TW201716619A - 沈積裝置 - Google Patents

Abstract

例示性實施例提供一種用於將層沈積在支撐於大氣中的待處理物件上的沈積裝置。所述裝置包含：安置於大氣中的腔室部分，其具有面向待處理物件且在其上形成處理孔的一個表面，且經組態以在腔室部分與待處理物件之間提供處理空間；源供應線，其延伸至腔室部分的內部；及源注入孔，其包括在處理孔的內部圓周表面中的一至三個位置處開口的末端部分，且延伸至腔室部分的內部以連接至所述源供應線。所述裝置具有改良結構，在改良結構中，在將層沈積在待處理物件上時可防止對藉以支撐待處理物件的支撐部分的熱損壞，且可改良所述層的沈積效率。

Description

沈積裝置

本發明是關於一種沈積裝置，且更特定而言是關於一種具有改良結構的沈積裝置，在所述改良結構中，在經由化學氣相沈積方法將層沈積在待處理物件上時可防止對藉以支撐所述待處理物件的支撐部分的熱損壞，且可改良層的沈積效率。

各種顯示裝置包含形成於基板上的電子電路。在此等電子電路的導電線中，在製造所述電路時或之後可能產生諸如切斷或短路部分的缺陷。舉例而言，在製造諸如液晶顯示器（liquid crystal display，LCD）、有機發光顯示器（organic light emitting display，OLED）或發光顯示器（light emitting display，LED）之各種顯示裝置的製程中，可能存在以下情況：切斷形成於基板上的每一元件的電極的一部分、佈線、信號線或類似者以產生開口缺陷。

因此，在製造各種顯示裝置的製程中，執行用於修復開口缺陷的修復過程。藉助於修復裝置（諸如，使用化學氣相沈積方法的修復裝置）在環境大氣中執行此修復過程。

使用化學氣相沈積方法的修復裝置包含載物台玻璃。提供載物台玻璃以在修復基板的開口缺陷時支撐基板。

由於其材料特性，載物台玻璃敏感地對熱量起反應且由此變形，且目前存在根據技術發展正將載物台玻璃製得更薄的趨勢。根據此趨勢，應將高溫修復裝置與載物台玻璃充分間隔開。

然而，當最佳化用於有效修復開口缺陷的光學器件的設計時，透鏡高度已經判定。因此，存在侷限性：若由於載物台玻璃厚度減少的趨勢，修復裝置與載物台玻璃充分間隔開，則透鏡的高度經改變以使得開口缺陷的修復效率降低。

因此，需要具有改良結構的修復裝置，所述改良結構可應用於較薄載物台玻璃且能夠在不導致對載物台玻璃的熱損壞同時未改變已經最佳設計的透鏡高度的情況下有效修復基板的開口缺陷。 [先前技術文獻]

（專利文獻）KR10-2005-0045442 A

本發明提供一種能夠在於大氣中將層沈積在待處理物件上時防止對藉以支撐待處理物件的支撐部分的熱損壞的沈積裝置。

本發明亦提供一種能夠在於大氣中將層沈積在待處理物件上時改良層的沈積效率的沈積裝置。

本發明亦提供一種能夠在於大氣中將層沈積在待處理物件上時減少源的消耗的沈積裝置。

根據例示性實施例，用於將層沈積在支撐於大氣中的待處理物件上的沈積裝置包含：安置於大氣中的腔室部分，其具有面向待處理物件且在其上形成處理孔的一個表面，且經組態以在腔室部分與待處理物件之間提供處理空間；源供應線，其延伸至腔室部分的內部；及源注入孔，其包括在處理孔的內部圓周表面中的一至三個位置處開口的末端部分，且延伸至腔室部分的內部以連接至源供應線。

處理孔可包含：直式部分，其沿高度方向延伸穿過腔室部分的一個表面，向下開口以連接至處理空間的上部部分，且經組態以在高度方向上具有相同內徑；及擴展部分，其形成於直式部分上方以沿高度方向穿過腔室部分的內部，且經組態以具有沿向上方向增大的內徑，其中源注入孔的末端部分可定位於直式部分的內部圓周表面中的三個位置上。

源注入孔可包含末端部分，所述末端部分形成為在高度方向上與接觸腔室部分的一個表面的處理孔的末端部分間隔開。

源注入孔可形成為朝向處理孔的末端部分的中心部分向下傾斜，且關於處理孔的末端部分的中心部分旋轉對稱。

源注入孔可形成為具有大小為處理孔的末端部分的內徑的約0.1倍至約0.6倍的內徑。源注入孔可形成為具有大小為約0.5毫米至約3毫米的內徑。源注入孔的末端部分可形成於距處理孔的末端部分約0.5毫米至約2毫米的高度處。當藉由沿高度方向穿過處理孔的中心軸定義約60°至約70°的角度時，源注入孔可傾斜地穿過腔室部分的內部。

沈積裝置可進一步包含：沖洗氣體供應線，其延伸至腔室部分的內部，且具有經定位以包圍腔室部分的一個表面上的處理孔的外側的出口部分；及排氣線，其延伸至腔室部分的內部，且具有經定位以包圍腔室部分的一個表面上的沖洗氣體供應的內側或外側中的至少一者的入口部分。

沈積裝置可包含：雷射部分，其經組態以允許將雷射發射至處理空間；源供應部分，其連接至源供應線；沖洗氣體供應部分，其連接至沖洗氣體供應線；第一排氣部分，其連接至所述排氣線中的第一排氣線，所述第一排氣線經定位以包圍沖洗氣體供應線的內側處的處理孔的外側；及第二排氣部分，其連接至所述排氣線中的第二排氣線，所述第二排氣線經定位以包圍沖洗氣體供應線的外側處的處理孔的外側。

下文將參考隨附圖式詳細描述本發明的實施例。然而，可以不同形式體現本發明，且不應將本發明解釋為限於本文中所闡述的實施例。確切而言，提供此等實施例以使得本發明將為透徹且完整的，且將向熟習此項技術者充分傳達本發明的範疇。

