CN106960726B - 电介质组合物以及电子元件 - Google Patents
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- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3255—Niobates or tantalates, e.g. silver niobate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
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Abstract
本发明的目的在于提供一种即使是在以高频(2GHz)进行使用的情况下相对介电常数也高且介电损耗小即Q值高而且绝缘破坏电压高的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。本发明所涉及的电介质组合物的特征在于：作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375。
Description
技术领域
本发明涉及电介质组合物以及电子元件。
背景技术
为了对应于以智能手机或平板电脑为代表的移动体通信设备的更一步高速大容量通信化而开始了同时使用多个频带的MIMO技术(Multi-Input Multi-Output)的实用化。如果使用于通信的频带有所增加的话则各个高频元件在每一个频带上成为必要，但是对于就这样维持设备的尺寸并增加元件个数来说要求各个元件被进一步小型化以及高功能化。
作为像这样的高频对应的电子元件例如有同向双工器(天线分离滤波器)(diplexer)和带通滤波器(band-pass filter)等。这些是由无论哪个都由担当着电容器的电介质与担当着电感器的磁性体的组合所构成，但是为了获得良好的高频特性而要求抑制在高频带上的各个损耗。
如果着眼于电介质的话则要求下述各项目等：(1)对应于小型化的要求为了减小电容器部的面积而要提高相对介电常数(εr)；(2)为了良好地做到频率的选择性而要降低介电损耗即要提高Q值；(3)绝缘破坏电压要高。
例如，一般来说非晶SiNx膜因为其在高频(2GHz)条件下的Q值高到大约500左右并且绝缘破坏电压也高到大约500～700V/μm左右所以被广泛使用于高频对应的电子元件，但是因为相对介电常数低到大约7的程度所以为了持有目的功能而大电极面就成为了必要，并且对应于小型化的要求是困难的。
在非专利文献1中记载有通过在成膜后对CaZrO3薄膜实施焖火处理从而形成Ca-Zr-O的非晶膜。此时，Ca-Zr-O非晶膜的100kHz上的相对介电常数为12.8～16.0，Q值为370～555。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：Science direct Physica B 348(2004)440-445“Preparation andcharacterization of sol-gel derived CaZrO3dielectric thin film for high-kapplications”
发明内容
发明所要解决的技术问题
在非专利文献1中，Q值在测定频率为100kHz的时候是370～555，并且在测定频率为1MHz的时候成为200以下。因为能看到Q值伴随于测定频率增大而减少的倾向，所以能够预想到Q值在2GHz条件下会进一步降低。另外，绝缘破坏电压低至260V/μm。作为结果一方面与非晶SiNx相比较相对介电常数变成大约2倍以上，一方面却又达不到Q值以及绝缘破坏电压的改善。
本发明就是借鉴了如以上所述那样的现实状况而做出的不懈努力之结果，其目的在于提供一种即使是在高频(2GHz)区域也具有高相对介电常数和高Q值以及高绝缘破坏电压的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。
解决技术问题的手段
为了达到以上所述目的而本发明所涉及的电介质组合物的特征在于：作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr当中至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375。
通过将所述α、β、γ控制在上述范围从而即使在高频(2GHz)区域也能够获得高相对介电常数和高Q值以及高绝缘破坏电压。
