TW201709221A - 異向導電性膜 - Google Patents

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Hajime Yamamoto
Hironobu Machinaga
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Nitto Denko Corp
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01RELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R11/00Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts
    • H01R11/01Individual connecting elements providing two or more spaced connecting locations for conductive members which are, or may be, thereby interconnected, e.g. end pieces for wires or cables supported by the wire or cable and having means for facilitating electrical connection to some other wire, terminal, or conductive member, blocks of binding posts characterised by the form or arrangement of the conductive interconnection between the connecting locations

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Abstract

異向導電性膜(10)具備樹脂膜(20)。樹脂膜(20)具有多個貫通孔(25)。多個貫通孔(25)各別由經導電材料(33)覆蓋之內壁面(24)規定。導電材料(33)係構成於內部具有自表面(11)延伸至背面(12)之空孔(15)之筒狀體(30)。因具有空孔(15),故而異向導電性膜(10)適於確保厚度方向之透光性。

Description

異向導電性膜
本發明係關於一種異向導電性膜。
已知有一種厚度方向之導電性較高,且垂直於厚度方向之面內方向之絕緣性較高之膜。此種膜有時被稱為異向導電性膜。異向導電性膜之一例係記載於專利文獻1及2中。專利文獻1之異向導電性膜於形成於絕緣性膜之多個貫通孔,填充有源自鍍敷法之金屬物質。專利文獻2之異向導電性膜於形成於絕緣性膜之多個貫通孔,填充有導電性粒子及填充劑。
於一例中,異向導電性膜被插入至電路基板彼此之間,且藉由加熱及壓接而固定於該等電路基板之間。異向導電性膜之厚度方向之導電性較高,故而確保了一電路基板之電極與另一電路基板之電極之間的電性連接。另一方面,異向導電性膜之面內方向之絕緣性較高,故而不易產生一電路基板內之多個電極間之不必要之短路,亦不易產生另一電路基板內之多個電極間之不必要之短路。於另一例中,異向導電性膜介置於電子元件與電路基板之間。具體而言,異向導電性膜係用作半導電體元件或電子零件等電子元件之安裝用連接構件,或用作功能檢查用連接器。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平5-325669
專利文獻2:日本特開2002-75064
專利文獻1及2中記載之異向導電性膜係形成於絕緣性膜之多個貫通孔完全被阻塞。根據本發明人等之研究,若貫通孔完全被阻塞,則難以確保異向導電性膜之厚度方向之透光性。
