TW201704897A - 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 - Google Patents

液浸構件、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201704897A
TW201704897A TW105133974A TW105133974A TW201704897A TW 201704897 A TW201704897 A TW 201704897A TW 105133974 A TW105133974 A TW 105133974A TW 105133974 A TW105133974 A TW 105133974A TW 201704897 A TW201704897 A TW 201704897A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
substrate
opening
exposure apparatus
gap
Prior art date
Application number
TW105133974A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI610147B (zh
Inventor
長坂博之
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW201704897A publication Critical patent/TW201704897A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI610147B publication Critical patent/TWI610147B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00—Photographic printing apparatus
    • G03B27/32—Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52—Details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Microscoopes, Condenser (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

液體回收系統，係用於液浸曝光裝置。液體回收系統，具備：第1開口部；與第1開口部對向之物體上之液體能透過第1開口部流入的空隙部；透過多孔構件吸引流入空隙部之液體至少一部分的液體回收部；以及異於第1開口部的第2開口部；空隙部係透過該第2開口部而開放至大氣。

Description

液體回收系統、液浸曝光裝置、液浸曝光方法、以及元件製造方法
本發明，係關於液浸曝光裝置中使用之液體回收系統、液體曝光裝置、液浸曝光方法、以及元件製造方法。
本申請案，係基於2007年1月23日申請之美國專利暫時申請60/881,826號、以及2008年1月22日申請之美國申請案主張優先權，將其內容援用於此。
在微影製程所使用之曝光裝置中，已有如國際公開第99/49504號所揭示之透過液體使基板曝光的液浸曝光裝置。
曝光裝置係被要求基板移動速度之高速化。液浸曝光裝置，係將液體供應至曝光用光之光路且回收液體。當使基板之移動速度高速化時，有可能會無法完全回收液體，導致液體漏出或液體殘留於基板上。當產生此種不良情形時，有可能會使形成於基板之圖案產生缺陷等，產生曝光不良的情形。其結果，可能會製造出不良元件。
本發明之態樣，其目的在於提供能良好回收液體的液體回收系統。又，另一目的在於，提供能良好回收液體、抑制曝光不良產生之液浸曝光裝置 及液浸曝光方法。又，另一目的在於，提供能抑制不良元件產生的元件製造方法。
根據本發明之第1態樣，提供一種液體回收系統，係用於液浸曝光裝置，其具備：第1開口部；與第1開口部對向之物體上之液體能透過第1開口部流入的空隙部；透過多孔構件吸引流入空隙部之液體至少一部分的液體回收部；以及異於第1開口部的第2開口部；空隙部係透過第2開口部而開放至大氣。
根據本發明之第1態樣，能良好地回收液體。
根據本發明之第2態樣，提供一種液浸曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學構件，具有供射出曝光用光的射出面；以及液體回收系統，具備：第1開口部；異於第1開口部的第2開口部；與第1開口部對向之物體上之液體能透過第1開口部流入的空隙部；以及透過多孔構件吸引流入空隙部之液體至少一部分的液體回收部；空隙部係透過第2開口部而開放至大氣。
根據本發明之第2態樣，能良好地回收液體，抑制曝光不良之產生。
根據本發明之第3態樣，提供一種元件製造方法，其包含：使用上述態樣之液浸曝光裝置來使基板曝光的動作；以及使已曝光之基板顯影的動作。
根據本發明之第3態樣，能抑制不良元件之產生。
根據本發明之第4態樣，提供一種液浸曝光方法，係使基板曝光，其包含：以曝光用光透過基板上之液體使基板曝光的動作；以及在基板之曝光中，使用上述態樣之液體回收系統回收基板上之液體的動作。
根據本發明之第4態樣，能良好地回收液體，抑制曝光不良之產生。
根據本發明之第5態樣，提供一種元件製造方法，其包含：使用上述態樣之液浸曝光方法來使基板曝光的動作；以及使已曝光之基板顯影的動作。
根據本發明之第5態樣，能抑制不良元件之產生。
2‧‧‧基板載台
4‧‧‧終端光學元件
5‧‧‧射出面
6‧‧‧液浸構件
7‧‧‧下面
9‧‧‧液體回收機構
12‧‧‧第1構件
13‧‧‧第2構件
15‧‧‧空隙
15M‧‧‧毛細管路
19‧‧‧外周面
21‧‧‧第1平坦面
22‧‧‧第2平坦面
25‧‧‧內周面
30‧‧‧多孔構件
33‧‧‧第1開口部
34‧‧‧第2開口部
37‧‧‧供應口
40‧‧‧回收部
43‧‧‧驅動機構
EX‧‧‧曝光裝置
K‧‧‧光路空間
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
P‧‧‧基板
圖1，係顯示第1實施形態之曝光裝置的概略構成圖。
圖2，係顯示第1實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖3，係說明第1實施形態之液浸構件的立體圖。
圖4，係從下方觀看第1實施形態之液浸構件的圖。
圖5A，係顯示第1實施形態之曝光裝置動作一例的圖。
圖5B，係顯示第1實施形態之曝光裝置動作一例的圖。
圖6A，係用以說明比較例之液浸構件作用的示意圖。
圖6B，係用以說明第1實施形態之液浸構件作用的示意圖。
圖7A，係顯示第2實施形態之曝光裝置動作一例的圖。
圖7B，係顯示第2實施形態之曝光裝置動作一例的圖。
圖8，係顯示第3實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖9，係從下方觀看第3實施形態之液浸構件的圖。
圖10，係用以說明第3實施形態之液浸構件作用的示意圖。
圖11，係顯示第4實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖12，係顯示第5實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖13，係顯示第6實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖14，係顯示第7實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖15，係從下方觀看另一實施形態之液浸構件的圖。
圖16，係顯示微型元件之製程例的流程圖。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。此外，以下說明中，係設定XYZ正交座標系統，並參照此XYZ正交座標系統說明各構件之位置關係。又，將在水平面內之既定方向設為X軸方向，將在水平面內與X軸方向正交之方向設為Y軸方向，將分別與X軸方向及Y軸方向正交的方向(亦即垂直方向)設為Z軸方向。又，將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θX、θY、及θZ方向。
<第1實施形態>
說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX的概略構成圖。圖1中，曝光裝置EX，具備：光罩載台1，係能保持光罩M來移動；基板載台2，係能保持基板P來移動；照明系統IL，係以曝光用光EL照明光罩M；投影光學系統PL，係將曝光用光EL所照明之光罩M的圖案像投影於基板P；以及控制裝置3，係控制曝光裝置EX整體的動作。
此外，此處所指之基板，係用以製造元件之基板，包含於例如矽晶圓之半導體晶圓等基材形成有感光材(光阻)等膜者，或塗布有與感光膜不同之保護膜(頂層塗布膜)等各種膜者。光罩M包含形成有投影至基板P之元件圖案的標線片者。又，本實施形態中，雖使用透射型光罩來作為光罩，但亦能使用反射型光罩。透射型光罩不限於以遮光膜形成圖案之拼合光罩， 亦包含例如半透光型、或空間頻率調變型等相位位移光罩。
本實施形態之曝光裝置EX，係一以曝光用光EL透過液體LQ使基板P曝光的液浸曝光裝置，其係以液體LQ充滿曝光用光EL之光路空間K之至少一部分而形成液浸空間LS。此外，曝光用光EL之光路空間K，係包含曝光用光EL所通過之光路的空間。液浸空間LS係被液體LQ充滿的空間。本實施形態之液體LQ係使用水(純水)。
本實施形態中，係以液體LQ充滿投影光學系統PL之複數個光學元件中最接近投影光學系統PL像面之終端光學元件4之像面側的光路空間K，來形成液浸空間LS。終端光學元件4，具有朝向投影光學系統PL之像面射出曝光用光EL的射出面5。液浸空間LS，係藉由以液體LQ充滿終端光學元件4之射出側(像面側)之光路空間K而形成。
曝光裝置EX，具備能形成液浸空間LS之液浸構件6。液浸構件6配置於終端光學元件4附近。
