TW201622037A - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201622037A
TW201622037A TW104125722A TW104125722A TW201622037A TW 201622037 A TW201622037 A TW 201622037A TW 104125722 A TW104125722 A TW 104125722A TW 104125722 A TW104125722 A TW 104125722A TW 201622037 A TW201622037 A TW 201622037A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
coating
coating liquid
unit
substrate
processing apparatus
Prior art date
Application number
TW104125722A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI611493B (zh
Inventor
若元幸浩
Original Assignee
東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京威力科創股份有限公司 filed Critical 東京威力科創股份有限公司
Publication of TW201622037A publication Critical patent/TW201622037A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI611493B publication Critical patent/TWI611493B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0254—Coating heads with slot-shaped outlet
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • B05C11/1002—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves
    • B05C11/1005—Means for controlling supply, i.e. flow or pressure, of liquid or other fluent material to the applying apparatus, e.g. valves responsive to condition of liquid or other fluent material already applied to the surface, e.g. coating thickness, weight or pattern
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/02—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying liquid or other fluent material to surfaces by single means not covered by groups B05C1/00 - B05C7/00, whether or not also using other means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C9/00—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important
    • B05C9/06—Apparatus or plant for applying liquid or other fluent material to surfaces by means not covered by any preceding group, or in which the means of applying the liquid or other fluent material is not important for applying two different liquids or other fluent materials, or the same liquid or other fluent material twice, to the same side of the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • B05C5/0212—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles only at particular parts of the articles
    • B05C5/0216—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles only at particular parts of the articles by relative movement of article and outlet according to a predetermined path
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)

Abstract

本發明之目的在於將塗佈於基板的塗佈液之供給量抑制在少量並且將該塗佈液均勻地塗佈在基板面內。本發明之基板處理裝置1包含：移動機構20，使晶圓W沿水平方向移動；塗佈部30、50，將塗佈液噴吐至晶圓W；乾燥部40、60，使晶圓W上的塗佈液乾燥；控制部100，控制移動機構20、塗佈部30、50、及乾燥部40、60。在各塗佈部30、50中，使晶圓W承接塗佈液並使晶圓W沿水平方向移動，藉以將塗佈液塗佈於晶圓W整面。

Description

基板處理裝置
本發明係關於將塗佈液塗佈於基板的基板處理裝置。
習知，就將塗佈液塗佈至半導體晶圓還有玻璃基板等基板的方法而言，已有所謂的旋轉塗佈法廣為人知。在旋轉塗佈法中，係在使基板旋轉的狀態下從塗佈噴嘴將塗佈液供給至基板的中心部，並藉由離心力而在基板上使塗佈液擴散，藉以將塗佈液塗佈於基板表面。
然而，使用旋轉塗佈法時，因為係使供給至基板的塗佈液利用高速旋轉而擴散，所以供給的塗佈液之中，大部分會從基板的周緣部飛散而浪費。
