CN104282839A - 有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 - Google Patents

有机电致发光器件及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本公开提供了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，该有机电致发光器件包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层；所述有机功能层包括发光层，所述发光层包括依次相邻设置的两个子发光层，即靠近阳极层一侧的第一子发光层和靠近阴极层一侧的第二子发光层，所述第一子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第一子发光层和所述第二子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。

Description

有机电致发光器件及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明的实施例涉及有机电致发光器件及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device，OLED)是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件，由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点，使其具有广阔的应用前景。
OLED的结构通常包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的发光层。OLED的发光机理为：当电压施加于阳极层和阴极层之间时，在外界电压的驱动下，由阳极层一侧注入的空穴克服界面势垒并被传输到发光层中，由阴极层一侧注入的电子克服界面势垒并被传输到发光层中，到达发光层中的空穴和电子在发光层中复合形成激子，激子辐射跃迁而发光，即电致发光。在此过程中，若激发态电子自旋(Electron Spin)和基态电子成对，则为单重态激子(Singlet)，其所释放的光为所谓的荧光(Fluorescence)；反之，若激发态电子和基态电子自旋不成对且平行，则为三重态激子(Triplet)，其所释放的光为所谓的磷光(Phosphorescence)。
发明内容
本发明的实施例提供了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，可以简单的结构提高发光效率，有利于实现高分辨率显示。
本发明的至少一个实施例提供了一种有机电致发光器件，包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层，其中，所述有机功能层包括发光层，所述发光层包括依次相邻设置的两个子发光层，即靠近阳极层一侧的第一子发光层和靠近阴极层一侧的第二子发光层，所述第一子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第一子发光层和所述第二子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
本发明的另一个实施例提供了一种显示装置，包括上述电致发光器件。
本发明的再一个实施例提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括分别制备阳极、发光层和阴极。制备所述发光层包括：制备第一子发光层，所述第一子发光层靠近所述阳极一侧；与所述第一子发光层相邻制备第二子发光层，所述第二子发光层靠近所述阴极一侧；所述第一子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第一子发光层和所述第二子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
图1示出了一种OLED的结构；
图2示出了图1所示的OLED的能级结构示意图；
图3示出了根据本发明一个实施例的OLED的结构；
图4示出了图3所示的OLED的能级结构示意图。
图5示出了根据本发明另一个实施例的OLED的结构。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，本公开所使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