液浸構件6具有下面7。可在終端光學元件4之射出側(像面側)移動之物體，係能移動至與終端光學元件4之射出面5對向的位置，且能移動至與液浸構件6之下面7對向的位置。當物體配置於與終端光學元件4之射出面5對向的位置時，液浸構件6之下面7之至少一部分與物體表面係對向。當液浸構件6之下面7與物體表面對向時，即可將液體LQ保持於液浸構件6之下面7與物體表面之間。又，當終端光學元件4之射出面5與物體表面對向時，即可將液體LQ保持於終端光學元件4之射出面5與物體表面之間。藉由將液體LQ保持於一方側之液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5與另一側之物體表面之間，即可以液體LQ充滿終端光學元件 4之射出面5與物體表面之間之光路空間K而形成液浸空間LS。
又，曝光裝置EX具備供應液體LQ之供應機構8與回收液體LQ之回收機構9。供應機構8，能將液體LQ供應至液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5與物體表面之間。回收機構9，能回收液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5與物體表面之間的液體LQ。
本實施形態中，能與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向的物體，包含基板載台2、以及保持於基板載台2之基板P的至少一者。此外，以下為了使說明易於理解，主要係說明液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5與基板P對向的狀態。
本實施形態中，係以液體LQ覆蓋與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向的位置所配置之物體表面一部分的區域(局部區域)，而形成液浸空間LS，於該物體表面與液浸構件6之下面7之間形成液體LQ之界面(彎液面、邊緣)LG。本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式，其係在基板P之曝光時，以液體LQ覆蓋包含投影光學系統PL之投影區域PR之基板P上一部分區域，形成液浸空間LS。
照明系統IL，係以均一照度分布的曝光用光EL來照明光罩M上之既定照明區域IR。作為從照明系統IL射出之曝光用光EL，例如使用從水銀燈射出之亮線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)，或ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實施形態係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光來作為曝光用光EL。
光罩載台1，可藉由驅動系統1D(包含線性馬達等致動器)，在保持光罩 M之狀態下移動於X軸、Y軸、以及θZ方向。光罩載台1(光罩M)在X軸、Y軸、以及θZ方向的位置資訊，係藉由雷射干涉儀1S來測量。雷射干涉儀1S，係使用設於光罩載台1之反射鏡1R測量位置資訊。控制裝置3，即根據雷射干涉儀1S之測量結果來驅動驅動系統1D，藉此進行保持於光罩載台1之光罩M的位置控制。
投影光學系統PL係將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至基板P。投影光學系統PL之複數個光學元件，係以鏡筒PK所保持。本實施形態之投影光學系統PL，係投影倍率為例如1/4、1/5、或是1/8等之縮小系統。此外，投影光學系統PL亦可為縮小系統、等倍系統及放大系統之任一者。本實施形態中，投影光學系統PL之光軸AX係與Z軸方向平行。又，投影光學系統PL，可係不包含反射光學元件之折射系統、不包含折射光學元件之反射系統、以及包含反射光學元件與折射光學元件之反折射系統的任一者。又，投影光學系統PL亦可形成倒立像與正立像之任一者。
基板載台2，可藉由驅動系統2D(包含線性馬達等致動器)，在保持基板P之狀態下移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、以及θZ方向之六自由度方向。基板載台2(基板P)在X軸、Y軸、以及θZ方向的位置資訊，係藉由雷射干涉儀2S來測量。雷射干涉儀2S，係使用設於基板載台2之反射鏡2R測量位置資訊。又，保持於基板載台2之基板P表面之面位置資訊(在Z軸、θX、以及θY方向的位置資訊)係藉由未圖示之焦點調平檢測系統來檢測。控制裝置3，即根據雷射干涉儀2S之測量結果及焦點調平檢測系統之檢測結果來驅動驅動系統2D，藉此進行保持於基板載台2之基板P的位置控制。
基板載台2具有保持基板P之基板保持具2H，以及配置於基板保持具2H周圍且能與終端光學元件4之射出面5對向的上面2T。基板保持具2H配置於設在基板載台2上的凹部2C。基板保持具2H可將基板P保持成基板P之表面與XY平面大致平行。保持於基板保持具2H之基板P的表面能與終端光學元件4之射出面5對向。又，基板載台2之上面2T係與XY平面大致平行的平坦面。保持於基板保持具2H之基板P的表面與基板載台2之上面2T配置於大致同一平面，而大致同一面高。上面2T係以例如含氟之材料形成，對液體LQ具有撥液性。
曝光裝置EX，具備具有將基板載台2支撐成可移動之導引面10的固定座11。本實施形態中，導引面10係與XY平面大致平行。基板載台2係能沿導引面10移動於XY方向(二維方向)。
本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既定掃描方向，一邊將光罩M之圖案像投影於基板P的掃描型曝光裝置(所謂掃瞄步進機)。本實施形態中，基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向，光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。曝光裝置EX，係使基板P相對投影光學系統PL之投影區域PR移動於Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步地，使光罩M相對照明系統IL之照明區域IR移動於Y軸方向，透過投影光學系統PL與液體LQ將曝光用光EL照射於基板P。藉此，光罩M之圖案像被投影於基板P，基板P則被曝光用光EL曝光。
其次，參照圖1~圖4說明液浸構件6、供應機構8、以及回收機構9。圖2係顯示液浸構件6附近之側截面圖，圖3係顯示液浸構件6之立體圖，圖4係從下面7側觀看液浸構件6的圖。此外，圖3係顯示分解狀態之液浸 構件6。
此外，以下說明中，係以與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向之位置配置有基板P的情形為例作說明，但如上所述，在與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向之位置，亦能配置基板載台2等基板P以外的物體。又，以下說明中，將終端光學元件4之射出面5適當稱為終端光學元件4之下面5。
圖1~圖4中，液浸構件6包含第1構件12、以及異於第1構件12之第2構件13。第1構件12及第2構件13均為環狀構件。第1構件12係在終端光學元件4附近設置成包圍曝光用光EL的光路。本實施形態中，第1構件12係相對曝光用光EL之光路於終端光學元件4外側，配置成透過空隙14包圍終端光學元件4。第2構件13係相對曝光用光EL之光路於第1構件12外側，配置成透過空隙15包圍第1構件12。
本實施形態中，終端光學元件4，具有供來自投影光學系統PL之物體面之曝光用光EL射入的入射面16，將朝向投影光學系統PL之像面射出曝光用光EL的射出面(下面)5，以及連結入射面16外周與射出面5外周的外周面(側面)17。外周面17，係隨著從曝光用光EL之光路往外側離開而傾斜成與基板P表面的距離越大。
第1構件12，具有：與終端光學元件4之外周面17對向且沿該外周面17形成的內周面18，相對於終端光學元件4配置於內周面18外側的外周面19，與終端光學元件4之下面5一部分對向的上面20，以及與基板P表面對向之下面21。
第1構件12，包含：其至少一部分在Z軸方向配置於終端光學元件4 之下面5與基板P表面之間的下板部12A，連接於下板部12A外周而配置成包圍終端光學元件4之外周面17的側板部12B，以及連接於側板部12B上端之外周而配置成包圍終端光學元件4之外周面17的上板部12C。下板部12A之外周與側板部12B下端之內周連接。
此外，本實施形態中，第1構件12雖係以具有下板部12A、側板部12B、以及上板部12C之一個構件形成，但亦能以複數個構件形成下板部12A、側板部12B、以及上板部12C，再連接該等而形成第1構件12。
第1構件12之內周面18包含側板部12B之一面，配置成透過空隙14與終端光學元件4之外周面17對向。第1構件12之外周面19包含側板部12B之另一面，與內周面18大致平行。此外，外周面17亦可不與內周面18平行。
第1構件12之上面20，包含下板部12A之上面，配置成透過空隙22與終端光學元件4之下面5對向。第1構件12之上面20係與XY平面大致平行的平坦面。
第1構件12之下面21，包含下板部12A之下面。例如在基板P之曝光中，基板P之表面係配置成透過空隙23與第1構件12之下面21對向。第1構件12之下面21係與XY平面大致平行的平坦面。
又，下板部12A於中央具有開口24。開口24可供從終端光學元件4之下面5射出之曝光用光EL通過。例如，在基板P之曝光中，從終端光學元件4之下面5射出之曝光用光EL，係通過開口24而照射於基板P表面。本實施形態中，曝光用光EL在開口24之截面形狀係以X軸方向為長邊方向的大致矩形(狹縫狀)。開口24，係隨曝光用光EL在XY平面之截面形狀 而在XY方向形成為大致矩形(狹縫狀)。又，曝光用光EL在開口24之截面形狀，與投影光學系統PL在基板P之投影區域PR之形狀大致相同。第1構件12之上面20及下面21形成於開口24周圍。
以下說明中，將第1構件12之下面21適當稱為第1平坦面21。