所以，為了對此種塗佈液的浪費進行抑制，已有人提案出例如專利文獻1中，從塗佈噴嘴的噴吐口藉由毛細管現象來抽出塗佈液而將塗佈液塗佈於基板的方法(以下有時稱為「毛細管塗佈法」)。具體而言，係使形成於塗佈噴嘴底端面的狹縫狀噴吐口接近於基板，並維持該噴吐口與基板之間形成既定間隙的狀態。並且，使基板承接從噴吐口噴吐的塗佈液，在該狀態下使基板與塗佈噴嘴沿水平方向，例如基板的徑向相對移動。如此，藉由毛細管現象而從噴吐口抽出塗佈液，將塗佈液塗佈於基板。【先前技術文獻】【專利文獻】
【專利文獻1】日本特開2011-167603號公報
【發明所欲解決之問題】
但是，本案發明人特意探討的結果得知，利用上述專利文獻1所記載的毛細管塗佈法將塗佈液塗佈於基板時，有時塗佈液會在基板外周部隆起，並形成凸丘(hump)。亦即，有時無法在從基板中心部到外周部的面內均勻地塗佈塗佈液。
尤其，因為毛細管塗佈法具有節省化學液的效果，所以多用於塗佈膜厚較大的塗佈液之際。因為膜厚越大，塗佈液需要越多量，所以上述的凸丘更為顯著。
另，此種凸丘在採用旋轉塗佈法時亦會產生，但因為在該旋轉塗佈法中係使基板旋轉，離心力作用於塗佈液，所以凸丘的高度及寬度比較小。相對於此，在毛細管塗佈法中，離心力不會如上所述地作用於塗佈液，容易因為該塗佈液的表面張力之作用，使得凸丘的高度及寬度大幅地形成。
本發明有鑒於此點，目的在於將塗佈於基板的塗佈液之供給量抑制在少量，並且將該塗佈液均勻地塗佈在基板面內。【解決問題之方式】
為了達成前述目的，本發明係一種基板處理裝置，係將塗佈液塗佈於基板，其特徵在於，包含：塗佈部，將塗佈液噴吐至基板；移動機構，使基板與該塗佈部沿水平方向相對地移動；及控制部，控制該塗佈部與該移動機構；且該控制部控制該塗佈部與該移動機構執行以下步驟：第1塗佈步驟，從該塗佈部將塗佈液噴吐塗佈於至少基板外周部；及第2塗佈步驟，於該第1塗佈步驟之後，使該基板承接從塗佈部噴吐的塗佈液，同時藉由該移動機構使基板與該塗佈部沿水平方向相對地移動，藉以將塗佈液塗佈於基板整面。
在此，於本發明之第2塗佈步驟所使用的毛細管塗佈法中，控制基板表面與塗佈部的噴吐口之距離，藉以控制塗佈於基板表面的塗佈液之膜厚。亦即，加大該距離時塗佈液之膜厚變大，縮小該距離時塗佈液之膜厚變小。
依據本發明，因為在第1塗佈步驟中將塗佈液塗佈於至少基板外周部，所以塗佈液在該外周部隆起。亦即，例如在第1塗佈步驟中使用毛細管塗佈法將塗佈液塗佈於基板整面時，塗佈液如上所述地在基板外周部隆起。又，例如在第1塗佈步驟中將塗佈液塗佈於僅只基板外周部時，當然，外周部的塗佈液隆起。如此之後，在第2塗佈步驟中，基板外周部之塗佈液表面與塗佈部的噴吐口之距離比內周部表面(基板表面或塗佈液表面)與塗佈部的噴吐口之距離更小。此時，因為控制成從塗佈部塗佈於外周部的塗佈液之膜厚比塗佈於內周部的塗佈液之膜厚更小，所以能使塗佈液外周部與內周部之表面高度相同。所以，能將塗佈液均勻地塗佈在基板面內。
而且在本發明中，因為至少在第2塗佈步驟中使用毛細管塗佈法，所以供給至基板的塗佈液不會流出該基板之外，只要僅將必要量的塗佈液供給至基板即可。所以，相較於例如旋轉塗佈法而言，能將塗佈液之供給量少量化。
該控制部亦可在該第1塗佈步驟中控制該塗佈部與該移動機構，使基板承接從該塗佈部噴吐的塗佈液，同時藉由該移動機構使基板與該塗佈部沿水平方向相對地移動，而將塗佈液塗佈於基板整面。
該控制部亦可在該第1塗佈步驟中控制該塗佈部，從該塗佈部將塗佈液噴吐塗佈於僅只基板外周部。
該控制部亦可將該第1塗佈步驟之中的塗佈液之目標膜厚與該第2塗佈步驟之中的塗佈液之目標膜厚設定成相同。
該控制部亦可控制該塗佈部與該移動機構進行多次該第2塗佈步驟。此時，該控制部亦可在包含該第1塗佈步驟與多次該第2塗佈步驟的塗佈步驟中，將各次的塗佈液之目標膜厚設定成相同。
前述基板處理裝置亦可更具有：乾燥部，使從該塗佈部塗佈的基板上之塗佈液乾燥；且該控制部控制該乾燥部執行以下步驟：第1乾燥步驟，在該第1塗佈步驟之後且係該第2塗佈步驟之前，藉由該乾燥部使該第1塗佈步驟所塗佈的塗佈液乾燥；及第2乾燥步驟，在該第2塗佈步驟之後，藉由該乾燥部使該第2塗佈步驟所塗佈的塗佈液乾燥。
該塗佈部與該乾燥部可係配置於同一個處理裝置內。或者，該塗佈部與該乾燥部亦可係配置於不同個處理裝置內。
該乾燥部可係加熱基板而使塗佈液乾燥。或者，該乾燥部亦可係將基板的周邊氣體環境加以減壓而使塗佈液乾燥。【發明之效果】
依據本發明，能將塗佈於基板的塗佈液之供給量抑制在少量並且將該塗佈液均勻地塗佈在基板面內。
【實施發明之較佳形態】
以下參照附加圖式說明本發明之實施形態。另，並非藉由以下所示的實施形態來限定本發明。
首先參照圖1及圖2來說明本實施形態之基板處理裝置的構成。圖1係顯示本實施形態之基板處理裝置1的構成之示意側視圖。圖2係顯示本實施形態之基板處理裝置1的構成之示意俯視圖。另，以下為了使得位置關係明確，規定出彼此正交的X軸方向、Y軸方向及Z軸方向，將Z軸正向定為垂直朝上的方向。又，各構成要素的尺寸以技術理解的容易度為優先，不固定對應於實際的尺寸。
如圖1及圖2所示，基板處理裝置1具有：載置台10；移動機構20；第1塗佈部30；第1乾燥部40；第2塗佈部50；及第2乾燥部60。第1塗佈部30、第1乾燥部40、第2塗佈部50、第2乾燥部60係在載置台10上往晶圓W的移動方向(X軸方向)以上述順序配置。
移動機構20係使作為基板的晶圓W沿水平方向(X軸方向)移動的機構部，具有晶圓固持部21與驅動部22。晶圓固持部21具備形成有抽吸口(未圖示)的水平頂面，並藉由自抽吸口的抽吸而將晶圓W吸接固持於水平頂面。驅動部22設於載置台10，使晶圓固持部21沿水平方向移動。移動機構20用驅動部22使晶圓固持部21移動，藉以使晶圓固持部21所固持的晶圓W沿水平方向移動。
第1塗佈部30具備：第1塗佈噴嘴31，將塗佈液噴吐至晶圓W。第1塗佈噴嘴31係往與晶圓W之移動方向(X軸方向)正交的方向(Y軸方向)延伸的長條狀噴嘴，配置於藉由晶圓固持部21而固持的晶圓W上方。如圖3所示第1塗佈噴嘴31的底端面形成有：噴吐口32，將塗佈液噴吐至晶圓W。噴吐口32係沿著第1塗佈噴嘴31的長邊方向(Y軸方向)以大於晶圓W直徑的長度延伸的狹縫狀噴吐口。
如圖1所示，第1塗佈噴嘴31連接有：供給管33，將塗佈液供給至該第1塗佈噴嘴31。供給管33連通於：塗佈液供給源34，於內部貯存塗佈液。又，供給管33設有：供給設備群35，包含控制塗佈液流動的閥還有流量調節部等。
如圖1及圖2所示，第1塗佈部30更具有：昇降機構36，使第1塗佈噴嘴31往垂直方向(Z軸方向)昇降。昇降機構36具備固定部37與驅動部38。固定部37係將第1塗佈噴嘴31加以固定的構件。又，驅動部38具有：門型構造，沿水平方向(Y軸方向)與垂直方向延伸，橫跨驅動部22兩側；且使固定部37往垂直方向移動。昇降機構36用驅動部38使固定部37往垂直方向，藉以使固定部37所固定的第1塗佈噴嘴31昇降。
