TW201724580A - 封裝體及發光裝置、與其等之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種具備高精度地配置之反射膜之封裝體及發光裝置、與其等之製造方法。 封裝體20具有配置於凹部26之底面26a之一對引線23、23、形成凹部26之側壁26d之第1樹脂體24、配置於一對引線23、23間之第2樹脂體25、以及覆蓋凹部26之側壁26d之內表面26b與第2樹脂體25之上表面25a及下表面25b之反射膜27。

Description

封裝體及發光裝置、與其等之製造方法
本揭示係關於一種封裝體及發光裝置、與其等之製造方法。
LED(Light Emitting diode，發光二極體)於背光裝置、照明、車輛零件、顯示器等之市場中，小型化、高效率化、高輸出化、高可靠性等之要求增強，從而提供提高了該等性能之發光裝置。尤其是行動設備用之背光裝置之薄型化在進展，隨之發光裝置亦變得超薄型化。為了應對市場之該等需求，提供各種發光裝置。 先前之發光裝置係於陶瓷封裝體或樹脂封裝體上具備反射層，藉由該反射層而提高光之提取效率(例如，參照專利文獻1、專利文獻2)。上述反射層係使用遮罩並利用蒸鍍、濺鍍、塗佈等方法而形成。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開2008-160032號公報 [專利文獻2]日本專利特開2014-158011號公報
[發明所欲解決之問題] 於使用上述遮罩之方法中，於具備一對引線之小型發光裝置或封裝體中，由於引線間之區域為微小區域，故而不易進行遮罩之定位，從而難以精度良好地於引線間形成反射層。 又，於未使用遮罩之情形時，例如於藉由塗佈形成反射層之情形時，由於在塗佈反射層之材料後該反射層材料會流動，故而難以形成於需要反射層之區域，又，有反射層之膜厚產生不均之虞。 因此，本揭示之實施形態提供一種具備高精度地配置之反射膜之封裝體及發光裝置、與其等之製造方法。 [解決問題之技術手段] 本揭示之實施形態之封裝體具有：一對引線，其等配置於凹部之底面；第1樹脂體，其形成上述凹部之側壁；第2樹脂體，其配置於上述一對引線間；及反射膜，其覆蓋上述凹部之側壁之內表面與上述第2樹脂體之上表面及下表面。 本揭示之實施形態之發光裝置具有上述封裝體、及於上述封裝體之上述凹部之底面配置於上述一對引線之至少一者之發光元件。 本揭示之實施形態之封裝體之製造方法具有如下步驟：準備樹脂成形體，該樹脂成形體具備配置於凹部之底面之一對引線、形成上述凹部之側壁之第1樹脂體、及配置於上述一對引線間之第2樹脂體；至少於上述凹部之底面及上述凹部之側壁之內表面之整面形成反射膜；及於形成有上述反射膜之樹脂成形體中將形成於上述凹部內之上述一對引線之上述反射膜剝離。 本揭示之實施形態之發光裝置之製造方法具備如下步驟：準備樹脂成形體，該樹脂成形體具備配置於凹部之底面之一對引線、形成上述凹部之側壁之第1樹脂體、及配置於上述一對引線間之第2樹脂體；至少於上述凹部之底面及上述凹部之側壁之內表面之整面形成反射膜；於形成有上述反射膜之樹脂成形體中將形成於上述凹部內之上述一對引線之上述反射膜剝離；及將發光元件載置於剝離上述反射膜後之上述一對引線之至少一者。 本揭示之實施形態之陶瓷封裝體具有：一對配線，其等配置於凹部之底面；第1陶瓷體，其形成上述凹部之側壁；第2陶瓷體，其配置於上述一對配線間；及反射膜，其覆蓋上述凹部之側壁之內表面與上述第2陶瓷體之上表面及下表面。 [發明之效果] 本揭示之實施形態之封裝體及發光裝置具備高精度地配置之反射膜。又，本揭示之實施形態之封裝體之製造方法及發光裝置之製造方法可形成高精度地配置之反射膜。
以下，對表示實施形態之一例之封裝體之製造方法及發光裝置之製造方法、與封裝體及發光裝置進行說明。再者，於以下之說明中所參照之圖式係概略性地表示本實施形態者，故而存在各構件之尺度或間隔、位置關係等被誇大或者構件之一部分圖示被省略之情況。又，於以下之說明中，關於相同之名稱及符號，原則上表示相同或者相同性質之構件，並適當省略詳細說明。 (第1實施形態) ＜發光裝置之構成＞ 使用圖式進行說明。圖1係表示第1實施形態之發光裝置之概略之圖，且係表示發光裝置之立體圖。圖2係表示第1實施形態之發光裝置之概略之圖，且係發光裝置之俯視圖。圖3係表示第1實施形態之發光裝置之概略之圖，且係圖2之III-III剖面箭視圖。 第1實施形態之發光裝置1具備包含第1樹脂體24及第2樹脂體25之封裝體20、發光元件30、第3樹脂體40、及導線50。 ＜封裝體之構成＞ 封裝體20具備引線23、第1樹脂體24、第2樹脂體25、及反射膜27，引線23與第1樹脂體24及第2樹脂體25係一體成形。 封裝體20之整體之形狀係上表面側為正方形狀之大致長方體。封裝體20具有下表面20a、側面20b及上表面20c作為外側之面。封裝體20之高度、長度、寬度並未特別限定，可根據目的及用途適當選擇。封裝體20之形狀亦可設為大致立方體、大致六角柱等多邊形形狀。 此處，封裝體20之下表面20a相對於外部之安裝基板等成為安裝面。下表面20a係由形成於第1樹脂體24之下表面及第2樹脂體25之下表面25b之反射膜27、及自反射膜27露出之引線23構成。下表面20a中之引線23於除封裝體20之周緣側部分(第1樹脂體24之下表面)及隔開地設置有第2樹脂體25之部分以外之部分自反射膜27露出。 封裝體20之側面20b係由第1樹脂體24、及於第1樹脂體24之角部露出之引線23構成。側面20b中之引線23於封裝體20之四個角呈矩形狀露出。再者，於側面20b中，第1樹脂體24與引線23形成於大致同一平面。 封裝體20之上表面20c於俯視下形成為矩形狀之中央具備向上方開口之凹部26。於上表面20c之側，於凹部26之開口部26c之周緣上表面、凹部26之內表面26b及於凹部26之底面26a配置於一對引線23、23間之第2樹脂體25之上表面25a設置有反射膜27。 [凹部] 於凹部26之底面26a露出引線23，於該引線23載置有發光元件30。凹部26之側壁26d係由第1樹脂體24構成。側壁26d之外表面構成封裝體20之側面20b。 側壁26d之內表面26b可設置平滑之傾斜，亦可設為於表面設置細小之凹凸而使光散射之形狀。 凹部26具有俯視下為圓形狀之開口部26c。