JP2024006964A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明の基板処理装置は、処理空間を提供するチャンバ；チャンバの処理空間内に提供され、基板を支持するように構成された支持テーブル；チャンバの上部壁に提供された開口を覆う誘電体プレート；誘電体プレート上に提供された透明電極；透明電極及び誘電体プレートを通じて支持テーブルに支持された基板にレーザビームを供給するように構成されたレーザ供給ヘッド；及び透明電極に冷却ガスを噴射して透明電極を冷却させるように構成された冷却装置；を含む。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理装置に関する。
一般的に、半導体素子を製造するために、基板に対して蒸着、エッチング、洗浄などの一連の半導体工程が進められる。一部半導体工程の場合、例えば、プラズマを用いて基板に対する蒸着、エッチングなどの処理を遂行する場合、基板を既定の温度に迅速に加熱するために熱源を用いている。基板を加熱するための熱源には、電気抵抗式ヒータ、光源などがある。但し、熱源を用いて基板を加熱するとき、他の周辺部品が意図せぬ加熱されて劣化される問題がある。
本発明が解決しようとする課題は、基板処理装置を提供することである。
上述した課題を解決するために本発明の技術的思想は、処理空間を提供するチャンバ；前記チャンバの前記処理空間内に提供され、基板を支持するように構成された支持テーブル；前記チャンバの上部壁に提供された開口を覆う誘電体プレート；前記誘電体プレート上に提供された透明電極；前記透明電極及び前記誘電体プレートを通じて前記支持テーブルに支持された前記基板にレーザビームを供給するように構成されたレーザ供給ヘッド；及び前記透明電極に冷却ガスを噴射して前記透明電極を冷却させるように構成された冷却装置；を含む、基板処理装置を提供する。
例示的な実施形態において、前記冷却装置は、前記冷却ガスを噴射するように構成された少なくとも１つの第１噴射口を含む第１ガス噴射ブロック；及び前記冷却ガスを吸い込むように構成された少なくとも１つの第１吸入口を含み、前記透明電極の上面に平行な第１方向に前記第１ガス噴射ブロックと対向するように配置された第１吸入ブロック；を含むことを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の前記上面に平行な方向に前記冷却ガスを噴射するように構成されることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の前記上面に傾斜した方向に前記冷却ガスを噴射するように構成されることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の上面に平行であり、前記第１方向に垂直な第２方向に沿って互いに離隔された複数の第１噴射口を含むことを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記少なくとも１つの第１吸入口の前記第２方向に沿う長さは、前記複数の第１噴射口それぞれの前記第２方向に沿う長さより長いことを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記冷却装置は、前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックとの間で、前記透明電極の前記上面に沿って一方向に流動する前記冷却ガスの気流を形成するように構成されることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記冷却装置は、前記冷却ガスを噴射するように構成された少なくとも１つの第２噴射口を含む第２ガス噴射ブロック；及び前記冷却ガスを吸い込むように構成された少なくとも１つの第２吸入口を含み、前記透明電極の上面に平行であり、前記第１方向に垂直な第２方向に前記第２ガス噴射ブロックと対向するように配置された第２吸入ブロック；をさらに含み、前記冷却装置は、前記第２ガス噴射ブロックと前記第２吸入ブロックとの間で、前記透明電極の前記上面に沿って前記第２方向に流動する前記冷却ガスの気流を形成するように構成されることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記透明電極を挟んで前記第１方向に垂直な第２方向に互いに離隔されたフローガイドブロックをさらに含み、前記フローガイドブロックは、前記冷却ガスの前記第１方向へのフローを案内するように前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックとの間で前記第１方向に延びることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記第１ガス噴射ブロックを移動可能に構成されたアクチュエータをさらに含み、前記アクチュエータは、前記第１ガス噴射ブロックを移動させ、前記第１ガス噴射ブロックから噴射される前記冷却ガスの噴射方向を調節するように構成されることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記透明電極を挟んで前記第１吸入ブロックから前記第１方向に離隔された第３ガス噴射ブロックをさらに含み、前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の上面に平行な方向に前記冷却ガスを噴射するように構成され、前記第３ガス噴射ブロックは、前記透明電極の前記上面に傾斜した方向に前記冷却ガスを噴射するように構成されることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記誘電体プレートは、石英を含み、前記透明電極は、酸化インジウム錫を含むことを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記冷却ガスは、清浄乾燥空気、窒素ガスのうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記処理空間に工程ガスを供給するように構成されたガス供給部；前記透明電極に第１電源を供給するように構成された第１電源供給部；及び前記支持テーブルの内部電極板に第２電源を供給するように構成された第２電源供給部；をさらに含むことを特徴とする。
