TW201635613A - 具有ｒｇｂ畫素區的有機電致發光裝置 - Google Patents

具有ｒｇｂ畫素區的有機電致發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201635613A
TW201635613A TW104144453A TW104144453A TW201635613A TW 201635613 A TW201635613 A TW 201635613A TW 104144453 A TW104144453 A TW 104144453A TW 104144453 A TW104144453 A TW 104144453A TW 201635613 A TW201635613 A TW 201635613A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
hole transport
transport material
group
formula
Prior art date
Application number
TW104144453A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI570985B (zh
Inventor
Song Liu
wei-wei Li
Lin He
Original Assignee
Beijing Visionox Technology Co
Kunshan New Flat Panel Display Technology Ct Co Ltd
Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Visionox Technology Co, Kunshan New Flat Panel Display Technology Ct Co Ltd, Kunshan Govisionox Optoelectronics Co Ltd filed Critical Beijing Visionox Technology Co
Publication of TW201635613A publication Critical patent/TW201635613A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI570985B publication Critical patent/TWI570985B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/54—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to two or three six-membered aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/58—Naphthylamines; N-substituted derivatives thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/61—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D487/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00
    • C07D487/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, not provided for by groups C07D451/00 - C07D477/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D487/04—Ortho-condensed systems
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/865—Intermediate layers comprising a mixture of materials of the adjoining active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/155—Hole transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H10K50/156—Hole transporting layers comprising a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/15—Hole transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明關於一種具有RGB畫素區的有機電致發光顯示器裝置，其紅光發光層和綠光發光層與第一有機功能層之間設置有光學補償層，該光學補償層是由第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料製備而成，該第一電洞傳輸材料的三線態能級□2.48eV，HOMO能級□-5.5eV，該第二電洞傳輸材料的HOMO能級>-5.5eV，且該第一電洞傳輸材料和該第二電洞傳輸材料的HOMO能級差□0.2eV，其製備製程簡單，能夠明顯降低發光裝置的功耗，提高發光效率。

Description

具有RGB畫素區的有機電致發光裝置
本發明關於有機電致發光裝置技術領域，特別是一種具有光學補償層的有機電致發光裝置。
有機電致發光裝置(OLED)的發光層主要採用全螢光材料、全磷光材料或螢光材料和磷光材料混合的方式進行製作。發光二極體(LED)顯示器裝置由紅、綠、藍三種畫素組成，當採用頂發光OLED裝置結構時，由於三種畫素的發光波長不同，發光層的厚度會存在一定的差距，通常利用一層光學補償層來改變各發光層的厚度，該厚度最厚要做到100nm以上，因此該層需要具有很好的電荷遷移率，以保證裝置具有低電壓和高效率的特徵。
現有光學補償層採用的材料的三線態能級較高，但通常遷移率較低，因此無法做厚，如果作為光學補償層，驅動電壓較高，而遷移率較高的材料，但三線態能級較低，會影響綠光裝置的效率。目前，所用的光學補償層位於電洞注入層(Hole Injection Layer；HIL)和電洞傳輸層(Hole Transport Layer；HTL)之間，採用高電洞遷移率(NPB的遷移率的1.5-2倍)的材料作為光學補償層。但是這種設置方式雖然在一定程度上改善了有機層的厚度增加且不影響有機發光裝置的驅動電壓，並未考慮不同的發光材料的特殊 電學特性要求，未能有效的提升有機發光裝置的效率，進而降低顯示器裝置的功耗。
