TW201627469A - 有機發光裝置 - Google Patents

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伊藤尚行
金瑟雍
金允善
申東雨
李廷涉
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三星顯示器有限公司
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Abstract

一種有機發光裝置包括第一電極；第二電極；位於第一電極與第二電極之間的有機層，該有機層包含發射層；以及位於發射層與第二電極之間的電子傳輸區域，其中該發射層包括由式1表示的第一材料，且該電子傳輸區域包括由式2表示的第二材料： □

Description

有機發光裝置
本申請案係請求在2015年1月16日向韓國智慧財產局提出的韓國專利申請案第10-2015-0008263號之優先權及效益，其全部內容均納入此處作為參考。
本發明實施例之一或多種或態樣係有關於有機發光裝置。
有機發光裝置為視角大，對比率高，回應時間短，及亮度、驅動電壓、與回應速度特徵均優良，且可產生全彩影像之自發射裝置。
有機發光裝置可包括位於基板上的第一電極，及循序位於第一電極上的電洞傳輸區域、發射層、電子傳輸區域、與第二電極。由第一電極提供的電洞可朝向發射層移動通過該電洞傳輸區域，及由第二電極提供的電子可朝向發射層移動通過該電子傳輸區域。載體(例如電洞與電子)然後在發射層中結合而產生激子。這些激子從激態變成基態，藉此產生光。
本發明實施例之一或多種態樣係有關有機發光裝置。
其他之態樣將部分在以下的說明中敘述，及部分由該說明而顯而易知，或者可由所示實施例之實施所得知。
根據本發明之一或多個實施例，一種有機發光裝置包括第一電極、第二電極、及位於第一電極與第二電極之間包含發射層的有機層；以及位於該發射層與第二電極之間的電子傳輸區域；其中該發射層包括由以下式1表示的第一材料；以及該電子傳輸區域包括由以下式2表示的第二材料：
其中在式1、2、及2A至2D中，L11選自經取代或未取代C6-C60伸芳基、與經取代或未取代C1-C60伸雜芳基；a11為選自0、1、2、與3之整數；R11選自經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基；b11為選自1、2、與3之整數；R12至R19各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸(以下亦稱為羧酸基)或其鹽、磺酸(以下亦稱為磺酸基)或其鹽、磷酸(以下亦稱為磷酸基)或其鹽、經取代或未取代C1-C60烷基、經取代或未取代C2-C60烯基、經取代或未取代C2-C60炔基、經取代或未取代C1-C60烷氧基、經取代或未取代C3-C10環烷基、經取代或未取代C1-C10雜環烷基、經取代或未取代C3-C10環烯基、經取代或未取代C1-C10雜環烯基、經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C6-C60芳氧基、經取代或未取代C6-C60芳硫基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基、與-Si(Q1)(Q2)(Q3)； R20選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、與經取代或未取代C1-C60烷基；b20選自1、2、3、4、與5；A21與A22各獨立選自由式2A至2D所表示的基團、經取代或未取代C6-C60芳烴基、與經取代或未取代C1-C60雜芳烴基，其中選自A21與A22之至少一種係選自由式2A至2D所表示的基團，且A21與A22彼此不同；X21選自氧(O)、硫(S)、N-[(L21)a21-(R24)b24]、與C(R25)(R26)；L21各獨立選自經取代或未取代C6-C60伸芳基、經取代或未取代C1-C60伸雜芳基、經取代或未取代二價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代二價非芳香族縮合雜多環基；a21各獨立選自0、1、2、與3；R21與R24各獨立為經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價芳香族縮合雜多環基；b21與b24各獨立選自1、2、與3；R22、R23、R25、與R26各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、經取代或未取代C1-C60烷基、經取代或未取代C2-C60烯基、經取代或未取代C2-C60炔基、經取代或未取代C1-C60烷氧基、經取代或未取代C3-C10環烷基、經取代或未取代C1-C10雜環烷基、經取代或未取代C3-C10環烯基、經取代或未取代C1-C10雜環烯基、經取代或未取代 C6-C60芳基、經取代或未取代C6-C60芳氧基、經取代或未取代C6-C60芳硫基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基；b22與b23各獨立選自1、2、3、4、5、與6；以及經取代C6-C60芳烴基、經取代C1-C66雜芳烴基、經取代C6-C60伸芳基、經取代C1-C60伸雜芳基、經取代二價非芳香族縮合多環基、經取代二價非芳香族縮合雜多環基、經取代C1-C60烷基、經取代C2-C60烯基、經取代C2-C60炔基、經取代C1-C60烷氧基、經取代C3-C10環烷基、經取代C1-C10雜環烷基、經取代C3-C10環烯基、經取代C1-C10雜環烯基、經取代C6-C60芳基、經取代C6-C60芳氧基、經取代C6-C60芳硫基、經取代C1-C60雜芳基、經取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代單價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基選自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、及單價非芳香族縮合雜多環基；以及-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)；其中Q1至Q3、Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
10‧‧‧有機發光裝置
110‧‧‧第一電極
150‧‧‧有機層
190‧‧‧第二電極
這些及/或其他態樣將由以下實施例之說明結合附圖變得顯而易見及更易於理解，該圖式繪示根據本發明之一或多個實施例之有機發光裝置的結構之示意圖。
第1圖為描述本發明之一實施例的有機發光裝置之示意圖。
現在將詳細參考實施例，其實例繪示於附圖，其中全文中類似的參考符號係指類似的元件。關於此點，本實施例可具有不同的形式且不應視為限於在此敘述之說明。因此，該實施例僅藉由參考圖式揭述於下以解釋本發明之態樣。如「至少之一」或「至少一種選自」之表示法，當前綴於元素列表時，修飾全部的元素列表而不修飾列表中的個別元素。
以下，圖式中類似的參考符號表示類似的元件，且將不提供其重複說明。
在此使用的單數形式「一(a、an、及the)」意圖亦包括複數形式，除非內文明確另有指示。
將進一步了解的是，在此使用的術語「包含(「comprises」及/或「comprising」)」指定所述特點或組件之存在，但不排除一或多種其他特點或組件之存在或添加。
將了解的是，當將一層、區域、或組件稱為在另一層、區域、或組件「上形成」時，其可直接或間接形成於該另一層、區域、或組件上。即，可存在例如中介層、區域、或組件。
為了解釋上的方便，圖式中元件之大小可能會誇大。換言之，圖式中組件之大小及厚度係完全為了解釋上的方便而繪示，本發明之後續實施例不受其限制。
在此使用的表示法「(有機層)可包括第一材料」可解讀成：「(有機層)可包括一或多種由式1表示的相同第一材料，或二種或以上的由式1表示的不同第一材料」。
在此使用的術語「有機層」係指在有機發光裝置之第一電極與第二電極之間的單層及/或複數層。該「有機層」所包括的材料不限於有機材料。
現在參考第1圖，第1圖為描述本發明之一實施例的有機發光裝置之示意圖。第1圖之有機發光裝置10包含第一電極110、第二電極190、與有機層150。基板可另外位於第一電極110下或第二電極190上。其可使用(利用)各具有優良的機械強度、熱安定性、透明性、表面平坦性、易處理性、及/或防水性之玻璃基板或透明塑膠基板。
第一電極110可藉由例如將用以形成第一電極之材料沉積或濺射在基板上而形成。當第一電極110為陽極時，用以形成第一電極之材料可選自具有高功函數之材料，以利於電洞注入。第一電極110可為反射電極、半穿透電極、或穿透電極。第一電極用之材料可為透明性及高導電性材料，且此材料之非限制實例包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化錫(SnO2)、與氧化鋅(ZnO)。當第一電極110為半穿透電極或反射電極時，用以形成第一電極之材料可包括選自鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、與鎂-銀(Mg-Ag)之至少之一。
第一電極110可具有單層結構、或包括二層或以上的多層結構。例如第一電極110可具有ITO/Ag/ITO之三層結構，但是第一電極110之結構不受其限制。
在一些實施例中，有機層150位於第一電極110上。有機層150可包括發射層。
有機層150可進一步包括位於第一電極與該發射層之間的電洞傳輸區域。有機層150可進一步包括位於該發射層與第二電極之間的電子傳輸區域。
該電洞傳輸區域可包括選自電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、緩衝層、與電子阻擋層(EBL)之至少一層，且該電子傳輸區域可包括選自緩衝層(BL)、電子傳輸層(ETL)、與電子注入層(EIL)之至少一層，但是本發明之實施例不受其限制。
該電洞傳輸區域可具有由單一材料形成的單層結構、由複數種不同材料形成的單層結構、或具有由複數種不同材料形成的複數層之多層結構。
