TW201812882A - 晶片間隔維持方法 - Google Patents

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Abstract

[課題]在將藉由加熱並不會收縮的擴展片貼附於被加工物的情況下，仍做到維持晶片的間隔為已擴張的狀態，並且不產生因片材鬆弛所造成的晶片彼此之接觸。 [解決手段]具備晶片間隔形成步驟及片材收縮步驟，該晶片間隔形成步驟是將片材擴張以於晶片間形成間隔，該片材收縮步驟是在實施晶片間隔形成步驟後，在維持晶片間的間隔的狀態下對框架與被加工物之間的片材加熱，而使已在被加工物外周側被延展的片材收縮，並具備在片材收縮步驟的實施之前，在框架與被加工物之間的片材貼附複數個熱收縮膠帶的步驟，且在片材收縮步驟中是將框架與被加工物之間的片材與膠帶一起加熱，來使片材之貼附有膠帶的區域收縮。

Description

晶片間隔維持方法
發明領域 本發明是有關於一種在擴展片上將構成被加工物之複數個晶片的間隔維持在已擴張的狀態之晶片間隔維持方法。
發明背景 半導體晶圓等板狀的被加工物是例如，將其正面以排列成格子狀之分割預定線區劃成複數個區域，且在已區劃成此格子狀的各區域中各自形成有各種器件。並且，被加工物是在被磨削而薄化成預定的厚度之後，沿著分割預定線被分割而成為一個個的器件晶片等，以利用於各種電子機器等上。
作為分割被加工物的方法有例如，首先使雷射光線聚光於被加工物的内部來形成作為分割起點的改質層，再藉由改質層對強度已降低之分割預定線施加外力，藉此將被加工物分割成晶片的方法。作為施加外力的設備而被採用的有下述設備：藉由擴展裝置將貼附於被加工物的背面的擴展片擴張，藉此同時也擴張被加工物(參照例如專利文獻1)。亦即，將擴展片貼附於被加工物，並且將擴展片的外周部貼附到環狀框架，以堵塞環狀框架的開口部，藉此形成將被加工物透過擴展片支撐於環狀框架之狀態。接著，將透過環狀框架而被支撐的被加工物載置於擴展裝置的擴張滾筒上，且在面方向上將擴展片擴張，藉此，可以對由於改質層而使強度降低的分割預定線施加外力，並將被加工物分割成晶片。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2010-147317號公報
發明概要 發明欲解決之課題 在擴張擴展片並將被加工物適當地分割成晶片，且於晶片間設置有預定的間隔之後，已分割的被加工物是以貼附有擴展片的狀態原樣搬送到要從擴展片拾取晶片的拾取步驟。在拾取步驟中是例如，以針具從下方將晶片上推，並將已從擴展片浮起的晶片以真空夾頭拾取。當擴展片被擴張並解除張力時，由於環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的區域成為已延伸且鬆弛的狀態，所以在搬送到拾取步驟之時的透過環狀框架進行的被加工物的操作處理(handling)時，會有起因於擴展片的鬆弛而使晶片彼此相接觸，並導致晶片損傷之疑慮。
於是，有如上述專利文獻1所記載，而形成下述之方法：將被加工物分割成晶片之後，於擴展片之中，僅對環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的鬆弛區域加熱來使其收縮，並且貼附有晶片的部分不使其收縮，而不會有讓晶片彼此相接觸的情形。
