TW201640146A - 使用多相樹脂的量子點薄膜 - Google Patents

使用多相樹脂的量子點薄膜 Download PDF

Info

Publication number
TW201640146A
TW201640146A TW105126131A TW105126131A TW201640146A TW 201640146 A TW201640146 A TW 201640146A TW 105126131 A TW105126131 A TW 105126131A TW 105126131 A TW105126131 A TW 105126131A TW 201640146 A TW201640146 A TW 201640146A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
poly
acrylate
meth
polymer
film
Prior art date
Application number
TW105126131A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI606252B (zh
Inventor
康 都安 沃
依瑪德 納撒尼
阿米卡 皮雷 納瑞伊能
Original Assignee
納諾柯技術有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=51390133&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=TW201640146(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 納諾柯技術有限公司 filed Critical 納諾柯技術有限公司
Publication of TW201640146A publication Critical patent/TW201640146A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI606252B publication Critical patent/TWI606252B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/24—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer not being coherent before laminating, e.g. made up from granular material sprinkled onto a substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/24—Crosslinking, e.g. vulcanising, of macromolecules
    • C08J3/241—Preventing premature crosslinking by physical separation of components, e.g. encapsulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/20—Manufacture of shaped structures of ion-exchange resins
    • C08J5/22—Films, membranes or diaphragms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00—Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08—Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/701—Chalcogenides
    • C09K11/703—Chalcogenides with zinc or cadmium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B32B37/24—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers with at least one layer not being coherent before laminating, e.g. made up from granular material sprinkled onto a substrate
    • B32B2037/243—Coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/418—Refractive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)

Abstract

本文中闡述含有量子點(QD)之多相聚合物薄膜。該等薄膜具有主要為疏水性聚合物之域及主要為親水性聚合物之域。在疏水性矩陣內通常係較穩定之QD主要分散於該等薄膜之該等疏水性域內。該等親水性域在排除氧方面往往係有效的。