例如，該電洞傳輸區域可具有由複數種不同材料形成的單層結構，或電洞注入層/電洞傳輸層之結構、電洞注入層/電洞傳輸層/緩衝層之結構、電洞注入層/緩衝層之結構、電洞傳輸層/緩衝層之結構、或電洞注入層/電洞傳輸層/電子阻擋層之結構，其中將各結構之層按所述順序循序堆疊在第一電極110上，但是本發明之實施例不受其限制。
當電洞傳輸區域包括電洞注入層時，電洞注入層可藉由使用(利用)一或多種合適方法，如真空沉積、旋塗、流延、Langmuir-Blodgett(LB)法、噴墨印刷、雷射印刷、及/或雷射誘導熱成像(LITI)，而在第一電極110上形成。
當電洞注入層係藉真空沉積形成時，例如真空沉積可依欲沉積之用以形成電洞注入層的化合物、及欲形成的電洞注入層之結構，在約100℃至約500℃之沉積溫度，以約10-8托耳至約10-3托耳之真空度，及以約0.01埃/秒至約100埃/秒之沉積速率實行。
當電洞注入層係藉旋塗形成時，旋塗可依欲沉積之用以形成電洞注入層的化合物、及欲形成的電洞注入層之結構，以約2,000rpm至約5,000rpm之塗覆速率，及在約80℃至約200℃之溫度實行。
當電洞傳輸區域包括電洞傳輸層時，電洞傳輸層可藉由使用一或多種合適方法，如真空沉積、旋塗、流延、Langmuir-Blodgett(LB)法、噴墨印刷、雷射印刷、及/或雷射誘導熱成像(LITI)，而在第一電極110上或在電洞注入層上形成。當電洞傳輸層係藉真空沉積及/或旋塗形成時，電洞傳輸層之沉積及塗覆條件可類似電洞注入層之沉積及塗覆條件。
該電洞傳輸區域可包括選自m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、TCTA(4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PEDOT/PSS聚(3,4-並乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟腦磺酸)、PANI/PSS((聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸))、由式201表示的化合物、及由式202表示的化合物：
在式201及202中，L201至L205可各獨立選自經取代或未取代C3-C10伸環烷基、經取代或未取代C1-C10伸雜環烷基、經取代或未取代C3-C10伸環烯基、經取代或未取代C1-C10伸雜環烯基、經取代或未取代C6-C60伸芳基、經取代或未取代C1-C60伸雜芳基、經取代或未取代二價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代二價非芳香族縮合雜多環基，經取代C3-C10伸環烷基、經取代C1-C10伸雜環烷基、經取代C3-C10伸環烯基、經取代C1-C10伸雜環烯基、經取代C6-C60伸芳基、經取代C1-C60伸雜芳基、經取代二價非芳香族縮合多環基、與經取代二價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基可選自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-N(Q201)(Q202)、-Si(Q203)(Q204)(Q205)、與-B(Q206)(Q207)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-N(Q211)(Q212)、-Si(Q213)(Q214)(Q215)、與-B(Q216)(Q217)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C16雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及-N(Q221)(Q222)、-Si(Q223)(Q224)(Q225)、與-B(Q226)(Q227)；xa1至xa4可各獨立選自0、1、2、與3；xa5可選自1、2、3、4、與5；且R201至R204可各獨立選自C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-N(Q231)(Q232)、-Si(Q233)(Q234)(Q235)、與 -B(Q236)(Q237)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-N(Q241)(Q242)、-Si(Q243)(Q244)(Q245)、與-B(Q246)(Q247)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；其中Q201至Q207、Q211至Q217、Q221至Q227、Q231至Q237、及Q241至Q247可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、 與單價非芳香族縮合雜多環基之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如在式201及202中，L201至L205可各獨立選自伸苯基、伸萘基、伸茀基、伸螺-茀基、伸苯并茀基、伸二苯并茀基、伸菲基、伸蒽基、伸芘基、伸草屈基、伸吡啶基、伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸嗒嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸喹喔啉基、伸喹唑啉基、伸咔唑基、與伸三嗪基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異 吲哚基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之伸苯基、伸萘基、伸茀基、伸螺-茀基、伸苯并茀基、伸二苯并茀基、伸菲基、伸蒽基、伸芘基、伸草屈基、伸吡啶基、伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸嗒嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸喹喔啉基、伸喹唑啉基、伸咔唑基、與伸三嗪基；xa1至xa4可各獨立為0、1、或2；xa5可為1、2、或3；以及 R201至R204可各獨立選自苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、薁基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基，但是本發明之實施例不受其限制。
由式201表示的化合物可由式201A表示：
例如由式201A表示的化合物可由式201A-1表示，但是本發明之實施例不受其限制：
由式202表示的化合物可由式202A表示，但是本發明之實施例不受其限制：
式201A、201A-1、及202A中的L201至L203、xa1至xa3、xa5、及R202至R204係與在此關於式201及202所定義相同，R203、R211、與R212的說明係與關於式201及202之R203的說明係相同，及R213至R216可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式201A、201A-1、及202A中的L201至L203可各獨立選自伸苯基、伸萘基、伸茀基、伸螺-茀基、伸苯并茀基、伸二苯并茀基、伸菲基、伸蒽基、伸芘基、伸草屈基、伸吡啶基、伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸嗒嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸喹喔啉基、伸喹唑啉基、伸咔唑基、與伸三嗪基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之伸苯基、伸萘基、伸茀基、伸螺-茀基、伸苯并茀基、伸二苯并茀基、伸菲基、伸蒽基、伸芘基、伸草屈基、伸吡啶基、伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸嗒嗪基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸喹喔啉基、伸喹唑啉基、伸咔唑基、與伸三嗪基； xa1至xa3可各獨立為0或1；R202至R204、R211與R212可各獨立選自苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基；R213與R214可各獨立選自C1-C20烷基與C1-C20烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之C1-C20烷基與C1-C20烷氧基； 苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基； R215與R216可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽；C1-C20烷基與C1-C20烷氧基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之C1-C20烷基與C1-C20烷氧基；
苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、與三嗪基；以及xa5可選自1與2。
式201A及201A-1中的R213與R214可彼此鍵結形成飽和或不飽和環。
由式201表示的化合物及由式202表示的化合物可各獨立包括化合物HT1至HT20，但是本發明之實施例不受其限制：
電洞傳輸區域之厚度可為約100埃至約10,000埃之範圍，例如約100埃至約1,000埃。當電洞傳輸區域包括電洞注入層與電洞傳輸層時，電洞注入層之厚度可為約100埃至約10,000埃之範圍，例如約100埃至 約1,000埃，及電洞傳輸層之厚度可為約50埃至約2,000埃之範圍，例如約100埃至約1,500埃。當電洞傳輸區域、電洞注入層、與電洞傳輸層之厚度在這些範圍內時，無需實質提高驅動電壓即可獲得令人滿意的電洞傳輸特徵。
除了上述材料，電洞傳輸區域可進一步包括用以改良傳導性質之電荷產生材料。該電荷產生材料可均勻或不均勻分散於電洞傳輸區域中。
