TW201730588A - 偏光板保護薄膜、其製造方法以及偏光板 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為提供一種含有氫化降莰烯系樹脂，不會使霧度增加，且改善易滑性之偏光板保護薄膜。又提供一種該偏光板保護薄膜的製造方法、及具備該偏光板保護薄膜之偏光板。該偏光板保護薄膜，其係含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜，其特徵為前述微粒子之二次粒子的平均粒徑為0.05~0.20μm的範圍內，前述二次粒子之平均粒徑的相對標準偏差為5~20%的範圍內，且前述偏光板保護薄膜的表面之峰值密度為1000~5000(個/mm2)的範圍內。

Description

偏光板保護薄膜、其製造方法以及偏光板
本發明係關於偏光板保護薄膜與其製造方法。又，本發明係關於具有偏光板保護薄膜之偏光板。更詳細而言，本發明係關於改善易滑性之偏光板保護薄膜與其製造方法。
近年來，正擴大液晶顯示裝置、有機電致發光(以下，簡稱為「有機EL」)顯示裝置、觸控面板等之用途。於這般的裝置，於支持體或保護薄膜等使用有各種樹脂薄膜。其中，由添加氫(以下稱為「氫化」)降莰烯系樹脂所形成之薄膜係耐熱性高，且吸水率低。據此，由氫化降莰烯系樹脂所形成之薄膜由於尺寸安定性或濕度變動耐性優異，故優選使用。又，氫化降莰烯系樹脂由於光彈性係數小故可抑制固有雙折射在低。因此，即使是作為光學上將等向性作為必要之用途的偏光板保護薄膜，係光學特性亦優異之素材。
另外，對於顯示裝置或觸控面板之薄膜化或輕量化的要求正日益提高。因此，樹脂薄膜的薄膜化或輕 量化亦成為重要的研討課題。據此，對於具有前述優異之光學特性的氫化降莰烯系樹脂亦逐漸提高薄膜化之要求。
氫化降莰烯系樹脂具有如前述般之優勢之外，亦有易滑性劣化的問題。因薄膜彼此之易滑性惡化，導致在薄膜之製造時易產生缺失。尤其是捲取薄膜時，薄膜彼此之易滑性惡化時，抱有捲取時破壞薄膜、或刮傷的問題。
尤其是薄膜化時，上述易滑性更加劣化。如此一來，氫化降莰烯系樹脂薄膜由於易滑性不夠充分，操作困難，應用被限制。
作為氫化降莰烯系樹脂薄膜之易滑性的改良方法，提案有於表面形成凹凸之方法、或於表面塗佈防靜電層等之薄膜之方法、貼附保護薄膜，於該薄膜形成凹凸之方法等。
例如，專利文獻1中揭示有塗佈被覆層表面之氮原子量為0.5~10mol%之防靜電劑的薄膜。藉由降低表面的帶電性，而兼具平滑性與易滑性。專利文獻2中，提案有藉由塗佈包含具有親水性之導電性化合物的防靜電層，賦予耐藥品性之效果的技術。於專利文獻3，揭示有藉由以噴墨方式而於薄膜表面形成微細凸構造，使易滑性提昇。於專利文獻4，揭示有於表面藉由貼附具一定之Ra(算術平均粗糙度)或Sm(凹凸之平均間隔)的保護薄膜來進行改良。
然而，塗佈專利文獻1及2所記載之防靜電 層的情況下，由於塗佈前之薄膜的易滑性惡化，塗佈加工之收率惡化而被要求改善。
以專利文獻3所記載之噴墨方式，於薄膜表面形成凹凸的情況下，微粒子分散液之液滴所產生之微妙著地位置的偏移導致污染必須要改善。於專利文獻4所提案將其他薄膜以保護目的貼附之技術雖為常規手段，但由於膜厚增大、或又產生作為廢棄物剝離之保護目的的薄膜，於環境側面成為問題，而被要求改善。
又，專利文獻5中，提案有於環狀烯烴系樹脂薄膜添加消光劑微粒子之技術。
本發明者針對此專利文獻5所提案之方法，進行努力研討時，於氫化降莰烯系樹脂含有消光劑的情況下，易滑性改良之效果不夠充分。又，為了改善易滑性，大量添加消光劑的情況下，偏光板保護薄膜之霧度(渾濁)增大。
據此，在氫化降莰烯系樹脂，不增加霧度來改善易滑性實際上有困難。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2003-39619號公報
[專利文獻2]日本專利第5377283號公報
[專利文獻3]日本專利第5182092號公報
[專利文獻4]日本特開2012-61712號公報
[專利文獻5]日本特開2007-98643號公報
本發明係鑑於上述問題而完成者，其解決課題係提供一種含有氫化降莰烯系樹脂，不會使霧度增加，且改善易滑性之偏光板保護薄膜。又，提供一種該偏光板保護薄膜的製造方法、及具備該偏光板保護薄膜之偏光板。
本發明者們為了解決上述課題，針對上述問題之原因等進行研討的結果，發現藉由含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜，前述偏光板保護薄膜的表面之峰值密度為特定的範圍內，改善易滑性，又，藉由混合含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜、與氫化降莰烯系樹脂，促進於塗料中之微粒子的成長，改善偏光板保護薄膜之易滑性，而完成本發明。
亦即，有關本發明之前述課題係藉由以下之手段解決。
1.一種偏光板保護薄膜，其係含有降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜，其特徵為前述降莰烯系樹脂為氫化降莰烯系樹脂，前述微粒子之二次粒子的平均粒徑為0.05~0.20μm的範圍內，前述二次粒子之平均粒 徑的相對標準偏差為5~20%的範圍內，且前述偏光板保護薄膜的表面之峰值密度為1000~5000(個/mm2)的範圍內。
2.如第1項之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜的霧度值為2.0%以下。
3.如第1項或第2項之偏光板保護薄膜，其係混合至少含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜、與氫化降莰烯系樹脂而成，且以下述式所定義之混合率為20~80(%)的範圍內， 混合率(%)={a/(a+b)}×100
(於此，a係表示含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜的質量(g)；b係表示氫化降莰烯系樹脂的質量(g))。
4.如第1項~第3項中任一項之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜的透濕度於照溫度40℃、相對濕度90%之環境下，依JIS Z 0208測定時，為100~400g/m2．24h的範圍內。
5.如第1項~第4項中任一項之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜的膜厚為5~40μm的範圍內。
6.如第1項~第5項中任一項之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜於下述式(I)所定義之面內方向的相位差值RO(nm)及以下述式(II)所定義之厚度方向的相位差值Rt(nm)係滿足下述式(III) 及下述式(IV)。
式(I)Ro=(nx-ny)×d
式(II)Rt={(nx+ny)/2-nz}×d
式(III)|Ro|≦10nm
式(IV)|Rt|≦10nm
(式(I)~(IV)中，Ro及Rt係於溫度23℃、相對濕度55%的環境下，以波長590nm的光所測定之相位差值；nx為前述偏光板保護薄膜於薄膜面內之滯相軸方向的折射率；ny為前述偏光板保護薄膜於薄膜面內之進相軸方向的折射率；nz為前述光學薄膜之膜厚方向的折射率；d為前述偏光板保護薄膜的膜厚(nm))。