為了解決上述習知技術之缺點,本發明提供一種異向導電性膜,其具有表面及背面者,且該異向導電性膜具備樹脂膜,該樹脂膜具有多個貫通孔,且多個上述貫通孔各別由經導電材料覆蓋之內壁面規定,上述導電材料構成筒狀體,該筒狀體於內部具有自上述表面延伸至上述背面之空孔。
本發明之異向導電性膜係導電材料覆蓋規定樹脂膜之貫通孔的內壁面,但於該導電材料之內部形成有空孔。因此,本發明之異向導 電性膜適於確保厚度方向之透光性。
10‧‧‧異向導電性膜
11‧‧‧表面
12‧‧‧背面
15‧‧‧空孔
20‧‧‧樹脂膜
21‧‧‧表面
22‧‧‧背面
24‧‧‧內壁面
25‧‧‧貫通孔
27‧‧‧實心之部分
30‧‧‧筒狀體
33‧‧‧導電材料
39‧‧‧外輪廓
圖1係模式性地表示異向導電性膜之一例之剖面圖。
圖2係模式性地表示異向導電性膜之一例之俯視圖。
圖3模式性地表示樹脂膜之一例之剖面圖。
以下,一面參照隨附之圖式,一面對本發明之實施形態進行說明,但以下僅為本發明之實施形態之示例,而並非旨在限制本發明。
使用圖1及圖2,對本實施形態之異向導電性膜進行說明。異向導電性膜10具有樹脂膜20、及導電材料33。樹脂膜20係絕緣性較高(即,導電性較低)之膜。導電材料33係導電性較高之材料。導電材料33構成於內部具有自表面11延伸至背面12之空孔15之筒狀體(筒狀之導電層)30。具體而言,存在多個由導電材料33所構成之筒狀體30。該等多個筒狀體30係互相隔開,並且自異向導電性膜10之表面11延伸至背面12。因以此方式構成,故多個筒狀體30雖提供異向導電性膜10之厚度方向之導電性,但無法大幅地提高與厚度方向垂直之面內方向之導電性。樹脂膜20係確保面內方向之絕緣性。即,藉由樹脂膜20與導電材料33之組合,而提供異向導電性膜10之異向導電性。又,筒狀體30之空孔15具有於異向導電性膜10之厚度方向使光穿透(確保厚度方向之透明性)之功能。再者,於本說明書中,異向導電性係指異向導電性膜10之厚度方向之導電性較 高,且面內方向之絕緣性較高之性質。
如圖3所示,於樹脂膜20,形成有多個貫通孔25。多個貫通孔25各別由樹脂膜20之內壁面24規定。換言之,多個貫通孔25各別由內壁面24包圍。內壁面24係應被導電材料33覆蓋之面。本實施形態之樹脂膜20由內部被樹脂填滿之實心之部分27、及多個貫通孔25所構成。樹脂膜20之表面21及背面22構成異向導電性膜10之表面11及背面12之一部分。
就藉由確保異向導電性膜10之面內方向之絕緣性而確保異向導電性之觀點而言,較佳為表面21及背面22之絕緣性較高。就該觀點而言,樹脂膜20之材料可選自絕緣性一定程度上較高之材料。具體而言,樹脂膜20之材料可為包含選自由聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯亞胺及聚偏二氟乙烯所組成之群中之至少一種之材料。
就確保異向導電性膜10之厚度方向之透光性之觀點而言,較佳為樹脂膜20之厚度並非過大。亦就確保異向導電性膜10之厚度方向之導電性之觀點而言,較佳為樹脂膜20之厚度並非過大。若考慮該等觀點,則樹脂膜20之厚度例如為4~130μm,又,例如為10~130μm,較佳為10~100μm,更佳為10~60μm。
就確保異向導電性膜10之厚度方向之透光性之觀點而言,較佳為貫通孔25之直徑並非過小。就該觀點而言,貫通孔25之直徑(直徑)例如為0.5~35μm,又,例如為1~35μm,又,例如亦可為1~15μm、及2~15μm。於本實施形態中,貫通孔25於表面21或背面22,構成直徑 為35μm以下(具體而言,為15μm以下)之開口。
就確保異向導電性膜10之厚度方向之導電通路之數量,從而確保厚度方向之導電性,藉此確保異向導電性之觀點而言,貫通孔25之密度較佳為一定程度上較大。但,若貫通孔25之密度過大,則存在因貫通孔25中之光之散射而較大地損及異向導電性膜10之厚度方向之透光性之情況。若考慮該等方面,則多個貫通孔25之密度較佳為1×103~1×1010個/cm2,更佳為1×104~1×109個/cm2。再者,若一面確保異向導電性膜10之異向導電性,一面實現異向導電性膜10之輕薄短小化,則樹脂膜20較佳為具有小徑且多個之貫通孔25。將貫通孔25之直徑及密度這兩者設為上述之範圍亦適於該目的。
