TW201721872A

TW201721872A - 橫向雙擴散金屬氧化物半導體元件製造方法

Info

Publication number: TW201721872A
Application number: TW105126837A
Authority: TW
Inventors: 黃宗義; 楊清堯; 廖文毅; 蘇宏德; 張國城
Original assignee: 立錡科技股份有限公司
Priority date: 2013-11-15
Filing date: 2013-11-15
Publication date: 2017-06-16
Also published as: TWI641146B

Abstract

本發明提出一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(lateral double diffused metal oxide semiconductor, LDMOS)元件製造方法。其中，LDMOS元件包含：漂移區、隔絕氧化區、第一氧化區、第二氧化區、閘極、本體區、源極、以及汲極。其中，隔絕氧化區、第一氧化區、與第二氧化區於縱向上，分別具有隔絕厚度、第一厚度、與第二厚度，且第二厚度小於第一厚度。本發明利用第一氧化區與第二氧化區，維持LDMOS元件崩潰防護電壓並降低導電阻。

Description

橫向雙擴散金屬氧化物半導體元件製造方法

本發明係有關一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(lateral double diffused metal oxide semiconductor, LDMOS)元件製造方法，特別是指一種維持崩潰防護電壓並降低導通電阻之LDMOS元件製造方法。

第1A與1B圖分別顯示一種習知橫向雙擴散金屬氧化物半導體(lateral double diffused metal oxide semiconductor, LDMOS)元件100的剖視示意圖與上視示意圖。如第1A與1B圖所示，LDMOS元件100包含：漂移區12、隔絕氧化區13、第一氧化區14、本體區16、閘極17、源極18、與汲極19。其中，漂移區12的導電型為N型，形成於基板11上，隔絕氧化區13為區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構，以定義操作區13a，作為LDMOS元件100操作時主要的作用區。操作區13a的範圍由第1B圖中，粗黑虛線框所示意。閘極17覆蓋部分第一氧化區14。為使LDMOS元件100的耐壓(withstand voltage)提高，隔絕氧化區13與第一氧化區14的厚度增加，但如此一來，LDMOS元件100的導通電阻將會提高，操作的速度降低，降低元件的性能。

有鑑於此，本發明即針對上述先前技術之改善，提出一種LDMOS元件及其製造方法，可維持崩潰防護電壓並降低導通電阻之LDMOS元件及其製造方法。

就其中一觀點言，本發明提供了橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件，包含：一漂移區，具有第一導電型，形成於一基板上；一隔絕氧化區，形成於該漂移區上，以定義一操作區；一第一氧化區，形成於該漂移區上之該操作區中；一第二氧化區，形成於該漂移區上之該操作區中，並與該第一氧化區於一橫向上連接；一閘極，形成於該漂移區上，由上視圖視之，該閘極位於該操作區中，並覆蓋至少部分該第二氧化區及部分該第一氧化區，該閘極包括：一介電層，形成於該漂移區上，並與該第二氧化區於該橫向上連接，且該第二氧化區隔開該介電層及該第一氧化區；一堆疊層，形成於該介電層上；以及一間隔層，形成於該堆疊層之一側壁外；一本體區，具有第二導電型，形成於該漂移區中，且部分該本體區位於該閘極下方；一源極，具有第一導電型，形成於該本體區中，且由上視圖視之，該間隔層介於該源極與該堆疊層之間；以及一汲極，具有第一導電型，形成於該漂移區中，且由上視圖視之，該汲極介於該第一氧化區與該隔絕氧化區之間；其中，該隔絕氧化區、該第一氧化區、與該第二氧化區於一縱向上，分別具有一隔絕厚度、第一厚度、與第二厚度，且該第二厚度小於該第一厚度。

