TW201633391A - 用於漂洗和乾燥基材的系統和方法 - Google Patents

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Abstract

在一些實施例中,提供一種系統,該系統包括(1)裝載位置;(2)乾燥位置;(3)可移動槽,可移動槽係配置來:(a)固持至少一基材;(b)固持清洗化學品,以曝露可移動槽內的基材至清洗化學品;以及(c)在裝載位置與乾燥位置之間轉移;以及(4)乾燥站,乾燥站位於乾燥位置處,並且配置來在可移動槽位於乾燥位置處時,在基材從可移動槽卸載時,漂洗與乾燥基材。提供許多其他態樣。

Description

用於漂洗和乾燥基材的系統和方法 【相關申請案】
本申請案主張美國非先行申請案第14/602,201號的優先權,其申請於2015年1月21日,且標題為「用於漂洗與乾燥基材的系統與方法(SYSTEMS AND METHODS FOR RINSING AND DRYING SUBSTRATES)」(事務所案號為NO.22586/USA),第14/602,201號申請案主張美國先行申請案第62/094,938號的優先權,其申請於2014年12月19日,且標題為「基材漂洗系統與方法(SUBSTRATE RINSING SYSTEMS AND METHODS)」(事務所案號為NO.22585/L),上述每一者在此以引用之方式針對所有目的將其全部併入。
本申請案係關於美國申請案序號第14/593,841號,其申請於2015年1月9日,且標題為「基材固持器組件、設備、與方法(SUBSTRATE HOLDER ASSEMBLY,APPARATUS,AND METHODS)」(事務所案號為NO.22564),本文以引用之方式針對所有目的將其全部併入。
本申請案係關於美國申請案序號第14/602,094號,其申請於2015年1月21日,且標題為「基材夾持器設備與方法(SUBSTRATE GRIPPER APPARATUS AND METHODS)」(事務所案號為NO.22600),本文以引用之方式針對所有目的將其全部併入。
本申請案係關於美國申請案序號第14/602,114號,其申請於2015年1月21日,且標題為「基材邊緣殘留物移除系統、設備、與方法(SUBSTRATE EDGE RESIDUE REMOVAL SYSTEMS,APPARATUS,AND METHODS)」(事務所案號為NO.22563),本文以引用之方式針對所有目的將其全部併入。
本申請案係關於半導體裝置製造,且更具體地,係關於用於漂洗與乾燥基材的系統與方法。
隨著半導體裝置幾何尺寸的持續減小,超清洗處理的重要性增加。漂洗浴(例如,在單獨的槽內,或者藉由更換清洗槽流體)之前可使用流體槽內的水清洗(或水浴)。在從漂洗浴移除之後,不使用乾燥設備,漂洗浴流體會從基材的表面蒸發,並且導致形成斑紋、形成斑點、及/或留下漂洗浴殘留物在基材的表面上。此種斑紋、斑點、及/或殘留物可能導致後續的裝置失效。 因此,許多注意力都放在改良當基材從水浴移除時用於乾燥基材的方法。
已知為馬蘭各尼乾燥(Marangoni drying)的方法產生表面張力梯度,以導致浴流體以使基材實質上免於浴流體的方式從基材流動,且因此可避免斑紋、斑點、與殘留物痕跡。具體地,在馬蘭各尼乾燥期間,與浴流體溶混的溶劑(例如,IPA蒸汽)引入至流體彎月面,流體彎月面在基材從浴中升舉起時或者在浴流體排放通過基材時形成。溶劑蒸汽沿著流體的表面被吸收,所吸收的蒸汽的濃度在流體彎月面的頂端處較高。所吸收的蒸汽的較高濃度導致表面張力在流體彎月面的頂端處較低,相較於整塊浴流體來說,而導致浴流體從乾燥的流體彎月面流動朝向整塊浴流體。此種流動已知為「馬蘭各尼」流動,並且可用來達成在基材上具有減少的斑紋、斑點、或浴殘留物之基材乾燥。
達成基材的均勻馬蘭各尼乾燥可能是困難的,且在一些情況中,來自浴流體的粒子可能重新附著至基材並且污染基材。因此,所欲的是,在基材漂洗及/或乾燥期間用於減少粒子重新附著的方法與設備。
在本發明的一些實施例中,提供一種系統,該系統包括(1)裝載位置;(2)乾燥位置;(3)可移動槽,可移動槽係配置來:(a)固持至少一基材;(b)固持清洗化學品,以曝露可移動槽內的基材至清洗化學 品;以及(c)在裝載位置與乾燥位置之間轉移;以及(4)乾燥站,乾燥站位於乾燥位置處,並且配置來在可移動槽位於乾燥位置處時,在基材從可移動槽卸載時,漂洗與乾燥基材。
在本發明的一些實施例中,提供一種方法,該方法包括下述步驟:(1)提供可移動槽,可移動槽係配置來固持至少一基材,並且在裝載位置與乾燥位置之間轉移;(2)提供乾燥站,乾燥站位於乾燥位置處,並且係配置來在可移動槽位於乾燥位置處時,在基材從可移動槽卸載時,漂洗與乾燥基材;(3)定位可移動槽於裝載位置處;(4)當可移動槽位於裝載位置處時,裝載基材至可移動槽中;(5)利用清洗化學品來填充可移動槽;(6)利用清洗化學品來處理基材達預定的時間時期;(7)移動可移動槽至乾燥位置;(8)從可移動槽卸載基材通過乾燥站;以及(9)當基材從可移動槽卸載通過乾燥站時,利用漂洗流體來漂洗基材並且乾燥基材。
在本發明的一些實施例中,提供一種系統,該系統包括:(1)第一裝載位置、第二裝載位置、第一乾燥位置、與第二乾燥位置;(2)可移動槽,可移動槽係配置來在第一與第二裝載位置以及第一與第二乾燥位置之間轉移,可移動槽具有:(a)第一可填充且可排放的隔室,第一可填充且可排放的隔室係配置來固持清洗化學品,以曝露可移動槽的第一隔室內的基材至清洗化學品;以及(b)第二可填充且可排放的隔室,第二可填 充且可排放的隔室係配置來固持清洗化學品,以曝露可移動槽的第二隔室內的基材至清洗化學品;以及(3)乾燥站,乾燥站係配置來:(a)當可移動槽定位在乾燥站之下、第一乾燥位置處時,在基材從可移動槽的第一隔室卸載時,漂洗與乾燥基材;以及(b)當可移動槽定位在乾燥站之下、第二乾燥位置處時,在基材從可移動槽的第二隔室卸載時,漂洗與乾燥基材。提供許多其他實施例及/或態樣。
本發明的其他特徵與態樣將從範例實施例、所附申請專利範圍、與所附圖式的以下詳細敘述而變得更完全地顯而易見。
100‧‧‧系統
100'‧‧‧系統
100"‧‧‧系統
102‧‧‧可移動槽
104‧‧‧乾燥站
106a‧‧‧第一隔室
106b‧‧‧第二隔室
106c‧‧‧隔室
108a‧‧‧第一基材固持器
108b‧‧‧第二基材固持器
108c‧‧‧基材固持器
110‧‧‧高架基材轉移機構
112a、112b‧‧‧漂洗流體源
114a、114b‧‧‧乾燥蒸汽源
116a‧‧‧第一基材
116b‧‧‧第二基材
116c‧‧‧第三基材
116d‧‧‧第四基材
116e‧‧‧基材
116f‧‧‧第一基材
116g‧‧‧第二基材
120‧‧‧基材升降機
122a、122b‧‧‧清洗化學品傳送機構
200‧‧‧系統
202‧‧‧荷葉邊狀的區域
204‧‧‧溢流堰
206‧‧‧排放管
208‧‧‧框體
209a-d‧‧‧基材接觸支撐部
211‧‧‧真空埠
213a-b‧‧‧真空入口
216a、216b‧‧‧歧管
218a、218b‧‧‧排放閥/連接管
220a、220b‧‧‧填充閥/連接管
222‧‧‧排放管
224a、224b‧‧‧奶嘴部
226a‧‧‧第一支撐構件
226b‧‧‧第二支撐構件
228a‧‧‧第一導軌