電荷產生材料可為例如p-摻雜劑。該p-摻雜劑可為選自醌衍生物、金屬氧化物、及含氰基化合物之其中之一者，但是本發明之實施例不受其限制。該p-摻雜劑之非限制實例包括醌衍生物，如四氰基對醌二甲烷(TCNQ)及/或2,3,5,6-四氟四氰基-1,4-苯醌二甲烷(F4-TCNQ)；金屬氧化物，如氧化鎢及/或氧化鉬，以及以下描述的化合物HT-D1，但是本發明之實施例不受其限制。
除了電洞注入層與電洞傳輸層，電洞傳輸區域可進一步包括選自緩衝層與電子阻擋層之至少一層。由於緩衝層可依照從發射層發射之光的波長補償光學共振距離，故可改良所形成的有機發光裝置之發光效 率。至於包括於緩衝層中的材料，其可使用(利用)包括於電洞傳輸區域中的材料。電子阻擋層防止(或實質上阻擋)來自電子傳輸區域之電子注入。
發射層係藉由使用一或多種合適方法，如真空沉積、旋塗、流延、LB法、噴墨印刷、雷射印刷、及/或雷射誘導熱成像(LITI)，而在第一電極110或電洞傳輸區域上形成。當發射層係藉真空沉積及/或旋塗形成時，發射層之沉積及塗覆條件可類似電洞注入層之沉積及塗覆條件。
當有機發光裝置10為全彩有機發光裝置時，該發射層可依照次像素(或以其界定)而圖案化成為紅光發射層、綠光發射層、或藍光發射層。在一些實施例中，該發射層可具有紅光發射層、綠光發射層、與藍光發射層之堆疊結構，或者可包括紅光發射材料、綠光發射材料、與藍光發射材料，其在單層中彼此混合而發射白光。在一些實施例中，該發射層可發射白光，且可進一步包括色彩轉化層(其將白光轉化成所欲顏色之光)或彩色濾光片。
該發射層可包括主體及摻雜劑。
該主體可包括由式1表示的第一材料：
式1中的L11可選自經取代或未取代C6-C60伸芳基、與經取代或未取代C1-C60伸雜芳基； 該經取代C6-C60伸芳基、與經取代C1-C60伸雜芳基之至少一個取代基可選自： 氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、 C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基；以及 -Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)； 其中Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式1中的L11可選自伸苯基(phenylene group)、伸萘基(naphthylene group)、伸菲基(phenanthrenylene group)、伸蒽基(anthracenylene group)、伸聯伸三苯基(triphenylenylene group)、伸芘基(pyrenylene group)、伸草屈基(chrysenylene group)、伸吡咯基(pyrrolylene group)、伸噻吩基(thienylene group)、伸呋喃基(furanylene group)、伸咪唑基(imidazolylene group)、伸吡啶基(pyridinylene group)、伸吡嗪基(pyrazinylene group)、伸嘧啶基(pyrimidinylene group)、伸嗒嗪基(pyridazinylene group)、伸吲哚基(indolylene group)、伸喹啉基(quinolinylene group)、伸異喹啉基(isoquinolinylene group)、伸苯并喹啉基(benzoquinolinylene group)、伸啡啶基(phenanthridinylene group)、伸吖啶基(acridinylene group)、伸啡啉基(phenanthrolinylene group)、伸苯并呋喃基(benzofuranylene group)、伸苯并噻吩基(benzothienylene group)、伸三唑基(triazolylene group)、伸四唑基(tetrazolylene group)、伸三嗪基(triazinylene group)、伸二苯并呋喃基(dibenzofuranylene group)、與伸二苯并噻吩基(dibenzothienylene group)；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、苝基、五苯基(pentaphenyl group)、稠六苯基、稠五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、吲哚基、吲唑基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、與二苯并咔唑基之至少之一取代之伸苯基、伸萘基、伸菲基、伸蒽基、伸聯伸三苯基、伸芘基、伸草屈基、伸吡咯基、伸噻吩基、伸呋喃基、伸咪唑基、伸吡啶基、伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸嗒嗪基、伸吲哚基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸苯并喹啉基、伸啡啶基、伸吖啶基、伸啡啉基、伸苯并呋喃基、伸苯并噻吩基、伸三唑基、伸四唑基、伸三嗪基、伸二苯并呋喃基、與伸二苯并噻吩基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式1中的L11可選自伸苯基與伸萘基；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、C1-C20烷基、苯基、與萘基之至少之一取代之伸苯基與伸萘基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式1中的L11可選自由式3-1至3-15所表示的基團，但是本發明之實施例不受其限制：
在式3-1至3-15中，R31可選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、苯基、與萘基；b31可選自1、2、3、與4；b32可選自1、2、3、4、5、與6；以及各*及*’表示相鄰原子之鍵結位置。
在一些實施例中，式1中的L11可由選自式4-1至4-11之其中一者表示，但是本發明之實施例不受其限制：
在式4-1至4-11中， 各*及*’表示相鄰原子之鍵結位置。
式1中的a11表示L11之數量，且可選自0、1、2、與3。當a11為0時，(L11)a11可為單鍵。當a11為2或以上時，複數個L11可為彼此相同或不同。例如在式1中，a11可選自0與1，但是本發明之實施例不受其限制。
式1中的R11可選自經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基； 經取代C6-C60芳基、經取代C1-C60雜芳基、經取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代單價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基可選自： 氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基；以及 -Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)； 其中Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式1中的R11可選自苯基、萘基、茀基、螺-茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、吲哚基、吲唑基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、與二苯并咔唑基；以及
各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、吲哚基、吲唑基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、與二苯并咔唑基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、吲哚基、吲唑基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、與二苯并咔唑基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式1中的R11可選自苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基、二苯并呋喃基、與二苯并噻吩基；以及各經選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基、苯基、與萘基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、 菲基、蒽基、二苯并呋喃基、與二苯并噻吩基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式1中的R11由式5-1至5-26之一表示，但是本發明之實施例不受其限制：
在式5-1至5-26中，Ph可為苯基；以及*表示相鄰原子之鍵結位置。
式1中的b11表示R11之數量，且可選自1、2、與3。當b11為2或以上時，複數個R11可為彼此相同或不同。例如式1中的b11可為1，但是本發明之實施例不受其限制。
