JP2005179711A

JP2005179711A - レーザーｃｖｄ装置

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Publication number: JP2005179711A
Application number: JP2003419469A
Authority: JP
Inventors: Yoshiko Asakawa; 佳子浅川
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2003-12-17
Filing date: 2003-12-17
Publication date: 2005-07-07

Abstract

【課題】反応槽からのガスの漏洩を防止すること。
【解決手段】ＣＶＤ装置１は、反応槽５内においてレーザー照射によりＣＶＤガスを反応させて基板表面に金属薄膜を形成する。反応槽５にＣＶＤガスを供給するガス供給機構１００を備える。ガス供給機構１００は、ＣＶＤガスを供給及び排気する複数の第１ノズルと、シールドガスを供給及び排気する第２ノズルとを備える。第１ノズルはレーザー光を基板に対して垂直に導入する孔を中心部分に有し、この孔を通してレーザー光の照射を行う。第２ノズルは、シールドガスを基板側に供給する開口部を有する環状管と、供給したシールドガスを排気する開口部を有する環状管とを径方向に交互に配置して有する。第１ノズルと第２ノズルは、内側に第１ノズルを外側に第２ノズルを同心円状に配置する。ＣＶＤガスを不活性ガスによりシールドすることにより反応槽からのガスの漏洩を防止する。
【選択図】図１

Description

本発明は、試料に対してレーザー光を照射することにより試料表面に金属膜を蒸着するレーザーＣＶＤ装置に関する。

レーザーＣＶＤ装置では、試料表面に金属化合物のＣＶＤガスを供給しながらレーザー光を照射することにより試料表面に金属膜を蒸着する。

従来、ＣＶＤガスを供給する方法として、試料を収納する容器にノズルを取り付け、容器内にＣＶＤガスを充満させる第１の方法、試料表面のレーザー光照射点の側方又は斜め上方からＣＶＤガスを照射点に吹き付ける第２の方法、ガス供給用の穴が明けられたガスノズルから試料上の照射点に垂直上方から吹き付ける第３の方法等が知られている（特許文献１）。
特許２７７６２１８号公報

金属カルボニルを気化させると、金属元素と共に一酸化炭素（ＣＯ）が生成される。例えば、Ｗ（ＣＯ）_６の金属カルボニルを気化させると、タングステンＷと共に一酸化炭素（ＣＯ）が生成される。この一酸化炭素（ＣＯ）は人体にとって有害であるため、常温常圧下で使用するには一酸化炭素（ＣＯ）を大気中に放出させないように排気を行う必要がある。

また、反応槽内において、供給されたＣＶＤガスが全て反応に用いられるとは限らず、未反応のまま排出される場合がある。したがって、この未反応のＣＶＤガスについても外気と遮断する必要がある。

上記した従来のＣＶＤガスの供給方法では、一酸化炭素（ＣＯ）や未反応のＣＶＤガスが大気中に漏洩するおそれがあるという問題がある。

上記した文献に示される第３の方法では、垂直上方からＣＶＤガスを吹き付け、また、ノズルの周囲に排気口を設けることにより、ＣＶＤガスの濃度を一定に保つと共に照射点付近に不要なガスが侵入しないように防ぐ効果があることが示されている。

しかしながら、上記方法は有害なガスや未反応のＣＶＤガスが大気中に漏洩するのを防ぐものではなく、仮に、ノズルの周囲に設けた排気口が有害なガスや未反応のＣＶＤガスを排気する効果を有するとしても、供給されるガス圧力が変動するなどによって排気能力が低下すると、有害なガスや未反応のＣＶＤガスが大気中に漏洩するおそれがある。

そこで、本発明は、反応槽からのガスの漏洩を防止することを目的とする。

本発明は、ＣＶＤガスを不活性ガスによりシールドすることにより反応槽からのガスの漏洩を防止するものであり、ガスシールドを多重とすることにより、圧力変動などによるシールド効果の低下を防ぐものである。

本発明のＣＶＤ装置は、反応槽内においてレーザー照射によりＣＶＤガスを反応させて基板表面に金属薄膜を形成するＣＶＤ装置であって、反応槽にＣＶＤガスを供給するガス供給機構を備える。

