差層均包含液晶化合物之配向固化層。較佳為於第1相位差層包含樹脂膜之情形時，第2相位差層亦包含樹脂膜；於第1相位差層包含液晶化合物之配向固化層之情形時，第2相位差層亦包含液晶化合物之配向固化層。再者，於第1相位差層及第2相位差層均包含樹脂膜之情形時，第1相位差層及第2相位差層可相同，亦可使詳細之構成不同。第1相位差層及第2相位差層均包含液晶化合物之配向固化層之情形時亦同樣。 於第1相位差層及第2相位差層均包含樹脂膜之情形時，第2相位差層之尺寸變化率較佳為1%以下，更佳為0.95%以下。第2相位差層之尺寸變化率越小越佳。第2相位差層之尺寸變化率之下限例如為0.01%。若第2相位差層之尺寸變化率為此種範圍，則可顯著地抑制高溫高濕下之導電層產生龜裂。 於第1相位差層及第2相位差層均包含液晶化合物之配向固化層之情形時，偏光板、第1相位差層及第2相位差層之積層體之尺寸變化率較佳為1%以下，更佳為0.95%以下。該積層體之尺寸變化率越小越佳。該積層體之尺寸變化率之下限例如為0.01%。若該積層體之尺寸變化率為此種範圍，則可顯著地抑制高溫高濕下之導電層產生龜裂。 E.導電層 導電層可藉由任意之適當之成膜方法(例如真空蒸鍍法、濺鍍法、CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法、離子鍍覆法、噴霧法等)於任意適當之基材上形成金屬氧化物膜而形成。成膜後視需要亦可進行加熱處理(例如100℃~200℃)。藉由進行加熱處理，非晶質膜可結晶化。作為金屬氧化物，例如可列舉氧化銦、氧化錫、氧化鋅、銦-錫複合氧化物、錫-銻複合氧化物、鋅-鋁複合氧化物、銦-鋅複合氧化物。銦氧化物中亦可摻雜有2價金屬離子或4價金屬離子。較佳為銦系複合氧化物，更佳為銦-錫複合氧化物(ITO)。銦系複合氧化物具有於可見光區域(380 nm~780 nm)中具有較高之透過率(例如80%以上)且每單位面積之表面電阻值較低之特徵。 於導電層包含金屬氧化物之情形時，該導電層之厚度較佳為50 nm以下，更佳為35 nm以下。導電層之厚度之下限較佳為10 nm。 導電層之表面電阻值較佳為300 Ω/□以下，更佳為150 Ω/□以下，進而較佳為100 Ω/□以下。 導電層視需要可圖案化。藉由圖案化，可形成導通部及絕緣部。作為圖案化方法，可採用任意適當之方法。作為圖案化方法之具體例，可列舉濕式蝕刻法、網版印刷法。 F.基材 作為基材，只要可獲得上述A項所記載之所需之透濕度、尺寸變化率及線膨脹係數，則可使用任意適當之樹脂膜。較佳為除了上述所需之特性以外具有優異之透明性之樹脂膜。作為構成材料之具體例，可列舉環狀烯烴系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、纖維素系樹脂、聚酯系樹脂、丙烯酸系樹脂。 較佳為上述基材為光學各向同性。作為構成光學各向同性之基材(各向同性基材)之材料，例如可列舉：以降𦯉烯系樹脂或烯烴系樹脂等不具有共軛系之樹脂作為主骨架之材料、於丙烯酸系樹脂之主鏈中具有內酯環或戊二醯亞胺環等環狀結構之材料等。若使用此種材料，則於形成各向同性基材時，可將伴隨分子鏈之配向的相位差之表現抑制為較小。 基材之厚度較佳為10 μm~200 μm，更佳為20 μm~60 μm。 視需要亦可於導電層41與基材42之間設置硬塗層(未圖示)。作為硬塗層，可使用任意之具有適當構成之硬塗層。硬塗層之厚度例如為0.5 μm~2 μm。只要霧度為容許範圍，則亦可於硬塗層中添加用以減少牛頓環之微粒子。進而，視需要亦可於導電層41與基材42(於存在之情形時為硬塗層)之間設置用以提高導電層之密接性之增黏塗層、及/或用以調整反射率之折射率調整層。作為增黏塗層及折射率調整層，可採用任意適當之構成。