CN117352356A - 基板处理装置 - Google Patents

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金润相
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Abstract

提供一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：一腔室，所述腔室包括一处理空间；一支撑台，所述支撑台设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；一介电板，所述介电板覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；一透明电极，所述透明电极设置在所述介电板上；一激光供应头，所述激光供应头配置成向通过所述透明电极及所述介电板支撑于所述支撑台上的所述基板供应一激光束；以及一冷却装置，所述冷却装置配置成通过向所述透明电极注入一冷却气体来冷却所述透明电极。

Description

基板处理装置
相关申请案的交叉参考
本申请案主张2022年7月4日提交申请到韩国知识产权局(Korean IntellectualProperty Office)的第10-2022-0082114号韩国专利申请案的优先权，所述申请案的公开整体通过引用参考的方式并入本文。
技术领域
本公开涉及一种基板处理装置。
背景技术
一般来说，为了制造一半导体装置，可以在一基板上进行一系列的半导体工艺，例如沉积、蚀刻及清洗。在一些半导体工艺的情况下，例如，当使用等离子体在一基板上进行沉积或蚀刻等工艺时，使用一热源将一基板快速加热到一预定温度。用于加热基板的一热源可以是一电阻加热器、一光源及类似物。然而，当使用热源加热基板时，其他外围部件会无意中被加热，并可能会恶化。
发明内容
提供一种基板处理装置。
其他多个方面将在接下来的描述中部分地阐述，并且部分地从说明中变得明显，或者可以通过实践本公开所呈现的实施例来获知。
根据本公开的一个方面，一种基板处理装置包括：一腔室，包括一处理空间；一支撑台，设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；一介电板，覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；一透明电极，设置在所述介电板上；一激光供应头，配置成向通过所述透明电极及所述介电板支撑于所述支撑台上的所述基板供应一激光束；以及一冷却装置，配置成通过向所述透明电极注入一冷却气体来冷却所述透明电极。
在多个实施例中，所述冷却装置包括：一第一气体注入块，包括至少一第一注入口，所述至少一第一注入口配置成注入所述冷却气体；以及一第一抽吸块，包括至少一第一抽吸口，所述至少一第一抽吸口配置成抽吸所述冷却气体且设置成在平行于所述透明电极的一上表面的一第一方向上面对所述第一气体注入块。
在多个实施例中，所述第一气体注入块配置成在平行于所述透明电极的所述上表面的一方向上注入所述冷却气体。
在多个实施例中，所述第一气体注入块配置成在相对所述透明电极的所述上表面的一倾斜方向上注入所述冷却气体。
在多个实施例中，所述第一气体注入块包括多个第一注入口，所述多个第一注入口沿平行于所述透明电极的所述上表面且垂直于所述第一方向的一第二方向彼此间隔开。
在多个实施例中，所述至少一第一抽吸口在所述第二方向上的一长度大于所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口在所述第二方向上的一长度。
在多个实施例中，所述冷却装置还配置成在所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间形成沿所述透明电极的所述上表面的一方向流动的所述冷却气体的一气流。
在多个实施例中，所述冷却装置还包括：一第二气体注入块，包括至少一第二注入口，所述至少一第二注入口配置成注入所述冷却气体；以及一第二抽吸块，包括至少一第二抽吸口，所述至少一第二抽吸口配置成抽吸所述冷却气体且设置成在平行于所述透明电极的所述上表面且垂直于所述第一方向的一第二方向上面对所述第二气体注入块，以及所述冷却装置配置成在所述第二气体注入块及所述第二抽吸块之间形成沿所述透明电极的所述上表面的所述第二方向流动的所述冷却气体的一气流。
在多个实施例中，所述基板处理装置还包括多个导流块，所述多个导流块在垂直于所述第一方向的一第二方向上彼此间隔开，且所述透明电极位于所述多个导流块之间；其中，所述多个导流块在所述第一方向上在所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间延伸，以引导所述冷却气体在所述第一方向上的流动。
在多个实施例中，所述基板处理装置还包括一致动器，所述致动器配置成移动所述第一气体注入块，其中，所述致动器配置成移动所述第一气体注入块，以调整从所述第一气体注入块注入的所述冷却气体的一注入方向。
在多个实施例中，所述基板处理装置还包括一第三气体注入块，所述第三气体注入块在所述第一方向上与所述第一抽吸块间隔开，所述透明电极位于所述第三气体注入块及所述第一抽吸块之间；其中，所述第一气体注入块配置成在与所述透明电极的所述上表面平行的一方向上注入所述冷却气体，以及所述第三气体注入块配置成在相对所述透明电极的所述上表面的一倾斜方向上注入所述冷却气体。
在多个实施例中，所述介电板包括石英，且所述透明电极包括氧化铟锡。
在多个实施例中，所述冷却气体包括清洁干燥空气及氮气中的至少一者。
在多个实施例中，所述基板处理装置还包括：一气体供应器，配置成向所述处理空间供应一处理气体；一第一电源供应器，配置成向所述透明电极供应第一电源；以及一第二电源供应器，配置成向所述支撑台的一内部电极板供应第二电源。
