TW201805478A - 流路構造及處理裝置 - Google Patents

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寺田貴洋
東真也
田中正幸
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Abstract

本發明之一實施形態之流路構造具備構件。上述構件具有外表面，且設置有於上述外表面開口之複數個第1通路。於自上述複數個第1通路排出流體時，將上述流體自上述複數個第1通路之各者朝與自其他的上述複數個第1通路中之至少一者排出之上述流體觸碰之方向排出。

Description

流路構造及處理裝置
本發明之實施形態係關於一種流路構造及處理裝置。
已知一種自複數個孔排出流體之裝置。例如，於如CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)裝置般之使用氣體之處理裝置中，簇射板自複數個孔排出氣體。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2012-54266號公報
[發明所欲解決之問題] 流體之行進方向係以排出該流體之孔所朝之方向為中心而分佈。因此，排出流體之空間中之流體之分佈有時會產生偏倚。 [解決問題之技術手段] 一實施形態之流路構造具備構件。上述構件具有外表面，且設置有於上述外表面開口之複數個第1通路。於自上述複數個第1通路排出流體時，將上述流體自上述複數個第1通路之各者朝與自其他的上述複數個第1通路中之至少一者排出之上述流體觸碰之方向排出。
以下，參照圖1至圖8對第1實施形態進行說明。再者，於本說明書中，基本上將鉛直上方定義為上方向，將鉛直下方定義為下方向。又，於本說明書中，有對實施形態之構成要素及該要素之說明記載複數種表達之情況。附加有複數種表達之構成要素及說明亦可附加未記載之其他表達。進而，未被附加複數種表達之構成要素及說明亦可附加未記載之其他表達。 圖1係概略性地表示第1實施形態之半導體製造裝置10之剖視圖。半導體製造裝置10為處理裝置之一例，例如亦可稱為製造裝置、進氣排氣裝置、供給裝置、及裝置。再者，處理裝置並不限於半導體製造裝置10，亦可為對成為對象之物體進行例如加工、清洗、及試驗之類之處理的其他裝置。 如各圖式所示，於本說明書中，定義X軸、Y軸及Z軸。X軸、Y軸、及Z軸相互正交。X軸沿著半導體製造裝置10之寬度。Y軸沿著半導體製造裝置10之深度(長度)。Z軸沿著半導體製造裝置10之高度。 圖1所示之第1實施形態之半導體製造裝置10例如為化學蒸鍍(CVD)裝置。半導體製造裝置10亦可為其他裝置。如圖1所示，半導體製造裝置10具有製造部11、壓力計12、及泵13。泵13為流體供給部之一例，例如亦可稱為供給部、排出部、或輸送部。於製造部11設置有腔室21。半導體製造裝置10例如於腔室21中製造半導體晶圓(以下稱為晶圓)W。 製造部11具有上壁23、周壁24、載台25、擴散板26、及簇射板27。載台25例如亦可稱為配置部、處理部、載置部、或台。擴散板26例如亦可稱為供給部、排出部、或部分。簇射板27為流路構造及構件之一例，例如亦可稱為進氣排氣構件、噴出部、排出部、抽吸部、或零件。 上壁23具有第1內表面23a。第1內表面23a係朝向沿著Z軸之負方向(下方向)之大致平坦之面。第1內表面23a形成腔室21之一部分。即，第1內表面23a朝向腔室21之內部。 於上壁23設置有供給口31。供給口31例如藉由管而連接於泵13。泵13自供給口31將氣體G供給至腔室21。氣體G為流體之一例。流體並不限於氣體，例如亦可為液體。圖1中以箭頭表示氣體G之流動。 周壁24具有第2內表面24a。第2內表面24a係朝向與Z軸正交之方向(大致水平方向)之面。第2內表面24a形成腔室21之一部分。即，第2內表面24a朝向腔室21之內部。 於周壁24設置有複數個排氣口32。排氣口32經由壓力計12而連接於泵13。泵13可自排氣口32對腔室21之氣體G進行抽吸。換言之，腔室21之氣體G係自排氣口32排出。 載台25具有支持部25a。支持部25a為物體支持部之一例，例如亦可稱為配置部、處理部、載置部、或台。支持部25a配置於腔室21之內部。支持部25a朝向上壁23之第1內表面23a，並支持晶圓W。載台25具有加熱器，可對支持於支持部25a之晶圓W進行加熱。 擴散板26配置於腔室21之內部，且安裝於上壁23。擴散板26具有第1面26a與第2面26b。第1面26a與上壁23之第1內表面23a對向。第2面26b位於第1面26a之相反側。 