JP2001318201A - 相分離材料 - Google Patents
相分離材料Info
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- JP2001318201A JP2001318201A JP2000138205A JP2000138205A JP2001318201A JP 2001318201 A JP2001318201 A JP 2001318201A JP 2000138205 A JP2000138205 A JP 2000138205A JP 2000138205 A JP2000138205 A JP 2000138205A JP 2001318201 A JP2001318201 A JP 2001318201A
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- phase separation
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- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周期的な誘電率分布を形成させることがで
き、フォトニックバンド構造を有する新規材料を提供す
る。 【解決手段】 ２種以上の相が相分離構造を形成し、そ
の少なくとも１種の相に超微粒子が偏在してなる相分離
材料。
き、フォトニックバンド構造を有する新規材料を提供す
る。 【解決手段】 ２種以上の相が相分離構造を形成し、そ
の少なくとも１種の相に超微粒子が偏在してなる相分離
材料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相分離材料に関す
る。詳しくは、自発的な相分離構造形成を利用して、超
微粒子を相分離構造の一方の相に偏在させてなる新規材
料に関する。本発明の材料は、周期的な誘電率分布を形
成させることにより、フォトニックバンド構造を有する
光学材料として利用可能である。
る。詳しくは、自発的な相分離構造形成を利用して、超
微粒子を相分離構造の一方の相に偏在させてなる新規材
料に関する。本発明の材料は、周期的な誘電率分布を形
成させることにより、フォトニックバンド構造を有する
光学材料として利用可能である。
【０００２】
【従来の技術】近年、金属、半導体、酸化物、色素、導
電性高分子などのナノオーダー（数ｎｍ〜数十ｎｍ）の
サイズをもつ超微粒子（コロイド粒子、ナノ結晶（Ｎａ
ｎｏｃｒｙｓｔａｌ）、ナノ粒子（Ｎａｎｏｐａｒｔｉ
ｃｌｅ）、あるいは量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏ
ｔ）等とも呼称される場合もある）がバルクとは異なる
物性を示すため注目を集めている。例えば半導体超微粒
子の場合、光によって生成される励起子が、粒子内に閉
じ込められる結果、微粒子サイズが減少すると共にバン
ドギャップや励起子エネルギーの増加が起こる（例えば
Gaponenko著、Optical properties of Semiconductor N
anocrystals）。つまり量子サイズ効果が発現し、励起
子が閉じ込められる結果、非線形光学特性の増大がみら
れ、超高速光スイッチング素子などへの応用が期待され
ている。また粒子のサイズを変えることで、発光波長を
コントロール可能であり、エレクトロルミネッセンスな
どの表示材料への応用も期待されている。
電性高分子などのナノオーダー（数ｎｍ〜数十ｎｍ）の
サイズをもつ超微粒子（コロイド粒子、ナノ結晶（Ｎａ
ｎｏｃｒｙｓｔａｌ）、ナノ粒子（Ｎａｎｏｐａｒｔｉ
ｃｌｅ）、あるいは量子ドット（Ｑｕａｎｔｕｍ ｄｏ
ｔ）等とも呼称される場合もある）がバルクとは異なる
物性を示すため注目を集めている。例えば半導体超微粒
子の場合、光によって生成される励起子が、粒子内に閉
じ込められる結果、微粒子サイズが減少すると共にバン
ドギャップや励起子エネルギーの増加が起こる（例えば
Gaponenko著、Optical properties of Semiconductor N
anocrystals）。つまり量子サイズ効果が発現し、励起
子が閉じ込められる結果、非線形光学特性の増大がみら
れ、超高速光スイッチング素子などへの応用が期待され
ている。また粒子のサイズを変えることで、発光波長を
コントロール可能であり、エレクトロルミネッセンスな
どの表示材料への応用も期待されている。
【０００３】一方、ポリマーアロイなどに代表されるバ
ルク高分子混合系フィルムの相分離構造は、機械強度特
性の向上を目的として古くから研究されている。また最
近では、膜厚が約１００ｎｍ以下の領域の高分子混合系
薄膜の相分離構造に関して注目を集めてはじめており、
反射防止膜等の機能を付加させるような報告もみられる
（例えばS.Walheim et al., Science 283,520(199
9)）。
ルク高分子混合系フィルムの相分離構造は、機械強度特
性の向上を目的として古くから研究されている。また最
近では、膜厚が約１００ｎｍ以下の領域の高分子混合系
薄膜の相分離構造に関して注目を集めてはじめており、
反射防止膜等の機能を付加させるような報告もみられる
（例えばS.Walheim et al., Science 283,520(199
9)）。
【０００４】また、マトリックス中に超微粒子を分散さ
せる系として、半導体超微粒子をガラスあるいはポリス
チレンなどの高分子中に均一に分散させ、非線形光学材
料として利用する検討例は報告されている(例えばA.V.F
irth et al., Appl.Phys.Lett. 75,3210(1999), H.Shin
ojima et al., Appl.Phys.Lett., 60,298(1992))。この
ように、高分子混合系の相分離構造に関する検討や、あ
るいは超微粒子をポリスチレンやポリメチルメタクリレ
ートなどの高分子マトリックス、またガラスマトリック
ス中に均一に分散させた材料に関する検討は盛んにおこ
なわれている。
せる系として、半導体超微粒子をガラスあるいはポリス
チレンなどの高分子中に均一に分散させ、非線形光学材
料として利用する検討例は報告されている(例えばA.V.F
irth et al., Appl.Phys.Lett. 75,3210(1999), H.Shin
ojima et al., Appl.Phys.Lett., 60,298(1992))。この
ように、高分子混合系の相分離構造に関する検討や、あ
るいは超微粒子をポリスチレンやポリメチルメタクリレ
ートなどの高分子マトリックス、またガラスマトリック
ス中に均一に分散させた材料に関する検討は盛んにおこ
なわれている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、例え
ば高分子混合系に見られるような自発的な相分離構造形
成を利用し、その相分離構造の一方の相にのみ超微粒子
を偏在させること、さらには該超微粒子がラメラ状、柱
状あるいは球状の相に周期的に配列され、その配列構造