根据本公开的另一个方面，一种基板处理装置包括：一腔室，包括一处理空间；一支撑台，设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；一气体供应器，配置成向所述处理空间供应一处理气体；一介电板，覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；一透明电极，设置在所述腔室外且设置在所述介电板上；一第一电源供应器，配置成向所述透明电极供应第一电源；一第二电源供应器，配置成向所述支撑台的一内部电极板供应第二电源；一激光供应头，配置成通过所述透明电极及所述介电板向所述支撑台上的所述基板供应一激光束；以及一冷却装置，配置成通过形成沿所述透明电极的一上表面的一方向流动的一冷却气体的一气流来冷却所述透明电极。
在多个实施例中，所述冷却装置包括：一第一气体注入块，包括多个第一注入口，所述多个第一注入口配置成注入所述冷却气体；以及一第一抽吸块，包括一第一抽吸口，所述第一抽吸口配置成抽吸所述冷却气体且在从所述透明电极的一第一边缘到一第二边缘的一第一方向上与所述第一气体注入块间隔开，其中，所述多个第一注入口在垂直于所述第一方向的一第二方向上彼此间隔开，以及所述第一抽吸口在所述第一方向上面对所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口。
在多个实施例中，所述第一气体注入块及所述第一抽吸块在所述第一方向上彼此间隔开，所述透明电极位于所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间，以及所述第一气体注入块在所述第二方向上的一长度及所述第一抽吸块在所述第二方向上的一长度分别大于所述透明电极在所述第二方向上的一长度。
在多个实施例中，所述第一气体注入块及所述第一抽吸块布置成在垂直于所述透明电极的所述上表面的一垂直方向上不与所述透明电极重叠。
在多个实施例中，所述冷却装置配置成向所述透明电极供应所述冷却气体来冷却所述透明电极，同时所述激光供应头向所述基板供应所述激光束。
根据本公开的另一个方面，一种基板处理装置包括：一腔室，包括一处理空间，其中等离子体生成于所述处理空间中；一支撑台，设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；一气体供应器，配置成向所述处理空间供应一处理气体；一介电板，覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；一透明电极，设置在所述腔室外且设置在所述介电板上；一第一电源供应器，配置成向所述透明电极供应第一电源；一第二电源供应器，配置成向所述支撑台的一内部电极板供应第二电源；一激光供应头，配置成通过所述透明电极及所述介电板向所述支撑台上的所述基板供应一激光束；以及一冷却装置，包括具有多个第一注入口的一第一气体注入块，所述多个第一注入口配置成向所述透明电极注入一冷却气体，以及包括具有一第一抽吸口的一第一抽吸块，所述第一抽吸口配置成抽吸所述冷却气体，其中所述第一气体注入块及所述第一抽吸块在平行于所述透明电极的一上表面的一第一方向上彼此间隔开，所述透明电极位于所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间，其中，所述第一气体注入块设置靠近所述透明电极的一第一边缘，且从所述透明电极的所述第一边缘的一端延伸到另一端，所述第一抽吸块设置靠近与所述透明电极的所述第一边缘相对的一第二边缘，且从所述透明电极的所述第二边缘的一端延伸到另一端，所述第一抽吸口在所述第一方向上面对所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口，所述第一抽吸口在垂直于所述透明电极的所述上表面的一垂直方向上的一长度大于所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口的一垂直方向上的一长度，以及所述冷却装置配置成在所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间形成沿所述透明电极的所述上表面的一方向流动的所述冷却气体的一气流。
附图说明
本公开的某些实施例的上述及其他方面、特征及优点将从结合附图的以下描述中变得更加明显，其中：
图1是描述根据多个实施例的一基板处理装置的一配置图。
图2是显示图1的基板处理装置的一些配置的一平面图。
图3是描述根据多个实施例的一第一气体注入块的一注入表面的一侧视图。
图4是显示根据多个实施例的一第一抽吸块的一抽吸表面的一侧视图。
图5是显示根据多个实施例的包括一冷却装置的一基板处理装置的一部分的一配置图。
图6是显示根据多个实施例的包括一冷却装置的一基板处理装置的一部分的一配置图。
图7是显示根据多个实施例的包括一冷却装置的一基板处理装置的一部分的一配置图。
图8A及8B是显示根据多个实施例的包括一冷却装置的一基板处理装置的多个部分的配置图。
图9是显示根据多个实施例的包括一冷却装置的一基板处理装置的一部分的一配置图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，其例子在附图中被说明，其中类似的附图标记在整个过程中指代类似的元件。在这方面，本发明的实施例可以具有不同的形式，并且不应该被理解为局限于本文所阐述的描述。因此，下文仅通过参考附图来描述本实施例，以解释本说明书的各个方面。如本文所用，术语“及/或”包括一个或多个与列出的项目关联的任何及所有组合。诸如“至少一个”的表达，当放在一元件列表前面时，修改整个元件列表，而不修改列表中的单独元件。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的技术思想的多个实施例。附图中的相同部件使用相同的附图标记，并且省略已经对其进行的描述。
图1是描述根据多个实施例的一基板处理装置10的一配置图。图2是显示图1的基板处理装置10的一些配置的一平面图。
参考图1及图2，一基板处理装置10可以包括一腔室110、一支撑台120、一介电板141、一透明电极145、一冷却装置150、一激光供应头160、一处理气体供应器175、一第一电源供应器171以及一第二电源供应器173。