於擴散板26與上壁23之間形成擴散室35。擴散室35係由擴散板26與上壁23包圍之空間。上壁23之供給口31於擴散室35開口。因此，氣體G自供給口31被供給至擴散室35。 於擴散板26設置有複數個孔37。孔37係連接第1面26a與第2面26b之間之孔。即，孔37將擴散室35之內部與外部之間連接。 簇射板27配置於腔室21之內部，且安裝於上壁23。簇射板27覆蓋擴散板26。換言之，於簇射板27與上壁23之間配置有擴散板26。 簇射板27具有第3面27a與第4面27b。第3面27a為面之一例。第4面27b為外表面之一例。第3面27a及第4面27b亦可分別稱為例如表面。 第3面27a係朝向沿著Z軸之正方向(Z軸之箭頭所朝之方向、上方向)之大致平坦之面。第3面27a可為曲面狀，亦可設置有凹凸。第3面27a與擴散板26之第2面26b對向。第3面27a隔著間隔而面向於第2面26b開口之複數個孔37。 第4面27b位於第3面27a之相反側。第4面27b係朝向沿著Z軸之負方向之大致平坦之面。第4面27b可為曲面狀，亦可設置有凹凸。 於擴散板26與簇射板27之間形成供給室39。供給室39係由擴散板26與簇射板27包圍之空間。擴散板26之複數個孔37於供給室39開口。因此，擴散室35之氣體G係通過擴散板26之複數個孔37而供給至供給室39。第3面27a面向供給室39。 第4面27b自支持於載台25之支持部25a之晶圓W於沿著Z軸之正方向上隔著空間S而隔開。第4面27b隔著空間S而面向支持於載台25之支持部25之晶圓W。如此，簇射板27與晶圓W於沿著Z軸之方向上隔著空間S而排列。 圖2係概略性地表示第1實施形態之簇射板27之第4面27b之俯視圖。如圖2所示，於簇射板27設置有複數個通路50。複數個通路50分別貫通簇射板27，且於第3面27a及第4面27b開口。 於以下之說明中，複數個通路50有時個別地稱為通路50A、50B、50C。再者，與通路50A、50B、50C共通之說明作為對通路50之說明而記載。 圖2中，為了說明，而誇大地描繪通路50相對於簇射板27之大小。即，通路50相對於簇射板27而較圖2所示之通路50小。因此，設置於簇射板27之複數個通路50之數量較圖2所示之複數個通路50之數量多。 圖3係表示第1實施形態之通路50A之簇射板27之俯視圖。圖4係表示第1實施形態之通路50A之簇射板27之剖視圖。圖5係表示第1實施形態之通路50B之簇射板27之俯視圖。圖6係表示第1實施形態之通路50B之簇射板27之剖視圖。圖7係表示第1實施形態之通路50C之簇射板27之俯視圖。圖8係表示第1實施形態之通路50C之簇射板27之剖視圖。 例如如圖4、圖6、及圖8所示，複數個通路50分別具有至少一個第1開口51、及第2開口52。第1開口51係設置於第4面27b之通路50之端部。第2開口52係設置於第3面27a之通路50之端部。即，通路50連接第1開口51與第2開口52。 進而，複數個通路50分別包含至少一個第1通路55、及第2通路56。換言之，於簇射板27，設置有複數個第1通路55與複數個第2通路56。 第1通路55為通路50之一部分，且為於簇射板27之第4面27b開口之部分。第1通路55包含通路50之第1開口51。換言之，第1通路55係自第1開口51延伸之部分。根據另一表達，第1開口51係第1通路55之於第4面27b開口之部分。根據又一表達，第1開口51係第1通路55之形成於第4面27b之開口。 第2通路56為通路50之一部分，且為於簇射板27之第3面27a開口之部分。第2通路56包含通路50之第2開口52。換言之，第2通路56係自第2開口52延伸之部分。根據另一表達，第2開口52係第2通路56之於第3面27a開口之部分。第2通路56分別連接於至少一個第1通路55。 如圖3所示，通路50A之第1開口51形成為圓環狀。如圖4所示，通路50A之第1通路55形成為於沿著Z軸之方向上延伸、且內徑隨著向第1開口51靠近而擴大之圓筒狀。換言之，通路50A之第1通路55之截面面積隨著向第1開口51靠近而縮小。 於本實施形態中，通路50之第1通路55之截面面積為與該第1通路55延伸之方向正交之平面上之截面面積。例如，通路50A之第1通路55之截面面積為X-Y平面上之截面面積。 圖4表示X-Z平面上之簇射板27之剖面。如圖4般於沿著Y軸之方向上俯視之情形時之第1通路55延伸之方向例如如下所示。再者，沿著Y軸之方向為簇射板27之第4面27b所朝之方向，且與簇射板27和晶圓W排列之方向即沿著Z軸之方向正交。 首先，於沿著Z軸之方向上之一位置，獲得沿著X軸之方向上之第1通路55之兩端之中間點。於沿著Z軸之方向上之複數個位置獲得該中間點，藉由連結複數個中間點而獲得第1通路55之中心軸。