Description

使用多相樹脂的量子點薄膜
本發明係關於包括發光半導體量子點(QD)之材料，且更具體而言，係關於併入有QD之多相聚合物薄膜。
發光二極體(LED)對現代生活正變得愈加重要且可設想其將成為呈諸多照明形式(諸如汽車燈、交通信號、一般照明、液晶顯示器(LCD)背光及顯示器螢幕)之主要應用中之一者。當前，LED裝置通常由無機固態半導體材料製成。用以製造LED之材料判定由LED產生之光之色彩。每一材料發射具有特定波長光譜之光，亦即，具有特定色彩混合之光。常見材料包含AlGaAs(紅色)、AlGaInP(橙色-黃色-綠色)，及AlGaInN(綠色-藍色)。
諸多應用需要產生白色光(其係基色(例如，紅色、綠色及藍色)之混合物)或產生不可使用通常LED半導體材料獲得之光之LED。用以產生所需色彩(諸如白色)之色彩混合之當前最通常方法係使用放置於固態LED之頂部上之磷光材料之組合，藉此磷光材料吸收來自LED之光(「一次光」)且然後以不同頻率將其重新發射(「二次光」)。磷光材料「降頻轉換」一次光之一部分。
當前在降頻轉換應用中所使用之磷光材料通常吸收UV或藍色光且將其轉換為具有較長波長之光，諸如紅色光或綠色光。可使用具有與發射紅色光及綠色光之次級磷光體組合之藍色一次光源(諸如發射 藍色LED)之照明裝置來產生白色光。
最常見磷光體材料係固態半導體材料，諸如三價稀土經摻雜氧化物或鹵磷酸鹽。白色發射可藉由將發藍色光LED與綠色磷光體(諸如，SrGa2S4：Eu2 2+)及紅色磷光體(諸如，SrSi5Ni8：Eu2 2+)或發UV光LED加黃色磷光體(諸如，Sr2P2O7：Eu2+；Mu2+)及藍色至綠色磷光體摻合而獲得。白色LED亦可藉由組合藍色LED與黃色磷光體而製造。
數個問題與固態降頻轉換磷光體相關聯。色彩控制及演色性可係不良的(亦即，演色性指數(CRI)<75)，從而導致在諸多情形下令人不悅之光。此外，難以調整所發射光之色相；此乃因由任何特定磷光體發射之特性色彩係製成該磷光體之材料之功能。若適合材料不存在，則特定色相可幾乎係不可獲得的。因此此項技術中需要比當前可獲得的具有更大靈活性及更佳演色性之降頻轉換磷光體。
本文中闡述含有QD之薄膜。該等薄膜可用作用於LED照明裝置之組件，特定而言，用作用於降頻轉換自固態LED半導體材料發射之光之磷光體薄膜。
該等薄膜由兩個或兩個以上聚合物材料(舉例而言，兩個或兩個以上聚合物樹脂)形成。該等薄膜至少部分地相分離，以使得在薄膜內之某些域主要係該等聚合物材料中之一者且在該薄膜內之其他域主要係該聚合物材料。該等聚合物材料中之一者經選擇以與該等QD高度相容。該等聚合物材料中之另一者在排除氧方面係高度有效的。因此，多域薄膜包含分散於QD相容聚合物中之QD之富QD域，彼等域由氧排除聚合物之QD缺乏域環繞。因此，該等QD懸浮於其與之高度相容之媒介中且由氧排除域保護以免接觸氧。
本文中亦闡述製造此等薄膜之方法。根據某些實施例，將QD懸浮於第一聚合物樹脂(亦即，QD相容樹脂)之溶液中。然後，將該QD 懸浮液添加至第二聚合物樹脂(該氧排除樹脂)之溶液，從而產生乳劑。薄膜由該乳劑形成，其然後可經固化以形成固體薄膜。
100‧‧‧先前技術實施例
101‧‧‧含有量子點之薄膜/薄膜
102‧‧‧透明基板
103‧‧‧一次光
104‧‧‧一次光源
105‧‧‧二次光
200‧‧‧面板
201‧‧‧聚合物薄膜/聚合物
202‧‧‧氣體障壁薄片
203‧‧‧氣體障壁薄片
204‧‧‧邊緣
300‧‧‧薄膜
301‧‧‧量子點
302‧‧‧第一聚合物相
303‧‧‧第二聚合物相
501‧‧‧正方形資料點
502‧‧‧菱形資料點
503‧‧‧三角形資料點
601‧‧‧發光二極體強度
602‧‧‧效率
603‧‧‧光致發光強度
604‧‧‧量子點/發光二極體比率
605‧‧‧%EQE
606‧‧‧T70
當結合附圖閱讀時，將更好地理解前述發明內容以及下文實施方式。僅出於說明目的，在圖式中展示特定實施例。然而，應理解本文中所揭示之發明概念不限於圖式中所展示之精確配置及工具。
圖1係含有QD以降頻轉換由LED發射之光之薄膜之先前技術使用之示意性圖解說明。
圖2係夾在透明薄片之間的含有QD之聚合物之示意性圖解說明。
圖3係具有QD相容相及氧排除相之兩相薄膜之示意性圖解說明。
圖4係圖解說明製造兩相薄膜之步驟之流程圖。
圖5係在各種薄膜中之QD量子良率之標繪圖。
圖6圖解說明兩相LMA/環氧樹脂薄膜之穩定性研究。
對利用具有大約2nm至50nm之尺寸之化合物半導體粒子(通常稱作量子點(QD)或奈米晶體)之性質已引起了相當大的興趣。此等材料由於在諸多商業應用中可利用其大小可調諧電子性質而引起商業上之興趣。
已被研究最多的半導體材料係硫屬化物II-VI材料，亦即，ZnS、ZnSe、CdS、CdSe、CdTe；尤其CdSe，此乃因其在光譜之可見區域上之可調諧性。用於大規模生產此等材料之可再現方法已依據「底部向上」技術開發，藉此使用「濕式」化學程序來逐個原子地(亦即，自分子至叢集至粒子)製備粒子。