在本公开之中，HOMO和LUMO分别指最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital)和最低未占分子轨道(LowestUnoccupied Molecular Orbital)。根据前线轨道理论，两者可统称前线轨道。在有机半导体中HOMO与无机半导体中的价带类似，而LUMO则与导带类似。HOMO与LUMO之间的能量差称为“能带差”，该能带差即为HOMO-LUMO，可以被用来衡量一个有机分子是否容易被激发。一个有机分子的能带差越小，则该有机分子越容易被激发。
图1示出了一种OLED的结构，该OLED包括衬底1、阳极层2、阴极层8以及设置在阳极层2和阴极层8之间的有机功能层，该有机功能层包括依次设置在阳极层2上的空穴注入层(HIL)3、空穴传输层(HTL)4、发光层(EML)5、电子传输层(ETL)6以及电子注入层(EIL)7。空穴注入层3与阳极层2相邻，电子注入层7与阴极层8相邻。在阳极层2和阴极层10之间连接有外加直流电源11；有机电致发光器件可在外加电源11的驱动下发光。
图2示出了图1所示的OLED的能级结构示意图。当阳极层2和阴极层8之间施加有电压时，在外界电压的驱动下，由阳极层2注入的空穴克服界面势垒进入空穴注入层3以及空穴传输层4的HOMO能级而到达发光层6，由阴极层10注入的电子克服界面势垒进入电子注入层6和电子传输层7的LUMO能级到达发光层6，进入到发光层6中的空穴和电子在复合区复合形成处于激发态的激子。此激发态在环境中是不稳定的，将导致辐射跃迁发光，得到电致发光。图中以阳极为氧化铟锡(ITO)为例。
充分利用电子载流子和空穴载流子复合释放的能量且提高OLED中载流子利用效率，从而提高有机电致发光器件的发光效率，是目前有机光电技术领域中亟待解决的问题。
同时，发明人还注意到，在有源矩阵OLED(AMOLED)显示装置的一个像素单元中，分别采用不同发光材料实现的红、绿和蓝色(RGB)子像素中红光和绿光发光材料的效率较高，而蓝光发光材料的发光效率低，因此需要更大面积的蓝光发光材料以实现RGB的平衡，但是这种布局限制了驱动电路的设计，也阻碍了显示装置更高分辨率的实现。
本发明的一个实施例提供了一种有机电致发光器件(OLED)，包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层，其中，所述有机功能层包括发光层，所述发光层包括依次相邻的两个子发光层，即靠近阳极层一侧的第一子发光层和靠近阴极层一侧的第二子发光层，所述第一子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第一子发光层和所述第二子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。本公开的“基本相同”指两个子发光层的能带差的绝对值之差对于较小者小于5％，优选小于3％。在一个示例中，第一子发光层和第二子发光层的能带差相同。
本发明的实施例通过将OLED的发光层形成为包括至少两个子发光层，且至少第一子发光层或第二子发光层加入具有不同能带结构的材料，具有基本相同的能带差，由此得到类量子阱的结构。由此，在一层辐射复合发光的过程中，另一层能够吸收部分光子的能量，而自主实现受激发射，发射出相应波长的光。例如，在该多层结构的发光层中，至少第一子发光层利用前一层辐射复合发光的光子能量作为激发源来使其达到发光的目的。
例如，第一子发光层由主体发光材料制成，第二子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成；或者，第二子发光层由主体发光材料制成，第一子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成。
例如，第一子发光层由具有第一掺杂浓度的掺杂的主体发光材料制成，第二子发光层由具有第二掺杂浓度的掺杂的所述主体发光材料制成。
例如，第二子发光层的发光效率可以比第一子发光层的发光效率低。
例如，第一子发光层的发光波长可以与第二子发光层的发光波长基本相同。此处“基本相同”指两个子发光层的发光波长的绝对值之差对于较小者小于5％，优选小于3％。在一个示例中，第一子发光层和第二子发光层的发光波长相同。
例如，第一子发光层和第二子发光层的厚度比为1:3～3:1。