作為開口部26c之形狀，以圓形而表示，但可採用大致橢圓形狀、大致多邊形形狀等。又，凹部26成為側壁26d之內表面26b向開口部26c之側擴大之形狀。 [引線] 引線23配置於凹部26之底面26a。引線23係以成為正負一對之方式隔開配置。一對引線23、23分別相當於陽極電極、陰極電極，意指導電性各不相同。 引線23之長度、寬度、厚度並無特別限定，可根據目的及用途適當選擇。引線23之材質例如較佳為銅或銅合金。引線23之最表面例如較佳為由銀或鋁等反射率較高之金屬材料被覆。 於本實施形態中，對露出於凹部26之底面26a之引線23及封裝體20之下表面20a之引線23實施鍍覆。 對引線23之上表面(凹部26之底面26a)實施有鍍覆，因此可提高來自發光元件30之光之反射率。 又，引線23由於底面(封裝體20之下表面20a)被鍍覆，故而與焊料等導電性構件之接合強度增加。 再者，於本實施形態中，引線23自側面20b露出之面並未被鍍覆。未被鍍覆之原因在於，該面直接使用如下文所述般將封裝體20單片化時所呈現之切斷面之狀態。 [第1樹脂體、第2樹脂體] 第1樹脂體24固定引線23，並且構成凹部26之側壁26d。第2樹脂體25配置於一對引線23、23間。第1樹脂體24及第2樹脂體25係由相同之樹脂一體成形。以下，將構成第1樹脂體24及第2樹脂體25之樹脂稱為第1樹脂。 作為第1樹脂，例如可列舉熱塑性樹脂或熱硬化性樹脂。 於熱塑性樹脂之情形時，例如可使用聚鄰苯二甲醯胺樹脂、液晶聚合物、聚對苯二甲酸丁二酯(PBT)、不飽和聚酯等。 於熱硬化性樹脂之情形時，例如可使用環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、丙烯酸酯樹脂等。 為了於凹部26之側壁26d之內表面26b使光高效率地反射，亦可使第1樹脂含有光反射構件。例如氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯、氧化鋁、氧化矽、玻璃填料、二氧化矽、氧化鎂、氧化銻、氫氧化鋁、硫酸鋇、碳酸鎂、碳酸鋇對水分等相對穩定且為高折射率，又，導熱性亦優異，故而較佳。 [反射膜] 反射膜27設置於第1樹脂體24及第2樹脂體25之上表面側及下表面側。具體而言，反射膜27係以至少覆蓋凹部26之側壁26d之內表面26b與第2樹脂體25之上表面25a及下表面25b之方式而設置。由於在反射膜27之形成範圍之部分來自發光元件30之光量相對較多，故而藉由設置反射膜27，可尤其有助於提高來自發光裝置1之正面方向之光提取效率。再者，露出之一對引線23未被反射膜27覆蓋。 於本實施形態中，於封裝體20之側面20b，第1樹脂體24未被反射膜27覆蓋。其原因在於，該面直接使用如下文所述般將封裝體20單片化時所呈現之切斷面之狀態。 反射膜27係含有光反射構件之粒子之薄膜。該反射膜27可使於有機溶劑中分散有光反射構件之粒子而成之分散液乾燥而形成。分散液中之光反射構件之含有率例如可設為1～30重量%。 有機溶劑並無特別限定，例如可列舉乙醇、異丙醇、二甲苯、甲苯、丙酮、松油醇、二乙二醇單丁醚、己烷、十三烷、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、甲基異丁基酮(MIBK)、甲基乙基酮等。為了調整與基材之潤濕性，有機溶劑亦可以1種以上之混合溶液之形式使用。 光反射構件例如較佳為TiO2 (氧化鈦)、Al2 O3 (氧化鋁)、ZrO2 (氧化鋯)、ZnO(氧化鋅)等金屬氧化物或玻璃填料、SiO2 (氧化矽)等白色顏料等於可見光區域折射率較高之材料。折射率較佳為1.4～2.8，更佳為1.5～2.8。其中，折射率較高之氧化鈦由於在可見光區域可獲得良好之反射性，故而較佳。利用光反射構件形成有反射膜之第1樹脂體24與第2樹脂體25之反射率較佳為可見光之反射率為70%以上或者80%以上。尤其是於發光元件之出射之波長區域中反射率較佳為70%以上或者80%以上。光反射構件所包含之氧化鈦等白色顏料之調配量只要為50重量%以上、95重量%以下即可，較佳為60重量%～95重量%，但並不限定於此。 又，光反射構件之粒子進而較佳為平均粒徑為1～1000 nm、較佳為5～300 nm、進而較佳為10～200 nm之奈米粒子。藉由使用奈米粒子，可形成為薄膜且反射率較高之反射膜27，故而適合用以將發光裝置1設為薄型。藉由使奈米粒子之分散液乾燥而形成反射膜27，可製成不易自第1樹脂體24及第2樹脂體25之表面剝落之緻密之膜，故而可構成可靠性較高之發光裝置1。 作為奈米粒子之粒徑，為了獲得良好之光反射性及與第1樹脂體24及第2樹脂體25之良好之密接性，平均粒徑較佳為設為1～100 nm，尤佳為設為1～50 nm。 再者，於本說明書中，奈米粒子之粒徑於使用雷射繞射法之測定中設為粒徑之平均值。粒子之大小使用測定之個數基準(個數分佈)。 又，反射膜27所含有之光反射構件與第1樹脂體24及第2樹脂體25所含有之光反射構件可為同種物質，亦可為不同種類之物質，又，該等物質之粒徑可相同，亦可不同。 於封裝體之俯視下之外緣之短邊之長度為例如100～200 μm左右之發光裝置中，設置於載置發光元件之凹部之反射膜之膜厚假設具有達10 μm左右之厚度，則因反射膜而凹部變窄。因此，於凹部只能載置相對小型且低輸出之發光元件，結果，該發光裝置相對較暗地發光。 又，關於在載置發光元件之凹部之底面跨及引線間之導線50，於在配置於該引線間之樹脂部上設置反射膜之情形時，若反射膜較厚，則無法將導線50之形狀設置為平滑。假設反射膜具有達10 μm左右之厚度，則導線50成為尖突彎曲之形狀，故而擔心因熱而導致第3樹脂體40收縮或膨脹，藉此因應力而導致導線50斷裂、斷線、連接部剝落等。 因此，於本實施形態之封裝體20中，反射膜27之平均厚度T尤佳為以能以穩定之膜厚形成且可獲得良好之反射性之方式設為10～1000 nm、較佳為10～500 nm、進而較佳為50～200 nm。藉此，發光裝置1可將相對大型且高輸出之發光元件30載置於封裝體20之凹部26，故而可相對明亮地發光。又，藉由將形成於第2樹脂體25之上表面25a之反射膜27設定為上述範圍內之膜厚，可將於凹部26之底面26a跨及引線23、23間之導線50之形狀維持為平滑地彎折之形狀。