所述腔室110可以提供一处理空间111。所述腔室110的所述处理空间111可以被设置为在其中处理所述基板W的一空间，并且可以在所述腔室110的一侧设置用于进入及离开所述基板W的一入口门。所述腔室110的所述处理空间111可以被设置为相对于所述腔室110的一外部空间可以被密封的一空间。所述腔室110可以具有一圆柱形状、一椭圆柱形状或一多边形柱形状。在所述腔室110的一上壁113中可以提供一个穿透所述腔室110的所述上壁113的一开口115。当从一平面图观看时，所述腔室110的所述开口115的形状可以是一个多边形，如一正方形或一圆形。
一排气口117可以形成在所述腔室110的下部。一排气装置177可以通过一管道连接到所述腔室110的所述排气口117，并且可以配置成将所述腔室110中的材料排出到所述腔室110的外部。所述排气装置177可以包括一真空泵。所述排气装置177可以具有通过排出所述腔室110的所述处理空间111中的材料来控制所述腔室110的所述处理空间111的内部压力的功能，并且还可以具有将在所述基板W的处理期间产生的反应副产品排放到所述腔室110的外部的功能。
用于注入处理气体PG的一气体供应口119可以设置在所述腔室110的一侧。所述处理气体供应器175可以通过一管道连接到所述腔室110的所述气体供应口119，并且可以配置成通过所述腔室110的所述气体供应口119向所述腔室110的所述处理空间111供应所述处理气体PG。所述处理气体供应器175可以包括至少一气体源，用于储存及供应各种处理气体PG。例如，所述处理气体PG可以包括用于生成等离子体的一气体、与待处理的所述基板W反应的一气体(例如，一蚀刻源气体或一沉积源气体)、一吹扫气体及类似物。
所述支撑台120可以设置在所述腔室110的所述处理空间111中，并且配置成支撑所述基板W。所述基板W可以被放置在所述支撑台120的一主表面上。所述基板W可以包括，例如，一半导体晶圆。在多个实施例中，所述支撑台120可以包括一静电卡盘，所述静电卡盘配置成以静电力支撑所述基板W，或者包括一真空卡盘，所述真空卡盘配置成选择性地真空吸附所述基板W。
所述介电板141可以耦合到所述腔室110以覆盖所述腔室110的所述开口115。例如，所述介电板141可以被插入到并固定在所述腔室110的所述开口115。当从一平面图观看时，所述介电板141的形状可以与所述腔室110的所述开口115的形状相对应。例如，所述介电板141在平面图上可以具有一矩形形状。所述介电板141可以通过关闭所述腔室110的所述开口115来阻挡气体流过所述腔室110的所述开口115。所述介电板141可以由透射光至一激光束LB的一材料制成。例如，所述介电板141的所述激光束LB的透射率可以是75％或更多，80％或更多，85％或更多，90％或更多，或95％或更多。在多个实施例中，所述介电板141可以包括石英及氮化铝中的至少一者。
所述透明电极145可以设置在所述介电板141的上表面。所述透明电极145可以设置在所述腔室110的一外部空间中，并且可以不暴露于所述腔室110的所述处理空间111。所述透明电极145沿所述介电板141的所述上表面延伸，并且可以覆盖所述介电板141的所述上表面。当从一平面图观看时，所述透明电极145的形状可以与所述介电板141的形状相同。例如，所述透明电极145在一平面图上可以具有一矩形形状。所述透明电极145可以是一薄膜，其具有一厚度在几十纳米(nanometer,nm)到几千纳米之间。在多个实施例中，所述透明电极145的所述厚度可以在大约300纳米及大约900纳米之间。所述透明电极145的一上表面1451可以是实质上平坦的。在下文中，一水平方向(例如一X方向及/或一Y方向)可定义为与所述透明电极145的所述上表面1451平行的一方向，且一垂直方向(例如一Z方向)可定义为与所述透明电极145的所述上表面1451垂直的一方向。
所述透明电极145可以包括一导电材料，并且可以配置成接收外部提供的电力。此外，所述透明电极145可以由透射光至一激光束LB的一材料制成。例如，所述透明电极145的所述激光束LB的透射率可以是75％或更多，80％或更多，85％或更多，90％或更多，或95％或更多。在多个实施例中，所述透明电极145可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO2)及氧化锌(ZnO)中的至少一者。
所述第一电源供应器171可以配置成向所述透明电极145供应第一电源。例如，第一电源供应器171可以配置成向所述透明电极145供应射频(RF)功率、一参考电位(例如：接地电压)或偏置功率。所述第二电源供应器173可以配置成向所述支撑台120的一内部电极板121提供第二电源。例如，所述第二电源供应器173可以配置成向所述支撑台120的所述内部电极板121供应射频功率、一参考电位(例如：接地电压)或偏置功率电源。
在多个实施例中，所述基板处理装置10可以对应于一电容耦合等离子体装置。通过在所述透明电极145及所述支撑台120的所述内部电极板121之间形成一电场，可以从供应给所述处理空间111的所述处理气体PG产生等离子体。例如，为了在所述处理空间111中形成用于产生等离子体的一电场，所述第一电源供应器171可以向所述透明电极145提供一参考电位，所述第二电源供应器173可以向所述支撑台120的所述内部电极板121提供射频功率。可替换地，为了在所述处理空间111中形成用于产生等离子体的一电场，所述第一电源供应器171可以向所述透明电极145提供射频功率，所述第二电源供应器173可以向所述支撑台120的所述内部电极板121提供一参考电位。所述基板处理装置10可以配置成利用在所述处理空间111中产生的等离子体在所述基板W上执行一蚀刻工艺、一清洗工艺、一沉积工艺及类似。在多个实施例中，所述基板处理装置10可以配置成在所述基板W上执行原子层蚀刻(Atomic Layer Etching,ALE)或原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)。