增黏塗層及折射率調整層可為數奈米~數十奈米之薄層。 視需要亦可於基材42之與導電層相反之側(光學積層體之最外側)設置另一硬塗層。具代表性而言，該硬塗層包含黏合劑樹脂層及球狀粒子，球狀粒子自黏合劑樹脂層突出而形成凸部。此種硬塗層之詳細內容係記載於日本專利特開2013-145547號公報中，該公報之記載係以參考之形式引用至本說明書中。 G.其他 本發明之實施形態之光學積層體亦可進而包含其他相位差層。其他相位差層之光學特性(例如折射率特性、面內相位差、Nz係數量、光彈性係數)、厚度、配置位置等可根據目的而適當設定。 就實用而言，於基材42之表面設置有用以貼合於顯示單元之黏著劑層(未圖示)。較佳為於該黏著劑層之表面貼合有剝離膜直至將光學積層體供於使用。 H.圖像顯示裝置 上述A項~G項所記載之光學積層體可應用於圖像顯示裝置。因此，本發明包含使用此種光學積層體之圖像顯示裝置。作為圖像顯示裝置之代表例，可列舉液晶顯示裝置、有機EL顯示裝置。本發明之實施形態之圖像顯示裝置於其視認側具備上述A項~G項所記載之光學積層體。光學積層體係以導電層成為顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)側之方式(偏光元件成為視認側之方式)積層。即，本發明之實施形態之圖像顯示裝置可為於顯示單元(例如液晶單元、有機EL單元)與偏光板之間組入有觸控感測器之所謂之內觸控面板型輸入顯示裝置。於該情形時，觸控感測器可配置於導電層(或附有基材之導電層)與顯示單元之間。關於觸控感測器之構成，可採用業界周知之構成，故而省略詳細之說明。 [實施例] 以下，藉由實施例對本發明具體地進行說明，但本發明不受該等實施例之限定。再者，各特性之測定方法如下所述。 (1)厚度 對於塗佈形成之相位差層(液晶化合物之配向固化層)，使用大塚電子製造之MCPD2000藉由干涉膜厚測定法進行測定。對於其他膜，使用數位式測微計(Anritsu公司製造之KC-351C)進行測定。 (2)相位差層之相位差值 利用自動雙折射測定裝置(王子計測機器股份有限公司製造，自動雙折射計KOBRA-WPR)測量實施例及比較例中所使用之相位差層之折射率nx、ny及nz。面內相位差Re之測定波長為450 nm及550 nm，厚度方向相位差Rth之測定波長為550 nm，測定溫度為23℃。 (3)透濕度 依據JIS K 7129B(Mocon法)進行測定。於溫度40℃、濕度92%RH之氛圍中測定於24小時內通過面積1 m2 之試樣之水蒸氣量(mg)。 (4)尺寸變化率 將實施例及比較例中所使用之基材或相位差層、或者實施例及比較例中所獲得之光學積層體以100 mm×100 mm切出而作為測定試樣。測定將該測定試樣於溫度85℃及相對濕度85%之烘箱中保管240小時後之尺寸，將與投入烘箱前之尺寸相比之變化率作為尺寸變化率。 (5)線膨脹係數 使用SII NanoTechnology製造之TMA(SS7100)，將實施例及比較例中所使用之基材以約6 mm見方切削並設置於試樣台，依據JIS K 7197進行TMA(壓縮膨脹法)測定。測定負荷為19.6 mN，探針直徑為3.5 mmf，升溫速度為5℃/分鐘，於-150℃~20℃之範圍內進行測定，根據所獲得之尺寸變化之資料算出該範圍之平均線膨脹係數。 (6)光學積層體之耐久性 將實施例及比較例中所獲得之光學積層體以100 mm×50 mm切出並貼合於無鹼玻璃而作為測定試樣。將該測定試樣於溫度85℃及相對濕度85%之烘箱中保管120小時。其後，將測定試樣自烘箱中取出，利用雷射顯微鏡觀察導電層之狀態，以如下基準進行評價。 