本発明のガス供給機構は、ＣＶＤガスを供給及び排気する複数の第１ノズルと、シールドガスを供給及び排気する第２ノズルとを備える。第１ノズルはレーザー光を基板に対して垂直に導入する孔を中心部分に有し、この孔を通してレーザー光の照射を行う。一方、第２ノズルは、シールドガスを基板側に供給する開口部を有する環状管と、供給したシールドガスを排気する開口部を有する環状管とを径方向に交互に配置して有する。第１ノズルと第２ノズルは、内側に第１ノズルを外側に第２ノズルを同心円状に配置する。

シールドガスは、環状管の開口部から基板側に供給された後、隣接する環状管の開口部から排気され、これによって一つのガスシールドが形成される。本発明の第２ノズルは、シールドの供給を行う環境管と排気を行う環状管を多重に設けることによって、多重のガスシールドを構成する。

本発明のガス供給機構の構成によれば、第２ノズルが形成するガスシールドが第１ノズルを同心円の外周から多重に囲むことになるため、第１ノズルから供給されたＣＶＤガス及びＣＶＤガスから生成される有毒ガスの大気側への漏洩をより効果的に防ぐことができる。

第２ノズルが形成するガスシールドのガス圧は、中心から外周に向かって順に高くなるように設定し、第２ノズルの最外周のガス圧はほぼ大気圧とする。これにより、ＣＶＤガスが供給されレーザー光による蒸着が行われる部分と大気圧部分の圧力差を段階的なものとし、大気側からのＣＶＤの反応部分への大気の急激な流入を防ぐことができる。

また、本発明のＣＶＤ装置は、第１ノズルは前記中心部分の孔を挟んで対向配置した供給口及び排気口を備え、供給口から排気口の方向を走査方向としてレーザー光を走査する。これにより、基板表面上においてＣＶＤガスが流れる方向を一定方向に制御すると共に、レーザー光を走査する際の走査方向をこのＣＶＤガスが流れる方向と一致させることにより、ＣＶＤガスの供給及び排気の効率を高めることができる。

本発明のＣＶＤ装置に使用するＣＶＤガスは、固体の金属カルボニル化合物を気化させた金属カルボニルガスであり、多重のガスシールドにより金属カルボニルガスの大気側への漏洩を防ぐことにより、反応槽において基板を加熱することなく、常温常圧において金属膜を基板表面に蒸着させることができる。

本発明によれば、反応槽からのガスの漏洩を防止することができる。

以下、図を用いて発明を実施するための最良の形態を説明する。

図１は、本発明のレーザーＣＶＤ装置の一構成例を説明するための概略図であり、金属カルボニルのガス濃度モニタ装置を備える構成について示している。

レーザーＣＶＤ装置１は、反応槽５と反応槽５にレーザー光を照射するレーザー照射手段４を備え、反応槽５は基板１３を載置するＸＹステージ６を備える。反応槽５では、ＣＶＤガスを供給すると共にレーザー光を照射することによってＣＶＤガスを分解し、基板１３の表面上に薄膜を生成する。レーザー照射手段４は、基板１３上のレーザー光の照射位置を光学的に観察する光学・観察手段を備えることができ、レーザー照射，光学・観察ユニットを構成することができる。

反応槽５は、基板１３にＣＶＤガスを供給し排気、反応後の分解生成物を排気するガス供給機構１００を備える。反応槽５内にはＣＶＤガスが供給され、ガス供給機構１００により基板１３に吹き付けられる。ＣＶＤガスの供給は、気化手段３内に充填した金属カルボニルの固体材料を気化させて金属カルボニルガスを形成し、キャリア／パージガス源２からアルゴンガス等の一定流量のキャリアガスを流すことによって行うことができる。

キャリア／パージガス源２と気化手段３との間にはバルブ２１，２３が設けられ、キャリアガスの気化手段３への供給制御が行われる。また、気化手段３と反応槽５との間にはバルブ２４が設けられ、気化手段３で気化したＣＶＤガスの排出制御が行われる。ここで、金属カルボニルとしては例えばＷ（ＣＯ）_６が用いられる。

反応槽５の排出側の配管には加熱手段７が設けられ、反応槽５から排出された排出ガスを加熱し、反応槽５内で未反応であったＣＶＤガスを熱分解する。加熱手段７は、未反応のＣＶＤガスを加熱分解により生成した分解生成物を排出すると共に、反応槽５内においてレーザー照射により薄膜を形成したＣＶＤガスの残り分解生成物を排出する。