兩個基本因素(兩者皆與個別半導體奈米粒子之大小有關)決定其獨特性質。第一個因素係表面對體積之大比率。隨著粒子變得較小，表面原子對內部原子之數目比率增加。此導致表面性質在材料之總體 性質中起重要作用。第二個因素係在材料之大小極小時，材料之電子性質之變化。在極其小之大小處，量子限制導致材料之能帶隙隨粒子之大小減小而逐步增加。此效應係「盒中電子」之限制之結果，其引起類似於在原子及分子中所觀察到之離散能階之離散能階，而非如在對應塊體半導體材料中所觀察到之連續能帶。因此，由吸收電磁輻射產生之「電子及電洞」與其在對應粗晶材料中之情形相比更加靠近在一起。此導致取決於奈米粒子材料之粒子大小及組合物之窄頻寬發射。因此，QD具有比對應粗晶材料更高之動能且因此第一激子躍遷(能帶隙)之能量隨粒子直徑減小而增加。
單個半導體材料之QD奈米粒子往往具有相對低量子效率，此乃因在位於奈米粒子表面上之缺陷及懸鍵處發生電子-電洞重新組合，此可導致非輻射電子-電洞重新組合。一種消除QD之無機表面上之此等缺陷及懸鍵之方法係在核心粒子之表面上磊晶生長具有較寬能帶隙以及與核心材料之晶格失配之小晶格之第二無機材料，從而產生「核心-殼」粒子。「核心-殼」粒子將在核心中受到限制之任何載子與否則將用作非輻射重新組合中心之表面態分離。一項實例係QD具有生長於CdSe核心之表面上之ZnS殼。
初步的基於QD之發光裝置已藉由將膠態產生之QD嵌入於光學透明LED封裝媒介(通常係聚矽氧或丙烯酸酯)中且然後將其放置於固態LED之頂部上而製造。QD之使用可能具有勝過較習用磷光體之使用之某些顯著優點，諸如用以調諧發射波長之能力、強吸收性質、經改良演色性及低散射。
對於下一代發光裝置中之QD之商業應用，QD較佳地併入至LED封裝材料中同時保持儘可能的完全單分散且不具有量子效率之顯著損耗。迄今所開發之方法係有問題的，此尤其由於當前LED封裝物之性質。QD可在調配至當前LED封裝物中時聚結，藉此降低QD之光學效 能。此外，一旦QD併入至LED封裝物中，氧即可穿過封裝物而遷移至QD之表面，此可導致光氧化且因此，量子良率(QY)降低。
一種解決氧遷移至QD之問題之方式曾係將QD併入至具有低透氧性之媒介中以形成含有分散於珠粒內之QD之此材料之「珠粒」。然後，含有QD之珠粒可分散於LED封裝物內。此等系統之實例在於2010年9月23日提出申請之第12/888,982號美國專利申請案(公開案號：2011/0068322)及2009年11月19日提出申請之第12/622,012號美國專利申請案(公開案號：2010/0123155)中闡述，該等專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。
本文中闡述含有QD之薄膜。圖1圖解說明先前技術實施例100，其中含有QD之薄膜101安置於透明基板102上。此薄膜(舉例而言)對於藉由吸收一次光103及發射二次光105而降頻轉換來自一次光源104之一次光103可係有用的。一次光之一部分106亦可透射穿過薄膜及基板，以使得自薄膜及基板發出之總計光係一次光與二次光之混合物。
含有QD之薄膜(諸如圖1中之薄膜101)可藉由通常使用此項技術中已知之製備聚合物薄膜之任何方法將QD分散於聚合物樹脂材料中且形成該材料之薄膜而形成。已發現，與較親水性樹脂(諸如環氧樹脂)相比，QD與疏水性樹脂(諸如丙烯酸酯)通常更相容。因此，由分散於丙烯酸酯中之QD製成之聚合物薄膜往往具有比使用親水性樹脂(諸如環氧樹脂)之QD薄膜高之初始量子良率(QY)。然而，丙烯酸酯往往可透氧的，而環氧樹脂聚合物及相似親水性聚合物在排除氧方面往往係較佳的。
用於達成與含有QD之疏水性薄膜相關聯之高QY同時亦維持QY隨時間之穩定性之一個替代選擇係藉由將薄膜夾在氣體障壁薄片之間而使薄膜與氧隔離，如在圖2中所圖解說明。圖2圖解說明具有含於氣體障壁薄片202與氣體障壁薄片203之間的聚合物薄膜201之面板200。 聚合物薄膜201含有遍及地分散之QD。氣體障壁薄片202及203用以防止氧接觸經分散QD。然而，甚至在如在圖2中所圖解說明之實施例中，氧可滲透至邊緣204處之薄膜中，從而導致薄膜之QY之退化。
針對此問題之一個解決方案係用氧障壁密封邊緣204。然而，如此一來增加生產面板200之成本。另一選項係使用較低透氧性之聚合物201。但如上文所闡釋，QD與此等聚合物樹脂通常較低相容，且因此使用此等聚合物之裝置之光學性質較不理想。
本文中闡述使用與QD材料相容之至少第一相(相1)樹脂及在拒斥02方面係高效之至少第二相(相2)樹脂之多相薄膜。圖3圖解說明此薄膜300之平面視圖，其中QD 301分散於第一聚合物相302中，該第一聚合物相通常係疏水性材料，諸如丙烯酸酯樹脂。第一聚合物相之區域遍及第二聚合物相303而分散，該第二聚合物相通常係不透氧材料，諸如環氧樹脂。
本文中所闡述之多相薄膜克服上文所闡述之諸多問題。相1樹脂與QD相容且因此允許高初始QY。相2樹脂不透氧，且因此在不需要密封面板之邊緣之情況下保護QD不受氧化。如本文中所使用，術語「薄膜」不僅包含二維(亦即，平坦的)薄片，如在圖1至圖3中所圖解說明，且亦可包含三維形狀。