式1中的R12至R19可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、經取代或未取代C1-C60烷基、經取代或未取代C2-C60烯基、經取代或未取代C2-C60炔基、經取代或未取代C1-C60烷氧基、經取代或未取代C3-C10環烷基、經取代或未取代C1-C10雜環烷基、經取代或未取代C3-C10環烯基、經取代或未取代C1-C10雜環烯基、經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C6-C60芳氧基、經取代或未取代C6-C60芳硫基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基、與Si(Q1)(Q2)(Q3)； 該經取代C1-C60烷基、經取代C2-C60烯基、經取代C2-C60炔基、經取代C1-C60烷氧基、經取代C3-C10環烷基、經取代C1-C10雜環烷基、經取代C3-C10環烯基、經取代C1-C10雜環烯基、經取代C6-C60芳基、經取代C6-C60芳氧基、經取代C6-C60芳硫基、經取代C1-C60雜芳基、經取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代單價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基可選自： 氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)；其中Q1至Q3、Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式1中的R12至R19可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、與-Si(Q1)(Q2)(Q3)；其中Q1至Q3可各獨立選自C1-C60烷基與C6-C60芳基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式1中的R12至R19可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基、苯基、萘基、吡啶基、與-Si(Q1)(Q2)(Q3)；其中Q1至Q3可各獨立選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、與苯基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式1中的R12至R19可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基、苯基、與-Si(CH3)3，但是本發明之實施例不受其限制。
式1中的R20可選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、與經取代或未取代C1-C60烷基；以及該經取代C1-C60烷基之至少一個取代基可選自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環 烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)；其中Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式1中的R20可選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、與三級丁基，但是本發明之實施例不受其限制。
式1中的b20表示R20之數量，且可選自1、2、3、4、與5。當b20為2或以上時，複數個R20可為彼此相同或不同。
在一些實施例中，式1之第一材料可選自以下描述的化合物，但是本發明之實施例不受其限制：
在先前技術之有機發光裝置中，蒽系化合物(被包括例如作為發射層之主體)一般具有易於結晶之對稱結構，因此此種蒽系化合物的膜形成可能性低。然而，由式1表示的第一材料具有不對稱結構，因此可增加膜形成可能性。
在一些實施例中，在由式1表示的第一材料中，蒽部分之第九個碳經苯基取代，因此電子會以比其中蒽部分之第九個碳經萘基取代之比較性化合物低的速率移動。因而包括由式1表示的第一材料之有機發光裝置可具有較長之壽命。
該摻雜劑可包括選自螢光摻雜劑及磷光摻雜劑之至少一種。
例如該螢光摻雜劑可包括選自DPAVBi、BDAVBi、TBPe、DCM、DCJTB、香豆素6、與C545T之至少之一：
在一些實施例中，該螢光摻雜劑可包括由式501表示的化合物：
在式501中，Ar501可選自萘基、并環庚三烯基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、與茚蒽基(indenoanthracene group)；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸基或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、與-Si(Q501)(Q502)(Q503)(其中Q501至Q503可各獨立選自氫、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基)之至少之一取代之萘基、并環庚三烯基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、與茚蒽基；L501至L503可與關於L201所定義相同；R501與R502可各獨立選自： 苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、與二苯并噻吩基；以及 各經選自氘、鹵素原子、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、與二苯并噻吩基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀 基、菲基、蒽基、芘基、草屈基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、與二苯并噻吩基；xd1至xd3可各獨立選自0、1、2、與3；以及xd4可選自1、2、3、與4。
該螢光摻雜劑可包括選自化合物FD1至FD8之至少之一：
發射層中的摻雜劑之量，按100重量份之主體計，可為例如約0.01重量份至約15重量份之範圍，但是本發明之實施例不受其限制。
發射層之厚度可為約100埃至約1,000埃之範圍，例如約200埃至約600埃。當發射層之厚度在任何這些範圍內時，無需實質提高驅動電壓即可獲得令人滿意的發光特徵。
電子傳輸區域可位於發射層上。
該電子傳輸區域可包括選自電洞阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、與電子注入層(EIL)之至少一層，但是本發明之實施例不受其限制。
例如該電子傳輸區域可具有電子傳輸層/電子注入層之結構、或電洞阻擋層/電子傳輸層/電子注入層之結構，其中將各結構之層按所述順序循序堆疊在發射層上，但是本發明之實施例不受其限制。
該電子傳輸區域可包括由式2表示的第二材料：式2
在式2中，A21與A22可各獨立選自由式2A至2D所表示的基團、經取代或未取代C6-C60芳烴基、與經取代或未取代C1-C60雜芳烴基，選自A21與A22之至少之一可選自由式2A至2D所表示的基團，且A21與A22可彼此不同：
其中式2A至2D中的R22、R23、b22、b23、與X21在以下說明；以及經取代C6-C60芳烴基、與經取代C1-C60雜芳烴基之至少一個取代基可選自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及 -Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)； 其中Q11至Q17、Q21至Q22、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式2中的A21可選自經取代或未取代C6-C60芳烴基、與經取代或未取代C1-C60雜芳烴基。
A22可選自由式2A至2D所表示的基團；以及A21與A22可彼此不同，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2中的A21可選自苯基、萘基、蒽基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、喹啉基、異喹啉基、2,6-萘啶基(2,6-naphthyridine group)、1,8-萘啶基(1,8-naphthyridine group)、1,5-萘啶基(1,5-naphthyridine group)、1,6-萘啶基(1,6-naphthyridine group)、1,7-萘啶基(1,7-naphthyridine group)、2,7-萘啶基(2,7-naphthyridine group)、喹喔啉基、與喹唑啉基；A22可選自由式2A至2D所表示的基團；以及A21與A22可彼此不同，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2中的A21可選自苯基與萘基；A22可選自由式2A至2D所表示的基團；以及A21與A22可彼此不同，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2中的A21可為苯基；以及A22可選自由式2A至2D所表示的基團，但是本發明之實施例不受其限制。
例如式2中的A22可選自由式2A-1、2A-2、2B-1至2B-7、2C-1至2C-6、及2D-1至2D-7所表示的基團，但是本發明之實施例不受其限制：
在式2A-1、2A-2、2B-1至2B-7、2C-1至2C-6、及2D-1至2D-7中，X21、R22、R23、b22、與b23如在此所說明；以及 C1與C2可各獨立為式2中的碳原子。
在一些實施例中，式2中的A22可選自由式2A-1、2A-2、2B-4至2B-7、2C-4、及2D-4至2D-7所表示的基團，但是本發明之實施例不受其限制。
在式2A至2D中，X21可選自O、S、N-[(L21)a21-(R24)b24]、與C(R25)(R26)；以及L21、a21、R24、R25、R26、與b24可如在此所說明。