上述した課題を解決するために本発明の技術的思想は、処理空間を提供するチャンバ；前記チャンバの前記処理空間内に提供され、基板を支持するように構成された支持テーブル；前記処理空間に工程ガスを供給するように構成されたガス供給部；前記チャンバの上部壁に提供された開口を覆う誘電体プレート；前記チャンバの外部に提供され、前記誘電体プレート上に提供された透明電極；前記透明電極に第１電源を供給するように構成された第１電源供給部；及び前記支持テーブルの内部電極板に第２電源を供給するように構成された第２電源供給部；前記透明電極及び前記誘電体プレートを通じて前記支持テーブル上の前記基板にレーザビームを供給するように構成されたレーザ供給ヘッド；及び前記透明電極の上面に沿って一方向に流動する冷却ガスの気流を形成して前記透明電極を冷却させるように構成された冷却装置；を含む、基板処理装置を提供する。
例示的な実施形態において、前記冷却装置は、前記冷却ガスを噴射するように構成された複数の第１噴射口を含む第１ガス噴射ブロック；及び前記冷却ガスを吸い込むように構成された第１吸入口を含み、前記透明電極の第１エッジから第２エッジに向かう第１方向に前記第１ガス噴射ブロックから離隔された第１吸入ブロック；を含み、前記複数の第１噴射口は、前記第１方向に垂直な第２方向に互いに離隔され、前記第１吸入口は、前記複数の第１噴射口それぞれと前記第１方向に対向することを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記第１ガス噴射ブロック及び前記第１吸入ブロックは、前記透明電極を挟んで前記第１方向に互いに離隔され、前記第１ガス噴射ブロックの前記第２方向への長さ及び前記吸入ブロックの前記第２方向への長さは、それぞれ前記透明電極の前記第２方向への長さより長いことを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記第１ガス噴射ブロック及び前記第１吸入ブロックは、前記透明電極に前記透明電極の上面に垂直な垂直方向に重畳されないように配置されることを特徴とする。
例示的な実施形態において、前記冷却装置は、前記レーザ供給ヘッドが前記基板に前記レーザビームを供給する間、前記透明電極に前記冷却ガスを供給して前記透明電極を冷却させるように構成されることを特徴とする。
上述した課題を解決するために本発明の技術的思想は、プラズマが生成される処理空間を提供するチャンバ；前記チャンバの前記処理空間内に提供され、基板を支持するように構成された支持テーブル；前記処理空間に工程ガスを供給するように構成されたガス供給部；前記チャンバの上部壁に提供された開口を覆う誘電体プレート；前記チャンバの外部に提供され、前記誘電体プレート上に提供された透明電極；前記透明電極に第１電源を供給するように構成された第１電源供給部；及び前記支持テーブルの内部電極板に第２電源を供給するように構成された第２電源供給部；前記透明電極及び前記誘電体プレートを通じて前記支持テーブル上の前記基板にレーザビームを供給するように構成されたレーザ供給ヘッド；及び前記透明電極に向けて冷却ガスを噴射するように構成された複数の第１噴射口を有する第１ガス噴射ブロック及び前記冷却ガスを吸い込むように構成された第１吸入口を有する第１吸入ブロックを含み、前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックは、前記透明電極を挟んで前記透明電極の上面に平行な第１方向に離隔された冷却装置；を含み、前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の第１エッジ近傍に配置され、前記透明電極の第１エッジの一端から他端まで延び、前記第１吸入ブロックは、前記透明電極の前記第１エッジに反対となる第２エッジ近傍に配置され、前記透明電極の第２エッジの一端から他端まで延び、前記第１吸入口は、前記第１方向に前記複数の第１噴射口それぞれと対向し、前記第１吸入口の前記透明電極の前記上面に垂直な垂直方向への長さは、前記複数の第１噴射口それぞれの前記垂直方向への長さより大きく、前記冷却装置は、前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックとの間で前記透明電極の前記上面に沿って一方向に流動する前記冷却ガスの気流を形成するように構成された基板処理装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、冷却装置は、透明電極を冷却させることで、レーザビームが照射される間にも、透明電極の温度を既定の許容範囲以内に保持し、透明電極の熱的損傷による透明電極の劣化を防止することができる。これにより、透明電極を含む基板処理装置の信頼性を向上させうる。
本発明の例示的な実施形態による基板処理装置を示す構成図である。 図１の基板処理装置の一部構成を示す平面図である。 本発明の例示的な実施形態による第１ガス噴射ブロックの噴射面を示す側面図である。 本発明の例示的な実施形態による第１吸入ブロックの吸入面を示す側面図である。 本発明の例示的な実施形態による冷却装置を含む基板処理装置の一部を示す構成図である。 本発明の例示的な実施形態による冷却装置を含む基板処理装置の一部を示す構成図である。 本発明の例示的な実施形態による冷却装置を含む基板処理装置の一部を示す構成図である。 本発明の例示的な実施形態による冷却装置を含む基板処理装置の一部を示す構成図である。 本発明の例示的な実施形態による冷却装置を含む基板処理装置の一部を示す構成図である。 本発明の例示的な実施形態による冷却装置を含む基板処理装置の一部を示す構成図である。
以下、添付図面を参照して本発明の技術的思想の実施形態について詳細に説明する。図面上の同じ構成要素については、同じ参照符号を付し、これらについての重複説明は省略する。
図１は、本発明の例示的な実施形態による基板処理装置１０を示す構成図である。図２は、図１の基板処理装置１０の一部構成を示す平面図である。
図１及び図２を参照すれば、基板処理装置１０は、チャンバ１１０、支持テーブル１２０、誘電体プレート１４１、透明電極１４５、冷却装置１５０、レーザ供給ヘッド１６０、工程ガス供給部１７５、第１電源供給部１７１、及び第２電源供給部１７３を含む。