然而，在貼附有被加工物的擴展片是經由加熱並不會收縮或難以收縮的類型的擴展片的情況下，即使將擴展片的鬆弛區域加熱也無法確切地使其收縮，結果在被加工物之透過環狀框架進行的操作處理時，會有晶片彼此接觸，並導致晶片損傷的情況。
因此，存在有下述課題：在將藉由加熱並不會收縮或難以收縮的擴展片貼附於被加工物的情況下，仍要做到維持晶片彼此的間隔為已擴張的狀態，並且不產生起因於擴展片的鬆弛之晶片彼此的接觸及損傷。 用以解決課題之手段
用於解決上述課題之本發明為一種晶片間隔維持方法，其是在貼附於擴展片的狀態下，將透過該擴展片而由環狀框架所支撐之構成被加工物的複數個晶片之間隔維持在已擴張的狀態，該晶片間隔維持方法具備： 晶片間隔形成步驟，擴張該擴展片且在該晶片間形成間隔；及 擴展片收縮步驟，在實施該晶片間隔形成步驟之後，在維持該晶片間之間隔的狀態下，對環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片加熱，以使已在被加工物的外周側被延展的該擴展片收縮， 該晶片間隔維持方法更具備： 熱收縮膠帶貼附步驟，至少在實施該擴展片收縮步驟之前，在環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片，貼附複數個熱收縮膠帶， 且在該擴展片收縮步驟中，是藉由將環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片與該熱收縮膠帶一起加熱，來使該擴展片之貼附有該熱收縮膠帶的區域收縮。 發明效果
關於本發明之晶片間隔維持方法，由於具備至少在實施擴展片收縮步驟之前，在環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片上貼附複數個熱收縮膠帶的熱收縮膠帶貼附步驟，並在該擴展片收縮步驟中，藉由將環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片和熱收縮膠帶一起加熱，來使熱收縮膠帶藉由加熱而收縮，並使擴展片之貼附有熱收縮膠帶的區域收縮，所以即便是藉由加熱並不會收縮的擴展片也可使其收縮，而且可以將晶片彼此的間隔維持在已擴張的狀態。因此，可防止起因於擴展片之鬆弛而使晶片彼此接觸因而導致產生晶片的損傷之情形。
用以實施發明之形態 圖1所示之被加工物W是例如外形為圓形的半導體晶圓，且於被加工物W的正面Wa，於藉由分割預定線S所區劃出的格子狀的區域中形成有複數個器件D。在將被加工物W沿著分割預定線S分割成具備器件D的各晶片時，是藉由例如圖2所示的雷射加工裝置1而於被加工物W的內部形成作為分割起點的改質層。為此，會使圖1所示之保護膠帶T1成為已貼附於正面Wa的狀態。
保護膠帶T1是例如具有與被加工物W的外徑同等程度的外徑的圓盤狀的薄膜，並具備有具有黏附力的黏附面T1a。所使用的是例如於黏附面T1a上照射紫外線後會硬化並使黏附力降低之丙烯酸系基底樹脂等所形成的UV硬化膠。藉由將保護膠帶T1的貼附面T1a貼附於被加工物W的正面Wa，被加工物W的正面Wa會成為已由保護膠帶T1保護的狀態。
雷射加工裝置1至少具備有例如吸引保持被加工物W的工作夾台10、對保持於工作夾台10之被加工物W照射雷射光的雷射光照射設備11。工作夾台10是例如其外形為圓形，且將被加工物W吸引保持於由多孔構件等所構成的保持面10a上。工作夾台10是以可繞鉛直方向的軸心的方式旋轉，並且可藉由加工進給設備12於X軸方向上往復移動。
