TW201812550A - 電子裝置 - Google Patents

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Abstract

提供一種電子裝置包括基板、突出圖樣、第一導電圖樣、絕緣層和第二導電圖樣。突出圖樣設置在基板上。第一導電圖樣設置在基板上，並覆蓋突出圖樣。絕緣層被設置在第一導電圖樣上。絕緣層包括與突出圖樣的至少一部分重疊的開口。第二導電圖樣設置在絕緣層上。第二導電圖樣通過開口連接到第一導電圖樣。

Description

電子裝置
申請案之交互參照
本申請主張於2016年6月30日提交的韓國專利申請No.10-2016-0082745的優先權和權益，其全部內容在此如同描述於本文中地引入以作為參考。
例示性實施例關於一種電子裝置，更具體地，關於一種具有改善的可靠性的電子裝置。
電子裝置可以透過接收電訊號來啟動。電子裝置可以包括用於顯示影像的顯示裝置、用於檢測從外部施加的觸碰的觸控螢幕等。為此，電子裝置可以包括各種導電圖樣，以便由電訊號啟動。導電圖樣的形狀或特徵可能直接影響電子裝置的驅動效率。
在本背景技術部分中公開的上述資訊僅用於增強對本發明概念背景的理解，且因此其可以包含不構成對於本領域具有通常知識者而言為習知的先前技術的資訊。
一個或多個例示性實施例提供包括具有改善的可靠性的導電圖樣的電子裝置。
另外的實施態樣將在下面的詳細描述中闡述，並且部分地將從本公開中顯而易見，或者可以藉由實踐本發明概念而理解。
根據一個或多個例示性實施例，電子裝置包括基板、突出圖樣、第一導電圖樣、絕緣層和第二導電圖樣。突出圖樣設置在基板上。第一導電圖樣設置在基板上並覆蓋突出圖樣。絕緣層設置在第一導電圖樣上。絕緣層包括與突出圖樣的至少一部分重疊的開口。第二導電圖樣設置在絕緣層上。第二導電圖樣通過開口連接到第一導電圖樣。
根據例示性實施例，電子裝置包括基板、絕緣圖樣、導電圖樣和絕緣層。絕緣圖樣設置在基板上。絕緣圖樣至少在第一方向上突出遠離基板。導電圖樣設置在基板上。導電圖樣覆蓋絕緣圖樣。絕緣層設置在導電圖樣和絕緣圖樣之間。絕緣層包括與絕緣圖樣的至少一部分重疊的開口。導電圖樣包括凹部。
上述概括描述和以下詳細描述是例示性和說明性，並且旨在提供所主張之標的的進一步說明。
在下面的描述中，為了說明的目的，闡述了許多具體細節，以便提供對各種例示性實施例的透徹理解。然而，顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節或一個或多個等效配置的情況下實踐各種例示性實施例。在其他實例中，以框圖示出了已知的結構和裝置，以避免不必要地模糊各種例示性實施例。
除非另有說明，所示的例示性實施例應被理解為提供各種例示性實施例的不同細節的例示性特徵。因此，除非另有說明，否則在不脫離所公開的例示性實施例的情況下，各種圖示的特徵、部件、模組、層、膜、面板、區域及/或態樣可另外組合、分離、互換及/或重新排列。此外，在附圖中，為了清楚和描述目的，層、膜、面板、區域等的尺寸和相對尺寸可能被誇大。當可以不同地實施例示性實施例時，可以不同於所描述的順序執行特定製程順序。例如，兩個連續的所述製程可以實質上同時執行或者以與所描述的順序相反的順序執行。再者，相同的元件符號表示相同的元件。
當元件或層被稱為在另一個元件或層「上方(on)」、「連接(connected to)」或「耦合到(coupled to)」另一個元件或層時，其可以直接在另一元件或層上、直接連接到或耦合到另一元件或層，或可以存在中間元件或層。然而，當元件或層被稱為「直接在其上(directly on)」、「直接連接到(directly connected to)」或「直接耦合到(directly coupled to)」另一個元件或層時，則不存在中間元件或層。此外，DR1軸、DR2軸和DR3軸不限於直角坐標系的三個軸，並且可以在更廣泛的意義上被解釋。例如，DR1軸、DR2軸和DR3軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。為了本公開的目的，「X、Y和Z中的至少一個」和「選自由X、Y和Z所組成的群組的至少一個」可以解釋為僅X、僅Y、僅Z或X、Y、Z兩個或兩個以上的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ、ZZ等。如本文所用，術語「及/或(and/or)」包括一個或多個相關列出項目的任一和所有組合。
雖然本文可使用術語「第一」、「第二」等來描述各種元件、部件、區域、層及/或區段，但是這些元件、部件、區域、層及/或區段不應該被這些術語限制。這些術語用於將一個元件、部件、區域、層及/或區段與另一個元件、部件、區域、層及/或區段區分開來。因此，在不脫離本公開的教示的情況下，下面討論的第一元件、部件、區域、層及/或區段可稱為第二元件、部件、區域、層及/或區段。
為了描述目的，本文可使用的諸如「之下(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」等之類的空間相關術語，從而描述附圖所示的一個元件或特徵與另一元件或特徵的關係。除了附圖所示的方向之外，空間相關術語旨在包括使用、操作及/或製造中的設備的不同方向。例如，如果附圖中的設備被翻轉，則被描述為在其他元件或特徵「下方(below)」或「之下(beneath)」的元件將被定向在其他元件或特徵「之上(above)」。因此，例示性術語「下方(below)」可以包括上下方向。此外，該設備可以以其他方式定向(例如，旋轉90度或以其他方位)，並且因此本文中使用的空間相關描述符(spatially relative descriptor)應據此作相應的解釋。
本文使用的術語是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性。如本文所使用的，單數形式「一(a)」、「一(an)」和「該(the)」也旨在包括複數形式，除非上下文另有明確指示。此外，在本說明書中使用時，術語「包括(comproses)」、「包括(comprising)」、「包含(includes)」及/或「包含(including)」指定所述特徵、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其群組的存在，但不排除存在或添加一個或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其群組。
本文參考截面圖所說明的各種例示性實施例是描述理想化例示性實施例及/或中間結構的示意圖。因此，例如製造技術及/或容許度(tolerance) 可預期會導致其其圖示的形狀的變化。因此，本文公開的例示性實施例不應被解釋為限於具體示出的區域的形狀，而是包括由例如由製造產生的形狀偏差。例如，繪示為矩形的植入區域將通常在其邊緣處具有圓形或彎曲特徵及/或植入濃度梯度(gradient of implant concentration)，而不是從植入區域到非植入區域的二進制變化。類似地，藉由植入形成的埋入區域(buried region)可能導致在埋入區域和透過其進行植入的表面之間的區域中的部分植入。因此，附圖中所示的區域本質上是示意性，且其形狀並不旨在說明裝置的區域的實際形狀，且不是限制性。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與部分本公開的本領域具有通常知識者所理解意義相同的含義。諸如常用詞典中定義的術語應被解釋為具有與其在相關領域的背景下的含義一致的含義，並且不會以理想化或過度正式的意義來解釋，除非本文明確定義。
第1A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的透視圖。第1B圖是根據一個或多個例示性實施例的第1A圖中的電子裝置的分解透視圖。第2圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的透視圖。第3A圖、第3B圖和3C圖分別是根據一個或多個例示性實施例的沿著第1A圖的線I-I'、II-II'和III-III'截取的截面圖。在下文中，將參考第1A圖至第3C圖描述根據一個或多個例示性實施例的電子裝置。
電子裝置EA包括基板SB、突出圖樣PP、絕緣層IL和導電圖樣CP。基板SB可以具有板形，例如包括在第一方向DR1延伸的兩個邊、和在與第一方向DR1交叉的第二方向DR2延伸的兩個邊之四邊形。基板SB的上表面SB-US可以包括在由彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2所定義的平面中的平坦表面。因此，基板SB可以在其上側提供平坦的上表面SB-US。基板SB可以包括絕緣材料。例如，基板SB可以包括玻璃、塑膠和包括無機膜及/或有機膜的複數個薄膜中的至少一個。