チャンバ１１０は、処理空間１１１を提供する。チャンバ１１０の処理空間１１１は、基板Ｗが処理される空間であり、チャンバ１１０の一側には、基板Ｗの出入りのための出入りゲートが提供されうる。チャンバ１１０の処理空間１１１は、チャンバ１１０の外部空間に対して密閉可能な空間でもある。チャンバ１１０は、円柱、楕円柱、または多角柱状を有する。チャンバ１１０の上部壁１１３には、チャンバ１１０の上部壁１１３を貫通する開口１１５が提供されうる。平面視において、チャンバ１１０の開口１１５の形態は四角形のような多角形、または円形でもある。
チャンバ１１０の下部には、排気口１１７が形成されうる。排気装置１７７は、配管を介してチャンバ１１０の排気口１１７に連結され、チャンバ１１０内の物質をチャンバ１１０の外部に排気するように構成されうる。排気装置１７７は、真空ポンプを含む。排気装置１７７は、チャンバ１１０の処理空間１１１の物質を排気してチャンバ１１０の処理空間１１１の内部圧力を制御するように機能し、また基板Ｗを処理する間に発生した反応副産物をチャンバ１１０の外部に排出させるように機能する。
チャンバ１１０の一側には、工程ガスＰＧを噴射するガス供給ポート１１９が配置されうる。工程ガス供給部１７５は、配管を介してチャンバ１１０のガス供給ポート１１９に連結され、チャンバ１１０の供給ポートを通じてチャンバ１１０の処理空間１１１に工程ガスＰＧを供給するように構成されうる。工程ガス供給部１７５は、各種の工程ガスＰＧを保存及び供給する少なくとも１つのガスソースを含む。例えば、工程ガスＰＧは、プラズマ生成のためのガス、処理対象である基板Ｗに反応するガス（例えば、エッチングソースガスまたは蒸着ソースガス）、パージガスなどを含む。
支持テーブル１２０は、チャンバ１１０の処理空間１１１内に提供され、基板Ｗを支持するように構成されうる。基板Ｗは、支持テーブル１２０の主面上に載置されうる。基板Ｗは、例えば、半導体ウェーハを含む。例示的な実施形態において、支持テーブル１２０は、静電力（ｅｌｅｃｔｒｏ－ｓｔａｔｉｃ ｆｏｒｃｅ）で基板Ｗを支持するように構成された静電チャック（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ ｃｈｕｃｋ）または基板Ｗを選択的に真空吸着するように構成された真空チャックを含む。
誘電体プレート１４１は、チャンバ１１０の開口１１５を覆うようにチャンバ１１０に結合されうる。例えば、誘電体プレート１４１は、チャンバ１１０の開口１１５に嵌め込まれて固定されうる。平面視において、誘電体プレート１４１の形態は、チャンバ１１０の開口１１５の形態に対応しうる。例えば、誘電体プレート１４１は、平面視、四角形を有しうる。誘電体プレート１４１は、チャンバ１１０の開口１１５を閉鎖してチャンバ１１０の開口１１５を介した気体フローを遮断する。誘電体プレート１４１は、レーザビームＬＢに対して透光性を有する物質で構成されうる。例えば、誘電体プレート１４１のレーザビームＬＢの透過率は、７５％以上、８０％以上、８５％以上、９０％以上、または９５％以上でもある。例示的な実施形態において、誘電体プレート１４１は、石英（ｑｕａｒｔｚ）及び窒化アルミニウムのうち、少なくとも１つを含んでもよい。
透明電極１４５は、誘電体プレート１４１の上面上に配置されうる。透明電極１４５は、チャンバ１１０の外部空間に提供され、チャンバ１１０の処理空間１１１に露出されない。透明電極１４５は、誘電体プレート１４１の上面に沿って延び、誘電体プレート１４１の上面を覆う。平面視において、透明電極１４５の形態は、誘電体プレート１４１の形態と同一でもある。例えば、透明電極１４５は、平面視、四角形を有する。透明電極１４５は、数十ｎｍ～数千ｎｍの厚さを有する薄膜でもある。例示的な実施形態において、透明電極１４５の厚さは、３００ｎｍ～９００ｎｍでもある。透明電極１４５の上面１４５１は、ほぼ平面でもある。以下、水平方向（例えば、Ｘ方向及び／またはＹ方向）は、透明電極１４５の上面１４５１に平行方向と定義され、垂直方向（例えば、Ｚ方向）は、透明電極１４５の上面１４５１に垂直方向と定義されうる。
透明電極１４５は、導電性物質を含み、外部から提供された電源を印加されるように構成されうる。また、透明電極１４５は、レーザビームＬＢに対して透光性を有する物質で構成されうる。例えば、透明電極１４５のレーザビームＬＢの透過率は、７５％以上、８０％以上、８５％以上、９０％以上、または９５％以上でもある。例示的な実施形態において、透明電極１４５は、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）のうち、少なくとも１つを含んでもよい。
第１電源供給部１７１は、透明電極１４５に第１電源を供給するように構成されうる。例えば、第１電源供給部１７１は、透明電極１４５にＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源、基準電位（例えば、グラウンド電圧）、またはバイアス電源を供給するように構成されうる。第２電源供給部１７３は、支持テーブル１２０の内部電極板１２１に第２電源を供給するように構成されうる。例えば、第２電源供給部１７３は、支持テーブル１２０の内部電極板１２１にＲＦ電源、基準電位（例えば、グラウンド電圧）またはバイアス電源を供給するように構成されうる。
例示的な実施形態において、基板処理装置１０は、容量結合型プラズマ（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）装置に該当する。透明電極１４５と支持テーブル１２０の内部電極板１２１との間に電界を形成して処理空間１１１に提供された工程ガスＰＧからプラズマを生成する。例えば、処理空間１１１にプラズマを生成するための電界を形成するために、第１電源供給部１７１は、透明電極１４５に基準電位を提供し、第２電源供給部１７３は、支持テーブル１２０の内部電極板１２１にＲＦ電源を提供しうる。または、処理空間１１１にプラズマを生成するための電界を形成するために、第１電源供給部１７１は、透明電極１４５にＲＦ電源を提供し、第２電源供給部１７３は、支持テーブル１２０の内部電極板１２１に基準電位を提供する。基板処理装置１０は、処理空間１１１に生成されたプラズマを用いて、基板Ｗに対するエッチング工程、洗浄工程、蒸着工程などを遂行するように構成されうる。例示的な実施形態において、基板処理装置１０は、基板Ｗに対する原子層エッチング（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｅｔｃｈｉｎｇ， ＡＬＥ）または、原子層蒸着（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）を遂行するように構成されうる。