圖4係圖解說明製備如本文中所闡述之多相薄膜之方法之步驟的流程圖。QD分散於相1樹脂(或樹脂單體)401之溶液中。如上文所闡述，相1樹脂通常係疏水性樹脂，諸如丙烯酸酯樹脂。適合相1樹脂之實例包含：聚((甲基)丙烯酸甲酯)、聚((甲基)丙烯酸乙酯)、聚((甲基)丙烯酸正丙酯)、聚((甲基)丙烯酸丁酯)、聚((甲基)丙烯酸正戊酯)、聚((甲基)丙烯酸正己酯)、聚((甲基)丙烯酸環己酯)、聚((甲基)丙烯酸2-乙基己酯)、聚((甲基)丙烯酸辛酯)、聚((甲基)丙烯酸異辛酯)、聚((甲基)丙烯酸正癸酯)、聚((甲基)丙烯酸異癸酯)、聚((甲基)丙烯酸月 桂基酯)、聚((甲基)丙烯酸十六烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸十八烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸異莰酯)、聚(異丁烯)、聚苯乙烯、聚(二乙烯基苯)、聚乙酸乙烯酯、聚異戊二烯、聚碳酸酯、聚丙烯腈、基於疏水性纖維素之聚合物(如乙基纖維素)、聚矽氧樹脂、聚(二甲基矽氧烷)、聚(乙烯醚)、聚酯或任何疏水性主體材料，諸如蠟、石蠟、植物油、脂肪酸及脂肪酸酯。
一般而言，相1樹脂可係與QD相容之任何樹脂。相1樹脂可或不可經交聯或者可係或不可係可交聯的。相1樹脂可係可固化樹脂，舉例而言，可使用UV光固化。除QD及相1樹脂(或樹脂單體)外，401之溶液亦可進一步包含以下各項中之一或多者：光起始劑、交聯劑、聚合觸媒、折射率改質劑(諸如ZnS奈米粒子之無機折射率改質劑或諸如高折射率單體或聚(硫化丙烯)之有機折射率改質劑)、填充劑(諸如焰製二氧化矽(fumed silica))、散射劑(諸如硫酸鋇)、黏度改質劑、表面活性劑或乳化劑或者諸如此類。
然後，QD-相1樹脂分散液可與相2樹脂(或樹脂單體)之溶液混合402。如上文所闡釋，相2樹脂係比相1樹脂更佳之氧障壁。相2樹脂通常係親水性樹脂。相2樹脂可或不可係可交聯的。相2樹脂可係可固化樹脂，舉例而言，可使用UV光固化。相2樹脂之實例包含基於環氧樹脂之樹脂、基於聚胺基甲酸酯之樹脂、親水性(甲基)丙烯酸酯聚合物、聚乙烯醇、聚(乙烯-共-乙烯醇)、聚二氯乙烯、聚矽氧、聚醯亞胺、聚酯、聚乙烯、聚醯胺、酚醛樹脂、氰基丙烯酸酯、明膠、水玻璃(矽酸鈉)、PVP(Kollidon)。相2樹脂之溶液亦可包含光起始劑、交聯劑、聚合觸媒、表面活性劑或乳化劑或者諸如此類中之一或多者。
根據某些實施例，相1-相2混合物形成乳劑403，其通常係相1樹脂懸浮於相2樹脂中之乳劑。可藉由調整相1及相2樹脂之相對濃度、混合物之攪拌速率、樹脂之相對疏水性及諸如此類來調整乳劑組合 物。可使用一或多個乳化劑、表面活性劑，或用於支援穩定乳劑之其他化合物。
根據特定實施例，諸如在圖2中所圖解說明之實施例，樹脂混合物層壓於氣體障壁薄膜之間404。氣體障壁薄膜之實例包含FTB3-50(自美國明尼蘇達州聖保羅市3M公司獲得)及GX50W或GX25W(自日本凸版印刷有限公司(Toppan Printing Co.，LT)獲得)。在固化405後，經層壓樹脂薄膜旋即產生具有遍及相2聚合物分散之含有QD之相1聚合物區域之聚合物薄膜，如在圖3中所圖解說明。
實例
實例1A：如在於2011年9月23日提出申請之第13/624,632號美國專利申請案中所闡述來製備綠色InP/ZnS QD(120光學密度(OD))，該專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。將QD添加至經除氣小瓶，蒸發甲苯，且將所得固態QD重新分散於含有IRG819/IRG651(Igracure®)光起始劑(9/18mg)之經除氣甲基丙烯酸月桂基酯(LMA，2.64mL)中。添加三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(TMPTM)交聯劑(0.32mL)。在氮下進一步攪拌混合物達30min，從而獲得相1樹脂。將相1樹脂中之QD薄膜層壓於3M氣體障壁層之間由19mm×14mm×0.051mm塑膠間隔物限制之區上。用汞燈固化薄膜達1min。相1樹脂中之QD之QY之穩定性測試由在圖5中所圖解說明之標繪圖中之正方形資料點表示。
實例1B：藉由混合148微升之相1樹脂與0.5mL經除氣環氧樹脂(Epotek，OG142)來製備兩相樹脂且在氮下以100rpm機械地攪拌混合物達3min。然後將60微升之兩相樹脂層壓於3M氣體障壁層之間由19mm×14mm×0.051mm塑膠間隔物限制之區上。用汞燈固化薄膜達1min。包括丙烯酸酯(相1)及環氧樹脂(Epotek OG142，相2)之兩相樹脂中之QD之QY之穩定性測試由在圖5中所圖解說明之標繪圖中之菱形 資料點表示。
實例2：如在於2011年9月23日提出申請之第13/624,632號美國專利申請案中所闡述來製備綠色InP/ZnS QD(120光學密度(OD))。將QD添加至經除氣小瓶且將其分散於含有IRG819/IRG651光起始劑(9/18mg)之經除氣甲基丙烯酸月桂基酯(LMA，2.64mL)中。添加TMPTM交聯劑(0.32mL)。在氮下進一步攪拌混合物達30min，從而獲得相1樹脂。藉由混合148微升之相1樹脂與0.5mL經除氣聚胺基甲酸酯丙烯酸酯(Dymax OP4-4-26032)來製備兩相樹脂且在氮下以100rpm機械地攪拌混合物達3min。然後將60微升之兩相樹脂層壓於3M氣體障壁層之間由19mm×14mm×0.051mm塑膠間隔物限制之區上。用汞燈固化薄膜達1至5min。包括丙烯酸酯(相1)及聚胺基甲酸酯丙烯酸酯(Dymax OP-4-26032，相2)之兩相樹脂中之QD之QY之穩定性測試由在圖5中所圖解說明之標繪圖中之三角形資料點表示。