雖然未示出，但是附加的絕緣層及/或導電層可以進一步設置在基板SB和突出圖樣PP之間。然而，應注意的是，基板SB的上表面SB-US可以對應於其上設置有突出圖樣PP的最上表面。
突出圖樣PP設置在基板SB上。突出圖樣PP可以接觸基板SB的上表面SB-US。突出圖樣PP可以設置在平坦表面上，以在第三方向DR3(以下稱為向上方向)上相對高於周圍而突出。突出圖樣PP可以具有各種形狀。根據一個或多個例示性實施例，突出圖樣PP可以具有在由第二方向DR2和第三方向DR3定義的平面中的截面為梯形形狀。然而，例示性實施例不限於突出圖樣PP的形狀。例如，突出圖樣PP可以具有從基板SB的上表面SB-US向上突出的各種形狀。
突出圖樣PP可以包括各種材料。例如，突出圖樣PP可以包括有機材料。突出圖樣PP可以具有相對比無機層更高的高度，以增加突出圖樣PP相對於基板SB的上表面SB-US的突出度。然而，例示性實施例不限於突出圖樣PP的材料。例如，突出圖樣PP可以包括無機材料、無機材料及有機材料兩者等。
絕緣層IL設置在基板SB上。絕緣層IL的至少一部分與突出圖樣PP重疊。根據一個或多個例示性實施例，絕緣層IL可以具有各種形狀。例如，如第1B圖所示，絕緣層IL可以具有覆蓋突出圖樣PP的預定的圖樣形狀。因此，絕緣層IL可以與突出圖樣PP重疊，並露出基板SB的上表面SB-US的一部分(例如，大部分)。在另一實施例，如第2圖所示，可以提供電子裝置EA-A的絕緣層IL-A作為覆蓋基板SB的上表面SB-US的層，並且可以包括定義或覆蓋突出圖樣PP的部分IL-P。因此，突出圖樣PP可以藉由絕緣層IL-A和導電圖樣CP而不暴露於外部。
繼續參考第1A圖至第3C圖，絕緣層IL可以是電絕緣的。以這種方式，絕緣層IL可以包括各種絕緣材料。根據一個或多個例示性實施例，絕緣層IL的厚度可以相對小於突出圖樣PP的厚度或高度。因此，設置在突出圖樣PP上的絕緣層IL的一部分可以形成沿著突出圖樣PP的形狀而向上彎曲的表面。
具有預定尺寸和形狀的開口IL-OP可以被定義在絕緣層IL中。開口IL-OP可以與突出圖樣PP的至少一部分重疊，從而暴露突出圖樣PP。根據一個或多個例示性實施例，開口IL-OP可以包括絕緣層IL的一部分被去除和藉由去除區域所暴露的截面之區域。在一個或多個例示性實施例中，絕緣層IL直接設置在突出圖樣PP上。開口IL-OP可以暴露突出圖樣PP的至少一部分。
導電圖樣CP設置在基板SB上。導電圖樣CP與突出圖樣PP和開口IL-OP重疊。導電圖樣CP可以通過開口IL-OP接觸突出圖樣PP的至少一部分。導電圖樣CP的上表面可以包括第一表面CP-US1、第二表面CP-US2和第三表面CP-US3。第一表面CP-US1設置在開口IL-OP中。第二表面CP-US2與絕緣層IL重疊。第三表面CP-US3可以將第一表面CP-US1連接到第二表面CP-US2，並且可以從第一表面CP-US1和第二表面CP-US2中的每一個彎曲。第一表面CP-US1和第三表面CP-US3可以定義從第二表面CP-US2凹入的具有預定尺寸和形狀的凹部CP-R。然而，應注意的是，導電圖樣CP的凹部CP-R可以被認為是由第一表面CP-US1、第二表面CP-US2和第三表面CP-US3中的每一個定義。
根據一個或多個例示性實施例，與第三表面CP-US3和第二表面CP-US2相鄰設置的第一表面CP-US1的一部分從與第三表面CP-US3相鄰設置的第二表面CP-US2的一部分向下凹陷。因此，導電圖樣CP可以包括具有預定尺寸和形狀的凹部CP-R。例如，凹部CP-R可以具有與開口IL-OP的形狀對應的形狀。因此，如第3A圖至第3C圖所示，凹部CP-R可以設置在定義開口IL-OP的區域中。
根據一個或多個例示性實施例，凹部CP-R可以被定義為與突出圖樣PP重疊。鑒於根據一個或多個例示性實施例的導電圖樣CP可以進一步包括定義在與由開口IL-OP暴露的突出圖樣PP重疊的區域中的凹部CP-R，即使在突出圖樣PP上也可穩定地設置導電圖樣CP。稍後將對其進行更詳細的描述。
第4A圖和第4B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的截面圖。第5A圖和第5B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的截面圖。將注意的是，第4A圖和第4B圖分別示出分別對應於第3B圖和第3C圖所示的電子裝置EA的區域的電子裝置EA10的截面。此外，第5A圖和第5B圖分別示出分別對應於第3B圖和第3C圖所示的電子裝置EA的區域的電子裝置EA20的截面。以這種方式，電子裝置EA10和EA20中的每一個可以類似於電子裝置EA，因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
如第4A圖和第4B圖所示，突出圖樣PP10可以具有多邊形形狀的截面。在第4A圖和第4B圖中，突出圖樣PP10例示性地示出為四邊形。然而，可以想到的是，任何其他合適的截面形狀可以使用在相關的例示性實施例。例如，突出圖樣PP10可以具有六邊形形狀等。具有預定尺寸和形狀的開口IL10-OP可以定義在絕緣層IL10中。開口IL10-OP可以暴露突出圖樣PP10的至少一部分。導電圖樣CP10可以直接設置在由開口IL10-OP暴露的突出圖樣PP10的一部分上。導電圖樣CP10可以形成具有預定尺寸和形狀並且設置在突出圖樣PP10上的凹部CP10-R。
如第5A圖和第5B圖所示，突出圖樣PP20可以具有圓形形狀的截面。例如，在第5A圖和第5B圖中，突出圖樣PP20例示性地示出為橢圓形。如前所述，可以想到的是，任何其他合適的截面形狀可以使用在相關的例示性實施例。具有預定尺寸和形狀的開口IL20-OP可以定義在絕緣層IL20中。導電圖樣CP20可以包括具有預定尺寸和形狀並且沿著開口IL20-OP的形狀定義的凹部CP20-R。
根據一個或多個例示性實施例，鑒於導電圖樣CP10和CP20沿著突出圖樣PP10和PP20上的開口IL10-OP和IL20-OP部分凹陷，導電圖樣CP10和CP20的每一個的突出程度可以在突出區域相對緩和。以這種方式，導電圖樣CP10和CP20可以分別定義凹部CP10-R和CP20-R，並且可以穩定地設置在具有各種形狀的突出圖樣PP10和PP20上。
第6A圖是根據一個或多個例示性實施例的絕緣層的透視圖。第6B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的截面圖。應注意的是，第6B圖示出了包括第6A圖的絕緣層IL30的電子裝置EA30並與第3C圖的截面圖相對應的截面。以這種方式，電子裝置EA30可以類似於電子裝置EA，因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
如第6A圖所示，複數個開口IL-OP1和IL-OP2可以定義在絕緣層IL30中。根據突出圖樣PP30的形狀，絕緣層IL30可以具有各種形狀。根據一個或多個例示性實施例，絕緣層IL30覆蓋具有多邊形形狀的截面的突出圖樣PP30。複數個開口IL-OP1和IL-OP2包括第一開口IL-OP1和第二開口IL-OP2。第一開口IL-OP1和第二開口IL-OP2在其中延伸導電圖樣CP30的方向排列並彼此間隔開。根據一個或多個例示性實施例，第一開口IL-OP1和第二開口IL-OP2可以在第二方向DR2上排列並彼此間隔開。
第一開口IL-OP1和第二開口IL-OP2分別暴露突出圖樣PP30的彼此不同的部分。第一開口IL-OP1和第二開口IL-OP2可以暴露突出圖樣PP30的轉角部(angled corner portion)。轉角部可以相對向外突出，如第6B圖所示。導電圖樣CP30包括分別沿著第一開口IL-OP1和第二開口IL-OP2定義的第一凹部CP-R1和第二凹部CP-R2。導電圖樣CP30可以藉由複數個開口IL-OP1和IL-OP2在突出圖樣PP30的角部上相對地凹入。
由於根據一個或多個例示性實施例之電子裝置EA30，其更可以包括其中定義了複數個開口IL-OP1和IL-OP2的絕緣層IL30，而可緩和導電圖樣CP30在相對突出區域的突出程度。此外，由於根據一個或多個例示性實施例的導電圖樣CP30可以相對於突出圖樣PP30的相對更突出的部分選擇性地凹入，因此導電圖樣CP30可以具有改善的可靠性並且對應於各種突出圖樣的形狀。
第7A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的透視圖。第7B圖是根據一個或多個例示性實施例的第7A圖中的電子裝置的分解透視圖。圖7C是根據一個或多個例示性實施例的沿著第7A圖的線IV-IV'截取的截面圖。將注意的是，電子裝置EA40可以類似於電子裝置EA，並且因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例