圖1為說明根據例示性實施例的沈積裝置的方塊圖，且圖2為說明根據例示性實施例的沈積裝置的腔室部分的示意圖。圖3為說明根據例示性實施例的腔室部分的一個表面的示意圖，且圖4為沿圖2中的線A-A'垂直截取的橫截面圖。圖5為說明圖4的處理孔部分的放大示意圖。在所述圖式中，為了清楚說明起見可放大或擴大尺寸。類似參考數字貫穿全文指代類似元件。

下文中，將參考圖1至圖5詳細描述本發明的實施例。

根據例示性實施例的沈積裝置為用於將層沈積在安置於大氣中的待處理物件S上的裝置，且所述沈積裝置可包含化學氣相沈積（chemical vapor deposition，CVD）修復裝置。沈積裝置可包含（作為其組成部分）：支撐部分100、腔室部分200、源供應線311、源注入孔312、源供應部分310、雷射部分510以及光學部分520。

待處理物件S可為具有一個表面（各種電子元件製造於所述表面上）的基板，且可為其上正執行用於製造此等元件的製程或在其上完成所述製程的基板。舉例而言，待處理物件S可為由玻璃形成的基板，所述基板具有其上形成閘極線、資料線、像素、薄膜電晶體及類似者的一個表面。待處理物件S可藉由支撐部分100支撐於大氣中。

用於沈積層的源可為鈷源。鈷源具有導電性（例如）比鎢源更佳的特性，且具有小分子以便在基板上充分沈積。

支撐部分100可為一體式板型載物台玻璃，其經形成以使得可藉由一個側面（例如，載物台玻璃的上表面）支撐待處理物件S，或支撐部分可為可分離桿型載物台玻璃。支撐部分100可具備對準部分（未展示），以使得待處理物件S可在x軸方向及y軸方向中的至少一者上對準。又，支撐部分100可具備起模頂桿（未展示）及真空夾盤（未展示），以使得可沿z軸方向支撐待處理物件S。

支撐部分100安裝於工作台（未展示）的上表面上，以使得其位置可固定。替代地，支撐部分100可以可移動方式沿x軸方向、y軸方向或z軸方向中的至少一者安裝於所述工作台上。

安裝部分（未展示）可以可移動方式沿x軸方向、y軸方向或z軸方向中的至少一者安裝於工作台的上表面上。替代地，所述安裝部分安裝於所述工作台的上表面上，以使得其位置可固定。

舉例而言，當支撐部分100安裝於工作台的上表面上以使得其位置固定時，安裝部分可以可移動方式安裝於所述工作台的上表面上。相反地，當支撐部分100以可移動方式安裝於工作台的上表面上時，安裝部分100的位置可藉由安裝於工作台的上表面上來固定。另外，支撐部分100及安裝部分可經由各種方法安裝於工作台上以便相對於彼此移動。

安裝部分用於以可移動方式支撐腔室部分200、雷射部分510以及光學部分520、可與支撐部分100向上地間隔開，且（例如）可具有應用於其的線性馬達的結構及方法。

在例示性實施例中，前述工作台、對準部分、起模頂桿、真空夾盤及安裝部分的組態及方法不必限於特定組態及方法。為了不混淆本發明概念，將不在實施例中提供此等組成部分的詳細描述。

腔室部分200可與支撐部分100向上地間隔開以便被安置於大氣中。可將腔室部分200安裝至安裝部分。可藉由安裝部分沿x軸方向、y軸方向以及z軸方向以可移動方式支撐腔室部分200。處理孔230可形成於腔室部分200的一個表面211中，所述一個表面面向待處理物件S。

腔室部分200可藉由使用處理孔230在腔室部分200與待處理物件S之間提供處理空間10。在此，處理空間10可為形成於腔室部分200與待處理物件S之間的處理孔230下方的空間，且可為包含界定於處理孔230下方的空間及其周圍空間的空間。

腔室部分200可以多個板沿z軸方向堆疊的此方式形成。腔室部分200可細分為腔室主體210及連接部分220。腔室主體210的大小及形狀並不受特定限制，且可為（例如）在x軸方向及y軸方向上具有預定寬度且在z軸方向上具有預定厚度的橢圓形板。腔室主體210用於在待處理物件S與腔室主體210之間提供處理空間10。

可提供連接部分220以包圍腔室主體210的側表面的一側。連接部分220的大小及形狀並不受特定限制。連接部分220可為（例如）在x軸方向及y軸方向上具有預定寬度且在z軸方向上具有預定厚度的矩形板。連接部分220用於結構上支撐腔室主體210、源供應線311及類似者。

至少一或多個源供應孔251可形成於連接部分220的另一表面上。舉例而言，當提供多個源供應孔251時，（例如）可在連接部分220的另一表面上的預定位置處形成第二源供應孔（未展示）及第三供應孔（未展示）。

又，腔室部分200的一個表面211（例如，包含腔室主體210的下表面及連接部分220的下表面的下表面）可面向待處理物件S。

又，腔室部分200的另一表面212（例如，包含腔室主體210的上表面及連接部分220的上表面的上表面）可面向光學部分520。

可在腔室部分200內部提供加熱部件（未展示）。加熱部件用於調整及維持在源供應線311內流動的源的溫度。又，可提供包圍腔室部分200內部的加熱部件的上側及下側的熱阻隔部件（未展示）。熱阻隔部件用於抑制腔室部分200內部的熱量轉移至腔室200的上側及下側。

可形成沿z軸方向貫穿腔室主體210的中心部分的處理孔230。處理孔230自腔室主體210的一個表面向下開口以連接至處理空間10的上部部分。因此，可藉由使用處理孔230的末端部分將源引入處理空間10中，所述處理孔230提供於腔室主體210的一個表面上以向下開口。處理孔230可具有內徑在自腔室主體210的另一表面至一個表面的方向上變得更小的形狀，且（例如）可具有旋轉主體的形狀。可將處理孔230的下部區域提供為直式部分230A，且可將上部區域提供為擴展部分230B。