所述激光供应头160可以向所述基板W供应所述激光束LB。所述激光供应头160可以设置在腔室110之外，并且通过所述透明电极145及所述介电板141将所述激光束LB供应给所述基板W。
所述激光供应头160可以包括一光源161及一光学系统163。所述光源161可以产生并输出一激光束LB。所述光源161可以包括一个光源或多个光源。所述光学系统163可以包括至少一准直光学系统1631、一均匀化光学系统1633以及一成像光学系统1635。所述光学系统163可以配置成调整所述激光束LB的形状及/或大小。例如，所述光学系统163可以将所述激光束LB的形状及/或大小调整为与所述基板W的形状及/或大小实质上相同或相似。
所述激光供应头160可以向所述基板W供应一激光束LB来对所述基板W进行热处理。所述激光供应头160可以配置成输出具有适合于热处理所述基板W的多个特性的一激光束LB。例如，从所述激光供应头160输出的所述激光束LB的波长、脉冲宽度及功率可以取决于所述基板W的材料及厚度、所述基板W的目标加热温度及类似来进行调整。在多个实施例中，所述激光束LB的所述波长可以在约500纳米及约1200纳米之间，且所述激光束LB的功率可以在约10W及约700W之间。在多个实施例中，当所述基板处理装置10配置成执行一ALE工艺时，所述激光供应头160可以通过将所述激光束LB供应到所述基板W的整个区域来快速加热所述基板W，且要在所述基板W上蚀刻的材料层可以通过所述基板W的快速加热而被挥发及去除。
所述冷却装置150可以设置在所述腔室110之外，并且可以配置成通过向所述透明电极145注入一冷却气体CG来冷却所述透明电极145。所述冷却装置150可以配置成通过在所述透明电极145的所述上表面1451上形成沿所述透明电极145的所述上表面1451流动的冷却气体CG的一气流来冷却所述透明电极145。例如，所述冷却气体CG可以包括清洁干燥空气及/或氮气。如上所述，由于所述腔室110的所述上壁113的所述开口115被所述介电板141封闭，所述冷却气体CG不会流入所述处理空间111中。在多个实施例中，使用所述冷却装置150对所述透明电极145的冷却可以在所述激光束LB加热所述基板W时同时进行。在多个实施例中，使用所述冷却装置150对所述透明电极145的冷却可以在使用所述激光束LB开始对所述基板W进行热处理之前进行。在多个实施例中，使用所述冷却装置150对所述透明电极145的冷却可以在使用所述激光束LB对所述基板W的热处理完成后进行。
所述冷却装置150可以包括一第一气体注入块151、一冷却气体供应器152、一第一抽吸块153以及一排气泵154。
所述第一气体注入块151可以配置成向所述透明电极145注入所述冷却气体CG。所述第一气体注入块151可以包括配置成注入所述冷却气体CG的至少一第一注入口1511。所述第一注入口1511可以是设置在所述第一气体注入块151中的一个孔。提供有所述第一注入口1511的所述第一气体注入块151的一注入表面1513可以设置成面对所述透明电极145。所述第一气体注入块151可以设置在所述腔室110的所述上壁113上，并且可以设置成不与所述激光束LB在一垂直方向(例如Z方向)的光路重叠。例如，所述第一气体注入块151可以被设置成不在一垂直方向(例如Z方向)上与所述透明电极145重叠。
在多个实施例中，所述第一气体注入块151可以配置成在平行于所述透明电极145的所述上表面1451的一方向上注入所述冷却气体CG。在此情况下，所述第一气体注入块151的注入方向可以由所述第一注入口1511的延伸方向确定。例如，所述第一注入口1511可以从所述注入表面1513朝向内部以平行于所述透明电极145的所述上表面1451的一方向延伸，以使所述冷却气体CG以平行于所述透明电极145的所述上表面1451的一方向注入。
所述冷却气体供应器152通过一供应管道连接到所述第一气体注入块151的所述第一注入口1511，并且可以向所述第一气体注入块151供应所述冷却气体CG。所述冷却气体供应器152可以包括用于储存及供应一冷却气体CG的一冷却气体源、配置成控制所述冷却气体CG的温度的一温度控制器(例如：一加热器及/或一冷却器)、配置成感测所述冷却气体CG的一温度的一温度传感器以及用于控制所述冷却气体CG的流率及速度的一流量计。
所述第一抽吸块153可以配置成抽吸从所述第一气体注入块151注入的所述冷却气体CG。所述第一抽吸块153可以包括至少一第一抽吸口1531，所述至少一第一抽吸口配置成抽吸所述冷却气体CG。所述第一抽吸口1531可以是提供于所述第一抽吸块153中的一个孔。所述第一抽吸块153可以设置在所述腔室110的所述上壁113上，并且可以设置成不与所述激光束LB在一垂直方向(例如Z方向)的光路重叠。例如，所述第一抽吸块153可以设置成在一垂直方向(例如Z方向)上不与所述透明电极145重叠。
所述排气泵154可以通过一抽吸管道连接到所述第一抽吸块153的所述第一抽吸口1531，并且可以排出抽吸到所述第一抽吸口1531中的所述冷却气体CG。所述排气泵154可以调整作用于所述第一抽吸口1531的抽吸力，从而调整流过所述透明电极145的所述冷却气体CG的流率。
在多个实施例中，所述第一气体注入块151及所述第一抽吸块153可以在平行于所述透明电极145的所述上表面1451的一第一方向(例如所述X方向)上彼此面对，并且可以在所述第一方向(例如所述X方向)上与所述透明电极145之间彼此间隔开。例如，所述第一气体注入块151可以设置靠近所述透明电极145的一第一边缘145E1，且所述第一抽吸块153可以设置靠近与所述透明电极145的所述第一边缘145E1相对的一第二边缘145E2。在此情况下，所述第一气体注入块151的所述注入表面1513或所述第一注入口1511可以在所述第一方向(例如所述X方向)上面对所述第一抽吸块153的一抽吸表面1533或所述第一抽吸口1531。由于所述第一气体注入块151及所述第一抽吸块153设置成在所述第一方向(例如所述X方向)上彼此面对，所以在所述第一气体注入块151及所述第一抽吸块153之间可以形成在沿所述透明电极145的所述上表面1451的所述第一方向(例如所述X方向)上均匀流动的所述冷却气体CG的一气流。因为在所述透明电极145上形成了所述冷却气体CG的一均匀气流，使用所述冷却气体CG对所述透明电极145的冷却可以在整个透明电极145上均匀地进行。