第2構件13，具有：與第1構件12之外周面19對向且沿該外周面19形成的內周面25，相對於第1構件12配置於內周面25外側的外周面26，與第1構件12之上板部12C之下面27對向的上面28，以及與基板P表面對向之下面29。
第2構件13，包含：與基板P表面對向的下板部13A，與第1構件12之上板部12C對向的上板部13C，配置成連結下板部13A外周與上板部13C外周的側板部13B，以及配置成連結下板部13A內周附近與上板部13C內周附近的多孔構件30。此外，本實施形態中，第2構件13雖係以具有下板部13A、側板部13B、以及上板部13C之一個構件形成，但亦能以複數個構件形成下板部13A、側板部13B、以及上板部13C，再結合該等而形成第2構件13。
第2構件13之內周面25包含多孔構件30之表面、下板部13A之內側面、以及上板部13C之內側面，配置成透過空隙15與第1構件12之外周面19對向。本實施形態中，第1構件12之外周面19與第2構件13之內周面25係大致平行。此外，第1構件12之外周面19亦可不與第2構件13之內周面25平行。
第2構件13之上面28，包含上板部13A之上面，配置成透過空隙31與第1構件12之上板部12C之下面27對向。第2構件13之上面28及第1 構件12之上板部12C之下面27係與XY平面大致平行的平坦面。
第2構件13之下面29，包含下板部13A之下面。例如在基板P之曝光中，基板P之表面係配置成透過空隙32與第2構件13之下面29對向。第2構件13之下面29係與XY平面大致平行的平坦面。
以下說明中，將配置於第1平坦面21周圍之第2構件13之下面29適當稱為第2平坦面29。
本實施形態中，第1構件12及第2構件13均藉由未圖示之支撐機構以既定位置關係支撐。本實施形態中，係將第1構件12及第2構件13以既定位置關係配置，以使第1構件12之外周面19與第2構件13之內周面25對向。又，本實施形態中，係將第1構件12與第2構件13以既定位置關係配置，以使第1平坦面21與第2平坦面29配置在同一平面內(XY平面內)。
於第1平坦面21與第2平坦面29之間形成有第1開口部33。第1開口部33配置於空隙15下端，基板P之表面能移動至與第1開口部33對向的位置。第1開口部33係狹縫狀，環狀設置成包圍第1平坦面21。本實施形態中，第1開口部33係設置成圓環狀。第1開口部33之寬度(狹縫寬度)具有與空隙15之尺寸對應的大小。本實施形態中，第1構件12之外周面19與第2構件13之內周面25間隔，與第1開口部33之寬度(第1平坦面21與第2平坦面29之間隔)大致相等。又，空隙15亦沿第1開口部33環狀設置成包圍第1構件12。
於第1構件12之上板部12C之下面27外周與第2構件13之上面28外周之間，形成有第2開口部34。第2開口部34係相對曝光用光EL之光路配置於空隙31外側之端，配置於不與基板P表面對向的位置。第2開口 部34配置於第1開口部33之+Z側。又，本實施形態中，第2開口部34係相對曝光用光EL之光路配置於第1開口部33外側。
本實施形態中，第1開口部33、第2開口部34、以及空隙15均設於第1構件12與第2構件13之間。
本實施形態中，液浸構件6之下面7，包含相對曝光用光EL之光路配置於第1開口部33內側的第1平坦面21、以及相對曝光用光EL之光路配置於第1開口部33外側的第2平坦面29。在液浸構件6與基板P對向時，能分別將液體LQ保持於第1平坦面21與基板P表面之間，以及第2平坦面29與基板P表面之間。例如圖2中，基板P上之液體LQ一部分，係保持於基板P表面與第1平坦面21之間，且保持於基板P表面與第2平坦面29之間。在例如基板P之曝光中，藉由將液體LQ保持於包含第1平坦面21及第2平坦面29之液浸構件6之下面7與基板P表面之間，來形成液浸空間LS。
本實施形態中，第1構件12及第2構件13中、第1平坦面21及第2平坦面29例如以鈦形成，對液體LQ具有親液性。例如，第1平坦面21與液體LQ之接觸角CA1、以及第2平坦面29與液體LQ之接觸角CA2均在40度以下，而在20度以下又更佳。此外接觸角CA1與接觸角CA2亦可不同。
如圖2所示，第1開口部33能與基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)接觸。亦即，第1開口部33設於基板P上之液體LQ能流入的位置。
另一方面，本實施形態中，第2開口部34配置於不與基板P表面對向的位置。第2開口部34係配置於較第1開口部33高之位置。第2開口部 34係較第1開口部33從基板P表面離開。又，本實施形態中，第2開口部34無法與基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)接觸。亦即，第2開口部34，係設於與第1開口部33對向之基板P上之液體無法流入的位置。
第2開口部34係配置於能與液浸構件6(液浸空間LS)周圍之外部空間(周圍環境)之氣體接觸的位置。亦即，第2開口部34，設於外部空間之氣體能流入的位置。
外部空間之氣體，能透過第2開口部34流入空隙15,31，且空隙15,31之氣體，能透過第2開口部34流出至外部空間。此外，空隙15與空隙31係彼此連接(為一體)。以下說明中，將空隙15與空隙31一起適當稱為空隙35。
本實施形態中，在空隙35與其空隙35外側之外部空間(大氣空間)之間，氣體可透過第2開口部34隨時進出。亦即，空隙35係透過第2開口部34而開放至大氣。
空隙35開放至大氣的狀態，包含空隙35隨時與液浸構件6周圍(液浸空間LS之周圍)的氣體空間連通的狀態。例如在空隙35開放至大氣的狀態下，即使第1開口部33全區被液浸空間LS覆蓋之情況下，在空隙35與外部空間(周圍環境)之間，氣體可透過第2開口部34進出。此外，曝光裝置EX通常係配置於環境經控制之處理室內，上述之「開放至大氣」，亦包含空隙35與處理室內之氣體空間連通的狀態。又，外部空間之氣體，亦可不一定是空氣，而係例如氮氣。
供應機構8，包含能送出清淨且溫度經調整之液體LQ之液體供應裝置36、配置於光路空間K附近之供應口37、以及連接液體供應裝置36與供應 口37的流路38。
本實施形態中，供應口37係形成於第1構件12。流路38，包含形成於第1構件12內部之供應流路38A、以及以連接該供應流路38A與液體供應裝置36之供應管形成之流路38B。從液體供應裝置36送出之液體LQ，係透過流路38供應至供應口37。供應口37係將來自液體供應裝置36之液體LQ供應至光路空間K。
本實施形態中，供應口37係連接於終端光學元件4之下面5與第1構件12之上面20之間的空隙22，可將液體LQ供應至該空隙22。又，本實施形態中，兩個供應口37亦可分別設於相對光路空間K之Y軸方向兩側。此外，兩個供應口37亦可分別設於相對光路空間K之X軸方向兩側。供應口37之數目不限於2，亦可任意設定。
本實施形態中，供應口37係相對曝光用光EL之光路配置於第1開口部33內側。
回收機構9，包含：液體回收裝置39，係包含真空系統而能吸引液體LQ以回收；以及流路41，係連接液體回收裝置39與回收部40。此外，回收機構9之真空系統亦可不具備真空泵，而使用設置有曝光裝置EX之工廠等的真空泵。
本實施形態中，空隙15係設置成與第1開口部33對向之基板P上之液體LQ能透過第1開口部33流入。亦即，液浸構件6之下面7(第1平坦面21、第2平坦面29)與基板P表面之間之液體LQ的至少一部分，能透過第1開口部33流入空隙15。回收部40，配置於能吸引透過第1開口部33流入空隙15之液體LQ的位置。換言之，回收部40，係配置於能與透過第1 開口部33流入空隙15之液體LQ接觸的位置。回收部40，係在空隙15之內側配置於第1開口部33之上方。
回收部40，包含配置於朝向與液浸構件6之下面7(第1平坦面21、第2平坦面29)不同方向之面、用以吸引液體LQ並能回收的吸引口。本實施形態中，回收部40，係配置於與第1構件12之外周面19對向之第2構件13的一部分。
本實施形態中，於第2構件13，具有可藉由下板部13A、上板部13C、以及側板部13B而與第1構件12之外周面19對向之開口的吸引流路(空間部)41A，於該空間部41A之開口配置有回收部40。本實施形態中，回收部40係沿空隙15環狀設置。
回收部40具有配置成覆蓋吸引口之多孔構件(網眼構件)30。本實施形態中，多孔構件30雖使用於板件形成有複數個孔(貫通孔)者，但亦可使用形成有複數個孔(pore)之燒結構件(例如燒結金屬)、發泡構件(例如發泡金屬)等。多孔構件30之表面形成與第1構件12之外周面19對向之第2構件13之內周面25的至少一部分。
本實施形態中，回收部40係透過多孔構件30吸引透過第1開口部33流入空隙15之液體LQ的至少一部分。
本實施形態中，流路41包含形成於第2構件13內部之吸引流路41A、以及以連接該吸引流路41A與液體回收裝置39之回收管形成的流路41B。藉由液體回收裝置39調整吸引流路41A之負壓，空隙15內之液體LQ之至少一部分則從回收部40被吸引。從回收部40被吸引之液體LQ，係透過流路41被回收至液體回收裝置39。亦即，多孔構件30具有面對第1構件12 之第1面、面對吸引流路41A之第2面、以及連通於第1面與第2面(連接成流體可流通第1面與第2面)之複數個孔。液體回收裝置39係使多孔構件30之第1面側與第2面側產生壓力差。其結果，空隙15內之液體LQ之至少一部分透過多孔構件30被吸入吸引流路41A內，而被液體回收裝置39回收。
多孔構件30之表面(第1面)在與第1構件12之外周面19之間形成空隙19。多孔構件30之表面，係在第1開口部33之上方配置於透過第1開口部33流入空隙15之液體LQ可接觸的位置。
本實施形態中，空隙15，隨著從曝光用光EL之光路往外側離開而傾斜成與基板P表面的距離越大。多孔構件30之表面與第1構件12之外周面19對向，朝向與液浸構件6之下面7(第1平坦面21、第2平坦面29)不同之方向。亦即，回收部40(多孔構件30之表面)，係配置成不與基板P表面對向。具體而言，多孔構件30之表面，隨著從曝光用光EL之光路往外側離開而朝上方(+Z方向)傾斜成與基板P表面的距離越大。