雷射光照射設備11具備有例如可以振盪產生對被加工物W具有穿透性的預定波長的雷射光之未圖示的雷射光振盪器，且可以藉由使從雷射光振盪器所振盪產生之雷射光照入聚光器111内部的聚光透鏡112，而將雷射光聚光於被加工物W的内部。例如在被加工物W為矽晶圓，且欲藉由雷射光照射設備11於被加工物W的内部形成良好的改質層的情況下，是從雷射光振盪器振盪產生紅外光區之波長的雷射光。
在雷射光照射設備11的附近，配設有檢測被加工物W的分割預定線S的校準設備14。校準設備14具備有照射紅外線之未圖示的紅外線照射設備、及以捕捉紅外線的光學系統與輸出對應於紅外線的電氣訊號的攝像元件(紅外線CCD)等所構成之紅外線相機140，可以將藉由紅外線相機140取得的圖像作為基礎，並透過型樣匹配(pattern matching)等的圖像處理來檢測被加工物W正面Wa的分割預定線S。雷射光照射設備11是與校準設備14成為一體而構成，且兩者會連動而往Y軸方向以及Z軸方向移動。
以下，針對使用雷射加工裝置1來沿分割預定線S於被加工物W上形成作為分割起點的改質層之情形進行說明。首先，進行對位以使圖2所示之雷射加工裝置1的工作夾台10的保持面10a與被加工物W之藉由保護膠帶T1所保護之正面Wa側相向，並將被加工物W以背面Wb側為上側來載置於工作夾台10上。然後，作動已連接於工作夾台10之未圖示的吸引源，將被加工物W吸引保持於工作夾台10上。
接著，藉由加工進給設備12將保持於工作夾台10的被加工物W朝-X方向(前進方向)進給，並且藉由校準設備14檢測分割預定線S。於此，雖然圖1所示之形成有分割預定線S的被加工物W的正面Wa會位於下側，而並未與校準設備14直接相向，但可以藉由紅外線相機140使其從被加工物W的背面Wb側穿透來拍攝分割預定線S。根據紅外線相機140所拍攝到的分割預定線S的圖像，校準設備14可實行型樣匹配等的圖像處理，而檢測分割預定線S的位置。
伴隨於分割預定線S的檢測，並將雷射光照射設備11在Y軸方向上驅動，以進行照射雷射光的分割預定線S與聚光器111的Y軸方向上的對位。此對位是進行成例如令分割預定線S的中心線位在聚光器111所具備的聚光透鏡112的正下方。
接著，以聚光器111將預定波長的雷射光的聚光點定位在對應於分割預定線S之被加工物W内部的預定高度位置。然後，將從雷射光振盪器振盪產生且以聚光透鏡112聚光的雷射光沿著分割預定線S照射，並且將被加工物W以預定的加工進給速度朝-X方向加工進給，而如圖2所示地於被加工物W内部形成改質層M。改質層M的形成位置是例如成為在被加工物W的背面Wb與離正面Wa相當於器件晶片的成品厚度量上方的位置之間的位置。
例如，當被加工物W朝-X方向行進到對一條分割預定線S照射雷射光結束的X軸方向的預定位置時，會停止雷射光的照射並且暫時停止被加工物W在-X方向(前進方向)上的加工進給，且將雷射光照射設備11往+Y方向移動，來進行位於已照射雷射光的分割預定線S的鄰近且尚未照射雷射光的分割預定線S與聚光器111的Y軸方向上的對位。接著，加工進給設備11將被加工物W往+X方向(返回方向)加工進給，進而與在前進方向上的雷射光的照射同樣地對分割預定線S照射雷射光。藉由依序進行同樣的雷射光的照射，以沿朝X軸方向延伸的全部分割預定線S來從被加工物W的背面Wb側照射雷射光，進而於被加工物W内部形成作為分割起點的改質層M。此外，當使工作夾台10旋轉90度後再進行同樣的雷射光照射時，即可沿著縱向與橫向上全部的分割預定線S形成改質層M。
