TW201713599A - 介電組成物及電子元件 - Google Patents

介電組成物及電子元件 Download PDF

Info

Publication number
TW201713599A
TW201713599A TW105124070A TW105124070A TW201713599A TW 201713599 A TW201713599 A TW 201713599A TW 105124070 A TW105124070 A TW 105124070A TW 105124070 A TW105124070 A TW 105124070A TW 201713599 A TW201713599 A TW 201713599A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
dielectric
film
value
sample
breakdown voltage
Prior art date
Application number
TW105124070A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI583626B (zh
Inventor
藤井祥平
政岡雷太郎
內山弘基
城川真生子
Original Assignee
Tdk股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tdk股份有限公司 filed Critical Tdk股份有限公司
Publication of TW201713599A publication Critical patent/TW201713599A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI583626B publication Critical patent/TWI583626B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/10—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances metallic oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/03—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite
    • C04B35/057—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on magnesium oxide, calcium oxide or oxide mixtures derived from dolomite based on calcium oxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
    • C01F11/00—Compounds of calcium, strontium, or barium
    • C01F11/02—Oxides or hydroxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G33/00—Compounds of niobium
    • C01G33/006—Compounds containing, besides niobium, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G35/00—Compounds of tantalum
    • C01G35/006—Compounds containing, besides tantalum, two or more other elements, with the exception of oxygen or hydrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/495—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on vanadium, niobium, tantalum, molybdenum or tungsten oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. vanadates, niobates, tantalates, molybdates or tungstates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B3/00—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties
    • H01B3/02—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances
    • H01B3/12—Insulators or insulating bodies characterised by the insulating materials; Selection of materials for their insulating or dielectric properties mainly consisting of inorganic substances ceramics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/06—Solid dielectrics