第1通路55之中心軸延伸之方向為本實施形態之第1通路55延伸之方向。 如上述般求出之通路50A之第1通路55延伸之方向與Z軸傾斜地交叉。通路50A之第1通路55延伸之方向係隨著遠離第4面27b而於X-Y平面(大致水平方向)上向與該通路50A相鄰之其他通路50靠近之方向。 通路50A之第2開口52形成為圓環狀。通路50A之第2通路56形成為於沿著Z軸之方向上延伸之圓筒狀。通路50A之第2通路56之截面面積大致固定。 於本實施形態中，通路50之第2通路56之截面面積係與該第2通路56延伸之方向正交之平面上之截面面積。例如，通路50A之第2通路56之截面面積係X-Y平面上之截面面積。 第2通路56之截面面積大於第1通路55之最小截面面積。例如，第2開口52處之第2通路56之截面面積大於第1開口51處之第1通路55之截面面積。換言之，第2開口52之截面面積大於第1開口51之截面面積。 通路50A係由設置於簇射板27之內周面61、及內柱62所形成。內周面61為於沿著Z軸之方向上延伸之圓筒狀之面，其規定第1通路55之外徑，且規定第2通路56之外徑。內柱62於自內周面61隔開之位置由內周面61包圍，其規定第1通路55之內徑，且規定第2通路56之內徑。 內柱62為簇射板27之一部分，且與簇射板27之其他部分一體地成形。再者，內柱62亦可為與簇射板27之其他部分分別成形之零件。內柱62具有錐部62a、及柱部62b。 錐部62a形成為隨著向第1開口51靠近而直徑擴大之圓錐狀，其規定第1通路55之內徑。錐部62a之底面形成簇射板27之第4面27b之一部分。第1通路55形成於錐部62a與內周面61之間。柱部62b形成為自錐部62a之頂部於沿著Z軸之方向上延伸之圓柱狀，其規定第2通路56之內徑。第2通路56形成於柱部62b與內周面61之間。柱部62b例如經由樑而支持於簇射板27之第3面27a。 如圖5所示，通路50B包含四個第1開口51。換言之，通路50B之第2通路56連接於四個第1通路55。第2通路56連接之第1通路55之數量並不限於此。通路50B之第1開口51分別形成為圓弧狀。四個圓弧狀之第1開口51於圓周方向上相互隔開而配置，且整體呈大致圓環形狀。 如圖6所示，通路50B之第1通路55分別於與Z軸傾斜地交叉之方向上延伸。通路50B之第1通路55延伸之方向係隨著遠離第4面27b而於X-Y平面(大致水平方向)上向與該通路50B相鄰之其他通路50靠近之方向。通路50B之第1通路55之截面面積隨著向第1開口51靠近而縮小。 通路50B之第2開口52形成為圓狀。通路50B之第2通路56形成為於沿著Z軸之方向上延伸之圓柱狀。通路50B之第2通路56之截面面積大致固定。 第2通路56之截面面積大於四個第1通路55之最小截面面積之合計。例如，第2開口52處之第2通路56之截面面積大於第1開口51處之四個第1通路55之截面面積之合計。換言之，第2開口52之截面面積大於四個第1開口51之截面面積之合計。 通路50B係由設置於簇射板27之內周面61、及底壁64所形成。底壁64之底面形成簇射板27之第4面27b之一部分。形成通路50B之底壁64具有內板64a、及四個連接部64b。 底壁64為簇射板27之一部分，且與簇射板27之其他部分一體地成形。再者，底壁64亦可為與簇射板27之其他部分隔開成形之零件。 如圖5所示，內板64a形成為大致圓盤狀，且於自內周面61隔開之位置由內周面61包圍。四個連接部64b自內板64a之外周面呈放射狀突出，且連接內板64a與內周面61。 通路50B之四個第1通路55分別形成於內周面61、內板64a之外周面、及兩個連接部64b之間。通路50B之第2通路56形成於內周面61之內側。 如圖7所示，通路50C包含四個第1開口51。換言之，通路50C之第2通路56連接於四個第1通路55。通路50C之第1開口51分別形成為圓狀。四個圓狀之第1開口51於圓周方向上相互隔開而配置。 如圖8所示，通路50C之第1通路55分別於與Z軸傾斜地交叉之方向上延伸。通路50C之第1通路55延伸之方向係隨著遠離第4面27b而於X-Y平面(大致水平方向)上向與該通路50C相鄰之其他通路50靠近之方向。通路50C之第1通路55之截面面積大致固定。 通路50C之第2開口52形成為圓狀。通路50C之第2通路56形成為於沿著Z軸之方向上延伸之圓柱狀。通路50C之第2通路56之截面面積大致固定。 第2通路56之截面面積大於四個第1通路55之截面面積之合計。例如，第2開口52處之第2通路56之截面面積大於第1開口51處之四個第1通路55之截面面積之合計。換言之，第2開口52之截面面積大於四個第1開口51之截面面積之合計。 