CN105541299B - 介电组合物以及电子部件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种即使在小型化了的情况下也相对介电常数高并且介电损耗小，即Q值高的介电组合物以及使用该介电组合物的电子部件。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO‑yB’O‑zB”2O5(式中A为选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素，B’为选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素，B”为选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素)所表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.375≤x≤0.563；0.250≤y≤0.500；x/3≤z≤x/3+1/9。

Description

介电组合物以及电子部件
技术领域
本发明涉及介电组合物以及电子部件。
背景技术
为了应对以智能手机或平板电脑为代表的移动通信设备的更加高速大容量通信化而开始了同时使用多个频带的MIMO技术(Multi-Input Multi-Output)的实用化。如果用于通信的频带增加，每一个频带都需要高频部件，而要维持设备原来的尺寸并增加元件个数，则要求各个部件进一步小型化以及高功能化。
作为这样的高频对应的电子部件例如有同向双工器(diplexer)和带通滤波器(band-pass filter)等。这些是都可以由担当电容器的电介质与担当电感器的磁性体的组合所构成，但是为了获得良好的高频特性要求抑制在高频区域中的各个损耗。
如果着眼于电介质，则要求：(1)对应于小型化的要求，要减小电容器部的面积，要求相对介电常数(εr)高；(2)为了使频率的选择性良好，要求介电损耗低，即要求Q值高，等。
例如，作为在GHz带上介电损耗低的代表性材料，可以列举无定形SiNx膜。但是，由于相对介电常数(εr)低至6.5，因此为了具备目标功能而需要大的面积，并且难以应对小型化的要求。
在专利文献1中，公开有关于介电损耗低即Q值高的材料Ba(Mg1/3Ta2/3)O3的技术。这些是作为经过1500℃以上的热处理而获得的致密烧结体，并且在10GHz处得到相对介电常数(εr)＝24.7；Q＝51000。
另外，在非专利文献1中，记载有通过PLD法(脉冲激光蒸镀法)将Ba(Mg1/3Ta2/3)O3成膜，通过600℃的热处理进行结晶化，并在2.66GHz处得到相对介电常数(εr)＝33.3；tanδ＝0.0158(换算成Q值为Q＝63.3)。
现有技术文献
非专利文献
非专利文献1：Jpn.J.Appl.Phys.Vol.42(2003)pp.7428-7431“Properties of Ba(Mg1/3Ta2/3)O3Thin Films Prepared by Pulsed-Laser Deposition”.
专利文献
专利文献1：日本特开平-8-319162号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而，在专利文献1的技术中，可知对于用于对应高频的电子部件来说过大，另一方面，如果为了小型化而将专利文献1的Ba(Mg1/3Ta2/3)O3薄膜化，则难以获得由现有烧结体得到的那样高Q值。另外，非专利文献1的技术中，虽然作为薄膜获得了相对介电常数(εr)＝33.3，以Q值进行换算为63.3，但是对于用于对应高频的电子部件来说，要求更高的Q值。
本发明是鉴于上述实际情况而完成的，其目的在于提供一种即使是在小型化了的情况下也相对介电常数高，且介电损耗低即Q值高的介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件。
解决技术问题的手段
为了达到上述目的，本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO-yB’O-zB”2O5(A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素，B’表示选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素，B”表示选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素)所表示的复合氧化物，并且x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.375≤x≤0.563；0.250≤y≤0.500；x/3≤z≤x/3+1/9。