自厚度方向觀察異向導電性膜10時之所有多個貫通孔25之剖面面積之總和相對於由異向導電性膜10之輪廓規定之面積的比率(開口率)例如為0.05~0.5,亦可為0.2~0.4。再者,關於原因之詳情仍在研究中,但異向導電性膜10所具有之所有筒狀體(筒狀之導電層)30之體積之合計(總體積)一定程度上較大,具有容易確保異向導電性膜10之厚度方向之導電性之傾向。即,於藉由下述濺鍍(及蝕刻)等而於各貫通孔25內形成特定之壁厚之筒狀體30之情形時,於開口率如上述程度般較高並且貫通孔25之直徑一定程度上較小(例如,15μm以下)之狀況下,換言之,於如一定程度上較多地存在一定程度小徑之貫通孔25般之所有內壁面24之面積之合計(總面積)較大之狀況下,存在容易確保厚度方向之導電性之傾向。
就確保異向導電性膜10之厚度方向之透光性之觀點而言,樹脂膜20之厚度方向與貫通孔25之軸方向之間之角度較佳為並非過大。 又,亦就藉由確保異向導電性膜10之厚度方向之導電性而確保異向導電性之觀點而言,該角度較佳為並非過大。就該等觀點而言,該角度較佳為0~30°,更佳為0~15°,進而較佳為0~2°。
貫通孔25之形狀並無特別限定。例如,貫通孔25係直線狀延伸之直孔。作為貫通孔25之具體形狀,可例示圓柱形狀、圓錐台形狀、沙漏形狀(2個圓錐台組合而成之形狀,且各個面積較小之側之底面連接而成之形狀)。
導電材料33覆蓋規定樹脂膜20之多個貫通孔25各自之內壁面24。導電材料33構成於內部具有自表面11延伸至背面12之空孔15之筒狀體30。空孔15係較佳地使光穿透。具體而言,存在多個由導電材料33所構成之筒狀體30。多個筒狀體30覆蓋樹脂膜20之多個內壁面24,並且互相隔開。多個筒狀體30分別自異向導電性膜10之表面11延伸至背面12,並且呈現筒狀。即,多個筒狀體30構成異向導電性膜10之表面11及背面12之一部分,並且互相隔開。因以此方式設置,故而多個筒狀體30雖提供異向導電性膜10之厚度方向上較高之導電性,但未能大幅地提高面內方向之導電性。本實施形態係於表面11及/或背面12,使多個筒狀體30分別形成之外輪廓39沿著內壁面24。具體而言,筒狀體30僅覆蓋樹脂膜20之內壁面24,而未覆蓋樹脂膜20之表面21及背面22。但,只要確保多個筒狀體30之各自之間之分隔及絕緣,則導電材料33之一部分亦可附著於表面21及背面22。
只要具有導電性,則導電材料33之材料並無特別限定。典型而言,導電材料33之材料為金屬或金屬氧化物。具體而言,導電材料33 之材料可為包含選自由金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、氧化銦錫(ITO)及氧化銦鋅(IZO)所組成之群中之至少一種之材料。
就確保異向導電性膜10之厚度方向之導電性之觀點而言,筒狀體30之壁厚宜為較大。另一方面,若壁厚過大,則存在源自筒狀體30之材料之異向導電性膜10之著色變得顯著之情況,從而存在因該情況等而較大地損及厚度方向之透光性之情況。若考慮該等方面,則壁厚較佳為100~1000nm。
空孔15之直徑例如為0.1~30μm,又,例如為1~30μm,又,例如為1~14μm。
亦可將其他層介置於導電材料33與樹脂膜20之內壁面24之間。例如,可藉由介置二氧化矽(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鈮等無機材料層,而提昇導電材料33對內壁面24之密接性,或提昇異向導電性膜10之透明性。