在多个实施例中，所述第一气体注入块151及所述第一抽吸块153可以具有在平行于所述透明电极145的所述上表面1451的所述第二方向(例如所述Y方向)及垂直于所述第一方向(例如所述X方向)延伸的一条形形状。所述第二方向(例如所述Y方向)可以是平行于所述透明电极145的所述第一边缘145E1或所述第二边缘145E2的一方向。所述第一气体注入块151在所述第二方向(例如所述Y方向)的一长度及所述第一抽吸块153在所述第二方向(例如所述Y方向)的一长度可以分别等于或大于所述透明电极145在所述第二方向(例如所述Y方向)的一长度(或最大宽度)。
[表1]
表1显示在将所述激光束LB照射到所述透明电极145及所述介电板141的耦合结构后检测所述耦合结构的激光透射率及所述透明电极145的吸收率的结果。所述耦合结构的激光透射率可以通过一功率计测量，所述透明电极145的所述吸收率可以用一功率计测量的一结果得到。在表1中，所述透明电极145由具有一厚度约为600纳米的一氧化铟锡(ITO)薄膜形成，且所述介电板141由石英形成。如表1所示，可以确认所述透明电极145具有一吸收率约为8％至15％，取决于所述激光束LB的波长及功率。也就是说，当所述透明电极145作为产生等离子体的一电极且同时发射所述激光束LB，使所述基板W可以被加热时，所述激光束LB被所述透明电极145吸收，且所述激光束LB的温度上升。由于所述透明电极145被所述激光束LB加热，存在着所述透明电极145被热损坏的问题。
然而，根据多个实施例，通过冷却所述透明电极145，所述冷却装置150可以将所述透明电极145的温度保持在一预定允许范围内，即使在所述激光束LB被照射的情况下，并且可以防止由于所述透明电极145的热损伤而导致的所述透明电极145的恶化。因此，包括所述透明电极145的所述基板处理装置10的可靠性可以得到改善。
图3是描述根据多个实施例的一第一气体注入块151的一注入表面1513的一侧视图。图4是显示根据多个实施例的一第一抽吸块153的一抽吸表面1533的一侧视图。
参照图1至图4，所述第一气体注入块151可以包括多个彼此间隔开的第一注入口1511。所述多个第一注入口1511可以在所述第二方向(例如所述Y方向)上彼此间隔开。随着所述冷却气体CG通过所述多个第一注入口1511注入，所述冷却气体CG的速度可以增加，且所述冷却气体CG的流动的均匀性可以得到改善。在多个实施例中，所述多个第一注入口1511可以具有相同的尺寸(例如直径)。在多个实施例中，所述多个第一注入口1511可以以相等的多个间隔间隔开。在图2中，所述第一气体注入块151被描绘为包括八个第一注入口1511，但所述第一注入口1511的数量不以此为限。例如，所述第一气体注入块151可以包括几个到几百个第一注入口1511。
所述第一抽吸块153可以包括一个单一的第一抽吸口1531。所述单一的第一抽吸口1531可以在所述第一方向上面对所述多个第一注入口1511中的每一个第一注入口1511。所述单一的第一抽吸口1531可以沿所述透明电极145的所述第二边缘145E2从所述透明电极145的所述第二边缘145E2的一端延伸到另一端。所述单一的第一抽吸口1531具有一狭缝形状，所述单一的第一抽吸口1531在水平方向上的一长度W2可以大于所述单一的第一抽吸口1531在垂直方向上的一长度H2。此外，所述单一的第一抽吸口1531在所述水平方向上的所述长度W2可以大于所述多个第一注入口1511中的每一个第一注入口1511在所述水平方向上的一长度W1，且所述单一的第一抽吸口1531在所述垂直方向上的所述长度H2可以大于所述多个第一注入口1511中的每一个第一注入口1511在所述垂直方向上的一长度H1。所述单一的第一抽吸口1531的面积可以大于所述多个第一注入口1511的总面积。由于所述第一抽吸块153的所述单一的第一抽吸口1531形成在一大面积中，通过所述第一抽吸块153的所述冷却气体CG的排气速度可以增加。
在多个实施例中，所述第一抽吸块153可以包括在所述第二方向上彼此间隔开的多个第一抽吸口1531。在此情况下，所述多个第一抽吸口1531中的每一个第一抽吸口1531的尺寸可以大于所述多个第一注入口1511中的每一个第一注入口的一相应尺寸。例如，所述多个第一抽吸口1531中的每一个第一抽吸口1531在所述垂直方向上的所述长度H2大于所述多个第一注入口1511中的每一个第一注入口1511在所述垂直方向上的所述长度H1，且所述多个第一抽吸口1531中的每一个第一抽吸口1531在所述水平方向上的所述长度W2可以大于所述多个第一注入口1511中的每一个第一注入口1511在所述水平方向上的所述长度W1。此外，包括在所述第一抽吸块153中的所述多个第一抽吸口1531的总面积可以大于所述多个第一注入口1511的总面积。
图5是显示根据多个实施例的包括一冷却装置150a的一基板处理装置的一部分的一配置图。在下文中，描述包括图5的所述冷却装置150a的一基板处理装置，重点是与先前参照图1至图4描述的所述基板处理装置10的不同。
参照图5，一第一气体注入块151可以配置成在相对一透明电极145的一上表面1451的一倾斜方向注入所述冷却气体CG。例如，所述第一气体注入块151可以相对于所述透明电极145的所述上表面1451以大约1度及大约60度之间的一倾斜角θ注入一冷却气体CG。从所述第一气体注入块151注入的所述冷却气体CG可以朝向所述透明电极145的一第一边缘145E1流动，然后可以在沿所述透明电极145的所述上表面1451的一第一方向(例如一X方向)上流动且被抽吸到所述第一抽吸块153的所述第一抽吸口1531中。
图6是显示根据多个实施例的包括一冷却装置150b的一基板处理装置的一部分的一配置图。在下文中，描述包括图6的所述冷却装置150b的一基板处理装置，重点是与先前参照图1至图4描述的所述基板处理装置10的不同。