228b‧‧‧第二導軌
230a‧‧‧第一致動器
230b‧‧‧第二致動器
232‧‧‧基座板
234‧‧‧支撐板
236‧‧‧支撐框體
237‧‧‧調整夾具
238a-b‧‧‧滑動軸承或軌道
239‧‧‧馬達
240‧‧‧夾持器設備
242a-b‧‧‧下指部
244a-b‧‧‧可樞轉指部
245a、245b‧‧‧邊緣支撐特徵
246‧‧‧基材邊緣殘留物移除設備
248‧‧‧控制器
D1、D2‧‧‧乾燥位置
L1、L2‧‧‧裝載位置
第1A圖至第1R圖根據本發明的實施例,為用於漂洗與乾燥基材的範例系統的示意側視圖。
第1S圖根據本發明的實施例,為用於漂洗與乾燥基材的第一替代系統的示意側視圖。
第1T圖根據本發明的實施例,為用於漂洗與乾燥基材的第二替代系統的示意側視圖。
第2A圖為根據本發明的一或更多個實施例所提供之漂洗與乾燥系統的另一範例實施例的透視圖。
第2B圖與第2C圖分別為第2A圖的可移動槽的範例實施例的透視圖與橫剖面前視圖。
如同先前所述,在一些情況中,在清洗處理之後,來自用於漂洗基材的漂洗浴流體的粒子可能重新附著至基材並且污染基材。例如,若在清洗之後用於漂洗基材的漂洗浴流體具有與在先前的清洗步驟期間所用的化學品不同的酸鹼度(pH),則粒子可能重新附著至基材。此外,污染物可能積聚在漂洗槽中,並且可能在乾燥期間移除基材時重新附著至基材。雖然此種粒子重新附著可藉由加入化學品至漂洗流體來減少,但是加入化學品至最終的漂洗槽會導致化學品在乾燥之後殘留在基材上。
在本文提供的一些實施例中,提供一種用於漂洗與乾燥基材的系統,該系統包括可移動槽,可移動槽可在基材裝載位置與乾燥位置之間轉移,在基材裝載位置處時,基材可裝載至可移動槽中。乾燥站位於乾燥位置處,並且可用來漂洗與乾燥從可移動槽卸載的基材。在一些實施例中,可移動槽可具有小的體積,及/或針對槽內所處理的每一基材而填充與排放(例如,減少因為來自槽內所處理的多個基材的粒子的積累所導致的粒子建立及/或重新附著)。
為了增加產量,在一些實施例中,槽可具有二或更多個獨立的基材處理隔室整合至相同的槽主體中。用於每一處理隔室的填充與排放閥歧管可整合至槽主體中,以減少空間及/或減少設施與系統之間的連接點。
在本文提供的一些實施例中,藉由將基材浸入槽內的化學品中(例如,酸或鹼、HCl酸、HF酸、有機鹼、四甲基氫氧化銨(TMAH)、氫氧化銨、另一pH調整物、或類似者),且然後將基材升舉出槽外、通過漂洗流體源(例如瀑布,瀑布的頂表面覆蓋有溶劑流(例如,N2/IPA氣體混合物)),可減少及/或避免粒子重新附著。產生的漂洗流體簾幕可有效地從基材漂洗化學品,且漂洗流體之上的N2/IPA氣體可提供具有減少的及/或最少化的粒子重新附著之馬蘭各尼(Marangoni)乾燥。
以下敘述漂洗與乾燥基材的系統及/或方法的範例實施例。
第1A圖至第1R圖根據本發明的實施例,為用於漂洗與乾燥基材的範例系統100的示意側視圖。參見第1A圖,系統100包括可移動槽102與乾燥站104。在第1A圖至第1R圖的實施例中,乾燥站104為固定的。但是,在其他實施例中,乾燥站104可為可移動的(及/或槽102可為固定的)。
第1A圖的可移動槽102包括第一可填充且可排放的隔室106a以及第二可填充且可排放的隔室106b,第一可填充且可排放的隔室106a係配置來固持清洗化學品,以曝露可移動槽102的第一隔室內的基材至清洗化學品;且第二可填充且可排放的隔室106b係配置來固持清洗化學品,以曝露可移動槽102的第二隔室 內的基材至清洗化學品。在一些實施例中,可移動槽102可僅包括單一可填充且可排放的隔室或者兩個以上的可填充且可排放的隔室。
在第1A圖的實施例中,可移動槽102可移動於第一裝載位置、第二裝載位置、第一乾燥位置、與第二乾燥位置之間。例如,裝載與乾燥位置可如同下面的表1所示。可使用其他的裝載及/或乾燥位置。
可移動槽102的第一隔室106a包括第一基材固持器108a,且可移動槽102的第二隔室106b包括第二基材固持器108b。每一固持器108a、108b係配置來固持可移動槽102的隔室106a、106b內的基材、當可移動槽102位於適當的裝載位置處時從高架基材轉移機構110接收基材、以及當可移動槽102位於適當的乾燥位置處時從可移動槽102的隔室106a或106b卸載基材通過乾燥站104(如同下面進一步敘述的)。可移動槽102的範例實施例參見第2A圖至第2C圖敘述於下。 高架基材轉移機構110可為高架輸送器系統、流通束機器人系統、或用於轉移基材的任何其他合適的機構。
在第1A圖至第1R圖的實施例中,乾燥站104包括漂洗流體源112a、112b,用於供應漂洗流體至通過乾燥站104的基材的前側與後側。例如,漂洗流體源112a、112b可包括噴嘴、噴灑桿、所示的瀑布設備、或用於傳送漂洗流體至基材的任何其他合適的機構。範例的漂洗流體源參見第2A圖敘述於下。任何合適的漂洗流體都可使用(例如,去離子水、具有可減少表面張力的漂洗劑之去離子水、氣體注入式去離子水(例如,注入有O3、CO2、N2等的去離子水)、及/或類似者)。
乾燥站104也可包括乾燥蒸汽源114a、114b,用於傳送乾燥蒸汽(例如,溶劑蒸汽)至基材上所形成的前側及/或後側漂洗流體彎月面,前側及/或後側漂洗流體彎月面係在乾燥站104的漂洗與乾燥操作期間在基材經過漂洗流體源112a、112b且漂洗流體噴灑在基材時形成。在此種實施例中,當基材通過乾燥站104時,基材可受到馬蘭各尼乾燥。在利用系統100的馬蘭各尼乾燥期間,與漂洗流體混溶的溶劑蒸汽(例如,IPA)引入至每一流體彎月面,每一流體彎月面在基材升舉通過漂洗流體源112a、112b時形成。溶劑蒸汽沿著漂洗流體的表面被吸收,所吸收的蒸汽的濃度在每一流體彎月面的頂端處較高。所吸收的蒸汽的較高濃度導致表面 張力在每一流體彎月面的頂端處較低,相較於整塊漂洗流體來說,而導致漂洗流體從每一乾燥的流體彎月面流動朝向漂洗流體。此種流動已知為「馬蘭各尼」流動,並且可用來達成在基材上不會留下斑紋、斑點、或漂洗流體殘留物之基材乾燥。
現在參見第1A圖至第1R圖來敘述漂洗與乾燥系統100的範例操作。參見第1A圖,可移動槽102移動至第一裝載位置,其中第一隔室106a與第一基材固持器108a定位在由高架基材轉移機構110支撐的第一基材116a之下。在第1B圖中,第一基材固持器108a升高來支撐第一基材116a,並且從高架基材轉移機構110接收第一基材116a。在第1C圖中,第一基材固持器108a降低來定位第一基材116a於可移動槽102的第一隔室106a內。可移動槽102的第一隔室106a然後填充有清洗化學品。
範例的清洗化學品包括酸或鹼、HCl酸、HF酸、有機鹼、四甲基氫氧化銨(TMAH)、氫氧化銨、另一pH調整物、或類似者。在一些實施例中,在基材裝載至可移動槽102中之前,可基於在基材上執行的處理來選擇或設定在可移動槽102的任一隔室106a、106b中所用的清洗化學品及/或清洗化學品的pH。例如,可移動槽102中所用的化學品可相同於在基材裝載至漂洗與乾燥系統100中之前用於清洗基材的刷盒或刷擦工具中所用的化學品。其他範例的清洗化學品包括可從康乃 狄克州(CT)的丹伯里(Danbury)的ATMI取得的PlanarClean、可從美國維吉尼亞州的裡奇蒙(Richmond)的Wako化學公司取得的CX100、可從賓夕法尼亞州(PA)的阿倫敦(Allentown)的Air Products取得的CP98、及/或任何其他合適的化學品。