が制御された光学材料を提供することにある。
ば高分子混合系に見られるような自発的な相分離構造形
成を利用し、その相分離構造の一方の相にのみ超微粒子
を偏在させること、さらには該超微粒子がラメラ状、柱
状あるいは球状の相に周期的に配列され、その配列構造
が制御された光学材料を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記課題を
克服すべく鋭意検討を重ねた結果、相分離構造の形成条
件を制御することにより、その相分離構造の少なくとも
一方の相にのみ超微粒子を偏在させること、さらには超
微粒子が偏在する層構造をラメラ状、柱状あるいは球状
とすることにより、該超微粒子の周期配構造が形成さ
れ、且つその配列構造が制御された新規な光学材料を製
造できることを見出し本発明に到達した。
克服すべく鋭意検討を重ねた結果、相分離構造の形成条
件を制御することにより、その相分離構造の少なくとも
一方の相にのみ超微粒子を偏在させること、さらには超
微粒子が偏在する層構造をラメラ状、柱状あるいは球状
とすることにより、該超微粒子の周期配構造が形成さ
れ、且つその配列構造が制御された新規な光学材料を製
造できることを見出し本発明に到達した。
【０００７】即ち本発明の要旨は、２種以上の相が相分
離構造を形成し、その少なくとも１種の相に超微粒子が
偏在してなることを特徴とする相分離材料、に存する。
離構造を形成し、その少なくとも１種の相に超微粒子が
偏在してなることを特徴とする相分離材料、に存する。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明につき詳細に説明す
る。本発明において対象となる相分離構造を形成する材
料としては、高分子材料、低分子材料、無機材料が挙げ
られる。該相分離構造を形成する物質の組み合わせとし
て、高分子材料・高分子材料、高分子材料・低分子材
料、高分子材料・無機材料、低分子材料・低分子材料、
低分子材料・無機材料、無機材料・無機材料の何れでも
よく、目的に応じて適宜選択することができる。
る。本発明において対象となる相分離構造を形成する材
料としては、高分子材料、低分子材料、無機材料が挙げ
られる。該相分離構造を形成する物質の組み合わせとし
て、高分子材料・高分子材料、高分子材料・低分子材
料、高分子材料・無機材料、低分子材料・低分子材料、
低分子材料・無機材料、無機材料・無機材料の何れでも
よく、目的に応じて適宜選択することができる。
【０００９】高分子材料としては、特に限定されるもの
ではないが、ポリスチレン系高分子、ポリメチルメタク
リレート系高分子、ポリブタジエン系高分子、ポリビニ
ルピリジン系高分子、ポリイソプレン系高分子、ポリカ
ーボネート系高分子、ポリフェニレンオキシド系高分
子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリパラフェニレン
ビニレン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリアニ
リン系高分子、ポリビニルカルバゾール系高分子、また
はそれらを含む共重合体などが例示される。但し、各相
を構成する材料が、相溶性の高い高分子種同士の組み合
わせである場合、明確な相分離構造を形成しないことも
あるため望ましくない。該高分子材料の分子量は、特に
限定されないが、通常１０００〜５００万程度である。
ではないが、ポリスチレン系高分子、ポリメチルメタク
リレート系高分子、ポリブタジエン系高分子、ポリビニ
ルピリジン系高分子、ポリイソプレン系高分子、ポリカ
ーボネート系高分子、ポリフェニレンオキシド系高分
子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリパラフェニレン
ビニレン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリアニ
リン系高分子、ポリビニルカルバゾール系高分子、また
はそれらを含む共重合体などが例示される。但し、各相
を構成する材料が、相溶性の高い高分子種同士の組み合
わせである場合、明確な相分離構造を形成しないことも
あるため望ましくない。該高分子材料の分子量は、特に
限定されないが、通常１０００〜５００万程度である。
【００１０】低分子材料としては、低分子の種類は特に
限定されるものではなく、炭化水素系分子、アルコール
系分子、エーテル系分子、アルデヒド系分子、ケトン系
分子、カルボン酸系分子、フェノール系分子、アミン系
分子、各種界面活性剤、色素系分子、アミノ酸などが例
示され、その分子量は、通常、１０００未満である。無
機材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ａｌ等の金属、酸化ケイ
素、酸化チタン、酸化鉄、酸化錫等の酸化物、硫化亜
鉛、硫化カドミウム、硫化鉛等の硫化物、窒化ケイ素、
窒化鋼等の窒化物などが例示される。
限定されるものではなく、炭化水素系分子、アルコール
系分子、エーテル系分子、アルデヒド系分子、ケトン系
分子、カルボン酸系分子、フェノール系分子、アミン系
分子、各種界面活性剤、色素系分子、アミノ酸などが例
示され、その分子量は、通常、１０００未満である。無
機材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ａｌ等の金属、酸化ケイ
素、酸化チタン、酸化鉄、酸化錫等の酸化物、硫化亜
鉛、硫化カドミウム、硫化鉛等の硫化物、窒化ケイ素、
窒化鋼等の窒化物などが例示される。
【００１１】本発明において対象となる超微粒子として
は、金属、半導体、酸化物、色素、導電性高分子あるい
は非導電性高分子が挙げられ、溶媒に可溶あるいは分散
可能であれば特に制限無く使用することができる。金
属、半導体、酸化物などの超微粒子表面に有機物が被覆
されていてもかまわない。上記金属としては、例えば、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ａｌ等が挙げられ、また合金も使用することができ
る。
は、金属、半導体、酸化物、色素、導電性高分子あるい
は非導電性高分子が挙げられ、溶媒に可溶あるいは分散
可能であれば特に制限無く使用することができる。金
属、半導体、酸化物などの超微粒子表面に有機物が被覆
されていてもかまわない。上記金属としては、例えば、
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍ
ｎ、Ａｌ等が挙げられ、また合金も使用することができ
る。
【００１２】上記半導体としては、例えば、炭素、ケイ
素、ゲルマニウム、錫等の周期表第１４族元素の単体、
リン（黒リン）等の周期表第１５族元素の単体、セレ
ン、テルル等の周期表第１６族元素の単体、炭化ケイ素
（ＳｉＣ）等の複数の周期表第１４族元素からなる化合
物、酸化錫（IV）（ＳｎＯ2）、硫化錫（II，IV）（Ｓ
ｎ(II)Ｓｎ(IV)Ｓ3）、硫化錫（IV）（ＳｎＳ2）、硫化
錫（II）（ＳｎＳ）、セレン化錫（II）（ＳｎＳｅ）、
テルル化錫（II）（ＳｎＴｅ）、硫化鉛（II）（Ｐｂ
