JP2017069539A - パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】高精度に配置された反射膜を備えるパッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ２０は、凹部２６の底面２６ａに配置される一対のリード２３，２３と、凹部２６の側壁２６ｄを形成する第１樹脂体２４と、一対のリード２３，２３間に配置される第２樹脂体２５と、凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂと、第２樹脂体２５の上面２５ａ及び下面２５ｂと、を覆う反射膜２７と、を有する。
【選択図】図３

Description

本開示は、パッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法に関する。
ＬＥＤは、バックライト、照明、車載部品、ディスプレイ等の市場において、小型化、高効率化、高出力化、高信頼性等の要求が強くなっており、それらの性能を向上させた発光装置が提供されている。特に、モバイル用のバックライトは薄型化が進み、それに伴って、発光装置も超薄型化となっている。市場のこれらの要望に応えるため、様々な発光装置が提供されている。
従来の発光装置は、セラミックスパッケージや樹脂パッケージの上に、反射層を備えており、この反射層によって、光の取り出し効率を上げている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。前記した反射層は、マスクを使用し、蒸着、スパッタリング、塗布等の方法で形成されている。
特開２００８−１６００３２号公報 特開２０１４−１５８０１１号公報
前記マスクを使用する方法では、一対のリードを備えた小型の発光装置やパッケージでは、リード間のエリアが微小エリアであるため、マスクの位置合わせが困難で、精度良くリード間に反射層を形成することが困難である。
また、マスクを使用しない場合、例えば塗布により反射層を形成させる場合、反射層の材料を塗布した後、この反射層材料が流動するため、反射層が必要なエリアに形成することが困難であったり、また、反射層の膜厚にムラが生じるおそれがあったりしている。
そこで、本開示に係る実施形態は、高精度に配置された反射膜を備えるパッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法を提供する。
本開示の実施形態に係るパッケージは、凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第１樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第２樹脂体と、前記凹部の側壁の内面と、前記第２樹脂体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有する。
本開示の実施形態に係る発光装置は、前記パッケージと、前記パッケージの前記凹部の底面において前記一対のリードの少なくとも一方に配置される発光素子と、を有する。
本開示の実施形態に係るパッケージの製造方法は、凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第１樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第２樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、を有する。
本開示の実施形態に係る発光装置の製造方法は、凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第１樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第２樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、前記反射膜が剥離された前記一対のリードの少なくとも一方に発光素子を載置する工程と、を備える。
本開示の実施形態に係るセラミックスパッケージは、凹部の底面に配置される一対の配線と、前記凹部の側壁を形成する第１セラミックス体と、前記一対の配線間に配置される第２セラミックス体と、前記凹部の側壁の内面と、前記第２セラミックス体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有する。
本開示の実施形態に係るパッケージ及び発光装置は、高精度に配置された反射膜を備えている。また、本開示の実施形態に係るパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法は、高精度に配置された反射膜を形成することができる。
第１実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。 第１実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。 第１実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図２のIII−III断面矢視図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、樹脂成形体の平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図５のVI−VI断面矢視図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜の形成方法の一例を示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を備える樹脂成形体の平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図８のIX−IX断面矢視図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を剥離する方法の一例を示す図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜が剥離された樹脂成形体の平面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図１１のXII−XII断面矢視図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、発光素子が載置された樹脂成形体の断面図である。 第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、第３樹脂体で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。 第２実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、絶縁膜で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。 第３実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、他の樹脂成形体の平面図である。 第４実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。 第４実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す正面図である。 第４実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図１８のXIX−XIX断面矢視図である。 第５実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。 第５実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図２０のXXI−XXI断面矢視図である。 第６実施形態に係る発光装置の概略を示す断面図である。