直式部分230A可沿高度方向（例如，z軸方向）穿過腔室主體210的一個表面以朝向腔室主體210的內部延伸預定高度。直式部分230A可向下開口以連接至處理空間10的上部部分。可提供在高度方向上具有相同內徑的直式部分230A。亦即，可形成內徑與接觸腔室部分200的一個表面211的處理孔230的末端部分的內徑d₁ 相同的直式部分230A。源注入孔312的末端部分可定位於直式部分230A的內部圓周表面中的三個位置處。

可提供沿自直式部分230A的上部部分的高度方向延伸穿過腔室主體210的內部的擴展部分230B。擴展部分230B可為內徑自其下側至其上側逐漸增大的結構。

窗口240可安裝在處理孔230上方。窗口240可用於分隔處理孔230的內部與腔室主體210上方的外部空氣。窗口240可由諸如石英材料的材料形成，雷射可穿過所述材料。環狀窗口保持器241可裝配於窗240的上表面的邊緣部分上，且可在窗240與窗口保持器241之間提供密封部件242。

源供應線311用於將諸如金屬源的源運載至處理孔230中。可提供延伸至腔室主體200的內部的源供應線311。可提供至少一個源供應線311。舉例而言，當提供多個源供應線311時，可進一步提供第二源供應線（未展示）及第三源供應線（未展示）。所有源供應線可供應相同源，一個源供應線可供應與其餘源線中的彼等源不同的源，且所述源供應線中的每一者可供應與其餘源線中的彼等源不同的源。

源供應線311可穿過源供應孔251且延伸至腔室主體200的內部。又，第二源供應線（未展示）可穿過第二源供應孔（未展示）且延伸至腔室主體200的內部，且第三源供應線（未展示）可穿過第三源供應孔（未展示）且延伸至腔室主體200的內部。

源供應線311可具備預定源供應腔室311a。源供應腔室311a可包圍將以（例如）環形形狀形成的腔室主體210內部的處理孔230的外側。源供應線311、第二源供應線（未展示）以及第三源供應線（未展示）中的每一者可連接至在腔室主體210內部的源供應腔室311a。源注入孔312可連接至源供應腔室311a。亦即，源供應線311可經由源供應腔室311a連接至源注入孔312。

源注入孔312可延伸以連接源供應線311與處理孔230。源注入孔312用於將源供應至處理孔230中。

存在將供應至處理孔230中的源的僅一部分用於層的沈積的特性。因此，重要的是在執行整個過程時允許源長時間連續流動而非在某一瞬時具有流動速率。對應於此，在例示性實施例中，源注入孔312的數目可經選擇為一至三個。舉例而言，在例示性實施例中，說明具有三個源注入孔312的處理裝置。

當提供三個源注入孔312時，源注入孔312可延伸以朝向腔室主體210的內部向下傾斜，以便自沿源供應腔室311a的圓周彼此間隔開的三個位置面向處理孔230的末端部分的中心位置。當提供單一源注入孔312時，源注入孔312可延伸以朝向腔室主體210的內部向下傾斜，以便自源供應腔室311a的一個位置面向處理孔230的末端部分的中心位置。當提供兩個源注入孔312時，源注入孔312可延伸以朝向腔室主體210的內部向下傾斜，以便自沿源供應腔室311a的圓周彼此間隔開的兩個位置面向處理孔230的末端部分的中心位置。

對應於源注入孔312的前述結構，源注入孔312的末端部分（諸如，出口部分）可在處理孔230的直式部分230A的內部圓周表面中的一至三個位置處開口。舉例而言，當源注入孔312的數目自典型的四個減少至三個時，即使在使用具有與典型罐的容積相同的罐（諸如，源供應源）時，可連續供應所述源大約4,000小時（兩倍於典型時間）。

源注入孔312用於藉由將源注入至處理孔230中來將所述源的流動控制為所需流動。在此，當將層沈積在待處理物件S中的待沈積位置處時，在某一瞬時的源的量並未判定沈積效率。因此，在例示性實施例中，如下形成源注入孔312的結構（諸如，末端部分的高度、內徑以及角度）以使得可經由最佳化源流動來有效注入恆定量的源。由此，在例示性實施例中，將恆定量的源有效注入至處理孔230中，且因此所述源不僅實際上到達待處理物件S中的沈積位置，而亦可供應約兩倍於典型時間的大約4,000小時。

源注入孔312的末端部分可形成於沿高度方向與處理孔230的末端部分間隔開的位置處，所述處理孔230的末端部分接觸腔室部分200的一個表面。源注入孔312的末端部分的高度h₂ 可為自腔室部分200的一個表面至源注入孔312的末端部分的中心的高度。在此，源注入孔312的末端部分的高度h₂ 可為在高度方向上自處理孔230的末端部分約0.5毫米至約2毫米的高度，所述處理孔230的末端部分接觸腔室部分200的一個表面。此是由於當源注入孔312在前述末端部分高度h₂ 處注入源時，所述源有效地穿過處理孔230且到達待處理物件S的沈積位置的可能性變得最高。

因此，源注入孔312的末端部分的高度h₂ 是關於源的各種流動特性中的源的流速。在例示性實施例中，由於將源注入孔312的末端部分的高度h₂ 界定為上文所描述的結構，故即使使用少量源亦可執行有效沈積。

當源注入孔312的末端部分的高度h₂ 超過約2毫米的高度時，源到達待處理物件S的沈積位置的可能性變得比所需可能性小，且因此可能未將層充分沈積於待處理物件S的沈積位置上。

又，源注入孔312的末端部分的高度h₂ 愈低，源到達待處理物件S的沈積位置的可能性愈高。然而，當源注入孔312的末端部分的高度h₂ 經形成低於約0.5毫米的高度時，處理空間10內部的諸如溫度及氣流的大氣條件可不為所需條件。因此，諸如源的過度增長的侷限性可因處理空間10內部的大氣條件（諸如，溫度及氣流）所致。