加熱により生成される分解生成物は、ＣＶＤガスに含まれる薄膜形成用の金属と化合物を含み、Ｗ（ＣＯ）_６の場合にはＷとＣＯの混合ガスとなる。したがって、加熱手段７は、ＣＶＤガスがＷ（ＣＯ）_６ガスである場合には、反応槽５から供給されたレーザー照射により生成されるＣＯをそのまま排出すると共に、反応槽５で未反応のまま排出されたＣＶＤガスを熱により分解して得られる分解生成物のＷとＣＯの混合ガスを排出する。

なお、後述するバイパス経路３２を介することによって反応槽５を通らずにＣＶＤガスが直接に加熱手段７に供給された場合には、供給されたＣＶＤガスを熱により分解し、この熱分解で得られる分解生成物（ＷとＣＯ（及び／又はＣＯ_２）の混合ガス））を排出する。

加熱手段７から排出された分解生成物は、フィルタ８（８ａ，８ｂ）で金属が取り除かれた後、分析手段９によってガス濃度が検出される。ＣＶＤガスがＷ（ＣＯ）_６ガスである場合には、フィルタ８により金属Ｗが除去されるため、分析手段９は残りの分解生成物（ＣＯガス及び／又はＣＯ_２ガス）のガス濃度を検出することになる。

加熱手段７により未反応のＣＶＤガスについても分解生成物に分解されるため、分析手段９は、反応槽５に供給されるＣＶＤガスに含まれる組成物の内で、薄膜形成に使用された残りの組成物を含めて検出対象の組成物の全濃度を検出することができる。

検出対象の組成物がＣＯ及び／又はＣＯ_２である場合には、赤外線分析装置（ＩＲモニタ）を用いることができる。分析手段９から排出されたＣＯ（及び／又はＣＯ_２）ガスはＣＯ除害手段１０に通され、ＣＯの除去あるいは阻害性を除去する。

分析手段９で検出した検出信号はデータ処理演算部１２において信号処理され、ＣＯ等の分解生成物のガス濃度の算出、分解生成物のガス濃度からＣＶＤガスのガス濃度の算出、薄膜生成に用いられた金属量の算出、ＣＶＤガスの元である固体材料の残量算出等の算出演算が行われる。

例えば、ＣＶＤガスがＷ（ＣＯ）_６の金属カルボニルである場合には、Ｗ（ＣＯ）_６はレーザー照射によってＷと６（ＣＯ）に分解され、Ｗは基板１３上に成膜され、残りの６（ＣＯ）は分解生成物として排出される。未反応のＣＶＤガスについても加熱手段７においてＷと６（ＣＯ）に分解し、この分解生成物（ＣＯ）を反応槽５からの分解生成物（ＣＯ）と共に分析手段９で検出するため、分解生成物（ＣＯ）のガス濃度は、ＣＶＤガスのガス濃度、ＣＶＤガスの元となる固体材料の残量、成膜に用いられた金属（Ｗ）の量と組成比率に応じて定まる一定の関係を有している。したがって、分解生成物（ＣＯ）のガス濃度から、ＣＶＤガスのガス濃度、ＣＶＤガスの元となる固体材料の残量、成膜に用いられた金属（Ｗ）の量を算出することができる。なお、図１中の破線の矢印は制御信号を表している。

データ処理演算部１２で算出したＣＶＤガスのガス濃度、ＣＶＤガスの元となる固体材料の残量、成膜に用いられた金属（Ｗ）の量等のデータは制御ユニット１１に送られ、バルブ制御や気化手段３の制御、及び反応槽５の制御に用いられる。

レーザーＣＶＤ装置１は、反応槽５をバイパスして気化手段３と加熱手段７を接続する分岐切替手段３１，バイパス経路３２，及び分岐手段３３を備える。分岐切替手段３１は、バルブ２４を介して気化手段３から供給されるＣＶＤガスを反応槽５と加熱手段７に切り替えて分岐する手段であり、加熱手段７へはバイパス３２及び分岐手段３３を介して供給される。一方、反応槽５に送られるＣＶＤガスは、反応槽５においてレーザー照射によって基板１３上に薄膜を形成し、残りの分解生成物及び未反応のＣＶＤガスを排出する。排出されたガスは、分岐手段３３を介して加熱手段７に送られる。

また、本発明のレーザーＣＶＤ装置１は、反応槽５にパージガスを供給する経路を備える。このパージガスを供給する経路は、バルブ２１とバルブ２３と間からバルブ２２を介して反応槽５にパージガスを供給する経路を備える。供給されたパージガスは、ガス供給機構１００から基板１３に送られ、有害な分解生成物や未反応のＣＶＤガスが大気側に漏洩させないためのガスシールドとして用いられる。