通过设为上述x、y、z的范围，从而可以获得高相对介电常数以及高Q值。
作为本发明的优选方式，优选为作为主成分包含在上述通式中x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.450≤x≤0.575；0.213≤y≤0.377；x/3+0.025≤z≤x/3+0.081的复合氧化物的介电组合物。
认为通过做到上述x、y、z的范围，从而具有高Q值的B’位与B”位的长程序(longrange order)变得更加容易维持，并且容易获得更高的Q值。
另外，通过使用上述本发明所涉及的介电膜，从而可以提供与现有高频对应的电子部件中使用的介电组合物相比，即使在小型化了的情况下也能够得到足够高的相对介电常数，且Q值高，即，显示高的S/N比的电介质谐振器或电介质滤波器等电子部件。
发明效果
本发明能够提供一种即使在小型化了的情况下也相对介电常数高，且介电损耗低即Q值高的介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的薄膜电容器的截面图。
图2是用SEM(扫描电子显微镜)观察将基板加热到200℃而成膜所得到的本发明的一个实施方式所涉及的介电膜的表面的照片。
图3是用SEM观察将基板加热到200℃而成膜所得到的Ba比本发明的一个实施方式过剩的介电膜的表面的照片。
符号说明
1.支撑基板
2.基底层
3.下部电极
4.上部电极
5.介电膜
10.薄膜电容器
具体实施方式
以下是根据不同情况参照附图来说明本发明的优选实施方式。
〈薄膜电容器10〉
图1是作为使用了本发明的一个实施方式所涉及的介电组合物的电子部件的一个例子的薄膜电容器10的截面图。薄膜电容器10具备被层叠于支撑基板1表面的下部电极3和上部电极4、以及被设置于下部电极3与上部电极4之间的介电膜5。在支撑基板1与下部电极3之间，为了提高支撑基板1与下部电极3的紧密附着性而具备基底层2。支撑基板1具有确保薄膜电容器10整体的机械强度的功能。
对于薄膜电容器的形状，并没有特别的限制，通常被做成长方体形状。另外，其尺寸也没有特别的限制，厚度或长度可根据用途做成适当的尺寸。
〈支撑基板1〉
用于形成图1所示的支撑基板1的材料并没有特别的限定，例如由作为单晶的Si单晶、SiGe单晶、GaAs单晶、InP单晶、SrTiO3单晶、MgO单晶、LaAlO3单晶、ZrO2单晶、MgAl2O4单晶、NdGaO3单晶；或作为陶瓷多晶基板的Al2O3多晶、ZnO多晶、SiO2多晶；或Ni、Cu、Ti、W、Mo、Al、Pt等的金属；或它们的合金的基板等能够形成支撑基板1，但不特别限定。在这些材料中，从低成本以及加工特性的观点出发，一般是将Si单晶作为基板使用。支撑基板1其电阻率根据基板的材质会有所不同。在将电阻率低的材料作为基板使用的情况下，如果直接使用则电流流向基板侧的漏电会影响到薄膜电容器10的电特性。因此，也有对支撑基板1的表面实施绝缘处理，以使使用时的电流不流向支撑基板1的情况。例如，在使用Si单晶作为支撑基板1的情况下，使支撑基板1表面氧化而形成SiO2绝缘层，或者也可以在支撑基板1的表面形成Al2O3、SiO2、Si3Nx等绝缘物，只要保持对支撑基板1的绝缘其绝缘层的材料或膜厚就没有限定，但是膜厚优选为0.01μm以上。由于小于0.01μm的厚度不能够保持绝缘性，所以作为绝缘层的厚度不优选。支撑基板1的厚度如果能够确保薄膜电容器整体的机械强度，则都没有特别的限定，例如可以被设定为10μm～5000μm。在小于10μm的情况下有不能够确保机械强度的情况，如果超过了5000μm则会有无助于电子部件小型化的问题的情况。
〈基底层2〉
在本实施方式中，图1所示的薄膜电容器10优选为在进行了绝缘处理的支撑基板1表面上具有基底层2。基底层2是以提高支撑基板1与下部电极3的紧密附着性为目的而被插入的。作为一个例子，在下部电极3中使用Cu的情况下，将Cr作为基底层2插入，在下部电极3中使用Pt的情况下，将Ti作为基底层2插入。
因为是以提高紧密附着性为目的，所以对于上述材料没有限定，另外，如果能够保持支撑基板1与下部电极3的紧密附着性，可以省略基底层2。
〈下部电极3〉
用于形成下部电极3的材料只要具有导电性即可，例如能够由Pt、Ru、Rh、Pd、Ir、Au、Ag、Cu、Ni等金属或它们的合金或者导电性氧化物等来形成。因此，可以选择对应于成本或者对应于对介电膜5实施热处理的时候的气氛的材料。介电膜5除了在大气中之外还可以在惰性气体N2或Ar、另外O2、惰性气体和还原性气体H2的混合气体中进行热处理。下部电极3的膜厚只要能够发挥作为电极的功能即可，优选为0.01μm以上。在小于0.01μm的情况下，导电性会变差，因而不优选。另外，在将使用了能够作为电极使用的Cu或Ni、Pt等或氧化物导电性材料等的基板用于支撑基板1的情况下，可以省略上述基底层2和下部电极3。