如圖8所示，通路50C之第2通路56係具有底56a之孔。通路50C之四個第1通路55將第2通路56之底56a、與於簇射板27之第4面27b開口之第1開口51連接。 如圖2所示，例如於簇射板27之中心部設置有複數個通路50A。複數個通路50B以包圍複數個通路50A之方式配置。進而，複數個通路50C以包圍複數個通路50A及複數個通路50B之方式配置。再者，複數個通路50A、50B、50C亦可配置於與圖2不同之位置。 如圖3至圖8所示，通路50A之形狀、通路50B之形狀、及通路50C之形狀互不相同。換言之，複數個通路50中之一者之形狀與複數個通路50中之另一者之形狀不同。再者，複數個通路50亦可僅具有複數個通路50A、複數個通路50B、或複數個通路50C。進而，通路50A之第1通路55之長度、通路50B之第1通路55之長度、及通路50C之第1通路55之長度互不相同。 圖1之泵13對如以上般構成之簇射板27之複數個通路50供給氣體G。泵13通過供給口31、擴散室35、及擴散板26之複數個孔37而將氣體G供給至供給室39。供給室39之氣體G被供給至複數個通路50之第2通路56。 簇射板27將自泵13供給至複數個通路50之氣體G自複數個通路50之第1通路55排出至簇射板27之第4面27b、與由載台25之支持部25a支持之晶圓W之間的空間S。以下，對自第1通路55排出之氣體G詳細地進行說明。 如圖3及圖4所示，複數個通路50A之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向交叉。換言之，複數個通路50A之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向於一點重疊。第1開口51為於第1通路之外表面開口之部分之一例。第1開口51所朝之方向為第1通路朝向外表面開口之方向之一例。 第1開口51所朝之方向為第1開口51(第4面27b)處之第1通路55所朝之方向。根據另一表達，第1開口51所朝之方向為第1通路55朝向第4面27b開口之方向。即，其係將如上述般獲得之第1通路55延伸之方向自第1開口51(第4面27b)呈直線狀延長後之方向。 氣體G自上述複數個通路50A之第1通路55之各者朝與自其他複數個通路50之第1通路55中之至少一者排出之氣體G觸碰的方向排出。例如，一個通路50A之第1通路55將氣體G朝與自與該通路50A相鄰之其他通路50A之第1通路55排出之氣體G觸碰的方向排出。再者，通路50A之第1通路55亦可將氣體G朝與自相較與該通路50A相鄰之通路50更遠之其他通路50之第1通路55排出之氣體G觸碰的方向排出。 如圖5及圖6所示，複數個通路50B之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向交叉。換言之，複數個通路50B之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向於一點重疊。 氣體G自上述複數個通路50B之第1通路55之各者朝與自其他複數個通路50之第1通路55中之至少一者排出之氣體G觸碰的方向排出。例如，一個通路50B之第1通路55將氣體G朝與自與該通路50B相鄰之其他通路50B之第1通路55排出之氣體G觸碰的方向排出。再者，通路50B之第1通路55亦可將氣體G朝與自相較與該通路50B相鄰之通路50更遠之其他通路50之第1通路55排出之氣體G觸碰的方向排出。 如圖7及圖8所示，複數個通路50C之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向交叉。換言之，複數個通路50C之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向於一點重疊。 氣體G自上述複數個通路50C之第1通路55之各者朝與自其他複數個通路50之第1通路55中之至少一者排出之氣體G觸碰的方向排出。例如，一個通路50C之第1通路55將氣體G朝與自與該通路50C相鄰之其他通路50C之第1通路55排出之氣體G觸碰的方向排出。再者，通路50C之第1通路55亦可將氣體G朝與自相較與該通路50C相鄰之通路50更遠之其他通路50之第1通路55排出之氣體G觸碰的方向排出。 簇射板27使自複數個通路50之第1通路55之各者排出之氣體G於氣體G到達晶圓W之前，與自其他複數個通路50之第1通路55中之至少一者排出之氣體G觸碰。換言之，自一個第1通路55排出之氣體G與自至少一個其他第1通路55排出之氣體G係於簇射板27之第4面27b與晶圓W之間相互碰撞。 