KR102507120B1 - 전자 장치 - Google Patents

Abstract

전자 장치는 기판, 상측으로 돌출된 돌출 패턴, 돌출 패턴의 적어도 일부에 중첩하는 개구부가 정의된 절연막, 및 절연막 상에 배치되고 돌출 패턴을 따라 상측으로 돌출된 부분을 포함하는 도전 패턴을 포함하고, 돌출된 부분에 오목부가 정의되고, 오목부는 개구부와 평면상에서 중첩한다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}

본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 상세하게는 신뢰성이 향상된 전자 장치에 관한 것이다.

전자 장치는 전기적 신호를 인가 받아 활성화된다. 전자 장치는 영상을 표시하는 표시 장치나 외부로부터 인가되는 터치를 감지하는 터치 스크린을 포함한다.

전자 장치는 전기적 신호에 의해 활성화 되도록 다양한 도전 패턴들을 포함할 수 있다. 도전 패턴들의 형상이나 특성은 전자 장치의 구동 효율에 직접적인 영향을 미칠 수 있다.

따라서, 본 발명은 신뢰성이 향상된 도전 패턴을 포함하는 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 기판, 상기 기판 상에 배치되고 상측으로 돌출된 돌출 패턴, 상기 기판 상에 배치되고 상기 돌출 패턴의 적어도 일부에 중첩하는 개구부가 정의된 절연막, 및 상기 절연막 상에 배치되고, 상기 돌출 패턴을 따라 상기 상측으로 돌출된 부분을 포함하는 도전 패턴을 포함하고, 상기 돌출된 부분에 오목부가 정의되고, 상기 오목부는 상기 개구부와 평면상에서 중첩한다.

상기 돌출된 부분의 상면은 상기 절연 패턴에 중첩하는 제1 면, 상기 절연막에 중첩하는 제2 면, 및 상기 제1 면과 상기 제2 면을 연결하고 상기 개구부를 따라 연장된 제3 면을 포함하고, 상기 제1 면 및 상기 제3 면은 상기 제2 면 중 상기 제3 면과 인접한 부분으로부터 함몰되어 상기 오목부를 정의할 수 있다.

상기 제2 면은 상기 상측으로 볼록한 곡면을 포함할 수 있다.

상기 돌출 패턴은 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 도전 패턴은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장될 수 있다.

상기 개구부는 상기 돌출 패턴을 따라 연장될 수 있다.

상기 개구부는 평면상에서 상기 돌출 패턴과 전면적으로 중첩할 수 있다.

상기 도전 패턴은 상기 제1 방향을 따라 배열된 복수의 패턴들을 포함하고, 상기 개구부는 상기 복수의 패턴들 각각 중 상기 돌출 패턴에 중첩하는 부분들을 노출시킬 수 있다.

상기 개구부는 서로 이격되어 배열된 복수의 서브 개구부들을 포함하고, 상기 복수의 서브 개구부들은 상기 부분들을 각각 노출시킬 수 있다.

상기 복수의 서브 개구부들은 상기 돌출 패턴을 따라 배열될 수 있다.

상기 복수의 서브 개구부들 중 적어도 일부는 상기 복수의 패턴들 중 어느 하나의 패턴을 따라 배열되어 상기 어느 하나의 패턴을 부분적으로 각각 노출시킬 수 있다.

상기 개구부는 상기 도전 패턴을 따라 연장될 수 있다.

상기 절연막과 상기 기판 사이에 배치되어 상기 돌출 패턴을 커버하는 하부 도전 패턴을 더 포함하고, 상기 오목부는 상기 개구부를 통해 상기 하부 도전 패턴에 접촉할 수 있다.

상기 하부 도전 패턴은 상기 개구부에 의해 노출되는 제1 부분 및 상기 절연막에 의해 커버되는 제2 부분을 포함하고, 상기 제1 부분은 상기 제2 부분으로부터 상기 상측으로 돌출될 수 있다.

상기 제2 도전 패턴은 상기 절연막의 상면 및 상기 제1 부분의 상면을 커버할 수 있다.

상기 하부 도전 패턴은 상기 도전 패턴과 나란한 방향으로 연장될 수 있다.

상기 기판 상에 배치된 복수의 신호 라인들, 및 상기 신호 라인들을 통해 전기적 신호들을 각각 제공받는 복수의 화소들을 포함하는 화소 어레이, 및 상기 화소 어레이의 일측에 배치되고 외부에서 제공되는 터치를 감지하는 터치 어레이를 포함하고, 상기 화소 어레이 및 상기 터치 어레이 중 적어도 어느 하나는 상기 도전 패턴 및 상기 하부 도전 패턴을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 상기 화소 어레이 및 상기 터치 어레이 사이에 배치된 봉지층을 더 포함하고, 상기 돌출 패턴은 평면상에서 상기 봉지층에 인접하여 배치될 수 있다.

상기 돌출 패턴은 평면상에서 상기 봉지층을 에워쌀 수 있다.

상기 터치 어레이는, 상기 봉지층 상에 배치되고 외부 터치 신호를 제공받는 센서, 상기 센서에 연결되고 상기 절연막 하측에 배치되며, 적어도 일부가 상기 하부 도전 패턴으로 구성된 제1 배선들, 및 상기 센서에 연결되고, 상기 절연막 상에 배치되며, 적어도 일부가 상기 도전 패턴으로 구성된 제2 배선들을 포함하고, 상기 제1 배선들의 적어도 일부와 상기 제2 배선들의 적어도 일부는 상기 돌출 패턴 상에서 상기 개구부를 통해 서로 접속될 수 있다.

상기 돌출 패턴은 절연물질을 포함할 수 있다.

본 발명에 따르면, 비 평탄면 상에 형성되는 도전 패턴의 신뢰성이 향상될 수 있다. 본 발명에 따르면, 돌출된 면 상에 형성되더라도 단선 불량 등의 문제가 개선되어 안정적으로 형성된 도전 패턴을 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다. 이에 따라, 공정이 단순화되고 제조비용이 절감될 수 있다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 3a는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ’를 따라 자른 단면도이다.
도 3b는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ’를 따라 자른 단면도이다.
도 3c는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ’를 따라 자른 단면도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도들이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 절연막의 일 실시예를 도시한 사시도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 7b는 도 7a에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 7c는 도 7a의 Ⅳ-Ⅳ’를 따라 자른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 어레이를 층별로 도시한 평면도들이다.
도 10a는 도 9a 내지 도 9c에 도시된 AA영역을 도시한 평면도이다.
도 10b는 도 10a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다.
도 10c는 도 10a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 영역을 도시한 평면도이다.
도 11b는 도 11a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다.
도 11c는 도 11a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 영역을 도시한 평면도이다.
도 12b는 도 12a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다.
도 12c는 도 12a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.
도 13a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 영역을 도시한 평면도이다.
도 13b는 도 13a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다.
도 13c는 도 13a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.
도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 어레이를 층별로 도시한 평면도들이다.
도 15a는 도 14a 내지 도 14c에 도시된 BB영역을 도시한 단면도이다.
도 15b는 도 14a 내지 도 14c에 도시된 CC영역을 도시한 단면도이다.
도 16a 및 도 16b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 도시한 평면도들이다.
도 17a 내지 도 17g는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다.

도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다. 도 1b는 도 1a에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다. 도 3a는 도 1a의 Ⅰ-Ⅰ’를 따라 자른 단면도이고, 도 3b는 도 1a의 Ⅱ-Ⅱ’를 따라 자른 단면도이며, 도 3c는 도 1a의 Ⅲ-Ⅲ’를 따라 자른 단면도이다. 이하, 도 1a 내지 도 3c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 대해 살펴본다.

전자 장치(EA)는 기판(SB), 돌출 패턴(PP), 절연막(IL), 및 도전 패턴(CP)을 포함한다. 기판(SB)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되는 두 변들 및 제1 방향(DR1)에 교차하는 제2 방향(DR2)을 따라 연장되는 두 변들을 포함하는 플레이트(plate) 형상을 가질 수 있다.

기판(SB)의 상면(SB-US)은 서로 교차하는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의되는 평평한 면(flat surface)을 포함할 수 있다. 기판(SB)은 상측에 평평한 상면(SB-US)을 제공할 수 있다.

기판(SB)은 절연물질을 포함할 수 있다. 기판(SB)은 예를 들어, 유리, 플라스틱, 및 무기막 및/또는 유기막을 포함하는 복수의 박막들 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.

한편, 기판(SB)과 돌출 패턴(PP) 사이에는 별도의 절연층 및/또는 도전층이 더 배치될 수 있다. 이때, 기판의 상면(SB-US)은 돌출 패턴(PP)이 배치되는 최 상층의 표면에 대응될 수 있다.

돌출 패턴(PP)은 기판(SB) 상에 배치된다. 돌출 패턴(PP)은 기판의 상면(SB-US)에 접촉할 수 있다. 돌출 패턴(PP)은 평평한 면 상에 제공되어 주변보다 상대적으로 제3 방향(DR3, 이하 상측 방향)을 향해 돌출된다.

