TWI569105B - A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method - Google Patents

A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI569105B
TWI569105B TW103112794A TW103112794A TWI569105B TW I569105 B TWI569105 B TW I569105B TW 103112794 A TW103112794 A TW 103112794A TW 103112794 A TW103112794 A TW 103112794A TW I569105 B TWI569105 B TW I569105B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
liquid
substrate
liquid immersion
gap
opening
Prior art date
Application number
TW103112794A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201430506A (zh
Inventor
西井康文
長坂博之
奧山猛
Original Assignee
尼康股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 尼康股份有限公司 filed Critical 尼康股份有限公司
Publication of TW201430506A publication Critical patent/TW201430506A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI569105B publication Critical patent/TWI569105B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Description

液體回收系統、液浸曝光裝置、液浸曝光方法、以及元件製造方法
本發明，係關於液浸曝光裝置中使用之液體回收系統、液體曝光裝置、液浸曝光方法、以及元件製造方法。
本申請案，係基於2007年3月23日申請之美國專利暫時申請60/907,186號、以及2008年3月17日申請之美國申請案主張優先權，將其內容援用於此。
在微影製程所使用之曝光裝置中，已有如國際公開第99/49504號所揭示之透過液體使基板曝光的液浸曝光裝置。
曝光裝置係被要求基板移動速度之高速化，以提升元件之生產性等。液浸曝光裝置，會在基板之移動中進行基板上液體的回收。然而，有可能會無法完全回收液體，導致液體漏出或液體殘留於基板上。如此有可能會使形成於基板之圖案產生缺陷等，產生曝光不良的情形。其結果，可能會製造出不良元件。
本發明之態樣，其目的在於提供能良好回收液體的液體回收系統。又，另一目的在於，提供能抑制曝光不良產生之液浸曝光裝置及液浸曝光方法。又，另一目的在於，提供能抑制不良元件產生的元件製造方法。
根據本發明之第1態樣，提供一種液體回收系統，係用於液浸曝光裝置，其具備：具有第1面及與第1面相反之側之第2面的板體；以及至少 一部分隔著第1間隙與第2面相對向的液體回收部；透過液體回收部回收與板體第1面對向之可動物體上的液體。
根據本發明之第2態樣，提供一種液浸曝光裝置，係使基板曝光，其具備：具有射出曝光用光之射出面的光學構件；具有第1面及與第1面相反之側之第2面的板體；以及至少一部分隔著第1間隙與第2面相對向的液體回收部；透過液體回收部回收與板體第1面對向之物體上的液體。
根據本發明之第3態樣，提供一種元件製造方法，其包含：使用上述態樣之液浸曝光裝置來使基板曝光的動作；以及使已曝光之基板顯影的動作。
根據本發明之第4態樣，提供一種液浸曝光方法，係使基板曝光，其包含：以曝光用光透過基板上之液體使基板曝光的動作；以及在基板之曝光中，使用液體回收系統回收基板上之液體的動作；液體回收系統，具有：具有第1面及與第1面相反之側之第2面的板體；以及配置成至少一部分隔著第1間隙與第2面相對向的液體回收部；透過液體回收部回收與板體第1面對向之基板上的液體。
根據本發明之第5態樣，提供一種元件製造方法，其包含：使用上述態樣之曝光方法來使基板曝光的動作；以及使已曝光之基板顯影的動作。
根據本發明之第6態樣，提供一種液浸曝光裝置，其具備：光學構件，具有射出光之射出面，且該射出面接觸於至少配置在該射出面與可動物體間之空間的液體；液體接觸面，係面對該可動物體；液體回收面，包圍該液體接觸面，且具有吸引該液體的吸引區域；第1面，係面對該可動物體，其至少一部分配置於該液體回收面與該可動物體之間；第2面，係配置於該液體回收面與該第1面之間，其至少一部分面對該液體回收面；以及間隙，該液體可透過該液體回收面與該第2面間之開口流入；流入該間隙之液體係自該液體回收面被回收。
根據本發明之第7態樣，提供一種液浸曝光裝置，其具備：光學構件，具有射出光之射出面，且該射出面接觸於至少配置在該射出面與可動物體間之空間的液體；液體接觸面，係面對該可動物體；液體回收面，包圍該液體接觸面，具有吸引該液體的吸引區域，且接近該光之光路之該吸引區域之一部分面對該可動物體；以及第1面，係面對該可動物體，其至少一部分配置於該液體回收面與該可動物體之間；
根據本發明之第8態樣，提供一種液浸曝光裝置，其具備：光學構件，具有射出光之射出面，且該射出面接觸於至少配置在該射出面與可動物體間之空間的液體；液體接觸面，係面對該可動物體；液體回收面，包圍該液體接觸面，且具有吸引該液體的吸引區域；以及第1面，係面對該可動物體，覆蓋離該液體接觸面較遠之該吸引區域的一部分且不覆蓋離該液體接觸面較近之該吸引區域的一部分。
根據本發明之第9態樣，提供一種液浸曝光裝置，其具備：光學構件，具有射出光之射出面，且該射出面接觸於至少配置在該射出面與可動物體間之空間的液體；液體接觸面，係面對該可動物體；液體回收面，包圍該液體接觸面，且具有吸引該液體的吸引區域；第1面，係面對該可動物體，其至少一部分配置於該液體回收面與該可動物體之間；第2面，係配置於該液體回收面與該第1面之間，其至少一部分面對該液體回收面；以及間隙，該液體可透過該液體回收面與該第2面間之開口流入；該開口之該第2面位置係較該液體接觸面接近該可動物體。
根據本發明之第10態樣，提供一種液浸曝光裝置，其具備：光學構件，具有射出光之射出面，且該射出面接觸於至少配置在該射出面與可動物體間之空間的液體；液體接觸面，係面對該可動物體；液體回收面，包圍該液體接觸面，且具有吸引該液體的吸引區域；間隙，該液體可透過該液體接觸面與該液體回收面間之開口流入；以及第1面，係面對該可動物體， 其至少一部分配置於該液體回收面與該可動物體之間。
根據本發明之第11態樣，提供一種液浸曝光裝置，其具備：光學構件，具有射出光之射出面，且該射出面接觸於至少配置在該射出面與可動物體間之空間的液體；液體接觸面，係面對該可動物體；液體回收面，包圍該液體接觸面，且具有吸引該液體的吸引區域；第1間隙，該液體可透過該液體接觸面與該液體回收面間之開口流入；第1面，係面對該可動物體，其至少一部分配置於該液體回收面與該可動物體之間；第2面，係配置於該液體回收面與該第1面之間，其至少一部分面對該液體回收面；以及第2間隙，該液體可透過該液體回收面與該第2面間之開口流入。
2‧‧‧基板載台
4‧‧‧終端光學元件
5‧‧‧射出面
6‧‧‧液浸構件
7‧‧‧下面
9‧‧‧回收機構
12‧‧‧第1構件
13‧‧‧第2構件
14‧‧‧第3構件
14A‧‧‧下板部
20‧‧‧第1上面
21‧‧‧第1下面
29‧‧‧第2下面
30‧‧‧多孔構件
33‧‧‧第3開口部
34‧‧‧第4開口部
40‧‧‧回收部
51‧‧‧第3上面
51A‧‧‧平坦部
51B‧‧‧傾斜部
52‧‧‧第3下面
52A‧‧‧平坦部
52B‧‧‧傾斜部
53‧‧‧第1開口部
54‧‧‧第2開口部
55‧‧‧尖端部
EX‧‧‧曝光裝置
G2‧‧‧第2間隙
G8‧‧‧第1間隙
K‧‧‧光路空間
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
P‧‧‧基板
圖1，係顯示第1實施形態之曝光裝置的概略構成圖。
圖2，係顯示第1實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖3，係從下方觀看第1實施形態之液浸構件的圖。
圖4，係放大第1實施形態之液浸構件一部分的側截面圖。
圖5A，係顯示第1實施形態之曝光裝置動作一例的圖。
圖5B，係顯示第1實施形態之曝光裝置動作一例的圖。
圖6A，係用以說明第1實施形態之液浸構件作用的示意圖，顯示使用比較例之液浸構件的情形。
圖6B，係用以說明第1實施形態之液浸構件作用的示意圖。
圖6C，係用以說明第1實施形態之液浸構件作用的示意圖。
圖6D，係用以說明第1實施形態之液浸構件作用的示意圖。
圖7，係從下方觀看第1實施形態之液浸構件另一例的圖。
圖8，係顯示第2實施形態之液浸構件附近的側截面圖。
圖9，係放大第2實施形態之液浸構件一部分的側截面圖。
圖10，係顯示微型元件之製程例的流程圖。
以下，參照圖式說明本發明之實施形態，但本發明並不限定於此。此外，以下說明中，係設定XYZ正交座標系統，並參照此XYZ正交座標系統說明各構件之位置關係。又，將在水平面內之既定方向設為X軸方向，將在水平面內與X軸方向正交之方向設為Y軸方向，將分別與X軸方向及Y軸方向正交的方向(亦即垂直方向)設為Z軸方向。又，將繞X軸、Y軸、及Z軸之旋轉(傾斜)方向分別設為θ X、θ Y、及θ Z方向。
<第1實施形態>
說明第1實施形態。圖1係顯示第1實施形態之曝光裝置EX的概略構成圖。圖1中，曝光裝置EX，具備：光罩載台1，係能保持光罩M來移動；基板載台2，係能保持基板P來移動；照明系統IL，係以曝光用光EL照明光罩M；投影光學系統PL，係將曝光用光EL所照明之光罩M的圖案像投影於基板P；以及控制裝置3，係控制曝光裝置EX整體的動作。
此外，此處所指之基板，係用以製造元件之基板，包含於例如矽晶圓之半導體晶圓等基材形成有感光材(光阻)等膜者，或塗布有與感光膜不同之保護膜(頂層塗布膜)等各種膜者。光罩M包含形成有投影至基板P之元件圖案的標線片者。又，本實施形態中，雖使用透射型光罩來作為光罩，但亦能使用反射型光罩。透射型光罩不限於以遮光膜形成圖案之拼合光罩，亦包含例如半透光型、或空間頻率調變型等相位位移光罩。
本實施形態之曝光裝置EX，係一以曝光用光EL透過液體LQ使基板P曝光的液浸曝光裝置，其係以液體LQ充滿曝光用光EL之光路空間K之至少一部分而形成液浸空間LS。此外，曝光用光EL之光路空間，係包含曝光用光EL所通過之光路的空間。液浸空間LS係被液體LQ充滿的空間。本實施形態之液體LQ係使用水(純水)。
本實施形態中，係以液體LQ充滿投影光學系統PL之複數個光學元件 中最接近投影光學系統PL像面之終端光學元件4之像面側的光路空間K，來形成液浸空間LS。終端光學元件4，具有朝向投影光學系統PL之像面射出曝光用光EL的射出面5。液浸空間LS，係藉由以液體LQ充滿終端光學元件4之射出側(像面側)之光路空間K而形成。
曝光裝置EX，具備能形成液浸空間LS之液浸構件6。液浸構件6配置於終端光學元件4附近。
液浸構件6具有下面7。可在終端光學元件4之射出側(像面側)移動之物體，係能移動至與終端光學元件4之射出面5對向的位置，且能移動至與液浸構件6之下面7對向的位置。當物體配置於與終端光學元件4之射出面5對向的位置時，液浸構件6之下面7之至少一部分與物體表面係對向。當液浸構件6之下面7與物體表面對向時，曝光裝置EX可將液體LQ保持於液浸構件6之下面7與物體表面之間。又，當終端光學元件4之射出面5與物體表面對向時，曝光裝置EX可將液體LQ保持於終端光學元件4之射出面5與物體表面之間。藉由將液體LQ保持於一方側之液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5與另一側之物體表面之間，曝光裝置EX即可以液體LQ充滿終端光學元件4之射出面5與物體表面之間之光路空間K而形成液浸空間LS。