レーザ供給ヘッド１６０は、基板ＷにレーザビームＬＢを供給する。レーザ供給ヘッド１６０は、チャンバ１１０の外部に配置され、透明電極１４５及び誘電体プレート１４１を介して基板ＷにレーザビームＬＢを供給するように構成されうる。
レーザ供給ヘッド１６０は、光源１６１及び光学系１６３を含む。光源１６１は、レーザビームＬＢを生成及び出力する。光源１６１は、１つの光源または複数の光源を含むことができる。光学系１６３は、少なくとも１つの視準（ｃｏｌｌｉｍａｔｉｎｇ）光学系１６３１、均質（ｈｏｍｏｇｅｎｉｚｉｎｇ）光学系１６３３、及びイメージング（ｉｍａｇｉｎｇ）光学系１６３５を含む。光学系１６３は、レーザビームＬＢの形態及び／またはサイズを調節するように構成されうる。例えば、光学系１６３は、レーザビームＬＢの形態及び／またはサイズを基板Ｗの形態及び／またはサイズと実質的に同一または類似したレベルに調節することができる。
レーザ供給ヘッド１６０は、基板ＷにレーザビームＬＢを供給して基板Ｗに対する熱処理を遂行するように構成されうる。レーザ供給ヘッド１６０は、基板Ｗを熱処理するのに適した特性を有するレーザビームＬＢを出力するように構成されうる。例えば、基板Ｗの材料及び厚さ、基板Ｗに対する目標加熱温度などによってレーザ供給ヘッド１６０から出力されるレーザビームＬＢの波長、パルス幅、出力などが調節されうる。例示的な実施形態において、レーザビームＬＢの波長は、５００ｎｍ～１２００ｎｍの間であり、レーザビームＬＢの出力は、１０Ｗ～７００Ｗの間でもある。例示的な実施形態において、基板処理装置１０がＡＬＥ工程を遂行するように構成された場合、レーザ供給ヘッド１６０は、基板Ｗの全体領域にレーザビームＬＢを供給して基板Ｗに対する急速加熱を遂行し、基板Ｗに対する急速加熱によって基板Ｗ上のエッチング対象物質膜が揮発されて除去されうる。
冷却装置１５０は、チャンバ１１０の外部に備えられ、透明電極１４５に冷却ガスＣＧを噴射して透明電極１４５を冷却させるように構成されうる。冷却装置１５０は、透明電極１４５の上面１４５１上で透明電極１４５の上面１４５１に沿って流動する冷却ガスＣＧの気流を形成して透明電極１４５を冷却させるように構成されうる。例えば、冷却ガスＣＧは、清浄乾燥空気（ｃｌｅａｎ ｄｒｙ ａｉｒ）及び／または窒素ガスを含む。前述したように、チャンバ１１０の上部壁１１３の開口１１５は、誘電体プレート１４１によって閉鎖されるので、冷却ガスＣＧは、処理空間１１１に流入されない。冷却装置１５０を活用した透明電極１４５に対する冷却は、レーザビームＬＢを用いた基板Ｗに対する熱処理を開始する前に、レーザビームＬＢが基板Ｗを加熱している間、及び／またはレーザビームＬＢを用いた基板Ｗに対する熱処理終了後に遂行されうる。
冷却装置１５０は、第１ガス噴射ブロック１５１、冷却ガス供給部１５２、第１吸入ブロック１５３、及び排気ポンプ１５４を含む。
第１ガス噴射ブロック１５１は、透明電極１４５に向けて冷却ガスＣＧを噴射するように構成されうる。第１ガス噴射ブロック１５１は、冷却ガスＣＧを噴射するように構成された少なくとも１つの第１噴射口１５１１を含む。第１噴射口１５１１が設けられた第１ガス噴射ブロック１５１の噴射面１５１３は、透明電極１４５に向かうように配置されうる。第１ガス噴射ブロック１５１は、チャンバ１１０の上部壁１１３上に配置され、レーザビームＬＢの光経路に垂直方向（例えば、Ｚ方向）に重畳されないように配置されうる。例えば、第１ガス噴射ブロック１５１は、透明電極１４５に垂直方向（例えば、Ｚ方向）に重畳されないように配置されうる。
例示的な実施形態において、第１ガス噴射ブロック１５１は、透明電極１４５の上面１４５１に平行な方向に冷却ガスＣＧを噴射するように構成されうる。この際、第１ガス噴射ブロック１５１の噴射方向は、第１噴射口１５１１の延長方向に沿って決定されうる。例えば、冷却ガスＣＧが透明電極１４５の上面１４５１に平行な方向に噴射されるように、第１噴射口１５１１は、噴射面１５１３から内側に向けて透明電極１４５の上面１４５１に平行な方向に延びうる。
冷却ガス供給部１５２は、供給ラインを通じて第１ガス噴射ブロック１５１の第１噴射口１５１１に連結され、第１ガス噴射ブロック１５１に冷却ガスＣＧを供給することができる。冷却ガス供給部１５２は、冷却ガスＣＧを保存及び供給する冷却ガスソース、前記冷却ガスＣＧの温度を調節するように構成された温度調節手段（例えば、ヒータ及び／またはチラー）、前記冷却ガスＣＧの温度を感知するように構成された温度センサ、及び冷却ガスＣＧの流量及び流速を調節するための流量計（ｆｌｏｗ ｍｅｔｅｒ）を含む。
第１吸入ブロック１５３は、第１ガス噴射ブロック１５１から噴射された冷却ガスＣＧを吸い込むように構成されうる。第１吸入ブロック１５３は、冷却ガスＣＧを吸い込むように構成された少なくとも１つの第１吸入口１５３１を含む。第１吸入ブロック１５３は、チャンバ１１０の上部壁１１３上に配置され、レーザビームＬＢの光経路に垂直方向（例えば、Ｚ方向）に重畳されないように配置されうる。例えば、第１吸入ブロック１５３は、透明電極１４５に垂直方向（例えば、Ｚ方向）に重畳されないように配置されうる。
排気ポンプ１５４は、吸入ラインを通じて第１吸入ブロック１５３の第１吸入口１５３１に連結され、第１吸入口１５３１に吸入された冷却ガスＣＧを排気することができる。排気ポンプ１５４は、透明電極１４５上に流動する冷却ガスＣＧの流速が調節されるように第１吸入口１５３１に作用する吸入力を調節することができる。
例示的な実施形態において、第１ガス噴射ブロック１５１と第１吸入ブロック１５３は、透明電極１４５の上面１４５１に平行な第１方向（例えば、Ｘ方向）に互いに対向し、透明電極１４５を挟んで前記第１方向（例えば、Ｘ方向）に互いに離隔されうる。例えば、第１ガス噴射ブロック１５１は、透明電極１４５の第１エッジ１４５Ｅ１近傍に配置され、第１吸入ブロック１５３は、透明電極１４５の第１エッジ１４５Ｅ１に反対となる第２エッジ１４５Ｅ２近傍に配置されうる。この際、第１ガス噴射ブロック１５１の噴射面１５１３または第１噴射口１５１１は、第１方向（例えば、Ｘ方向）に第１吸入ブロック１５３の吸入面１５３３または第１吸入口１５３１と対向しうる。第１ガス噴射ブロック１５１と第１吸入ブロック１５３とが前記第１方向（例えば、Ｘ方向）に対向するように配置されることにより、第１ガス噴射ブロック１５１と第１吸入ブロック１５３との間には、透明電極１４５の上面１４５１に沿って第１方向（例えば、Ｘ方向）に均一に流動する冷却ガスＣＧの気流が形成されうる。透明電極１４５上に冷却ガスＣＧの均一な気流が形成されるので、冷却ガスＣＧを用いた透明電極１４５の冷却が透明電極１４５の全体で均一になされる。