三星公司在CN201210395191.7揭露一種電致發光裝置100，如圖1所示，其按下列順序依次包含基底110、第一電極120、電洞注入層130、電洞傳輸層140、緩衝層150、發光層160、電子傳輸層170、電子注入層180和第二電極190。該電洞傳輸層140包括以下列順序依次沉積的第一電荷產生層141、第一混合層142、第二電荷產生層143和第二混合層144。第一電荷產生層141的材料，可以使用包括第一化合物和第二化合物且摻入第一電荷產生材料的混合物；第一混合層142的材料，可以使用包含第一化合物和第二化合物的混合物；第二電荷產生層143的材料，可以使用包含第三化合物和第四化合物且摻入第二電荷產生材料的混合物；成第二混合層144的材料，在這方面，第三化合物相對於第四化合物的重量比可以為6：4至8：2。該專利中電荷產生層無法提供有效的激子阻擋作用，因此需要使用緩衝層。
CN200510077967.0揭露一種電致發光裝置，如圖2所示，該裝置是在綠光畫素區域200和第一電洞傳輸層18-1之間設置第二電洞傳輸層18-2，紅光畫素區域300和第一電洞傳輸層18-1之間設置第二電洞傳輸層18-2和第三電洞傳輸層18-3。第一電洞傳輸層18-1、第二電洞傳輸層18-2和第三電洞傳輸層18-3可以分別採用不同的材料製備，但是每層的電洞傳輸層採用同一種材料製備。儘管該專利採 用了混合結構的電洞傳輸層來提高發光效率，這種設置方式雖然在一定程度上改善了發光層的厚度，但是適用於綠光光學補償層的HTL材料要求具有較高的三線態能級T1且HOMO能級-5.5eV，這類材料的遷移率普遍較低，無法做厚，因此裝置的驅動電壓較高。
為此，本發明所要解決的技術問題在於先前技術中紅光和綠光光學補償層採用的材料存在遷移率低或激子阻擋作用差的問題，進而提供一種有機電致發光裝置，其光學補償層採用兩種能級差不同的電洞傳輸材料製備，能夠明顯降低發光裝置的功耗，提高發光效率。
本發明還提供一種上述有機電致發光裝置的製備方法。
為解決上述技術問題，本發明採用如下技術方案。
一種具有RGB(red,green,blue，紅、綠、藍)畫素區的有機電致發光顯示器裝置，包括基板、以及依次形成在該基板上的第一電極層、複數層有機層和第二電極層，該複數層有機層包括在第一電極層上設置的第一有機功能層、發光材料層和第二有機功能層，該發光材料層包括紅光發光層、綠光發光層和藍光發光層，該紅光發光層和該綠光發光層與該第一有機功能層之間分別設置有光學補償層，該光學補償層是由第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料製備而成，該第一電洞傳輸材料的三線態能級2.48eV，HOMO能級-5.5eV，該第二電洞傳輸材料的HOMO能級 >-5.5eV，且該第一電洞傳輸材料和該第二電洞傳輸材料的HOMO能級差0.2eV。
該光學補償層包括設置在該紅光發光層與該第一有機功能層之間的紅光光學補償層和設置在該綠光發光層與該第一有機功能層之間的綠光光學補償層。
該紅光光學補償層中的第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的質量比介於1：99-99：1。
該綠光光學補償層中的第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的質量比介於5：95-50：50，較佳10：90-30：70。
該第一電洞傳輸材料為式(1)或式(2)所示結構：
式(1)中，A和B分別獨立選自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18為相同或不同，且分別獨立選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亞稠環芳基、C6-C30的亞稠雜環芳基、C6-C20的烷基或C6-C30的醇基；R9、R10、R11和R12為相同或不同，且分別獨立選自C6-C30的芳基；式(2)中，A1和A2分別獨立選自C6-C30芳基或C6-C30雜環芳基，R1’ 為氫、烷基、烷氧基或鹽基；並且，式(2)同時滿足以下條件：A1或A2至少一個具有縮環構造。
第一電洞傳輸材料為式(HTL1-1)至式(HTL1-10)所示結構：
第二電洞傳輸材料為式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示結構的茚并芴衍生物：
式中，A和B分別獨立選自苯基、萘基或苯胺基；R9、R10、R11和R12偽相同或不同，且分別獨立選自C6-C30 的芳基；R13為C1-C6烷基或羥基，較佳地，R13為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、正戊基或正己基。
第二電洞傳輸材料為式(HTL2-1)至式(HTL2-18)所示結構：
本發明的上述技術方案相比先前技術具有以下優點。
本發明有機電致發光顯示器裝置將光學補償層設置在發光層和電洞傳輸層之間，採用此種結構的光學補償層在蒸鍍過程中，紅光光學補償層和紅光發光層採用同一組遮罩板(mask)製備，綠光光學補償層和綠光發光層採用同一組遮罩板製備，能夠避免遮罩板(Mask)的重複對位，在 一定程度上提高了製程精度。這是由於遮罩板的每次對位元都會有一定誤差，因此對位次數越少，誤差就越少，產品良率就高。
此外，本發明的發明人創造性的研究大膽採用三線態能級高的材料與遷移率高的材料組合作為本發明的光學補償層，且要求HOMO能級差0.2eV，可以使光學補償層根據需要製備不同的厚度，從而可以使其不影響發光效率又不影響裝置的驅動電壓。如果兩者的HOMO能級差過大，則第一電洞傳輸材料無法起到阻擋綠光激子的作用。
1‧‧‧第一電極層
2‧‧‧電洞注入層
3‧‧‧電洞傳輸層
4‧‧‧紅光發光層
5‧‧‧綠光發光層
6‧‧‧藍光發光層
7‧‧‧電子傳輸層
8‧‧‧第二電極層
9‧‧‧光學耦合層
10‧‧‧紅光光學補償層
11‧‧‧綠光光學補償層
12‧‧‧第一有機功能層
13‧‧‧第二有機功能層
14‧‧‧綠光發光區
15‧‧‧藍光發光區
18-1‧‧‧第一電洞傳輸層
18-2‧‧‧第二電洞傳輸層
18-3‧‧‧第三電洞傳輸層
100‧‧‧電致發光裝置
110‧‧‧基底
120‧‧‧第一電極
130‧‧‧電洞注入層
140‧‧‧電洞傳輸層
141‧‧‧第一電荷產生層