式2及2A至2D中的L21可各獨立選自經取代或未取代C6-C60伸芳基、經取代或未取代C1-C60伸雜芳基、經取代或未取代二價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代二價非芳香族縮合雜多環基；以及經取代C6-C60伸芳基、經取代C1-C60伸雜芳基、經取代二價非芳香族縮合多環基、與經取代二價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基可選自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及 -Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)； 其中Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式2及2A至2D中的L21可各獨立選自伸苯基、伸萘基、伸菲基、伸蒽基、伸聯伸三苯基、伸芘基、伸草屈基、伸吡咯基、伸噻吩基、伸呋喃基、伸咪唑基、伸吡啶基、伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸嗒嗪基、伸吲哚基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸苯并喹啉基、伸啡啶基、伸吖啶基、伸啡啉基、伸苯并呋喃基、伸苯并噻吩基、伸三唑基、伸四唑基、伸三嗪基、伸二苯并呋喃基、與伸二苯并噻吩基；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、萘基、茀基、螺-茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、吲哚基、吲唑基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、與二苯并咔唑基之至少之一取代之伸苯基、伸萘基、伸菲基、伸蒽基、伸聯伸三苯基、伸芘基、伸草屈基、伸吡咯基、伸噻吩基、伸呋喃基、伸咪唑基、伸吡啶基、伸吡嗪基、伸嘧啶基、伸嗒嗪基、伸吲哚基、伸喹啉基、伸異喹啉基、伸苯并喹啉基、伸啡啶基、伸吖啶基、伸啡啉基、伸苯并呋喃基、伸苯并噻吩基、伸三唑基、伸四唑基、伸三嗪基、伸二苯并呋喃基、與伸二苯并噻吩基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2及2A至2D中的L21可各獨立選自：伸苯基與伸萘基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、C1-C20烷基、苯基、與萘基取代之伸苯基與伸萘基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2及2A至2D中的L21可各獨立選自由式3-1至3-15所表示的基團，但是本發明之實施例不受其限制：
在式3-1至3-15中，R31可選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、苯基、與萘基；b31可選自1、2、3、與4；b32可選自1、2、3、4、5、與6；以及各*及*’表示相鄰原子之鍵結位置。
在一些實施例中，式2及2A至2D中的L21可各獨立由式4-1至4-11任一表示，但是本發明之實施例不受其限制：
在式4-1至4-11中，各*及*’表示相鄰原子之鍵結位置。
式2中的a21表示L21之數量，且可選自0、1、2、與3。當a21為0時，(L21)a21可為單鍵。當a21為2或以上時，複數個L21可為彼此相同或不同。例如在式2中，a21可選自0與1，但是本發明之實施例不受其限制。
式2及2A至2D中的R21與R24可各獨立選自經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基；以及 經取代C6-C60芳基、經取代C1-C60雜芳基、經取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代單價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基可選自： 氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環 烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基；以及 -Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)； 其中Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式2及2A至2D中的R21與R24可各獨立選自苯基、并環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、并環庚三烯基、二環戊二烯并苯基、苊基、 茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、茹基、蔻基、莪基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、并環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、并環庚三烯基、二環戊二烯并苯基、苊基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、茹基、蔻基、莪基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪 基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、與二苯并咔唑基之至少之一取代之苯基、并環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、并環庚三烯基、二環戊二烯、并苯基、苊基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、茹基、蔻基、莪基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2及2A至2D中的R21與R24可各獨立選自苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、吲哚基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、三唑基、三嗪 基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基；以及 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、C1-C20烷基、苯基、與萘基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、吲哚基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、三唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2及2A至2D中的R21與R24可各獨立選自由式6-1至6-75所表示的基團，但是本發明之實施例不受其限制：
在式6-1至6-75中，X61可選自O、S、N(R64)、與C(R64)(R65)；R61至R65可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、C1-C20烷基、苯基、與萘基；b61可選自1、2、3、4、與5；b62可選自1、2、3、4、5、6、與7；b63可選自1、2、與3，b64可選自1、2、3、與4；b65可選自1、2、3、4、5、與6；以及*表示相鄰原子之鍵結位置。
在一些實施例中，式2及2A至2D中的R21與R24可各獨立由式7-1至7-182任一表示，但是本發明之實施例不受其限制：
在式7-1至7-182中，Ph可為苯基；以及 *表示相鄰原子之鍵結位置。
式2中的b21表示R21之數量，且可選自1、2、與3。當b21為2或以上時，複數個R21可為彼此相同或不同，但是本發明之實施例不受其限制。例如式2中的b21可選自1與2，但是本發明之實施例不受其限制。在一些實施例中，式2中的b21可為1，但是本發明之實施例不受其限制。
式2A至2D中的b24表示R24之數量，且可選自1、2、與3。當b24為2或以上時，複數個R24可為彼此相同或不同，但是本發明之實施例不受其限制。例如式2A至2D中的b24可選自1與2，但是本發明之實施例不受其限制。在一些實施例中，式2A至2D中的b24可為1，但是本發明之實施例不受其限制。
式2及2A至2D中的R22、R23、R25、與R26可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、經取代或未取代C1-C60烷基、經取代或未取代C2-C60烯基、經取代或未取代C2-C60炔基、經取代或未取代C1-C60烷氧基、經取代或未取代C3-C10環烷基、經取代或未取代C1-C10雜環烷基、經取代或未取代C3-C10環烯基、經取代或未取代C1-C10雜環烯基、經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C6-C60芳氧基、經取代或未取代C6-C60芳硫基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基；及經取代C1-C60烷基、經取代C2-C60烯基、經取代C2-C60炔基、經取代C1-C60烷氧基、經取代C3-C10環烷基、經取代C1-C10雜環烷基、經取代C3-C10環烯基、經取代C1-C10雜環烯基、經取代C6-C60芳基、經取代C6-C60 芳氧基、經取代C6-C60芳硫基、經取代C1-C60雜芳基、經取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代單價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基可選自： 氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基； C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基； 各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、 C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；以及-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)；其中Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37可各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