參見第1D圖,可移動槽102移動至第二裝載位置,其中第二隔室106b與第二基材固持器108b定位在由高架基材轉移機構110支撐的第二基材116b之下。在第1E圖中,第二基材固持器108b升高來支撐第二基材116b,並且從高架基材轉移機構110接收第二基材116b。在第1F圖中,第二基材固持器108b降低來定位第二基材116b於可移動槽102的第二隔室106b內。可移動槽102的第二隔室106b然後填充有清洗化學品。用於填充第一隔室106a的相同或不同的化學品可用於填充第二隔室106b。第一及/或第二基材116a、116b可曝露至清洗化學品達任何合適的時間。在一些實施例中,第一及/或第二基材116a、116b可曝露至可移動槽102內的清洗化學品達至少5秒,在一些實施例中至少10秒,且在一些實施例中至少20秒。其他的曝露時間也可使用。例如,不同的曝露時間可用於不同的化學品、不同濃度的化學添加劑等。
在第1G圖中,可移動槽102移動至第一乾燥位置,其中第一隔室106a定位在乾燥站104之下。在第1H圖中,第一基材固持器108a卸載且升高第一基材 116a通過乾燥站104,以在第一基材116a從可移動槽102的第一隔室106a卸載通過乾燥站104時,利用漂洗流體來漂洗第一基材116a並且乾燥第一基材116a。例如,漂洗流體源112a、112b可產生均勻的漂洗流體簾幕(例如,瀑布),第一基材116a可移動通過漂洗流體簾幕,有效地漂洗基材116a的兩側。從漂洗流體簾幕之上的乾燥蒸汽源114a、114b加入的溶劑氣體流(例如,氮氣/IPA)可促成通過馬蘭各尼處理來有效地乾燥第一基材116a。透過橫越基材116a的長度之均勻的漂洗流體流,可提供基材116a的健全漂洗與乾燥。
在利用乾燥站104的漂洗與乾燥期間,範例性基材行進速率的範圍為大約15至35毫米/秒,且在一些實施例中為大約20至30毫米/秒,但是可使用較快或較慢的行進速率。
在第1I圖中,第一基材116a通過乾燥站104,並且可從第一基材固持器108a移除。在一些實施例中,第一基材116a可改變定向(例如,藉由適當的機構而從垂直轉換至水平,或反之亦然,如同下文進一步敘述的,且如同虛線所示)。
在第1J圖中,從可移動槽102的第一隔室106a排放清洗化學品,且第一基材固持器108a降回至第一隔室106a中。如同上述,在一些實施例中,可移動槽102中的每一隔室106a、106b的體積可保持為小的,以促成快速的排放與填充序列。例如,在一些實施 例中,每一隔室106a、106b的體積可為大約2.5公升或較小,且在一些實施例中可為大約2公升或較小。可使用其他的體積。在一些實施例中,第一隔室106a及/或第二隔室106b可在小於大約15秒內排放與重新填充,且在一些實施例中可在小於大約10秒內排放與重新填充。
如同第1K圖所示,可移動槽102移動至第一裝載位置,其中第一隔室106a與第一基材固持器108a定位在由高架基材轉移機構110支撐的第三基材116c之下。在第1L圖中,第一基材固持器108a升高來支撐第三基材116c,並且從高架基材轉移機構110接收第三基材116c。在第1M圖中,第一基材固持器108a降低來定位第三基材116c於可移動槽102的第一隔室106a內。可移動槽102的第一隔室106a然後填充有清洗化學品。
如同前述,可使用相同或不同的化學品來填充第一隔室106a與第二隔室106b。第一、第二及/或第三基材116a、116b、116c可曝露至清洗化學品達任何合適的時間。在一些實施例中,基材116a、116b、116c可曝露至可移動槽102內的清洗化學品達至少5秒,在一些實施例中至少10秒,且在一些實施例中至少20秒。其他的曝露時間也可使用。例如,不同的曝露時間可用於不同的化學品、不同濃度的化學添加劑等。
可移動槽102可移動至第二乾燥位置,其中第二隔室106b定位在乾燥站104之下。在所示的實施例中,可移動槽102的尺寸設計成使得當第一隔室106a定位在高架基材轉移機構110之下時,第二隔室106b定位在乾燥站104之下(亦即,第二乾燥位置與第一裝載位置對於可移動槽102為相同的)。一般來說,這可能並非如此,取決於此種因素:第一與第二隔室106a、106b之間的距離、第一與第二基材固持器108a、108b的位置、高架基材轉移機構110的位置、基材轉移機構110與乾燥站104之間的距離、及/或類似者。
在第1N圖中,第二基材固持器108b卸載且升高第二基材116b通過乾燥站104,以在第二基材116b從可移動槽102的第二隔室106b卸載通過乾燥站104時,利用漂洗流體來漂洗第二基材116b並且乾燥第二基材116b。例如,漂洗流體源112a、112b可產生均勻的漂洗流體簾幕(例如,瀑布),第二基材116b可移動通過漂洗流體簾幕,有效地漂洗基材116b的兩側。從漂洗流體簾幕之上的乾燥蒸汽源114a、114b加入的溶劑氣體流(例如,氮氣/IPA)可促成通過馬蘭各尼處理來有效地乾燥第二基材116b。透過橫越基材的長度之均勻的漂洗流體流,可提供基材116b的健全漂洗與乾燥。
在第1O圖中,第二基材116b通過乾燥站104,並且可從第二基材固持器108b移除。在一些實施例中,第二基材116b可改變定向(例如,藉由適當的機 構而從垂直轉換至水平,或反之亦然,如同下文進一步敘述的,且如同第1P圖所示)。
在第1P圖中,從可移動槽102的第二隔室106b排放清洗化學品,且第二基材固持器108b降回至第二隔室106b中。
如同第1Q圖所示,可移動槽102移動至第二裝載位置,其中第二隔室106b與第二基材固持器108b定位在由高架基材轉移機構110支撐的第四基材116d之下。第二基材固持器108b升高來支撐第四基材116d,並且從高架基材轉移機構110接收第四基材116d。在第1R圖中,第二基材固持器108b降低來定位第四基材116d於可移動槽102的第二隔室106b內。可移動槽102的第二隔室106b然後填充有清洗化學品。
上述的步驟可重複來處理後續的基材。例如,額外的基材可類似地裝載至可移動槽102中,曝露至清洗化學品達所欲的時間時期,定位在乾燥位置之下(藉由轉移可移動槽102),從可移動槽卸載通過乾燥站,以及在基材從可移動槽102卸載通過乾燥站104時,利用漂洗流體來漂洗並且乾燥。其他的裝載、卸載、漂洗及/或乾燥序列也可使用。
第1S圖根據本發明的實施例,為用於漂洗與乾燥基材的第一替代系統100'的示意側視圖。參見第1S圖,系統100'包括可移動槽102與乾燥站104。在第1S圖的實施例中,乾燥站104為固定的。但是,在其他實 施例中,乾燥站104可為可移動的(及/或槽102可為固定的)。
第1S圖的可移動槽102包括單一可填充且可排放的隔室106c,可填充且可排放的隔室106c係配置來固持清洗化學品,以曝露可移動槽102的隔室106c內的基材至清洗化學品。可移動槽102可移動於裝載位置L1與乾燥位置D1之間(如同所示)。
第1S圖的系統100'可操作類似於第1A圖至第1R圖的系統100,但是一次處理單一基材。可移動槽102的隔室106c包括基材固持器108c,基材固持器108c係配置來固持可移動槽102內的基材、當可移動槽102位於裝載位置L1處時從高架基材轉移機構110接收基材(例如,第1S圖的基材116e)、曝露基材116e至隔室106c內的清洗化學品達預定的時間時期、以及當可移動槽102位於乾燥位置D1處時從可移動槽102的隔室106c卸載基材116e通過乾燥站104。