例如，发光层还可以包括与第二子发光层相邻设置的第三子发光层，第三子发光层设置在第二子发光层靠近阴极一侧层，且第三子发光层和第二子发光层具有基本相同的能带差，且第二子发光层和第三子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。例如，第一子发光层由主体发光材料制成，第二子发光层和第三子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成，且第二子发光层的掺杂浓度和第三子发光层的掺杂浓度不同。或者，第三子发光层由主体发光材料制成，第一子发光层和第二子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成，且第一子发光层的掺杂浓度和第二子发光层的掺杂浓度不同。
例如，第一子发光层由具有第一掺杂浓度的掺杂的主体发光材料制成，第二子发光层由具有第二掺杂浓度的掺杂的所述主体发光材料制成；第三子发光层由具有第三掺杂浓度的掺杂的所述主体发光材料制成。
图3示出了根据本发明一个实施例的OLED的结构。该OLED包括衬底21、阳极层22、阴极层28以及设置在阳极层22和阴极层28之间的有机功能层。在该实施例中，有机功能层包括依次设置在阳极层22之上的空穴注入层(HIL)23、空穴传输层(HTL)24、发光层(EML)、电子传输层(ETL)26以及电子注入层(EIL)27。空穴注入层23与阳极层22相邻，电子注入层27与阴极层28相邻。在阳极层22和阴极层28之间连接有外加直流电源211，有机电致发光器件在外加电源211的驱动下发光。
衬底21作为电极层和有机功能层的支撑结构，具有一定的防水汽和氧气渗透的能力，有较好的表面平整性，例如可以是玻璃衬底、石英衬底或柔性衬底或TFT背板；对于底反射型OLED，衬底21应当是透明的。柔性基片可采用聚酯类、聚酞亚胺化合物中的一种材料制成，或者可采用较薄的金属制成。
阳极层22作为该有机电致发光器件正向电压的连接层，具有较好的导电性能、可见光透明性以及较高的功函数值。例如，阳极层22通常采用无机金属氧化物(比如，氧化铟锡ITO、氧化锌ZnO等)或有机导电聚合物(如PEDOT：PSS，PANI等)或高功函数值的金属材料(比如，金、铜、银、铂等)制成。
阴极层28作为该OLED负向电压的连接层，具有较好的导电性能和较低的功函数值。阴极层28通常采用低功函数值的金属材料，比如锂、镁、钙、锶、铝、铟等，或上述低功函数值的金属材料与铜、金、银的合金制成。
空穴注入层23例如可采用三苯胺化合物或者是有P型掺杂的有机层或者是聚合物制成，如三-[4-(5-苯基-2-噻吩基)苯]胺、4,4’,4”-三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-TNATA)或者4,4’,4”-三-(3-甲基苯基苯胺基)三苯胺(m-MTDATA)、酞箐铜(CuPc)、Pedot:Pss、TPD或F4TCNQ。
空穴传输层24例如可采用芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、三芳胺聚合物、以及咔唑类聚合物制成。如NPB、TPD、TCTA、以及聚乙烯咔唑或者其单体。
电子传输层26例如可采用邻菲罗林衍生物，噁唑衍生物，噻唑衍生物，咪唑衍生物，金属配合物，蒽的衍生物。具体示例包括：8-羟基喹啉铝(Alq3)、8-羟基喹啉锂(Liq)、8-羟基喹啉镓、双[2-(2-羟基苯基-1)-吡啶]铍、2-(4-二苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3,5-三(N-苯基-2-笨并咪唑-2)苯(TPBI)、BCP、Bphen等。
电子注入层27例如可以采用碱金属氧化物、碱金属氟化物等。碱金属氧化物包括氧化锂(Li2O)、氧化锂硼(LiBO)、硅氧化钾(K2SiO3)、碳酸铯(Cs2CO3)等；碱金属氟化物包括氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)等。
图3所示出的实施例中阳极层22形成在衬底上作为下电极，而阴极层28形成在有机功能层上作为上电极；但是，本发明的实施例不限于此，也可以将阴极层形成在衬底上作为下电极，而阳极层形成在有机功能层上作为上电极。此外，在下电极和衬底之间还可以根据需要形成中间层，该中间层例如为缓冲层或用于顶发射类型的OLED的反射层等。本发明实施例的OLED根据需要可以制备为顶发射型、底发射型或双面发射型等。
图3所示出的实施例的发光层包括两个发光子层：靠近阳极层22一侧的第一子发光层251和靠近阴极层28一侧的第二子发光层252。第一子发光层251和第二子发光层252具有基本相同的能带差(即HOMO-LUMO之差)，第二子发光层252所发射的光能够被第一子发光层251吸收而使其受激发射。第一子发光层251利用相邻的第二子发光层252辐射复合发光的光子能量作为激发源来使其达到发光的目的。或者，第一子发光层251所发射的光能够被第二子发光层252吸收而使其受激发射。