參考第7A圖至至7C圖，電子裝置EA40包括基板SB、突出圖樣PP、第一導電圖樣CP1、絕緣層IL40和第二導電圖樣CP2。基板SB和突出圖樣PP可以分別對應於第1圖中的基板SB和突出圖樣PP。
第一導電圖樣CP1設置在突出圖樣PP和絕緣層IL40之間。第一導電圖樣CP1可以在與突出圖樣PP交叉的方向上延伸。根據一個或多個例示性實施例，第一導電圖樣CP1在第二方向DR2上延伸。第一導電圖樣CP1與突出圖樣PP重疊。第一導電圖樣CP1可以被劃分為(或以其他方式包括)與突出圖樣PP重疊的第一部分CP1a和設置在基板SB上的第二部分CP1b。第一部分CP1a和第二部分CP1b中的每一個可以具有根據其上提供第一導電圖樣CP1的表面的形狀而不同的上表面。例如，第一部分CP1a的上表面可以包括彎曲或彎折表面，並且第二部分CP1b的上表面可以包括平行於基板SB的表面。
根據一個或多個例示性實施例，第一部分CP1a接觸突出圖樣PP，並且第二部分CP1b接觸基板SB，但是例示性實施例不限於此。第一部分CP1a的上表面可以包括對應於突出圖樣PP的上表面的彎曲表面，並且第二部分CP1b的上表面可以包括對應於基板SB的上表面的平坦表面。
絕緣層IL40設置在第一導電圖樣CP1和第二導電圖樣CP2之間。絕緣層IL40部分絕緣第一導電圖樣CP1和第二導電圖樣CP2。絕緣層IL40可以是覆蓋基板SB的層。因此，絕緣層IL40可以與第一導電圖樣CP1的第二部分CP1b重疊。具有預定尺寸和形狀的開口IL40-OP定義在絕緣層IL40中。開口IL40-OP可以定義在與突出圖樣PP重疊的區域中。絕緣層IL40通過開口IL40-OP暴露出第一導電圖樣CP1的至少一部分。根據一個或多個例示性實施例，在平面圖中，開口IL40-OP可以與突出圖樣PP的整個表面重疊。以這種方式，與突出圖樣PP重疊的第一導電圖樣CP1的第一部分CP1a可以從絕緣層IL40完全露出。
第二導電圖樣CP2設置在絕緣層IL40上。第二導電圖樣CP2可以與突出圖樣PP的至少一部分重疊。第二導電圖樣CP2可以在與突出圖樣PP交叉的方向上延伸。在一個或多個例示性實施例中，第二導電圖樣CP2可以平行於第一導電圖樣CP1延伸。根據一個或多個例示性實施例，第二導電圖樣CP2可以在第二方向DR2上延伸。第二導電圖樣CP2可以包括具有預定尺寸和形狀的凹部CP2-R。凹部CP2-R可以沿開口IL40-OP定義。凹部CP2-R與突出圖樣PP重疊。第二導電圖樣CP2可以通過開口IL40-OP連接到第一導電圖樣CP1。凹部CP2-R可以比設置在絕緣層IL40上的第二導電圖樣CP2的其他部分更凹陷。以這種方式，凹部CP2-R可以接觸第一導電圖樣CP1的第一部分CP1a。
由於根據一個或多個例示性實施例的電子裝置EA40更可以包括其中定義開口IL40-OP的絕緣層IL40，凹部CP2-R可以被定義在設置在突出圖樣PP上第二導電圖樣CP2的區域中。因此，第二導電圖樣CP2可以相對地和緩突出圖樣PP的突出度，並且即使在突出圖樣PP上也可以穩定地設置。
第8圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的分解透視圖。將參考第8圖描述根據一個或多個例示性實施例的電子裝置EA-1。將注意的是，一些部件及/或特徵可以與根據第1圖至第7C圖所述的類似。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
如第8圖所示，電子裝置EA-1可以包括顯示陣列DA、壩元件(或部分)DM和觸控陣列TA。顯示陣列DA向外部提供影像。顯示陣列DA可以包括基底基板BS、顯示層DSL和封裝層TFE。觸控陣列TA可以包括第一檢測層TL1、層間絕緣層ILD和第二檢測層TL2。
基底基板BS可以具有由彼此交叉的第一方向DR1和第二方向DR2定義的平面，以及以第三方向DR3定義厚度的平板形狀。基底基板BS可以包括絕緣材料。例如，基底基板BS可以包括塑膠、玻璃、複數個有機膜及/或無機膜等。顯示層DSL設置在基底基板BS上。儘管未示出，顯示層DSL可以包括複數個訊號線和透過訊號線被施加電訊號的複數個像素。顯示層DSL透過由電訊號驅動的像素來顯示影像。
根據一個或多個例示性實施例，每個訊號線的一端可以連接到複數個像素中的每一個，並且每個訊號線的另一端可以延伸到定義在基底基板BS中(或其上)的第一焊盤區域PA1。預定的焊盤可以設置在第一焊盤區域PA1上並分別連接到訊號線的另一端。顯示陣列DA可以藉由透過設置在第一焊盤區域PA1上的焊盤而接收從源(source)(例如，電子裝置EA-1外部的源)提供的電訊號來驅動。為此，每個像素可以包括至少一個薄膜電晶體和顯示元件。顯示元件可以包括能夠根據電訊號控制光透射量或產生光的各種元件。例如，顯示元件可以包括液晶電容器、電泳元件、有機發光元件，電潤濕元件等
封裝層TFE可以設置在顯示層DSL上以覆蓋顯示層DSL。封裝層TFE可以包括複數個有機膜及/或無機膜。封裝層TFE可以保護顯示層DSL免受外部污染或濕氣。
觸控陣列TA檢測從外部施加的觸控訊號。第一檢測層TL1、層間絕緣層ILD和第二檢測層TL2可以依序層疊在第三方向DR3上。觸控陣列TA設置在顯示陣列DA上。根據一個或多個例示性實施例，第一檢測層TL1可以直接設置在封裝層TFE上。以這種方式，電子裝置EA-1可以具有薄的厚度並且包括觸控陣列TA和顯示陣列DA。稍後將詳細描述觸控陣列TA。
壩元件DM可以設置在顯示陣列DA和觸控陣列TA之間。壩元件DM設置鄰近於顯示層DSL。壩元件DM可以具有在例如第二方向DR2的方向延伸的線形狀。壩元件DM可以包括絕緣材料。例如，壩元件DM可以包括有機材料或有機材料和無機材料的混合材料。
壩元件DM可以被封裝層TFE覆蓋。封裝層TFE的至少一部分可以延伸以與壩元件DM重疊。例如，封裝層TFE可以包括至少一無機層和至少一有機層中。無機層中的一個可以與壩元件DM重疊，但是有機層中的一個可能不會延伸通過壩元件DM。壩元件DM可以防止有機層溢出到焊盤區域PA1和PA2中。
根據一個或多個例示性實施例，顯示陣列DA和觸控陣列TA中的至少一個可以包括突出圖樣PP(參見例如第1A圖)，以及導電圖樣CP、CP1或CP2(參見例如第1A圖和第7B圖)中的至少一個和絕緣層IL(參見例如第1A圖)。例如，提供在非平坦表面上的顯示陣列DA的訊號線或電極之一可以對應於先前描述的導電圖樣CP(參見例如第1A圖)或先前描述的第二導電圖樣CP2(參見例如第7A圖)。在另一實施例，定義在非平坦表面上的觸控陣列TA的驅動線或感測圖樣中的一個可對應於先前描述的導電圖樣CP或先前描述的第二導電圖樣CP2。然而，將注意的是，例示性實施例不限於導電圖樣(例如，導電圖樣CP)的位置。例如，當導電圖樣(例如，導電圖樣CP)與突出圖樣PP和開口IL-OP重疊時，導電圖樣(例如，導電圖樣CP)可以施加在各種位置，以緩和導電圖樣(例如，導電圖樣CP)的突出度。
鑒於導電圖樣(例如，導電圖樣CP)可以設置在可以定義開口IL-OP的絕緣層IL上，根據一個或多個例示性實施例的電子裝置EA-1可以緩和突出圖樣PP的突出度。以這種方式，電子裝置EA-1可以包括具有改善的可靠性的導電圖樣(例如，導電圖樣CP)。稍後將提供關於此的額外詳細說明。
第9A圖、第9B圖和第9C圖是根據一個或多個例示性實施例的觸控陣列的各個層的平面圖。也就是說，第9A圖是第8圖的第一檢測層TL1的一部分的平面圖，第9B圖是第8圖的層間絕緣層ILD的一部分的平面圖，且第9C圖是第8圖的第二檢測層TL2的一部分的平面圖。將注意的是，一些部件及/或特徵可以與根據第1圖至第8圖所描述的類似。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
參考第9A圖，第一檢測層TL1包括複數個第一感測圖樣SP1A、複數個第一輔助圖樣SP2A、複數個第一線TW1A、複數個第一輔助線TW2A和複數個觸控板PD。第一感測圖樣SP1A和第一輔助圖樣SP2A可以設置在用於檢測外部觸碰的預定區域(例如，有效區域)上，並且第一線TW1A、第一輔助線TW2A和觸控板PD可以設置在與所預定區域相鄰(或外部)的外圍區域(例如，非有效區域)上。
第一感測圖樣SP1A和第一輔助圖樣SP2A可以排列並彼此間隔開。第一感測圖樣SP1A可以排列在第一方向DR1上並且彼此連接，並且所連接的第一感測圖樣SP1A可以在第二方向DR2上排列並彼此間隔開。第一輔助圖樣SP2A和第一感測圖樣SP1A可以彼此交替地排列。第一輔助圖樣SP2A可以與第一感測圖樣SP1A及與第一檢測層TL1相鄰的虛擬圖樣電絕緣。第一輔助圖樣SP2A可以是電浮動(electrically floated)。可以想到的是，第一輔助圖樣SP2A可以通過形成在層間絕緣層ILD中的接觸孔(未示出)連接到第二感測圖樣SP2B(參見第9C圖)。