第1乾燥部40具有：第1加熱機構41，加熱晶圓W；及支持部42，支持第1加熱機構41。第1加熱機構41沿水平方向(Y軸方向)以大於晶圓W直徑的長度延伸。第1加熱機構41只要能加熱晶圓W即可使用任何機構，例如可使用燈管加熱器。支持部42具有：門型構造，沿水平方向(Y軸方向)與垂直方向延伸，橫跨在驅動部22兩側。第1乾燥部40藉由第1加熱機構41加熱晶圓W，使該晶圓W上的塗佈液乾燥。
第2塗佈部50與第1塗佈部30具有同樣的構成，具備：第2塗佈噴嘴51(噴吐口52)；供給管53；塗佈液供給源54；供給設備群55；昇降機構56；固定部57；及驅動部58。另，塗佈液供給源34與塗佈液供給源54亦可定為共通的。
第2乾燥部60與第1乾燥部40具有同樣的構成，具備：第2加熱機構61；及支持部62。
另，基板處理裝置1在上述載置台10、移動機構20、第1塗佈部30、第1乾燥部40、第2塗佈部50、及第2乾燥部60之外，還可在例如第1塗佈部30、第1乾燥部40、第2塗佈部50、第2乾燥部60各自之間設置隔熱板(未圖示)。此時，可將加熱機構41、61分別維持於固定溫度，亦可因應於晶圓W的有無來進行導通斷開控制。又，亦可設置下述等者，例如：噴嘴洗淨部(未圖示)，去除附著於塗佈噴嘴31、51各自之前端部的塗佈液；噴嘴待機部(未圖示)，可分別收容塗佈噴嘴31、塗佈噴嘴51；及移動機構(未圖示)，用以使此等噴嘴洗淨部還有噴嘴待機部移動。
以上的基板處理裝置1如圖1所示，設有控制部100。控制部100係例如電腦，具有程式存放部(未圖示)。程式存放部存放有下述程式：控制例如塗佈部30、50所進行的塗佈處理動作、乾燥部40、60所進行的乾燥處理動作、移動機構20所進行的晶圓W之移動動作等動作，而控制基板處理裝置1之中的基板處理。又，程式存放部亦存放有下述程式：用以控制其他各種驅動系統的動作，而實現基板處理裝置1之中的基板處理。另，前述程式係使用下者：例如記錄於電腦可讀取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取的記憶媒體H，且從該記憶媒體H安裝至控制部100。
其次說明如上述方式構成的基板處理裝置1所進行的基板處理之程序。
在進行基板處理時，首先將晶圓W藉由搬運機構(未圖示)搬入至基板處理裝置1。搬入至基板處理裝置1的晶圓W係載置於晶圓固持部21受到吸接固持。其後，藉由移動機構20使晶圓W沿水平方向(X軸正向)移動，依序逐次進行下述處理：第1塗佈部30所進行的塗佈處理(步驟S1)；第1乾燥部40所進行的乾燥處理(步驟S2)；第2塗佈部50所進行的塗佈處理(步驟S3)；及第2乾燥部60(步驟S4)所進行的乾燥處理。
在步驟S1之第1塗佈部30所進行的塗佈處理中，預先藉由昇降機構36將第1塗佈噴嘴31配置於既定高度。此既定高度係因應於步驟S1中的塗佈液C1之目標膜厚來設定。又，從塗佈液供給源34將塗佈液C1供給至第1塗佈噴嘴31，從該第1塗佈噴嘴31的噴吐口32藉由表面張力使塗佈液C1露出。如此之後，在晶圓W通過第1塗佈噴嘴31下方之際，塗佈液C1會接觸至晶圓W。
如此，使晶圓W承接塗佈液C1，在噴吐口32與晶圓W之間形成塗佈液C1的積液後，如圖4所示使晶圓W承接塗佈液C1並且使晶圓W沿水平方向(X軸正向)移動。如此之後，因為毛細管現象而從噴吐口32抽出塗佈液C1，將塗佈液C1塗佈至晶圓W上。
並且，如圖5所示將塗佈液C1塗佈於晶圓W整面。此時，如圖6所示，塗佈液C1在晶圓W外周部隆起，形成凸丘P。亦即，步驟S1中的塗佈液C1之目標膜厚係H1時，凸丘P的高度成為比H1更大的H2。另，在本實施形態，因為係將塗佈液分成步驟S1、S3兩次來塗佈至晶圓W，所以相較於例如以1次來塗佈塗佈液之情形而言，能縮小凸丘P的高度及寬度。
其後，在步驟S2之第1乾燥部40所進行的乾燥處理中，藉由第1加熱機構41將移動中的晶圓W加熱至既定溫度。如此之後，如圖7所示將晶圓W上的塗佈液C1乾燥並固化。又，塗佈液C1因為藉由乾燥使得塗佈液C1中的溶劑成分揮發，所以該塗佈液C1(塗佈膜)的膜厚成為比H1更小的H3。
其後，在步驟S3之第2塗佈部50所進行的塗佈處理中，預先藉由昇降機構56將第2塗佈噴嘴51配置於既定高度。又，從塗佈液供給源54將塗佈液C2供給至第2塗佈噴嘴51，從該第2塗佈噴嘴51的噴吐口52藉由表面張力使塗佈液C2露出。如此之後，在晶圓W通過第2塗佈噴嘴51下方之際，塗佈液C2會接觸至晶圓W。
另，如圖8所示，在步驟S3從第2塗佈噴嘴51噴吐的塗佈液C2之目標膜厚係H4，與步驟S1中的塗佈液C1之目標膜厚H1係相同。並且，上述的第2塗佈噴嘴51的既定高度設定於目標高度(=H3+H4)。
如此，使晶圓W承接塗佈液C2，在噴吐口52與晶圓W之間形成塗佈液C2的積液後，使晶圓W承接該塗佈液C2並且使晶圓W沿水平方向(X軸正向)移動。如此之後，因為毛細管現象而從噴吐口52抽出塗佈液C2，將塗佈液C2塗佈至晶圓W上。
此時，如圖8所示，晶圓W外周部之中的凸丘P表面與噴吐口52之距離H5，小於內周部之中的塗佈液C1表面與噴吐口52之距離H4。如此之後，會控制從第2塗佈噴嘴51噴吐的塗佈液C2之供給量，使得從該第2塗佈噴嘴51塗佈於外周部的塗佈液C2之膜厚H5小於塗佈於內周部的塗佈液C2之膜厚H4。亦即，塗佈液C2外周部之供給量，比塗佈液C2內周部之供給量更少。如此因為塗佈液C2外周部之供給量較少，所以在該塗佈液C2外周部附近幾乎不會形成凸丘P。因此，能使得塗佈液C2外周部與內周部的表面高度相同。並且，如圖9所示將塗佈液C(塗佈液C1、C2的合成)以均勻的膜厚塗佈於晶圓W整面。
其後，在步驟S4之第2乾燥部60所進行的乾燥處理中，第2藉由加熱機構61將移動中的晶圓W加熱至既定溫度。如此之後，如圖10所示將晶圓W上的塗佈液C2乾燥並固化。又，塗佈液C2因為藉由乾燥使得塗佈液C2中的溶劑成分揮發，所以該塗佈液C2(塗佈膜)之膜厚成為比H4更小的H6。
如此，將目標膜厚(=H3+H6)的塗佈膜形成於晶圓W上，結束基板處理裝置1之中的一連串基板處理。
依據以上實施形態，在步驟S1藉由使塗佈液C1的外周部隆起而形成凸丘P。其結果，因為在步驟S3中晶圓W外周部之中的凸丘P表面與噴吐口52之距離H5比內周部之中的塗佈液C1表面與噴吐口52之距離H4更小，從第2塗佈噴嘴51噴吐於外周部的塗佈液C2之膜厚，會控制成比噴吐於內周部的塗佈液C2之膜厚更小。因此，能使得塗佈液C2外周部與內周部的表面高度相同，能將塗佈液C均勻地塗佈在晶圓面內。