鑒於此等特點，在例示性實施例中，在約0.5毫米至約2毫米處形成源注入孔312的末端部分的高度h₂ ，以使得滿足用於界定處理空間10內部的大氣的最低高度條件，且亦滿足用於允許源易於到達沈積位置的最大高度條件。

源注入孔312的末端部分的內徑d₂ 在某種程度上是關於源到達待處理物件S的沈積位置的可能性。因此，源注入孔312的末端部分的內徑d₂ 可形成為與處理孔230的末端部分的內徑d₁ 成比例。更特定而言，源注入孔312的末端部分的內徑d₂ 可形成為處理孔230的末端部分的內徑d₁ 的約0.1倍至約0.6倍大小，且例如，可將內徑d₂ 界定為約0.5毫米至約3毫米大小。

當源注入孔312的末端部分的內徑d₂ 形成為低於約0.5毫米時，由於源的流動速率變得比所需流動速率小，源到達待處理物件S的沈積位置的可能性變得比所需可能性小。當源注入孔312的末端部分的內徑d₂ 形成為超過約3毫米時，由於源的流速變得比所需速度小，源到達待處理物件S的沈積位置的可能性變得比所需可能性小。

當關於沿高度方向穿過處理孔230的中心軸L₁ 界定約60°至約70°的角度時，可形成傾斜地穿過腔室部分200的內部的源注入孔312。源注入孔312的角度θ為在中心線L₂ 與中心線L₁ 之間的角，所述中心線L₂ 沿平行於源注入孔312方向穿過源注入孔312的末端部分的中心部分，所述中心線L₁ 沿高度方向穿過處理孔230的中心部分。

源注入孔312的角度θ與源的各種流動特性中的源流速密切相關。當源注入孔312的角度小於60°時，在源注入孔312的末端部分處的源流速變得比目標速度小，以使得源可能未到達待處理物件S的沈積位置。當源注入孔312的角度θ為約60°或大於60°時，可按需要界定將源流速。

又，由於源注入孔312的延伸長度固定至預定值以形成穩定源流，當源注入孔312的角度θ超過約70°時，腔室主體210的厚度可能變得比所需厚度大。因此，在例示性實施例中，將源注入孔312的角度θ界定為約60°至約70°的角度，以使得可在不將腔室主體210的厚度增加至大於所需厚度的情況下以增加至目標速度的源流速將源注入至處理孔230中。因此，增加源到達待處理物件S的沈積位置的可能性，以使得即使藉由少量源亦可執行有效沈積。

藉由將源注入孔312的末端部分的高度、源注入孔312的內徑以及角度界定為前述結構，源到達待處理物件S的沈積位置的可能性可令人滿意地達到在所要範圍內的值，且可減少腔室部分200的整個厚度h₁ 。

舉例而言，當腔室部分200的典型厚度為約9.4毫米時，在例示性實施例中，腔室部分200的厚度可最大限度地減少至約7.1毫米。亦即，在無光學設計（諸如，透鏡高度）的變化的情況下，腔室部分200可與支撐部分100（例如，以較小厚度（諸如，0.3毫米）形成的載物台玻璃）進一步間隔開約2.3毫米。因此，可防止由腔室部分200的高溫產生的對載物台玻璃的熱損壞。

如以上所描述提供的源注入孔312形成為朝向處理孔230的末端部分的中心部分的側面向下傾斜，且可形成為關於處理孔230的末端部分的中心部分旋轉對稱。因此，即使藉由均勻地將源注入至處理孔230中使所使用的源的量減少為在有關技術中所使用的量一半，存在對允許有效地沈積層的影響。

源供應部分310連接至源供應線311且用於供應用於沈積層的源。源供應部分310可包含儲存至少一或多個源的源供應源（未展示）、用於運載源的運載氣體供應源（未展示）、分別調整供應源的供應的流量控制器以及控制閥。可將諸如熱導線的預定加熱構件（未展示）提供至源供應源（未展示），以使得可易於汽化諸如金屬源的源。可將金屬源加熱至氣態且經由運載氣體（例如，諸如氬氣的惰性氣體）運載至源供應線311。

經由源供應線311自源供應源310供應至處理孔230中的金屬源可包含鈷源。鈷源具有比鎢源更便宜的價格及較低蒸發溫度的優點。

雷射部分510在腔室部分200上方經安置為間隔開，且用於產生雷射，所述雷射發射至處理空間10以使得雷射可照射處理空間10。雷射部分510照射經由腔室200中的窗口240暴露的待處理物件S的缺陷位置，以切割佈線或將熱能供應至在源大氣下其上形成佈線的部分，以使得在缺陷位置處將金屬源局部沈積為層。可在此雷射部分510中使用脈衝雷射或連續性雷射，所述雷射部分510可經組態以具有根據修復工作的可變輸出。

光學部分520可安置於雷射部分510與腔室部分200之間。光學部分520調整自雷射部分510發射的雷射的光路及焦點。光學部分520可包含控制雷射的前進方向的雷射前進方向控制部分（未展示）及增大雷射的入射角度的雷射有效區域擴展部分（未展示）。又，光學部分520可進一步包含用於監測待處理物件S的狀態的監測部分（未展示）。雷射前進方向控制部分可包含能夠藉由沿預定方向反射雷射而改變雷射的前進方向的至少一個可旋轉鏡面。藉由使用雷射前進方向控制部分，由雷射照射的區域可在不移動整個沈積裝置的情況下在待處理物件S上移動。雷射有效區域擴展部分可用於藉由使用至少兩個曲面透鏡（未展示）折射雷射來增大雷射相對於接物鏡的入射角。因此，光學部分520用於擴展即使在不移動整個修復裝置的情況下可由雷射照射的區域（雷射有效區域）。監測部分拍照待處理物件S中的所需區域，且判定在所述區域上是否形成層，且因此用於監測待處理物件S的缺陷及修復狀態。

