JP4529647B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
通常、大気圧プラズマ処理装置としては一対の電極を有する平行平板型のプラズマ処理装置が用いられる。この平行平板型のプラズマ処理装置は、高周波電力が印加された電極間に処理ガスを導入してプラズマを発生し、該発生したプラズマによって当該電極間に配された基板の表面にプラズマ処理を施す。
従来、プラズマ処理装置によってプラズマ処理が施される基板はプリント基板やプラスチックフィルムなど比較的小型の基板であり、プラズマ処理装置は、プリント基板の半田濡れ性改善処理やプラスチックフィルムの表面改質処理、例えば、親液性または撥水性向上などを行っていた。
本発明のプラズマ処理装置は、電圧を印加した一対の電極間に供給した処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、該プラズマにより、被処理体における被処理面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記被処理体を搬送する搬送手段で構成され、前記プラズマが前記被処理面に沿って相対的に移動するように前記電極と前記被処理体とを相対移動させる相対移動機構と、
前記一対の電極間に形成される電極間ギャップの長さである電極間ギャップ長を変化させる電極間ギャップ長可変機構と、
前記電極に対する前記被処理面の高さを計測する高さ計測手段と、
前記電極に対する前記被処理面の高さに関する情報に基づいて前記電極間ギャップ長可変機構を作動させ、前記電極間ギャップ長を調整する電極間ギャップ長調整手段と、
前記処理ガスを供給する処理ガス供給口を有する処理ガス供給部とを備え、
前記一対の電極は、前記被処理体の搬送経路を挟んで互いに対向して配置されているとともに、前記被処理体の搬送方向と直交する方向に沿って細長い形状をなし、
前記処理ガス供給口は、一方の前記電極を貫通するとともに、前記搬送方向と直交する方向に沿って細長く開口し、
前記高さ計測手段は、前記被処理面の四隅付近および中央部における高さを同時に計測可能なように、5個以上設けられており、
前記被処理面のうちの、前記プラズマが照射される部位の前記電極に対する高さに応じて、前記電極間ギャップ長調整手段により前記電極間ギャップ長を調整しつつ、前記プラズマを前記被処理面に沿って相対的に移動させて前記被処理面をプラズマ処理することを特徴とする。
また、従来の大気圧プラズマ処理装置では、ギャップおよび整合器の調整に時間がかかり、装置を安定稼動させるまではカット・アンド・トライの繰り返しであるが、本発明のプラズマ処理装置によれば、電極間ギャップが自動的に調整されるので、短期間で安定稼動させることができる。
これにより、被処理面に対するプラズマの当たり具合をさらに高いレベルで均一にすることができるので、被処理面の全体をより均一にプラズマ処理することができる。
これにより、簡単な構造で、電極間ギャップ長を変化させることができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記相対移動機構は、前記被処理体を搬送する搬送手段で構成され、
前記一対の電極は、前記被処理体の搬送経路を挟んで互いに対向して配置されているとともに、前記被処理体の搬送方向と直交する方向に沿って細長い形状をなしていることが好ましい。
これにより、プラズマ処理装置を小型化することができ、被処理体が大型のものである場合であっても、プラズマ処理装置のレイアウトを容易にすることができる。
これにより、プラズマが拡散するのを確実に防止することができ、プラズマ処理領域の制御を容易に行うことができる。
本発明のプラズマ処理装置では、前記搬送手段は、ローラーコンベアであることが好ましい。
これにより、被処理体を一対の電極の間の空間に安定して搬送することができ、もってプラズマ処理の均一化をより充分に達成することができる。
図1は、本発明のプラズマ処理装置の実施形態を示す斜視図である。
図1に示すように、プラズマ処理装置(大気圧プラズマ処理装置)1は、例えばガラス基板のような平板状のワーク(被処理体)2を搬送する搬送手段としての第1のコンベア3および第2のコンベア4と、ワーク2に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理部5と、ワーク2の被処理面21の高さを計測するワーク計測部6とを備える。
また、第1のコンベア3および第2のコンベア4におけるローラーコンベア8の高さは、プラズマ処理部5における後述の処理空間24とほぼ同じ高さに設定される。したがって、第1のコンベア3および第2のコンベア4は、ワーク2をプラズマ処理部5における処理空間24へ搬送する。
ワーク計測部6は、第2のコンベア4の上方に配置されている。ワーク計測部6では、ワーク2の被処理面21の高さを計測する。このワーク計測部6については、後述する。
図2に示すように、プラズマ処理部5の内部には、上下動可能に設置された上部電極部10と、該上部電極部10に対してワーク2の搬送経路を挟んで対向するように下方に固定的に設置された下部電極11と、上部電極部10を上下動させる電極間ギャップ長可変機構9とが設けられている。
上部電極部10の両端部は、それぞれ、リニアガイド91によって支持されている。上部電極部10は、両リニアガイド91に案内され、上下方向にスムーズに移動可能になっている。
このように、本実施形態では、リニアガイド91、サーボモータ92、送りねじ93および可動片94により、電極間ギャップ長可変機構9が構成される。