又，步驟S1中的塗佈液C1之目標膜厚H1與步驟S3中的塗佈液C2之目標膜厚H4係相同。在此，例如目標膜厚H1比目標膜厚H4更大時，在步驟S1中形成的凸丘P之高度H2變大。另一方面，因為在步驟S3中供給至晶圓W外周部的塗佈液C2之膜厚H5變小，所以該塗佈液C2之供給量變少，有可能無法在該步驟S3中吸收凸丘P之影響。此點，在本實施形態中因為步驟S1、S3之中的目標膜厚H1、H4係相同，所以在步驟S3能確實地吸收凸丘P之影響，將塗佈液C均勻地塗佈在晶圓面內。
在此，在步驟S1中，凸丘P不僅會形成於塗佈液C1外周部，即使在塗佈液C 1內周部亦有可能成為膜厚不均勻的情形。即使在此種情況，依據本實施形態，也能因應於塗佈液C1之膜厚，自動地控制來自第2塗佈噴嘴51的塗佈液C2之供給量。亦即，塗佈液C1表面與噴吐口52之距離較小時，塗佈液C2之供給量較少，塗佈液C1與噴吐口52之距離較大時，塗佈液C2之供給量較多。所以，在步驟S3中塗佈塗佈液C2時，即使在晶圓W內周部，塗佈液C之膜厚液變得均勻，能將塗佈液C均勻地塗佈在晶圓面內。
又，在步驟S1中形成於晶圓W外周部的凸丘P，係受到塗佈液C1的黏度、表面張力、及晶圓W的濕潤性等影響而形成，亦即凸丘P之高度及寬度係因應於塗佈液C1之特性而異。此點，因為在步驟S3中因應於凸丘P的高度而自動地控制塗佈液C2之供給量，所以能不依存於此種塗佈液C1的特性，經常將塗佈液C均勻地塗佈在晶圓面內。
又，因為在步驟S1、S3中使用毛細管塗佈法，所以供給至晶圓W的塗佈液C 1、C2不會流出該晶圓W外，只要僅將必要量的塗佈液C1、C2供給至晶圓W即可。所以，相較於例如旋轉塗佈法而言，能將塗佈液C之供給量少量化。
又，因為第1塗佈部30、第1乾燥部40、第2塗佈部50、及第2乾燥部60係配置於同一個基板處理裝置1內，所以能對於晶圓W連續地進行步驟S1~S4的處理。所以，能提昇基板處理的處理量。
在以上實施形態中，係對於晶圓W分2次塗佈塗佈液C1、C2，但此塗佈塗佈液的次數並不限定於此，亦可係例如3次以上。隨著塗佈塗佈液的次數增加，能提昇晶圓W上的塗佈液之膜厚均勻性。但宜為如上述地使得各次塗佈液的目標膜厚係相同。
本發明之基板處理裝置的構成並不限定於上述實施形態的基板處理裝置1之構成，可採取各種構成。
亦可例如圖11所示，在基板處理裝置1中，僅設置第1塗佈部30與第1乾燥部40，並省略第2塗佈部50與第2乾燥部60。此時，在步驟S1中進行第1塗佈部30所進行的塗佈處理，在步驟S2中進行第1乾燥部40所進行的乾燥處理之後，藉由移動機構20使晶圓W沿水平方向(X軸負向)移動，使晶圓W回到原本的開始位置(第1塗佈部30的X軸負向側)。並且，再度使晶圓W沿水平方向(X軸正向)移動，在步驟S3中進行第2塗佈部50所進行的塗佈處理，在步驟S4中進行第1乾燥部40所進行的乾燥處理。
在本實施形態，亦能享受與上述實施形態同樣的效果，亦即能將塗佈至晶圓W的塗佈液C之供給量抑制在少量並且將該塗佈液C均勻地塗佈在晶圓面內。而且，能縮小基板處理裝置1的佔用面積。
另，在本實施形態中，係在步驟S1、S2之後，將晶圓W回到原本的開始位置才進行步驟S3，但是亦可在晶圓W回歸途中進行步驟S3。此時，在步驟S1中塗佈塗佈液C1的方向，與在步驟S3中塗佈塗佈液C2的方向成為不同方向。
又，基板處理裝置1中的第1乾燥部40與第2乾燥部60之構成亦可採取任意的構成。圖12與圖13顯示第1乾燥部40之構成的變形例。另，在圖12與圖13中，僅有圖示第1乾燥部40，但基板處理裝置1設有第2塗佈部50與第2乾燥部60時，亦可使該第2乾燥部60的構成也與第1乾燥部40之構成相同。
如圖12所示，第1乾燥部40亦可具有內建於加熱機構200的蓋體201。加熱機構200只要係加熱晶圓W即可，可使用任意的機構，例如使用加熱器。蓋體201構成為可藉由昇降機構(未圖示)而往垂直方向昇降。又，蓋體201構成為底面開口並覆蓋晶圓固持部21，與該晶圓固持部21呈一體而形成處理空間202。
此時，在步驟S2中將晶圓W配置於蓋體201下方後，蓋體201下降而形成處理空間202。並且，將晶圓W加熱至既定溫度，使該晶圓W上的塗佈液C1乾燥。
如圖13所示，第1乾燥部40亦可將晶圓W的周邊氣體環境加以減壓而使塗佈液C1乾燥。第1乾燥部40具有蓋體210。蓋體210構成為可藉由昇降機構(未圖示)而往垂直方向昇降。又，蓋體210構成為底面開口並覆蓋晶圓固持部21，與該晶圓固持部21呈一體而形成處理空間211。又，第1乾燥部40具有：吸氣管212，用來對於處理空間211內的氣體環境進行吸氣；以及例如真空泵等吸氣裝置213，連接於吸氣管212。
此時，在步驟S2中，將晶圓W配置於蓋體210下方後，蓋體210下降而形成處理空間211。並且，藉由吸氣裝置213將處理空間211內的氣體環境減壓直到既定壓力，使晶圓W上的塗佈液C1乾燥。
在以上圖12及圖13所示的任一基板處理裝置1中，亦能使晶圓W上的塗佈液C1、C2適切地乾燥，能享受與上述實施形態同樣的效果。
又，雖未圖示，但亦可省略第1乾燥部40與第2乾燥部60，並於晶圓固持部21內設置加熱機構。
另，在以上實施形態的基板處理裝置1中，係藉由移動機構20使晶圓W沿水平方向，藉以使晶圓W與塗佈噴嘴31、51相對地移動，但亦可使塗佈噴嘴31、51分別沿水平方向移動。或者使晶圓W、與塗佈噴嘴31、51，雙方分別沿水平方向移動。
又，在以上實施形態中，塗佈部30、50所進行的塗佈處理與乾燥部40、60所進行的乾燥處理係在同一個基板處理裝置1內進行，但此等塗佈處理與乾燥處理液亦可在不同個裝置內進行。例如圖14所示，基板處理裝置220具有塗佈裝置221與乾燥裝置222。塗佈裝置221藉由毛細管塗佈法將塗佈液塗佈至晶圓W。乾燥裝置222加熱晶圓W而使塗佈液乾燥，或者將晶圓W的周邊氣體環境加以減壓而使塗佈液乾燥。此等塗佈裝置221與乾燥裝置222使用進行各自之處理的公知裝置。另，塗佈裝置221與乾燥裝置222之間的晶圓W之搬運使用例如搬運裝置223來進行。
此種情形，步驟S1、S3的塗佈處理係在塗佈裝置221中適切地進行，步驟S2、S4的乾燥處理係在乾燥裝置222中適切地進行。並且，在本實施形態中亦能享受與上述實施形態同樣的效果。
在以上實施形態中，係於步驟S1中將塗佈液C1塗佈於晶圓W整面，但亦可將塗佈液C1僅塗佈於晶圓W外周部。
圖15及圖16係顯示將塗佈液C塗佈至晶圓W的基板處理裝置300。基板處理裝置300包含：處理容器310；旋轉夾頭320；杯體330；第1塗佈部340；第1移動機構350；第2塗佈部360；及第2移動機構370。處理容器310係內部可密閉的處理容器。另，在圖15及圖16中，僅圖示處理容器310的底部。