形成有改質層M的被加工物W，是例如藉由圖3所示之磨削裝置2將被加工物W的背面Wb磨削而薄化為成品的厚度，並且藉由磨削壓力將改質層M作為分割起點而使龜裂朝正面Wa側伸長，藉此分割成一個個的器件晶片。
磨削裝置2至少具備有例如吸引保持被加工物W保持台20、與對保持於保持台20的被加工物W進行磨削加工之磨削設備21。保持台20是例如其外形為圓形，且將被加工物W吸引保持於由多孔構件等所形成的保持面20a上。工作夾台20是以可繞鉛直方向的軸心的方式旋轉，並且可藉由Y軸方向進給設備23於Y軸方向上往復移動。
磨削設備21是藉由使磨削設備21相對於保持台20遠離或接近之朝Z軸方向磨削進給之磨削進給設備22而成為可上下移動。磨削進給設備22是藉由例如馬達等而進行動作的滾珠螺桿機構。磨削設備21具備軸方向為鉛直方向(Z軸方向)的旋轉軸210、旋轉驅動旋轉軸210的馬達212、連接於旋轉軸210的下端的圓環狀的安裝座213、與可裝卸地連接於安裝座213的下表面的磨削輪214。
磨削輪214具備輪基台214a、及於輪基台214a的底面環狀地配設之大致直方體狀的複數個磨削磨石214b。磨削磨石214b是例如以樹脂黏結劑或金屬黏結劑等固接鑽石磨粒等而被成形。再者，磨削磨石214b的形狀亦可為一體地形成為環狀。
例如於旋轉軸210的内部是將連通於磨削水供給源且作為磨削水的通道之未圖示流路於旋轉軸210的軸方向(Z軸方向)上貫通形成，並且流路會通過安裝座213，在輪基台214a的底面開口成可以朝向磨削磨石214b噴出磨削水。
以下，針對藉由磨削裝置2，將被加工物W磨削並分割的情況作説明。首先，使保持台20的中心與被加工物W的中心設成為大致一致，將被加工物W以背面Wb側朝上的狀態載置於保持面20a上。然後，藉由將由未圖示的吸引源所產生的吸引力傳達到保持面20a，以使保持台20吸引保持被加工物W。
接著，使已保持被加工物W的保持台20往+Y方向移動至磨削設備21之下方，來進行配備於磨削設備21的磨削輪214與被加工物W的對位。對位是進行成：例如，如圖3所示，使磨削輪214的旋轉中心相對於保持台20的旋轉中心在+Y方向上偏離相當於預定的距離，並使磨削磨石214b的旋轉軌道通過保持台20的旋轉中心。
已進行配備於磨削設備21的磨削輪214與被加工物W的對位之後，伴隨從+Z方向側來看將旋轉軸210朝逆時針方向旋轉驅動而旋轉磨削輪214。又，藉由磨削進給設備22將磨削設備21往-Z方向進給，使旋轉的磨削輪214的磨削磨石214b抵接於被加工物W的背面Wb，藉此進行磨削加工。磨削中由於是伴隨於保持台20的旋轉，使保持於保持面20a上的被加工物W也隨著旋轉，所以磨削磨石214b可進行被加工物W的背面Wb的整個面的磨削加工。又，在磨削加工中，是將磨削水流通於旋轉軸210中的流路來對磨削磨石214b與被加工物W接觸的部位進行供給，並將磨削磨石214b與被加工物W的背面Wb之接觸部位冷卻、洗浄。
當繼續進行磨削並將被加工物W薄化到成品厚度時，會由於磨削壓力沿改質層M作用而使龜裂朝向被加工物W的正面Wa伸長，並將被加工物W如圖3所示地分割成一個個矩形的器件晶片C。