돌출 패턴(PP)은 다양한 형상을 가질 수 있다. 본 실시예에서, 돌출 패턴(PP)은 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면 상에서 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 돌출 패턴(PP)은 기판의 상면(SB-US)으로부터 상측으로 돌출된 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

돌출 패턴(PP)은 다양한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 돌출 패턴(PP)은 유기물을 포함할 수 있다. 이때, 돌출 패턴(PP)은 무기층에 비해 상대적으로 큰 높이를 가질 수 있어, 돌출 패턴(PP)의 기판의 상면(SB-US)에 대한 돌출 정도는 커질 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 돌출 패턴(PP)은 무기물을 포함하거나 무기물과 유기물이 혼합되어 구성될 수 있으며 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

절연막(IL)은 기판(SB) 상에 배치된다. 절연막(IL)의 적어도 일부는 돌출 패턴(PP)에 중첩한다. 본 실시예에서, 절연막(IL)은 다양한 형상을 가질 수 있다.

예를 들어, 도 1b에 도시된 것과 같이, 돌출 패턴(PP)을 커버하는 소정의 패턴 형상을 가진다. 이에 따라, 절연막(IL)은 돌출 패턴(PP)에 중첩하고, 기판의 상면(SB-US) 대부분을 노출시킨다.

또는, 도 2에 도시된 것과 같이, 절연막(IL-A)은 기판의 상면(SB-US)을 커버하는 층으로 제공될 수도 있다. 이에 따라, 돌출 패턴(PP)은 절연막(IL-A) 및 도전 패턴(CP)에 의해 외부로 노출되지 않을 수 있다.

다시 도 1a 내지 도 3c를 참조하면, 절연막(IL)은 전기적으로 절연된다. 절연막(IL)은 다양한 절연 물질을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 절연막(IL)의 두께는 돌출 패턴(PP)의 두께 또는 높이에 비해 상대적으로 낮은 두께를 가질 수 있다. 이에 따라, 절연막(IL) 중 돌출 패턴(PP) 상에 배치되는 부분은 돌출 패턴(PP)의 형상에 따라 상측으로 굴곡면을 형성할 수 있다.

절연막(IL)에는 소정의 개구부(IL-OP)가 정의된다. 개구부(IL-OP)는 돌출 패턴(PP)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다. 본 실시예에서, 개구부(IL-OP)는 절연막(IL) 중 일부가 제거된 영역 및 제거되어 노출된 단면을 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 절연막(IL)은 돌출 패턴(PP) 상에 직접 배치된다. 개구부(IL-OP)는 돌출 패턴(PP)의 적어도 일부를 노출시킨다.

도전 패턴(CP)은 기판(SB) 상에 배치된다. 도전 패턴(CP)은 돌출 패턴(PP) 및 개구부(IL-OP)와 중첩한다. 도전 패턴(CP)은 개구부(IL-OP)를 통해 돌출 패턴(PP)의 적어도 일부에 접촉할 수 있다.

도전 패턴(CP)의 상면은 서로 구분되는 제1 면(CP-US1), 제2 면(CP-US2), 및 제3 면(CP-US3)을 포함할 수 있다. 제1 면(CP-US1)은 개구부(IL-OP)에 배치된다. 제2 면(CP-US2)은 절연막(IL)에 중첩한다.

제3 면(CP-US3)은 제1 면(CP-US1)과 제2 면(CP-US2)을 연결하고 제1 면(CP-US1) 및 제2 면(CP-US2) 각각으로부터 절곡될 수 있다. 제1 면(CP-US1), 제2 면(CP-US2), 및 제3 면(CP-US3)은 소정의 오목부(CP-R)를 정의할 수 있다.

구체적으로, 제1 면(CP-US1) 중 제3 면(CP-US3)에 인접한 일부와 제2 면(CP-US2)은 제2 면(CP-US2) 중 제3 면(CP-US3)에 인접한 일부로부터 하측으로 함몰된다. 이에 따라, 도전 패턴(CP)은 소정의 오목부(CP-R)를 포함할 수 있다.

오목부(CP-R)의 형상은 개구부(IL-OP)의 형상에 대응되어 정의될 수 있다. 이에 따라, 도 3a 내지 도 3c에 도시된 것과 같이, 오목부(CP-R)는 개구부(IL-OP)가 정의된 영역에 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 오목부(CP-R)는 돌출 패턴(PP)과 중첩되도록 정의된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 패턴(CP)은 개구부(IL-OP)에 의해 돌출 패턴(PP)과 중첩하는 영역에 정의된 소정의 오목부(CP-R)를 더 포함함으로써, 돌출 패턴(PP) 상에도 안정적으로 형성될 수 있다. 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도들이다. 도 5a 및 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도들이다.

도 4a 및 도 4b는 전자 장치(EA10)의 단면들을 각각 도시한 것으로, 도 3a 및 도 3c에 각각 대응되는 영역을 도시하였다. 도 5a 및 도 5b는 전자 장치(EA20)의 단면들을 각각 도시한 것으로, 도 3a 및 도 3c에 각각 대응되는 영역을 도시하였다.

이하, 도 4a 내지 도 5b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치들(EA10, EA20)을 각각 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 3c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 4a 및 도 4b에 도시된 것과 같이, 돌출 패턴(PP10)은 단면상에서 다각 형상을 가질 수 있다. 도 4a 및 도 4b에는 육면체 형상의 돌출 패턴(PP10)을 예시적으로 도시하였다.

절연막(IL10)에는 소정의 개구부(IL-OP)가 정의된다. 개구부(IL10-OP)는 돌출 패턴(PP10)의 적어도 일부를 노출시킨다.

도전 패턴(CP10)은 개구부(IL10-OP)에 의해 노출된 돌출 패턴(PP10)의 일부분 상에 직접 배치될 수 있다. 도전 패턴(CP10)은 소정의 오목부(CP10-R)를 형성하며 돌출 패턴(PP10) 상에 배치될 수 있다.

도 5a 및 도 5b에 도시된 것과 같이, 돌출 패턴(PP20)은 단면상에서 둥근 형상을 가질 수 있다. 도 5a 및 도 5b에는 타원의 일부 형상을 가진 돌출 패턴(PP20)을 예시적으로 도시하였다.

절연막(IL20)에는 소정의 개구부(IL20-OP)가 정의된다. 도전 패턴(CP20)은 개구부(IL20-OP)의 형상을 따라 정의되는 소정의 오목부(CP20-R)를 포함할 수 있다.

도전 패턴들(CP10, 20)은 돌출 패턴들(PP10, PP20) 상에서 개구부들(IL10-OP, IL20-OP)을 따라 부분적으로 함몰됨으로써, 상대적으로 돌출된 영역에서 도전 패턴들(CP10, CP20)의 돌출 정도를 완화시킬 수 있다. 이에 따라, 도전 패턴들(CP10, 20) 각각은 소정의 오목부들(CP10-R, CP20-R)을 정의하며 다양한 형상을 가진 돌출 패턴들(PP10, PP20) 상에 안정적으로 형성될 수 있다.

도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 절연막의 일 실시예를 도시한 사시도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다. 도 6b는 도 6a에 도시된 절연막(IL30)을 포함하는 전자 장치(EA30)의 단면도를 도시하였으며, 도 3c에 대응되는 영역을 도시하였다.

이하, 도 6a 및 도 6b를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA30)에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 5b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 6a에 도시된 것과 같이, 절연막(IL30)에는 복수의 개구부들(IL-OP1, IL-OP2)이 정의될 수 있다. 절연막(IL30)은 돌출 패턴(PP30)의 형상에 따라 다양한 형상을 가질 수 있으며, 본 실시예에서, 절연막(IL30)은 다각 형상의 단면을 가진 돌출 패턴(PP30)을 커버한다.

복수의 개구부들(IL-OP1, IL-OP2)은 제1 개구부(IL-OP1) 및 제2 개구부(IL-OP2)를 포함한다. 제1 개구부(IL-OP1)와 제2 개구부(IL-OP2)는 도전 패턴(CP)이 연장된 방향)을 따라 서로 이격되어 배열된다. 본 실시예에서, 제1 개구부(IL-OP1)와 제2 개구부(IL-OP2)는 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있다.

제1 개구부(IL-OP1) 및 제2 개구부(IL-OP2)는 각각 돌출 패턴(PP30)의 서로 상이한 부분들을 노출시킨다. 제1 개구부(IL-OP1) 및 제2 개구부(IL-OP2)는 돌출 패턴(PP20) 중 각진 모서리 부분들을 노출시킬 수 있다. 각진 모서리 부분들은 상대적으로 외측을 향해 돌출된 부분들일 수 있다.

도전 패턴(CP30)은 제1 개구부(IL-OP1) 및 제2 개구부(IL-OP2)를 따라 정의되는 제1 오목부(CP-R1) 및 제2 오목부(CP-R2)를 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 패턴(CP30)은 복수의 개구부들(IL-OP1, IL-OP2)에 의해 돌출 패턴(PP30) 중 모서리 부분들 상에서 상대적으로 함몰될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA30)는 복수의 개구부들(IL-OP1, IL-OP2)이 정의된 절연막(IL30)을 더 포함함으로써, 상대적으로 돌출된 영역에서 도전 패턴(CP30)의 돌출 정도를 완화시킬 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 패턴(CP30)은 하나의 돌출 패턴(PP30) 중 상대적으로 더 돌출된 부분에 대해 선택적으로 함몰됨으로써, 신뢰성이 향상되고 다양한 돌출 패턴의 형상에 대응할 수 있다.