就另一觀點言，本發明提供了一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件製造方法，包含：提供一基板；形成一漂移區於該基板上，其具有第一導電型；形成一隔絕氧化區於該漂移區上，以定義一操作區；形成一第一氧化區於該漂移區上之該操作區中；形成一第二氧化區於該漂移區上之該操作區中，並與該第一氧化區於一橫向上連接；形成一閘極於該漂移區上，由上視圖視之，該閘極位於該操作區中，並覆蓋至少部分該第二氧化區及部分該第一氧化區，包括：形成一介電層於該漂移區上，並與該第二氧化區於該橫向上連接，且該第二氧化區隔開該介電層及該第一氧化區；形成一堆疊層於該介電層上；形成一間隔層於該堆疊層之一側壁外；形成一本體區於該漂移區中，其具有第二導電型，且部分該本體區位於該閘極下方；形成一間隔層於該堆疊層之側壁外該上表面上；形成一源極，於該本體區中，其具有第一導電型，且由上視圖視之，該間隔層介於該源極與該堆疊層之間；以及形成一汲極於該漂移區中，具有第一導電型，且由上視圖視之，該汲極介於該第一氧化區與該隔絕氧化區之間；其中，該隔絕氧化區、該第一氧化區、與該第二氧化區於一縱向上，分別具有一隔絕厚度、第一厚度、與第二厚度，且該第二厚度不大於該隔絕厚度與該第一厚度。

在其中一種較佳的實施型態中，該隔絕氧化區、該第一氧化區、與該第二氧化區係區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構，且該第一厚度大於該隔絕厚度。

在其中一種較佳的實施型態中，其中該隔絕氧化區、該第一氧化區、或該第二氧化區係淺溝槽絕緣(shallow trench isolation, STI)結構。

在其中一種較佳的實施型態中，其中該隔絕氧化區、該汲極、該第一氧化區、該第二氧化區、與該介電層於該橫向上依序相鄰排列。

在其中一種較佳的實施型態中，更包括一本體極，具有第二導電型，形成於該本體區中，以作為該本體區之電性接點。

就另一觀點言，本發明提供了一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件，包含：一漂移區，具有第一導電型，形成於一基板上；一隔絕氧化區，形成於該漂移區上，以定義一操作區；一第一氧化區，形成於該漂移區上之該操作區中；一閘極，形成於該漂移區上，由上視圖視之，該閘極位於該操作區中，並覆蓋部分該第一氧化區，該閘極包括：一介電層，形成於該漂移區上，並與該第一氧化區於該橫向上連接；一堆疊層，形成於該介電層上；以及一間隔層，形成於該堆疊層之一側壁外；一本體區，具有第二導電型，形成於該漂移區中，且部分該本體區位於該閘極下方；一源極，具有第一導電型，形成於該本體區中，且由上視圖視之，該間隔層介於該源極與該堆疊層之間；以及一汲極，具有第一導電型，形成於該漂移區中，且由上視圖視之，該汲極介於該第一氧化區與該隔絕氧化區之間；其中，該隔絕氧化區與該第一氧化區係淺溝槽絕緣(shallow trench isolation, STI)結構，且於一縱向上，分別具有一隔絕厚度與第一厚度，且該第一厚度小於該隔絕厚度。

底下藉由具體實施例詳加說明，當更容易瞭解本發明之目的、技術內容、特點及其所達成之功效。

本發明中的圖式均屬示意，主要意在表示製程步驟以及各層之間之上下次序關係，至於形狀、厚度與寬度則並未依照比例繪製。

第2A-2J圖顯示本發明的第一個實施例。第2A-2C及2E-2J圖顯示根據本發明之橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件200製造方法的剖視示意圖，第2D與2J圖分別顯示第2C與第2I圖之上視示意圖。首先，如第2A圖所示，提供基板21，其中，基板21例如但不限於為P型矽基板，亦可以為其他半導體基板。接著如第2B圖所示，形成漂移區22於基板21上。漂移區22例如但不限於為N型磊晶層，形成於基板21上。接下來，如第2C圖所示，形成絕緣氧化區23與第一氧化區24於漂移區22上。絕緣氧化區23用以定義操作區23a。操作區23a位於漂移區22中，作為LDMOS元件200操作時主要的作用區，其範圍如2D圖中粗黑虛線框所示意。絕緣氧化區23與第一氧化區24例如但不限於為區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構，且可利用相同製成步驟形成。