已分割為晶片C的被加工物W是如圖4所示，維持貼附於擴展片T2，並透過擴展片T2而由環狀框架F所支撐的狀態，因而變得可進行透過環狀框架F進行的操作處理，並且可將保護膠帶T1剝離。
擴展片T2是例如具有比被加工物W的外徑更大的外徑之圓盤狀的片材，且具備有例如加由熱收縮性較小，又，對機械性的外力具有適當的伸縮性的PET(聚對苯二甲酸乙二酯)樹脂拉伸薄膜或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)樹脂薄膜等所構成的基材層，並且具備有於基材層上積層當照射紫外線時會硬化並降低黏附力的UV硬化膠而形成的黏附面T2a。再者，擴展片T2的基材層的材質或厚度等可依照被加工物W的種類、被加工物W的厚度等而適當變更。
在圖4中是將具備有圓形的開口的環狀框架F的背面Fb貼附到已朝向上側的狀態之擴展片T2的黏附面T2a之外周部分。此外，將被加工物W以背面Wb側朝向下側來定位於在環狀框架F的開口内露出的擴展片T2的黏附面T2a之上方。此時，是對位成使被加工物W的中心與環狀框架F的開口的中心大致一致。然後，將被加工物W的背面Wb按壓到擴展片T2的黏附面T2a，而在被加工物的背面Wb上貼附擴展片T2。如此一來被加工物W成為透過擴展片T2而支撐於環狀框架F的狀態，並可進一步將保護膠帶T1從被加工物W的正面Wa剝離。
接著，將擴展片T2擴張成在透過擴展片T2而由環狀框架F所支撐的各晶片C之間形成預定的間隔。這是因為被分割為晶片C且透過擴展片T2而由環狀框架F所支撐的狀態之被加工物W，是作為全體來維持被加工物W的形狀而在晶片C之間為無間隔，因而在之後的被加工物W的搬送時、或從擴展片T2的晶片C的拾取時，用於防止相鄰的晶片C彼此相摩擦、產生晶片缺損並導致晶片C品質降低的狀況。
但是，由於已擴張的擴展片T2的環狀框架F的内周緣Fe與被加工物W的外周緣Wd之間的區域T2c經延伸而成為鬆弛的狀態，因此在透過環狀框架F進行之被加工物W的操作處理時，必須防止起因於擴展片T2的鬆弛而導致晶片C彼此接觸並使晶片C損傷之情形。於是，以下會繼續實施本發明之晶片間隔維持方法。
(1)熱收縮膠帶貼附步驟 例如在本實施形態中，首先是實施熱收縮膠帶貼附步驟，該熱收縮膠帶貼附步驟是於擴展片T2的環狀框架F的内周緣Fe與被加工物W的外周緣Wd之間的區域T2c貼附複數個熱收縮膠帶T3。熱收縮膠帶T3是由例如具備至少比擴展片T2更大的加熱收縮性及對於機械性外力的適當的伸縮性的樹脂(例如聚丙烯或聚氯乙烯等)所構成，且是將其外形形成為矩形。熱收縮膠帶T3在本實施形態中雖然具備有由膠層形成的黏附面，但亦可為不具備有黏附面之膠帶。再者，矩形的熱收縮膠帶T3相較於例如將外形形成為環狀的熱收縮膠帶更能夠抑制成本，且可以更容易進行貼附。亦即，這是因為例如矩形的熱收縮膠帶T3只要將長條狀的熱收縮膠帶以直線狀的形式來切斷即可以切出，但環狀的熱收縮膠帶必須以圓形的形式來切斷，因此導致在切斷作業中伴隨有繁雜，且產生許多不得不廢棄的部分。
如圖5所示，對於擴展片T2的環狀框架F的内周緣Fe與被加工物W的外周緣Wd之間的區域T2c，在被加工物W的圓周方向上隔著一定的間隔來將複數片(在例如圖示之例中為總計18片)矩形的熱收縮膠帶T3環狀地貼附。在熱收縮膠帶T3具備有容易在縦向或横向之任一方向上伸縮的特性的情況下，宜使熱收縮膠帶T3容易伸縮的方向與被加工物W的徑方向一致。