反応槽５から排出されたパージガスは分岐手段３４を通して排出される。なお、フィルタ８ａ，８ｂは、分岐手段３４に対して加熱手段７側あるいは分析手段９側に何れの位置に配置してもよい。

また、バルブ２１，２２，２３、及び気化手段３と反応槽５との間に設けられた配管にはヒータ等による温度制御手段４１が設けられ、反応槽５に供給するガスを所定温度に保持している。

次に、本発明のレーザーＣＶＤ装置が備えるガス供給機構について、図２〜図８を用いて説明する。

図２はガス供給機構の概略を説明するための図である。なお、図２（ｂ）では、一部（第２ノズル）を切り欠いて断面を示している。

ガス供給機構１００は、同心円状に配置した第１ノズル１０１と第２ノズル１０２を備える。第１ノズル１０１は、ガス供給機構１００の内側に配置するノズル機構であり、ＣＶＤガスの供給及び排気を行う。一方、第２ノズル１０２は、第１ノズル１０１の外周に配置するノズル機構であり、ガスシールドを形成するパージガスの供給及び排気を行う。この第２ノズル１０２は、径方向に順に複数配置することにより多重のガスシールドを形成する。なお、図２では、第２ノズル１０２ではパージガスの供給，排気を行う一組の構成のみを占めている。

第１ノズル１０１は、中心部分にレーザー光１１０を通す孔１０３を有し、また、基板側の面にはＣＶＤガスを供給するための開口部１０４Ａ，１０５Ａと、反応後のＣＶＤガスを排気するための開口部１０４Ｂ，１０５Ｂとが形成される。開口部１０４Ａには供給管１０７ＡからＣＶＤガスが供給され、開口部１０５Ａには供給管１０８ＡからＣＶＤガスが供給される。また、開口部１０４Ｂは反応後のＣＶＤガスを吸気して排気管１０７Ｂから反応槽外に排気し、開口部１０５Ｂは反応後のＣＶＤガスを吸気して排気管１０８Ｂから反応槽外に排気する。

ここで、開口部１０４Ａ（及び供給管１０７Ａ）と開口部１０４Ｂ（及び排気管１０７Ｂ）は給排気の組を構成し、開口部１０５Ａ（及び供給管１０８Ａ）と開口部１０５Ｂ（及び排気管１０８Ｂ）は給排気の別の組を構成する。２つの給排気の組は、第１ノズル１０１の面上で直交した配置され、いずれか一方の組を用いてＣＶＤガスの給排気を行うことにより、基板上においてＣＶＤガスの流れの方向を９０°変更することができる。

図２（ａ）、（ｂ）中の白抜きの矢印は、供給管１０７Ａを通して開口部１０４Ａから基板側に供給され、開口部１０４Ｂから吸気され排気管１０７Ｂを通して反応槽外に排気されるＣＶＤガスを示している。また、図２（ｂ）中の斜線を付した矢印は、供給管１０８Ａを通して開口部１０５Ａから基板側に供給され、開口部１０５Ｂから吸気され排気管１０８Ｂを通して反応槽外に排気されるＣＶＤガスを示している。

第２ノズル１０２は、第１ノズル１０１の外周を囲むように配置し、不活性ガスのパージガスによってガスシールドを形成し、第１ノズル１０１から供給されたＣＶＤガスや、ＣＶＤ反応によって生成された分解生成物（例えば、一酸化炭素（ＣＯ））の大気中への漏洩を防止する。

第２ノズル１０２は、パージガスを供給するための環状管１０２ａとパージガスを排気するための環状管１０２ｂを備える。なお、図２では環状管１０２ａと環状管１０２ｂによって形成する一重のガスシールドについて示しているが、本発明の第２ノズル１０２は、これら環境管を径方向に順に配置することにより多重のガスシールドを形成する。図２では、説明の便宜上から一重のガスシールドのみを示している。

環状管１０２ａは供給管１０９ａからパージガスの供給を受け、基板側に形成した開口部１０６ａを通して基板側にパージガスを供給する。開口部１０９ａは、環状管１０２ａの周方向に沿って形成した溝の構成とすることも、あるいは複数の穴の構成とすることもできる。開口部１０９ａから供給されたパージガスは第１ノズル１０１の外周を覆うガスシールドを形成し、第１ノズル１０１から供給されたＣＶＤガスや一酸化炭素（ＣＯ）等の分解生成物の外側への漏洩を防ぐ作用を奏する。

