TW201720890A - 切割片及切割片的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種切割片及切割片的製造方法，其中，作為具有基材薄膜2和基材薄膜2的單面積層的黏接劑層3之切割片1，基材薄膜2至少具有位於距黏接劑層3最近部分的樹脂層21，構成樹脂層21的樹脂熔點係60℃以上、170℃以下，上述樹脂熔點和流體化溫度的差係40℃以上、190℃以下。這種切割片1不需照射放射線即可製造，亦可抑制絲狀切削片的產生並呈現良好的擴充性。

Description

切割片及切割片的製造方法
本發明係關於一種切割片及切割片的製造方法，特別關於一種將半導體晶圓等被裁切物裁切分離為元件塊時，該被裁切物黏貼的切割片及該切割片的製造方法。
聚矽氧、砷化鎵等半導體晶圓、玻璃基板、氧化鋁基板等基板類，以及各種包裝類(本發明專利說明說中統稱為「被裁切物」)於大直徑的狀態下製造而成，該等以元件塊(本發明專利說明書中稱為「晶片」)裁切分離(切割)的同時，個別剝離(頂取，pick up)後搬移至下一製程黏著製程。此時，半導體晶圓等被裁切物在事先貼合於黏接片的狀態下，搬移至切割、洗淨、乾燥、擴充、頂取以及黏著等各製程。
搬移至上述切割製程的被裁切物為了確保切割製程與之後製程的被裁切物以及晶片之處理性，切割片事先黏貼於被裁切物的與用於裁切的切削工具接觸的面之相反面表面，通常這種切割片作為基材薄膜，可使用聚烯烴類薄膜或聚氯乙烯類薄膜等，於該基材薄膜上形成黏接劑層。
作為切割製程的具體手法，在一般的全切割中係使用旋轉的圓刀裁切被裁切物，此時切割片確實地裁切黏貼而成的被裁切物，不僅會裁切被裁切物，連黏接劑層亦會被裁 切，此外，有時基材薄膜的一部份也會被裁切。
此時以構成黏接劑層與基材薄膜的材料所形成的切削片在切割片上產生，有時會造成獲得的晶片因切削片而污染的情況，該種切削片的其一型態係於切割線上或因切割而分離的晶片之截面附近附著絲狀切削片。
若與上述相同的絲狀切削片大量附著於晶片狀態下將晶片密封，附著於晶片的絲狀切削片會因密封的熱而分解，此熱分解物會破壞包裝或成為獲得的裝置上發生故障的原因。由於此絲狀切削片難以透過洗淨清除，絲狀切削片的產生會導致切割製程的產率變得低落，因此，利用切割片切割的情況下，被要求需防止絲狀切削片產生。
此外，多個晶片以硬化的樹脂密封的包裝作為被裁切物進行切割時，與切割半導體晶圓的情況相比，使用的切割刀切削寬度更厚，切割的切削深度亦更深。因此，由於切割時裁去的基材薄膜量比切割半導體晶圓的情況更為增多，絲狀切削片的產生量也隨之增多。
為抑制這種切削片的產生，專利文獻1中揭示了作為切割片的基材薄膜，利用電子射線或γ(伽瑪)線1~80Mrad照射的聚烯烴類薄膜的發明。該發明中，發明者認為於藉由電子射線或γ線的照射構成基材薄膜的樹脂中，可透過共價結合形成架橋，因而得以抑制切削片的產生。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利公開平第5-211234號公報
然而，專利文獻1的發明中，由於電子射線或γ線等放射線的照射需將與上述相同的樹脂先形成薄膜狀態後才進行，需增加一個製造製程，製造費用比一般的基材薄膜更為昂貴。此外，照射電子射線的情況下，會喪失基材薄膜中的樹脂結晶性，獲得的基材薄膜之耐溶劑性相對較低。
此外，進行前述的擴充製程時，切割片被要求具有良好的擴充性，由於此處透過與記載於專利文獻1中相同的放射線照射，使共價結合而形成架橋的基材薄膜呈現較高的彈性模數，因此專利文獻1中所記載的切割片無法發揮充分的擴充性。
本發明係有鑒於上述問題而完成，目的在於提供不需放射線照射即可製造、可抑制絲狀切削片的產生，且呈現良好擴充性的切割片。
為了達成上述目的，第一，本發明提供一種具有基材薄膜和積層於上述基材薄膜的單面之黏接劑層的切割片(發明1)，其特徵在於：上述基材薄膜至少具有位於距上述黏接劑層最接近的部分之樹脂層，構成上述樹脂層的樹脂熔點係60℃以上、170℃以下，上述樹脂熔點和流體化溫度的差係40℃以上、190℃以下。
上述發明(發明1)所有關的切割片，藉由構成基材薄膜的樹脂熔點以及熔點和流體化溫度之溫差介於上述範圍 內，即使因切割而產生摩擦熱，亦難造成樹脂流體化。此處絲狀切削片因切割時所產生的摩擦熱而使切削片軟化，此外，亦會拉長為絲狀。因此，使該切割片上難以產生樹脂流體化之結果便可抑制絲狀切削片的產生。另外，由於樹脂熔點與上述溫差介於上述範圍的基材薄膜之彈性模數變得相對較低，而可呈現良好的擴充性。又，樹脂熔點與上述溫差介於上述範圍的基材薄膜不需經電子射線或γ線等放射線之照射便可製作，因此該切割片中，與透過包含照射放射線的製程之方法製造而成的切割片相比，可降低製造費用。
上述發明(發明1)中，上述樹脂作為烯烴的構成成分包含多個分子鏈，上述分子鏈彼此之間依溫度相依性動態共價結合而鏈結為佳(發明2)。
上述發明(發明2)中，上述分子鏈係作為構成單位包含乙烯與基聚合性酸酐的乙烯類共聚物，上述樹脂另有具2個以上的羥基之多價醇化合物，上述溫度相依性動態共價結合係自上述基聚合性酸酐中衍生而成的羧基和上述多價醇化合物的羥基之間所產生的酯鏈結為佳(發明3)。
上述發明(發明2、3)中，上述樹脂中另含有促進上述溫度相依性動態共價結合之鏈結反應與解離反應之反應促進劑為佳(發明4)。