作為異向導電性膜10之厚度方向之絕緣性(導電性)之指標,可列舉異向導電性膜10之厚度方向之體積電阻。作為異向導電性膜10之面內方向之絕緣性之指標,可列舉異向導電性膜10之膜面方向之表面電阻。就視認夾隔異向導電性膜10之相反側之觀點(確保厚度方向之視認性之觀點)而言,只要確保異向導電性膜10之波長300~800nm之光之厚度方向上相關之穿透率即可。上述體積電阻例如為1.0×10-2~1.0×1015Ω‧cm,較佳為1.0×10-2~1.0×1013Ω‧cm。上述表面電阻例如為1.0×102Ω/□以上,較佳為1.0×1014Ω/□以上。上述穿透率較佳為25~90%。只要該等3個參數處於上述範圍內,則異向導電性膜10可謂厚度方向之導電性較高且膜面 方向之絕緣性較高(即,異向導電性較高),並且具有厚度方向之視認性。上述穿透率更佳為30%~90%,進而較佳為60~90%。
異向導電性膜10可用作貼附於液晶顯示面板之液晶顯示器用片材。例如,表面11構成應與液晶顯示面板之導電部相接之表面,背面11構成應與對象材料相接之背面。於具體之一例中,液晶顯示面板之導電部為電極或控制電路,對象材料為TAB(Tape Automated Bonding)模組或COG(Chip On Glass)模組等半導體元件(電子電路)。於具體之其他例中,液晶顯示面板為觸控面板(可手動輸入文字或圖形之顯示元件),且對象材料為觸控筆。異向導電性膜10之厚度方向之較高之導電性係實現液晶顯示器用片材之較低之驅動電壓及較高之響應速度。異向導電性膜10之厚度方向之較高之穿透率係實現液晶顯示器用片材之較高之視認性(較高之透明性)。無需再言,異向導電性膜10之該等效果亦可於其他用途得以發揮。
其次,對適於製造如上所述之異向導電性膜10之製造方法之一例進行說明。
首先,準備具有多個貫通孔25且多個貫通孔25之各自由內壁面24規定之樹脂膜20。於該例中,進行對原膜(樹脂膜)之離子束照射、及對照射後之膜之化學蝕刻。藉此,製作樹脂膜20。根據離子束照射及蝕刻,可製作具有表面21及背面22上之開口徑一致之多個貫通孔25之樹脂膜20。又,離子束照射及蝕刻係於不進而實施將膜之主面(表面及背面)進行加工或處理之步驟之情形時,除了形成貫通孔25之開口以外,可獲得具有與原膜之主面相同之狀態之主面之樹脂膜20。因此,例如,若選擇主面之平滑度較高之膜作為原膜,則可獲得具有與之相應之較高之平滑度之 主面(例如,除上述開口以外,主面平坦)之樹脂膜20。典型而言,原膜為無孔之樹脂膜。原膜之材料可為與樹脂膜20之材料相同之材料。
將離子束照射於原膜時之離子照射量可根據樹脂膜20應具有之貫通孔25之密度而適當地調整。
用以形成貫通孔25之蝕刻係選擇與原膜之材料(即,樹脂膜20之材料)相應之蝕刻處理液。作為蝕刻處理液,例如,可列舉鹼性溶液及氧化劑溶液。鹼性溶液例如為含有氫氧化鉀及/或氫氧化鈉作為主成分之溶液,亦可更含有氧化劑。可藉由使用鹼性溶液,而將構成原膜之樹脂水解。氧化劑溶液係例如含有選自亞氯酸、亞氯酸鹽、次氯酸、次氯酸鹽、過氧化氫及過錳酸鉀之至少1種作為主成分之溶液。可藉由使用氧化劑溶液,而將構成原膜之樹脂氧化分解。構成樹脂膜及原膜之樹脂與蝕刻處理液之組合之例係對於聚萘二甲酸乙二酯、聚碳酸酯及聚萘二甲酸乙二酯為鹼性溶液(例如,以氫氧化鈉為主成分之溶液),且對於聚醯亞胺及聚偏二氟乙烯為氧化劑溶液(例如,以次氯酸鈉為主成分之溶液)。
蝕刻之時間及蝕刻處理液之濃度可根據樹脂膜20應具有之貫通孔25之直徑等而適當地調整。
作為樹脂膜20,可使用市售之膜。市售之膜例如由Oxyphen公司及Millipore公司作為膜濾器販賣。
其次,以導電材料33覆蓋內壁面24之方式,藉由濺鍍而將導電材料33供給至樹脂膜20。導電材料33之材料係如上所述。
濺鍍既可使導電材料飛濺至樹脂膜20之表面21及背面22這兩者,亦可使導電材料僅飛濺至表面21及背面22之其中一者。於任一情 形時,導電材料33均為不僅覆蓋表面21及/或背面22,而且亦覆蓋內壁面24,從而於內壁面24上形成膜。
其次,將覆蓋樹脂膜20之表面21及/或背面22之導電材料33去除。藉此,將表面21上及/或背面22上之面內方向之導電通路去除,獲得圖1及2所示之異向導電性膜10。