第一線TW1A連接到第一感測圖樣SP1A。第一線TW1A將第一感測圖樣SP1A的一部分連接到觸控板PD的一部分。第一輔助線TW2A連接到第一輔助圖樣SP2A的一部分。第一輔助線TW2A將其連接的第一輔助圖樣SP2A的一部分連接到觸控板PD的另一部分。觸控板PD分別連接到第一線TW1A和第一輔助線TW2A。觸控陣列TA(參考第8圖)可以通過觸控板PD接收從源(例如，外部源)提供的電訊號，或者向源或另一個部件提供其產生的電訊號。
儘管未示出，但是觸控板PD可以設置在第8圖中的第二焊盤區域PA2上。以這種方式，根據一個或多個例示性實施例的電子裝置EA-1(參考第8圖)可以將觸控陣列TA的焊盤和觸控板PD提供在同一層上。然而，可以想到，例示性實施例不限於觸控陣列TA的焊盤和觸控板PD的位置。例如，觸控陣列TA的焊盤和觸控板PD可以設置在不同的層上。
根據一個或多個例示性實施例，第一線TW1A和第一輔助線TW2A的至少一部分可以與第9A圖中虛線所示的壩元件DM重疊。參考第8圖，第一線TW1A和第一輔助線TW2A可以直接設置在壩元件DM上。
參考第9B圖，層間絕緣層ILD設置在第一檢測層TL1上。具有預定的尺寸和形狀的開口ILD-OP被定義在層間絕緣層ILD中。例如，可以在與壩元件DM重疊的區域中定義開口ILD-OP。根據一個或多個例示性實施例，開口ILD-OP可以具有與壩元件DM的形狀相對應的形狀。然而，例示性實施例不限於開口ILD-OP的形狀。例如，開口ILD-OP可以具有與壩元件DM的至少一部分重疊(或圍繞)的任何合適的形狀。
在一個或多個例示性實施例中，層間絕緣層ILD可以具有與第8圖中的基底基板BS實質上相同的形狀。因此，層間絕緣層ILD還可以包括暴露第一焊盤區域PA1和第二焊盤區域PA2的複數個焊盤開口(例如，第一焊盤開口OP-PA1和第二焊盤開口OP-PA2)。例示性實施例不限於層間絕緣層ILD的形狀。例如，層間絕緣層ILD可以具有比基底基板BS更小的形狀，從而可能不與第一焊盤區域PA1和第二焊盤區域PA2重疊。以這種方式，可以省略複數個焊盤開口OP-PA1和OP-PA2。
如前所述，複數個接觸孔(未示出)可以定義在層間絕緣層ILD中。接觸孔可以設置成分別與第一輔助圖樣SP2A和第一感測圖樣SP1A重疊，以將第一檢測層TL1電連接到第二檢測層TL2。然而，例示性實施例不限於層間絕緣層ILD的形狀。例如，層間絕緣層ILD可以具有任何合適的形狀。
如第9C圖所示，第二檢測層TL2包括複數個第二輔助圖樣SP1B、複數個第二感測圖樣SP2B、複數個第一線TW1B和複數個第二線TW2B。第二輔助圖樣SP1B和第二感測圖樣SP2B可以設置在用於檢測外部觸碰的預定區域(例如，有效區域)上，並且第一線TW1B和第二線TW2B可以設置在與預定區域相鄰(或外部)的外圍區域(例如，非有效區域)。
第二感測圖樣SP2B和第二輔助圖樣SP1B可以排列並彼此間隔開。第二感測圖樣SP2B可以在第二方向DR2上排列並彼此連接，並且所連接的第二感測圖樣SP2B可以在第一方向DR1上排列並彼此間隔開。第二輔助圖樣SP1B和第二感測圖樣SP2B可以彼此交替排列。第二輔助圖樣SP1B可以與第二檢測圖樣SP2B以及與第二檢測層TL2相鄰的虛擬圖樣電絕緣。第二感測圖樣SP2B和第二輔助圖樣SP1B可以分別與第一感測圖樣SP1A和第一輔助圖樣SP2A重疊。例如，第二感測圖樣SP2B在平面圖中可以與第一輔助圖樣SP2A重疊，並且第二輔助圖樣SP1B在平面圖中可以與第一感測圖樣SP1A重疊。第二輔助圖樣SP1B可以是電浮動。還可以想到的是，第二輔助圖樣SP1B可以經由層間絕緣層ILD中的先前描述的接觸孔連接到第一感測圖樣SP1A。
根據一個或多個例示性實施例，第二線TW2B連接到第二感測圖樣SP2B。第一線TW1B連接到第二輔助圖樣SP1B的一部分。第二線TW2B和第一線TW1B的至少一部分與壩元件DM(未示出)重疊。此外，第二線TW2B和第一線TW1B的至少一部分可以與開口ILD-OP(未示出)重疊。
在一個或多個例示性實施例中，第二線TW2B和第一線TW1B可以分別通過開口ILD-OP連接到第一輔助線TW2A和第一線TW1A。因此，儘管第二感測圖樣SP2B和第二線TW2B設置在與觸控板PD不同的層上，但是第二感測圖樣SP2B和第二線TW2B可以容易地收發觸控板PD的電訊號。
根據一個或多個例示性實施例的電子裝置EA-1可以包括分別對應於第1圖中的突出圖樣PP、絕緣層IL和導電圖樣CP的部件中的至少一個。例如，基底基板BS可以對應於第1圖中的基板SB、壩元件DM可以對應於第1圖中的突出圖樣PP，層間絕緣層ILD可以對應於第1圖中的絕緣層IL，並且第二檢測層TL2可以對應於第1圖中的導電圖樣CP。然而，例示性實施例不限於電子裝置EA-1的配置。例如，顯示陣列DA和觸控陣列TA中的至少一個可以包括導電圖樣CP、突出圖樣PP和絕緣層IL。亦將注意的是，電子裝置EA-1可以包括包含在其上表面上定義非平坦表面的突出部分之任何導電層、其中定義了與突出部分重疊的開口的絕緣層、以及設置在絕緣層上並沿開口定義的凹部。例示性實施例不限於導電層的配置。
第10A圖是根據一個或多個例示性實施例的第9A圖至第9C圖中的區域AA的平面圖。第10B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第10A圖的線V-V'截取的截面圖。第10C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿第10A圖的線VI-VI'截取的截面圖。為了描述和說明的方便，與壩元件DM重疊的封裝層TFE的一部分表示為部分層TFE-P。將注意的是，第10A圖至第10C圖示出的是參考第9A圖至第9C圖的部件組裝的觸控陣列TA。第10A圖至第10C圖的一些部件及/或特徵可以類似於第1圖至第9C圖所描述的部件及/或特徵。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
參照第10A圖，壩元件DM可以具有在第一方向DR1延伸的線形狀。第二驅動線TW2可以在與壩元件DM交叉的方向延伸。根據一個或多個例示性實施例，第二驅動線TW2在第二方向DR2上延伸。在一個或多個例示性實施例中，層間絕緣層ILD的開口ILD-OP可以沿著壩元件DM延伸。因此，開口ILD-OP可以具有在第一方向DR1延伸的線形狀和在第二方向DR2上延伸的寬度。
如第10B圖所示，第二驅動線TW2設置在壩元件DM上。在根據第一方向DR1和第三方向DR3定義的截面圖中，第二驅動線TW2可以設置成複數個，使得相鄰的第二驅動線TW2在第一方向DR1上彼此間隔開。第二驅動線TW2可以包括第一輔助線TW2A和第二線TW2B。由於第二驅動線TW2設置在開口ILD-OP中，所以第一輔助線TW2A可以接觸第二線TW2B。
參照第10C圖，在根據第二方向DR2和第三方向DR3定義的截面圖中，第一輔助線TW2A和第二線TW2B在第二方向DR2延伸。開口ILD-OP被定義為與壩元件DM重疊。第二線TW2B可以在第二方向DR2上部分地與層間絕緣層ILD和壩元件DM重疊。與壩元件DM重疊的第二線TW2B的一部分沿著開口ILD-OP凹陷，以定義具有預定尺寸和形狀的凹部TW2B-R。
根據一個或多個例示性實施例，第二線TW2B可以通過凹部TW2B-R連接到第一輔助線TW2A。與壩元件DM重疊的凹部TW2B-R的一部分可以包括沿著壩元件DM的形狀向上突出的凸起的上表面。鑒於根據一個或多個例示性實施例的電子裝置EA-1還包括其中定義與壩元件DM重疊的開口ILD-OP的層間絕緣層ILD，第二線TW2B可以具有其中第二線TW2B與壩元件DM重疊的區域中的凹陷形狀。因此，第二線路TW2B的突出度可以透過壩元件DM來緩和。還應注意的是，第一輔助線TW2A可以緩和第二線TW2B的突出度。
第11A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的局部區域的平面圖。第11B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第11A圖的線V-V'截取的截面圖。第11C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿第11A圖的線VI-VI'截取的截面圖。為了描述和說明的方便，應注意的是，第11A圖示出對應於第10A圖的區域AA的區域。第11A圖至第11C圖的部分部件及/或特徵可以類似於根據第1圖至第10C圖所描述的部件及/或特徵。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
第11A圖至第11C圖中的電子裝置可以包括具有與第10A圖中的電子裝置的開口ILD-OP(參見第10A圖)不同形狀的開口ILD-OP1的層間絕緣層ILD-1。如第11A圖所示，層間絕緣層ILD-1的開口ILD-OP1可以沿著第二驅動線TW2-1延伸。因此，開口ILD-OP1可以具有在第二方向DR2上延伸的線形狀。