도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다. 도 7b는 도 7a에 도시된 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 7c는 도 7a의 Ⅳ-Ⅳ’를 따라 자른 단면도이다.

이하, 도 7a 내지 도 7c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA40)에 대해 살펴본다. 한편, 도 1 내지 도 6b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

전자 장치(EA40)는 기판(SB), 돌출 패턴(PP), 제1 도전 패턴(CP1), 절연막(IL40), 및 제2 도전 패턴(CP2)을 포함한다. 기판(SB) 및 돌출 패턴(PP)은 도 1에 도시된 기판 및 돌출 패턴에 각각 대응될 수 있다.

제1 도전 패턴(CP1)은 돌출 패턴(PP) 및 절연막(IL40) 사이에 배치된다. 제1 도전 패턴(CP1)은 돌출 패턴(PP)과 교차하는 방향으로 연장될 수 있다. 본 실시예에서, 제1 도전 패턴(CP1)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다.

제1 도전 패턴(CP1)은 돌출 패턴(PP)과 중첩한다. 제1 도전 패턴(CP1)은 돌출 패턴(PP)과 중첩하는 제1 부분(CP1a) 및 기판(SB)에 배치된 제2 부분(CP1b)으로 구분될 수 있다.

제1 부분 및 제2 부분 각각은 제1 도전 패턴(CP1)이 제공되는 면의 형상에 따라 다른 상면을 가질 수 있다. 예를 들어, 제1 부분(CP1a)의 상면은 곡면 또는 절곡된 면을 포함하고, 제2 부분(CP1b)의 상면은 기판(SB)과 평행한 평면을 포함할 수 있다.

본 실시예에서, 제1 부분(CP1a)은 돌출 패턴(PP)에 접촉하고, 제2 부분(CP1b)은 기판(SB)에 접촉하는 것으로 예시적으로 도시되었다. 이에 따라, 제1 부분(CP1a)의 상면은 돌출 패턴(PP)의 상면에 대응되는 굴곡면(curved surface)을 포함하고, 제2 부분(CP1b)의 상면은 기판(SB)의 상면에 대응되는 평평한 면(flat surface)을 포함할 수 있다.

절연막(IL40)은 제1 도전 패턴(CP1) 및 제2 도전 패턴(CP2) 사이에 배치된다. 절연막(IL40)은 제1 도전 패턴(CP1) 및 제2 도전 패턴(CP2)을 부분적으로 절연시킨다.

절연막(IL40)은 기판(SB)을 커버하는 층(layer)일 수 있다. 이에 따라, 절연막(IL40)은 제1 도전 패턴(CP1)의 제2 부분에 중첩할 수 있다.

절연막(IL40)에는 소정의 개구부(IL40-OP)가 정의된다. 개구부(IL40-OP)는 돌출 패턴(PP)과 중첩하는 영역에 정의될 수 있다.

절연막(IL40)은 개구부(IL40-OP)를 통해 제1 도전 패턴(CP1)의 적어도 일부를 노출시킨다. 본 실시예에서, 개구부(IL40-OP)는 평면상에서 돌출 패턴(PP)과 전면적으로 중첩할 수 있다. 이에 따라, 제1 도전 패턴(CP1) 중 돌출 패턴(PP)과 중첩하는 제1 부분은 절연막(IL40)으로부터 전면적으로 노출될 수 있다.

제2 도전 패턴(CP2)은 절연막(IL40) 상에 배치된다. 제2 도전 패턴(CP2)은 돌출 패턴(PP)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다.

제2 도전 패턴(CP2)은 돌출 패턴(PP)과 교차하는 방향으로 연장될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 도전 패턴(CP2)은 제1 도전 패턴(CP1)과 나란한 방향으로 연장될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 도전 패턴(CP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다.

제2 도전 패턴(CP2)은 소정의 오목부(CP2-R)를 포함할 수 있다. 오목부(CP2-R)는 개구부(IL40-OP)를 따라 정의될 수 있다. 오목부(CP2-R)는 돌출 패턴(PP)과 평면상에서 중첩한다.

제2 도전 패턴(CP2)은 개구부(IL40-OP)를 통해 제1 도전 패턴(CP1)에 접속될 수 있다. 오목부(CP2-R)는 제2 도전 패턴(CP2) 중 절연막(IL40) 상에 배치된 부분보다 함몰되어 제1 도전 패턴(CP1) 중 제1 부분에 접촉된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA40)는 개구부(IL40-OP)가 정의된 절연막(IL40)을 더 포함함으로써, 제2 도전 패턴(CP2) 중 돌출 패턴(PP) 상에 배치되는 영역에 오목부(CP2-R)를 정의할 수 있다. 이에 따라, 제2 도전 패턴(CP2)은 돌출 패턴(PP)에 따른 돌출 정도를 상대적으로 완화시켜 돌출 패턴(PP) 상에도 안정적으로 형성될 수 있다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 이하, 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA-1)에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 7c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 8에 도시된 것과 같이, 전자 장치(EA-1)는 표시 어레이(DA), 댐 부재(DM) 및 터치 어레이(TA)를 포함할 수 있다. 표시 어레이(DA)는 외부에 영상을 제공한다.

표시 어레이(DA)는 베이스 기판(BS), 표시층(DSL), 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다. 베이스 기판(BS)은 서로 교차하는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의되는 평면 및 제3 방향(DR3)에서의 두께를 가진 플레이트 형상일 수 있다.

베이스 기판(BS)은 절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 플라스틱, 유리, 또는 복수의 유기막 및/또는 무기막을 포함할 수 있다.

표시층(DSL)은 베이스 기판(BS) 상에 배치된다. 표시층(DSL)은 도시되지 않았으나, 복수의 신호 배선들 및 신호 배선들을 통해 전기적 신호가 인가되는 복수의 화소들을 포함할 수 있다. 표시층은 전기적 신호에 따라 구동되는 화소를 통해 영상을 표시한다.

신호 배선들 각각의 일단들은 복수의 화소들 각각에 연결되고, 신호 배선들 각각의 타단들은 베이스 기판(BS)에 정의된 제1 패드 영역(PA1)까지 연장될 수 있다. 제1 패드 영역(PA1)에는 소정의 패드들이 배치되어 신호 배선들 각각의 타단들에 각각 연결될 수 있다. 표시 어레이(DA)는 제1 패드 영역(PA1)에 배치된 패드들을 통해 외부로부터 제공되는 전기적 신호를 수신하여 구동될 수 있다.

화소들 각각은 적어도 하나의 박막 트랜지스터 및 표시 소자를 포함한다. 표시 소자에는 액정 커패시터, 전기영동소자, 유기발광소자, 전기습윤소자 등 전기적 신호에 따라 광 투과량을 제어하거나 광을 생성할 수 있는 다양한 소자가 적용될 수 있다.

봉지층(TFE)은 표시층(DSL) 상에 배치되어 표시층(DSL)을 커버할 수 있다. 봉지층(TFE)은 복수의 유기막 및/또는 무기막을 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)은 외부 오염이나 습기로부터 표시층(DSL)을 보호할 수 있다.

터치 어레이(TA)는 외부에서 인가되는 터치 신호를 감지한다. 터치 어레이(TA)는 제1 감지층(TL1), 층간 절연막(ILD), 및 제2 감지층(TL2)을 포함할 수 있다. 제1 감지층(TL1), 층간 절연막(ILD), 및 제2 감지층(TL2)은 제3 방향(DR3)을 따라 순차적으로 적층될 수 있다.

터치 어레이(TA)는 표시 어레이(DA) 상에 배치된다. 본 실시예에서, 제1 감지층(TL1)은 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다. 이에 따라, 전자 장치(EA-1)는 터치 어레이(TA) 및 표시 어레이(DA)를 포함하면서도 슬림한 두께로 제공될 수 있다. 터치 어레이(TA)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

댐 부재(DM)는 표시 어레이(DA)와 터치 어레이(TA) 사이에 배치될 수 있다. 댐 부재(DM)는 평면상에서 표시층(DSL)에 인접하여 배치된다.

댐 부재(DM)는 일 방향으로 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 댐 부재(DM)는 절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 댐 부재(DM)는 유기물 또는 유기물 및 무기물의 혼합물을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA)에 있어서, 표시 어레이(DA) 및 터치 어레이(TA) 중 적어도 어느 하나는 돌출 패턴(PP: 도 1a 참조), 적어도 하나의 도전 패턴(CP: 도 1a 참조, CP1, CP2: 도 7b 참조), 및 절연막(IL: 도 1a 참조)을 포함할 수 있다.