以下、実施形態の一例を示すパッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置を説明する。なお、以下の説明において参照する図面は、本実施形態を概略的に示したものであるため、各部材のスケールや間隔、位置関係等が誇張、あるいは、部材の一部の図示が省略されている場合がある。また、以下の説明では、同一の名称及び符号については原則として同一もしくは同質の部材を示しており、詳細説明を適宜省略することとする。
（第１実施形態）
＜発光装置の構成＞
図面を用いて説明する。図１は、第１実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。図３は、第１実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図２のIII−III断面矢視図である。
第１実施形態に係る発光装置１は、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５を含むパッケージ２０と、発光素子３０と、第３樹脂体４０と、ワイヤ５０と、を備えている。
＜パッケージの構成＞
パッケージ２０は、リード２３と、第１樹脂体２４と、第２樹脂体２５と、反射膜２７とを備え、リード２３と第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５と、は一体成形されている。
パッケージ２０の全体の形状は、上面側が正方形状の略直方体である。パッケージ２０は、外側の面として、下面２０ａ、側面２０ｂ及び上面２０ｃを有している。パッケージ２０の高さ、長さ、幅は特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。パッケージ２０の形状は、略立方体、略六角柱等の多角形形状としてもよい。
ここで、パッケージ２０の下面２０ａは、外部の実装基板等に対して実装面となる。下面２０ａは、第１樹脂体２４の下面及び第２樹脂体２５の下面２５ｂに形成された反射膜２７と、反射膜２７から露出するリード２３と、で構成されている。下面２０ａにおけるリード２３は、パッケージ２０の周縁側部分（第１樹脂体２４の下面）及び離間して第２樹脂体２５の設けられている部分以外では反射膜２７から露出している。
パッケージ２０の側面２０ｂは、第１樹脂体２４と、第１樹脂体２４の隅部において露出するリード２３と、から構成されている。側面２０ｂにおけるリード２３は、パッケージ２０の四隅において、矩形状に露出している。なお、側面２０ｂにおいて第１樹脂体２４とリード２３とは略同一面に形成されている。
パッケージ２０の上面２０ｃは、平面視では矩形状に形成され中央に、上方に開口した凹部２６を備えている。上面２０ｃの側では、凹部２６の開口部２６ｃの周縁上面、凹部２６の内面２６ｂ及び、凹部２６の底面２６ａにおいて一対のリード２３，２３間に配置される第２樹脂体２５の上面２５ａに、反射膜２７が設けられている。
［凹部］
凹部２６の底面２６ａにはリード２３が露出しており、このリード２３に発光素子３０が載置されている。凹部２６の側壁２６ｄは第１樹脂体２４で構成されている。側壁２６ｄの外面は、パッケージ２０の側面２０ｂを構成する。
側壁２６ｄの内面２６ｂには滑らかな傾斜を設けてもよいし、表面に細かい凹凸を設け、光を散乱させる形状としてもよい。
凹部２６は、平面視で円形状の開口部２６ｃを有している。開口部２６ｃの形状としては、円形として示しているが、略楕円形状、略多角形形状等を採ることができる。また、凹部２６は、側壁２６ｄの内面２６ｂが開口部２６ｃの側に拡がる形状となっている。
［リード］
リード２３は、凹部２６の底面２６ａに配置される。リード２３は、正負一対となるように離間させて配置されている。一対のリード２３，２３は、アノード電極、カソード電極にそれぞれ相当し、それぞれ導電性が異なることを意味する。
リード２３の長さ、幅、厚さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。リード２３の材質は、例えば銅や銅合金が好ましい。リード２３の最表面は、例えば、銀やアルミニウム等の反射率の高い金属材料にて被覆されていることが好ましい。
本実施形態では、凹部２６の底面２６ａに露出したリード２３及びパッケージ２０の下面２０ａのリード２３にはメッキが施されている。
リード２３の上面（凹部２６の底面２６ａ）にはメッキが施されているので、発光素子３０からの光の反射率を高めることができる。
また、リード２３は、底面（パッケージ２０の下面２０ａ）がメッキされているため、半田等の導電性部材との接合強度が増す。
なお、本実施形態では、リード２３は、側面２０ｂから露出した面がメッキされていない。メッキされていない理由として、この面は、後記するようにパッケージ２０を個片化した際に現れた切断面の状態をそのまま使用しているからである。
［第１樹脂体、第２樹脂体］
第１樹脂体２４は、リード２３を固定すると共に凹部２６の側壁２６ｄを構成している。第２樹脂体２５は、一対のリード２３，２３間に配置される。第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５は、同じ樹脂で一体成形されている。以下では、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５を構成する樹脂のことを第１樹脂という。
第１樹脂としては、例えば熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を挙げることができる。
熱可塑性樹脂の場合、例えば、ポリフタルアミド樹脂、液晶ポリマー、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、不飽和ポリエステル等を用いることができる。
熱硬化性樹脂の場合、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、アクリレート樹脂等を用いることができる。
凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂにおいて光を効率よく反射するために、第１樹脂に光反射部材が含有されていても構わない。例えば酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、ガラスフィラー、シリカ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムは、水分等に対して比較的安定でかつ高屈折率であり、また熱伝導性にも優れるため好ましい。
［反射膜］
反射膜２７は、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５の上面側と、下面側とに設けられている。反射膜２７は、具体的には、凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂと、第２樹脂体２５の上面２５ａ及び下面２５ｂとを少なくとも覆うように設けられている。反射膜２７の形成範囲の部分では、発光素子３０からの光量が比較的多いため、反射膜２７を設けることで、発光装置１の正面方向からの光取り出し効率の向上に特に貢献することができる。なお、露出する一対のリード２３は、反射膜２７に覆われていない。
本実施形態では、パッケージ２０の側面２０ｂにおいて、第１樹脂体２４は反射膜２７に覆われていない。その理由として、この面は、後記するようにパッケージ２０を個片化した際に現れた切断面の状態をそのまま使用しているからである。
反射膜２７は、光反射部材の粒子を含有した薄膜である。この反射膜２７は、有機溶媒に光反射部材の粒子を分散させた分散液を乾燥させて形成することができる。分散液における光反射部材の含有率は、例えば、１〜３０重量％とすることができる。
有機溶媒は、特に限定されないが、例えば、エタノール、イソプロピルアルコール、キシレン、トルエン、アセトン、タービネオール、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ヘキサン、トリデカン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(ＰＧＭＥＡ)、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルエチルケトン等を挙げることができる。有機溶剤は基材との濡れ性を調整するために１種類以上の混合溶液として用いても良い。