7.一種偏光板保護薄膜的製造方法，其係製造如第1項~第6項中任一項之偏光板保護薄膜之偏光板保護薄膜的製造方法，其特徵為具有將包含前述氫化降莰烯系樹脂及溶劑之高分子溶液流延至支持體上進行製膜的步驟。
8.一種偏光板，其特徵為具有如第1項~第6項中任一項之偏光板保護薄膜。
藉由本發明之上述手段，可提供一種含有氫化降莰烯系樹脂，不會使霧度，且改善易滑性之偏光板保 護薄膜。本發明之偏光板保護薄膜由於具有如上述之特性，可優選作為顯示裝置或觸控面板用之薄膜使用。
又，可提供一種在製造步驟之處理性良好，且生產適性較高之偏光板保護薄膜的製造方法及偏光板。
針對本發明的效果之表現機構或作用機構，雖未致明確，但係如以下般推測。
由於氫化降莰烯系樹脂為極性較低之樹脂，與極性較高之樹脂，例如纖維素酯樹脂進行比較，與微粒子的相互作用較弱。因而，凝聚微粒子作為二次粒子(凝聚體)成長有困難。據此，為了使微粒子成長成有效直徑，有必要使微粒子之添加量增加。因此，為了確保易滑性，大量添加微粒子時，產生霧度劣化的問題。
本發明者為了解決上述之問題進行努力研究的結果，藉由將經一度製膜之薄膜(含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜)再溶解於有機溶劑，來調製塗料，微粒子之凝聚體投入塗料之中，可使微粒子成長。進而，藉由一次粒徑的大小、或與氧化矽微粒子表面之羥基被覆率的選擇組合，可調製期望大小之二次粒子(凝聚體)，藉此，即使為氫化降莰烯系樹脂亦可將薄膜表面的峰值密度定為1000~5000(個/mm2)的範圍內一事推測是初次完成。
藉由定為本發明之構成，不會增量微粒子添加量，可解決前述霧度之劣化課題。
10‧‧‧偏光子
20、30‧‧‧偏光板保護薄膜
101‧‧‧偏光板
[圖1]偏光板之概略截面圖
[圖2]偏光板保護薄膜編號110之電子顯微鏡照片
[圖3]偏光板保護薄膜編號101之電子顯微鏡照片
本發明之偏光板保護薄膜係含有降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜，其特徵為前述降莰烯系樹脂為氫化降莰烯系樹脂，前述微粒子之二次粒子的平均粒徑為0.05~0.20μm的範圍內，前述粒子之二次平均粒徑的相對標準偏差為5~20%的範圍內，且前述偏光板保護薄膜的表面之峰值密度為1000~5000(個/mm2)的範圍內。此特徵係有關各請求項之發明所共通之技術特徵。
作為本發明之實施態樣，從表現本發明的效果的觀點來看，較佳為前述偏光板保護薄膜的霧度值為2.0%以下。藉此，而得到霧度不會劣化且維持透明性之偏光板保護薄膜。
進而，在本發明，較佳為混合至少具有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜、與氫化降莰烯系樹脂而成，前述混合率為20~80(%)的範圍內。藉此，使微粒子之二次粒子成長且增大改善易滑性的效果。
進而，在本發明，較佳為偏光板保護薄膜之前述透濕度為100~400g/m2．24h的範圍內。藉此，而得 到偏光板保護薄膜之濕度變動耐性較小的效果。
在本發明，較佳為偏光板保護薄膜的膜厚為5~40μm的範圍內。藉此，可完成偏光板、或顯示裝置的薄型化。
在本發明，較佳為偏光板保護薄膜之於前述式(I)所定義之面內方向的相位差值Ro(nm)及於前述式(II)所定義之厚度方向的相位差值Rt(nm)係滿足前述式(III)及前述式(IV)。藉此，又於等向性成為必要之液晶顯示裝置可擴大可視角。又，藉由縮小厚度方向之相位差值Rt，將偏光板保護薄膜使用在顯示裝置的情況下，亦可抑制產生彩虹狀不均。
作為製造本發明之偏光板保護薄膜之偏光板保護薄膜的製造方法，具有將包含前述氫化降莰烯系樹脂及溶劑之高分子溶液流延至支持體上進行製膜之步驟一事，從易製造薄膜之偏光板保護薄膜，且面品質良好的觀點來看較佳。
具有本發明之偏光板保護薄膜，從易製造薄膜之偏光板的觀點來看較佳。
以下，針對本發明與其構成要素、及用以實施本發明之形態．態樣進行詳細說明。尚，在本發明所示之「~」，係將其前後所記載之數值以作為下限值及上限值包含的意義來使用。
(偏光板保護薄膜的概要)
本發明之偏光板保護薄膜，其係含有降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜，其特徵為前述微粒子之二次粒子的平均粒徑為0.05~0.20μm的範圍內，前述二次粒子之粒徑的相對標準偏差為5~20%的範圍內，且前述偏光板保護薄膜的表面之峰值密度為1000~5000(個/mm2)的範圍內。
以下，針對構成要素進行詳細說明。
<氫化降莰烯系樹脂>
本發明之偏光板保護薄膜，其特徵為含有氫化降莰烯系樹脂。所謂在本發明使用之「氫化降莰烯系樹脂」，係指藉由將降莰烯衍生物(單體)以單獨、或將該降莰烯衍生物及可與此共聚合之不飽和環狀化合物使用複分解聚合觸媒進行開環聚合等，進一步氫化所得之聚合物所得之氫化降莰烯系樹脂。
氫化降莰烯系樹脂較佳為源自具有下述一般式(I)表示之化學構造的單體之樹脂。尚，在本發明，所謂源自具有一般式(I)表示之化學構造的降莰烯單體之樹脂，係表示將具有一般式(I)表示之化學構造的降莰烯單體作為成分進行聚合所衍生之樹脂。
(式中，A、B、X及Y係分別獨立表示選自氫原子、碳數1~10之烴基、及鹵素原子、烷氧基、羥基、酯基、氰基、醯胺基、醯亞胺基及矽烷基中之原子或基；m係表示0或1)。
作為可與上述一般式(I)表示之降莰烯系單體共聚合之共聚性單體，並未特別限定，例如可列舉不具有降莰烯骨架之環狀烯烴系單體。
作為不具有前述降莰烯骨架之環狀烯烴系單體，例如可列舉環辛二烯、環辛烯、環己烯、環十二烯、環十二碳三烯等。
在前述降莰烯系單體或共聚性單體，雖於單體構造中具有鹵素原子以外之極性基，但由於對偏光板保護薄膜給予一定之透濕度故較佳。
作為聚合前述一般式(I)表示之降莰烯系單體之方法或共聚合上述一般式(I)表示之降莰烯系單體與可與此共聚合之共聚性單體的方法，例如可採用開環複分解聚合、附加聚合等之以往周知的方法。
前述氫化降莰烯系樹脂於分子內具有不飽和鍵的情況下，較佳為藉由氫化而飽和，氫化率較佳為95%以上，更佳為99%以上。氫化率未滿95%時，所得之偏光 板保護薄膜的耐光性、耐熱劣化性劣化。
藉由前述氫化降莰烯系樹脂之聚苯乙烯換算的數平均分子量(Mn)較佳為1萬~100萬。未滿1萬時，有所得之偏光板保護薄膜的力學強度不足的情況，反之，超過100萬時，有顯著降低熔融擠出成形性的情況。更佳為1.5萬~70萬。
作為前述氫化降莰烯系樹脂當中市售者，例如可列舉日本Zeon公司製「Zeonor」系列、「Zeonex」系列、日立化成公司製「Optrets」系列、JSR公司製「ARTON」系列等。其中，特別是為了使分子骨架中具有極性基，較佳為使用水糊製作偏光板時，具有必要之適度透濕性的「ARTON」系列。
<微粒子>
本發明之偏光板保護薄膜，其特徵為含有微粒子，前述微粒子之二次粒子的平均粒徑為0.05~0.20μm的範圍內，前述二次粒子之粒徑的相對標準偏差為5~20%的範圍內。
二次粒子之粒徑的大小，作為當量圓直徑較佳為0.10~0.15μm的範圍內。於此所謂「當量圓直徑」，係指具有與粒子之面積同等面積之圓的直徑。
該微粒子之二次粒子(凝聚體)的平均粒徑，由於較大者分散性優異，較小者透明性優異，故以此範圍較佳。
一次粒子之粒徑的相對標準偏差為5~20%，較佳為5~10%。
所謂在本發明之「二次粒子的平均粒徑」，係將偏光板保護薄膜中之微粒子的平均粒徑以下述之方法測定之值。