又，曝光裝置EX具備供應液體LQ之供應機構8與回收液體LQ之回收機構9。供應機構8，能將液體LQ供應至液浸構件6之下面7與物體表面之間的空間、以及終端光學元件4之射出面5與物體表面之間的空間。回收機構9，能回收液浸構件6之下面7與物體表面之間的空間、以及終端光學元件4之射出面5與物體表面之間的空間的液體LQ。
本實施形態中，能與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向的物體，包含基板載台2、以及保持於該基板載台2之基板P的至少一者。此外，以下為了使說明易於理解，主要係說明液浸構件6之下面7 及終端光學元件4之射出面5與基板P對向的狀態。
本實施形態中，係以液體LQ覆蓋與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向的位置所配置之物體表面一部分的區域(局部區域)，而形成液浸空間LS，於該物體表面與液浸構件6之下面7之間形成液體LQ之界面(彎液面、邊緣)LG。亦即，本實施形態之曝光裝置EX係採用局部液浸方式，其係在基板P之曝光時，以液體LQ覆蓋包含投影光學系統PL之投影區域PR之基板P上一部分區域，形成液浸空間LS。此外，界面LG之形態不限於圖示之形態。
照明系統IL，係以均一照度分布的曝光用光EL來照明光罩M上之既定照明區域IR。作為從照明系統IL射出之曝光用光EL，例如使用從水銀燈射出之亮線(g線、h線、i線)及KrF準分子雷射光(波長248nm)等遠紫外光(DUV光)，或ArF準分子雷射光(波長193nm)及F2雷射光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)等。本實施形態係使用紫外光(真空紫外光)之ArF準分子雷射光來作為曝光用光EL。
光罩載台1，可藉由驅動系統1D(包含線性馬達等致動器)，在保持光罩M之狀態下移動於X軸、Y軸、以及θZ方向。光罩載台1(光罩M)在X軸、Y軸、以及θZ方向的位置資訊，係藉由雷射干涉儀1S來測量。雷射干涉儀1S，係使用設於光罩載台1之反射鏡1R測量位置資訊。控制裝置3，即根據雷射干涉儀1S之測量結果來驅動驅動系統1D，藉此進行保持於光罩載台1之光罩M的位置控制。
投影光學系統PL係將光罩M之圖案像以既定投影倍率投影至基板P。投影光學系統PL之複數個光學元件，係以鏡筒PK所保持。本實施形態之投影光學系統PL，係投影倍率為例如1/4、1/5、或是1/8等之縮小系統。此外，投影光學系統PL亦可為縮小系統、等倍系統及放大系統之任一者。本實施形態中，投影光學系統PL之光軸AX係與Z軸方向平行。又，投影 光學系統PL，可係不包含反射光學元件之折射系統、不包含折射光學元件之反射系統、以及包含反射光學元件與折射光學元件之反折射系統的任一者。又，投影光學系統PL亦可形成倒立像與正立像之任一者。
基板載台2，可藉由驅動系統2D(包含線性馬達等致動器)，在保持基板P之狀態下移動於X軸、Y軸、Z軸、θX、θY、以及θZ方向之六自由度方向。基板載台2(基板P)在X軸、Y軸、以及θZ方向的位置資訊，係藉由雷射干涉儀2S來測量。雷射干涉儀2S，係使用設於基板載台2之反射鏡2R測量位置資訊。又，保持於基板載台2之基板P表面之面位置資訊(在Z軸、θX、以及θY方向的位置資訊)係藉由未圖示之焦點調平檢測系統來檢測。控制裝置3，即根據雷射干涉儀2S之測量結果及焦點調平檢測系統之檢測結果來驅動驅動系統2D，藉此進行保持於基板載台2之基板P的位置控制。
基板載台2具有保持基板P之基板保持具2H，以及配置於基板保持具2H周圍且能與終端光學元件4之射出面5對向的上面2T。基板保持具2H配置於設在基板載台2上的凹部2C。基板保持具2H可將基板P保持成基板P之表面與XY平面大致平行。保持於基板保持具2H之基板P的表面能與終端光學元件4之射出面5對向。又，基板載台2之上面2T係與XY平面大致平行的平坦面。保持於基板保持具2H之基板P的表面與基板載台2之上面2T配置於大致同一平面，而大致同一面高。上面2T係以例如含氟之材料形成，對液體LQ具有撥液性。上面2T與液體LQ之接觸角例如80°以上。
曝光裝置EX，具備具有將基板載台2支撐成可移動之導引面10的固定座11。本實施形態中，導引面10係與XY平面大致平行。基板載台2係能沿導引面10移動於XY方向(二維方向)。
本實施形態之曝光裝置EX，係一邊使光罩M與基板P同步移動於既 定掃描方向，一邊將光罩M之圖案像投影於基板P的掃描型曝光裝置(所謂掃瞄步進機)。本實施形態中，基板P之掃描方向(同步移動方向)為Y軸方向，光罩M之掃描方向(同步移動方向)亦為Y軸方向。曝光裝置EX，係使基板P相對投影光學系統PL之投影區域PR移動於一方之Y軸方向，並與該基板P往Y軸方向之移動同步地，使光罩M相對照明系統IL之照明區域IR移動於另一方之Y軸方向，透過投影光學系統PL與基板P上之液浸空間LS之液體LQ將曝光用光EL照射於基板P。藉此，光罩M之圖案像被投影於基板P，基板P則被曝光用光EL曝光。
其次，參照圖1~圖4說明液浸構件6、供應機構8、以及回收機構9。圖2係顯示液浸構件6附近之側截面圖，圖3係從下面7側觀看液浸構件6的圖。圖4係放大液浸構件6一部分的圖。
此外，以下說明中，係以與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向之位置配置有基板P的情形為例作說明，但如上所述，在與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之射出面5對向之位置，亦能配置基板載台2等基板P以外的物體。又，以下說明中，將終端光學元件4之射出面5適當稱為終端光學元件4之下面5。
圖1~圖4中，液浸構件6包含第1構件12、第2構件13、以及第3構件14。第1構件12、第2構件13、以及第3構件14均為不同之構件。第1構件12、第2構件13、以及第3構件14均為環狀構件。本實施形態中，第1構件12、第2構件13、以及第3構件14均係藉由未圖示之支撐機構以既定位置關係支撐。
第1構件12係在終端光學元件4附近配置成包圍曝光用光EL的光路。本實施形態中，第1構件12係相對曝光用光EL之光路於終端光學元件4外側，配置成透過空隙G1包圍終端光學元件4。
第2構件13係在第1構件12附近配置成包圍曝光用光EL的光路。本 實施形態中，第2構件13之至少一部分係相對曝光用光EL之光路於第1構件12外側，配置成透過空隙G2包圍第1構件12。
第3構件14係在第2構件13附近配置成包圍曝光用光EL的光路。本實施形態中，第3構件14之至少一部分係相對曝光用光EL之光路於第2構件13外側，配置成透過空隙G3包圍第2構件13。
本實施形態中，終端光學元件4，具有供來自投影光學系統PL之物體面之曝光用光EL射入的入射面16，將朝向投影光學系統PL之像面射出曝光用光EL的射出面(下面)5，以及連結入射面16外周與射出面5外周的外周面(側面)17。本實施形態中，射出面(下面)5與XY平面大致平行。外周面17，係在自該曝光用光EL之光路往外側離開的方向上，傾斜成自基板P表面逐漸離開。又，本實施形態中，入射面16雖亦與XY平面大致平行，但入射面16亦可朝向物體面成突出的曲面。
第1構件12，具有：與終端光學元件4之外周面17對向且沿該外周面17形成的內周面18，相對於終端光學元件4配置於內周面18外側的外周面19，與終端光學元件4之下面5一部分對向的第1上面20，以及與基板P表面對向之第1下面21。
第1構件12，包含：其至少一部分在Z軸方向配置於終端光學元件4之下面5與基板P表面之間的下板部12A，連接於下板部12A外周而配置成包圍終端光學元件4之外周面17的側板部12B，以及連接於側板部12B上端之外周而配置成包圍終端光學元件4之外周面17的上板部12C。下板部12A之外周與側板部12B下端之內周連接。
此外，本實施形態中，第1構件12雖係以具有下板部12A、側板部12B、以及上板部12C之一個構件形成，但亦能以複數個構件形成下板部12A、側板部12B、以及上板部12C，再連接該等而形成第1構件12。
第1構件12之內周面18包含側板部12B之一面，配置成透過空隙G1 與終端光學元件4之外周面17對向。第1構件12之外周面19包含側板部12B之另一面，與內周面18大致平行。此外，內周面18與外周面19亦可不是平行。
換言之，本實施形態中，空隙G1(環狀空隙)之一端部係以流體可流通之方式連接於周圍空間，另一端部以流體可流通之方式連接於液浸空間。 本實施形態中，空隙G1之與周圍空間(例如大氣空間)之連接位置係較與液浸空間之連接位置上方(+Z)。面對空隙G1之徑方向內側之壁的至少一部分係終端光學元件4之外周面17。面對空隙G1之徑方向外側之壁的至少一部分係第1構件12之內周面18。亦即，空隙G1之至少一部分係終端光學元件4與第1構件12之內部空間。本實施形態中，壁(17)及壁(18)具有向上方(+Z)擴大的直徑，壁(17)與壁(18)係實質上平行。隨著直徑之擴大，每一軸方向之單位長度之空隙G1的容積亦向上方(+Z)增大。其他實施形態中，亦能使壁(17)與壁(18)非實質上平行。
第1構件12之第1上面20，包含下板部12A之上面，配置成透過空隙G4與終端光學元件4之下面5對向。第1上面20係與XY平面大致平行的平坦面。
第1構件12之第1下面21，包含下板部12A之下面。例如在基板P之曝光中，基板P之表面係配置成透過空隙G5與第1下面21對向。第1下面21係與XY平面(基板P之表面)大致平行的平坦面。
又，下板部12A於中央具有開口24。開口24可供從終端光學元件4之下面5射出之曝光用光EL通過。例如，在基板P之曝光中，從終端光學元件4之下面5射出之曝光用光EL，係通過開口24透過基板P上之液體LQ而照射於基板P表面。本實施形態中，曝光用光EL在開口24之截面形狀係以X軸方向為長邊方向的大致矩形(狹縫狀)。開口24，係隨曝光用光EL之截面形狀而在XY方向形成為大致矩形(狹縫狀)。又，曝光用光EL在開 口24之截面形狀，與投影光學系統PL在基板P之投影區域PR之形狀大致相同。第1上面20及第1下面21形成於開口24周圍。又，如圖3所示，本實施形態中，第1下面21之外形係具有分別與X軸及Y軸平行之邊的矩形(正方形)。
第2構件13，具有：與第1構件12之外周面19對向且沿該外周面19形成的內周面25，相對於第1構件12配置於內周面25外側的外周面26，與第1構件12之上板部12C之下面27對向的上面28，以及至少一部分與基板P表面對向之第2下面29。
第2構件13，包含：與基板P表面對向的下板部13A，與第1構件12之上板部12C對向的上板部13C，配置成與上板部13C外周連接的外側板部13B，以及配置成與上板部13C內周連接的內側板部13A。此外，本實施形態中，第2構件13雖係以具有內側板部13A、外側板部13B、以及上板部13C之一個構件形成，但亦能以複數個構件形成內側板部13A、外側板部13B、以及上板部13C，再結合該等而形成第2構件13。
又，第2構件13中與基板P表面及第3構件之至少一部分對向的部分，配置有多孔構件(網眼構件)30。本實施形態中，多孔構件30雖使用於板件形成有複數個孔(貫通孔)者，但亦可使用形成有複數個孔(pore)之燒結構件(例如燒結金屬)、發泡構件(例如發泡金屬)等。其他實施形態中，亦可使用上述以外之多孔構件來作為多孔構件30。本實施形態中，多孔構件30係配置成至少一部分與基板P表面對向。第2構件13之第2下面29包含多孔構件30之下面(吸引區域、回收面)。
第2構件13之內周面25包含內側板部13A之內側面，配置成透過空隙G2與第1構件12之外周面19對向。本實施形態中，第1構件12之外周面19與第2構件13之內周面25係大致平行。此外，第1構件12之外周面19亦可不與第2構件13之內周面25平行。
第2構件13之上面28，包含上板部13C之上面，配置成透過空隙G6與第1構件12之上板部12C之下面27對向。第2構件13之上面28及第1構件12之上板部12C之下面27係與XY平面大致平行的平坦面。
多孔構件30之下面形成第2下面29之至少一部分。本實施形態中，多孔構件30之下面一部分係與基板P表面對向。亦即包含多孔構件30之下面(吸引區域、回收面)之第2構件13之第2下面29一部分能面對基板P表面。在例如基板P之曝光中，基板P之表面係配置成透過空隙G7與第2下面29(多孔構件30之下面)之至少一部分對向。本實施形態中，第2下面29係與XY平面大致平行的平坦面。另一實施形態中，第2下面29可與XY平面實質上非平行。
又，如圖3所示，本實施形態中，多孔構件30之下面形成為具有分別與X軸及Y軸平行之邊的矩形框狀。