例如式2A至2D中的R22、R23、R25、與R26可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、C1-C60烷基、C6-C60芳基、與C1-C60雜芳基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2A至2D中的R22、R23、R25、與R26可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基、苯基、萘基、與吡啶基，但是本發明之實施例不受其限制。
在一些實施例中，式2A至2D中的R22、R23、R25、與R26可各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基、與苯基，但是本發明之實施例不受其限制。
式2A至2D中的b22表示R22之數量，且可選自1、2、3、4、5、與6。當b22為2或以上時，複數個R22可為彼此相同或不同。
式2A至2D中的b23表示R23之數量，且可選自1、2、3、4、5、與6。當b23為2或以上時，複數個R23可為彼此相同或不同。
例如式2之第二材料可選自由式2-1至2-43所表示的基團，但 是本發明之實施例不受其限制：
在式2-1至2-43中， A21、L21、a21、R21至R23、b21至b23、與X21的說明可與關於式2及2A至2D所提供者相同。
在一些實施例中，第二材料可選自由式2-51至2-93所表示的基團，但是本發明之實施例不受其限制：
在式2-51至2-93中， L21、a21、R21、R22、b21、b22、與X21的說明係與關於式2及2A至2D所提供者相同。
在一些實施例中，第二材料可選自以下描述的化合物，但是本發明之實施例不受其限制：
由式2表示的第二材料之能階T1可為高。例如第二材料之能階T1可為2.2電子伏特或以上。當第二材料之能階T1在此範圍內時，包括由式2表示的第二材料之有機發光裝置可有效將激子保持在發射層中。
另外，當由式2表示的第二材料之能階T1相當高時，其帶隙可為大的且其LUMO能階可為低的。因此，包括第二材料之有機發光裝置的發射層可有效捕捉電子。
在本發明之一或多個實施例中，包括由式2表示的第二材料之有機發光裝置會具有高效率及長壽命。
電子傳輸區域可進一步包括緩衝層。緩衝層可形成以防止(或實質上阻擋)電子被太快注入至發射層中。因此，包括緩衝層之有機發光裝置會具有高效率及長壽命。
當電子傳輸區域包括緩衝層時，緩衝層可藉由使用(利用)一或多種合適方法，如真空沉積、旋塗、流延、LB法、噴墨印刷、雷射印刷、及/或LITI，而在發射層上形成。當緩衝層係藉真空沉積及/或旋塗形成時，緩衝層之沉積及塗覆條件可類似電洞注入層之沉積及塗覆條件。
緩衝層可包括例如由式2表示的第二材料。當緩衝層包括第二材料時，緩衝層可鄰接包括第一材料之發射層。
在一些實施例中，該緩衝層可包括選自BCP及Bphen之至少之一：
緩衝層之厚度可為約20埃至約1,000埃之範圍，例如約30埃至約300埃。當緩衝層之厚度在任何上述範圍內時，無需實質提高驅動電壓即可獲得優良的電洞阻擋特徵。
在一些實施例中，該電子傳輸區域可包括電子傳輸層。電子傳輸層可藉由使用一或多種合適方法，如真空沉積、旋塗、流延、LB法、噴墨印刷、雷射印刷、及/或LITI，而在發射層上或緩衝層上形成。當電子傳輸層係藉真空沉積及/或旋塗形成時，電子傳輸層之沉積及塗覆條件可類似電洞注入層之沉積及塗覆條件。
在一些實施例中，該電子傳輸層可包括由式2表示的第二材料。當電子傳輸層包括第二材料時，電子傳輸層可鄰接包括第一材料之發射層。
在一些實施例中，該電子傳輸層可包括選自BCP、Bphen、Alq3、Balq、TAZ、及NTAZ之至少之一：
電子傳輸層之厚度可為約100埃至約1,000埃之範圍，例如約150埃至約500埃。當電子傳輸層之厚度在任何上述範圍內時，無需實質提高驅動電壓即可獲得優良的電子傳輸特徵。
除了上述材料，電子傳輸層可進一步包括含金屬材料。
該含金屬材料可包括Li錯合物。該Li錯合物可包括例如化合物ET-D1(喹啉鋰，LiQ)及/或ET-D2。
電子傳輸區域可包括利於來自第二電極190之電子注入的電子注入層(EIL)。
電子注入層可藉由使用一或多種合適方法，如真空沉積、旋塗、流延、LB法、噴墨印刷、雷射印刷、及/或LITI，而在電子傳輸層上 形成。當電子注入層係藉真空沉積及/或旋塗形成時，電子注入層之沉積及塗覆條件可類似電洞注入層之沉積及塗覆條件。
電子注入層可包括選自LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、及LiQ之至少之一。
電子注入層之厚度可為約1埃至約100埃之範圍，例如約3埃至約90埃。當電子注入層之厚度在任何上述範圍內時，無需實質提高驅動電壓，電子注入層即可具有令人滿意的電子注入特徵。
第二電極190位於具有在此所述結構之有機層150上。第二電極190可為陰極，其為電子注入電極，且關於此點，用以形成第二電極190之材料可為具低功函數的材料，例如金屬、合金、導電性化合物、或其混合物。用以形成第二電極190之材料的非限制實例包括鋰(Li)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鋁-鋰(Al-Li)、鈣(Ca)、鎂-銦(Mg-In)、與鎂-銀(Mg-Ag)。在一些實施例中，用以形成第二電極190之材料可為ITO或IZO。第二電極190可為反射電極、半穿透電極、或穿透電極。
有機發光裝置可包括由式1表示的第一材料、及由式2表示的第二材料，使得可改良發射層中的載體平衡。因此，有機發光裝置會具有高效率及長壽命。
以上參考圖式說明有機發光裝置，但是本發明之實施例不受其限制。
在此使用的C1-C60烷基係指主鏈具有1至60個碳原子之線形或分支脂肪族烴單價基，且其非限制實例包括甲基、乙基、正丙基、異丙 基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、戊基、異戊基、與己基。在此使用的C1-C60伸烷基係指具有如C1-C60烷基之相同結構的二價基。
在此使用的C1-C60烷氧基係指由-OA101(其中A101為C1-C60烷基)表示的單價基，且其非限制實例包括甲氧基、乙氧基、與異丙氧基。
在此使用的C2-C60烯基係指在沿C2-C60烷基之碳鏈的一或多個位置處(例如在C2-C60烷基之中間或任一終端)，具有至少一個碳-碳雙鍵之烴基，且其非限制實例包括乙烯基、丙烯基、與丁烯基。在此使用的C2-C60伸烯基係指具有如C2-C60烯基之相同結構的二價基。
在此使用的C2-C60炔基係指在沿C2-C60烷基之碳鏈之一或多個位置處(例如在C2-C60烷基之中間或任一終端)，具有至少一個碳-碳參鍵之烴基，且其非限制實例包括乙炔基與丙炔基。在此使用的C2-C60伸炔基係指具有如C2-C60炔基之相同結構的二價基。
在此使用的C3-C10環烷基係指具有3至10個碳原子作為環形成原子之單價烴單環基，且其非限制實例包括環丙基、環丁基、環戊基、環己基、與環庚基。在此使用的C3-C10伸環烷基係指具有如C3-C10環烷基之相同結構的二價基。
在此使用的C1-C10雜環烷基係指具有選自N、O、P、與S之至少一雜原子作為環形成原子，及1至10個碳原子作為其餘的環形成原子之單價單環基，且其非限制實例包括四氫呋喃基與四氫噻吩基。在此使用的C1-C10伸雜環烷基係指具有如C1-C10雜環烷基之相同結構的二價基。
在此使用的C3-C10環烯基係指在其環中具有3至10個碳原子作為環形成原子、及至少一個雙鍵，且非芳香族之單價單環基。C3-C10環 烯基之非限制實例包括環戊烯基、環己烯基、與環庚烯基。在此使用的C3-C10伸環烯基係指具有如C3-C10環烯基之相同結構的二價基。
在此使用的C1-C10雜環烯基係指在其環中具有選自N、O、P、與S之至少一雜原子作為環形成原子，1至10個碳原子作為其餘的環形成原子，及至少一個雙鍵之單價單環基。C1-C10雜環烯基之非限制實例包括2,3-二氫呋喃基與2,3-二氫噻吩基。在此使用的C1-C10伸雜環烯基係指具有如C1-C10雜環烯基之相同結構的二價基。
在此使用的C6-C60芳基係指具有碳環芳香族系統，其具有6至60個碳原子作為環形成原子之單價基，及在此使用的C6-C60伸芳基係指具有碳環芳香族系統，其具有6至60個碳原子作為環形成原子之二價基。C6-C60芳基之非限制實例包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、與草屈基。當C6-C60芳基及/或C6-C60伸芳基包括二個或以上的環時，該環可分別彼此融合。
在此使用的C1-C60雜芳基係指具有碳環芳香族系統，其具有選自N、O、P、與S之至少雜原子作為環形成原子，及1至60個碳原子作為其餘的環形成原子之單價基。在此使用的C1-C60伸雜芳基係指具有碳環芳香族系統，其具有選自N、P、O、與S之至少一雜原子作為環形成原子，及1至60個碳原子作為其餘的環形成原子之二價基。C1-C60雜芳基之非限制實例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、嗒嗪基、三嗪基、喹啉基、與異喹啉基。當C1-C60雜芳基及/或C1-C60伸雜芳基包括二個或以上的環時，該環可分別彼此融合。
在此使用的C6-C60芳氧基係指由-OA102(其中A102為C6-C60芳基)表示的單價基，且在此使用的C6-C60芳硫基係指由-SA103(其中A103為C6-C60芳基)表示的單價基。
在此使用的單價非芳香族縮合多環基係指具有二個或以上的環彼此縮合，僅有碳原子作為環形成原子，且非完全芳香族之單價基。單價非芳香族縮合多環基之非限制實例為茀基。在此使用的二價非芳香族縮合多環基係指具有如單價非芳香族縮合多環基之相同結構的二價基。
在此使用的單價非芳香族縮合雜多環基係指具有二個或以上的環彼此縮合，具有選自N、O、P、與S之至少一雜原子作為環形成原子，及碳原子作為其餘的環形成原子，且非完全芳香族之單價基。單價非芳香族縮合雜多環基之非限制實例為咔唑基。在此使用的二價非芳香族縮合雜多環基係指具有如單價非芳香族縮合雜多環基之相同結構的二價基。
在此使用的C6-C60芳烴基係指具有6至60個碳原子之碳環芳香族系統。當C6-C60芳烴基包括二個或以上的環時，該環可分別彼此融合。
在此使用的C1-C60雜芳烴基係指具有選自N、O、P、與S之至少一雜原子作為環形成原子，及1至60個碳原子之碳環芳香族系統。當C1-C60雜芳烴基包括二個或以上的環時，該環可分別彼此融合。