142‧‧‧第一混合層
143‧‧‧第二電荷產生層
144‧‧‧第二混合層
150‧‧‧緩衝層
160‧‧‧發光層
170‧‧‧電子傳輸層
180‧‧‧電子注入層
190‧‧‧第二電極
200‧‧‧綠光畫素區域
300‧‧‧紅光畫素區域
B‧‧‧藍
G‧‧‧綠
R‧‧‧紅
為了使本發明的內容更容易被清楚地理解，下面根據本發明的具體實施例並結合圖式，對本發明作進一步詳細的說明。
圖1為先前技術的發光裝置結構示意圖。
圖2為另一先前技術的發光裝置結構示意圖。
圖3為本發明發光裝置的結構示意圖。
為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合圖式對本發明的實施方式作進一步地詳細描述。
本發明可以以許多不同的形式實施，而不應該被理解為限於在此闡述的實施例。相反，提供這些實施例，使得本揭露將是徹底和完整的，並且將把本發明的構思充分傳達給本領域技術人員，本發明將僅由申請專利範圍來限 定。在圖式中，為了清晰起見，會誇大層和區域的尺寸和相對尺寸。應當理解的是，當元件例如層、區域或基板被稱作“形成在”或“設置在”另一元件“上”時，該元件可以直接設置在該另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直接形成在”或“直接設置在”另一元件上時，不存在中間元件。
如圖3所示，是本發明具有RGB畫素區的有機電致發光裝置的結構示意圖。
具有RGB畫素區的有機電致發光裝置包括基板(圖中未示出)、以及依次形成在該基板上的第一電極層1(陽極層)、複數層有機層、第二電極層8(陰極層)和光學耦合層9，有機層包括在第一電極層1上設置的第一有機功能層12、發光材料層和第二有機功能層13，該發光材料層包括厚度分別為HR、HG、HB的紅光發光層4、綠光發光層5和藍光發光層6，HB>HG>HR，紅光發光層4和綠光發光層5與第一有機功能層12之間設置有光學補償層。光學補償層是由第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料製備而成，第一電洞傳輸材料的三線態能級2.48eV，HOMO能級-5.5eV，第二電洞傳輸材料的HOMO能級>-5.5eV，且第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的HOMO能級差0.2eV。
光學補償層包括設置在紅光發光層4與第一有機功能層12之間的紅光光學補償層10和設置在綠光發光層5與第一有機功能層12之間的綠光光學補償層11。紅光光 學補償層10中的第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的質量比介於1：99-99：1，較佳10：90-30：70。綠光光學補償層11中的第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的質量比介於5：95-50：50，較佳10：90-30：70。
第一電洞傳輸材料為式(1)或式(2)所示結構： 式(1)中，A和B分別獨立選自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18為相同或不同，且分別獨立選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亞稠環芳基、C6-C30的亞稠雜環芳基、C6-C20的烷基或C6-C30的醇基；R9、R10、R11和R12為相同或不同，且分別獨立選自C6-C30的芳基；式(2)中，A1和A2分別獨立選自C6-C30芳基或C6-C30雜環芳基，R1’為氫、烷基、烷氧基或鹽基；並且，式(2)同時滿足以下條件：A1或A2至少一個具有縮環構造。
第一電洞傳輸材料為式(HTL1-1)至式(HTL1-10)所示結構：
第二電洞傳輸材料為式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示結構的茚并芴衍生物：
式中，A和B分別獨立選自苯基、萘基或苯胺基；R9、R10、R11和R12為相同或不同，且分別獨立選自C6-C30的芳基；R13為C1-C6烷基或羥基，較佳地，R13為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、正戊基或正己基。
第二電洞傳輸材料為式(HTL2-1)至式(HTL2-18)所示結構：
該基板可選擇玻璃基片或是柔性基片。
該第一電極層1(陽極層)可以採用無機材料或有機導電聚合物，無機材料一般為氧化銦錫、氧化鋅、氧化銦鋅等金屬氧化物或金、銅、銀等功函數較高的金屬，最佳化的選擇為氧化銦錫(ITO)，有機導電聚合物較佳為聚噻吩/聚乙烯基苯磺酸鈉(以下簡稱PEDOT：PSS)、聚苯胺(以下簡稱PANI)中的一種材料。
該第二電極層8(陰極層)，一般採用鋰、鎂、鈣、鍶、鋁、銦等功函數較低的金屬、金屬化合物或合金，本發明較佳為電子傳輸層7摻雜鋰(Li)、鉀(K)、銫(Cs)等活潑金屬，而該活潑金屬較佳採用蒸鍍鹼金屬化合物的方法獲 得。
電洞注入層2(HIL)的基質材料較佳為HAT或者為4,4-(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(m-MTDATA)、4,4TDAT三(N-2-萘基-N-苯基-氨基)-三苯基胺(2-TNATA)。
電洞傳輸層3(HTL)的基質材料可以採用芳胺類和枝聚物族類低分子材料，較佳為N,N二-(1-萘基)-N,N二苯基-1，1’基聯苯基-4，4’基二胺(NPB)。
電子傳輸層7材料選自Alq3、Bphen、BAlq，也可選自如下材料。
藍光發光層6一般採用的材料為，主體材料選自ADN及其衍生物，染料選自式(BD-1)所示或式(BD-2)所示：
紅光發光層4一般採用的材料為：Ir(piq)3、Ir(piq)2(acac)、Btp2Ir(acac)、Ir(MDQ)2(acac)、Ir(DBQ)2(acac)、Ir(fbi)2(acac)、Ir(2-phq)3、Ir(2-phq)2(acac)、Ir(bt)2(acac)或PtOEP等。
綠光發光層5一般採用的材料為：Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)等。
本發明主要化學物質的結構式說明如下。
下面將給出複數個實施例，並結合圖式具體解釋本發明的技術方案。應當注意到，下面的實施例僅用於幫助理 解發明，而不是對本發明的限制。
實施例1-14中有機電致發光顯示器裝置結構採用的結構如下，其不同之處在於紅光光學補償層10和綠光光學補償層11的材料不同。