若自複數個第1通路55排出之氣體G相互碰撞，則該氣體G之行進方向分散。碰撞後之氣體G之流速較自第1通路55排出時之氣體G之流速慢。碰撞後之氣體G到達晶圓W，並於晶圓W之表面產生膜。再者，於半導體製造裝置10為電漿CVD裝置之情形時，氣體G於空間S被電漿化。 藉由氣體G相互碰撞，而於晶圓W之表面上，到達該晶圓W之表面之氣體G之流速及流量變得大致均勻。因此，於晶圓W之表面產生化學反應之氣體G之量變得大致均勻，於晶圓W之表面產生之膜之厚度亦變得大致均勻。 例如，通路50A、50B、50C中之第1通路55之長度、或通路50A、50B、50C之配置係以於晶圓W之表面產生之膜之厚度變得更加均勻之方式設定。例如，根據哈根-伯稷葉方程，第1通路55之長度越長，則第1通路55之氣導度越低且壓力阻力越高。因此，藉由調整第1通路55之長度而調整該第1通路55附近之氣體G之流量。 於本實施形態中，簇射板27例如藉由3D印表機而積層造形。因此，簇射板27成形為一體物。再者，簇射板27亦可以其他方法成形。 於以上所說明之第1實施形態之半導體製造裝置10中，複數個第1通路55之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個第1通路55中之至少一者之第1開口51所朝之方向於至少一點重疊。例如，複數個第1通路55之各者之第1開口51所朝之方向、與其他複數個第1通路55中之至少一者之第1開口51所朝之方向相互交叉。又，自複數個第1通路55排出氣體G時，氣體G自複數個第1通路55之各者朝與自其他複數個第1通路55中之至少一者排出之氣體G觸碰的方向排出。自複數個第1通路55排出之氣體G相互碰撞，而該氣體G之行進方向分散。藉此，供氣體G排出之空間S中之氣體G之分佈變得更加均勻。因此，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻而造成膜之厚度不均。如此，以使形成於晶圓W之膜之厚度變得更加均勻之方式，獨立地(個別地)設定複數個第1通路55之第1開口51所朝之方向。 一般而言，為使形成於晶圓W之膜之厚度均勻而增大晶圓W與簇射板27之間的距離。於該情形時，向大的空間S供給多量之氣體G。因此，用以於腔室21中供給及排出氣體G之時間相關的氣體G之置換效率、及相對於形成於晶圓W之膜之厚度之氣體G之量相關的氣體G之利用效率降低。另一方面，根據本實施形態，可縮小晶圓W與簇射板27之間的距離，從而可抑制氣體G之置換效率及利用效率降低。 複數個第2通路56之各者之截面面積大於連接於該第2通路56之第1通路55之截面面積之合計。藉此，第1通路55之壓力阻力較高且氣導度變低，從而自複數個第1通路55更加均勻地排出氣體G。因此，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 複數個第2通路56分別連接於複數個第1通路55中之至少兩者。藉此，第1通路55之數量多於第2通路56之數量。即，將氣體G自許多之位置排出，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 複數個第1通路55中之一者之形狀與複數個第1通路55中之另一者之形狀不同。藉此，例如以具有與包含如化學機械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polishing)般之前後步驟之各種條件對應之氣導度及壓力阻力之方式，設定第1通路55之各者之形狀。因此，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 複數個第1通路55中之一者之長度與複數個第1通路55中之另一者之長度不同。藉此，例如以具有與如前後步驟般之各種條件對應之氣導度及壓力阻力之方式設定第1通路55之各者之長度。因此，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 簇射板27以如下方式構成，即，使自複數個第1通路55之各者排出之氣體G於該氣體G到達晶圓W之前與自其他複數個第1通路55中之至少一者排出之氣體G觸碰。藉此，可抑制自第1通路55排出之氣體G直接接觸晶圓W。因此，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 以下，參照圖9及圖10對第2實施形態進行說明。再者，於以下之複數個實施形態之說明中，有如下情形：對具有與已說明之構成要素相同之功能之構成要素標註與該已描述之構成要素相同之符號，進而省略說明。又，標註有相同符號之複數個構成要素未必所有之功能及性質共通，亦可具有與各實施形態對應之不同之功能及性質。 