通过使用上述本发明所涉及的电介质组合物，从而与被用于现有高频对应电子元件的电介质组合物像比较，因为在高频(2GHz)条件下获得充分高的相对介电常数从而能够对应于小型化。另外，因为Q值高于现有的电介质组合物即显示高S/N比再有绝缘破坏电压高，所以提供更加高性能的介质谐振器和介质滤波器等电子元件成为可能。
发明效果
根据本发明就能够提供一种在高频(2GHz)条件下具有高相对介电常数和高Q值以及高绝缘破坏电压的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的薄膜电容器的截面图。
具体实施方式
以下是就本发明的优选的实施方式进行详细说明，但是本发明并不限定于这些实施方式。
〈薄膜电容器10〉
图1是使用了本发明的一个实施方式所涉及的电介质组合物的电子元件一个例子即薄膜电容器10的截面图。薄膜电容器10具备被层叠于支撑基板1的表面的下部电极3、上部电极4、以及被设置于下部电极3与上部电极4之间的电介质膜5。为了提高支撑基板1与下部电极3的紧密附着性而在支撑基板1与下部电极3之间配备基底层2。支撑基板1具有确保薄膜电容器10整体机械强度的功能。
对于薄膜电容器的形状来说并没有特别的限制，通常被做成长方体形状。另外，其尺寸也没有特别的限制，只要厚度或长度对应于用途来做适当的选择的话即可。
〈支撑基板1〉
为了形成图1所表示的支撑基板1的材料并没有特别的限定，能够由作为单晶的Si单晶、SiGe单晶、GaAs单晶、InP单晶、SrTiO3单晶、MgO单晶、LaAlO3单晶、ZrO2单晶、MgAl2O4单晶、NdGaO3单晶；作为陶瓷多晶基板的Al2O3多晶、ZnO多晶、SiO2多晶；Ni、Cu、Ti、W、Mo、Al、Pt等金属；这些金属的合金的基板等来形成支撑基板1，但是没有特别的限定。在这些材料当中，从低成本以及加工性的观点出发一般是将Si单晶作为基板来进行使用。支撑基板1其电阻率根据基板的材质会有所不同。在将电阻率低的材料作为基板来进行使用的情况下，如果就这样进行使用的话则电流流向基板侧的漏电会影响到薄膜电容器10的电特性。因此，也会有对支撑基板1的表面实施绝缘处理并且以使用时的电流不流向支撑基板1的形式进行处理的情况。例如，在将Si单晶作为支撑基板1来进行使用的情况下，使支撑基板1表面氧化并进行SiO2绝缘层的形成，或也可以将Al2O3、SiO2、Si3Nx等绝缘层形成于支撑基板1的表面，只要对支撑基板1保持绝缘的话则其绝缘层的材料或膜厚就没有限定，但是膜厚优选为0.01μm以上。因为小于0.01μm的厚度不能够保持绝缘性，所以作为绝缘层的厚度不推荐小于0.01μm。支撑基板1的厚度如果能够确保薄膜电容器整体的机械强度的话则没有特别的限定，例如可以被设定为10μm～5000μm。如果是在支撑基板1的厚度为小于10μm的情况下则不能够确保机械强度，如果超过了5000μm的话则会有产生所谓无助于电子元件小型化的问题的情况。
〈基底层2〉
在本实施方式中，在实施了绝缘处理的支撑基板1表面上优选配备基底层2。基底层2是以提高支撑基板1与下部电极3的紧密附着性为目的而被插入的。作为一个例子，一般而言，在下部电极3使用铜的情况下，将Cr作为基底层2而插入，在下部电极3使用Ti的情况下将Ti作为基底层2而插入。
所述基底层2因为是以提高支撑基板1与下部电极3的紧密附着性为目的，所以对于作为所述一个例子进行列举的材料来说并没有限定。另外，如果能够保持支撑基板1与下部电极3的紧密附着性的话则可以省略基底层2。
〈下部电极3〉
用于形成下部电极3的材料只要具有导电性的话即可，例如能够由Pt、Ru、Rh、Pd、Ir、Au、Ag、Cu、Ni等金属和它们的合金或者导电性氧化物等来形成。因此，如果选择对应于成本或者对应于对电介质膜5实施热处理的时候的氛围气体的材料的话即可。电介质膜5除了在大气中之外还可以在惰性气体(例如N2、Ar)或在惰性气体与还原性气体H2的混合气体中进行热处理。下部电极3的膜厚如果能够作为电极来行使其功能的话即可，优选为10nm以上。在小于10nm的情况下因为导电性变差所以不推荐。另外，在使用将作为电极能够使用的Cu和Ni、Pt等以及氧化物导电性材料等用于支撑基板1的基板的情况下，所述基底层2和下部电极3能够被省略。
下部电极3优选使用真空蒸镀法、溅射法、PLD(脉冲激光蒸镀法)、MO-CVD(金属有机化学气相沉积法)、MOD(金属有机分解法)或溶胶-凝胶法、CSD(化学溶液沉积法)等各种薄膜形成法来进行形成。此时，会有在所使用的原料(蒸镀材料、各种靶材和金属有机材料等)中含有微量杂质或副成分的情况，但只要不是使导电性大幅度降低的杂质的话则不会有特别的问题。