再者，於形成反射膜27時，藉由使以高濃度含有奈米粒子之分散液乾燥，可容易地形成10～500 nm左右之薄膜。 若封裝體20例如焊接於外部之安裝基板，則焊料層接著於封裝體20之下表面20a。假設於第2樹脂體25之表面不具備反射膜27之情形時，透過第2樹脂體25之光被焊料層吸收而無法提取至外部。相對於此，本實施形態之封裝體20於第2樹脂體25之上表面25a及下表面25b具備反射膜27，因此可抑制光被第2樹脂體25吸收，且即便少量光被第2樹脂體25吸收，亦會於第2樹脂體25之下表面25b之反射膜27向上方反射，因此可提高光提取效率。 [發光元件] 發光元件30於封裝體20之凹部26之底面26a配置於一對引線23之至少一者。發光元件30經由導線50與引線23電性連接。此處所使用之發光元件30之形狀或大小等並無特別限定。作為發光元件30之發光色，可根據用途選擇任意波長者。例如，作為藍色(波長430～490 nm之光)之發光元件，可使用GaN系或InGaN系。作為InGaN系，可使用InX AlY Ga1-X-Y N(0≦X≦1、0≦Y≦1、X＋Y＜1)等。再者，發光元件30可使用面朝上構造之發光元件，此外亦可使用面朝下構造之發光元件。 [第3樹脂體] 第3樹脂體40覆蓋安裝於封裝體20之凹部26內之發光元件30等。第3樹脂體40係為了保護發光元件30等免受外力、灰塵、水分等之傷害，並且使發光元件30等之耐熱性、耐候性、耐光性良好而設置。 以下將構成第3樹脂體40之樹脂稱為第3樹脂。作為第3樹脂，可列舉熱硬化性樹脂、例如聚矽氧樹脂、環氧樹脂、尿素樹脂等透明之材料。除此種材料以外，亦可含有螢光體或光反射率較高之物質等填料，以使具有特定之功能。 第3樹脂例如藉由混合螢光體，可容易地調整發光裝置1之色調。 作為第3樹脂所含有之填料，例如可較佳地使用SiO2 、TiO2 、Al2 O3 、ZrO2 、MgO等光反射率較高之物質。又，為了切斷所需以外之波長，例如可使用有機或無機著色染料或著色顏料。 [導線] 導線50係用以將發光元件30或保護元件等電子零件與引線23電性連接之導電性之配線。作為導線50之材質，可列舉使用Au(金)、Ag(銀)、Cu(銅)、Pt(鉑)、Al(鋁)等金屬及其等之合金者，尤佳為使用導熱率等優異之Au。再者，導線50之粗細度並無特別限定，可根據目的及用途適當選擇。 [其他] 亦可於發光裝置1設置齊納二極體作為保護元件。齊納二極體可與發光元件30隔開地載置於凹部26之底面26a之引線23上。又，亦可採用齊納二極體載置於凹部26之底面26a之引線23上並於其上載置發光元件30之構成。 本實施形態之封裝體20及發光裝置1具備高精度地配置之反射膜27，因此可使來自發光元件或螢光體之光較先前進一步反射，從而可將光提取至發光上表面。發光裝置1可提高光提取效率，且可提高光通量。 [發光裝置之製造方法] 以下，對以將與複數個發光裝置對應之複數個基板呈陣列狀配置之集合基板之形態製造之情形進行說明。第1實施形態之發光裝置之製造方法進行如下步驟：準備作為集合基板之樹脂成形體、形成反射膜、將一部分反射膜剝離、載置發光元件、利用第3樹脂覆蓋發光元件、及單片化步驟。 ＜準備樹脂成形體之步驟＞ 圖4係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係引線框架之俯視圖。圖5係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係樹脂成形體之俯視圖。圖6係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係圖5之VI-VI剖面箭視圖。 樹脂成形體21具備引線框架22及樹脂部29，且具備與複數個發光裝置對應之複數個凹部26。於引線框架22以特定之圖案形成有貫通孔22a。特定之圖案於單片化時以成為異種電極之方式被劃分至2個引線區域，且保持該2條引線並且包圍引線區域。由於沿著貫通孔22a進行單片化，故而較佳為直線形狀。引線框架22可使用平板狀之金屬板，但亦可使用設置有階差或凹凸之金屬板。引線框架22係對平板狀之金屬板進行衝壓加工或蝕刻加工等而成者。 貫通孔22a係以於將樹脂成形體21單片化而製成封裝體20時使引線23成為正負一對之方式形成。又，貫通孔22a係以於將樹脂成形體21切斷時縮小切斷引線23之面積之方式形成。例如，以成為正負一對引線23之方式於橫向上設置貫通孔22a。若細長之貫通孔之寬度(一對引線23、23間之寬度W)為1 mm以下、例如500～800 μm，則可使封裝體小型化，因此較佳。又，將貫通孔22a設置於相當於對樹脂成形體21進行單片化時之切取部分之位置。但是，為了使引線框架22之一部分不會脫落或使引線23於封裝體20之側面20b露出，預先將引線框架22之一部分連結。例如，由於使用切割刀片90(參照圖14)對樹脂成形體21進行切割，故而貫通孔22a較佳為縱向及橫向或者傾斜地呈直線形成。相當於該被切割之部分之位置之貫通孔22a、22a間成為1個封裝體20之構成。 引線框架22例如係使用銅或銅合金等電良導體而形成。又，為了提高來自發光元件30之光之反射率，可實施銀或鋁等之金屬鍍覆。較佳為於設置貫通孔22a後或進行蝕刻處理後等且利用上模具與下模具夾持之前實施金屬鍍覆，但亦可於引線框架22與樹脂部29一體成形之前實施金屬鍍覆。 引線框架22中之引線23係指相當於成型後之引線23之部分，且係單片化之後之狀態。引線23配置於經單片化時之凹部26之底面26a。樹脂部29係指相當於成型後之第1樹脂體24與第2樹脂體25之部分，且係單片化之前之狀態。其中，第1樹脂體24形成經單片化時之凹部26之側壁26d。第2樹脂體25配置於經單片化時之一對引線23間。 製造樹脂成形體21之步驟例如具有下述(1)至(5)之步驟。 (1)準備具有貫通孔22a之平板狀之引線框架22。 (2)利用被上下分割之塑模模具之上模具與下模具夾持引線框架22。 (3)將樹脂部29之材料、即含有氧化鈦等光反射構件之第1樹脂注入至模具。 (4)使所注入之第1樹脂硬化或固化。 (5)自模具中將成形體取出並切除第1樹脂之注入痕跡。 再者，於使用熱硬化性樹脂作為第1樹脂之情形時，較佳為藉由轉注成形進行製造。於該情形時，為了使熱硬化性樹脂硬化，而於烘箱中進行加熱處理。再者，亦可利用射出成形、壓縮成形、擠出成形使樹脂成形體21形成。 ＜形成反射膜之步驟＞ 圖7係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係表示反射膜之形成方法之一例之圖。圖8係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係具備反射膜之成形基板之俯視圖。圖9係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係圖8之IX-IX剖面箭視圖。 於形成反射膜27之步驟中，於經單片化時之封裝體20中至少於凹部26之底面26a及凹部26之側壁26d之內表面26b之整面形成反射膜27。此處，所謂凹部26之底面26a係於經單片化時之封裝體20中相當於第2樹脂體25之上表面25a之部分。 於本實施形態中，將所準備之樹脂成形體21浸漬於作為光反射構件之分散液之有機溶劑71中，其後，使其乾燥，藉此形成反射膜27。浸漬時間或乾燥時間能以於樹脂成形體21上形成平均厚度T為10～300 nm之反射膜27之方式適當設定。作為該有機溶劑71，使用光反射構件之粒子(奈米粒子)分散於有機溶劑中而成之漿料。有機溶劑71主要包含具有1～100 nm之粒徑之金屬氧化物。奈米粒子較佳為氧化鈦。 藉由利用如上所述般使奈米粒子分散於有機溶劑中而成之漿料對樹脂成形體21進行塗佈，可追隨封裝體之複雜形狀，以高精度形成緻密之反射膜27。即，藉由利用光反射構件之分散液於樹脂成形體21形成反射膜27，例如可針對凹部26之內側之第2樹脂體25之上表面25a或下表面25b等絕緣部選擇性地成膜包含光反射構件之反射膜27。 以下，將形成有反射膜27後之樹脂成形體表述為樹脂成形體21b。樹脂成形體21b於其整個表面形成有反射膜27。即，於經單片化時之封裝體20中之引線23、第1樹脂體24及第2樹脂體25之整個表面形成有反射膜27。 ＜將一部分反射膜剝離之步驟＞ 圖10係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係表示將反射膜剝離之方法之一例之圖。圖11係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係剝離反射膜後之成形基板之俯視圖。圖12係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係圖11之XII-XII剖面箭視圖。 將一部分反射膜27剝離之步驟係將於樹脂成形體21b中形成於凹部26內之一對引線23之反射膜剝離之步驟。於該步驟中，首先，將樹脂成形體21b浸漬於電解液中並於樹脂成形體21b流通電流。例如可使用電解毛邊去除裝置。 電解毛邊去除裝置具備電解槽80與電路，電解槽80被特定之電解液81填滿。於電源82之陰極連接有陰極板83，於電源82之陽極連接有陽極板84，陰極板83及陽極板84浸漬於電解液81中。再者，複數個陰極板83及陽極板84例如於被絕緣之狀態下以格子狀配置，各陰極板83兼作保持電解處理對象物之功能。樹脂成形體21b之引線框架22電性連接於陰極板83。樹脂成形體21b係以其整體浸漬於電解液81中之狀態保持於陰極板83。 若打開電解毛邊去除裝置之開關85，則藉由電解而於陰極側產生氫。於樹脂成形體21b通電之電流值亦可為電解毛邊去除裝置之通常之電流值，但為了保留所需之反射膜27並將無用之一部分反射膜27高效率地去除，較佳為以500 A/m2 ～3000 A/m2 之電流密度通電。更佳為1000 A/m2 ～2500 A/m2 。 只要為電解毛邊去除，則會於形成於引線23上之反射膜27之部分產生電位，因此產生氫，而表面之反射膜27剝離。再者，於形成於第1樹脂體24及第2樹脂體25上之反射膜27之部分不會產生電位，因此不會產生氫，而表面之反射膜27不會剝離。 亦可於樹脂成形體21b交替地流通直流電流與交流電流。於該情形時，流通直流電流之期間長於流通交流電流之期間。藉由如此般於產生氫之期間之中途設置不會產生氫之期間，可抑制使反射膜27剝離之力。其結果為，可防止所需之反射膜27被其附近之無用之反射膜27拉拽而剝離。 於將一部分反射膜27剝離之步驟中具有於進行電解毛邊去除後將懸浮於樹脂成形體21c之一對引線23、23上之反射膜去除之步驟。於該步驟中，例如可使用噴水器。藉此，可提高下述發光元件30等電子零件之安裝或打線接合之可靠性。藉由至此為止之步驟，可形成樹脂部之表面具備複雜形狀、高精度、緻密且反射率較高之反射膜27之封裝體20之集合體。再者，此處自第1樹脂體24露出之引線23之形狀係由圓與直線構成，但即便於俯視下為彎曲狀、波狀、凹凸狀等複雜形狀，亦可以高精度形成反射膜27。 以下，將去除無用之一部分反射膜27後之樹脂成形體記為樹脂成形體21c。於將該樹脂成形體21c單片化之情形時，成為圖1之封裝體20。於該封裝體20中，反射膜27於凹部26之側壁26d之內表面26b形成至與引線23之交界為止，且於第2樹脂體25之上表面25a及下表面25b形成至與引線23之交界為止。又，反射膜27於封裝體20之下表面20a，於第1樹脂體24之下表面形成至與引線23之交界為止。進而，以沿著第1樹脂體24與引線23之交界之方式形成反射膜27。 ＜載置發光元件之步驟＞ 圖13係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係載置有發光元件之成形基板之剖視圖。於載置發光元件30之步驟中，將發光元件30載置於配置於樹脂成形體21c之凹部26內之一對引線23、23之至少一者。此處，由於設為發光元件30為面朝上構造者，因此對引線23上之供安裝發光元件30之部位塗佈黏合劑樹脂，並安裝發光元件30，繼而為了使黏合劑樹脂硬化，於烘箱中進行加熱處理。 再者，發光裝置1之製造方法亦可具有載置保護元件之步驟。於該情形時，於對樹脂成形體21c之凹部26內供安裝保護元件之部位塗佈Ag糊劑後安裝保護元件，且為了使Ag糊劑硬化，於烘箱中進行加熱處理。 於發光裝置1之製造方法中，繼而使用打線接合裝置，利用導電性之導線50使發光元件30與引線23電性連接。再者，於載置有保護元件之情形時，使保護元件與引線電性連接。以下，將安裝有發光元件30後之樹脂成形體記為樹脂成形體21d。 ＜利用第3樹脂覆蓋發光元件之步驟＞ 圖14係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，係且發光元件由第3樹脂體覆蓋之樹脂成形體之剖視圖。利用樹脂覆蓋發光元件之步驟係於樹脂成形體21d中，使用例如樹脂塗佈裝置自發光元件30上塗佈第3樹脂。第3樹脂除熱硬化性樹脂以外，亦可含有螢光體、無機填料、有機填料之至少1種。繼塗佈之後，為了使第3樹脂硬化，於烘箱中進行加熱處理。 第3樹脂之填充量只要為能夠被覆發光元件30等電子零件或導線50等之量即可。於使該材料之填充量為必要最小限度之情形時，將第3樹脂體40之表面製成如圖示般大致平坦之形狀。再者，於使第3樹脂體40具有透鏡功能之情形時，亦可使第3樹脂體40之表面隆起而製成炮彈型形狀或凸透鏡形狀。以下，將形成有第3樹脂體40後之樹脂成形體記為樹脂成形體21e。 ＜單片化步驟＞ 單片化步驟係將樹脂成形體21e切斷而獲得經單片化之發光裝置之步驟。於樹脂成形體21e之引線框架22以特定之圖案形成有貫通孔22a，於通過除配置於凹部26之貫通孔22a以外之其他貫通孔22a之位置將樹脂成形體21e切斷。例如，將樹脂成形體21e貼附於切割片，利用切割刀片90將樹脂成形體21e之樹脂部29與引線框架22同時切斷。 根據本實施形態之封裝體及發光裝置之製造方法，於不使用遮罩之情況下將所準備之樹脂成形體21浸漬於作為光反射構件之分散液之有機溶劑71中，於整體形成反射膜27後，將一部分無用之反射膜27去除，因此可將反射膜27形成於所需之區域。 又，於上述製造方法中，若將於整個表面形成有反射膜27之樹脂成形體21b浸漬於電解液中，並於連接於陰極之樹脂成形體21b流通直流電流，則可藉由氫之產生而容易地自引線23上將無用之反射膜27去除。因此，例如於配置於引線23、23間之第2樹脂體25之上表面25a及下表面25b等微小區域亦可精度良好地將反射膜27形成至與引線23之交界為止。又，亦可以沿著第1樹脂體24與引線23之交界之方式形成反射膜27。 (第2實施形態) 圖15係表示第2實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係發光元件由絕緣膜覆蓋之樹脂成形體之剖視圖。本實施形態之發光裝置之製造方法亦可於載置發光元件之步驟之後且利用第3樹脂覆蓋發光元件之步驟之前進而具有利用絕緣膜覆蓋發光元件之步驟。 於在載置發光元件30後使用導線50之情形時，絕緣膜60較佳為於設置導線50後形成。於本實施形態中，於安裝了發光元件30後之樹脂成形體21d中自發光元件30及導線50上形成絕緣膜60。 絕緣膜60較佳為以被覆樹脂成形體21d之上表面之大致整個區域之方式設置。作為絕緣膜60之材料，較佳為透光性之材料，又，較佳為主要使用無機化合物。具體而言，可列舉Al2 O3 、SiO2 、TiO2 、ZrO2 、ZnO、Nb2 O5 、MgO、In2 O3 、Ta2 O5 、HfO2 、SeO、Y2 O3 等氧化物或SiN、AlN、AlON等氮化物、MgF2 等氟化物。該等可單獨使用，且亦可混合使用。或者亦可使絕緣膜積層。 關於絕緣膜60之膜厚，較佳為薄為於第3樹脂體40/絕緣膜60之界面或絕緣膜60/引線23之界面不會因多重反射而產生光之損耗。 絕緣膜60之膜厚薄於第3樹脂體40之膜厚。絕緣膜60之膜厚大致固定。膜厚之較佳之範圍根據用作絕緣膜60之材料之種類而略微不同，但絕緣膜60之膜厚較佳為約1 nm～300 nm，更佳為5 nm～100 nm。於將絕緣膜60製成多層之情形時，較佳為使層整體之膜厚成為該範圍內。 此種絕緣膜60可藉由原子層沈積(Atomic Layer Deposition，ALD)法、濺鍍法、蒸鍍法等而形成。其中，ALD法所形成之覆膜緻密，且可形成具有階差(凹凸)之形狀之被覆性較高且厚度均勻之覆膜，故而較佳。尤其是利用ALD法而形成之包含Al2 O3 之覆膜對水分等環境之阻隔性較高，故而較佳。藉此，例如可有效地抑制引線23上之鍍銀之變色。 (第3實施形態) 圖16係表示第3實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係另一樹脂成形體之俯視圖。於本實施形態之封裝體及發光裝置之製造方法中，例如亦可準備圖16所示之樹脂成形體21C。樹脂成形體21C具備引線框架22C、及相當於各個封裝體之複數個樹脂部29C，各樹脂部29C具備凹部26。於樹脂成形體21C中樹脂部29C被單片化，因此於單片化步驟中僅引線框架22C被切斷。 引線框架22C係板狀之構件，且於凹部26之周圍具有特定形狀之貫通孔223。貫通孔223係以於將樹脂成形體21C單片化時引線23成為正負一對之方式形成。引線框架22C具備包圍貫通孔223之周圍之殼體220、懸架引線221、及懸桿引線222。 懸架引線221自殼體220向貫通孔223之側突出並連接於引線23。該懸架引線221係用以將樹脂部29C及引線23、23支持於殼體220之部位，並且係於單片化時被切離者。 懸桿引線222係以自殼體220向貫通孔223之側突出並且與懸架引線221正交之方式配置。該懸桿引線222係用以利用其前端部支持樹脂部29C之部位，並且不會被切斷。又，於單片化後利用特定之治具頂出懸桿引線222之基端部，藉此可容易地將封裝體自引線框架22C卸除。 若進行使用樹脂成形體21C形成反射膜之步驟，則除樹脂部29C之上表面20c以外，亦於側面20b形成有反射膜27。即，於經單片化時之封裝體中，第1樹脂體24及第2樹脂體25係整面由反射膜27覆蓋。因此，可製造亦於側面20b形成有反射膜27之封裝體及發光裝置。藉此，即便少許光自凹部26之側壁26d之內表面26b被吸收至第1樹脂體24，亦會於封裝體之側面20b之反射膜27反射，因此可提高光提取效率。 (第4實施形態) ＜發光裝置之構成＞ 圖17係表示第4實施形態之發光裝置之概略之圖，且係表示發光裝置之立體圖。圖18係表示第4實施形態之發光裝置之概略之圖，且係表示發光裝置之前視圖。圖19係表示第4實施形態之發光裝置之概略之圖，且係圖18之XIX-XIX剖面箭視圖。發光裝置1B具備封裝體20B、發光元件30B、第3樹脂體40、及導線50。於該發光裝置1B中，封裝體20B及發光元件30B之形狀與第1實施形態之發光裝置1不同。