也可以在形成下部电极3之后进行热处理以提高基底层2与下部电极3的紧密附着性并提高下部电极3的稳定性。在进行热处理的情况下，升温速度优选为10℃/分～2000℃/分，更加优选为100℃/分～1000℃/分。热处理时的保持温度优选为400℃～800℃，其保持时间优选为0.1小时～4.0小时。如果超过了上述范围，则会由于发生紧密附着不良并且在下部电极3的表面上产生凹凸，从而会变得容易发生介电膜5的介电特性的降低。
〈介电膜5〉
构成介电膜5的介电组合物中，作为主成分包含通式xAO-yB’O-zB”2O5(A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素，B’表示选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素，B”表示选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素)所表示的复合氧化物。
另外，在将介电组合物的主成分表示为xAO-yB’O-zB”2O5的时候，x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.375≤x≤0.563；0.250≤y≤0.500；x/3≤z≤x/3+1/9。
本发明者等认为能得到这样维持高的相对介电常数而Q值改善的效果的主要原因如下。认为一般来说，已知容易得到超晶格结构的A2+(B’2+ 1/3B”5+ 2/3)O3是由B’位点与B”位点的长程序来保持高Q值，但如果做成薄膜就不能够维持之前的结晶结构，容易发生B’晶位的缺失并且不能维持B’位点与B”位点的长程序，因此有Q值降低的倾向。如果使B’位点离子过剩，则能够抑制B’位的缺失，因此B’位与B”位的长程序容易维持并且Q值也变高。
在x小于0.375的情况下，不能够获得充分的相对介电常数。如果y超过0.500，则在成膜后容易发生裂纹，并且会有Q值大幅度降低的倾向。如果z超过了x/3+1/9，则过剩的Ta2O5容易引起氧缺失并半导体化，有介电损耗变高即Q值变低的倾向。在x超过0.563或者y小于0.250或者z小于x/3的情况下，过剩的BaO与大气中的CO2或H2O反应，并且介电组合物发生变质，有不能维持形状的倾向。通过将x、y、z的范围控制在x+y+z＝1.000；0.375≤x≤0.563；0.250≤y≤0.500；x/3≤z≤x/3+1/9，从而能够兼顾高的相对介电常数和高Q值。
A为选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素。不论使用Ba、Ca、Sr中的一种还是使用多种都能够得到同样的效果。另外，B’为选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素，B”为选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素。对于这些，不论使用一种还是含有多种来使用都能够获得同样的效果。
进一步，作为主成分含有在上述通式中x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.425≤x≤0.525；0.275≤y≤0.409；x/3+0.025≤z≤x/3+0.081的复合氧化物。
通过设为上述x、y、z的范围，从而有更加容易维持具有高Q值的B’位点与B”位点的长程序，并且容易获得更高Q值的效果。
介电膜5的厚度优选为10nm～50μm，更加优选为50nm～1000nm。如果小于10nm，则容易发生绝缘破坏，在超过2000nm的情况下，则为了增大电容器的静电容量需要扩大电极面积，并根据电子部件的设计不同会有难以小型化的情况。介电膜厚的测量可以用FIB(聚焦离子束)加工装置来挖掘并用SIM(扫描离子显微镜)等来观察所获得的截面进行测量长度。
介电膜5优选使用真空蒸镀法、溅射法、PLD(脉冲激光沉积法)、MO-CVD(金属有机化学气相沉积法)、MOD(金属有机分解法)或溶胶-凝胶法、CSD(化学溶液沉积法)等各种薄膜形成法来形成。此时，会有在所使用的原料(沉积材料、各种靶材和金属有机材料等)中含有微量杂质或副成分的情况，但只要不是会大幅度降低绝缘性的杂质则没有特别的问题。
另外，介电组合物中，只要不是会大大降低本发明效果的介电特性，即，相对介电常数或Q值的物质，可以含有微量杂质或副成分。因此，作为余量的主成分的含量没有特别的限定，例如相对于含有上述主成分的介电组合物整体为50％以上且100％以下。
另外，介电膜5通常仅由本发明的介电组合物构成，但也可以是与其它介电组合物的膜相结合的层叠结构。例如，通过做成与现有的Si3Nx、SiOx、Al2Ox、ZnOx、Ta2Ox等无定形介电膜或结晶膜的层叠结构，从而能够调整介电膜5的阻抗或相对介电常数的温度变化。
〈上部电极4〉