参照图6，所述第一气体注入块151可以配置成可移动。所述第一气体注入块151可以移动，以调整所述冷却气体CG的所述注入方向。所述第一气体注入块151可以配置成移动，以调整所述冷却气体CG的所述注入方向与所述透明电极145的一上表面1451之间形成的一倾斜角θ。例如，所述第一气体注入块151可以配置成在一水平方向(例如一X方向及/或一Y方向)及/或一垂直方向(例如一Z方向)移动。例如，所述第一气体注入块151可以配置成在平行于所述透明电极145的所述第一边缘145E1的一方向(例如所述Y方向)上作为一旋转轴旋转。所述冷却装置150b可以包括配置成移动所述第一气体注入块151的一致动器158。所述致动器158可以控制所述第一气体注入块151的水平移动、垂直移动及/或旋转移动。所述致动器158可以线性地移动或旋转所述第一气体注入块151，以调整从所述第一气体注入块151注入的所述冷却气体CG的一注入方向。
图7是显示根据多个实施例的包括一冷却装置150c的一基板处理装置的一部分的一配置图。在下文中，描述包括图7的所述冷却装置150c的一基板处理装置，重点是与先前参照图1至4描述的所述基板处理装置10的不同。
参照图7，所述冷却装置150c可以进一步包括设置成在一第一方向(例如一X方向)上面对所述第一抽吸块153的一附加气体注入块155。所述附加气体注入块155可以设置靠近所述透明电极145的所述第一边缘145E1，且可以设置在所述第一气体注入块151上方。所述附加气体注入块155配置成从所述冷却气体供应器(图1中的152)接收所述冷却气体CG，并且可以包括配置成注入所述冷却气体CG的至少一注入口1551。
所述第一气体注入块151及所述附加气体注入块155可以配置成在不同方向上注入所述冷却气体CG。在多个实施例中，所述附加气体注入块155可以配置成在平行于所述透明电极145的所述上表面1451的一方向上注入所述冷却气体CG，并且所述附加气体注入块155可以配置成在一倾斜方向上向所述透明电极145的所述上表面1451注入所述冷却气体CG。为了冷却所述透明电极145，所述第一气体注入块151及所述附加气体注入块155可以同时注入所述冷却气体CG，且所述第一气体注入块151及所述附加气体注入块155中只有一个可以注入所述冷却气体CG。
图8A及8B是显示根据多个实施例的包括一冷却装置150d的一基板处理装置的多个部分的配置图。在下文中，描述包括图8A及8B的冷却装置150d的一基板处理装置，重点是与先前参照图1至4描述的所述基板处理装置10的不同。
参考图8A及8B并配合图1，所述冷却装置150d可以进一步包括一第二气体注入块156及一第二抽吸块157，设置成在所述第二方向(例如一Y方向)上彼此面对。
所述第二气体注入块156可以配置成从一冷却气体供应器152接收一冷却气体CG并将所述冷却气体CG向所述透明电极145注入。所述第二气体注入块156可以包括配置成注入所述冷却气体CG的至少一第二注入口1561。提供有所述第二注入口1561的所述第二气体注入块156的所述注入表面1563可以设置成面对所述透明电极145。所述第二气体注入块156可以设置在所述腔室110的所述上壁113上，并且可以设置成在一垂直方向(例如一Z方向)上不与所述透明电极145重叠。所述第二气体注入块156可以配置成在平行于所述透明电极145的所述上表面1451的一方向及/或相对于所述透明电极145的所述上表面1451的一倾斜方向上注入所述冷却气体CG。
所述第二抽吸块157可以配置成抽吸从所述第二气体注入块156注入的所述冷却气体CG。所述第二抽吸块157可以包括至少一第二抽吸口1571，所述至少一第二抽吸口配置成抽吸所述冷却气体CG。所述排气泵154可以通过一抽吸管道与所述第二抽吸口1571相连接，并可以排出抽吸到所述第二抽吸口1571中的所述冷却气体CG。所述第二抽吸块157可以设置在所述腔室110的所述上壁113上，并且可以设置成在一垂直方向(例如一Z方向)上不与所述透明电极145重叠。
在多个实施例中，所述第二气体注入块156及所述第二抽吸块157可以在所述第二方向(例如一Y方向)上彼此间隔开，其间有透明电极145，即所述透明电极145位于所述第二气体注入块156及所述第二抽吸块157之间，所述第二气体注入块156可以设置靠近所述透明电极145的一第三边缘145E3，并且所述第二抽吸块157可以设置靠近与所述透明电极145的所述第三边缘145E3相反的一第四边缘145E4。在此情况下，所述第二气体注入块156的所述注入表面1563或所述第二注入口1561可以在所述第二方向(例如所述Y方向)上面对所述第二抽吸块157的所述抽吸表面1573或所述第二抽吸口1571。由于所述第二气体注入块156及所述第二抽吸块157设置成在所述第二方向(例如Y方向)上彼此面对，在所述第二气体注入块156及所述第二抽吸块157之间可以形成在沿所述透明电极145的所述上表面1451的所述第二方向(例如所述Y方向)均匀地流动的所述冷却气体CG的一气流。
在多个实施例中，所述第二气体注入块156及所述第二抽吸块157可以具有在所述第一方向(例如一X方向)上延伸的一条形形状。所述第二气体注入块156沿所述第一方向(例如所述X方向)的一长度及所述第二抽吸块157沿所述第一方向(例如所述X方向)的一长度可以分别等于或大于所述透明电极145在所述第一方向(例如所述X方向)的一长度(或最大宽度)。
在多个实施例中，为了冷却所述透明电极145，所述第一气体注入块151及所述第二气体注入块156中只有一个可以注入所述冷却气体CG。例如，如图8A所示，当通过所述第一气体注入块151注入所述冷却气体CG及所述第一抽吸块153抽吸所述冷却气体CG而在所述第一气体注入块151及所述第一抽吸块153之间形成朝向所述第一方向(例如X方向)的所述冷却气体CG的所述气流时，使用所述第二气体注入块156的所述冷却气体CG的一注入及使用所述第二抽吸块157的所述冷却气体CG的一抽吸可以被停止。此外，如图8B所示，当所述通过第二气体注入块156注入所述冷却气体CG及所述第二抽吸块157抽吸所述冷却气体CG而在所述第二气体注入块156及所述第二抽吸块157之间形成朝向所述第二方向(例如Y方向)的所述冷却气体CG的所述气流时，使用所述第一气体注入块151的所述冷却气体CG的一注入及使用所述第一抽吸块153抽吸所述冷却气体CG的一抽吸可以被停止。在一些实施例中，为了冷却所述透明电极145，所述第一气体注入块151及所述第二气体注入块156可以同时注入所述冷却气体CG。