旋轉夾頭320設於處理容器310內的中央部，固持晶圓W並加以旋轉。旋轉夾頭320具有水平的頂面，該頂面設有例如抽吸晶圓W的抽吸口(未圖示)。藉由來自抽吸口的抽吸，而能將晶圓W吸接固持在旋轉夾頭320上。
旋轉夾頭320的下方設有：夾爪驅動部321，具備例如電動機等。旋轉夾頭320可藉由夾爪驅動部321而旋轉成既定速度。又，夾爪驅動部321設有例如汽缸等昇降驅動源，旋轉夾頭320係自由昇降。
旋轉夾頭320的周圍設有：杯體330，將自晶圓W飛散或落下的液體加以承接、回收。杯體330的底面連接有：排出管331，將回收的液體加以排出；及排氣管332，對於杯體330內的氣體環境進行真空抽吸而加以排氣。
第1塗佈部340具有：第1塗佈噴嘴341，將塗佈液C1噴吐至晶圓W。第1塗佈噴嘴341的底端面形成有：圓形形狀的噴吐口342，將塗佈液C1噴吐至晶圓W。
第1塗佈噴嘴341連接有：供給管343，將塗佈液C1供給至該第1塗佈噴嘴341。供給管343連通於：塗佈液供給源344，於內部貯存塗佈液C1。又，供給管343設有：供給設備群345，含有控制塗佈液C1流動控制的閥還有流量調節部等。
第1移動機構350係使第1塗佈噴嘴341沿水平方向(X軸方向)移動的機構部，並具有：臂體351；軌道352；及噴嘴驅動部353。臂體351支持第1塗佈噴嘴341。軌道352在杯體330的Y軸負向側沿著X軸方向延伸。軌道352例如從杯體330的X軸負向側的外側形成直到杯體330的中央附近。噴嘴驅動部353係設於軌道352上，使臂體351沿水平方向移動。
第1移動機構350使用噴嘴驅動部353而使臂體351沿著軌道352移動，藉以使第1塗佈噴嘴341從設置於杯體330之X軸負向側外側的待機部354移動直到體330內的晶圓W外周部上方，再於該晶圓W上往晶圓W的徑向移動。又，第1移動機構350，又使用噴嘴驅動部353而使臂體351昇降，藉以調節第1塗佈噴嘴341之高度。
第2塗佈部360具有：第2塗佈噴嘴361，將塗佈液C2噴吐至晶圓W。第2塗佈噴嘴361係往Y軸方向延伸的長條狀噴嘴。第2塗佈噴嘴361的底端面形成有：噴吐口362，將塗佈液C2噴吐至晶圓W。噴吐口362係沿著第2塗佈噴嘴361之長邊方向(Y軸方向)，以比晶圓W之直徑更大的長度延伸的狹縫狀噴吐口。
第2塗佈噴嘴361連接有：供給管363，將塗佈液C2供給至該第2塗佈噴嘴361。供給管363連通於：塗佈液供給源364，內部貯存塗佈液C2。又，供給管363設有：供給設備群365，包含控制塗佈液C2流動的閥還有流量調節部等。另，塗佈液供給源344與塗佈液供給源364亦可係共通。
第2移動機構370係使第2塗佈噴嘴361沿水平方向(X軸方向)移動的機構部，並具有：臂體371；軌道372；及噴嘴驅動部373。臂體371支持第2塗佈噴嘴361。軌道372在軌道352的Y軸負向側沿著X軸方向延伸。軌道372例如從杯體330的X軸負向側的外側形成直到杯體330的X軸正向側外側。噴嘴驅動部373設於軌道372上，使臂體371沿水平方向移動。
第2移動機構370使用噴嘴驅動部373而使臂體371沿著軌道372移動，藉以使第2塗佈噴嘴361從設置於杯體330之X軸正向側外側的待機部374移動直到杯體330內的晶圓W外周部上方，再於該晶圓W上往晶圓W的徑向移動。又，第2移動機構370又使用噴嘴驅動部373而使臂體371昇降，藉以調節第2塗佈噴嘴361之高度。
另，在本實施形態中，支持第1塗佈噴嘴341的臂體351與支持第2塗佈噴嘴361的臂體371係分別安裝於個別的軌道352、372，但亦可安裝於相同軌道。又，第1塗佈噴嘴341與第2塗佈噴嘴361係分別受到個別的臂體351、371所支持，但亦可係受到相同臂體所支持。
又，在基板處理裝置300中，於處理容器310內設置第1塗佈部340與第2塗佈部360，晶圓W上的塗佈液C1、C2之乾燥處理係定為在處理容器310的外部進行。乾燥處理可係加熱晶圓W而使塗佈液C1、C2乾燥的處理，亦可係將晶圓W的周邊氣體環境加以減壓而使塗佈液C1、C2乾燥的處理。另，處理容器310內亦可設置例如燈管加熱器等加熱機構作為乾燥部來進行乾燥處理。
在具有以上構成的基板處理裝置300進行基板處理時，首先將晶圓W藉由搬運機構(未圖示)而搬入基板處理裝置1。搬入至基板處理裝置300的晶圓W係傳遞至旋轉夾頭320並受到吸接固持。
其次進行步驟S1的塗佈處理。在步驟S1中，首先藉由第1移動機構350使待機部354的第1塗佈噴嘴341移動直到晶圓W外周部的上方。其後，如圖17所示，藉由旋轉夾頭320使晶圓W旋轉並且從第1塗佈噴嘴341將塗佈液C1噴吐至晶圓W外周部。並且將環狀的塗佈液C1塗佈於晶圓W外周部。
其後，在步驟S2中，在處理容器310的外部進行晶圓W上的塗佈液C1之乾燥處理。
其後，進行步驟S3的塗佈處理。在步驟S3中，首先，藉由第2移動機構370使待機部374的第2塗佈噴嘴361移動直到晶圓W外緣部的上方，再將第2塗佈噴嘴361配置於既定高度。又，從塗佈液供給源364將塗佈液C2供給至第2塗佈噴嘴361，從該第2塗佈噴嘴361之噴吐口362藉由表面張力使塗佈液C2露出。並且，使塗佈液C2接觸於晶圓W的外緣部。
如此使晶圓W承接塗佈液C2，在噴吐口362與晶圓W之間形成塗佈液C2的積液後，使晶圓W承接該塗佈液C2並且使第2塗佈噴嘴361沿水平方向(X軸負向)移動。如此之後，因為毛細管現象而從噴吐口362抽出塗佈液C2，將塗佈液C2塗佈至晶圓W上。
此時，晶圓W外周部之中的塗佈液C1表面與噴吐口362之距離比內周部之中的晶圓W表面與噴吐口362之距離更小。如此之後，會控制自第2塗佈噴嘴361噴吐的塗佈液C2之供給量，使得從該第2塗佈噴嘴361塗佈於外周部的塗佈液C2之膜厚，比塗佈於內周部的塗佈液C2之膜厚更小。亦即，塗佈液C2外周部之供給量比塗佈液C2內周部之供給量更少。因為如此使得塗佈液C2外周部之供給量較少，所以該塗佈液C2外周部幾乎不會形成凸丘P。因此，能使塗佈液C2的外周部與內周部的表面高度相同。並且，如圖18所示，將塗佈液C(塗佈液C1、C2的合成)以均勻的膜厚塗佈在晶圓W整面。
其後，在步驟S4中，在處理容器310的外部進行晶圓W上的塗佈液C2之乾燥處理。如此，結束基板處理裝置300之中的一連串基板處理。
在本實施形態中，亦能享受與上述實施形態同樣的效果，亦即能將塗佈至晶圓W的塗佈液C之供給量抑制在少量並且將該塗佈液C均勻地塗佈在晶圓面內。
另，在以上實施形態之基板處理裝置300中，係藉由移動機構350、370使塗佈噴嘴341、361沿水平方向移動，藉以使晶圓W與塗佈噴嘴341、361相對地移動，但亦可使晶圓W沿水平方向移動。或者，亦可使晶圓W與塗佈噴嘴341、361，雙方沿水平方向移動。