    • H01G4/08—Inorganic dielectrics
    • H01G4/12—Ceramic dielectrics
    • H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
    • H01G4/1254—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on niobium or tungsteen, tantalum oxides or niobates, tantalates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/213—Frequency-selective devices, e.g. filters combining or separating two or more different frequencies
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
    • H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
    • H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
    • H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3208—Calcium oxide or oxide-forming salts thereof, e.g. lime
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3213—Strontium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3205—Alkaline earth oxides or oxide forming salts thereof, e.g. beryllium oxide
    • C04B2235/3215—Barium oxides or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3255—Niobates or tantalates, e.g. silver niobate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6567—Treatment time

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本發明的目的在於提供一種即使是在以高頻(2GHz)進行使用的情況下，相對介電常數高且介電損耗小，亦即Q值高，而且絕緣破壞電壓高的介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件。本發明的介電組成物之特徵在於：作為主成分含有由化學式AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr中的至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)表示的複合氧化物，α、β、γ的關係滿足α+β+γ=1.000；0.000<α□0.375；0.625□β<1.000；0.000□γ□0.375。

Description

介電組成物及電子元件
本發明係關於介電組成物及電子元件。
為了對應以智慧手機或平板電腦為代表之移動通信設備的進一步高速大容量通信化，開始同時使用多個頻寬之MIMO技術(Multi-Input Multi-Output)的實用化。每一個頻寬都個別需要高頻元件，如果於通信使用的頻寬增加，對於想依然維持設備尺寸而增加元件個數來說，將要求各個元件之進一步小型化及高功能化。
作為像這樣對應高頻的電子元件，例如有雙工器(diplexer)和帶通濾波器(band-pass filter)等。這些都是由作為電容器的介電體和作為電感器的磁性體結合而構成的，不過為了得到良好的高頻特性，尋求抑制在高頻區域內各自的損耗。
如果著眼於介電體，則要求：(1)作為對小型化之要求的應對，為了減少電容器部的面積而要求相對介電常數(εr)高；(2)為了使頻率的選擇性良好而要求介電損耗低，即要求Q值高；(3)絕緣破壞電壓高等。
例如，一般來說非晶質SiNx膜因為其在高頻(2GHz)條件下的Q值高達500左右，並且絕緣破壞電壓亦高達500~700V/μm左右而被廣泛使用於對應高頻的電子元件，但是因為相對介電常數低至7左右，所以為了保有目標功能則大的電極面積 就變得必要，且對應至小型化的要求是有困難的。
在非專利文獻1中揭示有透過在成膜後對CaZrO3薄膜實施退火處理從而形成Ca-Zr-O的非晶質膜。此時，Ca-Zr-O非晶質膜的100kHz上的相對介電常數為12.8~16.0，Q值為370~555。
[先前技術文獻] [非專利文獻]
[非專利文獻1] Science direct Physica B 348(2004) 440-445「Preparation and charactarization of sol-gel derived CaZrO3 dielectric thin film for high-k applications」