藍光發光區15(圖3中最左虛線框內)：ITO/HAT(10nm)/MTDATA(100nm)/NPB(20nm)/ADN(30nm)：BD-1/ETL-1(35nm)/Mg：Ag(20nm)/MTDATA(50nm)。
綠光發光區14(圖3中中間虛線框內)：ITO/HAT(10nm)/MTDATA(100nm)/NPB(20nm)/HTL1：HTL2(60nm)/CBP(30nm)：Ir(ppy)3/ETL-1(35nm)/Mg：Ag(20nm)/MTDATA(50nm)。
紅光發光區13(圖3中最右虛線框內)：ITO/HAT(10nm)/MTDATA(100nm)/NPB(20nm)/HTL1：HTL2(110nm)/CBP(30nm)：Ir(mdq)2(acac)/ETL-1(35nm)/Mg：Ag(20nm)/MTDATA(50nm)。
實施例1
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-1所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-1所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-1和第二電洞傳輸材料HTL2-1質量比為50：50。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-1和第二電 洞傳輸材料HTL2-1質量比為50：50。
實施例2
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-2所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-2所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-2和第二電洞傳輸材料HTL2-2質量比為1：99。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-2和第二電洞傳輸材料HTL2-2質量比為5：50。
實施例3
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-3所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-3所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-3和第二電洞傳輸材料HTL2-3質量比為99：1。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-3和第二電洞傳輸材料HTL2-3質量比為95：5。
實施例4
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-4所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-18所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-4和第二電洞傳輸材料HTL2-18質量比為90：10。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-4和第二電洞傳輸材料HTL2-18質量比為5：95。
實施例5
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-5所示結構，第 二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-16所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-5和第二電洞傳輸材料HTL2-16質量比為70：30。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-5和第二電洞傳輸材料HTL2-16質量比為15：85。
實施例6
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-6所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-15所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-6和第二電洞傳輸材料HTL2-15質量比為40：60。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-6和第二電洞傳輸材料HTL2-15質量比為40：60。
實施例7
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-7所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-14所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-7和第二電洞傳輸材料HTL2-14質量比為50：50。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-7和第二電洞傳輸材料HTL2-14質量比為30：70。
實施例8
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-8所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-13所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-8和第二電洞傳輸材料HTL2-13質量比為35：65。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-8和第二電洞傳輸材料HTL2-13質量比為25：75。
實施例9
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-9所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-12所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-9和第二電洞傳輸材料HTL2-12質量比為90：10。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-9和第二電洞傳輸材料HTL2-12質量比為45：55。