良好：未確認到龜裂 不良：明顯確認到龜裂 [參考例1：偏光板之製作] 對於厚度30 μm之聚乙烯醇(PVA)系樹脂膜(Kuraray製造，製品名「PE3000」)之長條卷，一面利用輥延伸機以於長條方向上成為5.9倍之方式於長條方向上進行單軸延伸，一面同時實施膨潤、染色、交聯、洗淨處理，最後實施乾燥處理，藉此製作厚度12 μm之偏光元件1。 具體而言，膨潤處理係一面於20℃之純水中進行處理一面延伸至2.2倍。繼而，染色處理係一面於以所獲得之偏光元件之單體透過率成為45.0%之方式調整了碘濃度的碘與碘化鉀之重量比為1：7之30℃之水溶液中進行處理一面延伸至1.4倍。進而，交聯處理係採用2階段之交聯處理，第一階段之交聯處理係一面於40℃之溶解有硼酸與碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.2倍。第一階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量為5.0重量%，碘化鉀含量係設為3.0重量%。第二階段之交聯處理係一面於65℃之溶解有硼酸與碘化鉀之水溶液中進行處理一面延伸至1.6倍。第二階段之交聯處理之水溶液之硼酸含量為4.3重量%，碘化鉀含量係設為5.0重量%。又，洗淨處理係於20℃之碘化鉀水溶液中進行處理。洗淨處理之水溶液之碘化鉀含量係設為2.6重量%。最後，乾燥處理係於70℃下乾燥5分鐘而獲得偏光元件1。 於所獲得之偏光元件1之兩面，經由聚乙烯醇系接著劑分別貼合Konica Minolta股份有限公司製造之TAC膜(製品名：KC2UA，厚度：25 μm，對應於第2保護層)及於該TAC膜之單面具有藉由硬塗處理而形成之硬塗(HC)層之HC-TAC膜(厚度：32 μm，對應於第1保護層)，獲得具有第1保護層/偏光元件1/第2保護層之構成之偏光板1。 [參考例2：構成第1相位差層之液晶配向固化層之製作] 將顯示向列液晶相之聚合性液晶(BASF公司製造：商品名「Paliocolor LC242」，由下述式表示)10 g與針對該聚合性液晶化合物之光聚合起始劑(BASF公司製造：商品名「Irgacure907」)3 g溶解於甲苯40 g中，製備液晶組合物(塗敷液)。 [化1]使用摩擦布將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度38 μm)表面摩擦而實施配向處理。關於配向處理之條件，摩擦次數(摩擦輥個數)為1，摩擦輥半徑r為76.89 mm，摩擦輥轉數nr為1500 rpm，膜搬送速度v為83 mm/sec，關於摩擦強度RS及壓入量M，於如表1所示之5種條件(a)~(e)下進行。 [表1] 配向處理之方向係於貼合於偏光板時自視認側觀察而相對於偏光元件之吸收軸之方向成-75°方向。利用棒式塗佈機將上述液晶塗敷液塗敷於該配向處理表面，並於90℃下加熱乾燥2分鐘，藉此使液晶化合物配向。於條件(a)~(c)下，液晶化合物之配向狀態非常良好。於條件(d)及(e)下，液晶化合物之配向產生若干混亂，但為實用上無問題之水準。使用金屬鹵素燈對如此而形成之液晶層照射1 mJ/cm2 之光，使該液晶層硬化，藉此於PET膜上形成相位差層(液晶配向固化層)1。相位差層1之厚度為2 μm，面內相位差Re(550)為236 nm。進而，相位差層1具有nx＞ny=nz之折射率分佈。 [參考例3：構成第2相位差層之液晶配向固化層之製作] 使用摩擦布將聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(厚度38 μm)表面摩擦而實施配向處理。配向處理之方向係於貼合於偏光板時自視認側觀察而相對於偏光元件之吸收軸之方向成-15°方向。將與參考例2相同之液晶塗敷液塗敷於該配向處理表面，以與參考例2相同之方式使液晶化合物配向及硬化，於PET膜上形成相位差層2。