以下，對與第1實施形態之發光裝置1相同之構成標註相同之符號並省略說明。發光元件30B與第1實施形態之發光元件30之不同點係於俯視下形成為橫長之四邊形。 封裝體20B之外形具有沿作為發光裝置1B之厚度方向之Z軸方向扁平地形成之大致長方體形狀，適合較佳地用於液晶顯示器之背光裝置用之光源等之邊視型之安裝。封裝體20B具備引線23、第1樹脂體24、第2樹脂體25、及反射膜27，引線23與第1樹脂體24及第2樹脂體25一體成形。第1樹脂體24具有朝發光裝置1B之正面側(Y軸之負方向)開口之凹部26。即，凹部26之側壁26d係由第1樹脂體24構成。 於封裝體20B中，凹部26於前視時具有橫長之開口部。更具體而言，開口於前視時呈長方形之下邊之中央部以梯形狀向下方隆起之八邊形之形狀。又，凹部26之底面26a具有呈橫長之八邊形之長條形狀。一對引線23、23以露出之方式設置於凹部26之底面26a，且於一引線23搭載有發光元件30B。 於凹部26之側壁26d之內表面可設置平滑之傾斜，亦可設為於表面設置細小之凹凸而使光散射之形狀。再者，亦可不設置傾斜而由相對於凹部26之底面26a大致垂直之面構成。凹部26之側壁26d中於發光裝置1B之厚度方向(Z軸方向)上相互對向地設置之上壁部26e及下壁部26f形成為薄於其他壁部。即，上壁部26e及下壁部26f形成為薄於在發光裝置1B之寬度方向(X軸方向)上相互對向地設置之2個側壁部。設置於凹部26之底面26a之一對引線23係以自下壁部26f之外側面之側突出，進而彎曲並沿著第1樹脂體24之下表面延伸之方式設置。 封裝體20B於發光裝置1B之背面側形成有利用射出成形法形成第1樹脂體24及第2樹脂體25時之向模具內注入樹脂材料之澆口之痕跡。澆口痕跡係藉由第1樹脂體24而形成，並由反射膜27覆蓋。第2樹脂體25配置於一對引線23、23間。於該第2樹脂體25中，於發光裝置1B之正面之面(上表面25a)設置有反射膜27。又，於第1樹脂體24中，凹部26之側壁26d之內表面26b與包含凹部26之開口部26c之周圍之面之封裝體20B之表面由反射膜27覆蓋。再者，於凹部26內填充有第3樹脂體40。 該發光裝置1B與第1實施形態同樣地，可以集合基板之形態製造。再者，引線框架於經鑄模後被切斷，其後，引線框架中之特定部位彎曲而形成封裝體20B之引線23、23之外部連接端子部。 發光裝置1B以適合邊視型之安裝之方式設置有引線23、23。又，作為邊視型之發光裝置1B，以成為更薄型之方式構成有封裝體20B。邊視型之封裝體由於設置於厚度方向上之側壁之厚度較薄，故而邊視型之發光裝置於厚度方向上容易漏光。然而，發光裝置1B係樹脂體整體由反射膜27覆蓋，且上壁部26e及下壁部26f之內表面及外表面亦由反射膜27覆蓋。因此，可減少自薄壁部分漏出之光，從而可提高光通量。 (第5實施形態) ＜發光裝置之構成＞ 圖20係表示第5實施形態之發光裝置之概略之圖，且係發光裝置之俯視圖。圖21係表示第5實施形態之發光裝置之概略之圖，且係圖20之XXI-XXI剖面箭視圖。發光裝置1C具備封裝體20C、發光元件30、第3樹脂體40、及導線50。於該發光裝置1C中，封裝體20C之形狀與第1實施形態之發光裝置1不同。以下，對與第1實施形態之發光裝置1相同之構成標註相同之符號並省略說明。 封裝體20C於凹部26之底面26a具備元件安裝部28。該封裝體20C除一對引線23、23以外亦具備元件安裝部28。元件安裝部28係供接合發光元件30之焊接部(晶片焊墊部)。發光元件30載置於元件安裝部28，且分別與一對引線23、23電性連接。 於本實施形態中，元件安裝部28係由與引線23相同之導電材料構成。但是，由於自一對引線23、23向發光元件30通電，因此不對元件安裝部28通電。此種元件安裝部28例如可藉由於圖16所示之引線框架22C中，使與1個封裝體對應之1個懸桿引線222延伸並使其向配置於一對引線23、23之間隙之形狀變形而形成。 再者，於利用例如環氧樹脂或聚矽氧樹脂等樹脂構件構成元件安裝部28之情形時，亦可將該元件安裝部28形成於例如任一引線23上。 (第6實施形態) ＜發光裝置之構成＞ 圖22係表示第6實施形態之發光裝置之概略之剖視圖。發光裝置1D具備陶瓷封裝體20D、發光元件30、第3樹脂體40、及導線50。於該發光裝置1D中，陶瓷封裝體20D之形狀及材料與第1實施形態之發光裝置1不同。以下，對與第1實施形態之發光裝置1相同之構成標註相同之符號並省略說明。 陶瓷封裝體20D整體之形狀為大致長方體，並且於上表面設置有凹部26。該陶瓷封裝體20D具有第2陶瓷體140、及設置於其上之第1陶瓷體130。第1陶瓷體130及第2陶瓷體140係1片絕緣性之片材或由複數片絕緣性之片材積層而成。 作為第1陶瓷體130及第2陶瓷體140之材料，例如可列舉陶瓷。陶瓷較佳為自氧化鋁(Al2 O3 )、氮化鋁(AlN)、莫來石等中選擇主材料。藉由向該等主材料中添加燒結助劑等進行燒結而獲得陶瓷之基材。亦可使用低溫同時焙燒陶瓷。 為了使光高效率地反射，陶瓷之基材含有光反射率較高之材料(例如氧化鈦等白色填料等)。又，可於焙燒前之坯片之階段實施各種圖案形狀之配線。於對陶瓷之材料進行焙燒後，將金、銀、銅或者鋁作為材料，並藉由鍍覆法或濺鍍將金屬材料配置於基底層上。 第2陶瓷體140為大致板狀，且於第1陶瓷體130形成有孔。該等第2陶瓷體140與第1陶瓷體130積層而形成凹部26。第1陶瓷體130形成凹部26之側壁26d。於凹部26以自其底面26a遍及陶瓷封裝體20D之下表面之方式隔開地配置有一對配線110、120。於一對配線110、120間配置有第2陶瓷體140。於用作發光裝置1D時，配線110、120相當於陽極電極、陰極電極。發光元件30例如載置於配線110上。又，設置於發光元件30之上表面之元件電極(未圖示)與配線110、120係藉由導線50而分別連接。並且，發光元件30係藉由第3樹脂體40而密封。 陶瓷封裝體20D之下表面之外側係安裝於外部之基板之側之面。於陶瓷封裝體20D之下表面側設置有自配線110、120分別經由配線111、121而連接之配線112、122。即，配線112、122係經由配線110、120而分別與發光元件30之2個元件電極連接。再者，配置於凹部26之配線110、120之最表面例如較佳為被銀等反射率較高之金屬材料被覆。 反射膜27覆蓋凹部26之側壁26d之內表面26b。