例示的な実施形態において、第１ガス噴射ブロック１５１及び第１吸入ブロック１５３は、第１方向（例えば、Ｘ方向）に垂直となり、透明電極１４５の上面１４５１に平行な第２方向（例えば、Ｙ方向）に延びたバー（ｂａｒ）状を有する。前記第２方向（例えば、Ｙ方向）は、透明電極１４５の第１エッジ１４５Ｅ１または第２エッジ１４５Ｅ２に平行な方向でもある。第１ガス噴射ブロック１５１の前記第２方向（例えば、Ｙ方向）に沿う長さ及び第１吸入ブロック１５３の前記第２方向（例えば、Ｙ方向）に沿う長さは、それぞれ透明電極１４５の第２方向（例えば、Ｙ方向）への長さ（または、最大幅）と同一であるか、またはさらに大きくもなる。
前記表１は、透明電極１４５及び誘電体プレート１４１の結合構造物にレーザビームＬＢを照射した後、前記結合構造物のレーザ透過率及び透明電極１４５の吸収率を検出した結果を示す。前記結合構造物のレーザ透過率は、パワーメータを通じて測定し、透明電極１４５の吸収率は、パワーメータで測定された結果を用いて得られる。前記表１において、透明電極１４５は、約６００ｎｍの厚さを有するＩＴＯ膜によって形成され、誘電体プレート１４１は、石英によって形成される。前記表１に示されたように、レーザビームＬＢの波長及び出力によって、透明電極１４５は、約８％～１５％の吸収率を有することを確認することができる。すなわち、透明電極１４５がプラズマ生成のための電極として機能すると共に、基板Ｗに対して加熱可能にレーザビームＬＢを透過させる間に、透明電極１４５にレーザビームＬＢが吸収されてレーザビームＬＢの温度が上昇する。透明電極１４５がレーザビームＬＢに加熱されることにより、透明電極１４５が熱的損傷する問題がある。
しかし、本発明の実施形態によれば、冷却装置１５０は、透明電極１４５を冷却させることで、レーザビームＬＢが照射される間にも、透明電極１４５の温度を既定の許容範囲以内に保持し、透明電極１４５の熱的損傷による透明電極１４５の劣化を防止することができる。これにより、透明電極１４５を含む基板処理装置１０の信頼性が向上しうる。
図３は、本発明の例示的な実施形態による第１ガス噴射ブロック１５１の噴射面１５１３を示す側面図である。図４は、本発明の例示的な実施形態による第１吸入ブロック１５３の吸入面１５３３を示す側面図である。
図１ないし図４を参照すれば、第１ガス噴射ブロック１５１は、互いに離隔された複数の第１噴射口１５１１を含む。複数の第１噴射口１５１１は、前記第２方向（例えば、Ｙ方向）に互いに離隔されうる。冷却ガスＣＧが複数の第１噴射口１５１１を介して噴射されることにより、冷却ガスＣＧの速度が増加し、かつ冷却ガスＣＧの流れの均一性が向上しうる。例示的な実施形態において、複数の第１噴射口１５１１は、互いに等しい寸法（例えば、直径）を有する。例示的な実施形態において、複数の第１噴射口１５１１は、均等な間隔で離隔されうる。図２では、第１ガス噴射ブロック１５１が８個の第１噴射口１５１１を含むと例示されているが、第１噴射口１５１１の個数は、それに制限されない。例えば、第１ガス噴射ブロック１５１は、数ないし数百個の第１噴射口１５１１を含むことができる。
第１吸入ブロック１５３は、単一の第１吸入口１５３１を含む。単一の第１吸入口１５３１は、第１方向に複数の第１噴射口１５１１それぞれと対向しうる。単一の第１吸入口１５３１は、透明電極１４５の第２エッジ１４５Ｅ２に沿って透明電極１４５の第２エッジ１４５Ｅ２の一端から他端まで延びうる。単一の第１吸入口１５３１は、スリット状を有し、単一の第１吸入口１５３１の水平方向に沿う長さＷ２は、単一の第１吸入口１５３１の垂直方向に沿う長さＨ２よりも大きくなる。また、単一の第１吸入口１５３１の水平方向に沿う長さＷ２は、複数の第１噴射口１５１１それぞれの水平方向に沿う長さＷ１より大きくなり、単一の第１吸入口１５３１の垂直方向に沿う長さＨ２は、複数の第１噴射口１５１１それぞれの垂直方向に沿う長さＨ１よりも大きくなる。単一の第１吸入口１５３１の面積は、複数の第１噴射口１５１１の総面積よりも大きくなる。第１吸入ブロック１５３の単一の第１吸入口１５３１が大面積に形成されることにより、第１吸入ブロック１５３を介した冷却ガスＣＧの排気速度が増加しうる。
例示的な実施形態において、第１吸入ブロック１５３は、前記第２方向に互いに離隔された複数の第１吸入口１５３１を含む。この場合、複数の第１吸入口１５３１それぞれの寸法は、複数の第１噴射口１５１１それぞれの対応した寸法よりも大きくなる。例えば、複数の第１吸入口１５３１それぞれの垂直方向に沿う長さＨ２は、複数の第１噴射口１５１１それぞれの垂直方向に沿う長さＨ１より大きく、複数の第１吸入口１５３１それぞれの水平方向に沿う長さＷ２は、複数の第１噴射口１５１１それぞれの水平方向に沿う長さＷ１よりも大きくなる。また、第１吸入ブロック１５３に含まれた複数の第１吸入口１５３１の総面積は、複数の第１噴射口１５１１の総面積よりも大きくなる。
図５は、本発明の例示的な実施形態による冷却装置１５０ａを含む基板処理装置の一部を示す構成図である。以下、図１ないし図４を参照して説明した基板処理装置１０との違いを中心に、図５の冷却装置１５０ａを含む基板処理装置について説明する。
図５を参照すれば、第１ガス噴射ブロック１５１は、透明電極１４５の上面１４５１に対して傾斜した方向に前記冷却ガスＣＧを噴射するように構成されうる。例えば、第１ガス噴射ブロック１５１は、透明電極１４５の上面１４５１に対して１°（ｄｅｇｒｅｅ）～６０°の傾斜角θで冷却ガスＣＧを噴射する。第１ガス噴射ブロック１５１から噴射された冷却ガスＣＧは、透明電極１４５の第１エッジ１４５Ｅ１に向かって流動し、次いで、透明電極１４５の上面１４５１に沿って第１方向（例えば、Ｘ方向）に流動して第１吸入ブロック１５３の第１吸入口１５３１に吸入されうる。
図６は、本発明の例示的な実施形態による冷却装置１５０ｂを含む基板処理装置の一部を示す構成図である。以下、図１ないし図４を参照して説明した基板処理装置１０との違いを中心に、図６の冷却装置１５０ｂを含む基板処理装置について説明する。