實施例10
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-10所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-11、HTL2-6所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-10和第二電洞傳輸材料HTL2-11質量比為45：55。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-10和第二電洞傳輸材料HTL2-6質量比為10：90。
實施例11
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-1所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-10所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-1和第二電洞傳輸材料HTL2-10質量比為95：5。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-6和第二電洞傳輸材料HTL2-10質量比為5：95。
實施例12
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-3所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-9、HTL2-17所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-3和第二電洞傳輸材料HTL2-17質量比為55：45。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-3和第二電洞傳輸材料HTL2-9質量比為20：80。
實施例13
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-5所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-8、HTL2-4所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-5和第二電洞傳輸材料HTL2-8質量比為55：45。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-5和第二電洞傳輸材料HTL2-4質量比為20：80。
實施例14
第一電洞傳輸材料為HTL1式HTL1-8所示結構，第二電洞傳輸材料為HTL2式HTL2-5、HTL2-7所示結構。
紅光補償層10：第一電洞傳輸材料HTL1-8和第二電洞傳輸材料HTL2-7質量比為30：70。
綠光補償層11：第一電洞傳輸材料HTL1-8和第二電洞傳輸材料HTL2-5質量比為40：60。
比較例：
藍光發光區15(圖3中最左虛線框內)：ITO/HAT(10nm)/MTDATA(100nm)/NPB(20nm)/ADN( 30nm)：BD-1/ETL-1(35nm)/Mg：Ag(20nm)/MTDATA(50nm)。
綠光發光區14(圖3中中間虛線框內)：ITO/HAT(10nm)/MTDATA(160nm)/NPB(20nm)/CBP(30nm)：Ir(ppy)3/ETL-1(35nm)/Mg：Ag(20nm)/MTDATA(50nm)。
紅光發光區13(圖3中最右虛線框內)：ITO/HAT(10nm)/MTDATA(210nm)/NPB(20nm)/CBP(30nm)：Ir(mdq)2(acac)/ETL-1(35nm)/Mg：Ag(20nm)/MTDATA(50nm)。
裝置的性能測試如下。
測試結果顯示，本發明的光學補償層採用高能級的電洞傳輸材料和高遷移率的電洞傳輸材料組合，能夠顯著提高紅光和綠光發光層的發光效率。
顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而並非對實施方式的限定。對於所屬技術領域中具有通常知識者來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這裡無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處於本發明創造的保護範圍之中。
1‧‧‧第一電極層
2‧‧‧電洞注入層
3‧‧‧電洞傳輸層
4‧‧‧紅光發光層
5‧‧‧綠光發光層
6‧‧‧藍光發光層
7‧‧‧電子傳輸層
8‧‧‧第二電極層
9‧‧‧光學耦合層
10‧‧‧紅光光學補償層
11‧‧‧綠光光學補償層
12‧‧‧第一有機功能層
13‧‧‧第二有機功能層
14‧‧‧綠光發光區
15‧‧‧藍光發光區

Claims (10)

  1. 一種具有RGB畫素區的有機電致發光顯示器裝置，包括基板、以及依次形成在該基板上的第一電極層(1)、複數層有機層和第二電極層(8)，該複數層有機層包括在該第一電極層(1)上設置的第一有機功能層(12)、發光材料層和第二有機功能層(13)，該發光材料層包括紅光發光層(4)、綠光發光層(5)和藍光發光層(6)；該紅光發光層(4)和綠光發光層(5)與該第一有機功能層(12)之間分別設置有光學補償層，該光學補償層是由第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料製備而成，該第一電洞傳輸材料的三線態能級2.48eV，HOMO能級-5.5eV，該第二電洞傳輸材料的HOMO能級>-5.5eV，且該第一電洞傳輸材料和該第二電洞傳輸材料的HOMO能級差0.2eV。
  2. 如請求項1所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光顯示器裝置，其中該光學補償層包括設置在該紅光發光層(4)與該第一有機功能層(12)之間的紅光光學補償層(10)和設置在該綠光發光層(5)與該第一有機功能層(12)之間的綠光光學補償層(11)。
  3. 如請求項2所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中該紅光光學補償層(10)中的第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的質量比介於1：99-99：1。