上述發明(發明1~4)中，上述樹脂層於23℃之拉力彈性模數係30MPa以上、500MPa以下為佳(發明5)。
上述發明(發明1~5)中，上述樹脂於溫度190℃與負載2.16kg之熔體流動速率係0.5g/10min以上、10g/10min以下 為佳(發明6)。
上述發明(發明1~6)中，上述基材薄膜於上述樹脂層的上述黏接劑層之反面另具有第2樹脂層為佳(發明7)。
第二，本發明提供一種上述切割片(發明1~7)的製造方法，其特徵在於：包含將至少包含乙烯與基聚合性酸酐的構成單位共聚合而獲得乙烯類共聚物的製程，以及在促進溫度相依性動態共價結合之鏈結反應與解離反應的反應促進劑之存在下，於上述乙烯類共聚物之上述基聚合性酸酐中衍生的羧基，和分子內具有羥基2個以上之多價醇化合物的羥基之間，使其酯鏈結而獲得上述樹脂的製程(發明8)。
本發明所有關之切割片不需照射放射線即可製造，可抑制絲狀切削片之產生，呈現良好的擴充性。
1‧‧‧切割片
2‧‧‧基材薄膜
21‧‧‧樹脂層
22‧‧‧第2樹脂層
3‧‧‧黏接劑層
[圖1]本發明之第1實施形態所有關的切割片之剖面圖。
[圖2]本發明之第2實施形態所有關的切割片之剖面圖。
以下對於本發明之實施形態進行說明。
1.切割片
圖1係本發明之第1實施形態所有關的切割片之剖面圖，圖2係本發明之第2實施形態所有關的切割片之剖面圖。該等切割片1具有基材薄膜2和基材薄膜2之單面積層而成的黏接劑層3，另外，本實施形態所有關之切割片可係單用於切割之切割 片，也可係亦可用於晶粒結著之切割．晶粒結著片。
(1)基材薄膜
本實施形態所有關的切割片1中，基材薄膜2至少具有位於距黏接劑層3最近部分之樹脂層21，尤其圖1所示之切割片1中，基材薄膜2僅以樹脂層21形成。另外，圖2所示之切割片1中，基材薄膜2具有位於距黏接劑層3最近部分之樹脂層21和位於樹脂層21的黏接劑層3之反面的第2樹脂層22。
(1-1)樹脂層的物理性質
本實施形態所有關的切割片1中，構成樹脂層21之樹脂熔點係60℃以上、170℃以下。此外，該樹脂熔點和流體化溫度之差係40℃以上、190℃以下。
樹脂層21的熔點與上述溫差若介於上述範圍，據此，構成樹脂層21的樹脂之流體化溫度便可達充分高溫。因此，切割時即使產生摩擦熱，亦可抑制因該摩擦熱而導致構成樹脂層21的樹脂流體化，其結果，本實施形態所有關的切割片1中便可抑制絲狀切削片的產生。此外，藉由樹脂層21的熔點與上述溫差介於上述範圍內，構成樹脂層21的樹脂之彈性模數會變得相對較低，據此，本實施形態所有關的切割片1呈現良好的擴充性。另外，樹脂層21的熔點與上述溫差介於上述範圍之基材薄膜2不需照射電子射線或γ線等放射線即可製作，因此，本實施形態所有關的切割片1與透過包含放射線照射製程的方法製造而成的切割片相比，可以較低費用製造。
本實施形態所有關的切割片1中，構成樹脂層21的樹脂熔點如上所述係60℃以上，較佳係70℃以上，更佳係80℃ 以上。此外，該樹脂熔點如上所述係170℃以下，較佳係140℃以下，更佳係120℃以下。藉由該熔點係60℃以上，基材薄膜1不會起皺褶或黏貼於滾筒(roll)上，可透過擠製成形有效率地獲得基材薄膜1。此外，構成樹脂層21之樹脂熔點係60℃以上的情況下，該樹脂具有適當的結晶性，使樹脂層21的耐溶劑性變得優異。另一方面，構成樹脂層21之樹脂熔點若係170℃以下，該樹脂的結晶性不會變得過高，基材薄膜1可有效地發揮優異的擴充性。
此外，本實施形態所有關的切割片1中，構成樹脂層21之樹脂熔點和流體化溫度的差如上所述係40℃以上，較佳係50℃以上，更佳係60℃以上。另外，該樹脂熔點和流體化溫度的差如上所述係190℃以下，較佳係135℃以下，更佳係80℃以下。藉由該差係40℃以上，便可獲得良好的絲狀切削片抑制效果。此外，藉由該差係190℃以下，樹脂呈現適當的流體化溫度，使其加工適合度變得優異。例如，使用這種樹脂製造基材薄膜2時，變得更加容易將團塊(pellet)狀的樹脂熔融後成形為片狀。另外，照射電子射線或γ線等放射線後，內部形成透過共價結合的架橋構造之樹脂不會出現流體化。
本實施形態所有關的切割片1中，構成樹脂層21的樹脂流體化溫度係100℃以上較佳，更佳係120℃以上，特佳係140℃以上。此外，該樹脂的流體化溫度係360℃以下較佳，更佳係275℃以下，特佳係200℃以下。藉由使該樹脂的流體化溫度係100℃以上，可獲得良好的抑制產生上述絲狀切削片之效果，此外，藉由使流體化溫度係360℃以下，使加工適合度變 得優異。
本實施形態所有關的切割片1中，樹脂層21於23℃的拉力彈性模數較佳係30MPa以上，更佳係40MPa以上，特佳係50MPa以上。此外，該拉力彈性模數係500MPa以下較佳，更佳係300MPa以下，特佳係200MPa以下。藉由使上述拉力彈性模數係30MPa以上，使切割片1擁有適當強度，黏著適合度亦優異。具體而言，可有效抑制切割片1黏貼於晶圓與環狀框架(ring frame)時的切割片1發生拉長現象。另外，藉由使上述拉力彈性模數係500MPa以下，可避免進行擴充製程時對於切割片1施加過多應力，擴充時切割片1不會自環狀框架剝離，維持良好狀態。此外，上述拉力彈性模數係以JIS K7127：1999為基準所測量的值，其具體測量方法按後面將敘述的測試方法進行。