將含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜的樣品以環氧樹脂包埋後，藉由超薄切片機製成約100nm厚之超薄切片，由日本電子製透過型電子顯微鏡2000FX(加速電壓：200kV)拍攝2500~10000倍之TEM圖像。將所得之圖像在柯尼卡美能達製平頭掃描器Sitios9231進行電子數據化，使用圖像解析軟體ImagePro Plus，進行薄膜中之平均粒徑的測定。薄膜中之平均粒徑係計算具有與粒子投射面積同等面積之以圓的直徑表示之當量圓直徑。將此值定為「二次粒子之平均粒徑」。
尚，為了從以掃描器讀取之圖像進行解析，藉由強調微粒子之圖像的對比，以圖像解析軟體可認識微粒子的方式進行過濾器處理。進而，藉由變更此過濾器條件，來進行對比之最適化。
於此，過濾器處理係使用中位數3×3，其次使用平坦化20像素，其次使用高通3×3，其次使用中位數3×3。
其次，從最適化上述對比之圖像取出粒子，將各個粒子之形狀以圖像解析軟體測定，測定平均粒徑。
作為微粒子，例如可列舉二氧化矽、二氧化 鈦、氧化鋁、氧化鋯、碳酸鈣、碳酸鈣、滑石、黏土、燒成高嶺土、燒成矽酸鈣、水合矽酸鈣、矽酸鋁、矽酸鎂及磷酸鈣等。此等之消光劑微粒子當中，包含矽者含以濁度(霧度)降低的點來看較佳，特佳為二氧化矽。
表觀比重較佳為90~200g/升的範圍內，特佳為100~200g/升的範圍內。由於表觀比重越大，越可作成高濃度之分散液，良化霧度、凝聚物故較佳。
二氧化矽之微粒子，例如可使用Aerosil R972、R972V、R974、R812、200、200V、300、R202、OX50、TT600(以上，日本Aerosil(股)製、商品名(Aerosil為註冊商標))等之市售品。氧化鋯之微粒子，例如以Aerosil R976及R811(以上為日本Aerosil(股)製、商品名)市售，可使用。
此等當中，Aerosil 200V及Aerosil R812V係一次平均粒子大小為20nm以下，且表觀比重為70g/升以上之二氧化矽的微粒子，由於邊將偏光板保護薄膜的霧度保持在低邊降低摩擦係數的效果較大故特佳。
於本發明，藉由將至少含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜、與氫化降莰烯系樹脂，以前述混合率為20~80(%)的範圍內進行混合，可增大偏光板保護薄膜之峰值密度。
至少含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜係經一度製造者，藉由將其一部分與新的氫化降莰烯系樹脂一起添加至塗料調製中來進行混合。至少含有氫化降莰 烯系樹脂與微粒子之薄膜的混合可預先於塗料調製前添加，亦可於塗料之調製途中添加。
又，前述微粒子的一部分係藉由以下之方法調製，亦可適用保護薄膜。亦即，以預先調製攪拌混合溶劑與消光劑微粒子之消光劑微粒子分散液，將此消光劑微粒子分散液添加於另外準備之氫化降莰烯系樹脂濃度未滿5質量%之各種添加劑溶液並進行攪拌溶解後，進而與主要之氫化降莰烯系樹脂塗料進行混合之方法較佳。
微粒子的表面由於實施疏水性化處理，添加具有疏水性之添加劑時，於消光劑微粒子表面吸附添加劑，將此作為核心，變成亦有易產生添加劑之凝聚物的情況。據此，藉由相對性地將親水性之添加劑預先與微粒子分散液混合後，再混合疏水性之添加劑，可抑制於微粒子表面之添加劑的凝聚，可製得霧度較低，組入液晶顯示裝置時之在黑顯示之漏光較少之保護薄膜故較佳。
消光劑微粒子分散劑與添加劑溶液的混合、及與氫化降莰烯系樹脂塗料的混合中，較佳為使用在線混合器。本發明雖並非被限定於此等之方法，但將二氧化矽微粒子與溶劑等混合進行分散時之二氧化矽的濃度較佳為5~30質量%的範圍內，更佳為10~25質量%的範圍內，特佳為15~20質量%的範圍內。分散濃度較高者由於對於同量之添加量的濁度變低，可抑制霧度或凝聚物的產生故較佳。最終於氫化降莰烯系樹脂之塗料中之微粒子的添加量，較佳為0.01~1.0質量%的範圍內，更佳為0.05~ 0.5質量%的範圍內，特佳為0.05~0.3質量%的範圍內。
<峰值密度>
本發明之偏光板保護薄膜，其特徵為偏光板保護薄膜的表面之峰值密度為1000~5000(個/mm2)的範圍。峰值密度更佳為2000~4000(個/mm2)。峰值密度較大者由於易滑性優異，較小者透明性優異，故以此範圍較佳。尚，峰值密度的單位之(個/mm2)係表示每1mm2之峰值的個數。
前述表面峰值密度係在溫度23℃、濕度50%±5%，使用三次元表面構造解析顯微鏡zygo New View 5000佳能販賣(股)製，以對物鏡片50倍、影像自動變焦1.0倍來測定3nm以上之峰值的數目，可藉由除以測定面積，算出每一單位面積之峰值的數目，而求得。
於此，成為峰值高度之基準的平均線係根據JIS B0601(1994)，於粗糙度曲線減去平均線時，於測定長度內可在線之上下之山之面積的合計以成為同等的方式減去。將粗糙度曲線藉由前述平均線切斷時之挾在相鄰二個交點之曲線部分當中，將較前述平均線更上側(從偏光板保護薄膜對空間側的方向)的部分定為「profile peak」。「profile peak」當中，相對於前述平均線，將較高3nm以上的部分作為在本發明之峰值。
於氫化降莰烯系樹脂單添加微粒子的情況中，微粒子難以凝聚故難以形成二次粒子。因此，有峰值 密度難以增大，易滑性不夠充分的問題。
於本發明，在氫化降莰烯系樹脂，即使充分產生二次粒子，亦可將偏光板保護薄膜的表面之峰值密度成為1000~5000(個/mm2)的範圍內。
作為用以將偏光板保護薄膜的表面之峰值密度成為1000~5000(個/mm2)的範圍內之達成手段，可列舉下述之手段，係初次達成可組合此等者。
[1]將含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜、與氫化降莰烯系樹脂以20~80質量%進行混合。
藉由增加於塗料中之前述薄膜的混合量，易增大偏光板保護薄膜之峰值密度。
[2]增大微粒子之一次粒子平均粒徑或相對標準偏差。
增大一次粒子平均粒徑時，易增大偏光板保護薄膜之峰值密度。
[3]增加微粒子之粒子表面的羥基被覆率時，易增大偏光板保護薄膜之峰值密度。
藉由組合前述[1]~[3]之項目，可將偏光板保護薄膜的表面之峰值密度成為1000~5000(個/mm2)的範圍內。
微粒子的添加量每1m2較佳為0.02~1.0g，更佳為0.03~0.3g，最佳為0.08~0.2g。
在前述[1]之混合，該薄膜、與氫化降莰烯系樹脂的含有比率較佳為20~80質量%，更佳為50~80質 量%。
<霧度>
本發明之偏光板保護薄膜較佳為霧度值為1.0%以下，更佳為0.30以下，再更佳為0.20以下。由於霧度值越小透明性越良好故較佳。霧度值係藉由前述微粒子之二次粒子及一次粒子的平均粒徑、微粒子的添加量等進行調整。
霧度值係重疊偏光板保護薄膜3片，依照ASTM-D1003-52(ASTM規格)，使用東京電色工業(股)製T-260DA測定。
<透濕度>
本發明之偏光板保護薄膜較佳為透濕度為100~400g/m2．24h的範圍內。
透濕度為前述的範圍內時，安定且易進行偏光板的製造。
透濕度係於溫度40℃、相對濕度90%的環境下藉由JIS Z 0208測定時之值。
<光學特性> <相位差值>
本發明之偏光板保護薄膜，較佳為前述偏光板保護薄膜以下述式(I)所定義之面內方向的相位差值RO(nm) 及以下述式(II)所定義之厚度方向的相位差值Rt(nm)，滿足下述式(III)及下述式(IV)。
式(I)RO=(nx-ny)×d