又，在以上實施形態中，將塗佈液塗佈至晶圓W之際，係從塗佈噴嘴31、51、361的噴吐口32、52、362分別藉由毛細管現象抽出塗佈液，但從塗佈噴嘴31、51、361將塗佈液供給至晶圓W的方法並不限定於此。例如亦可藉由泵等而強制性地從塗佈噴嘴31、51、361之噴吐口32、52、362噴吐塗佈液。
又，以上實施形態所用的塗佈液可使用任意的塗佈液。例如在將接合基板彼此之際所用的黏接劑、用於封裝晶圓W上電路的塗佈液、及聚亞醯胺、阻蝕劑液等塗佈液塗佈至晶圓W上時，亦能應用本發明。
再者，在步驟S1塗佈於晶圓W的塗佈液C1與在步驟S2塗佈於晶圓W的塗佈液C2亦可係不同塗佈液。例如接合基板彼此之際，有時該基板間疊層設有保護劑、剝離劑、黏接劑3層。此時，亦可將步驟S1塗佈的塗佈液C1定為保護劑，將步驟S2塗佈的塗佈液C2定為剝離劑，再將其他步驟塗佈的塗佈液C3定為黏接劑。
以上參照附加圖式說明本發明的較佳實施形態，但本發明不限定於此例。只要是通常知識者，顯然能在申請專利範圍所記載的思想之範疇內思及各種變更例或修正例，應了解此等亦當然屬於本發明之技術範圍。本發明不限於此例，可採取各種態樣。本發明亦可應用在基板係晶圓以外的FPD(平坦面板顯示器)、光罩用的倍縮光罩等其他基板之情形。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧載置台
20‧‧‧移動機構
21‧‧‧晶圓固持部
22‧‧‧驅動部
30‧‧‧第1塗佈部
31‧‧‧第1塗佈噴嘴
32‧‧‧噴吐口
33‧‧‧供給管
34‧‧‧塗佈液供給源
35‧‧‧供給設備群
36‧‧‧昇降機構
37‧‧‧固定部
38‧‧‧驅動部
40‧‧‧第1乾燥部
41‧‧‧第1加熱機構
42‧‧‧支持部
50‧‧‧第2塗佈部
51‧‧‧第2塗佈噴嘴
52‧‧‧噴吐口
53‧‧‧供給管
54‧‧‧塗佈液供給源
55‧‧‧供給設備群
56‧‧‧昇降機構
57‧‧‧固定部
58‧‧‧驅動部
60‧‧‧第2乾燥部
61‧‧‧第2加熱機構
62‧‧‧支持部
100‧‧‧控制部
200‧‧‧加熱機構
201‧‧‧蓋體
202‧‧‧處理空間
210‧‧‧蓋體
211‧‧‧處理空間
212‧‧‧吸氣管
213‧‧‧吸氣裝置
220‧‧‧基板處理裝置
221‧‧‧塗佈裝置
222‧‧‧乾燥裝置
223‧‧‧搬運裝置
300‧‧‧基板處理裝置
310‧‧‧處理容器
320‧‧‧旋轉夾頭
321‧‧‧夾爪驅動部
330‧‧‧杯體
331‧‧‧排出管
332‧‧‧排氣管
340‧‧‧第1塗佈部
341‧‧‧第1塗佈噴嘴
342‧‧‧噴吐口
343‧‧‧供給管
344‧‧‧塗佈液供給源
345‧‧‧供給設備群
350‧‧‧第1移動機構
351‧‧‧臂體
352‧‧‧軌道
353‧‧‧噴嘴驅動部
354‧‧‧待機部
360‧‧‧第2塗佈部
361‧‧‧第2塗佈噴嘴
362‧‧‧噴吐口
363‧‧‧供給管
364‧‧‧塗佈液供給源
365‧‧‧供給設備群
370‧‧‧第2移動機構
371‧‧‧臂體
372‧‧‧軌道
373‧‧‧驅動部
374‧‧‧待機部
C、C1、C2‧‧‧塗佈液
H1~H6‧‧‧膜厚
P‧‧‧凸丘
W‧‧‧晶圓
【圖1】係顯示本實施形態之基板處理裝置的構成之示意側視圖。【圖2】係顯示本實施形態之基板處理裝置的構成之示意俯視圖。【圖3】係顯示第1塗佈噴嘴之構成的立體圖。【圖4】係基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。【圖5】係基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。【圖6】係基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。【圖7】係基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。【圖8】係基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。【圖9】係基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。【圖10】係基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。【圖11】係顯示其他實施形態之基板處理裝置之構成的示意側視圖。【圖12】係顯示其他實施形態之基板處理裝置之構成的示意側視圖。【圖13】係顯示其他實施形態之基板處理裝置之構成的示意側視圖。【圖14】係顯示其他實施形態之基板處理裝置之構成的示意俯視圖。【圖15】係顯示其他實施形態之基板處理裝置之構成的示意側視圖。【圖16】係顯示其他實施形態之基板處理裝置之構成的示意俯視圖。【圖17】係其他實施形態之基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。 【圖18】係其他實施形態之基板處理裝置所進行的基板處理動作之說明圖。
1‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧載置台
20‧‧‧移動機構
21‧‧‧晶圓固持部
22‧‧‧驅動部
30‧‧‧第1塗佈部
31‧‧‧第1塗佈噴嘴
32‧‧‧噴吐口
33‧‧‧供給管
34‧‧‧塗佈液供給源
35‧‧‧供給設備群
36‧‧‧昇降機構
37‧‧‧固定部
38‧‧‧驅動部
40‧‧‧第1乾燥部
41‧‧‧第1加熱機構
42‧‧‧支持部
50‧‧‧第2塗佈部
51‧‧‧第2塗佈噴嘴
52‧‧‧噴吐口
53‧‧‧供給管
54‧‧‧塗佈液供給源
55‧‧‧供給設備群
56‧‧‧昇降機構
57‧‧‧固定部
58‧‧‧驅動部
60‧‧‧第2乾燥部
61‧‧‧第2加熱機構
62‧‧‧支持部
100‧‧‧控制部
W‧‧‧晶圓

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，將塗佈液塗佈於基板，其特徵在於，包含： 塗佈部，將塗佈液噴吐至基板； 移動機構，使基板與該塗佈部沿水平方向相對地移動；及 控制部，控制該塗佈部與該移動機構； 且該控制部控制該塗佈部與該移動機構執行以下步驟： 第1塗佈步驟，從該塗佈部將塗佈液噴吐塗佈於至少基板外周部；及 第2塗佈步驟，於該第1塗佈步驟之後，使該基板承接從塗佈部噴吐的塗佈液，同時藉由該移動機構使基板與該塗佈部沿水平方向相對地移動，藉以將塗佈液塗佈於基板整面。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制部在該第1塗佈步驟中控制該塗佈部與該移動機構，使基板承接從該塗佈部噴吐的塗佈液，同時藉由該移動機構使基板與該塗佈部沿水平方向相對地移動，而將塗佈液塗佈於基板整面。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制部在該第1塗佈步驟中控制該塗佈部，從該塗佈部將塗佈液噴吐塗佈於僅只基板外周部。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該控制部將該第1塗佈步驟之中的塗佈液之目標膜厚與該第2塗佈步驟之中的塗佈液之目標膜厚設定成相同。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中，該控制部控制該塗佈部與該移動機構以進行多次該第2塗佈步驟。