光反射部材は、例えば、ＴｉＯ2（酸化チタン）、Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム）、ＺｒＯ2（酸化ジルコニウム）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等の金属酸化物や、ガラスフィラー、ＳｉＯ２（酸化ケイ素）等の白色顔料等の可視光領域で屈折率が高い材料が好ましい。屈折率は１．４〜２．８が好ましく、１．５〜２．８がより好ましい。なかでも、屈折率の高い酸化チタンは、可視光領域で良好な反射性が得られるため好ましい。光反射部材で反射膜が形成された第１樹脂体２４と第２樹脂体２５の反射率は、可視光の反射率が７０％以上、若しくは８０％以上が好ましい。特に、発光素子の出射する波長域において反射率が７０％以上、若しくは８０％以上が好ましい。光反射部材に含まれる酸化チタン等の白色顔料の配合量は５０重量％以上、９５重量％以下であればよく、６０重量％〜９５重量％が好ましいが、これに限定されない。
また、光反射部材の粒子は、平均粒径が１〜１０００ｎｍ、好ましくは５〜３００ｎｍ、さらに好ましくは１０〜２００ｎｍであるナノ粒子であることが更に好ましい。ナノ粒子を用いることで、薄膜で反射率の高い反射膜２７を形成することができるため、発光装置１を薄型とするためには好適である。ナノ粒子の分散液を乾燥させて反射膜２７を形成することで、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５の表面から剥がれにくい緻密な膜とすることができるため、信頼性の高い発光装置１を構成することができる。
ナノ粒子の粒径としては、良好な光反射性及び第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５との良好な密着性が得られるように、平均粒径が１〜１００ｎｍとすることが好ましく、１〜５０ｎｍとすることが特に好ましい。
なお、本明細書において、ナノ粒子の粒子径は、レーザー回折法を用いた測定で、粒子径の平均値とする。粒子の大きさは測定する個数基準（個数分布）を用いる。
また、反射膜２７に含有させる光反射部材と、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５に含有させる光反射部材とは、同種の物質であってもよく、異なる種類の物質であってもよく、また、これらの物質の粒径も、同じであってもよく、異なるものであってもよい。
パッケージの平面視の外縁の短辺の長さが、例えば１００〜２００μｍ程度の発光装置において、発光素子を載置する凹部に設ける反射膜の膜厚が仮に１０μｍ程度もの厚みがあると、反射膜によって凹部が狭くなる。そのため、凹部には相対的に小型で低出力の発光素子しか載置できず、結果として、この発光装置が相対的に暗く発光することになる。
また、発光素子を載置する凹部の底面でリード間を跨ぐワイヤ５０は、このリード間に配置される樹脂部の上に反射膜を設ける場合、反射膜が厚いと、ワイヤ５０の形状が滑らかに設けることができなくなる。反射膜が仮に１０μｍ程度もの厚みを有していると、ワイヤ５０が尖って曲がった形状になるため、熱により第３樹脂体４０が収縮したり膨張したりすることで、応力によりワイヤ５０の破断、断線、接続部の剥がれ等が懸念される。
そのため、本実施形態のパッケージ２０において、反射膜２７の平均厚みＴは、安定した膜厚で形成することができ、かつ良好な反射性が得られるように、１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜５００ｎｍ、さらに好ましくは５０〜２００ｎｍとすることが特に好ましい。これにより、発光装置１は、パッケージ２０の凹部２６に、相対的に大型で高出力の発光素子３０を載置できるため、相対的に明るく発光することができる。また、第２樹脂体２５の上面２５ａに形成する反射膜２７を、上記範囲内の膜厚に設定することにより、凹部２６の底面２６ａでリード２３，２３間を跨ぐワイヤ５０の形状を、滑らかに折り曲げた形状に維持することができる。なお、反射膜２７を形成する際に、ナノ粒子を高濃度で含有する分散液を乾燥させることで、１０〜５００ｎｍ程度の薄膜を容易に形成することができる。
パッケージ２０は、外部の実装基板に例えば半田接合されると、パッケージ２０の下面２０ａに半田層が接着される。仮に、第２樹脂体２５の表面に反射膜２７を備えていなかった場合、第２樹脂体２５を透過した光は、半田層に吸収され外部に取り出すことができなくなる。これに対して、本実施形態のパッケージ２０は、第２樹脂体２５の上面２５ａ及び下面２５ｂに反射膜２７を備えているので、第２樹脂体２５に光が吸収されることを抑制することができ、かつ、第２樹脂体２５に僅かな光が吸収されたとしても、第２樹脂体２５の下面２５ｂの反射膜２７で上方に反射するので、光取り出し効率を上げることができる。
［発光素子］
発光素子３０は、パッケージ２０の凹部２６の底面２６ａにおいて一対のリード２３の少なくとも一方に配置される。発光素子３０は、ワイヤ５０を介してリード２３と電気的に接続している。ここで用いられる発光素子３０は形状や大きさ等が特に限定されない。発光素子３０の発光色としては、用途に応じて任意の波長のものを選択することができる。例えば、青色（波長４３０〜４９０ｎｍの光）の発光素子としては、ＧａＮ系やＩｎＧａＮ系を用いることができる。ＩｎＧａＮ系としては、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、Ｘ＋Ｙ＜１）等を用いることができる。なお、発光素子３０は、フェイスアップ構造のものを使用することができる他、フェイスダウン構造のものも使用することができる。
［第３樹脂体］
第３樹脂体４０は、パッケージ２０の凹部２６内に実装された発光素子３０等を覆うものである。第３樹脂体４０は、発光素子３０等を、外力、埃、水分等から保護すると共に、発光素子３０等の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとするために設けられている。
第３樹脂体４０を構成する樹脂のことを以下では第３樹脂と呼ぶ。第３樹脂としては、熱硬化性樹脂、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等の透明な材料を挙げることができる。このような材料に加えて、所定の機能を持たせるために、蛍光体や光反射率が高い物質等のフィラーを含有させることもできる。
第３樹脂は、例えば蛍光体を混合することで、発光装置１の色調調整を容易にすることができる。
第３樹脂に含有させるフィラーとしては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＯ等の光反射率が高い物質を好適に用いることができる。また、所望外の波長をカットする目的で、例えば、有機や無機の着色染料や着色顔料を用いることができる。
［ワイヤ］
ワイヤ５０は、発光素子３０や保護素子等の電子部品と、リード２３とを電気的に接続するための導電性の配線である。ワイヤ５０の材質としては、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）、Ａｌ（アルミニウム）等の金属、及び、それらの合金を用いたものが挙げられるが、特に、熱伝導率等に優れたＡｕを用いるのが好ましい。なお、ワイヤ５０の太さは特に限定されず、目的及び用途に応じて適宜選択することができる。
［その他］
発光装置１には、保護素子としてツェナーダイオードを設けることもできる。ツェナーダイオードは、発光素子３０と離れて凹部２６の底面２６ａのリード２３に載置することができる。また、ツェナーダイオードは、凹部２６の底面２６ａのリード２３に載置され、その上に発光素子３０を載置する構成を採ることもできる。
本実施形態に係るパッケージ２０及び発光装置１は、高精度に配置された反射膜２７を備えるので、発光素子や蛍光体からの光を、従来よりも反射させて、発光上面の方に光を取り出すことができる。発光装置１は、光取り出し効率を上げることができ、光束を向上させることができる。