  4. 如請求項2所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中該綠光光學補償層(11)中的第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的質量比介於5：95-50：50。
  5. 如請求項4所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中該綠光光學補償層(11)中的第一電洞傳輸材料和第二電洞傳輸材料的質量比介於10：90-30：70。
  6. 如請求項1至5中任一項所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中該第一電洞傳輸材料為式(1)或式(2)所示結構： 式(1)中，A和B分別獨立選自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18為相同或不同，且分別獨立選自氫元素、鹵族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亞稠環芳基、C6-C30的亞稠雜環芳基、C6-C20的烷基或C6-C30的醇基； R9、R10、R11和R12為相同或不同，且分別獨立選自C6-C30的芳基；式(2)中，A1和A2分別獨立選自C6-C30芳基或C6-C30雜環芳基，R1’選自氫、烷基、烷氧基或鹽基；並且式(2)同時滿足以下條件：A1或A2至少一個具有縮環構造。
  7. 如請求項6所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中該第一電洞傳輸材料為式(HTL1-1)至式(HTL1-10)所示結構：
  8. 如請求項1至5中任一項所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中該第二電洞傳輸材料為式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示結構的茚并芴衍生物： 式中，A和B分別獨立選自苯基、萘基或苯胺基；R9、R10、R11和R12為相同或不同，且分別獨立選自C6-C30的芳基；R13選自C1-C6烷基或羥基。
  9. 如請求項8所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中R13為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、正戊基或正己基。
  10. 如請求項8所記載之具有RGB畫素區的有機電致發光裝置，其中該第二電洞傳輸材料為式(HTL2-1)至式(HTL2-18)所示結構：
TW104144453A 2014-12-31 2015-12-30 An organic electroluminescent display device having an RGB pixel region TWI570985B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410853953.2A CN104538559B (zh) 2014-12-31 2014-12-31 一种具有rgb像素区的有机电致发光显示装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201635613A true TW201635613A (zh) 2016-10-01
TWI570985B TWI570985B (zh) 2017-02-11

Family

ID=52854056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104144453A TWI570985B (zh) 2014-12-31 2015-12-30 An organic electroluminescent display device having an RGB pixel region

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10693107B2 (zh)
EP (1) EP3242343B1 (zh)
JP (1) JP6571780B2 (zh)
KR (1) KR101946406B1 (zh)
CN (1) CN104538559B (zh)
TW (1) TWI570985B (zh)
WO (1) WO2016107537A1 (zh)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104538559B (zh) * 2014-12-31 2017-10-10 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光显示装置
KR102397823B1 (ko) 2015-11-30 2022-05-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105503622A (zh) * 2015-12-14 2016-04-20 武汉尚赛光电科技有限公司 具有电子供体-受体结构的苯并[c]菲类的衍生物、其应用及电致发光器件
CN106887446A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机发光显示器件及显示装置
US10483479B2 (en) * 2016-03-01 2019-11-19 Pioneer Corporation Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device
CN107056809B (zh) * 2016-04-25 2019-05-14 中节能万润股份有限公司 一种含有二甲基蒽的有机化合物及其在有机电致发光器件上应用
CN105837498B (zh) * 2016-04-25 2019-03-22 中节能万润股份有限公司 一种含有二甲基蒽结构的有机化合物及其应用
CN106158914A (zh) 2016-07-29 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 Oled阵列基板及其制作方法、oled显示面板