图9是显示根据多个实施例的包括一冷却装置150e的一基板处理装置的一部分的一配置图。在下文中，描述包括图9的冷却装置150e的一基板处理装置，重点是与先前参照图1至4描述的所述基板处理装置10的不同。
参考图9并配合图1，所述冷却装置150e可以包括多个导流块159。所述多个导流块159可以设置在所述腔室110的所述上壁113上，并且可以设置成在一垂直方向上不与所述透明电极145重叠。所述多个导流块159可以在一第二方向(例如Y方向)上彼此间隔开，透明电极145位于其间，即所述透明电极145位于所述多个导流块159之间。所述多个导流块159中的一个可以设置靠近所述透明电极145的所述第三边缘145E3并从所述第三边缘145E3的一端线性地延伸到另一端，并且所述多个导流块159中的另一个可以设置靠近所述透明电极145的所述第四边缘145E4并从所述第四边缘145E4的一端线性地延伸到另一端。
所述多个导流块159可以配置成引导通过所述第一气体注入块151及所述第一抽吸块153形成的所述冷却气体CG的所述流动。即，所述多个导流块159可以在所述第一气体注入块151及所述第一抽吸块153之间的一第一方向(例如X方向)上线性地延伸，以引导所述冷却气体CG在所述第一方向(例如X方向)上的流动。此外，所述多个导流块159可以阻挡所述冷却气体CG在离开所述透明电极145的所述第二方向(例如Y方向)上的流动，以限制所述冷却气体CG的一气流形成于其中的一区域。
应当理解，此处描述的实施例应当仅在描述性意义上考虑，而不是为了限制的目的。每一个实施例中的特征或方面的描述通常应被视为可用于其他实施例中的其他类似特征或方面。虽然已经参照图示描述一个或多个实施例，但本领域的普通技术人员将理解，在不背离权利要求书所定义的本公开的精神及范围的情况下，可以在其中对形式及细节进行各种改变。

Claims (20)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
一腔室，包括一处理空间；
一支撑台，设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；
一介电板，覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；
一透明电极，设置在所述介电板上；
一激光供应头，配置成向通过所述透明电极及所述介电板支撑于所述支撑台上的所述基板供应一激光束；以及
一冷却装置，配置成通过向所述透明电极注入一冷却气体来冷却所述透明电极。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：所述冷却装置包括：
一第一气体注入块，包括至少一第一注入口，所述至少一第一注入口配置成注入所述冷却气体；以及
一第一抽吸块，包括至少一第一抽吸口，所述至少一第一抽吸口配置成抽吸所述冷却气体且设置成在平行于所述透明电极的一上表面的一第一方向上面对所述第一气体注入块。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：所述第一气体注入块配置成在平行于所述透明电极的所述上表面的一方向上注入所述冷却气体。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：所述第一气体注入块配置成在相对所述透明电极的所述上表面的一倾斜方向上注入所述冷却气体。
5.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：所述第一气体注入块包括多个第一注入口，所述多个第一注入口沿平行于所述透明电极的所述上表面且垂直于所述第一方向的一第二方向彼此间隔开。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于：所述至少一第一抽吸口在所述第二方向上的一长度大于所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口在所述第二方向上的一长度。
7.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：所述冷却装置还配置成在所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间形成沿所述透明电极的所述上表面的一方向流动的所述冷却气体的一气流。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：所述冷却装置还包括：
一第二气体注入块，包括至少一第二注入口，所述至少一第二注入口配置成注入所述冷却气体；以及
一第二抽吸块，包括至少一第二抽吸口，所述至少一第二抽吸口配置成抽吸所述冷却气体且设置成在平行于所述透明电极的所述上表面且垂直于所述第一方向的一第二方向上面对所述第二气体注入块，以及所述冷却装置配置成在所述第二气体注入块及所述第二抽吸块之间形成沿所述透明电极的所述上表面的所述第二方向流动的所述冷却气体的一气流。
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于：所述基板处理装置还包括多个导流块，所述多个导流块在垂直于所述第一方向的一第二方向上彼此间隔开，且所述透明电极位于所述多个导流块之间；
其中，所述多个导流块在所述第一方向上在所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间延伸，以引导所述冷却气体在所述第一方向上的流动。
10.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：所述基板处理装置还包括一致动器，所述致动器配置成移动所述第一气体注入块，