［発光装置の製造方法］
以下では、複数の発光装置に対応した複数の基板がアレイ状に配置された集合基板の形態で製造する場合について説明する。第１実施形態に係る発光装置の製造方法は、集合基板としての樹脂成形体を準備する工程と、反射膜を形成する工程と、一部の反射膜を剥離する工程と、発光素子を載置する工程と、第３樹脂で発光素子を覆う工程と、個片化工程と、を行うこととしている。
＜樹脂成形体を準備する工程＞
図４は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、リードフレームの平面図である。図５は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、樹脂成形体の平面図である。図６は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図５のVI−VI断面矢視図である。
樹脂成形体２１は、リードフレーム２２と、樹脂部２９とを備えており、複数の発光装置に対応した複数の凹部２６を備えている。リードフレーム２２には、所定のパターンで貫通孔２２ａが形成されている。所定のパターンは、個片化した際に異種電極となるように２つのリード領域に分かれており、かつ、この２つのリードを保持しつつリード領域を囲むようになっている。貫通孔２２ａに沿って個片化するため、直線形状が好ましい。リードフレーム２２は、平板状の金属板を用いることができるが、段差や凹凸を設けた金属板も用いることができる。リードフレーム２２は、平板状の金属板に打ち抜き加工やエッチング加工等を行ったものである。
貫通孔２２ａは、樹脂成形体２１を個片化してパッケージ２０とした際、リード２３が正負一対となるように形成されている。また、貫通孔２２ａは、樹脂成形体２１を切断する際に、リード２３を切断する面積を少なくするように形成されている。例えば、正負一対のリード２３となるように横方向に貫通孔２２ａを設ける。細長い貫通孔の幅（一対のリード２３，２３間の幅Ｗ）は、１ｍｍ以下、例えば５００〜８００μｍであると、パッケージを小型化できるので好ましい。また、樹脂成形体２１を個片化する際の切り出し部分に相当する位置に貫通孔２２ａを設ける。ただし、リードフレーム２２の一部が脱落しないように、又は、パッケージ２０の側面２０ｂにリード２３を露出させるためにリードフレーム２２の一部を連結しておく。例えばダイシングブレード９０（図１４参照）を用いて樹脂成形体２１をダイシングするため、貫通孔２２ａは、縦及び横若しくは斜めに直線的に形成されていることが好ましい。このダイシングされる部分に相当する位置の貫通孔２２ａ，２２ａ間が１つのパッケージ２０の構成となる。
リードフレーム２２は、例えば、銅や銅合金等の電気良導体を用いて形成される。また、発光素子３０からの光の反射率を高めるために、銀やアルミニウム等の金属メッキを施すことができる。貫通孔２２ａを設けた後やエッチング処理を行った後等、上金型と下金型とで挟み込む前に金属メッキを施すことが好ましいが、リードフレーム２２が樹脂部２９と一体成形される前に金属メッキを施すこともできる。
リードフレーム２２におけるリード２３は、成型後のリード２３に相当する部分を意味し、個片化する後の状態をいう。リード２３は、個片化されたときの凹部２６の底面２６ａに配置される。樹脂部２９は、成型後の第１樹脂体２４と第２樹脂体２５に相当する部分を意味し、個片化する前の状態をいう。このうち、第１樹脂体２４は、個片化されたときの凹部２６の側壁２６ｄを形成する。第２樹脂体２５は、個片化されたときの一対のリード２３間に配置される。
樹脂成形体２１を製造する工程は、例えば下記（１）から（５）の工程を有する。
（１）貫通孔２２ａを有する平板状のリードフレーム２２を準備する。
（２）リードフレーム２２を上下に分割されたモールド金型の上金型と下金型で挟み込む。
（３）樹脂部２９の材料、すなわち酸化チタン等の光反射部材が含有された第１樹脂を金型に注入する。
（４）注入された第１樹脂を硬化又は固化する。
（５）金型から成形体を取り出して第１樹脂の注入痕を切除する。
なお、第１樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合、トラスファーモールドにより製造することが好ましい。この場合、熱硬化性樹脂を硬化させるために、オーブンで加熱処理する。なお、樹脂成形体２１を射出成形、圧縮成形、押出成形で形成させることもできる。
＜反射膜を形成する工程＞
図７は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜の形成方法の一例を示す図である。図８は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を備える成形基板の平面図である。図９は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図８のIX−IX断面矢視図である。
反射膜２７を形成する工程では、個片化されたときのパッケージ２０において少なくとも凹部２６の底面２６ａ及び凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂの全面に反射膜２７を形成する。ここで、凹部２６の底面２６ａとは、個片化されたときのパッケージ２０において第２樹脂体２５の上面２５ａに相当する部分である。
本実施形態では、準備された樹脂成形体２１を、光反射部材の分散液である有機溶剤７１に浸漬し、その後、乾燥させることで、反射膜２７を形成する。浸漬時間や乾燥時間は、樹脂成形体２１上に、平均厚みＴが１０〜３００ｎｍの反射膜２７が形成されるように適宜設定することができる。この有機溶剤７１として、光反射部材の粒子（ナノ粒子）が有機溶媒中に分散したスラリーを用いる。有機溶剤７１には、１〜１００ｎｍの粒子径を持つ金属酸化物が主に含まれている。ナノ粒子は酸化チタンであることが好ましい。
このようにナノ粒子が有機溶媒中に分散したスラリーで樹脂成形体２１をコーティングすることで、パッケージの複雑形状に追従でき、高精度で、ち密な反射膜２７が形成される。すなわち、光反射部材の分散液で樹脂成形体２１に反射膜２７を形成することにより、例えば、凹部２６の内側の第２樹脂体２５の上面２５ａや下面２５ｂ等の絶縁部に対して選択的に、光反射部材を含む反射膜２７を成膜することができる。
以下では、反射膜２７が形成された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体２１ｂと表記する。樹脂成形体２１ｂはその表面のすべてに反射膜２７が形成されている。すなわち、個片化されたときのパッケージ２０におけるリード２３、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５の表面のすべてに反射膜２７が形成されている。
＜一部の反射膜を剥離する工程＞
図１０は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜を剥離する方法の一例を示す図である。図１１は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、反射膜が剥離された成形基板の平面図である。図１２は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、図１１のXII−XII断面矢視図である。
一部の反射膜２７を剥離する工程は、樹脂成形体２１ｂにおいて凹部２６内の一対のリード２３に形成された反射膜を剥離する工程である。この工程では、まず、樹脂成形体２１ｂを電解液に浸漬して樹脂成形体２１ｂに電流を通電する。例えば電解バリ取り装置を用いることができる。
電解バリ取り装置は、電解槽８０と電気回路とを備えており、電解槽８０は所定の電解液８１で満たされる。電源８２の陰極には陰極板８３が接続され、電源８２の陽極には陽極板８４が接続され、陰極板８３及び陽極板８４は電解液８１の中に浸される。なお、複数の陰極板８３及び陽極板８４は、例えば絶縁された状態で格子状に配置されて、各陰極板８３は電解処理対象物を保持する機能を兼用している。樹脂成形体２１ｂは、そのリードフレーム２２が陰極板８３に電気的に接続される。樹脂成形体２１ｂはその全体が電解液８１の中に浸された状態で陰極板８３に保持される。