Ｓ）、セレン化鉛（II）（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（I
I）（ＰｂＴｅ）等の周期表第１４族元素と周期表第１
６族元素との化合物、窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ
素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アル
ミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（Ａ
ｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム
（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化
ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リ
ン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡ
ｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等の周期表
第１３族元素と周期表第１５族元素との化合物、硫化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｓ3）、セレン化アルミニウム（Ａｌ
2Ｓｅ3）、硫化ガリウム（Ｇａ2Ｓ3）、セレン化ガリウ
ム（Ｇａ2Ｓｅ3）、テルル化ガリウム（Ｇａ2Ｔｅ3）、
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、硫化インジウム（Ｉｎ2
Ｓ3）、セレン化インジウム（Ｉｎ2Ｓｅ3）、テルル化
インジウム（Ｉｎ2Ｔｅ3）等の周期表第１３族元素と周
期表第１６族元素との化合物、塩化タリウム（Ｉ）（Ｔ
ｌＣｌ）、臭化タリウム（Ｉ）（ＴｌＢｒ）、ヨウ化タ
リウム（Ｉ）（ＴｌＩ）等の周期表第１３族元素と周期
表第１７族元素との化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化
亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化
亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カ
ドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳ
ｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（Ｈ
ｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（Ｈ
ｇＴｅ）等の周期表第１２族元素と周期表第１６族元素
との化合物、硫化砒素（III）（Ａｓ2Ｓ3）、セレン化
砒素（III）（Ａｓ2Ｓｅ3）、テルル化砒素（III）（Ａ
ｓ2Ｔｅ3）、硫化アンチモン（III）（Ｓｂ2Ｓ3）、セ
レン化アンチモン（III）（Ｓｂ2Ｓｅ3）、テルル化ア
ンチモン（III）（Ｓｂ2Ｔｅ3）、硫化ビスマス（III）
（Ｂｉ2Ｓ3）、セレン化ビスマス（III）（Ｂｉ2Ｓ
ｅ3）、テルル化ビスマス（III）（Ｂｉ2Ｔｅ3）等の周
期表第１５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸
化銅（Ｉ）（Ｃｕ2Ｏ）等の周期表第１１族元素と周期
表第１６族元素との化合物、塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣ
ｌ）、臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（Ｃ
ｕＩ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）等の
周期表第１１族元素と周期表第１７族元素との化合物、
酸化ニッケル（II）（ＮｉＯ）等の周期表第１０族元素
と周期表第１６族元素との化合物、酸化コバルト（II）
（ＣｏＯ）、硫化コバルト（II）（ＣｏＳ）等の周期表
第９族元素と周期表第１６族元素との化合物、四酸化三
鉄（Ｆｅ3Ｏ4）、硫化鉄（II）（ＦｅＳ）等の周期表第
８族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化マンガ
ン（II）（ＭｎＯ）等の周期表第７族元素と周期表第１
６族元素との化合物、硫化モリブデン（IV）（Ｍｏ
Ｓ2）、酸化タングステン（IV）（ＷＯ2）等の周期表第
６族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化バナジ
ウム（II）（ＶＯ）、酸化バナジウム（IV）（Ｖ
Ｏ2）、酸化タンタル（Ｖ）（Ｔａ2Ｏ5）等の周期表第
５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化チタン
（ＴｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ5、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ5Ｏ9等）等の周
期表第４族元素と周期表第１６族元素との化合物、硫化
マグネシウム（ＭｇＳ）、セレン化マグネシウム（Ｍｇ
Ｓｅ）等の周期表第２族元素と周期表第１６族元素との
化合物、酸化カドミウム（II）クロム（III）（ＣｄＣ
ｒ2Ｏ4）、セレン化カドミウム（II）クロム（III）
（ＣｄＣｒ2Ｓｅ4）、硫化銅（II）クロム（III）（Ｃ
ｕＣｒ2Ｓ4）、セレン化水銀（II）クロム（III）（Ｈ
ｇＣｒ2Ｓｅ4）等のカルコゲンスピネル類、バリウムチ
タネート（ＢａＴｉＯ3）等が挙げられる。これらの半
導体には、構成元素以外の元素が含有されていても構わ
ない。
素、ゲルマニウム、錫等の周期表第１４族元素の単体、
リン（黒リン）等の周期表第１５族元素の単体、セレ
ン、テルル等の周期表第１６族元素の単体、炭化ケイ素
（ＳｉＣ）等の複数の周期表第１４族元素からなる化合
物、酸化錫（IV）（ＳｎＯ2）、硫化錫（II，IV）（Ｓ
ｎ(II)Ｓｎ(IV)Ｓ3）、硫化錫（IV）（ＳｎＳ2）、硫化
錫（II）（ＳｎＳ）、セレン化錫（II）（ＳｎＳｅ）、
テルル化錫（II）（ＳｎＴｅ）、硫化鉛（II）（Ｐｂ
Ｓ）、セレン化鉛（II）（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（I
I）（ＰｂＴｅ）等の周期表第１４族元素と周期表第１
６族元素との化合物、窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ
素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム
（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アル
ミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（Ａ
ｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム
（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化
ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リ
ン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡ
ｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等の周期表
第１３族元素と周期表第１５族元素との化合物、硫化ア
ルミニウム（Ａｌ2Ｓ3）、セレン化アルミニウム（Ａｌ
2Ｓｅ3）、硫化ガリウム（Ｇａ2Ｓ3）、セレン化ガリウ
ム（Ｇａ2Ｓｅ3）、テルル化ガリウム（Ｇａ2Ｔｅ3）、
酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、硫化インジウム（Ｉｎ2
Ｓ3）、セレン化インジウム（Ｉｎ2Ｓｅ3）、テルル化
インジウム（Ｉｎ2Ｔｅ3）等の周期表第１３族元素と周
期表第１６族元素との化合物、塩化タリウム（Ｉ）（Ｔ
ｌＣｌ）、臭化タリウム（Ｉ）（ＴｌＢｒ）、ヨウ化タ
リウム（Ｉ）（ＴｌＩ）等の周期表第１３族元素と周期
表第１７族元素との化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化
亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化
亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カ
ドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳ
ｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（Ｈ
ｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（Ｈ
ｇＴｅ）等の周期表第１２族元素と周期表第１６族元素
との化合物、硫化砒素（III）（Ａｓ2Ｓ3）、セレン化
砒素（III）（Ａｓ2Ｓｅ3）、テルル化砒素（III）（Ａ
ｓ2Ｔｅ3）、硫化アンチモン（III）（Ｓｂ2Ｓ3）、セ
レン化アンチモン（III）（Ｓｂ2Ｓｅ3）、テルル化ア
ンチモン（III）（Ｓｂ2Ｔｅ3）、硫化ビスマス（III）
（Ｂｉ2Ｓ3）、セレン化ビスマス（III）（Ｂｉ2Ｓ
ｅ3）、テルル化ビスマス（III）（Ｂｉ2Ｔｅ3）等の周
期表第１５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸
化銅（Ｉ）（Ｃｕ2Ｏ）等の周期表第１１族元素と周期
表第１６族元素との化合物、塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣ
ｌ）、臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（Ｃ
ｕＩ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）等の
周期表第１１族元素と周期表第１７族元素との化合物、
酸化ニッケル（II）（ＮｉＯ）等の周期表第１０族元素
と周期表第１６族元素との化合物、酸化コバルト（II）
（ＣｏＯ）、硫化コバルト（II）（ＣｏＳ）等の周期表
第９族元素と周期表第１６族元素との化合物、四酸化三
鉄（Ｆｅ3Ｏ4）、硫化鉄（II）（ＦｅＳ）等の周期表第
８族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化マンガ
ン（II）（ＭｎＯ）等の周期表第７族元素と周期表第１
６族元素との化合物、硫化モリブデン（IV）（Ｍｏ
Ｓ2）、酸化タングステン（IV）（ＷＯ2）等の周期表第
６族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化バナジ
ウム（II）（ＶＯ）、酸化バナジウム（IV）（Ｖ
Ｏ2）、酸化タンタル（Ｖ）（Ｔａ2Ｏ5）等の周期表第
５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化チタン
（ＴｉＯ2、Ｔｉ2Ｏ5、Ｔｉ2Ｏ3、Ｔｉ5Ｏ9等）等の周
期表第４族元素と周期表第１６族元素との化合物、硫化
マグネシウム（ＭｇＳ）、セレン化マグネシウム（Ｍｇ
Ｓｅ）等の周期表第２族元素と周期表第１６族元素との
化合物、酸化カドミウム（II）クロム（III）（ＣｄＣ
ｒ2Ｏ4）、セレン化カドミウム（II）クロム（III）
（ＣｄＣｒ2Ｓｅ4）、硫化銅（II）クロム（III）（Ｃ
ｕＣｒ2Ｓ4）、セレン化水銀（II）クロム（III）（Ｈ
ｇＣｒ2Ｓｅ4）等のカルコゲンスピネル類、バリウムチ
タネート（ＢａＴｉＯ3）等が挙げられる。これらの半
導体には、構成元素以外の元素が含有されていても構わ
ない。
【００１３】上記酸化物としては、例えば、ＳｉＯ2、
ＴｉＯ2、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3などが例示される。またこ
れらの酸化物には、構成元素以外の添加元素が含有され
ていても構わない。上記色素としては、例えば、無金属
フタロシアニン、金属含有フタロシアニン、ペリノン系
顔料、チオインジゴ、キナクリドン、ペリレン系顔料、
アントラキノン系顔料、アゾ系顔料、ビスアゾ系顔料、
トリスアゾ系顔料、テトラキス系アゾ顔料、シアニン系
顔料等の有機光伝導性粒子が挙げられる。更に、多環キ
ノン、ピリリウム塩、チオピリリウム塩、インジゴ、ア
ントアントロン、ピラントロン等の各種有機顔料、染料
が使用できる。
ＴｉＯ2、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3などが例示される。またこ
れらの酸化物には、構成元素以外の添加元素が含有され
ていても構わない。上記色素としては、例えば、無金属
フタロシアニン、金属含有フタロシアニン、ペリノン系
顔料、チオインジゴ、キナクリドン、ペリレン系顔料、
アントラキノン系顔料、アゾ系顔料、ビスアゾ系顔料、
トリスアゾ系顔料、テトラキス系アゾ顔料、シアニン系
顔料等の有機光伝導性粒子が挙げられる。更に、多環キ
ノン、ピリリウム塩、チオピリリウム塩、インジゴ、ア
ントアントロン、ピラントロン等の各種有機顔料、染料
が使用できる。
【００１４】非導電性高分子あるいは導電性高分子とし
ては、例えば、ポリスチレン系高分子、ポリメチルメタ
クリレート系高分子、ポリブタジエン系高分子、ポリビ
ニルピリジン系高分子、ポリイソプレン系高分子、ポリ
カーボネート系高分子、ポリフェニレンオキシド系高分
子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリパラフェニレン
ビニレン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリアニ
リン系高分子、ポリビニルカルバゾール系高分子、また
はこれらを含む共重合体等が挙げられる。
ては、例えば、ポリスチレン系高分子、ポリメチルメタ
クリレート系高分子、ポリブタジエン系高分子、ポリビ
ニルピリジン系高分子、ポリイソプレン系高分子、ポリ
カーボネート系高分子、ポリフェニレンオキシド系高分
子、ポリパラフェニレン系高分子、ポリパラフェニレン
ビニレン系高分子、ポリチオフェン系高分子、ポリアニ
リン系高分子、ポリビニルカルバゾール系高分子、また
はこれらを含む共重合体等が挙げられる。
【００１５】これらの超微粒子の粒子径は通常、０．５
〜１００ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜５０ｎｍ、より好ま
しくは２ｎｍ〜１０ｎｍである。本発明における相分離
構造としては、スピノーダル様構造（図１a）、ラメラ
構造（図１ｂ）、柱状構造（図１ｃ）、球状構造（図１
ｄ）、などの構造が挙げられる。これらの構造を特徴づ
ける長さ、すなわち特性長は、光学顕微鏡写真等から、
高速フーリエ変換（ＦＦＴ）によって計算される。ＦＦ
Ｔによって計算される特性長は、通常、通常０．０１〜
１０００μｍであり、相分離構造の様式は特に限定され
るものではない。またこれらの構造は、１次元、２次
元、３次元いずれの場合でも構わない。相分離構造の特
性長は、より好ましくは０．０５〜５００μｍであり、
更に好ましくは ０．１〜１００μｍである。
〜１００ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜５０ｎｍ、より好ま
しくは２ｎｍ〜１０ｎｍである。本発明における相分離
構造としては、スピノーダル様構造（図１a）、ラメラ
構造（図１ｂ）、柱状構造（図１ｃ）、球状構造（図１
ｄ）、などの構造が挙げられる。これらの構造を特徴づ
ける長さ、すなわち特性長は、光学顕微鏡写真等から、
高速フーリエ変換（ＦＦＴ）によって計算される。ＦＦ
Ｔによって計算される特性長は、通常、通常０．０１〜
１０００μｍであり、相分離構造の様式は特に限定され
るものではない。またこれらの構造は、１次元、２次
元、３次元いずれの場合でも構わない。相分離構造の特
性長は、より好ましくは０．０５〜５００μｍであり、
更に好ましくは ０．１〜１００μｍである。
【００１６】本発明の相分離材料は、相分離構造を形成
してなる相の、少なくとも１種の相に、超微粒子が偏在
されてなるものである。この結果、超微粒子が偏在して
いる相と偏在していない相の屈折率比は、通常１．０１
以上、好ましくは、１．０５以上、より好ましくは、
１．１以上である。上記超微粒子が偏在する相中の超微
粒子の含有量は、該相中の超微粒子の重量として、通常
１〜９０重量％、好ましくは１０〜８０重量％である。
してなる相の、少なくとも１種の相に、超微粒子が偏在
されてなるものである。この結果、超微粒子が偏在して
いる相と偏在していない相の屈折率比は、通常１．０１
以上、好ましくは、１．０５以上、より好ましくは、
１．１以上である。上記超微粒子が偏在する相中の超微
粒子の含有量は、該相中の超微粒子の重量として、通常
１〜９０重量％、好ましくは１０〜８０重量％である。
【００１７】相分離構造を形成する各材料は、係る超微
粒子と共通の溶媒に可溶、あるいは分散可能であること
が好ましく、その溶解度は、通常、０．１ｍｇ／ｍＬ以
上、望ましくは０．５ｍｇ／ｍＬ以上、更に望ましくは
１ｍｇ／ｍＬ以上である。その際の共通溶媒としては、
超微粒子と相分離構造を形成する相を構成する材料との
組み合わせによっても異なるが、例えば、トルエン、キ
シレン、ヘキサン、クロロフォルム、四塩化炭素、ジク
ロロメタン、ベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒド
ロフラン、メチルエチルケトン、Ｎ―メチルピロリドン
等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種類以上
の混合溶媒であってもかまわない。なお、本発明の効果
を損なわない範囲で、各種の添加剤を添加することもで
きる。本発明の相分離材料は、かかる混合溶液から結晶
化させる方法、あるいはかかる混合溶液を固体基板上に
塗布することによって作製される。
粒子と共通の溶媒に可溶、あるいは分散可能であること
が好ましく、その溶解度は、通常、０．１ｍｇ／ｍＬ以
上、望ましくは０．５ｍｇ／ｍＬ以上、更に望ましくは
１ｍｇ／ｍＬ以上である。その際の共通溶媒としては、
超微粒子と相分離構造を形成する相を構成する材料との
組み合わせによっても異なるが、例えば、トルエン、キ
シレン、ヘキサン、クロロフォルム、四塩化炭素、ジク
ロロメタン、ベンゼン、ジクロロベンゼン、テトラヒド
ロフラン、メチルエチルケトン、Ｎ―メチルピロリドン
等が挙げられる。これらは単独で用いても、２種類以上
の混合溶媒であってもかまわない。なお、本発明の効果
を損なわない範囲で、各種の添加剤を添加することもで
きる。本発明の相分離材料は、かかる混合溶液から結晶
化させる方法、あるいはかかる混合溶液を固体基板上に
塗布することによって作製される。
【００１８】本発明に用いられる固体基板材料として
は、金属、金属酸化物、高分子等が挙げられるが、該混
合溶液中の溶媒に不溶であれば特に制限はない。具体的
には例えば、ＳｉＯ2やポリアニリンの他、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、ステンレス鋼、銅、ニッケル、
金、銀等の金属、酸化スズ、インジウム錫酸化物等の金
属酸化物、及びこれらの金属や金属酸化物のラミネート
物、あるいは表面にアルミニウム、銅、パラジウム、酸
化すず、酸化インジウム等の導電性層を設けたポリエス
テルフィルム等の高分子フィルム、紙等が挙げられる。
は、金属、金属酸化物、高分子等が挙げられるが、該混
合溶液中の溶媒に不溶であれば特に制限はない。具体的
には例えば、ＳｉＯ2やポリアニリンの他、アルミニウ
ム、アルミニウム合金、ステンレス鋼、銅、ニッケル、
金、銀等の金属、酸化スズ、インジウム錫酸化物等の金
属酸化物、及びこれらの金属や金属酸化物のラミネート
物、あるいは表面にアルミニウム、銅、パラジウム、酸
化すず、酸化インジウム等の導電性層を設けたポリエス
テルフィルム等の高分子フィルム、紙等が挙げられる。
【００１９】さらに固体基板上に金属、金属酸化物、有
機化合物等を蒸着、スパッタリング、ラングミュアブロ
ジェット（ＬＢ）法、自己集積（セルフアセンブリ）法
により積層させたものや、有機、無機多層膜あるいは有
機・無機複合多層膜を基板として用いることもできる。
また、該混合液中の超微粒子もしくは相を構成する材料
のいずれかと親和性を有する無機化合物もしくは有機化
合物を用いてパターンを形成させた固体基板を用いても
よい。
機化合物等を蒸着、スパッタリング、ラングミュアブロ
ジェット（ＬＢ）法、自己集積（セルフアセンブリ）法
により積層させたものや、有機、無機多層膜あるいは有
機・無機複合多層膜を基板として用いることもできる。