图4示出了图3所示的OLED的能级结构示意图。如图4所示，第二子发光层252的能带差与第一子发光层251的能带差基本相同，，第二子发光层252的能级低于第一子反光层251的能级，即二者之间存在能级差，否则载流子不能注入，第二子发光层252的HOMO和LUMO分别比第一子发光层251的HOMO和LUMO要低，例如低0.5ev以下，例如低0.2～0.5ev。当第二子发光层252发光时，第一子发光层251接受第二子发光层252所发射的部分光子的能量实现雪崩效应而复合发光。
例如，发光层根据所使用的发光材料的不同，可以发射红光、绿光、蓝光、黄光、白光等，本发明的实施例不限于发光层所发射的光的颜色，优选适用于发射蓝光的OLED。
目前，有机发光材料包括荧光发光材料或磷光发光材料，通常采用掺杂体系，即在主体发光材料中混入掺杂材料得到可用的发光材料。例如，主体发光材料可以采用金属配合物材料、蒽的衍生物、芳香族二胺类化合物、三苯胺化合物、芳香族三胺类化合物、联苯二胺衍生物、或三芳胺聚合物等；更具体地，例如双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(Balq)、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、TAZ、4,4'-二(9-咔唑)联苯(CBP)、MCP、4,4',4″-三-9-咔唑基三苯胺(TCTA)或N,N-双(α-萘基-苯基)-4,4-联苯二胺(NPB)等。荧光发光材料或掺杂材料例如包括香豆素染料(coumarin 6、C-545T)、喹吖啶酮(DMQA)、或4-(二腈亚甲叉)-2-甲基-6-(4-二甲胺基-苯乙烯)-4H-吡喃(DCM)系列等。磷光发光材料或掺杂材料例如包括基于Ir、Pt、Ru、Cu等金属配合物发光材料，比如：FIrpic、Fir6、FirN4、FIrtaz、Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)、PtOEP、(btp)2Iracac、Ir(piq)2(acac)或(MDQ)2Iracac等。另外，发光材料还可以包括双主体且进行掺杂的情形。
在本发明的一个实施例中，例如第二子发光层252为未掺杂的发光材料，具有较低的发光效率，第一子发光层251为被掺杂的发光材料，具有较高的发光效率。例如，当发光层发红光时，发红光材料可以是荧光材料或者磷光材料；在一个示例中，第二子发光层252的发光材料为DCM，而第一子发光层251的发光材料为掺杂Alq(喹啉铝)的DCM，掺杂质量百分比例如为1～5％(例如3％)，例如第一和第二子发光层的厚度为5～50nm，进一步例如10～30nm。
例如，当发光层可以发蓝光时，发蓝光材料可以是荧光材料或者磷光材料；在一个示例中，第二子发光层252的发光材料为DPUBi(4,4’-二(2,2二苯乙烯基)-1,1’-联苯)，第一子发光层251的发光材料为掺杂红荧烯(rubrene)的DPUBi，掺杂质量百分比例如为1～5％(例如3％)。
在本发明的另一个实施例中，第一子发光层251和第二子发光层252的掺杂浓度不同，第一子发光层251具有较高的发光效率。当发光层发红光时，例如第一子发光层和第二子发光层为掺杂2,6-二[(4’-甲氧基联苯氨)苯乙烯-1,5-]双氰萘(BSN)的AND，而第一子发光层的掺杂质量百分比30％，而第二子发光层的掺杂质量百分比为20％，例如第一和第二子发光层的厚度可以为5～50nm。当发光层发蓝光时，例如第一子发光层和第二子发光层为掺杂4,4’-二[2-[4-(N,N-联苯氨)苯]-乙烯]联苯(DPAVBi)的AND，第一子发光层的掺杂质量百分比为2.5％，而第二子发光层的掺杂质量百分比为1.5％，例如第一和第二子发光层的厚度可以为5～50nm。
在本发明的再一个实施例中，第一子发光层251和第二子发光层252均为双主体并进行掺杂的发光层，第一子发光层251具有较高的发光效率。例如，当发光层发红光时，第一子发光层和第二子发光层采用的体系是2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(TBADN)：Alq3：4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久罗尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，其中前两个是主体，后一个是掺杂材料，例如第一和第二子发光层的掺杂质量百分比可以分别为1％和3％；另一个实施例中，第一子发光层和第二子发光层采用的体系是Alq3∶红荧烯∶DCJTB，前两个是主体，最后一个是掺杂材料，例如第一和第二子发光层的掺杂质量百分比可以分别为2％和3％。