在此使用的術語「Ph」係指苯基，在此使用的術語「Me」係指甲基，在此使用的術語「Et」係指乙基，及在此使用的術語「ter-Bu」或「But」係指三級丁基。
實例 實例1-1
將其上具有厚15Ω/平方公分(1,200埃)之ITO陽極層的玻璃基板(康寧有限公司(Corning Co.,Ltd)之產品)切割成50毫米×50毫米×0.7毫米之大小，然後使用異丙醇及純水進行超音波清洗各5分鐘，且對紫外線暴露30分鐘然後為臭氧來清潔，及將生成的ITO玻璃基板安裝在真空沉積設備上。
將HT13真空沉積在該ITO陽極層上以形成厚500埃之電洞注入層，然後真空沉積作為電洞傳輸化合物之HT3以形成厚450埃之電洞傳輸層，藉此形成電洞傳輸區域。
將化合物H1(主體)及FD1(摻雜劑)以95：5的體積比共沉積在該電洞傳輸區域上，而形成厚300埃之發射層。
其次將化合物E1沉積在該發射層上而形成厚100埃之緩衝層，然後將Alq3沉積在該緩衝層上而形成厚150埃之電子傳輸層。進一步將LiF沉積在該電子傳輸層上而形成厚5埃之電子注入層，藉此形成電子傳輸區域。然後真空沉積Al而形成厚1500埃之陰極，藉此製造有機發光裝置。
實例1-2至1-36及比較例1-1至1-5
以與實例1-1相同(或實質上相同)的方式製造有機發光裝置，除了在形成發射層及緩衝層時，分別使用表1之化合物代替化合物H1及E1。
實例2-1
將其上具有厚15Ω/平方公分(1,200埃)之ITO陽極層的玻璃基板(康寧有限公司(Corning Co.,Ltd)之產品)切割成50毫米×50毫米×0.7毫米之大小，然後使用異丙醇及純水進行超音波清洗各5分鐘，且對紫外線暴露30分鐘然後為臭氧來清潔，及將生成的ITO玻璃基板安裝在真空沉積設備上。
將HT13真空沉積在該ITO陽極層上以形成厚500埃之電洞注入層，然後真空沉積作為電洞傳輸化合物之HT3以形成厚450埃之電洞傳輸層，藉此形成電洞傳輸區域。
將化合物H1(主體)及FD1(摻雜劑)以95：5的體積比共沉積在該電洞傳輸區域上，而形成厚300埃之發射層。
其次將化合物E1沉積在該發射層上以形成厚100埃之緩衝層，然後將Bphen及Liq以50：50的體積比共沉積在該緩衝層上，以形成厚150埃之電子傳輸層。進一步將LiF沉積在電子傳輸層上而形成厚5埃之電子注入層，藉此形成電子傳輸區域，及真空沉積Al於其上而形成厚1500埃之陰極，藉此製造有機發光裝置。
實例2-2至2-36及比較例2-1至2-5
以與實例2-1相同(或實質上相同)的方式製造有機發光裝置，除了在形成發射層及緩衝層時，分別使用表2之化合物代替化合物H1及E1。
評估例
在實例1-1至1-36及2-1至2-36、以及比較例1-1至1-5及2-1至2-5中，使用Keithley 2400 SourceMeter®及Minolta Cs-1000A光譜儀，測量各有機發光裝置之效率(電流密度為10mA/cm2)及壽命T90(電流密度為50mA/cm2)。T90表示有機發光裝置之發光度降到最初發光度之90%的時間量。結果示於表3及表4。
如表3所描述，實例1-1至1-36之有機發光裝置呈現比比較例1-1至1-5之有機發光裝置更佳的效率及較長的壽命。
如表4所描述，實例2-1至2-36之有機發光裝置呈現比比較例2-1至2-5之有機發光裝置更佳的效率及較長的壽命。
如上所述，依照本發明之一或多個實施例，一種在發射層中包括式1之第一材料，及在電子傳輸區域中包括式2之第二材料的有機發光裝置可具有優良的效率及長壽命。
應了解，在此所述的實施例應僅視為說明性而非用於限制目的。各實施例內的特點或態樣之說明一般應視為可用於其他實施例之其他的類似特點或態樣。
另外，在此使用的術語「使用(「use」、「using」、及「used」)」可視為分別與術語「利用(「utilize」、「utilizing」、及「utilized」)」同義。術語「例示性」亦意圖指實例或例證。
在此使用的術語「實質上」、「約」、及類似術語係作為近似術語而非程度術語使用，且意圖考慮進所屬技術領域中具有通常知識者所習知之測量或計算值的固有偏差。
又，在此陳述之任何數值範圍意圖包括在陳述之範圍內所包容的數值精確度相同之所有子範圍。例如，「1.0至10.0」之範圍意圖包括所有在陳述最小值1.0與陳述最大值10.0(含)之間的子範圍，即最小值等於或大於1.0而最大值等於或小於10.0，例如2.4至7.6。在此陳述之任何最大數值限度意圖包括其中所包容的所有較小之數值限度，且在本說明書中陳述之任何最小數值限度意圖包括其中所包容的所有較大之數值限度。因而申請人保留修正包括申請專利範圍之本說明書之權利，以明確陳述在此明確陳述之範圍內所包容的任何子範圍。所有此種範圍均意圖為本說明書固 有之揭述，使得修正以明確陳述任何此種子範圍將符合台灣相關專利法規之要求。
雖然現已參考圖式說明本發明之一或多個實施例，但所屬技術領域具有通常知識者應了解，其中可進行形式及細節之各種變化，而不背離由以下申請專利範圍及其等效物所界定的本發明之精神及範圍。
10‧‧‧有機發光裝置
110‧‧‧第一電極
150‧‧‧有機層
190‧‧‧第二電極

Claims (20)

  1. 一種有機發光裝置，其包含：一第一電極；一第二電極；一有機層，位於該第一電極與該第二電極之間，該有機層包含一發射層；以及一電子傳輸區域，位於該發射層與該第二電極之間；其中該發射層包含由式1表示的一第一材料，及該電子傳輸區域包含由式2表示的一第二材料： 其中在式1、2、及2A至2D中， L11選自經取代或未取代C6-C60伸芳基、與經取代或未取代C1-C60伸雜芳基；a11選自0、1、2、與3；R11選自經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基；b11選自1、2、與3；R12至R19各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、經取代或未取代C1-C60烷基、經取代或未取代C2-C60烯基、經取代或未取代C2-C60炔基、經取代或未取代C1-C60烷氧基、經取代或未取代C3-C10環烷基、經取代或未取代C1-C10雜環烷基、經取代或未取代C3-C10環烯基、經取代或未取代C1-C10雜環烯基、經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C6-C60芳氧基、經取代或未取代C6-C60芳硫基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基、與-Si(Q1)(Q2)(Q3)；R20選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、與經取代或未取代C1-C60烷基；b20選自1、2、3、4、與5；A21與A22各獨立選自由式2A至2D、經取代或未取代C6-C60芳烴基、與經取代或未取代C1-C60雜芳烴基所表示的基團， 其中選自A21與A22之至少之一係選自由式2A至2D所表示的基團，且A21與A22彼此不同；X21選自氧(O)、硫(S)、N-[(L21)a21-(R24)b24]、與C(R25)(R26)；L21各獨立選自經取代或未取代C6-C60伸芳基、經取代或未取代C1-C60伸雜芳基、經取代或未取代二價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代二價非芳香族縮合雜多環基；a21各獨立選自0、1、2、與3；R21與R24各獨立選自經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價芳香族縮合雜多環基；b21與b24各獨立選自1、2、與3；R22、R23、R25、與R26各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、經取代或未取代C1-C60烷基、經取代或未取代C2-C60烯基、經取代或未取代C2-C60炔基、經取代或未取代C1-C60烷氧基、經取代或未取代C3-C10環烷基、經取代或未取代C1-C10雜環烷基、經取代或未取代C3-C10環烯基、經取代或未取代C1-C10雜環烯基、經取代或未取代C6-C60芳基、經取代或未取代C6-C60芳氧基、經取代或未取代C6-C60芳硫基、經取代或未取代C1-C60雜芳基、經取代或未取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代或未取代單價非芳香族縮合雜多環基；b22與b23各獨立選自1、2、3、4、5、與6；以及經取代C6-C60芳烴基、經取代C1-C60雜芳烴基、經取代C6-C60伸芳基、經取代C1-C60伸雜芳基、經取代二價非芳香族縮合 多環基、經取代二價非芳香族縮合雜多環基、經取代C1-C60烷基、經取代C2-C60烯基、經取代C2-C60炔基、經取代C1-C60烷氧基、經取代C3-C10環烷基、經取代C1-C10雜環烷基、經取代C3-C10環烯基、經取代C1-C10雜環烯基、經取代C6-C60芳基、經取代C6-C60芳氧基、經取代C6-C60芳硫基、經取代C1-C60雜芳基、經取代單價非芳香族縮合多環基、與經取代單價非芳香族縮合雜多環基之至少一個取代基選自：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q14)(Q15)、與-B(Q16)(Q17)之至少之一取代之C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、與C1-C60烷氧基；C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基；各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C7-C60炔基、C1-C60烷氧基、 C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q24)(Q25)、與-B(Q26)(Q27)之至少之一取代之C3-C10環烷基、C1-C10雜環烷基、C3-C10環烯基、C1-C10雜環烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、單價非芳香族縮合雜多環基；以及-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q34)(Q35)、與-B(Q36)(Q37)；其中Q1至Q3、Q11至Q17、Q21至Q27、及Q31至Q37各獨立選自C1-C60烷基、C6-C60芳基、C1-C60雜芳基、單價非芳香族縮合多環基、與單價非芳香族縮合雜多環基。