如上述，由於空隙15傾斜，因此液體LQ可透過第1開口部33順利地流入空隙15內。
又，由於空隙15透過第2開口部34開放至大氣，因此液體LQ可透過第1開口部33順利地流入空隙15內。
又，空隙15包含第1開口部33附近之空隙15M。空隙15M，形成於第2構件13之下板部13A之內側面與第1構件12之外周面19之間。本實施形態中，第1開口部33附近之空隙15M，可藉由毛細管現象保持液體LQ。亦即空隙15M，具有可藉由毛細管現象保持液體LQ之大小(寬度)。例如， 第2構件13之下板部13A之內側面與第1構件12之外周面19之間隔為0.5~2.0mm。空隙15M可藉由毛細管力吸入液體LQ。亦即，空隙15M，形成液體LQ可藉由毛細管現象流入之毛細管路15M。
本實施形態中，多孔構件30之表面係配置於能與液體LQ接觸之位置，該液體係在第1開口部33之上方透過第1開口部33流入毛細管路15M，並藉由該毛細管路15M之毛細管現象上升(移送)。換言之，係將毛細管路15M之長度(多孔構件30之下端與第1開口部33之距離)設定成從第1開口部33流入之液體LQ可藉由毛細管現象到達多孔構件30之表面。接觸於第1開口部33之液體LQ，藉由毛細管現象被吸入毛細管路15M內，而與多孔構件30之表面接觸。
又，本實施形態之回收機構9，例如國際公開第2005/024517號小冊子、美國專利申請公開第2007/0222959號公報等揭示，設定有包含多孔構件30之孔大小、多孔構件30與液體LQ之表面張力、吸引流路41A相對於空隙15(35)之壓力(外部空間之壓力)之壓力(多孔構件30之第1面與第2面之壓力差)等的液體回收條件。亦即，本實施形態中，係將液體回收條件設定成僅有空隙35內之液體LQ可通過多孔構件30而流入吸引流路41A。空隙35內之氣體大致不通過多孔構件30。換言之，本實施形態之回收部40僅吸引(回收)液體LQ，並不吸引氣體。
當回收部40一起吸引液體LQ與氣體時，有可能會產生振動。本實施形態中，由於回收部40僅透過多孔構件30來吸引液體LQ，而能抑制振動產生。
其次，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX來對基板P進行液浸曝光 之方法。
控制裝置3，係使用供應機構8將液體LQ供應至曝光用光EL之光路空間K以形成液浸空間LS。在供應液體LQ時，控制裝置3係將基板P(基板載台2)等物體配置於與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之下面5對向的位置。從液體供應裝置36送出之液體LQ透過流路38被供應至供應口37。供應口37將液體LQ供應至終端光學元件4之下面5與第1構件12之上面20之間的空隙22。液體LQ，係在終端光學元件4之下面5與第1構件12之上面20之間的空隙22流動，透過開口24流入第1構件12之第1平坦面21與基板P表面間之空隙23，而被保持於該第1構件12之第1平坦面21與基板P表面之間。又，液體LQ之至少一部分，流入第2構件13之第2平坦面29與基板P表面間之空隙32，而被保持於該第2構件13之第2平坦面29與基板P表面之間。接著，空隙22及空隙23被液體LQ充滿，以液體LQ充滿終端光學元件4之下面5與基板P表面之間的光路空間K，以形成液浸空間LS。
又，本實施形態中，控制裝置3係與供應機構8之液體供應動作同時進行回收機構9之液體回收動作。基板P上之液體LQ的至少一部分透過第1開口部33流入空隙15。基板P上之液體LQ藉由例如毛細管現象在空隙15內(毛細管路15M內)上升。在空隙15內，透過回收部40之多孔構件30吸引已與多孔構件30表面接觸之液體LQ。從回收部40被吸引之液體LQ，透過流路41被回收至液體回收裝置39。
控制裝置3，藉由同時進行供應機構8之液體供應動作與回收機構9之液體回收動作，而能恆以所欲狀態(溫度、潔淨度等)之液體LQ將液浸區域 局部形成於基板P上。
形成液浸空間LS之後，控制裝置3即開始基板P之曝光。如上所述，本實施形態之曝光裝置EX係掃描曝光型曝光裝置。控制裝置3，係在將液體LQ保持於液浸構件6之下面7與基板P表面之間而形成有液浸空間LS的狀態下，一邊相對於曝光用光EL之光路及液浸空間LS使基板P表面移動於Y軸方向，一邊透過投影光學系統PL與基板P上之液體LQ將曝光用光EL照射於基板P。藉此，光罩M之圖案像被投影於基板P，基板P即被曝光用光EL曝光。
又，控制裝置3，在例如對基板P上之第1照射區域的曝光結束後，為了開始第2照射區域的曝光，即在形成有液浸空間LS之狀態下，執行使基板P表面移動於X軸方向(或在XY平面內相對X軸方向呈傾斜的方向)的動作。
本實施形態中，在使基板P表面移動於XY方向時，液浸構件6之下面7與基板P表面之間的液體LQ亦不會漏出至該液浸構件6之下面7與基板P表面間之空間(空隙32)的外側。
圖5A及5B，係顯示相對曝光用光EL之光路及液浸空間LS使基板P表面移動於Y軸方向之狀態的示意圖，圖5A係側截面圖，圖5B則係從下方觀看液浸構件6的圖。如圖5A及5B所示，本實施形態中之曝光條件係設定成，不僅在基板P之停止中，即使在基板P移動中液浸空間LS之液體LQ之界面(彎液面、邊緣)LG亦會形成於基板P表面與第2平坦面29之間。本實施形態中之曝光條件係設定成，即使在基板P移動中液體LQ之界面LG亦會與第2平坦面29接觸。曝光條件包含基板P之移動條件、以及形 成液浸空間LS之液浸條件。基板P之移動條件，包含基板P之移動速度、加速度、減速度、移動於既定方向之一方向(例如+Y方向)時的距離、以及移動方向。液浸條件包含供應口37之每一單位時間之液體LQ的供應量。因此，即使在基板P之移動中，第1開口部33之全部亦恆被液浸空間LS之液體LQ覆蓋。藉由恆以液體LQ覆蓋第1開口部33，即能抑制例如空隙15之氣體混入液浸空間LS之液體LQ，或於液體LQ中生成氣泡。又，藉由恆以液體LQ覆蓋第1開口部33，即能將第1開口部33配置於液體LQ之界面LG內側，因此亦能抑制液體LQ之界面LG之狀態紊亂。又，藉由恆以液體LQ覆蓋第1開口部33，液浸空間LS之液體LQ即能透過第1開口部33順利地流入空隙15，而以回收部40回收。
又，本實施形態中，回收部40係配置於不與基板P表面對向之面(在本實施形態中為第2構件13之內周面25)，透過第1開口部33流入空隙15之液體LQ係透過多孔構件30來吸引。藉此，即使相對液浸空間LS將基板P移動於XY方向時，亦能抑制液體LQ漏出或液體LQ(液體LQ之膜、液滴等)殘留於基板P表面。
如上述，之所以將回收部40(多孔構件30)設於不與基板P表面對向的位置，係基於下述發明人之見解。
圖6A，係將回收液浸空間LS之液體LQ的回收部40J配置於與基板P表面對向之液浸構件6J之下面7J之狀態的示意圖。當使用上述液浸構件6J相對液浸空間LS(液浸構件6J)將基板P高速移動於XY平面內之一方向(此處為-Y方向)時，於回收部40J與基板P之間，液體LQ在基板P上會成為一薄膜，致使有時基板P上之液體LQ會漏出至回收部40J之外側，具體 而言即在基板P之移動方向之前方側(-Y側)漏出至回收部40J之外側。此現象之產生理由為，在液浸構件6J之下面7J與基板P表面之間，液浸構件6J之下面7J附近亦即回收部40J附近之液體LQ，雖會因回收部40J之吸引動作而向上方(+Z方向)流動，而被該回收部40J回收，但基板P表面附近之液體LQ會因與基板P之表面張力等而不會從回收部40J被回收，而在基板P上成為一薄膜，隨著基板P之移動在基板P之移動方向之前方側被吸出至回收部40J外側。當產生此種現象時，被吸出至回收部40J外側之液體LQ，會成為例如液滴殘留於基板P上，成為產生圖案缺陷等之原因。又，透過發明人之見解，確定了此種現象會因基板P移動速度之高速而更容易產生。
圖6B，係顯示本實施形態之液浸構件6之示意圖。本實施形態中，由於在與基板P表面對向之液浸構件6之下面7未設有回收部40，因此在液浸構件6之下面7附近(第1平坦面21及第2平坦面29附近)，不會產生向上方(+Z方向)之液體LQ的較強水流。又，由於空隙15係大氣開放狀態，且從第1開口部33往空隙15之液體LQ之流動完全取決於空隙15之毛細管力，因此在第1開口部33附近，亦不會產生向上方(+Z方向)之液體LQ的較強水流。因此，即使相對液浸空間LS(液浸構件6)將基板P高速移動於XY平面內之一方向(此處為-Y方向)時，亦可藉由使用本實施形態之液浸構件6，抑制基板P上之液體LQ在基板P之移動方向前方側(-Y側)成為薄膜的現象，而在第2平坦面29與基板P表面之間維持於所欲狀態。亦即，即使在移動基板P之情況下，亦可抑制第2平坦面29與基板P表面之間的液體LQ從第2平坦面29剝離。如上述，本實施形態中，由於液體LQ在 第2平坦面29與基板P表面之間與第2平坦面29接觸，因此即使在基板P之移動方向前方側(-Y側)，亦可將液體LQ之界面LG之狀態維持於所欲狀態。因此，可抑制液體LQ漏出至液浸構件6與基板P間之空間外側，或液體LQ(液滴等)殘留於基板P上。
如以上說明，根據本實施形態，能良好地回收液體LQ，抑制隨著基板P相對於液浸空間LS之移動導致之基板P表面之液體LQ漏出、殘留等不良情形產生，因此能抑制曝光不良產生。又，能抑制曝光不良產生且使基板P之移動速度成高速。因此能以良好生產性製造良好元件。
<第2實施形態>
其次說明第2實施形態。以下說明中，係對與上述實施形態同一或同等之構成部分使用同一符號，以簡化或省略其說明。
圖7A及7B，係顯示第2實施形態的圖，相對曝光用光EL之光路及液浸空間LS使基板P表面移動於-Y方向之狀態的示意圖，圖7A係側截面圖，圖7B則係從下方觀看液浸構件6的圖。液浸構件6之構成與上述實施形態同等。上述第1實施形態中，雖以在基板P之移動中第1開口部33全部亦被液體LQ覆蓋之情形為例進行說明，但如圖7A及圖7B所示，第1開口部33之一部分(+Y側之一部分)亦可不被液體LQ覆蓋。圖7A及圖7B之狀態，係顯示使基板P往-Y方向之移動速度較例如圖5A及5B之實施形態更高速的狀態。