又，對於擴展片T2的區域T2c，在被加工物W的周方向上隔著一定的間隔貼附了複數片(例如總計18片)矩形的熱收縮膠帶T3之後，進一步在徑方向的外側再以一圈環狀的形式貼附複數片(例如總計12片)熱收縮膠帶T3亦可。
(2)晶片間隔形成步驟 例如，在實施熱收縮膠帶貼附步驟之後，將透過擴展片T2而由環狀框架F所支撐的狀態之被加工物W搬送到圖6所示之晶片間隔擴張裝置5。晶片間隔擴張裝置5是可以藉由擴張擴展片T2，來將各晶片C的間隔擴張的裝置。晶片間隔擴張裝置5是例如具備有比擴展片T2的外徑更大的外徑的環狀台50，且是將環狀台50的開口50c的直徑形成得比擴展片T2的外徑更小。在環狀台50的外周部上均等地配設有例如4個(在圖示的例子中僅圖示有2個)固定夾具52。固定夾具52是藉由未圖示的彈簧等而變得以旋轉軸52c為軸而可旋動，且可以在環狀台50的保持面50a與固定夾具52的下表面之間夾入環狀框架F及擴展片T2。
在環狀台50的開口50c内，是將圓筒狀的擴張滾筒53固定高度位置而配設，且環狀台50的中心與擴張滾筒53的中心是設成大致一致。此擴張滾筒53的外徑是形成得比擴展片T2的外徑更小，且比被加工物W的外徑更大。 在擴張滾筒53的内周側配設有吸引保持被加工物W的吸引保持台6。吸引保持台6具備吸附部60、框體61及吸引源62，該吸附部60是由多孔質構件形成且於上表面具有吸附面600，該框體61會支撐吸附部60，該吸引源62是對吸附部60傳達吸引力。吸附面600與框體61的上表面610是形成為齊平面，藉由將由吸引源62產生的吸引力傳達到吸附面600，可以於吸附面600上隔著擴展片T2來吸引保持被加工物W。
環狀台50是藉由例如環狀台升降設備55而變得可朝Z軸方向上下移動。環狀台升降設備55可為例如汽缸，且具備於内部具備未圖示之活塞且於基端側(-Z方向側)有底之有底圓筒狀的壓缸管550、及可插入壓缸管550而將一端安裝於活塞的活塞桿551。活塞桿551之另一端是被固定到環狀台50的下表面。藉由對壓缸管550供給(或排出)空氣使壓缸管550的内部的壓力變化，以使活塞桿551於Z軸方向上移動，並使環狀台50於Z軸方向上移動。
要在晶片C間形成預定的間隔之時，是例如隔著擴展片T2將環狀框架F載置於已定位於基準高度位置的環狀台50之保持面50a上。接著，使固定夾具52旋動，形成將環狀框架F及擴展片T2夾持並固定於固定夾具52與環狀台50的保持面50a之間的狀態。在此狀態下，環狀台50的保持面50a與擴張滾筒53的環狀的上端面是位在相同的高度位置，且擴張滾筒53的上端面從擴展片T2的基材面側(圖6中的下表面側)抵接於擴展片T2的環狀框架F的内周緣Fe與被加工物W的外周緣Wd之間的區域T2c。又，雖然在擴展片T2的基材面側之中比區域T2c更内周側是受吸附面600及上表面610所支撐，但吸附面600的吸引保持並未進行。
如圖7所示，藉由環狀台升降設備55使已在與固定夾具52之間將環狀框架F及擴展片T2夾入的狀態的環狀台50朝-Z方向下降，以將環狀台50的保持面50a定位到比擴張滾筒53的上端面更下方的擴展片擴張位置。其結果，擴張滾筒53相對於固定夾具52上升，而擴展片T2會因被擴張滾筒53的上端面上推而朝向徑方向外側放射狀地被擴張。又，熱收縮膠帶T3也藉由於擴展片T2的黏附力及施加於水平方向的張力而被擴張。然後，隨著擴展片T2被擴張，可在各晶片C間形成預定的間隔V。再者，間隔V的大小為可藉由環狀台50的下降位置而適當變更的大小。
