TW201718692A - 樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體 - Google Patents

樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體 Download PDF

Info

Publication number
TW201718692A
TW201718692A TW105128364A TW105128364A TW201718692A TW 201718692 A TW201718692 A TW 201718692A TW 105128364 A TW105128364 A TW 105128364A TW 105128364 A TW105128364 A TW 105128364A TW 201718692 A TW201718692 A TW 201718692A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mass
resin composition
film
sealing
epoxy resin
Prior art date
Application number
TW105128364A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI714625B (zh
Inventor
渡瀨裕介
藤本大輔
野村豐
荻原弘邦
金子知世
鳥羽正也
鈴木雅彥
Original Assignee
日立化成股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成股份有限公司 filed Critical 日立化成股份有限公司
Publication of TW201718692A publication Critical patent/TW201718692A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI714625B publication Critical patent/TWI714625B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/40—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the curing agents used
    • C08G59/42—Polycarboxylic acids; Anhydrides, halides or low molecular weight esters thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/0008—Organic ingredients according to more than one of the "one dot" groups of C08K5/01 - C08K5/59
    • C08K5/0025—Crosslinking or vulcanising agents; including accelerators
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3442—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3445—Five-membered rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L61/00—Compositions of condensation polymers of aldehydes or ketones; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L61/04—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only
    • C08L61/06—Condensation polymers of aldehydes or ketones with phenols only of aldehydes with phenols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2227—Oxides; Hydroxides of metals of aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本發明提供一種樹脂組成物，其含有熱硬化性成分及無機填充材料，並且，無機填充材料包含氧化鋁，且以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量為72質量％以上。

Description

樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體
本發明是有關一種樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體。
隨著電子機器的輕薄短小化，電子零件裝置(半導體裝置等)的小型化及薄型化正在進展。正在盛行使用與半導體元件(矽晶片等半導體晶片)幾乎相同大小的半導體裝置之形態、或在半導體裝置上堆積半導體裝置之構裝形態(堆疊式封裝(package on package，PoP))，預料今後電子零件裝置的小型化及薄型化會更進一步進展。
若半導體元件的微細化逐漸進展而端子數逐漸增加，則難以於半導體元件上設置全部外部連接端子(外部連接用的端子)。例如：當勉強設置外部連接端子時，端子間之間距會變狹窄，並且端子高度會降低，而難以確保構裝半導體裝置後的連接可靠性。於是，為了實現電子零件裝置的小型化及薄型化，已提出許多新的構裝方式。
例如，已提出一種構裝方法，其能夠在將對半導體晶圓進行單片化而製得之半導體元件以具有適度間隔之方式進行重新配置後，使用固形或液狀的樹脂(密封樹脂)來將半導體元件密封，並於用以在半導體元件的外側將半導體元件密封之密封部分上設置外部連接端子；及，提出一種半導體裝置，其是使用該構裝方法來製作(例如參照下述專利文獻1～3)。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本專利第3616615公報 　　專利文獻2：日本特開2001-244372號公報 　　專利文獻3：日本特開2001-127095號公報
[發明所欲解決之問題] 　　然而，當用以將被密封體密封之密封部(密封樹脂的硬化物)的導熱率低時，散熱性會不良。因此，低導熱率會成為裝置劣化進行、裝置起火等之原因。此時，可以考慮使被密封體上之密封部的厚度(密封厚度)薄膜化來提高散熱性。然而，像例如堆疊式封裝(PoP)這樣的封裝體形態，有將通常是分別構裝之中央處理器(CPU)與記憶體堆疊即能夠縮小構裝面積之優點，另一方面，因裝置整體的厚度增加，因此容易有散熱性會降低之疑慮。因此，在藉由使密封部的厚度薄膜化來提高散熱性上有極限。
本發明是鑒於上述問題而研創，目的在於提供一種樹脂組成物及其硬化物，該樹脂組成物能夠獲得具有優異導熱率的硬化物。此外，本發明之目的在於提供一種密封用薄膜及密封結構體，該等是使用前述樹脂組成物而得。 [解決問題之技術手段]
習知的密封用樹脂組成物(薄膜狀環氧樹脂組成物等)的硬化物的導熱率為1.2 W/m•K左右。針對此點，本發明人發現使用一種樹脂組成物即能夠獲得具有優異導熱率的硬化物，遂完成本發明，該樹脂組成物含有熱硬化性成分及特定量的無機填充材料，該無機填充材料包含氧化鋁。
本發明之樹脂組成物含有熱硬化性成分及無機填充材料，並且，無機填充材料包含氧化鋁，且以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量為72質量％以上。
若藉由本發明之樹脂組成物，則能夠獲得一種具有優異導熱率的硬化物，例如，能夠獲得一種硬化物，其具有超過2.5 W/m•K的導熱率(較佳為2.7 W/m•K以上的導熱率)。只要能夠提高密封用樹脂組成物的硬化物的導熱率，則能夠提高電子零件裝置(半導體裝置等)的散熱性，而能夠抑制裝置劣化的進行、裝置起火等，該電子零件裝置具備包含該樹脂組成物的硬化物之密封部。特別是，若藉由本發明之樹脂組成物，則能夠以經增加厚度之封裝體形態(PoP等)來提高成為欲解決的問題也就是散熱性。若藉由本發明之樹脂組成物，則能夠一面確保樹脂組成物的填埋性，一面獲得具有優異導熱率的硬化物。
前述熱硬化性成分可包含熱硬化性樹脂。前述熱硬化性樹脂較佳是包含環氧樹脂。
前述熱硬化性成分可進一步包含硬化劑。前述硬化劑較佳是包含酚樹脂。
前述熱硬化性成分可進一步包含硬化促進劑。前述硬化促進劑較佳是包含咪唑化合物。
以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，在25℃時為液狀的環氧樹脂的含量，較佳是5質量％以上，更佳是7質量％以上。
以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，前述無機填充材料的含量，較佳是93質量％以下，更佳是85質量％以下。
前述無機填充材料的平均粒徑，較佳是0.01～25 μm，更佳是0.01～10 μm。
前述無機填充材料中的氧化鋁的含量，較佳是50質量％以上。
本發明之樹脂組成物可進一步含有溶劑。