接下來，如第2E圖所示，利用遮罩層25a，定義第二氧化區25，其中，遮罩層25a例如但不限於包含氮化層(如氮化矽)或其他硬遮罩層，即為可阻擋氧化製程或沉積製程的遮罩。接下來，如第2F圖所示，形成第二氧化區25，接著將遮罩層25a移除。如此一來，可以形成在縱向上(如第2E圖中箭號所示意之方向)厚度較第一氧化區24小的第二氧化區25，並且不會影響到第一氧化區24的厚度。如第2F圖所示，第一氧化區24在縱向上具有厚度d1，其大於第二氧化區25在縱向上具有之厚度d2。且第二氧化區25與第一氧化區24於如第2F圖中箭號所示意之橫向上連接。接下來，如第2G圖所示，例如但不限於以微影製程形成光阻層26a為遮罩，以定義P型本體區26，並以離子植入製程，將P型雜質，以加速離子的形式，如第2G圖中虛線箭號所示意，植入定義的區域內，而形成P型本體區26於漂移區22中，接著再將光阻層26a去除(未示出)。

接下來，如第2H圖所示，形成介電層27a於漂移區22上，與漂移區22在縱向上連接，並與第二氧化區25於橫向上連接。第二氧化區25在橫向上隔開介電層27a及第一氧化區24。介電層27a具有較高之介電係數，即其介電係數高於矽或基板21材質的介電係數。接著形成堆疊層27b於介電層27a上，堆疊層27b用以作為閘極27的電性接點，其包含導電材質，例如但不限於為金屬或具有P型或N型雜質摻雜之多晶矽。堆疊層27b除了覆蓋介電層27a之外，並覆蓋至少部分第二氧化區25及部分第一氧化區24。

接下來，如第2I圖所示，以堆疊層27b為遮罩，形成輕摻雜區28a於本體區26中。輕摻雜區28a具有與漂移區22相同的導電型，在本實施例中，例如為N型。接著形成間隔層27c於堆疊層27b之側壁外之漂移區22上，包覆堆疊層27b的側壁，包含絕緣材料，亦可作為形成源極28時的自我對準遮罩。接著形成源極28於本體區26中，源極28具有與漂移區22相同的導電型，在本實施例中，例如為N型，且由上視圖第2J圖視之，間隔層27c介於源極28與堆疊層27b之間。汲極29具與漂移區22相同的導電型，在本實施例中，例如為N型，形成於漂移區22中，且由剖視圖第2I圖視之，汲極29於橫向上介於第一氧化區24與隔絕氧化區23之間。其中，由剖視圖第2I圖視之，在由右至左的橫向上，隔絕氧化區23、汲極29、第一氧化區24、第二氧化區25、與介電層27a依序連接。

本發明與先前技術主要的差異在於，將先前技術中閘極下方的第一氧化區(如第1A圖所示的第一氧化區14)，在靠近源極側的部分，以厚度較小的氧化區取代，如此一來，可在不降低崩潰防護電壓的情況下，降低導通電阻，增加導通電流，增加元件操作的速度與應用範圍。

第3A-3C圖顯示本發明的第二個實施例。本實施例顯示根據本發明之LDMOS元件300的製造方法之剖視示意圖。本實施例旨在說明根據本發明，形成第二氧化區的方式，並不限於如第一個實施例所示。本實施例與第一個實施例不同之處在於，如第3A圖所示，可以形成氧化區34a，再利用遮罩層35a，定義第二氧化區35。接下來，如第3B圖所示，例如以蝕刻方式，移除由遮罩層35a所定義的部分氧化區34a，而形成厚度較小的第二氧化區35，以及未被蝕刻的第一氧化區34。其他的製程與第一個實施例相同，形成如第3C圖所示的LDMOS元件300。