將導電材料33自表面21及/或背面22去除之方法並無特別限定。於一例中,可採用使用氬(Ar)等離子之離子研磨。於其他例中,可採用導電材料33之蝕刻。導電材料33之蝕刻可將酸性溶液(例如,含有選自鹽酸、硫酸及硝酸之至少1種作為主成分之溶液)用作蝕刻處理液。又,於樹脂膜20之表面21及/或背面22之一部分露出之情形時,亦可藉由自露出部分至被導電材料33覆蓋之部分進行樹脂膜20之蝕刻,而使附著於表面21上及/或背面22上之導電材料33脫落。作為此情形時之蝕刻處理液,可使用用以形成貫通孔25之蝕刻中使用之蝕刻處理液。
根據本發明人等之研究,難以利用專利文獻1及2中記載之技術,形成於內部具有空孔之筒狀之導電層。與此相對,根據導電材料33之濺鍍,可形成於內部具有自表面11延伸至背面12之空孔15之筒狀體(筒狀之導電層)30。即,濺鍍適於提供厚度方向之透光性優異之異向導電性膜10。又,於採用如專利文獻1中記載之鍍敷法之情形時,易於偏向地形成金屬物質,從而易於產生一部分之貫通孔內因金屬物質不足所導致之電性特性之不均一。利用專利文獻2之技術,難以使導電性粒子均一地分散。與此相對,根據濺鍍,可將導電材料33均一地供給至多個貫通孔25內。根據蝕刻,可容易地去除面內方向之導電通路。即,濺鍍及蝕刻之組合適於 提供厚度方向之導電性及面內方向之絕緣性較高且該等導電性及絕緣性均一之異向導電性膜10。該組合係符合提昇電性連接之精細度(此處係確保異向導電性並且實現輕薄短小化)之近年之要求。
[實施例]
藉由實施例,對本發明詳細地進行說明。但,以下實施例係表示本發明之一例,而本發明並不限定於以下實施例。首先,對實施例及比較例之樣品之評價方法進行說明。
<膜厚>
使用針盤量規(股份有限公司三豐製造),對任意選擇之5點,測定各樣品之膜厚,且將其平均值作為膜厚。
<貫通孔之直徑、角度>
藉由掃描型電子顯微鏡(SEM:JEOL公司(日本電子股份有限公司)製造,JSM-6510LV),觀察各樣品之表面及背面,求出自所得之SEM像任意選擇之10個貫通孔之直徑,並將其平均值作為貫通孔之直徑(貫通孔徑)。又,使用相同之SEM,觀察各樣品之剖面SEM像,求出自所獲得之剖面SEM像任意選擇之10個貫通孔之角度,並將其平均值作為貫通孔之角度。
<開口率>
藉由上述SEM,觀察樣品之表面及背面,且以目視對所得之SEM像中之每一單位面積之貫通孔之數量進行計數。繼而,算出根據利用上述方法測定所得之貫通孔徑求出的貫通孔之面積。將貫通孔之數量與貫通孔之面積的乘積除以SEM像之面積所得之值乘以100,確定各樣品之開口率。
<孔密度>
以目視對樣品之表面及背面之SEM像中之每一單位面積之貫通孔之數量進行計數,且換算為貫通孔之密度(孔密度,單位:個/cm2)。
<筒狀體(Cu層)之壁厚>
藉由上述SEM而觀察各樣品之剖面,對自所得之剖面SEM像中任意選擇之10點,測定貫通孔壁面之筒狀體之壁厚,並將其平均值作為筒狀體之壁厚。
<空孔之直徑>
藉由將貫通孔徑減去筒狀體之壁厚之2倍,而計算空孔之直徑(空孔徑)。
<表面電阻>
各樣品之表面電阻係使用電阻率計(股份有限公司三菱化學ANALYTECH製造,MCP-HT450型),測定對樣品之表面及背面分別施加10V時之值。再者,該電阻率計係進行依據JIS-K6911之測定者。具體而言,各樣品之表面電阻之測定係將正電極及負電極壓抵於樣品之表面,將屏蔽電極置放於樣品之背面。該構成適合使於樣品之厚度方向繞入之電流流向地面,而僅測定表面上流動之電流。表面側之電極(正電極及負電極)與屏蔽電極之間之壓力設為100Pa。再者,於樣品較薄之情形時,亦考慮減小上述壓力(例如,降低至大致0Pa為止),提昇表面電阻之測定精度。
<體積電阻>
各樣品之體積電阻係以如下方式測定。首先,藉由切斷樣品而獲得3cm×3cm之小片。繼而,於已實施鍍金之正負極間夾隔小片,且於此狀態下, 使1mA之電流流入正負極間,測定此時之正負極間之電壓,且藉由電壓除以電流而測定體積電阻。