又，反射膜27覆蓋第2陶瓷體140之上表面、具體而言凹部26之底面26a上配置於配線110與配線120之間之部分。又，反射膜27覆蓋第2陶瓷體140之下表面、具體而言陶瓷封裝體20D之下表面上配置於配線112與配線122之間之部分。進而，反射膜27覆蓋第1陶瓷體130之上表面、具體而言凹部26之開口部26c之周圍之面。該發光裝置1D與第1實施形態同樣地，可以集合基板之形態製造。 [實施例] 為了確認本發明之發光裝置之性能而進行以下實驗。製造與發光裝置1相同之形狀之發光裝置(以下稱為實施例1)。實施例1之發光裝置之製造方法如下所述。 準備作為集合基板之樹脂成形體21。樹脂成形體21之引線框架22使用由銅合金形成且對表面實施有鍍銀者。第1樹脂體24之材料使用含有10重量%之氧化鈦作為光反射構件之環氧樹脂。又，第2樹脂體25亦使用含有10重量%之氧化鈦之環氧樹脂。第1樹脂體24及第2樹脂體25所使用之氧化鈦使用平均粒徑為0.2 μm者。又，為了形成反射膜，準備將甲苯用作有機溶劑且將具有粒徑為30 nm之氧化鈦用作光反射構件之分散液(15重量%)之漿料。 於形成反射膜之步驟中，將樹脂成形體21浸漬於該漿料中，其後，使之乾燥而產生形成有反射膜27之樹脂成形體21b。接下來，於將一部分反射膜剝離之步驟中，準備電解毛邊去除裝置，將水作為電解液，以1500 A/m2 之電流密度對樹脂成形體21b進行通電。接下來，利用噴水器將懸浮於自電解槽80取出之樹脂成形體21c上之樹脂毛邊及反射膜去除。又，使用峰值波長450 nm之GaN系之藍色發光元件作為發光元件30。進而，使用含有YAG(Yttrium Aluminium Garnet，釔-鋁-石榴石)螢光體之聚矽氧樹脂作為第3樹脂體40。於作為金屬部分之引線框架22上並未殘留反射膜27，而反射膜27僅配置於第1樹脂體24之部分。 所完成之實施例1之發光裝置之平面尺寸為3 mm×3 mm，一對引線23、23間之寬度W為600 μm。又，以下，將未進行形成反射膜之步驟而同樣地製造之發光裝置稱為比較例1。 ＜色調比較之結果＞ 使用色度測定裝置之實驗之結果為，比較例1及實施例1之發光裝置具有xy色度值中之x值及y值均為0.34之色調。關於色調，可得出可忽略反射膜27之有無所導致之差異之結論。 ＜光通量比較之結果＞ 使用光通量測定裝置之實驗之結果為，於將對比較例1進行測定所得之光通量設為100%時，對實施例1進行測定所得之光通量成為101%。確認到藉由反射膜27將光通量提高了1%之效果。 [表1] 以上，對本揭示之實施形態之封裝體及發光裝置、與其等之製造方法具體地進行了說明，但本發明之主旨並不限定於該等記載，應該基於申請專利範圍之記載而廣泛地解釋。又，理所當然，基於該等記載進行了各種變更、改變等者亦包含於本發明之主旨中。 [產業上之可利用性] 本實施形態之發光裝置可利用於液晶顯示器之背光裝置光源、各種照明器具、大型顯示器、廣告或目的地嚮導等各種顯示裝置、進而數位攝錄影機、傳真機、影印機、掃描儀等中之圖像讀取裝置、投影儀裝置等各種光源。
1‧‧‧發光裝置
1B‧‧‧發光裝置
1C‧‧‧發光裝置
1D‧‧‧發光裝置
20‧‧‧封裝體
20B‧‧‧封裝體
20C‧‧‧封裝體
20D‧‧‧陶瓷封裝體
20a‧‧‧底面
20b‧‧‧側面
20c‧‧‧上表面
21‧‧‧樹脂成形體
21C‧‧‧樹脂成形體
21b‧‧‧樹脂成形體
21c‧‧‧樹脂成形體
21d‧‧‧樹脂成形體
21e‧‧‧樹脂成形體
22‧‧‧引線框架
22a‧‧‧貫通孔
22C‧‧‧引線框架
23‧‧‧引線
24‧‧‧第1樹脂體(樹脂部)
25‧‧‧第2樹脂體(樹脂部)
25a‧‧‧上表面
25b‧‧‧下表面
26‧‧‧凹部
26a‧‧‧底面
26b‧‧‧內表面
26c‧‧‧開口部
26d‧‧‧側壁
26e‧‧‧上壁部
26f‧‧‧下壁部
27‧‧‧反射膜
28‧‧‧元件安裝部
29‧‧‧樹脂部
29C‧‧‧樹脂部
30‧‧‧發光元件
30B‧‧‧發光元件
40‧‧‧第3樹脂體
50‧‧‧導線
60‧‧‧絕緣膜
71‧‧‧有機溶劑
80‧‧‧電解槽
81‧‧‧電解液
82‧‧‧電源
83‧‧‧陰極板
84‧‧‧陽極板
85‧‧‧開關
90‧‧‧切割刀片
110‧‧‧配線
120‧‧‧配線
130‧‧‧第1陶瓷體
140‧‧‧第2陶瓷體
220‧‧‧殼體
221‧‧‧懸架引線
222‧‧‧懸桿引線
223‧‧‧貫通孔
T‧‧‧反射膜之平均厚度
W‧‧‧寬度
圖1係表示第1實施形態之發光裝置之概略之圖，且係表示發光裝置之立體圖。 圖2係表示第1實施形態之發光裝置之概略之圖，且係發光裝置之俯視圖。 圖3係表示第1實施形態之發光裝置之概略之圖，且係圖2之III-III剖面箭視圖。 圖4係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係引線框架之俯視圖。 圖5係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係樹脂成形體之俯視圖。 圖6係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係圖5之VI-VI剖面箭視圖。 圖7係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係表示反射膜之形成方法之一例之圖。 圖8係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係具備反射膜之樹脂成形體之俯視圖。 圖9係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係圖8之IX-IX剖面箭視圖。 圖10係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，其係表示將反射膜剝離之方法之一例的圖。 圖11係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係剝離反射膜後之樹脂成形體之俯視圖。 圖12係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係圖11之XII-XII剖面箭視圖。 