式(II)Rt={(nx+ny)/2-nz}×d
式(III)|RO|≦10nm
式(IV)|Rt|≦10nm
(式(I)~(IV)中，Ro及Rt係於溫度23℃、相對濕度55%的環境下以波長590nm的光所測定之相位差值。
nx為前述偏光板保護薄膜之於薄膜面內之滯相軸方向的折射率。ny係前述偏光板保護薄膜之於薄膜面內之進相軸方向的折射率。nz係前述光學薄膜之膜厚方向的折射率。d係前述偏光板保護薄膜的膜厚(nm))。
薄膜之面內方向的相位差值(RO)與厚度方向的相位差值(Rt)係使用自動雙折射率計Aksoscan(Axo Scan Mueller Matrix Polarimeter：Axometrics公司製)，於23℃．55%RH的環境下，在590nm之波長進行三次元折射率測定，可從所得之折射率nx、ny、nz算出。
本發明之偏光板保護薄膜的膜厚較佳為5~40μm。更佳為5~30μm以下，再更佳為5~20μm以下。如此，本發明之偏光板保護薄膜可進行薄膜化。於此，所謂偏光板保護薄膜的膜厚係意指薄膜之平均膜厚。
<偏光板保護薄膜之各種添加劑>
本發明之偏光板保護薄膜中，以賦予各式各樣功能為目的，可含有各種添加劑。
可適用在本發明之添加劑並未特別限制，於不損害本發明之目的效果的範圍，例如可使用紫外線吸收劑、可塑劑、劣化抑制劑、消光劑、相位差上昇劑、波長分散改良劑等。
針對可適用在本發明之保護薄膜之代表性添加劑示於以下。
<紫外線吸收劑>
本發明之偏光板保護薄膜中可含有紫外線吸收劑。
作為紫外線吸收劑，例如雖可列舉氧基二苯甲酮系化合物、苯并三唑系化合物、水楊酸酯系化合物、二苯甲酮系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物、鎳錯鹽系化合物等，但較佳為著色較少之苯并三唑系化合物。又，亦優選使用日本特開平10-182621號公報、日本特開平8-337574號公報所記載之紫外線吸收劑、日本特開平6-148430號公報所記載之高分子紫外線吸收劑。作為紫外線吸收劑，從偏光子或有機EL元件之抗劣化的觀點來看，波長370nm以下之紫外線的吸收能優異，且從有機EL元件之顯示性的觀點來看，具備波長400nm以上之可見光的吸收較少的特性故較佳。
作為有用於本發明之苯并三唑系紫外線吸收 劑，例如雖可列舉2-(2’-羥基-5’-甲基苯基)苯并三唑、2-(2’-羥基-3’,5’-二-t-丁基苯基)苯并三唑、2-(2’-羥基-3’-t-丁基-5’-甲基苯基)苯并三唑、2-(2’-羥基-3’,5’-二-t-丁基苯基)-5-氯苯并三唑、2-[2’-羥基-3’-(3”,4”,5”,6”-四氫苯二甲醯亞胺(phthalimide)甲基)-5’-甲基苯基]苯并三唑、2,2-亞甲基雙[4-(1,1,3,3-四甲基丁基)-6-(2H-苯并三唑-2-基)酚]、2-(2’-羥基-3’-t-丁基-5’-甲基苯基)-5-氯苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(直鏈及側鏈十二烷基)-4-甲基酚、辛基-3-[3-t-丁基-4-羥基-5-(氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯與2-乙基己基-3-[3-t-丁基-4-羥基-5-(5-氯-2H-苯并三唑-2-基)苯基]丙酸酯之混合物等，但並非被限定於此等。
又，作為市售品，可優選使用「TINUVIN109」、「TINUVIN171」、「TINUVIN326」、「TINUVIN328」(以上為BASF日本公司製)。
紫外線吸收劑的添加量相對於氫化降莰烯系樹脂，較佳為0.1~5.0質量%的範圍內，更佳為0.5~5.0質量%的範圍內。
<可塑劑>
一般而言，偏光板保護薄膜缺乏柔軟性，施加彎曲應力或剪斷應力在薄膜時，於薄膜易產生破裂等。又，作為偏光板保護薄膜進行加工時，於切斷部容易破裂，易產生 切屑。所產生之切屑污染偏光板保護薄膜，成為光學性缺陷的原因。為了改善此等之問題點，可於偏光板保護薄膜含有可塑劑。
作為可塑劑，具體而言，例如可列舉苯二甲酸酯系化合物、偏苯三酸酯系化合物、脂肪族二元酸酯系化合物、糖酯系化合物、正磷酸酯系化合物、乙酸酯系化合物、聚酯．環氧化酯系化合物、蓖麻油酸酯系化合物、聚烯烴系化合物、聚乙二醇系化合物等。
又，較佳為選擇自於常溫、常壓為液狀，且沸點為200℃以上之化合物。作為具體之化合物名，例如可列舉脂肪族二元酸酯系、苯二甲酸酯系、聚烯烴系化合物。
將脂肪族二元酸酯系化合物、糖酯系化合物含在偏光板保護薄膜，從使氫化降莰烯系樹脂之配向緩和，可降低相位差值的觀點來看更佳。作為可塑劑的添加量，相對於氫化降莰烯系樹脂，較佳為0.5~40.0質量%的範圍內，更佳為1.0~30.0質量%的範圍內，特佳為3.0~20.0質量%的範圍內。可塑劑的添加量為0.5質量%以上時，可塑效果充分且提昇加工適性。又，為40質量%以下時，可抑制在經過長時間的情況之可塑劑的分離溶出，可更確實抑制光學性不均、對其他零件的污染等。
<抗劣化劑>
本發明之保護薄膜中可含有抗劣化劑、例如、抗氧化 劑、過氧化物分解劑、自由基阻聚劑、金屬鈍化劑、酸捕獲劑、胺類等。
針對抗劣化劑，例如於日本特開平3-199201號公報、同5-197073號公報、同5-194789號公報、同5-271471號公報、同6-107854號公報等有記載。
抗劣化劑的添加量從表現藉由抗劣化劑的添加之效果，抑制對薄膜表面之抗劣化劑的滲出(Bleed out)的觀點來看，較佳為用在偏光板保護薄膜的製作之塗料(氫化降莰烯系樹脂溶液)的0.01~1質量%的範圍內，更佳為0.01~0.2質量%的範圍內。
作為特佳抗劣化劑之例，可列舉丁基化羥基甲苯(簡稱：BHT)、三苄基胺(簡稱：TBA)。
其次，針對本發明之偏光板保護薄膜的製造方法進行說明。
本發明之偏光板保護薄膜雖以溶液流延法或熔融流延法製造，但從以溶液流編法製造，易製得薄膜之偏光板保護薄膜，且面品質良好的觀點來看較佳。
以下，針對於溶液流延法的製造方法進行描述。
本發明之偏光板保護薄膜的製造係藉由下述步驟來進行：使氫化降莰烯系樹脂、前述聚合性化合物溶解在溶劑調製塗料之步驟、將塗料流延至無限轉移之無端金屬支持體上之步驟、將經流延之塗料作為捲筒進行乾燥之步驟、從金屬支持體剝離之步驟、保持拉伸或寬度之步 驟、進而進行乾燥之步驟、捲取經拋光之薄膜之步驟。
針對調製塗料之步驟進行描述。塗料中之氫化降莰烯系樹脂、前述聚合性化合物的溶解濃度，較濃者可減低流延至金屬支持體後之乾燥負荷雖較佳，但濃度過濃時增加過濾時之負荷，惡化過濾精度。
作為兼具此等之濃度，較佳為10~35質量%，更佳為15~25質量%。
於塗料所使用之溶劑雖可單獨使用亦可併用2種以上，但混合纖維素酯之良溶劑與貧溶劑使用，於生產效率的點來看較佳，良溶劑較多者，從氫化降莰烯系樹脂之溶解性的點來看較佳。
良溶劑與貧溶劑之混合比率的較佳範圍係良溶劑為70~98質量%，貧溶劑為2~30質量%。所謂良溶劑、貧溶劑，係將使用之氫化降莰烯系樹脂以單獨溶解者定義為良溶劑，將以單獨膨潤或未溶解者定義為貧溶劑。
本發明所使用之良溶劑雖並未特別限定，但可列舉二氯甲烷等之有機鹵素化合物或二氧戊烷類、丙酮、乙酸甲酯、乙醯乙酸甲酯等。特佳可列舉二氯甲烷或乙酸甲酯。
又，本發明所使用之貧溶劑雖並未特別限定，但例如優選使用甲醇、乙醇、n-丁醇、環己烷、環己酮等。又，塗料中較佳為含有0.01~2質量%的水。
又，氫化降莰烯系樹脂、前述聚合性化合物以及添加劑之溶解所使用之溶劑，係於薄膜製膜步驟藉由 乾燥從薄膜回收經去除之溶劑，再利用此來使用。