  6. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，該控制部控制該塗佈部與該移動機構以進行多次該第2塗佈步驟。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該控制部在包含該第1塗佈步驟與多次該第2塗佈步驟的塗佈步驟中，將各次的塗佈液之目標膜厚設定成相同。
  8. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中，該控制部在包含該第1塗佈步驟與多次該第2塗佈步驟的塗佈步驟中，將各次的塗佈液之目標膜厚設定成相同。
  9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中， 更具有：乾燥部，使從該塗佈部塗佈的基板上之塗佈液乾燥； 且該控制部控制該乾燥部執行以下步驟： 第1乾燥步驟，在該第1塗佈步驟之後且係該第2塗佈步驟之前，藉由該乾燥部使該第1塗佈步驟所塗佈的塗佈液乾燥；及 第2乾燥步驟，在該第2塗佈步驟之後，藉由該乾燥部使該第2塗佈步驟所塗佈的塗佈液乾燥。
  10. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中， 更包含：乾燥部，使從該塗佈部塗佈的基板上之塗佈液乾燥； 且該控制部控制該乾燥部執行以下步驟： 第1乾燥步驟，在該第1塗佈步驟之後且係該第2塗佈步驟之前，藉由該乾燥部使該第1塗佈步驟所塗佈的塗佈液乾燥；及 第2乾燥步驟，在該第2塗佈步驟之後，藉由該乾燥部使該第2塗佈步驟所塗佈的塗佈液乾燥。
  11. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該塗佈部與該乾燥部係配置於同一個處理裝置內。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，該塗佈部與該乾燥部係配置於同一個處理裝置內。
  13. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該塗佈部與該乾燥部係配置於不同之處理裝置內。
  14. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，該塗佈部與該乾燥部係配置於不同之處理裝置內。
  15. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該乾燥部係加熱基板而使塗佈液乾燥。
  16. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，該乾燥部係加熱基板而使塗佈液乾燥。
  17. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中，該乾燥部係將基板的周邊氣體環境加以減壓而使塗佈液乾燥。
  18. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，該乾燥部係將基板的周邊氣體環境加以減壓而使塗佈液乾燥。
TW104125722A 2014-08-11 2015-08-07 基板處理裝置 TWI611493B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-163468 2014-08-11
JP2014163468A JP6231956B2 (ja) 2014-08-11 2014-08-11 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201622037A true TW201622037A (zh) 2016-06-16
TWI611493B TWI611493B (zh) 2018-01-11

Family

ID=55266706

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104125722A TWI611493B (zh) 2014-08-11 2015-08-07 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9623435B2 (zh)
JP (1) JP6231956B2 (zh)
KR (1) KR102331827B1 (zh)
TW (1) TWI611493B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110888302A (zh) * 2018-09-11 2020-03-17 长鑫存储技术有限公司 扫描式光刻胶涂布系统及方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6272138B2 (ja) * 2014-05-22 2018-01-31 東京エレクトロン株式会社 塗布処理装置
JP6659422B2 (ja) * 2016-03-29 2020-03-04 アルバック成膜株式会社 塗布装置、マスクブランクの製造方法
JP6817861B2 (ja) * 2017-03-23 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 塗布装置および塗布方法
JP7062330B2 (ja) * 2017-11-08 2022-05-06 株式会社ディスコ ダイボンド用樹脂層形成装置
CN107731661A (zh) * 2017-11-14 2018-02-23 山东芯诺电子科技股份有限公司 一种玻璃钝化晶片玻璃胶涂覆方法及装置
CN112742668B (zh) * 2020-12-24 2022-02-11 苏州桐力光电股份有限公司 显示屏点胶线
KR102677969B1 (ko) * 2020-12-30 2024-06-26 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3276449B2 (ja) * 1993-05-13 2002-04-22 富士通株式会社 回転塗布方法
