TW201726571A - 波長轉換構件及其製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種可抑制照射激發光時之構件之變色、或無機奈米螢光體粒子之經時劣化之波長轉換構件。本發明之波長轉換構件10具有：第1基板1及第2基板2；以及形成於第1基板1與第2基板2之間之含有無機奈米螢光體粒子之螢光體層3。第1基板1與第2基板2包含無機材料，並於周緣部相互熔融接合。

Description

波長轉換構件及其製造方法

本發明係關於一種使用有無機奈米結晶螢光體粒子之波長轉換構件及其製造方法。

近年來，研究有如下發光裝置，該發光裝置係使用發光二極體(LED)或半導體雷射(LD)等激發光源，將自該等激發光源產生之激發光對螢光體進行照射，藉此產生螢光，使用該螢光作為照明光。又，研究使用量子點等無機奈米螢光體粒子作為螢光體。量子點可藉由改變其直徑而調整螢光波長，而具有較高之發光效率(例如，參照專利文獻1～3)。無機奈米螢光體粒子具有若與大氣中之水分或氧接觸則容易劣化之性質。因此，無機奈米螢光體粒子係藉由樹脂等進行密封而使用以避免與外部環境接觸。[先前技術文獻][專利文獻][專利文獻1]國際公開第2012/102107號公報[專利文獻2]國際公開第2012/161065號公報[專利文獻3]日本專利特表2013-525243號公報

[發明所欲解決之問題]於使用樹脂作為密封材之情形時，存在如下問題：由於激發光之照射而自無機奈米螢光體粒子產生熱，因該熱而樹脂發生變色。又，樹脂存在如下問題：由於耐水性較差，容易透過水分，故而無機奈米螢光體粒子容易經時劣化。鑒於以上情況，本發明之目的在於提供一種可抑制照射激發光時之構件之變色、或無機奈米螢光體粒子之經時劣化之波長轉換構件。[解決問題之技術手段]本發明之波長轉換構件之特徵在於：其係具有第1基板及第2基板；與形成於第1基板與第2基板之間之含有無機奈米螢光體粒子之螢光體層者，且第1基板與第2基板包含無機材料，並相互熔融接合。本發明之波長轉換構件藉由具有上述構成，而將無機奈米螢光體粒子密封於包含無機材料之第1基板及第2基板之間。因此，無機奈米螢光體粒子難以受到外部環境之影響，而可抑制經時劣化。又，與樹脂密封之情形不同，藉由使用無機材料作為用以密封無機奈米螢光體粒子之基板，可抑制照射激發光時之構件之變色。於本發明之波長轉換構件中，較佳為第1基板與第2基板於周緣部相互熔融接合。於本發明之波長轉換構件中，較佳為第1基板及第2基板之至少一者之降伏點為380℃以下。根據上述構成，可抑制於製作波長轉換構件時之熱處理步驟中無機奈米螢光體粒子之劣化。於本發明之波長轉換構件中，較佳為第1基板及第2基板之至少一者包含玻璃。玻璃由於其構造上難以使水分或氧氣透過，故而抑制無機奈米螢光體粒子之劣化之效果較高。又，由於耐熱性亦較樹脂優異，故而可抑制照射激發光時之構件之變色。進而，玻璃由於透光性優異，故而可提高激發光之入射效率或螢光之出射效率，作為結果，可提高波長轉換構件之發光效率。於本發明之波長轉換構件中，較佳為玻璃為Sn-P系玻璃或Sn-P-F系玻璃。Sn-P系玻璃及Sn-P-F系玻璃由於可容易使降伏點變低，故而較佳。於本發明之波長轉換構件中，較佳為Sn-P系玻璃含有以莫耳%計SnO 50～80%、P₂ O₅ 15～25%(其中，不包括25%)、ZrO₂ 0～3%、Al₂ O₃ 0～10%、B₂ O₃ 0～10%、Li₂ O 0～10%、Na₂ O 0～10%、K₂ O 0～10%、Li₂ O＋Na₂ O＋K₂ O 0～10%、MgO 0～10%、CaO 0～3%、SrO 0～2.5%、BaO 0～2%、MgO＋CaO＋SrO＋BaO 0～11%及ZrO₂ ＋Al₂ O₃ ＋MgO 0～10%，且SnO/P₂ O₅ 為1.6～4.8。於本發明之波長轉換構件中，較佳為Sn-P-F系玻璃含有以陽離子%計Sn²⁺ 10～90%、P⁵⁺ 10～70%；以陰離子%計O^2- 30～99.9%、F^- 0.1～70%。於本發明之波長轉換構件中，較佳為無機奈米螢光體粒子為包含選自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、GaN、GaAs、GaP、AlN、AlP、AlSb、InN、InAs及InSb中之至少一種、或其等兩種以上之複合體之量子點螢光體。