在非專利文獻1中，Q值在測定頻率為100kHz時係370~555，並且在測定頻率為1MHz時成為200以下。因為能看到Q值伴隨於測定頻率增大而減少的傾向，所以能夠預想到Q值在2GHz條件下會進一步降低。另外，絕緣破壞電壓低至260V/μm。作為結果一方面與非晶質SiNx相比較相對介電常數變成大約2倍以上，一方面卻又無法達到對Q值及絕緣破壞電壓的改善。
本發明係鑒於上述般之狀況，其目的在於提供一種即使是在高頻(2GHz)區域也具有高相對介電常數和高Q值及高絕緣破壞電壓的介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件。
為了達到上述目的，本發明之介電組成物的特徵在於：作為主成分含有由化學式AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選 自Ca或者Sr當中至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)表示的複合氧化物，α、β、γ的關係滿足α+β+γ=1.000；0.000<α0.375；0.625β<1.000；0.000γ0.375。
透過將α、β、γ控制在上述範圍，則即使在高頻(2GHz)區域也能夠獲得高相對介電常數和高Q值及高絕緣破壞電壓。
藉由使用上述本發明之介電組成物，與被用於現有高頻對應電子元件的介電組成物相比較，在高頻(2GHz)下，因為可獲得充分高的相對介電常數從而能夠對應至小型化。又，因為較現有的介電組成物Q值高，即顯示高S/N比，進而絕緣破壞電壓高，所以能提供更加高性能的介電諧振器和介電濾波器等電子元件成為可能。
依據本發明能夠提供一種在高頻(2GHz)下具有高相對介電常數和高Q值及高絕緣破壞電壓的介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件。
1‧‧‧支撐基板
2‧‧‧基底層
3‧‧‧下部電極
4‧‧‧上部電極
5‧‧‧介電薄膜
10‧‧‧薄膜電容器
圖1是本發明之一實施形態所涉及的薄膜電容器的截面圖。
以下對本發明的較佳實施形態進行說明，但本發明並不被這些實施形態所限定。
〈薄膜電容器10〉
圖1是使用了本發明之一實施形態的介電組成物之電子元件之 一例的薄膜電容器10的截面圖。薄膜電容器10具備：積層於支撐基板1表面的下部電極3、上部電極4及設置於下部電極3與上部電極4之間的介電薄膜5。為了提高支撐基板1與下部電極3的密黏性而在支撐基板1與下部電極3之間配備基底層2。支撐基板1具有確保薄膜電容器10整體的機械強度之功能。
對於薄膜電容器的形狀並無特別的限制，通常被做成長方體形狀。另外，對其尺寸也沒有特別的限制，厚度或長度可以對應用途而做成適當的尺寸。
〈支撐基板1〉
用於形成圖1所示的支撐基板1的材料並無特別限定，可以由作為單晶的Si單晶、SiGe單晶、GaAs單晶、InP單晶、SrTiO3單晶、MgO單晶、LaAlO3單晶、ZrO2單晶、MgAl2O4單晶、NdGaO3單晶、或作為陶瓷多晶基板的Al2O3多晶、ZnO多晶、SiO2多晶、或Ni、Cu、Ti、W、Mo、Al、Pt等金屬或它們的合金的基板等來形成支撐基板1，但並無特別的限定。這些材料中，從低成本及加工性的觀點而言，通常使用Si單晶作為基板。支撐基板1根據基板的材質不同其電阻率會有所不同。在將電阻率低的材料作為基板使用的情況下，如果直接使用則流向基板側的電流漏電會影響到薄膜電容器10的電特性。因此，也有對支撐基板1的表面實施絕緣處理，讓使用時的電流不流向支撐基板1。例如，在將Si單晶作為支撐基板1使用的情況下，可以使支撐基板1表面氧化並形成SiO2絕緣層，或者也可以使Al2O3、SiO2、SiNx等絕緣層形成於支撐基板1的表面，只要能夠保持對支撐基板1的絕緣，其絕緣層的材料 或膜厚都沒有限定，較佳為0.01μm以上。因為在未滿0.01μm的情況下不能保持絕緣性，因此作為絕緣層的厚度不佳。支撐基板1的厚度只要能夠確保薄膜電容器整體的機械強度則沒有特別的限定，例如可以被設定為10μm~5000μm。在未滿10μm的情況下不能夠確保機械強度，若超過5000μm則有可能產生所謂不利於電子元件小型化的問題。
〈基底層2〉
在本實施形態中，較佳為在實施了絕緣處理的支撐基板1表面上具有基底層2。基底層2是以提高支撐基板1與下部電極3的密黏性為目的而被插入的。作為一例，在將Cu用於下部電極3的情況下，通常是插入Cr作為基底層2；在將Pt用於下部電極3的情況下，通常是插入Ti作為基底層2。
上述基底層2由於是以提高支撐基板1與下部電極3的密黏性為目的，所以對做為上述一例而舉之材料並沒有限定。另外，只要能夠保持支撐基板1與下部電極3的密黏性則也可以省略基底層2。
〈下部電極3〉
用於形成下部電極3的材料只要具有導電性即可，例如可以由Pt、Ru、Rh、Pd、Ir、Au、Ag、Cu、Ni等的金屬或它們的合金、或者導電性氧化物等來形成。因此，可以選擇對應成本或者介電薄膜5實施熱處理時的環境之材料。介電薄膜5除了在大氣中之外還可以在作為惰性氣體(例如N2、Ar)、或者在惰性氣體與還原性氣體 H2的混合氣體中進行熱處理。下部電極3的膜厚只要能夠作為電極發揮功能即可，較佳為10nm以上。在未滿10nm的情況下，導電性會變差，因而不佳。又，在使用可於支撐基板1作為電極使用而使用了Cu或Ni、Pt等或氧化物導電性材料等的基板的情況下，可以省略上述基底層2和下部電極3。