第3構件14，具有：與第2構件13之外周面26對向(面對)且沿該外周面26形成的內周面50，與第2下面29之一部分(多孔構件30之下面一部分)對向(面對)之第3上面51，以及與基板P表面對向(面對)之第3下面52。
第3構件14，包含：其至少一部分在Z軸方向配置於第2下面29與基板P表面之間的下板部14A，連接於下板部12A外周而配置成包圍第2構件13之外周面26的側板部14B。
此外，本實施形態中，第3構件14雖係以具有下板部14A及側板部14B之一個構件形成，但亦能以複數個構件形成下板部14A及側板部14B，再連接該等而形成第3構件14。
第3構件14之內周面50包含側板部14B之內周面，配置成透過空隙G3與第2構件13之外周面26對向。第3構件14之外周面50與第2構件13之外周面26大致平行。此外，內周面50與外周面26亦可不是平行。
下板部14A具有上面、以及與上面相反之側的下面。第3上面51包含下板部14A之上面，第3下面52包含下板部14A之面及側板部14B之下面。第3上面51及第3下面52均配置成包圍曝光用光EL的光路。
第3下面52具有與XY平面大致平行之平坦部52A與在自曝光用光EL之光路離開的方向上從基板P表面逐漸離開的傾斜部52B。平坦部52A係於下面52之曝光用光EL之光路側配置成包圍曝光用光EL之光路。傾斜部52B係相對曝光用光EL於平坦部52A外側配置成包圍曝光用光EL之光路。又，平坦部52A外緣之Z軸方向位置與傾斜部52B內緣之Z軸方向位置相同。另一實施形態中，平坦部52A能與XY平面實質上非平行。
第3上面51具有相對第3下面52之平坦部52A傾斜的傾斜部51B，以及與第3下面52之平坦部52A平行的平坦部51A。本實施形態中，第3上面51之平坦部51A係與XY平面大致平行。在另一實施形態中，平坦部51A能與XY平面實質上非平行。
第3上面51之傾斜部51B係於第3上面51之曝光用光EL之光路側配置成包圍曝光用光EL之光路。第3上面51之傾斜部51B係在自曝光用光EL之光路離開的方向上傾斜成從基板P表面逐漸離開。本實施形態中，第3上面51之傾斜部51B與第3下面52之平坦部52A所構成的角度係銳角。 第3上面51之平坦部51A係相對曝光用光EL之光路於傾斜部51B之外側配置成包圍曝光用光EL之光路。傾斜部51B外緣之Z軸方向位置與平坦部51A內緣之Z軸方向位置相同。
此處，以下說明中，係將第3上面51之傾斜部51B與第3下面52之平坦部52A所形成之尖銳角的部分適當稱為尖端部55。尖端部55係朝向曝光用光EL之光路尖起。
本實施形態中，尖端部55之前端(第3構件14之第3上面51之邊緣、第3構件14中面對第2構件13之區域的前端部)，係較第1構件12之第1 下面21接近基板P。亦即，自基板P之該前端的高度係較第1構件12之第1下面21低。
第3上面51之平坦部51A之一部分係配置成透過空隙G8與第2下面29對向。又，在例如基板P之曝光中，基板P之表面係配置成透過空隙G9與第3下面52之平坦部52A對向。
以下說明中，將第2下面29與第3上面51之間的空隙G8適當稱為第1空隙G8。又，將第1構件12之外周面19與第2構件13之內周面25之間的空隙G2適當稱為第2空隙G2。
本實施形態中，第3構件14之第3上面51之內側邊緣，係與第1構件12之第1下面21外形平行地形成。亦即，如圖3所示，第3上面51之內側邊緣的形狀係與第1下面21之外形相似，為矩形(正方形)。此外，第3上面51之內側邊緣的形狀亦可不與第1下面21之外形相似。
本實施形態中，第2下面29(多孔構件30之下面)具有不與第3上面51對向的第1區域29A、以及與第3上面51對向之第2區域29B。第1區域29A係於第2下面29之曝光用光EL之光路側配置成包圍曝光用光EL之光路。第2區域29B係相對曝光用光EL之光路於第1區域29A之外側配置成包圍曝光用光EL之光路。
換言之，本實施形態中，第2構件13之第2下面29(或多孔構件30之下面)能具有較第3構件14之第3上面51大的面積。本實施形態中，第3構件14係局部覆蓋第2構件13之第2下面29。第3構件14，係覆蓋第2構件13之第2下面29之徑方向外側的區域(第2區域29B)。第2構件13之第2下面29中，被第3構件14覆蓋的區域29B係自基板P隱藏。第2下面29中未被第3構件14覆蓋的區域(第1區域29A)係徑方向內側的區域。該未被覆蓋的區域29A係較被覆蓋之區域29B接近曝光用光之光路。該未被覆蓋的區域係正對(front)基板P。
本實施形態中，第3構件14之第3上面51的內側邊緣，係與多孔構件30之內側邊緣(內側板部13A與多孔構件30之連接部)平行設置。亦即，如圖3所示，第3上面51之內側邊緣的形狀係與多孔構件30之內側邊緣的形狀相似，為矩形(正方形)。此外，第3上面51之內側邊緣的形狀亦可不與多孔構件30之內側邊緣的形狀相似
本實施形態中，液浸構件6之下面7包含第1下面21、第2下面29、以及第3下面52。第1下面21係配置成包圍曝光用光EL之光路。第2下面29係相對曝光用光EL之光路在第1下面21外側配置成包圍曝光用光EL之光路及第1下面21。第3下面52係相對曝光用光EL之光路在第2下面29之第1區域29A外側配置成包圍曝光用光EL之光路、第1下面21、以及第2下面29之第1區域29A。換言之，於第1下面21之徑方向外側配置有第2下面29及第3下面52，於該第2下面29之一部分(第1區域29A)之徑方向外側配置第3下面52。
如圖4所示，本實施形態中，第3下面52之平坦部52A與基板P表面之距離D3(空隙G9之尺寸)係較第1下面21與基板P表面之距離D1(空隙G5之尺寸)小。又，第1下面21與基板P表面之距離D1(空隙G5之尺寸)係較第2下面29與基板P表面之距離D2(空隙G7之尺寸)小。
在與液浸構件6之下面7對向的位置配置有基板P時，液浸構件6能在至少第1下面21與基板P表面之間保持液體LQ。本實施形態中，第1構件12中至少第1下面21，例如係以鈦形成，對液體LQ具有親液性。第1下面21與液體LQ之接觸角，可為例如90、80、70、60、50、40、30、20、或10度以下。該接觸角最好可在40度以下，在20度以下則又更佳。對液體LQ具有親液性且與基板P之表面(XY平面)大致平行的第1下面21，在基板P移動於XY方向時亦能持續與液浸空間LS之液體LQ接觸。第1下面21至少在基板P之曝光中，係與液浸空間LS之液體LQ接觸的 液體接觸面。
又，第2下面29之第1區域29A能與基板P上之液體LQ接觸，在與液浸構件6之下面7對向的位置配置有基板P時，液浸構件6能在第2下面29之第1區域29A與基板P表面之間保持液體LQ。又，第2下面29之第2區域29B能與流入第1空隙G8之液體LQ接觸。又，本實施形態中，第2構件13中至少與液體LQ接觸的部分係以例如鈦形成，對液體LQ具有親液性。第2下面29與液體LQ之接觸角，可為例如90、80、70、60、50、40、30、20、或10度以下。該接觸角最好可在40度以下，在20度以下則又更佳。
又，第3下面52能與基板P上之液體LQ接觸，在與液浸構件6之下面7對向的位置配置有基板P時，液浸構件6能在第3下面52與基板P表面之間保持液體LQ。本實施形態中，第3下面52之平坦部52A係對液體LQ具有撥液性，第3下面52之傾斜部52B對液體LQ具有親液性。又，包含平坦部51A及傾斜部51B之第3上面51對液體LQ具有撥液性。本實施形態中，第3構件14係以鈦形成，對液體LQ具有親液性，於第3下面52之平坦部52A形成有包含例如氟之材料等對液體LQ具有撥液性之材料的膜。第3上面51及第3下面52之傾斜部52B係以鈦形成。第3下面52之平坦部52A與液體LQ之接觸角，可為例如100、110、120、130、或140度以上。該接觸角最好可在110度以上。又，第3上面51與液體LQ之接觸角、以及第3下面52之傾斜部52B與液體LQ之接觸角，均可為例如90、80、70、60、50、40、30、20、或10度以下。該接觸角最好可在40度以下，在20度以下則又更佳。此外，第3下面52之平坦部52A亦可為非撥液性。
圖2及圖4中，係顯示基板P上之液體LQ的一部分，保持於第1下面21、第2下面29之一部分區域、以及第3下面52之一部分區域與基板P 之間的狀態。在例如基板P之曝光中，藉由將液體LQ保持於包含第1下面21、第2下面29、以及第3下面52之液浸構件6之下面7與基板P表面之間，來形成液浸空間LS。
於第2下面29與第3上面51(尖端部55)之間形成有第1開口部53。 如圖2及圖4所示，第1開口部53係配置於能與基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)接觸的位置，基板P上之液體LQ可流入。第1開口部53與第1空隙G8連接。第1空隙G8設置成基板P上之液體LQ可透過第1開口部53流入。
第1開口部53係設於第3構件14之下板部14A(尖端部55)之邊緣與多孔構件30之間。亦即，第1開口部53係配置於第1區域29A與第2區域29B之邊界附近。第1開口部53係狹縫狀，環狀設置成包圍曝光用光EL之光路。第1空隙G8係相對曝光用光EL之光路在第1開口部53外側沿開第1開口部53環狀設置。本實施形態中，於下板部14A之邊緣形成有傾斜部51B，第1開口部53之寬度(第3上面51之傾斜部51B與第2下面29在Z軸方向之距離)係較第3上面51之平坦部51A與第2下面29在Z軸方向之距離略大。
第1空隙G8係透過與第1開口部53不同之第2開口部54開放至大氣。第2開口部54配置於能與液浸構件6(液浸空間LS)周圍之外部空間(周圍環境)之氣體接觸的位置，外部空間之氣體可流入。第1空隙G8，係設置成外部空間之氣體可透過第2開口部54流入。
第2開口部54係設置於基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)無法流入的位置。
本實施形態中，第2開口部54係相對曝光用光EL之光路配置於第1開口部53及第1空隙G8外側，配置於不與基板P表面對向之位置。第2開口部54配置於第1開口部53之+Z側。
本實施形態中，第2開口部54形成於第2構件13之外周面26與第3構件14之內側面50之上端之間，與空隙G3連接。空隙G3，設置成外部空間之氣體能透過第2開口部54流入。又，本實施形態中，第1空隙G8與空隙G3係彼此連接(為一體)，第2開口部54係透過空隙G3與第1空隙G8連接。換言之，空隙G3係開放至大氣，空隙G8係透過空隙G3開放至大氣。
本實施形態中，第1開口部53、第2開口部54、以及空隙G8,G3均設於第2構件13與第3構件14之間。
換言之，本實施形態中，空隙G8(環狀空隙)之至少一部分及空隙G3(環狀空隙)之至少一部分分別係第2構件13(多孔構件30)與第3構件14的內部空間。本實施形態中，包含空隙G8及空隙G3之空間的一端部，係以流體可流通之方式連接於周圍空間，另一端部以流體可流通之方式連接於液浸空間。本實施形態中，包含空隙G8及空隙G1之空間之與外部空間之連接位置係較與液浸空間之連接位置上方(+Z)。本實施形態中，具有既定寬度之空隙G8，係實質地延伸於水平方向，而具有既定寬度之空隙G3，係實質地延伸於垂直方向。空隙G8之徑方向外端與空隙G3之下方端係以流體可流通之方式連接。面對空隙G8之上方之壁之至少一部分係第2構件13之第2下面29(多孔構件30之下面)。面對空隙G8之下方之壁係第3構件14之第3上面51。本實施形態中，壁(29)與壁(51A)可實質上平行。另一實施形態中，壁(29)與壁(51A)可實質上非平行。面對空隙G2之徑方向內側之壁的至少一部分係第2構件13之外周面26。面對空隙G2之徑方向外側之壁的至少一部分係第3構件14之內周面50。本實施形態中，壁(26)與壁(50)可實質上平行。另一實施形態中，壁(26)與壁(50)可實質上非平行。
外部空間之氣體，可透過第2開口部54流入空隙G8,G3，且空隙G8,G3之氣體可透過第2開口部54流出外部空間。本實施形態中，第1空隙 G8與該第1空隙G8外側之外部空間(大氣空間)之間，氣體可透過第2開口部54隨時進出，第1空隙G8為透過第2開口部54開放至大氣的狀態。