图4所示实施例的OLED与仅采用第一子发光层251或第二子发光层252的OLED相比，发光效率可以提高30％以上。
图5示出了根据本发明另一个实施例的OLED的结构。该OLED包括衬底31、阳极层32、阴极层38以及设置在阳极层32和阴极层38之间的有机功能层。在该实施例中，该有机功能层包括依次设置在阳极层32之上的空穴注入层(HIL)33、空穴传输层(HTL)34、发光层(EML)、电子传输层(ETL)36以及电子注入层(EIL)37。空穴注入层33与阳极层32相邻，电子注入层37与阴极层38相邻。在阳极层32和阴极层38之间连接有外加直流电源311，有机电致发光器件在外加电源311的驱动下发光。该实施例中的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等同样可以由上面已经介绍的相应材料制备。
图5所示出的实施例的发光层包括三个发光子层：从阳极层32一侧到阴极层38一侧依次布置的第一子发光层351第二子发光层352和第三子发光层353。第一至第三子发光层351-353具有基本相同的能带差，且具有能级差(例如在前线轨道能级中依次降低)，例如相邻子发光层的能级差例如低于0.5ev，例如低于0.2～0.5ev。例如，第三子发光层353所发射的光能够被第二子发光层252吸收而使其受激发射，或者进一步地第二子发光层352所发射的光能够被第一子发光层351吸收而使其受激发射。例如，至少第一子发光层251和/或第二子发光层252可以利用相邻的子发光层的辐射复合发光的光子能量作为激发源来使其达到发光的目的。
在图5所示的实施例中，第一至第三子发光层351-353可以采用上面已经介绍的相应材料制备，例如，第三子发光层为未掺杂的发光材料，具有较低的发光效率，而第二子发光层和第一子发光层为被掺杂的发光材料，具有较高的发光效率，掺杂浓度彼此相同或不同；或者，例如第一至第三子发光层均为被掺杂的发光材料，但是掺杂浓度彼此不同。在该实施例中，第二子发光层和第三子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。图5所示实施例的OLED与仅采用第一至第三子发光层任一的OLED相比，发光效率均可以提高30％以上。
进一步地，在上述结合图3、图5所述的实施例基础上，本发明实施例的OLED的有机功能层可以仅包括发光层，而不包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层等，或者可以选择性地包括上述至少之一。另外，在上述结合图3、图5所述的实施例基础上，本发明实施例的OLED的有机功能层还可以根据需要包括电子阻挡层、激子阻挡层等，本发明实施例不限于这些构造。
本发明的实施例的发光层不限于图3所示的双层结构和图5所示的三层子发光层结构，而还可以具有更多层子发光层结构(例如四层子发光层结构)，而且也不限于与上面所述实施例中的掺杂关系，只要满足在能级结构依次排列的子发光层具有基本相同的能带差，得到类量子阱结构，从而其中至少之一子发光层能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
本发明至少一实施例还提供了一种显示装置，其包括本发明至少一个实施例提供的上述OLED以形成至少一种颜色的子像素，例如红、绿和蓝色(RGB)子像素。这些子像素构成像素阵列。例如，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、监视器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、手表等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明至少一实施例提供了一种OLED的制备方法，其一个示例包括以下几个步骤。
S1)清洗衬底
在一个示例中，将衬底21依次在清洗剂、乙醇溶液、丙酮溶液和去离子水中进行清洗，然后用干燥氮气进行干燥。
S2)制作阳极层或阴极层
将衬底21置于真空蒸发室中，进行阳极层22或阴极层28的制备或其他处理。
在一个示例中，即将衬底21传送到真空蒸发室中，在衬底21上形成氧化铟锡(ITO)薄膜，从而在衬底21上形成有机电致发光器件的阳极层22。例如，ITO薄膜的方块电阻为25Ω/□。
当然，为了提高生产效率，可以将步骤S1)和步骤S2)提前完成，形成相应的带有阳极层或阴极层的衬底，以方便后续加工过程中直接利用。