TW505822B (en) * 1999-06-09 2002-10-11 Tokyo Electron Ltd Developing method and developing apparatus
JP3605545B2 (ja) * 1999-06-09 2004-12-22 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
JP3967631B2 (ja) 2001-06-07 2007-08-29 東京エレクトロン株式会社 膜形成方法及び膜形成装置
JP4192456B2 (ja) 2001-10-22 2008-12-10 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法ならびにこれを用いた薄膜構造体の製造装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法
CN100576077C (zh) * 2005-05-30 2009-12-30 东京毅力科创株式会社 涂布方法和涂布装置
JP4980644B2 (ja) * 2005-05-30 2012-07-18 東京エレクトロン株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP2009039624A (ja) * 2007-08-07 2009-02-26 Seiko Epson Corp スリットコート式塗布方法
JP5639816B2 (ja) * 2009-09-08 2014-12-10 東京応化工業株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP5454203B2 (ja) 2010-02-17 2014-03-26 東京エレクトロン株式会社 塗布方法及び塗布装置
JP5797532B2 (ja) * 2011-02-24 2015-10-21 東京エレクトロン株式会社 有機溶剤を含有する現像液を用いた現像処理方法及び現像処理装置
JP5988438B2 (ja) * 2012-08-02 2016-09-07 東京エレクトロン株式会社 塗布処理方法及び塗布処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110888302A (zh) * 2018-09-11 2020-03-17 长鑫存储技术有限公司 扫描式光刻胶涂布系统及方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160019370A (ko) 2016-02-19
KR102331827B1 (ko) 2021-11-25
TWI611493B (zh) 2018-01-11
US20160038965A1 (en) 2016-02-11
US9623435B2 (en) 2017-04-18
JP2016036797A (ja) 2016-03-22
JP6231956B2 (ja) 2017-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201622037A (zh) 基板處理裝置
JP5740583B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5455987B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5752639B2 (ja) 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5740578B2 (ja) 剥離方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、剥離装置及び剥離システム
JP5952059B2 (ja) 基板処理装置および基板保持方法
TWI548467B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
TWI593040B (zh) 基板處理方法、基板處理系統及記憶有基板處理程式之電腦可讀取記憶媒體
JP5740550B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2013033925A (ja) 洗浄方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、洗浄装置及び剥離システム
JP5411177B2 (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5374462B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2013035620A1 (ja) 接合方法及び接合システム
JP2012049267A (ja) 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5528405B2 (ja) 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
JP2013089922A (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5563530B2 (ja) 剥離装置、剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6025759B2 (ja) 剥離システム
JP5717803B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2014056910A (ja) 塗布処理装置、接合システム、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
WO2013035621A1 (ja) 接合方法、コンピュータ記憶媒体及び接合システム
WO2021124929A1 (ja) 基板処理方法及び基板処理システム
JP5552559B2 (ja) 剥離システム、剥離方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2012110870A (ja) 接着剤供給装置及び接着剤供給方法
KR20190072746A (ko) 웨이퍼 폴리싱 장치