用於漂洗與乾燥基材的所述系統可配置來:(1)當可移動槽位於裝載位置處時,裝載基材至可移動槽中;(2)利用清洗化學品來填充可移動槽;(3)利用清洗化學品來處理基材達預定的時間時期;(4)移動可移動槽至乾燥位置;(5)從可移動槽卸載基材通過乾燥站;以及(6)在基材從可移動槽卸載通過乾燥站時,利用漂洗流體來漂洗基材並且乾燥基材。
第1T圖根據本發明的實施例,為用於漂洗與乾燥基材的第二替代系統100"的示意側視圖。參見第1T圖,系統100'包括位於裝載位置L1處的第一基材固持器108a以及位於乾燥位置D1處的第二基材固持器108b。取代使用可移動槽來移動基材於裝載位置L1與乾燥位置D1之間,提供轉移機構來轉移裝載至第一基材固持器108a上的基材至第二基材固持器108b。例如,可使用基材升降機120來升舉基材離開第一基材固持器108a,並且轉移基材至第二基材固持器108b。基材升降機120可直線地及/或旋轉地轉移基材於第一與第二基材固持器108a、108b之間,舉例來說。
如同第1T圖所示,因為沒有使用可移動槽,裝載位置L1與乾燥位置D1兩者都可包括清洗化學品傳送機構122a、122b,例如噴灑噴嘴、噴灑桿、瀑布設備、及/或類似者。清洗化學品傳送機構122a可用清洗化學品來噴灑及/或塗覆位於裝載位置L1處的基材,且清洗化學品傳送機構122b可噴灑及/或塗覆位於乾燥位置D1處的基材。藉由在兩個位置處利用清洗化學品來塗覆基材,在利用乾燥站104來漂洗與乾燥之前,藉由曝露基材至清洗化學品達預定的時間,清洗化學品傳送機構122a與122b可操作類似於可移動槽102。
第1T圖的系統100"可操作類似於第1S圖的系統100'。第一基材116f可裝載至位於裝載位置L1處的第一基材固持器108a上。在裝載位置L1處,使用 清洗化學品傳送機構122a,第一基材116f可噴灑有清洗化學品,並且轉移至乾燥位置D1(使用基材升降機120)。然後在乾燥位置D1處,使用清洗化學品傳送機構122b,基材116f可噴灑有額外的清洗化學品,直到基材116f已經曝露至清洗化學品達所欲的及/或預定的時間時期。之後,基材116f可轉移通過乾燥站104,以漂洗與乾燥基材116f,如同先前所述。一旦基材116f離開第一基材固持器108a,第一基材固持器108a可用來從高架基材轉移機構110取得第二基材116g,以在系統100'內處理。
第2A圖為根據本發明的一或更多個實施例所提供之漂洗與乾燥系統200的另一範例實施例的透視圖。第2B圖與第2C圖分別為第2A圖的可移動槽102的範例實施例的透視圖與橫剖面前視圖。參見第2A圖,系統200包括可移動槽102與乾燥站104。在第2A圖的實施例中,乾燥站104為固定的。但是,在其他實施例中,乾燥站104可為可移動的(及/或槽102可為固定的)。
可移動槽102包括第一可填充且可排放的隔室106a以及第二可填充且可排放的隔室106b,第一可填充且可排放的隔室106a係配置來固持清洗化學品,以曝露可移動槽102的第一隔室106a內的基材至清洗化學品;且第二可填充且可排放的隔室106b係配置來固持清洗化學品,以曝露可移動槽102的第二隔室106b內的基材至清洗化學品。在一些實施例中,可移動槽102可 僅包括單一可填充且可排放的隔室或者兩個以上的可填充且可排放的隔室。
參見第2B圖,第一隔室106a係繪示為具有荷葉邊狀的區域202形成在第一隔室106a的上表面內。這些荷葉邊狀的區域202為槽材料移除的上表面區域,以協助清洗化學品、漂洗流體、或類似者在清洗及/或漂洗第一隔室106a中容納的基材的期間及/或基材從第一隔室106a卸載的期間流動於第一隔室106a的上表面之上。例如,荷葉邊狀的區域202所提供的較尖銳邊緣可協助克服與清洗化學品及/或漂洗流體相關的表面張力。第二隔室106b可類似地配置。其他形狀及/或結構也可用於減少表面張力效應。
在一些實施例中,可移動槽102可形成自PEEK、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚四氟乙烯(PTFE)、具有PTFE塗層的金屬、聚丙烯、及/或類似者。任何其他合適的槽材料也可使用。
如同第2A圖與第2B圖所示,溢流堰204可提供來在系統200內的裝載、卸載、清洗、漂洗及/或乾燥期間擷取從第一及/或第二隔室106a、106b溢流出的清洗化學品、漂洗流體、兩者的組合、及/或類似者。溢流堰204可包括一或更多個排放管206(第2B圖;第2A圖中未圖示),用於促進來自溢流堰204的流體的移除及/或再利用。
可移動槽102的第一隔室106a包括第一基材固持器108a,且可移動槽102的第二隔室106b包括第二基材固持器108b,如同先前所述。第2C圖例示第一基材固持器108a的範例實施例。第二基材固持器108b可類似地配置。
在一些實施例中,第一及/或第二基材固持器108a、108b可包括框體208,框體208具有多個基材接觸支撐部209a-d係配置來接觸與支撐基材。這些支撐部可為V形或其他形狀,以促進在基材固持器108a、108b從流體浴移除時從基材固持器108a、108b排放流體。在一些實施例中,一或更多個基材接觸支撐部209a-d可包括真空埠(未圖示),用於供應真空於一或更多個支撐部209a-d處,以進一步協助流體移除。額外地或替代地,狹縫形真空埠211可設置於支撐部209b與209c之間。真空可經由真空入口213a-b供應至一或更多個真空埠,舉例來說。一或更多個真空埠可操作來在沿著基材的底部邊緣的一或更多個位置處供應真空。因此,可移除從前可能聚集在此種基材支撐處及/或沿著基材的底部邊緣聚集的液體殘留物。範例性基材固持器係敘述於先前併入的美國申請案序號第14/593,841號,其申請於2015年1月9日。可使用任何其他合適的基材固持器。
在一些實施例中,可移動槽102可具有基於基材固持器108a及/或108b的形狀之內部體積形狀。例 如,如同第2C圖所示,第一隔室106a具有大致遵循第一基材固持器108a的輪廓之形狀。可移動槽102的第二隔室106b可類似地塑形。以此方式,每一隔室106a、106b的內部體積可減小,以允許消耗較少的清洗化學品以及每一隔室的較快填充與排放。
在一或更多個實施例中,可移動槽102的每一隔室106a、106b可包括歧管216a、216b(以虛線繪示),歧管216a、216b具有在可移動槽102的佔地面積內的排放閥/連接管218a、218b與填充閥/連接管220a、220b(第2C圖)。排放管可設置成從每一隔室106a、106b至每一個別的歧管216a、216b,以允許每一隔室106a、106b的排放及/或填充。如同第2C圖所示,排放管222耦接第一隔室106a的底部至第一歧管216a。在一些實施例中,排放管222可有角度、離水平面大約2至10度,以促進第一隔室106a的快速排放。第二隔室106b的排放管(未圖示)可類似地配置。可使用其他的排放管角度。
在一些實施例中,歧管216a、216b可經由在從槽主體突伸的奶嘴部224a、224b上的徑向密封(未圖示)而密封至槽主體。在一或更多個實施例中,第一與第二隔室106a、106b可機械加工成用於形成槽102的材料,以允許每一隔室的複雜幾何形狀(例如,輪廓塑形成基材固持器的形狀,以減少每一隔室106a、106b 的體積)。在一些實施例中,槽102的外部(側部)表面可在槽102組裝時熱配接及/或焊接至中心核心。