예를 들어, 표시 어레이(DA) 중 비 평탄면 상에 형성된 신호 라인들이나 전극들 중 어느 하나는 상술한 도전 패턴(CP: 도 1a 참조)이나, 상술한 제2 도전 패턴(CP2: 도 7a 참조)에 대응될 수 있다. 또는, 터치 어레이(TA) 중 비 평탄면 상에 형성된 구동 배선들이나 센싱 패턴들 중 어느 하나는 상술한 도전 패턴(CP)이나, 상술한 제2 도전 패턴(CP2)에 대응될 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 패턴은 돌출 패턴 및 개구부와 중첩되어 돌출 정도가 해소될 수 있다면 다양한 위치에 적용될 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA-1) 개구부가 정의된 절연막 상에 도전 패턴을 배치시킴으로써, 돌출 패턴에 의한 돌출 정도를 완화시킬 수 있다. 이에 따라, 신뢰성이 향상된 도전 패턴들을 포함할 수 있다. 이에 관한 상세한 설명은 후술하기로 한다.

도 9a 내지 도 9c는 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 어레이를 층별로 도시한 평면도들이다. 도 9a는 제1 감지층(TL1)의 평면도이고, 도 9b는 층간 절연막(ILD)의 평면도이고, 도 9c는 제2 감지층(TL2)의 평면도이다.

이하, 도 9a 내지 도 9c를 참조하여 터치 어레이(TA)를 상세히 살펴본다. 한편, 도 1 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 9a에 도시된 것과 같이, 제1 감지층(TL1)은 복수의 제1 센싱 패턴들(SP1A), 복수의 제1 보조 패턴들(SP2A), 복수의 제1 배선들(TW1A), 복수의 제1 보조 배선들(TW2A), 및 복수의 터치 패드들(PD)을 포함한다. 제1 센싱 패턴들(SP1A) 및 제1 보조 패턴들(SP2A)은 외부 터치를 감지하는 소정의 영역에 배치되고, 제1 배선들(TW1A), 제1 보조 배선들(TW2A), 및 터치 패드들(PD)은 상술한 영역에 인접한 주변 영역에 배치될 수 있다.

제1 센싱 패턴들(SP1A) 및 제1 보조 패턴들(SP2A)은 서로 이격되어 배열될 수 있다. 제1 센싱 패턴들(SP1A)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열되어 서로 연결되고, 연결된 제1 센싱 패턴들(SP1A)은 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있다.

제1 보조 패턴들(SP2A)은 제1 센싱 패턴들(SP1A)과 교번하여 배열될 수 있다. 제1 보조 패턴들(SP2A)은 제1 감지층(TL1) 내에서 제1 센싱 패턴들(SP1A) 및 인접한 더미 패턴들과 전기적으로 절연될 수 있다.

제1 보조 패턴들(SP2A)은 전기적으로 플로팅(floating)될 수 있다. 또는, 제1 보조 패턴들(SP2A)은 절연막(ILD)에 정의되는 컨택홀들(미도시)을 통해 제2 센싱 패턴들(SP2B: 도 9c 참조)에 접속될 수도 있다.

제1 배선들(TW1A)은 제1 센싱 패턴들(SP1A)에 연결된다. 제1 배선들(TW1A)은 제1 센싱 패턴들(SP1A)과 터치 패드들(PD) 중 일부를 연결한다.

제1 보조 배선들(TW2A)은 제1 보조 패턴들(SP2A) 중 일부에 연결된다. 제1 보조 배선들(TW2A)은 제1 보조 패턴들(SP2A) 중 연결된 일부와 터치 패드들(PD) 중 다른 일부를 연결한다.

터치 패드들(PD)은 제1 배선들(TW1A) 및 제1 보조 배선들(TW2A)에 각각 연결된다. 터치 어레이(TA: 도 8 참조)는 터치 패드들(PD)을 통해 외부에서 제공되는 전기적 신호를 수신하거나, 생성한 전기적 신호를 외부에 제공할 수 있다.

도시되지 않았으나, 터치 패드들(PD)은 도 8의 제2 패드 영역(PA2)에 배치될 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA-1: 도 8 참조)는 표시 어레이(TA)의 패드들과 터치 패드들(PD)을 동일한 층상에 제공할 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 표시 어레이(DA)의 패드들과 터치 패드들(PD)은 다른 층상에 배치될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

한편, 본 실시예에서, 제1 배선들(TW1A) 및 제1 보조 배선들(TW2A) 중 적어도 일부는 점선으로 표시된 댐 부재(DM)와 중첩할 수 있다. 도 8을 참조할 때, 제1 배선들(TW1A) 및 제1 보조 배선들(TW2A)은 댐 부재(DM)상에 직접 배치될 수 있다.

도 9b에 도시된 것과 같이, 제1 감지층(TL1) 상에 층간 절연막(ILD)이 배치된다. 층간 절연막(ILD)에는 소정의 개구부(ILD-OP)가 정의된다.

개구부(ILD-OP)는 댐 부재(DM)에 중첩하는 영역에 정의된다. 본 실시예에서, 개구부(ILD-OP)는 댐 부재(DM)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 개구부(ILD-OP)는 댐 부재(DM)의 적어도 일부에 중첩된다면 다양한 형상으로 정의될 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

한편, 층간 절연막(ILD)은 도 8의 베이스 기판(BS)과 실질적으로 동일한 형상을 가질 수 있다. 이에 따라, 층간 절연막(ILD)에는 제1 패드 영역(PA1) 및 제2 패드 영역(PA2)을 각각 노출시키는 복수의 패드 개구부들(OP-PA1, OP-PA2)이 더 구비될 수 있다.

한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 층간 절연막(ILD)은 제1 패드 영역(PA1) 및 제2 패드 영역(PA2) 각각에 비 중첩하도록 베이스 기판(BS)보다 작은 형상을 가질 수도 있다. 이때, 복수의 패드 개구부들(OP-PA1, OP-PA2)은 생략될 수 있다.

한편, 층간 절연막(ILD)에는 미 도시된 복수의 컨택홀들이 정의될 수 있다. 컨택홀들은 각각 제1 보조 패턴들(SP2A) 및 제1 센싱 패턴들(SP1A)에 중첩하여 배열되고 제1 감지층(TL1)과 제2 감지층(TL2)을 전기적으로 연결할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 층간 절연막(ILD)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

도 9c에 도시된 것과 같이, 제2 감지층(TL2)은 복수의 제2 보조 패턴들(SP1B), 복수의 제2 센싱 패턴들(SP2B), 복수의 제1 배선들(TW1B), 및 복수의 제2 배선들(TW2B) 을 포함한다. 제2 보조 패턴들(SP1B) 및 제2 센싱 패턴들(SP2B)은 외부 터치를 감지하는 영역에 배치되고, 제1 배선들(TW1B) 및 제2 배선들(TW2B)은 상술한 감지 영역 주변에 배치될 수 있다.

제2 센싱 패턴들(SP2B) 및 제2 보조 패턴들(SP1B)은 서로 이격되어 배열될 수 있다. 제2 센싱 패턴들(SP2B)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열되어 서로 연결되고, 연결된 제2 센싱 패턴들(SP2B)은 제1 방향(DR1)을 따라 서로 이격되어 배열될 수 있다.

제2 보조 패턴들(SP1B)은 제2 센싱 패턴들(SP2B)과 교번하여 배열될 수 있다. 제2 보조 패턴들(SP1B)은 제2 감지층(TL2) 내에서 제2 센싱 패턴들(SP2B) 및 인접한 더미 패턴들과 전기적으로 절연될 수 있다.

제2 센싱 패턴들(SP2B) 및 제2 보조 패턴들(SP1B)은 제1 센싱 패턴들(SP1A) 및 제1 보조 패턴들(SP2A)에 각각 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제2 센싱 패턴들(SP2B)은 제1 보조 패턴들(SP2A)과 평면상에서 중첩하도록 배치되고, 제2 보조 패턴들(SP1B)은제1 센싱 패턴들(SP1A)과 평면상에서 중첩하도록 배치될 수 있다.

제2 보조 패턴들(SP1B)은 전기적으로 플로팅(floating)될 수 있다. 또는, 제2더미 패턴들(SP1B)은 상술한 컨택홀들을 통해 제1 센싱 패턴들(SP1A)에 접속될 수도 있다.

제2 배선들(TW2B)은 제2 센싱 패턴들(SP2B)에 연결된다. 제1 배선들(TW1B)은 제2 보조 패턴들(SP1B) 중 일부에 연결된다.

한편, 제2 배선들(TW2B) 및 제1 배선들(TW1B) 중 적어도 일부는 댐 부재(DM)에 중첩한다. 또한, 제2 배선들(TW2B) 및 제1 배선들(TW1B) 중 적어도 일부는 개구부(ILD-OP)에 중첩할 수 있다.

본 실시예에서, 제2 배선들(TW2B) 및 제1 배선들(TW1B)은 개구부(ILD-OP)를 통해 제1 보조 배선들(TW2A) 및 제1 배선들(TW1A)에 각각 접속될 수 있다. 이에 따라, 제2 센싱 패턴들(SP2B) 및 제2 배선들(TW2B)은 패드들(PD)과 다른 층상에 배치되더라도, 전기적 신호를 패드들(PD)에 용이하게 송/수신할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치(EA-1)는 도 1에 도시된 돌출 패턴(PP), 절연막(IL), 및 도전 패턴(CP) 각각에 대응되는 구성들을적어도 하나 이상 포함할 수 있다. 예를 들어, 베이스 기판(BS)은 도 1의 기판(SB)에 대응되고, 댐 부재(DM)는 도 1의 돌출 패턴(PP)에 대응되고, 층간 절연막(ILD)은 도 1의 절연막(IL)에 대응되고, 제2 감지층(TL2)은 도전 패턴(CP)에 대응될 수 있다.