図６を参照すれば、第１ガス噴射ブロック１５１は、移動可能に構成されうる。第１ガス噴射ブロック１５１は、冷却ガスＣＧの噴射方向が調節されるように移動することができる。第１ガス噴射ブロック１５１は、冷却ガスＣＧの噴射方向と透明電極１４５の上面１４５１がなす傾斜角θを調節されるように回転可能に構成されうる。例えば、第１ガス噴射ブロック１５１は、水平方向（例えば、Ｘ方向及び／またはＹ方向）及び／または垂直方向（例えば、Ｚ方向）に移動可能に構成されうる。例えば、第１ガス噴射ブロック１５１は、透明電極１４５の第１エッジ１４５Ｅ１に平行な方向（例えば、Ｙ方向）を回転軸（ｒｏｔａｔｉｏｎ ａｘｉｓ）として回転可能に構成されうる。冷却装置１５０ｂは、第１ガス噴射ブロック１５１を移動可能に構成されたアクチュエータ１５８を含む。アクチュエータ１５８は、第１ガス噴射ブロック１５１の水平移動、垂直移動、及び／または回転移動を制御する。アクチュエータ１５８は、第１ガス噴射ブロック１５１を線形移動させるか、回転させ、第１ガス噴射ブロック１５１から噴射される冷却ガスＣＧの噴射方向を調節することができる。
図７は、本発明の例示的な実施形態による冷却装置１５０ｃを含む基板処理装置の一部を示す構成図である。以下、図１ないし図４を参照して説明された基板処理装置１０との違いを中心に、図７の冷却装置１５０ｃを含む基板処理装置について説明する。
図７を参照すれば、冷却装置１５０ｃは、第１吸入ブロック１５３と第１方向（例えば、Ｘ方向）に対向するように配置された追加ガス噴射ブロック１５５をさらに含む。追加ガス噴射ブロック１５５は、透明電極１４５の第１エッジ１４５Ｅ１近傍に配置され、第１ガス噴射ブロック１５１上に配置されうる。追加ガス噴射ブロック１５５は、冷却ガス供給部（図１の１５２）から冷却ガスＣＧを供給されるように構成され、冷却ガスＣＧを噴射するように構成された少なくとも１つの噴射口１５５１を含む。
第１ガス噴射ブロック１５１と追加ガス噴射ブロック１５５は、互いに異なる方向に冷却ガスＣＧを噴射するように構成されうる。例示的な実施形態において、追加ガス噴射ブロック１５５は、透明電極１４５の上面１４５１に平行な方向に冷却ガスＣＧを噴射するように構成され、追加ガス噴射ブロック１５５は、透明電極１４５の上面１４５１に傾斜した方向に冷却ガスＣＧを噴射するように構成されうる。透明電極１４５に対する冷却を遂行するために、第１ガス噴射ブロック１５１と追加ガス噴射ブロック１５５とが同時に冷却ガスＣＧを噴射し、第１ガス噴射ブロック１５１と追加ガス噴射ブロック１５５のうち、いずれか１つのみが冷却ガスＣＧを噴射することもできる。
図８Ａ及び図８Ｂは、本発明の例示的な実施形態による冷却装置１５０ｄを含む基板処理装置の一部を示す構成図である。以下、図１ないし図４を参照して説明された基板処理装置１０との違いを中心に、図８Ａ及び図８Ｂの冷却装置１５０ｄを含む基板処理装置について説明する。
図８Ａ及び図８Ｂを図１と共に参照すれば、冷却装置１５０ｄは、前記第２方向（例えば、Ｙ方向）に対向するように配置された第２ガス噴射ブロック１５６及び第２吸入ブロック１５７をさらに含む。
第２ガス噴射ブロック１５６は、冷却ガス供給部１５２から冷却ガスＣＧを供給され、透明電極１４５に向けて冷却ガスＣＧを噴射するように構成されうる。第２ガス噴射ブロック１５６は、冷却ガスＣＧを噴射するように構成された少なくとも１つの第２噴射口１５６１を含む。第２噴射口１５６１が設けられた第２ガス噴射ブロック１５６の噴射面１５６３は、透明電極１４５に向かうように配置されうる。第２ガス噴射ブロック１５６は、チャンバ１１０の上部壁１１３上に配置され、透明電極１４５に垂直方向（例えば、Ｚ方向）に重畳されないように配置されうる。第２ガス噴射ブロック１５６は、透明電極１４５の上面１４５１に平行な方向及び／または透明電極１４５の上面１４５１に対して傾斜した方向に冷却ガスＣＧを噴射するように構成されうる。
第２吸入ブロック１５７は、第２ガス噴射ブロック１５６から噴射された冷却ガスＣＧを吸い込むように構成されうる。第２吸入ブロック１５７は、冷却ガスＣＧを吸い込むように構成された少なくとも１つの第２吸入口１５７１を含む。排気ポンプ１５４は、吸入ラインを通じて第２吸入口１５７１に連結され、第２吸入口１５７１に吸入された冷却ガスＣＧを排気する。第２吸入ブロック１５７は、チャンバ１１０の上部壁１１３上に配置され、透明電極１４５に垂直方向（例えば、Ｚ方向）に重畳されないように配置されうる。
例示的な実施形態において、第２ガス噴射ブロック１５６と第２吸入ブロック１５７は、透明電極１４５を挟んで前記第２方向（例えば、Ｙ方向）に互いに離隔され、第２ガス噴射ブロック１５６は、透明電極１４５の第３エッジ１４５Ｅ３近傍に配置され、第２吸入ブロック１５７は、透明電極１４５の第３エッジ１４５Ｅ３に反対となる第４エッジ１４５Ｅ４近傍に配置されうる。この際、第２ガス噴射ブロック１５６の噴射面１５６３、または第２噴射口１５６１は、第２方向（例えば、Ｙ方向）に第２吸入ブロック１５７の吸入面１５７３または第２吸入口１５７１と対向する。第２ガス噴射ブロック１５６と第２吸入ブロック１５７とが前記第２方向（例えば、Ｙ方向）に対向するように配置されることにより、第１ガス噴射ブロック１５１と第１吸入ブロック１５３との間には、透明電極１４５の上面１４５１に沿って第２方向（例えば、Ｙ方向）に均一に流動する冷却ガスＣＧの気流が形成されうる。
例示的な実施形態において、第２ガス噴射ブロック１５６及び第２吸入ブロック１５７は、前記第１方向（例えば、Ｘ方向）に延びたバー（ｂａｒ）状を有する。第２ガス噴射ブロック１５６の前記第１方向（例えば、Ｘ方向）に沿う長さ及び第２吸入ブロック１５７の前記第１方向（例えば、Ｘ方向）に沿う長さは、それぞれ透明電極１４５の第１方向（例えば、Ｘ方向）への長さ（または、最大幅）と同一であるか、またはさらに大きくもなる。
例示的な実施形態において、透明電極１４５に対する冷却を遂行するために、第１ガス噴射ブロック１５１と第２ガス噴射ブロック１５６のうち、いずれか１つだけが冷却ガスＣＧを噴射する。例えば、図８Ａに図示されたように、第１ガス噴射ブロック１５１から冷却ガスＣＧが噴射され、第１吸入ブロック１５３が冷却ガスＣＧを吸入して第１ガス噴射ブロック１５１と第１吸入ブロック１５３との間で第１方向（例えば、Ｘ方向）に向かう冷却ガスＣＧの気流が形成される間に、第２ガス噴射ブロック１５６を用いた冷却ガスＣＧの噴射及び第２吸入ブロック１５７を用いた冷却ガスＣＧの吸入は、中止されうる。または、図８Ｂに図示されたように、第２ガス噴射ブロック１５６から冷却ガスＣＧが噴射され、第２吸入ブロック１５７が冷却ガスＣＧを吸入して第２ガス噴射ブロック１５６と第２吸入ブロック１５７との間で第２方向（例えば、Ｙ方向）に向かう冷却ガスＣＧの気流が形成される間に、第１ガス噴射ブロック１５１を用いた冷却ガスＣＧの噴射及び第１吸入ブロック１５３を用いた冷却ガスＣＧの吸入は、中止されうる。一部例示的な実施形態において、透明電極１４５に対する冷却を遂行するために、第１ガス噴射ブロック１５１及び第２ガス噴射ブロック１５６は、同時に冷却ガスＣＧを噴射することもできる。