第1空隙G8開放至大氣的狀態，包含第1空隙G8與液浸構件6之周圍(液浸空間LS之周圍)之氣體空間隨時連通的狀態。例如，在第1空隙G8開放至大氣的狀態下，即使第1開口部53之全區域被液浸空間LS之液體LQ覆蓋，在第1空隙G8與外部空間(周圍環境)之間，氣體可透過第2開口部54隨時進出。此外，曝光裝置EX通常係配置於環境經控制之處理室內，上述之「開放至大氣」，亦包含第1空隙G8與處理室內之氣體空間連通的狀態。又，外部空間之氣體，亦可不一定是空氣，而係例如氮氣。
於第1下面21與第2上面29之間形成有第3開口部33。如圖2及圖4所示，第3開口部33係配置於能與基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)接觸的位置，基板P上之液體LQ可流入。第3開口部33與第2空隙G2連接。第2空隙G2設置成基板P上之液體LQ可透過第3開口部33流入。
第3開口部33係配置於第2空隙G2下端，基板P之表面可移動至與第3開口部33對向的位置。第3開口部33係狹縫狀，環狀設置成包圍第1下面21。如圖3所示，本實施形態中，第3開口部33係設置成矩形環狀。又。第2空隙G2係沿第3開口部33環狀設置成包圍第1構件12。
第2空隙G2係透過與第3開口部33不同之第4開口部34開放至大氣。第4開口部34配置於能與液浸構件6(液浸空間LS)周圍之外部空間(周圍環境)之氣體接觸的位置，外部空間之氣體可流入。第2空隙G2，係設置成外部空間之氣體可透過第4開口部34流入。
第4開口部34係設置於無法與基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)接觸的位置。亦即，第4開口部34係設置於與第3開口部33對向之基板P上之液體LQ無法流入的位置。
本實施形態中，第4開口部34係相對曝光用光EL之光路配置於第3開口部33及第2空隙G2外側，配置於不與基板P表面對向之位置。第4開口部34配置於第3開口部33之+Z側。
本實施形態中，第4開口部34形成於第1構件12之上板部12C之下面27外周與第2構件13之上面28之外周之間，與空隙G6連接。空隙G6，設置成外部空間之氣體能透過第4開口部34流入。又，本實施形態中，第2空隙G2與空隙G6係彼此連接(為一體)，第4開口部34係透過空隙G6與第2空隙G2連接。
外部空間之氣體，可透過第4開口部34流入空隙G2,G6，且空隙G2,G6之氣體可透過第4開口部34流出外部空間。本實施形態中，第2空隙G2與該第2空隙G2外側之外部空間(大氣空間)之間，氣體可透過第4開口部34隨時進出，第2空隙G2為透過第4開口部34開放至大氣的狀態。
本實施形態中，第3開口部33、第4開口部34、以及空隙G2,G6均設於第1構件12與第2構件13之間。
換言之，本實施形態中，第2空隙G2(環狀空隙)之至少一部分係第1構件12與第2構件13的內部空間。本實施形態中，空隙G2之一端部，係以流體可流通之方式連接於周圍空間，另一端部以流體可流通之方式連接於液浸空間。本實施形態中，空隙G2之與周圍空間(例如大氣空間)之連接位置係較與液浸空間之連接位置上方(+Z)。面對空隙G2之徑方向內側之壁的至少一部分係第1構件12之外周面19。面對空隙G2之徑方向外側之壁的至少一部分係第2構件13之內周面25。本實施形態中，壁(19)及壁(25)具有向上方(+Z)擴大的直徑，壁(19)與壁(25)係實質上平行。隨著直徑之擴大，每一軸方向之單位長度之空隙G2的容積亦向上方(+Z)增大。其他實施形態中，亦能使壁(19)與壁(25)非實質上平行。
此外，亦可將第1構件12與第2構件13配置成彼此接觸，而不設置 第3開口部33、第4開口部34、以及空隙G2,G6。
供應機構8，包含能送出清淨且溫度經調整之液體LQ之液體供應裝置36、配置於光路空間K附近之供應口37、以及連接液體供應裝置36與供應口37的流路38。
本實施形態中，供應口37係形成於第1構件12。流路38，包含形成於第1構件12內部之供應流路38A、以及以連接該供應流路38A與液體供應裝置36之供應管形成之流路38B。從液體供應裝置36送出之液體LQ，係透過流路38供應至供應口37。供應口37係將來自液體供應裝置36之液體LQ供應至光路空間K。
本實施形態中，供應口37係連接於終端光學元件4之下面5與第1上面20之間的空隙G4，可將液體LQ供應至該空隙G4。又，本實施形態中，供應口37係分別設於相對光路空間K之軸方向兩側。此外，供應口37亦可分別設於相對光路空間K之X軸方向兩側。
本實施形態中，供應口37係相對曝光用光EL之光路配置於第1開口部53及第3開口部33之內側。
回收機構9，包含：液體回收裝置39，係包含真空系統而能吸引液體LQ以回收；回收部40，係能回收液體LQ；以及流路41，係連接液體回收裝置39與回收部40。
回收部40包含能吸引液體LQ並回收的吸引口。本實施形態中，回收部40係配置於能與基板P表面及第3上面51對向之第2構件13的一部分。 亦即，本實施形態中，回收部40係配置於第2下面29。回收部40係配置成一部分透過第1空隙G8與第3上面51對向。
本實施形態中，於第2構件13，藉由內側板部13A、上板部13C、以及外側板部13B形成有具有與基板P表面及第3上面51對向之開口的吸引流路(空間部、回收流路)41A，於該空間部41A之開口配置回收部40。本實 施形態中，回收部40係沿第1空隙G8環狀設置。
回收部40具有配置成覆蓋吸引口之多孔構件(網眼構件)30。如上所述，多孔構件30之下面形成與基板P表面及第3上面51對向之第2下面29的至少一部分。本實施形態中，回收部40之多孔構件30下面的一部分區域(第2下面29B)係透過第1空隙G8與第3上面51對向。
回收機構9係透過回收部40回收與包含第3下面52之液浸構件6之下面7對向之基板P上的液體LQ。本實施形態中，流路41包含形成於第2構件13內部之吸引流路41A、以及連接該吸引流路41A與液體回收裝置39之回收管形成的的流路41B。藉由驅動包含真空系統之液體回收裝置39，使多孔構件30之上面與第2下面29之間產生壓力差，液體LQ則被多孔構件30(回收部40)吸引。自回收部40吸引之液體LQ，係透過流路41被液體回收裝置39回收。
回收部40係透過多孔構件30回收與多孔構件30接觸之液體LQ的至少一部分。回收部40能回收與多孔構件30之第1區域29A接觸的液體LQ。
又，回收部40係透過第1開口部53流入第1空隙G8，能回收與多孔構件30之第2區域29B接觸之液體LQ。本實施形態中，液浸構件6之下面7與基板P表面之間之液體LQ的至少一部分可透過第1開口部53流入第1空隙G8。第1空隙G8係設置成基板P上之液體LQ可透過第1開口部53流入。又，由於第1空隙G8係透過第2開口部54開放至大氣，因此液體LQ可透過第1開口部53順利地流入第1空隙G8內。回收部40，可透過多孔構件30，吸引透過第1開口部53流入第1空隙G8之液體LQ的至少一部分。
本實施形態中，第1空隙G8係形成基板P上之液體LQ可流入的毛細管路。多孔構件30之下面與第3上面51之間隔，為0.5~2.0mm。與第1開口部53接觸之液體LQ，可藉由毛細管現象被吸入第1空隙G8內，與多 孔構件30之第2區域29B之表面接觸後透過多孔構件30被回收。
又，本實施形態中，由於第3上面51對液體LQ係親液性，因此液體LQ可透過第1開口部53順利地流入第1空隙G8內。
又，本實施形態之回收機構9，例如國際公開第2005/024517號小冊子、美國專利申請公開第2007/0222959號公報等揭示，設定有包含多孔構件30之孔大小、多孔構件30與液體LQ之表面張力、吸引流路41A相對於第1空隙G8之壓力(外部空間之壓力)之壓力等的液體回收條件，以抑制與多孔構件30之下面接觸的氣體通過多孔構件30。亦即，本實施形態中，係將液體回收條件設定成僅有與多孔構件30之下面接觸的液體LQ可通過多孔構件30而流入吸引流路41A，與多孔構件30之下面接觸的氣體大致不會通過多孔構件30。換言之，本實施形態之回收部40僅吸引(回收)液體LQ，並不吸引氣體。因此，如圖2、圖4等所示，即使液體LQ與氣體之界面LG存在於多孔構件30與第3構件14之下板部14A之間，氣體亦不會透過多孔構件30流入回收流路41。
本實施形態中，由於回收部40僅透過多孔構件30來吸引液體LQ，而能抑制振動之產生、氣化熱等。另一實施形態中，回收部40亦可透過多孔構件30將液體LQ與氣體一起回收。
其次，說明使用具有上述構成之曝光裝置EX來對基板P進行液浸曝光之方法。
為形成液浸空間LS，控制裝置3，係使用供應機構8將液體LQ供應至曝光用光EL之光路空間K。在供應液體LQ時，控制裝置3係將基板P(基板載台2)等物體配置於與液浸構件6之下面7及終端光學元件4之下面5對向的位置。從液體供應裝置36送出之液體LQ透過流路38被供應至供應口37。供應口37將液體LQ供應至終端光學元件4之下面5與第1上面20之間的空隙G4。液體LQ，係在終端光學元件4之下面5與第1上面20 之間的空隙G4流動，透過開口24流入第1下面21與基板P表面間之空隙G5，而被保持於該第1下面21與基板P表面之間。液體LQ之至少一部分，流入第2下面29與基板P表面間之空隙G7，而被保持於該第2下面29與基板P表面之間。又，液體LQ之至少一部分，流入第3下面52與基板P表面間之空隙G9，而被保持於該第3下面52與基板P表面之間。
接著，空隙G4及空隙G5被液體LQ充滿，以液體LQ充滿終端光學元件4之下面5與基板P表面之間的光路空間K，以形成液浸空間LS。
又，本實施形態中，控制裝置3係與供應機構8之液體供應動作同時進行回收機構9之液體回收動作。基板P上之液體LQ的至少一部分接觸於回收部40之多孔構件30的第1區域29A，透過該多孔構件30被吸引。又，基板P上之液體LQ之至少一部分透過第1開口部53流入第1空隙G8。基板P上之液體LQ藉由例如毛細管現象流入第1空隙G8內。在第1空隙G8內，接觸於回收部40之多孔構件30之下面(多孔構件30之下面之第2區域29B)的液體LQ，係透過該多孔構件30被吸引。從回收部40被吸引之液體LQ，透過流路41被回收至液體回收裝置39。
控制裝置3，藉由同時進行供應機構8之液體供應動作與回收機構9之液體回收動作，而能恆以所欲狀態(溫度、潔淨度等)之液體LQ將液浸區域局部形成於基板P上。
形成液浸空間LS之後，控制裝置3即開始基板P之曝光。如上所述，本實施形態之曝光裝置EX係掃描型曝光裝置。控制裝置3，係在將液體LQ保持於液浸構件6之下面7與基板P表面之間而形成有液浸空間LS的狀態下，一邊相對於曝光用光EL之光路及液浸空間LS使基板P表面移動於Y軸方向，一邊透過投影光學系統PL與基板P上之液體LQ將曝光用光EL照射於基板P。藉此，光罩M之圖案像被投影於基板P，基板P即被曝光用光EL曝光。
又，控制裝置3，在例如對基板P上之第1照射區域的曝光結束後，為了開始第2照射區域的曝光，即在形成有液浸空間LS之狀態下，執行使基板P表面移動於X軸方向(或在XY平面內相對X軸方向呈傾斜的方向)的動作。
本實施形態中，在使基板P表面移動於XY方向時，液浸構件6之下面7與基板P表面之間的液體LQ亦不會漏出至該液浸構件6之下面7與基板P表面間之空間的外側。
圖5A及5B，係顯示相對曝光用光EL之光路及液浸空間LS使基板P表面移動於Y軸方向之狀態的示意圖，圖5A係顯示以第1速度移動基板P之狀態的圖，圖5B係顯示以較第1速度快之第2速度移動基板P之狀態的圖，如圖5A及圖5B所示，本實施形態中之曝光條件係設定成，不僅在基板P之停止中，即使在基板P移動中液浸空間LS之液體LQ之界面(彎液面、邊緣)LG亦會形成於基板P表面與液浸構件6之下面7之間。本實施形態中之曝光條件係設定成，即使在基板P移動中液體LQ之界面LG亦會與第2下面29及第3下面52之任一方接觸。曝光條件包含基板P之移動條件、以及形成液浸空間LS之液浸條件。基板P之移動條件，包含基板P之移動速度、加速度、減速度、移動於既定方向之一方向(例如+Y方向)時的距離、以及移動方向。液浸條件包含供應口37之毎一單位時間之液體LQ的供應量等。
本實施形態中，係將第3構件14(下板部14A)配置成與回收部40之至少一部分對向，透過多孔構件30吸引與多孔構件30之下面之第1區域29A接觸之液體LQ、以及透過第1開口部53流入第1空隙G8而與多孔構件30之下面之第2區域29B接觸之液體LQ。藉此，即使相對液浸空間LS將基板P移動於XY方向時，亦能抑制液體LQ漏出或液體LQ(液體LQ之膜、液滴等)殘留於基板P表面。
如上述，之所以在回收部40與基板P之間配置成與回收部40之至少一部分對向的第3構件14，係基於下述發明人之見解。