圖13係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係載置有發光元件之樹脂成形體之剖視圖。 圖14係表示第1實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係發光元件由第3樹脂體覆蓋之樹脂成形體之剖視圖。 圖15係表示第2實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係發光元件由絕緣膜覆蓋之樹脂成形體之剖視圖。 圖16係表示第3實施形態之發光裝置之製造步驟之概略的圖，且係另一樹脂成形體之俯視圖。 圖17係表示第4實施形態之發光裝置之概略之圖，且係表示發光裝置之立體圖。 圖18係表示第4實施形態之發光裝置之概略之圖，且係表示發光裝置之前視圖。 圖19係表示第4實施形態之發光裝置之概略之圖，且係圖18之XIX-XIX剖面箭視圖。 圖20係表示第5實施形態之發光裝置之概略之圖，且係發光裝置之俯視圖。 圖21係表示第5實施形態之發光裝置之概略之圖，且係圖20之XXI-XXI剖面箭視圖。 圖22係表示第6實施形態之發光裝置之概略之剖視圖。
1‧‧‧發光裝置
20‧‧‧封裝體
20a‧‧‧底面
20b‧‧‧側面
20c‧‧‧上表面
23‧‧‧引線
24‧‧‧第1樹脂體(樹脂部)
25‧‧‧第2樹脂體(樹脂部)
25a‧‧‧上表面
25b‧‧‧下表面
26‧‧‧凹部
26a‧‧‧底面
26b‧‧‧內表面
26c‧‧‧開口部
26d‧‧‧側壁
27‧‧‧反射膜
30‧‧‧發光元件
40‧‧‧第3樹脂體
50‧‧‧導線
T‧‧‧反射膜之平均厚度

Claims (25)

  1. 一種封裝體，其具有： 一對引線，其等配置於凹部之底面； 第1樹脂體，其形成上述凹部之側壁； 第2樹脂體，其配置於上述一對引線間；及 反射膜，其覆蓋上述凹部之側壁之內表面與上述第2樹脂體之上表面及下表面。
  2. 如請求項1之封裝體，其中上述第1樹脂體係上述凹部之開口部之周邊之整面由上述反射膜覆蓋。
  3. 如請求項1之封裝體，其中上述第1樹脂體及上述第2樹脂體係整面由上述反射膜覆蓋。
  4. 如請求項1之封裝體，其中上述反射膜於上述凹部之側壁之內表面形成至與上述引線之交界為止，且於上述第2樹脂體之上表面及下表面形成至與上述引線之交界為止。
  5. 如請求項1之封裝體，其中上述反射膜之平均厚度為10～1000 nm。
  6. 如請求項1之封裝體，其中上述反射膜主要包含具有1～100 nm之粒徑之金屬氧化物。
  7. 如請求項6之封裝體，其中上述金屬氧化物為氧化鈦。
  8. 如請求項1之封裝體，其中上述第1樹脂體及上述第2樹脂體包含選自由環氧樹脂、改性環氧樹脂、聚矽氧樹脂、改性聚矽氧樹脂、丙烯酸酯樹脂、胺基甲酸酯樹脂所組成之群中之至少1種。
  9. 如請求項1之封裝體，其進而具備安裝發光元件之元件安裝部。
  10. 一種陶瓷封裝體，其具有： 一對配線，其等配置於凹部之底面； 第1陶瓷體，其形成上述凹部之側壁； 第2陶瓷體，其配置於上述一對配線間；及 反射膜，其覆蓋上述凹部之側壁之內表面與上述第2陶瓷體之上表面及下表面。
  11. 一種發光裝置，其具有： 如請求項1之封裝體；及 發光元件，其於上述封裝體之上述凹部之底面配置於上述一對引線之至少一者。
  12. 一種發光裝置，其具有： 如請求項9之封裝體；及 發光元件，其於上述封裝體之上述凹部之底面載置於上述元件安裝部，且分別與上述一對引線電性連接。
  13. 一種發光裝置，其具有： 如請求項10之陶瓷封裝體；及 發光元件，其於上述陶瓷封裝體之上述凹部之底面配置於上述一對配線之至少一者。
  14. 如請求項11之發光裝置，其具備第3樹脂體，該第3樹脂體覆蓋上述發光元件且配置於上述凹部內。
  15. 一種封裝體之製造方法，其具有如下步驟： 準備樹脂成形體，該樹脂成形體具備配置於凹部之底面之一對引線、形成上述凹部之側壁之第1樹脂體、及配置於上述一對引線間之第2樹脂體； 至少於上述凹部之底面及上述凹部之側壁之內表面之整面形成反射膜；及 於形成有上述反射膜之樹脂成形體中將形成於上述凹部內之上述一對引線之上述反射膜剝離。
  16. 如請求項15之封裝體之製造方法，其中將上述反射膜剝離之步驟係將形成有上述反射膜之樹脂成形體浸漬於電解液中並於上述樹脂成形體流通電流。
  17. 如請求項15之封裝體之製造方法，其中將上述反射膜剝離之步驟係將形成有上述反射膜之樹脂成形體浸漬於電解液中並於上述樹脂成形體流通直流電流。
  18. 如請求項17之封裝體之製造方法，其中將上述反射膜剝離之步驟具有如下步驟： 以500 A/m2 ～3000 A/m2 之電流密度對形成有上述反射膜之樹脂成形體進行通電；及 將懸浮於該樹脂成形體之一對引線上之反射膜去除。
  19. 如請求項15之封裝體之製造方法，其中形成上述反射膜之步驟係將上述所準備之樹脂成形體浸漬於主要包含具有1～100 nm之粒徑之金屬氧化物之有機溶劑中。
  20. 如請求項15之封裝體之製造方法，其中形成上述反射膜之步驟係於上述所準備之樹脂成形體上形成平均厚度為10～1000 nm之反射膜。
  21. 一種發光裝置之製造方法，其具備如下步驟： 準備樹脂成形體，該樹脂成形體具備配置於凹部之底面之一對引線、形成上述凹部之側壁之第1樹脂體、及配置於上述一對引線間之第2樹脂體； 至少於上述凹部之底面及上述凹部之側壁之內表面之整面形成反射膜； 於形成有上述反射膜之樹脂成形體中將形成於上述凹部內之上述一對引線之上述反射膜剝離；及 將發光元件載置於剝離上述反射膜後之上述一對引線之至少一者。
  22. 如請求項21之發光裝置之製造方法，其於載置上述發光元件之步驟後具備利用第3樹脂覆蓋上述發光元件之步驟。
  23. 如請求項21之發光裝置之製造方法，其於載置上述發光元件之步驟後具備利用絕緣膜覆蓋上述發光元件，進而利用第3樹脂覆蓋上述絕緣膜之步驟。
  24. 如請求項23之發光裝置之製造方法，其中上述絕緣膜之膜厚薄於包含上述第3樹脂之第3樹脂體之膜厚。
  25. 如請求項23之發光裝置之製造方法，其中上述絕緣膜之膜厚大致固定。
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