圖9係表示第2實施形態之通路50C之簇射板27之俯視圖。圖10係表示第2實施形態之通路50C之簇射板27之剖視圖。如圖9及圖10所示，於簇射板27之第4面27b設置有複數個槽71。槽71自第4面27b凹陷，且具有底。 槽71於在第4面27b開口之複數個第1通路55中之至少兩者之間延伸。例如，槽71於一個通路50C之一個第1通路55、和與該一個通路50C相鄰之其他通路50C之一個第1通路55之間延伸。 自通路50C之第1通路55排出之氣體G基本上朝該第1通路55之第1開口51所朝之方向排出。進而，自通路50C之第1通路55排出之氣體G之一部分於沿著槽71之方向上流動。 自藉由槽71連接之兩個通路50C之第1通路55排出氣體G。該氣體G沿著槽71流動，並相互碰撞。如此，氣體G於槽71之內部及槽71之附近相互碰撞。槽71之內部及槽71之附近為空間S之一部分。 於以上所說明之第2實施形態之半導體製造裝置10中，設置於第4面27b之槽71於在第4面27b開口之複數個第1通路55中之至少兩者之間延伸。藉此，自第1通路55排出之氣體G沿著槽71流動，且容易與自其他第1通路55排出之氣體G碰撞。 以下，參照圖11及圖12對第3實施形態進行說明。圖11係表示第3實施形態之通路50D之簇射板27之俯視圖。圖12係表示第3實施形態之通路50D之簇射板27之剖視圖。 如圖11及圖12所示，複數個通路50包含複數個通路50D。複數個通路50可具有第1實施形態之通路50A、50B、50C中之至少一者，亦可僅具有通路50D。 簇射板27具有複數個凸部81。複數個凸部81分別自簇射板27之第4面27b突出。複數個凸部81相互隔開而配置。複數個凸部81分別具有周壁82及端壁83。 周壁82形成為於沿著Z軸之方向上延伸之圓筒狀。周壁82亦可形成為如多邊形之筒狀般之其他形狀。周壁82之沿著Z軸之正方向之端部連接於第4面27b。 周壁82具有外周面82a。外周面82a係朝向與Z軸正交之方向之圓筒形之外表面。外周面82a面向空間S，形成簇射板27之外表面之一部分。即，外周面82a為外表面之一例。 端壁83將周壁82之沿著Z軸之負方向之端部封閉。端壁83具有底面83a。底面83a係朝向沿著Z軸之負方向之大致平坦之面。底面83a面向空間S，形成簇射板27之外表面之一部分。即，底面83a為外表面之一例。如此，凸部81之外周面82a及底面83a形成簇射板27之外表面之一部分。 通路50D之四個第1通路55於周壁82之外周面82a開口。換言之，四個第1開口51設置於周壁82之外周面82a。第1通路55於與Z軸正交之方向(大致水平方向)上延伸。第1通路55之第1開口51朝向與Z軸正交之方向。再者，第1開口51亦可朝向其他方向。通路50D之第1開口51所朝之方向係第1通路55朝外周面82a開口之方向。 通路50D之第2開口52形成為圓狀。通路50D之第2通路56形成為於沿著Z軸之方向上延伸之圓柱狀。通路50D之第2通路56之截面面積大致固定。 通路50D具有第3通路85。第3通路85由周壁82與端壁83包圍。換言之，第3通路85係由周壁82之內表面與端壁83之內表面所形成。 於外周面82a開口之四個第1通路55連接於第3通路85。於第3面27a開口之第2通路56亦連接於第3通路85。第3通路85介於四個第1通路55與第2通路56之間。 第3通路85形成為於沿著Z軸之方向上延伸之圓柱狀。於圓柱狀之第3通路85之周面部分連接有四個第1通路55，於第3通路85之端面部分連接有第2通路56。第3通路85之截面面積大致固定，且小於第2通路56之截面面積。再者，第3通路85亦可具有其他形狀。 第3通路85之截面面積大於四個第1通路55之最小截面面積之合計。例如，第2通路56與第3通路85之連接部分之第3通路85之截面面積大於第1開口51處之四個第1通路55之截面面積之合計。 於周壁82之外周面82a開口之四個第1通路55中之一者朝向於其他周壁82之外周面82a開口之四個第1通路55中之一者。換言之，兩個第1通路55之第1開口51相互面對。因此，複數個第1通路55之各者所朝之方向係與其他複數個第1通路55中之一者所朝之方向重疊。 自相互面對之兩個通路50D之第1通路55排出氣體G。該氣體G於兩個凸部81之間相互碰撞。兩個凸部81之間為空間S之一部分。 於以上所說明之第3實施形態之半導體製造裝置10中，複數個第1通路55於複數個凸部81之周壁82開口。藉此，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，自複數個第1通路55排出之氣體G彼此於到達晶圓W之前更確實地碰撞。