也可以在下部电极3被形成之后实行热处理并谋求基底层2与下部电极3的紧密附着性的提高和下部电极3的稳定性的提高。在实行热处理的情况下，升温速度优选为10℃/分～2000℃/分，更加优选为100℃/分～1000℃/分。热处理时的保持温度优选为400℃～800℃，其保持时间优选为0.1小时～4.0小时。如果超过了以上所述范围的话则由于会变得容易发生紧密附着不良并且在下部电极3的表面上变得容易产生凹凸，所以电介质膜5的介电特性容易发生降低。
〈电介质膜5〉
构成电介质膜5的电介质组合物作为主成分包含由化学式AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物。
另外，所述电介质组合物的α、β、γ的关系成为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375。
构成所述化学式中的B的Ca或者Sr的氧化物、CaO或SrO为Q值和绝缘破坏电压都高的材料，但是所存在的问题在于相对介电常数低。因此，本发明人等为了提高相对介电常数而通过使BaO适量包含于由所述CaO或者SrO构成的电介质组合物，从而发现不会使现有电介质组合物所拥有的Q值和绝缘破坏电压降低并且发现能够提高相对介电常数。
再有，通过适量包含构成所述式中的C的Ta或者Nb，从而还能够同时发现耐湿性会有所提高。
因为所述α、β、γ的关系成为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375，所以在高频(2GHz)条件下取得具有高相对介电常数和高Q值以及高绝缘破坏电压的电介质组合物成为可能。优选α+β+γ＝1.000；0.005≤α≤0.375；0.625≤β≤0.995；0.000≤γ≤0.375。另外，如果所述α超过0.375的话则不能够获得高Q值，在α＝0的情况下不能够获得所希望的相对介电常数。另外，在所述β小于0.625的情况下也不能够获得高Q值。再有，如果所述γ超过了0.375的话则因为过剩的Ta或Nb形成异相或变得容易较多地存在于晶界，所以不能够维持高Q值。
另外，所述α、β、γ的关系优选为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000＜γ≤0.375。总之，优选适量包含构成所述化学式中的C的Ta或者Nb。
由此，就能够在高频(2GHz)的条件下获得高相对介电常数和高Q值以及高绝缘破坏电压，并且即使是在以温度121℃和湿度95％RH以及压力2atm的条件对电介质组合物实施100小时的压力锅测试(PCT)之后也能够获得显示出与初期特性基本相同等特性的高耐湿性的电介质组合物。
另外，对于获得更高相对介电常数来说所述α、β、γ的关系优选为α+β+γ＝1.000；0.100≤α≤0.375；0.625≤β≤0.900；0.000＜γ≤0.275，更加优选为0.100≤α≤0.375；0.625≤β≤0.895；0.005≤γ≤0.275。
另外，对于获得更高Q值来说所述α、β、γ的关系优选为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.180；0.770≤β＜1.000；0.000＜γ≤0.050，更加优选为0.005≤α≤0.180；0.770≤β≤0.990；0.005≤γ≤0.050。
另外，对于获得更高绝缘破坏电压来说所述α、β、γ的关系优选为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.215；0.770≤β＜1.000；0.000＜γ≤0.015，更加优选为0.005＜α≤0.215；0.770≤β≤0.990；0.005≤γ≤0.015。
再有，所述α、β、γ的关系优选为α+β+γ＝1.000；0.100≤α≤0.180；0.805≤β≤0.900；0.000＜γ≤0.015，更加优选为0.100≤α≤0.180；0.805≤β≤0.895；0.005≤γ≤0.015。由此，能够进一步提高所有相对介电常数、Q值、绝缘破坏电压。
电介质膜5的厚度优选为10nm～2000nm，更加优选为50nm～1000nm。如果电介质膜5的厚度小于10nm的话则绝缘容易发生破坏，如果在超过2000nm的情况下则为了增大电容器的静电容量而有必要扩大电极面积，因而就电子元件的设计而言会有小型化变得困难的情况。电介质膜厚的测量如果是用FIB(聚焦离子束)加工装置来进行掘削并用SIM(扫描离子显微镜)等来观察测长所获得的截面的话即可。
电介质膜5优选使用真空蒸镀法、溅射法、PLD(脉冲激光蒸镀法)、MO-CVD(金属有机化学气相沉积法)、MOD(金属有机分解法)或溶胶-凝胶法、CSD(化学溶液沉积法)等各种薄膜形成法来进行形成。此时，会有在所使用的原料(蒸镀材料、各种靶材和金属有机材料等)中含有微量杂质或副成分的情况，只要不是使绝缘性大幅度降低的杂质的话则不会有特别的问题。