S3)对所制作的阳极层或阴极层进行预处理
在本实施例中，将制备好阳极层22的衬底21移入真空室中，采用氧气等离子对阳极层22进行预处理或者氩气等离子进行预处理，以提高ITO薄膜的洁净度和表面平整度，改善ITO薄膜表面特性和提高其功函数值。
S4)制作有机功能层
例如，是在处理后的阳极层22或阴极层28上制备有机功能层，其中发光层包括两个子发光层。
在一个示例中，将处理后的衬底21移入真空室中，然后进行有机功能层的制备。按照本实施例中有机电致发光器件的结构，蒸镀顺序依次如下：空穴注入层23、空穴传输层24、发光层、电子传输层26和电子注入层27。发光层从下到上依次为第一子发光层251和第二子发光层252。例如，所述发光层的制作过程可以如下所述：
1)制作第一子发光层251；
2)在所述第一子发光层上制作第二子发光层252，第一子发光层251和第二子发光层252具有基本相同的能带差，且所述第一子发光层和所述第二子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
S5)制作阴极层或阳极层
在本实施例中，有机功能层制作完成后，将衬底1置于高真空度条件下进行阴极层10的制备。
上述步骤S2)-步骤S5)中涉及的构成有机电致发光器件中有机功能层中的各层的沉积速率及厚度可以由设置在衬底附近的膜厚仪进行监测。各有机功能层可以通过利用蒸镀或者金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法制备。例如，当发光层发红光时，发红光材料可以是荧光材料或者磷光材料；在一个示例中，第二子发光层的发光材料为DCM，而第一子发光层的发光材料为掺杂Alq的DCM，例如第一和第二子发光层的厚度为5～50nm，进一步例如10～30nm。例如，当发光层发蓝光时，发蓝光材料可以是荧光材料或者磷光材料；在一个示例中，第二子发光层的发光材料为DPUBi，第一子发光层的发光材料为掺杂红荧烯的DPUBi。
之后，可将制备完的有机电致发光器件传送到手操箱进行封装，手操箱为惰性气体氛围，例如在本实施例中为氮气氛围。之后，可对制备完成后的有机电致发光器件的光电性能进行测试。
本发明的实施例的一个示例的OLED中各层的构成如下(包括各层的制备材料/及厚度)：玻璃/ITO/2-TNATA(10nm)/NPB(20nm)/DCM(10nm)/DCM:Alq3(10nm)/TPBI(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(200nm)。即，衬底采用玻璃片制成；阳极层采用ITO制成，真空蒸发室中的真空度可以设置为2×10-4Pa，在衬底上形成氧化铟锡(ITO)薄膜；空穴注入层采用2-TNATA材料制作，其厚度为10nm，例如蒸镀速率设置为0.08nm/s；空穴传输层采用NPB材料制作；在发光层中，第一子发光层采用DCM主体发光材料制作，其厚度为10nm，例如蒸镀速率设置为0.08nm/s，而第二子发光层采用DCM主体发光材料制作，其中掺杂Alq3，其厚度为10nm，例如蒸镀速率设置为0.08nm/s；电子传输层采用TPBI材料制作，其厚度为40nm，例如蒸镀速率设置为0.08nm/s；电子注入层9采用LiF材料制作，其厚度为0.5nm，例如蒸镀速率设置为0.02nm/s；阴极层采用Al，例如在真空度为5×10-4Pa的高真空度条件下进行蒸镀进行制作。该示例中的OLED发红光，且可以为底面发射。
本发明实施例的另一个示例的OLED中各层的构成如下(包括各层的制备材料/及厚度)：玻璃/ITO/2-TNATA(10nm)/NPB(20nm)/DPUBi(10nm)/DPUBi:红荧烯(10nm)/TPBI(40nm)/LiF(0.5nm)/Al(200nm)。在发光层中，第一子发光层采用DPUBi主体发光材料制作，而第二子发光层采用DCM主体发光材料制作，其中掺杂红荧烯。该示例中的OLED发蓝光，且可以为双面发射。
在本发明至少一个实施例的OLED中，由于至少一个子发光层能够吸收在前的另一个子发光层所发射的光而受激发射，由此能够有效地提高发光效率，能达到在同样的驱动电流的情况下更高效地发光。特别是对于发光效率较为低下的蓝光OLED，采用本发明实施例可以解决发光效率低下的问题。在本发明的实施例的OLED显示装置中，通过采用上述发光效率提高的蓝光OLED，更易于实现RGB的平衡，并且减小蓝光子像素的面积，从而减轻了对驱动电路的设计限制，有利于实现更高显示分辨率的OLED显示装置。
以上所述仅是本发明的示范性实施方式，而非用于限制本发明的保护范围，本发明的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (13)