電解バリ取り装置のスイッチ８５をオンすると、電気分解により、陰極側に水素が発生する。樹脂成形体２１ｂに通電する電流値は、電解バリ取り装置の一般的な電流値でも構わないが、必要な反射膜２７を残して不要な一部の反射膜２７を効率よく除去するためには、５００Ａ／ｍ２〜３０００Ａ／ｍ２の電流密度で通電することが好ましい。より、好ましくは、１０００Ａ／ｍ２〜２５００Ａ／ｍ２である。
電解バリ取りであれば、リード２３の上に形成された反射膜２７の部分には、電位が生じるので、水素が発生し、表面の反射膜２７が剥離する。なお、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５の上に形成された反射膜２７の部分には、電位が生じないので、水素が発生せず、表面の反射膜２７が剥離しない。
樹脂成形体２１ｂには、直流電流と交流電流とを交互に通電させてもよい。この場合、直流電流を通電する期間は、交流電流を通電する期間よりも長くする。このように、水素を発生させる期間の途中に、水素を発生させない期間を設けることで、反射膜２７を剥離させる力を抑制できる。その結果、必要な反射膜２７がその近傍の不要な反射膜２７に引っ張られて剥がされることを防止できる。
一部の反射膜２７を剥離する工程では、電解バリ取りを行った後、樹脂成形体２１ｃの一対のリード２３，２３上に浮遊した反射膜を除去する工程を有する。この工程では、例えばウォータージェットを用いることができる。これにより、後述する、発光素子３０等の電子部品の実装やワイヤボンディングの信頼性を向上させることができる。ここまでの工程により、複雑形状、高精度、ち密な高い反射率の反射膜２７を樹脂部の表面に備えるパッケージ２０の集合体を形成させることができる。なお、ここでは第１樹脂体２４から露出しているリード２３の形状は、円と直線とで構成されているが、平面視で湾曲状、波状、凹凸状などの複雑形状であっても、高精度で反射膜２７を形成できる。
以下では、不要な一部の反射膜２７が除去された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体２１ｃと表記する。この樹脂成形体２１ｃを個片化した場合、図１のパッケージ２０となる。このパッケージ２０において、反射膜２７は、凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂにリード２３との境界まで形成され、かつ、第２樹脂体２５の上面２５ａ及び下面２５ｂにリード２３との境界まで形成されている。また、反射膜２７は、パッケージ２０の下面２０ａにおいて、第１樹脂体２４の下面にリード２３との境界まで形成されている。さらに、第１樹脂体２４とリード２３との境界に沿うように反射膜２７が形成されている。
＜発光素子を載置する工程＞
図１３は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、発光素子が載置された成形基板の断面図である。発光素子３０を載置する工程では、樹脂成形体２１ｃの凹部２６内に配置される一対のリード２３，２３の少なくとも一方に発光素子３０を載置する。ここでは、発光素子３０がフェイスアップ構造であるものとしているので、リード２３上の発光素子３０を実装する場所へ、ダイボンド樹脂を塗布して、発光素子３０を実装し、次に、ダイボンド樹脂を硬化するために、オーブンで加熱処理する。
なお、発光装置１の製造方法は、保護素子を載置する工程を有してもよい。この場合、樹脂成形体２１ｃの凹部２６内で保護素子を実装する場所へ、Ａｇペースト剤を塗布してから、保護素子を実装し、Ａｇペースト剤を硬化させるために、オーブンで加熱処理する。
発光装置１の製造方法では、続いて、ワイヤボンディング装置を用い、導電性のワイヤ５０で、発光素子３０とリード２３とを電気的に接続させる。なお、保護素子を載置した場合、保護素子とリードとを電気的に接続させる。以下では、発光素子３０が実装された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体２１ｄと表記する。
＜第３樹脂で発光素子を覆う工程＞
図１４は、第１実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、第３樹脂体で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。樹脂で発光素子を覆う工程は、樹脂成形体２１ｄにおいて、発光素子３０の上から、例えば樹脂塗布装置を用いて、第３樹脂を塗布する。第３樹脂は、熱硬化性樹脂のほか、蛍光体、無機フィラー、有機フィラーの少なくとも、１つを含有させることができる。塗布に続いて、第３樹脂を硬化させるために、オーブンで加熱処理を行う。
第３樹脂の充填量は、発光素子３０等の電子部品やワイヤ５０等が被覆される量であればよい。この材料の充填量を必要最小限にする場合には、第３樹脂体４０の表面を図示するようにほぼ平坦な形状とする。なお、第３樹脂体４０にレンズ機能をもたせる場合には、第３樹脂体４０の表面を盛り上がらせて砲弾型形状や凸レンズ形状としてもよい。以下では、第３樹脂体４０が形成された後の樹脂成形体のことを樹脂成形体２１ｅと表記する。
＜個片化工程＞
個片化工程は、樹脂成形体２１ｅを切断して、個片化した発光装置を得る工程である。樹脂成形体２１ｅのリードフレーム２２には、所定のパターンで貫通孔２２ａが形成されており、凹部２６に配置された貫通孔２２ａを除くその他の貫通孔２２ａを通る位置で樹脂成形体２１ｅを切断する。例えば、樹脂成形体２１ｅをダイシングシートに張りつけ、ダイシングブレード９０で、樹脂成形体２１ｅの樹脂部２９とリードフレーム２２とを同時に切断する。
本実施形態に係るパッケージ及び発光装置の製造方法によれば、マスクを使用することなく、準備された樹脂成形体２１を、光反射部材の分散液である有機溶剤７１に浸漬し、全体に反射膜２７を形成した後で、一部の不要な反射膜２７を除去するので、反射膜２７を必要なエリアに形成することができる。
また、上記製造方法において、表面全体に反射膜２７が形成された樹脂成形体２１Ｂを電解液に浸漬し、陰極に接続された樹脂成形体２１ｂに直流電流を通電すれば、水素の発生によりリード２３の上から不要な反射膜２７を容易に除去することができる。そのため、例えばリード２３，２３間に配置される第２樹脂体２５の上面２５ａ及び下面２５ｂといった微小エリアにもリード２３との境界まで精度良く反射膜２７を形成することができる。また、第１樹脂体２４とリード２３との境界に沿うように反射膜２７を形成することができる。
（第２実施形態）
図１５は、第２実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、絶縁膜で発光素子が覆われた樹脂成形体の断面図である。本実施形態に係る発光装置の製造方法は、発光素子を載置する工程の後、かつ、第３樹脂で発光素子を覆う工程の前に、絶縁膜で発光素子を覆う工程をさらに有してもよい。
発光素子３０を載置した後にワイヤ５０を用いる場合、絶縁膜６０は、ワイヤ５０を設けた後に形成するのが好ましい。本実施形態では、発光素子３０が実装された後の樹脂成形体２１ｄにおいて、発光素子３０及びワイヤ５０の上から絶縁膜６０を形成する。
絶縁膜６０は、樹脂成形体２１ｄの上面のほぼ全域を被覆するように設けることが好ましい。絶縁膜６０の材料としては、透光性のものが好ましく、また、主として無機化合物を用いることが好ましい。具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＭｇＯ、Ｉｎ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、ＳｅＯ、Ｙ２Ｏ３等の酸化物や、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ等の窒化物、ＭｇＦ２等のフッ化物が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、又は、混合して用いてもよい。もしくは、積層させるようにしてもよい。