図３は、供給管１０８ＡからのＣＶＤガスを開口部１０５Ａから基板側に供給し、その後、未反応のＣＶＤガスや一酸化炭素（ＣＯ）等の分解生成物を開口部１０５Ｂから排気管１０８Ｂに排気する場合を示している。

基板１３の広い面積部分に薄膜を形成する場合には、レーザー光１１０の走査し、レーザー照射位置を順に移動させる。このとき、レーザー光１１０を走査すると共に、ガス供給機構もレーザー光１１０と同期して移動させる。このガス供給機構の移動において、ＣＶＤガスの流れる方向と、レーザー光の走査方向（及びガス供給機構の移動方向）とを一致させる。図３は、第１ノズル１０１上に設けた供給・排気の開口部の２組の組み合わせの内、一方の組み合わせの例を示し、ＣＶＤガスを開口部１０４Ａから供給し、開口部１０４Ｂから排気する場合を示しており、このＣＶＤガスの流れる方向と同方向に向かってレーザー光１１０を走査する。

ＣＶＤガスの流れる方向とレーザー光の走査方向とを一致させることにより、レーザー光は常にＣＶＤガスが流れる部分を通過することになり、ＣＶＤガスの供給・排気の効率及びレーザー光によるＣＶＤ反応の効率を高めることができる。

また、第１ノズル１０１上に設けた供給・排気の開口部の２組の組み合わせの内、他方の組み合わせを用いることもできる。図４は、ＣＶＤガスを開口部１０５Ａから供給し、開口部１０５Ｂから排気する場合を示している。この場合には、図３の場合と直交する方向にレーザー光を走査して、ＣＶＤガスの流れる方向と同方向に向かってレーザー光１１０を走査する。

ＣＶＤガスの供給・排気を行う開口部及び供給・排気管の選択とレーザー光の走査方向との同期制御は、制御ユニット１１の制御で行うことができる。

次に、ＣＶＤガスの流れと、パージガスによるガスシールドとの関係を図５，６を用いて説明する。

図５は、第２ノズル１０２の供給と排気の配置順を中心から外側に向かって供給、排気の順として複数のガスシールドを構成する例を示している。図５に示す第２ノズル１０２は、中心から１０２ａ〜１０２ｅの５個のノズルを備える例を示している。図中の黒い矢印はパージガスの供給、排気と、基板上に形成されるガスシールドを示している。また、図では、供給を行う環状管及び供給管に字模様を付して、排気を行う環状管及び供給管と区分して示している。

これにより、中心部にあるＣＶＤガスの雰囲気部分は、多重のガスシールドで囲まれることになる。

図５（ｂ）は、この構成における圧力分布例を示している。ガスシールドを構成する圧力は、中心部分から外周に向かって順に高くなるように設定され、ガスシールドの最外周部分の圧力は大気圧となるよう設定する。

このガスシールドの圧力差によって、中心部分のＣＶＤガスや分解生成物の大気側への漏洩は防止される。例えば、図中の一点鎖線で示すＣＶＤガスや分解生成物の圧力は低圧であるため、その外周部分の高い圧力で供給されるパージガスにより外側への流出は抑制される。仮に、供給されるパージガスの外側に流出した場合であっても、その外側に配置した排気ノズルにより排気される。

本発明では、この供給と排気からなるガスシールドを径方向に多重に設けることによって、中心部分のＣＶＤガスや分解生成物の漏洩を多段階で防ぐことにより、大気側への漏洩を確実に防ぐことができる。

なお、ここでは、パージガスの供給圧は大気以上としているが、隣接する排気圧より高ければ大気圧以下でもよい。

図６は、複数のガスシールドの他の構成例を示している。図６の構成は、第２ノズル１０２の供給と排気の配置順を中心から外側に向かって排気、供給の順として複数のガスシールドを構成する例であり、図５の構成とは供給と排気の順が逆である他は共通である。

図６の構成においても、ガスシールドを構成する圧力は、中心部分から外周に向かって順に高くなるように設定され、ガスシールドの最外周部分の圧力は大気圧となるよう設定する。

図６の構成においても、図５の構成と同様に、ガスシールドの圧力差によって、中心部分のＣＶＤガスや分解生成物の大気側への漏洩を防止することができる。

また、図７は図５，６の例とは異なる供給・排気の組み合わせを用いた場合を示している。この場合においても、図５，６の例と同様に、ガスシールドの構成及び作用を奏することができる。なお、図６に示す第２ノズル１０２は、中心から１０２ａ〜１０２ｅの５個のノズルを備えるが、供給と排気の関係は図５の例と逆になっている。