1.一种有机电致发光器件，包括阳极层、阴极层以及设置在阳极层和阴极层之间的有机功能层，其中，所述有机功能层包括发光层，所述发光层包括依次相邻设置的两个子发光层，即靠近阳极层一侧的第一子发光层和靠近阴极层一侧的第二子发光层，所述第一子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第一子发光层和所述第二子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
2.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中，所述第一子发光层由主体发光材料制成，所述第二子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成；所述第二子发光层由主体发光材料制成，所述第一子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成或者。
3.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中，所述第一子发光层由具有第一掺杂浓度的掺杂的主体发光材料制成，所述第二子发光层由具有第二掺杂浓度的掺杂的所述主体发光材料制成。
4.根据权利要求1-3任一的有机电致发光器件，其中，所述第二子发光层的发光效率比所述第一子发光层的发光效率低。
5.根据权利要求1-3任一的有机电致发光器件，其中，所述第一子发光层的发光波长与所述第二子发光层的发光波长基本相同。
6.根据权利要求1的有机电致发光器件，其中，所述发光层还包括与所述第二子发光层相邻设置的第三子发光层，所述第三子发光层设置在所述第二子发光层靠近阴极一侧层，且所述第三子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第二子发光层和所述第三子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
7.根据权利要求6的有机电致发光器件，其中，所述第一子发光层由主体发光材料制成，所述第二子发光层和所述第三子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成，且所述第二子发光层的掺杂浓度和所述第三子发光层的掺杂浓度不同；或者，所述第三子发光层由主体发光材料制成，所述第一子发光层和所述第二子发光层由被掺杂的所述主体发光材料制成，且所述第一子发光层的掺杂浓度和所述第二子发光层的掺杂浓度不同。
8.根据权利要求6的有机电致发光器件，其中，所述第一子发光层由具有第一掺杂浓度的掺杂的主体发光材料制成，所述第二子发光层由具有第二掺杂浓度的掺杂的所述主体发光材料制成；所述第三子发光层由具有第三掺杂浓度的掺杂的所述主体发光材料制成。
9.根据权利要求1-8任一所述的有机电致发光器件，其中，所述有机功能层还包括有空穴传输层和电子传输层，所述空穴传输层为与所述第一子发光层相邻且靠近阳极层的一侧，所述电子传输层为与所述发光层相邻且靠近阴极层的一侧。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光器件，其中，所述有机功能层还包括有空穴注入层和电子注入层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层与所述阳极层之间，所述电子注入层位于所述电子传输层与所述阴极层之间。
11.一种显示装置，包括权利要求1-10任一所述的电致发光器件。
12.一种有机电致发光器件的制备方法，包括分别制备阳极、发光层和阴极，其中，制备所述发光层包括：
制备第一子发光层，所述第一子发光层靠近所述阳极一侧；
与所述第一子发光层相邻制备第二子发光层，所述第二子发光层靠近所述阴极一侧；
其中，所述第一子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第一子发光层和所述第二子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
13.根据权利要求12的制备方法，其中，制备所述发光层还包括：
与所述第二子发光层相邻制备第三子发光层，所述第三子发光层靠近所述阴极一侧；
所述第三子发光层和所述第二子发光层具有基本相同的能带差，且所述第二子发光层和所述第三子发光层之一能够吸收另一子发光层所发射的光而受激发射。
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