KR101136878B1 - 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체 및 이를 이용한 유기전자소자 - Google Patents
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- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Abstract
기능성 블록공중합체-나노입자 복합체 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공한다. 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체는 나노입자 결합성 고분자 블록과 전도성 고분자 블록으로 이루어진 블록공중합체 및 상기 나노입자 결합성 고분자 블록에 선택적으로 결합되어 상기 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에 분산된 나노입자를 포함한다. 유기전자소자는 상술한 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 포함하는 유기 활성층, 상기 유기 활성층의 일측에 접하는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 대향 배치되며 상기 유기 활성층의 타측에 접하는 제2 전극을 포함한다. 본 발명에 따르면, 기능성 블록공중합체의 자기조립 현상을 이용하여 다양한 형태의 고분자 매트릭스를 형성할 수 있으며, 나노입자를 나노입자 결합성 고분자 블록에 선택적으로 결합시킴으로써 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에 효과적으로 분산시킬 수 있다. 즉, 나노 복합체 형성을 위해 별도의 분산 안정제를 사용할 필요가 없으며, 하나의 블록공중합체를 통해 고분자의 기능성 및 나노입자의 특성을 융합함으로써 기존의 물성 향상 내지 새로운 물성을 구현할 수 있다.
Description
본 발명은 나노 복합체 및 그 응용에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체 및 이를 이용한 유기전자소자에 관한 것이다.
고분자-나노입자 복합체는 고분자가 갖는 다양한 기능성 및 나노입자가 갖는 독특한 전기적, 광학적, 화학적 및 생물학적 특성 뿐만 아니라 단일계가 갖지 못하는 새로운 특성을 나타내는 장점이 있으므로 최근 과학 및 산업분야에서 관심이 집중되고 있다. 이러한 고분자-나노입자 복합체를 통한 기존의 물성 향상 내지 새로운 물성 구현을 위해서는 도입되는 나노입자의 크기 및 모양을 원하는 형태로 제어하는 것이 중요하다. 또한, 나노입자는 그들의 높은 표면 에너지 때문에 서로 응집되는 경향이 있으므로 나노입자의 분산 안정성을 확보하는 것도 중요하다.
그러나, 단순히 기능성 고분자와 나노입자를 블렌드화한 시스템은 나노 입자와 고분자와의 상이성으로 인하여 나노입자가 응집없이 고분자 매트릭스 내에 분산되기는 어려운 문제가 있다. 이에 고분자-나노입자 복합체 형성을 위한 많은 방법 이 보고되고 있으나, 종래의 방법은 대체로 나노입자의 분산 안정성 및 고분자와의 상용성 확보를 위해 수용성 고분자를 캡핑(capping)물질로 사용하여 나노입자를 보호하고, 기능성 고분자와 블렌드화함으로써 물성 향상을 도모하는 것이 일반적이었다. 그러나, 캡핑물질은 그 종류에 따라 나노입자의 물성 변화에 많은 영향을 끼칠 수 있으며, 시간(aging 효과)과 열 등에 의한 열화(劣化) 현상을 보이는 문제가 있어 안정적인 물성 확보에 문제가 있다. 따라서, 나노입자의 분산 안정성을 확보하는 한편, 향상된 물성을 안정적으로 보유할 수 있는 효과적인 기능성 고분자-나노입자의 복합체에 대한 개발이 필요하다고 할 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 나노입자 분산 안정성 및 향상된 물성을 갖는 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 유기 활성층으로 이용한 유기전자소자를 제공함에 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 제공한다. 상기 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체는 나노입자 결합성 고분자 블록과 전도성 고분자 블록으로 이루어진 블록공중합체 및 상기 나노입자 결합성 고분자 블록에 선택적으로 결합되어 상기 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에 분산된 나노입자를 포함한다.
상기 나노입자 결합성 고분자 블록은 비공유전자를 갖는 산소 또는 질소를 포함할 수 있으며, 상기 비공유전자를 갖는 산소 또는 질소를 포함하는 나노입자 결합성 고분자 블록은 폴리에틸렌옥사이드계 또는 폴리비닐피리딘계 고분자일 수 있다.
상기 폴리비닐피리딘계 고분자는 폴리(2-비닐피리딘) 또는 폴리(4-비닐피리딘)일 수 있다.