다만, 이는 예시적으로 기재한 것이고, 표시 어레이(DA) 및 터치 어레이(TA) 중 적어도 어느 하나는 도전 패턴(CP), 돌출 패턴(PP), 및 절연막(IL)을 포함할 수도 있다. 상면에 비 평탄면을 정의하는 돌출부, 돌출부에 중첩하는 개구부가 정의된 절연층, 및 절연층 상에 배치되고 개구부를 따라 정의된 오목부를 포함하는 도전층이라면 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 포함될 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

도 10a는 도 9a 내지 도 9c에 도시된 AA영역을 도시한 평면도이다. 도 10b는 도 10a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다. 도 10c는 도 10a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.

도 10a 내지 도 10c에는 도 9a 내지 도 9c의 구성들이 모두 결합된 터치 어레이를 기준으로 도시하였다. 이하, 도 10a 내지 도 10c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 어레이에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 9c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 10a에 도시된 것과 같이, 댐 부재(DM)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 라인 형상을 가질 수 있다. 이때, 제2 구동 배선(TW2)은 댐 부재(DM)와 교차하는 방향을 따라 연장될 수 있다. 본 실시예에서, 제2 구동 배선(TW2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다.

본 실시예에서, 층간 절연막(ILD)의 개구부(ILD-OP)는 댐 부재(DM)를 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 개구부(ILD-OP)는 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 라인 형상을 가질 수 있다.

도 10b에 도시된 것과 같이, 제2 구동 배선(TW2)은 댐 부재(DM) 상에 배치된다. 제1 방향(DR1) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면상에서 볼 때, 제2 구동 배선(TW2)은 복수로 제공되어 제1 방향(DR1)에서 서로 이격된다.

제2 구동 배선(TW2)은 제1 보조 배선(TW2A) 및 제2 배선(TW2B)을 포함한다. 제2 구동 배선(TW2)은 개구부(ILD-OP) 내에 배치되므로, 제1 보조 배선(TW2A) 및 제2 배선(TW2B)은 접촉될 수 있다.

도 10c에 도시된 것과 같이, 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면상에서 볼 때, 제1 보조 배선(TW2A) 및 제2 배선(TW2B)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다. 개구부(ILD-OP)는 댐 부재(DM)와 중첩하도록 정의된다.

제2 배선(TW2B)은 제2 방향(DR2)을 따라 부분적으로 층간 절연막(ILD)에 중첩하고 부분적으로 댐 부재(DM)에 중첩할 수 있다. 제2 배선(TW2B) 중 댐 부재(DM)와 중첩하는 부분은 개구부(ILD-OP)를 따라 함몰되어 소정의 함몰부(TW2B-R)를 정의한다.

제2 배선(TW2B)은 함몰부(TW2B-R)를 통해 제1 보조 배선(TW2A)에 접속될 수 있다. 함몰부(TW2B-R) 중 댐 부재(DM)와 중첩하는 부분은 댐 부재(DM)의 형상을 따라 상측으로 돌출되어 상측으로 볼록한 상면을 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 댐 부재(DM)와 중첩하는 개구부(ILD-OP)가 정의된 층간 절연막(ILD)을 더 포함함으로써, 제2 배선(TW2B)이 댐 부재(DM)와 중첩되는 영역에서 함몰된 형상을 갖도록 할 수 있다. 이에 따라, 댐 부재(DM)에 의해 제2 배선(TW2B)이 돌출되는 정도를 완화시킬 수 있다.

도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 영역을 도시한 평면도이다. 도 11b는 도 11a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다. 도 11c는 도 11a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.

도 11a에는 용이한 설명을 위해 도 10a와 대응되는 영역을 도시하였다. 도 11a 내지 도 11c에 도시된 전자 장치는 도 10a에 도시된 전자 장치의 개구부(ILD-OP: 도 10a 참조)와 상이한 형상을 가진 절연막(ILD-1)을 포함한다. 이하, 도 11a 내지 도 11c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 10c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 11a에 도시된 것과 같이, 층간 절연막(ILD-1)의 개구부(ILD-OP1)는 제2 구동 배선(TW2-1)을 따라 연장될 수 있다. 이에 따라, 개구부(ILD-OP1)는 제1 방향(DR1)을 따라 연장된 라인 형상을 가질 수 있다.

도 11b에 도시된 것과 같이, 복수로 제공된 제2 구동 배선들(TW2-1)은 댐 부재(DM) 상에 배치되어 제1 방향(DR1)에서 서로 이격된다. 제2 배선들(TW2B-1)은 제2 배선들(TW2B-1) 각각에 중첩하는 개구부들(ILD-OP1)을 통해 제1 보조 배선들(TW2A-1)에 접속된다.

이때, 제2 배선들(TW2B-1) 각각에는 소정의 함몰부들(TW2B-R)이 정의된다. 함몰부들(TW2B-R)은 개구부들(ILD-OP1) 각각에 대응되는 형상을 가진다.

도 11c에 도시된 것과 같이, 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면상에서 볼 때, 별도의 절연막(ILD-1)은 도시되지 않으며, 제2 배선(TW2B-1) 및 제1 보조 배선(TW2A-1)은 접촉한 상태로 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다.

도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 영역을 도시한 평면도이다. 도 12b는 도 12a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다. 도 12c는 도 12a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.

도 12a에는 용이한 설명을 위해 도 10a와 대응되는 영역을 도시하였다. 도 12a 내지 도 12c에 도시된 전자 장치는 도 10a에 도시된 전자 장치의 개구부(ILD-OP: 도 10a 참조)와 상이한 형상을 가진 절연막(ILD-2)을 포함한다.

이하, 도 12a 내지 도 12c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 11c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 12a에 도시된 것과 같이, 층간 절연막(ILD-2)의 개구부(ILD-OP2)는 제2 구동 배선(TW2-2)과 댐 부재(DM)가 중첩되는 영역에만 선택적으로 정의될 수 있다. 개구부(ILD-OP2)는 평면상에서, 댐 부재(DM)의 제2 방향(DR2)에서의 너비보다 큰 길이를 갖고, 제2 구동 배선(TW2-2)의 제1 방향(DR1)에서의 너비보다 작은 너비를 가질 수 있다.

도 12b에 도시된 것과 같이, 복수로 제공된 제2 구동 배선들(TW2-2)은 댐 부재(DM) 상에 배치되어 제1 방향(DR1)에서 서로 이격된다. 제2 배선들(TW2B-1)에는 함몰부들(TW2B-R)이 정의되며, 제2 배선들(TW2B-2) 각각에 중첩하는 개구부들(ILD-OP2)을 통해 제1 보조 배선들(TW2A-2)에 접속된다. 도 12b에 도시된 단층 구조는 도 11b에 도시된 단층 구조와 대응될 수 있다.

도 12c에 도시된 것과 같이, 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면상에서 볼 때, 개구부(ILD-OP2)는 댐 부재(DM)와 중첩하도록 정의되며, 제1 보조 배선(TW2A-2) 및 제2 배선(TW2B-2)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된다.

제2 배선(TW2B-2)은 제2 방향(DR2)을 따라 부분적으로 층간절연막(ILD-2)에 중첩하고 부분적으로 댐 부재(DM)에 중첩하며, 개구부(ILD-OP)를 따라 함몰되어 소정의 함몰부(TW2B-R)를 정의할 수 있다. 도 12c에 도시된 단층 구조는 도 10c에 도시된 단층 구조와 대응될 수 있다.

도 13a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 영역을 도시한 평면도이다. 도 13b는 도 13a의 Ⅴ-Ⅴ’를 따라 자른 단면도이다. 도 13c는 도 13a의 Ⅵ-Ⅵ’를 따라 자른 단면도이다.

도 13a에는 용이한 설명을 위해 도 10a와 대응되는 영역을 도시하였다. 도 13a 내지 도 13c에 도시된 전자 장치는 도 10a에 도시된 전자 장치의 개구부(ILD-OP: 도 10a 참조)와 상이한 형상을 가진 절연막(ILD-3)을 포함한다.

이하, 도 13a 내지 도 13c를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 12c에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 13a에 도시된 것과 같이, 층간 절연막(ILD-3)에는 하나의 제2 구동 배선(TW2-3)에 대하여 복수의 개구부들(ILD-OP3)이 정의될 수 있다. 개구부들(ILD-OP3)은 제2 구동 배선(TW2-3)과 댐 부재(DM)가 중첩되는 영역에 부분적으로 각각 중첩한다.

도 13b에 도시된 것과 같이, 제2 구동 배선(TW2-3) 중 댐 부재(DM)와 중첩하고 개구부들(ILD-OP3)과 비 중첩하는 영역에서 제1 보조 배선(TW2A-3)과 제2 배선(TW2B-3)은 층간 절연막(ILD-3)을 사이에 두고 서로 이격될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 배선(TW2A-3)과 제2 배선(TW2B-3)은 댐 부재(DM)와 중첩하더라도 부분적으로 비 접촉할 수 있다.