即使係圖7A及7B所示之狀態，在基板P之移動方向前方側(-Y側)液體LQ之界面LG的狀態(形狀等)，亦會在第2平坦面29與基板P表面之間維持於所欲狀態。因此，可在基板P之移動方向前方側，抑制液體LQ之 漏出等不良情形產生，且良好地回收液體LQ。如上述第1實施形態所說明，第1開口部33附近之空隙15M，在本實施形態亦形成毛細管路。因此，即使伴隨基板P之移動而產生第1開口部33未與液浸空間LS之液體LQ接觸的部分，很有可能可藉由毛細管現象將液體LQ保持於該第1開口部33附近之空隙(毛細管路)15M，而在該第1開口部33再次與液浸空間LS之液體LQ接觸時，可抑制空隙15之氣體混入液浸空間LS之液體LQ，使液浸空間LS之液體LQ順利地流入空隙15。
又，如圖7A及7B所示，雖亦有可能產生液體LQ未保持於第1開口部33附近之空隙(毛細管路)15M一部分的狀況，但由於本實施形態中，第1開口部33(空隙15)係環狀設置，因此即使係變更了基板P之移動方向的情形，亦可利用空隙15M之毛細管力使液體LQ順利地流入空隙15內。在例如使基板P移動於-Y方向後移動於+Y方向，亦可抑制氣體混入液浸空間LS之液體LQ，使液體LQ順利地流入第1開口部33之+Y側一部分附近之空隙(毛細管路)15M。
又，圖7A及7B中，雖說明的係使基板P往-Y方向移動的情形，但不論係使基板P移動至XY平面內之任一方向，基板P上之液體LQ在基板P之移動方向均不會成為薄膜，而會恆與第2平坦面29接觸。因此，可抑制氣體混入液體LQ、液體LQ漏出等不良情形產生，且良好地回收液體LQ。
<第3實施形態>
其次說明第3實施形態。上述實施形態中，雖係以第1平坦面21與第2平坦面29為大致同一面之情形為例進行說明，但第1平坦面21與第2平坦面29亦可不彼此平行。
圖8係顯示第3實施形態之液浸構件6B的側截面圖，圖9係從下方觀看的圖。如圖8及圖9所示，本實施形態中，第2平坦面29係配置於較基板P表面更離開第1平坦面21之位置。本實施形態中，第2構件13之第2平坦面29係相對第1構件12之第1平坦面21傾斜。具體而言，第2平坦面29，係隨著從曝光用光EL之光路往外側離開而傾斜成與基板P表面的間隔越大。第1平坦面21係與XY平面(基板P之表面)大致平行。
本實施形態中，第2平坦面29，係以朝向互異之四個方向之四個平面29A~29D形成。如圖9所示，平面29A~29D在俯視時，均係形成為大致梯形狀，隨著從曝光用光EL之光路往外側偏離而擴展。
圖10，係顯示相對使用第3實施形態之液浸構件6B而形成之液浸空間LS，使基板P移動於-Y方向時之液浸空間LS的狀態。本實施形態中，由於在液浸構件6B之下面7B亦無回收部40，因此亦能將液體LQ之界面LG維持於所欲狀態。又，由於第2平坦面29係傾斜，因此於液浸空間LS之液體LQ會生成沿第2平坦面29朝斜上方移動的成分F1、以及移動於水平方向之成分F2。又，能使基板P與第2平坦面29之間的空間的體積變大。因此能抑制液浸空間LS之擴大(大型化)。此外，當然可調整對第2平坦面對XY平面(第1平坦面21)之傾斜角度，以使第2平坦面29與基板P間之液體LQ不會從第2平坦面29剝離，例如使該傾斜角度為2~10°以下。
如以上所說明，根據本實施形態，可抑制液浸空間LS之擴大，良好地回收液體LQ。
此外，本實施形態中，第2平坦面29雖係以朝向互異之四個方向之四個平面29A~29D形成，但亦可為曲面。或組合五個以上之複數個平面來形 成第2平坦面29。
<第4實施形態>
其次說明第4實施形態。圖11係顯示第4實施形態之液浸構件6C的側截面圖。本實施形態中，液浸構件6C之下面7C之第1平坦面21與第2平坦面29雖係彼此平行，但在基板P表面之法線方向(Z軸方向)係配置於互異的位置。本實施形態中，第1平坦面21及第2平坦面29均與XY平面為大致平行，第2平坦面29係配置於較基板P表面更離開第1平坦面21的位置。本實施形態中，亦能抑制液浸空間LS之擴大且良好地回收液體LQ。此外，第2平坦面29能較第1平坦面21更接近基板P表面。
<第5實施形態>
其次說明第5實施形態。圖12係顯示第5實施形態之液浸構件6D的側截面圖。本實施形態中，係於液浸構件6D之下面7D之第2平坦面29形成有段差42。第1平坦面21與XY平面大致平行。第2平坦面29中相對曝光用光EL之光路之段差42內側之第1區域42A，係與第1平坦面21大致為同一面，相對曝光用光EL之光路之段差42外側之第2區域42B，係配置於較基板P表面更離開第1區域42A的位置。本實施形態中，亦能抑制液浸空間LS之擴大且良好地回收液體LQ。此外，第1區域42A與第1平坦面21亦可不為同一面。又，第2平坦面29之第2區域42B能較第1區域42A更接近基板P表面。此時，第2區域42B能較第1平坦面21更接近基板P表面。
<第6實施形態>
其次說明第6實施形態。圖13係顯示第6實施形態之曝光裝置EX的 側截面圖。本實施形態中，第1構件12與第2構件13能相對移動。又，本實施形態中，曝光裝置E具有能使第1構件12與第2構件13相對移動的驅動機構43。本實施形態中，第1構件12係被未圖示之支撐機構支撐，第1構件12之位置藉由支撐機構來固定。本實施形態中，驅動機構43係移動第2構件13。驅動機構43，包含連接於第2構件13之連接構件44、藉由使該連接構件44移動而使第2構件13移動的致動器45、以及使致動器45連結於曝光裝置EX之機體等之支撐構件BD的連結構件46。控制裝置3，係使用驅動機構43使第2構件13相對第1構件12移動。
控制裝置3，能使用驅動機構43移動第2構件13之第2平坦面29之位置。亦可例如圖8等所示，使第2平坦面29傾斜，或如圖11所說明，使第1平坦面21與第2平坦面29在Z方向之位置不同。
又，亦可調整第1構件12與第2構件13間之空隙15(15M)的間隔。藉由調整空隙15(15M)之間隔，即能調整空隙15(15M)之毛細管力，或空隙15內液體LQ之界面的位置，而能使液體LQ順利地流入空隙15。此時，亦可將第2構件13分割成複數個。
控制裝置3，可根據例如基板P之移動條件(移動速度、移動方向)等、液體LQ之物性、基板P與液體LQ之接觸狀態(接觸角)等，移動第2構件13以調整基板P表面與第2平坦面29之位置關係。在本實施形態中，亦可防止液體LQ在基板P表面之洩漏、殘留等。
此外，本實施形態中，雖係僅移動第2構件13，但亦可僅移動第1構件12，或移動兩者。
<第7實施形態>
其次說明第7實施形態。圖14係顯示第7實施形態之液浸構件6E的側截面圖。上述各實施形態中，雖係以第1構件12之下板部12A之至少一部分配置於終端光學元件4之下面5與基板P表面之間的情形為例進行說明，但如圖14所示，亦可省略第1構件12之下板部。又，圖14中，終端光學元件4之下面5、第1構件12之第1平坦面21、以及第2構件13之第2平坦面29係大致同一面。供應口37係配置於與終端光學元件4之外周面17對向的位置，朝向外周面17供應液體LQ。本實施形態亦可良好地回收液體LQ。此外，終端光學元件4之下面5、第1構件12之第1平坦面21、以及第2構件13之第2平坦面29亦可不是同一面。
此外，上述各實施形態中，雖係以液浸構件6包含第1構件12與異於第1構件12之第2構件13的情形為例進行說明，但液浸件6亦可以一個構件形成。此時，以一個構件形成之液浸構件6，具有第1開口部33、第2開口部34、空隙35、第1平坦面21、以及第2平坦面29。
又，如圖15所示，液浸構件6F之環狀第1開口部33係分個成複數個。此時，如圖15所示，複數個第1開口部33亦可在周方向分離設置。圖15所示之第1開口部33，係在XY平面內以形成為圓弧狀之四個狹縫33A~33D形成。狹縫33A~33D，係相對曝光用光EL之光路配置於基板P之掃描方向(Y軸方向)兩側、以及非掃描方向(X軸方向)兩側。
又，上述第1~第7實施形態中，雖第2構件13之回收部40係環狀設置，但環狀回收部40亦可分割成複數個。此時，複數個回收部40亦可在周方向分離設置。
又，上述各實施形態中，亦可將供應口37設置成朝向-Z方向(亦即沿 -Z方向)。亦即，可將供應口37設置於第1構件12之下面21。
又，上述各實施形態中，多孔構件30之表面(第1面)亦可配置成傾斜朝向+Z方向(亦即朝向斜上方)。其他實施形態中，多孔構件30之表面(第1面)可配置成朝向曝光用光EL之光路且與Z方向大致平行。又，多孔構件30之表面(第1面)可配置成朝向+Z方向且與XY平面大致平行。此時，可將藉由毛細管力吸入之液體LQ透過多孔構件30回收至第1構件12之上板部12C與第2構件13間之空隙31。
此外，上述第1~第7實施形態中，投影光學系統PL雖係以液體LQ充滿終端光學元件4之射出側(像面側)的光路空間，但亦可採用如國際公開第2004/019128號小冊子所揭示者，終端光學元件4之入射側(物體面側)的光路空間亦以液體LQ充滿之投影光學系統。
又，上述實施形態之液體LQ雖係水，但亦可係水以外之液體。作為液體LQ，能使用對曝光用光EL具透射性且折射率盡可能較高、並對形成投影光學系統PL或基板P表面之感光材(光阻)之膜較穩定者。例如亦可使用例如氫氟醚(HFE,Hydro Fluoro Ether)、過氟聚醚(PFPE,perfluoro-polyether)、氟布林油(FOMBLIN OIL)、杉木油(cedar oil)等來作為液體LQ。又，亦能使用折射率為1.6~1.8左右者來作為液體LQ。又，與液體LQ接觸之投影光學系統PL之光學元件(終端光學元件4等)例如能以石英(二氧化矽)形成、或以氟化鈣(螢石)、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化納等氟化化合物之單結晶材料形成。進一步地，終端光學元件4，亦可以折射率較石英或螢石高(例如1.6以上)之材料來形成。作為折射率1.6以上之材料，例如能使用國際公開第2005/059617號小冊子所揭示之藍寶石、二氧化鍺等、或者可使用如 國際公開第2005/059618號小冊子所揭示之氯化鉀(折射率約1.75)等。再者，亦可於終端光學元件表面之一部分(至少包含與液體之接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜。此外，石英雖與液體之親和性高且不需要溶解防止膜，但螢石最好至少要形成溶解防止膜。作為液體LQ亦可使用各種液體，例如超臨界流體。又，作為折射率較純水(例如1.5以上之液體，亦能使用折射率約1.50之異丙醇、折射率約1.61之甘油(glycerine)之類具有C-H鍵結或O-H鍵結的既定液體、己烷、庚烷、癸烷等既定液體(有機溶劑)、或折射率約1.60之十氫萘(Decalin：Decahydronaphthalene)等。又，亦可係混合上述液體中任意兩種類以上之液體者，亦可係於純水添加(混合)上述液體之至少一種者。或者，液體LQ，亦可係於純水添加(混合)H+、Cs+、K+、Cl-、SO4 2-、PO4 2-等鹼基或酸等者。此外，作為液體，最好係光之吸收係數較小，溫度依存性較少，並對塗布於投影光學系統PL及/或基板表面之感光材(或保護膜(頂層塗布膜)或反射防止膜等)較穩定者。於基板亦可設置從液體保護感光材或基板之頂層塗布膜等。