在一些實施例中,排放管及/或歧管216a、216b可設計成使得每一隔室106a、106b的排放點為每一隔室中的最低點(例如,以改良排放)。排放閥218a、218b可整合於槽102,以允許每一隔室106a、106b的快速排放。在一些實施例中,填充閥220a、220b可位於排放閥218a、218b的外部,如同所示。這可允許進來的流體快速進入槽102中,而沒有或很少飛濺。在基材受到處理之後從第一與第二隔室106a、106b快速排放清洗流體可協助確保懸浮在流體中的粒子沖出,並且不會附著至槽102的壁部。
在一些實施例中,且如同第2A圖所示,第一基材固持器108a可耦接至第一支撐構件226a,第一支撐構件226a滑動地耦接至第一導軌228a(耦接至可移動槽102),且第二基材固持器108b可耦接至第二支撐構件226b,第二支撐構件226b滑動地耦接至第二導軌228b(耦接至可移動槽102)。第一致動器230a(例如,線性馬達)可使第一支撐構件226a沿著第一導軌228a升高及/或降低,這接著使第一基材固持器108a在可移動槽102的第一隔室106a內升高及/或降低。同樣地,第二致動器230b(例如,線性馬達)可使第二支撐構件226b沿著第二導軌228b升高及/或降低,這接著使 第二基材固持器108b在可移動槽102的第二隔室106b內升高及/或降低。
如同第2A圖所示,在一些實施例中,可移動槽102可經由基座板232來支撐,且乾燥站104可使用支撐板234與支撐框體236來支撐於可移動槽102之上。例如,基座板232可使用一或更多個滑動軸承或軌道238a-b而耦接至可移動槽102,滑動軸承或軌道238a-b允許可移動槽102相對於基座板232轉移(在致動器的控制之下,例如馬達239,以虛線繪示)。
在第2A圖的實施例中,乾燥站104包括耦接至支撐框體236的瀑布型漂洗流體源112a、112b,用於供應漂洗流體至通過乾燥站104的基材的前側與後側。其他漂洗流體源可包括噴嘴、噴灑桿、或用於傳送漂洗流體至基材的任何其他合適的機構。任何合適的漂洗流體都可使用(例如,去離子水、具有可減少表面張力的漂洗劑之去離子水、氣體注入式去離子水(例如,注入有O3、CO2、N2等的去離子水))。在一些實施例中,藉由強迫流體流過狹窄的平面狹縫(例如,形成在兩個形成瀑布部或板之間)而形成瀑布源。例如,漂洗流體可引入至第一氣室中,並且行進通過受限的流體路徑至第二氣室,以在漂洗流體離開受限的流體路徑並且擴展進入第二氣室中時,在漂洗流體壓力減小時產生均勻的壓力分佈。漂洗流體然後可離開瀑布部之間形成的狹縫而形成漂洗流體瀑布。範例性瀑布設備係敘述於先 前併入的美國申請案序號第62/094,938號中,其申請於2014年12月19日。可使用任何其他合適的漂洗流體源。
乾燥站104也可包括乾燥蒸汽源114a、114b,用於傳送乾燥蒸汽(例如,溶劑蒸汽)至形成在基材上的前側及/或後側漂洗流體彎月面,前側及/或後側漂洗流體彎月面係在乾燥站104的漂洗與乾燥操作期間在基材經過漂洗流體源112a、112b且漂洗流體噴灑在基材時形成。在此種實施例中,當基材通過乾燥站104時,基材可受到馬蘭各尼乾燥。在利用系統200的馬蘭各尼乾燥期間,與漂洗流體混溶的溶劑蒸汽(例如,IPA)引入至每一流體彎月面,每一流體彎月面在基材升舉通過漂洗流體源112a、112b時形成。溶劑蒸汽沿著漂洗流體的表面被吸收,所吸收的蒸汽的濃度在每一流體彎月面的頂端處較高。所吸收的蒸汽的較高濃度導致表面張力在每一流體彎月面的頂端處較低,相較於整塊漂洗流體來說,而導致漂洗流體從每一乾燥的流體彎月面流動朝向漂洗流體。此種流動已知為馬蘭各尼流動,並且可用來達成在基材上不會留下斑紋、斑點、或漂洗流體殘留物之基材乾燥。
在一些實施例中,漂洗流體源112a、112b及/或乾燥蒸汽源114a、114b的位置、高度與/或旋轉可相對於支撐框體236來調整。例如,可調整的夾具、滑動軸承、調整螺釘或螺栓等(參見例如,調整夾具237) 可用於調整漂洗流體源112a、112b及/或乾燥蒸汽源114a、114b的高度及/或漂洗流體源112a、112b及/或乾燥蒸汽源114a、114b之間的間距。類似地,樞轉機構(未圖示)(例如,槽化導軌)可用於調整每一漂洗流體源112a、112b及/或乾燥蒸汽源114a、114b的旋轉。基座板232、支撐板234及/或支撐框體236可形成自任何合適的材料,例如鋁、不銹鋼、PEEK、上述的組合、或類似者。
夾持器設備240可提供於乾燥站104的輸出處。在所示的實施例中,夾持器設備240包括複數個下指部242a-b與可樞轉指部244a-b來接觸及/或支撐基材的邊緣。一或更多個致動器(未圖示)可打開與關閉夾持器設備240。在一些實施例中,夾持器設備240可改變基材的定向於垂直定向與水平定向之間(經由未圖示的一或更多個致動器)。在一些實施例中,在轉換至垂直定向時,第一與第二樞轉指部244a、244b的第一與第二邊緣支撐特徵245a、245b可接觸於基材的邊緣,並且施加夾持力至基材的邊緣。此夾持力夾緊基材於第一與第二樞轉指部244a、244b以及第一與第二下指部242a、242b之間,並且固持基材。範例性夾持器設備係敘述於先前併入的美國申請案序號第14/602,094號,其申請於2015年1月21日(事務所案號為NO.22600)。任何其他合適的夾持及/或基材支撐設備都可用來在漂洗與乾燥系統200內的漂洗/乾燥 操作之後接觸、移除及/或支撐來自基材固持器108a、108b的一者的基材。
補充乾燥設備可使用在一些實施例中,以進一步協助乾燥處理。例如,基材邊緣殘留物移除設備246(以虛線繪示)可配置來消除或最少化在基材底部處及/或在基材固持器的支撐接觸點處的漂洗流體,以免在漂洗/乾燥處理之後留下漂洗流體(例如,乾燥蒸汽源114a、114b之後)。範例實施例可包括兩件式組件,形成自下主體與上板。氣體可流動通過該組件並且離開,在一些實施例中,經由該組件的兩部件之間形成的薄狹縫而維持層狀流動。該組件可角度朝下,且在一些實施例中,只有當基材的下三分之一通過狹縫時才啟用。該組件可啟用來在基材的主表面上產生蒸汽或氣體簾幕,蒸汽或氣體簾幕可將任何殘留物推離基材面與邊緣。範例性乾燥設備係敘述於先前併入的美國申請案序號第14/602,114號,其申請於2015年1月21日(事務所案號為NO.22563)。其他合適的乾燥設備也可使用。
在一些實施例中,漂洗與乾燥系統200可包括控制器248,控制器248係配置來控制系統200的操作的至少一部分。例如,控制器248可配置來控制槽102的移動(經由馬達239)、升高及/或降低基材固持器108a、108b(經由馬達230a、230b)、填充與排放槽102的第一與第二隔室106a、106b(經由歧管216a、216b)、漂洗及/或乾燥基材(經由漂洗流體源 112a、112b、乾燥蒸汽源114a、114b及/或基材邊緣殘留物移除設備246)、夾持器240的夾持及/或旋轉,以改變基材的定向從垂直至水平、及/或類似者。控制器248可為處理器,例如微處理器、中央處理單元(CPU)、微控制器、專用硬體電路、上述的組合、或類似者,舉例來說。控制器248可包括電腦程式碼及/或一或更多個電腦程式產品,用於執行本文所述的一或更多個方法的至少一部分。本文所述的每一電腦程式產品可由電腦可讀取的非暫態媒介來承載(例如,軟碟、光碟、DVD、硬碟、隨機存取記憶體等)。