或者，無機奈米螢光體粒子亦可為包含如下無機粒子者，該無機粒子包含選自氧化物、氮化物、氮氧化物、硫化物、氧硫化物、稀土類硫化物、鋁酸氯化物(aluminate chloride)及鹵磷醯氯中之至少一種。於本發明之波長轉換構件中，較佳為螢光體層為於玻璃基質中分散無機奈米螢光體粒子而成。根據該構成，無機奈米螢光體粒子變得難以進一步受到外部環境之影響，而於抑制經時劣化之方面上有利。於本發明之波長轉換構件中，亦可於第1基板中之螢光體層側之表面形成有反射膜。若如此，則可用作反射型之波長轉換構件。於本發明之波長轉換構件中，亦可於第1基板中之螢光體層側之表面形成有帶通濾波器。若如此，則可提高所需波長之光(例如螢光)向外部之出射效率。於本發明之波長轉換構件中，較佳為帶通濾波器使激發光透過，並將自螢光體層發出之螢光進行反射。於本發明之波長轉換構件中，較佳為於第2基板中之與螢光體層相反側之表面形成有抗反射膜。若如此，則可提高螢光(或激發光)向外部之出射效率。本發明之波長轉換構件之製造方法之特徵在於：於第1基板及第2基板之間夾持含有無機奈米螢光體粒子之螢光體層，使用模具進行熱壓接加壓，藉此使第1基板及第2基板相互熔融接合。藉由使用模具進行熱壓接加壓，而可以相對短時間使第1基板及第2基板相互熔融接合，因此可抑制製造步驟中之無機奈米螢光體粒子之熱劣化。又，即便於第1基板及第2基板包含玻璃(尤其是Sn-P-F系玻璃)等脆性材料之情形時，本發明之製造方法亦有構件難以破損之優點。因此，可容易地製作薄型之波長轉換構件。再者，於藉由糊膠法或坯片法而形成螢光體層之情形時，存在源自溶劑或結合劑等之碳成分殘留於燒結體中，而成為發光強度降低之原因之情形。相對於此，若為本發明之製造方法，則無需使用溶劑或結合劑等有機化合物，因此可防由碳成分導致之發光強度降低於未然。於本發明之波長轉換構件之製造方法中，較佳為使第1基板與第2基板之周緣部熔融接合。於本發明之波長轉換構件之製造方法中，較佳為於400℃以下進行熱壓接加壓。若如此，則可抑制熱壓接加壓時之無機奈米螢光體粒子之熱劣化。再者，通常之無機奈米螢光體粒子(尤其是量子點螢光體)會因超過350℃之熱而劣化，從而發光效率降低，但利用熱壓接加壓之基板之熔融接合可以相對短時間進行，因此可抑制無機奈米螢光體粒子之發光效率之降低。[發明之效果]根據本發明，可提供一種可抑制照射激發光時之構件之變色、或無機奈米螢光體粒子之經時劣化之波長轉換構件。

以下，基於圖式，對本發明之波長轉換構件之實施形態進行說明。(1)第1實施形態圖1之(a)係本發明之第1實施形態之波長轉換構件10之模式性剖視圖，(b)係波長轉換構件10之模式性俯視圖。波長轉換構件10具有包含無機材料之第1基板1及第2基板2；與形成於其間之螢光體層3。螢光體層3含有無機奈米螢光體粒子。螢光體層3係僅形成於第1基板1及第2基板2之大致中央部。即，於第1基板1及第2基板2之周緣部未形成螢光體層3。此處，亦可於至少第1基板及第2基板中之任一者之表面形成有凹部，並於該凹部內形成螢光體層3。於該情形時，形成有螢光體層3之區域、與未形成螢光體層3之區域之交界容易變得清晰。例如，藉由使凹部之形狀與光源(例如LED晶片)之發光面之形狀匹配，而可將自光源發出之光高效率地照射至螢光體層3。第1基板1與第2基板2係於周緣部1a及2a遍及全周地相互熔融接合。藉此，螢光體層3成為被第1基板1與第2基板2完全密封之狀態，因此難以受到外部環境之影響。因此，可抑制無機奈米螢光體粒子之經時劣化。第1基板1及第2基板2例如包含玻璃等透光性材料。藉由以透光性材料構成第1基板1及第2基板2兩者，而可用作透過型之波長轉換構件。例如於自第1基板1側照射激發光L₀ 之情形時，自螢光體層3發出螢光L₁ ，並自第2基板2側向外部出射。此時，亦可將自螢光體層3發出之螢光、與未經波長轉換之激發光的合成光自第2基板2側向外部出射。此處，亦可於第2基板2中之與螢光體層3相反側之表面形成抗反射膜(未圖示)。若如此，則可提高激發光或螢光之出射效率。作為玻璃，較佳為降伏點較低之Sn-P系玻璃、Sn-P-B系玻璃、Sn-P-F系玻璃等以Sn及P為基質之玻璃。