또한, 상기 전도성 고분자 블록은 폴리아세틸렌계, 폴리아닐린계, 폴리피롤계, 폴리티오펜계, 폴리페닐렌비닐렌계 및 폴리카바졸계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다.
상기 폴리카바졸계 고분자는 하기의 화합물군으로부터 선택되는 적어도 어느 한 단량체의 중합반응에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상기 블록공중합체의 고분자 매트릭스는 마이셀 또는 네트워크 구조를 가질 수 있다.
또한, 상기 나노입자는 나노 크기의 금속, 금속 산화물, 반도체, 풀러렌 및 풀러렌 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 납(Pb), 아연(Zn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 루테늄(Ru), 칼슘(Ca), 철(Fe), 마그네슘(Mg) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나이고,
상기 금속 산화물은 타이타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 산화물(SiO2), 주석 산화물(SnO2), 인듐 산화물(In2O3), 또는 알루미늄(Al2O3) 산화물 중 적어도 어느 하나이며,
상기 반도체는 황화카드뮴(CdS), 셀렌화카드뮴(CdSe), 황화아연(ZnS), 셀렌화아연(ZnSe), 황화납(PbS) 또는 카드뮴텔루라이드(CdTe) 중 적어도 어느 하나이고,
상기 풀러렌 유도체는 PCBM, PC70BM 또는 PCBCR 중 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 이용한 유기전자소자를 제공한다. 상기 유기전자소자는 상술한 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 포함하는 유기 활성층, 상기 유기 활성층의 일측에 접하는 제1 전극 및 상기 제1 전극과 대향 배치되며 상기 유기 활성층의 타측에 접하는 제2 전극을 포함한다.
상기 유기 활성층은 메모리 특성을 가질 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 나노입자 결합성 고분자 블록과 전도성 고분자 블록으로 이루어진 블록공중합체의 자기조립 현상을 이용하여 다양한 형태의 고분자 매트릭스를 형성할 수 있으며, 나노입자를 나노입자 결합성 고분자 블록에 선택적으로 결합시킴으로써 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에 응집없이 효과적으로 분산시킬 수 있다. 즉, 나노 복합체 형성을 위해 별도의 분산 안정제를 사용할 필요가 없으며, 하나의 블록공중합체를 통해 고분자의 기능성 및 나노입자의 특성을 융합함으로써 기존의 물성 향상 내지 새로운 물성을 구현할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체는 나노입자 결합성 고분자 블록과 전도성 고분자 블록으로 이루어진 블록공중합체 및 상기 나노입자 결합성 고분자 블록에 선택적으로 결합되어 상기 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에 분산된 나노입자를 포함한다.
본 발명의 명세서 전체에 걸쳐, 기능성 블록공중합체란 나노입자 결합성 고분자 블록과 전도성 고분자 블록으로 이루어진 블록공중합체를 의미하며, 블록공중합체의 고분자 매트릭스란 블록공중합체에 의해 우세하게 점유된 영역을 의미한다. 또한 나노 복합체란 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체와 동일한 의미로 해석된다.
상기 나노입자 결합성 고분자 블록은 나노 복합체 형성에 있어, 도입되는 나노입자 또는 나노입자의 전구물질과 결합 가능한 고분자로 이루어진 부분을 말하 며, 비공유전자를 갖는 산소 또는 질소를 포함할 수 있다. 상기 비공유전자는 나노입자 결합성 고분자 블록과 나노입자 또는 나노입자의 전구물질과의 상호작용의 추진력을 제공함으로써, 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에서 나노입자가 안정적으로 분산될 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다.
상기 비공유전자를 갖는 산소 또는 질소를 포함하는 나노입자 결합성 고분자 블록은 폴리에틸렌옥사이드(poly(ethylene oxide))계 또는 폴리비닐피리딘(poly(vinyl pyridine))계 고분자일 수 있으며, 예를 들어 상기 폴리비닐피리딘계 고분자는 하기의 화학식 1로 표시되는 폴리(2-비닐피리딘)(poly(2-vinyl pyridine), P2VP) 또는 하기의 화학식 2로 표시되는 폴리(4-비닐피리딘)(poly(4-vinyl pyridine), P4VP) 일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<화학식 1>
<화학식 2>
또한, 상기 전도성 고분자 블록은 폴리아세틸렌(polyacetylene)계, 폴리아 닐린(polyaniline)계, 폴리피롤(polypyrrole)계, 폴리티오펜(polythiophene)계, 폴리페닐렌비닐렌(poly(phenylene vinylene)계 및 폴리카바졸(polycarbazole)계 고분자로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 실시예의 상기 폴리카바졸계 고분자는 카바졸 또는 카바졸 유도체의 중합반응에 의해 형성될 수 있으며, 예를 들어 하기의 화합물군으로부터 선택되는 적어도 어느 한 단량체의 중합반응에 의해 형성될 수 있다.
상기 기능성 블록공중합체를 용매에 용해시키고, 블록공중합체의 자기조립 현상을 이용하여 다양한 형태의 구조를 갖는 고분자 매트릭스를 형성할 수 있다. 예를 들어, 기능성 블록공중합체를 선택적 용매에 녹여 코어(core)와 쉘(shell)로 구성된 마이셀(micelle) 구조로 형성할 수 있으며, 양친매성 용매에 녹여 네트워크(network) 구조로 형성할 수 있다. 이외에도 블록공중합체의 분자량, 블록간의 부피 분율 등을 조절하여 라멜라 구조, 실린더 구조 등으로 다양하게 형성할 수 있다.
상기 나노입자는 나노 크기의 금속, 금속 산화물, 반도체, 풀러렌(fullerene) 및 풀러렌 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나일 수 있다.
상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 납(Pb), 아연(Zn), 니켈(Ni), 구리(Cu), 주석(Sn), 루테늄(Ru), 칼슘(Ca), 철(Fe), 마그네슘(Mg) 또는 알루미늄(Al) 중 적어도 어느 하나일 수 있고, 상기 금속 산화물은 타이타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 산화물(SiO2), 주석 산화물(SnO2), 인듐 산화물(In2O3), 또는 알루미늄 산화물(Al2O3) 중 적어도 어느 하나일 수 있으며, 상기 반도체는 황화카드뮴(CdS), 셀렌화카드뮴(CdSe), 황화아연(ZnS), 셀렌화아연(ZnSe), 황화납(PbS) 또는 카드뮴텔루라이드(CdTe) 중 적어도 어느 하나일 수 있고, 상기 풀러렌 유도체는 PCBM((6,6)-phenyl-C61-butyric acid methylester), PC70BM((6,6)-phenyl-C70-butyric acid methyl ester) 또는 PCBCR((6,6)-phenyl-C61-butyric acid cholesteryl ester) 중 적어도 어느 하나일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 또는 반도체 나노입자는 그들의 전구물질을 블록공중합체가 용해된 용매에 첨가한 후 환원제를 도입함으로써 나노 복합체로 제조할 수 있으며, 금속 산화물 또는 풀러렌(풀러렌 유도체 포함) 나노입자는 그들을 직접 블록공중합체가 용해된 용매에 도입함으로써 나노 복합체로 제조할 수 있다. 예를 들어, 금 나노입자의 경우 그 전구물질로서 HAuCl4 등을, 은 나노입자의 경우 그 전구물질로서 AgNO3 등을 사용할 수 있으며, 황화카드뮴 나노입자의 경우 그 전구물질로서 Cd(Acetate)2 등을, 황화아연 나노입자의 경우 그 전구물질로서 Zn(Acetate)2 등을 사용할 수 있다. 이후, 상기 나노입자 전구물질을 적절한 환원제, 예를 들어 하이드라진(N2H2), 수소화붕소나트륨(NaBH4), 황화나트륨(Na2S) 등과 같은 물질을 첨가함으로써 최종적으로 나노입자로 형성할 수 있다. 이러한 과정에서, 상기 나노입자의 전구물질 내지 나노입자는 나노입자 결합성 고분자 블록이 갖는 비공유전자의 공여 내지 배위에 의해 나노입자 결합성 고분자 블록에 선택적으로 결합하게 되며, 이로써 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에서 효과적으로 분산된 형태로 존재하게 된다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상술한 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 포함하는 유기전자소자를 제공한다.
상기 유기전자소자는 상술한 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체를 포함하는 유기 활성층, 상기 유기 활성층에 일측에 접하는 제1 전극 및 상기 제1 전극 과 대향 배치되며 상기 유기 활성층의 타측에 접하는 제2 전극을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd) 또는 이들의 합금, 및 ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluoride-doped Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Al-doped Zinc Oxide) 또는 ZnO(Zinc Oxide) 중에서 선택될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 열기상증착(thermal evaporation), 전자빔증착(e-beam evaporation), RF 스퍼터링(Radio Frequency sputtering) 또는 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering)법 등에서 적절하게 선택된 방법에 의해 형성할 수 있다.
또한, 상기 유기 활성층은 스핀 코팅(spin coating), 딥 코팅(dip coating), 드롭 코팅(drop coating), 잉크젯 프린팅(ink-jet printing), 스프레이 코팅(spray coating) 또는 스크린 프린팅(screen printing) 등의 용액 공정에 의해 형성할 수 있으며, 소자의 종류 및 특성을 고려하여 적절한 두께로 형성할 수 있다.
상기 유기전자소자의 유기 활성층은 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체가 발현하는 물성에 따라 광전변환층(photoelectronic cnnversion layer), 발광층(light emitting layer) 또는 메모리(memory) 특성을 갖는 유기층으로서의 기능을 수행할 수 있다. 예를 들어, 기능성 블록공중합체로 폴리(2-비닐피리딘)-b-폴리(2-(N-카바졸일)에틸 메타크릴레이트)(P2VP-b-PCzMA)를 사용하고, 나노입자로 타 이타늄 산화물(TiO2)을 사용하여 제조된 나노 복합체를 상기 유기전자소자의 유기 활성층으로 도입하는 경우, 일정 크기의 전압 범위에서 두 종류의 전류상태를 나타내는 메모리 특성을 발현할 수 있다. 이는 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에 나노입자를 도입함으로써, 고분자로부터 나노입자로의 전자 이동에 의한 전하 트랩핑(trapping) 현상에 의하여 on/off 상태에서의 저항 차이를 일으켜 메모리 특성을 구현할 수 있는 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실험예(example)를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐, 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것은 아니다.
블록공중합체
-나노입자 복합체의 제조
<제조예 1>
폴리(2-비닐피리딘)과 폴리(2-(N-카바졸일)에틸 메타크릴레이트) 블록공중합체(P2VP-b-PCzMA)를 PCzMA의 선택적 용매인 톨루엔(toluene)에 용해시켜 마이셀을 형성하였다. 여기서, P2VP-b-PCzMA의 분자량은 18,000이며, P2VP의 몰분율은 0.5이다. 5.0 mg/mL 농도의 블록공중합체 마이셀 용액 1mL에 금 나노입자의 전구체인 HAuCl4(aq)를 10μL 첨가한 후, 24시간 이상 충분히 교반시켜 금(Au) 나노입자 전구체가 블록공중합체 마이셀의 P2VP와 결합하게 하였다. 마이셀 용액이 안정화된 다 음 환원제인 하이드라진 수화물(N2H4?H2O)을 몰비에 맞춰 첨가하여 금 이온을 환원함으로써, 블록공중합체-금 나노입자 복합체를 형성하였다.
도 1은 P2VP-b-PCzMA를 블록공중합체로 사용하여 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 개략도이다.
도 1을 참조하면, 나노입자 결합성 고분자 블록에 해당하는 폴리(2-비닐피리딘) 블록에 나노입자가 선택적으로 위치함으로써 별도의 분산 안정제의 첨가 없이 나노입자를 효과적으로 분산시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 상기 제조예 1에 따라 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 TEM 이미지 및 EDX 분석 그래프이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 블록공중합체 마이셀의 코어 영역에 금 나노입자가 선택적으로 형성되며, 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에서 고르게 분산되어 있음을 확인할 수 있다.
<제조예 2>
폴리(2-비닐피리딘)과 폴리(2-(N-카바졸일)에틸 메타크릴레이트) 블록공중합체(P2VP-b-PCzMA)를 PCzMA의 선택적 용매인 톨루엔(toluene)에 용해시켜 마이셀을 형성하였다. 여기서, P2VP-b-PCzMA의 분자량은 18,000이며, P2VP의 몰분율은 0.5이 다. 5.0 mg/mL 농도의 블록공중합체 마이셀 용액 0.5mL에 톨루엔에 용해되어 있는 풀러렌 용액 0.5mL를 첨가한 후, 24시간 동안 교반하여 블록공중합체-풀러렌 나노입자 복합체를 제조하였다.