図８は、レーザー光の走査状態を示す図である。図８（ａ）は、レーザー光をＸ方向に走査する状態を示している。この走査方向の場合には、ＣＶＤガスの流れる方向が図３や図５，６に示した方向となるように供給・排気の組み合わせを選択して、レーザー光の走査方向とＣＶＤガスの流れ方向とを共にＸ方向として一致させる。

また、図８（ｂ）は、レーザー光をＹ方向に走査する状態を示している。この走査方向の場合には、ＣＶＤガスの流れる方向が図４や図７に示した方向となるように供給・排気の組み合わせを選択して、レーザー光の走査方向とＣＶＤガスの流れ方向とを共にＹ方向として一致させる。

本発明によれば、ＣＶＤガスの外側に不活性ガスのガスシールドを設け、そのガスシールドを複数段階に設けることによって、常圧常温のＣＶＤ反応を安全に行うことができる。また、ＣＶＤ反応部分を密閉容器でシールドし、内部に温度制御装置を設ける構成と比較して小型とすることができるため、ＣＶＤ反応部分を小型化することができる。

本発明は、ＣＶＤガスとしてＷ（ＣＯ）_６に限らず他のＣＶＤガスに適用することができる。

本発明のレーザーＣＶＤ装置の一構成例を説明するための概略図である。本発明のガス供給機構の概略を説明するための図である。本発明のガス供給機構の動作を説明するための図である。本発明のガス供給機構の動作を説明するための図である。本発明のガス供給機構のＣＶＤガスの流れとガスシールドとの関係を示す図である。本発明のガス供給機構のＣＶＤガスの流れとガスシールドとの関係を示す図である。本発明のガス供給機構のＣＶＤガスの流れとガスシールドとの関係を示す図である本発明のガス供給機構のレーザー光の走査状態を示す図である。

符号の説明

１…ＣＶＤ装置、２…キャリア／パージガス源、３…気化手段、４…レーザー照射手段、５…反応槽、６…ＸＹステージ、７…加熱手段、８，８ａ，８ｂ…フィルタ、９…分析手段、１０…ＣＯ除害手段、１１…制御ユニット、１２…データ処理演算手段、１３…基板、２１〜２４…バルブ、３１…切替分岐手段、３２…バイパス経路、３３，３４…分岐手段、１００…ガス供給機構、１０１…第１ノズル、１０２，１０２ａ〜１０２ｅ…第２ノズル、１０３…孔、１０４Ａ，１０４Ｂ，１０４５，１０５Ｂ，１０６，１０６ａ，１０６ｂ…開口部、１０７Ａ…供給管、１０７Ｂ…排気管、１０８Ａ…供給管、１０８Ｂ…排気管、１０９ａ…供給管、１０９ｂ…排気管、１１０…レーザー光。

Claims

反応槽内においてレーザー照射によりＣＶＤガスを反応させて基板表面に金属薄膜を形成するＣＶＤ装置において、
前記反応槽にＣＶＤガスを供給するガス供給機構を備え、
前記ガス供給機構は、ＣＶＤガスを供給及び排気する複数の第１ノズルと、
シールドガスを供給及び排気する第２ノズルとを備え、
前記第１ノズルはレーザー光を基板に対して垂直に導入する孔を中心部分に有し、
前記第２ノズルはシールドガスを基板側に供給する開口部を有する複数の環状管と供給したシールドガスを排気する開口部を有する複数の環状管とを径方向に交互に配置して有し、
内側に第１ノズルを外側に第２ノズルを同心円状に配置することを特徴とするレーザーＣＶＤ装置。
前記第２ノズルの最外周のガス圧はほぼ大気圧であることを特徴とする、請求項１に記載のレーザーＣＶＤ装置。
前記第１ノズルは前記中心部分の孔を挟んで対向配置した供給口及び排気口を備え、
前記供給口から排気口の方向を走査方向として前記レーザー光を走査すること特徴とする、請求項１又は２に記載のレーザーＣＶＤ装置。
前記ＣＶＤガスは固体の金属カルボニル化合物を気化させた金属カルボニルガスであり、常温常圧において金属膜を基板表面に蒸着させること特徴とする、請求項１乃至３の何れか一つに記載のレーザーＣＶＤ装置。