相位差層2之厚度為1.2 μm，面內相位差Re(550)為115 nm。進而，相位差層2具有nx＞ny=nz之折射率分佈。 [參考例4：構成第1相位差層及第2相位差層之積層相位差膜之製作] 將Kaneka股份有限公司製造之環烯烴系之相位差膜A(製品名：KUZ-Film#270，厚度：33 μm，Re(550)=270 nm)與Kaneka股份有限公司製造之環烯烴系之相位差膜B(製品名：KUZ-Film#140，厚度：28 μm，Re(550)=140 nm)以各自之遲相軸所成之角度成為60°之方式經由厚度5 μm之丙烯酸系接著層貼合，獲得積層相位差膜。將該積層相位差膜作為相位差層3。 [參考例5：構成相位差層之相位差膜之製作] 7-1.聚碳酸酯樹脂膜之製作 將異山梨酯(ISB)26.2質量份、9,9-[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀(BHEPF)100.5質量份、1,4-環己烷二甲醇(1,4-CHDM)10.7質量份、碳酸二苯酯(DPC)105.1質量份、及作為觸媒之碳酸銫(0.2質量%水溶液)0.591質量份分別投入至反應容器中，於氮氣氛圍下，作為反應之第1階段步驟，將反應容器之熱媒溫度設為150℃，一面視需要進行攪拌一面使原料溶解(約15分鐘)。 繼而，使反應容器內之壓力自常壓調整為13.3k Pa，一面使反應容器之熱媒溫度以1小時上升至190℃，一面將所產生之苯酚抽出至反應容器外。 將反應容器內溫度於190℃保持15分鐘後，作為第2階段步驟，將反應容器內之壓力設為6.67k Pa，使反應容器之熱媒溫度以15分鐘上升至230℃，將所產生之苯酚抽出至反應容器外。由於攪拌機之攪拌轉矩上升，故而以8分鐘升溫至250℃，為了進而將所產生之苯酚去除，而將反應容器內之壓力降低至0.200k Pa以下。達到特定之攪拌轉矩後，結束反應，將所生成之反應物擠出至水中後，進行顆粒化，獲得BHEPF/ISB/1,4-CHDM=47.4莫耳%/37.1莫耳%/15.5莫耳%之聚碳酸酯樹脂。 所獲得之聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度為136.6℃，比濃黏度為0.395 dL/g。 將所獲得之聚碳酸酯樹脂於80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠出機(Isuzu Kakoki公司製造，螺桿直徑25 mm，料缸設定溫度：220℃)、T型模頭(寬度200 mm，設定溫度：220℃)、冷卻輥(設定溫度：120~130℃)及捲取機之膜製膜裝置製作厚度120 μm之聚碳酸酯樹脂膜。 7-2.相位差膜之製作 使用拉幅式延伸機將所獲得之聚碳酸酯樹脂膜進行橫向延伸，獲得厚度50 μm之相位差膜。此時，延伸倍率為250%，將延伸溫度設為137~139℃。 所獲得之相位差膜之Re(550)為137~147 nm，Re(450)/Re(550)為0.89，Nz係數為1.21，配向角(遲相軸之方向)相對於長條方向為90°。將該相位差膜用作相位差層4。 [參考例6：導電性膜(附有基材之導電層)之製作] 作為基材，使用厚度50 μm之聚環烯烴膜(日本ZEON製造，商品名「ZEONOR(註冊商標)」)。於該基材之一面塗佈紫外線硬化性樹脂組合物(DIC公司製造之商品名「UNIDIC(註冊商標)RS29-120」)，於80℃下乾燥1分鐘後，進行紫外線硬化，形成厚度1.0 μm之硬塗層。繼而，於基材之另一面塗佈包含與上述相同之紫外線硬化性樹脂組合物100重量份、及最頻粒徑為1.9 μm之丙烯酸系球狀粒子(綜研化學公司製造，商品名「MX-180TA」)0.002重量份的摻有球狀粒子之硬化性樹脂組合物，其後進行紫外線硬化，形成厚度1.0 μm之硬塗層。