實例3：如在於2011年9月23日提出申請之第13/624,632號美國專利申請案中所闡述來製備綠色InP/ZnS QD(120光學密度(OD))。藉由在氮下整夜攪拌而將QD重新分散於經除氣甲基丙烯酸月桂基酯(LMA，1.2mL)中。將IRG819光起始劑(3mg)溶解於0.6mL之LMA中QD分散液中。然後添加TMPTM交聯劑(0.073mL)。在氮下進一步攪拌混合物達30min，從而獲得具有89.2OD/mL QD濃度之之相1樹脂。藉由混合67微升之相1樹脂與0.43mL經除氣環氧樹脂(Epotek，OG142)來獲得兩相樹脂，在此後旋即在氮下以100rpm機械地攪拌混合物達3min。然後將60微升之兩相樹脂層壓於3M氣體障壁層之間由19mm×14mm×0.051mm塑膠間隔物限制之區上。用汞燈固化薄膜達1min。
實例4：如在於2011年9月23日提出申請之第13/624,632號美國專利申請案中所闡述來製備綠色InP/ZnS QD(120光學密度(OD))。藉由 在氮下整夜攪拌而將QD分散於含有IRG819/IRG651光起始劑(9/18mg)之經除氣甲基丙烯酸月桂基酯(LMA，2.64mL)中。添加TMPTM交聯劑(0.32mL)。在氮下進一步攪拌混合物達30min，從而獲得相1樹脂。藉由將10.1mg IRG819溶解於經脫氧甲基丙烯酸縮水甘油酯(GMA，1mL)中來製備不可交聯之非黏性丙烯酸酯相2樹脂。藉由將聚偏二氯乙烯(PVDC，Saran F310，1.5g)溶解於經脫氧GMA/IRG819/IRG651(8.5mL/57.5mg/115.3mg)溶液中來製備不可交聯之黏性丙烯酸酯相2樹脂。藉由混合148微升之相1樹脂與0.5mL經除氣相2樹脂來獲得兩相樹脂且在氮下以100rpm機械地攪拌混合物達3min。然後將60微升之兩相樹脂添加至19mm×14mm玻璃板之井或層壓於3M氣體障壁層之間由19mm×14mm×0.051mm塑膠間隔物限制之區上。最終用汞燈固化薄膜達5min。
樹脂薄膜之穩定性
圖5係圖解說明在曝光至藍色背光單元(BLU)達時間量(在x軸上以天表示之時間)時之QD之樹脂薄膜之量子良率的標繪圖。在單相LMA樹脂中之綠色QD之QY(如上文在實例1a中所製備)由正方形資料點501表示。單相樹脂薄膜具有約60%之初始QY，但QY在曝光之第一周中便實質上降低。
菱形資料點502表示如上文在實例1b中所闡述地製備之含有QD之LMA/環氧樹脂兩相薄膜之QY。LMA/環氧樹脂兩相薄膜之初始QY亦係約60%，但不同於單相薄膜之初始QY，兩相薄膜之QY在實驗之時間週期中保持恆定。QY之穩定性指示兩相薄膜有效地防止QD氧化。
三角形資料點503表示呈LMA/聚胺基甲酸酯丙烯酸酯中之QD兩相薄膜之QY，如上文在實例2中所製備。LMA/聚胺基甲酸酯丙烯酸酯薄膜之初始QY係約45%且保持穩定達超過三個月。圖6圖解說明在實例1b中所製備之兩相LMA/環氧樹脂薄膜之穩定性研究。LED強度 601、效率602、光致發光強度603、QD/LED比率604及%EQE605保持穩定且高於T70 606達至少2000小時。
相2樹脂之折射率之效應
上文實例中所使用之相1 LMA樹脂具有1.47之折射率(RI)。表1說明影響兩相薄膜之光學性質之相2樹脂之RI之效應。
如在表1中所展示，當第一相之RI與第二相之RI匹配時，薄膜之初始QY及EQE得以最大化。當第一相樹脂與第二相樹脂之RI之間存在失配時，薄膜之初始QY及EQE減小。因此，在可能之情況下，使用具有經密切匹配之RI之第一及第二相樹脂係有益的。根據某些實施例，兩個樹脂之RI相差小於約5%。根據某些實施例，兩個樹脂之RI相差小於約1%。
因此，可使用諸如表面活性劑、黏度改質劑、單體、光散射劑及其他無機表面張力改質劑之添加劑來調整一個相或兩個相之RI以使得RI匹配。亦可使用此等添加劑來使相之間的化學相互作用最小化。此外，可將化學抗氧化劑(硫代二丙酸二月桂酯、十八烷基硫化物、十八硫醇、棕櫚酸膽甾基酯、Zinvisible、抗壞血酸棕櫚酸酯、α生育酚、BHA、BHT、辛硫醇、硫辛酸、麩胱甘肽、焦亞硫酸鈉、三辛基膦(TOP)、十四烷基膦酸、多元酚)添加至一個相或兩個相以使圍繞兩 相/氣體障壁封裝之QD薄膜之邊緣之QD之降級最小化。
本文中所陳述之發明概念在其應用中並不限於上文說明中所陳述或圖式中所圖解說明之構造細節或組件配置。應理解，本文中所採用之措辭及術語僅出於闡述性目的且不應視為限制性的。應進一步理解，所闡述特徵中之任一者可單獨地使用或與其他特徵組合使用。熟習此項技術者在審閱本文中之圖式及詳細說明之後將或將變得明瞭其他發明系統、方法、特徵及優點。隨附申請專利範圍意欲保護所有此等額外系統、方法、特徵及優點。
200‧‧‧面板
201‧‧‧聚合物薄膜/聚合物
202‧‧‧氣體障壁薄片
203‧‧‧氣體障壁薄片
204‧‧‧邊緣