作為調製上述記載之塗料時之氫化降莰烯系樹脂的溶解方法，可使用一般之方法。組合加熱與加壓時，可加熱至在常壓之沸點以上。
以於溶劑之常壓的沸點以上且加壓下溶劑未沸騰之範圍的溫度邊進行加熱邊攪拌溶解時，由於防止被稱為凝膠或切屑之塊狀未溶解物的發生故較佳。又，亦優選使用將纖維素酯與貧溶劑進行混合使其濕潤或膨潤後，進而添加良溶劑進行溶解之方法。
其次，將此氫化降莰烯系樹脂、前述聚合性化合物以及添加劑溶液使用濾紙等之適當過濾材進行過濾。
作為過濾材，為了去除不溶物等，雖然絕對過濾精度較小者較佳，但絕對過濾精度過小時，有易發生過濾材之堵塞的問題。
因此，較佳為絕對過濾精度0.008mm以下之濾材，更佳為0.001~0.008mm之濾材，再更佳為0.003~0.006mm之濾材。
濾材之材質並未特別限制，雖可使用通常之濾材，但聚丙烯、鐵氟龍(註冊商標)等之塑膠製之濾材、或不銹鋼等之金屬製之濾材，無纖維之脫落等故較佳。
較佳為藉由過濾，去除、減低原料之氫化降莰烯系樹脂所包含之雜質，尤其是亮點異物。
所謂亮點異物，係將2片偏光板成為正交偏光鏡(Cross Nicole)狀態來配置，其間放置輥狀纖維素酯，從一個偏光板之側照到光，從另一個偏光板之側觀察時，來自相反側之光漏出，係看得到之點(異物)，較佳為直徑為0.01mm以上之亮點數為200個/cm2以下。
更佳為100個/cm2以下，再更佳為50個/m2以下，又再更佳為0~10個/cm2以下。又，亦以0.01mm以下之亮點較少者較佳。
塗料之過濾雖可用通常之方法進行，但以於溶劑之常壓的沸點以上，且加壓下溶劑未沸騰之範圍的溫度邊進行加熱邊過濾之方法，縮小過濾前後之濾壓的差(稱為差壓)的上昇，故較佳。
較佳溫度為45~120℃，更佳為45~70℃，再更佳為45~55℃。
濾壓以較小者較佳。濾壓較佳為1.6MPa以下，更佳為1.2MPa以下，再更佳為1.0MPa以下。
其次，針對塗料之流延進行說明。
在流延(Cast)步驟之金屬支持體較佳為鏡面拋光表面者，作為金屬支持體，優選使用以不銹鋼帶或鑄件鍍敷拋光表面之捲筒。流延的寬度可成為1~4m。
流延步驟之金屬支持體的表面溫度以-50℃~未滿溶劑之沸點的溫度，溫度較高者由於可加速捲筒之乾燥速度，雖較佳但太過高時，有捲筒發泡、或平面性劣化的情況。較佳支持體溫度為0~40℃→0~50℃，更佳為5 ~30℃。
或藉由冷卻，凝膠化捲筒以大量包含殘留溶劑的狀態從捲筒剝離亦為較佳方法。
調控金屬支持體之溫度的方法雖並未特別限制，但有吹送溫風或冷風之方法、或使溫水與金屬支持體的內側接觸之方法。
由於使用溫水者有效率地進行熱之傳達，金屬支持體之溫度成為一定為止的時間較短故較佳。使用溫風的情況下，有使用較目的溫度更高之溫度的風的情況。
由於輥狀之偏光板保護薄膜顯示良好之平面性，從金屬支持體剝離捲筒時之殘留溶劑量較佳為10~150質量%。
在本發明，殘留溶劑量係以下述式定義。
殘留溶劑量(質量%)={(M-N)/N}×100
尚，M為將捲筒或薄膜於製造中或製造後之任意時間點採取之樣品的質量，N為將M於115℃加熱1小時後之質量。
又，在輥狀之偏光板保護薄膜的乾燥步驟，較佳為將捲筒從金屬支持體剝離，進而進行乾燥，將殘留溶劑量成為1質量%以下，更佳為0.1質量%以下，特佳為0~0.01質量%以下。
於薄膜乾燥步驟，一般係採用以輥乾燥方式(將上下所配置之多數輥交替通過捲筒進行乾燥之方式)、或拉幅方式邊搬運捲筒邊乾燥之方式。
為了製作本發明之偏光板保護薄膜，特佳為由金屬支持體以剛剝離後之捲筒的殘留溶劑量較多處拉伸至運輸方向(=長度方向)，進而將捲筒之兩端以夾具等把持之拉幅方式拉伸至寬度方向來進行。
<表面處理>
上述保護薄膜當中配置在外側之保護薄膜(外側保護薄膜)，可於其表面實施任意之適當表面處理。例如作為上述保護薄膜，可直接使用實施表面處理之市售的高分子薄膜。或、亦可使用於市售之高分子薄膜實施任意之表面處理。作為表面處理，可列舉防眩處理、擴散處理(防眩(Anti Glare)處理)、抗反射處理(防反射處理)、硬塗處理、防靜電處理等。作為防眩處理方法，可使用任意之適當方法。例如藉由以壓花加工、噴砂加工或蝕刻加工等之適當方式，賦予表面微細凹凸構造等，可用擴散表面反射光之適當方式形成。
<偏光板保護薄膜之特性>
作為本發明之偏光板保護薄膜，其特徵雖為使用含有氫化降莰烯系樹脂之薄膜，但可為未拉伸之薄膜，亦可為單軸拉伸之薄膜。
<偏光子>
作為本發明所使用之偏光子，可使用任意之適當偏光 子。例如可列舉於聚乙烯醇系薄膜、部分形式化聚乙烯醇系薄膜、乙烯．乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等之親水性高分子薄膜，吸附碘或二色性染料等之二色性物質，單軸拉伸者、聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫鹽酸處理物等聚烯系配向薄膜等。此等當中，特佳為於聚乙烯醇系薄膜使碘等之二色性物質吸附，經單軸拉伸之偏光子，偏光二色比較高。此等偏光子的厚度並未特別限制，一般而言，為1~80μm左右。
於聚乙烯醇系薄膜使碘吸附且經單軸拉伸之偏光子，例如可藉由將聚乙烯醇浸漬在碘之水溶液進行染色，藉由拉伸至元長度的3~7倍來製得。如有必要可包含硼酸或硫酸鋅、氯化鋅等，亦可浸漬在碘化鉀等之水溶液。進而，如有必要可於染色之前將聚乙烯醇系薄膜浸漬在水進行水洗。
藉由水洗聚乙烯醇系薄膜，不僅可洗淨聚乙烯醇系薄膜表面的污穢或抗結塊劑，亦有藉由使聚乙烯醇系薄膜膨潤，防止染色之不均等之不均勻的效果。拉伸可於以碘染色後進行，亦可邊染色邊拉伸。又，拉伸後可用碘染色。於硼酸或碘化鉀等之水溶液中或水浴中亦可拉伸。
於本發明使用之偏光子較佳為滿足0.030≦Rpva≦0.040。於此，Rpva係在波長1000nm，將於偏光子之面內折射率成為最大之方向的折射率定為nx，將該折射率與於成為最大之方向垂直之方向的折射率定為ny， 以Rpva=nx-ny表示。Rpva更佳為0.030≦Rpva≦0.039，特佳為0.030≦Rpva≦0.035。推定藉由增大無助於偏光子中之配向的(代表性為配向性較低)結晶量，滿足這般的特性。若Rpva為這般範圍之偏光子，在高溫高濕環境下可具有優異之尺寸安定性及光學的耐久性。其結果，該偏光子即使是僅於偏光子之單側，使用在設置偏光板保護薄膜之偏光板的情況下，難以以引起尺寸變化及光學特性的劣化，可實現實用上可容許之尺寸安定性及光學的耐久性。
於本發明使用之偏光子，係二色比DR較佳為160以上，更佳為160~220，特佳為170~210，最佳為175~185。若二色比DR為這般的範圍，藉由使用本發明之偏光板，可得到正面對比較高之液晶面板及液晶顯示裝置。這般的液晶面板及液晶顯示裝置例如適合在電視用途。尚，二色比DR可由下述之式求得。
二色比DR=log(0.919/k2)/log(0.919/k1)
於此，k1係偏光子之透過軸方向的透過率，k2係偏光子之吸收軸方向的透過率，定數0.919為界面反射率。
於本發明使用之偏光子係透過率(單體透過率)Ts較佳為42%以上，更佳為42.~44.0%的範圍，特佳為42.5~43.0%的範圍。若透過率Ts為這般的範圍，藉由使用本發明之偏光板，可得到亮度較高之液晶面板或液晶顯示裝置。這般的液晶面板及液晶顯示裝置例如適合在電視用途。尚，偏光板之透過率可從以下之式求得。
透過率={(k1+k2)/2}×100[%]
於此，k1係偏光子之透過軸方向的透過率，k2係偏光子之吸收軸方向的透過率。