因此，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 於周壁82開口之複數個第1通路55中之一者朝向於其他周壁82開口之複數個第1通路55中之一者。換言之，兩個第1通路55相面對。藉此，例如於簇射板27排出作為CVD之原料氣體之氣體G之情形時，自複數個第1通路55排出之氣體G彼此於到達晶圓W之前更確實地碰撞。因此，可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 於第3實施形態中，通路50D之第1通路55亦可進而於端壁83之底面83a開口。換言之，複數個第1開口51亦可設置於周壁82之外周面82a、及端壁83之底面83a。於該情形時，複數個第1通路55中之至少一者設置於端壁83，且於沿著Z軸之方向或與Z軸傾斜地交叉之方向上延伸。 形成於端壁83之底面83a之第1開口51朝向沿著Z軸之方向或與Z軸傾斜地交叉之方向。再者，形成於底面83a之第1開口51亦可朝向其他方向。形成於底面83a之第1開口51所朝之方向係設置於端壁83之第1通路55朝向底面83a開口之方向。 藉由在端壁83設置第1通路55而對端壁83之下亦供給氣體G，而可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。進而，形成於端壁83之底面83a之第1開口51之截面面積之合計例如小於形成於周壁82之外周面82a之第1開口51之截面面積之合計。藉此，直接朝晶圓W流出之氣體G之量減少，而可抑制形成於晶圓W之膜之厚度變得不均勻。 以下，參照圖13對第4實施形態進行說明。圖13係表示第4實施形態之通路50E之簇射板27之剖視圖。如圖13所示，複數個通路50包含複數個通路50E。複數個通路50可具有第1至第3實施形態之通路50A、50B、50C、50D中之至少一者，亦可僅具有通路50E。通路50E之第1通路55呈螺旋狀延伸。換言之，通路50E之第1通路55呈曲線狀延伸。 一個通路50E之第1通路55之長度與另一個通路50E之第1通路55之長度不同。例如，一個螺旋狀之第1通路55之卷數與其他螺旋狀之第1通路55之卷數不同。通路50E之第1通路55之截面面積大致固定。 複數個通路50E之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向交叉。換言之，複數個通路50E之各者之第1開口51所朝之方向係與其他複數個通路50中之至少一者之第1開口51所朝之方向於一點重疊。第1開口51為於第1通路之外表面開口之部分之一例。 第1開口51所朝之方向係第1開口51(第4面27b)處之第1通路55所朝之方向。即，其係將如上述般獲得之第1通路55延伸之方向自第1開口51(第4面27b)呈直線狀延長後之方向。 通路50E之第1通路55分別呈螺旋狀延伸，故而於與Z軸傾斜地交叉之方向上延伸。即便於較第1開口51更靠近第2開口52之位置將通路50E之第1通路55延伸之方向呈直線狀延長，亦未必會與其他通路50之第1開口51所朝之方向於一點重疊。然而，若於第1開口51將通路50E之第1通路55延伸之方向呈直線狀延長，則會與其他通路50之第1開口51所朝之方向於一點重疊。因此，自通路50E之第1通路55排出之氣體G、與自至少一個其他第1通路55排出之氣體G係於簇射板27之第4面27b與晶圓W之間相互碰撞。 於以上所說明之第4實施形態之半導體製造裝置10中，複數個第1通路55中之至少一者呈螺旋狀延伸。藉此，即便簇射板27之厚度固定，亦可容易地設定為使複數個第1通路55中之一者之長度與複數個第1通路55中之另一者之長度不同。因此，例如可以具有與如前後步驟般之各種條件對應之氣導度及壓力阻力之方式容易地設定各第1通路55之形狀。 於上述複數個實施形態中，將已通過擴散板26之孔37之氣體G自簇射板27之複數個通路50排出至空間S。半導體製造裝置10並不限於此，亦可不具有擴散板26。例如，亦可於簇射板27之內部形成連接供給口31與複數個通路50且將氣體G分配至複數個通路50之流路。 根據以上所說明之至少一個實施形態，將流體自複數個第1通路之各者朝與自其他複數個第1通路中之至少一者排出之流體觸碰之方向排出。藉此，供流體排出之空間中之流體之分佈變得更加均勻。 對本發明之若干實施形態進行了說明，但該等實施形態係作為示例而提出，並非意欲限定發明之範圍。該等新穎之實施形態能以其他各種形態實施，可於不脫離發明之主旨之範圍內進行各種省略、替換、變更。該等實施形態或其變化包含於發明之範圍或主旨中，並且包含於申請專利範圍所記載之發明及其均等之範圍內。