其中，所述致动器配置成移动所述第一气体注入块，以调整从所述第一气体注入块注入的所述冷却气体的一注入方向。
11.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：所述基板处理装置还包括一第三气体注入块，所述第三气体注入块在所述第一方向上与所述第一抽吸块间隔开，所述透明电极位于所述第三气体注入块及所述第一抽吸块之间；
其中，所述第一气体注入块配置成在与所述透明电极的所述上表面平行的一方向上注入所述冷却气体，以及
所述第三气体注入块配置成在相对所述透明电极的所述上表面的一倾斜方向上注入所述冷却气体。
12.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：所述介电板包括石英，且所述透明电极包括氧化铟锡。
13.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：所述冷却气体包括清洁干燥空气及氮气中的至少一者。
14.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：所述基板处理装置还包括：
一气体供应器，配置成向所述处理空间供应一处理气体；
一第一电源供应器，配置成向所述透明电极供应第一电源；以及
一第二电源供应器，配置成向所述支撑台的一内部电极板供应第二电源。
15.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
一腔室，包括一处理空间；
一支撑台，设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；
一气体供应器，配置成向所述处理空间供应一处理气体；
一介电板，覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；
一透明电极，设置在所述腔室外且设置在所述介电板上；
一第一电源供应器，配置成向所述透明电极供应第一电源；
一第二电源供应器，配置成向所述支撑台的一内部电极板供应第二电源；
一激光供应头，配置成通过所述透明电极及所述介电板向所述支撑台上的所述基板供应一激光束；以及
一冷却装置，配置成通过形成沿所述透明电极的一上表面的一方向流动的一冷却气体的一气流来冷却所述透明电极。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于：所述冷却装置包括：
一第一气体注入块，包括多个第一注入口，所述多个第一注入口配置成注入所述冷却气体；以及
一第一抽吸块，包括一第一抽吸口，所述第一抽吸口配置成抽吸所述冷却气体且在从所述透明电极的一第一边缘到一第二边缘的一第一方向上与所述第一气体注入块间隔开，
其中，所述多个第一注入口在垂直于所述第一方向的一第二方向上彼此间隔开，以及
所述第一抽吸口在所述第一方向上面对所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口。
17.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于：所述第一气体注入块及所述第一抽吸块在所述第一方向上彼此间隔开，所述透明电极位于所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间，以及
所述第一气体注入块在所述第二方向上的一长度及所述第一抽吸块在所述第二方向上的一长度分别大于所述透明电极在所述第二方向上的一长度。
18.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于：所述第一气体注入块及所述第一抽吸块布置成在垂直于所述透明电极的所述上表面的一垂直方向上不与所述透明电极重叠。
19.如权利要求16所述的基板处理装置，其特征在于：所述冷却装置配置成向所述透明电极供应所述冷却气体来冷却所述透明电极，同时所述激光供应头向所述基板供应所述激光束。
20.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
一腔室，包括一处理空间，其中等离子体生成于所述处理空间中；
一支撑台，设置在所述腔室的所述处理空间内且配置成支撑一基板；
一气体供应器，配置成向所述处理空间供应一处理气体；
一介电板，覆盖所述腔室的一上壁中的一开口；
一透明电极，设置在所述腔室外且设置在所述介电板上；
一第一电源供应器，配置成向所述透明电极供应第一电源；
一第二电源供应器，配置成向所述支撑台的一内部电极板供应第二电源；
一激光供应头，配置成通过所述透明电极及所述介电板向所述支撑台上的所述基板供应一激光束；以及
一冷却装置，包括具有多个第一注入口的一第一气体注入块，所述多个第一注入口配置成向所述透明电极注入一冷却气体，以及包括具有一第一抽吸口的一第一抽吸块，所述第一抽吸口配置成抽吸所述冷却气体，其中所述第一气体注入块及所述第一抽吸块在平行于所述透明电极的一上表面的一第一方向上彼此间隔开，所述透明电极位于所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间，
其中，所述第一气体注入块设置靠近所述透明电极的一第一边缘，且从所述透明电极的所述第一边缘的一端延伸到另一端，
所述第一抽吸块设置靠近与所述透明电极的所述第一边缘相对的一第二边缘，且从所述透明电极的所述第二边缘的一端延伸到另一端，
所述第一抽吸口在所述第一方向上面对所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口，
所述第一抽吸口在垂直于所述透明电极的所述上表面的一垂直方向上的一长度大于所述多个第一注入口中的每一个所述第一注入口的一垂直方向上的一长度，以及
所述冷却装置配置成在所述第一气体注入块及所述第一抽吸块之间形成沿所述透明电极的所述上表面的一方向流动的所述冷却气体的一气流。
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