由於光學設計經最佳化，當經由化學氣相沈積方法沈積層時，判定雷射部分510及光學部分520的高度，以便相對於置放於支撐部分100上的待處理物件S的上表面而置放於預定高度。因此，在保持雷射部分510及光學部分520的高度時，若如以上所描述改良源注入孔312的結構，則在不影響光學設計的情況下可減小腔室部分200的厚度，且因此可增大腔室部分200的一個表面與支撐部分100之間的距離。因此，可保護支撐部分100免受腔室部分200中的高溫影響。

又，根據顯示設備的玻璃基板的厚度逐漸遞減的趨勢，由於在沈積層時基板對熱量較敏感，溫度管理為極其重要的。在例示性實施例中，由於增大了腔室部分200的一個表面與支撐部分100之間的距離，且使用具有約35℃的相對較低蒸發溫度的鈷源而非具有約75℃的蒸發溫度的典型鎢源，可保護待處理基板免受腔室部分200中的高溫影響。

除前述組成部分以外，根據例示性實施例的沈積裝置可進一步包含多個沖洗氣體供應線321及連接至沖洗氣體供應線的沖洗氣體供應部分320。對應於此，例如，可在腔室主體210的一個表面上形成環狀沖洗氣體注入表面262以包圍處理孔230的外側。又，可在連接部分220的另一表面上形成多個沖洗氣體供應孔252a及252b。

多個沖洗氣體供應線中的第一沖洗氣體供應線321a可穿過多個沖洗氣體供應孔中的第一沖洗氣體供應孔252a以延伸至腔室部分200的內部。

可將用於窗口的沖洗氣體供應腔室321c提供至第一沖洗氣體供應線321a。用於窗口的沖洗氣體供應腔室321c可包圍將以（例如）環形形狀形成的腔室主體210內部的處理孔230的外上部部分。第一沖洗氣體供應線321a可連接至用於窗口的沖洗氣體供應腔室321c。第一沖洗氣體供應線321a的出口部分可形成為穿過腔室主體210以自用於窗口的沖洗氣體供應腔室321c面向處理孔230的內上側，且所述出口部分可在處理孔230的內上側處開口。

第一沖洗氣體供應線321a用於經由將沖洗氣體（例如，包含氬氣的惰性氣體或氮氣）供應至處理孔230的內上部部分防止金屬源的層沈積在窗口240的下表面上，且用於即使在金屬源部分地沈積在窗口240的下表面上時藉由使用沖洗氣體的注入壓力立即移除金屬源。因此，可將窗口240的下表面維持於清潔狀態，且因此，雷射易於穿過窗口240以穩定地照射待處理物件的一個表面。

多個沖洗氣體供應線中的第二沖洗氣體供應線321b可穿過多個沖洗氣體供應孔中的第二沖洗氣體供應孔252b以延伸至腔室部分200的內部，且第二沖洗氣體供應線321b的出口部分321e可經定位以包圍腔室部分200的一個表面處的源供應腔室311a的外側。

第二沖洗氣體供應線321b用於藉由將氮氣或惰性氣體（諸如，氬氣）注入至處理空間10的外側來形成（例如）空氣幕。可將預定沖洗氣體供應腔室321d提供至第二沖洗氣體供應線321b。沖洗氣體供應腔室321d可包圍將以（例如）環形形狀形成的腔室主體210內部的源供應腔室311a的外側。第二沖洗氣體供應線321b可連接至腔室主體210內部的沖洗氣體供應腔室321d。第二沖洗氣體供應線321b的出口部分321e可在沖洗氣體供應腔室321d中沿面向腔室主體210的一個表面的方向穿過腔室主體210，且可在沖洗氣體注入表面262的多個位置處向下開口。

沖洗氣體供應部分320用於藉由連接至沖洗氣體供應線321來供應沖洗氣體，且可包含其中儲存有沖洗氣體的沖洗氣體供應源（未展示）、調整沖洗氣體供應源的供應的流量控制器（未展示）以及控制閥（未展示）。

又，除前述組成部分之外，根據例示性實施例的沈積裝置可進一步包含至少一或多個排氣線及至少一或多個排氣部分。對應於此，例如，在腔室主體210的一個表面上，可形成環狀第一排氣表面261以包圍沖洗氣體注入表面262內的處理孔230的外部部分。又，例如，在腔室主體210的一個表面上，可形成環狀第二排氣表面263以包圍沖洗氣體注入表面262的外部表面。又，在連接部分220的另一表面上，可形成第一排氣孔253a及第二排氣孔253b。

多個排氣線可包含第一排氣線411及第二排氣線421。第一排氣線411穿過第一排氣孔253a以延伸至腔室部分200內部，且可在腔室部分200的一個表面211上定位入口部分411b以包圍第二沖洗氣體供應線321b的出口部分321e的內側。第二排氣線421穿過第二排氣孔253b以延伸至腔室部分200內部，且可在腔室部分200的一個表面211上定位入口部分421b以包圍第二沖洗氣體供應線321b的出口部分321e的外側。

第一排氣線411用於自處理空間10排出反應物、反應產物以及未反應物質中的至少任一者，當將層沈積在待處理物件S上時，所述反應物、反應產物以及未反應物質在處理空間10內部產生。第二排氣線421用於將注入至待處理物件S的沖洗氣體排出沖洗氣體注入表面262的外側，以使得形成空氣幕。可將第一排氣腔室411a提供至第一排氣線411，且可將第二排氣腔室421a提供至第二排氣線421。

可藉由包圍沖洗氣體供應腔室321d內部的源供應腔室311a的外側而在腔室主體210內部形成（例如）環形形狀的第一排氣腔室411a，且可藉由包圍沖洗氣體供應腔室321d的外側而在腔室主體210內部形成（例如）環形形狀的第二排氣腔室411b。

第一排氣線411可連接至第一排氣線411a的一個側面。可在第一排氣腔室411a中形成沿面向腔室主體210的一個表面的方向穿過腔室主體210的第一排氣線411的出口部分411b。第一排氣線411的出口部分411b可在第一排氣表面261的多個位置處向下開口。