再者，熱收縮膠帶貼附步驟在例如已進行晶片間隔形成步驟後實施亦可。
(3)擴展片收縮步驟 在晶片間形成有預定的間隔V之後，連通吸引源62與吸附部60來對吸附面600施予吸引作用，而於擴展片T2之中對區域T2c的内周側進行吸引保持。然後，如圖8所示，例如當環狀台升降設備55令環狀台50朝+Z方向上升成環狀台50的保持面50a與擴張滾筒53的環狀的上端面成為相同的高度位置時，將擴展片T2朝水平方向拉伸的力即變沒有，並解除擴展片T2的張力。伴隨於此，於擴展片T2的環狀框架F的内周緣Fe與被加工物W的外周緣Wd之間的區域T2c經延伸而成為鬆弛的狀態。因此，藉由圖8所示的加熱設備7，來將擴展片T2的區域T2c與熱收縮膠帶T3一起加熱。
加熱設備7為例如可放射紅外線的紅外線加熱器，且是以非接觸方式從上方對熱收縮膠帶T3及擴展片T2的區域T2c進行加熱。再者，加熱設備7亦可為接觸式，又，亦可為從噴嘴噴射熱風的熱風加熱器。由於熱收縮膠帶T3的熱收縮率是較大的，又，熱收縮膠帶T3已在晶片間隔形成步驟中被擴張，所以藉由加熱設備7加熱而例如朝向徑方向內側收縮至擴張前的大小為止。雖然擴展片T2幾乎沒有藉由加熱設備7進行的加熱之熱的收縮，但由於熱收縮膠帶T3的收縮力會作為機械性外力而傳播到貼附有熱收縮膠帶T3的擴展片T2的區域T2c，因此會將已鬆弛的擴展片T2的區域T2c朝向徑方向内側拉並收縮到擴張前的狀態。又，由於藉由加熱設備7進行之加熱，僅對熱收縮膠帶T3及擴展片T2之區域T2c進行，所以可以將相鄰的各晶片C的間隔V維持在擴張後的大小。此外，區域T2c的内周側是在吸附面600進行吸引保持，所以可以做到不移動晶片C，而確實地維持著相鄰的各晶片C的間隔V。
於完成擴展片收縮步驟後，雖然可將透過擴展片T2被支撐於環狀框架F的狀態的複數個晶片C搬送到未圖示之拾取裝置，但可將晶片C彼此的間隔V維持在已擴張的狀態，且擴展片T2是以未鬆弛而緊繃的狀態返回到貼附於環狀框架F的狀態，所以可以防止於進行透過環狀框架F進行的被加工物W的操作處理之時，導致晶片C彼此相接觸並損傷之情形。
再者，關於本發明之晶片間隔維持方法並不限定為上述實施形態，又，關於附加圖式所圖示的雷射加工裝置1、磨削裝置2及晶片間隔擴張裝置5的構成等，也不限定於此，在可以發揮本發明的效果的範圍内均可適當變更。
在例如本實施形態中，雖然是在藉由雷射加工裝置1將改質層M形成被加工物W之後，藉由磨削裝置2進行被加工物W的磨削及分割，但亦可設成：不藉由以磨削裝置2進行的磨削來進行被加工物W之分割，而是藉由晶片間隔擴張裝置5擴張擴展膠帶T2來進行被加工物W的分割，同時於晶片間形成預定間隔之作法。
又，不使用雷射加工裝置1來進行被加工物W的分割亦可。亦即，亦可設成：首先藉由具備可旋轉的切削刀的切削裝置，從正面Wa側沿著分割預定線S對被加工物W施行切削加工，以在被加工物W上形成預定深度的加工溝之後，從背面Wb側將被加工物W磨削到使加工溝的底部露出的高度位置為止，藉此來分割成晶片之作法。亦可設成：之後，藉由晶片間隔擴張裝置5將擴展膠帶T2擴張，以於晶片間形成預定的間隔。
1‧‧‧雷射加工裝置
2‧‧‧磨削裝置
5‧‧‧晶片間隔擴張裝置
6‧‧‧吸引保持台
7‧‧‧加熱裝置
10‧‧‧工作夾台
10a‧‧‧工作夾台的保持面
11‧‧‧雷射光照射設備
111‧‧‧聚光器
112‧‧‧聚光透鏡