CN107785490B (zh) * 2016-08-26 2019-12-24 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 有机电致发光器件
CN106409877B (zh) * 2016-11-21 2019-06-14 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和有机发光显示装置
CN108807493B (zh) * 2016-12-13 2020-09-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光显示器件及其制造方法、以及有机发光显示装置
CN108203429A (zh) * 2016-12-20 2018-06-26 江苏三月光电科技有限公司 以二苯并含氮六元杂环为核心的化合物及有机电致发光器件
CN108336237B (zh) * 2017-01-20 2020-01-31 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件
CN109216565B (zh) 2017-06-30 2021-05-18 昆山国显光电有限公司 有机电致发光器件及其制备方法
CN109810083A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 上海自旭光电科技有限公司 用于有机发光二极管显示器件的化合物
CN110294760A (zh) * 2018-03-22 2019-10-01 北京鼎材科技有限公司 磷光主体材料及其在有机电致发光器件中应用
CN109320525B (zh) * 2018-11-19 2021-07-06 广东工业大学 一种含吩噁嗪结构的双给体空穴传输材料及其制备方法和钙钛矿太阳能电池
CN109776334B (zh) * 2018-12-29 2021-12-10 吉林奥来德光电材料股份有限公司 有机电致发光化合物及其制法和器件
CN109970576B (zh) * 2019-04-22 2022-04-01 吉林奥来德光电材料股份有限公司 一种有机电致发光化合物及其制备方法和应用
CN110311048B (zh) * 2019-06-29 2022-03-22 昆山国显光电有限公司 一种发光器件和显示面板
CN114068834B (zh) * 2020-07-31 2024-04-19 武汉天马微电子有限公司 有机发光器件、显示器件、电子装置、车载显示屏及车辆
CN114512617A (zh) * 2020-11-17 2022-05-17 京东方科技集团股份有限公司 一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法
CN112436043A (zh) * 2020-11-26 2021-03-02 合肥视涯技术有限公司 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4136185B2 (ja) * 1999-05-12 2008-08-20 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス多色ディスプレイ及びその製造方法
US6586120B2 (en) * 2001-05-01 2003-07-01 Academia Sinica Electro luminescent device comprising fluorene compounds
US20030162108A1 (en) * 2002-01-30 2003-08-28 Eastman Kodak Company Using spacer elements to make electroluminscent display devices
KR100424644B1 (ko) 2002-03-06 2004-03-25 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 음극 활물질 슬러리 조성물 및 이를이용한 리튬 이차 전지용 음극의 제조 방법
KR100611756B1 (ko) 2004-06-18 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR20060040829A (ko) * 2004-11-05 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
EP1860097B1 (en) * 2005-03-18 2011-08-10 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device utilizing the same
US8384283B2 (en) * 2007-09-20 2013-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2009151039A1 (ja) * 2008-06-11 2009-12-17 保土谷化学工業株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE102010010481A1 (de) 2010-03-06 2011-09-08 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR101757444B1 (ko) * 2010-04-30 2017-07-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 장치
DE102010045405A1 (de) * 2010-09-15 2012-03-15 Merck Patent Gmbh Materialien für organische Elektrolumineszenzvorrichtungen
EP2663567B1 (de) * 2011-01-13 2016-06-01 Merck Patent GmbH Verbindungen für organische elektrolumineszenzvorrichtungen
KR101298489B1 (ko) * 2011-03-02 2013-08-26 덕산하이메탈(주) 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 전자장치