圖6A，係將回收液浸空間LS之液體LQ的回收部(多孔構件30)40J配置於與基板P表面對向之液浸構件6J之下面7J之狀態的示意圖。圖6A中，在回收部40與基板P之間不配置與回收部40J對向之構件，回收部40J之所有區域與基板P表面對向。當使用上述液浸構件6J相對液浸空間LS(液浸構件6J)將基板P高速移動於XY平面內之一方向(此處為-Y方向)時，於回收部40J與基板P之間，液體LQ在基板P上會成為一薄膜，致使有時基板P上之液體LQ會漏出至回收部40J之外側，具體而言即在基板P之移動方向之前方側(-Y側)漏出至回收部40J之外側。此現象之產生理由為，在液浸構件6J之下面7J與基板P表面之間，液浸構件6J之下面7J附近亦即回收部40J附近之液體LQ，雖會因回收部40J之吸引動作而向上方(+Z方向)流動，而被該回收部40J回收，但基板P表面附近之液體LQ會因與基板P之表面張力等而不會從回收部40J被回收，而在基板P上成為一薄膜，隨著基板P之移動在基板P之移動方向之前方側被吸出至回收部40J外側。當產生此種現象時，被吸出至回收部40J外側之液體LQ，會成為例如液滴殘留於基板P上，成為產生圖案缺陷等之原因。又，透過發明人之見解，確定了此種現象會因基板P移動速度之高速而更容易產生。
圖6B，係顯示本實施形態之液浸構件6之示意圖。本實施形態中，由於在回收部40與基板P之間將第3構件14配置成與回收部40之至少一部分對向，因此在液浸構件6之下面7附近(第2下面29附近)，不會產生向上方(+Z方向)之液體LQ的較強水流。亦即，本實施形態中，配置成與回收部40一部分對向之第3構件14，可抑制回收部40對基板P上之液體LQ發揮較強吸引力之作用。
又，由於第1空隙G8係大氣開放狀態，且從第1開口部53往第1空 隙G8之液體LQ之流動完全取決於第1空隙G8之毛細管力，因此在第1開口部53附近，亦不會產生向上方(+Z方向)之液體LQ的較強水流。又，於相對曝光用光EL之光路之第1區域29A外側配置有第3下面52，未在回收部40被回收之液體LQ，係保持於第3下面52與基板P之表面之間。 因此，即使相對液浸空間LS(液浸構件6)將基板P高速移動於XY平面內之一方向(此處為-Y方向)時，亦可藉由使用本實施形態之液浸構件6，抑制基板P上之液體LQ在基板P之移動方向前方側(-Y側)成為薄膜的現象，而使界面LG在第2下面29及第3下面52與基板P表面之間維持於所欲狀態。亦即，即使在移動基板P之情況下，可抑制液浸構件6之下面7與基板P表面之間的液體LQ從下面7剝離。如上述，本實施形態中，由於液體LQ在下面7與基板P表面之間與下面7接觸，因此即使在基板P之移動方向前方側(-Y側)，亦可將液體LQ之界面LG之狀態維持於所欲狀態。 因此，可抑制液體LQ漏出至液浸構件6與基板P間之空間外側，或液體LQ(液滴等)殘留於基板P上。又，本實施形態中，多孔構件30下面之一部分(第1區域29A)由於未被第3構件13覆蓋而露出，因此隨著基板P之移動之界面LG之移動係被抑制，而抑制液體LQ殘留於基板P上。
圖6C，係顯示使用本實施形態之液浸構件6而形成之液浸空間LS，使基板P高速移動於-Y方向時之液浸空間LS的狀態例。視基板P之移動條件等的不同，亦有可能界面LG會隨基板P之移動而移動至第3下面52之平坦部52A的徑方向外側。本實施形態中，由於第3下面52於平坦部52A外側具有傾斜部52B，因此於液浸空間LS之液體LQ會生成沿傾斜部52B朝斜上方移動的成分F1、以及移動於水平方向之成分F2。又，能使基板P與下面52之間的空間的體積變大。因此能抑制液浸空間LS之擴大(大型化)。此外，當然可調整對第3下面52之傾斜部52B對XY平面(平坦部51A)之傾斜角度，以使第3下面52與基板P間之液體LQ不會從第3下面52 剝離。
又，本實施形態之液浸構件6，由於具有以第3上面51之傾斜部51B與第3下面52之平坦部52A形成的尖端部55，因此例如圖6D所示，即使於基板P上形成液體LQ之液滴，亦能藉由尖端部55分斷該液體LQ之液滴。尖端部55係在Z軸方向配置於較射出面5、第1下面21、以及第2下面29接近基板P的位置，能分斷自與射出面5、第1下面21、以及第2下面29之第1區域29A之至少一個對向之區域朝向尖端部55相對移動的基板P上的液體LQ。尖端部55能將液體LQ之液滴分斷成至少兩滴。藉由接觸於尖端部55而被分斷並移動至尖端部55上方之液體LQ，透過第1開口部55移動至第1空隙G8內，透過多孔構件30被回收部40回收。此外，接觸於尖端部55後，亦有可能有液體之液滴(參照圖6D中之符號LQz)未被回收部40回收而殘留於第3構件14與基板P之間。可知此液滴LQz係在被尖端部55分斷後，會進入第3構件14與基板P之間之空間的微小液滴。又，殘留於基板P上之液體LQ之液滴LQz，亦有可能係未與尖端部55接觸而進入第3構件14與基板P之間之空間的微小液滴。當液體LQ殘留於基板P上時，形成於基板P之圖案雖有可能產生缺陷，但只要該殘留之液體LQ之液滴LQz係微小的，亦有可能不會產生圖案之缺陷。因此，可藉由設置尖端部55抑制圖案缺陷之產生。
如以上之說明，根據本實施形態，由於能良好地回收液體LQ，抑制液體LQ之漏出或殘留於基板P上等，因此能抑制曝光不良之產生。又，能抑制曝光不良產生且使基板P之移動速度成高速。因此能以良好生產性製造良好元件。
此外，本實施形態中，例如圖3所示，液浸構件6在XY平面內的外形雖係具有與X軸及Y軸大致平行之邊的矩形(正方形)，但如圖7所示，液浸構件6B在XY平面內的外形，亦可係具有相對X軸及Y軸呈傾斜之 邊的矩形(正方形)。圖7中，液浸構件6B，具有以X軸方向為長邊方向之大致矩形(狹縫狀)的開口24、以及具有相對X軸及Y軸在XY平面內呈約傾斜45度之邊的矩形(正方形)第1下面21。又，在XY平面內之第2下面29及下面52的外形，亦係具有相對X軸及Y軸約傾斜45度之邊的矩形(正方形)。
此外，液浸構件在XY平面內的外形亦可係圓形。
此外，本實施形態中，液浸構件6雖包含第1構件12、第2構件13、以及第3構件之複數個構件，但亦可將此等複數個構件一體形成，亦可結合複數個構件中之任意構件彼此。
<第2實施形態>
其次說明第2實施形態。以下說明中，係對與上述實施形態同一或同等之構成部分使用同一符號，以簡化或省略其說明。
圖8，係顯示第2實施形態之液浸構件6C附近的側截面圖，圖9係放大液浸構件6C一部分的圖。本實施形態之特徵部分，在於回收部40全部之區域與第3上面51對向。此外，第2實施形態中，雖係舉出回收部40與第3上面51形成於同一第4構件134的情形為例加以說明，但與上述第1實施形態同樣地，具有回收部40之構件與具有第3上面51之構件亦可係不同構件。
如圖8及圖9所示，本實施形態中，液浸構件6C具有：具有第1下面21之第1構件12，以及在第1構件12附近配置成包圍第1構件12且具有回收部40的第4構件134。第4構件134具有配置回收部40之第2下面29，以及配置成與配置於第2下面29之回收部40全部區域對向的第3上面51。回收部40之多孔構件30之下面與第3上面51之間形成有第1空隙G8。第3上面51具有平坦部51A與傾斜部51B，與第3上面51相反側之第3下面52，具有平坦部52A與傾斜部52B。第4構件134，具有包含平 坦部51A與傾斜部51B之第3上面51、以及形成第3下面52之平坦部52A的板體部134T。藉由第3上面51之傾斜部51B與第3下面52之平坦部52A形成尖端部55。
液浸構件6C具備與第1空隙G8連接之第1開口部53C。第1開口部53C，形成於第2下面29與第3上面51之曝光用光EL之光路側的邊緣之間。第1空隙G8係透過第2開口部54C開放至大氣。
於第1構件12與第4構件134間形成有第3開口部33C。第3開口部33C配置於第1構件12之第1下面21與第4構件134之第3下面52之間。 第3開口部33C配置於能與基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)接觸的位置，基板P上之液體LQ可流入。第3開口部33C與第2空隙G2連接。第2空隙G2設置成基板P上之液體LQ可透過第3開口部33C流入。 第3開口部33C係配置於第2空隙G2下端，基板P之表面可移動至與第3開口部33C對向的位置。
第2空隙G2係透過與第3開口部33C不同之第4開口部34C開放至大氣。第4開口部34C配置於能與液浸構件6(液浸空間LS)周圍之外部空間(周圍環境)之氣體接觸的位置，外部空間之氣體可流入。第4開口部34C係配置於無法與基板P上之液體LQ(液浸空間LS之液體LQ)接觸的位置。第2空隙G2，係設置成外部空間之氣體能透過第4開口部34C流入。本實施形態中，第4開口部34C係形成於第1構件12與第4構件134之間。
基板P上之液體LQ可自第3開口部33C透過第1開口部53C流入多孔構件30之下面與第3上面51之間的第1空隙G8。與第1下面21及第3下面52對向之基板P上的液體LQ，可自第3開口部33C透過第1開口部53C流入第1空隙G8。本實施形態中，基板P上之液體LQ可透過第3開口部33C流入之第2空隙G2與第第1空隙G8，係透過第1開口部53C連接，流入第3開口部33C之液體LQ，可透過第1開口部53C流入第1空 隙G8。流入第1空隙G8之液體LQ係被包回多孔構件30之回收部40回收。
本實施形態，由於亦同樣地能良好地回收液體LQ，抑制液體LQ之漏出或殘留於基板P上等，因此能抑制曝光不良之產生。又，能抑制曝光不良產生且使基板P之移動速度成高速。因此能以良好生產性製造良好元件。
此外，上述第1、第2實施形態中，亦可將第3上面51及第3下面52相對第1下面21及第2下面29為可動。此時，如上述第1實施形態所述，亦可將具有第3上面51及第3下面52之構件與具有第1下面21及第2下面29之構件以不同構件設置。又，亦可將具有第3上面51及第3下面52之構件設置成被動移動，或使用驅動機構使具有第3上面51及第3下面52之構件主動移動。再者，液浸構件6亦可相對終端光學元件4為可移動。
此外，上述第1、第2實施形態中，第1下面21與基板P表面之距離D1、以及第2下面29與基板P表面之距離D2亦可係相同。又，第1下面21與基板P表面之距離D1、以及第3下面52之平坦部52A與基板P表面之距離D3亦可係相同。
此外，上述各實施形態中，第3下面52之傾斜部52B雖係以朝向互異之四個方向之四個平面形成，但亦可為曲面。或組合五個以上之複數個平面來形成傾斜部52B。
又，上述各實施形態中，第3上面51之平坦部51A及第3下面52之平坦部52A雖與XY平面成平行，但亦可相對XY平面成傾斜。又，第3上面51之平坦部51A與第3下面52之平坦部52A亦可不是平行。
又，上述各實施形態中，亦可於例如第3下面52之一部分形成有段差。
又，上述各實施形態中，亦可省略第1構件12而於第2構件13設置液體供應口。此時，第2構件13之內周面25係與終端光學元件4之外周面對向。又，上述各實施形態中，雖回收部40(多孔構件30)係連續設置成 環狀，但亦可將複數個回收部40(多孔構件30)於曝光用光EL周圍分離配置。例如將國際公開第2006/106851號公報所揭示之液浸構件6適用於本實施形態之曝光裝置EX。此時，亦只要將第3構件14之下板部14A配置成覆蓋各回收部40(多孔構件30)之一部分即可。
又，上述各實施形態中，「環狀」可包含矩形環狀。此外，「環狀」亦可包含圈形環狀、圓形環狀、多角形環狀等各種形狀。
此外，上述各實施形態中，投影光學系統PL雖係以液體LQ充滿終端光學元件4之射出側(像面側)的光路空間，但亦可採用如國際公開第2004/019128號小冊子所揭示者，終端光學元件4之入射側(物體面側)的光路空間亦以液體LQ充滿之投影光學系統。