本發明的硬化物為本發明的樹脂組成物的硬化物。
然而，通常，半導體元件等電子零件之密封(封裝方法中的密封步驟)，經常是在製造半導體裝置等電子零件裝置過程中的最後才進行。此時，構裝方法是對將電子零件密封而製得之密封結構體(密封成形物)，實施形成線路及外部連接端子之步驟，該線路是用以配置外部連接端子。
習知的構裝方法，有時是將複數個電子零件(半導體元件等)密封來獲得密封結構體後再將該密封結構體切割來獲得複數個電子零件裝置(半導體裝置等)。此時，要進行重新配置的電子零件越多，則能夠以一次步驟來製作的電子零件裝置會越增加。於是，正在進行使密封結構體變大之研究。目前有下述傾向，例如：為了將半導體製造裝置用於形成線路，而將密封結構體成形為晶圓形狀，並進行晶圓形狀的大直徑化。並且，為了能夠進行更大尺寸化且能夠使用較半導體製造裝置更便宜的印刷線路板製造裝置等，而正在研究密封結構體的面板化。
將電子零件密封時，有時是使用塑模成形，其是以模具來對固形或液狀的樹脂密封材料進行成形。有時是使用例如轉注成形，其是使丸(pellet)狀的樹脂密封材料熔融，並使樹脂流入模具內來密封。然而，轉注成形由於是使熔融的樹脂流入來進行成形，故當欲將大面積密封時，有產生未填充部之可能性。於是，近年來，正開始使用壓縮成形，其是預先將樹脂密封材料供給至模具或被密封體後再進行成形。壓縮成形由於是將樹脂密封材料直接供給至模具或被密封體，故有即使是將大面積密封仍不容易產生未填充部之優點。
壓縮成形與轉注成形同樣是使用固形或液狀的樹脂密封材料。然而，當被密封體大型化時，液狀的樹脂密封材料有時會發生液體流動等而難以均勻供給至被密封體上。此外，由於必須將樹脂均勻供給至被密封體上，故固形的樹脂密封材料有時不是使用習知的丸狀的樹脂，而是使用顆粒或粉體的樹脂密封材料。然而，顆粒或粉體的樹脂密封材料難以將樹脂密封材料均勻供給至模具或被密封體上，並且，由於為顆粒或粉體，故樹脂密封材料會成為起塵原，而有會污染裝置或無塵室之疑慮。
此外，塑模成形由於是在模具內對樹脂進行成形，故使密封結構體大型化時，必須使模具大型化。然而，使模具大型化時因要求高模具精度，因此技術面上的難易度會提高，並且模具的製造成本會大幅增加。
相對地，本發明之樹脂組成物可製作成用以將被密封體密封之密封用薄膜，而為薄膜狀。本發明之密封用薄膜包含本發明的樹脂組成物。此時，能夠將樹脂均勻供給至被密封體上並減少起塵。此外，能夠獲得一種填埋能力，其不僅能夠藉由塑模成形來密封，且亦能夠藉由無需模具(高壓力用之模具等)之成形方法(積層、加壓等)來密封。
本發明之密封用薄膜中，溶劑的含量以0.2～1.5質量％為佳。溶劑(有機溶劑等)的含量越多，則對將被密封體(例如半導體元件等電子零件)填埋很重要的薄膜狀的樹脂組成物的最低熔融黏度會越降低。我們認為其原因應為：溶劑會提高薄膜狀的樹脂組成物的流動性。此外，適度量的溶劑會對薄膜狀的樹脂組成物賦予黏性，而容易防止從薄膜狀的支撐體剝離、薄膜狀的樹脂組成物本身破裂等。在溶劑為0.2～1.5質量％時，此等效果容易在不產生其它不良情形之情形下發揮到最大。
本發明的密封用薄膜的厚度以20～250 μm為佳。
本發明的密封結構體，具備被密封體與密封部，該密封部將該被密封體密封，並且，前述密封部包含本發明的樹脂組成物的硬化物。前述被密封體可為電子零件。 [功效]
根據本發明，能夠提供一種樹脂組成物及其硬化物，該樹脂組成物能夠獲得具有優異導熱率的硬化物。此外，根據本發明，能夠提供一種密封用薄膜及密封結構體，該等是使用前述樹脂組成物而得。
本說明書中，使用「～」來表示的數值範圍，是表示包含「～」前後所記載的數值來分別作為最小值及最大值之範圍。在本說明書中分階段記載的數值範圍中，某個階段的數值範圍的上限值或下限值，可置換為其它階段的數值範圍的上限值或下限值。在本說明書中所記載的數值範圍中，該數值範圍的上限值或下限值，亦可置換為實施例中所揭示之值。所謂「A或B」，只要包含A及B中之任一方即可，亦可包含A及B雙方。本說明書中所例示之材料，只要未特別說明，即可單獨使用1種，亦可併用2種以上。本說明書中，組成物中的各成分的含量，當組成物中存在複數種相當於各成分的物質時，只要未特別說明，即是意指組成物中存在的該複數種物質的合計量。
「液狀環氧樹脂」是在25℃時為液狀的環氧樹脂。所謂「在25℃時為液狀」，是指使用E型黏度計來測得之在25℃時的黏度為400 Pa•s以下。
以下說明本發明的一實施形態。
＜樹脂組成物和硬化物＞ 　　本實施形態的樹脂組成物，含有熱硬化性成分及無機填充材料。熱硬化性成分，可舉例如：(A)熱硬化性樹脂(排除相當於硬化劑之化合物)、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑等。熱硬化性成分可在不包含硬化劑及/或硬化促進劑之情形下包含熱硬化性樹脂。本實施形態的樹脂組成物除了熱硬化性成分以外，亦含有(D)無機填充材料，(D)無機填充材料包含氧化鋁。本實施形態的樹脂組成物可為清漆狀，亦可為薄膜狀(密封用薄膜)。本實施形態的硬化物為本實施形態的樹脂組成物的硬化物。
(熱硬化性成分) [(A)成分：熱硬化性樹脂] 　　作為熱硬化性樹脂，可舉例如：環氧樹脂、苯氧樹脂、氰酸酯樹脂、熱硬化性聚醯亞胺、三聚氰胺樹脂、尿素樹脂、不飽和聚酯、醇酸樹脂、聚胺酯(polyurethane)等。從容易獲得具有優異導熱率的硬化物之觀點來看，作為熱硬化性樹脂，以環氧樹脂為佳。作為環氧樹脂，能夠使用從由在25℃時為液狀的環氧樹脂及在25℃時不為液狀的環氧樹脂所組成之群組中選出的至少一種。
環氧樹脂，只要是在一分子中具有2個以上的縮水甘油基之樹脂，則能夠無特別限制地使用。作為環氧樹脂，可舉例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚AP型環氧樹脂、雙酚AF型環氧樹脂、雙酚B型環氧樹脂、雙酚BP型環氧樹脂、雙酚C型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚G型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂(己二醇雙酚S二縮水甘油基醚等)、雙酚P型環氧樹脂、雙酚PH型環氧樹脂、雙酚TMC型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂、酚類酚醛清漆型環氧樹脂(鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂等)、聯苯型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、雙環戊二烯型環氧樹脂、聯二甲苯酚型環氧樹脂(聯二甲苯酚二縮水甘油基醚等)、氫化雙酚A型環氧樹脂(氫化雙酚A縮水甘油基醚等)、此等樹脂之二元酸改質二縮水甘油基醚型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。環氧樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為液狀環氧樹脂，可舉例如：雙酚A型之縮水甘油基醚、雙酚AD型之縮水甘油基醚、雙酚S型之縮水甘油基醚、雙酚F型之縮水甘油基醚、氫化雙酚A型之縮水甘油基醚、環氧乙烷加成物雙酚A型之縮水甘油基醚、環氧丙烷加成物雙酚A型之縮水甘油基醚、萘樹脂之縮水甘油基醚、三官能型或四官能型之縮水甘油胺等。
作為市售之環氧樹脂，可舉例如：DIC股份有限公司製之「EXA-4700(商品名，以下相同)」(四官能萘型環氧樹脂)、「EPICLON HP-4032」及「EXA-4750」(含萘骨架多官能固形環氧樹脂)、日本化藥股份有限公司製之「NC-7000」(含萘骨架多官能固形環氧樹脂)等萘型環氧樹脂；日本化藥股份有限公司製之「EPPN-502H」(參酚環氧樹脂)等酚類與具有酚性羥基之芳香族醛類之縮合物之環氧化物(參酚型環氧樹脂)；DIC股份有限公司製之「EPICLON HP-7200H」(含雙環戊二烯骨架多官能固形環氧樹脂)等雙環戊二烯芳烷基型環氧樹脂；日本化藥股份有限公司製之「NC-3000H」(含聯苯骨架多官能固形環氧樹脂)等聯苯芳烷基型環氧樹脂；DIC股份有限公司製之「EPICLON N-660」、「EPICLON N-690」、「EPICLON N-740」(苯酚酚醛清漆型環氧樹脂)及「N500P-1」(鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂)、日本化藥股份有限公司製之「EOCN-104S」等酚醛清漆型環氧樹脂；日產化學工業股份有限公司製之「TEPIC」等參(2,3-環氧基丙基)異氰脲酸酯；DIC股份有限公司製之「EPICLON 860」、「EPICLON 900-IM」、「EPICLON EXA-4816」及「EPICLON EXA-4822」、Asahi CIBA股份有限公司製之「ARALDITE AER280」、東都化成股份有限公司(新日鐵住金化學股份有限公司)製之「Epotohto YD-134」、「YD-8125」及「YDF8170」、Japan Epoxy Resins股份有限公司(三菱化學股份有限公司)製之「jER834」、「jER872」、「jER807」、「jER815」、「jER825」、「jER827」、「jER828」、「jER1001」、「jER1004」、「jER1007」及「jER1009」、住友化學股份有限公司製之「ELA-134」、DOW Chemical公司製之「DER-330」、「DER-301」及「DER-361」等雙酚A型環氧樹脂；Japan Epoxy Resins股份有限公司(三菱化學股份有限公司)製之「jER806」等雙酚F型環氧樹脂；Nagase ChemteX股份有限公司製之「Nadecol DLC301」等脂肪族環氧樹脂等。此等環氧樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