於本發明使用之偏光子係如上述，可使用將含有碘或二色性染料等之二色性物質之聚乙烯醇(PVA)系樹脂作為主成分之偏光子。
於本發明使用之偏光子的碘含量較佳為1.8~5.0質量%，更佳為2.0~4.0質量%。藉由將碘含量定為上述的範圍，而得到較佳範圍之透過率的偏光板，可得到正面方向之對比比較高之液晶顯示裝置。
於本發明使用之偏光子的硼酸含量以硼換算較佳為0.5~3.0質量%，更佳為1.0~2.8質量%，特佳為1.5~2.6質量%。如上述，根據本發明，可得到不增量硼酸量，在加濕環境下具有優異之尺寸安定性及光學的耐久性的偏光子。
於本發明使用之偏光子較佳為可進一步含有鉀。上述鉀含量較佳為0.2~1.0質量%，更佳為0.3~0.9質量%，特佳為0.4~0.8質量%。藉由將鉀含量定為上述範圍，可得到具有較佳範圍之透過率，且偏光度較高之偏光板。
上述偏光子之透過軸方向的線膨脹係數並未特別限制，可成為任意之適當值。例如使用將含有二色性物質之聚乙烯醇(PVA)系樹脂作為主成分之偏光子的情 況下，偏光子之透過軸方向的線膨脹係數可成為4.0×10-5~5.0×10-5/℃。
<偏光板>
本發明之偏光板保護薄膜可與偏光子組合作為偏光板。偏光板係具有偏光子、與設置於該偏光子的兩側之偏光板保護薄膜，該偏光板保護薄膜之至少一側為本發明之偏光板保護薄膜。偏光板保護薄膜較佳為與具有光散射層或抗反射層之側相反側之透明支持體的表面，亦即對於與偏光子貼合側的表面之水的接觸角為10~50度的範圍。例如可於本發明之偏光板保護薄膜的單面設置黏著層，配置在顯示器之最表面。
圖1係藉由本發明之較佳實施形態之偏光板的概略截面圖。在圖1之實施形態，偏光板101係具備偏光子10與配置在該偏光子10之兩側的面之偏光板保護薄膜20、30。該偏光子10與該偏光板保護薄膜20、30透過任意之接著層(未圖示)貼合。
<其他層>
本發明之偏光板可進一步具有其他層。作為其他層，例如可列舉抗反射層、防靜電層、相位差層、亮度向上薄膜層、黏著劑層等。在一個實施形態，本發明之偏光板係透過該黏著劑層與液晶晶胞貼合。該黏著劑層在23℃之儲藏彈性率較佳為8.0×104以上未滿1.0×107，更佳為 1.0×105~8.0×106。其他層因應目的或用途、本發明之偏光板所使用之液晶顯示裝置的構成等，選擇任意之適當層即可，數量、種類、位置、配置等可適當設定。
<顯示裝置>
本發明之偏光板保護薄膜、或具有上述之本發明之偏光板保護薄膜的偏光板，可使用在液晶顯示裝置(LCD)、電漿顯示面板(PDP)、電致發光顯示器(ELD)或陰極管顯示裝置(CRT)等之各種顯示裝置。本發明之偏光板保護薄膜或偏光板較佳為配置在圖像顯示裝置之顯示畫面的目視側。
<液晶顯示裝置>
本發明之偏光板保護薄膜或偏光板，特佳為使用在液晶顯示裝置等之顯示器的最表層。液晶顯示裝置係具有液晶晶胞及配置於其兩側之2片偏光板，液晶晶胞係於2片電極基板之間載持液晶。進而，光學異向性層亦有於液晶晶胞與一側之偏光板之間配置1片、或於液晶晶胞與雙方之偏光板之間配置2片的情況。
液晶晶胞較佳為TN模式、VA模式、OCB模式、IPS模式或ECB模式。
於TN模式之液晶晶胞，於無施加電壓時棒狀液晶性分子實質上進行水平配向，進而扭曲成60~120°進行配向。
TN模式之液晶晶胞係作為彩色TFT液晶顯示裝置被最多利用，多數之文獻有記載。
於VA模式之液晶晶胞，於無施加電壓時棒狀液晶性分子實質上進行垂直配向。
VA模式之液晶晶胞中，除了(1)將棒狀液晶性分子於無施加電壓時實質上垂直配向，施加電壓時實質上水平配向之狹義的VA模式之液晶晶胞(日本特開平2-176625號公報記載)，亦包含(2)由於可視角擴大，多域化VA模式之(MVA模式之)液晶晶胞(SID97、Digest of Tech.Papers(會議實錄)28(1997)845記載)、(3)將棒狀液晶性分子於無施加電壓時實質上垂直配向，施加電壓時扭曲多域配向之模式(n-ASM模式)的液晶晶胞(日本液晶討論會之會議實錄58~59(1998)記載)及(4)SURVAIVAL模式之液晶晶胞(於LCDInternationa198發表)。
OCB模式之液晶晶胞係將棒狀液晶性分子以液晶晶胞之上部與下部實質上相反方向(對稱性)配向之彎曲配向模式的液晶晶胞，揭示在美國專利第4583825號、同5410422號之各說明書。由於棒狀液晶性分子係以液晶晶胞之上部與下部對稱性配向，彎曲配向模式之液晶晶胞具有自我光學補償功能。因此，此液晶模式被稱為OCB(Optically Compensatory Bend)液晶模式。彎曲配向模式之液晶顯示裝置有回應速度快速的優勢。
IPS模式之液晶晶胞係於向列型液晶施加橫向 電場進行切換之方式，詳細記載於Proc.IDRC(Asia Display 1995),p.577-580及同p.707-710。
ECB模式之液晶晶胞係於無施加電壓時棒狀液晶性分子實質上進行水平配向。ECB模式為具有最單純構造之液晶顯示模式之一，例如詳細記載於日本特開平5-203946號公報。
<電漿顯示面板(PDP)>
電漿顯示面板(PDP)一般藉由氣體、玻璃基板、電極、電極引線材料、厚膜印刷材料、螢光體構成。玻璃基板係前面玻璃基板與後面玻璃基板的2片。2片玻璃基板中形成電極與絕緣層。後面玻璃基板中進而形成螢光體層。組裝2片玻璃基板，於其間封入氣體。
電漿顯示面板(PDP)可使用既已市售者。針對電漿顯示面板，於日本特開平5-205643號、同9-306366號之各公報有記載。
有將前面板配置在電漿顯示面板之前面的情況。前面板較佳為為了保護電漿顯示面板，而具備充分之強度。前面板亦可放置在電漿顯示面板與間隙來使用，亦可直接貼附在電漿顯示器本體來使用。
於如電漿顯示面板之圖像顯示裝置，可將光學過濾器直接貼附在顯示器表面。又，於顯示器之前設置前面板的情況下，於前面板之表側(外側)或內側(顯示器側)亦可貼附光學過濾器。
<有機EL元件>
本發明之偏光板保護薄膜可作為有機EL元件等之基板(基材薄膜)或保護薄膜使用。將本發明之偏光板保護薄膜使用在有機EL元件等的情況下，可應用日本特開平11-335661號、日本特開平11-335368號、日本特開2001-192651號、日本特開2001-192652號、日本特開2001-192653號、日本特開2001-335776號、日本特開2001-247859號、日本特開2001-181616號、日本特開2001-181617號、日本特開2002-181816號、日本特開2002-181617號、日本特開2002-056976號等之各公報記載之內容。又，較佳為合併使用日本特開2001-148291號、日本特開2001-221916號、日本特開2001-231443號之各公報記載的內容。
(觸控面板)
上述之透明導電性薄膜適合於觸控面板用途，例如，可依照日本特開2009-176608號公報段落[0073]~[0075]之記載，製作觸控面板。
有關本發明之觸控面板係藉由組入液晶顯示器、電漿顯示器、有機EL顯示器、CRT顯示器、電子紙等之顯示裝置等，可作為輸入裝置利用。藉由利用有關本發明之觸控面板，可抑制干擾不均的發生，且可成為良好顏色之觸控面板。
針對觸控面板之構成，有電阻膜型、靜電容量型等，靜電容量型之輸入裝置，由於有單於1片基板形成透光性導電膜即可之優勢，故較佳為靜電容量型。於該靜電容量型之輸入裝置，例如作為前述透明電極層，於彼此交叉之方向延在電極圖型，以指等接觸時，檢知電極間之靜電容量變化，可優選使用檢出輸入位置之型者。針對這般觸控面板的構成，例如可參酌日本特開2010-86684號公報、日本特開2010-152809號公報、日本特開2010-257492號公報等之記載。