도 13c에 도시된 것과 같이, 제2 방향(DR2)을 따라 층간 절연막(ILD-3)에 복수의 개구부들(ILD-OP3)이 정의됨에 따라, 제2 배선(TW2B-3)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격된 복수의 함몰부들(TW2B-R)을 포함할 수 있다. 복수의 함몰부들(TW2B-R)은 댐 부재(DM)의 경계 영역에 정의된다.

댐 부재(DM)의 경계 영역은 상대적으로 평평한 면으로부터 돌출 정도가 급격하게 증가하는 영역일 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 상대적으로 돌출 정도가 큰 영역에 대해 선택적으로 함몰부를 형성하여 제2 배선(TW2B-3)의 돌출 정도를 영역에 따라 효과적으로 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 돌출된 면상에서도 안정적으로 형성된 구동 배선(TW2-3)을 포함할 수 있다.

도 14a 내지 도 14c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치를 구성하는 층들을 도시한 평면도이다. 도 15a는 도 14a 내지 도 14c에 도시된 BB 영역의 단면도이다. 도 15b는 도 14a 내지 도 14c에 도시된 CC 영역의 단면도이다.

14a 내지 도 14c에는 터치 어레이를 구성하는 제1 감지층(TL1-1), 층간 절연막(ILD-4), 및 제2 감지층(TL2-1)을 각각 도시하였다. 도 15a는 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면을 기준으로 도시하였고, 도 15b는 제1 방향(DR1) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면을 기준으로 도시하였다. 이하, 도 14a 내지 도 15b를 참조하여 본 발명에 대해 살펴본다.

도 14a에 도시된 것과 같이, 제1 감지층(TL1-1)은 복수의 브릿지 패턴들(BP), 복수의 제1 배선(TW1A-1), 복수의 제1 보조 배선(TW2A-1), 및 복수의 터치 패드들(PD)을 포함할 수 있다. 브릿지 패턴들(BP) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장된 형상을 가질 수 있다.

브릿지 패턴들(BP)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배열된다. 브릿지 패턴들(BP)은 후술할 제1 센싱 패턴들 사이에 배치되고, 양단들이 인접한 두 제1 센싱 패턴들에 각각 중첩하도록 배치될 수 있다.

제1 배선들(TW1A-1) 및 제1 보조 배선들(TW2A-1)은 서로 이격되어 배열될 수 있다. 제1 배선(TW1A-1) 및 제1 보조 배선들(TW2A-1)은 주변 영역에 배치된다. 제1 배선(TW1A-1) 및 제1 보조 배선들(TW2A-1)은 도 9a에 도시된 제1 배선들(TW1A) 및 제1 보조 배선(TW2A)에 각각 대응될 수 있다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 제1 댐 부재(DM-a) 및 제2 댐 부재(DM-b)를 포함할 수 있다. 이에 따라, 제1 배선들(TW1A-1) 및 제1 보조 배선들(TW2A-1)은 각각 부분적으로 제1 및 제2 댐 부재들(DM-a, DM-b) 각각에 중첩할 수 있다. 본 실시예에서, 제1 감지층(TL1-1) 하측에 배치되는 제1 및 제2 댐 부재들(DM-a, DM-b)은 각각 점선 처리하여 도시하였다.

터치 패드들(PD)은 제1 배선들(TW1A-1) 및 제1 보조 배선들(TW2A-1)에 각각 연결될 수 있다. 터치 패드들(PD)은 도 9a에 도시된 패드들(PD)에 각각 대응될 수 있다.

도 14b에 도시된 것과 같이, 층간 절연막(ILD-4)은 제1 감지층(TL1-1) 상에 배치된다. 층간 절연막(ILD-4)에는 제1 개구부(ILD-OPa), 제2 개구부(ILD-OPb), 제1 패드 개구부(ILD-PA1), 제2 패드 개구부(ILD-PA2), 및 복수의 컨택홀들(CH)이 정의될 수 있다.

도 14b, 도 15a, 및 도 15b를 함께 참조하면, 제1 개구부(ILD-OPa), 제2 개구부(ILD-OPb), 제1 패드 개구부(ILD-PA1), 제2 패드 개구부(ILD-PA2), 및 복수의 컨택홀들(CH)은 제1 감지층(TL1-1)의 부분들을 노출시킨다.

제1 개구부(ILD-OPa) 및 제2 개구부(ILD-OPb)는 각각 제1 감지층(TL1-1) 중 제1 댐 부재(DM-a) 및 제2 댐 부재(DM-b)에 대응되는 부분들을 노출시킬 수 있다. 제1 개구부(ILD-OPa) 및 제2 개구부(ILD-OPb)는 제1 댐 부재(DM-a) 및 제2 댐 부재(DM-b)와 평면상에서 각각 중첩한다. 본 실시예에서, 제1 개구부(ILD-OPa) 및 제2 개구부(ILD-OPb)는 제1 댐 부재(DM-a) 및 제2 댐 부재(DM-b)와 전면적으로 중첩할 수 있다.

제1 패드 개구부(ILD-PA1) 및 제2 패드 개구부(ILD-PA2)는 각각 제1 감지층(TL1-1) 중 제1 패드 영역(PA1) 및 제2 패드 영역(PA2)에 대응되는 부분들을 노출시킬 수 있다. 제1 패드 개구부(ILD-PA1) 및 제2 패드 개구부(ILD-PA2)는 각각 도 9b에 도시된 제1 패드 개구부(ILD-PA1) 및 제2 패드 개구부(ILD-PA2)에 대응될 수 있다.

복수의 컨택홀들(CH)은 터치가 감지되는 영역에 서로 이격되어 배열될 수 있다. 복수의 컨택홀들(CH)은 브릿지 패턴들(BP)에 대응되도도록 형성된다. 본 실시예에서, 복수의 컨택홀들(CH) 각각은 브릿지 패턴들(BP) 각각의 양단들에 중첩하도록 정의될 수 있다.

도 14c에 도시된 것과 같이, 제2 감지층(TL2-1)은 층간 절연막(ILD-4) 상에 배치된다. 제2 감지층(TL2-1)은 복수의 제1 센싱 패턴들(SP1), 복수의 제2 센싱 패턴들(SP2), 복수의 제2 배선들(TW2B-1), 및 복수의 제2 보조 배선들(TW1B-1)을 포함한다.

제1 센싱 패턴들(SP1)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)으로 서로 이격되어 배열된다. 제1 센싱 패턴들(SP1)은 제2 감지층(TL2-1) 중 인접하는 센싱 패턴들로부터 전기적으로 절연되도록 배치된다.

도 15b에 도시된 것과 같이, 제1 센싱 패턴들(SP1)은 브릿지 패턴들(BP) 및 컨택홀들(CH)에 각각 부분적으로 중첩하도록 배치된다. 제1 센싱 패턴들(SP1) 각각은 컨택홀들(CH) 중 대응되는 컨택홀을 통해 브릿지 패턴들(BP) 중 대응되는 브릿지 패턴에 연결되고, 인접하는 다른 제1 센싱 패턴에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에 따라, 1 센싱 패턴들(SP1)은 서로 이격되어 배열되더라도, 다른 층상에 배치된 브릿지 패턴들(BP)을 통해 서로 전기적으로 연결될 수 있다.

다시 도 14c를 참조하면, 제2 센싱 패턴들(SP2) 제1 센싱 패턴들(SP1)로부터 이격되어 배열된다. 제2 센싱 패턴들(SP2)은 인접하는 제2 센싱 패턴들(SP2)과 소정의 브릿지들을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 센싱 패턴들(SP2)은 제1 센싱 패턴들(SP1)과 전기적으로 절연될 수 있다.

제2 배선들(TW2B-1)은 제2 센싱 패턴들(SP2) 중 제2 배선들(TW2B-1)에 인접하여 배치된 제2 센싱 패턴들(SP2)에 각각 연결될 수 있다. 제2 배선들(TW2B-1)은 제1 감지층(TL1-1)의 제1 보조 배선(TW2A-1)과 동일한 형상을 가질 수 있다.

이에 따라, 제2 배선들(TW2B-1)은 제1 보조 배선(TW2A-1)과 평면상에서 전면적으로 중첩할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 배선들(TW2B-1)은 제1 보조 배선(TW2A-1)과 부분적으로만 중첩하도록 배치될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

제2 보조 배선들(TW1B-1)은 제1 센싱 패턴들(SP1) 중 제2 보조 배선들(TW1B-1)에 인접하여 배치된 제1 센싱 패턴들(SP1)에 각각 연결될 수 있다. 제2 보조 배선들(TW1B-1)은 제1 감지층(TL1-1)의 제1 배선(TW1A-1)과 동일한 형상을 가질 수 있다.

이에 따라, 제2 보조 배선들(TW1B-1)은 제1 배선(TW1A-1)과 평면상에서 전면적으로 중첩할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 보조 배선들(TW1B-1)은 제1 보조 배선(TW2A-1)과 부분적으로만 중첩하도록 배치될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

한편, 제2 배선들(TW2B-1)과 제2 보조 배선들(TW1B-1)은 제1 댐 부재(DM-a) 및 제2 댐 부재(DM-b)와 평면상에서 중첩할 수 있다. 또한, 제2 배선들(TW2B-1)과 제2 보조 배선들(TW1B-1)은 제1 개구부(ILD-OPa) 및 제2 개구부(ILD-OPb)와 평면상에서 중첩할 수 있다.