又，當例如曝光用光EL係F2雷射光時，由於此F2雷射光無法透射過水，因此亦能使用F2雷射光能透射過之液體，例如過氟聚醚(PFPE)、氟系油等氟系流體。此時，可藉由以例如含氟之極性小的分子構造物質形成薄膜，以對與液體LQ接觸之部分進行親液化處理。
又，作為上述各實施形態之基板P，除了半導體元件製造用之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)、或膜構件 等。基板之形狀並不僅為圓形，亦可係矩形等其他形狀。
曝光裝置EX，除了能適用於使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃瞄方式之掃瞄型曝光裝置(掃瞄步進機)以外，亦能適用於步進重複方式之投影曝光裝置(步進器)，其係在使光罩M與基板P靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動。
又，步進重複方式之曝光，亦可在使第1圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用投影光學系統將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在使第2圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用投影光學系統使第2圖案之縮小像與第1圖案部分重疊而一次曝光於基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於步進接合方式之曝光裝置，其係在基板P上將至少2個圖案部分重疊而轉印，並依序移動基板P。
又，例如亦能將本發明適用於例如日本特表2004-519850號公報(對應美國專利第6,611,316號)所揭示之曝光裝置，其係將兩個光罩圖案透過投影光學系統在基板上合成，藉由一次之掃描曝光來對基板上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光。又，亦能將本發明適用於近接方式之曝光裝置、鏡投影對準器等。
又，本發明，例如亦可適用於日本特開平10-163099號公報、日本特開平10-214783號公報、日本特表2000-505958號公報、美國專利第6,341,007號、美國專利第6,400,441號、美國專利第6,549,269號、美國專利第6,590,634號、美國專利第6,208,407號、美國專利第6,262,796號等所揭示之具備複數個基板載台的多載台型曝光裝置。
進而，亦可將本發明適用於例如日本特開平11-135400號公報、日本特開2000-164504號公報(對應美國專利第6,897,963號)等所揭示，具備保持基板之基板載台以及搭載有形成有基準標記之基準構件及/或各種光電感測器之測量載台的曝光裝置。
作為曝光裝置EX之種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用曝光裝置，而亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微型機器、MEMS、DNA晶片、或標線片或光罩等之曝光裝置等。
此外，上述各實施形態中，雖係使用包含雷射干涉儀1S,2S之干涉移系統來測量光罩載台1及基板載台2之各位置資訊，但並不限於此，例如亦能使用用以檢測設於各載台1,2之標尺(繞射光柵)的編碼器系統。此時最好係具備干涉儀系統與編碼器系統兩者之拼合系統，使用干涉儀系統之測量結果來進行編碼器系統之測量結果的校正(calibration)。又，亦能切換干涉儀系統與編碼器系統來使用、或使用該兩者來進行基板載台的位置控制。
又，上述各實施形態中，作為用以產生ArF準分子雷射光來作為曝光用光EL的光源裝置，雖亦可使用ArF準分子雷射，但亦可使用例如國際公開第1999/46835號小冊子(對應美國專利7,023,610號)所揭示般，包含DFB半導體雷射或光纖雷射等固態雷射光源、具有光纖放大器等之光放大部、以及波長轉換部之可輸出波長193nm之脈衝光的高諧波產生裝置。再者，上述實施形態中，前述各照明區域與投影區域雖分別為矩形，但亦可係其他形狀例如圓弧狀等。
又，上述各實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光 圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之可變成形光罩來代替此光罩，該可變成形光罩(亦稱為電子光罩、主動光罩、或影像產生器)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。此種可變成形光罩，係使用例如非發光型影像顯示元件(亦稱為空間光調變器：Spatial Light Modulator(SLM))之一種之DMD(Deformable Micro-mirror Device或Digital Micro-mirror Device)等。此外，使用DMD之曝光裝置，揭示於例如美國專利第6,778,257號公報。又，可變成形光罩，並不限於DMD，亦可使用以下說明之非發光型影像顯示元件來代替DMD。此處之非發光型影像顯示元件，係在空間上調變往既定方向行進之光之振幅(強度)、相位、或偏光狀態的元件，透射型空間光調變器，除了透射型液晶顯示元件(LCD：Liquid Crystal Display)以外，亦可舉出例如電子顯示器(ECD)等。又，反射型空間光調變器，除了上述DMD以外，亦可舉出例如反射鏡陣列、反射型液晶顯示元件、電泳顯示器(FPD：Electro Phonetic Display)、電子紙(或電子墨水)、光繞射型光閥(Grating Light Valve)等。
又，亦可取代具備非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而具備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。此時則不需要照明系統。此處之自發光型影像顯示元件，可舉出例如CRT(Cathode Ray Tube)、無機EL顯示器、有機EL顯示器(OLED：Organic Light Emitting Diode)、LED顯示器、LD顯示器、電場放出顯示器(FED：Field Emission Display)、電將顯示器(PDP：Plasma Display Panel)等。又，作為圖案形成裝置所具備之自發光型影像顯示元件，可使用具有複數個發光點之固態光源裝置、將晶片排列成複數 個陣列狀之固態光源晶片陣列、或將複數個發光點組裝於一片基板之類型者等，以電氣方式控制該固態光源晶片以形成圖案。此外，固態光源元件為無機、有機均可。
又，上述各實施形態中雖係以具備投影光學系統PL之曝光裝置為例來進行說明，但本發明亦可適用於不使用投影光學系統PL之曝光裝置及曝光方法。如此，即使係不使用投影光學系統PL之情形下，曝光用光亦可透過透鏡等之光學構件照射基板，將液浸區域形成於此種光學構件與基板間之既定空間。
又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於基板P上、而在基板P上曝光等間隔線圖案之曝光裝置(微影系統)。
此外，在法令所允許之範圍內，援用與上述各實施形態及變形例所引用之曝光裝置等相關之所有公報及美國專利等之揭示，來作為本說明書之記載的一部分。
又，上述實施形態的曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(包含各構成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝 光裝置全體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及潔淨度等皆受到管理之潔淨室進行。
半導體元件之微型元件，如圖16所示，係經由下述步驟所製造，即：進行微型元件之功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202、製造構成元件基材之基板的步驟203、藉由前述實施形態使用光罩圖案以曝光用光EL使基板曝光之步驟及使已曝光之基板顯影的基板處理(曝光處理)步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等。
6‧‧‧液浸構件
12‧‧‧第1構件
18‧‧‧內周面
19‧‧‧外周面
20‧‧‧上面
24‧‧‧開口
25‧‧‧內周面
26‧‧‧外周面
27‧‧‧下面
28‧‧‧上面
30‧‧‧多孔構件
37‧‧‧供應口
40‧‧‧回收部

Claims (31)

  1. 一種液體回收系統，係用於液浸曝光裝置，其具備：第1開口部；與該第1開口部對向之物體上之液體能透過該第1開口部流入的空隙部；透過多孔構件吸引流入該空隙部之該液體至少一部分的液體回收部；以及異於該第1開口部的第2開口部；該空隙部係透過該第2開口部而開放至大氣。
  2. 如申請專利範圍第1項之液體回收系統，其中，該第1開口部係環狀；該空隙部，係沿該第1開口部呈環狀。