又，上述實施形態之液體LQ雖係水，但亦可係水以外之液體。作為液體LQ，能使用對曝光用光EL具透射性且折射率盡可能較高、並對形成投影光學系統PL或基板P表面之感光材(光阻)之膜較穩定者。例如亦可使用氫氟醚(HFE,Hydro Fluoro Ether)、過氟聚醚(PFPE,perfluoro-polyether)、氟布林油(FOMBLIN OIL)、杉木油(cedar oil)等來作為液體LQ。又，亦能使用折射率為1.6~1.8左右者來作為液體LQ。又，與液體LQ接觸之投影光學系統PL之光學元件(終端光學元件4等)例如能以石英(二氧化矽)形成、或以氟化鈣(螢石)、氟化鋇、氟化鍶、氟化鋰、氟化納等氟化化合物之單結晶材料形成。進一步地，終端光學元件4，亦可以折射率較石英或螢石高(例如1.6以上)之材料來形成。作為折射率1.6以上之材料，例如能使用國際公開第2005/059617號小冊子所揭示之藍寶石、二氧化鍺等、或者可使用如國際公開第2005/059618號小冊子所揭示之氯化鉀(折射率約1.75)等。再者，亦可於終端光學元件表面之一部分(至少包含與液體之接觸面)或全部，形成具有親液性及/或溶解防止功能的薄膜。此外，石英雖與液體之親和性高且不需要溶解防止膜，但螢石最好至少要形成溶解防止膜。作為液體 LQ亦可使用各種液體，例如超臨界流體。又，作為折射率較純水(例如1.5以上之液體，亦能使用折射率約1.50之異丙醇、折射率約1.61之甘油(glycerine)之類具有C-H鍵結或O-H鍵結的既定液體、己烷、庚烷、癸烷等既定液體(有機溶劑)、或折射率約1.60之十氫萘(Decalin：Decahydronaphthalene)等。又，亦可係混合上述液體中任意兩種類以上之液體者，亦可係於純水添加(混合)上述液體之至少一種者。或者，液體LQ，亦可係於純水添加(混合)H+、Cs+、K+、Cl-、SO4 2-、PO4 2-等鹼基或酸等者。此外，作為液體，最好係光之吸收係數較小，溫度依存性較少，並對塗布於投影光學系統PL及/或基板表面之感光材(或保護膜(頂層塗布膜)或反射防止膜等)較穩定者。於基板亦可設置從液體保護感光材或基板之頂層塗布膜等。
又，當例如曝光用光EL係F2雷射光時，由於此F2雷射光無法透射過水，因此亦能使用F2雷射光能透射過之液體，例如過氟聚醚(PFPE)、氟系油等氟系流體。此時，可藉由以例如含氟之極性小的分子構造物質形成薄膜，以對與液體LQ接觸之部分進行親液化處理。
又，作為上述各實施形態之基板P，除了半導體元件製造用之半導體晶圓以外，亦能適用於顯示器元件用之玻璃基板、薄膜磁頭用之陶瓷晶圓、在曝光裝置所使用之光罩或標線片的原版(合成石英、矽晶圓)、或膜構件等。基板之形狀並不僅為圓形，亦可係矩形等其他形狀。
曝光裝置EX，除了能適用於使光罩M與基板P同步移動來對光罩M之圖案進行掃描曝光的步進掃瞄方式之掃瞄型曝光裝置(掃瞄步進機)以外，亦能適用於步進重複方式之投影曝光裝置(步進器)，其係在使光罩M與基板P靜止之狀態下，使光罩M之圖案一次曝光，並使基板P依序步進移動。
又，步進重複方式之曝光，亦可在使第1圖案與基板P大致靜止之狀 態下，使用投影光學系統將第1圖案之縮小像轉印至基板P上後，在使第2圖案與基板P大致靜止之狀態下，使用投影光學系統使第2圖案之縮小像與第1圖案部分重疊而一次曝光於基板P上(接合方式之一次曝光裝置)。 又，作為接合方式之曝光裝置，亦能適用於步進接合方式之曝光裝置，其係在基板P上將至少2個圖案部分重疊而轉印，並依序移動基板P。
又，例如亦能將本發明適用於例如日本特表2004-519850號公報(對應美國專利第6,611,316號)所揭示之曝光裝置，其係將兩個光罩圖案透過投影光學系統在基板上合成，藉由一次之掃描曝光來對基板上之一個照射區域大致同時進行雙重曝光。又，亦能將本發明適用於近接方式之曝光裝置、鏡投影對準器等。
又，本發明，例如亦可適用於日本特開平10-163099號公報、日本特開平10-214783號公報、日本特表2000-505958號公報、美國專利第6,341,007號、美國專利第6,400,441號、美國專利第6,549,269號、美國專利第6,590,634號、美國專利第6,208,407號、美國專利第6,262,796號等所揭示之具備複數個基板載台的多載台型曝光裝置。
進而，亦可將本發明適用於例如日本特開平11-135400號公報、日本特開2000-164504號公報(對應美國專利第6,897,963號)等所揭示，具備保持基板之基板載台以及搭載有形成有基準標記之基準構件及/或各種光電感測器之測量載台的曝光裝置。又，亦可適用於具備複數個基板載台與測量載台的曝光裝置。
作為曝光裝置EX之種類，並不限於用以將半導體元件圖案曝光於基板P之半導體元件製造用曝光裝置，而亦能廣泛適用於液晶顯示元件製造用或顯示器製造用之曝光裝置、或用以製造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、微型機器、MEMS、DNA晶片、或標線片或光罩等之曝光裝置等。
此外，上述各實施形態中，雖係使用包含雷射干涉儀1S,2S之干涉移 系統來測量光罩載台1及基板載台2之各位置資訊，但並不限於此，例如亦能使用用以檢測設於各載台1,2之標尺(繞射光柵)的編碼器系統。此時最好係具備干涉儀系統與編碼器系統兩者之拼合系統，使用干涉儀系統之測量結果來進行編碼器系統之測量結果的校正(calibration)。又，亦能切換干涉儀系統與編碼器系統來使用、或使用該兩者來進行基板載台的位置控制。
又，上述各實施形態中，作為用以產生ArF準分子雷射光來作為曝光用光EL的光源裝置，雖亦可使用ArF準分子雷射，但亦可使用例如國際公開第1999/46835號小冊子(對應美國專利7,023,610號)所揭示般，包含DFB半導體雷射或光纖雷射等固態雷射光源、具有光纖放大器等之光放大部、以及波長轉換部之可輸出波長193nm之脈衝光的高諧波產生裝置。再者，上述實施形態中，前述各照明區域與投影區域雖分別為矩形，但亦可係其他形狀例如圓弧狀等。
又，上述各實施形態中，雖使用於具光透射性之基板上形成既定遮光圖案(或相位圖案，減光圖案)的光透射性光罩，但亦可使用例如美國專利第6,778,257號說明書所揭示之可變成形光罩來代替此光罩，該可變成形光罩(亦稱為電子光罩、主動光罩、或影像產生器)係根據欲曝光圖案之電子資料來形成透射圖案、反射圖案、或發光圖案。此種可變成形光罩，係使用例如非發光型影像顯示元件(亦稱為空間光調變器：Spatial Light Modulator(SLM))之一種之DMD(Deformable Micro-mirror Device或Digital Micro-mirror Device)等。此外，使用DMD之曝光裝置，揭示於例如美國專利第6,778,257號公報。又，可變成形光罩，並不限於DMD，亦可使用以下說明之非發光型影像顯示元件來代替DMD。此處之非發光型影像顯示元件，係在空間上調變往既定方向行進之光之振幅(強度)、相位、或偏光狀態的元件，透射型空間光調變器，除了透射型液晶顯示元件(LCD：Liquid Crystal Display)以外，亦可舉出例如電子顯示器(ECD)等。又，反射型空間 光調變器，除了上述DMD以外，亦可舉出例如反射鏡陣列、反射型液晶顯示元件、電泳顯示器(FPD：Electro Phonetic Display)、電子紙(或電子墨水)、光繞射型光閥(Grating Light Valve)等。
又，亦可取代具備非發光型影像顯示元件之可變成形光罩，而具備包含自發光型影像顯示元件之圖案形成裝置。此時則不需要照明系統。此處之自發光型影像顯示元件，可舉出例如CRT(Cathode Ray Tube)、無機EL顯示器、有機EL顯示器(OLED：Organic Light Emitting Diode)、LED顯示器、LD顯示器、電場放出顯示器(FED：Field Emission Display)、電將顯示器(PDP：Plasma Display Panel)等。又，作為圖案形成裝置所具備之自發光型影像顯示元件，可使用具有複數個發光點之固態光源裝置、將晶片排列成複數個陣列狀之固態光源晶片陣列、或將複數個發光點組裝於一片基板之類型者等，以電氣方式控制該固態光源晶片以形成圖案。此外，固態光源元件為無機、有機均可。
又，上述各實施形態中雖係以具備投影光學系統PL之曝光裝置為例來進行說明，但本發明亦可適用於不使用投影光學系統PL之曝光裝置及曝光方法。如此，即使係不使用投影光學系統PL之情形下，曝光用光亦可透過透鏡等之光學構件照射基板，將液浸區域形成於此種光學構件與基板間之既定空間。
又，本發明亦能適用於，例如國際公開第2001/035168號說明書所揭示，藉由將干涉紋形成於基板P上、而在基板P上曝光等間隔線圖案之曝光裝置(微影系統)。
此外，上述各實施形態之要件可是當組合。在法令所允許之範圍內，援用與上述各實施形態及變形例所引用之曝光裝置等相關之所有公報及美國專利等之揭示，來作為本說明書之記載的一部分。
又，上述實施形態的曝光裝置EX，係藉由組裝各種次系統(包含各構 成要素)，以能保持既定之機械精度、電氣精度、光學精度之方式所製造。為確保此等各種精度，於組裝前後，係進行對各種光學系統進行用以達成光學精度之調整、對各種機械系統進行用以達成機械精度之調整、對各種電氣系統進行用以達成電氣精度之調整。從各種次系統至曝光裝置之組裝製程，係包含機械連接、電路之配線連接、氣壓迴路之配管連接等。當然，從各種次系統至曝光裝置之組裝製程前，係有各次系統個別之組裝製程。當各種次系統至曝光裝置之組裝製程結束後，即進行綜合調整，以確保曝光裝置全體之各種精度。此外，曝光裝置之製造最好是在溫度及清潔度等皆受到管理之潔淨室進行。
半導體元件之微型元件，如圖10所示，係經由下述步驟所製造，即：進行微型元件之功能、性能設計的步驟201、根據此設計步驟製作光罩(標線片)之步驟202、製造構成元件基材之基板的步驟203、藉由前述實施形態使用光罩圖案以曝光用光EL使基板曝光之步驟及使已曝光之基板顯影的基板處理(曝光處理)步驟204、元件組裝步驟(包含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205、檢查步驟206等。
4‧‧‧終端光學元件
5‧‧‧射出面
6‧‧‧液浸構件
7‧‧‧下面
12‧‧‧第1構件
12A,13A,14A‧‧‧下板部
12B,13B,14B‧‧‧側板部
12C,13C‧‧‧上板部
13‧‧‧第2構件
14‧‧‧第3構件
16‧‧‧入射面
17,19,26‧‧‧外周面
18,25,50‧‧‧內周面
20‧‧‧第1上面
21‧‧‧第1下面
24‧‧‧開口
27‧‧‧下面
28‧‧‧上面
29‧‧‧第2下面
30‧‧‧多孔構件
33‧‧‧第3開口部
34‧‧‧第4開口部
37‧‧‧供應口
38,38B,41,41B‧‧‧流路
38A‧‧‧供應流路
40‧‧‧回收部
41A‧‧‧吸引流路
51‧‧‧第3上面
52‧‧‧第3下面
53‧‧‧第1開口部
54‧‧‧第2開口部
55‧‧‧尖端部
EL‧‧‧曝光用光
EX‧‧‧曝光裝置
G1,G3,G4,G5,G7,G9‧‧‧空隙
G2‧‧‧第2間隙
G8‧‧‧第1間隙
K‧‧‧光路空間
LG‧‧‧界面
LQ‧‧‧液體
LS‧‧‧液浸空間
P‧‧‧基板
PL‧‧‧投影光學系統

Claims (21)

  1. 一種液浸構件，係用在以曝光用光使基板曝光之液浸曝光裝置，其具備：第1面，配置成前述基板之表面對向；與前述第1面為相反側之第2面；液體供應口；液體回收部，隔著第1間隙與前述第2面之一部分對向；第1開口部，連接於前述第1間隙；以及第2開口部，配置於不與前述基板對向之位置，與前述第1開口部不同；前述第1間隙透過前述第2開口部連接於周圍之空間；前述液體回收部設成回收從前述液體供應口供應之液體；前述第2面與前述液體回收部能相對移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述液體回收部包含多孔構件；透過前述多孔構件回收接觸於前述多孔構件之液體的至少一部分。
  3. 如申請專利範圍第2項之液浸構件，其中，前述多孔構件抑制氣體之通過。
  4. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述液體回收部能從前述第1間隙回收液體。
  5. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述基板上之液體能透過前述第1開口部流入前述第1間隙。
  6. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述第1開口部設於具有前述第1面與前述第2面之構件與具有前述液體回收部之構件之間。
  7. 如申請專利範圍第6項之液浸構件，其中，具有前述液體回收部之構件，具有能與前述基板之表面對向、能在與前述基板之表面之間保持液體的液體接觸面。
  8. 如申請專利範圍第7項之液浸構件，其中，前述液體接觸面配置於較前述第1面高之位置。
  9. 如申請專利範圍第7項之液浸構件，其中，前述第1面係與前述液體接觸面實質平行。