Claims (10)

  1. 一種多域薄膜，該薄膜包括：含有量子點(QD)之域，其包括第一聚合物及分散於該第一聚合物中之QD群，及第二域，其包括第二聚合物。
  2. 如請求項1之薄膜，其中該第一聚合物為疏水性及該第二聚合物為親水性。
  3. 如請求項2之薄膜，其中該第一聚合物係丙烯酸酯、基於纖維素之聚合物及主體材料中任一者；其中該丙烯酸酯係聚((甲基)丙烯酸甲酯)、聚((甲基)丙烯酸乙酯)、聚((甲基)丙烯酸正丙酯)、聚((甲基)丙烯酸丁酯)、聚((甲基)丙烯酸正戊酯)、聚((甲基)丙烯酸正己酯)、聚((甲基)丙烯酸環己酯)、聚((甲基)丙烯酸2-乙基己酯)、聚((甲基)丙烯酸辛酯)、聚((甲基)丙烯酸異辛酯)、聚((甲基)丙烯酸正癸酯)、聚((甲基)丙烯酸異癸酯)、聚((甲基)丙烯酸月桂基酯)、聚((甲基)丙烯酸十六烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸十八烷基酯)、聚((甲基)丙烯酸異莰酯)、聚(異丁烯)、聚苯乙烯、聚(二乙烯基苯)、聚乙酸乙烯酯、聚異戊二烯、聚碳酸酯及聚丙烯腈中任一者；該基於纖維素之聚合物係乙基纖維素、聚矽氧樹脂、聚(二甲基矽氧烷)、聚(乙烯醚)及聚酯中任一者；及該主體材料係蠟、石蠟、植物油、脂肪酸及脂肪酸酯中任一者。
  4. 如請求項2之薄膜，其中該第二聚合物係基於環氧樹脂之樹脂、基於聚胺基甲酸酯之樹脂、親水性(甲基)丙烯酸酯聚合物、聚乙烯醇、聚(乙烯-共-乙烯醇)、聚二氯乙烯、聚矽氧、聚醯亞胺、 聚酯、聚乙烯、聚醯胺、氰基丙烯酸酯、明膠、矽酸鈉及聚乙烯吡咯烷酮中任一者。
  5. 如請求項1之薄膜，其中該第二域環繞該含有QD之域。
  6. 如請求項1之薄膜，其中該含有QD之域分散遍及該第二域。
  7. 一種製備薄膜之方法，該方法包括：分散量子點群於第一聚合物中以形成含有QD之分散體；混合該含有QD之分散體及第二聚合物以形成多域混合物；及沈積該多域混合物於基板上以形成薄膜。
  8. 如請求項7之方法，其中該第一聚合物為疏水性及該第二聚合物為親水性。
  9. 如請求項7之方法，其進一步包括固化該薄膜。
  10. 如請求項7之方法，其中該基板包括互相分開之兩氣體障壁層，該薄膜係沉積於該兩氣體障壁層之間。
TW105126131A 2013-08-14 2014-08-13 使用多相樹脂的量子點薄膜及其製備方法 TWI606252B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361865692P 2013-08-14 2013-08-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201640146A true TW201640146A (zh) 2016-11-16
TWI606252B TWI606252B (zh) 2017-11-21