從容易獲得優異流動性之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，熱硬化性樹脂的含量，較佳是1質量％以上，更佳是3質量％以上，進一步較佳是4質量％以上，特佳是4質量％以上，極佳是5質量％以上，非常佳是10質量％以上，再進一步更佳是15質量％以上。從容易抑制薄膜表面發生破裂及龜裂之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，熱硬化性樹脂的含量，較佳是30質量％以下，更佳是25質量％以下，進一步較佳是20質量％以下。
當樹脂組成物為含有環氧樹脂之環氧樹脂組成物時，從容易獲得具有優異導熱率的硬化物之觀點來看，以熱硬化性樹脂的總質量作為基準計，環氧樹脂的含量，較佳是50質量％以上，更佳是80質量％以上，進一步較佳是90質量％以上。以熱硬化性樹脂的總質量作為基準計，環氧樹脂的含量亦可為100質量％。
從容易抑制薄膜表面發生破裂及龜裂之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，液狀環氧樹脂的含量，較佳是0.5質量％以上，更佳是1質量％以上，以3質量％以上更佳，以5質量％以上特佳，以7質量％以上極佳，以9質量％以上非常佳。從容易抑制薄膜之黏性過高之觀點及容易抑制熔邊之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，液狀環氧樹脂的含量，較佳是20質量％以下，更佳是15質量％以下，進一步較佳是13質量％以下。
從容易抑制薄膜表面發生破裂及龜裂之觀點來看，以熱硬化性樹脂的總質量作為基準計，液狀環氧樹脂的含量，較佳是20質量％以上，更佳是30質量％以上，進一步較佳是50質量％以上。從容易抑制薄膜的黏性過高之觀點及容易抑制熔邊之觀點來看，以熱硬化性樹脂的總質量作為基準計，液狀環氧樹脂的含量，較佳是95質量％以下，更佳是90質量％以下，進一步較佳是80質量％以下。以熱硬化性樹脂的總質量作為基準計，液狀環氧樹脂的含量亦可為100質量％。
當樹脂組成物含有(A)成分(環氧樹脂等)、(B)成分、(C)成分及(D)成分時，從容易抑制薄膜表面發生破裂及龜裂之觀點來看，以(A)～(D)成分的總質量作為基準計，液狀環氧樹脂的含量，較佳是0.5質量％以上，更佳是1質量％以上，進一步較佳是3質量％以上，特佳是5質量％以上，極佳是7質量％以上，非常佳是9質量％以上。從容易抑制薄膜的黏性過高之觀點及容易抑制熔邊之觀點來看，以(A)～(D)成分的總質量作為基準計，液狀環氧樹脂的含量，較佳是20質量％以下，更佳是15質量％以下，進一步較佳是13質量％以下。
[(B)成分：硬化劑] 　　作為硬化劑，並無特別限定，可舉例如酚系硬化劑(酚樹脂等)、酸酐系硬化劑、活性酯系硬化劑、氰酸酯系硬化劑等。當(A)成分包含環氧樹脂時，(B)硬化劑只要為在1分子中具有2個以上會與縮水甘油基進行反應的官能基之化合物，則能夠無特別限制地使用。這樣的硬化劑可舉例如：酚樹脂、酸酐等。從容易獲得具有優異導熱率的硬化物之觀點來看，作為硬化劑，較佳是酚樹脂。硬化劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為酚樹脂，只要為在1分子中具有2個以上酚性羥基之樹脂，則無特別限制，能夠使用習知的酚樹脂。酚樹脂可舉例如：以酸性觸媒來使苯酚類及/或萘酚類與醛類進行縮合或共縮合而得之樹脂、聯苯骨架型酚樹脂、對二甲苯改質酚樹脂、間苯二甲基-對苯二甲基改質酚樹脂、三聚氰胺改質酚樹脂、萜烯改質酚樹脂、雙環戊二烯改質酚樹脂、環戊二烯改質酚樹脂、多環芳香環改質酚樹脂、苯二甲基改質萘酚樹脂等。作為酚類，可舉例如：苯酚、甲酚、二甲酚、間苯二酚、兒茶酚、雙酚A、雙酚F等。作為萘酚類，可舉例如：α-萘酚、β-萘酚、二羥基萘等。作為醛類，可舉例如：甲醛、乙醛、丙醛、苯甲醛、柳醛等。
作為市售之酚樹脂，可舉例如：DIC股份有限公司製之「PHENOLITE LF2882」、「PHENOLITE LF2822」、「PHENOLITE TD-2090」、「PHENOLITE TD-2149」、「PHENOLITE VH-4150」及「PHENOLITE VH4170」、三井化學股份有限公司製之「XLC-LL」及「XLC-4L」、新日鐵住金化學股份有限公司製之「SN-100」、「SN-300」、「SN-395」及「SN-400」、AIR WATER股份有限公司製之「SK Resin HE910」、旭有機材工業股份有限公司製之「PAPS-PN2」(分子量分布聚集型酚醛清漆樹脂)、群榮化學工業股份有限公司製之「ELP40」等。
從熱硬化性樹脂的硬化性優異之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，硬化劑的含量，較佳是1～20質量％，更佳是2～15質量％，進一步較佳是3～10質量％。
作為環氧樹脂與硬化劑(酚樹脂等)之調配比例，環氧樹脂的縮水甘油基的當量(環氧當量)與硬化劑中的會與縮水甘油基進行反應的官能基(酚性羥基等)的當量(酚性羥基當量等)之比例(環氧樹脂的縮水甘油基的當量/硬化劑中的會與縮水甘油基進行反應的官能基)，較佳是0.7～2.0，更佳是0.8～1.8，進一步較佳是0.9～1.7。當前述比例為0.7以上或2.0以下時，不容易殘留未反應的環氧樹脂及/或未反應的硬化劑，而容易獲得期望的硬化物特性。
[(C)成分：硬化促進劑] 　　作為硬化促進劑，能夠無特別限制地使用，較佳是從由胺系的硬化促進劑及磷系的硬化促進劑所組成之群組中選出的至少一種。特別是從容易獲得具有優異導熱率的硬化物之觀點、衍生物豐富之觀點以及容易獲得期望的活性溫度之觀點來看，作為硬化促進劑，較佳是胺系的硬化促進劑，更佳是從由咪唑化合物、脂肪族胺及脂環式胺所組成之群組中選出的至少一種，進一步較佳是咪唑化合物。作為咪唑化合物，可舉例如：2-苯基-4-甲基咪唑、1-苯甲基-2-甲基咪唑等。硬化促進劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。作為硬化促進劑之市售物，可舉例如：四國化成工業股份有限公司製之「2P4MZ」及「1B2MZ」等。
以熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)和硬化劑(酚樹脂等)的合計量作為基準計，硬化促進劑的含量較佳是在下述範圍內。從容易獲得充分的硬化促進效果之觀點來看，硬化促進劑的含量，較佳是0.01質量％以上，更佳是0.1質量％以上，進一步較佳是0.3質量％以上。從在製造密封用薄膜時之步驟(例如塗佈及乾燥)中或密封用薄膜保管中硬化不容易進行而容易防止密封用薄膜發生破裂及隨著熔融黏度上升而發生成形不良之觀點來看，硬化促進劑的含量，較佳是5質量％以下，更佳是3質量％以下，進一步較佳是1.5質量％以下。從此等觀點來看，硬化促進劑的含量，較佳是0.01～5質量％，更佳是0.1～3質量％，進一步較佳是0.3～1.5質量％。
((D)成分：無機填充材料) 　　無機填充材料包含氧化鋁(氧化鋁粒子等)。包含氧化鋁之無機填充材料的市售物，可舉例如：住友化學股份有限公司製之「AA-1.5」、Denka股份有限公司製之「DAW20」等。
無機填充材料可包含氧化鋁(氧化鋁粒子等)以外之構成材料。換言之，本實施形態的樹脂組成物可含有一種粒子，其包含氧化鋁與氧化鋁以外之構成材料，亦可含有一種粒子，其包含氧化鋁與氧化鋁以外之成分。
從更優異地提高導熱率的效果之觀點來看，以無機填充材料的總質量作為基準計，無機填充材料中的氧化鋁的含量，較佳是50質量％以上，更佳是70質量％以上，進一步較佳是80質量％以上，特佳是90質量％以上。以無機填充材料的總質量作為基準計，氧化鋁的含量亦可為100質量％。
作為氧化鋁以外之構成材料，能夠使用習知的無機填充材料中所含之構成材料，不限定於特定物。作為氧化鋁以外之構成材料，可舉例如：硫酸鋇、鈦酸鋇、氧化矽、滑石、黏土、碳酸鎂、碳酸鈣、氧化鋁、氮化矽、氮化鋁等。作為包含氧化矽之無機填充材料，可舉例如：非晶形氧化矽、結晶性氧化矽、熔融氧化矽、球狀氧化矽等。從容易藉由表面改質等來獲得提高樹脂中的分散性的效果及抑制在清漆中沉積的效果之觀點、以及因具有相對較小的熱膨脹率因此容易獲得期望的硬化物特性之觀點來看，作為氧化鋁以外之構成材料，較佳是氧化矽。作為包含氧化矽之無機填充材料之市售物，可舉例如：Admatechs股份有限公司製之「SC2500-SXJ」、「SC5500-SXE」及「SC2050-KC」等。氧化鋁以外之構成材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
無機填充材料可經進行表面改質。表面改質之手法無特別限定。從處理較簡便、官能基的種類豐富、容易賦予期望的特性之觀點來看，較佳是使用矽烷耦合劑來進行表面改質。
作為矽烷耦合劑，可舉例如：烷基矽烷、烷氧基矽烷、乙烯基矽烷、環氧基矽烷、胺基矽烷、丙烯醯基矽烷、甲基丙烯醯基矽烷、巰基矽烷、硫醚矽烷、異氰酸基矽烷、硫矽烷、苯乙烯基矽烷、烷基氯矽烷等。