在本实施方式的一个例子中，薄膜电容器10在介电膜5的表面上具备发挥作为薄膜电容器10的另一个电极的功能的上部电极4。用于形成上部电极4的材料只要具有导电性都没有特别的限定，可以由与下部电极3同样的材料来形成上部电极4。上部电极4的膜厚只要能够发挥作为电极的功能即可，优选为0.01μm以上。在膜厚为0.01μm以下的情况下，由于导电性恶化，因此作为上部电极4不优选。
在上述实施方式中，例示了作为使用了本发明的一个实施方式所涉及的介电组合物的电子部件的一个例子的薄膜电容器，但是作为使用了本发明所涉及的介电组合物的电子部件，并不限定于薄膜电容器，例如只要是双工器、带通滤波器、巴伦(平衡不平衡转换器，balun)或耦合器等具有介电膜的电子部件都可以。
以下是根据详细的实施例来进一步说明本发明，但是本发明并不限定于这些实施例。
〈实施例1〉〈比较例1〉
首先，用溅射法在350μm厚的Si表面上具备6μm厚的SiO2绝缘膜的10mm×10mm正方形的基板表面上形成基底层Ti薄膜至成为20nm的厚度。
接下来，用溅射法在上述形成的Ti薄膜上形成下部电极Pt薄膜至成为100nm的厚度。
对所形成的Ti/Pt薄膜，将升温速度设为400℃/分，将保持温度设为700℃，将温度保持时间设为30分钟，并将气氛设为氧气氛，在常压下进行热处理。
在介电膜的形成中使用了PLD法。介电膜的形成所必需的靶材是按如下的方式制作的。
首先，称量MgO以及Ta2O5以成为表1所示的样品No.1～样品No.25的Mg以及Ta的量，将称量的原料粉末和水以及φ2mm的ZrO2珠投入到1L广口塑料壶中并进行20小时的湿式混合。之后，在100℃下使混合粉末浆料干燥20小时，将所获得的混合粉末投入到Al2O3坩埚中，用在大气中用1250℃的温度保持5小时的烧成条件进行1次预烧，并获得了MgO-Ta2O5预烧粉末。
接着，称量所获得的MgO-Ta2O5预烧粉末和BaCO3以成为表1所示的样品No.1～样品No.25的z值，将称量好的原料粉末和水以及φ2mm的ZrO2珠子投入到1L广口塑料壶中进行20小时的湿式混合。之后，在100℃下将混合粉末浆料干燥20小时，并将所获得的混合粉末投入到Al2O3坩埚中，以在大气中用1050℃的温度保持5小时的烧成条件进行2次预烧制，并获得了BaO-MgO-Ta2O5预烧粉末。
不含Mg的BaO-Ta2O5系化合物会阻碍作为目标产物的BaO-MgO-Ta2O5的生成，但通过这样进行2个阶段的预烧，从而就能够抑制BaO-Ta2O5系化合物生成。
将所获得的预烧粉末放入到研钵，作为粘结剂添加浓度为6wt％的PVA(聚乙烯醇)水溶液至相对于预烧粉末成为10wt％，使用杵来制作造粒粉之后，加入造粒粉到φ20mm的模具至厚度成为5mm左右。接着，使用单轴加压压制机来得到成形体。成形条件分别是：压力为2.0×108Pa；温度为室温。
之后，在升温速度为100℃/小时；保持温度为400℃；温度保持时间为4小时；气氛为常压空气下对于所获得的成形体进行脱胶粘剂处理，之后在升温速度为200℃/小时；保持温度为1600℃～1700℃；温度保持时间为12小时；气氛为常压空气下进行了烧成。
接着，用圆筒研磨机研磨两面至所获得的烧结体的厚度成为4mm，并获得用于形成介电膜所需的PLD用靶材。
使用就这样制得的PLD用靶材，用PLD法在下部电极上形成介电膜至厚度成为400nm。由PLD法进行成膜的条件为将氧压控制为1×10-1(Pa)，将基板加热到200℃。另外，为了让下部电极的一部分露出而使用金属掩膜从而形成了介电膜一部分没有被成膜的区域。
介电膜厚的测量通过用FIB进行挖掘并用SIM观察所获得的截面来进行厚度测量。
成膜后的介电膜的组成是使用XRF(荧光X射线元素分析)对所有样品进行分析，并确认为表1～4所记载的组成。
接下来，使用蒸镀装置在所获得的上述介电膜上形成上部电极Ag薄膜。通过使用金属掩膜将上部电极形成为直径为100μm、厚度为100nm，从而获得了图1所示的结构的样品No.1～样品No.45。
对于所获得的所有薄膜电容器样品，分别通过下述所示的方法来测定相对介电常数以及Q值。
〈相对介电常数(εr)、Q值〉
相对介电常数(εr)以及Q值是相对于薄膜电容器样品，根据在基准温度为25℃下，用RF阻抗/材料分析仪(Agilent公司制造的4991A)在频率为2GHz、输入信号电平(测定电压)为0.5Vrms的条件下测定的静电容量和膜厚测定的结果来计算的(没有单位)。相对介电常数越高越好，10以上为良好。另外，Q值越高越好，400以上为良好。
样品No.1～样品No.17
样品No.1～样品No.17与图2所示的样品同样没有在表面发现裂纹等缺陷。根据表1，能够确认为是以BaO-MgO-Ta2O5作为主成分的介电膜，且在将上述介电膜的主成分表示为xBaO-yMgO-zTa2O5时，x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.375≤x≤0.563；0.250≤y≤0.500；x/3≤z≤x/3+1/9的样品No.1～样品No.17的相对介电常数为10以上且Q值为400以上。