  10. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述第1開口部設成環狀；前述第1間隙係沿著前述第1開口部形成為環狀。
  11. 如申請專利範圍第10項之液浸構件，其中，前述液體回收部係沿著前述第1間隙形成為環狀。
  12. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述第2面包含相對前述第1面傾斜之傾斜部。
  13. 如申請專利範圍第12項之液浸構件，其中，前述第2面包含前述傾斜部與和前述第1面實質平行之平坦部。
  14. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述第2面對前述液體為親液性。
  15. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其中，前述第1面對前述液體為撥液性。
  16. 如申請專利範圍第1項之液浸構件，其進一步具備：供前述曝光用光通過之開口；前述液體回收部係回收從前述液體供應口供應且通過前述開口之液體。
  17. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之液浸構件，其中，前述第2 開口部配置於較前述第1開口部高之位置。
  18. 如申請專利範圍第1至16項中任一項之液浸構件，其中，前述第2開口部設成氣體能流通。
  19. 一種液浸曝光裝置，係使基板曝光，其具備：光學構件，具有射出曝光用光之射出面；以及申請專利範圍第1至18項中任一項之液浸構件，係於前述光學構件之射出面側形成液浸空間；透過前述液浸空間之液體從前述光學構件對前述基板照射曝光用光。
  20. 一種元件製造方法，其包含：使用申請專利範圍第19項之液浸曝光裝置使基板曝光的動作；以及使該曝光後之基板顯影的動作。
  21. 一種液浸曝光方法，係以從光學構件之射出面射出之曝光用光使基板曝光，其包含：使用申請專利範圍第1至18項中任一項之液浸構件，以液體充滿前述光學構件之射出面與前述基板之表面間之前述曝光用光之光路的動作；以及透過前述光學構件之射出面與前述基板之表面間之前述液體以前述曝光用光使前述基板曝光的動作。
TW103112794A 2007-03-23 2008-03-21 A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method TWI569105B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US90718607P 2007-03-23 2007-03-23
US12/076,331 US8134685B2 (en) 2007-03-23 2008-03-17 Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201430506A TW201430506A (zh) 2014-08-01
TWI569105B true TWI569105B (zh) 2017-02-01

Family

ID=39421374

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103112794A TWI569105B (zh) 2007-03-23 2008-03-21 A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method
TW97109972A TWI443470B (zh) 2007-03-23 2008-03-21 A liquid immersion member, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and an element manufacturing method

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW97109972A TWI443470B (zh) 2007-03-23 2008-03-21 A liquid immersion member, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and an element manufacturing method

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8134685B2 (zh)
JP (3) JP5245477B2 (zh)
KR (3) KR101653953B1 (zh)
TW (2) TWI569105B (zh)
WO (1) WO2008117808A1 (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2023378B1 (en) * 2006-05-10 2013-03-13 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
JP4884180B2 (ja) * 2006-11-21 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US20080231823A1 (en) * 2007-03-23 2008-09-25 Nikon Corporation Apparatus and methods for reducing the escape of immersion liquid from immersion lithography apparatus
US8610873B2 (en) * 2008-03-17 2013-12-17 Nikon Corporation Immersion lithography apparatus and method having movable liquid diverter between immersion liquid confinement member and substrate
US8289497B2 (en) * 2008-03-18 2012-10-16 Nikon Corporation Apparatus and methods for recovering fluid in immersion lithography
US8233139B2 (en) * 2008-03-27 2012-07-31 Nikon Corporation Immersion system, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8896806B2 (en) * 2008-12-29 2014-11-25 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20100196832A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, liquid immersion member and device fabricating method
JP2010205914A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Nikon Corp 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US8953143B2 (en) * 2009-04-24 2015-02-10 Nikon Corporation Liquid immersion member
US20100323303A1 (en) * 2009-05-15 2010-12-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
NL2005655A (en) * 2009-12-09 2011-06-14 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
CN102714141B (zh) * 2010-01-08 2016-03-23 株式会社尼康 液浸构件、曝光装置、曝光方法及元件制造方法
NL2006054A (en) 2010-02-09 2011-08-10 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2006615A (en) 2010-05-11 2011-11-14 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9256137B2 (en) * 2011-08-25 2016-02-09 Nikon Corporation Exposure apparatus, liquid holding method, and device manufacturing method
NL2009692A (en) 2011-12-07 2013-06-10 Asml Netherlands Bv A lithographic apparatus and a device manufacturing method.
US9268231B2 (en) 2012-04-10 2016-02-23 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9323160B2 (en) 2012-04-10 2016-04-26 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposure method, device fabricating method, program, and recording medium
US9823580B2 (en) 2012-07-20 2017-11-21 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium
US9568828B2 (en) 2012-10-12 2017-02-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9494870B2 (en) 2012-10-12 2016-11-15 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium
US9720331B2 (en) 2012-12-27 2017-08-01 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
US9651873B2 (en) 2012-12-27 2017-05-16 Nikon Corporation Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium
JP6369472B2 (ja) 2013-10-08 2018-08-08 株式会社ニコン 液浸部材、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
US10324384B2 (en) 2014-07-01 2019-06-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and a method of manufacturing a lithographic apparatus
JP7080070B2 (ja) * 2017-03-24 2022-06-03 Hoya株式会社 フォトマスク、及び表示装置の製造方法
WO2019115197A1 (en) 2017-12-15 2019-06-20 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus, and method of using a fluid handling structure
JP6575629B2 (ja) * 2018-04-04 2019-09-18 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