第2A圖至第2C圖的系統200可例如用類似於參照第1A圖至第1R圖所述的程序的方式來操作。其他的操作序列也可使用。
在至少一實施例中,控制器248可配置來控制漂洗與乾燥系統200來執行以下一或更多者:(1)使用例如馬達239來移動可移動槽102至第一裝載位置;(2)使用第一支撐構件226a、第一基材固持器108a與第一致動器230a,將第一基材從高架基材轉移機構110(第1A圖)裝載至可移動槽102的第一隔室106a中;(3)使用第一歧管216a,利用清洗化學品來填充可移動槽102的第一隔室106a;(4)移動可移動槽102至第二裝載位置(例如,使用馬達239);(5)使用第二支撐構件226b、第二基材固持器108b與第二致動器230b,將第二基材從高架基材轉移機構110(第1A圖) 裝載至可移動槽102的第二隔室106b中;(6)使用第二歧管216b,利用清洗化學品來填充可移動槽102的第二隔室106b;(7)移動可移動槽102至第一乾燥位置(其中第一隔室106a在乾燥站104之下);(8)從可移動槽102的第一隔室106a卸載第一基材通過乾燥站104(使用第一基材固持器108a);(9)當第一基材從可移動槽102的第一隔室106a卸載通過乾燥站104時,使用漂洗流體源112a、112b與乾燥蒸汽源114a、114b,利用漂洗流體來漂洗第一基材並且乾燥第一基材;(10)排放可移動槽102的第一隔室106a(經由第一歧管216a);(11)移動可移動槽102至第一裝載位置;(12)從高架基材轉移機構110裝載第三基材至可移動槽102的第一隔室106a中;(13)利用清洗化學品來填充可移動槽102的第一隔室106a;(14)定位可移動槽102於第二乾燥位置處(其中第二隔室106b在乾燥站104之下);(15)從可移動槽102的第二隔室106b卸載第二基材通過乾燥站104;(16)當第二基材從可移動槽102的第二隔室106b卸載通過乾燥站104時,利用漂洗流體來漂洗第二基材並且使用乾燥站104來乾燥第二基材;(17)排放可移動槽102的第二隔室106b(經由第二歧管216b);(18)移動可移動槽102至第二裝載位置;(19)從高架基材轉移機構110裝載第四基材至可移動槽102的第二隔室106b中;及/或(20)利用清洗化學品來填充可移動槽102的第二隔室 106b。其他清洗、漂洗及/或乾燥處理及/或序列也可使用。通常,可移動槽102可用任何合適的方式沿著可編程軸移動。
在一些實施例中,通過乾燥站104的基材可使用基材邊緣殘留物移除設備246來進一步乾燥。在一些實施例中,通過乾燥站104的基材可使用夾持器240從基材固持器108a、108b移除。夾持器240可旋轉基材從垂直至水平定向,以進行後續的處理,舉例來說。控制器248可控制基材邊緣殘留物移除設備246與夾持器240的一或更多者的操作。
當漂洗流體源112a、112b在漂洗/乾燥期間噴灑漂洗流體進入可移動槽102的第一及/或第二隔室106a、106b中時,隔室會溢流。在使用每分鐘數公升的漂洗流體的實施例中,隔室106a、106b的溢流會發生得很快速。溢流堰204可擷取此溢流液體,且此液體可繞送至處理排放管。流入隔室106a及/或106b中的漂洗流體(例如,DI水)稀釋隔室中的清洗化學品的化學濃度,使清洗化學品的pH較接近漂洗流體的最終pH。此pH轉變及/或梯度可減少任何粒子重新附著至可移動槽102正在處理的基材。為了進一步減少粒子的重新附著,隔室106a及/或106b可快速地填充與排放。在一些實施例中,每一隔室106a、106b可在大約5-10秒內填充,並且在大約4-7秒內排放。其他填充及/或排放時間也可使用。
使用可移動槽102內的清洗化學品可減少因為pH震盪所導致的粒子重新附著。例如,一些實施例可包括:在基材裝載至可移動槽102中之前,基於在基材上執行的處理,設定可移動槽102內的清洗化學品的pH。針對每一已處理的基材,藉由排放每一隔室106a、106b且利用新的清洗化學品來重新填充每一隔室106a、106b,可進一步減少粒子重新附著。(例如,因為粒子不從多個基材積累在相同的清洗流體中,可減少粒子重新附著,且可改良基材之間的均勻性/一致性)。使用兩個基材處理隔室允許在裝載/卸載操作期間基材的浸漬,改良系統的產量。
本文所提供的實施例可提供非接觸式化學最終清洗至基材表面,之後再進行單次的漂洗與馬蘭各尼乾燥步驟。化學機械刷擦在移除附著於基材表面的粒子是有效的,因為凡得瓦(van der Waals)作用力。刷子的機械作用提供流體動力學的拉曳力來打破粒子與基材表面之間鍵結。在刷擦期間所使用的化學品成分與pH可調整,使得基材表面與要從基材表面移除的粒子兩者具有相同的電荷正負,促進基材表面與粒子之間的靜電排斥。當基材表面與粒子之間的鍵結打破時,粒子會留在基材表面附近的邊界層中,且靜電排斥可防止粒子重新沉積。當基材從刷擦移動至漂洗槽時,基材表面的邊界層中的pH的急劇變化可能導致粒子重新沉積在基材表面上。使用可移動槽102內的清洗化學品具有pH類似 於刷擦期間所用的清洗化學品可以減少此種粒子重新沉積/重新附著。
前面的敘述僅揭示本發明的範例實施例。落入本發明的範圍內之上面揭示的系統、設備、與方法的修改對於本領域中熟習技藝者為顯而易見的。例如,在一些實施例中,本文所述的漂洗與乾燥系統與方法可配置來處理水平定向的基材。因此,雖然本發明已經結合其範例實施例來揭示,但是應理解到,其他實施例可落入本發明的範圍內,如同以下的申請專利範圍所界定的。
102‧‧‧可移動槽
104‧‧‧乾燥站
106a‧‧‧第一隔室
106b‧‧‧第二隔室
108a‧‧‧第一基材固持器
108b‧‧‧第二基材固持器
112a、112b‧‧‧漂洗流體源
114a、114b‧‧‧乾燥蒸汽源
116a‧‧‧第一基材
116b‧‧‧第二基材
200‧‧‧系統
204‧‧‧溢流堰
226a‧‧‧第一支撐構件
226b‧‧‧第二支撐構件
228a‧‧‧第一導軌
228b‧‧‧第二導軌
230a‧‧‧第一致動器
230b‧‧‧第二致動器
232‧‧‧基座板
234‧‧‧支撐板
236‧‧‧支撐框體
237‧‧‧調整夾具
238a-b‧‧‧滑動軸承或軌道
239‧‧‧馬達
240‧‧‧夾持器設備
242a-b‧‧‧下指部
244a-b‧‧‧可樞轉指部
245a、245b‧‧‧邊緣支撐特徵
246‧‧‧基材邊緣殘留物移除設備
248‧‧‧控制器

Claims (20)

  1. 一種系統,包括:一裝載位置;一乾燥位置;一可移動槽,該可移動槽係配置來:固持至少一基材;固持一清洗化學品,以曝露該可移動槽內的一基材至該清洗化學品;及在該裝載位置與該乾燥位置之間轉移;及一乾燥站,該乾燥站位於該乾燥位置處,並且配置來在該可移動槽位於該乾燥位置處時,在一基材從該可移動槽卸載時,漂洗與乾燥該基材。
  2. 如請求項1所述之系統,其中該裝載位置在一高架基材轉移機構之下。
  3. 如請求項1所述之系統,其中該裝載位置與該乾燥位置係橫向間隔開。
  4. 如請求項1所述之系統,其中該可移動槽係配置成在一基材的卸載之後排放,並且在接收一後續的基材之後重新填充。
  5. 如請求項1所述之系統,其中該可移動槽包括一歧管,該歧管具有在該可移動槽的一佔地面積內的一排放閥與填充閥。