另外，含有作为主成分的本发明所涉及的电介质组合物的电介质膜5如果不是大幅度地使本发明效应的相对介电常数或Q值、绝缘破坏电压劣化的电介质膜的话则即使含有微量杂质或副成分也是没有关系的。因此，剩余部分的主成分含量并没有特别的限定，例如相对于含有所述主成分的电介质组合物整体可以是50％以上100％以下。
另外，电介质膜5通常是由将本发明的电介质组合物作为主成分的电介质膜来进行构成，但即使是与别的电介质组合物的电介质膜相组合的层叠结构也是可以的。例如，通过做成现有的SiNx、SiOx、AlOx、ZrOx、TaOx等非晶电介质膜或结晶膜的层叠结构，从而能够调整电介质膜5的阻抗或相对介电常数的温度变化。
〈上部电极4〉
在本实施方式的一个例子中，薄膜电容器10在电介质膜5的表面上具备作为薄膜电容器10的另一方电极来行使其功能的上部电极4。由于形成上部电极4的材料如果具有导电性的话则没有特别的限定，由与下部电极3相同的材料就能够形成上部电极4。上部电极4的膜厚只要能够作为电极来行使其功能的话即可，优选为10nm以上。在膜厚为10nm以下的情况下因为导电性发生恶化，所以作为上部电极4而不优选。
上部电极4优选使用真空蒸镀法、溅射法、PLD(脉冲激光蒸镀法)、MO-CVD(金属有机化学气相沉积法)、MOD(金属有机分解法)或溶胶-凝胶法、CSD(化学溶液沉积法)等各种薄膜形成法来进行形成。此时，会有在所使用的原料(蒸镀材料、各种靶材和金属有机材料等)中含有微量杂质或副成分的情况，但只要不是使导电性大幅度降低的杂质的话则不会有特别的问题。
在以上所述的实施方式中，例示了作为使用本发明的一个实施方式所涉及的电介质组合物的电子元件的一个例子的薄膜电容器，但是作为使用了本发明所涉及的电介质组合物的电子元件并不限定于薄膜电容器，例如如果是双工器(天线分离滤波器)(diplexer)、带通滤波器、平衡-不平衡变压器(balun)以及耦合器等具有电介质膜的电子元件的话则任一种都可以。
[实施例]
以下是根据详细的实施例来进一步说明本发明，但是本发明并不限定于这些实施例。
〈实施例1〉〈比较例〉
首先，用溅射法以成为20nm的厚度的形式将作为基底层的Ti薄膜形成于在350μm厚的Si表面上具备6μm厚的SiO2绝缘膜的10mm×10mm正方形基板表面上。
接着，用溅射法以成为100nm的厚度的形式将下部电极Pt薄膜形成于以以上所述形式形成的Ti薄膜上。
在升温速度为400℃/分；保持温度为700℃；温度保持时间为0.5小时；氛围气体为氧氛围气体；压力为常压的条件下对于所形成的Ti/Pt薄膜实行热处理。
在电介质膜的形成过程中所使用的方法是PLD法。电介质膜的形成所必要的靶材是以以下所述形式进行制作的。
首先，以成为表1所表示的试样No.1～试样No.36的Ba、Ca、Sr、Ta、Nb的量的形式称取BaCO3、CaCO3、SrCO3、Ta2O5、Nb2O5，将称量好的原料粉末和无水酒精以及φ2mm的ZrO2珠子投入到1L广口塑料壶中并实行20小时的湿式混合。之后，在100℃温度条件下使混合粉末浆料干燥20小时，将所获得的被干燥的混合粉末放入到Al2O3坩埚中，以在大气中用1250℃的温度保持5小时的烧成条件实行预烧制，并获得预烧制粉末。
使用单轴加压压制机来对所获得的预烧制粉末从而获得成形体。成形条件分别为压力2.0×108Pa；温度室温。
之后，对于所获得的成形体实行烧成，烧成条件分别是升温速度为200℃/小时；保持温度为1600℃～1700℃；温度保持时间为12小时；氛围气体为常压大气中。
以所获得的烧结体的厚度成为4mm的形式用圆筒研磨机来研磨两面，从而获得为了形成电介质膜而必要的PLD用靶材。
使用就这样获得的PLD用靶材并用PLD法以成为200nm～800nm厚度的形式将电介质膜形成于下部电极上。根据PLD法的成膜条件是氧压为1.0×10-1Pa，将基板加热到200℃。另外，为了使下部电极的一部分露出而使用金属掩模，从而形成电介质膜一部分没有被成膜的区域。
电介质膜厚的测量是通过用FIB进行挖掘并用SIM观察所获得的截面来进行测长。
成膜后的电介质膜的组成是就所有试样而言使用XRF(X射线荧光元素分析)来实行分析并确认是表1所记载的组成。
接着，使用蒸镀装置将上部电极Ag薄膜形成于所获得的上述电介质膜上。通过使用金属掩模并以直径成为100μm且厚度成为100nm的形式形成上部电极的形状，从而制得图1所表示的结构的试样No.1～试样No.36。
分别由下述所表示的方式来对所获得的所有薄膜电容器试样实行相对介电常数和Q值以及绝缘破坏电压的测定。
〈相对介电常数、Q值〉
相对介电常数以及Q值是相对于薄膜电容器试样根据在基准温度25℃条件下用RF阻抗/材料分析仪(Agilent公司制4991A)并在频率为2GHz以及输入信号电平(测定电压)为0.5Vrm的条件下进行测定的静电容量和膜厚测定结果来计算的(没有单位)。因为非晶SiNx膜的相对介电常数大约为7，所以大约7的1.5倍即11以上为良好。另外，因为非晶SiNx膜的Q值大约为500左右，所以500以上为良好。
〈绝缘破坏电压〉
绝缘破坏电压是通过相对于薄膜电容器试样连接到数字超高阻/微电流测量仪(ADVANTEST R8340)并以5V/秒的步阶(step)将电压施加于下部电极露出的区域和上部电极来测量的，从初期电阻值读取下降2位数的时候的电压值，将该值作为试样的破坏电压值(V)。将用电介质膜厚除所获得的破坏电压值(V)的数值作为绝缘破坏电压(Vdd)(V/μm)。将n＝5的平均值记载于表1中。非晶SiNx的绝缘破坏电压因为是500～700V/μm的程度，所以700V/μm以上为良好。
再有，对于制作好的薄膜电容器试样实行耐湿性试验，并实施下述所表示的条件下的压力锅测试(PCT)。
〈压力锅测试(PCT)〉
在将薄膜电容器试样投入到温度121℃和湿度95％RH以及压力2atm的条件下的恒温槽内并保持100小时之后从恒温槽内取出薄膜电容器试样，在室温条件下测定相对介电常数、Q值、绝缘破坏电压。在相对介电常数、Q值、绝缘破坏电压中任一个都是其实验前后的值为±5％以内的情况下耐湿性被判断为优异◎，在±10％以内的情况下耐湿性被判断为良好○。
[表1]
试样No.1～31
根据表1能够确认是一种由AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中至少一种元素，C为选自Ta或者Nb中至少一种元素)构成的电介质膜，并且α、β、γ的关系为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375的试样No.1～试样No.31其特性良好即相对介电常数为11以上；Q值为500以上；绝缘破坏电压为700V/μm以上。
试样No.2、4、6、8、9、11～31
根据表1能够确认是一种由AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr当中至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)构成的电介质膜，并且α、β、γ的关系为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000＜γ≤0.375的试样No.2、4、6、8、9、11～31其相对介电常数为11以上；Q值为500以上；绝缘破坏电压为700V/μm以上，并且耐湿性也优异。
试样No.6、8、11、13、14、16、19～31
根据表1能够确认α、β、γ的关系为α+β+γ＝1.000；0.100≤α≤0.375；0.625≤β≤0.900；0.000＜γ≤0.275的试样No.6、8、11、13、14、16、19～31被确认为就这样维持Q值和绝缘破坏电压并且获得更高的相对介电常数。
试样No.2、8、9、12～14、17～19、21～31
根据表1能够确认α、β、γ的关系为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.180；0.770≤β＜1.000；0.000＜γ≤0.050的试样No.2、8、9、12～14、17～19、21～31被确认为就这样维持相对介电常数和绝缘破坏电压并且获得更高的Q值。
试样No.2、11～14、18、20、21～31
根据表1能够确认α、β、γ的关系为α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.215；0.770≤β＜1.000；0.000＜γ≤0.015的试样No.2、11～14、18、20、21～31被确认为就这样维持相对介电常数和Q值并且获得更高的绝缘破坏电压。
试样No.13、14、21～31
根据表1能够确认α、β、γ的关系为α+β+γ＝1.000；0.100≤α≤0.180；0.805≤β≤0.900；0.000＜γ≤0.015的试样No.13、14、21～31其所有相对介电常数和Q值以及绝缘破坏电压能够获得更高的值。
试样No.21、22、23
根据表1能够确认是一种由AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr当中至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)构成的电介质膜，并且作为C而选择Ta的试样No.21、选择Ta和Nb双方的试样No.22、选择Nb的试样No.23显示出基本相同的特性。
试样No.21、24、27
根据表1能够确认是一种由AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr当中至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)构成的电介质膜，并且作为B而选择Ca的试样No.21、选择Ca和Sr双方的试样No.24、选择Sr的试样No.27显示出基本相同的特性。
试样No.21、22～29
根据表1能够确认是一种由AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr当中至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)构成的电介质膜，并且被选择为B和C的元素的组合为各种各样的试样No.21、No.22～29显示出基本相同的特性。
试样No.21、30、31
根据表1即使电介质膜的膜厚有所不同也能够确认通过使用本实施方式的电介质膜从而组成如果相同的话则显示出基本相同的特性。
〈实施例2〉
除了用溅射法来对电介质膜实施成膜之外其余均以与实施例1的试样No.21相同的手法来制作试样，并实行与实施例1相同的评价。将评价结果表示于表1中。
[表2]
试样No.21、37
根据表2即使电介质膜的制法有所不同也能够确认通过使用本实施方式的电介质膜从而组成如果相同的话则显示出基本相同的特性。产业上的利用可能性
正如以上所说明的那样本发明涉及电介质组合物以及电子元件，本发明提供一种即使在高频(2GHz)区域也具有高相对介电常数和高Q值以及高绝缘破坏电压的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。由此，对于使用电介质组合物的电子元件来说能够谋求到小型化以及高功能化。本发明例如对于使用电介质膜的双工器(天线分离滤波器)(diplexer)和带通滤波器等薄膜高频元件等能够广泛地提供新技术。
符号说明
1.支撑基板
2.基底层
3.下部电极
4.上部电极
5.电介质膜
10.薄膜电容器
Claims (7)
1.一种电介质组合物，其特征在于：
作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ表示的复合氧化物，
α、β、γ的关系满足：
α+β+γ＝1.000
0.000＜α≤0.375
0.625≤β＜1.000
0.000≤γ≤0.375
其中，A为Ba元素，B为选自Ca或Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或Nb中的至少一种元素。
2.如权利要求1所述的电介质组合物，其特征在于：
作为主成分含有由所述化学式表示的复合氧化物，
所述化学式中，
α、β、γ的关系满足：
α+β+γ＝1.000
0.000＜α≤0.375
0.625≤β＜1.000
0.000＜γ≤0.375。
3.如权利要求1所述的电介质组合物，其特征在于：
作为主成分含有由所述化学式表示的复合氧化物，
所述化学式中，
α、β、γ的关系满足：
α+β+γ＝1.000
0.100≤α≤0.375
0.625≤β≤0.900
0.000＜γ≤0.275。
4.如权利要求1所述的电介质组合物，其特征在于：
作为主成分含有由所述化学式表示的复合氧化物，
所述化学式中，
α、β、γ的关系满足：
α+β+γ＝1.000
0.000＜α≤0.180
0.770≤β＜1.000
0.000＜γ≤0.050。
5.如权利要求1所述的电介质组合物，其特征在于：
作为主成分含有由所述化学式表示的复合氧化物，
所述化学式中，
α、β、γ的关系满足：
α+β+γ＝1.000
0.000＜α≤0.215
0.770≤β＜1.000
0.000＜γ≤0.015。
6.如权利要求1所述的电介质组合物，其特征在于：
作为主成分含有由所述化学式表示的复合氧化物，
所述化学式中，
α、β、γ的关系满足：
α+β+γ＝1.000
0.100≤α≤0.180
0.805≤β≤0.900
0.000＜γ≤0.015。
7.一种电子元件，其特征在于：
具有权利要求1～权利要求6中任意一项所述的电介质组合物。
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