제2 배선들(TW2B-1)은 제1 댐 부재(DM-a) 상에서 제1 개구부(ILD-OPa)를 통해 제1 보조 배선(TW2A-1)과 접속될 수 있다. 이에 따라, 제2 배선들(TW2B-1)에 연결된 제2 센싱 패턴들(SP2)은 터치 패드들(PD)과 전기적으로 연결될 수 있다.

제2 보조 배선들(TW1B-1)은 제2 댐 부재(DM-b) 상에서 제2 개구부(ILD-OPb)를 통해 제1 배선(TW1A-1)에 각각 접속될 수 있다. 이에 따라, 제2 보조 배선들(TW1B-1)에 연결된 제1 센싱 패턴들(SP1)은 터치 패드들(PD)과 전기적으로 연결될 수 있다.

도 15a를 참조하면, 제1 댐 부재(DM-a)와 제2 댐 부재(DM-b)는 제2 방향(DR2)을 따라 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 댐 부재(DM-a)는 도 8의 댐 부재(DM)와 대응될 수 있다.

제2 댐 부재(DM-b)는 제1 서브 댐 부재(DM-b1) 및 제2 서브 댐 부재(DM-b2)를 포함할 수 있다. 제1 서브 댐 부재(DM-b1) 및 제2 서브 댐 부재(DM-b2)는 제3 방향(DR3)을 따라 적층될 수 있다.

제1 서브 댐 부재(DM-b1) 및 제2 서브 댐 부재(DM-b2)는 서로 동일하거나 상이한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 서브 댐 부재(DM-b1) 및 제2 서브 댐 부재(DM-b2)는 각각 유기물을 포함할 수 있다. 또는, 제1 서브 댐 부재(DM-b1)는 유기물을 포함하고, 제2 서브 댐 부재(DM-b2)는 무기물을 포함할 수 있다. 또는, 제1 서브 댐 부재(DM-b1)는 무기물을 포함하고, 제2 서브 댐 부재(DM-b2)는 유기물을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 댐 부재(DM-b)는 다양한 물질들로 구성되고, 복수의 댐 부재들이 적층된 구조를 가질 수 있다.

한편, 제1 댐 부재(DM-a) 및 제2 댐 부재(DM-b)는 서로 상이한 높이를 가질 수 있다. 본 실시예에서, 제2 댐 부재(DM-b)는 제1 댐 부재(DM-a)보다 긴 높이를 가진다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 복수의 댐 부재들(DM-a, DM-b)을 포함하더라도, 이에 대응되는 개구부들(ILD-OPa, OLD-OPb)이 정의된 층간 절연막(ILD)을 포함함으로써, 제2 배선(TW2B-1)에 개구부들(ILD-OPa, OLD-OPb) 각각에 대응되는 오목부들(TW2B-R1)을 정의할 수 있다. 이에 따라, 제2 배선(TW2B-1)의 굴곡 정도를 완화시키고, 제2 배선(TW2B-1)의 굴곡에 따른 단선 불량 등의 문제가 용이하게 해소될 수 있다.

도 16a 및 도 16b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부를 도시한 평면도들이다. 도 16a 및 도 16b에는 다양한 형상을 가진 댐 부재들(DM-1, DM1, DM2)을 도시하였으며, 용이한 설명을 위해 터치 어레이를 함께 도시하였다.

이하, 도 16a 및 도 16b를 참조하여 본 발명에 대해 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 15b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략한다.

도 16a에 도시된 것과 같이, 댐 부재(DM-1)는 프레임 형상을 가질 수 있다. 댐 부재(DM-1)는 제1 센싱 패턴(SP1) 및 제2 센싱 패턴(SP2)이 배열된 영역을 에워쌀 수 있다. 본 실시예에서, 제1 센싱 패턴(SP1)은 도 9a에 도시된 제1 센싱 패턴(SP1A: 도 9a 참조)에 대응될 수 있고, 제2 센싱 패턴(SP2)은 도 9c에 도시된 제2 센싱 패턴(SP2B: 도 9c 참조)에 대응될 수 있다.

또는, 도 16b에 도시된 것과 같이, 전자 장치는 복수의 댐 부재들(DM1, DM2)을 포함할 수 있다. 댐 부재들(DM1, DM2) 각각은 프레임 형상을 가질 수 있다.

댐 부재들(DM1, DM2)은 제1 댐 부재(DM1) 및 제2 댐 부재(DM2)를 포함한다. 제1 댐 부재(DM1)는 제1 및 제2 센싱 패턴들(SP1, SP2)을 에워싸고, 제2 댐 부재(DM2)는 제1 댐 부재(DM1)를 에워쌀 수 있다.

이때, 제1 구동 배선(TW1) 및 제2 구동 배선(TW2) 각각은 제1 댐 부재(DM1) 및 제2 댐 부재(DM2)에 각각 중첩할 수 있다. 이에 따라, 제1 구동 배선(TW1) 및 제2 구동 배선(TW2) 각각을 구성하고 서로 다른 층상에 배치된 더미 배선들과 배선들은 각각 복수의 영역에서 서로 접속될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 형상의 댐 부재를 포함할 수 있다. 도 1에 도시된 돌출 패턴(PP: 도 1 참조)이 댐 부재와 대응되는 경우, 층간 절연막의개구부는 댐 부재와 대응되는 형상으로 정의되거나, 제1 구동 배선(TW1) 및 제2 구동 배선(TW2) 중 댐 부재와 중첩하는 영역에 부분적으로 정의될 수도 있다. 층간 절연막의개구부는 상술한 바와 같이, 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.

도 17a 내지 도 17g는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 제조 방법을 도시한 단면도들이다. 도 17a 내지 도 17g에는 용이한 설명을 위해 도 10c와 대응되는 영역을 도시하였다.

이하, 도 17a 내지 도 17g를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 제조방법을 설명한다. 한편, 도 1 내지 도 16b에서 설명한 구성과 동일한 구성에 대해서는 동일한 참조부호를 부여하고 중복된 설명은 생략하기로 한다.

도 17a에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(BS) 상에 댐 부재(DM)를 형성한다. 댐 부재(DM)는 제3 방향(DR3)을 향해 돌출된다. 댐 부재(DM)는 인접한 베이스 기판(BS)의 상면으로부터 돌출되어 상측에 비 평탄면을 제공한다. 댐 부재(DM)는 도 1 및 도 7b의 돌출 패턴(PP)에 대응될 수 있다.

한편, 댐 부재(DM)는 절연물질을 패터닝하여 형성될 수 있다. 댐 부재(DM)는 유기물질 층을 베이스 기판(BS) 상에 도포한 후 패터닝하여 형성되거나, 유기 패턴 및 무기 패턴이 복수로 적층되어 형성될 수도 있다.

도 17b에 도시된 것과 같이, 베이스 기판(BS) 상에 제1 보조 배선(TW2A)을 형성한다. 제1 보조 배선(TW2A)은 도 7b의 제1 도전 패턴(CP1)에 대응될 수 있다.

도시되지 않았으나, 제1 보조 배선(TW2A)은 베이스 기판(BS) 및 댐 부재(DM)를 커버하는 도전물질 층을 형성한 후 패터닝하여 형성될 수 있다. 제2 방향(DR2) 및 제3 방향(DR3)에 의해 정의되는 단면상에서 제1 보조 배선(TW2A)은 하나의 층처럼 도시되었으나, 도 10a에 도시된 것과 같이, 제1 보조 배선(TW2A)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 라인 형상의 패턴일 수 있다.

제1 보조 배선(TW2A)은 댐 부재(DM)에 비해 상대적으로 낮은 두께로 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1 보조 배선(TW2A)의 상면은 댐 부재(DM)의 형상과 대응되도록 볼록한 곡면을 형성할 수 있다.

도 17c 및 도 17d에 도시된 것과 같이, 제1 보조 배선(TW2A) 상에 초기 절연막(ILD-P)을 형성하고, 이를 패터닝하여 층간 절연막(ILD)을 형성한다. 층간 절연막(ILD)은 도 7b의 절연막(IL-1)에 대응될 수 있다.

초기 절연막(ILD-P)은 댐 부재(DM)에 비해 상대적으로 낮은 두께로 형성될 수 있다. 이에 따라, 초기 절연막(ILD-P)의 상면은 댐 부재(DM)의 형상과 대응되도록 볼록한 곡면을 형성할 수 있다.

이후, 초기 절연막(ILD-P) 중 댐 부재(DM)와 중첩하는 영역을 제거하여 소정의 개구부(ILD-OP)를 형성한다. 제1 보조 배선(TW2A)의 볼록한 곡면은 개구부(ILD-OP)를 통해 층간 절연막(ILD)으로부터 노출된다.

이후, 도 17e에 도시된 것과 같이, 층간 절연막(ILD) 상에 초기 도전층(TW2B-P)을 형성한다. 초기 도전층(TW2B-P)은 도전 물질을 층간 절연막(ILD) 상에 증착하거나 코팅하여 형성될 수 있다.