10‧‧‧半導體製造裝置
11‧‧‧製造部
12‧‧‧壓力計
13‧‧‧泵
21‧‧‧腔室
23‧‧‧上壁
23a‧‧‧第1內表面
24‧‧‧周壁
24a‧‧‧第2內表面
25‧‧‧載台
25a‧‧‧支持部
26‧‧‧擴散板
26a‧‧‧第1面
26b‧‧‧第2面
27‧‧‧簇射板
27a‧‧‧第3面
27b‧‧‧第4面
31‧‧‧供給口
32‧‧‧排氣口
35‧‧‧擴散室
37‧‧‧孔
39‧‧‧供給室
50‧‧‧通路
50A‧‧‧通路
50B‧‧‧通路
50C‧‧‧通路
50D‧‧‧通路
50E‧‧‧通路
51‧‧‧第1開口
52‧‧‧第2開口
55‧‧‧第1通路
56‧‧‧第2通路
56a‧‧‧底
61‧‧‧內周面
62‧‧‧內柱
62a‧‧‧錐部
62b‧‧‧柱部
64‧‧‧底壁
64a‧‧‧內板
64b‧‧‧連接部
71‧‧‧槽
81‧‧‧凸部
82‧‧‧周壁
82a‧‧‧外周面
83‧‧‧端壁
83a‧‧‧底面
85‧‧‧第3通路
G‧‧‧氣體
S‧‧‧空間
W‧‧‧晶圓
圖1係概略性地表示第1實施形態之半導體製造裝置之剖視圖。 圖2係概略性地表示第1實施形態之簇射板之第4面之俯視圖。 圖3係表示第1實施形態之通路之簇射板之俯視圖。 圖4係表示第1實施形態之通路之簇射板之剖視圖。 圖5係表示第1實施形態之通路之簇射板之俯視圖。 圖6係表示第1實施形態之通路之簇射板之剖視圖。 圖7係表示第1實施形態之通路之簇射板之俯視圖。 圖8係表示第1實施形態之通路之簇射板之剖視圖。 圖9係表示第2實施形態之通路之簇射板之俯視圖。 圖10係表示第2實施形態之通路之簇射板之剖視圖。 圖11係表示第3實施形態之通路之簇射板之俯視圖。 圖12係表示第3實施形態之通路之簇射板之剖視圖。 圖13係表示第4實施形態之通路之簇射板之剖視圖。
27‧‧‧簇射板
27a‧‧‧第3面
27b‧‧‧第4面
50‧‧‧通路
50A‧‧‧通路
51‧‧‧第1開口
52‧‧‧第2開口
55‧‧‧第1通路
56‧‧‧第2通路
61‧‧‧內周面
62‧‧‧內柱
62a‧‧‧錐部
62b‧‧‧柱部
G‧‧‧氣體

Claims (11)

  1. 一種流路構造，其具備構件，該構件具有外表面，且設置有於上述外表面開口之複數個第1通路，於自上述複數個第1通路排出流體時，將上述流體自上述複數個第1通路之各者朝與自其他的上述複數個第1通路中之至少一者排出之上述流體觸碰之方向排出。
  2. 一種流路構造，其具備構件，該構件具有外表面，且設置有於上述外表面開口之複數個第1通路，上述複數個第1通路朝向上述外表面開口之方向、與其他的上述複數個第1通路中之至少一者朝向上述外表面開口之方向於至少一點重疊。
  3. 如請求項1或2之流路構造，其中 於上述外表面設置有槽，且 上述槽於在上述外表面開口之上述複數個第1通路中之至少兩者之間延伸。
  4. 如請求項1或2之流路構造，其中 上述構件具有形成上述外表面之一部分之複數個凸部，且 上述複數個凸部包含供複數個上述第1通路開口之筒狀之周壁、及將上述周壁之端部封閉之端壁。
  5. 如請求項4之流路構造，其中 於上述周壁開口之上述複數個第1通路中之一者係朝向於其他的上述周壁開口之上述複數個第1通路中之一者。
  6. 如請求項1或2之流路構造，其中 上述構件具有位於上述外表面之相反側之面，且設置有於上述面開口之複數個第2通路， 上述複數個第2通路分別連接於上述複數個第1通路中之至少一者，且 上述複數個第2通路之各者之截面面積大於連接於一個上述第2通路之上述第1通路之形成於上述外表面之開口之截面面積的合計。
  7. 如請求項6之流路構造，其中 上述複數個第2通路分別連接於上述複數個第1通路中之至少兩者。
  8. 如請求項1或2之流路構造，其中 上述複數個第1通路中之一者之形狀與上述複數個第1通路中之另一者之形狀不同。
  9. 如請求項1或2之流路構造，其中 上述複數個第1通路中之一者之長度與上述複數個第1通路中之另一者之長度不同。
  10. 如請求項9之流路構造，其中 上述複數個第1通路中之至少一者呈螺旋狀延伸。
  11. 一種處理裝置，其進而具備： 如請求項1至10中任一項之流路構造； 物體支持部，其構成為將物體支持於自上述外表面隔著空間而隔開之位置；及 流體供給部，其構成為將流體供給至上述複數個第1通路；且 上述流路構造構成為將已自上述流體供給部供給至上述複數個第1通路之上述流體自上述複數個第1通路排出至上述外表面與上述物體之間的上述空間。
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