絶縁膜６０の膜厚については、第３樹脂体４０／絶縁膜６０の界面や、絶縁膜６０／リード２３の界面において多重反射で光の損失が起きないように薄くすることが好ましい。
絶縁膜６０の膜厚は第３樹脂体４０の膜厚よりも薄い。絶縁膜６０の膜厚は略一定である。絶縁膜６０として用いる材料の種類によって膜厚の好ましい範囲は多少異なるが、絶縁膜６０の膜厚は、約１ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、より好ましくは５ｎｍ〜１００ｎｍである。絶縁膜６０を多層とする場合には、層全体の膜厚がこの範囲内となるようにすることが好ましい。
このような絶縁膜６０は、Atomic Layer Deposition（ＡＬＤ）法、スパッタ法、蒸着法等によって形成することができる。なかでも、ＡＬＤ法は、形成される被膜が緻密であり、段差（凹凸）を有する形状の被覆性が高く、均一な厚さの被膜を形成することができるため好ましい。特に、ＡＬＤ法で形成したＡｌ２Ｏ３からなる被膜は、水分等の雰囲気に対するバリア性が高く、好ましい。これにより、例えばリード２３上の銀メッキの変色を効果的に抑制することができる。
（第３実施形態）
図１６は、第３実施形態に係る発光装置の製造工程の概略を示す図であり、他の樹脂成形体の平面図である。本実施形態に係るパッケージ及び発光装置の製造方法では、例えば図１６に示す樹脂成形体２１Ｃを準備することとしてもよい。樹脂成形体２１Ｃは、リードフレーム２２Ｃと、個々のパッケージに相当する複数の樹脂部２９Ｃとを備えており、各樹脂部２９Ｃは凹部２６を備えている。樹脂成形体２１Ｃでは樹脂部２９Ｃが個片化されているので、個片化工程では、リードフレーム２２Ｃだけが切断される。
リードフレーム２２Ｃは、板状の部材であり、凹部２６の周囲に所定形状の貫通孔２２３を有している。貫通孔２２３は、樹脂成形体２１Ｃを個片化した際、リード２３が正負一対となるように形成されている。リードフレーム２２Ｃは、貫通孔２２３の周囲を取り囲む枠体２２０と、吊りリード２２１と、ハンガーリード２２２と、を備えている。
吊りリード２２１は、枠体２２０から貫通孔２２３の側に向かって突出しリード２３に接続されている。この吊りリード２２１は、樹脂部２９Ｃ及びリード２３，２３を枠体２２０に支持するための部位であって、個片化する際に切り離されるものである。
ハンガーリード２２２は、枠体２２０から貫通孔２２３の側に向かって突出し、吊りリード２２１とは直交するように配置されている。このハンガーリード２２２は、その先端部で樹脂部２９Ｃを支持するための部位であって、切断されるものではない。また、個片化後に、ハンガーリード２２２の基端部を所定の治具で突くことで、パッケージを、リードフレーム２２Ｃから容易に取り外すことができる。
樹脂成形体２１Ｃを用いて反射膜を形成する工程を行うと、樹脂部２９Ｃの上面２０ｃに加えて側面２０ｂにも反射膜２７が形成される。つまり、個片化されたときのパッケージにおいて、第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５は、全面が反射膜２７により覆われる。したがって、側面２０ｂにも反射膜２７が形成されたパッケージ及び発光装置を製造することができる。これにより、凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂから第１樹脂体２４に僅かな光が吸収されたとしても、パッケージの側面２０ｂの反射膜２７で反射するので、光取り出し効率を上げることができる。
（第４実施形態）
＜発光装置の構成＞
図１７は、第４実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す斜視図である。図１８は、第４実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置を示す正面図である。図１９は、第４実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図１８のXIX−XIX断面矢視図である。発光装置１Ｂは、パッケージ２０Ｂと、発光素子３０Ｂと、第３樹脂体４０と、ワイヤ５０と、を備えている。この発光装置１Ｂでは、パッケージ２０Ｂ及び発光素子３０Ｂの形状が第１実施形態に係る発光装置１と相違している。以下では、第１実施形態に係る発光装置１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。発光素子３０Ｂは、平面視で横長の四角形に形成されている点が第１実施形態に係る発光素子３０と異なっている。
パッケージ２０Ｂは、外形が、発光装置１Ｂの厚さ方向であるＺ軸方向に扁平に形成された略直方体形状を有しており、液晶ディスプレイのバックライト用の光源などに好適に用いられるサイドビュー型の実装に適している。パッケージ２０Ｂは、リード２３と、第１樹脂体２４と、第２樹脂体２５と、反射膜２７とを備え、リード２３と第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５と、は一体成形されている。第１樹脂体２４は、発光装置１Ｂの正面側（Ｙ軸のマイナス方向）に開口する凹部２６を有している。つまり、凹部２６の側壁２６ｄは第１樹脂体２４で構成されている。
パッケージ２０Ｂにおいて、凹部２６は、正面視で、横長の開口部を有している。より具体的には、開口は、正面視で長方形の下辺の中央部が下方に台形状に膨らんだ八角形の形状をしている。また、凹部２６の底面２６ａは、横長の八角形をした長尺形状を有している。凹部２６の底面２６ａには、一対のリード２３，２３が露出するように設けられ、一方のリード２３に発光素子３０Ｂが搭載されている。
凹部２６の側壁２６ｄの内面には滑らかな傾斜を設けてもよいし、表面に細かい凹凸を設け、光を散乱させる形状としてもよい。なお、傾斜を設けずに、凹部２６の底面２６ａに対して略垂直な面で構成されてもよい。凹部２６の側壁２６ｄのうち、発光装置１Ｂの厚さ方向（Ｚ軸方向）に互いに対向して設けられた上壁部２６ｅ及び下壁部２６ｆは、他の壁部よりも薄く形成されている。すなわち、上壁部２６ｅ及び下壁部２６ｆは、発光装置１Ｂの幅方向（Ｘ軸方向）に互いに対向して設けられた２つの側壁部よりも薄く形成されている。凹部２６の底面２６ａに設けられた一対のリード２３は、下壁部２３ｄの外側面の側から突出し、さらに屈曲して第１樹脂体２４の下面に沿って延伸するように設けられている。
パッケージ２０Ｂは、発光装置１Ｂの背面（Ｙ軸のマイナス方向）側に、射出成形法で第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５を形成する際の、金型内へ樹脂材料を注入するゲートの痕跡が形成されている。ゲート痕は第１樹脂体２４により形成され、反射膜２７により覆われている。第２樹脂体２５は、一対のリード２３，２３間に配置されている。この第２樹脂体２５において、発光装置１Ｂの正面（Ｙ軸のプラス方向）の面（上面２５ａ）には反射膜２７が設けられている。また、第１樹脂体２４においては、凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂと、凹部２６の開口部２６ｃの周囲の面を含むパッケージ２０Ｂの表面とが、反射膜２７に覆われている。なお、凹部２６内には第３樹脂体４０が充填されている。
この発光装置１Ｂは、第１実施形態と同様に集合基板の形態で製造することができる。なお、リードフレームは、モールドされた後、切断され、その後、リードフレームのうち、所定部位が屈曲され、パッケージ２０Ｂのリード２３，２３の外部接続端子部が形成される。
発光装置１Ｂは、サイドビュー型の実装に適するようにリード２３，２３が設けられている。また、サイドビュー型の発光装置１Ｂとして、より薄型となるようにパッケージ２０Ｂが構成されている。サイドビュー型のパッケージは厚さ方向に設けられた側壁の厚みが薄いため、サイドビュー型の発光装置は厚さ方向に光が漏れやすい。しかしながら、発光装置１Ｂは、樹脂体全体が反射膜２７で覆われており、上壁部２６ｅ及び下壁部２６ｆの内面及び外面も反射膜２７で覆われている。したがって、薄壁部分から漏れ出す光を低減し、光束を向上させることができる。