また、該混合液中の超微粒子もしくは相を構成する材料
のいずれかと親和性を有する無機化合物もしくは有機化
合物を用いてパターンを形成させた固体基板を用いても
よい。
【００２０】かかる混合液の塗布方法は特に限定される
ものではないが、スピンコート法、ディップッコーティ
ング法、キャスト法、インクジェット法等が挙げられ
る。本発明の２種以上の相が相分離構造を形成し、その
少なくとも１種の相に超微粒子が偏在してなる材料を形
成するには、混合液が塗布された後、溶媒の蒸発に伴
い、該混合溶液中の相分離を形成する物質が自発的に相
分離を起こし、一方の領域にのみ超微粒子が偏在する組
み合わせを選択する必要がある。
ものではないが、スピンコート法、ディップッコーティ
ング法、キャスト法、インクジェット法等が挙げられ
る。本発明の２種以上の相が相分離構造を形成し、その
少なくとも１種の相に超微粒子が偏在してなる材料を形
成するには、混合液が塗布された後、溶媒の蒸発に伴
い、該混合溶液中の相分離を形成する物質が自発的に相
分離を起こし、一方の領域にのみ超微粒子が偏在する組
み合わせを選択する必要がある。
【００２１】例えば２種類の高分子混合系の相分離構造
を利用して超微粒子を偏在させる場合は、混合する高分
子のいずれか一方に超微粒子が親和性をもつような系を
選ぶ必要がある（図２（ａ））。この場合、超微粒子表
面に有機物等を被覆することにより、いずれかの相に親
和性を持たせても構わない。また高分子混合系におい
て、超微粒子を周期的に配列させるには、固体基板上に
周期パターンを形成させておき、その上にスピンコート
あるいはキャストして自発的に基板上の周期パターンと
同じ周期の相分離パターンを形成させてもよい。（図２
（ｂ））。またブロック共重合体を用いた場合には、Ａ
−Ｂジブロック共重合体を例にとると、ＡとＢの成分比
によって、Ａ球状相／Ｂマトリックス、Ａ円柱状相／Ｂ
マトリックス、ＡＢ交互ラメラ相、Ｂ円柱状相／Ａ、Ｂ
球状相／Ａの相分離構造パターンが発現し、超微粒子が
ＡあるいはＢと親和性があれば、超微粒子の球状相、円
柱状相、ラメラ相を形成させてもよい（図２（ｃ））。
このように超微粒子が偏在した相と偏在していない相が
交互に周期的に配列した場合、誘電率（あるいは屈折
率）が周期的に変調するため、その周期が光学波長領域
であれば、ある特定の波長の光のみを透過させないフォ
トニックバンドギャップを形成させることが可能とな
る。 これらの応用としては、超微粒子として発光性の
ものを利用すれば、従来よりも低しきい値のレーザー発
振が可能になる。また超微粒子として非線形光学特性を
有するものを利用すれば、非線形光学特性の増加が期待
される。
を利用して超微粒子を偏在させる場合は、混合する高分
子のいずれか一方に超微粒子が親和性をもつような系を
選ぶ必要がある（図２（ａ））。この場合、超微粒子表
面に有機物等を被覆することにより、いずれかの相に親
和性を持たせても構わない。また高分子混合系におい
て、超微粒子を周期的に配列させるには、固体基板上に
周期パターンを形成させておき、その上にスピンコート
あるいはキャストして自発的に基板上の周期パターンと
同じ周期の相分離パターンを形成させてもよい。（図２
（ｂ））。またブロック共重合体を用いた場合には、Ａ
−Ｂジブロック共重合体を例にとると、ＡとＢの成分比
によって、Ａ球状相／Ｂマトリックス、Ａ円柱状相／Ｂ
マトリックス、ＡＢ交互ラメラ相、Ｂ円柱状相／Ａ、Ｂ
球状相／Ａの相分離構造パターンが発現し、超微粒子が
ＡあるいはＢと親和性があれば、超微粒子の球状相、円
柱状相、ラメラ相を形成させてもよい（図２（ｃ））。
このように超微粒子が偏在した相と偏在していない相が
交互に周期的に配列した場合、誘電率（あるいは屈折
率）が周期的に変調するため、その周期が光学波長領域
であれば、ある特定の波長の光のみを透過させないフォ
トニックバンドギャップを形成させることが可能とな
る。 これらの応用としては、超微粒子として発光性の
ものを利用すれば、従来よりも低しきい値のレーザー発
振が可能になる。また超微粒子として非線形光学特性を
有するものを利用すれば、非線形光学特性の増加が期待
される。
【００２２】
【実施例】以下に実施例により本発明の具体的内容を更
に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、これらの実施例によって限定されるものではない。 実施例１ パイレックス（登録商標）ガラス基板上に４ｍｇのＴＯ
ＰＯ（トリオクチルホスフィンオキシド）被覆ＣｄＳｅ
ナノ粒子（粒径約３ｎｍ）と２ｍｇのポリスチレンと２
ｍｇのポリメチルメタクリレートをトルエン２００μｌ
に溶かしたトルエン溶液を滴下し、回転数１０００ｒｐ
ｍ、回転時間５ｍｉｎの条件でスピンコート法にて薄膜
を作製した。用いたポリスチレンとポリメチルメタクリ
レートの重量平均分子量は、約２×１０5であった。ス
ピンコートした後、脱気乾燥をおこなった。得られたス
ピンコート薄膜の厚みは約１００ｎｍであった。
に詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限
り、これらの実施例によって限定されるものではない。 実施例１ パイレックス（登録商標）ガラス基板上に４ｍｇのＴＯ
ＰＯ（トリオクチルホスフィンオキシド）被覆ＣｄＳｅ
ナノ粒子（粒径約３ｎｍ）と２ｍｇのポリスチレンと２
ｍｇのポリメチルメタクリレートをトルエン２００μｌ
に溶かしたトルエン溶液を滴下し、回転数１０００ｒｐ
ｍ、回転時間５ｍｉｎの条件でスピンコート法にて薄膜
を作製した。用いたポリスチレンとポリメチルメタクリ
レートの重量平均分子量は、約２×１０5であった。ス
ピンコートした後、脱気乾燥をおこなった。得られたス
ピンコート薄膜の厚みは約１００ｎｍであった。
【００２３】モルフォロジー観察には、光学顕微鏡を用
いた。図３に光学顕微鏡観察したスピンコート薄膜の結
果を示す。ポリスチレンとポリメチルメタクリレートと
が相分離している様子が観察され、そのドメインサイズ
は約３０〜６０μｍであった。またそれぞれの領域にお
けるナノ粒子の分散状態が異なることが観察された。そ
こで、それぞれの領域がどの高分子に相当するかを調べ
るために、ポリスチレンにのみ選択的に沃化するシクロ
ヘキサンを用いて、ポリスチレンのみを該スピンコート
薄膜から溶出させた。具体的には、シクロヘキサン溶液
に該スピンコート薄膜の一部を約２時間浸した。浸せき
した膜を取り出し、乾燥させた後、光学顕微鏡観察を実
施した。図４に示した光学顕微鏡写真からＣｄＳｅ粒子
がリッチな領域は、ポリスチレンであることが確認され
た。つまり、ＣｄＳｅ粒子は、ポリスチレンとの親和性
がポリメチルメタクリレートに比べて強いことがわかっ
た。この例に示される相分離構造の構造単位である特徴
的長さをＦＦＴにより計算した。その結果、この相分離
構造の特徴的長さは、３０〜６０μｍであった。
いた。図３に光学顕微鏡観察したスピンコート薄膜の結
果を示す。ポリスチレンとポリメチルメタクリレートと
が相分離している様子が観察され、そのドメインサイズ
は約３０〜６０μｍであった。またそれぞれの領域にお