需說明的是，第3B圖的氧化區34、35之形成方式，亦可以是：先生長一層較薄的氧化區，之後利用遮罩層將氧化區35遮住後，以區域氧化方式生長較厚的氧化區34。

第4A-4F圖顯示本發明的第三個實施例。本實施例顯示根據本發明之LDMOS元件400的製造方法之剖視示意圖。首先，如第4A圖所示，提供基板41，其中，基板41例如但不限於為P型矽基板，亦可以為其他半導體基板。接著如第4B圖所示，形成漂移區42於基板41中。與第一個實施例不同，漂移區42可以由離子植入製程，將N型雜質，以加速離子的形式，如第4B圖中虛線箭號所示意，植入基板41中，而形成N型漂移區42於基板41中，而非形成於基板上的N型磊晶層。接下來，如第4C圖所示，形成絕緣氧化區43與第二氧化區45於漂移區42上，以定義操作區43a。與第一個實施例不同的是，在本實施例中，絕緣氧化區43的厚度，可以與第二氧化區45相同。絕緣氧化區43定義操作區43a位於漂移區42中，作為LDMOS元件400操作時主要的作用區。絕緣氧化區43與第二氧化區45例如但不限於為LOCOS結構，且可利用相同製成步驟形成。

接下來，如第4D圖所示，利用遮罩層44a，定義第一氧化區44，其中，遮罩層44a例如但不限於包含氮化層(如氮化矽)或其他硬遮罩層，即為可阻擋氧化製程或沉積製程的遮罩。接下來，形成第一氧化區44，接著將遮罩層44a移除。如此一來，可以形成在縱向上(如第4D圖中箭號所示意之方向)厚度較第二氧化區45大的第一氧化區44，並且不會影響到第二氧化區45的厚度。當然，形成第一氧化區44的製程步驟，亦可早於絕緣氧化區43與第二氧化區45。且第二氧化區45與第一氧化區44於橫向上連接。接下來，例如與第一個實施例相同的步驟，形成P型本體區46，如第4E圖所示。接著，如第4E圖所示，例如但不限於以微影製程形成光阻層46a為遮罩，以定義P型本體極461，並以離子植入製程，將P型雜質，以加速離子的形式，如第4E圖中虛線箭號所示意，植入定義的區域內，而形成P型本體極461於本體區46中，作為本體區46之電性接點，接著再將光阻層46a去除(未示出)。接下來，如第4F圖所示，形成閘極46、源極48、與汲極49。源極48與汲極49具有與漂移區42相同的導電型，在本實施例中，例如為N型。

第5A-5F圖顯示本發明的第四個實施例。本實施例顯示根據本發明之LDMOS元件500的製造方法之剖視示意圖。首先，如第5A圖所示，提供基板21。接著如第5B圖所示，形成漂移區22於基板21上。接下來，如第5C圖所示，形成絕緣氧化區53於漂移區22上，以定義操作區53a。與第一個實施例不同的是，在本質實施例中，絕緣氧化區53係淺溝槽絕緣(shallow trench isolation, STI)結構。操作區53a位於漂移區22中，作為LDMOS元件500操作時主要的作用區。

與第一個實施例相同，接下來，如第5D圖所示，形成第一氧化區24於漂移區22上。接下來，如第5E圖所示，形成第二氧化區25。其中，在縱向上，第二氧化區25的厚度較第一氧化區24的厚度小。接下來，與第一個實施例相同，如第5F圖所示，形成本體區26、閘極27、源極28、與汲極29。

第6圖顯示本發明的第五個實施例。本實施例與第一個實施例不同之處在於，在本實施例LDMOS元件600中，第一氧化區64為STI結構。本實施例旨在說明，根據本發明，第一氧化區亦可以為STI結構。

第7圖顯示本發明的第六個實施例。本實施例與前述第五個實施例不同之處在於，在本實施例LDMOS元件700中，第一氧化區64與隔絕氧化區53可皆為STI結構。本實施例旨在說明，根據本發明，第一氧化區與隔絕氧化區亦可以同為STI結構。

第8圖顯示本發明的第七個實施例。本實施例與前述第六個實施例不同之處在於，在本實施例LDMOS元件800中，第一氧化區64、隔絕氧化區53、與第二氧化區85可皆為STI結構。本實施例旨在說明，根據本發明，第一氧化區、第二氧化區、與隔絕氧化區亦可以同為STI結構。