12‧‧‧加工進給設備
14‧‧‧校準設備
140‧‧‧紅外線相機
20‧‧‧保持台
20a‧‧‧保持台的保持面
21‧‧‧磨削設備
210‧‧‧旋轉軸
212‧‧‧馬達
213‧‧‧安裝座
214‧‧‧磨削輪
214a‧‧‧輪基台
214b‧‧‧磨削磨石
22‧‧‧磨削進給設備
23‧‧‧Y軸方向進給設備
50‧‧‧環狀台
50a‧‧‧環狀台的保持面
50c‧‧‧環狀台的開口
52‧‧‧固定夾具
52c‧‧‧旋轉軸
53‧‧‧擴張滾筒
55‧‧‧環狀台升降設備
60‧‧‧吸附部
61‧‧‧框體
62‧‧‧吸引源
550‧‧‧壓缸管
551‧‧‧活塞桿
600‧‧‧吸附面
610‧‧‧上表面
C‧‧‧晶片
D‧‧‧器件
F‧‧‧環狀框架
Fb‧‧‧環狀框架的背面
Fe‧‧‧内周緣
M‧‧‧改質層
S‧‧‧分割預定線
T1‧‧‧保護膠帶
T1a‧‧‧保護膠帶的黏附面
T2‧‧‧擴展片
T2a‧‧‧擴展片的黏附面
T2b‧‧‧擴展片的基材面
T2c‧‧‧區域
T3‧‧‧熱收縮膠帶
V‧‧‧預定間隔
W‧‧‧被加工物
Wa‧‧‧被加工物的正面
Wb‧‧‧被加工物的背面
Wd‧‧‧被加工物的外周緣
X、Y、Z、+X、-X、+Y、-Y、+Z、-Z‧‧‧方向
圖1是顯示被加工物及保護膠帶之一例的立體圖。 圖2是顯示藉由雷射加工裝置於被加工物的内部形成改質層的狀態的截面圖。 圖3是顯示藉由磨削裝置磨削被加工物的背面以將被加工物薄化成預定的厚度，並且藉由磨削壓力將被加工物分割成晶片的狀態的立體圖。 圖4是顯示將被加工物貼附於擴展片且以環狀框架支撐，且已進一步將保護膠帶從被加工物剝離的狀態的立體圖。 圖5是顯示將複數個熱收縮膠帶貼附於環狀框架的内周緣與被加工物之外周緣之間的擴展片上的狀態之一例的平面圖。 圖6是顯示已將貼附於擴展片且受環狀框架所支撐的分割後的被加工物設置於晶片間隔擴張裝置的狀態的截面圖。 圖7是顯示藉由晶片間隔擴張裝置擴張擴展片，藉此於各晶片間形成預定間隔的狀態的截面圖。 圖8是顯示將環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片與熱收縮膠帶一起加熱，藉此使擴展片之貼附有熱收縮膠帶之區域收縮的狀態的截面圖。

Claims (1)

  1. 一種晶片間隔維持方法，是在貼附於擴展片的狀態下，將透過該擴展片而由環狀框架所支撐之構成被加工物的複數個晶片的間隔維持在已擴張的狀態，該晶片間隔維持方法具備： 晶片間隔形成步驟，擴張該擴展片以在該晶片間形成間隔；及 擴展片收縮步驟，在實施該晶片間隔形成步驟之後，在維持該晶片間之間隔的狀態下，對環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片加熱，以使已在被加工物的外周側被延展的該擴展片收縮， 該晶片間隔維持方法更具備： 熱收縮膠帶貼附步驟，至少在實施該擴展片收縮步驟之前，在環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片，貼附複數個熱收縮膠帶， 在該擴展片收縮步驟中，是藉由將環狀框架的内周緣與被加工物的外周緣之間的擴展片與該熱收縮膠帶一起加熱，來使該擴展片之貼附有該熱收縮膠帶的區域收縮。
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