（第５実施形態）
＜発光装置の構成＞
図２０は、第５実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、発光装置の上面図である。図２１は、第５実施形態に係る発光装置の概略を示す図であり、図２０のXXI−XXI断面矢視図である。発光装置１Ｃは、パッケージ２０Ｃと、発光素子３０と、第３樹脂体４０と、ワイヤ５０と、を備えている。この発光装置１Ｃでは、パッケージ２０Ｃの形状が第１実施形態に係る発光装置１と相違している。以下では、第１実施形態に係る発光装置１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
パッケージ２０Ｃは、凹部２６の底面２６ａに素子実装部２８を備えている。このパッケージ２０Ｃは、一対のリード２３，２３の他に素子実装部２８を備えている。素子実装部２８は、発光素子３９が接合されるランド部（ダイパッド部）である。発光素子３０は、素子実装部２８に載置され、一対のリード２３，２３とそれぞれ電気的に接続される。
本実施形態では、素子実装部２８は、リード２３と同じ導電材料で構成されている。ただし、一対のリード２３，２３から発光素子３０に通電するので、素子実装部２８には通電されない。このような素子実装部２８は、例えば図１６に示すリードフレーム２２Ｃにおいて、１つのパッケージに対応する１つのハンガーリード２２２を延伸して、一対のリード２３，２３の隙間に配置させる形状へ変形することで、形成することができる。
なお、素子実装部２８を、例えばエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂部材で構成した場合、この素子実装部２８を例えばいずれか一方のリード２３の上に形成するようにしてもよい。
（第６実施形態）
＜発光装置の構成＞
図２２は、第６実施形態に係る発光装置の概略を示す断面図である。発光装置１Ｄは、セラミックスパッケージ２０Ｄと、発光素子３０と、第３樹脂体４０と、ワイヤ５０と、を備えている。この発光装置１Ｄでは、セラミックスパッケージ２０Ｄの形状及び材料が第１実施形態に係る発光装置１と相違している。以下では、第１実施形態に係る発光装置１と同じ構成には同じ符号を付して説明を省略する。
セラミックスパッケージ２０Ｄは、全体の形状が略直方体であって、上面に凹部２６が設けられている。このセラミックスパッケージ２０Ｄは、第２セラミックス体１４０と、その上に設けられた第１セラミックス体１３０と、を有する。第１セラミックス体１３０及び第２セラミックス体１４０は、１又は複数の絶縁性のシートが積層されて成る。
第１セラミックス体１３０及び第２セラミックス体１４０の材料としては、例えばセラミックスを挙げることができる。セラミックスは、主材料を、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ムライトなどから選択することが好ましい。これらの主材料に焼結助剤などを加え焼結することでセラミックスの基材が得られる。低温同時焼成セラミックスも使用することができる。
光を効率よく反射するために、セラミックスの基材には、光反射率の高い材料（例えば、酸化チタン等の白色フィラーなど）が含有されている。また、焼成前のグリーンシートの段階で種々のパターン形状の配線を施すことができる。セラミックスの材料を焼成した後、下地層の上に、金、銀、銅あるいはアルミニウムを材料として、めっき法やスパッタリングにより金属材料が配置される。
第２セラミックス体１４０は略板状であり、第１セラミックス体１３０には孔が形成されている。これら第２セラミックス体１４０と第１セラミックス体１３０とが積層されて、凹部２６が形成される。第１セラミックス体１３０は凹部２６の側壁２６ｄを形成する。凹部２６には、その底面２６ａからセラミックスパッケージ２０Ｄの下面に亘るように、一対の配線１１０，１２０が離間させて配置されている。一対の配線１１０，１２０間には第２セラミックス体１４０が配置される。発光装置１Ｄとして使用される際、配線１１０，１２０は、アノード電極、カソード電極に相当する。発光素子３０は、例えば、配線１１０の上に載置される。また、発光素子３０の上面に設けられた素子電極（図示せず）と、配線１１０，１２０と、はワイヤ５０によりそれぞれ接続されている。そして、発光素子３０は、第３樹脂体４０により封止されている。
セラミックスパッケージ２０Ｄの下面の外側は、外部の基板に実装される側の面である。セラミックスパッケージ２０Ｄの下面側には、配線１１０，１２０からそれぞれ配線１１１，１２１を介して連続する配線１１２，１２２が設けられている。つまり、配線１１２，１２２は、配線１１０，１２０を介して、発光素子３０の２つの素子電極とそれぞれ接続されている。なお、凹部２６に配置される配線１１０，１２０の最表面は、例えば、銀等の反射率の高い金属材料にて被覆されていることが好ましい。
反射膜２７は、凹部２６の側壁２６ｄの内面２６ｂを覆っている。また、反射膜２７は、第２セラミックス体１４０の上面、具体的には、凹部２６の底面２６ａにおいて配線１１０と配線１２０との間に配置された部分を覆っている。また、反射膜２７は、第２セラミックス体１４０の下面、具体的には、セラミックスパッケージ２０Ｄの下面において配置配線１１２と配線１２２との間に配置された部分を覆っている。さらに、反射膜１０は、第１セラミックス体１３０の上面、具体的には、凹部２６の開口部２６ｃの周囲の面を覆っている。この発光装置１Ｄは、第１実施形態と同様に集合基板の形態で製造することができる。
本発明の発光装置の性能を確かめるために以下の実験を行った。発光装置１と同様の形状の発光装置（以下、実施例１という）を製造した。実施例１の発光装置の製造方法は以下の通りである。
集合基板としての樹脂成形体２１を準備した。樹脂成形体２１のリードフレーム２２は、銅合金で形成され、表面に銀のメッキが施されたものを用いた。第１樹脂体２４の材料は、光反射部材として酸化チタンを１０重量％含有したエポキシ樹脂を用いた。また、第２樹脂体２５も、酸化チタンを１０重量％含有したエポキシ樹脂を用いた。第１樹脂体２４及び第２樹脂体２５に使用する酸化チタンは０．２μｍの平均粒径のものを使用する。また、反射膜のために、有機溶媒にトルエンを用いて、光反射部材として３０ｎｍの粒子径を持つ酸化チタンを用いた分散液（１５重量％）のスラリーを用意した。
反射膜を形成する工程では、このスラリーに樹脂成形体２１を浸漬し、その後、乾燥させて、反射膜２７が形成された樹脂成形体２１ｂを生成した。そして、一部の反射膜を剥離する工程では、電解バリ取り装置を用意して、水を電解液として、樹脂成形体２１ｂに１５００Ａ／ｍ２の電流密度で通電した。そして、電解槽８０から取り出した樹脂成形体２１ｃ上に浮遊した樹脂バリ及び反射膜をウォータージェットで除去した。また、発光素子３０として、ピーク波長４５０ｎｍのＧａＮ系の青色発光素子を用いた。さらに、第３樹脂体４０として、ＹＡＧ蛍光体を含有したシリコーン樹脂を用いた。金属部分であるリードフレーム２２上には反射膜２７が残っておらず、第１樹脂体２４の部分にのみ反射膜２７が配置されていた。
完成した実施例１の発光装置の平面サイズは、３ｍｍ×３ｍｍであり、一対のリード２３，２３間の幅Ｗは６００μｍである。また、以下では、反射膜を形成する工程を行わずに同様に製造した発光装置を比較例１と呼ぶ。
＜色調比較の結果＞
色度測定装置を用いた実験の結果、比較例１及び実施例１の発光装置は、ｘｙ色度値におけるｘの値及びｙの値が共に０．３４の色調を有していた。色調については反射膜２７の有無による差異は無視できると結論できる。
＜光束比較の結果＞
光束測定装置を用いた実験の結果、比較例１について測定された光束を１００％としたときに、実施例１について測定された光束は１０１％となった。反射膜２７によって光束を１％高める効果を確認した。
Figure 2017069539
以上、本開示の実施形態に係るパッケージ及び発光装置、並びにそれらの製造方法について、具体的に説明したが、本発明の趣旨はこれらの記載に限定されるものではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて広く解釈されなければならない。また、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