CN102675128B (zh) * 2011-03-07 2014-04-09 昆山维信诺显示技术有限公司 一种二氢蒽衍生物、其制备方法、应用及含有其的发光器件
KR101771581B1 (ko) 2011-05-23 2017-08-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
CN102437290B (zh) * 2011-09-28 2016-03-23 昆山维信诺显示技术有限公司 一种有机电致发光显示器用蓝光器件及其制备方法
KR101927943B1 (ko) 2011-12-02 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 다층 구조의 정공수송층을 포함하는 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 평판 표시 장치
CN103187537B (zh) * 2011-12-31 2016-09-07 固安翌光科技有限公司 一种高效白光有机电致发光器件
CN103904225B (zh) * 2011-12-31 2016-05-25 固安翌光科技有限公司 一种带有阻隔层的有机电致发光器件
KR102005723B1 (ko) * 2012-03-12 2019-07-31 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 유기 전계 발광 소자
KR102264577B1 (ko) * 2012-04-20 2021-06-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
KR101952706B1 (ko) 2012-07-24 2019-02-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102081248B1 (ko) * 2013-06-05 2020-02-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN103700776B (zh) 2013-12-31 2017-07-14 北京维信诺科技有限公司 一种有机发光显示器件
CN104538559B (zh) * 2014-12-31 2017-10-10 北京维信诺科技有限公司 一种具有rgb像素区的有机电致发光显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP3242343A1 (en) 2017-11-08
KR101946406B1 (ko) 2019-02-11
CN104538559B (zh) 2017-10-10
JP2018507538A (ja) 2018-03-15
EP3242343B1 (en) 2019-10-16
WO2016107537A1 (zh) 2016-07-07
US10693107B2 (en) 2020-06-23
CN104538559A (zh) 2015-04-22
JP6571780B2 (ja) 2019-09-04
US20170373276A1 (en) 2017-12-28
KR20170100654A (ko) 2017-09-04
EP3242343A4 (en) 2018-08-15
TWI570985B (zh) 2017-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI570985B (zh) An organic electroluminescent display device having an RGB pixel region
CN106068267B (zh) 电子缓冲材料和包含其的有机电致发光装置
TWI673894B (zh) 有機電致發光器件
KR101741490B1 (ko) 발광 소자, 발광 장치, 조명 장치 및 전자 기기
CN108011040B (zh) 一种绿光有机电致发光器件
TW201902904A (zh) 發光元件、顯示裝置、電子裝置以及照明設備
JP2015201655A (ja) 発光素子、発光装置、電子機器、照明装置
KR102585841B1 (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광장치
WO2017191526A1 (en) Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
KR102605293B1 (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광장치
KR20100121238A (ko) 화합물 및 이를 이용한 유기전기소자, 그 단말
TW201448309A (zh) 有機發光裝置及包含其之平板顯示裝置
CN104505464B (zh) 一种有机电致发光器件
CN104282839A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
KR102325672B1 (ko) 유기 화합물과 이를 이용한 발광다이오드 및 유기발광다이오드 표시장치
WO2023273998A1 (zh) 一种化合物及其应用、一种有机电致发光器件
CN112687812B (zh) 有机发光二极管和包括该有机发光二极管的有机发光装置
US11802102B2 (en) Organic compound, and organic light emitting diode and organic light emitting display device including the same
TWI814124B (zh) 有機發光二極體及包含其之有機發光裝置
US20220216408A1 (en) Organic Light Emitting Device
US20220216407A1 (en) Organic Light Emitting Device
TW202323499A (zh) 有機發光顯示裝置
TWI542571B (zh) 新穎發光材料
KR20230100043A (ko) 유기발광다이오드 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR20210062553A (ko) 유기 화합물, 이를 포함하는 유기발광다이오드 및 유기발광표시장치