  6. 如請求項1所述之系統,其中該可移動槽係配置來固持2基材。
  7. 如請求項1所述之系統,進一步包括一基材固持器,該基材固持器係配置來:固持該可移動槽內的一基材;當該可移動槽位於該裝載位置處時,從一高架基材轉移機構接收一基材;及當該可移動槽位於該乾燥位置處時,從該可移動槽卸載一基材通過該乾燥站。
  8. 如請求項7所述之系統,其中該可移動槽具有一內部體積形狀係基於該基材固持器的一形狀。
  9. 如請求項1所述之系統,其中該乾燥站包括一蒸汽乾燥源與一漂洗流體源係配置來在一基材從位於該乾燥位置處的該可移動槽卸載時,利用漂洗流體來漂洗該基材並且乾燥該基材。
  10. 如請求項1所述之系統,進一步包括至少一第一裝載位置與一第二裝載位置以及至少一第一乾燥位置與一第二乾燥位置,且其中該可移動槽係配置來在該第一與第二裝載位置以及該第一與第二乾燥位置之間移動。
  11. 一種方法,包括下述步驟:提供一可移動槽,該可移動槽係配置來固持至少一 基材,並且在一裝載位置與一乾燥位置之間轉移;提供一乾燥站,該乾燥站位於該乾燥位置處,並且係配置來在該可移動槽位於該乾燥位置處時,在一基材從該可移動槽卸載時,漂洗與乾燥該基材;定位該可移動槽於該裝載位置處;當該可移動槽位於該裝載位置處時,裝載一基材至該可移動槽中;利用一清洗化學品來填充該可移動槽;利用該清洗化學品來處理該基材達一預定時間時期;移動該可移動槽至該乾燥位置;從該可移動槽卸載該基材通過該乾燥站;及當該基材從該可移動槽卸載通過該乾燥站時,利用一漂洗流體來漂洗該基材並且乾燥該基材。
  12. 如請求項11所述之方法,進一步包括下述步驟:在該基材裝載至該可移動槽中之前,基於在該基材上執行的一處理,設定該可移動槽內的該清洗化學品的一酸鹼度(pH)。
  13. 如請求項11所述之方法,進一步包括下述步驟:當該基材從該可移動槽卸載時,使用該乾燥站藉由供應漂洗流體至該基材,在該可移動槽中產生一pH梯度。
  14. 如請求項11所述之方法,其中該乾燥站包括一蒸汽乾燥源與一漂洗流體源,且使用該蒸汽乾燥源與漂洗流體源來在一基材從位於該乾燥位置處的該可移動槽卸載時,利用漂洗流體來漂洗該基材並且乾燥該基材。
  15. 如請求項11所述之方法,進一步包括下述步驟:提供至少一第一與一第二裝載位置以及至少一第一與一第二乾燥位置,且其中該可移動槽係配置來在該第一與第二裝載位置以及該第一與第二乾燥位置之間移動。
  16. 如請求項15所述之方法,進一步包括下述步驟:移動該可移動槽至該第一裝載位置;從一高架基材轉移系統裝載一第一基材至該可移動槽的一第一隔室中;利用一清洗化學品來填充該可移動槽的該第一隔室;移動該可移動槽至該第二裝載位置;從該高架基材轉移系統裝載一第二基材至該可移動槽的一第二隔室中;利用一清洗化學品來填充該可移動槽的該第二隔室; 移動該可移動槽至該第一乾燥位置;從該可移動槽的該第一隔室卸載該第一基材通過該乾燥站;及當該第一基材從該可移動槽的該第一隔室卸載通過該乾燥站時,利用一漂洗流體來漂洗該第一基材並且乾燥該第一基材。
  17. 如請求項16所述之方法,進一步包括下述步驟:排放該可移動槽的該第一隔室;移動該可移動槽至該第一裝載位置;從該高架基材轉移系統裝載一第三基材至該可移動槽的該第一隔室中;利用一清洗化學品來填充該可移動槽的該第一隔室;定位該可移動槽於該第二乾燥位置處;從該可移動槽的該第二隔室卸載該第二基材通過該乾燥站;及當該第二基材從該可移動槽的該第二隔室卸載通過該乾燥站時,利用一漂洗流體來漂洗該第二基材並且乾燥該第二基材。
  18. 一種系統,包括:一第一裝載位置、一第二裝載位置、一第一乾燥位 置、與一第二乾燥位置;一可移動槽,該可移動槽係配置來在該第一與第二裝載位置以及該第一與第二乾燥位置之間移動,該可移動槽具有:一第一可填充且可排放的隔室,該第一可填充且可排放的隔室係配置來固持一清洗化學品,以曝露該可移動槽的該第一隔室內的一基材至該清洗化學品;及一第二可填充且可排放的隔室,該第二可填充且可排放的隔室係配置來固持一清洗化學品,以曝露該可移動槽的該第二隔室內的一基材至該清洗化學品;及一乾燥站,該乾燥站係配置來:當該可移動槽定位在該乾燥站之下、該第一乾燥位置處時,在一基材從該可移動槽的該第一隔室卸載時,漂洗與乾燥該基材;及當該可移動槽定位在該乾燥站之下、該第二乾燥位置處時,在一基材從該可移動槽的該第二隔室卸載時,漂洗與乾燥該基材。
  19. 如請求項18所述之系統,進一步包括一控制器,該控制器係操作來控制該系統:移動該可移動槽至該第一裝載位置; 從一高架基材轉移系統裝載一第一基材至該可移動槽的該第一隔室中;利用一清洗化學品來填充該可移動槽的該第一隔室;移動該可移動槽至該第二裝載位置;從該高架基材轉移系統裝載一第二基材至該可移動槽的該第二隔室中;利用一清洗化學品來填充該可移動槽的該第二隔室;移動該可移動槽至該第一乾燥位置;從該可移動槽的該第一隔室卸載該第一基材通過該乾燥站;及當該第一基材從該可移動槽的該第一隔室卸載通過該乾燥站時,利用一漂洗流體來漂洗該第一基材並且乾燥該第一基材。
  20. 如請求項19所述之系統,其中該控制器係進一步操作來控制該系統:排放該可移動槽的該第一隔室;移動該可移動槽至該第一裝載位置;從該高架基材轉移系統裝載一第三基材至該可移動槽的該第一隔室中;利用一清洗化學品來填充該可移動槽的該第一隔 室;定位該可移動槽於該第二乾燥位置處;從該可移動槽的該第二隔室卸載該第二基材通過該乾燥站;及當該第二基材從該可移動槽的該第二隔室卸載通過該乾燥站時,利用一漂洗流體來漂洗該第二基材並且乾燥該第二基材。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9859135B2 (en) 2014-12-19 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate rinsing systems and methods
US10096460B2 (en) * 2016-08-02 2018-10-09 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of wafer thinning using grinding phase and separation phase
KR20210088735A (ko) * 2018-12-03 2021-07-14 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 마랑고니 건조를 위한 방법들 및 장치
US11430672B2 (en) * 2019-03-04 2022-08-30 Applied Materials, Inc. Drying environments for reducing substrate defects
CN112474462B (zh) * 2020-12-02 2022-06-24 浙江汇隆晶片技术有限公司 一种半导体晶圆表面清理装置
CN117157741A (zh) * 2021-03-03 2023-12-01 应用材料公司 具有整合基板对准台的干燥系统