參考第11B圖，複數個第二驅動線TW2-1設置在壩元件DM上，並且在第一方向DR1上彼此間隔開。第二線TW2B-1通過分別與第二線TW2B-1重疊的開口ILD-OP1連接到第一輔助線TW2A-1。具有預定的尺寸和形狀的凹部TW2B-R1被定義在每一個第二線TW2B-1中。每個凹部TW2B-R1具有與開口ILD-OP1中的每一個對應的形狀。
參照第11C圖，在根據第二方向DR2和第三方向DR3定義的截面圖中，可以不示出附加層間絕緣層ILD-1，並且第二線TW2B-1和第一輔助線TW2A-1可以在第二方向DR2延伸。
第12A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的局部區域的平面圖。第12B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第12A圖的線V-V'截取的截面圖。第12C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第12A圖的線VI-VI'截取的截面圖。為了描述和說明的方便，應注意的是，第12A圖示出對應於第10A圖的區域AA的區域。第12A圖至第12C圖的部分部件及/或特徵可以類似於先前關於第1圖至第11C圖所描述的部件及/或特徵。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
根據一個或多個例示性實施例，第12A圖至第12C圖中的電子裝置包括具有不同於第10A圖至第10C圖和第11A圖至第11C圖中的電子裝置的開口ILD-OP(參見第10A圖)及開口ILD-OP1(參見第11A圖)的形狀的開口ILD-OP2的層間絕緣層ILD-2。
如第12A圖所示，層間絕緣層ILD-2的開口ILD-OP2可以選擇性地定義在第二驅動線TW2-2與壩元件DM重疊的區域中。在平面圖中，開口ILD-OP2可以具有大於壩元件DM在第二方向DR2上的寬度的長度和小於第二驅動線TW2-2在第一方向DR1上的寬度的寬度。
參考第12B圖，複數個第二驅動線TW2-2設置在壩元件DM上並且在第一方向DR1上彼此間隔開。凹部TW2B-R2被定義在第二線TW2B-2中，並通過分別與第二線TW2B-2重疊的開口ILD-OP2連接到第一輔助線TW2A-2。第12B圖中的層結構可以對應於第11B圖中的層結構。
參照第12C圖，在根據第二方向DR2和第三方向DR3定義的截面圖中，開口ILD-OP2被定義為與壩元件DM重疊，並且第一輔助線TW2A-2和第二線TW2B-2在第二方向DR2延伸。第二線TW2B-2可以在第二方向DR2上部分地重疊層間絕緣層ILD-2和壩元件DM，並且可以沿著開口ILD-OP2凹陷，以定義具有預定尺寸及形狀的凹部TW2B-R2。第12C圖中的層結構可以對應於第10C圖中的層結構。
第13A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的局部區域的平面圖。第13B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第13A圖的線V-V'截取的截面圖。第13C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第13A圖的線VI-VI'截取的截面圖。為了描述和說明的方便，將注意的是，第13A圖示出了對應於第10A圖的區域AA的區域。第13A圖至第13C圖的一些部件及/或特徵可以類似於根據第1圖至第12C圖所描述的部件及/或特徵。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
根據一個或多個例示性實施例，第13A圖至第13C圖中的電子裝置包括具有不同於第10A圖至第10C圖、第11A圖至第11C和第12A圖至第12C圖中的電子裝置的開口ILD-OP(參見第10A圖)、開口ILD-OP1(參見第11A圖)和開口ILD-OP2(參見第12A圖)的形狀的開口ILD-OP3的層間絕緣層ILD-3。
如第13A圖所示，複數個開口ILD-OP3可以相對於第二驅動線TW2-3定義在層間絕緣層ILD-3中。開口ILD-OP3部分地並且分別的與第二驅動線TW2-3及壩元件DM重疊的區域重疊。
如第13B圖所示，在第二驅動線TW2-3與壩元件DM重疊但不與開口ILD-OP3重疊的區域中，第一輔助線TW2A-3和第二線TW2B-3可以透過設置於其間的層間絕緣層ILD-3彼此間隔開的。如此，第一輔助線TW2A-3和第二線TW2B-3可不部分地彼此接觸，而可能與壩元件DM重疊。
參考第13C圖，鑒於在第二方向DR2上的層間絕緣層ILD-3中定義複數個開口ILD-OP3，第二線TW2B-3可以包括在第二方向DR2彼此間隔開的複數個凹部TW2B-R3。複數個凹部TW2B-R3可以定義在壩元件DM的邊界區域中。壩元件DM的邊界區域可以是從平坦表面上快速增加突出度的區域。根據一個或多個例示性實施例的電子裝置可以在突出度相對較大的區域上選擇性地提供凹部TW2B-R3，以有效地降低第二線TW2B-3的突出度。以這種方式，即使在突出表面上，電子裝置也可包括穩定地設置的第二驅動線TW2-3。
第14A圖、第14B圖和第14C圖是根據一個或多個例示性實施例的觸控陣列的各個層的平面圖。第15A圖是根據一個或多個例示性實施例的第14A圖至第14C圖中的區域BB的截面圖。第15B圖是根據一個或多個例示性實施例的第14A圖至第14C圖中的區域CC的截面圖。將注意的是，一些部件及/或特徵可以與第1至13C圖所描述的類似。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
如結合第9A圖至第9C圖所描述的，第14A圖至第14C圖分別示第一檢測層TL1-1、層間絕緣層ILD-4和第二檢測層TL2-1，其一起形成觸控陣列的各個層。第15A圖係示出參考根據第二方向DR2和第三方向DR3所定義的截面圖，並且第15B圖係示出參考根據第一方向DR1和第三方向DR3所定義的截面圖。
參考第14A圖，第一檢測層TL1-1可以包括複數個橋形圖樣BP、複數個第一線TW1A-1、複數個第一輔助線TW2A-1和複數個觸控板PD。每個橋形圖樣BP可以具有在第一方向DR1上延伸的形狀。橋形圖樣BP可以在第一方向DR1和第二方向DR2上排列並彼此間隔開。橋形圖樣BP可以設置在稍後根據第14C圖描述的第一感測圖樣SP1之間。以這種方式，橋形圖樣BP可以具有設置成分別重疊兩個相鄰的第一感測圖樣SP1的端部。
在一個或多個例示性實施例中，第一線TW1A-1和第一輔助線TW2A-1可以被排列並彼此間隔開。第一線TW1A-1和第一輔助線TW2A-1可以設置在周邊區域上。第一線TW1A-1和第一輔助線TW2A-1可分別對應於第9A圖中的第一線TW1A和第一輔助線TW2A。
根據一個或多個例示性實施例的電子裝置可以包括第一壩元件(或部)DM-a和第二壩元件(或部)DM-b。以這種方式，第一線TW1A-1和第一輔助線TW2A-1中的每一個可以部分地重疊第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b中的每一個。根據一個或多個例示性實施例，設置在第一檢測層TL1-1下方的第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b中的每一個在第14A圖中用虛線表示。觸控板PD可以分別連接到第一線TW1A-1和第一輔助線TW2A-1。觸控板PD可以分別對應於第9A圖中的觸控板PD。
如第14B圖所示，層間絕緣層ILD-4設置在第一檢測層TL1-1上。第一開口ILD-OPa、第二開口ILD-OPb、第一焊盤開口OP-PA1、第二焊盤開口OP-PA2和複數個接觸孔CH可以定義在層間絕緣層ILD-4中。參見第14B圖、第15A圖和第15B圖，第一開口ILD-OPa、第二開口ILD-OPb、第一焊盤開口OP-PA1、第二焊盤開口OP-PA2和複數個接觸孔CH可分別露出第一檢測層TL1-1的部分。
第一開口ILD-OPa和第二開口ILD-OPb可以暴露與第一檢測層TL1-1的第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b相對應的部分。也就是說，第一開口ILD-OPa和第二開口ILD-OPb分別在平面圖中與第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b重疊。根據一個或多個例示性實施例，第一開口ILD-OPa和第二開口ILD-OPb可以與第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b的整個表面重疊。第一焊盤開口OP-PA1和第二焊盤開口OP-PA2可以分別暴露與第一檢測層TL1-1的第一焊盤區域PA1和第二焊盤區域PA2相對應的部分。第一焊盤開口OP-PA1和第二焊盤開口OP-PA2可以分別對應於第9B圖中的第一焊盤開口OP-PA1和第二焊盤開口OP-PA2。此外，複數個接觸孔CH可以排列在觸碰可檢測區域(touch detectable area)(例如，有效區域)中並彼此間隔開。複數個接觸孔CH被定義為對應於橋形圖樣BP。在一個或多個例示性實施例中，複數個接觸孔CH中的每一個可以被定義為與橋形圖樣BP的每個端部重疊。