下部電極3較佳係使用真空蒸鍍法、濺射法、PLD(脈衝雷射蒸鍍法)、MO-CVD(金屬有機化學氣相沉積法)、MOD(金屬有機分解法)或溶膠-凝膠法、CSD(化學溶液沉積法)等各種薄膜形成法來形成。此時，會有在所使用的原料(蒸鍍材料、各種靶材和金屬有機材料等)中含有微量雜質或副成分的情況，但只要不是使導電性大幅度降低的雜質便無特別的問題。
亦可在形成下部電極3後進行熱處理，並謀求基底層2與下部電極3之密黏性的提高及下部電極3之穩定性的提高。在進行熱處理的情況下，升溫速度較佳為10℃/分~2000℃/分，更佳為100℃/分~1000℃/分。熱處理時的保持溫度較佳為400℃~800℃，其保持時間較佳為0.1小時~4.0小時。如果超過上述範圍，則由於密黏不良的發生、或在下部電極3的表面上產生凹凸，從而容易發生介電薄膜5之介電特性的降低。
〈介電薄膜5〉
構成介電薄膜5的介電組成物係包含由化學式AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr中至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)表示的複合氧化物作為主成分。
另外，上述介電組成物的α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.000<α0.375；0.625β<1.000；0.000γ0.375。
構成上述化學式中之B的Ca或者Sr的氧化物、CaO或SrO係Q值和絕緣破壞電壓皆高的材料，但其課題在於相對介電常數低。因此，本發明人等為了提高相對介電常數而使上述CaO或SrO構成的介電組成物適量含有BaO，從而發現不會使現有介電組成物所擁有的Q值和絕緣破壞電壓降低，並且能夠提高相對介電常數。
再者，藉由適量包含構成上述化學式中之C的Ta或者Nb，同時發現耐濕性會有所提高。
因為上述α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.000<α0.375；0.625β<1.000；0.000γ0.375，所以可在高頻(2GHz)條件下取得具有高相對介電常數和高Q值及高絕緣破壞電壓的介電組成物。較佳為α+β+γ=1.000；0.005α0.375；0.625β0.995；0.000γ0.375。另外，如果上述α超過0.375的話則無法獲得高Q值，在α=0的情況下，則無法獲得所希望的相對介電常數。另外，在上述β未滿0.625的情況下也無法獲得高Q值。再者，如果上述γ超過了0.375的話則因為過剩的Ta或Nb容易形成異相或容易變得大量存在於晶粒邊界，所以無法維持高Q值。
另外，上述α、β、γ的關係較佳為α+β+γ=1.000；0.000<α0.375；0.625β<1.000；0.000<γ0.375。也就是說，較佳為適量包含構成上述化學式中之C的Ta或者Nb。
藉此，就能夠在高頻(2GHz)下獲得高相對介電常數和高Q值及高絕緣破壞電壓，並且即使是在以溫度121℃、濕度 95%RH、壓力2atm的條件對介電組成物實施100小時的壓力鍋測試(PCT)之後也能夠獲得顯示出與初期特性幾乎相同之特性的高耐濕性之介電組成物。
另外，對於獲得更高之相對介電常數來說，上述α、β、γ的關係較佳為α+β+γ=1.000；0.100α0.375；0.625β0.900；0.000<γ0.275，更佳為0.100α0.375；0.625β0.895；0.005γ0.275。
另外，對於獲得更高之Q值來說，上述α、β、γ的關係較佳為α+β+γ=1.000；0.000<α0.180；0.770β<1.000；0.000<γ0.050，更佳為0.005α0.180；0.770β0.990；0.005γ0.050。
另外，對於獲得更高之絕緣破壞電壓來說，上述α、β、γ的關係較佳為α+β+γ=1.000；0.000<α0.215；0.770β<1.000；0.000<γ0.015，更佳為0.005<α0.215；0.770β0.990；0.005γ0.015。
再者，上述α、β、γ的關係較佳為α+β+γ=1.000；0.100α0.180；0.805β0.900；0.000<γ0.015，更佳為0.100α0.180；0.805β0.895；0.005γ0.015。藉此，能夠進一步全面提高相對介電常數、Q值、絕緣破壞電壓。
介電薄膜5的厚度較佳為10nm~2000nm，更佳為50nm~1000nm。在未滿10nm的情況下容易破壞絕緣性，在超過2000nm的情況下，為了增大電容器的靜電容量而有必要擴大電極面積，並且有可能由於電子元件的設計而難以小型化。介電薄膜厚度的測量可以用FIB(聚焦離子束)加工裝置來進行磨削並用SIM(掃描離子顯微鏡)等來觀察測量所獲得的截面的長度。
介電薄膜5較佳係使用真空蒸鍍法、濺射法、PLD(脈衝射蒸鍍法)、MO-CVD(金屬有機化學氣相沉積法)、MOD(金屬有機分解法)或溶膠-凝膠法、CSD(化學溶液沉積法)等各種薄膜形成法來形成。此時，有可能在所使用的原料(蒸鍍材料、各種靶材或金屬有機材料等)中含有微量的雜質或副成分，但只要不是使絕緣性大幅度降低的雜質便無特別的問題。
另外，含有作為主成分的本發明之介電組成物的介電薄膜5，若非大幅度地使本發明之效果所在的相對介電常數或Q值、絕緣破壞電壓劣化，則即使含有微量雜質或副成分亦無妨。因此，剩餘部分的主成分含量並沒有特別的限定，例如相對於含有上述主成分的介電組成物整體可以是50%以上100%以下。
另外，介電薄膜5通常僅由作為主成分的本發明之介電組成物的介電薄膜所構成，也可以是與其它介電組成物的介電薄膜相結合的積層結構。例如，可以透過做成現有的SiNx、SiOx、AlOx、ZrOx、TaOx等非晶質介電薄膜或與結晶膜的積層結構，從而調整介電薄膜5的阻抗或靜電容量的溫度變化率。