CN112650030B (zh) * 2020-12-25 2023-06-13 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸没流场初始建立方法
CN112684665B (zh) * 2020-12-25 2024-06-25 浙江启尔机电技术有限公司 一种浸液供给回收装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200615703A (en) * 2004-08-19 2006-05-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070110213A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL130137A (en) * 1996-11-28 2003-07-06 Nikon Corp Exposure apparatus and an exposure method
JP4029183B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 投影露光装置及び投影露光方法
JP4029182B2 (ja) 1996-11-28 2008-01-09 株式会社ニコン 露光方法
DE69735016T2 (de) * 1996-12-24 2006-08-17 Asml Netherlands B.V. Lithographisches Gerät mit zwei Objekthaltern
JP3626504B2 (ja) * 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ ２個の物品ホルダを有する位置決め装置
JP4210871B2 (ja) 1997-10-31 2009-01-21 株式会社ニコン 露光装置
JP4264676B2 (ja) 1998-11-30 2009-05-20 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法
US6897963B1 (en) * 1997-12-18 2005-05-24 Nikon Corporation Stage device and exposure apparatus
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
EP1063742A4 (en) 1998-03-11 2005-04-20 Nikon Corp ULTRAVIOLET LASER DEVICE AND EXPOSURE APPARATUS COMPRISING SUCH A ULTRAVIOLET LASER DEVICE
WO1999049504A1 (fr) 1998-03-26 1999-09-30 Nikon Corporation Procede et systeme d'exposition par projection
WO2001035168A1 (en) 1999-11-10 2001-05-17 Massachusetts Institute Of Technology Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams
US6611316B2 (en) * 2001-02-27 2003-08-26 Asml Holding N.V. Method and system for dual reticle image exposure
TW529172B (en) * 2001-07-24 2003-04-21 Asml Netherlands Bv Imaging apparatus
CN100462844C (zh) 2002-08-23 2009-02-18 株式会社尼康 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法
EP1420299B1 (en) 2002-11-12 2011-01-05 ASML Netherlands B.V. Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20140139139A (ko) * 2003-04-10 2014-12-04 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
KR101523180B1 (ko) 2003-09-03 2015-05-26 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
EP1679738A4 (en) * 2003-10-28 2008-08-06 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
WO2005059645A2 (en) 2003-12-19 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Microlithography projection objective with crystal elements
JP4954444B2 (ja) 2003-12-26 2012-06-13 株式会社ニコン 流路形成部材、露光装置及びデバイス製造方法
EP1768169B9 (en) 2004-06-04 2013-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device producing method
JP4543767B2 (ja) * 2004-06-10 2010-09-15 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4515335B2 (ja) * 2004-06-10 2010-07-28 株式会社ニコン 露光装置、ノズル部材、及びデバイス製造方法
EP2624282B1 (en) 2004-06-10 2017-02-08 Nikon Corporation Immersion exposure apparatus and method, and methods for producing a device
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
WO2006030908A1 (ja) 2004-09-17 2006-03-23 Nikon Corporation 基板保持装置、露光装置、及びデバイス製造方法
JP2006237291A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Canon Inc 露光装置
JP2006270057A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Canon Inc 露光装置
WO2006106851A1 (ja) 2005-03-31 2006-10-12 Nikon Corporation 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
US20070132976A1 (en) * 2005-03-31 2007-06-14 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4706422B2 (ja) * 2005-09-30 2011-06-22 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4567651B2 (ja) * 2005-11-16 2010-10-20 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 露光装置及びデバイス製造方法
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7656501B2 (en) * 2005-11-16 2010-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US8330936B2 (en) 2006-09-20 2012-12-11 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8004651B2 (en) * 2007-01-23 2011-08-23 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
US8134685B2 (en) 2007-03-23 2012-03-13 Nikon Corporation Liquid recovery system, immersion exposure apparatus, immersion exposing method, and device fabricating method
JP2009088037A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Nikon Corp 露光方法及びデバイス製造方法、並びに露光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200615703A (en) * 2004-08-19 2006-05-16 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20070110213A1 (en) * 2005-11-16 2007-05-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008117808A1 (en) 2008-10-02
JP2008244477A (ja) 2008-10-09
JP2012248901A (ja) 2012-12-13
KR101653953B1 (ko) 2016-09-05
US8134685B2 (en) 2012-03-13
TW201430506A (zh) 2014-08-01
KR101563011B1 (ko) 2015-10-23
TW200907587A (en) 2009-02-16
US20080233512A1 (en) 2008-09-25
JP2012134555A (ja) 2012-07-12
JP5700010B2 (ja) 2015-04-15
JP5590062B2 (ja) 2014-09-17
KR20150048908A (ko) 2015-05-07
KR101559689B1 (ko) 2015-10-13
TWI443470B (zh) 2014-07-01
US20120133912A1 (en) 2012-05-31
JP5245477B2 (ja) 2013-07-24
US9013675B2 (en) 2015-04-21
KR20140084335A (ko) 2014-07-04
KR20100015749A (ko) 2010-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI569105B (zh) A liquid recovery system, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and a device manufacturing method
TWI567506B (zh) A liquid immersion member, a liquid immersion exposure apparatus, a liquid immersion exposure method, and an element manufacturing method
JP2008288589A (ja) 露光装置、液浸システム、露光方法、及びデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees