JP6058126B2 - 高反射剤を用いた量子収量の向上 - Google Patents

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Description

<関連する出願>
本出願は、2012年5月22日に出願された仮出願第61/650,238号の正規の出願であって、当該仮出願の優先権を主張する。引用を以て、当該仮出願の全ての内容を、本明細書に組み込んだものとする。
<技術分野>
本発明は、概して、高発光材料の組成に関する。本発明は、より詳細には、発光特性を向上させたナノ粒子組成物に関する。
直径が2乃至50nm程度の粒子からなる化合物半導体は、しばしば量子ドット(QDs)、ナノ粒子、又はナノ結晶とも呼ばれ、それらの調製と特性に、かなりの関心がもたれている。主に、これらの材料のサイズに関連する電子特性に起因して、関心がもたれており、それらは、多くの商業的用途において、例えば、光学装置、電子装置、生体標識、太陽電池、触媒作用、生体撮像、発光ダイオード、一般空間照明、エレクトロルミネッセントディスプレイ及びフォトルミネッセンスディスプレイにおいて利用できる。
特に関心のある関連分野は、液晶ディスプレイ(LCD)の背面照明に、QDベースのエミッタを使用することである。従来のバックライトユニットは、コールドカソード蛍光灯(CCFL)と、均質な白色光の領域を大きくする拡散シートとからなっていた。エネルギーと大きさを抑制するために、最近のRGB−LEDは、CCFL光源に置き換えられている。更なる進展が、YAGのような従来の蛍光体(phosphor)を含むシートと組み合された青色LED励起光源に見られる。それによって、「蛍光体層」又は「蛍光体シート」は、拡散層の付近又は頂部にて、光源/又は励起光源から離れて配置されている。
ダウンコンバージョン用途に使用される現在の蛍光材料(phosphorescent materials)は、UV又は主に青色光を吸収して、それをより長い波長に変換する。ほとんどの蛍光体は、三価希土類をドープした酸化物又はハロリン酸塩(halophosphates)を用いている。青、緑及び赤色領域にて放射する蛍光体を、青色又はUV放射ソリッドステートデバイスのものと混合することによって、白色放射が得られる。例えば、SrGa:Eu2+等の緑色蛍光体とSrSiEu2+等の赤色蛍光体とを加えた青色発光LEDや、Sr:Eu2+;Mu2+等の黄色蛍光体と青−緑色蛍光体とを加えたUV発光LEDである。
現在のところ、白色LEDは、青色LEDを黄色蛍光体と組み合わせることによっても製造されている。しかしながら、このやり方を用いると、LED及び蛍光体の同調性(tunability)の欠如により、色彩管理及び演色が粗末になる。更に、従来のLED蛍光体技術は、利用可能な蛍光色の欠如により、演色が粗末な(即ち、演色評価数(CRI)<75)ダウンコンバージョン材料を用いている。
LCD等のLED用途でのダウンコンバージョン材料として、QDの特性を利用することに対する大きな関心があった。それらの材料は、多くの商業的用途で利用できるサイズ調整可能な電子特性について、関心がもたれている。2つの基本的なファクターが半導体ナノ粒子の固有の特性に関与しており、双方とも、個々の半導体ナノ粒子のサイズに関連している。第1のファクターは、体積に対する表面の大きな比である。粒子が小さくなるにつれて、内部にある原子に対する表面原子の数の割合は増加する。これにより、材料の全般的な特性において、重要な役割を果たす表面特性が導かれる。第2のファクターは、半導体ナノ粒子を含む多くの材料に影響を及ぼすものであって、サイズによる材料の電子特性の変化である。即ち、量子閉込め効果によって、粒子のサイズが小さくなるにつれてバンドギャップが徐々により大きくなる。この効果は、「箱への電子(electron in a box)」の閉込めの結果であり、対応するバルク半導体材料で観察される連続的なバンドではなく、原子及び分子で観察されるバンドと類似した離散的エネルギーレベルを生じさせる。このため、半導体ナノ粒子では、それら物理パラメータが原因で、エネルギーが第1励起子遷移よりも大きい、電磁放射、光子の吸収によって生じる「電子と正孔(electron and hole)」が、対応するマクロ結晶材料中における場合よりも互いに接近しており、更に、クーロン力の相互作用を無視することができない。これにより、ナノ粒子材料の粒径及び組成に依存する狭帯域幅放出が導かれる。このため、QDは、対応するマクロ結晶材料よりも高い運動エネルギーを有し、その結果、第1励起子遷移(バンドギャップ)のエネルギーは、粒子径が減少するにつれて増大する。
コア型半導体ナノ粒子(Core semiconductor nanoparticles)は、外側の有機保護層(organic passivating layer)を伴った単一の半導体材料からなり、ナノ粒子表面に位置する欠陥及びダングリングボンドで起こる電子−正孔再結合が、非放射型の電子−正孔再結合になり得ることで、量子効率が比較的低くなる傾向がある。
QDの無機表面上の欠陥及びダングリングボンドを除去する1つの方法は、第2の半導体材料の一様なシェルでナノ粒子を覆うことである。この半導体材料は、典型的には、コアよりもかなり広いバンドギャップを有しており、コアから新たに形成された表面のシェルの原子への電荷キャリアのトンネリングを抑制する。シェル材料はまた、コア材料に対して、格子不整合が小さい必要がある。コアの原子とシェルの原子との結合距離の違いによって、格子不整合は、主として生じる。コア材料とシェル材料の格子不整合の違いは、ほんの僅かな割合かもしれないが、シェル堆積と粒子形態(morphology)の両方に加えて、結果として生じる粒子の量子収量(QY)を変えるのに十分である。QYは、サンプルで吸収される光子の数に対する、サンプルから放出される光子の数の単なる比率、即ち、(放出される光子)/(吸収される光子)であって、QDベース材料の相対的な「明るさ(brightness)」の測定とみなされることができる。小さな格子不整合は、コア粒子の表面へのシェルのエピタキシャル成長をもたらして、界面に欠陥がない又は欠陥が小さい「コア−シェル」粒子を与えるのに必須である。界面は、粒子のフォトルミネセンス量子収量(PLQY)を低減する非発光性再結合の経路を生じ得る。一例としては、CdSe又はInPコアの表面上に成長したZnSシェルである。CdSeに対する最も一般的な幾つかのシェル材料の格子不整合は、CdSでは、3.86%、ZnSeでは、6.98%、ZnSでは、11.2%である。
別のアプローチは、コア−マルチシェル型構造を形成することである。コア−マルチシェル型構造では、「電子−正孔」対が、単一のシェル層に完全に閉じ込められており、シェア層は、QD―量子井戸構造のような、特定の材料の幾つかの単分子層からなる。ここで、コアは、バンドギャップが広い材料、続いてシェルが薄く、バンドギャップが狭い材料からなり、更にはバンドギャップが広い層でキャッピング(cap)されている。例えば、CdS/HgS/CdSは、コアナノ結晶の表面のCdをHgに置換して、僅かな数の単分子層のHgSを堆積させて、更に、覆うように単分子層のCdSを成長させることで成長する。その結果として生じる構造は、HgS層における光励起キャリアの明確な閉込めを示し、PLQYが高くなり、光化学安定性が改善する。
QDに更なる安定性を加え、電子−正孔対の閉込めを容易にするために、最もよく見られるアプローチの一つに、コアの周囲に厚く頑強なシェル層を成長させることがある。しかしながら、コア材料とシェル材料の格子不整合によって、シェルの厚さの増加に伴って、界面の歪みが劇的に増加し、最後には、不整合転移が生じることで開放されて、QDの光学的特性を劣化させる。この問題は、組成が不均一な合金層をコア上にエピタキシェル成長させることで逃れられる。これは、コア−シェル界面にて歪みを低減することに役立つからである。例えば、CdSeコアに関して、構造安定性と量子収量を改善するためには、ZnSのシェルを直接コア上で成長させるのではなく、Cd1−xZnSe1−yの傾斜合金層が用いられてよい。シェルの組成と格子パラメータが段階的に変化することで、その結果得られる傾斜マルチシェルQDは、電気的に非常に不動態化されており、PLQYの値は、70乃至80%の範囲である。また、単純なコア−シェルQDと比較して、光化学安定性とコロイド安定性とが向上する。
また、原子不純物でQDをドーピングすることは、ナノ粒子の放射特性及び吸収特性を操作する効果的な方法である。マンガン及び銅を有するセレン化亜鉛及び硫化亜鉛(ZnSe:MnまたはZnS:Cu)等のバンドギャップが広い材料のドーピング手順が開発されている。半導性ナノ結晶において、様々なルミネッセンス活性体でドーピングすると、バルク部材のバンドギャップよりも更に低いエネルギーでフォトルミネッセンス及びエレクトロルミネセンスを調整(tune)できるが、量子サイズ効果は、活性体による放射のエネルギーを大きく変化させずに、QDのサイズによって、励起エネルギーを調整できる。ドーパントは、典型元素又は希土類元素を含んでおり、大抵の場合、Mn又はCu2+のような遷移金属又は希土類元素である。
任意のコア、コア−シェル又はコア−マルチシェルのドープされた又は傾斜ナノ粒子の表面における原子の周囲の配位(cordination)は、不完全であって、不完全に配位した原子は、それらを非常に反応的にして、粒子凝縮させ得るダンブリングボンドを有している。この問題は、保護有機基で「ベア(bare)」表面原子を不動態化する(キャッピングする)ことで克服される。
発光デバイスにおけるQDの使用には、より一般的な蛍光体を使用することを超える幾つかの顕著な利点があり、例えば、放射波長を調節する能力、強い吸収特性、QDが単分散である場合には、低い分散などがある。しかしながら、従来より使用された方法は、QDの外側有機表面と、QDが支持される種類のホスト材料との間の化学的な不適合性に起因して、難しい。QDは、これらの材料中で調製されると、凝集し得る。また一旦結合されると、ホスト材料を通ってQDの表面に酸素が移動する結果、光酸化を被り得る。これは、最終的に量子収量の低下に繋がる。まあまあのデバイス(reasonable device)は、実験室条件下で製造できるが、大規模な商業的条件下でこれを複製するという有意義な課題が残っている。例えば、混合ステージでは、QDが、大気に対して安定である必要がある。
従来の蛍光体に代わって半導体QDが使用されている発光層を組み込んでいるデバイスが説明された。しかしながら、加工性、層の形成中及びその後におけるQD含有材料の安定性に関する問題により、このような層にうまく組み込まれたQD材料の種類は、CdSe、CdS及びPbSeなどの、比較的一般的なII−VI族又はIV−VI族QD材料だけである。従来のQDで使用されているカドミウムや限られたその他の重金属は、毒性の高い元素であり、商業的用途にて、大きな問題となっている。カドミウム含有QDの固有の毒性は、動物や人間を含む用途にて、それらの使用を妨げている。例えば、最近の研究では、カルコゲン化カドミウム半導体材料で作られたQDは、保護(protect)されない限り、生体環境にて細胞毒性を有し得ることが示唆されている。特に、様々な経路を介した酸化又は化学的攻撃が、QD表面でのカドミウムイオンの生成に繋がり、それらは、周囲の環境へと放出され得る。ZnSのような表面コーティングは、毒性を顕著に低減できるが、それを完全に除去できないであろう。なぜならば、QDは、長い期間に亘って、細胞に保持されるか、体に累積し、当該期間中に、コーティングは、ある種の劣化を受けて、カドミウムリッチコアが露出するからである。
毒性は、生物学的用途の進展だけでなく、光電子工学や通信を含むその他の用途にも影響を与える。なぜならば、重金属ベース材料は、多数の商業製品に広く普及しているからである。当該商業製品には、IT及び電気通信装置、照明器具、電気及び電子ツール、玩具、レジャー及びスポーツ用品などがある。商業製品中の重金属を制限又は禁止する法律が、世界の多くの地域で既に施行されている。例えば、2006年の7月1日に始まった、欧州連合指令2002/95/ECは、(「Restrictions on the use of Hazardous Substances in electronic equipment」(又は、RoHS)として知られており、ポリ臭素化ビフェニル(PBB)及びポリ臭化ジフェニルエーテル(PBDE)難燃剤と共に定められたレベルを超える鉛、カドミウム、水銀、六価クロムを含む新たな電気及び電子装置の販売を禁止した。この法律は、製造業者に代替材料の発見と、一般的な電子装置を製造する新たなエンジニアリングプロセスの開発とを要求した。加えて、2007年6月1日には、欧州共同体規則は、化学物質とそれらの安全な使用に関して効力を発した(EC 1907/2006)。この規則は、化学物質の届出、評価、許可及び制限を取り扱っており、「REACH」として知られている。REACH規則は、産業界により大きな責任を与えて、化学物質のリスクを管理して、物質について安全性の情報を与えるものである。同様な規制は、中国、韓国、日本及び米国を含む世界に広がるものと予期される。
上述したように、QD、特にカドミウムフリーQDは、酸素による酸化の影響を受けやすく、酸化は、それらのQYを時間とともに減少させる。安定性と発光特性、即ちカドミウムフリーQDのQYを増加させて、これらの材料の発光用途における効率と寿命を改善することが求められている。QDベースの照明システムの安定性を増加させるために用いる方法には、ポリマー等の酸素をはじく材料(oxygen-repelling materials)にQDを組み込むことがある。この種のポリマーは、ビーズ又はシートなどの多様な形態をとることができる。更に、QDがビーズに組み込められて、それら自体が他の形態、例えば、シート又は層に組み込まれてよい。このような保護手法が、酸素からQD保護するために必要とされているが、一方で、カドミウムフリーQDは、処理による影響を受けやすく、酸素をはじく材料にQDを組み込むことに必要な処理自体が、QDのQYを減少させることが多い。従って、最終的なQDベースシステムのQYをできるだけ大きくする要因は、カドミウムフリーQDベースの製品を得るために重要である可能性がある。
本発明は、発光特性が改善された、即ち、光の放射が改善された複数成分材料(multicomponent materials)に関する。複数成分材料は、QDのような蛍光材料と、硫酸バリウムのような反射材料とを含んでおり、それらは、マトリックス材料に懸濁し又は埋め込まれている。マトリックス材料は、典型的には、高分子材料である。複数成分材料は、例えば、ビーズ、シート、及び/又はビーズのシートの形態であってよい。
主として、本明細書で説明されている複数成分材料は、LCD用の背面照明に用いられるが、それらは、他の用途、例えば環境照明の色彩調節においても使用できる。複数成分材料中の蛍光体は、第1光源から、例えば、青色発光又はUV発光LEDから、第1光を吸収する。光励起状態の蛍光体は、吸収した光の波長よりも長い波長の光を放射する。言い換えると、蛍光体は、吸収した光をダウンコンバージョンする。幾つかの構成では、複数成分材料は、第1光の一部を吸収して、更に第1光の一部を透過させる。故に、複数成分材料から放射される全体の光は、第1光(短波長)と放射光(長波長)が混合したものとなる。第1光源として青色LEDと、緑色発光蛍光体及び赤色発光蛍光体を含む複数成分材料とを使用することで、白色光、つまり、青と緑と赤の組合せがもたらされる。
特徴及び利点を含めて、本発明をより完全に理解するために、添付の図面に沿って、本発明の詳細な説明がなされる。
図1は、発光装置を示す。
図2は、発光装置の別の実施の形態を示す。
図3は、InP/ZnSのQDのフィルムの量子収量におけるBaSOの効果を示す。
図4は、InP/ZnSのQDのフィルムの量子収量におけるBaSOの効果を示す。
図5は、InP/ZnSのQDのフィルムの量子収量におけるBaSOの効果を示す。
図6は、InP/ZnSのQDのフィルムの外部量子効率におけるBaSOの効果を示す。
図7は、InP/ZnSのQDのフィルムの量子収量と外部量子効率におけるBaSOの効果を示す。
図1は、発光デバイス100の実施形態を示している。発光デバイス100は、蛍光材料101を使用して、ソリッドステートLEDチップ102からの第1光をダウンコンバージョンする。言い換えるとLEDチップ102からの光は、蛍光材料101を励起して、光を放射する。蛍光体とソリッドステートLEDチップは共に、一般的なLEDパッケージ103内に含まれている。LEDパッケージ103は、当業者に知られているように、LEDカプセル化材料104を含んでよい。
図2は、別の実施形態である発光デバイス200を示している。発光デバイス200は、ソリッドステートLEDチップ202からの第1光をダウンコンバージョンする蛍光材料201を含んでいる。図2に示す実施形態は、LEDパッケージ203を含んでおり、LEDパッケージ203は、LEDカプセル化材料204を含んでよい。図2の実施形態は、蛍光材料201が、直接LEDチップ202に配置されるのではなく、リモート層としてディフューザ(diffuser)205上に配置されている点で、図1の実施形態とは異なっている。
特に、本明細書に記載されている複数成分材料に適切な蛍光体は、本願の出願人が有する、009年9月15日に発行された米国特許第7,588,828号、2010年9月28日に発行された米国特許第7,803,423号、2011年7月26日に発行された米国特許第7,985,446号、2011年1月11日に発行された米国特許第7,867,556号、2011年1月11日に発行された米国特許第7,867,557に記載されているQDのようなQDである。本願の出願人が有するこれらの特許の各々の全ての内容は、引用を以て、本明細書の一部となる。QDを励起するUV光源を用いることで、フィルタの必要が無くなって、光強度の損失が低減するので、高い発光効率を達成できる。デバイスで達成可能な色の範囲は向上しており、QDの大きさ又は組成を変化させることによって段階的に調整できる。例えば、色の範囲は、CdSe又はInPのQDの大きさを変化させることによって、全ての可視スペクトルにわたって青から深紅まで得ることできる。InAsのQDとPbSeのQDの大きさを調節して、近―赤外領域及び中−赤外領域の大部分をカバーできる。QDは、非常に狭い発光帯域を示すことから、QDディスプレイは、他のタイプのディスプレイ技術よりも高い色の純度をもたらし、そして、きれいな青、緑、及び赤を生じるので、他の全ての色を生成して、その結果として、エンドユーザーの視覚体験(viewing experience)が改善する。それらの合成を調整することで、QDは、水性又は有機媒体に容易に分散できるので、一般的な印刷又はその他の溶液処理技術を用いて、デバイスの製造を速く、経済的にすることができる。これはまた、印刷可能で可撓性を有するデバイスを作製する可能性をもたらす。
QDは、周期表の11、12、13、14、15、及び/又は16群から選択されたイオンを含んでよい。又は、QDは、1又は複数種類の遷移金属イオン又はd―ブロック金属イオンを含んでよい。QDは、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、InP、InAs、InSb、AlP、AlS、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、Si、Ge、MgS、MgSe、MgTe、及びその組合せからなる群から選択される1又は複数の半導体材料を含んでいてもよい。/ZnS/ZnO。
反射材料の例としては、マトリックス材料及びQD蛍光体の両方と適合する(compatible)微粒子材料(particulate materials)が挙げられる。反射材料の例には、硫酸バリウム、二酸化チタン、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ケイ酸アルミニウム、及び、イットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG)が含まれる。硫酸バリウムが、特に適切であることがわかっている。
硫酸バリウムは、光反射材料であり、溶媒に溶けない。加えて、それは、不活性で、QD又は他の蛍光体と反応しない。従って、高度に濃縮されたQD溶液に混合されると、それはミラーとして作用する。このような溶液では、硫酸バリウム粒子は、QDから放射された光の再吸収を低減し、それによって、溶液からの光子の取出しを増やす。その溶液のQYは、それ故に、QD単独の溶液よりも、より高効率となる。理論又はいかなる物理的な活性モードに拘束されることなく、硫酸バリウムは、表層プラズモンと蛍光材料から放射された光との間の結合が生じることによって、光の取出しを増加させるとも考えられる。
マトリックス材料の例には、本願の出願人が有する、2009年6月9日に発行された米国特許第7,544,725号、2010年3月9日に発行された米国特許第7,674,844、2011年3月24日に公開された、米国出願公開第2011/0068321、及び2011年3月24日に公開された2011/0068322号に開示されているようなポリマーマトリックスがあり、それらの内容は、引用を以て本明細書の一部となる。高分子媒体は、ポリマー、樹脂、モノリス、ガラス、ゾルゲル、エポキシ、シリコーン、及び(メタ)アクリレートからなる群から選択される材料を含む光学的に透明な媒体であるのが好ましい。高分子媒体は、ポリ(メチル(メタ)アクリレート)、ポリ(ジメタクリル酸エチレングリコール)、ポリ酢酸ビニル、ポリ(ジビニルベンゼン)、ポリ(チオエーテル)、シリカ、ポリエポキシド、及びそれらの組合せからなる群から選択される材料を含んでよい。
マトリックス材料は、有機又は無機、ガラス、水溶性又は有機溶媒可溶性、生体物質又は合成物質である多種多様なポリマーから選択することができる。例えば、次のような単純な線状ポリマー、ポリアクリレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリアクリルアミド、ポリオレフィン、ポリアセチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、PVDF、PVC、EVA、PET、ポリウレタン、セルロースポリマー(例えば、エチルセルロース、イソプロピルメチルセルロースフタレート、ニトロセルロース)を使用することができる。更なる例としては、架橋ポリマー及び/又はコポリマー、トリブロックコポリマー、並びに、UV及び熱硬化エポキシが挙げられる。適切なポリマーは、ポリスチレン/トルエンマトリックス、トリメチロールプロパントリメタクリレート/ラウリルメタクリレートマトリックス、トリメチロールプロパントリメタクリレート/ラウリルメタクリレート/ポリイソブチレンマトリックス、トリメチロールプロパントリメタクリレート/ラウリルメタクリレート/PIPSマトリックス、イソボルニルアクリレート/ジプロピレングリコールジアクリレートマトリックス、アクリル―ポリスチレン/トルエンマトリックス、及びポリカーボネートからなる群から選択されてよい。ベントナイト、カオリン、ヒュームドシリカ(例えば、Cab−O−Sil(登録商標))、ヒュームドアルミナ、ヒュームド酸化亜鉛、無機ポリマー等の粘土材料は、最終材料の性能を改善するために、単独でホストマトリックス媒体として、又は、有機ポリマーへの添加剤として使用することができる。本発明の方法は、単独で、或いは、1又は複数の他の適切なポリマー及び材料と組み合わせて、上記で示したポリマー及び材料の何れを用いてもよい。
本明細書に記載されているQD/反射材料の組成物は、インクに配合できる。インクは、透明なベースインクを様々な種類の蛍光顔料と混合することにより製造される。これらの顔料は、所望の程度のルミネッセンスを提供できるが、多くのケースでは、光を散乱させる能力によって、大抵の場合、望ましくない副作用であるインク不透明体を作り得る。顔料を多く添加することが所望の輝度を達成するのに必要である場合、又は、インクが主インクとして用いられて、第2及び第3の色を作るために重ね刷りされて合成される場合に、不透明性が問題となる。例えば、青色の透明インクが、黄色の透明インク上に重ねて印刷されると、緑色インクになるだろう。反対に、不透明な青色インクが他のインクの上に重ねて印刷されると、その色とは無関係の下側インクを隠して、最終的なインクは、その不透明性により、見る人に引き続き青で表れる。
「ビーズ材料」などの固体マトリックスに、QD及び反射材料を導入することは、非常に有利である。所望の量の適切なポリマーに、所望の量のQDビーズ材料を分散させることによって、QDビーズインクを形成することができる。得られた混合物は、十分に混合されて、均質なインクを提供する。当該インクは、使用される特定のポリマーに対する特有の硬化手順に従って硬化でき、発光QDビーズインクを製造する簡単で単純な方法が提供される。
ビーズベースのインクは、自由な「ベア」QDインクを超える他の利点を提供できる。安定したビーズに、QDと反射材料を組み込むことにより、損傷を与える可能性がある周囲の化学環境から、さもなくば反応してしまうQDを保護することができる。更に、単一のビーズに複数のQDを配置することによって、その後のQDビーズは、大抵の場合にQDインクが発光製品の製造中に受けなければならない機械的及び熱的処理に対して、ベアQDよりも安定する。ベアQDを超えるQD含有ビーズの更なる利点は、空気、水分及び光酸化に対して安定性が高いことである。これにより空気中でQDインクを取り扱う可能性が開かれて、不活性雰囲気を必要とする高価な処理工程の必要性が無くなり、製造コストが大幅に低減するかもしれない。
ビーズの大きさは、目的にあったカプセル化プロトコルに従って、直径で50nm乃至0.5mmに調整でき、インクの粘度を制御する方法を提供する。これは非常に重要である。なぜならば、粘度は、インクがメッシュを通ってどのように流れるか、どのように乾くか、どれだけ基板に付着するかに影響を与えるからである。ビーズの大きさによって、粘度が制御できる場合、粘度を変更するために、かなりの量の薄め液を添加する操作を排除して、プロセスを簡単でより安価にすることができる。
カプセル化プロセスの性質により、QD凝集が防止されて、均一な層を生じるだけでなく、QD表面が破壊又は大幅に変更されず、QDは、QDビーズインクの仕様が厳密に制御されるように、元々の電気的特性を保持する。QDビーズは、インク中における量子ドットの効率的な色混合を可能にする。なぜならば、混合は、各ビーズがサイズ/色が異なる複数の放射QDを含んでいる様なQD含有ビーズ中で、又は、例えば、幾つかのビーズが全て青色量子ドットを含んでおり、幾つかのビーズが全て緑色粒子ドットを含んでおり、幾つかのビーズが全て赤色粒子ドットを含んでいるような、特定のビーズ中における全てのQDが同じサイズ/色であるが、色が異なるビーズの混合物中で行うことができるからである。
親水性ポリマーからなるビーズに疎水性コーティングQDをカプセル化することで、新規な表面特性(例えば、水溶性)を与えることができる。これは、多くの有益な性質を有し、特に、環境に優しい水性QDインクを製造するのに特に重要である。車輌におけるインクの印刷に使用される有機溶剤を有害であると特定した多くの規制がある。有害廃棄物の規則は、これらのインクからの溶剤と混合されている全ての廃棄物について、廃棄の選択肢を制限する。溶剤は、通常有機性であって(例えば、トルエン、エタノール、イソプロパノール)、引火性が高い。これらの廃棄物が分解して生じた化学物質もまた毒性があって、(例えば、特殊なフィルタのような)特殊な測定が印刷業界で採用されて、これらの化学物質をトラップして、それらを外界に放出するのを避ける必要がある。水性インクは、これらの有機溶媒に対する魅力的な代替手段と、印刷工程上の汚染と規制による制約の両方を無くす手段を提供する。
特定の実験条件下では、ビーズのコーティングは、インク調製ステージ中/又はその前にて、選択的に変更され得るか、除去されてよい。これは、インクは、QDと反射材料を運ぶ媒体と解釈できることを意味する。故に、QDビーズは、QDの開放と供給を制御する方法を提示する。これは、例えば、QDを保護して、印刷プロセスのステージ中にて相性の悪い物質からそれらを隔離するのに、又は、特定のインク溶剤におけるQDの親和性を増大させるために重要であり得る。
QDビーズインクは、ポリスチレン/トルエンマトリックス中にある緑色発色光QDシリカビーズを含んでよい。InP/ZnSのコア/シェルQDビーズの場合、ポリスチレン/トルエン混合物が最初に形成されて、次に、QDビーズが適量添加される。次いで、得られた混合物を処理して(例えば、加熱、混合等)、ポリスチレン/トルエン混合物中にQD−ビーズ粒子を十分に確実に分散させて、透明な緑色QDビーズインクが得られる。
或いは、QDビーズインクは、LEDアクリルマトリックス中にある赤色発光アクリルビーズを含んでよい。開始剤、イルガキュア819、トリメチロールプロパントリメタクリレート(TMPTM)及びラウリルメタクリレートを含む混合物が、最初に形成される。InP/ZnSのコア/シェルQDアクリルビーズが、そのアクリル混合物中に拡散されて、赤色QDビーズインクが得られる。
QDビーズインクは、トリメチロールプロパントリメタクリレート(TMPTM)及びポリイソブチレン(PIB)を含む可撓性アクリレートマトリックス中にある赤色発光アクリルビーズを備えている。代替実施形態では、PIBは、PIPSで置換されてよい。開始剤、イルガギュア819、及びTMPTMを含む混合物が形成される。PIBとメタクリル酸ラウリルの別の混合物も形成される。この実施形態で使用されるTMPTMの量は、第2の実施形態で使用される量よりも比較的少なく、アクリルマトリックスは、好ましい第2の実施形態で生成されるアクリルマトリックスよりも架橋されず、より可撓性が増すことが確かになる。次いで、2つの混合物が組み合わされて、黄色のインクマトリックスが得られる。InP/ZnSのコア/シェルQDアクリルビーズが、黄色マトリックス中に分散されて、赤色QDビーズインクが得られる。
QD/反射材料含有ビーズを作製するために用いられ得る重合方法の例としては、懸濁、分散、乳化、リビング、アニオン、カチオン、RAFT、ATRP、バルク、閉環メタセシス、及び開環メタセシスがあるが、これらに限られない。重合反応の開始は、フリーラジカル、光、超音波、カチオン、アニオン、熱等の、モノマーを互いに反応させる適切な任意の手段によって、引き起こされてよい。好ましい方法は、光学的に透明な媒体を形成する1又は複数の重合可能なモノマーの熱硬化を含む懸濁重合である。重合可能なモノマーは、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチレングリコールジメタクリレート及び酢酸ビニルを含むのが好ましい。モノマーのこの組合せは、既存の商業的に入手できるLED封入剤との良好な適合性を示しており、ほとんど従来技術のやり方を用いて作られたデバイスと比較して、性能が顕著に改善された発光デバイスを製作するのに使用されている。好ましいその他のモノマーは、エポキシ又はポリエポキシドモノマーであり、紫外線照射による硬化のような、適切な任意の手法を用いて、重合されてよい。
QD/反射材料含有マイクロビーズは、高分子マトリックス中にて、QDと反射材料の既知の集団を分散させて、ポリマーを硬化させ、硬化した材料をすり砕くことで作製できる。これは、例えば、多くの一般的なエポキシ又はポリエポキシドポリマー(例えば、米国のElectronic Materials社製のOptocast(登録商標) 3553)のような、硬化後に比較的硬く、砕け易くなるポリマーに適用するのに特に適している。
ビーズは、単に、ビーズを作製するために用いられる試薬の混合物にQDと反射材料を加えることで生成されてよい。ある場合には、QD(初期の(nescent)QD)は、これらを合成するのに用いられる反応から分離されて使用され、このため、概ね、不活性な有機配位子外層でコーティングされる。代わりの手順では、ビーズ形成反応の前に、配位子交換処理が実行されてよい。ここで、1又は複数の化学反応性を示す配位子(例えば、これは、重合可能部分(polymerisable moiety)を含むQDのための配位子であってもよい)が、不活性な有機外層にコーティングされる初期QDの溶液に、過剰に加えられる。適切なインキュベーション時間の後、QDは、例えば沈殿及びその後の遠心分離によって、分離され、洗浄され、それから、ビーズ形成反応/処理に用いられる試薬の混合物に組み込まれる。
双方のQD/反射材料組込みストラテジーは、ビーズへのQDと反応材料の統計的にランダムな組込みをもたらし、このため、重合反応は、統計的に類似した量のQDを含むビーズをもたらすだろう。ビーズのサイズは、ビーズを構成するために用いられる重合反応の選択によって、制御できることは、当業者には明らかだろう。加えて、一旦重合方法が選択されると、ビーズのサイズは、適切な反応条件を選択することによっても、制御されてよく、例えば、懸濁重合反応において、反応混合物をより迅速に撹拌することによって、より小さなビーズが生成される。更に、ビーズの形状は、反応がモールドで行われているか否かに関連して、手順を選択することによっても、容易に制御され得る。ビーズの組成は、ビーズを構成するモノマー混合物の組成を変えることによって、変更されてよい。同様に、ビーズはまた、種々の量の1又は複数の架橋剤(例えば、ジビニルベンゼン)により、架橋されてよい。ビーズが、例えば架橋剤が5mol%を超えるような高い架橋度で構成される場合、ビーズを構成するのに用いられる反応中に、ポロジェン(porogen)(例えば、トルエン又はシクロヘキサン)を組み込むことが望ましいであろう。そのようなポロジェンの使用は、各ビーズを構成するマトリックスに常在する細孔(pore)を残す。これらの細孔は、ビーズへのQDの侵入(ingress)を可能とするほど十分大きいものがよい。
QDと反射材料は、逆エマルジョンベースの手法を用いて、ビーズに組み込まれてもよい。QD/反射材料は、光学的に透明なコーティング材料の前駆体と混合されて、次いで、例えば有機溶媒及び適切な塩を含有する安定な逆エマルジョンに入れられてよい。撹拌した後、前駆体は、QDを包むマイクロビーズを形成し、遠心分離等の任意な適切な方法を用いて収集される。所望であれば、同一又は異なる光学的に透明な材料の1又は複数の追加の表面層又はシェルが、QD含有ビーズを分離する前に、必要なシェル前駆体材料を更に添加することによって、加えられてよい。
QDと反射材料をビーズに組み込む第2のオプションにおいて、QDと反射材料は、物理的な取り込みによって、高分子ビーズに固定されてよい。例えば、適切な溶媒(例えば、有機溶剤)中のQDと反射材料の溶液が、高分子ビーズのサンプルとインキュベートされてよい。任意の適切な方法を用いて溶媒を除去することで、QDと反射材料が、高分子ビーズのマトリックス中に固定される。QDが溶けやすい溶媒(例えば、有機溶媒)に、サンプルが再懸濁されない限り、QDと反射材料は、ビーズに固定されたままである。随意選択的に、この段階で、ビーズの外側がシールされてよい。別のオプションでは、半導体ナノ粒子の少なくとも一部は、予め製造された高分子ビーズに物理的に付着される。この付着は、予め製造された高分子ビーズの高分子マトリックスでの一部の半導体ナノ粒子の固定化によって、又は、半導体ナノ粒子と予め製造された高分子ビーズとの間の化学的結合、共有結合、イオン結合、若しくは物理的結合によって、達成されてよい。例えば、予め製造された高分子ビーズは、ポリスチレン、ポリジビニルベンゼン及びポリチオールを含む。
QDと反射材料を組み込むことが意図される、ゾル−ゲル又はガラス等の光学的に透明な媒体は、前述したような粒子形成処理中に、ビーズにQDと反射材料を組み込むために用いられる方法と類似したやり方で形成されてよい。例えば、単一タイプのQD(例えば、1色)と反射材料が、ゾル−ゲル又はガラスを生成するのに用いられる反応混合物に加えられてもよい。代わりに、2以上のタイプのQD(例えば、2色以上)と反射材料が、ゾル−ゲル又はガラスを生成するのに用いられる反応混合物に加えられてよい。これらの手順によって生成されたゾル−ゲル及びガラスは、任意の形状、形態、又は3次元構造を有してよい。例えば、粒子は、球形、円盤状、棒状、卵形、立方体、長方形、又は他の多くのあり得る任意の形状であってよい。
安定性増加添加物として機能する材料の存在下にて、ビーズ中にQDと反射材料を組み込み、保護表面コーティングを随意選択的にビーズに与えることで、例えば、水分、酸素及び/又はフリーラジカル等の有害種のマイグレーションは、排除、又は少なくとも低減されて、半導体ナノ粒子の物理的、化学的、及び/又は光安定性を高める。
添加物は、ビーズの製造工程の初期段階にて、「裸の(naked)」半導体ナノ粒子及び前駆体と組み合わせられてよい。或いは、又は、更に、半導体ナノ粒子がビーズ中に補足された後、添加物が加えられてもよい。
添加物は、ビーズ形成プロセス中に、単独で又は任意の所望の組合せで添加されてよく、意図した機能に応じて、以下のように分類することができる。
メカニカルシーリング:ヒュームドシリカ(例えば、Cab−O−Sil(登録商標))、ZnO、TiO、ZrO、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛、機械的なシールを提供し、及び/又は多孔性を低減させる充填剤として使用される全てのもの。
キャッピング剤:テトラデシルホスホン酸(TDPA)、オレイン酸、ステアリン酸、多価不飽和脂肪酸、ソルビン酸、亜鉛メタクリレート、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸亜鉛、ミリスチン酸イソプロピル。これらの幾つかは、複数の機能を有しており、キャッピング剤、フリーラジカル捕捉剤及び/又は還元剤として作用できる。
還元剤:アスコルビン酸パルミチン酸エステル(ascorbic acid palmitate)、α−トコフェロール(ビタミンE)、オクタンチオール、ブチル化ヒドロキシアニソール(BHA)、ブチル化ヒドロキシトルエン(BHT)、没食子酸エステル(プロピル基、ラウリル基、オクチル基等)、及びメタ重亜硫酸(例えば、ナトリウム又はカリウム塩)。
フリーラジカル捕捉剤:ベンゾフェノン。
水素化物反応剤:1,4−ブタンジオール、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、アリルメタクリレート、1,6ヘプタジエン−4−オール、1,7オクタジエン、及び1,4−ブタジエン。
以下の実施例は、本発明の完全な理解のために、そして、本発明の構成の特定の特徴と同様に、本発明の組成物と混合物を作製する方法を示すために含められている。これらの実施例は、本発明の範囲又は教示を限定することを意図するものではない。
<実施例1:増粘剤(thickening agent)を含まないトルエン又はアクリル樹脂中のBaSOの効果>
量子ドット(InP/ZnS)を、2009年9月15日に発行された米国特許第7,588,828号で説明されているようにして調製した。当該米国の特許の内容は、引用を以て、本明細書の一部となる。トルエン中のQD(6.6光学濃度(Optical Density)QDs/mlで0.5ml)の量子収量を、ハママツ社製積分球を用いて測定して、57%のQYを得た。5mgのBaSOを、0.5mlの20ODQDs/mlトルエン溶液に加えて、撹拌し、ハママツで測定すると、63%のQYを示した。故に、QDのQYは、BaSOを加えることによって、6%改善した。これらの測定の結果を、下表に纏める。
Figure 0006058126
InP/ZnSのQDの2つのバッチを、2009年9月15日に発行された米国特許第7,588,828号に記載されている方法に従って調製した。QD樹脂を、ラウリルメタクリレート(LMA)/トリメチロールプロパントリメタクリレート(TMPMA)中における3つの濃度(3.7、9.1、及び20OD)のQDの各バッチから調製した。ポリ(ブタジエン)ジアクリレート共作用剤(coagent)(サートマー SR307)とQDとを、トルエン中で一晩撹拌した。トルエンを除去して、混合物を、LMA、光重合開始剤(イルガキュア Irg819)及びTMPMAと混合した。BaSO(2%wt/wt)を含んでいる樹脂と含んでいない樹脂の各々のQYを、UV硬化の前後で測定した。下表は、その結果である。
Figure 0006058126
バッチ1とバッチ2のQY測定値を夫々、図3及び図4に示す。図3及び図4の両方において、線Aは、硬化前における樹脂中のQDに対応し、線Bは、硬化前における樹脂中のQDとBaSOの混合物に対応し、線Cは、硬化後における樹脂中のQDに対応し、線Dは、硬化後における樹脂中のQDとBaSOの混合物に対応している。BaSOの添加によって、硬化したQD樹脂と未硬化のQD樹脂の両方のQYが増加する。
<実施例2:硫酸バリウムの検討(濃度0乃至5%W/V)>
2009年9月15日に発行された米国特許第7,588,828に記載されている方法に従って、InP/ZnSのQDを調製した。QD樹脂は、ラウリルメタクリレート(LMA)/トリメチロールプロパントリメタクリレート(TMPMA)中のQDを用いて調製された(10、20、30、及び40OD)。ポリ(ブタジエン)ジアクリレート共作用剤(サートマー SR307)とQDとを、トルエン中で、一晩撹拌した。トルエンを除去して、混合物を、LMA、光重合開始剤(イルガギュア Irg819)及びTMPMAと混合した。0乃至5%w/vのBaSOを組み込んでいる樹脂のQYを、UV硬化後に測定した。その結果を、下表に示す。
Figure 0006058126
外部量子効率(EQE)は、アクリル酸樹脂中に硫酸バリウムを添加することで増加した。硫酸バリウムの添加量をより大きくすると、EQEがより高くなって、フォトルミネセンス(PL)波長の青方偏移が起こる。明らかに、BaSOが再吸収を減らしていることから(再吸収は、赤方偏移を生じる)、増分の青方偏移が観察される。BaSOのより多く添加することで、放射ピークのFWHMも減少する。硫酸バリウムの同じ増強効果は、QD濃度が異なる全てのサンプルで観察された。これは、サンプル中の硫酸バリウムの存在が、ドットの凝集(dots aggregation)を減らし、光散乱を制限して、より効率的に光を検出器に導いたことを示唆している。
QDの濃度が高くなると、QDの凝集が原因で、EQEが低下し、PLとFWHMは大きくなった。最大で5乃至6%のEQE増加が、硫酸バリウムを5%添加したサンプルで確認された。最良の結果(56.8%及び55.5%)は、5%の硫酸バリウムを添加した10OD/3ml及び20OD/3mlのQD濃度による。上の表に示された全ての数値は、3回の測定の平均値である。
図5は、種々のQD樹脂に与えるBaSO濃度の影響を示している。図5において、線Aは、10OD/3mlのQD濃度に対応し、線Bは、20OD/3mlのQD濃度に対応し、線Cは、30OD/3mlのQD濃度に対応し、線Dは、40OD/3mlのQD濃度に対応している。
0乃至5%でBaSOを添加したQD/アクリル樹脂のQYを、ラブスフェア社製積分球を用いて測定した。その結果を、下表に示す。
Figure 0006058126
EQEは、硫酸バリウムを添加することで増加した。硫酸バリウムを多く添加することで、EQEは高くなった。図6を参照すると、線Aは、10OD/3mlのQD濃度に対応し、線Bは、20OD/3mlのQD濃度に対応し、線Cは、30OD/3mlのQD濃度に対応し、線Dは、40OD/3mlのQD濃度に対応している。硫酸バリウムと同じ増進効果が、QD濃度が異なる全サンプルで観察された。
最大30乃至38%のEQEの増加が、ラブスフェアによって、5%の硫酸バリウムを添加したサンプルで確認された。ハママツ測定値と比較して、ラブスフェア測定値におけるEQEの率の大幅な増加は、硫酸バリウムが、表面反射よりも効率的に働いて、内部システムから離れて光が進むように案内することを示唆している。
上の表で示された全ての数値は、3回の測定の平均値である。
<実施例3:10OD/3MLでの硫酸バリウムの検討(濃度0乃至20%W/V)>
下の表は、上述したように調製した、10OD/3mlであるInP/ZnSのQDの樹脂について、ラブスフェア測定値を表にしたものである。表に示す全てのEQEデータは、3回の測定の平均値である。
Figure 0006058126
下の表は、上記のように調製した、10OD/3mlであるInP/ZnSのQDの樹脂のハママツ測定を表にしたものである。表に示す全てのEQEデータは、3回の測定の平均値である。
Figure 0006058126
図7は、ハママツ社製積分球(A)とラブスフェア社製積分球(B)で測定された、QD樹脂のQEに与えるBaSO添加の影響を示している。
サンプルと励起光の間のシリコーン結合を伴う、BaSOを添加した20OD/3mlであるInP/ZnSのQDの樹脂について、ラブスフェア測定値を下の表に示す。QDフィルムの下にシリコーン樹脂を加えることは、LED(光源)から来る青色励起光の導波を促進する。このように、青色光は、屈折率が異なる空気相(air phase)を通過せず、サンプルから離れて、又は、サンプルの端部周辺で、散乱せず又は進路を変えない。
Figure 0006058126
サンプルと励起光の間にシリコーン結合を伴わない、BaSOを添加した20OD/3mlのInP/ZnSのQDのラブスフェア測定値を下表に示す。
Figure 0006058126
BaSOを添加した20OD/3mlのInP/ZnSのQDについてのハママツ測定値を、下表に示す。
Figure 0006058126
上表が示す全てのQE、PL、及びFWHMデータは、3回の測定の平均値である。
<実施例4:反射材料としてのTiO
上述したようにして、InP/ZnSのQDを調製し、反射材料である酸化チタンと共に、樹脂に添加した。下表は、TiOの添加量に応じた20ODフィルムのQYとEQEを示す。
Figure 0006058126
<実施例5:反射材料としてのケイ酸アルミニウム>
上述したようにして、InP/ZnSのQDを調製し、反射材料である様々な量のケイ酸アルミニウムと共に樹脂に加えた。下表は、ケイ酸アルミニウムの添加量に応じた20ODQDフィルムのQYとEQEを示す。
Figure 0006058126
<実施例6:反射材料としてのPTFE>
下表は、上述したように調製したフィルムのQYとEQEの測定を示すが、反射材料として、PTFEが用いられている。
Figure 0006058126
本発明は、本明細書にて、特に適切な実施形態について説明されている。添付の特許請求の範囲により規定される発明の範囲から逸脱することなく、変更及び代替的な実施形態が可能であることが理解されるであろう。

Claims (5)

  1. アクリル樹脂中に懸濁しているコア/シェル量子ドットの集団と硫酸バリウムの粒子とを備えており、コア/シェル量子ドットは、InPを含むコアと、ZnSを含むシェルとを有している発光組成物。
  2. 前記組成物の外部量子効率は、硫酸バリウムの粒子を含んでいない点を除いて同じである組成物の外部量子効率よりも大きい、請求項1に記載の発光組成物。
  3. 前記組成物のフォトルミネセンス波長は、硫酸バリウムの粒子を含んでいない点を除いて同じである組成物よりも短い、請求項1に記載の発光組成物。
  4. 前記組成物のフォトルミネセンス放射ピークの半値全幅は、硫酸バリウムの粒子を含んでいない点を除いて同じである組成物よりも小さい、請求項1に記載の発光組成物。
  5. 前記組成物の量子収量は、硫酸バリウムの粒子を含んでいない点を除いて同じである組成物よりも大きい、請求項1に記載の発光組成物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140015763A (ko) * 2012-07-24 2014-02-07 삼성디스플레이 주식회사 Led 패키지 및 이를 갖는 표시 장치
WO2015132673A2 (en) * 2014-03-04 2015-09-11 Nanoco Technologies, Ltd. Methods for fabricating quantum dot polymer films
US20170146702A1 (en) * 2014-06-13 2017-05-25 Lg Chem, Ltd. Adhesive composition, adhesive film, brightness enhancement film, and backlight unit comprising same
US9706084B2 (en) 2014-07-30 2017-07-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color mapping
CN105717700B (zh) * 2014-12-22 2018-11-02 财团法人工业技术研究院 增益型波长转换结构、发光膜及背光元件
WO2016194344A1 (ja) 2015-05-29 2016-12-08 富士フイルム株式会社 組成物とポリマー成形用組成物、及びそれを用いて得られた波長変換体、波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置
JP6506392B2 (ja) 2015-05-29 2019-04-24 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
DE112016003002T5 (de) 2015-06-30 2018-03-15 Cree, Inc. Stabilisierte Quantenpunktstruktur und Verfahren zur Herstellung einer stabilisierten Quantenpunktstruktur
EP3328961B1 (en) * 2015-07-31 2019-04-03 Avantama AG Luminescent crystals and manufacturing thereof
DE102015117940A1 (de) 2015-10-21 2017-04-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optischer Sensor
KR102631400B1 (ko) * 2015-10-22 2024-01-29 삼성전자주식회사 감광성 조성물, 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 패턴, 및 이를 포함하는 전자 소자
KR102454988B1 (ko) 2016-01-06 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 광 발생 부재 및 그것을 포함하는 표시 장치
US10948774B2 (en) 2016-05-10 2021-03-16 The Hong Kong University Of Science And Technology Photoaligned quantum rod enhancement films
TW201835297A (zh) 2017-01-06 2018-10-01 日商Jsr股份有限公司 含螢光體粒子組成物、波長轉換層及波長轉換層的製造方法
US10472563B2 (en) * 2017-02-16 2019-11-12 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Methods for making improved quantum dot resin formulations
CN108864824A (zh) * 2017-05-11 2018-11-23 Tcl集团股份有限公司 量子点荧光防伪油墨及其制备方法
US10347799B2 (en) 2017-11-10 2019-07-09 Cree, Inc. Stabilized quantum dot composite and method of making a stabilized quantum dot composite
CN113025112B (zh) * 2021-04-21 2023-03-10 惠州视维新技术有限公司 一种反射型油墨、扩散板、背光模组以及显示装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0510754B1 (en) * 1991-04-26 1997-01-15 Agfa-Gevaert N.V. Luminescent article with protective coating and manufacture
GB0409877D0 (en) 2004-04-30 2004-06-09 Univ Manchester Preparation of nanoparticle materials
US7588828B2 (en) 2004-04-30 2009-09-15 Nanoco Technologies Limited Preparation of nanoparticle materials
GB2472541B (en) 2005-08-12 2011-03-23 Nanoco Technologies Ltd Nanoparticles
GB0522027D0 (en) 2005-10-28 2005-12-07 Nanoco Technologies Ltd Controlled preparation of nanoparticle materials
GB0606845D0 (en) 2006-04-05 2006-05-17 Nanoco Technologies Ltd Labelled beads
US20080173886A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
US8941293B2 (en) * 2006-05-11 2015-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices comprising quantum dots
KR101820777B1 (ko) * 2007-07-18 2018-01-22 삼성전자주식회사 고체 조명에 유용한 양자점-기반 광 시트
JP2009108126A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Idemitsu Kosan Co Ltd 発光媒体形成用組成物、発光媒体、有機el素子、表示装置、および、発光媒体膜成膜方法
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
DE102008022888A1 (de) * 2008-05-08 2009-11-19 Lok-F Gmbh Leuchtvorrichtung
TW201007091A (en) * 2008-05-08 2010-02-16 Lok F Gmbh Lamp device
CN101289617A (zh) * 2008-06-16 2008-10-22 罗维鸿 用于白光二极管与无机荧光粉的复合材料
GB0821122D0 (en) * 2008-11-19 2008-12-24 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle - based light emitting devices and associated materials and methods
KR20100080423A (ko) * 2008-12-30 2010-07-08 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR101562022B1 (ko) * 2009-02-02 2015-10-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법
CN101571242A (zh) * 2009-05-27 2009-11-04 中国计量学院 一种蓝光芯片加量子点和yag荧光粉混掺的白光led发光装置
US8547009B2 (en) * 2009-07-10 2013-10-01 Cree, Inc. Lighting structures including diffuser particles comprising phosphor host materials
WO2011031871A1 (en) * 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
GB0916700D0 (en) * 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
GB0916699D0 (en) 2009-09-23 2009-11-04 Nanoco Technologies Ltd Semiconductor nanoparticle-based materials
EP2507052A4 (en) * 2009-12-03 2013-05-29 Res Triangle Inst REFLECTIVE NANOFIBER LIGHTING DEVICES
US20120205586A1 (en) * 2011-02-10 2012-08-16 Xiaofan Ren Indium phosphide colloidal nanocrystals
US10008631B2 (en) * 2011-11-22 2018-06-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Coated semiconductor nanocrystals and products including same
DE102012101102A1 (de) * 2012-02-10 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Anordnung mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen

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