第二排氣線421可連接至第二排氣腔室421a的一個側面。可在第二排氣腔室421a中形成沿面向腔室主體210的一個表面的方向穿過腔室主體210的第二排氣線421的出口部分421b。第二排氣線421的出口部分421b可在第二排氣表面263的多個位置處向下開口。

排氣部分可為排氣泵或真空泵。排氣部分可包含第一排氣部分410及第二排氣部分420。第一排氣部分410可連接至多個排氣線中的第一排氣線411的第一排氣腔室411a，所述第一排氣腔室411a經定位以包圍第二沖洗氣體供應線321b的沖洗氣體供應腔室321d的內側處的處理孔230。

第二排氣部分420可連接至多個排氣線中的第二排氣線421的第二排氣腔室421a，所述第二排氣腔室421a經定位以包圍第二沖洗氣體供應線321b的沖洗氣體供應腔室321d的外側。在將層沈積在待處理物件S上的製程期間產生的諸如反應物、反應產物以及未反應物質的各種物質可在不排出至空氣的情況下藉由此等排氣部分收集至裝置。

圖6至圖9為說明根據例示性實施例的在處理孔及源注入孔內部的源流動狀態的視圖。具體言之，圖6至圖9中的每一者為說明在圖2中的B-B'部分的橫截面結構中的處理孔及源注入孔內部的氣流的分析結果的視圖。

在圖6至圖9中的每一者中，標示為V1、V2、V3以及V4的區域中的每一者為處理孔及源注入孔的內部基於自前述氣流的分析結果導出的源流速而細分成為的區域。在此，區域V4中的源流速最快。又，區域V4、V3、V2以及V1為其中的源流速以此次序相對較慢的區域。

又，由圖6至9中的每一者中的箭頭標示的特定流基於在處理孔及源注入孔內部的位置中的每一者處的源流速向量例示性地說明在處理孔及源注入孔內部的主要源流，所述源流速向量自上文所描述的氣流分析結果導出。亦即，在圖6至圖9中的每一者中，箭頭意謂源流的一個實例。

舉例而言，當在源注入孔內部界定區域V3及V4時，由於在對應位置處的源流速到達所需範圍，故易於朝向處理孔的末端部分的中心部分引導源流，以使得源到達沈積位置的可能性增大。若在圖式中，在源注入孔內界定內部區域V1及V2，且並未界定區域V3及V4，則源流朝向處理孔的末端部分的邊緣部分彎曲，以使得源到達沈積位置的可能性減小。

在下文中，參考每一圖式，將描述藉由根據例示性實施例分析處理孔及源注入孔內部的源流狀態而導出的每一結果。在此，下文將描述的源注入孔的結構的具體實例經例示以闡明本發明概念，且不限制本發明概念。

首先，參考圖2及圖6，將描述藉由根據例示性實施例分析處理孔及源注入孔內部的源流狀態而導出的結果。

首先，根據例示性實施例的沈積裝置的結構經模型化且提供至預定分析程式。在此，源注入孔在以下條件下經模型化：內徑為1毫米；末端部分的位置為1.25毫米；且角度為65°。接下來，將源以預定流動速率供應至處理孔的直式部分，且將沖洗氣體以預定流動速率供應至處理孔的擴展部分。隨後，在預定分析條件下，分析處理孔及源注入孔內部的氣流，且在圖6中說明氣流分析的導出結果。

當源注入孔內部的源流速並不足時，由於未朝向處理孔的末端部分的中心部分引導源流，且源流在鄰近於源注入孔的末端部分的區域處朝向排氣線的入口部分快速彎曲，源可能未到達沈積位置。

然而，參考圖6，在預定範圍內界定源注入孔內部的源流速，且防止初期中的源流彎曲現象。因此，如圖形中所說明，可驗證源流精確且穩定地到達沈積位置。

根據前述分析結果，可驗證在例示性實施例中源可易於到達處理空間內部的沈積位置。

接下來，參考圖2及圖7，將描述藉由根據例示性實施例分析處理孔及源注入孔內部的源流狀態而導出的結果。在下文中，與圖6進行結果比較，將描述源注入孔內部的源流狀態根據源注入孔的末端部分的位置變化的變化。

首先，根據例示性實施例的沈積裝置的結構經模型化且提供至預定分析程式。在此，源注入孔在以下條件下經模型化：內徑為1毫米；末端部分的位置為0.83毫米；且角度為65°。接下來，將源以預定流動速率供應至處理孔的直式部分，且將沖洗氣體以預定流動速率供應至處理孔的擴展部分。隨後，在預定分析條件下，分析處理孔及源注入孔內部的氣流，且在圖7中說明氣流分析的導出結果。

參考圖7，在預定範圍內界定源注入孔內部的源流速，且防止源流彎曲。因此，如圖形中所說明，可驗證源流精確且穩定地到達待處理物件S的沈積位置。

又，比較圖7中說明的分析結果與圖6中說明的分析結果，隨著源注入孔的末端部分的高度增加，源流速增加，且因此可在圖6的情況下而非在圖7的情況下驗證：源更易於到達處理空間內部的沈積位置。

接下來，參考圖2及圖8，將描述藉由根據例示性實施例分析處理孔及源注入孔內部的源流狀態而導出的結果。在下文中，與圖6進行結果比較，將描述源注入孔內部的源流狀態根據源注入孔的末端部分的內徑及位置變化的變化。

首先，根據例示性實施例的沈積裝置的結構經模型化且提供至預定分析程式。在此，源注入孔在以下條件下經模型化：內徑為0.75毫米；末端部分的位置為1.35毫米；且角度為65°。接下來，將源以預定流動速率供應至處理孔的直式部分，且將沖洗氣體以預定流動速率供應至處理孔的擴展部分。隨後，在預定分析條件下，分析處理孔及源注入孔內部的氣流，且在圖8中說明氣流分析的導出結果。