〈上部電極4〉
在本實施形態的一例中，薄膜電容器10在介電薄膜5的表面上具備作為薄膜電容器10的另一個電極而發揮作用的上部電極4。用於形成上部電極4的材料只要具有導電性則沒有特別限定，可以藉由與下部電極3相同的材料來形成上部電極4。上部電極4的膜厚只要能夠作為電極發揮作用即可，較佳為10nm以上。在膜厚為10nm以下的情況下導電性易發生惡化，所以作為上部電極4 不佳。
上部電極4較佳係使用真空蒸鍍法、濺射法、PLD(脈衝雷射蒸鍍法)、MO-CVD(金屬有機化學氣相沉積法)、MOD(金屬有機分解法)或溶膠-凝膠法、CSD(化學溶液沉積法)等各種薄膜形成法來進行形成。此時，會有在所使用的原料(蒸鍍材料、各種靶材和金屬有機材料等)中含有微量雜質或副成分的情況，但只要不是使導電性大幅度降低的雜質便無特別的問題。
在上述的實施形態中，例示了作為使用本發明的一個實施形態之介電組成物的電子元件之一例的薄膜電容器，作為使用了本發明之介電組成物的電子元件，不限定於薄膜電容器，例如雙工器(diplexer)、帶通濾波器、平衡-不平衡轉換器(balun)或耦合器等，只要是具有介電薄膜的電子元件則哪一種皆可。
[實施例]
以下進一步基於詳細的實施例來說明本發明，但是本發明並不被這些實施例所限定。
〈實施例1〉〈比較例〉
首先，在350μm厚的Si之表面具備6μm厚的SiO2絕緣層之10mm×10mm正方形的基板表面上，用濺射法形成作為基底層的Ti薄膜至成為20nm的厚度。
接著，用濺射法在上述形成的Ti薄膜上形成作為下部電極的Pt薄膜至成為100nm的厚度。
相對於所形成的Ti/Pt薄膜，在升溫速度為400℃/分、保持溫度為700℃、溫度保持時間為0.5小時、環境為氧環境且為 常壓下進行熱處理。
在介電薄膜的形成中使用了PLD法。介電薄膜的形成所需要的靶材係按照以下方式製作。
首先，以成為表1所表示的試樣No.1~試樣No.36的Ba、Ca、Sr、Ta、Nb的量般稱取BaCO3、CaCO3、SrCO3、Ta2O5、Nb2O5，將稱量好的原料粉末和無水酒精及 2mm的ZrO2珠子投入到1L廣口塑膠罐中進行20小時的濕式混合。之後，在100℃溫度條件下使混合粉末漿料乾燥20小時，將所獲得之被乾燥的混合粉末放入到Al2O3坩堝中，以在大氣中用1250℃的溫度保持5小時的燒成條件實行預燒製，並獲得預燒製粉末。
對所獲得的預燒製粉末使用單軸加壓壓製機來獲得成形體。成形條件係壓力2.0×108Pa；溫度為室溫。
之後，對於所獲得的成形體實行燒成，燒成條件係升溫速度為200℃/小時；保持溫度為1600℃~1700℃；溫度保持時間為12小時；環境氣體為常壓大氣中。
為使所獲得之燒結體的厚度成為4mm，用圓筒研磨機來研磨兩面，從而獲得為了形成介電薄膜而必要的PLD用靶材。
使用藉此獲得的PLD用靶材並用PLD法以成為200nm~800nm厚度的方式將介電薄膜形成於下部電極上。藉PLD法的成膜條件係氧壓為1.0×10-1Pa，將基板加熱到200℃。另外，為了使下部電極的一部分露出而使用金屬遮罩，從而形成介電薄膜之一部分並未成膜的區域。
介電薄膜厚度的測量是通過用FIB進行挖掘並用SIM觀察所獲得的截面來進行測長。
成膜後的介電薄膜之組成係對所有試樣使用XRF(X射線螢光元素分析)來實行分析，並確認是表1所記載的組成。
接著，使用蒸鍍裝置將上部電極Ag薄膜形成於所獲得的上述介電薄膜上。通過使用金屬遮罩並以直徑成為100μm且厚度成為100nm的形式形成上部電極的形狀，從而製得圖1所表示之結構的試樣No.1~試樣No.36。
分別由下述所表示的方式來對所獲得的所有薄膜電容器試樣進行相對介電常數、Q值、絕緣破壞電壓的測定。
〈相對介電常數、Q值〉
相對介電常數及Q值是針對薄膜電容器試樣在基準溫度25℃下用RF阻抗/材料分析儀(Agilent公司製4991A)，在頻率為2GHz及輸入信號水平(測定電壓)為0.5Vrms的條件下測定的靜電容量和膜厚測定結果計算得到的(無單位)。因為非晶質SiNx膜的相對介電常數大約為7，所以大約7的1.5倍即11以上為良好。另外，因為非晶質SiNx膜的Q值約為500左右，所以500以上為良好。
〈絕緣破壞電壓〉
絕緣破壞電壓係透過相對於薄膜電容器試樣將下部電極露出的區域和上部電極連接到數位超高阻/微電流測量儀(ADVANTEST R8340)並以5V/秒的步階(step)施加電壓來測量的，從初期電阻值讀取下降2位元數時的電壓值，將該值作為試樣的破壞電壓值(V)。將所獲得的破壞電壓值(V)的數值除以介電薄膜厚度作為絕緣破壞電壓(Vbd)(V/μm)。將n=5的平均值記載於表1中。非晶質SiNx的 絕緣破壞電壓因為在500~700V/μm左右，所以700V/μm以上為良好。
再者，對於製作好的薄膜電容器試樣實施下述所示之條件下的壓力鍋測試(PCT)作為耐濕性試驗。
〈壓力鍋測試(PCT)〉
在將薄膜電容器試樣投入到溫度121℃、濕度95%RH、壓力2atm之條件下的恒溫槽內並保持100小時之後，從恒溫槽內取出薄膜電容器試樣，在室溫條件下測定相對介電常數、Q值、絕緣破壞電壓。在相對介電常數、Q值、絕緣破壞電壓中任一個都是其試驗前後的值為±5%以內的情況下耐濕性被判斷為優異◎，在±10%以內的情況下耐濕性被判斷為良好○。
[試樣No.1~試樣No.31]