如第14C圖所示，第二檢測層TL2-1設置在層間絕緣層ILD-4上。第二檢測層TL2包括複數個第一感測圖樣SP1、複數個第二感測圖樣SP2、複數個第二線TW2B-1和複數個第二輔助線TW1B-1。第一感測圖樣SP1被排列在第一方向DR1和第二方向DR2上並彼此間隔開。第一感測圖樣SP1被排列並與相鄰的第二檢測層TL2-1的第二感測圖樣SP2電絕緣。
如第15B圖所示，第一感測圖樣SP1被設置為部分地與相應的橋形圖樣BP和相應的接觸孔CH重疊。第一感測圖樣SP1中的每一個可以通過接觸孔CH的相應接觸孔連接到橋形圖樣BP的對應橋形圖樣，並電連接到與其相鄰的另一個第一感測圖樣SP1。因此，儘管第一感測圖樣SP1被排列成彼此間隔開，但是第一感測圖樣SP1可以透過設置在不同層，例如第一檢測層TL1-1上的橋形圖樣BP彼此電連接。
回到第14C圖，第二感測圖樣SP2被排列並與第一感測圖樣SP1間隔開。第二感測圖樣SP2可以透過預定的電橋電連接到相鄰的第二感測圖樣SP2。第二感測圖樣SP2可以與第一感測圖樣SP1電絕緣。第二線TW2B-1可以分別連接到第二感測圖樣SP2中與第二線TW2B-1相鄰設置的第二感測圖樣SP2。第二線TW2B-1中的每一個可以具有與第一檢測層TL1-1的第一輔助線TW2A-1相同的形狀。以這種方式，第二線TW2B-1可以在平面圖中與第一輔助線TW2A-1的整個表面重疊。然而，將注意的是，例示性實施例不限於第二線TW2B-1的配置。例如，第二線TW2B-1可以被設置為部分地與第一輔助線TW2A-1重疊。
根據一個或多個例示性實施例，第二輔助線TW1B-1可以分別連接到第一感測圖樣SP1中與第二輔助線TW1B-1相鄰設置的第一感測圖樣SP1。第二輔助線TW1B-1中的每一個可以具有與第一檢測層TL1-1的第一線TW1A-1相同的形狀。因此，第二輔助線TW1B-1可以在平面圖中與第一線TW1A-1的整個表面重疊。然而，將注意的是，例示性實施例不限於第二輔助線TW1B-1的配置。例如，第二輔助線TW1B-1可以被設置成部分地與第一線TW1A-1重疊。
第二線TW2B-1和第二輔助線TW1B-1在平面圖中可以與第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b重疊。另外，第二線TW2B-1和第二輔助線TW1B-1在平面圖中可以與第一開口ILD-OPa和第二開口ILD-OPb重疊。第二線TW2B-1可以透過第一壩元件DM-a上的第一開口ILD-OPa分別連接到第一輔助線TW2A-1。因此，連接到第二線TW2B-1的第二感測圖樣SP2可以電連接到觸控板PD。第二輔助線TW1B-1可以透過第二壩元件DM-b上的第二開口ILD-OPb分別連接到第一線TW1A-1。因此，連接到第二輔助線TW1B-1的第一感測圖樣SP1可以電連接到觸控板PD。
參考第15A圖，第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b可以在第二方向DR2上排列並彼此間隔設置。第一壩元件DM-a可對應於第8圖中的壩元件DM。第二壩元件DM-b可以包括第一副壩元件(sub-dam member)(或部)DM-b1和第二副壩元件DM-b2。第一副壩元件DM-b1和第二副壩元件DM-b2可以在第三方向DR3上層疊(或以其他方式堆疊)。
第一副壩元件DM-b1和第二副壩元件DM-b2中的每一個可以包括相同的材料或不同的材料。例如，第一副壩元件DM-b1和第二副壩元件DM-b2中的每一個可以包括有機材料。在另一實施例，第一副壩元件DM-b1可以包括有機材料，並且第二副壩元件DM-b2可以包括無機材料。此外，第一副壩元件DM-b1可以包括無機材料，第二副壩元件DM-b2可以包括有機材料。根據一個或多個例示性實施例，第二壩元件DM-b可以包括各種材料並且具有其中層疊複數個壩元件的結構。在一個或多個例示性實施例中，第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b可以具有不同的高度。例如，第二壩元件DM-b的高度大於第一壩元件DM-a的高度。
雖然根據一個或多個例示性實施例的電子裝置包括複數個第一壩元件DM-a和第二壩元件DM-b，鑒於提供了其中定義開口ILD-OPa和ILD-OPb的層間絕緣層ILD-4，分別對應開口ILD-OPa和ILD-OPb的凹部TW2B-R4可定義在第二線TW2B-1。因此，可以緩和第二線TW2B-1的突出度。以這種方式，可以防止或至少減少至少部分地由於第二線TW2B-1的突出而引起的諸如斷開缺陷的缺陷。
第16A圖和第16B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的一部分的平面圖。在第16A圖和第16B圖中分別示出具有各種形狀的壩元件(或部)DM-1、DM1和DM2，並且觸控陣列TA示出和描述為已組裝。一些部件及/或特徵可以與根據第1圖至第15B圖所描述的類似。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
參照第16A圖，壩元件(或部分)DM-1可以具有框架形狀。壩元件DM-1可以圍繞其上排列有第一感測圖樣SP1和第二感測圖樣SP2的區域。根據一個或多個例示性實施例，第一感測圖樣SP1可以對應於第9A圖中的第一感測圖樣SP1A(參見第9A圖)，並且第二感測圖樣SP2可以對應於第9C圖中的第二感測圖樣SP2B(參見第9C圖)。還可以想到的是，如第16B圖所示，電子裝置可以包括複數個壩元件(或部)DM1和DM2。每個壩元件DM1和DM2可以具有框架形狀。壩元件DM1和DM2可以包括第一壩元件DM1和第二壩元件DM2。第一壩元件DM1可以圍繞第一感測圖樣SP1和第二感測圖樣SP2，並且第二壩元件DM2可圍繞第一壩元件DM1。
根據一個或多個例示性實施例，第一驅動線TW1和第二驅動線TW2中的每一個可以與第一壩元件DM1和第二壩元件DM2中的每一個重疊。以這種方式，虛擬線(未示出)和構成第一驅動線TW1和第二驅動線TW2中的每一個並且設置在彼此不同的層上的線可以在複數個區域中的每一個中彼此連接。
根據一個或多個例示性實施例的電子裝置可以包括分別具有各種形狀的壩元件。當第1圖中的突出圖樣PP(參見第1圖)對應於壩元件時，層間絕緣層的開口可以被定義為對應於壩元件的形狀或被定義在與第一驅動線TW1及第二驅動線TW2中的壩元件重疊的區域的部分。如前所述，儘管層間絕緣層可以各種形狀提供，但是例示性實施例不限於此。
第17A圖、第17B圖、第17C圖、第17D圖、第17E圖、第17F圖和第17G圖是根據一個或多個例示性實施例的各個製造階段的電子裝置的截面圖。為了描述和說明的方便，第17A圖至第17G圖示出與第10C圖中相對應的區域。在下文中，將參考第17A圖至第17G圖描述根據一個或多個例示性實施例的用於製造電子裝置的說明性方法。一些部件及/或特徵可以與第1圖至第16B圖所描述的類似。因此，將省略重複的描述以避免模糊例示性實施例。
參照第17A圖，在基底基板BS上形成壩元件DM。壩元件DM在第三方向DR3突出。壩元件DM從基底基板BS的相鄰上表面突出，以在基底基板BS的上表面上提供非平坦表面。壩元件DM可以對應於第1圖和第7B圖中的突出圖樣PP。在一個或多個例示性實施例中，壩元件DM可以藉由圖樣化絕緣材料形成。壩元件DM可以由例如將有機材料層施加到基底基板BS上並接著圖樣化而形成，或者藉由層疊複數個有機圖樣和無機圖樣而形成。
如第17B圖所示，第一輔助線TW2A形成在基底基板BS上。第一輔助線TW2A可以對應於第7B圖中的第一導電圖樣CP1。儘管未示出，但是可形成第一輔助線TW2A，使得覆蓋基底基板BS和壩元件DM的導電材料層被形成並且然後被圖樣化。如第10A圖所示，儘管第一輔助線TW2A是在根據第二方向DR2和第三方向DR3的截面圖中以層結構示出，但是第一輔助線TW2A可以是在第二方向DR2延伸的線狀圖樣。此外，第一輔助線TW2A可以形成為與壩元件DM相比具有相對較低的厚度。因此，第一輔助線TW2A的上表面可以形成對應於壩元件DM的形狀的突出彎曲表面。
如第17C圖和第17D圖所示，初始絕緣層ILD-P形成在第一輔助線TW2A上，然後被圖樣化以形成層間絕緣層ILD。層間絕緣層ILD可以對應於第7B圖中的絕緣層IL40。初始絕緣層ILD-P可以形成為與壩元件DM相比具有相對較低的厚度。因此，初始絕緣層ILD-P的上表面可以形成對應於壩元件DM的形狀的突出彎曲表面。接著，去除與壩元件DM重疊的初始絕緣層ILD-P的一部分，以形成具有預定的尺寸和形狀的開口ILD-OP。第一輔助線TW2A的突出彎曲表面透過開口ILD-OP從層間絕緣層ILD露出。
參照第17E圖，在層間絕緣層ILD上形成初始導電層TW2B-P。可以藉由在層間絕緣層ILD上沉積或塗佈導電材料來形成初始導電層TW2B-P。初始導電層TW2B-P可以形成為與壩元件DM相比具有相對較低的厚度。因此，初始導電層TW2B-P可以形成反映其上設置初始導電層TW2B-P的表面形狀的上表面。例如，初始導電層TW2B-P可以提供對應於壩元件DM的形狀的突出上表面。此外，可以形成沿開口ILD-OP的邊界凹入並定義在初始導電層TW2B-P的上表面中的凹部TW2B-R。
如第17F圖和第17G圖所示，圖樣化初始導電層TW2B-P，以形成第二線TW2B。第二線TW2B可以對應於第1A圖中的導電圖樣CP或第7B圖中的第二導電圖樣CP2。作為形成第二線TW2B的一部分，感光膜PRL可以形成在初始導電層TW2B-P上。感光膜PRL覆蓋初始導電層TW2B-P的一部分並暴露出初始導電層TW2B-P的一部分。感光膜PRL的形狀決定第二線TW2B的形狀。在一個或多個例示性實施例中，由感光膜PRL暴露的初始導電層TW2B-P的一部分透過蝕刻製程去除以形成第二線TW2B。雖然感光膜PRL和第二線TW2B具有與第17F圖和第17G圖中的初始導電層TW2B-P相同的形狀，但是如第10A圖所示，第二線TW2B和感光膜PRL可以是在第二方向DR2延伸的線狀圖樣。
根據一個或多個例示性實施例，感光膜PRL具有與初始導電層TW2B-P相比相對較大的厚度。以這種方式，凹部TW2B-R中的感光膜PRL的第二厚度TH2可以大於來自虛擬表面VL的感光膜PRL的第一厚度TH1。虛擬表面VL是其中與初始導電層TW2B-P的上表面的凹部TW2B-R相鄰的表面延伸的虛擬表面。當未定義開口ILD-OP時，虛擬表面VL可對應於初始導電層TW2B-P的上表面。當形成開口ILD-OP時，根據一個或多個例示性實施例的電子裝置可以在初始導電層TW2B-P上形成凹部TW2B-R，以確保感光膜PRL的預定厚度。
感光膜PRL作為在蝕刻製程中保護下部部件免受蝕刻溶液或蝕刻氣體蝕刻的遮罩。因此，隨著感光膜PRL的厚度減少，在蝕刻製程期間下部部件可能更容易損壞，並且可能降低圖樣化的可靠性。根據一個或多個例示性實施例，用於製造電子裝置的方法還可以進一步包括在層間絕緣層ILD中形成開口ILD-OP的製程，以確保感光膜PRL的厚度等於或大於預定厚度。以這種方式，感光膜PRL可以在圖樣化製程期間保護第二線TW2B，並因此可增加第二線TW2B的製程可靠性。
根據一個或多個例示性實施例，即使不形成單獨的非平坦膜，當導電圖樣形成在非平坦表面上時，用於製造電子裝置的方法可以穩定地形成導電圖樣。根據一個或多個例示性實施例，儘管導電圖樣形成在突出表面上，但是可以防止(或至少減少)至少部分地由突出形狀引起的導電圖樣的斷開缺陷等的缺陷。以這種方式，可以簡化製程，並且可以減少製程時間，而亦降低製造成本。
根據一個或多個例示性實施例，設置在非平坦表面上的導電圖樣可具有經改善的可靠性。以這種方式，即使在突出表面上形成導電圖樣，包括穩定形成的導電圖樣的電子裝置也可以避免(或減少)例如斷開缺陷的缺陷。為此，可以簡化製程並且可以降低製造成本。
雖然本文已經描述了某些例示性實施例和實施方式，但是從該描述中，其他實施例和修改將顯而易見。因此，本發明概念不限於這些實施例，而是所提出的申請專利範圍的更廣泛範圍和各種明顯的修改及等效配置。
BP‧‧‧橋形圖樣
BS‧‧‧基底基板
CH‧‧‧接觸孔
CP、CP10、CP20、CP30‧‧‧導電圖樣
CP1‧‧‧第一導電圖樣
CP1a‧‧‧第一部分
CP1b‧‧‧第二部分
CP2‧‧‧第二導電圖樣
CP2-R、CP10-R、CP20-R、CP-R‧‧‧凹部
CP-R1‧‧‧第一凹部
CP-R2‧‧‧第二凹部
CP-US1‧‧‧第一表面
CP-US2‧‧‧第二表面
CP-US3‧‧‧第三表面
DA‧‧‧顯示陣列
DM、DM-1‧‧‧壩元件
DM1、DM-a‧‧‧第一壩元件
DM2、DM-b‧‧‧第二壩元件
DM-b1‧‧‧第一副壩元件
DM-b2‧‧‧第二副壩元件
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
DR3‧‧‧第三方向
DSL‧‧‧顯示層
EA、EA-1、EA10、EA20、EA30、EA40、EA-A‧‧‧電子裝置
IL、IL10、IL20、IL30、IL40、IL-A‧‧‧絕緣層
ILD、ILD-1、ILD-2、ILD-3、ILD-4‧‧‧層間絕緣層
IL-OP、ILD-OP、ILD-OP1、ILD-OP2、ILD-OP3、IL10-OP、IL20-OP、IL40-OP‧‧‧開口
ILD-OPa、IL-OP1‧‧‧第一開口
ILD-OPb、IL-OP2‧‧‧第二開口
ILD-P‧‧‧初始絕緣層
IL-P‧‧‧部分
OP-PA1‧‧‧第一焊盤開口
OP-PA2‧‧‧第二焊盤開口
PA1‧‧‧第一焊盤區域
PA2‧‧‧第二焊盤區域
PD‧‧‧觸控板
PP、PP10、PP20、PP30‧‧‧突出圖樣
PRL‧‧‧感光膜
SB‧‧‧基板
SB-US‧‧‧上表面
SP1、SP1A‧‧‧第一感測圖樣
SP1B‧‧‧第二輔助圖樣
SP2、SP2B‧‧‧第二感測圖樣
SP2A‧‧‧第一輔助圖樣
TA‧‧‧觸控陣列
TFE‧‧‧封裝層
TFE-P‧‧‧部分層
TH1‧‧‧第一厚度
TH2‧‧‧第二厚度
TL1、TL1-1‧‧‧第一檢測層
TL2、TL2-1‧‧‧第二檢測層
TW1‧‧‧第一驅動線
TW1A、TW1B、TW1A-1‧‧‧第一線
TW1B-1‧‧‧第二輔助線
TW2、TW2-1、TW2-2、TW2-3‧‧‧第二驅動線
TW2A、TW2A-1、TW2A-2、TW2A-3‧‧‧第一輔助線
TW2B、TW2B-1、TW2B-2、TW2B-3‧‧‧第二線
TW2B-R、TW2B-R1、TW2B-R2、TW2B-R3、TW2B-R4‧‧‧凹部
TW2B-P‧‧‧初始導電層
VL‧‧‧虛擬表面
所包括之附圖用以提供對本發明構思的進一步理解，並被併入構成本說明書與本發明構思之例示性實施例之說明的一部分，並且一同用於解釋本發明概念的原理。
第1A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的透視圖。
第1B圖是根據一個或多個例示性實施例的第1A圖中的電子裝置的分解透視圖。
第2圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的透視圖。
第3A圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第1A圖的線I-I'截取的截面圖。
第3B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿第1A圖的線II-II'截取的截面圖。
第3C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第1A圖的線III-III'截取的截面圖。
第4A圖和第4B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的截面圖。
第5A圖和第5B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的截面圖。
第6A圖是根據一個或多個例示性實施例的絕緣層的透視圖。
第6B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的截面圖。
第7A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的透視圖。
第7B圖是根據一個或多個例示性實施例的第7A圖中的電子裝置的分解透視圖。
第7C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第7A圖的線IV-IV'截取的截面圖。
第8圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的分解透視圖。
第9A圖、第9B圖和第9C圖是根據一個或多個例示性實施例的觸控陣列的各個層的平面圖。
第10A圖是根據一個或多個例示性實施例的第9A圖至第9C圖中的區域AA的平面圖。
第10B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第10A圖的線V-V'截取的截面圖。