Family

ID=51390133

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW105126131A TWI606252B (zh) 2013-08-14 2014-08-13 使用多相樹脂的量子點薄膜及其製備方法
TW103127819A TWI557424B (zh) 2013-08-14 2014-08-13 使用多相樹脂的量子點薄膜

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103127819A TWI557424B (zh) 2013-08-14 2014-08-13 使用多相樹脂的量子點薄膜

Country Status (8)

Country Link
US (4) US9680068B2 (zh)
EP (2) EP3033404B1 (zh)
JP (2) JP6475722B2 (zh)
KR (5) KR101954160B1 (zh)
CN (2) CN109456753B (zh)
HK (1) HK1219290A1 (zh)
TW (2) TWI606252B (zh)
WO (1) WO2015022526A1 (zh)

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109456753B (zh) * 2013-08-14 2022-02-25 纳米技术有限公司 利用多相树脂的量子点膜
US9574135B2 (en) * 2013-08-22 2017-02-21 Nanoco Technologies Ltd. Gas phase enhancement of emission color quality in solid state LEDs
US9708532B2 (en) * 2014-03-28 2017-07-18 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot compositions
KR101959486B1 (ko) * 2014-08-14 2019-03-18 주식회사 엘지화학 발광 필름
JP6422947B2 (ja) 2014-12-26 2018-11-14 Ｎｓマテリアルズ株式会社 波長変換部材の製造方法
KR102052101B1 (ko) * 2015-02-25 2019-12-04 동우 화인켐 주식회사 자발광 감광성 수지 조성물, 이를 이용하여 제조된 컬러필터 및 화상표시장치
WO2016144133A1 (ko) * 2015-03-12 2016-09-15 주식회사 엘지화학 광학 필름용 조성물 및 이를 포함하는 광학 필름
EP3070109B1 (en) * 2015-03-16 2018-12-05 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Multilayer polymer composite for encapsulating quantum dots
KR101756522B1 (ko) * 2015-03-16 2017-07-10 엘지전자 주식회사 양자점-수지 복합체의 제조 방법, 양자점-수지 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
KR102028439B1 (ko) * 2015-03-19 2019-10-04 동우 화인켐 주식회사 자발광 감광성 수지 조성물, 이를 포함하는 컬러필터 및 화상표시장치
KR101686736B1 (ko) 2015-04-17 2016-12-14 엘지전자 주식회사 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치
JP6627305B2 (ja) * 2015-07-23 2020-01-08 凸版印刷株式会社 ガスバリアフィルム及び色変換部材。
KR101959461B1 (ko) * 2015-07-29 2019-03-18 주식회사 엘지화학 광학 필름
KR102010812B1 (ko) * 2015-09-23 2019-08-14 주식회사 엘지화학 광학 부재 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US20170125650A1 (en) 2015-11-02 2017-05-04 Nanoco Technologies Ltd. Display devices comprising green-emitting quantum dots and red KSF phosphor
DE102015014526A1 (de) * 2015-11-11 2017-05-11 Giesecke & Devrient Gmbh Sicherheitspigment, lumineszierendes Polymerharz und Verfahren zum Herstellen desselben
KR101985804B1 (ko) * 2015-11-20 2019-06-04 주식회사 엘지화학 광학 부재용 조성물
KR102574271B1 (ko) * 2015-12-23 2023-09-05 아반타마 아게 디스플레이 장치
EP3184602B1 (en) * 2015-12-23 2018-07-04 Avantama AG Luminescent component
US10655815B2 (en) 2016-01-22 2020-05-19 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot-based lighting devices for animal husbandry and aquariums
KR102006378B1 (ko) * 2016-02-04 2019-08-01 주식회사 엘지화학 광학 필름용 조성물 및 이를 포함하는 광학 필름
WO2017137843A1 (en) 2016-02-12 2017-08-17 Nanoco Technologies Ltd. Highly stable quantum dot-containing polymer films
US10765885B2 (en) * 2016-02-26 2020-09-08 Nanoco Technologies Ltd. Phototherapy mask with quantum dot phosphors
CN105870346B (zh) * 2016-04-15 2018-07-03 深圳市华星光电技术有限公司 Led显示屏的制造方法和led显示屏
TWI641645B (zh) * 2016-07-08 2018-11-21 羅門哈斯電子材料有限公司 用於囊封量子點之多層聚合物複合物
US10787231B2 (en) * 2016-07-29 2020-09-29 California Institute Of Technology Systems, methods, and apparatuses for reducing hydrodynamic frictional drag
US20180072857A1 (en) 2016-09-12 2018-03-15 Nanoco Technologies Ltd. Gas Barrier Coating For Semiconductor Nanoparticles
KR20180049420A (ko) 2016-11-01 2018-05-11 삼성디스플레이 주식회사 색변환 패널, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6732045B2 (ja) * 2016-12-19 2020-07-29 富士フイルム株式会社 波長変換フィルムおよびバックライトユニット
JP6698510B2 (ja) * 2016-12-19 2020-05-27 富士フイルム株式会社 波長変換フィルムおよびバックライトユニット
US10472563B2 (en) 2017-02-16 2019-11-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods for making improved quantum dot resin formulations
US10508232B2 (en) 2017-02-16 2019-12-17 Dow Global Technologies Llc Polymer composites and films comprising reactive additives having thiol groups for improved quantum dot dispersion and barrier properties
CN106980206A (zh) * 2017-04-24 2017-07-25 宁波东旭成新材料科技有限公司 一种量子点光学膜的制备方法
US10642139B2 (en) * 2017-06-02 2020-05-05 Nexdot Illumination source comprising nanoplatelets and display apparatus having the same
US20190044034A1 (en) 2017-08-07 2019-02-07 Sabic Global Technologies B.V. Stable quantum dot extrusion film
CN109423275B (zh) * 2017-08-29 2020-03-31 纳晶科技股份有限公司 量子点组合物、量子点发光材料、其制备方法及含有其的发光器件
US20200347289A1 (en) * 2017-10-17 2020-11-05 Ns Materials Inc. Resin molded product, method for producing the same, and wavelength conversion member
CN110024143B (zh) * 2017-11-08 2021-12-31 纳米及先进材料研发院有限公司 无阻隔稳定量子点膜
WO2019142188A1 (en) * 2018-01-18 2019-07-25 Dotz Nano Ltd Polymeric products comprising fluorescent carbon based materials and methods of preparation thereof
EP3530712A1 (en) 2018-02-22 2019-08-28 SABIC Global Technologies B.V. Phase separated quantum dot layer
KR20200123445A (ko) 2018-02-22 2020-10-29 사빅 글로벌 테크놀러지스 비.브이. 안정화된 양자점을 갖는 상 분리된 양자점 층
CN108865112B (zh) * 2018-07-20 2021-07-20 纳晶科技股份有限公司 量子点复合材料、其制备方法及含有其的发光器件
US20200093072A1 (en) * 2018-09-25 2020-03-26 Nanoco Technologies Ltd. Horticultural lighting apparatus
WO2020150222A1 (en) * 2019-01-16 2020-07-23 Henkel IP & Holding GmbH Curable compositions for production of reaction induced phase separated compositions with improved properties
EP3940038B1 (en) 2019-06-17 2024-01-31 Avantama AG Luminescent component
JP7145125B2 (ja) 2019-06-24 2022-09-30 信越化学工業株式会社 ラジカル硬化型シリコーン組成物及び硬化物
EP3763801B1 (en) 2019-07-12 2022-05-04 Samsung Display Co., Ltd. Quantum dot-containing material, method of preparing the same, and optical member and appapratus including the quantum dot-containing material