針對將觸控面板作為構成要素所具備之圖像顯示裝置的構成，可適合使用『最新觸控面板技術』(2009年7月6日發行(股)Techno Times)、三谷雄二監修、“觸控面板之技術與開發”、CMC出版(2004,12)、FPD International 2009 Forum T-11演講教科書、Cypress Semiconductor Corporation Application noteAN2292等所揭示之構成。
又，針對可組入觸控面板之液晶顯示器的構成，亦可參酌日本特開2002-48913號公報等之記載。
〔實施例〕
以下，雖列舉實施例具體說明本發明，但本發明並非被限定於此等者。尚，在實施例，雖使用「%」之表示，但除非另有說明係表示「質量%」。
實施例1 [偏光板保護薄膜(以下，單稱為「保護薄膜」)] <保護薄膜101之製作> (微粒子分散液a之調製)
將乙醇90質量份投入密閉容器，邊攪拌邊加入10質量份之表1所記載之氧化矽微粒子a(日本Aerosil(股)製)。然後用溶解器攪拌混合50分鐘後，藉由將前述2000g之混合液通過高壓分散裝置(商品名：超高壓均質機M110-E/H、Microfluidics Corporation製)，以175MPa進行1次處理，調製微粒子分散液a。
(微粒子添加液A之調製)
將所得之微粒子分散液a邊充分攪拌邊緩慢添加放入二氯甲烷之密閉容器。進而，在超微研磨機進行分散。將此用日本精線(股)製之Fine Met NF進行過濾，調製微粒子添加液A。
調製下述組成之主塗料。首先於加壓溶解槽添加二氯甲烷與乙醇。於加入溶劑之加壓溶解槽邊攪拌氫化降莰烯系樹脂邊投入。將此加熱邊攪拌邊完全溶解。將此使用安積濾紙(股)製之安積濾紙No.244進行過濾，調製主塗料(第一次之主塗料調製)。
(主塗料之組成)
將以上投入密閉容器，邊攪拌邊溶解來調製塗料。其次，使用無端帶流延裝置，將塗料於溫度33℃，以1500mm寬度均勻流延至不銹鋼帶支持體上。不銹鋼帶之溫度調控在30℃。
於不銹鋼帶支持體上使經流延(Cast)之薄膜中之殘留溶劑量成為100%為止讓溶劑蒸發，其次，以剝離張力130N/m從不銹鋼帶支持體上剝離。
將經剝離之保護薄膜邊施以160℃的熱邊使用拉幅往寬度方向拉伸5%。拉伸開始時之殘留溶劑為30%。
其次，將乾燥區邊以多數輥運輸邊結束乾燥。乾燥溫度為130℃，運輸張力成為90N/m。
如以上進行，而得到乾燥膜厚20μm之混合用之保護薄膜101A。
其次，使用前述混合用之保護薄膜101A及新的氫化降莰烯系樹脂I，將第二次之主塗料調製如下述般進行。
(主塗料之組成)
將以上投入密閉容器，邊攪拌邊溶解來調製塗料。其次，使用無端帶流延裝置，將塗料於溫度33℃，以1500mm寬度均勻流延至不銹鋼帶支持體上。不銹鋼帶之溫度調控在30℃。
於不銹鋼帶支持體上使經流延(Cast)之薄膜中之殘留溶劑量成為100%為止讓溶劑蒸發，其次，以剝離張力130N/m從不銹鋼帶支持體上剝離。
將經剝離之保護薄膜邊施以160℃的熱邊使用拉幅往寬度方向拉伸5%。拉伸開始時之殘留溶劑為30%。
其次，將乾燥區邊以多數輥運輸邊結束乾燥。乾燥溫度為130℃，運輸張力成為90N/m。
如以上進行，而得到乾燥膜厚20μm之混合用之保護薄膜101。
以下，除了將混合用之保護薄膜的添加率、氫化降莰烯系樹脂的種類、在第一次之塗料調製對於微粒子添加液之氫化降莰烯系樹脂的添加比率(質量%)、可塑劑的種類如表1及表2所示的方式變更之外，其他與保護 薄膜101同樣進行，製作保護薄膜102~123。惟，在第二次之主塗料的調整之微粒子添加液的添加量(質量份)，微粒子的總質量(混合用之保護薄膜中之微粒子的質量、與新添加之微粒子添加液中之微粒子之質量的合計)相對於氫化降莰烯系樹脂的總質量(混合用之保護薄膜中之氫化降莰烯系樹脂的質量、與新添加之氫化降莰烯系樹脂之質量的合計)的比率(質量%)，以與添加液中之微粒子之質量相對於在第一次之主塗料調製之氫化降莰烯系樹脂之質量的比率(質量%)成為相同的方式進行調整。
尚，可塑劑A、B、C係相對於氫化降莰烯系樹脂100質量份，以可塑劑10質量份的比例添加。
(樹脂)
I：氫化降莰烯系樹脂JSR(股)製ARTON(註冊商標)(G7810)
II：氫化降莰烯系樹脂JSR(股)製ARTON(註冊商標)(RX4500)
III：三乙醯基纖維素 伊士曼化工(股)製CTA
(可塑劑A之調製)
將乙二醇62g、己二酸144g、苯甲酸30g、作為酯化觸媒之四異丙基鈦酸酯0.181g投入具備溫度計、攪拌器、緩急冷卻管之2L四口燒瓶，氮氣流中至230℃為止，邊攪拌邊緩緩昇溫。脫水縮合反應15小時，反應結 束後，於200℃藉由減壓餾除未反應之1,2-丙二醇，而得到作為可塑劑A之聚酯。酸價為0.10mgKOH/g，數平均分子量(Mn)為1900。
(可塑劑B之調製)
將1,6-己烷二醇60g、癸二酸101g、苯甲酸122g、作為酯化觸媒之四異丙基鈦酸酯0.191g投入具備溫度計、攪拌器、緩急冷卻管之2L四口燒瓶，氮氣流中至230℃為止，邊攪拌邊緩緩昇溫。脫水縮合反應15小時，反應結束後，於200℃藉由減壓餾除未反應之1,2-丙二醇，而得到作為可塑劑B之聚酯。酸價為0.10mgKOH/g，數平均分子量(Mn)為600。
[評估]
微粒子之一次粒子與二次粒子之平均粒徑如下述般進行測定。
<添加液中之微粒子(一次粒子)之平均粒徑與相對標準偏差>
將經調製之氧化矽微粒子添加液塗佈、乾燥於玻璃板，以透過型電子顯微鏡(倍率1萬~10萬倍)拍攝微粒子。
將所得之圖像在柯尼卡美能達公司製平頭掃描器Sitios9231進行電子數據化，使用圖像解析軟體ImagePro Plus，進行平均一次粒徑的測定。平均一次粒徑係使用具有與粒子投射面積同等面積之圓的直徑表示的當量圓直徑。又，從此數據算出相對標準偏差。
尚，為了從以掃描器讀取之圖像進行解析，藉由強調微粒子之圖像的對比，以圖像解析軟體可認識微粒子的方式進行過濾器處理。進而，藉由變更此過濾器條件，進行對比之最適化。
於此，過濾器處理係使用中位數3×3，其次平坦化20像素，其次高通3×3，其次中位數3×3。
其次，從最適化上述對比之圖像取出粒子，將各個一次粒子的形狀以圖像解析軟體測定，測定一次粒子之平均粒徑。
<薄膜中之微粒子(二次粒子)的平均粒徑與標準偏差>
將含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜的樣品以環氧樹脂包埋後，藉由超薄切片機製作約100nm厚之超薄切片，藉由日本電子製透過型電子顯微鏡2000FX (加速電壓：200kV)拍攝2500~10000倍之TEM圖像。
將所得之圖像在柯尼卡美能達製平頭掃描器(Sitios9231)進行電子數據化，使用圖像解析軟體ImagePro Plus，進行薄膜中之平均粒徑的測定。
薄膜中之平均粒徑係計算具有與粒子投射面積同等面積之以圓的直徑表示的當量圓直徑。
尚，為了從以掃描器讀取之圖像進行解析，藉由強調微粒子之圖像的對比，以圖像解析軟體可認識微粒子的方式進行過濾器處理。進而，藉由變更此過濾器條件，進行對比之最適化。
於此，過濾器處理係使用中位數3×3，其次平坦化20像素，其次高通3×3，其次中位數3×3。
其次，從最適化上述對比之圖像取出二次粒子，將各個二次粒子的形狀以圖像解析軟體測定，測定平均粒徑。
針對保護薄膜之各特性即<峰值密度>、<透濕度>、<面內方向之相位差值RO(nm)>、<厚度方向之相位差值Rt(nm)>及<霧度>係以前述記載之方法測定。
<動摩擦係數>
保護薄膜表面與內面間之動摩擦係數係依照JIS K 7125(ISO8295)，以接觸薄膜之表內面的方式切出，載上200g之重力，以樣品移動速度100mm/分鐘、接觸面積80mm×200mm的條件將重力拉向水平，重力係測定移動中 之平均荷重(F)，由下述式求得動摩擦係數(μ)。將此定為易滑性之尺度。
動摩擦係數=F(gf)/重力的重量(gf)
<平面性>
將捲取之保護薄膜原始樣品以35℃、80%RH的條件下保存10日。將薄膜原始樣品捲出500m，以1m之長度進行取樣，使點燈在薄膜樣品表面之螢光燈管反射映出，觀察其扭曲或微細紊亂，將平面性排名分成下述水準。
○：於畫面的表面觀察到映出螢光燈時，觀察到螢光燈無扭曲很清楚。
△：於畫面的表面觀察到映出螢光燈時，觀察到螢光燈少許扭曲。使用上沒問題之水準。
×：於畫面的表面觀察到映出螢光燈時，觀察到螢光燈激烈激扭曲。使用上有問題之水準。
針對保護薄膜101~123，評估此等之項目。
結合保護薄膜之構成與上述評估結果示於表1及表2。
如表2之結果所示，瞭解到本發明之保護薄膜係無霧度的劣化，動摩擦係數大(易滑性良好)。
於圖2表示偏光板保護薄膜編號110(比較例)之電子顯微鏡照片。於圖3表示保護薄膜編號101(本發明)之電子顯微鏡照片。
實施例2 <偏光板301~326之製作>
於偏光子1一側的面(A面)透過PVA系接著劑，以成為與偏光子1之透過軸平行的方向的方式貼合保護薄膜101，於偏光子1之另一側的面(B面)貼合下述保護薄膜203而得到偏光板301。如表3所記載，除了組合保護薄膜及偏光子之外，其他與偏光板301同樣進行，製作偏光板302~偏光板326。
保護薄膜201
(聚萘二甲酸乙二酯薄膜、TEONEXQ83(商品名)(杜邦帝人公司製)、厚度：40μm)
保護薄膜202
(聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、MRF40(商品名)(三菱樹脂公司製)厚度：25μm)
保護薄膜203
(三乙醯基纖維素薄膜、KC4UAW(商品名)柯尼卡美能達公司製、厚度：40μm)
保護薄膜204
(三乙醯基纖維素薄膜、KC2UAW(商品名)柯尼卡美能達公司製、厚度：25μm)
[偏光子1]
準備聚合度2400、皂化度99.7莫耳%、厚度75μm之PVA系樹脂薄膜。邊將該薄膜於30℃之碘水溶液中染色邊往薄膜運輸方向拉伸至3倍，其次，於60℃之4質量%硼酸、5質量%之碘化鉀水溶液中，以總拉伸倍率成為元長度6倍的方式進行拉伸。進而，藉由將經拉伸之薄膜浸漬數秒於30℃之2質量%的碘化鉀水溶液中進行洗淨。將所得之拉伸薄膜於90℃乾燥而得到偏光子。
針對偏光板301~324進行下述之評估。
[評估] <平面性>
將各偏光板配置至螢光燈之下，使點燈在表面之螢光燈管反射映出，觀察其扭曲或微細紊亂，將平面性排名分成下述水準。
○：於畫面的表面觀察到映出螢光燈時，觀察到螢光燈無扭曲很清楚。
△：於畫面的表面觀察到映出螢光燈時，觀察到螢光燈少許扭曲。使用上沒問題之水準。
×：於畫面的表面觀察到映出螢光燈時，觀察到螢光燈激烈激扭曲。使用上有問題之水準。
<偏光度濕熱耐久性>
針對各偏光板，測定於60℃ 90%RH放置500小時後之偏光度。評估基準係如下述。
○：偏光度為99.7%以上
△：偏光度為99.2%以上未滿99.7%
×：偏光度未滿99.2%
上述之偏光度係以下述之方法算出。
使用分光光度計(村上色彩技術研究所製DOT-3)，測定1片偏光板之透過率(單體透過率)。又，使用同樣之分光光度計，測定2片相同之偏光板以兩者之透過軸成為平行的方式重疊時之透過率(平行透過率：H0)、及以兩者之透過軸成為垂直的方式重疊時之透過率(垂直的透過率：H90)。而且藉由將平行透過率(H0)及、垂直的透過率(H90)適用在以下之式算出偏光度。
(式)偏光度(%)={(H0-H90)/(H0+H90)}1/2×100
尚，單體透過率、平行透過率(H0)、垂直的透過率(H90)係藉由JIS Z8701之2度視野(C光源)修補發光因子之Y值。
針對偏光板301~326，評估此等之項目。
結合偏光板之構成與上述評估結果示於表3
如表3之結果所示，瞭解到本發明之偏光板係平面性良好，偏光度之濕熱耐久性亦良好。
〔產業上之可利用性〕
本發明可利用在不會使霧度增加，且改善易 滑性之偏光板保護薄膜、該偏光板保護薄膜的製造、及具備該偏光板保護薄膜之偏光板。
10‧‧‧偏光子
20、30‧‧‧偏光板保護薄膜
101‧‧‧偏光板

Claims (8)

  1. 一種偏光板保護薄膜，其係含有降莰烯系樹脂與微粒子之偏光板保護薄膜，其特徵為前述降莰烯系樹脂為氫化降莰烯系樹脂，前述微粒子之二次粒子的平均粒徑為0.05~0.20μm的範圍內，前述二次粒子之平均粒徑的相對標準偏差為5~20%的範圍內，且前述偏光板保護薄膜的表面之峰值密度為1000~5000(個/mm2)的範圍內。
  2. 如請求項1之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜的霧度值為2.0%以下。
  3. 如請求項1或請求項2之偏光板保護薄膜，其係混合至少含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜、與氫化降莰烯系樹脂而成，且以下述式所定義之混合率為20~80(%)的範圍內，混合率(%)={a/(a+b)}×100(於此，a係表示含有氫化降莰烯系樹脂與微粒子之薄膜的質量(g)；b係表示氫化降莰烯系樹脂的質量(g))。
  4. 如請求項1~請求項3中任一項之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜的透濕度於照溫度40℃、相對濕度90%之環境下，依JIS Z 0208測定時，為100~400g/m2．24h的範圍內。
  5. 如請求項1~請求項4中任一項之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜的膜厚為5~40μm的範圍內。
  6. 如請求項1~請求項5中任一項之偏光板保護薄膜，其中，前述偏光板保護薄膜於下述式(I)所定義之面內方向的相位差值RO(nm)及以下述式(II)所定義之厚度方向的相位差值Rt(nm)係滿足下述式(III)及下述式(IV)，式(I)Ro=(nx-ny)×d 式(II)Rt={(nx+ny)/2-nz}×d 式(III)|Ro|≦10nm 式(IV)|Rt|≦10nm(式(I)~(IV)中，Ro及Rt係於溫度23℃、相對濕度55%的環境下以波長590nm的光所測定之相位差值；nx為前述偏光板保護薄膜於薄膜面內之滯相軸方向的折射率；ny為前述偏光板保護薄膜於薄膜面內之進相軸方向的折射率；nz為前述光學薄膜之膜厚方向的折射率；d為前述偏光板保護薄膜的膜厚(nm))。
  7. 一種偏光板保護薄膜的製造方法，其係製造如請求項1~請求項6中任一項之偏光板保護薄膜之偏光板保護薄膜的製造方法，其特徵為具有將包含前述氫化降莰烯系樹脂及溶劑之高分子溶液流延至支持體上進行製膜的步驟。
  8. 一種偏光板，其特徵為具有如請求項1~請求項6中任一項之偏光板保護薄膜。
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