  3. 如申請專利範圍第2項之液體回收系統，其中，該液體回收部，係沿該空隙部呈環狀。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之液體回收系統，其進一步具備第1構件與異於該第1構件之第2構件；該第1開口部、該第2開口部、以及該空隙部，均設於該第1構件與該第2構件之間。
  5. 如申請專利範圍第4項之液體回收系統，其中，該第1構件具有第1部分；該第2構件具有第2部分；該第1構件與該第2構件配置成該第1部分與該第2部分對向；該空隙部形成於該第1部分與該第2部分之間； 該液體回收部設於該第2部分。
  6. 如申請專利範圍第5項之液體回收系統，其中，該多孔構件配置於與該第1部分對向之第2部分。
  7. 如申請專利範圍第4至6項中任一項之液體回收系統，其中，該第1構件包含液體供應口。
  8. 如申請專利範圍第4至7項中任一項之液體回收系統，其中，該第1構件與該第2構件能相對移動。
  9. 如申請專利範圍第4至8項中任一項之液體回收系統，其中，該第2構件具有透過該多孔構件供來自該空隙部之該液體流動的回收流路。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之液體回收系統，其中，該空隙部內之氣體通過該多孔構件之情形被抑制。
  11. 如申請專利範圍第1至10項中任一項之液體回收系統，其中，該空隙部係形成可供與該第1開口部對向之該物體上的液體流入的毛細管路。
  12. 一種液浸曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學構件，具有供射出曝光用光的射出面；以及液體回收系統，具備：第1開口部；異於該第1開口部的第2開口部；與該第1開口部對向之物體上之液體能透過該第1開口部流入的空隙部；以及透過多孔構件吸引流入該空隙部之該液體至少一部分的液體回收部；該空隙部係透過該第2開口部而開放至大氣。
  13. 如申請專利範圍第12項之液浸曝光裝置，其中，該物體能移動至與該光學構件之射出面對向的位置。
  14. 如申請專利範圍第13項之液浸曝光裝置，其中，該物體包含該基板； 該曝光用光透過該基板上之該液體照射於該基板。
  15. 如申請專利範圍第12至14項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該液體回收系統，進一步具有第1構件與異於該第1構件之第2構件；該第1開口部、該第2開口部、以及該空隙部，均設於該第1構件與該第2構件之間。
  16. 如申請專利範圍第15項之液浸曝光裝置，其中，該第1構件具有第1部分；該第2構件具有第2部分；該第1構件與該第2構件配置成該第1部分與該第2部分對向；該空隙部形成於該第1部分與該第2部分之間；該液體回收部設於該第2部分。
  17. 如申請專利範圍第16項之液浸曝光裝置，其中，該多孔構件配置於與該第1部分對向之該第2部分。
  18. 如申請專利範圍第15至17項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該第1構件係在該光學構件附近設置成包圍該曝光用光之光路；該第2構件，係相對該曝光用光之光路在該第1構件外側，透過該空隙部設置成包圍該第1構件。
  19. 如申請專利範圍第18項之液浸曝光裝置，其中，該第1開口部及該空隙部係環狀。
  20. 如申請專利範圍第19項之液浸曝光裝置，其中，該液體回收部，係沿該空隙部設置成環狀。
  21. 如申請專利範圍第18至20項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該 第2構件係相對該曝光用光之光路於該第1開口部外側具有液體接觸面；該物體上之液體一部分，係保持於該物體與該液體接觸面之間。
  22. 如申請專利範圍第21項之液浸曝光裝置，其中，該第1構件係相對該曝光用光之光路於該第1開口部內側具有液體接觸面；該物體上之液體一部分，係保持於該物體與該液體接觸面之間。
  23. 如申請專利範圍第22項之液浸曝光裝置，其中，該第2構件之液體接觸面係相對該第1構件之液體接觸面傾斜。
  24. 如申請專利範圍第15至23項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該第1構件具有液體供應口。
  25. 如申請專利範圍第15至24項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該第2構件具有供透過該多孔構件來自該空隙部之該液體流動的回收流路。
  26. 如申請專利範圍第15至25項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該第1構件與該第2構件能相對移動。
  27. 如申請專利範圍第12至26項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該空隙部內之氣體通過該多孔構件之情形被抑制。
  28. 如申請專利範圍第12至27項中任一項之液浸曝光裝置，其中，該空隙部係形成可供與該第1開口部對向之該物體上的液體流入的毛細管路。
  29. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第12至28項中任一項之液浸曝光裝置使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
  30. 一種液浸曝光方法，係使基板曝光，其包含： 以曝光用光透過該基板上之液體使該基板曝光的動作；以及在該基板之曝光中，使用申請專利範圍第1至11項中任一項之液體回收系統回收該基板上之液體的動作。
  31. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第30項之液浸曝光方法使基板曝光的動作；以及使該已曝光之基板顯影的動作。
TW105133974A 2007-01-23 2008-01-23 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 TWI610147B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US88182607P 2007-01-23 2007-01-23
US12/010,162 US8004651B2 (en) 2007-01-23 2008-01-22 Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201704897A true TW201704897A (zh) 2017-02-01
TWI610147B TWI610147B (zh) 2018-01-01

Family

ID=39640853

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103120153A TWI567506B (zh) 2007-01-23 2008-01-23 A liquid immersion member, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and an element manufacturing method
TW105133974A TWI610147B (zh) 2007-01-23 2008-01-23 液浸構件、曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
TW97102471A TWI468872B (zh) 2007-01-23 2008-01-23 A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method
TW106134357A TW201804263A (zh) 2007-01-23 2008-01-23 液體回收系統、液浸曝光裝置、液浸曝光方法、以及元件製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103120153A TWI567506B (zh) 2007-01-23 2008-01-23 A liquid immersion member, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and an element manufacturing method

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97102471A TWI468872B (zh) 2007-01-23 2008-01-23 A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method
TW106134357A TW201804263A (zh) 2007-01-23 2008-01-23 液體回收系統、液浸曝光裝置、液浸曝光方法、以及元件製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8004651B2 (zh)
EP (3) EP3407137A1 (zh)
JP (7) JP5136080B2 (zh)
KR (5) KR101644479B1 (zh)
CN (1) CN101589341B (zh)
HK (2) HK1133090A1 (zh)
TW (4) TWI567506B (zh)
WO (1) WO2008091014A2 (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8134685B2 (en) * 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
NL1036306A1 (nl) * 2007-12-20 2009-06-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus.