第9圖顯示本發明的第八個實施例。本實施例與前述第七個實施例不同之處在於，在本實施例LDMOS元件900中，第一氧化區94與第二氧化區85可以同為STI結構，且可以相同製程步驟形成，具有相同的厚度，其厚度皆較隔絕氧化區53小，且第一氧化區94、隔絕氧化區53、與第二氧化區95可皆為STI結構。本實施例旨在說明，根據本發明，第一氧化區與第二氧化區可以相同製程步驟所形成之STI結構，其厚度小於STI結構之隔絕氧化區。

第10圖舉例顯示利用先前技術與利用本發明之LDMOS元件的導通阻值(conduction resistance, Ron)與崩潰防護電壓(breakdown voltage, BV)之比較。其中，先前技術LDMOS元件之Ron與BV的關係，由四方形節點所示意；而根據本發明的LDMOS元件之Ron與BV的關係，由三角形節點所示意。由第10圖虛線所示意的讀值可以看出，根據本發明之LDMOS元件，在相同崩潰防護電壓下，其導通阻值明顯較低；且在相同導通阻值下，其崩潰防護電壓明顯較高。因此，根據本發明之LDMOS元件可在維持崩潰防護電壓的條件下，降低導通阻值，提高導通電流，增加LDMOS元件的應用範圍。

第11A-11B圖分別顯示先前技術與根據本發明之LDMOS元件在不導通時的等電壓輪廓線模擬圖，比較LDMOS元件不導通時之等電壓輪廓線，可以了解根據本發明之LDMOS元件，有較高之崩潰防護電壓。請同時參閱先前技術LDMOS元件之等電壓輪廓線模擬圖第11A圖，與根據本發明LDMOS元件之等電壓輪廓線模擬圖第11B圖，可以看出本發明之LDMOS元件，相較於先前技術LDMOS元件，其在閘極下方等電壓輪廓線密度較低，代表在相同操作情形下，也就是元件不導通時，根據本發明LDMOS元件的電場強度較低，因此可以承受更高的電壓，換言之，崩潰防護電壓較大。須說明的是，所謂LDMOS元件不導通，指在源極與汲極電連接至不同的預設電位，而利用施加於閘極的閘極電壓，使源極與汲極之間，除了些微的漏電流之外，無電流流過的狀態。

第12A-12B圖分別顯示先前技術與根據本發明之LDMOS元件在導通時的電流向量模擬圖，比較LDMOS元件導通時之電流向量模擬圖，可以了解根據本發明之LDMOS元件，有較高之電流密度。請同時參閱先前技術LDMOS元件之電流向量模擬圖第12A圖，與根據本發明LDMOS元件之電流向量模擬圖第12B圖，可以看出本發明之LDMOS元件，相較於先前技術LDMOS元件，其在閘極下方電流向量線密度較高，代表在相同操作情形下，也就是元件導通時，根據本發明LDMOS元件的電流較高，因此在導通時有較高的電流，換言之，導通電阻較低。因此，根據本發明之LDMOS元件可提高導通電流，增加LDMOS元件的應用範圍。

第13圖顯示先前技術與根據本發明之LDMOS元件的電流與閘極電壓特徵曲線圖。如圖所示，先前技術在LDMOS元件導通時的電流，明顯低於根據本發明之LDMOS元件導通時的電流。因此，根據本發明之LDMOS元件可降低導通阻值，提高導通電流，增加LDMOS元件的應用範圍。

以上已針對較佳實施例來說明本發明，唯以上所述者，僅係為使熟悉本技術者易於了解本發明的內容而已，並非用來限定本發明之權利範圍。在本發明之相同精神下，熟悉本技術者可以思及各種等效變化。例如，在不影響元件主要的特性下，可加入其他製程步驟或結構，如臨界電壓調整區等；再如，閘極下方的氧化區數目可為更多，而不限於為二；又如，微影技術並不限於光罩技術，亦可包含電子束微影技術；再如，導電型P型與N型可以互換，只需要其他區域亦作相應的互換極可。本發明的範圍應涵蓋上述及其他所有等效變化。

11, 21, 41‧‧‧基板
12, 22, 42‧‧‧漂移區
13, 23, 43, 53‧‧‧隔絕氧化區
13a, 23a, 43a, 53a‧‧‧操作區
14, 24, 34, 44, 64, 94‧‧‧第一氧化區
16, 26, 46‧‧‧本體區
17, 27, 47‧‧‧閘極
17a, 27a‧‧‧介電層
17b, 27b‧‧‧堆疊層
17c, 27c‧‧‧間隔層
18, 28, 48‧‧‧源極
19, 29, 49‧‧‧汲極
25, 35, 45, 85, 95‧‧‧第二氧化區
25a, 35a, 44a‧‧‧遮罩層
26‧‧‧本體區
26a, 46a‧‧‧光阻層
28a‧‧‧輕摻雜區
34a‧‧‧氧化區
100, 200, 300, 400, 500, 600, 700‧‧‧LDMOS元件
461‧‧‧本體極
d1, d2‧‧‧厚度

第1A-1B圖顯示一種習知LDMOS元件100。第2A-2J圖顯示本發明的第一個實施例。第3A-3C圖顯示本發明的第二個實施例。第4A-4F圖顯示本發明的第三個實施例。第5A-5F圖顯示本發明的第四個實施例。第6圖顯示本發明的第五個實施例。第7圖顯示本發明的第六個實施例。第8圖顯示本發明的第七個實施例。第9圖顯示本發明的第八個實施例。第10圖舉例顯示利用先前技術與利用本發明之LDMOS元件的崩潰防護電壓(breakdown voltage)與導通阻值(conduction resistance)之比較。第11A-11B圖分別顯示利用先前技術與利用本發明之LDMOS元件的等電位模擬圖。第12A-12B圖分別顯示利用先前技術與利用本發明之LDMOS元件的電流向量模擬圖。第13圖顯示先前技術與根據本發明之LDMOS元件的電流與閘極電壓特徵曲線圖。

21‧‧‧基板

22‧‧‧漂移區

23‧‧‧隔絕氧化區

24‧‧‧第一氧化區

25‧‧‧第二氧化區

26‧‧‧本體區

27‧‧‧閘極

27a‧‧‧介電層

27b‧‧‧堆疊層

27c‧‧‧間隔層

28‧‧‧源極

28a‧‧‧輕摻雜區

29‧‧‧汲極

200‧‧‧LDMOS元件

Claims

一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件製造方法，包含：提供一基板，其具有第一導電型；形成一漂移區於該基板上，其具有第二導電型，其中該第二導電型與該第一導電型電性相反；形成一隔絕氧化區於該漂移區上，以定義一操作區，其中該操作區位於該漂移區中；形成一第一氧化區於該漂移區上之該操作區中，其中該第一氧化區具有第一厚度；形成一第二氧化區於該漂移區上之該操作區中，並與該第一氧化區於一橫向上連接，其中該第二氧化區具有一第二厚度，且形成該第二氧化區時不影響該第一氧化區之該第一厚度，其中該第二厚度小於該第一厚度；形成一閘極於該漂移區上之該操作區中，並覆蓋至少部分該第二氧化區及部分該第一氧化區，包括：形成一介電層於該漂移區上，並與該第二氧化區於該橫向上連接，且該第二氧化區隔開該介電層及該第一氧化區；形成一堆疊層於該介電層上；以及形成一間隔層於該堆疊層之一側壁外；形成一本體區於該漂移區中，其具有第一導電型，且部分該本體區位於該閘極下方；形成一源極，於該本體區中，其具有第二導電型，且由上視圖視之，該間隔層介於該源極與該堆疊層之間；以及形成一汲極於該漂移區中，具有第二導電型，且由上視圖視之，該汲極介於該第一氧化區與該隔絕氧化區之間；其中，該第一氧化區與該第二氧化區分別係第一區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構與第二區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構，且該隔絕氧化區係淺溝槽絕緣(shallow trench isolation, STI)結構或一第三區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構；其中，該隔絕氧化區、該汲極、該第一氧化區、該第二氧化區、與該介電層於該橫向上依序相鄰排列。
如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件製造方法，更包括形成一本體極於該本體區中，具有第二導電型，以作為該本體區之電性接點。
如申請專利範圍第1項所述之橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件製造方法，其中該隔絕氧化區與該第一氧化區由相同製程步驟形成。
一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件製造方法，包含：提供一基板，其具有第一導電型；形成一漂移區於該基板上，其具有第二導電型，其中該第二導電型與該第一導電型電性相反；形成一隔絕氧化區於該漂移區上，以定義一操作區，其中該操作區位於該漂移區中；形成一第一氧化區於該漂移區上之該操作區中，其中該第一氧化區具有一第一厚度；形成一第二氧化區於該漂移區上之該操作區中，並與該第一氧化區於一橫向上連接，其中該第二氧化區具有一第二厚度，且形成該第二氧化區時不影響該第一氧化區之該第一厚度，其中該第二厚度小於該第一厚度；形成一閘極於該漂移區上之該操作區中，由上視圖視之，該閘極位於該操作區中，並覆蓋至少部分該第二氧化區及部分該第一氧化區，包括：形成一介電層於該漂移區上，並與該第二氧化區於該橫向上連接，且該第二氧化區隔開該介電層及該第一氧化區；形成一堆疊層於該介電層上；形成一間隔層於該堆疊層之一側壁外；形成一本體區於該漂移區中，其具有第一導電型，且部分該本體區位於該閘極下方；形成一源極，於該本體區中，其具有第二導電型，且由上視圖視之，該間隔層介於該源極與該堆疊層之間；以及形成一汲極於該漂移區中，具有第二導電型，且由上視圖視之，該汲極介於該第一氧化區與該隔絕氧化區之間；其中，該第一氧化區與該隔絕氧化區係淺溝槽絕緣(shallow trench isolation, STI)結構，且該第二氧化區係一區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構；其中，該隔絕氧化區、該汲極、該第一氧化區、該第二氧化區、與該介電層於該橫向上依序相鄰排列。
一種橫向雙擴散金屬氧化物半導體(Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor, LDMOS)元件製造方法，包含：提供一基板，其具有第一導電型；形成一漂移區於該基板上，其具有第二導電型，其中該第二導電型與該第一導電型電性相反；形成一隔絕氧化區於該漂移區上，以定義一操作區，其中該操作區位於該漂移區中；形成一第一氧化區於該漂移區上之該操作區中，其中該氧化區具有一第一厚度；形成一第二氧化區於該漂移區上之該操作區中，並與該第一氧化區於一橫向上連接，其中該第二氧化區具有一第二厚度，且形成該第二氧化區時不影響該第一氧化區之該第一厚度，其中該第二厚度小於該第一厚度；形成一閘極於該漂移區上之該操作區中，由上視圖視之，該閘極位於該操作區中，並覆蓋至少部分該第二氧化區及部分該第一氧化區，包括：形成一介電層於該漂移區上，並與該第二氧化區於該橫向上連接，且該第二氧化區隔開該介電層及該第一氧化區；形成一堆疊層於該介電層上；形成一間隔層於該堆疊層之一側壁外；形成一本體區於該漂移區中，其具有第一導電型，且部分該本體區位於該閘極下方；形成一源極，於該本體區中，其具有第二導電型，且由上視圖視之，該間隔層介於該源極與該堆疊層之間；以及形成一汲極於該漂移區中，具有第二導電型，且由上視圖視之，該汲極介於該第一氧化區與該隔絕氧化區之間；其中，該第一氧化區係一淺溝槽絕緣(shallow trench isolation, STI)結構，且該第二氧化區與該隔絕氧化區係區域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)結構；其中該隔絕氧化區、該汲極、該第一氧化區、該第二氧化區、與該介電層於該橫向上依序相鄰排列。