參考圖8，在預定範圍內界定源注入孔內部的源流速，且防止流彎曲。因此，如圖形中所說明，可驗證源流精確且穩定地到達待處理物件S的沈積位置。

又，比較圖8中說明的分析結果與圖6中說明的分析結果，隨著源注入孔的末端部分的高度增加且隨著源注入孔的內徑減小，源流速增加，且因此可在圖8的情況下而非在圖6的情況下驗證：源更易於到達處理空間內部的沈積位置。

又，一同比較圖7與圖6之間的比較結果與圖8與圖6之間的比較結果，隨著源注入孔的內徑減小，源流速進一步增加，且因此可驗證源更易於到達處理空間內部的沈積位置。

接下來，參考圖2及圖9，將描述藉由根據例示性實施例分析處理孔及源注入孔內部的源流狀態而導出的結果。在下文中，與圖8進行結果比較，將描述源注入孔內部的源流狀態根據源注入孔的末端部分的角度及位置變化的變化。

首先，根據例示性實施例的沈積裝置的結構經模型化且提供至預定分析程式。在此，源注入孔在以下條件下模型化：內徑為0.75毫米；末端部分的位置為0.603毫米；且角度為60°。接下來，將源以預定流動速率供應至處理孔的直式部分，且將沖洗氣體以預定流動速率供應至處理孔的擴展部分。隨後，在預定分析條件下，分析處理孔及源注入孔內部的氣流，且在圖9中說明氣流分析的導出結果。

參考圖9，在預定範圍內界定源注入孔內部的源流速，且在流速範圍內防止流的彎曲。因此，如圖形中所說明，可驗證源流精確且穩定地到達待處理物件S的沈積位置。

比較圖9中說明的分析結果與圖8中說明的分析結果，隨著源注入孔的末端部分的高度增加且隨著源注入孔的角度增加，源流速增加，且因此可在圖8的情況下而非在圖9的情況下驗證：源更易於到達處理空間內部的沈積位置。

綜合上述結果，源注入孔312的末端部分的高度及內徑以及源注入孔312的角度與源流速的形成密切相關。舉例而言，隨著末端部分的高度h₂ 增加，源注入孔內部的源流速增加，且因此可驗證源到達沈積位置的可能性增加。又，隨著末端部分h₂ 的內徑d₂ 減小，源注入孔內部的源流速增加，且因此可驗證源到達沈積位置的可能性增加。此外，隨著源注入孔的角度θ增加，源注入孔內部的源流速增加，且因此可驗證源到達沈積位置的可能性增加。

在例示性實施例中，在設計機械部分時組態裝置的結構，以使得允許源注入孔的結構具有如以上所詳細描述的數值限制條件中的每一者，且因此可朝向處理空間引導經最佳化源流。因此，可最佳化處理孔及處理空間內部的源流，且因此可改良層的沈積效率且可減少源的消耗。

在例示性實施例中，在設計機械部分時組態裝置的結構，以使得允許源注入孔的結構具有如以上所詳細描述的數值限制條件中的每一者，且因此可減小腔室部分的整個厚度。因此，當維持腔室部分的高度時，腔室部分的一個表面可與支撐部分及待處理基板充分間隔開，且因此可防止對支撐部分及待處理基板的熱損壞。

此外，在例示性實施例中，由於具有約35℃的蒸發溫度的鈷源替代具有約75℃的蒸發溫度的典型鎢源，可保護待處理基板免受腔室部分中的高溫影響。

儘管已參考具體實施例描述沈積裝置，但其並不限於此。因此，熟習此項技術者將容易理解，在不脫離藉由所附申請專利範圍界定的本發明的精神及範疇的情況下，可對其進行各種修改及改變。

根據例示性實施例，可防止在大氣中將層沈積在待處理物件上時對支撐部分的熱損壞。又，可減少在層的沈積期間源的消耗，且可改良層的沈積效率。

舉例而言，當應用於修復經由化學氣相沈積方法在基板的一個表面上產生的開口缺陷的裝置時，在製造各種顯示裝置時或之後，三個源注入孔形成為具有約0.5毫米至約3毫米的內徑及在處理孔直式部分約0.5毫米至約2毫米的高度處具有約60°至約70°的角度，且因此可最佳化處理孔內部的源流，且可減小裝置的整體厚度。

因此，由於可藉由僅三個源注入孔最佳化處理孔內部的源流，與先前技術相比可改良層的沈積效率且亦可減少源的消耗。

又，由於與先前技術相比腔室部分的厚度可減小，在不改變諸如透鏡高度的光學設計的情況下腔室部分可與具有較小厚度的載物台玻璃充分間隔開，且可防止因高溫腔室部分所致的對載物台玻璃的熱損壞。

又，由於與先前技術相比可減小腔室部分的厚度，其中由於將用於各種顯示器件的玻璃基板製得更薄的趨勢，在修復期間基板可易於被熱量損壞，在例示性實施例中腔室部分可與基板充分間隔開以便防止對基板的熱損壞。

儘管已參考具體實施例描述分解裝置，但其並不限於此。因此，熟習此項技術者將容易理解，在不脫離藉由所附申請專利範圍界定的本發明的精神及範疇的情況下，可對其進行各種修改及改變。