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259136A (ja) * 1992-03-12 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理装置
US5660642A (en) 1995-05-26 1997-08-26 The Regents Of The University Of California Moving zone Marangoni drying of wet objects using naturally evaporated solvent vapor
US5884640A (en) 1997-08-07 1999-03-23 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for drying substrates
US5913981A (en) 1998-03-05 1999-06-22 Micron Technology, Inc. Method of rinsing and drying semiconductor wafers in a chamber with a moveable side wall
US6328814B1 (en) 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
US6575177B1 (en) 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
US20020121290A1 (en) 1999-08-25 2002-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for cleaning/drying hydrophobic wafers
JP3616748B2 (ja) * 2000-11-07 2005-02-02 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法,現像処理装置及び処理装置
CN101086955B (zh) * 2001-11-02 2013-03-27 应用材料公司 单个晶片的干燥装置和干燥方法
US20070079932A1 (en) 2001-12-07 2007-04-12 Applied Materials, Inc. Directed purge for contact free drying of wafers
US20090029560A1 (en) 2001-12-07 2009-01-29 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for single substrate processing
US20040031167A1 (en) 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
TWI240952B (en) * 2003-10-28 2005-10-01 Samsung Electronics Co Ltd System for rinsing and drying semiconductor substrates and method therefor
KR100696379B1 (ko) 2005-04-26 2007-03-19 삼성전자주식회사 세정 장치 및 이를 이용한 세정 방법
EP1913632A2 (en) 2005-07-26 2008-04-23 Applied Materials, Inc. Method of minimal wafer support on bevel edge of wafer
US20080053486A1 (en) 2006-08-10 2008-03-06 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate cleaning apparatus
JP5293459B2 (ja) * 2009-07-01 2013-09-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5494146B2 (ja) * 2010-04-05 2014-05-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
US20130081301A1 (en) 2011-09-30 2013-04-04 Applied Materials, Inc. Stiction-free drying of high aspect ratio devices
WO2013112196A1 (en) * 2012-01-24 2013-08-01 Applied Materials, Inc. Cleaning module and process for particle reduction
US8869422B2 (en) 2012-04-27 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for marangoni substrate drying using a vapor knife manifold
CN103377971A (zh) * 2012-04-30 2013-10-30 细美事有限公司 用于清洗基板的装置和方法
JP6133120B2 (ja) * 2012-05-17 2017-05-24 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置
JP2013254904A (ja) * 2012-06-08 2013-12-19 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
US9728428B2 (en) 2013-07-01 2017-08-08 Applied Materials, Inc. Single use rinse in a linear Marangoni drier
CN104051281B (zh) * 2014-06-13 2016-08-31 武汉理工大学 超声波振动辅助倒装芯片塑封成型下填充装置及方法
CN104167351B (zh) * 2014-07-23 2018-06-01 东莞市天域半导体科技有限公司 一种SiC外延片的化学机械清洗方法

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US20160181086A1 (en) 2016-06-23
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KR102322642B1 (ko) 2021-11-05
WO2016100938A1 (en) 2016-06-23
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JP2017539094A (ja) 2017-12-28

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