図９は、本発明の例示的な実施形態による冷却装置１５０ｅを含む基板処理装置の一部を示す構成図である。以下、図１ないし図４を参照して説明された基板処理装置との違いを中心に、図９の冷却装置１５０ｅを含む基板処理装置について説明する。
図９を図１と共に参照すれば、冷却装置１５０ｅは、フローガイドブロック１５９をさらに含む。フローガイドブロック１５９は、チャンバ１１０の上部壁１１３上に配置され、透明電極１４５に垂直方向に重畳されないように配置されうる。フローガイドブロック１５９は、透明電極１４５を挟んで第２方向（例えば、Ｙ方向）に互いに離隔されうる。フローガイドブロック１５９のうち、１つは、透明電極１４５の第３エッジ１４５Ｅ３近傍に配置され、第３エッジ１４５Ｅ３の一端から他端まで線形的に延び、フローガイドブロック１５９のうち、他の１つは、透明電極１４５の第４エッジ１４５Ｅ４近傍に配置され、第４エッジ１４５Ｅ４の一端から他端まで線形的に延びうる。
フローガイドブロック１５９は、第１ガス噴射ブロック１５１及び第１吸入ブロック１５３によって形成された冷却ガスＣＧの流れを案内するように構成されうる。すなわち、フローガイドブロック１５９は、第１ガス噴射ブロック１５１と第１吸入ブロック１５３との間で第１方向（例えば、Ｘ方向）に線形的に延び、第１方向（例えば、Ｘ方向）への冷却ガスＣＧの流れを案内する。また、フローガイドブロック１５９は、冷却ガスＣＧが透明電極１４５を外れて第２方向（例えば、Ｙ方向）に流動することを遮断し、冷却ガスＣＧの気流が形成される領域を限定するように構成されうる。
前述したように図面と明細書において例示的な実施形態が開示された。本明細書において特定の用語を使用して実施形態を説明したが、これは、単に本開示の技術的思想を説明するための目的で使用されたものであって、意味限定や請求範囲に記載した本開示の範囲を制限するために使用されたものではない。したがって、当該技術分野の通常の知識を有する者であれば、これらから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。したがって、本開示の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決定されねばならない。
１０ 基板処理装置
１１０ チャンバ
１２０ 支持テーブル
１４１ 誘電体プレート
１４５ 透明電極
１５０ 冷却装置
１５１ 第１ガス噴射ブロック
１５３ 第１吸入ブロック
１６０ レーザ供給ヘッド

Claims (20)

  1. 処理空間を提供するチャンバと、
    前記チャンバの前記処理空間内に提供され、基板を支持するように構成された支持テーブルと、
    前記チャンバの上部壁に提供された開口を覆う誘電体プレートと、
    前記誘電体プレート上に提供された透明電極と、
    前記透明電極及び前記誘電体プレートを通じて前記支持テーブルに支持された前記基板にレーザビームを供給するように構成されたレーザ供給ヘッドと、
    前記透明電極に冷却ガスを噴射して前記透明電極を冷却させるように構成された冷却装置と、を含む、基板処理装置。
  2. 前記冷却装置は、
    前記冷却ガスを噴射するように構成された少なくとも１つの第１噴射口を含む第１ガス噴射ブロックと、
    前記冷却ガスを吸い込むように構成された少なくとも１つの第１吸入口を含み、前記透明電極の上面に平行な第１方向に前記第１ガス噴射ブロックと対向するように配置された第１吸入ブロックと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の前記上面に平行な方向に前記冷却ガスを噴射するように構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の前記上面に傾斜した方向に前記冷却ガスを噴射するように構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の上面に平行であり、前記第１方向に垂直な第２方向に沿って互いに離隔された複数の第１噴射口を含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  6. 前記少なくとも１つの第１吸入口の前記第２方向に沿う長さは、前記複数の第１噴射口それぞれの前記第２方向に沿う長さより長いことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記冷却装置は、前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックとの間で、前記透明電極の前記上面に沿って一方向に流動する前記冷却ガスの気流を形成するように構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  8. 前記冷却装置は、
    前記冷却ガスを噴射するように構成された少なくとも１つの第２噴射口を含む第２ガス噴射ブロックと、
    前記冷却ガスを吸い込むように構成された少なくとも１つの第２吸入口を含み、前記透明電極の上面に平行であり、前記第１方向に垂直な第２方向に前記第２ガス噴射ブロックと対向するように配置された第２吸入ブロックと、をさらに含み、
    前記冷却装置は、前記第２ガス噴射ブロックと前記第２吸入ブロックとの間で、前記透明電極の前記上面に沿って前記第２方向に流動する前記冷却ガスの気流を形成するように構成されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記透明電極を挟んで前記第１方向に垂直な第２方向に互いに離隔されたフローガイドブロックをさらに含み、
    前記フローガイドブロックは、前記冷却ガスの前記第１方向へのフローを案内するように前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックとの間で前記第１方向に延びることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 前記第１ガス噴射ブロックを移動可能に構成されたアクチュエータをさらに含み、