図3に示すように、上部電極部10内には、印加電極14と、印加電極14の下側に接合された誘電体15とが設置されている。印加電極14は、導電性の材料、例えば、銅などで構成され、誘電体15は、セラミックス、例えば、SiO2などで構成されている。
下部電極11は、接地されており、アース電極として機能する。
本実施形態では、印加電極14、誘電体15および下部電極11は、それぞれ、ワーク搬送方向(図3中の白抜き矢印で示す方向)と直交する方向に沿って細長い形状をなしている。また、印加電極14および誘電体15には、ワーク搬送方向と直交する方向に沿って細長く延びるスリット状の処理ガス供給口18が貫通するように形成されている。
図4に示すように、上部電極部10内には、印加電極14および誘電体15を上下方向に貫通する処理ガス供給口18を有する処理ガス供給部23が設けられている。
処理ガス供給口18から噴出された混合ガスのうち処理ガスは、処理空間24に形成された高周波電界Eに流入し、放電によって活性化されてプラズマ、例えば、イオンやラジカルになる。該プラズマはワーク2の表面に接触してプラズマ処理を施す。
このような構成により、処理空間24に外気が流入するのを確実に防止することができ、処理空間24のプラズマを安定的に発生させることができる。
図5に示すように、ワーク計測部6内には、下部電極11に対するワーク2の被処理面21の高さを計測する高さ計測手段61が設けられている。高さ計測手段61は、5個設けられている。5個の高さ計測手段61は、ワーク2が第2のコンベア4によって所定の位置に搬送されたときに、被処理面21の四隅付近および中央に対して対向するような位置にそれぞれ設置されている。
なお、高さ計測手段61としては、レーザー変位計に限らず、他の光学式センサ、超音波センサ、機械式センサなど、いかなるものでもよい。
図6に示すように、高周波電源12は、整合器13に接続されており、該整合器13は、印加電極14に接続されている。これにより、高周波電源12は、印加電極14と電気的に接続され、高周波電源12は所定の高周波電力を印加電極14に供給する。
所定の高周波電力を供給された印加電極14は、下部電極11に向けて放電を行うことによって処理空間24に高周波電力を印加して高周波電界Eを形成する。これにより、処理空間24に供給されている処理ガスが活性化してプラズマが発生する。
また、プラズマ処理装置1は、プラズマ処理装置1の各部を制御する制御部25を有している。制御部25は、後述するようなプラズマ処理装置1の一連の動作を実現させるための各種プログラムを記憶した記憶部と、該プログラムを実行するCPUとを備えたコンピュータで構成されている。
また、制御部25は、電極間ギャップ長可変機構9のサーボモータ92をオープンループ制御することにより、電極間ギャップ長L1の大きさを制御する。あるいは、電極間ギャップ長L1を検出するセンサーを設けてクローズドループ制御を行うことによって電極間ギャップ長L1を制御するようにしてもよい。
まず、作業者が第1のコンベア3のローラーコンベア8上にワーク2を載置する。ワーク2が第1のコンベア3上に載置されたら、第1のコンベア3および第2のコンベア4が作動し、ワーク2を第2のコンベア4上の所定位置へ搬送する。これにより、ワーク2は、ワーク計測部6内に入り、被処理面21が5個の高さ計測手段61と対向する。
この状態で、5個の高さ計測手段61が、被処理面21の四隅付近および中央の5箇所の高さを同時に計測する。各高さ計測手段61は、計測結果を示す信号を制御部25へ出力する。
制御部25は、算出したインピーダンス値に基づいて、整合範囲内であるか否かを判断する。もし、インピーダンス値が、放電(着火)しにくいような値であった場合には、高周波電源12の出力を調整して、放電(着火)し易い状態とする。
ワーク2が処理空間24を通過する間、制御部25は、被処理面21の高さデータに基づいて電極間ギャップ長可変機構9を作動させ、電極間ギャップ長L1を逐次調整する。すなわち、本実施形態では、制御部25は、電極間ギャップ長調整手段としての機能を有している。
なお、ワーク2が処理空間24を通過する際、ガス回収部19a、19bは、処理空間24に存在するプラズマやキャリアガスを回収する。
処理空間24を通過したワーク2は、第1のコンベア3のローラーコンベア8まで搬送され、作業者は該搬送されたワーク2を取り出す。これにより、ワーク2に対するプラズマ処理が終了する。
また、上述したプラズマ処理装置1では、第1のコンベア3および第2のコンベア4はローラーコンベア8を有し、該ローラーコンベア8によってワーク2を搬送するので、ワーク2を処理空間24に安定して搬送することができ、もってプラズマ処理の均一化をより充分に達成することができる。
さらに、上述したプラズマ処理装置1では、ガス回収部19a、19bを設けたことにより、プラズマが拡散するのを確実に防止することができ、プラズマ処理領域の制御を容易に行うことができる。
例えば、上記実施形態のプラズマ処理装置1における高さ計測手段61は、ワーク2を停止させた状態で被処理面21の高さを計測するが、このような構成に限らず、例えば、処理空間24の入口付近に高さ計測手段61を設け、ワーク2を搬送してこの高さ計測手段61の下を通過させながら被処理面21の高さを連続的に計測するようにしてもよい。
また、上記実施形態のプラズマ処理装置1は、被処理面21の高さを計測する高さ計測手段61を備えていたが、本発明では、高さ計測手段61を備えないものでもよい。その場合には、別個の高さ計測装置を用い、予め別の工程(外段取り)として被処理面21の高さを計測しておき、その計測結果をプラズマ処理装置に入力するようにすればよい。