根據表1能夠確認是由AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr中至少一種元素，C為選自Ta或者Nb中至少一種元素) 構成的介電薄膜，並且α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.000<α0.375；0.625β<1.000；0.000γ0.375的試樣No.1~試樣No.31，係特性良好即相對介電常數為11以上、Q值為500以上、絕緣破壞電壓為700V/μm以上。
[試樣No.2、4、6、8、9、11~31]
根據表1能夠確認是由AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr當中至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)構成的介電薄膜，並且α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.000<α0.375；0.625β<1.000；0.000<γ0.375的試樣No.2、4、6、8、9、11~31，係相對介電常數為11以上、Q值為500以上、絕緣破壞電壓為700V/μm以上，並且耐濕性也優異。
[試樣No.6、8、11、13、14、16、19~31]
根據表1能夠確認α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.100α0.375；0.625β0.900；0.000<γ0.275的試樣No.6、8、11、13、14、16、19~31被確認為就這樣維持Q值和絕緣破壞電壓並且獲得更高的相對介電常數。
[試樣No.2、8、9、12~14、17~19、21~31]
根據表1能夠確認α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.000<α0.180；0.770β<1.000；0.000<γ0.050的試樣No.2、8、9、12~14、17~19、21~31係被確認為就這樣維持相對介電常數、絕緣破壞電壓並且獲得更高的Q值。
[試樣No.2、11~14、18、20、21~31]
根據表1能夠確認α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.000<α0.215；0.770β<1.000；0.000<γ0.015的試樣No.2、11~14、18、20、21~31被確認為可在維持相對介電常數和Q值下獲得更高的絕緣破壞電壓。
[試樣No.13、14、21~31]
根據表1能夠確認α、β、γ的關係為α+β+γ=1.000；0.100α0.180；0.805β0.900；0.000<γ0.015的試樣No.13、14、21~31，係於相對介電常數、Q值及絕緣破壞電壓能夠全面獲得更高的值。
[試樣No.21、22、23]
根據表1能夠確認是由AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr當中至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)構成的介電薄膜，並且選擇Ta作為C的試樣No.21、選擇Ta和Nb雙方作為C的試樣No.22、選擇Nb作為C的試樣No.23顯示出幾乎相同的特性。
[試樣No.21、24、27]
根據表1能夠確認是由AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr當中至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)構成的介電薄膜，並且選擇Ca作為B的試樣No.21、選擇Ca 和Sr雙方作為B的試樣No.24、選擇Sr作為B的試樣No.27顯示出幾乎相同的特性。
[試樣No.21、22~29]
根據表1能夠確認是由AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或者Sr當中至少一種元素，C為選自Ta或者Nb當中至少一種元素)構成的介電薄膜，並且有各式各樣被選擇為B和C之元素的組合之試樣No.21、No.22~29顯示出幾乎相同的特性。
[試樣No.21、30、31]
根據表1，即使介電薄膜的膜厚有所不同，亦能確認透過使用本實施形態的介電薄膜，若組成相同的話則顯示出幾乎相同的特性。
〈實施例2〉
除了用濺射法來對介電薄膜實施成膜之外，其餘均以與實施例1的試樣No.21相同的手法來製作試樣，並進行與實施例1相同的評價。將評價結果表示於表2中。
[試樣No.21、37]
根據表2，即使介電薄膜的製法有所不同，亦能確認透過使用本實施形態的介電薄膜，若組成相同的話則顯示出幾乎相同的特性。
(產業上之可利用性)
如以上所說明般，本發明係關於介電組成物及電子元件，本發明提供一種即使在高頻(2GHz)區域也具有高相對介電常數和高Q值及高絕緣破壞電壓的介電組成物及使用了該介電組成物的電子元件。藉此，對於使用介電組成物的電子元件來說能夠謀求小型化及高功能化。本發明例如對於使用介電薄膜的雙工器(diplexer)和帶通濾波器等薄膜高頻元件等能夠廣泛地提供新技術。
1‧‧‧支撐基板
2‧‧‧基底層
3‧‧‧下部電極
4‧‧‧上部電極
5‧‧‧介電薄膜
10‧‧‧薄膜電容器

Claims (7)

  1. 一種介電組成物，其特徵在於：作為主成分包含由化學式AαBβC2γOα+β+5γ(A為Ba元素，B為選自Ca或Sr中的至少一種元素，C為選自Ta或Nb中的至少一種元素)表示的複合氧化物，其中α、β、γ的關係為：α+β+γ=1.000 0.000<α0.375 0.625β<1.000 0.000γ0.375。