도 3은 상기 제조예 2에 따라 제조된 블록공중합체-풀러렌 나노입자 복합체의 TEM 이미지이다.
도 3을 참조하면, 금속 나노입자 뿐만 아니라 풀러렌 나노입자도 블록공중합체 마이셀의 코어 영역에 선택적으로 결합 가능하며, 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에서 고르게 분산되어 있음을 확인할 수 있다.
<제조예 3>
선택적 용매인 톨루엔 대신 양친매성 용매인 THF에 블록공중합체를 용해시켜 네트워크 구조의 고분자 매트릭스를 형성한 것을 제외하고는, 상기 제조예 1의 방법과 동일한 방법을 수행하여, 블록공중합체-금 나노입자 복합체를 제조하였다.
도 4는 상기 제조예 3에 따라 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 TEM 이미지이다.
도 4를 참조하면, 마이셀 구조의 고분자 매트릭스 뿐만 아니라 네트워크 구조의 고분자 매트릭스 내에서도 금 나노입자가 고르게 분산되어 있음을 확인할 수 있다.
<제조예 4>
폴리(2-비닐피리딘)과 폴리(2-(N-카바졸일)에틸 메타크릴레이트) 블록공중합체(P2VP-b-PCzMA)를 양친매성 용매인 THF에 용해시켜 네트워크 구조의 고분자 매트릭스를 형성하였다. 여기서, P2VP-b-PCzMA의 분자량은 18,000이며, P2VP의 몰분율은 0.5이다. 5.0 mg/mL 농도의 블록공중합체 용액 0.5mL에 톨루엔에 용해되어 있는 타이타늄 산화물(TiO2) 용액 0.5mL를 첨가한 후, 24시간 동안 교반하여 블록공중합체-타이타늄 산화물 나노입자 복합체를 제조하였다.
도 5a 및 도 5b는 상기 제조예 4에 따라 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 TEM 이미지 및 EDX 분석 그래프이다.
도 5a 및 도 5b를 참조하면, 네트워크 구조의 고분자 매트릭스 내에서도 타이타늄 산화물 나노입자가 고르게 분산되어 있음을 확인할 수 있다.
블록공중합체
-나노입자 복합체를 이용한 유기전자소자의 제조 및 특성 분석
<제조예 5>
유리 기판 상에 제1 전극으로 100 ㎛의 선너비를 가진 8개의 선패턴된 ITO를 이용하였으며, 유기 활성층의 코팅 전에 불순물을 깨끗이 제거하였다. 다음, 유기 활성층으로 상기 제조예 4에 따라 제조된 블록공중합체-타이타늄 산화물(P2VP-b- PCzMA:TiO2)을 스핀 코팅(2000rpm)한 후, 열기판 위에서 100℃로 10분 동안 열처리하여 용매를 제거하였다. 이어서, 제2 전극으로 알루미늄(Al)을 전자-빔 증착을 통해 유기 활성층 상에 100 nm 두께로 증착하여 유기전자소자를 제작하였다.
<비교예 1>
유기 활성층으로 타이타늄 산화물(TiO2)이 포함되지 않은 블록공중합체(P2VP-b-PCzMA)를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 5의 방법과 동일한 방법을 수행하여 유기전자소자를 제작하였다.
<분석예>
상기 제조예 5 및 비교예 1 따라 각각 제조된 ITO/P2VP-b-PCzMA:TiO2/Al 소자 및 ITO/P2VP-b-PCzMA/Al의 전류-전압 특성을 분석하였다.
도 6a 및 도 6b는 상기 제조예 5 및 상기 분석예 1에 따라 각각 제조된 소자의 전류-전압 곡선이다.
도 6a을 참조하면, 상기 제조예 5에 따라 제조된 소자의 경우 일정 범위의 전압 하에서 두 종류의 전류 상태(on/off 상태)를 나타내는 메모리 특성을 보여주는 것을 확인할 수 있다. 그러나, 도 6b를 참조하면, 상기 비교예 1에 따라 제조된 소자의 경우 켜진 상태(on state)만 가능함을 확인할 수 있다.