초기 도전층(TW2B-P)은 댐 부재(DM)에 비해 상대적으로 낮은 두께로 형성될 수 있다. 이에 따라, 초기 도전층(TW2B-P)은 초기 도전층(TW2B-P)이 제공되는 면의 형상이 반영된 상면을 형성할 수 있다.

예를 들어, 초기 도전층(TW2B-P)은 댐 부재(DM)의 형상과 대응되는 볼록한 상면을 제공할 수 있다. 또한, 초기 도전층(TW2B-P)의 상면에는 개구부(ILD-OP)의 경계를 따라 함몰되어 정의되는 함몰부(TW2B-R)가 형성될 수 있다.

이후, 도 17f 및 도 17g에 도시된 것과 같이, 초기 도전층(TW2B-P)을 패터닝하여 제2 배선(TW2B)을 형성한다. 제2 배선(TW2B)은 도 1a의 도전 패턴(CP) 또는 도 7b의 제2 도전 패턴(CP2)에 대응될 수 있다.

초기 도전층(TW2B-P) 상에 감광막(PRL)이 형성될 수 있다. 감광막(PRL)은 초기 도전층TW2B-P) 중 일부를 커버하고 일부를 노출시킨다. 감광막(PRL)의 형상은 제2 배선(TW2B)의 형상을 결정한다.

이후, 식각 공정을 통해 감광막(PRL)에 의해 노출된 초기 도전층(TW2-P)의 일부를 제거하여 제2 배선(TW2B)을 형성한다. 도 17f 및 도 17g에는 감광막(PRL) 및 제2 배선(TW2B)이 초기 도전층(TW2B-P)과 동일한 형상으로 도시되었으나, 도 10a에 도시된 것과 같이, 제2 배선(TW2B) 및 감광막(PRL)은 제2 방향(DR2)을 따라 연장된 라인 형상의 패턴일 수 있다.

한편, 감광막(PRL)은 초기 도전층(TW2B-P)에 비해 상대적으로 큰 두께를 가진다. 이때, 함몰부(TW2B-R)에서의 감광막(PRL)의 두께(TH2)는 가상면(VL)에서의 감광막(PRL)의 두께(TH1)보다 클 수 있다.

가상면(VL)은 초기 도전층(TW2B-P)의 상면 중 함몰부(TW2B-R)와 인접한 면의 연장된 가상의 면으로, 개구부(ILD-OP)가 정의되지 않은 경우의 초기 도전층(TW2-P)의 상면과 대응될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 개구부(ILD-OP)를 형성함으로써, 초기 도전층(TW2B-P)에 함몰부(TW2B-R)를 형성하여 감광막(PRL)의 소정의 두께를 확보할 수 있다.

감광막(PRL)은 식각 공정에서 식각액이나 식각 가스로부터 하부 구성을 보호하는 마스크 역할을 한다. 이에 따라, 감광막(PRL)의 두께가 낮을수록 식각 공정에서 하부 구성이 손상되기 쉽고, 패터닝의 신뢰성이 낮아질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 제조 방법은 층간 절연막(ILD)에 개구부(ILD-OP)를 형성하는 공정을 더 포함함으로써, 돌출 영역에서의 감광막(PRL)의 두께를 소정 두께 이상으로 확보할 수 있다. 이에 따라, 패터닝 과정에서 감광막(PRL)은 제2 배선(TW2B)을 보호하고, 이에 따라, 제2 배선(TW2B)의 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 제조 방법은 비 평탄면 상에 도전 패턴 형성 시, 별도의 평탄화막을 형성하지 않더라도 안정적으로 도전 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명에 따르면, 도전 패턴이 돌출면 상에 형성되더라도 돌출 형상에 따른 도전 패턴의 단선 불량 등의 문제가 해소될 수 있다. 이에 따라, 공정이 단순화되고 공정 시간이 단축되어 제조 비용이 절감될 수 있다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

EA: 전자 장치 SB: 기판
PP: 돌출 패턴 IL: 절연막
IL-OP: 개구부 CP: 도전 패턴
CP-R: 오목부

Claims (19)

1. 베이스 기판;
   상기 베이스 기판 위에 배치된 제1 돌출 패턴;
   상기 베이스 기판 위에 배치되며 상기 제1 돌출 패턴과 이격된 제2 돌출 패턴;
   상기 베이스 기판 위에 배치되며 상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴과 이격되어 배치된 센싱 패턴;
   상기 베이스 기판과 상기 센싱 패턴 사이에 배치되고 상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴과 이격되어 상기 센싱 패턴과 평면상에서 중첩하는 복수의 화소들;
   상기 센싱 패턴과 전기적으로 연결되며, 일부분들이 상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴과 각각 중첩하는 제1 도전 패턴; 및
   상기 제1 도전 패턴을 커버하며, 상기 제1 돌출 패턴의 적어도 일부와 중첩하는 개구부가 정의된 절연층; 및
   상기 절연층 위에 배치되며, 상기 개구부를 통해 상기 제1 도전 패턴에 접속된 제2 도전 패턴을 포함하고, 상기 제1 도전 패턴의 상기 일부분들은 상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴의 형상들을 따라 굴곡진 전자 장치.
2. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 돌출 패턴을 구성하는 층의 수는 상기 제2 돌출 패턴을 구성하는 층의 수와 상이한 전자 장치.
3. 제2 항에 있어서,
   상기 제1 돌출 패턴을 구성하는 층의 수는 상기 제2 돌출 패턴을 구성하는 층의 수보다 작은 전자 장치.
4. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 돌출 패턴을 구성하는 층의 수는 상기 제2 돌출 패턴을 구성하는 층의 수와 동일한 전자 장치.
5. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 돌출 패턴의 높이는 상기 제2 돌출 패턴의 높이보다 낮은 전자 장치.
6. 제1 항에 있어서,
   상기 절연층에는 상기 제2 돌출 패턴의 적어도 일부와 중첩하는 추가 개구부가 더 정의되고, 상기 제2 도전 패턴은 상기 추가 개구부를 통해 상기 제1 도전 패턴에 접속된 전자 장치.
7. 제1 항에 있어서,
   상기 개구부는 제1 개구 및 제2 개구를 포함하고, 상기 제1 개구 및 상기 제2 개구 각각의 일부분은 상기 제1 돌출 패턴과 중첩하는 전자 장치.
8. 제1 항에 있어서,
   상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴 각각은 제1 방향을 따라 연장되고, 상기 제1 도전 패턴 및 상기 제2 도전 패턴 각각은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 연장된 전자 장치.
9. 제8 항에 있어서,
   상기 제1 돌출 패턴의 상기 제2 방향의 폭은 상기 개구부의 상기 제2 방향의 폭보다 큰 전자 장치.
10. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 돌출 패턴의 상기 제2 방향의 폭은 상기 개구부의 상기 제2 방향의 폭보다 작은 전자 장치.
11. 제8 항에 있어서,
    상기 개구부의 상기 제1 방향의 폭은 상기 제1 도전 패턴의 상기 제1 방향의 폭보다 작은 전자 장치.
12. 제8 항에 있어서,
    상기 개구부의 상기 제1 방향의 폭은 상기 제1 도전 패턴의 상기 제1 방향의 폭보다 큰 전자 장치.
13. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴은 상기 개구부의 형상 및 상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴의 형상들을 따라 굴곡진 전자 장치.
14. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 도전 패턴은 상기 개구부의 형상에 대응하여 함몰된 오목부를 포함하는 전자 장치.
15. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴은 상기 제1 돌출 패턴의 형상을 따라 상측으로 돌출되어 상측으로 볼록한 상면을 포함하는 전자 장치.
16. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 위에 배치된 제1 돌출 패턴;
    상기 베이스 기판 위에 배치되며 상기 제1 돌출 패턴과 이격된 제2 돌출 패턴;
    상기 베이스 기판 위에 배치되며 상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴과 이격되어 배치된 센싱 패턴;
    상기 센싱 패턴과 전기적으로 연결되며, 일부분들이 상기 제1 돌출 패턴 및 상기 제2 돌출 패턴과 각각 중첩하는 제1 도전 패턴; 및
    상기 제1 돌출 패턴과 중첩하는 영역에서 상기 제1 도전 패턴과 접촉되는 제2 도전 패턴을 포함하고,
    상기 제1 돌출 패턴을 구성하는 층의 수는 상기 제2 돌출 패턴을 구성하는 층의 수보다 작은 전자 장치.
17. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 돌출 패턴의 높이는 상기 제2 돌출 패턴의 높이보다 낮은 전자 장치.
18. 제16 항에 있어서,
    상기 제1 도전 패턴을 커버하며, 상기 제1 돌출 패턴의 적어도 일부와 중첩하는 개구부가 정의된 절연층을 더 포함하고, 상기 제2 도전 패턴은 상기 개구부를 통해 상기 제1 도전 패턴에 접속되는 전자 장치.
19. 제18 항에 있어서,
    상기 절연층에는 상기 제2 돌출 패턴의 적어도 일부와 중첩하는 추가 개구부가 더 정의되고, 상기 제2 도전 패턴은 상기 추가 개구부를 통해 상기 제1 도전 패턴에 접속된 전자 장치.

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