<光學特性>
利用分光光度計(日本分光股份有限公司製造,V560)測定各樣品之膜厚方向之穿透率。測定波長範圍設為300~800nm。
<實施例1~14>
準備於厚度方向形成有多個貫通孔之市售之PET膜(it4ip製造,Track etched membrane)。該膜係對無孔之PET膜照射離子束,且將照射後之膜進行化學蝕刻而製造之樹脂膜。該膜之膜厚為5~115μm,貫通孔徑為0.8~10μm,開口率為7.5~45%。藉由濺鍍,而於該等PET膜之表面、背面、及貫通孔之內壁面形成300~900nm之Cu層。作為靶,使用住友金屬礦山股份有限公司製造之Cu靶。濺鍍係使用濺鍍蒸鍍裝置(ULVC(股份有限公司ULVAC)公司製造,SMH-2306RE)。施加電壓設為直流0.5~3.0kV。Ar氣流量設為50~300SCCM。於濺鍍之後,於60℃~80℃使樹脂膜浸漬於10~30wt%之氫氧化鉀水溶液。藉由以此方式將樹脂膜之表面及背面進行蝕刻而將Cu層去除(由蝕刻所致之樹脂膜之厚度之減少幅度小無法以針盤量規測定之程度)。以此方式製作各樣品。
<實施例15>
藉由對無孔之PET膜照射雷射,而製作膜厚為45μm貫通孔徑為30μm開口率為25%之樹脂膜。藉由濺鍍,而於PET膜之表面、背面、及貫通孔之內壁面形成300nm之Cu層。作為靶,使用住友金屬礦山股份有限公司製造之Cu靶。濺鍍係使用濺鍍蒸鍍裝置(ULVC(股份有限公司ULVAC) 公司製造,SMH-2306RE)。施加電壓設為直流0.5~3.0kV。Ar氣流量設為50SCCM。於濺鍍之後,於65℃使樹脂膜浸漬於12wt%之氫氧化鉀水溶液。以此方式,將樹脂膜之表面上及背面上之Cu層去除。以此方式製作樣品。
<比較例1>
模擬專利文獻1之實施例之方法(將雷射加工與鍍敷法組合而成之方法),製作樣品。所得之樣品係形成於聚醯亞胺膜之多個貫通孔被鎳完全阻塞。
將每一實施例及比較例中,測定膜厚、貫通孔徑、開口率、孔密度、孔角度、Cu層壁厚、空孔徑、體積電阻、表面電阻及穿透率所得之結果示於表1中。
再者,實施例10之樣品之表面電阻相對較小之原因在於:實施例10之較薄且無剛性之樣品存在電阻率計之端子刺入樣品表面(端子 鑽進樣品內部),導致貫通孔內之Cu層對測定結果造成影響之可能性。於表1中,對測定值「7.9E+02」添加記號「≧」係如此之原因。實施例14之樣品之表面電阻相對較小之理由在於:實施例14之開口率較大之樣品存在電極容易與表面附近之貫通孔之內壁面之Cu層接觸,從而該接觸對測定結果造成影響之可能性。於表1中,對測定值「2.9E+03」添加記號「≧」係如此之原因。又,貫通孔徑較小之實施例12之樣品的體積電阻及貫通孔徑較大之實施例15之樣品的體積電阻均相對較大。於實施例12之樣品中,貫通孔徑較小,於濺鍍時,Cu粒子變得難以進入貫通孔內,其結果,可預測於貫通孔內之膜厚方向之中心附近,於Cu層產生缺陷部。於實施例15之樣品中,相對大徑之貫通孔相對地存在較少,故而所有貫通孔之內壁面之面積之合計(總面積)較小,且樣品整體所具有之所有Cu層之體積之合計(總體積)較小。可預測該情況成為增大實施例15之體積電阻之主要原因。
[產業上之可利用性]
本發明之異向導電性膜例如可應用於需要厚度方向之透光性之用途(需要視認性之用途等)。具體而言,可用作液晶顯示器用片材。
10‧‧‧異向導電性膜
11‧‧‧表面
12‧‧‧背面
15‧‧‧空孔
20‧‧‧樹脂膜
21‧‧‧表面
22‧‧‧背面
30‧‧‧筒狀體
33‧‧‧導電材料
39‧‧‧外輪廓

Claims (15)

  1. 一種異向導電性膜,其具有表面及背面,且該異向導電性膜具備樹脂膜,該樹脂膜具有多個貫通孔,且多個上述貫通孔各別由經導電材料覆蓋之內壁面規定,上述導電材料構成筒狀體,該筒狀體於內部具有自上述表面延伸至上述背面之空孔。