將上述所獲得之聚環烯烴膜投入至濺鍍裝置中，於不含粒子之硬塗層表面形成厚度27 nm之銦錫氧化物之非晶質層。繼而，將形成有銦錫氧化物之非晶質層之聚烯烴膜於130℃之加熱烘箱中進行90分鐘加熱處理，製作表面電阻值為100 Ω/□之透明導電性膜。將該透明導電性膜作為附有基材之導電層。基材之依照上述(3)之透濕度為7 mg/m2 ・24 h，依照上述(4)之尺寸變化率為0.03%，依照上述(5)之線膨脹係數為7.3(×10-6 /℃)。 [參考例7：導電性膜(附有基材之導電層)之製作] 作為基材，使用厚度50 μm之PET膜(Toray製造，商品名「Lumirror#50」)，除此以外，以與參考例6相同之方式製作表面電阻值為100 Ω/□之透明導電性膜。將該透明導電性膜作為附有基材之導電層。基材之依照上述(3)之透濕度為700 mg/m2 ・24 h，依照上述(4)之尺寸變化率為0.50%，依照上述(5)之線膨脹係數為13.0(×10-6 /℃)。 [參考例8：黏著劑層之製作] 將丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥基丁酯1.0份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一併添加至具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中。使反應容器中之混合物於氮氣氣流下於60℃下反應4小時後，向該反應液中添加乙酸乙酯，獲得含有重量平均分子量165萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固形物成分濃度30%)。對每100份上述丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分調配0.15份之過氧化二苯甲醯(日本油脂製造(股)：Nyper BO-Y)、0.1份之三羥甲基丙烷二甲苯二異氰酸酯(三井武田化學(股)：Takenate D110N)、及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造：A-100，含乙醯乙醯基之矽烷偶合劑)而獲得黏著劑層形成用溶液。將上述黏著劑層形成用溶液塗敷於包含經矽酮系剝離劑進行了表面處理之包含聚酯膜的隔離膜上，於155℃下加熱處理3分鐘而獲得厚度15 μm之黏著劑層A。 [參考例9：黏著劑層之製作] 將丙烯酸丁酯94.9份、丙烯酸5份及丙烯酸2-羥基乙酯0.1份、以及相對於該等單體(固形物成分)100份而為0.3份之過氧化苯甲醯與乙酸乙酯一併添加至具備冷凝管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中。使反應容器中之混合物於氮氣氣流下於60℃下反應7小時後，向該反應液中添加乙酸乙酯，獲得含有重量平均分子量220萬之丙烯酸系聚合物之溶液(固形物成分濃度30重量%)。對每100份上述丙烯酸系聚合物溶液之固形物成分調配0.6份之三羥甲基丙烷二異氰酸甲苯酯(Nippon Polyurethane(股)製造：Coronate L)、及0.075份之γ-縮水甘油氧基丙基甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製造：KBM-403)而獲得黏著劑層形成用溶液。將上述黏著劑層形成用溶液塗敷於包含經矽酮系剝離劑進行了表面處理之聚酯膜的隔離膜上，於155℃下加熱處理3分鐘而獲得厚度15 μm之黏著劑層B。 [實施例1] 將偏光板1之第2保護層面與相位差層1以偏光元件之吸收軸與相位差層1之遲相軸所成之角度成為15°之方式經由厚度5 μm之丙烯酸系接著劑貼合。繼而，將形成有相位差層1之PET膜剝離，於該剝離面以偏光元件之吸收軸與相位差層2之遲相軸所成之角度成為75°之方式經由厚度5 μm之丙烯酸系接著劑貼合相位差層2。繼而，將形成有相位差層2之PET膜剝離，獲得具有偏光板/第1相位差層/第2相位差層之構成之圓偏光板1。將圓偏光板1之第2相位差層與參考例6中所獲得之附有基材之導電層的導電層經由黏著劑層A貼合，獲得光學積層體1。將所獲得之光學積層體1供於上述(6)之評價。將結果示於表2。 [實施例2] 使用相位差層3(積層相位差膜)代替相位差層1及2，將偏光板1之第2保護層面與相位差層膜A之面以偏光元件之吸收軸與相位差膜A之遲相軸所成之角度成為15°且偏光元件之吸收軸與相位差膜B之遲相軸所成之角度成為75°之方式經由厚度12 μm之丙烯酸系接著劑貼合，獲得具有偏光板/第1相位差層/第2相位差層之構成之圓偏光板2。將圓偏光板2之第2相位差層與參考例6中所獲得之附有基材之導電層的導電層經由黏著劑層A貼合，獲得光學積層體2。將所獲得之光學積層體2供於上述(6)之評價。將結果示於表2。 [比較例1] 使用參考例7中所獲得之附有基材之導電層，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得光學積層體3。將所獲得之光學積層體3供於上述(6)之評價。將結果示於表2。 [比較例2] 使用參考例7中所獲得之附有基材之導電層，除此以外，以與實施例2相同之方式獲得光學積層體4。將所獲得之光學積層體4供於上述(6)之評價。將結果示於表2。 [表2] [產業上之可利用性] 本發明之光學積層體可較佳地用於液晶顯示裝置及有機EL顯示裝置般之圖像顯示裝置，尤其可較佳地用作有機EL顯示裝置之抗反射膜。進而，本發明之光學積層體可較佳地用於內觸控面板型輸入顯示裝置。
10‧‧‧偏光板
11‧‧‧偏光元件
12‧‧‧第1保護層
13‧‧‧第2保護層
20‧‧‧第1相位差層
30‧‧‧第2相位差層
41‧‧‧導電層
42‧‧‧基材
100‧‧‧光學積層體
圖1係本發明之一實施形態之光學積層體之概略剖視圖。

Claims (7)

  1. 一種光學積層體，其依序具有：包含偏光元件及位於該偏光元件之至少一側之保護層的偏光板、第1相位差層、第2相位差層、導電層、以及密接積層於該導電層之基材，且 該基材之透濕度為5 mg/m2 ・24 h~10 mg/m2 ・24 h，尺寸變化率為0.3%以下，且線膨脹係數為5(×10-6 /℃)~10(×10-6 /℃)。
  2. 如請求項1之光學積層體，其中上述偏光元件之吸收軸與上述第1相位差層之遲相軸所成之角度為10°~20°，該吸收軸與上述第2相位差層之遲相軸所成之角度為65°~85°。
  3. 如請求項1或2之光學積層體，其中上述第1相位差層及上述第2相位差層包含環狀烯烴系樹脂膜。
  4. 如請求項3之光學積層體，其中上述第2相位差層之尺寸變化率為1%以下。
  5. 如請求項1或2之光學積層體，其中上述第1相位差層及上述第2相位差層為液晶化合物之配向固化層。
  6. 如請求項5之光學積層體，其中上述偏光板、上述第1相位差層及上述第2相位差層之積層體之尺寸變化率為1%以下。
  7. 一種圖像顯示裝置，其具備如請求項1至6中任一項之光學積層體。
TW106130392A 2016-10-04 2017-09-06 光學積層體及圖像顯示裝置 TWI737807B (zh)

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