样品No.9～样品No.17
根据表1，可以确认在将介电膜的主成分表示为xBaO-yMgO-zTa2O5时，x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.425≤x≤0.525；0.275≤y≤0.409；x/3+0.025≤z≤x/3+0.081的样品No.9～样品No.17相对介电常数为15以上且Q值为500以上。
样品No.18～样品No.25
x＞0.563的样品No.18以及样品No.19与图3所示的样品同样在表面上发生了裂纹，因此不能够评价介电特性。样品No.20～样品No.25与图2所示的样品同样在表面上没有发现裂纹等缺陷。y＞0.500的样品No.20以及样品No.21的相对介电常数小于10。z＞x/3+1/9的样品No.22～样品No.25其Q值小于400。
〈实施例2〉
称取BaCO3、CaCO3、SrCO3、MgO、Ta2O5至Ba、Ca、Sr、Mg、Ta的量成为表2所示的值，以1次预烧中得到MgO-Ta2O5预烧粉末，在2次预烧中分别得到了CaO-MgO-Ta2O5(样品No.26)、SrO-MgO-Ta2O5(样品No.27)、(Ba-Ca)O-MgO-Ta2O5(样品No.28)、(Ca-Sr)O-MgO-Ta2O5(样品No.29)、(Sr-Ba)O-MgO-Ta2O5(样品No.30)、(Ba-Ca-Sr)O-MgO-Ta2O5(样品No.31)的预烧粉末。除了组成之外其余均与实施例1同样制作靶材，并分别制作了各个样品No.26～样品No.31的薄膜电容器样品。将进行了与实施例1同样的评价的结果示于表2。
样品No.11、样品No.26～样品No.31
样品No.26～样品No.31与图2所示的情况同样在表面上没有发现裂纹等缺陷。根据表2能够确认，为以AO-MgO-Ta2O5作为主成分的介电膜且A含有选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的样品No.11、样品No.26～样品No.31显示基本相同的特性，相对介电常数为10以上以及Q值为400以上。
〈实施例3〉
称取BaCO3、MgO、ZnO、NiO、Ta2O5至Ba、Mg、Zn、Ni、Ta的量成为表3所示的值，在1次预烧中分别得到ZnO-Ta2O5(样品No.32)、NiO-Ta2O5(样品No.33)、(Mg-Zn)O-Ta2O5(样品No.34)、(Zn-Ni)O-Ta2O5(样品No.35)、(Ni-Mg)O-Ta2O5(样品No.36)、(Mg-Zn-Ni)O-Ta2O5(样品No.37)的预烧粉末，在2次预烧中分别得到BaO-ZnO-Ta2O5(样品No.32)、BaO-NiO-Ta2O5(样品No.33)、BaO-(Mg-Zn)O-Ta2O5(样品No.34)、BaO-(Zn-Ni)O-Ta2O5(样品No.35)、BaO-(Ni-Mg)O-Ta2O5(样品No.36)、BaO-(Mg-Zn-Ni)O-Ta2O5(样品No.37)的预烧粉末。除了组成之外其余均与实施例1同样制作靶材，并分别制作了样品No.32～样品No.37的薄膜电容器样品。将进行了与实施例1同样的评价的结果示于表3中。
样品No.11、样品No.32～样品No.37
样品No.32～样品No.37与图2所示的样品同样在表面上没有发现裂纹等缺陷。根据表3能够确认，为以BaO-B’O-Ta2O5作为主成分的介电膜且B’含有选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的样品No.11、样品No.32～样品No.37显示基本同样的特性，相对介电常数为10以上，Q值为400以上。
〈实施例4〉
称取BaCO3、MgO、Ta2O5、Nb2O5至Ba、Mg、Ta、Nb的量成为表4所示的值，在1次预烧中分别得到了MgO-Nb2O5(样品No.38)、MgO-(Ta-Nb)2O5(样品No.39)的预烧粉末，在2次预烧中分别得到了BaO-MgO-Nb2O5(样品No.38)、BaO-MgO-(Ta-Nb)2O5(样品No.39)的预烧粉末。除了组成之外其余均与实施例1同样制作靶材，并分别制作了样品No.27和样品No.28的薄膜电容器样品。将进行了与实施例1同样的评价的结果示于表4中。
样品No.11、样品No.38以及样品No.39
样品No.38、样品No.39与图2所示的样品同样在表面上没有发现裂纹等缺陷。根据表4能够确认，为以BaO-MgO-B”2O5作为主成分的介电膜且B”含有选自Nb、Ta中的至少一种以上的样品No.11、样品No.38以及样品No.39显示基本相同的特性，相对介电常数为10以上，Q值为400以上。
〈实施例5〉
称取BaCO3、CaCO3、SrCO3、MgO、ZnO、NiO、Ta2O5、Nb2O5至Ba、Ca、Sr、Mg、Zn、Ni、Ta、Nb的量成为表5所示的值，在1次预烧中分别得到(Mg-Zn)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.40)、(Zn-Ni)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.41)、(Ni-Mg)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.42)、(Mg-Zn-Ni)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.43)的预烧粉末，在2次预烧中分别得到了(Ba-Ca)O-(Mg-Zn)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.40)、(Ca-Sr)O-(Zn-Ni)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.41)、(Sr-Ba)O-(Ni-Mg)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.42)、(Ba-Ca-Sr)O-(Mg-Zn-Ni)O-(Ta-Nb)2O5(样品No.43)的预烧粉末。除了组成之外其余均与实施例1同样制作了靶材，并分别制作了样品No.40～样品No.43的薄膜电容器样品。将进行了与实施例1同样的评价的结果示于表5中。
样品No.40～样品No.43
样品No.40～样品No.43与图2所示的样品同样在表面上没有发现裂纹等缺陷。根据表5能够确认，为以AO-B’O-B”2O5作为主成分的介电膜，且A含有选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素；B’含有选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素；B”含有选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素的样品No.40～样品No.43显示出基本相同的特性，相对介电常数为10以上，Q值为400以上。
〈实施例6〉
除了用溅射法来进行介电膜的成膜之外其余均用与实施例1的样品No.11相同的方法来制作样品，并进行了与实施例1同样的评价。将结果示于表6中。
〈实施例7〉
除了将介电膜厚做到800nm之外，其余均以与实施例1的样品No.11相同的方法制作样品，并进行了与实施例1同样的评价。将结果示于表6中。
样品No.44、样品No.45
样品No.44以及样品No.45与图2所示的样品同样在表面上没有发现裂纹等缺陷。根据表6可以确认，即使介电膜的制法(样品No.44)或介电膜厚(样品No.45)不同，通过使用本实施方式的介电膜，相对介电常数也是10以上并且Q值为400以上。
产业上的利用可能性
正如以上所说明的，本发明涉及介电组合物以及电子部件，本发明提供一种即使小型化也能够相对介电常数高且介电损耗小即Q值高的介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件。由此，在使用介电组合物的电子部件中，能够达到小型化以及高功能化。本发明例如对于使用介电膜的双工器(天线分离滤波器)(diplexer)或带通滤波器等薄膜高频部件等广泛地提供新技术。

Claims (3)

1.一种介电组合物，其特征在于：
作为主成分包含由通式xAO-yB’O-zB”2O5所表示的复合氧化物，并且x、y、z的关系为：
x+y+z＝1.000，
0.375≤x≤0.563，
0.250≤y≤0.500，
x/3≤z≤x/3+1/9，
其中，A为选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素，B’为选自Mg、Ni中的至少一种以上的元素，B”为选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素。
2.如权利要求1所述的介电组合物，其特征在于：
作为主成分包含在所述通式中x、y、z的关系满足下述式子的复合氧化物，
x+y+z＝1.000，
0.425≤x≤0.525，
0.275≤y≤0.409，
x/3+0.025≤z≤x/3+0.081。
3.一种电子部件，其特征在于：
具有权利要求1或者权利要求2中的任一项所述的介电组合物。
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