けるナノ粒子の分散状態が異なることが観察された。そ
こで、それぞれの領域がどの高分子に相当するかを調べ
るために、ポリスチレンにのみ選択的に沃化するシクロ
ヘキサンを用いて、ポリスチレンのみを該スピンコート
薄膜から溶出させた。具体的には、シクロヘキサン溶液
に該スピンコート薄膜の一部を約２時間浸した。浸せき
した膜を取り出し、乾燥させた後、光学顕微鏡観察を実
施した。図４に示した光学顕微鏡写真からＣｄＳｅ粒子
がリッチな領域は、ポリスチレンであることが確認され
た。つまり、ＣｄＳｅ粒子は、ポリスチレンとの親和性
がポリメチルメタクリレートに比べて強いことがわかっ
た。この例に示される相分離構造の構造単位である特徴
的長さをＦＦＴにより計算した。その結果、この相分離
構造の特徴的長さは、３０〜６０μｍであった。
【００２４】比較例１ パイレックスガラス基板上に４ｍｇのＴＯＰＯ被覆Ｃｄ
Ｓｅナノ粒子（粒径約３ｎｍ）と４ｍｇのポリスチレン
をトルエン２００μｌに溶かしたトルエン溶液を滴下
し、回転数１０００ｒｐｍ、回転時間５ｍｉｎの条件で
スピンコート法にて薄膜を作製した。用いたポリスチレ
ンの重量平均分子量は、約２×１０5であった。スピン
コートした後、脱気乾燥をおこなった。得られたスピン
コート薄膜の厚みは約１００ｎｍであった。
Ｓｅナノ粒子（粒径約３ｎｍ）と４ｍｇのポリスチレン
をトルエン２００μｌに溶かしたトルエン溶液を滴下
し、回転数１０００ｒｐｍ、回転時間５ｍｉｎの条件で
スピンコート法にて薄膜を作製した。用いたポリスチレ
ンの重量平均分子量は、約２×１０5であった。スピン
コートした後、脱気乾燥をおこなった。得られたスピン
コート薄膜の厚みは約１００ｎｍであった。
【００２５】モルフォロジー観察には、光学顕微鏡を用
いた。図５に光学顕微鏡観察したスピンコート薄膜の結
果を示す。実施例の光学顕微鏡図（図３）と比較して明
らかなように、ポリスチレンのみの薄膜では、超微粒子
であるCdSeが膜に一様に分布しており、偏在するしてい
ないことがわかった。 比較例２ パイレックスガラス基板上に４ｍｇのＴＯＰＯ被覆Ｃｄ
Ｓｅナノ粒子（粒径約３ｎｍ）と４ｍｇのポリメチルメ
タクリレートをトルエン２００μｌに溶かしたトルエン
溶液を滴下し、回転数１０００ｒｐｍ、回転時間５ｍｉ
ｎの条件でスピンコート法にて薄膜を作製した。用いた
ポリメチルメタクリレートの重量平均分子量は、約２×
１０5であった。スピンコートした後、脱気乾燥をおこ
なった。得られたスピンコート薄膜の厚みは約１００ｎ
ｍであった。
いた。図５に光学顕微鏡観察したスピンコート薄膜の結
果を示す。実施例の光学顕微鏡図（図３）と比較して明
らかなように、ポリスチレンのみの薄膜では、超微粒子
であるCdSeが膜に一様に分布しており、偏在するしてい
ないことがわかった。 比較例２ パイレックスガラス基板上に４ｍｇのＴＯＰＯ被覆Ｃｄ
Ｓｅナノ粒子（粒径約３ｎｍ）と４ｍｇのポリメチルメ
タクリレートをトルエン２００μｌに溶かしたトルエン
溶液を滴下し、回転数１０００ｒｐｍ、回転時間５ｍｉ
ｎの条件でスピンコート法にて薄膜を作製した。用いた
ポリメチルメタクリレートの重量平均分子量は、約２×
１０5であった。スピンコートした後、脱気乾燥をおこ
なった。得られたスピンコート薄膜の厚みは約１００ｎ
ｍであった。
【００２６】モルフォロジー観察には、光学顕微鏡を用
いた。図６に光学顕微鏡観察したスピンコート薄膜の結
果を示す。実施例の光学顕微鏡図（図３）と比較して明
らかなように、ポリメチルメタクリレートのみの薄膜で
は、超微粒子であるCdSeが膜に一様に分布しており、偏
在するしていないことがわかった。
いた。図６に光学顕微鏡観察したスピンコート薄膜の結
果を示す。実施例の光学顕微鏡図（図３）と比較して明
らかなように、ポリメチルメタクリレートのみの薄膜で
は、超微粒子であるCdSeが膜に一様に分布しており、偏
在するしていないことがわかった。
【００２７】
【発明の効果】本発明の相分離材料は、自発的な相分離
構造形成を利用して、超微粒子を相分離構造の一方の相
に偏在させたものであり、この結果、周期的な誘電率分
布を形成させることができるので、フォトニックバンド
構造を有する光学材料として利用可能である。
構造形成を利用して、超微粒子を相分離構造の一方の相
に偏在させたものであり、この結果、周期的な誘電率分
布を形成させることができるので、フォトニックバンド
構造を有する光学材料として利用可能である。
【図１】相分離構造を表す模式図である。
【図２】 超微粒子が偏在する相分離構造の作製方法を
表す模式図である。
表す模式図である。
【図３】 実施例１により得られたスピンコート薄膜の
光学顕微鏡写真である。
光学顕微鏡写真である。
【図４】 実施例１により得られスピンコート薄膜から
ポリスチレンを溶出させた後の光学顕微鏡写真である。
ポリスチレンを溶出させた後の光学顕微鏡写真である。
【図５】 比較例１により得られたスピンコート薄膜の
光学顕微鏡写真である。
光学顕微鏡写真である。
【図６】 比較例２により得られたスピンコート薄膜の
光学顕微鏡写真である。
光学顕微鏡写真である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０９Ｋ 11/00 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｎ Ｚ (72)発明者 神谷 格 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 (72)発明者 吉江 建一 神奈川県横浜市青葉区鴨志田町1000番地 三菱化学株式会社横浜総合研究所内 Ｆターム(参考） 2H047 QA01 QA02 QA05 RA08 2H079 DA03 DA07 DA16 2K002 CA02 CA06 CA24 DA04 FA08 4H001 CA01 5F041 CA31 CA41 CA46 CA67
Claims (8)
- 【請求項１】 ２種以上の相が相分離構造を形成し、そ
の少なくとも１種の相に超微粒子が偏在してなることを
特徴とする相分離材料。 - 【請求項２】 相分離構造を形成する相が、それぞれ高
分子材料、低分子材料及び無機材料から選ばれるいずれ
かである請求項１に記載の相分離材料。 - 【請求項３】 相分離を構成する構造単位の特性長が、
０．０１〜１０００μｍである請求項１または２に記載
の相分離材料。 - 【請求項４】 相分離構造を形成するそれぞれの相の屈
折率比が１．０１以上である請求項１〜３のいずれかに
記載の相分離材料。 - 【請求項５】 超微粒子が、金属、半導体、酸化物、色
素、及び高分子から選ばれる少なくとも１種である請求
項１〜４のいずれかに記載の相分離材料。 - 【請求項６】 超微粒子の粒子径が０．５〜１００ｎｍ
の範囲である請求項１〜５のいずれかに記載の相分離材
料。 - 【請求項７】 超微粒子の偏在してなる相がラメラ状、
円柱状、及び球状のいずれかの相構造を形成してなる請
求項１〜６のいずれかに記載の相分離材料。 - 【請求項８】 超微粒子が偏在してなる相において、該