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中L11與L21各獨立選自：伸苯基與伸萘基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、C1-C20烷基、苯基、與萘基之至少之一取代之伸苯基與伸萘基。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中L11與L21各獨立選自由式3-1至3-15所表示的基團： 其中在式3-1至3-15中，R31選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、苯基、與萘基；b31選自1、2、3、與4；b32選自1、2、3、4、5、與6；以及各*及*’為相鄰原子之鍵結位置。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R11選自苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基、二苯并呋喃基、與二苯并噻吩基；以及各經選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基、苯基、與萘基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、菲基、蒽基、二苯并呋喃基、與二苯并噻吩基。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R11由式5-1至5-26之任一表示： 其中在式5-1至5-26中，Ph為苯基；以及*為相鄰原子之鍵結位置。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R12至R19各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、三級丁基、苯基、萘基、吡啶基、與-Si(Q1)(Q2)(Q3)，其中Q1至Q3各獨立選自甲基、乙基、正丙基、異丙基、與 苯基。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R20選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、二級丁基、異丁基、與三級丁基。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中A21為苯；以及A22選自由式2A至2D所表示的基團。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中A22係選自由式2A-1、2A-2、2B-1至2B-7、2C-1至2C-6、及2D-1至2D-7所表示的基團： 其中在式2A-1、2A-2、2B-1至2B-7、2C-1至2C-6、及2D-1至2D-7中，X21、R22、R23、b22、與b23如式2A至2D所定義；以及C1與C2各獨立為式2中的碳原子。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R21與R24各獨立選自苯基、并環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、并環庚三烯基、二環戊二烯并苯基、苊基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、茹基、蔻基、莪基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、 噌啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、羥基、氰基、硝基、胺基、甲脒基、肼基、腙基、羧酸或其鹽、磺酸或其鹽、磷酸或其鹽、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、苯基、并環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、并環庚三烯基、二環戊二烯并苯基、苊基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、茹基、蔻基、莪基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、咔唑基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、苯并咔唑基、與二苯并咔唑基之至少之一取代之苯基、并環戊二烯基、茚基、萘基、薁基、并環庚三烯基、二環戊二烯并苯基、苊基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、萉基、 菲基、蒽基、丙二烯合茀基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、稠四苯基、苉基、苝基、五苯基、稠六苯基、稠五苯基、茹基、蔻基、莪基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、異噻唑基、噁唑基、異噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、嗒嗪基、異吲哚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、酞嗪基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、異苯并噻唑基、苯并噁唑基、異苯并噁唑基、三唑基、四唑基、噁二唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、二苯并噻咯基、苯并咔唑基、二苯并咔唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R21與R24各獨立選自苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、吲哚基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、三唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基；以及各經選自氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、C1-C20烷基、 苯基、與萘基之至少之一取代之苯基、萘基、茀基、螺-茀基、苯并茀基、二苯并茀基、菲基、蒽基、聯伸三苯基、芘基、草屈基、吡咯基、噻吩基、呋喃基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噁唑基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、吲哚基、喹啉基、異喹啉基、咔唑基、苯并喹啉基、萘啶基、喹喔啉基、喹唑啉基、啡啶基、吖啶基、啡啉基、啡嗪基、苯并咪唑基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯并噻唑基、苯并噁唑基、三唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶并苯并呋喃基、嘧啶并苯并呋喃基、吡啶并苯并噻吩基、與嘧啶并苯并噻吩基。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R21與R24各獨立選自由式6-1至6-75所表示的基團： 其中在式6-1至6-75中，X61選自氧(O)、硫(S)、N(R64)、與C(R64)(R65)；R61至R65各獨立選自氫、氘、-F、-Cl、-Br、-I、氰基、硝基、 C1-C20烷基、苯基、與萘基；b61選自1、2、3、4、與5；b62選自1、2、3、4、5、6、與7；b63選自1、2、與3；b64選自1、2、3、與4；b65選自1、2、3、4、5、與6；以及*為相鄰原子之鍵結位置。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中R21與R24各獨立由式7-1至7-182任一表示： 其中在式7-1至7-182中，Ph為苯基；以及 *為相鄰原子之鍵結位置。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中第一材料選自以下的化合物：
  15. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第二材料選自由式2-1至2-43所表示的基團： 其中在式2-1至式2-43中，A21、L21、a21、R21至R23、b21至b23、與X21如式2及2A至2D所定義。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該第二材料選自由式2-51至2-93所表示的基團： 其中在式2-51至2-93中，L21、a21、R21、R22、b21、b22、與X21如式2及2A至2D所定義。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸區域包含一電子傳輸層，且該電子傳輸層包含該第二材料。
  18. 如申請專利範圍第17項所述之有機發光裝置，其中 該發射層與該電子傳輸層彼此鄰接。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電子傳輸區域包含一緩衝層，及該緩衝層包含該第二材料。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光裝置，其中該發射層與該緩衝層彼此鄰接。
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