本実施形態に係る発光装置は、液晶ディスプレイのバックライト光源、各種照明器具、大型ディスプレイ、広告や行き先案内等の各種表示装置、更には、デジタルビデオカメラ、ファクシミリ、コピー機、スキャナ等における画像読取装置、プロジェクタ装置等、種々の光源に利用することができる。
１，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ 発光装置
２０，２０Ｂ，２０Ｃ， パッケージ
２０Ｄ セラミックスパッケージ
２０ａ 底面
２０ｂ 側面
２０ｃ 上面
２１，２１Ｃ 樹脂成形体
２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ 樹脂成形体
２２ リードフレーム
２２ａ 貫通孔
２２Ｃ リードフレーム
２２０ 枠体
２２１ 吊りリード
２２２ ハンガーリード
２２３ 切欠部
２３ リード
２４ 第１樹脂体（樹脂部）
２５ 第２樹脂体（樹脂部）
２５ａ 上面
２５ｂ 下面
２６ 凹部
２６ａ 底面
２６ｂ 内面
２６ｃ 開口部
２６ｄ 側壁
２６ｅ 上壁部
２６ｆ 下壁部
２７ 反射膜
２８ 素子実装部
２９，２９Ｃ 樹脂部
３０ 発光素子
４０ 第３樹脂体
５０ ワイヤ
６０ 絶縁膜
７０ 容器
７１ 有機溶剤
８０ 電解槽
８１ 電解液
８２ 電源
８３ 陰極板
８４ 陽極板
８５ スイッチ
９０ ダイシングブレード
１１０，１２０ 配線
１３０ 第１セラミックス体
１４０ 第２セラミックス体
Ｔ 反射膜の平均厚み

Claims (25)

  1. 凹部の底面に配置される一対のリードと、
    前記凹部の側壁を形成する第１樹脂体と、
    前記一対のリード間に配置される第２樹脂体と、
    前記凹部の側壁の内面と、前記第２樹脂体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有するパッケージ。
  2. 前記第１樹脂体は、前記凹部の開口部の周辺の全面が前記反射膜により覆われている請求項１に記載のパッケージ。
  3. 前記第１樹脂体及び前記第２樹脂体は、全面が前記反射膜により覆われている請求項１に記載のパッケージ。
  4. 前記反射膜は、前記凹部の側壁の内面に前記リードとの境界まで形成され、かつ、前記第２樹脂体の上面及び下面に前記リードとの境界まで形成されている請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載のパッケージ。
  5. 前記反射膜の平均厚みは、１０〜１０００ｎｍである請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載のパッケージ。
  6. 前記反射膜は、１〜１００ｎｍの粒子径を持つ金属酸化物が主に含まれている請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のパッケージ。
  7. 前記金属酸化物は、酸化チタンである請求項６に記載のパッケージ。
  8. 前記第１樹脂体及び前記第２樹脂体は、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、アクリレート樹脂、ウレタン樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含む請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載のパッケージ。
  9. 発光素子を実装する素子実装部をさらに備える請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のパッケージ。
  10. 凹部の底面に配置される一対の配線と、
    前記凹部の側壁を形成する第１セラミックス体と、
    前記一対の配線間に配置される第２セラミックス体と、
    前記凹部の側壁の内面と、前記第２セラミックス体の上面及び下面と、を覆う反射膜と、を有するセラミックスパッケージ。
  11. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載のパッケージと、
    前記パッケージの前記凹部の底面において前記一対のリードの少なくとも一方に配置される発光素子と、を有する発光装置。
  12. 請求項９に記載のパッケージと、
    前記パッケージの前記凹部の底面において前記素子実装部に載置され、前記一対のリードとそれぞれ電気的に接続された発光素子と、を有する発光装置。
  13. 請求項１０に記載のセラミックスパッケージと、
    前記セラミックスパッケージの前記凹部の底面において前記一対の配線の少なくとも一方に配置される発光素子と、を有する発光装置。
  14. 前記発光素子を覆い、前記凹部内に配置される第３樹脂体を備えている請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項に記載の発光装置。
  15. 凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第１樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第２樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、
    少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、
    前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、を有するパッケージの製造方法。
  16. 前記反射膜を剥離する工程は、前記反射膜が形成された樹脂成形体を電解液に浸漬して前記樹脂成形体に電流を通電する請求項１５に記載のパッケージの製造方法。
  17. 前記反射膜を剥離する工程は、前記反射膜が形成された樹脂成形体を電解液に浸漬して前記樹脂成形体に直流電流を通電する請求項１５に記載のパッケージの製造方法。
  18. 前記反射膜を剥離する工程は、
    前記反射膜が形成された樹脂成形体に、５００Ａ／ｍ２〜３０００Ａ／ｍ２の電流密度で通電する工程と、
    当該樹脂成形体の一対のリード上に浮遊した反射膜を除去する工程と、を有する請求項１７に記載のパッケージの製造方法。
  19. 前記反射膜を形成する工程は、前記準備された樹脂成形体を、１〜１００ｎｍの粒子径を持つ金属酸化物が主に含まれている有機溶剤中に浸漬する請求項１５乃至請求項１８のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  20. 前記反射膜を形成する工程は、前記準備された樹脂成形体上に、平均厚みが１０〜１０００ｎｍの反射膜を形成する請求項１５乃至請求項１９のいずれか一項に記載のパッケージの製造方法。
  21. 凹部の底面に配置される一対のリードと、前記凹部の側壁を形成する第１樹脂体と、前記一対のリード間に配置される第２樹脂体と、を備える樹脂成形体を準備する工程と、
    少なくとも前記凹部の底面及び前記凹部の側壁の内面の全面に反射膜を形成する工程と、
    前記反射膜が形成された樹脂成形体において前記凹部内の前記一対のリードに形成された前記反射膜を剥離する工程と、
    前記反射膜が剥離された前記一対のリードの少なくとも一方に発光素子を載置する工程と、を備える発光装置の製造方法。
  22. 前記発光素子を載置する工程後、第３樹脂で前記発光素子を覆う工程を備える請求項２１に記載の発光装置の製造方法。
  23. 前記発光素子を載置する工程後、絶縁膜で前記発光素子を覆い、さらに第３樹脂で前記絶縁膜を覆う工程を備える請求項２１に記載の発光装置の製造方法。
  24. 前記絶縁膜の膜厚は前記第３樹脂からなる第３樹脂体の膜厚よりも薄い請求項２３に記載の発光装置の製造方法。
  25. 前記絶縁膜の膜厚は略一定である請求項２３又は請求項２４に記載の発光装置の製造方法。
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