超微粒子が周期配列構造を形成してなる請求項１〜７の
いずれかに記載の相分離材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000138205A JP2001318201A (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 相分離材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000138205A JP2001318201A (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 相分離材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001318201A true JP2001318201A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=18645852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000138205A Pending JP2001318201A (ja) | 2000-05-11 | 2000-05-11 | 相分離材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001318201A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003307607A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Nitto Denko Corp | 異方性相分離構造体、当該異方性相分離構造体を用いたフィルム及び異方性相分離構造物、並びに前記フィルムを貼着した表示装置 |
| JP2004087531A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 素子基板及びその製造方法、電子装置及びその製造方法、光学装置及びその製造方法、並びに、電子機器 |
| JP2006297580A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Canon Inc | 構造体、その製造方法、及び該構造体を用いたデバイス |
| JP2008037089A (ja) * | 2006-03-17 | 2008-02-21 | Canon Inc | 凹凸構造を有する型及び光学素子用型の製造方法並びに光学素子 |
| JP2008520450A (ja) * | 2004-11-22 | 2008-06-19 | ウィスコンシン・アラムナイ・リサーチ・ファウンデーション | 非周期的パターン共重合体フィルムのための方法及び組成 |
| JP5472446B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-04-16 | 株式会社豊田中央研究所 | ナノヘテロ構造体およびその製造方法 |
| JP2016536641A (ja) * | 2013-08-14 | 2016-11-24 | ナノコ テクノロジーズ リミテッドＮａｎｏｃｏ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 多相樹脂を用いた量子ドットフィルム |
-
2000
- 2000-05-11 JP JP2000138205A patent/JP2001318201A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003307607A (ja) * | 2002-04-17 | 2003-10-31 | Nitto Denko Corp | 異方性相分離構造体、当該異方性相分離構造体を用いたフィルム及び異方性相分離構造物、並びに前記フィルムを貼着した表示装置 |
| JP2004087531A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Seiko Epson Corp | 素子基板及びその製造方法、電子装置及びその製造方法、光学装置及びその製造方法、並びに、電子機器 |
| US7166872B2 (en) | 2002-08-22 | 2007-01-23 | Seiko Epson Corporation | Device substrate, production method therefor, electronic device, production method therefor, optic device, production method therefor, and electronic apparatus |
| JP2008520450A (ja) * | 2004-11-22 | 2008-06-19 | ウィスコンシン・アラムナイ・リサーチ・ファウンデーション | 非周期的パターン共重合体フィルムのための方法及び組成 |
| JP2006297580A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-11-02 | Canon Inc | 構造体、その製造方法、及び該構造体を用いたデバイス |
| JP2008037089A (ja) * | 2006-03-17 | 2008-02-21 | Canon Inc | 凹凸構造を有する型及び光学素子用型の製造方法並びに光学素子 |
| JP5472446B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2014-04-16 | 株式会社豊田中央研究所 | ナノヘテロ構造体およびその製造方法 |
| JP2014111305A (ja) * | 2010-03-18 | 2014-06-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | ナノヘテロ構造体 |
| JP2016536641A (ja) * | 2013-08-14 | 2016-11-24 | ナノコ テクノロジーズ リミテッドＮａｎｏｃｏ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 多相樹脂を用いた量子ドットフィルム |
| US11335834B2 (en) | 2013-08-14 | 2022-05-17 | Nanoco Technologies, Ltd. | Quantum dot films utilizing multi-phase resins |
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Legal Events
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070828 |
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080108 |