其中，Sn-P-F系玻璃由於容易使降伏點變低，故而較佳。作為Sn-P-F系玻璃，可列舉含有以陽離子%計Sn²⁺ 10～90%、P⁵⁺ 10～70%；以陰離子%計O^2- 30～99.9%、F^- 0.1～70%者。於以下，對如上述般限定各成分之含量之原因進行說明。再者，於未特別事先說明之情形時，於關於以下之各成分之含量之說明中，「%」意指「陽離子%」或「陰離子%」。Sn²⁺ 係使化學耐久性或耐候性提高之成分。又，亦有使降伏點降低之效果。Sn²⁺ 之含量較佳為10～90%、20～85%、尤其是25～82.5%。若Sn²⁺ 之含量過少，則變得難以獲得上述效果。另一方面，若Sn²⁺ 之含量過多，則變得難以進行玻璃化，或耐失透性變得容易降低。P⁵⁺ 係玻璃骨架之構成成分。又，具有提高透光率之效果。又，亦有抑制失透，或使降伏點降低之效果。P⁵⁺ 之含量較佳為10～70%、15～60%、尤其是20～50%。若P⁵⁺ 之含量過少，則變得難以獲得上述效果。另一方面，若P⁵⁺ 之含量過多，則Sn²⁺ 之含量相對變少，而耐候性變得容易降低。再者，P⁵⁺ 與Sn²⁺ 之含量較佳為50%以上、70.5%以上、75%以上、80%以上、尤其是85%以上。若P⁵⁺ 與Sn²⁺ 之含量過少，則耐失透性或機械強度變得容易降低。P⁵⁺ 與Sn²⁺ 之含量之上限並無特別限定，亦可為100%，於含有其他成分之情形時，亦可設為99.9%以下、99%以下、95%以下、進而90%以下。除上述成分以外，亦可含有以下之成分作為陽離子成分。B³⁺ 、Zn²⁺ 、Si⁴⁺ 及Al³⁺ 係玻璃骨架之構成成分，尤其是提高化學耐久性之效果較大。B³⁺ ＋Zn²⁺ ＋Si⁴⁺ ＋Al³⁺ 之含量較佳為0～50%、0～30%、0.1～25%、0.5～20%、尤其是0.75～15%。若B³⁺ ＋Zn²⁺ ＋Si⁴⁺ ＋Al³⁺ 之含量過多，則耐失透性變得容易降低。又，伴隨著熔融溫度之上升，Sn金屬等析出，而透光率變得容易降低。又，降伏點變得容易上升。再者，就使耐候性提高之觀點而言，較佳為含有0.1%以上之B³⁺ ＋Zn²⁺ ＋Si⁴⁺ ＋Al³⁺ 。B³⁺ 、Zn²⁺ 、Si⁴⁺ 及Al³⁺ 之各成分之較佳之含量範圍係如下所述。B³⁺ 係構成玻璃骨架之成分。又，有提高耐候性之效果，尤其是抑制玻璃中之P⁵⁺ 等成分有選擇地向水中溶出之效果較大。B³⁺ 之含量較佳為0～50%、0.1～45%、尤其是0.5～40%。若B³⁺ 之含量過多，則存在耐失透性或透光率降低之傾向。Zn²⁺ 係作為熔劑發揮作用之成分。又，有提高耐候性，抑制玻璃成分向研磨洗淨水等各種洗淨溶液中之溶出，或抑制於高溫多濕狀態下之玻璃表面之變質之效果。又，Zn²⁺ 亦有使玻璃化穩定之效果。鑒於以上情況，Zn²⁺ 之含量較佳為0～40%、0.1～30%、尤其是0.2～20%。若Zn²⁺ 之含量過多，則存在耐失透性或透光率降低之傾向。Si⁴⁺ 係構成玻璃骨架之成分。又，有提高耐候性之效果，尤其是抑制玻璃中之P⁵⁺ 等成分有選擇地向水中溶出之效果較大。Si⁴⁺ 之含量較佳為0～20%、尤其是0.1～15%。若Si⁴⁺ 之含量過多，則降伏點容易變高。又，由未溶解導致之脈理或氣泡變得容易殘留於玻璃中。Al³⁺ 係可與Si⁴⁺ 或B³⁺ 一起構成玻璃骨架之成分。又，有提高耐候性之效果，尤其是抑制玻璃中之P⁵⁺ 等成分有選擇地向水中溶出之效果較大。Al³⁺ 之含量較佳為0～20%、尤其是0.1～15%。若Al³⁺ 之含量過多，則存在耐失透性或透光率降低之傾向。進而，熔融溫度變高，由未溶解導致之脈理或氣泡變得容易殘留於玻璃中。Mg²⁺ 、Ca²⁺ 、Sr²⁺ 及Ba²⁺ (鹼土金屬離子)係作為熔劑發揮作用之成分。又，有提高耐候性，抑制玻璃成分向研磨洗淨水等各種洗淨溶液中之溶出，或抑制於高溫多濕狀態下之玻璃表面之變質之效果。又，係提高玻璃之硬度之成分。但是，若該等成分之含量過多，則耐失透性變得容易降低。因此，Mg²⁺ 、Ca²⁺ 、Sr²⁺ 及Ba²⁺ 之含量較佳為0～10%、0～7.5%、0.1～5%、尤其是0.2～1.5%。Li⁺ 係鹼金屬氧化物中使降伏點降低之效果最大之成分。又，但是，Li⁺ 由於分相性較強，故而若其含量過多，則耐失透性變得容易降低。又，Li⁺ 容易使化學耐久性降低，亦容易使透光率降低。因此，Li⁺ 之含量較佳為0～10%、0～5%、0～1%、尤其是0～0.1%。Na⁺ 係與Li⁺ 同樣地具有使降伏點降低之效果。但是，若其含量過多，則變得容易生成脈理。又，耐失透性變得容易降低。又，Na⁺ 容易使化學耐久性降低，亦容易使透光率降低。因此，Na⁺ 之含量較佳為0～10%、0～5%、0～1%、尤其是0～0.1%。K⁺ 亦與Li⁺ 同樣地具有使降伏點降低之效果。但是，若其含量過多，則存在耐候性降低之傾向。又，耐失透性變得容易降低。又，K⁺ 容易使化學耐久性降低，亦容易使透光率降低。因此，K₂ O之含量較佳為0～10%、0～5%、0～1%、尤其是0～0.1%。再者，Li⁺ 、Na⁺ 及K⁺ 之含量較佳為0～10%、0～5%、0～1%、尤其是0～0.1%。若Li⁺ 、Na⁺ 及K⁺ 之含量過多，則存在變得容易失透，化學耐久性亦降低之傾向。除上述成分以外，亦可以合計至多10%含有La³⁺ 、Gd³⁺ 、Ta⁵⁺ 、W⁶⁺ 、Nb⁵⁺ 、Ti⁴⁺ 、Y³⁺ 、Yb³⁺ 、Ge⁴⁺ 、Te⁴⁺ 、Bi³⁺ 及Zr⁴⁺ 等。Ce⁴⁺ 、Pr³⁺ 、Nd³⁺ 、Eu³⁺ 、Tb³⁺ 及Er³⁺ 等稀土類成分、Fe³⁺ 、Ni²⁺ 、Co²⁺ 係使透光率降低之成分。因此，該等成分之含量較佳為分別為0.1%以下，更佳為不含有該等成分。In³⁺ 由於失透傾向較強，故而較佳為不含有。再者，因環境上之理由，較佳為不含有Pb²⁺ 及As³⁺ 。作為陰離子成分之F^- 具有使降伏點降低之作用或提高透光率之效果。但是，若其含量過多，則熔融時之揮發性變高而變得容易產生脈理。又，耐失透性變得容易降低。F^- 之含量較佳為0.1～70%、1～67.5%、5～65%、2～60%、尤其是10～60%。再者，作為用以導入F^- 之原料，除SnF₂ 外，亦可列舉：La、Gd、Ta、W、Nb、Y、Yb、Ge、Mg、Ca、Sr、Ba等氟化物。再者，作為F^- 以外之陰離子成分，通常含有O^2- 。即，O^2- 之含量係視F^- 之含量而決定。具體而言，O^2- 之含量較佳為30～99.9%、32.5～99%、35～95%、40～98%、尤其是40～90%。作為Sn-P系玻璃，可列舉：含有以莫耳%計SnO 50～80%、P₂ O₅ 15～25%(其中，不包括25%)、ZrO₂ 0～3%、Al₂ O₃ 0～10%、B₂ O₃ 0～10%、Li₂ O 0～10%、Na₂ O 0～10%、K₂ O 0～10%、Li₂ O＋Na₂ O＋K₂ O 0～10%、MgO 0～10%、CaO 0～3%、SrO 0～2.5%、BaO 0～2%、MgO＋CaO＋SrO＋BaO 0～11%及ZrO₂ ＋Al₂ O₃ ＋MgO 0～10%，且SnO/P₂ O₅ 為1.6～4.8者。第1基板1及第2基板2之降伏點較佳為380℃以下、300℃以下、尤其是200℃以下。若第1基板1及第2基板2之降伏點過高，則於製作波長轉換構件10時之熱處理步驟中無機奈米螢光體粒子變得容易劣化。另一方面，第1基板1及第2基板2之降伏點之下限並無特別限定，實際上為100℃以上、尤其為120℃以上。此處，所謂降伏點，係指於利用熱膨脹係數測定(TMA)裝置之測定中，試片表現出最大延伸之溫度，即試片之延伸停止之值。再者，亦可第1基板1及第2基板2兩者之降伏點為上述範圍內，但亦可僅任一者之降伏點為上述範圍內。例如於第1基板1之降伏點為上述範圍，而第2基板2之降伏點高於上述範圍之情形時，可藉由以第1基板1之降伏點～降伏點＋100℃左右進行熱處理，而使第1基板1軟化變形從而與第2基板2熔融接合。例如，亦可為第1基板1包含Sn-P-F系玻璃等低降伏點玻璃，而第2基板2包含矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等降伏點相對較高之玻璃者，或者包含Al₂ O₃ 、AlN等陶瓷者。或者，亦可使用第1基板1包含Sn-P-F系玻璃等低降伏點玻璃，而第2基板2包含Al、Cu、Ag等金屬者，而製成反射型之波長轉換構件。就使第1基板1及第2基板2之熱膨脹係數匹配之觀點而言，兩者之熱膨脹係數差(溫度範圍：30～380℃)較佳為處於±50×10^-7 /℃、尤其是±30×10^-7 /℃之範圍內。第1基板1及第2基板2之厚度較佳為0.1～1 mm、尤其是0.1～0.5 mm。若第1基板1及第2基板2之厚度過小，則機械強度降低，因此於製造時或使用時變得容易破損。另一方面，若第1基板1及第2基板2之厚度過大，則藉由熱壓接加壓而使兩者熔融接合所需之時間變長，而無機奈米螢光體粒子變得容易劣化。作為螢光體層3所使用之無機奈米螢光體粒子，可列舉：作為II-VI族化合物之CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe等；作為III-V族化合物之InP、GaN、GaAs、GaP、AlN、AlP、AlSb、InN、InAs、InSb等量子點螢光體。該等可單獨使用、或混合兩種以上使用。或者，亦可使用包含其等兩種以上之複合體(例如，CdSe粒子表面經ZnS被覆之核殼結構體)。又，作為無機奈米螢光體粒子，除量子點螢光體以外，亦可使用包含氧化物、氮化物、氮氧化物、硫化物、氧硫化物、稀土類硫化物、鋁酸氯化物及鹵磷醯氯等無機粒子者。該等可單獨使用，或混合兩種以上使用。無機奈米螢光體粒子之平均粒徑並無特別限定，通常為100 nm以下、50 nm以下、尤其是1～30 nm、1～15 nm、進而1.5～12 nm左右。再者，於本說明書中，平均粒徑係指依據JIS-R1629而測得之值(D50)。再者，螢光體層3亦可為於玻璃基質中分散無機奈米螢光體粒子而成者。若如此，則無機奈米螢光體粒子之密封性提高，因此變得容易抑制經時劣化。又，亦可於螢光體層3中含有氧化鋁或二氧化矽等光擴散材。繼而，基於圖2對波長轉換構件10之製造方法進行說明。首先，準備於第1基板1及第2基板2之間夾持含有無機奈米螢光體粒子3之螢光體層3而成之積層體。螢光體層3係僅形成於第1基板1及第2基板2之大致中央部，且於第1基板1之周緣部1a及第2基板2之周緣部2a未形成螢光體層3。繼而，將積層體載置於模具4中之上模具4a及下模具4b之間。視需要進行預熱後，對上模具4a施加壓力P而進行熱壓接加壓。藉此，第1基板1之周緣部1a及第2基板2之周緣部2a軟化而相互熔融接合，而將含有無機奈米螢光體粒子之螢光體層3密封至兩基板間。以上述方式獲得波長轉換構件10。再者，與熱壓接加壓前相比，螢光體層3之區域存在於熱壓接加壓後其面積擴大之傾向。因此，亦可至少於第1基板及第2基板之至少一者之表面形成凹部，並於該凹部內形成有螢光體層3之狀態下進行熱壓接加壓。於該情形時，螢光體層3於熱壓接加壓後亦容易殘留於凹部內，如上所述，形成有螢光體層3之區域、與未形成螢光體層3之區域之交界容易變得清晰。再者，亦可於第1基板1及第2基板2之間夾持有包含無機奈米螢光體粒子與作為分散介質之玻璃粉末之混合物的螢光體層3之狀態下，使用模具進行熱壓接加壓。若如此，則可製作於玻璃基質中分散無機奈米螢光體粒子而成之螢光體層3被密封於兩基板間而成之波長轉換構件。作為玻璃粉末，較佳為使用包含降伏點較低之Sn-F-P系玻璃者。若如此，則熱壓接加壓時玻璃粉末軟化流動而成為緻密之結構，因此可提高無機奈米螢光體粒子之密封性。又，可容易使螢光體層3之厚度變大，使螢光體層3所包含之無機奈米螢光體粒子之量變多，作為結果，變得容易提高波長轉換構件10之發光強度。作為分散介質，除玻璃粉末以外，亦可列舉：聚矽氧樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚碳酸酯樹脂等樹脂；氧化鋁粉末、二氧化矽粉末、二氧化鈦粉末、氧化鋅粉末、碳酸鈣粉末、硫酸鋇粉末等無機粉末；纖維素纖維、甲殼素纖維、聚葡萄胺糖纖維、碳以外之無機纖維、有機高分子纖維等纖維。再者，亦可藉由使無機奈米螢光體粒子擔載於氧化鋁片或纖維素纖維片等片狀介質而形成螢光體層3。例如，使無機奈米螢光體粒子分散於己烷等分散介質中而獲得分散液，使該分散液滲入至片狀介質中後，進行乾燥，藉此可使無機奈米螢光體粒子擔載於片狀介質。熱壓接加壓之溫度較佳為第1基板1或第2基板2中降伏點較低之基板之降伏點以上、尤其是該降伏點＋20℃以上。若熱壓接加壓溫度過低，則兩基板變得難以熔融接合。另一方面，熱壓接加壓之溫度之上限較佳為第1基板1或第2基板2中降伏點較低之基板之降伏點＋100℃以下、尤其是該降伏點＋50℃以下。若熱壓接加壓溫度過高，則無機奈米螢光體粒子變得容易劣化。關於熱壓接加壓之溫度，具體而言，為130～400℃、進而為150～300℃左右。例如於第1基板1或第2基板2為Sn-P-F系玻璃之情形時，熱壓接加壓之溫度較佳為130～350℃、尤其是130～250℃。熱壓接加壓之壓力較佳為10～400 kPa/cm² 、尤其是20～300 kPa/cm² 。若熱壓接加壓之壓力過低，則第1基板1及第2基板2變得難以熔融接合。另一方面，若熱壓接加壓之壓力過高，則第1基板1及第2基板2變得容易破損。再者，於第1基板1或第2基板2為Sn-P-F系玻璃之情形時，為了抑制加壓時之破損，較佳為10～30 kPa/cm² 、尤其是15～25 kPa/cm² 。熱壓接加壓之時間較佳為0.1～10分鐘、0.3～5分鐘、0.4～3分鐘、尤其是0.5～2分鐘。若熱壓接加壓之時間過短，則第1基板1及第2基板2變得難以熔融接合。另一方面，若熱壓接加壓之時間過長，則無機奈米螢光體粒子變得容易劣化。熱壓接加壓之氛圍亦可為大氣氛圍，但為了抑制無機奈米螢光體粒子之失活、模具之由氧化引起之劣化等問題，較佳為減壓氛圍或惰性氛圍，尤其是考慮運轉成本，較佳為氮氣氛圍。再者，於使用Sn-P-F系玻璃作為第1基板1或第2基板2之情形時，藉由將熱壓接加壓之氛圍設為減壓氛圍或惰性氛圍，而可抑制熱壓接加壓時之基板之改性。(2)第2實施形態圖3係本發明之第2實施形態之波長轉換構件20之模式性剖視圖。波長轉換構件20係於第1基板1中之螢光體層3側之表面形成有反射膜5之方面上與第1實施形態之波長轉換構件10不同。波長轉換構件20可用作反射型之波長轉換構件。具體而言，於自第2基板2側照射激發光L₀ 之情形時，利用螢光體層3將激發光進行波長轉換而產生之螢光L₁ (或者，未經波長轉換之激發光)係藉由反射膜5而被反射至激發光入射側，並向外部出射。作為反射膜5，可列舉：Ag或Al等金屬薄膜。作為金屬薄膜之形成方法，可列舉：鍍覆法、真空蒸鍍法、離子鍍覆法、濺鍍法等。(3)第3實施形態圖4係本發明之第3實施形態之波長轉換構件30之模式性剖視圖。波長轉換構件30係於第1基板1中之螢光體層3側之表面形成有帶通濾波器6之方面上與第1實施形態之波長轉換構件10不同。作為帶通濾波器6，例如可使用使激發光透過，並將自螢光體層3發出之螢光進行反射者。若如此，則於自第1基板1側照射激發光L₀ 之情形時，一面激發光透過帶通濾波器6而激發螢光體層3中之無機奈米螢光體粒子，一面自螢光體層3發出之螢光L₁ 藉由帶通濾波器6而被反射至第2基板2側。作為結果，可使螢光於第2基板2側高效率地出射。作為帶通濾波器6之具體例，可列舉：交替積層有包含Nb₂ O₅ 、TiO₂ 、Ta₂ O₅ 、HfO₂ 、ZrO₂ 、Al₂ O₃ 、SiN等之高折射率膜、與包含SiO₂ 、MgF₂ 等氟化物等之低折射率膜之介電體多層膜。以上所說明之波長轉換構件10～30可藉由與LED或LD等激發光源組合而用作發光裝置。[實施例]以下，基於實施例對本發明進行說明，但本發明並不限定於該等實施例。(實施例1)將以使用SnO、SnF₂ 、P₂ O₅ 作為原料，並含有以陽離子%計Sn²⁺ 56.3%、P⁵⁺ 43.8%；以陰離子%計F^- 24.8%、O^2- 75.2%之方式調製而成之批料投入至石英燒杯中，於設為氮氣氛圍之電爐內以680℃進行5分鐘熔融。將所獲得之熔融玻璃成形為錠狀，實施切斷及兩面研磨加工，藉此製作15 mm×15 mm×1 mm尺寸之玻璃板(降伏點＝150℃)2片。使無機奈米螢光體粒子(CdSe/ZnS，平均粒徑＝約3 nm)以1質量%之濃度分散至作為分散介質之己烷中而獲得分散液，將該分散液100 μl塗佈於一片玻璃板之表面之大致中央部，進行真空乾燥而形成包含無機奈米螢光體粒子之螢光體層。用碳化鎢製加壓模具將藉由於螢光體層上重疊另一片玻璃板而獲得之積層體夾住，於氮氣氛圍中以180℃預熱2分鐘。其後，於180℃之狀態下以14 kPa/cm² 之壓力進行20秒鐘熱壓接加壓。藉此，2片玻璃板之周緣部相互熔融接合，而獲得波長轉換構件。針對所獲得之波長轉換構件，對發光量子效率(內部量子效率)進行測定，結果為43%。再者，發光量子效率係指藉由下述式而算出之值，且係使用Hamamatsu Photonics公司製造之絕對PL量子產率裝置進行測定而獲得。參考係使用石英板。發光量子效率＝｛(以發光之形式自樣品釋出之光子數)/(被樣品吸收之光子數)｝×100(%)(實施例2)藉由利用研缽將實施例1中所製作之錠狀玻璃進行粉碎而獲得玻璃粉末(平均粒徑＝25 μm)。對玻璃粉末0.2 g添加實施例1中所製作之無機奈米螢光體粒子分散液100 μl並進行混合後，進行真空乾燥，藉此獲得玻璃粉末與無機奈米螢光體粒子之混合物。藉由將所獲得之混合物夾持於實施例1中所獲得之2片玻璃板之間而獲得積層體，用碳化鎢製加壓模具之下模具夾住該積層體，於氮氣氛圍中以180℃預熱2分鐘。其後，於180℃之狀態下以14 kPa/cm² 之壓力進行20秒鐘熱壓接加壓。藉此，2片玻璃板之周緣部相互熔融接合，而獲得波長轉換構件。針對所獲得之波長轉換構件，對發光量子效率進行測定，結果為40%。(實施例3)將預熱及熱壓接加壓之溫度設為200℃，除此以外，以與實施例1相同之方式製作波長轉換構件。針對所獲得之波長轉換構件，對發光量子效率進行測定，結果為30%。(實施例4)藉由與實施例1相同之方法，而製作10 mm×7 mm×1 mm尺寸之玻璃板2片。於一片玻璃板表面之中央部設置有2 mm×6 mm×1.1 mm之鋁箔之狀態下，用碳化鎢製加壓模具夾持其上下，於氮氣氛圍中以180℃預熱2分鐘。其後，於180℃之狀態下以14 kPa/cm² 之壓力進行20秒鐘熱壓接加壓。藉此，於玻璃板表面形成有深度約0.13 mm之長方形凹部。將實施例1中所製作之無機奈米螢光體粒子分散液100 μl塗佈於玻璃板表面之凹部，進行真空乾燥而形成包含無機奈米螢光體粒子之螢光體層。藉由於螢光體層上重疊另一片玻璃板而獲得積層體，用碳化鎢製加壓模具夾住該積層體之上下，於氮氣氛圍中以180℃預熱2分鐘。其後，於180℃之狀態下以14 kPa/cm² 之壓力進行20秒鐘熱壓接加壓。藉此，2片玻璃板之周緣部相互熔融接合，而獲得波長轉換構件。將對所獲得之波長轉換構件照射激發光(波長365 nm)時之俯視照片示於圖5。針對所獲得之波長轉換構件，對發光量子效率進行測定，結果為48%。(實施例5)將實施例1中所製作之無機奈米螢光體粒子分散液100 μl與聚矽氧樹脂(信越化學工業公司製造之LPS5500(A/B))1 g之混合物塗佈於玻璃板表面之凹部，於常溫下進行乾燥，而形成包含無機奈米螢光體粒子之螢光體層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作波長轉換構件。針對所獲得之波長轉換構件，對發光量子效率進行測定，結果為55%。(實施例6)將實施例1中所製作之無機奈米螢光體粒子分散液100 μl與表面疏水化氧化鋁粉末(平均粒徑13 nm)0.19 g之混合物塗佈於玻璃板表面之凹部，進行真空乾燥而形成包含無機奈米螢光體粒子之螢光體層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作波長轉換構件。針對所獲得之波長轉換構件，對發光量子效率進行測定，結果為44%。(實施例7)將實施例1中所製作之無機奈米螢光體粒子分散液1.6 ml與纖維素纖維0.2 g之混合物塗佈於玻璃板表面之凹部，進行真空乾燥而形成包含無機奈米螢光體粒子之螢光體層，除此以外，以與實施例4相同之方式製作波長轉換構件。針對所獲得之波長轉換構件，對發光量子效率進行測定，結果為43%。(實施例8)使實施例1中所製作之無機奈米螢光體粒子分散液100 μl滲入至纖維素纖維片(2 mm×3 mm×0.1 mm)，並進行真空乾燥。將乾燥後之纖維素纖維片夾持於實施例1中所獲得之2片玻璃板之間，於與實施例1相同之條件下進行熱壓接加壓，藉此2片玻璃板之周緣部相互熔融接合，而獲得波長轉換構件。(實施例9)使實施例1中所製作之無機奈米螢光體粒子分散液100 μl滲入至氧化鋁片(2 mm×3 mm×0.1 mm)，並進行真空乾燥。將乾燥後之氧化鋁片載置於實施例4中所獲得之玻璃板表面之凹部，重疊另一片之玻璃板後，於與實施例4相同之條件下進行熱壓接加壓，藉此2片玻璃板之周緣部相互熔融接合，而獲得波長轉換構件。(比較例)將實施例2中所獲得之玻璃粉末與無機奈米螢光體粒子之混合物預成形為圓柱狀後，於真空氛圍中以200℃進行20分鐘熱處理，將玻璃粉末進行燒結，藉此獲得波長轉換構件。針對所獲得之波長轉換構件，測定發光量子效率，結果為1%。