10‧‧‧處理空間
100‧‧‧支撐部分
200‧‧‧腔室部分
210‧‧‧腔室主體
211‧‧‧一個表面
212‧‧‧另一表面
220‧‧‧連接部分
230‧‧‧處理孔
230A‧‧‧直式部分
230B‧‧‧擴展部分
240‧‧‧窗口
241‧‧‧窗口保持器
242‧‧‧密封部件
251‧‧‧源供應孔
252a‧‧‧沖洗氣體供應孔/第一沖洗氣體供應孔
252b‧‧‧沖洗氣體供應孔/第二沖洗氣體供應孔
253a‧‧‧第一排氣孔
253b‧‧‧第二排氣孔
261‧‧‧第一排氣表面
262‧‧‧沖洗氣體注入表面
263‧‧‧第二排氣表面
310‧‧‧源供應部分
311‧‧‧源供應線
311a‧‧‧源供應腔室
312‧‧‧源注入孔
320‧‧‧沖洗氣體供應部分
321‧‧‧沖洗氣體供應線
321a‧‧‧第一沖洗氣體供應線
321b‧‧‧第二沖洗氣體供應線
321c‧‧‧沖洗氣體供應腔室
321d‧‧‧沖洗氣體供應腔室
321e‧‧‧出口部分
410‧‧‧第一排氣部分
411‧‧‧第一排氣線
411a‧‧‧第一排氣腔室
411b‧‧‧入口部分
420‧‧‧第二排氣部分
421‧‧‧第二排氣線
421a‧‧‧第二排氣腔室
421b‧‧‧入口部分
510‧‧‧雷射部分
520‧‧‧光學部分
A、A'、B、B'、E‧‧‧標記
d₁ ‧‧‧內徑
d₂ ‧‧‧內徑
h₁ ‧‧‧厚度
h₂ ‧‧‧高度
L₁ ‧‧‧中心軸/中心線
L₂ ‧‧‧中心線
S‧‧‧待處理物件
V1‧‧‧區域
V2‧‧‧區域
V3‧‧‧區域
V4‧‧‧區域
x、y、z‧‧‧軸方向
θ‧‧‧角度

自結合隨附圖式進行的以下描述可更詳細地理解例示性實施例，其中： 圖1為說明根據例示性實施例的沈積裝置的視圖。 圖2為說明根據例示性實施例的腔室部分的視圖。 圖3為說明根據例示性實施例的腔室部分的一個表面的視圖。 圖4為說明根據例示性實施例的腔室部分的內部部分的視圖。 圖5為說明根據例示性實施例的源注入孔的視圖。 圖6至圖9為說明根據例示性實施例分析處理孔及源注入孔內部的源流動狀態的結果的視圖。

10‧‧‧處理空間

230‧‧‧處理孔

240‧‧‧窗口

241‧‧‧窗口保持器

242‧‧‧密封部件

311‧‧‧源供應線

311a‧‧‧源供應腔室

312‧‧‧源注入孔

321a‧‧‧第一沖洗氣體供應線

321b‧‧‧第二沖洗氣體供應線

321c‧‧‧沖洗氣體供應腔室

321d‧‧‧沖洗氣體供應腔室

321e‧‧‧出口部分

411‧‧‧第一排氣線

411a‧‧‧第一排氣腔室

411b‧‧‧入口部分

421‧‧‧第二排氣線

421a‧‧‧第二排氣腔室

421b‧‧‧入口部分

E‧‧‧標記

S‧‧‧待處理物件

Claims (11)

1. 一種沈積裝置，用於將層沈積在支撐於大氣中的待處理物件上，所述沈積裝置包括： 腔室部分，其安置於所述大氣中，具有面向所述待處理物件且在其上形成處理孔的一個表面，且其經組態以在所述腔室部分與所述待處理物件之間提供處理空間； 源供應線，其延伸至所述腔室部分的內部；及 源注入孔，其包括在所述處理孔的內部圓周表面中的一至三個位置處開口的末端部分，且延伸至所述腔室部分的所述內部以連接至所述源供應線。
2. 如申請專利範圍第1項所述的沈積裝置，其中所述處理孔包括： 直式部分，其沿高度方向延伸以穿過所述腔室部分的所述一個表面，向下開口以連接至所述處理空間的上部部分，且經組態以在高度方向上具有相同內徑；及 擴展部分，其形成於所述直式部分上以沿所述高度方向穿過所述腔室部分的所述內部，且經組態以具有沿向上方向增加的內徑， 其中所述源注入孔的所述末端部分定位於所述直式部分的所述內部圓周表面中的三個位置上。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的沈積裝置，其中所述源注入孔包括末端部分，所述末端部分形成為沿所述高度方向與接觸所述腔室部分的所述一個表面的所述處理孔的所述末端部分間隔開。
4. 如申請專利範圍第3項所述的沈積裝置，其中所述源注入孔形成為朝向所述處理孔的所述末端部分的中心部分向下傾斜，且關於所述處理孔的所述末端部分的所述中心部分旋轉對稱。
5. 如申請專利範圍第3項所述的沈積裝置，其中所述源注入孔形成為具有大小為所述處理孔的所述末端部分的內徑的約0.1倍至約0.6倍的內徑。
6. 如申請專利範圍第3項所述的沈積裝置，其中所述源注入孔形成為具有大小為約0.5毫米至約3毫米的所述內徑。
7. 如申請專利範圍第3項所述的沈積裝置，其中所述源注入孔的所述末端部分形成於距所述處理孔的所述末端部分約0.5毫米至約2毫米的高度處。
8. 如申請專利範圍第3項所述的沈積裝置，其中當藉由沿所述高度方向穿過所述處理孔的中心軸定義約60°至約70°的角度時，所述源注入孔傾斜地穿過所述腔室部分的所述內部。
9. 如申請專利範圍第1項所述的沈積裝置，其進一步包括沖洗氣體供應線，所述沖洗氣體供應線延伸至所述腔室部分的所述內部且具有經定位以包圍所述腔室部分的所述一個表面上的所述處理孔的所述外側的出口部分。
10. 如申請專利範圍第9項所述的沈積裝置，其進一步包括排氣線，所述排氣線延伸至所述腔室部分的所述內部且具有經定位以包圍所述腔室部分的所述一個表面上的所述沖洗氣體供應的內側或外側中的至少一者的入口部分。
11. 如申請專利範圍第10項所述的沈積裝置，其進一步包括： 雷射部分，其經組態以允許將雷射發射至所述處理空間； 源供應部分，其連接至所述源供應線； 沖洗氣體供應部分，其連接至所述沖洗氣體供應線；以及 至少一個排氣部分，其連接至所述排氣線。