印加電極14および下部電極11の材料としては、銅の他に、アルミニウムなどの金属単体、ステンレス、真鍮などの合金、金属間化合物などが挙げられる。
また、誘電体15の材料としては、SiO2に限られず、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチック、ガラス、Al2O3、ZrO2、TiO2などの金属酸化物、BaTiO3(チタン酸バリウム)などの複酸化物などを用いることができる。ここで、25℃における比誘電率が10以上のものである誘電体15を用いれば、高周波電界Eにおいて、低電圧で高密度のプラズマを発生させることができ、処理効率が向上する。
また、本発明のプラズマ処理装置が施すプラズマ処理の種類は、親水処理、撥水処理、アッシング処理、成膜処理、ダイシング処理またはエッチング処理などのいずれであってもよい。
例えば、ワーク2の表面を撥水化する撥水処理では、処理ガスとして、C2F6、C3F6、CClF3、SF6などのフッ素含有化合物ガスが用いられる。また、ワーク2の表面を親水化する親水処理では、処理ガスとして、O3、H2O、空気などの酸素元素含有化合物、N2、NH3などの窒素元素含有化合物、SO2、SO3などの硫黄元素含有化合物が用いられる。これにより、ワーク2の表面にカルボニル基、水酸基、アミノ基などの親水性官能基を形成させて表面エネルギーを高くし、親水性表面を得ることができる。また、アクリル酸、メタクリル酸などの親水基を有する重合性モノマーを用いて親水性重合膜を堆積することもできる。
エッチング処理やダイシング処理では、ハロゲン系ガスが用いられ、レジスト処理や有機物汚染の除去では、酸素系ガスが用いられる。表面クリーニングや表面改質では、Ar、N2などの不活性ガスが処理ガスとして用いられ、不活性ガスのプラズマで表面クリーニングや表面改質が行われる。
キャリアガスとしても、Heガスに限られず、Ne、Ar、Xeなどの希ガス、N2ガスなどが用いることができ、これらは単独でも2種以上を混合した形態でも用いられる。
Claims (6)
- 電圧を印加した一対の電極間に供給した処理ガスを活性化させてプラズマを発生させ、該プラズマにより、被処理体における被処理面をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、
前記被処理体を搬送する搬送手段で構成され、前記プラズマが前記被処理面に沿って相対的に移動するように前記電極と前記被処理体とを相対移動させる相対移動機構と、
前記一対の電極間に形成される電極間ギャップの長さである電極間ギャップ長を変化させる電極間ギャップ長可変機構と、
前記電極に対する前記被処理面の高さを計測する高さ計測手段と、
前記電極に対する前記被処理面の高さに関する情報に基づいて前記電極間ギャップ長可変機構を作動させ、前記電極間ギャップ長を調整する電極間ギャップ長調整手段と、
前記処理ガスを供給する処理ガス供給口を有する処理ガス供給部とを備え、
前記一対の電極は、前記被処理体の搬送経路を挟んで互いに対向して配置されているとともに、前記被処理体の搬送方向と直交する方向に沿って細長い形状をなし、
前記処理ガス供給口は、一方の前記電極を貫通するとともに、前記搬送方向と直交する方向に沿って細長く開口し、
前記高さ計測手段は、前記被処理面の四隅付近および中央部における高さを同時に計測可能なように、5個以上設けられており、
前記被処理面のうちの、前記プラズマが照射される部位の前記電極に対する高さに応じて、前記電極間ギャップ長調整手段により前記電極間ギャップ長を調整しつつ、前記プラズマを前記被処理面に沿って相対的に移動させて前記被処理面をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記電極間ギャップ長調整手段は、前記被処理面と前記被処理面に対向する電極との間に形成される放電ギャップの長さである放電ギャップ長が可及的に一定となるように、前記電極間ギャップ長を調整する請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 前記一対の電極のうち、前記被処理面側に位置する電極は、前記電極間ギャップ長可変機構の作動によって移動し、前記被処理面と反対側に位置する電極は、固定的に設置されている請求項1または2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記相対移動機構は、前記被処理体を搬送する搬送手段で構成され、
前記一対の電極は、前記被処理体の搬送経路を挟んで互いに対向して配置されているとともに、前記被処理体の搬送方向と直交する方向に沿って細長い形状をなしている請求項1ないし3のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - 一方の電極と前記被処理体との間の空間に供給された処理ガスを回収するガス回収部をさらに備える請求項1ないし4のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
- 前記搬送手段は、ローラーコンベアである請求項1ないし5のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
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