  2. 如請求項1之介電組成物，其中，作為主成分包含由上述化學式表示的複合氧化物，上述化學式中，α、β、γ的關係滿足：α+β+γ=1.000 0.000<α0.375 0.625β<1.000 0.000<γ0.375。
  3. 如請求項1之介電組成物，其中，作為主成分包含由上述化學式表示的複合氧化物，上述化學式中，α、β、γ的關係滿足：α+β+γ=1.000 0.100α0.375 0.625β0.900 0.000<γ0.275。
  4. 如請求項1之介電組成物，其中，作為主成分包含由上述化學式表示的複合氧化物，上述化學式中，α、β、γ的關係滿足：α+β+γ=1.000 0.000<α0.180 0.770β<1.000 0.000<γ0.050。
  5. 如請求項1之介電組成物，其中，作為主成分包含由上述化學式表示的複合氧化物，上述化學式中，α、β、γ的關係滿足：α+β+γ=1.000 0.000<α0.215 0.770β<1.000 0.000<γ0.015。
  6. 如請求項1之介電組成物，其中，作為主成分包含由上述化學式表示的複合氧化物，上述化學式中，α、β、γ的關係滿足：α+β+γ=1.000 0.100α0.180 0.805β0.900 0.000<γ0.015。
  7. 一種電子元件，其中，具有請求項1至6中任一項之介電組成物。
TW105124070A 2015-10-06 2016-07-29 介電組成物及電子元件 TWI583626B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015198667A JP6249004B2 (ja) 2015-10-06 2015-10-06 誘電体組成物および電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201713599A true TW201713599A (zh) 2017-04-16
TWI583626B TWI583626B (zh) 2017-05-21

Family

ID=57144773

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105124070A TWI583626B (zh) 2015-10-06 2016-07-29 介電組成物及電子元件

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9862646B2 (zh)
EP (1) EP3154071B1 (zh)
JP (1) JP6249004B2 (zh)
KR (1) KR101824422B1 (zh)
CN (1) CN106960726B (zh)
TW (1) TWI583626B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7099212B2 (ja) * 2018-09-13 2022-07-12 Tdk株式会社 誘電体組成物および電子部品
CN109704762B (zh) * 2019-02-22 2021-07-13 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种铌酸锶基类反铁电陶瓷及其制备方法和应用
CN111498902B (zh) * 2020-03-20 2022-08-09 桂林理工大学 一种利用摩擦催化高效降解染料污水的亚微米粉及其制备方法
JP2022111642A (ja) * 2021-01-20 2022-08-01 Tdk株式会社 誘電体組成物および電子部品

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5849969B2 (ja) * 1974-10-17 1983-11-08 日本電気株式会社 サンカブツユウデンザイリヨウノ セイゾウホウホウ
JPS5510449A (en) * 1978-07-07 1980-01-24 Nippon Electric Co Oxide permittivity material
JPS62171957A (ja) * 1986-01-23 1987-07-28 科学技術庁無機材質研究所長 Ｓｒ↓１−↓ｘＢａ↓ｘＮｂ↓２↓ｏ↓６透光性焼結体の製造法
JPS63155505A (ja) * 1986-12-19 1988-06-28 アルプス電気株式会社 誘電体磁器組成物
JPS63198207A (ja) * 1987-02-13 1988-08-16 アルプス電気株式会社 誘電体磁器組成物
US5011796A (en) * 1989-10-23 1991-04-30 Martin Marietta Corporation Sol-gel preparation of polycrystalline strontium barium niobate (SBN)
KR930003790B1 (ko) * 1990-07-02 1993-05-10 삼성전자 주식회사 반도체 장치의 캐패시터용 유전체
JPH09208394A (ja) * 1996-02-07 1997-08-12 Tdk Corp 強誘電体薄膜及び強誘電体薄膜コンデンサの製造方法
US5888585A (en) * 1996-02-08 1999-03-30 Symetrix Corporation Process for making an integrated circuit with high dielectric constant barium-strontium-niobium oxide
TW432026B (en) * 1997-12-15 2001-05-01 Nat Science Council Preparation of translucent strontium barium niobate ceramics using reaction sintering
JP4006892B2 (ja) * 1999-05-28 2007-11-14 株式会社高純度化学研究所 ニオブ、タンタルとアルカリ土類金属との液体ダブルアルコキシドの製法及びそれを用いた複合酸化物誘電体の製法
KR100401942B1 (ko) * 2000-11-17 2003-10-17 홍국선 유전체 세라믹 조성물 및 그 제조방법
EP1373161A1 (en) * 2001-03-30 2004-01-02 Council of Scientific and Industrial Research A microwave dielectric ceramic composition and a process for the preparation thereof
WO2002079115A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-10 Council Of Scientific And Industrial Research A microwave dielectric ceramic composition and a process for the preparation thereof
TWI223817B (en) * 2002-11-08 2004-11-11 Ind Tech Res Inst Dielectric material compositions with high dielectric constant and low dielectric loss
JP2005200232A (ja) * 2004-01-13 2005-07-28 Tdk Corp 誘電体磁器組成物
WO2005075378A1 (ja) * 2004-02-06 2005-08-18 Murata Manufacturing Co.,Ltd. 強誘電体磁器組成物およびそれを用いた強誘電体応用素子
JP5272754B2 (ja) * 2008-02-05 2013-08-28 Ｔｄｋ株式会社 誘電体磁器組成物および電子部品
JP5712645B2 (ja) 2010-03-16 2015-05-07 Tdk株式会社 フェライト組成物および電子部品
JP5983265B2 (ja) 2011-12-12 2016-08-31 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物
KR20140083509A (ko) * 2012-12-26 2014-07-04 삼성전기주식회사 유전체 조성물 및 이를 유전체층으로 포함하는 적층 세라믹 커패시터
JP6331573B2 (ja) * 2013-06-20 2018-05-30 Tdk株式会社 アモルファス誘電体膜を有する電子部品
CN103553609B (zh) * 2013-10-30 2015-12-02 云南云天化股份有限公司 高品质因数微波介质陶瓷材料、制备方法及微波器件
JP2015195342A (ja) * 2014-03-28 2015-11-05 Tdk株式会社 誘電体組成物および電子部品
US9567263B2 (en) * 2014-10-27 2017-02-14 Tdk Corporation Dielectric composition and electronic component

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170041135A (ko) 2017-04-14
JP2017071523A (ja) 2017-04-13
JP6249004B2 (ja) 2017-12-20
TWI583626B (zh) 2017-05-21
US20170096371A1 (en) 2017-04-06
CN106960726B (zh) 2018-11-02
KR101824422B1 (ko) 2018-02-02
EP3154071A1 (en) 2017-04-12
US9862646B2 (en) 2018-01-09
EP3154071B1 (en) 2018-01-31
CN106960726A (zh) 2017-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI589529B (zh) 介電組成物及電子元件
US9567263B2 (en) Dielectric composition and electronic component
TWI583626B (zh) 介電組成物及電子元件
TWI586626B (zh) 介電組成物及電子元件
TWI640474B (zh) Dielectric film and electronic parts
KR20180084021A (ko) 유전체 조성물 및 전자 부품
CN110382441B (zh) 电介质组合物和电子器件
TW201739695A (zh) 介電體薄膜及電子零件