    前記アクチュエータは、前記第１ガス噴射ブロックを移動させ、前記第１ガス噴射ブロックから噴射される前記冷却ガスの噴射方向を調節するように構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  11. 前記透明電極を挟んで前記第１吸入ブロックから前記第１方向に離隔された第３ガス噴射ブロックをさらに含み、
    前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の上面に平行な方向に前記冷却ガスを噴射するように構成され、
    前記第３ガス噴射ブロックは、前記透明電極の前記上面に傾斜した方向に前記冷却ガスを噴射するように構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  12. 前記誘電体プレートは、石英を含み、
    前記透明電極は、酸化インジウム錫を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  13. 前記冷却ガスは、清浄乾燥空気、窒素ガスのうち、少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  14. 前記処理空間に工程ガスを供給するように構成されたガス供給部と、
    前記透明電極に第１電源を供給するように構成された第１電源供給部と、
    前記支持テーブルの内部電極板に第２電源を供給するように構成された第２電源供給部と、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  15. 処理空間を提供するチャンバと、
    前記チャンバの前記処理空間内に提供され、基板を支持するように構成された支持テーブルと、
    前記処理空間に工程ガスを供給するように構成されたガス供給部と、
    前記チャンバの上部壁に提供された開口を覆う誘電体プレートと、
    前記チャンバの外部に提供され、前記誘電体プレート上に提供された透明電極と、
    前記透明電極に第１電源を供給するように構成された第１電源供給部と、
    前記支持テーブルの内部電極板に第２電源を供給するように構成された第２電源供給部と、
    前記透明電極及び前記誘電体プレートを通じて前記支持テーブル上の前記基板にレーザビームを供給するように構成されたレーザ供給ヘッドと、
    前記透明電極の上面に沿って一方向に流動する冷却ガスの気流を形成して前記透明電極を冷却させるように構成された冷却装置と、を含む、基板処理装置。
  16. 前記冷却装置は、
    前記冷却ガスを噴射するように構成された複数の第１噴射口を含む第１ガス噴射ブロックと、
    前記冷却ガスを吸い込むように構成された第１吸入口を含み、前記透明電極の第１エッジから第２エッジに向かう第１方向に前記第１ガス噴射ブロックから離隔された第１吸入ブロックと、を含み、
    前記複数の第１噴射口は、前記第１方向に垂直な第２方向に互いに離隔され、
    前記第１吸入口は、前記複数の第１噴射口それぞれと前記第１方向に対向することを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記第１ガス噴射ブロック及び前記第１吸入ブロックは、前記透明電極を挟んで前記第１方向に互いに離隔され、
    前記第１ガス噴射ブロックの前記第２方向への長さ及び前記第１吸入ブロックの前記第２方向への長さは、それぞれ前記透明電極の前記第２方向への長さより長いことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記第１ガス噴射ブロック及び前記第１吸入ブロックは、前記透明電極に前記透明電極の上面に垂直な垂直方向に重畳されないように配置されることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  19. 前記冷却装置は、前記レーザ供給ヘッドが前記基板に前記レーザビームを供給する間、前記透明電極に前記冷却ガスを供給して前記透明電極を冷却させるように構成されることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  20. プラズマが生成される処理空間を提供するチャンバと、
    前記チャンバの前記処理空間内に提供され、基板を支持するように構成された支持テーブルと、
    前記処理空間に工程ガスを供給するように構成されたガス供給部と、
    前記チャンバの上部壁に提供された開口を覆う誘電体プレートと、
    前記チャンバの外部に提供され、前記誘電体プレート上に提供された透明電極と、
    前記透明電極に第１電源を供給するように構成された第１電源供給部と、
    前記支持テーブルの内部電極板に第２電源を供給するように構成された第２電源供給部と、
    前記透明電極及び前記誘電体プレートを通じて前記支持テーブル上の前記基板にレーザビームを供給するように構成されたレーザ供給ヘッドと、
    前記透明電極に向けて冷却ガスを噴射するように構成された複数の第１噴射口を有する第１ガス噴射ブロック及び前記冷却ガスを吸い込むように構成された第１吸入口を有する第１吸入ブロックを含み、前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックは、前記透明電極を挟んで前記透明電極の上面に平行な第１方向に離隔された冷却装置と、を含み、
    前記第１ガス噴射ブロックは、前記透明電極の第１エッジ近傍に配置され、前記透明電極の第１エッジの一端から他端まで延び、
    前記第１吸入ブロックは、前記透明電極の前記第１エッジに反対となる第２エッジ近傍に配置され、前記透明電極の第２エッジの一端から他端まで延び、
    前記第１吸入口は、前記第１方向に前記複数の第１噴射口それぞれと対向し、
    前記第１吸入口の前記透明電極の前記上面に垂直な垂直方向への長さは、前記複数の第１噴射口それぞれの前記垂直方向への長さより大きく、
    前記冷却装置は、前記第１ガス噴射ブロックと前記第１吸入ブロックとの間で、前記透明電極の前記上面に沿って一方向に流動する前記冷却ガスの気流を形成するように構成された、基板処理装置。
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