本實施形態所有關的切割片1中，構成樹脂層21的樹脂溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率係0.5g/10min以上較佳，更佳係0.7g/10min以上，特佳係1g/10min以上。此外，該熔體流動速率係10g/10min以下較佳，更佳係8g/10min以下，特佳係7g/10min以下。藉由使熔體流動速率介於上述範圍內，以包含樹脂層21的基材薄膜2擠製成形所形成的情況下，可有效達成均一膜厚。此外，上述熔體流動速率係以JIS K7210：2014為基準，以溫度190℃與負載2.16kg所測量的值。
基材薄膜2如圖1所示僅以樹脂層21形成的情況下，樹脂層21的厚度係20μm以上較佳，更佳係40μm以上，特佳係60μm以上。此外，該厚度係600μm以下較佳，更佳係300μm 以下，特佳係200μm以下。另外，基材薄膜2如圖2所示係以樹脂層21與第2樹脂層22形成的情況下，樹脂層21的個別厚度係10μm以上較佳，更佳係20μm以上，特佳係30μm以上。另外，該厚度係300μm以下較佳，更佳係120μm以下，特佳係100μm以下。樹脂層21的厚度在基材薄膜2僅以樹脂層21形成的情況下係20μm以上，基材薄膜2係以樹脂層21與第2樹脂層22形成的情況下係10μm以上，便可充分發揮抑制絲狀切削片產生之效果。此外，藉由樹脂層21的厚度在基材薄膜2僅以樹脂層21形成的情況下係600μm以下，基材薄膜2係以樹脂層21與第2樹脂層22形成的情況下係300μm以下，切割片1便可有效地發揮優異的擴充性。
(1-2)樹脂層的組成等
就構成樹脂層21的樹脂而言，若可達成上述物理性質則無特別限制。
舉構成可達成這種物理性質的樹脂層21之樹脂為例，其係作為構成成分包含烯烴且擁有多個分子鏈之樹脂，該等分子鏈係透過溫度相依性動態共價結合鏈結而成的樹脂較佳。本發明專利說明書中，所謂「溫度相依性動態共價結合」指的係依溫度(透過加熱．冷卻)可逆的產生鏈結反應與解離反應的共價結合之情況。由於這種樹脂分子鏈之間彼此會隨溫度共價結合而受拘束，與分子鏈彼此間並非總是鏈結的樹脂相比，流體化溫度呈高溫化，其結果，如上所述可獲得良好的抑制絲狀切削片產生效果。另外，由於分子鏈之間彼此隨溫度共價結合，基材薄膜2製造時不需進行為了使其共價結合而照射 電子射線等製程，因而得以抑制製造費用之增加。
作為構成上述烯烴的成分，以包含的多個分子鏈為例，可舉作為構成單位包含乙烯與基聚合性酸酐的乙烯類共聚物為例。由於該乙烯類共聚物的極性相對而言並不高，自該乙烯類共聚物中所獲得的樹脂之耐溶劑性十分優異。
作為構成乙烯類共聚物，以包含的基聚合性酸酐為例，可列舉：順丁烯二酐、伊康酐、檸康酐、Endic酐、1-丁烯-3，4-二甲酐等。該等可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用，該等中以反應性與經濟性的觀點來看，使用順丁烯二酐較佳。
基聚合性酸酐的乙烯類共聚物中之含量係構成乙烯類共聚物的單位中0.1質量%以上較佳，更佳係0.3質量%以上。此外，該含量係構成乙烯類共聚物的構成單位中之20質量%以下較佳，更佳係5.0質量%以下。藉由使該含量係0.1質量%以上，構成樹脂層21的樹脂可充分地進行前述溫度相依性動態共價結合，可獲得良好的抑制上述絲狀切削片產生之效果。此外，藉由使該含量係20質量%以下，可於適當的密度產生前述的溫度相依性動態共價結合，據此，樹脂層21的彈性模數變得適當，切割片1可發揮更為優異的擴充性。
上述乙烯類共聚物亦可包含乙烯與基聚合性酸酐以外的構成單位(以下有時稱為「第3單體」)。據此，可更為容易地控制樹脂層21的熔點、流體化溫度、可撓性等。乙烯與基聚合性酸酐以外的構成單位可舉例：乙烯類不飽和酯化合物、乙烯類不飽和醯胺化合物、乙烯類不飽和羧基酸化合物、乙烯 類不飽和醚化合物、乙烯類不飽和烴化合物等。
上述第3單體更為具體的例子可舉例：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸苄酯、延胡索酸甲酯、延胡索酸乙酯、順丁烯二酸二甲酯、順丁烯二酸二乙酯、乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯醯胺、N-甲酯(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸、延胡索酸、甲基乙烯基醚、甲基烯丙基醚、苯乙烯、丁二烯、丙烯腈等。該等可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。此外，本發明專利說明書中的「(甲基)丙烯酸」意指丙烯酸與甲基丙烯酸全部，其他類似用語亦同。
在使用上述第3單體的情況下，其含量係構成乙烯類共聚物的構成單位中30質量%以下較佳，更佳係25質量%以下。藉由其含量係30質量%以下，可抑制樹脂熔點過度下降，發揮樹脂層21之實用的耐熱性。
前述的溫度相依性動態共價結合可舉酯鏈結為例，尤其作為分子鏈，在使用前述乙烯類共聚物的情況下，構成樹脂層21的樹脂另包含具有2個以上的羥基之多價醇化合物，作為溫度相依性動態共價結合，係該多價醇化合物的羥基和上述基聚合性酸酐中衍生的羧基之間產生的酯鏈結為佳。藉由產生這種酯鏈結，上述乙烯類共聚物彼此之間透過上述多價醇化合物架橋。據此，乙烯類共聚物彼此之間受拘束，與並非總是包含架橋構造的樹脂相比，流體化溫度呈高溫化，如上所述可獲得良好的抑制絲狀切削片產生效果。
上述多價醇化合物可舉例：乙二醇、二乙二醇、 三乙二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、1,8-辛二醇、三羥甲基乙烷、三羥甲基丙烷、新戊四醇、Arbitol、山梨糖醇、木糖、葡萄糖、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物皂化物、聚乙烯醇、1分子中含羥基2個以上的聚烯烴類寡聚物、乙烯-羥乙基(甲基)丙烯酸共聚物等分子內具有多個羥基的聚合物、於與上述相同的醇化合物添加環氧乙烷或環氧丙烯等所獲得的聚氧化烯化合物、聚甘油酯類等。該等可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。此外，就該等多價醇化合物的熔點而言，從抑制乙烯類共聚物時容易和其他化合物混合的觀點來看，300℃以下為佳。
上述多價醇化合物的使用量相對於上述基聚合性酸酐中衍生的羧基，源自多元醇的羥基莫耳比係0.01以上較佳，更佳係0.05以上。此外，該莫耳比係10以下較佳，更佳係5以下。
透過Diels-Alder反應所產生的共價結合亦為前述溫度相依性動態共價結合之其中一例，此反應中，共軛二烯構造和Dienophile構造中產生6員環構造的鏈結反應，以及6員環構造中產生共軛二烯構造和Dienophile構造的解離反應隨溫度產生。利用此種溫度相依性動態共價結合的情況下，例如，側鏈中具有共軛二烯構造的分子鏈和具有多個Dienophile構造的化合物組合使用，此情況下，該分子鏈透過具有多個Dienophile構造的化合物進行架橋。
側鏈上具有共軛二烯構造的分子鏈可舉側鏈上具有呋喃環的分子鏈為例，這種分子鏈對於具有胺基的分子鏈，可透過該胺基將共軛二烯化合物接枝而獲得。就這種共軛二烯 化合物而言，可舉例：呋喃甲胺、5-甲酯呋喃甲胺、N-甲基-呋喃甲胺、吡咯、1-胺基吡咯、咪唑、1-(3-胺基丙酯)咪唑、2-(2-胺基乙酯)噻吩、吡唑、3-胺基吡唑、3-胺基-5-甲基異噁唑、三唑、3-胺基-1,2,4三唑、4-胺基-1,2,4三唑等。
具有多個Dienophile構造的化合物可舉例：雙(3-乙酯-5-甲基-4順丁烯二亞醯胺苯基)甲烷、4,4’-雙順丁烯二亞醯胺二苯基甲烷、1,2-雙(順丁烯二亞醯胺)乙烷、1,6-雙(順丁烯二亞醯胺)已烷、N,N’-1,3-伸苯基雙順丁烯二亞醯胺、N,N’-1,4-伸苯基雙順丁烯二亞醯胺等。
構成樹脂層21的樹脂中，分子鏈彼此之間透過溫度相依性動態共價結合鏈結的情況下，該樹脂中另包含促進該溫度相依性動態共價結合的鏈結反應與解離反應的反應促進劑為佳。該反應促進劑使該溫度相依性動態共價結合的鏈結速度與解離速度加快，使可逆的相變迅速進行。因此，該樹脂加熱．熔融製膜變得更為容易，其結果，可同時達到如前所述之抑制絲狀切削片效果和優異的製膜性。
上述反應促進劑可舉例羧基酸的金屬鹽或包含羧基的聚合物之金屬鹽等。羧基酸的金屬鹽可列舉：醋酸、丁酸、辛酸、癸酸、月桂酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、硬脂酸、油酸、廿二酸、琥珀酸、安息香酸、對苯二甲酸、焦蜜石酸(pyromellitic acid)等羧基酸和週期表的IA族、IIA族、IIB族、IIIB族的元素(例如：Li、Na、K、Mg、Ca、Zn、Al等)的金屬鹽。
包含羧基的聚合物之金屬鹽可舉例：乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物的一部份或全部的羧基和週期表的IA族、IIA 族、IIB族、IIIB族的元素(例如：Li、Na、K、Mg、Ca、Zn、Al等)的金屬鹽，或乙烯和乙烯-(甲基)丙烯酸金屬鹽的共聚物等。此外，作為包含羧基的聚合物之單體，亦可使用上述第3單體。
此外，上述反應促進劑亦可係於聚乙烯、聚丙烯等聚烯烴類樹脂中接枝聚合不飽和羧基酸金屬鹽者。另外，上述反應促進劑尚可舉例：三乙胺、三甲胺、四甲銨四氟硼酸、四甲銨六氟磷酸、溴化四甲銨、溴化四乙銨等。
該等反應促進劑可1種單獨使用，亦可組合2種以上使用。此外，該等反應促進劑中，從處理容易性、經濟性的觀點來看，使用羧基酸金屬鹽為佳。
反應促進劑的使用量雖可根據其種類適當地調整，一般而言，相對於側鏈導入前的乙烯類共聚物100質量份，較佳係0.001質量份以上，更佳係0.01質量份以上。此外，該使用量係20質量份以下較佳，更佳係15質量份以下。
本實施形態所有關的切割片1中，作為構成樹脂層21的樹脂亦可使用市售產品，例如Japan Polyethylene Corporation製的熱塑性樹脂Rexpearl系列，其中使用Rexpearl ES323Y或Rexpearl ES333Y尤佳。由於該等市售產品係包含前述乙烯類共聚物、前述多價醇化合物與反應促進劑之樹脂，可呈現乙烯類共聚物彼此之間透過多價醇化合物架橋而成的狀態，以達成上述熔點與流體化溫度相關物理性質。
樹脂層21中，除了達成上述熔點與流體化溫度相關物理性質的上述樹脂以外，亦可包含顏料、染料、阻燃劑、 塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、填料等各種添加劑。就顏料而言，可舉例二氧化鈦、碳黑等。此外，就填料而言，可舉例如三聚氰胺樹脂的有機類材料、如氣相二氧化矽的無機類材料，以及如鎳粒子的金屬類材料。
為了提高樹脂層21的黏接劑層3側的面和黏接劑層3的附著性，亦可實施底漆處理、電暈處理、電漿處理等表面處理。另外，在基材薄膜僅以樹脂層21形成的情況下，樹脂層21的黏接劑層3之相反面上亦可形成各種塗膜。
(1-3)第2樹脂層
基材薄膜2如圖2所示包含第2樹脂層22的情況下，構成第2樹脂層22的材料並無特別限制，可使用一般用於切割片的基材之樹脂薄膜，這種樹脂薄膜的具體例子有：乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯類共聚薄膜；聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降莰烯共聚物薄膜、降莰烯樹脂薄膜等聚烯烴類薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯類薄膜；聚對酞酸乙二酯薄膜、聚丁烯對苯二甲酯薄膜等聚酯類薄膜；聚氨酯薄膜；聚醯亞胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟樹脂薄膜等。聚乙烯薄膜可舉例：低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直鏈低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等。此外，亦可使用該等架橋薄膜、離子聚合物薄膜等變性薄膜。基材可係該等以1種形成的薄膜，亦可係該等2種以上組合的積層薄膜。
上述樹脂薄膜中，從層間附著性、成形加工性、 擴充性與耐溶劑性的觀點來看，使用乙烯類共聚物薄膜，特別係乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜與乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜；聚烯烴類薄膜，特別係聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、乙烯-降莰烯共聚物薄膜與降莰烯樹脂薄膜；聚氨酯薄膜；聚苯乙烯薄膜或氟樹脂薄膜為佳。
第2樹脂層22中，如同樹脂層21，除了上述樹脂以外亦可包含顏料、染料、阻燃劑、塑化劑、抗靜電劑、潤滑劑、填料等各種添加劑。此外，第2樹脂層22中的黏接劑層之相反面亦可形成各種塗膜。
第2樹脂層22的厚度雖無特別限制，較佳係10μm以上，更佳係40μm以上，特佳係50μm以上。此外，該厚度較佳係300μm以下，更佳係120μm以下，特佳係100μm以下。藉由第2樹脂層22的厚度係10μm以上，切割片1具有適當的強度，提升了黏著適合度。藉由第2樹脂層22的厚度係300μm以下，切割片1可有效地發揮優異的擴充性。
(1-4)基材薄膜的物理性質等
本實施形態所有關的切割片1中，基材薄膜2的厚度並無特別限制，與一般切割片的基材薄膜厚度相同即可。例如，如圖1所示，基材薄膜2僅以樹脂層21形成的情況下，其厚度係20μm以上較佳，更佳係40μm以上，特佳係60μm以上。此外，該厚度係600μm以下較佳，更佳係300μm以下，特佳係200μm以下。另外，如圖2所示，基材薄膜2係由樹脂層21與第2樹脂層22形成的情況下，包含樹脂層21與第2樹脂層22兩層之基材薄膜2的 厚度係20μm以上較佳，更佳係60μm以上，特佳係80μm以上。此外，該厚度係600μm以下較佳，更佳係240μm以下，特佳係200μm以下。
黏接劑層3包含活性能量線硬化性黏接劑，作為用於硬化黏接劑層3而照射的能量線，在使用紫外線的情況下，基材薄膜2具有對於紫外線的穿透性為佳。此外，作為該能量線，在使用電子射線的情況下，基材薄膜2具有對於電子射線的穿透性為佳。
(2)基材薄膜的製造方法
基材薄膜2可以一般的方法製造。例如，獲得構成樹脂層21的樹脂後，藉由將該樹脂以熔融擠製成形法、壓延(calendaring)法等使其成形為薄膜而形成樹脂層21，據此，即可獲得僅以樹脂層21形成的基材薄膜2。
獲得這種樹脂的理想方法可舉例：將至少包含乙烯與基聚合性酸酐的構成單位共聚，獲得乙烯類共聚物後，在前述反應促進劑的存在之下，上述乙烯類共聚物的上述基聚合性酸酐中衍生的羧基和前述多價醇化合物的羥基之間使其酯鏈結。據此，乙烯類共聚物彼此之間可獲得具有於上述多價醇化合物中架橋構造的樹脂。
作為構成樹脂層21的樹脂，使用市售產品的情況下，以熔融擠製成形法、壓延法等使該市售產品成形為薄膜而形成樹脂層21。
基材薄膜2包含第2樹脂層22的情況下，可透過一般的共同擠製法或疊層法獲得樹脂層21與第2樹脂層22積層而 成的基材薄膜2。
(3)黏接劑層
就構成黏接劑層3的黏接劑而言並無特別限制，作為切割片1，可利用平時使用的黏接劑，例如：橡膠類、丙烯酸類、聚矽氧類、聚乙烯醚類等黏接劑，此外，亦可係能量線硬化型(包含紫外線硬化型)或加熱硬化型的黏接劑。另外，本實施形態的切割片1作為切割．晶粒結著片使用的情況下，使用同時兼具晶圓固定功能和晶粒黏著功能的黏著劑、熱塑性黏合劑、Bstage黏合劑等。
黏接劑層3的厚度並無特別限制，例如：3μm以上較佳，5μm以上更佳。此外，該厚度較佳係100μm以下，更佳係80μm以下。
(4)剝離片
本實施形態所有關的切割片1亦可於黏接劑層3的基材薄膜2之相反面具有剝離片，該剝離片係用於保護黏接劑層3的黏接面。
作為剝離片可舉例：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對酞酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚丁烯對苯二甲酯薄膜、聚氨酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等，另外，亦可使用該等架橋薄膜。此外，亦可係多個該等薄膜積層而成的積層薄膜。
上述剝離片的剝離面(與黏接劑層3接觸的面)經剝離處理為佳。就剝離處理時所使用的剝離劑而言，可舉例醇酸樹脂類、聚矽氧類、氟類、不飽和聚酯類、聚烯烴類、蠟類剝離劑。
剝離片的厚度並無特別限制，例如：20μm以上、150μm以下為佳。
2.切割片的製造方法
切割片1的製造方法除了將基材薄膜2以上述方法製造以外，亦可利用一般的方法製造。
例如，首先調製含有用於形成黏接劑層3的黏接劑組成物和根據所需額外添加的溶劑之塗佈劑，接著將此塗佈劑於如上所述製造的剝離片之剝離面上，以模具式塗佈機、簾式塗佈機、噴塗機、狹縫型塗佈機、刀式塗佈機等塗佈後乾燥而形成黏接劑層3。之後，將黏接劑層3的剝離片之相反面和基材薄膜2的一面貼合而獲得切割片1。另外，基材薄膜2包含第2樹脂層22的情況下，基材薄膜2的樹脂層21側的面和黏接劑層3貼合。只要塗佈劑可進行塗佈，其性狀並無特別限制，用於形成黏接劑層3的成分可係溶質或瀰散體含有其中。
就切割片1的另一個製造方法而言，於基材薄膜2的一面(第2樹脂層22存在的情況下則為基材薄膜2的樹脂層21側之面)上塗佈上述塗佈劑後乾燥，即可於基材薄膜2上獲得黏接劑層3形成的切割片1。
以上述方法製造而成的切割片1中，構成樹脂層21的樹脂由透過溫度相依性動態共價結合彼此而鏈結而成之分 子鏈構成，因此，該分子鏈受適當的拘束，與不受該種拘束的樹脂相比，流體化溫度呈高溫化。其結果，可同時達到如上所述之絲狀切削片的產生抑制效果與良好的擴充性。此外，由於該分子鏈彼此之間隨溫度共價結合，不需進行使其共價結合的電子射線照射等製程，因而得以抑制製造費用增加。
以上說明的實施形態，係為了便於理解本發明而記載，當不能以此限定本發明實施之範圍，因此，屬於上述實施形態中記載的各元素之技術性範圍內的所有設計變更或均等物，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
例如，上述切割片1的基材薄膜2和黏接劑層3之間亦可存在其他層。
(實施例)
以下透過實施例等進一步對本發明進行具體說明，但本發明的範圍並不受這些實施例等限制。
〔實施例1〕
1.基材薄膜的製作
作為構成單位包含乙烯與基聚合性酸酐的乙烯類共聚物、具有2個以上的羥基之多價醇化合物與包含促進溫度相依性動態共價結合的鏈結反應與解離反應的反應促進劑的熱塑性樹脂、於上述乙烯類共聚物的上述基聚合性酸酐中衍生的羧基以及上述多價醇化合物的羥基在上述反應促進劑的存在下酯鏈結成熱塑性樹脂(Japan Polyethylene Corporation製，產品名「Rexpearl ES323Y」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：4g/10min)以小型T模擠製機(TOYO Seiki Seisaku-Sho.,Ltd. 製，產品名「Labo Plasto Mill」)擠製成形，獲得以厚度80μm的樹脂層形成的基材薄膜。
2.黏接劑組成物的調製
將n-丙烯酸丁酯95質量份和丙烯酸5質量份共聚形成的共聚物(Mw：500,000)100質量份，和丙烯酸胺甲酸乙酯寡聚物(Mw：8,000)120質量份，和異氰酸鹽類架橋劑(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製，產品名「CORONATE L」)5質量份，以及光聚合起始劑(Chiba Speciality Chemicals Co.,Ltd.製，產品名「IRUGACURE 184」)4質量份混合後獲得能量線硬化型黏接劑組成物。
3.切割片的製作
將上述製程2中獲得的能量線硬化型黏接劑組成物塗佈於經由聚矽氧類剝離劑剝離處理的剝離片(Lintec Corporation製，產品名「SP-PET38111(S)」)之剝離面，置於100℃中1分鐘使其乾燥，形成膜厚係10μm的黏接劑層。此黏接劑層的剝離片之相反面和上述製程1中獲得的基材薄膜之單面貼合而獲得切割片。
〔實施例2〕
作為構成單位包含乙烯與基聚合性酸酐的乙烯類共聚物、具有2個以上的羥基之多價醇化合物與包含促進溫度相依性動態共價結合的鏈結反應與解離反應的反應促進劑的熱塑性樹脂，除了使用從上述乙烯類共聚物的上述基聚合性酸酐中衍生的羧基和上述多價醇化合物的羥基在上述反應促進劑的存在下酯鏈結而成熱塑性樹脂(Japan Polyethylene Corporation 製，產品名「Rexpearl ES333Y」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：6g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例1〕
作為熱塑性樹脂，除了使用密度924kg/m3的聚乙烯樹脂(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.製，產品名「SUMIKASEN L405」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：3.7g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例2〕
作為熱塑性樹脂，除了使用丙烯的隨機共聚物(Prime Polymer Co.,Ltd.製，產品名「PRIME POLYPRO F-744NP」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：7g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例3〕
作為熱塑性樹脂，除了使用高密度聚乙烯(Japan Polypropylene Corporation製，產品名「Novatec HY540」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：1g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例4〕
作為熱塑性樹脂，除了使用乙烯均聚物高壓法低密度聚乙烯(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.製，產品名「SUMIKASEN F101-1」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：0.3g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例5〕
作為熱塑性樹脂，除了使用低密度聚乙烯(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.製，產品名「SUMIKASEN G801」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：20g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例6〕
作為熱塑性樹脂，除了使用聚丙烯類彈性物(Mitsui Chemicals,Inc.製，產品名「TIMER PN2070」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：3.2g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例7〕
作為熱塑性樹脂，除了使用乙烯-α-烯烴(Mitsui Chemicals,Inc.製，產品名「TIMER 4070S」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：3.6g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔比較例8〕
作為熱塑性樹脂，除了使用聚4-甲基-1-戊烯(Mitsui Chemicals,Inc.製，產品名「TPX MX002」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：0g/10min)以外，其餘皆與實施例1一致以獲得切割片。
〔測試例1〕(拉力彈性模數的測量)
將實施例與比較例中獲得的基材薄膜裁成15mm×140mm的測試片，以JIS K7127：1999為基準測量拉力彈性模數。具體而言，將上述測試片於張力試驗機(Shimadzu Corporation製，產品名「Autograph AG-IS 500N」)中，將夾頭(chuck)之間的距 離設為100mm，以200mm/min的速度進行張力試驗以測量拉力彈性模數(MPa)，結果如表1所示。但，基材薄膜無法良好地製膜、無法測量拉力彈性模數時，以「-」標示於表1中。
〔測試例2〕(熔點的測量)
實施例與比較例中所使用的熱塑性樹脂熔點係以JIS K7121為基準，利用示差掃瞄熱量分析儀(DSC T．A．INSTRUMENTS公司製，產品名「Q2000」)測量。
〔測試例3〕(流體化溫度的測量)
實施例與比較例中所使用的熱塑性樹脂之流體化溫度利用下降式流量測試儀(Shimadzu Corporation公司製，型號「CFT-100D」)測量，使用負載為5.0N，孔洞形狀φ2.0mm、長度5.0mm的模(die)，將測量試料的溫度之升溫速度調高為10℃/分鐘，升溫同時測量變動的衝程(stroke)位移速度(mm/分鐘)，獲得試料的衝程位移速度之溫度相依性圖表。此溫度相依性圖表中，經過超過軟化點所獲得的峰值後，以再次衝程位移速度開始上升的溫度作為流體化溫度，結果如表1所示。
此外，由所獲得的流體化溫度的值中扣除測試例2中所獲得的熔點值後，算出該等溫差△T(℃)，結果如表1所示。
〔測試例4〕(製膜性的評價)
(1)2種2層構成的基材薄膜製作
實施例與比較例中所使用的各樹脂和低密度聚乙烯(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.製，產品名「SUMIKASEN L705」，溫度190℃與負載2.16kg的熔體流動速率：7.0g/10min)以分流(feed block)的方式使該等樹脂的比例成為5：5，利用小型T模 擠製機(TOYO Seiki Seisaku-Sho.,Ltd.製，產品名「Labo Plasto Mill」)擠製成形，獲得厚度係80μm的以2種2層樹脂層所形成的基材薄膜。
(2)評價
對於實施例與比較例中製造的單層基材薄膜與上述(1)中製造的2種2層基材薄膜，針對實施例與比較例各製膜性評價。具體而言，對於單層與2種2層的兩側薄膜可良好地製作出評價用樣本者評價為○，厚度精度不穩定或出現模痕(die line)，抑或是基材薄膜被銜於冷卻滾筒，使薄膜的一側或兩側之樣本製作無法進行者則評價為×，結果如表1所示。
〔測試例5〕(切削片的評價)
對於上述測試例4中製膜性評價為○的實施例與比較例的切割片，將黏接劑層黏貼於聚矽氧晶圓後，置於切割裝置(DISCO公司製，產品名「DFD-651」)依以下條件切割。
．作業品(黏附體)：聚矽氧晶圓
．作業品尺寸：6吋，厚度0.35mm
．切割刀：DISCO公司製，產品名「27HEEE」
．刀片旋轉數：50,000rpm
．切割速度：10mm/秒鐘
．切削深度：從基材薄膜表面起算切削25μm的深度
．切割尺寸：5mm×5mm
之後對於基材薄膜側照射紫外線(光量：160mJ/cm2)，裁切的晶片自切割片剝離。縱向與橫向的切割線中，對於各自的中央附近之縱向的1線與橫向的1線上所產生的 絲狀切削片個數，利用數位顯微鏡(Keyence Corporation製，產品名「VHX-100」，倍率：100倍)計數，絲狀削片的個數係0~10個則評價為○，11個以上則評價為×，結果如表1所示。
〔測試例6〕(黏著適合度的評價)
對於上述測試例4中製膜性評價為○的實施例與比較例的切割片，在黏接劑層上黏貼6吋晶圓後，將該切割片置於平框(flat frame)上，之後將平框與地面平行提起時，若切割片沒有產生軟化的現象則評價為○，產生軟化現象則評價為×，結果如表1所示。
〔測試例7〕(擴充性的評價)
對於上述測試例6中黏著適合度評價為○的實施例與比較例的切割片，使用與測試例4中所使用的相同裝置，以相同條件進行切割。
之後對基材薄膜側照射紫外線(光量：160mJ/cm2)，接著使用擴充治具(NEC Machinery公司製，產品名「Die-Bonder CSP-1000VX」)，將切割片以速度2mm/秒鐘、下拉20mm，若此時切割片無撕裂或切割片沒有自平框剝離而達成擴充則評價為○，若切割片撕裂或切割片自平框剝離則評價為×，結果如表1所示。
〔測試例8〕(耐溶劑性的評價)
對於上述測試例4中製膜性評價為○的實施例與比較例，於該等實施例與比較例中所獲得的基材薄膜上滴乙酸丁酯，放置於室溫中10分鐘後，若無任何變化則評價為○，若發生膨脹則評價為×，結果如表1所示。
從表1可得知，實施例中製造的切割片難以產生絲狀切削片，呈現優異的擴充性。另外，實施例中製造的切割片之製膜性、黏著適合度與耐溶劑性皆優異。
(產業上之可利用性)
本發明所有關的切割片適合用於半導體晶圓或各種包裝類等切割。

Claims (8)

  1. 一種切割片，具有基材薄膜和積層於上述基材薄膜的單面之黏接劑層，其特徵在於：上述基材薄膜至少具有位於距上述黏接劑層最接近的部分之樹脂層，構成上述樹脂層的樹脂熔點係60℃以上、170℃以下，上述樹脂熔點和流體化溫度的差係40℃以上、190℃以下。
  2. 根據申請專利範圍第1項所述之切割片，其中，上述樹脂包含以烯烴作為構成成分的多個分子鏈，上述分子鏈彼此之間透過溫度相依性動態共價結合而鏈結。
  3. 根據申請專利範圍第2項所述之切割片，其中，上述分子鏈係作為構成單位包含乙烯與基聚合性酸酐的乙烯類共聚物，上述樹脂另有具2個以上的羥基之多價醇化合物，上述溫度相依性動態共價結合係自上述基聚合性酸酐中衍生而成的羧基和上述多價醇化合物的羥基之間所產生的酯鏈結。
  4. 根據申請專利範圍第2或3項所述之切割片，其中，上述樹脂中另含有促進上述溫度相依性動態共價結合之鏈結反應與解離反應之反應促進劑。
  5. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述之切割片，其中，上述樹脂層於23℃之拉力彈性模數係30MPa以上、500MPa以下。
  6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述之切割片，其 中，上述樹脂於溫度190℃與負載2.16kg之熔體流動速率係0.5g/10min以上、10g/10min以下。
  7. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項所述之切割片，其中，上述基材薄膜於上述樹脂層的上述黏接劑層之相反面另具有第2樹脂層。
  8. 一種切割片的製造方法，係申請專利範圍第1至3項中任一項所述之切割片的製造方法，其特徵在於包含：將至少含乙烯與基聚合性酸酐的構成單位共聚合而獲得乙烯類共聚物的製程；以及在促進溫度相依性動態共價結合之鏈結反應與解離反應的反應促進劑之存在下，於上述乙烯類共聚物之上述基聚合性酸酐中衍生的羧基和分子內具有羥基2個以上之多價醇化合物的羥基之間，使其酯鏈結而獲得上述樹脂的製程。
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