第10C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿第10A圖的線VI-VI'截取的截面圖。
第11A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的局部區域的平面圖。
第11B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第11A圖的線V-V'截取的截面圖。
第11C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿第11A圖的線VI-VI'截取的截面圖。
第12A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的局部區域的平面圖。
第12B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第12A圖的線V-V'截取的截面圖。
第12C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第12A圖的線VI-VI'截取的截面圖。
第13A圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的局部區域的平面圖。
第13B圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第13A圖的線V-V'截取的截面圖。
第13C圖是根據一個或多個例示性實施例的沿著第13A圖的線VI-VI'截取的截面圖。
第14圖、第14B圖和第14C圖是根據一個或多個例示性實施例的觸控陣列的各個層的平面圖。
第15A圖是根據一個或多個例示性實施例的第14A圖至第14C圖中的區域BB的截面圖。
第15B圖是根據一個或多個例示性實施例的第14A圖至第14C圖中的區域CC的截面圖。
第16A圖和第16B圖是根據一個或多個例示性實施例的電子裝置的一部分的平面圖。
第17A圖、第17B圖、第17C圖、第17D圖、第17E圖、第17F圖和第17G圖是根據一個或多個例示性實施例的各個製造階段的電子裝置的截面圖。

Claims (25)

  1. 一種電子裝置，其包括： 一基板； 一突出圖樣，係設置在該基板上； 一第一導電圖樣，係設置在該基板上，並覆蓋該突出圖樣； 一絕緣層，係設置在該第一導電圖樣上，該絕緣層包括與該突出圖樣的至少一部分重疊的一開口；以及 一第二導電圖樣，係設置在該絕緣層上，該第二導電圖樣通過該開口連接到該第一導電圖樣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中： 該第一導電圖樣包括： 一第一部分，由該開口暴露；以及 一第二部分，從該第一部分延伸，且該第二部分係由該絕緣層覆蓋；且 該第一部分從該第二部分突出。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電子裝置，其中： 該絕緣層係設置在該第二導電圖樣和該基板之間； 該第一部分係設置在該第二導電圖樣和該基板之間；且 該第二導電圖樣覆蓋該絕緣層和該第一部分。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之電子裝置，其中： 該第二導電圖樣的表面包括： 一第一表面部分，係與該第一部分重疊； 一第二表面部分，係與該絕緣層重疊；以及 一第三表面部分，係將該第一表面部分連接到該第二表面部分；且 該第一表面部分和該第三表面部分係從該第二表面部分的一部分凹陷，該第一表面部分和該第三表面部分定義一凹部。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之電子裝置，其中該第二表面部分包括突出遠離該基板並與該突出圖樣重疊的表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中： 該突出圖樣在一第一方向縱向延伸；且 該第二導電圖樣在一第二方向縱向延伸，該第二方向與該第一方向交叉。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該開口沿該突出圖樣縱向延伸。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電子裝置，其中，該開口在平面圖中與該突出圖樣全面重疊。
  9. 如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該開口沿該第二導電圖樣縱向延伸。
  10. 如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中該第一導電圖樣和該第二導電圖樣彼此平行地縱向延伸。
  11. 如申請專利範圍第6項所述之電子裝置，其中： 該第二導電圖樣包括在該第一方向上彼此間隔開的複數個圖樣；且 該複數個圖樣的部分設置在該開口中，該複數個圖樣的部分與該突出圖樣重疊。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之電子裝置，其中： 該開口包括彼此間隔開的複數個子開口；且 該複數個圖樣的部分設置在該複數個子開口中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之電子裝置，其中該複數個子開口沿著該突出圖樣彼此間隔開。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之電子裝置，其中： 該複數個子開口包括複數個第一子開口； 該複數個圖樣包括一第一圖樣；且 該複數個第一子開口沿著該第一圖樣彼此間隔開。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其進一步包括： 一像素陣列，包括用於顯示影像的一像素；以及 一觸控陣列，係設置在該像素陣列上，該觸控陣列檢測與該觸控陣列互動的觸碰， 其中該像素陣列和該觸控陣列中的至少一個包括該第一導電圖樣和該第二導電圖樣。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之電子裝置，其進一步包括： 一封裝層，係在垂直於該基板的一方向上設置在該像素陣列和該觸控陣列之間， 其中，在該方向上的視圖中，該突出圖樣被設置為與該封裝層相鄰。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之電子裝置，其中，該突出圖樣在平面圖中圍繞該像素陣列。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之電子裝置，其中： 該觸控陣列包括： 一感應器，係設置在該封裝層上，該感應器接收一觸控驅動訊號； 一第一線，係連接到該感應器，該第一線的至少一部分形成該第一導電圖樣；以及 一第二線，係連接到該感應器，該第二線的至少一部分形成該第二導電圖樣；且 該第一線的至少一部分通過該開口接觸該第二線的至少一部分。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之電子裝置，其中該突出圖樣包括絕緣材料。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之電子裝置，其中該突出圖樣包括有機材料。
  21. 一種電子裝置，其包括： 一基板； 一絕緣圖樣，係設置在該基板上，該絕緣圖樣至少在一第一方向上突出遠離該基板； 一導電圖樣，係設置在該基板上，該導電圖樣覆蓋該絕緣圖樣； 一絕緣層，係設置在該導電圖樣和該絕緣圖樣之間，該絕緣層包括與該絕緣圖樣的至少一部分重疊的一開口， 其中該導電圖樣包括一凹部。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其中： 該導電圖樣的一表面包括： 一第一表面部分，係與該絕緣圖樣重疊； 一第二表面部分，係與該絕緣層重疊；以及 一第三表面部分，係將該第一表面部分連接到該第二表面部分；且 該第一表面部分和該第三表面部分形成該凹部。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之電子裝置，其中該第二表面部分包括至少在該第一方向上突出並且與該絕緣圖樣重疊的表面。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其中該開口暴露該絕緣圖樣的整個表面。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之電子裝置，其中，在平面圖中，該絕緣層與該絕緣圖樣和該基板的一部分重疊。
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