1‧‧‧第1基板
1a、2a‧‧‧周緣部
2‧‧‧第2基板
3‧‧‧螢光體層
4‧‧‧模具
4a‧‧‧上模具
4b‧‧‧下模具
5‧‧‧反射膜
6‧‧‧帶通濾波器
10、20、30‧‧‧波長轉換構件
L₁‧‧‧螢光
L₀‧‧‧激發光
P‧‧‧壓力

圖1(a)係本發明之第1實施形態之波長轉換構件之模式性剖視圖。圖1(b)係第1實施形態之波長轉換構件之模式性俯視圖。圖2係表示本發明之第1實施形態之波長轉換構件之製造步驟之模式性剖視圖。圖3係本發明之第2實施形態之波長轉換構件之模式性剖視圖。圖4係本發明之第3實施形態之波長轉換構件之模式性剖視圖。圖5係對實施例4中所獲得之波長轉換構件照射激發光時之俯視照片。

無

Claims (18)

1. 一種波長轉換構件，其特徵在於：其係具有第1基板及第2基板、以及形成於上述第1基板與上述第2基板之間之含有無機奈米螢光體粒子之螢光體層者，且上述第1基板與上述第2基板包含無機材料，並相互熔融接合。
2. 如請求項1之波長轉換構件，其中上述第1基板與上述第2基板於周緣部相互熔融接合。
3. 如請求項1或2之波長轉換構件，其中上述第1基板及上述第2基板之至少一者之降伏點為380℃以下。
4. 如請求項1至3中任一項之波長轉換構件，其中上述第1基板及上述第2基板之至少一者包含玻璃。
5. 如請求項4之波長轉換構件，其中上述玻璃為Sn-P系玻璃。
6. 如請求項5之波長轉換構件，其中上述Sn-P系玻璃以莫耳%計含有SnO 50～80%、P₂ O₅ 15～25%(其中，不包括25%)、ZrO₂ 0～3%、Al₂ O₃ 0～10%、B₂ O₃ 0～10%、Li₂ O 0～10%、Na₂ O 0～10%、K₂ O 0～10%、Li₂ O＋Na₂ O＋K₂ O 0～10%、MgO 0～10%、CaO 0～3%、SrO 0～2.5%、BaO 0～2%、MgO＋CaO＋SrO＋BaO 0～11%及ZrO₂ ＋Al₂ O₃ ＋MgO 0～10%，且SnO/P₂ O₅ 為1.6～4.8。
7. 如請求項4之波長轉換構件，其中上述玻璃為Sn-P-F系玻璃。
8. 如請求項7之波長轉換構件，其中上述Sn-P-F系玻璃以陽離子%計含有Sn²⁺ 10～90%、P⁵⁺ 10～70%，以陰離子%計含有O^2- 30～99.9%、F^- 0.1～70%。
9. 如請求項1至8中任一項之波長轉換構件，其中上述無機奈米螢光體粒子為包含選自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、GaN、GaAs、GaP、AlN、AlP、AlSb、InN、InAs及InSb中之至少一種、或其等兩種以上之複合體之量子點螢光體。
10. 如請求項1至8中任一項之波長轉換構件，其中上述無機奈米螢光體粒子為包含選自氧化物、氮化物、氮氧化物、硫化物、氧硫化物、稀土類硫化物、鋁酸氯化物及鹵磷醯氯中之至少一種之無機粒子。
11. 如請求項1至10中任一項之波長轉換構件，其中上述螢光體層係於玻璃基質中分散上述無機奈米螢光體粒子而成。
12. 如請求項1至11中任一項之波長轉換構件，其中於上述第1基板中之上述螢光體層側之表面形成有反射膜。
13. 如請求項1至12中任一項之波長轉換構件，其中於上述第1基板中之上述螢光體層側之表面形成有帶通濾波器。
14. 如請求項13之波長轉換構件，其中上述帶通濾波器使激發光透過，並將自上述螢光體層發出之螢光進行反射。
15. 如請求項1至14中任一項之波長轉換構件，其中於上述第2基板中之與上述螢光體層相反側之表面形成有抗反射膜。
16. 一種波長轉換構件之製造方法，其特徵在於：於第1基板及第2基板之間夾持含有無機奈米螢光體粒子之螢光體層，並使用模具進行熱壓接加壓，藉此使上述第1基板及上述第2基板相互熔融接合。
17. 如請求項16之波長轉換構件之製造方法，其使上述第1基板與上述第2基板之周緣部熔融接合。
18. 如請求項16或17之波長轉換構件之製造方法，其於400℃以下進行熱壓接加壓。