  2. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述導電材料僅覆蓋上述內壁面。
  3. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述樹脂膜之厚度為4~130μm。
  4. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述貫通孔之直徑為0.5~35μm。
  5. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,自厚度方向觀察上述異向導電性膜時之所有上述貫通孔之剖面面積之總和相對於由上述異向導電性膜之輪廓規定之面積的比率為0.05~0.5。
  6. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述異向導電性膜之厚度方向之體積電阻為1.0×10-2~1.0×1015Ω‧cm,其中,上述體積電阻係藉由如下方法測定,即,藉由切斷上述異向導電性膜而製作3cm×3cm之小片,且於實施鍍金之正負極間夾隔上述小片之狀態下,使1mA之電流流入上述正負極間,測定此時之上述正負極間之電壓,且將上述電壓除以上述電流。
  7. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,與上述厚度方向垂直 之膜面方向的表面電阻為1.0×102Ω/□以上,上述表面電阻係以JIS-K6911為準。
  8. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,波長300~800nm之光之關於上述厚度方向之穿透率為25~90%。
  9. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述異向導電性膜之厚度方向之體積電阻為1.0×10-2~1.0×1013Ω‧cm,且與上述厚度方向垂直之膜面方向之表面電阻為1.0×1014Ω/□以上,波長300~800nm之光之關於上述厚度方向之穿透率為25~90%,其中,上述體積電阻係藉由如下方法測定,即,藉由切斷上述異向導電性膜而製作3cm×3cm之小片,且於實施鍍金之正負極間夾隔上述小片之狀態下,使1mA之電流流入上述正負極間,測定此時之上述正負極間之電壓,且將上述電壓除以上述電流,上述表面電阻係以JIS-K6911為準。
  10. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述筒狀體之壁厚為100~1000nm。
  11. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述導電材料含有選自由金、銀、銅、氧化銦錫及氧化銦鋅所組成之群中之至少一種。
  12. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述樹脂膜之厚度方向與上述多個貫通孔之軸方向之間的角度為0~30°。
  13. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述貫通孔具有圓柱形狀、圓錐台形狀、或2個圓錐台組合而成且將各自面積較小之側之 底面連接之形狀。
  14. 如申請專利範圍第1項之異向導電性膜,其中,上述樹脂膜之材料含有選自由聚對苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚醯亞胺及聚偏二氟乙烯所組成之群中之至少一種。
  15. 一種液晶顯示器用片材,其貼附於液晶顯示面板,該液晶顯示器用片材具有應與上述液晶顯示面板之導電部相接之表面、及應與對象材料相接之背面,且由申請專利範圍第1項之異向導電性膜所構成。
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