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5990984A (en) * 1995-11-16 1999-11-23 Viratec Thin Films, Inc. Coated polymer substrate with matching refractive index and method of making the same
JP2001318201A (ja) * 2000-05-11 2001-11-16 Mitsubishi Chemicals Corp 相分離材料
WO2003054507A2 (en) * 2001-09-17 2003-07-03 Biocrystal, Ltd. Nanocrystals
US7332211B1 (en) 2002-11-07 2008-02-19 Massachusetts Institute Of Technology Layered materials including nanoparticles
US8187708B2 (en) 2004-11-10 2012-05-29 The Regents Of The University Of Michigan Microphasic micro-components and methods for controlling morphology via electrified jetting
KR100678285B1 (ko) 2005-01-20 2007-02-02 삼성전자주식회사 발광 다이오드용 양자점 형광체 및 그의 제조방법
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
US7816669B1 (en) * 2006-10-13 2010-10-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light emitting system and methods for controlling nanocrystal distribution therein
JP4869275B2 (ja) * 2007-03-26 2012-02-08 三菱電機株式会社 光源モジュール及び発光装置
KR101462651B1 (ko) * 2007-08-23 2014-11-17 삼성전자 주식회사 나노결정 혼합물 및 그를 이용하는 발광 다이오드
JP2009087744A (ja) 2007-09-28 2009-04-23 Dainippon Printing Co Ltd 発光素子
GB0821122D0 (en) 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
US8343575B2 (en) 2008-12-30 2013-01-01 Nanosys, Inc. Methods for encapsulating nanocrystals and resulting compositions
GB0901857D0 (en) * 2009-02-05 2009-03-11 Nanoco Technologies Ltd Encapsulated nanoparticles
GB0916700D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
GB0916699D0 (en) 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
US20110079756A1 (en) 2009-10-02 2011-04-07 Doris Pik-Yiu Chun Polymer-encapsulated nanoparticle systems
JP5707697B2 (ja) 2009-12-17 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5836970B2 (ja) 2009-12-22 2015-12-24 メルク パテント ゲーエムベーハー 機能性材料を含む調合物
KR101695005B1 (ko) 2010-04-01 2017-01-11 삼성전자 주식회사 나노결정/수지 조성물, 나노결정-수지 복합체 및 나노결정-수지 복합체의 제조방법
KR20200039806A (ko) * 2010-11-10 2020-04-16 나노시스, 인크. 양자 도트 필름들, 조명 디바이스들, 및 조명 방법들
GB201100568D0 (en) 2011-01-13 2011-03-02 Cytec Engineered Materials Ltd Particle reinforced polymer composition
EP2669350B1 (en) 2011-01-28 2018-11-07 Showa Denko K.K. Composition containing quantum dot fluorescent body, molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin, structure containing quantum dot fluorescent body, light-emitting device, electronic apparatus, mechanical device, and method for producing molded body of quantum dot fluorescent body dispersion resin
US8986842B2 (en) 2011-05-24 2015-03-24 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Color conversion films comprising polymer-substituted organic fluorescent dyes
KR101855991B1 (ko) 2011-06-23 2018-05-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치
US9577158B2 (en) 2011-07-05 2017-02-21 Dexerials Corporation Phosphor sheet-forming resin composition
TW201302807A (zh) * 2011-07-05 2013-01-16 Sony Chem & Inf Device Corp 螢光體片形成用組成物
GB201116517D0 (en) * 2011-09-23 2011-11-09 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle based light emitting materials
KR101870445B1 (ko) 2011-12-09 2018-06-22 엘지이노텍 주식회사 광 변환 복합체, 이를 포함하는 발광장치 및 표시장치 및 이의 제조방법
WO2014113562A1 (en) 2013-01-21 2014-07-24 3M Innovative Properties Company Quantum dot film
CN109456753B (zh) * 2013-08-14 2022-02-25 纳米技术有限公司 利用多相树脂的量子点膜
US9708532B2 (en) * 2014-03-28 2017-07-18 Nanoco Technologies Ltd. Quantum dot compositions
KR102277125B1 (ko) * 2014-06-09 2021-07-15 삼성전자주식회사 광원 모듈, 조명 장치 및 조명 시스템

Also Published As

Publication number Publication date
CN105637060B (zh) 2018-12-11
US20170279013A1 (en) 2017-09-28
KR102207171B1 (ko) 2021-01-25
EP3033404B1 (en) 2018-11-28
US11335834B2 (en) 2022-05-17
KR20190022923A (ko) 2019-03-06
TWI557424B (zh) 2016-11-11
KR102025346B1 (ko) 2019-09-25
KR20200027051A (ko) 2020-03-11
TW201518764A (zh) 2015-05-16
US11881543B2 (en) 2024-01-23
EP3033404A1 (en) 2016-06-22
JP2016536641A (ja) 2016-11-24
CN109456753A (zh) 2019-03-12
US11552223B2 (en) 2023-01-10
KR101977123B1 (ko) 2019-05-10
HK1219290A1 (zh) 2017-03-31
EP3428244B1 (en) 2021-07-28
US20230128324A1 (en) 2023-04-27
JP6832898B2 (ja) 2021-02-24
JP6475722B2 (ja) 2019-02-27
KR102086712B1 (ko) 2020-05-15
TWI606252B (zh) 2017-11-21
US20150047765A1 (en) 2015-02-19
KR101954160B1 (ko) 2019-06-11
WO2015022526A1 (en) 2015-02-19
US20210288229A1 (en) 2021-09-16
CN105637060A (zh) 2016-06-01
KR20170042828A (ko) 2017-04-19
EP3428244A1 (en) 2019-01-16
JP2019031674A (ja) 2019-02-28
CN109456753B (zh) 2022-02-25
KR20160042996A (ko) 2016-04-20
US9680068B2 (en) 2017-06-13
KR20180011867A (ko) 2018-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI606252B (zh) 使用多相樹脂的量子點薄膜及其製備方法
US9840665B2 (en) Quantum dot compositions
JP6058126B2 (ja) 高反射剤を用いた量子収量の向上