作為矽烷耦合劑之具體例，可舉例如：甲基三甲氧基矽烷、二甲基二甲氧基矽烷、三甲基甲氧基矽烷、甲基三乙氧基矽烷、甲基三苯氧基矽烷、乙基三甲氧基矽烷、正丙基三甲氧基矽烷、二異丙基二甲氧基矽烷、異丁基三甲氧基矽烷、二異丁基二甲氧基矽烷、異丁基三乙氧基矽烷、正己基三甲氧基矽烷、正己基三乙氧基矽烷、環己基甲基二甲氧基矽烷、正辛基三乙氧基矽烷、正十二烷基甲氧基矽烷、苯基三甲氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、三苯基矽烷醇、甲基三氯矽烷、二甲基二氯矽烷、三甲基氯矽烷、正辛基二甲基氯矽烷、四乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(2-胺基乙基)胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、雙(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)二硫醚、雙(3-(三乙氧基矽烷基)丙基)四硫醚、乙烯基三乙醯氧基矽烷、乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、二烯丙基二甲基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三乙氧基矽烷、N-(1,3-二甲基丁醯基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基矽烷(苯基胺基矽烷等)等。矽烷耦合劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
從容易抑制無機填充材料凝集而容易使無機填充材料分散之觀點來看，無機填充材料的平均粒徑，較佳是0.01 μm以上，更佳是0.1 μm以上，進一步較佳是0.3 μm以上，特佳是0.5 μm以上。從容易抑制無機填充材料在清漆中沉積而容易製作均質的密封用薄膜之觀點來看，無機填充材料的平均粒徑，較佳是25 μm以下，更佳是10 μm以下，進一步較佳是5 μm以下。從此等觀點來看，無機填充材料的平均粒徑，較佳是0.01～25 μm，更佳是0.01～10 μm，進一步較佳是0.1～10 μm，特佳是0.3～5 μm，極佳是0.5～5 μm。無機填充材料的平均粒徑可為10～18 μm。
從樹脂組成物的流動性優異之觀點來看，較佳是組合使用具有相互不同的平均粒徑之複數種無機填充材料。無機填充材料之組合中，較佳是最大的平均粒徑為15～25 μm。較佳是組合使用：平均粒徑為15～25 μm的無機填充材料、平均粒徑為0.5～2.5 μm的無機填充材料、及平均粒徑為0.1～1.0 μm的無機填充材料。
所謂「平均粒徑」，是指在將粒子的總體積設為100％來求出由粒徑所得到的累積度數分布曲線時相當於體積50％之點的粒徑，能夠以使用雷射繞射散射法之粒度分布測定裝置等來進行測定。所組合之各無機填充材料的平均粒徑，能夠從混合時之各無機填充材料的平均粒徑確認，並且能夠藉由測定粒度分布來確認。
從提高導熱率之觀點、及容易抑制因與被密封體間之熱膨脹率的差值而造成密封結構體(例如半導體裝置等電子零件裝置)的翹曲變大之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量(包含氧化鋁之無機填充材料與不含氧化鋁之無機填充材料的合計量)為72質量％以上。從更加提高導熱率之觀點、及更容易抑制密封結構體之翹曲變大之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量，較佳是72.5質量％以上，更佳是73質量％以上。從容易抑制在製作密封用薄膜時的乾燥步驟中密封用薄膜發生破裂之觀點、及抑制因密封用薄膜的熔融黏度上升而流動性降低而容易將被密封體(電子零件等)充分密封之觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量，較佳是93質量％以下，更佳是90質量％以下，進一步較佳是85質量％以下，特佳是84.5質量％以下，極佳是81質量％以下，非常佳是80質量％以下。從此等觀點來看，以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量，較佳是72～93質量％，更佳是72～90質量％，進一步較佳是72～85質量％，特佳是72～84.5質量％，極佳是72.5～81質量％，非常佳是73～80質量％。
以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，包含氧化鋁之無機填充材料(氧化鋁粒子等)的含量，較佳是在下述範圍內。從更加提高導熱率之觀點來看，包含氧化鋁之無機填充材料的含量，較佳是50質量％以上，更佳是60質量％以上，進一步較佳是70質量％以上。從容易確保充分的填埋性之觀點來看，包含氧化鋁之無機填充材料的含量，較佳是85質量％以下，更佳是80質量％以下，進一步較佳是75質量％以下。
((E)成分：溶劑) 　　本實施形態的樹脂組成物可含有(E)溶劑，亦可不含(E)溶劑。溶劑能夠使用習知有機溶劑。作為有機溶劑，較佳是一種溶劑，其能夠使無機填充材料以外之成分溶解，可舉例如：脂肪族烴類、芳香族烴類、萜烯類、鹵素類、酯類、酮類、醇類、醛類等。溶劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
從環境負荷小之觀點、以及容易使熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)及硬化劑(酚樹脂等)溶解之觀點來看，作為溶劑，較佳是從由酯類、酮類及醇類所組成之群組中選的至少一種。其中，從特別容易使熱硬化性樹脂(環氧樹脂等)及硬化劑(酚樹脂等)溶解之觀點來看，以酮類為佳。從在室溫(25℃)揮發較少且乾燥時容易去除之觀點來看，作為溶劑，較佳是從由丙酮、甲基乙基酮及甲基異丁基酮所組成之群組中選出的至少一種。
((F)成分：彈性體) 　　本實施形態的樹脂組成物可因應需要來含有(F)彈性體(可撓劑)。從分散性及溶解性優異之觀點來看，彈性體較佳是使用從由聚丁二烯粒子、苯乙烯丁二烯粒子、丙烯酸系彈性體、矽氧粉末、矽氧油及矽氧彈性體所組成之群組中選出之至少一種。彈性體可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
當彈性體為粒子狀時，彈性體的平均粒徑無特別限制。在內埋式晶圓級球柵陣列(Embedded Wafer-Level Ball Grid Array，eWLB)用途中，必須將半導體元件間填埋，因此，當將密封用薄膜用於eWLB用途中時，彈性體的平均粒徑，較佳是50 μm以下。從彈性體的分散性優異之觀點來看，彈性體的平均粒徑，較佳是0.1 μm以上。
作為彈性體之市售物，可舉例如：Nagase ChemteX股份有限公司製之「HTR280」等。此外，市售之彈性體成分中，亦有並非彈性體單體而是預先分散在液狀樹脂(例如液狀環氧樹脂)中之彈性體，該彈性體不會產生問題而亦能夠使用。這樣的市售物，可舉例如：kaneka股份有限公司製之「MX-136」及「MX-965」等。
(其它成分) 　　本實施形態的樹脂組成物能夠進一步含有其它添加劑。作為這樣的添加劑之具體例，可舉例如：顏料、染料、脫模劑、抗氧化劑、表面張力調整劑等。
＜密封用薄膜＞ 　　本實施形態的密封用薄膜包含本實施形態的樹脂組成物。本實施形態的密封用薄膜可為下述態樣：將本實施形態的樹脂組成物成形為薄膜狀而得，而由本實施形態的樹脂組成物所構成。本實施形態的密封用薄膜能夠用於例如：將半導體元件密封、填埋已配置於印刷線路板上之電子零件等。
從容易抑制塗佈時的面內的厚度不均之觀點來看，密封用薄膜的厚度(膜厚)，較佳是20 μm以上，更佳是30 μm以上，進一步較佳是50 μm以上，特佳是100 μm以上。從塗佈時在深度方向容易獲得一定的乾燥性之觀點來看，密封用薄膜的厚度，較佳是250 μm以下，更佳是200 μm以下，進一步較佳是150 μm以下。從此等觀點來看，密封用薄膜的厚度，較佳是20～250 μm，更佳是30～250 μm，進一步較佳是50～200 μm，特佳是100～150 μm。此外，亦能夠將密封用薄膜積層複數片來製作厚度超過250 μm的密封用薄膜。
相對於排除溶劑的質量後之密封用薄膜的總質量，密封用薄膜中的無機填充材料(包含氧化鋁之無機填充材料與不含氧化鋁之無機填充材料的合計量)的含量，較佳是在下述範圍內。從更加提高導熱率之觀點及容易抑制密封結構體的翹曲變大之觀點來看，無機填充材料的含量，較佳是72質量％以上，更佳是72.5質量％以上，進一步較佳是73質量％以上。從抑制因密封用薄膜的熔融黏度上升而流動性降低而容易將被密封體(電子零件等)充分密封之觀點來看，較佳是93質量％以下，更佳是90質量％以下，進一步較佳是85質量％以下，特佳是84.5質量％以下，極佳是81質量％以下，非常佳是80質量％以下。從此等觀點來看，無機填充材料的含量，較佳是72～93質量％，更佳是72～90質量％，進一步較佳是72～85質量％，特佳是72～84.5質量％，極佳是72.5～81質量％，非常佳是73～80質量％。
相對於密封用薄膜的總質量(包含溶劑的質量)，密封用薄膜中所含的溶劑(有機溶劑等)的含量，較佳是在下述範圍內。從容易抑制密封用薄膜變脆而發生密封用薄膜破裂等不良情形且容易抑制最低熔融黏度升高而降低填埋性之觀點來看，溶劑的含量，較佳是0.2質量％以上，更佳是0.3質量％以上，進一步較佳是0.5質量％以上，特佳是0.6質量％以上，極佳是0.7質量％以上。從容易抑制密封用薄膜的黏著性過強而使處理性降低的不良情形且容易抑制在對密封用薄膜進行熱硬化時隨著溶劑(有機溶劑等)揮發而起泡等不良情形之觀點來看，溶劑的含量，較佳是1.5質量％以下，更佳是1質量％以下。從此等觀點來看，溶劑的含量，較佳是0.2～1.5質量％，更佳是0.3～1質量％，進一步較佳是0.5～1質量％，特佳是0.6～1質量％，極佳是0.7～1質量％。
本實施形態的密封用薄膜，具體而言，能夠以下述方式製作。
首先，將本實施形態的樹脂組成物的構成成分((A)熱硬化性樹脂、(B)硬化劑、(C)硬化促進劑、(D)無機填充材料、(E)溶劑等)混合，而製作清漆(清漆狀樹脂組成物)。混合方法無特別限定，能夠使用研磨機、混合機、攪拌翼。溶劑(有機溶劑等)能夠為了下述目的而使用：使密封用薄膜的材料亦即樹脂組成物的構成成分溶解及分散而調製清漆、或輔助調製清漆。能夠在塗佈後的乾燥步驟中去除大部分的溶劑。
將以上述方式製得之清漆塗佈於支撐體(薄膜狀的支撐體等)後，藉由噴吹熱風等來加熱乾燥，即能夠製作密封用薄膜。塗佈方法無特別限定，能夠使用例如：缺角輪(comma)塗佈器、棒塗佈器、吻合式(kiss)塗佈器、輥塗佈器、凹版塗佈器、模具塗佈器等塗佈裝置。
作為薄膜狀的支撐體，能夠使用：高分子薄膜、金屬箔等。高分子薄膜，可舉例如：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等聚烯烴薄膜；聚氯乙烯薄膜等乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯薄膜；聚碳酸酯薄膜；乙醯纖維素薄膜；四氟乙烯薄膜等。金屬箔，可舉例如：銅箔、鋁箔等。
支撐體的厚度並無特別限定，從操作性及乾燥性優異之觀點來看，較佳是2～200 μm。當支撐體的厚度為2 μm以上時，容易抑制塗佈時支撐體斷裂之不良情形、支撐體因清漆的重量而彎曲之不良情形等。當支撐體的厚度為200 μm以下時，在乾燥步驟中，當從塗佈面和背面這兩面噴吹熱風時，容易抑制妨礙清漆中之溶劑乾燥之不良情形。
在已形成於支撐體上之密封用薄膜上，可為了保護密封用薄膜之目的而配置保護層。形成保護層，即能夠提高處理性，而能夠避免當進行捲繞時密封用薄膜黏貼在支撐體的背面之不良情形。
作為保護層，能夠使用：高分子薄膜、金屬箔等。作為高分子薄膜，可例示如：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等聚烯烴薄膜；聚氯乙烯薄膜等乙烯系薄膜；聚對苯二甲酸乙二酯等聚酯薄膜；聚碳酸酯薄膜；乙醯纖維素薄膜；四氟乙烯薄膜等。作為金屬箔，可例示如：銅箔、鋁箔等。
以上述方式製得之密封用薄膜，能夠藉由下述步驟來獲得密封用薄膜的硬化物並藉此製造密封用結構體(例如半導體裝置等電子零件裝置)：配置成使被密封體(被填埋對象)朝向密封用薄膜的狀態之步驟；將密封用薄膜加熱使其熔融並施加壓力而將被密封體填埋之步驟；及，藉由加熱來使具有填埋能力的密封用薄膜熱硬化之步驟。
＜密封結構體＞ 　　本實施形態的密封結構體，具備被密封體與密封部，該密封部將該被密封體密封，並且，密封部包含本實施形態的樹脂組成物的硬化物(本實施形態的密封用薄膜中所含的樹脂組成物的硬化物等)。密封結構體可舉例如電子零件裝置等。電子零件裝置具備電子零件及密封部，該密封部將該電子零件密封，並且，密封部包含本實施形態的樹脂組成物的硬化物。作為電子零件，可舉例如：半導體元件；半導體晶圓；積體電路；半導體元件；表面聲波(SAW)濾波器等濾波器；偵測器等被動元件等。電子零件裝置可為下述：具備半導體元件或半導體晶圓來作為電子零件之半導體裝置；印刷線路板等。本實施形態的密封結構體可具備複數個被密封體。複數個被密封體可相互為同一種類，亦可相互為不同種類。
其次，說明使用本實施形態的密封用薄膜之電子零件裝置的製造方法。此處，說明電子零件為半導體元件之情形。第1圖是用以說明電子零件裝置亦即半導體裝置的製造方法來作為密封結構體的製造方法的一實施形態的概略剖面圖。本實施形態的製造方法具備下述步驟：將複數個半導體元件20作為被密封體(被填埋對象)排列並配置於具有暫時固定材料40之基板30上之步驟(第1圖(a))；使附有支撐體之密封用薄膜10(具備支撐體1和設置於支撐體1上的密封用薄膜2)與半導體元件20相對向，然後在加熱下將密封用薄膜2按壓(積層)在半導體元件20上，藉此將半導體元件20填埋至密封用薄膜2中之步驟(第1圖(b))；及，使填埋有半導體元件20之密封用薄膜2硬化而獲得硬化物2a之步驟(第1圖(c))。本實施形態中，藉由積層法來將半導體元件20藉由密封用薄膜2來密封後，對密封用薄膜2進行熱硬化，而獲得一種密封結構體(電子零件裝置)，其具備已填埋在硬化物2a中之半導體元件20，但亦可藉由壓縮成形來獲得密封結構體。
作為用於積層法之積層機，並無特別限定，可舉例如：輥式、氣球式等之積層機。從填埋性之觀點來看，積層機可為能夠進行真空加壓的氣球式。
積層，通常是在支撐體的軟化點以下進行。積層溫度較佳是在密封用薄膜的最低熔融黏度附近。積層時的壓力是因要填埋的被密封體(例如半導體元件等電子零件)的尺寸、密集度等而異。積層時的壓力，例如：可為0.2～1.5 MPa之範圍，亦可為0.3～1.0 MPa之範圍。積層時間並無特別限定，可為20～600秒，亦可為30～300秒，亦可為40～120秒。
密封用薄膜的硬化，能夠例如：在大氣壓力下或惰性氣體中進行。硬化溫度(加熱溫度)並無特別限定，可為80～280℃，亦可為100～240℃，亦可為120～200℃。若硬化溫度為80℃以上，則密封用薄膜的硬化會充分進行，而能夠抑制不良情況發生。當硬化溫度為280℃以下時，有能夠抑制對其它材料產生熱損傷之傾向。硬化時間(加熱時間)並無特別限定，可為30～600分鐘，亦可為45～300分鐘，亦可為60～240分鐘。當硬化時間在此等範圍內時，密封用薄膜的硬化會充分進行，而能夠獲得更良好的生產效率。此外，硬化條件可組合複數種條件。
以上說明本發明之較佳實施形態，但本發明並不一定限定於上述實施形態，亦可在不脫離本發明之要旨之範圍內適當進行變更。 [實施例]
以下列舉實施例來更具體說明本發明，但本發明並不受此等實施例任何限定。
使用下述成分，來作為用以獲得密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)之清漆狀環氧樹脂組成物(清漆)的成分。
(A)成分：熱硬化性樹脂(環氧樹脂) 　A1：雙酚F型環氧樹脂(三菱化學股份有限公司製，商品名jER806，環氧當量160 g/eq，在25℃顯示液狀的環氧樹脂) 　A2：含萘骨架多官能固形環氧樹脂(DIC股份有限公司製，商品名EXA-4700，環氧當量182 g/eq，在25℃不顯示液狀的環氧樹脂) 　A3：含聚丁二烯彈性體粒子之雙酚F型環氧樹脂(kaneka股份有限公司製，商品名MX-136，液狀環氧樹脂的含量75質量％，彈性體粒子的含量25質量％，環氧當量226 g/eq，彈性體粒子的平均粒徑0.1 μm，包含在25℃顯示液狀的環氧樹脂的成分) 　A4：含矽氧彈性體粒子之環氧樹脂(雙酚F型液狀環氧樹脂及雙酚A型液狀環氧樹脂之混合物，kaneka股份有限公司製，商品名MX-965，液狀環氧樹脂的含量75質量％，彈性體粒子的含量25質量％，包含在25℃顯示液狀的環氧樹脂的成分) 　A5：鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂(DIC股份有限公司製，商品名N500P-1，環氧當量201 g/eq，在25℃不顯示液狀的環氧樹脂) 　A6：含柔軟性骨架之雙酚A型環氧樹脂(DIC股份有限公司製，商品名EPICLON EXA-4816，環氧當量403 g/eq，在25℃顯示液狀的環氧樹脂)
(B)成分：硬化劑(酚樹脂) 　B1：苯酚酚醛清漆樹脂(旭有機材工業股份有限公司製，商品名PAPS-PN2，酚性羥基當量104 g/eq，在25℃不顯示液狀的酚樹脂) 　B2：烷基苯酚酚醛清漆樹脂(群榮化學工業股份有限公司製，商品名ELP40，酚性羥基當量140 g/eq)
(C)成分：硬化促進劑 　C1：2-苯基-4-甲基咪唑(四國化成工業股份有限公司製，商品名2P4MZ) 　C2：1-苯甲基-2-甲基咪唑(四國化成工業股份有限公司製，1B2MZ)
(D)成分：無機填充材料 　D1：氧化鋁粒子(住友化學股份有限公司製，商品名AA-1.5，平均粒徑1.5 μm) 　D2：氧化鋁粒子(Denka股份有限公司製，商品名DAW20，平均粒徑20 μm) 　D3：氧化矽粒子(Admatechs股份有限公司製，商品名SC2500-SXJ，苯胺基矽烷處理，平均粒徑0.5 μm) 　D4：氧化矽粒子(Admatechs股份有限公司製，商品名SC5500-SXE，苯胺基矽烷處理，平均粒徑1.6 μm) 　D5：氧化矽漿液(Admatechs股份有限公司製，商品名SC2050-KC，矽氧寡聚物處理，平均粒徑0.5 μm，甲基異丁基酮溶劑稀釋(氧化矽填料的含量70質量％))
(E)成分：溶劑 　E1：甲基乙基酮
(F)成分：彈性體 　F1：高分子彈性體(Nagase ChemteX股份有限公司製，商品名HTR280，環氧改質線狀彈性體)
＜密封用薄膜之製作＞ (實施例1) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入172 g有機溶劑E1。在前述容器中加入542 g無機填充材料D1後，使用攪拌翼來使無機填充材料D1分散，而獲得分散液。在此分散液中加入48 g熱硬化性樹脂A1、12 g熱硬化性樹脂A2、38 g硬化劑B1並攪拌。確認硬化劑B1溶解後，加入0.8 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃200篩(開口75 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來在下述條件下將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於下述薄膜狀的支撐體上，而在支撐體上製作薄膜厚度為100 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。 •塗佈頭樣式：缺角輪塗佈器 •塗佈及乾燥速度：1 m/分鐘 •乾燥條件(溫度/爐長)：110℃/3.3 m、130℃/3.3 m、140℃/3.3 m •薄膜狀的支撐體：38 μm後的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜
藉由於密封用薄膜中之與支撐體相反側配置保護層(12 μm厚的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜)，來保護密封用薄膜之表面。再者，下述各評估中，是將支撐體及保護層剝離後再進行評估。下述實施例及比較例亦相同。
(實施例2) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入141 g有機溶劑E1。在前述容器中加入493 g無機填充材料D1後，使用攪拌翼來使無機填充材料D1分散，而獲得分散液。在此分散液中加入88 g熱硬化性樹脂A1、22 g熱硬化性樹脂A2、38 g硬化劑B1並攪拌。確認硬化劑B1溶解後，加入1.4 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃200篩(開口75 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為100 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(實施例3) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入114 g有機溶劑E1。在前述容器中加入401 g無機填充材料D1後，使用攪拌翼來使無機填充材料D1分散，而獲得分散液。在此分散液中加入48 g熱硬化性樹脂A1、12 g熱硬化性樹脂A2、38 g硬化劑B1並攪拌。確認硬化劑B1溶解後，加入0.8 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃200篩(開口75 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為100 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(實施例4) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入149 g有機溶劑E1。在前述容器中加入423 g無機填充材料D1後，加入104 g無機填充材料D3，並使用攪拌翼來使無機填充材料D1及D3分散，而獲得分散液。在此分散液中加入48 g熱硬化性樹脂A1、12 g熱硬化性樹脂A2、38 g硬化劑B1並攪拌。確認硬化劑B1溶解後，加入0.8 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃200篩(開口75 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為100 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(比較例1) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入96 g有機溶劑E1。在前述容器中加入328 g無機填充材料D1後，使用攪拌翼來使無機填充材料D1分散，而獲得分散液。在此分散液中加入144 g熱硬化性樹脂A1、36 g熱硬化性樹脂A2、114 g硬化劑B1並攪拌。確認硬化劑B1溶解後，加入2.3 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃200篩(開口75 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為100 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(比較例2) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入4629 g有機溶劑E1。在前述容器中加入6622 g無機填充材料D3後，使用攪拌翼來使無機填充材料D3分散，而獲得分散液。在此分散液中加入680 g熱硬化性樹脂A1、240 g熱硬化性樹脂A2、202 g熱硬化性樹脂A3、78 g熱硬化性樹脂A4、711 g硬化劑B1並攪拌。確認硬化劑B1溶解後，加入15 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃200篩(開口75 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為100 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(比較例3) 　　除了將比較例1之塗佈及乾燥速度從1 m/分鐘變更為0.5 m/分鐘以外，其餘與比較例1同樣地進行，而製作薄膜厚度為100 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(實施例5) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入83 g有機溶劑E1。在前述容器中加入151 g無機填充材料D5，並加入660 g無機填充材料D2及53 g無機填充材料D4後，使用攪拌翼來使無機填充材料D2、D4及D5分散，而獲得分散液。無機填充材料D2、D4及D5的平均粒徑為16 μm。在此分散液中加入34 g熱硬化性樹脂A5、11 g熱硬化性樹脂A6、28 g硬化劑B2並攪拌。確認硬化劑B2溶解後，加入7 g彈性體F1、0.5 g硬化促進劑C2，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃150篩(開口106 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為125 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(實施例6) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入83 g有機溶劑E1。在前述容器中加入98 g無機填充材料D5後，加入430 g無機填充材料D2及34 g無機填充材料D4，並使用攪拌翼來使無機填充材料D2、D4及D5分散，而獲得分散液。無機填充材料D2、D4及D5的平均粒徑為18 μm。在此分散液中加入21 g熱硬化性樹脂A5、7 g熱硬化性樹脂A6、17 g硬化劑B2並攪拌。確認硬化劑B2溶解後，加入8 g彈性體F1、0.14 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃150篩(開口106 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為125 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(實施例7) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入83 g有機溶劑E1。在前述容器中加入68.6 g無機填充材料D3後，加入463 g無機填充材料D2及34.3 g無機填充材料D4，並使用攪拌翼來使無機填充材料D2、D3及D4分散，而獲得分散液。無機填充材料D2、D3及D4的平均粒徑為18 μm。在此分散液中加入18.3 g熱硬化性樹脂A5、4.6 g熱硬化性樹脂A6、14.4 g硬化劑B2並攪拌。確認硬化劑B2溶解後，加入5.6 g彈性體F1、0.11 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃150篩(開口106 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為125 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
(實施例8) 　　在10 L的聚乙烯容器中加入83 g有機溶劑E1。在前述容器中加入68.6 g無機填充材料D3後，加入463 g無機填充材料D2及34.3 g無機填充材料D4，並使用攪拌翼來使無機填充材料D2、D3及D4分散，而獲得分散液。無機填充材料D2、D3及D4的平均粒徑為18 μm。在此分散液中加入17.9 g熱硬化性樹脂A5、4.5 g熱硬化性樹脂A6、14 g硬化劑B2並攪拌。確認硬化劑B2溶解後，加入6.4 g彈性體F1、0.11 g硬化促進劑C1，並進一步攪拌1小時，而獲得混合液。以耐綸製＃150篩(開口106 μm)來將此混合液過濾，並收集濾液，而製作清漆狀環氧樹脂組成物。使用塗佈機來與實施例1同樣地將此清漆狀環氧樹脂組成物塗佈於薄膜狀的支撐體上，而製作薄膜厚度為125 μm的密封用薄膜(薄膜狀環氧樹脂組成物)。
＜評估＞ (1)密封用薄膜的硬化物的導熱率A 　　在下述條件下，以銅箔來對實施例1～8及比較例1～3的密封用薄膜(厚度100 μm或125 μm)的雙面進行積層，而獲得雙面附有銅箔之密封用薄膜。 •積層裝置：名機製作所股份有限公司製之真空加壓積層機，商品名「MVLP-500」 •積層溫度：90℃ •積層壓力：0.5 MPa •真空抽吸時間：30秒 •積層時間：40秒
在下述條件下，使所得到的雙面附有銅箔之密封用薄膜硬化，而製作附有銅箔之環氧樹脂硬化物。 •烘箱：ESPEC股份有限公司製，商品名「SAFETY OVEN SPH-201」 •烘箱溫度：140℃ •加熱時間：120分鐘
藉由蝕刻來將所製作的附有銅箔之環氧樹脂硬化物的銅箔去除，而獲得環氧樹脂硬化物(密封用薄膜的硬化物)。將所得到的環氧樹脂硬化物切割成1 cm見方，並使用下述裝置來測定熱擴散率。 •熱擴散率測定裝置：NETZSCH公司製之商品名「LFA447」(Xenon Flash Analyzer)
此外，使用下述比重計來測定所得到的環氧樹脂硬化物之比重。 •比重計：ALFA MIRAGE公司製之商品名「SD200L」
此外，藉由下述條件之示差掃描熱量測定，來求出所得到的環氧樹脂硬化物的比熱。 •示差掃描熱量測定裝置：TA Instruments Japan公司製之商品名「Q-200」 •測試條件：25℃，10分鐘(一定)→25～60℃(10℃/min)→60℃，10分鐘(一定)
使用所得到的熱擴散率、比重及比熱，藉由下述式(1)來求出導熱率。 　導熱率＝熱擴散率×比重×比熱•••(1)
然後，依據下述評估基準來評估導熱率。實施例1～4之結果是如表1所示。再者，實施例5～8的導熱率與實施例1～4同等(評估：A)，例如：實施例5的導熱率為2.73 W/m•K。 　「A」：導熱率＞2.5 W/m•K 　「B」：導熱率≦2.5 W/m•K
(2)密封用薄膜的硬化物的導熱率B 　　將實施例5～8之密封用薄膜(厚度125 μm)分別重疊4片，並使用手壓裝置來在下述條件下製作厚度500 μm的積層薄膜。 •手壓裝置：井元製作所股份有限公司製之商品名「BIG HEART」 •手壓成型溫度：140℃ •手壓成形時間：30分鐘 •成形載重：20 kN
在下述條件下來使所得到的厚度500 μm的積層薄膜硬化，而製作環氧樹脂硬化物(密封用薄膜的硬化物)。 •烘箱溫度：140℃ •加熱時間：90分鐘
將所得到的環氧樹脂硬化物切割成1 cm見方，並使用熱阻率測定器，藉由溫度傾斜法來測定環氧樹脂硬化物的導熱率。然後，依據下述評估基準來評估導熱率。結果是如表2所示。 　「A」：導熱率＞2.5 W/m•K 　「B」：導熱率≦2.5 W/m•K
(3)密封用薄膜的溶劑含量 　　將所得到的密封用薄膜切割成5 cm見方的樣品，並將此樣品加入經預先測定質量的鋁杯中後，測定裝有樣品之鋁杯的質量。然後，在裝在鋁杯中之狀態下直接使用180℃的烘箱將樣品加熱10分鐘後，在室溫(25℃)放置10分鐘。然後，再次測定裝有樣品之鋁杯的質量。然後，從裝有樣品之鋁杯的質量之測定值(加熱前及加熱後)減去另外測定之鋁杯的質量，而分別求出加熱前及加熱後之密封用薄膜的質量。然後，將從加熱前之密封用薄膜的質量減去加熱後之密封用薄膜的質量而得之值，除以加熱前之密封用薄膜的質量，而獲得其比例作為溶劑含量。結果是如表1及2所示。
(4)填埋性 　　厚度100 μm或125 μm的密封用薄膜分別重疊4片，而獲得厚度400 μm或500 μm的積層薄膜。以下述順序，使用積層薄膜，來製作8英吋尺寸的eWLB封裝體。第2圖是表示本測定中之矽晶片之配置圖。首先，如第2圖所示，於不銹鋼板50上配置厚度350 μm的矽晶片(7.3 mm見方矽晶片60及3 mm見方矽晶片70)。然後，將積層薄膜切割成直徑20 cm的圓狀後，載置於前述矽晶片上。然後，使用壓縮成形裝置(APIC YAMADA股份有限公司製，商品名：WCM-300)，來在下述條件下獲得密封體(密封結構體)。 •壓縮成形溫度：140℃ •壓縮成形壓力：25 MPa •壓縮成形時間：10分鐘
然後，藉由在下述條件下將所製作之密封體加熱來使其硬化，而製作硬化物。藉此，獲得eWLB封裝體。 •烘箱：ESPEC股份有限公司製，商品名「SAFETY OVEN SPH-201」 •烘箱溫度：140℃ •加熱時間：120分鐘
依據下述評估基準來評估所製作的硬化物的填埋性。結果是如表1及表2所示。 　「A」：能夠在無孔洞的情形下填埋，而表面平滑。 　「B」：能夠觀察到一部分孔洞，而表面平滑。 　「C」：能夠觀察到孔洞，而表面平滑不良。
[表1]
[表2]
＜評估結果＞ 　　由表1及表2所示可知，一種樹脂組成物，其含有熱硬化性成分及無機填充材料，其中，無機填充材料包含氧化鋁，且以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量為72質量％以上，此時，硬化物的導熱率能夠獲得優異的效果。由表1所示之實施例4可知，即使無機填充材料包含氧化矽，硬化物的導熱率仍能夠獲得優異的效果。
由上述結果可知，一種樹脂組成物，其含有熱硬化性成分及無機填充材料，其中，無機填充材料包含氧化鋁，且以排除溶劑的質量後之樹脂組成物的總質量作為基準計，無機填充材料的含量為72質量％以上，此時，硬化物的導熱率能夠獲得優異的效果，且填埋性優異。
1‧‧‧支撐體
2‧‧‧密封用薄膜
2a‧‧‧硬化物
10‧‧‧附有支撐體之密封用薄膜
20‧‧‧半導體元件
30‧‧‧基板
40‧‧‧暫時固定材料
50‧‧‧不銹鋼板
60‧‧‧7.3 mm見方矽晶片
70‧‧‧3 mm見方矽晶片
第1圖是用以說明密封結構體的製造方法的一實施形態的概略剖面圖。 　　第2圖是顯示用於在實施例中評估填埋性之矽晶片的配置例的圖。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
(請換頁單獨記載) 無
1‧‧‧支撐體
2‧‧‧密封用薄膜
2a‧‧‧硬化物
10‧‧‧附有支撐體之密封用薄膜
20‧‧‧半導體元件
30‧‧‧基板
40‧‧‧暫時固定材料

Claims (21)

  1. 一種樹脂組成物，其含有熱硬化性成分及無機填充材料，並且， 　　前述無機填充材料包含氧化鋁， 且以排除溶劑的質量後之前述樹脂組成物的總質量作為基準計，前述無機填充材料的含量為72質量％以上。
  2. 如請求項1所述之樹脂組成物，其中，前述熱硬化性成分包含熱硬化性樹脂。
  3. 如請求項2所述之樹脂組成物，其中，前述熱硬化性樹脂包含環氧樹脂。
  4. 如請求項2或3所述之樹脂組成物，其中，前述熱硬化性成分進一步包含硬化劑。
  5. 如請求項4所述之樹脂組成物，其中，前述硬化劑包含酚樹脂。
  6. 如請求項2至5中任一項所述之樹脂組成物，其中，前述熱硬化性成分進一步包含硬化促進劑。
  7. 如請求項6所述之樹脂組成物，其中，前述硬化促進劑包含咪唑化合物。
  8. 如請求項1至7中任一項所述之樹脂組成物，其中，以排除溶劑的質量後之前述樹脂組成物的總質量作為基準計，在25℃時為液狀的環氧樹脂的含量為5質量％以上。
  9. 如請求項1至7中任一項所述之樹脂組成物，其中，以排除溶劑的質量後之前述樹脂組成物的總質量作為基準計，在25℃時為液狀的環氧樹脂的含量為7質量％以上。
  10. 如請求項1至9中任一項所述之樹脂組成物，其中，以排除溶劑的質量後之前述樹脂組成物的總質量作為基準計，前述無機填充材料的含量為93質量％以下。
  11. 如請求項1至9中任一項所述之樹脂組成物，其中，以排除溶劑的質量後之前述樹脂組成物的總質量作為基準計，前述無機填充材料的含量為85質量％以下。
  12. 如請求項1至11中任一項所述之樹脂組成物，其中，前述無機填充材料的平均粒徑為0.01～25 μm。
  13. 如請求項1至11中任一項所述之樹脂組成物，其中，前述無機填充材料的平均粒徑為0.01～10 μm。
  14. 如請求項1至13中任一項所述之樹脂組成物，其中，前述無機填充材料中的氧化鋁的含量為50質量％以上。
  15. 如請求項1至14中任一項所述之樹脂組成物，其中，進一步含有溶劑。
  16. 一種硬化物，其為請求項1至15中任一項所述之樹脂組成物的硬化物。
  17. 一種密封用薄膜，其包含請求項1至15中任一項所述之樹脂組成物。
  18. 如請求項17所述之密封用薄膜，其中，溶劑的含量為0.2～1.5質量％。
  19. 如請求項17或18所述之密封用薄膜，其厚度為20～250 μm。
  20. 一種密封結構體，其具備被密封體與密封部，該密封部將該被密封體密封，並且， 　　前述密封部包含請求項1至15中任一項所述之樹脂組成物的硬化物。
  21. 如請求項20所述之密封結構體，其中，前述被密封體為電子零件。
TW105128364A 2015-09-02 2016-09-02 樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體 TWI714625B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015172851 2015-09-02
JP2015-172851 2015-09-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201718692A true TW201718692A (zh) 2017-06-01
TWI714625B TWI714625B (zh) 2021-01-01

Family

ID=58187629

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105128364A TWI714625B (zh) 2015-09-02 2016-09-02 樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體
TW109141513A TWI825365B (zh) 2015-09-02 2016-09-02 樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109141513A TWI825365B (zh) 2015-09-02 2016-09-02 樹脂組成物、硬化物、密封用薄膜及密封結構體

Country Status (5)

Country Link
JP (3) JP6763391B2 (zh)
KR (1) KR102486893B1 (zh)
CN (1) CN107924886A (zh)
TW (2) TWI714625B (zh)
WO (1) WO2017038941A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111527146A (zh) * 2017-12-28 2020-08-11 日立化成株式会社 球栅阵列封装密封用环氧树脂组合物、环氧树脂固化物和电子部件装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019017283A1 (ja) * 2017-07-21 2019-01-24 株式会社村田製作所 電子部品
WO2020065872A1 (ja) * 2018-09-27 2020-04-02 日立化成株式会社 封止用樹脂組成物、電子部品装置及び電子部品装置の製造方法
JP2022107395A (ja) * 2021-01-08 2022-07-21 昭和電工マテリアルズ株式会社 熱硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
CN114437511A (zh) * 2021-12-31 2022-05-06 江苏科化新材料科技有限公司 环氧树脂组合物及其应用、环氧树脂成型材料及其制备方法与应用

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56166729A (en) 1980-05-06 1981-12-22 Mitsubishi Electric Corp Automatic speed aligning device
JP2001127095A (ja) 1999-10-29 2001-05-11 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2001244372A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
JP3995421B2 (ja) * 2001-01-19 2007-10-24 株式会社ルネサステクノロジ 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP2005200533A (ja) 2004-01-15 2005-07-28 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2006028264A (ja) 2004-07-13 2006-02-02 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2008274083A (ja) 2007-04-27 2008-11-13 Shin Etsu Chem Co Ltd 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2010229269A (ja) 2009-03-26 2010-10-14 Panasonic Electric Works Co Ltd 熱伝導性エポキシ樹脂シート材
JP5308409B2 (ja) * 2010-07-27 2013-10-09 パナソニック株式会社 電子部品封止用シート状エポキシ樹脂組成物材料の製造方法と電子部品
JP5799532B2 (ja) * 2011-03-10 2015-10-28 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2013006893A (ja) 2011-06-22 2013-01-10 Hitachi Chemical Co Ltd 高熱伝導樹脂組成物、高熱伝導性硬化物、接着フィルム、封止用フィルム、及びこれらを用いた半導体装置
JP5983085B2 (ja) 2012-06-25 2016-08-31 住友ベークライト株式会社 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP6171280B2 (ja) * 2012-07-31 2017-08-02 味の素株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015106698A (ja) * 2013-12-02 2015-06-08 味の素株式会社 半導体装置の製造方法
CN105849879A (zh) * 2013-12-26 2016-08-10 日东电工株式会社 半导体装置的制造方法和热固性树脂片
WO2015098842A1 (ja) * 2013-12-26 2015-07-02 日東電工株式会社 半導体装置の製造方法
JP2015126124A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 日東電工株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP6584752B2 (ja) 2014-06-12 2019-10-02 日東電工株式会社 封止用樹脂シート

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111527146A (zh) * 2017-12-28 2020-08-11 日立化成株式会社 球栅阵列封装密封用环氧树脂组合物、环氧树脂固化物和电子部件装置
CN111527146B (zh) * 2017-12-28 2024-03-01 株式会社力森诺科 球栅阵列封装密封用环氧树脂组合物、环氧树脂固化物和电子部件装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180048674A (ko) 2018-05-10
CN107924886A (zh) 2018-04-17
TWI714625B (zh) 2021-01-01
JP2022136188A (ja) 2022-09-15
TW202126719A (zh) 2021-07-16
TWI825365B (zh) 2023-12-11
JP2020200478A (ja) 2020-12-17
KR102486893B1 (ko) 2023-01-09
JP7115520B2 (ja) 2022-08-09
JPWO2017038941A1 (ja) 2018-06-14
WO2017038941A1 (ja) 2017-03-09
JP6763391B2 (ja) 2020-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9873771B2 (en) Film-like epoxy resin composition, method of producing film-like epoxy resin composition, and method of producing semiconductor device
JP7115520B2 (ja) 封止用フィルム及び封止構造体
JP6749887B2 (ja) 封止用フィルム及びそれを用いた電子部品装置
JP6801659B2 (ja) エポキシ樹脂組成物、フィルム状エポキシ樹脂組成物及び電子装置
TWI674972B (zh) 零件封裝用薄膜之製造方法
WO2016125350A1 (ja) エポキシ樹脂組成物、フィルム状エポキシ樹脂組成物、硬化物及び電子装置
JP6717005B2 (ja) 樹脂組成物、硬化物、樹脂フィルム、封止材及び封止構造体
JP7099453B2 (ja) 封止用フィルム、封止構造体及び封止構造体の製造方法
JP7124819B2 (ja) 封止用フィルム、封止構造体及び封止構造体の製造方法
JP7070559B2 (ja) 封止用フィルム及び封止構造体、並びにこれらの製造方法
JP6544427B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、硬化物、樹脂シート、封止構造体及びその製造方法、並びに、電子部品装置及びその製造方法
JP7354666B2 (ja) 封止用フィルム、封止構造体、及び封止構造体の製造方法