이는 상기 제조예 5에 따라 제조된 소자의 경우 타이타늄 산화물이 P2VP-b- PCzMA 내에서 잘 분산되어 전하를 축적해 주는 역할을 하기 때문이다.
또한, 상기 제조예 5에 따라 제조된 ITO/P2VP-b-PCzMA:TiO2/Al 소자의 인듀어런스(endurance) 특성과 리텐션(retention) 특성을 분석하였다.
도 7a 및 도 7b는 상기 제조예 5에 따라 제조된 ITO/P2VP-b-PCzMA:TiO2/Al 소자의 메모리 동작의 지속성(endurance) 및 정보 저장 시간(retention time)을 각각 나타낸 그래프이다.
도 7a 및 도 7b에 도시된 바와 같이, 상기 제조예 5에 따라 제조된 소자의 경우 우수한 스위칭 특성과 재현성을 가짐을 알 수 있으며, 본 실시예에 따른 기능성 블록공중합체-나노입자 복합체의 메모리 소자로의 응용성을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 및 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형 및 변경이 가능하다.
도 1은 P2VP-b-PCzMA를 블록공중합체로 사용하여 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 개략도이다.
도 2a 및 도 2b는 제조예 1에 따라 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 TEM 이미지 및 EDX 분석 그래프이다.
도 3은 제조예 2에 따라 제조된 블록공중합체-풀러렌 나노입자 복합체의 TEM 이미지이다.
도 4는 상기 제조예 3에 따라 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 TEM 이미지이다.
도 5a 및 도 5b는 제조예 4에 따라 제조된 블록공중합체-나노입자 복합체의 TEM 이미지 및 EDX 분석 그래프이다.
도 6a 및 도 6b는 제조예 5 및 분석예 1에 따라 각각 제조된 소자의 전류-전압 곡선이다.
도 7a 및 도 7b는 제조예 5에 따라 제조된 ITO/P2VP-b-PCzMA:TiO2/Al 소자의 메모리 동작의 지속성(endurance) 및 정보 저장 시간(retention time)을 각각 나타낸 그래프이다.
Claims (11)
- 폴리비닐피리딘계 고분자 블록과 폴리카바졸계 고분자 블록으로 이루어진 블록공중합체에 금속산화물 나노입자가 결합된 블록공중합체-나노입자 복합체를 포함하는 유기 활성층;상기 유기 활성층의 일측에 접하는 제1 전극; 및상기 제1 전극과 대향 배치되며 상기 유기 활성층의 타측에 접하는 제2 전극을 포함하고,상기 나노입자는 상기 블록공중합체의 고분자 블록 중 상기 폴리비닐피리딘계 고분자 블록에 선택적으로 결합되어 상기 블록공중합체의 고분자 매트릭스 내에 분산된 상태로 존재하고,상기 유기 활성층은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극을 통해 인가되는 전압하에서 두 종류의 전류상태(on/off 상태)를 나타내는 메모리 특성을 갖는 것인 유기 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 폴리비닐피리딘계 고분자는 폴리(2-비닐피리딘) 또는 폴리(4-비닐피리딘)인 유기 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 폴리카바졸계 고분자는 하기의 화합물군으로부터 선택되는 적어도 어느 한 단량체의 중합반응에 의해 형성되는 것인 유기 메모리 소자:,
(a는 0 내지 2의 정수),
(b는 1 내지 3의 정수) 및
(c는 0 또는 1).
- 제1항에 있어서,상기 블록공중합체의 고분자 매트릭스는 상기 블록공중합체의 자기조립에 의해 형성된 마이셀 또는 네트워크 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자.
- 제1항에 있어서,상기 금속산화물은 타이타늄 산화물(TiO2), 지르코늄 산화물(ZrO2), 아연 산화물(ZnO), 실리콘 산화물(SiO2), 주석 산화물(SnO2), 인듐 산화물(In2O3), 또는 알루미늄 산화물(Al2O3) 중 적어도 어느 하나인 유기 메모리 소자.
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- 2009-11-11 KR KR1020090108415A patent/KR101136878B1/ko not_active IP Right Cessation
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