NL2003226A (en) * 2008-08-19 2010-03-09 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, drying device, metrology apparatus and device manufacturing method.
US8896806B2 (en) * 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8953143B2 (en) * 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member
CN102652349A (zh) 2009-12-28 2012-08-29 株式会社尼康 液浸构件、液浸构件的制造方法、曝光装置、及元件制造方法
US9256137B2 (en) * 2011-08-25 2016-02-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
US9268231B2 (en) 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9323160B2 (en) 2012-04-10 2016-04-26 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium
US9823580B2 (en) * 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9568828B2 (en) 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9494870B2 (en) 2012-10-12 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9720331B2 (en) 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9057955B2 (en) 2013-01-22 2015-06-16 Nikon Corporation Functional film, liquid immersion member, method of manufacturing liquid immersion member, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9352073B2 (en) 2013-01-22 2016-05-31 Niko Corporation Functional film
WO2014132923A1 (ja) 2013-02-28 2014-09-04 株式会社ニコン 摺動膜、摺動膜が形成された部材、及びその製造方法
WO2015052781A1 (ja) * 2013-10-08 2015-04-16 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN105116688B (zh) * 2015-09-01 2017-06-23 浙江大学 一种用于浸没式光刻机的浸没液体控制装置
KR102446678B1 (ko) 2017-12-15 2022-09-23 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 유체 핸들링 구조체, 리소그래피 장치, 유체 핸들링 구조체를 사용하는 방법 및 리소그래피 장치를 사용하는 방법
TWI672794B (zh) * 2018-06-11 2019-09-21 睿明科技股份有限公司 微元件對位組裝方法及其裝置
JP6610726B2 (ja) * 2018-07-11 2019-11-27 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US10948707B2 (en) * 2019-02-05 2021-03-16 Molecular Devices, Llc Liquid immersion microscope objective assembly and related systems and methods
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography
CN112255891B (zh) * 2020-10-29 2023-03-07 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸没流场的初始建立方法及用此建立方法的光刻方法
CN112684671A (zh) * 2020-12-29 2021-04-20 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸液供给回收系统以及浸没流场初始建立方法
CN113189849B (zh) * 2021-04-22 2023-08-11 中国科学院光电技术研究所 一种近场光刻浸没系统及其浸没单元和接口模组

Family Cites Families (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
EP0951054B1 (en) 1996-11-28 2008-08-13 Nikon Corporation Aligner and method for exposure
DE69735016T2 (de) 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
DE69829614T2 (de) 1997-03-10 2006-03-09 Asml Netherlands B.V. Lithographiegerät mit einer positioniervorrichtung mit zwei objekthaltern
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
US6897963B1 (en) 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6208407B1 (en) 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
KR100819239B1 (ko) 1998-03-11 2008-04-03 가부시키가이샤 니콘 자외 레이저 장치, 레이저 장치, 노광 장치와 노광 방법, 디바이스 제조 방법, 자외광 조사 장치, 물체 패턴 검출 장치, 자외광 조사 방법 및 물체 패턴 검출 방법
AU2747999A (en) 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
EP1364257A1 (en) 2001-02-27 2003-11-26 ASML US, Inc. Simultaneous imaging of two reticles
TW529172B (en) 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
KR20050035890A (ko) 2002-08-23 2005-04-19 가부시키가이샤 니콘 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법
CN101813892B (zh) 2003-04-10 2013-09-25 株式会社尼康 沉浸式光刻装置及使用光刻工艺制造微器件的方法
JP4720106B2 (ja) * 2003-05-23 2011-07-13 株式会社ニコン 露光方法、並びにデバイス製造方法
TWI421911B (zh) * 2003-05-23 2014-01-01 尼康股份有限公司 An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method
JP5143331B2 (ja) 2003-05-28 2013-02-13 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
EP1498778A1 (en) * 2003-06-27 2005-01-19 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100470722C (zh) * 2003-08-21 2009-03-18 株式会社尼康 曝光设备、曝光方法和器件制造方法
KR20170070264A (ko) 2003-09-03 2017-06-21 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005175176A (ja) 2003-12-11 2005-06-30 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
KR101748504B1 (ko) * 2004-01-05 2017-06-16 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
US7697110B2 (en) * 2004-01-26 2010-04-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4479269B2 (ja) 2004-02-20 2010-06-09 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4655763B2 (ja) * 2004-06-04 2011-03-23 株式会社ニコン 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20070216889A1 (en) 2004-06-04 2007-09-20 Yasufumi Nishii Exposure Apparatus, Exposure Method, and Method for Producing Device
US20070222959A1 (en) 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP5130609B2 (ja) 2004-06-10 2013-01-30 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP4515335B2 (ja) 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
US20070139628A1 (en) * 2004-06-10 2007-06-21 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
KR101505756B1 (ko) * 2004-06-10 2015-03-26 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
SG10201607447RA (en) 2004-06-10 2016-10-28 Nikon Corp Exposure equipment, exposure method and device manufacturing method
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20160135859A (ko) 2005-01-31 2016-11-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4622595B2 (ja) * 2005-03-11 2011-02-02 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP2006261607A (ja) 2005-03-18 2006-09-28 Canon Inc 液浸露光装置、液浸露光方法及びデバイス製造方法。
TW200644079A (en) 2005-03-31 2006-12-16 Nikon Corp Exposure apparatus, exposure method, and device production method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7317507B2 (en) 2005-05-03 2008-01-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2006332530A (ja) 2005-05-30 2006-12-07 Nikon Corp 投影光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP2007184336A (ja) * 2006-01-05 2007-07-19 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP5151977B2 (ja) * 2006-05-10 2013-02-27 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
US20080043211A1 (en) * 2006-08-21 2008-02-21 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012209592A (ja) 2012-10-25
EP2653924B1 (en) 2018-03-28
KR20150041162A (ko) 2015-04-15
KR101496478B1 (ko) 2015-02-26
EP3407137A1 (en) 2018-11-28
TW200846837A (en) 2008-12-01
KR20090126239A (ko) 2009-12-08
JP2016095528A (ja) 2016-05-26
JP2015035628A (ja) 2015-02-19
JP5136080B2 (ja) 2013-02-06
JP2013070074A (ja) 2013-04-18
JP2008182241A (ja) 2008-08-07
EP2653924A2 (en) 2013-10-23
WO2008091014A3 (en) 2008-11-27
US20120013860A1 (en) 2012-01-19
KR20140099523A (ko) 2014-08-12
TWI468872B (zh) 2015-01-11
US8004651B2 (en) 2011-08-23
HK1133090A1 (en) 2010-03-12
JP5338938B2 (ja) 2013-11-13
KR101644479B1 (ko) 2016-08-01
KR20160093092A (ko) 2016-08-05
CN101589341A (zh) 2009-11-25
TWI610147B (zh) 2018-01-01
KR101563447B1 (ko) 2015-10-26
CN101589341B (zh) 2011-08-24
JP6048598B2 (ja) 2016-12-21
WO2008091014A2 (en) 2008-07-31
KR20180074815A (ko) 2018-07-03
US8891059B2 (en) 2014-11-18
US20080174748A1 (en) 2008-07-24
TWI567506B (zh) 2017-01-21
EP2106574B1 (en) 2013-10-16
JP2013239741A (ja) 2013-11-28
EP2653924A3 (en) 2014-07-30
JP5136715B2 (ja) 2013-02-06
HK1259450A1 (zh) 2019-11-29
JP2012142605A (ja) 2012-07-26
TW201441772A (zh) 2014-11-01
JP5867569B2 (ja) 2016-02-24
TW201804263A (zh) 2018-02-01
JP5263441B2 (ja) 2013-08-14
EP2106574A2 (en) 2009-10-07
KR101873344B1 (ko) 2018-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI567506B (zh) A liquid immersion member, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and an element manufacturing method
TWI569105B (zh) A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees