TW201610089A - 有機電致發光元件 - Google Patents

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Abstract

本發明之有機EL元件按順序具有陽極、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及陰極，該電洞輸送層含有以下列通式(1)表示之芳胺化合物； 【化1】□式中， Ar1 ~Ar4 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。

Description

有機電致發光元件
本發明係關於適合各種顯示裝置的係自發光元件的有機電致發光元件(以下簡稱為有機EL元件)，也關於適合使用在有機EL元件之電洞輸送層之新穎的芳胺化合物。
有機EL元件由於係自發光性元件，故比起液晶元件，較明亮且可見性優異，可為鮮明的顯示，有機EL元件已有許多研究。
1987年由伊士曼・柯達公司的C.W.Tang等人開發了將各種作用分配到各材料而得的疊層結構，成功地開發出實用的有機EL元件，該有機EL元件係將能輸送電子的螢光體與能輸送電洞的有機物予以疊層者，係使兩者的電荷注入螢光體層之中使發光，而於10V以下之電壓獲得了1000cd/m2 以上的高亮度(例如參照專利文獻1及專利文獻2)。
直到現在，為了有機EL元件的實用化已有許多改良，例如:疊層結構之各種作用更為細分，一般已知藉由為在基板上依序設有陽極、電洞注入層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、電子注入層、陰極的疊層結構，可以達成高效率與耐久性。
又，為了更提高發光效率，已有人嘗試利用三線態激子，並研究磷光發光性化合物之利用。 再者，也已開發出利用熱活化延遲螢光(TADF)之發光的元件。例如:2011年九州大學的安達等人利用使用了熱活化延遲螢光材料的元件已達成5.3%的外部量子效率。
發光層一般而言也可在稱為主體材料的電荷輸送性的化合物摻雜螢光體或磷光發光性化合物、發射延遲螢光之材料而製作。有機材料的選擇，會對於該元件的效率或耐久性等各特性造成重大影響。
有機EL元件中，從兩電極注入的電荷會於發光層再結合而獲得發光，但是電洞、電子的兩電荷如何能以良好效率遞送到發光層係屬重要，需要載子均衡性優異之元件。藉由提高電洞注入性、提高阻擋從陰極注入之電子的電子阻擋性，能提高電洞與電子再結合的機率，而且藉由關住在發光層內生成的激子，能獲得高發光效率。所以，電洞輸送材料發揮的作用係屬重要，要求能有電洞注入性高、電洞移動度大、電子阻擋性高、而且對於電洞之耐久性高的電洞輸送材料。
又，關於元件壽命，材料的耐熱性、或非晶質性亦為重要。耐熱性低的材料，會由於元件驅動時產生的熱，造成即使於低的溫度也發生熱分解而材料劣化。非晶質性低的材料，即使在短時間也會發生薄膜結晶化，造成元件劣化。故使用的材料要求耐熱性高而非晶質性良好的性質。
迄今使用在有機EL元件的電洞輸送材料已知有N,N’-二苯基-N,N’-二(α-萘基)聯苯胺(NPD)、各種芳香族胺衍生物(例如參照專利文獻1及專利文獻2)。NPD有良好的電洞輸送能力但成為耐熱性之指標的玻璃轉移點(Tg)為96℃之低，於高溫條件下會因結晶化導致元件特性降低。 又，專利文獻1、2記載之芳香族胺衍生物之中也有電洞之移動度為10-3 cm2 /Vs以上之有優良移動度之化合物，但是電子阻擋性不足，故會有一部分電子直接穿越發光層，無法期待發光效率改善等，須要更高效率化，尋求電子阻擋性高，薄膜更安定且耐熱性高的材料。 再者，也有人報告耐久性高之芳香族胺衍生物(例如參照專利文獻3)，但係作為電子照片感光體使用之電荷輸送材料，並無作為使用有機EL元件之例。
作為耐熱性、電洞注入性等特性有所改良之化合物，已有人提出具有取代咔唑結構之芳胺化合物(例如參照專利文獻4及專利文獻5)，該等化合物使用於電洞注入層或電洞輸送層而得之元件雖然耐熱性、發光效率等有所改良，但未令人滿意，尋求更低驅動電壓化、更高發光效率化。
為了改善有機EL元件之元件特性、提高元件製作之良率，有人藉由組合電洞及電子注入・輸送性能、薄膜之安定性、耐久性優異之材料以尋求電洞及電子能以高效率再結合之發光效率高、驅動電壓低、壽命長之元件。
又，為了改善有機EL元件之元件特性，有人藉由組合電洞及電子之注入・輸送性能、薄膜安定性、耐久性優異之材料以尋求取得載子均衡性之高效率、低驅動電壓、長壽命的元件。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平8-048656號公報 [專利文獻2] 日本專利第3194657號公報 [專利文獻3] 日本專利第4943840號公報 [專利文獻4] 日本特開2006-151979號公報 [專利文獻5] 國際公開第2008/62636號
[發明欲解決之課題]
本發明之目的在於將作為高效率、高耐久性之有機EL元件用材料之電洞及電子之注入・輸送性能、電子阻擋能力、於薄膜狀態之安定性、耐久性優異之有機EL元件用之各種材料以各材料擁有之特性能有效展現之方式組合，以提供高效率、低驅動電壓、長壽命之有機EL元件。 本發明之另一目的在於提供適合上述有機EL元件之電洞輸送層之形成使用之新穎芳胺化合物。 [解決課題之方式]
本案發明人等發現:具特定結構之芳胺化合物的電洞注入及輸送能力、薄膜安定性、耐久性優異，進一步發現電子阻擋性也優良，而完成本發明。
依照本發明提供一種有機電致發光元件，按順序具有陽極、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及陰極，前述電洞輸送層含有下列通式(1)表示之芳胺化合物； 【化1】(1) 式中， Ar1 ~Ar4 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
本發明之有機電致發光元件(有機EL元件)中，前述芳胺化合物宜以下列通式(1a)或(1b)表示。 【化2】【化3】前述式(1a)及(1b)中， Ar1 ~Ar3 表示同前述之基， Ar5 、Ar6 、Ar7 及Ar8 也和Ar1 ~Ar3 同樣，各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
又，本發明之有機EL元件中，前述電子輸送層宜含有下列通式(2)表示之蒽衍生物較佳。 【化4】式中， A表示2價芳香族烴基、2價芳香族雜環基或單鍵， B表示1價芳香族雜環基， C表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基， D為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、碳數1至6之烷基或碳數1至6之烷基， p及q之條件為兩者之合計為9，p為7或8之整數，且q為1或2之整數。
上述蒽衍生物尤宜以下列通式(2a)、(2b)或(2c)表示。
通式(2a)表示之蒽衍生物； 【化5】式中， A同前述式(2)所示， Ar9 、Ar10 及Ar11 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基、 R1 ~R7 各為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基，且該等基也可介由單鍵、亦可有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環， X1 、X2 、X3 及X4 之條件為該等中只有任一者為氮原子各表示碳原子或氮原子，且於該氮原子未鍵結氫也未鍵結R1 ~R4 中之任一者。
通式(2b)表示之蒽衍生物； 【化6】式中， A同前述式(2)所示， Ar12 、Ar13 及Ar14 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
通式(2c)表示之蒽衍生物； 【化7】式中， A同前述式(2)所示， Ar15 、Ar16 及Ar17 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基， R8 表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基。
又，本發明之有機EL元件中，前述電洞輸送層具有第一電洞輸送層及第二電洞輸送層之2層結構，且該第二電洞輸送層位在前述發光層側且含有前述芳胺化合物較理想。 如上，電洞輸送層具2層結構之有機EL元件中，前述第一電洞輸送層含有和前述第二電洞輸送層所含之芳胺化合物為不同之三芳胺衍生物，該三芳胺衍生物為具有2個三芳胺骨架以單鍵或2價烴基連結之分子結構且就分子全體而言具2個~6個三芳胺骨架之化合物較理想。
再者，作為如上述第一電洞輸送層所含之三芳胺衍生物，宜使用下列通式(3)或(4)表示之化合物。
通式(3)表示之三芳胺衍生物； 【化8】前述式中， r9 、r10 、r13 及r14 各為0~5之整數， r11 及r12 各為0~4之整數， R9 ~R14 各表示氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基，且該等基有多數存在於同一苯環時，該等基也可介由單鍵、亦可有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環， L1 表示單鍵、或下列結構式(B)、(C)、(D)、(E)、(F)或(G)表示之2價基。 【化9】式中，n1為1~4之整數， 【化10】【化11】【化12】【化13】【化14】
通式(4)表示之三芳胺衍生物； 【化15】式中， r15 、r16 、r19 、r22 、r25 及r26 各為0~5之整數， r17 、r18 、r20 、r21 、r23 及r24 各為0~4之整數， R15 ~R26 各表示氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基，該等基有多數存在同一苯環時，該等基也可介由單鍵、亦可有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環， L2 、L3 及L4 表示單鍵、或下列結構式(B’)或前述通式(3)之結構式(C)、(D)、(E)、(F)或(G)表示之2價基。 【化16】式中，n2為1~3之整數。
依照本發明，提供前述通式(1)表示之芳胺化合物。 [發明之效果]
本發明之有機EL元件中，電洞輸送層所含之通式(1)表示之芳胺化合物具有如下的結構特徵:2個1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基鍵結於有氮原子鍵結之苯環作為取代基，該等取代基相對於氮原子鍵結於苯環之對位與間位。該芳胺化合物為新穎化合物，具有以下的特性:(1)電洞注入特性良好、(2)電洞移動度大、(3)電子阻擋能力優異、(4)薄膜狀態安定，且(5)耐熱性優異。 亦即，本發明之有機EL元件因為在電洞輸送層含有有如此之特性之芳胺化合物，能對於發光層將電洞以良好效率注入・輸送，能達成高效率、於低驅動電壓之發光，且可達成元件之長壽命化。
又，本發明中，藉由設置上述含有芳胺化合物之電洞輸送層以及利用前述通式(2)表示之蒽衍生物形成之電子輸送層，能對於發光層將電洞與電子以更良好效率注入・輸送，能確保高載子均衡性，且達成更高的特性改善。
再者，本發明中，電洞輸送層成為第一電洞輸送層與第二電洞輸送層之2層結構，且位在鄰接發光層之側之第二電洞輸送層利用前述通式(1)之芳胺化合物形成，能將該芳胺化合物擁有之電子阻擋性能發揮到最大限度，能以更高效率達成長壽命之有機EL元件。
本發明之有機EL元件具有在玻璃基板、透明塑膠基板(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯基板)等透明基板上按順序形成陽極、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及陰極之基本結構。若具有如此的基本結構，則其層結構可採用各種態樣，例如:電洞輸送層可為位在陽極側之第一電洞輸送層與相鄰於發光層之第二電洞輸送層的2層結構，且可在透明電極與電洞輸送層之間設置電洞注入層，再者，可以於電子輸送層與陰極之間設置電子注入層。例如:圖1揭示後述實施例採用之層結構，於此例中，係在透明基板1上按順序形成陽極2、電洞注入層3、第一電洞輸送層4、第二電洞輸送層5、發光層6、電子輸送層7、電子注入層8及陰極9。 以下針對構成本發明之有機EL元件之各層説明。
＜陽極＞ 陽極2係藉由蒸鍍如ITO、金之功函數大之電極材料而形成在透明基板1上。
＜電洞輸送層＞ 電洞輸送層設於上述陽極2與發光層6之間，本發明中，此電洞輸送層含有下列通式(1)表示之芳胺化合物。 【化17】式中， Ar1 ~Ar4 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
該芳胺化合物係3個氫原子全部取代成芳香族基之三芳胺，尤其是具有如下的新穎結構: 有相對於胺基之氮原子在對位及間位分別鍵結1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基作為取代基(例如式(1)中之Ar1 及Ar2 )之至少1個苯環(以下有時簡稱對位間位取代苯環)。 如此之結構之芳胺化合物，從如後述實施例亦可理解，玻璃轉移點Tg高(例如100℃以上)，因此薄膜狀態安定，耐熱性也優良。又，和一般的電洞輸送材料擁有之功函數(約5.4eV)相比較，有更高功函數，因此電洞輸送性優異，電洞之移動度大且電洞之注入特性也良好。電子阻擋性也優良。
上述通式(1)中，Ar1 ~Ar4 彼此可相同也可不同，該等基Ar1 ~Ar4 代表之1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基可列舉如下。
1價芳香族烴基； 苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基(Fluoranthenyl)基、三亞苯基等。 1價芳香族雜環基； 吡啶基、嘧啶基、三基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、啶基、啡啉基、吖啶基(acridinyl)、咔啉基等。
又，上述1價芳香族烴基及1價芳香族雜環基也可以有取代基。 如此的取代基除了氘原子、氰基、硝基，還可列舉如下。 鹵素原子，例如:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子； 碳數1至6之烷基，例如:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基； 碳數1至6之烷氧基，例如:甲氧基、乙氧基、丙氧基； 烯基，例如:乙烯基、烯丙基； 芳基，例如:苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基、三亞苯基； 芳氧基，例如:苯氧基、甲苯氧基； 芳基烷氧基，例如:苄氧基、苯乙氧基； 芳香族雜環基，例如:吡啶基、嘧啶基、三基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基； 芳基乙烯基，例如:苯乙烯基、萘基乙烯基； 醯基，例如:乙醯基、苯甲醯基； 該等取代基也可進一步具有上述例示之取代基。
上述通式(1)中，就基Ar1 而言，苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、菲基、蒽基、茀基、咔唑基、吲哚基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基較理想，該等之中，芳香族烴基，例如:苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、菲基、茀基尤佳。當然，該等基也可以有取代基。
又，作為基Ar2 ，芳香族烴基較理想，芳香族烴基之中，苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、菲基、蒽基、茀基更佳，苯基、聯苯基為較佳。又，該等基也可以有取代基，但最理想者為無取代之苯基、無取代之聯苯基。
再者，作為基Ar3 及Ar4 ，芳香族烴基較理想，該等之中，苯基、聯苯基、聯三苯基、茀基更佳，該等基也可以有取代基。尤理想的基Ar3 及Ar4 為無取代之聯苯基、無取代之聯三苯基、具取代基之苯基、具取代基之茀基，苯基之取代基為萘基或茀基較理想，茀基之取代基為甲基、苯基較佳。
本發明中，上述通式(1)表示之芳胺化合物，如前述，在具有至少1個對位間位取代苯環之方面有結構上之特徵。 例如:下列通式(1a)表示之芳胺化合物具有至少2個上述對位間位取代苯環，下列通式(1b)表示之芳胺化合物具有3個對位間位取代苯環。
【化18】【化19】前述式(1a)及(1b)中， Ar1 ~Ar3 表示同前述之基， Ar5 、Ar6 、Ar7 及Ar8 也和Ar1 ~Ar3 同樣，各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。 亦即，針對上述Ar5 ~Ar8 ，也可列舉和就上述Ar1 ~Ar3 例示者為同樣之基。
上述通式(1a)之化合物，係通式(1)中之基Ar4 具前述對位間位取代苯環之基，式(1a)中之Ar5 及Ar6 相當於對位間位取代苯環擁有之2個取代基。 該通式(1a)中，基Ar1 與Ar5 (相對於氮原子，鍵結於苯環之對位之基彼此)為相同之基，且基Ar2 與Ar6 (相對於氮原子，鍵結於苯環之對位之基彼此)為相同之基的話，從合成上之觀點較理想。
上述通式(1b)之化合物係通式(1)中之基Ar3 及Ar4 具前述對位間位取代苯環之基，式(1b)之Ar5 及Ar6 、及Ar7 及Ar8 各相當於對位間位取代苯環擁有之2個取代基。 如此之通式(1b)中，和上述通式(1a)同樣，基Ar1 、Ar5 及Ar7 為相同之基且基Ar2 、Ar6 及Ar8 為相同之基的話，從合成上之觀點較理想。
上述通式(1)(或通式(1a)或通式(1b))表示之芳胺化合物之具體例，可列舉具圖39~圖75表示之結構式之化合物(1-1)~(1-159)。 又，在該等圖中，將各化合物擁有之對位間位取代芳香族環之數目合併顯示。
又，通式(1)表示之化合物為新穎化合物，可如後述實施例所示，利用Suzuki偶聯等公知方法合成，且合成之化合物之精製可利用依管柱層析之精製、利用矽膠、活性碳、活性白土等之吸附精製、利用溶劑之再結晶、晶析法、昇華精製法等進行。 又，本發明之有機EL元件使用之化合物，係使用最後利用昇華精製法精製而得者。
例如:具有1個對位間位取代苯環之芳胺化合物可依以下方式製造。 亦即，使用2個氫原子取代成芳香族基之N,N-雙芳胺(二取代芳香族胺)作為出發原料，使其和間位具溴原子等鹵素原子之間位取代鹵化芳香族化合物反應，而對於該二取代芳香族胺之氮原子導入間位取代苯環基。其次，使其和N-溴琥珀醯亞胺等溴化劑反應，在間位取代苯環基之對位導入鹵素基，並使其和相當之硼酸與肆三苯基膦鈀等偶聯化劑反應，於間位取代苯環基之對位導入芳香族基，藉此可製造目的之具有1個對位間位取代苯環之芳胺化合物。
又，具2個對位間位取代苯環之芳胺化合物可依以下方式製造。 亦即，合成具間位經芳香族基取代之間位取代芳香族基之N,N-雙(間位取代芳香族)胺，使合成之二取代胺和N-溴琥珀醯亞胺等溴化劑反應，而於間位取代苯環基之對位導入鹵素基，並使其和相當之硼酸與肆三苯基膦鈀等苯基偶聯化劑反應，而於間位取代苯環基之對位導入芳香族基，藉此可製造目的之具2個對位間位取代苯環之芳胺化合物。
再者，具3個對位間位取代苯環之芳胺化合物可依以下方式製造。 亦即，使用具有間位經芳香族基取代之間位取代芳香族基之參(間位取代芳香族)胺，在此三芳胺擁有之3個間位取代芳香族基之對位和上述同樣地導入芳香族基，可製造目的之具3個對位間位取代苯環之芳胺化合物。
本發明中，上述通式(1)表示之芳胺化合物可分別單獨使用1種也可混用2種以上，而且在不損害該芳胺化合物擁有之優良特性之範圍內，也可以和公知電洞輸送劑併用而形成電洞輸送層。
作為如此之公知之電洞輸送劑，可列舉:N,N’-二苯基-N,N’-二(間甲苯基)聯苯胺(TPD)、N,N’-二苯基-N,N’-二(α-萘基)聯苯胺(NPD)、N,N,N’,N’-四聯苯基聯苯胺等聯苯胺衍生物；1,1-雙[4-(二-4-甲苯胺基)苯基]環己烷(TAPC)；後述通式(3)或通式(4)表示之芳胺化合物；其他各種三苯胺3聚物等。
又，該電洞輸送層中，可進一步併用將參溴苯胺六氯銻、軸烯(radialene)衍生物(參照國際公開2014/009310號)等予以P摻雜者、於其次結構具有TPD等聯苯胺衍生物之結構之高分子化合物等。
上述電洞輸送層適合利用含通式(1)之芳胺化合物之氣體之蒸鍍或共蒸鍍形成，但也可利用旋塗法、噴墨法等公知方法形成。 如此之電洞輸送層之厚度通常約25~60nm則能以低驅動電壓使其發光，其厚度例如厚至100nm以上也能壓抑驅動電壓上昇。亦即，電洞輸送層之厚度之自由度高，例如能以20~300nm，尤其20~200nm之厚度維持實用驅動電壓。
又，本發明中，上述含有芳胺化合物之電洞輸送層，例如如圖1所示，宜具有位在陽極側之第一電洞輸送層4及位在發光層6側之二電洞輸送層5的二層結構。 針對如此之二層結構之電洞輸送層於後述。
＜發光層＞ 發光層和在以往公知之有機EL元件使用者相同，可因應使用材料之種類而利用蒸鍍法、旋塗法、噴墨法等公知方法形成。
例如:除了使用Alq3 等喹啉酚衍生物之金屬錯合物以外，也可使用鋅、鈹、鋁等各種金屬之錯合物、蒽衍生物、雙苯乙烯基苯衍生物、芘衍生物、唑衍生物、聚對伸苯基伸乙烯基衍生物等發光材料形成發光層。 又，發光材料也可使用PIC-TRZ、CC2TA、PXZ-TRZ、4CzIPN等CDCB衍生物等發射延遲螢光之材料(例如參照Appl.Phys.Let.,98,0833302)。
又，也可使用主體材料及摻雜物材料(客體材料)形成發光層。 於此情形，主體材料宜使用蒽衍生物，除此以外，也可使用上述發光材料、具有吲哚環作為縮合環之次結構的雜環化合物、具有咔唑環作為縮合環之次結構之雜環化合物、咔唑衍生物、噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、聚二烷基茀衍生物等。 就摻雜物材料而言，宜使用藍色發光性者，例如分子中具有芘骨架之芘衍生物，除此以外，也可使用具有茀環作為縮合環之次結構之胺衍生物、喹吖啶酮、香豆素、紅螢烯、苝及此等之衍生物、芘、苯并吡喃衍生物、茚并菲、若丹明(rhodamine)衍生物、胺基苯乙烯基衍生物等。
又，就客體材料而言，也可使用磷光發光體。磷光發光體可以使用銥、鉑等金屬錯合物之磷光發光體。例如可使用Ir(ppy)3 等綠色之磷光發光體、FIrpic、FIr6等藍色之磷光發光體、Btp2 Ir(acac)等紅色之磷光發光體等。 此時之主體材料，可使用4,4’-二(N-咔唑基)聯苯(CBP)、TCTA、mCP等咔唑衍生物等電洞注入・輸送性之主體材料，對雙(三苯基矽基)苯(UGH2)、2,2’,2’’-(1,3,5-伸苯基)-參(1-苯基-1H-苯并咪唑)(TPBI)等電子輸送性之主體材料。藉由使用如此之主體材料，可製作高性能之有機EL元件。
磷光發光體對於主體材料的摻雜，為避免濃度消光，宜於對於發光層全體為1~30重量%之範圍，以共蒸鍍進行摻雜較佳。
又，該發光層不限於單層結構，也可具有使用上述各種之化合物形成之層疊層而得之疊層結構。又，也可將各種之化合物混合形成發光層。
＜電子輸送層＞ 本發明中，在上述發光層之上設置之電子輸送層(例如圖1之7表示之層)可使用公知電子輸送性材料利用蒸鍍法、旋塗法、噴墨法等公知方法形成。
電子輸送層也可由其本身公知之電子輸送材料形成，除了使用Alq3 等喹啉酚衍生物之金屬錯合物，也可使用鋅、鈹、鋁等各種金屬之錯合物、三唑衍生物、三衍生物、二唑衍生物、噻二唑衍生物、碳二亞胺衍生物、喹啉衍生物、啡啉衍生物、矽羅衍生物等。
又，本發明中，宜使用下列通式(2)表示之蒽衍生物作為電子輸送材料而形成電子輸送層較佳。該蒽衍生物的電子注入及輸送能力、薄膜安定性、耐久性優異，藉由將如此之蒽衍生物形成之電子輸送層和含有前述通式(1)之芳胺化合物之電洞輸送層予以組合，能以良好效率將電洞與電子注入到發光層，藉此，能確保最適的載子均衡性，能使有機EL元件之特性大幅改善。
【化20】式中， A表示2價芳香族烴基、2價芳香族雜環基或單鍵， B表示1價芳香族雜環基， C表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基， D為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基或碳數1至6之烷基， p及q，條件為兩者之合計為9，p為7或8之數，q為1或2之數。
由上述通式(2)可理解:此蒽衍生物具有以2價基或單鍵將蒽環與基B連結之分子結構，在基B所連結之蒽環，鍵結著1或2個1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基(基C)作為取代基。
該通式(2)中，A表示單鍵或2價基，該2價基為2價芳香族烴基或2價芳香族雜環基，其具體例如下。 2價芳香族烴基係由具2個鍵結手之芳香族烴環形成，作為如如此之芳香族烴環可列舉:苯、聯苯、聯三苯、聯四苯、苯乙烯、萘、蒽、乙烯合萘、茀、菲、二氫茚、芘、三亞苯(triphenylene)。 又，2價芳香族雜環基係由具2個鍵結手之芳香族雜環形成，如此的芳香族雜環可列舉吡啶、嘧啶、三、吡咯、呋喃、噻吩、喹啉、異喹啉、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚啉、咔唑、咔啉、苯并唑、苯并噻唑、喹啉、苯并咪唑、吡唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、啶、啡啉、吖啶滿(acridan)等。
上述芳香族烴環及芳香族雜環也可以有取代基，若不損及此蒽衍生物之優良特性，也可以有可導入之取代基。 如此之取代基，和前述通式(1)中之基Ar1 ~Ar4 所示之1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基也可以有之取代基為同樣者。 本發明中， A尤其為來自取代或未取代之苯環、聯苯環、萘環及菲環者。
又，通式(2)之基B為1價芳香族雜環基，該雜環基可列舉:三基、吡啶基、嘧啶基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、啶基、啡啉基、吖啶基、及咔啉基等。
上述基B之1價芳香族雜環基也可以具有無損此蒽衍生物之優良特性的取代基，如此的取代基可列舉氘原子、氰基、硝基，此外可列舉如下。 鹵素原子，例如:氟原子、氯原子、溴原子、碘原子等鹵素原子； 碳數1至6之烷基，例如:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基； 碳數5至10之環烷基，例如:環戊基、環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基； 碳數1至6之烷氧基，例如:甲氧基、乙氧基、丙氧基； 碳數5至10之環烷氧基，例如:環戊氧基、環己氧基、1-金剛烷氧基、2-金剛烷氧基； 烯基，例如:乙烯基、烯丙基； 芳氧基，例如:苯氧基、甲苯氧基、聯苯氧基、萘氧基、蒽氧基基、菲氧基基； 芳基烷氧基，例如:苄氧基、苯乙氧基； 芳香族烴基，例如:苯基、聯苯基、聯三苯基、萘基、蒽基、菲基、茀基、茚基、芘基、苝基、丙二烯合茀基、三亞苯基； 芳香族雜環基，例如:吡啶基、嘧啶基、三基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔啉基； 芳基乙烯基，例如:苯乙烯基、萘基乙烯基； 醯基，例如:乙醯基、苯甲醯基； 上述例示之取代基可分別獨立存在，也可該等取代基彼此介隔單鍵、也可以有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環。
本發明中，作為上述基B之理想1價芳香族雜環基，就含氮芳香族雜環基而言，例如:吡啶基、嘧啶基、吡咯基、喹啉基、異喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并唑基、苯并噻唑基、喹啉基、苯并咪唑基、吡唑基、及咔啉基等較理想，該等之中，吡啶基、嘧啶基、喹啉基、異喹啉基、吲哚基、吡唑基、苯并咪唑基、及咔啉基更理想。
又，通式(2)中之C代表1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基，該等基可列舉和就通式(1)中之Ar1 ~Ar4 例示者為同樣之基。又，該等1價芳香族烴基及1價芳香族雜環基也和前述Ar1 ~Ar4 同樣，也可以有取代基。 又，該基C於分子中有2個存在時(式(2)中之q＝2)，二個基C可相同也可不同。
再者，通式(2)中之D為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基或碳數1至6之烷基，該等之中，碳數1至6之烷基，可列舉例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、正己基等。 該等烷基也可具有例如:氘原子、氟原子、氯原子、氰基等取代基。 又，多個存在之D彼此可相同也可不同。 本發明中，最理想的D為氫原子。
上述通式(2)之蒽衍生物中，B為含氮雜環且D為氫原子較佳，如此的理想蒽衍生物尤其以下列通式(2a)、(2b)或(2c)表示。
通式(2a)表示之蒽衍生物； 【化21】(2a)
前述通式(2a)中，A同前述式(2)所示，為2價芳香族烴基、2價芳香族雜環基或單鍵。
又，上述A鍵結之3環結構之含氮雜環，相當於通式(2)之基B。 上式(2a)中之X1 、X2 、X3 及X4 係構成上述含氮雜環之一部分的環內元素，條件為該等只有任一者為氮原子，各代表碳原子或氮原子。又，R1 ~R7 及Ar9 代表鍵結於此含氮雜環之基。 亦即，X1 、X2 、X3 及X4 形成之環中，R1 ~R4 代表取代基，但此環內元素為氮原子時，此氮原子未鍵結R1 ~R4 中之任一者(包括氫原子)。例如意指:X1 為氮原子時，R1 不存在，X2 為氮原子時，R2 不存在，X3 為氮原子時，R3 不存在，X4 為氮原子時，R4 不存在。
又，上述含氮雜環鍵結之R1 ~R7 各為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基。 作為上述碳數1至6之烷基，可列舉和就前述通式(2)之D例示者為同樣者。 上述碳數5至10之環烷基可列舉環戊基、環己基、1-金剛烷基、2-金剛烷基。 上述碳數2至6之烯基可列舉乙烯基、烯丙基、異丙烯基、2-丁烯基等。 碳數1至6之烷氧基可列舉甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、第三丁氧基、正戊氧基、正己氧基。 上述碳數5至10之環烷氧基可列舉環戊氧基、環己氧基、環庚氧基、環辛氧基、1-金剛烷氧基、2-金剛烷氧基。 再者，1價芳香族烴基及1價芳香族雜環基可列舉和就通式(1)之基Ar1 ~Ar4 例示者為同樣者。 芳氧基可列舉:苯氧基、聯苯氧基、聯三苯氧基、萘氧基、蒽氧基、菲氧基、茀氧基、茚氧基、芘氧基、苝氧基等。
上述R1 ~R7 所示之各基也可以有取代基，作為如此之取代基，可列舉和在符合關於碳數之條件之範圍中，就通式(1)之基Ar1 ~Ar4 擁有之取代基例示者為相同之基。 又，該等取代基可分別獨立存在，也可該等取代基彼此介隔單鍵、也可以有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環。
再者，上述通式(2a)中之Ar9 係鍵結於前述含氮芳香族環之取代基，Ar10 及Ar11 相當於通式(2)中之C(亦即，q＝2)。 如此之Ar9 ~Ar11 代表1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基，該等基可列舉和就通式(1)中之Ar1 ~Ar4 例示者為同樣之基。又，該等1價芳香族烴基及1價芳香族雜環基也和前述Ar1 ~Ar4 同樣亦可以有取代基。
上述通式(2a)表示之蒽衍生物之具體例，可列舉具有圖76~圖79所示之結構式之化合物(2a-1)~(2a-20)。
通式(2b)表示之蒽衍生物； 【化22】
通式(2b)中，A同前述式(2)所示，為2價芳香族烴基、2價芳香族雜環基或單鍵。
又，上述A鍵結之含氮雜環相當於通式(2)之基B。
再者，上述通式(2b)中之Ar12 及Ar13 相當於通式(2)中之C (亦即，q＝2)，Ar14 係鍵結於前述含氮芳香族環之取代基。 如此之Ar12 ~Ar14 代表1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基，作為該等基可列舉和就通式(1)中之Ar1 ~Ar4 例示者為同樣之基。又，該等1價芳香族烴基及1價芳香族雜環基也和前述Ar1 ~Ar4 同樣可以有取代基。
上述通式(2b)表示之蒽衍生物，具體例可列舉具有圖80~圖83表示之結構式之化合物(2b-1)~(2b-16)。
通式(2c)表示之蒽衍生物； 【化23】
通式(2c)中，A同前述式(2)所示，為2價芳香族烴基、2價芳香族雜環基或單鍵。
又，上述A鍵結之含氮雜環相當於通式(2)之基B。
再者，上述通式(2c)中之Ar15 相當於通式(2)中之C(亦即，q＝1)，Ar16 、Ar17 及R8 係鍵結於前述含氮芳香族環之取代基。
上述Ar15 ~Ar18 代表1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基，該等基可列舉和就通式(1)中之Ar1 ~Ar4 例示者為同樣之基。又，該等1價芳香族烴基及1價芳香族雜環基也和前述Ar1 ~Ar4 可以有取代基。
又，鍵結於上述含氮雜環之R8 和前述通式(2a)中之R1 ~R7 相同，為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基。 R8 所示之上述各基也可以具有和R1 ~R7 同樣的取代基，當其取代基有多數時，多數取代基宜獨立存在較佳，但多數取代基彼此也可以介隔單鍵、也可以有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環。
上述通式(2c)表示之蒽衍生物之具體例，可列舉具有圖84~圖91表示之結構式之化合物(2c-1)~(2c-30)。
本發明中，宜利用上述蒽衍生物形成電子輸送層，上述例示之各種蒽衍生物可依其本身公知之方法合成(例如參照WO2011/0593000、WO2003/060956、韓國專利公開2013-060956)。 該等蒽衍生物可分別單獨形成電子輸送層，也可混合多種形成電子輸送層。
＜陰極＞ 本發明之有機EL元件之陰極，係使用如鋁之功函數低之金屬、如鎂銀合金、鎂銦合金、鋁鎂合金之功函數更低之合金作為電極材料。
＜其他層＞ 本發明之有機EL元件視需要也可以具有其他層。例如:圖1所示之例中，在陽極與電洞輸送層之間設有電洞注入層3，在陰極與電子輸送層之間設有電子注入層7。再者可在電洞輸送層與發光層之間設置電子阻擋層，並且可在發光層與電子輸送層之間設置電洞阻擋層。 適當設置之各層可由本身公知之材料形成，均可因應使用之材料之種類利用蒸鍍法、旋塗法、噴墨法等公知方法形成。
電洞注入層； 在陽極與電洞輸送層之間適當形成之電洞注入層3，可使用本身公知之材料，例如光芒型之三苯胺衍生物、各種三苯胺4聚物等材料；銅酞花青為代表之聚卟啉化合物；六氰基氮雜三亞苯之類之受體性雜環化合物、塗佈型高分子材料；等。 又，前述通式(1)表示之芳胺化合物呈大的電洞移動度，所以也可使用該芳胺化合物形成電洞注入層。
電子注入層； 在陰極與電子輸送層之間適當設置之電子注入層8可使用氟化鋰、氟化銫等鹼金屬鹽、氟化鎂等鹼土類金屬鹽、氧化鋁等金屬氧化物等形成。
電子阻擋層； 電子阻擋層在圖1未顯示，係在電洞輸送層發光層之間設置，為了阻擋電子通過發光層並使發光效率提高而形成。作為用以形成電子阻擋層之材料，可使用有電子阻擋性之各種化合物，以下列咔唑衍生物為代表。 4,4’,4’’-三(N-咔唑基)三苯胺 (TCTA)； 9,9-雙[4-(咔唑-9-基)苯基]茀； 1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)； 2,2-雙(4-咔唑-9-基苯基)金剛烷 (Ad-Cz)；
又，上述咔唑衍生物以外，9-[4-(咔唑-9-基)苯基]-9-[4-(三苯基矽基)苯基]-9H-茀為代表之具三苯基矽基且在分子中有三芳胺骨架之化合物等也可作為電子阻擋層形成用材料使用。
電洞阻擋層； 電洞阻擋層也未顯示於圖1，係在電子輸送層與發光層之間適當設置，為了阻擋電洞通過發光層且提高發光效率而形成。用以形成電洞阻擋層之材料，可使用浴銅靈(Bathocuproin)(BCP)等啡啉衍生物、 (III)雙(2-甲基-8-喹啉酸)-4-苯基酚酸鋁(BAlq)等喹啉酚衍生物之金屬錯合物，此外可使用各種稀土類錯合物、三唑衍生物、三衍生物、二唑衍生物等具電洞阻擋作用之化合物形成。
＜2層結構之電洞輸送層＞ 本發明之有機EL元件中，前述通式(1)表示之芳胺化合物作為電洞輸送劑使用，但如前述，含有如此之芳胺化合物之電洞輸送層可為2層結構。 亦即，如圖1所示，宜使電洞輸送層成為分割成位在陽極2側之第一電洞輸送層4與位在發光層6側之第二電洞輸送層5的2層結構，且使第二電洞輸送層5含有前述通式(1)表示之芳胺。此時，第一電洞輸送層4使用和第二電洞輸送層5使用者為不同的芳胺。
如上述，電洞輸送層分成2層時，在發光層6側之第二電洞輸送層5呈現電洞輸送性且呈現極高的電子阻擋性。原因為:前述通式(1)表示之芳胺化合物呈現電洞輸送性，此外呈現高電子阻擋性。因此，特別如圖1，藉由使第二電洞輸送層5和發光層6相鄰，能更高度保持在發光層6之載子均衡性，對於此有機EL元件之特性改善極有利。
如此之2層結構中，第二電洞輸送層5係利用通式(1)表示之芳胺化合物形成，但第一電洞輸送層4係使用在形成第二電洞輸送層5所使用之芳胺化合物為不同之三芳胺衍生物形成。原因為:三芳胺衍生物呈現優良的電洞輸送性。
第一電洞輸送層4之形成時使用之三芳胺衍生物只要是和第二電洞輸送層5形成時使用者為不同即可，也可以是前述通式(1)表示之芳胺化合物，但因為該第一電洞輸送層4不是太要求電子阻擋性，所以希望使用公知作為電洞輸送材之三芳胺衍生物來形成第一電洞輸送層4。
如此之公知之三芳胺衍生物具有2個三芳胺骨架以單鍵或2價烴基鍵結之分子結構，分子中具有2個~6個三芳胺骨架。 本發明中，考量除了電洞輸送性，薄膜安定性、耐熱性優異及合成容易之觀點，也可使用下列通式(3)或(4)表示之三芳胺衍生物形成第一電洞輸送層4。該三芳胺衍生物可單獨使用1種也可混用2種以上。
通式(3)表示之三芳胺衍生物； 【化24】
該通式(3)表示之三芳胺衍生物具有2個三芳胺骨架。
通式(3)中，r9 ~r14 各為代表鍵結於芳香族環之取代基R9 ~R14 之數之整數，r9 、r10 、r13 及r14 各為0~5之整數，r11 及r12 各為0~4之整數。
又，鍵結於芳香族環之取代基R9 ~R14 各表示氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基。 該等取代基於同一苯環有多數存在時，存在之多數取代基宜比此獨立存在較佳，但也可介隔單鍵、也可以有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環。例如:多數取代基可鍵結形成萘環。
上述取代基R9 ~R14 表示之烷基、環烷基、烯基、烷氧基、環烷氧基或芳氧基之具體例，可列舉和就通式(2a)之基R1 ~R7 例示者為同樣之基，1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基之具體例，可列舉和就通式(1)之基Ar1 ~Ar4 例示者為同樣之基。 又，取代基R9 ~R14 ，和基R1 ~R7 或基Ar1 ~Ar4 同樣也可更具有取代基，如此之取代基宜彼此獨立而存在較佳，但也可介隔單鍵、也可以有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環。
又，通式(3)中，L1 為將2個芳胺骨架鍵結之橋聯基，代表單鍵、或下列結構式(B)、(C)、(D)、(E)、(F)或(G)表示之2價基。 【化25】式中，n1為1~4之整數。 【化26】【化27】【化28】【化29】【化30】
上述通式(3)表示之三芳胺衍生物之具體例，可列舉具有圖92~圖99表示之結構式之化合物(3-1)~(3-41)。
通式(4)表示之三苯胺衍生物； 【化31】
該通式(4)表示之三芳胺衍生物具有4個三芳胺骨架。
通式(4)中，r15 ~r26 各為表示鍵結於芳香族環之取代基R15 ~R26 之數的整數，r15 、r16 、r19 、r22 、r25 及r26 各為0~5之整數，r17 、r18 、r20 、r21 、r23 及r24 各為0~4之整數。
又，鍵結於芳香族環之取代基R15 ~R26 ，各表示氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基。 該等取代基於同一苯環存在多個時，多數個存在之取代基宜彼此獨立而存在較佳，但也可介隔單鍵、也可以有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環。例如:多數取代基也可鍵結而形成萘環。
上述取代基R15 ~R26 所示之烷基、環烷基、烯基、烷氧基、環烷氧基或芳氧基之具體例，可列舉和就通式(2a)之基R1 ~R7 例示者為同樣之基，1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基之具體例，可列舉和就通式(1)之基Ar1 ~Ar4 例示者為同樣之基。 又，取代基R15 ~R26 ，和基R1 ~R7 或基Ar1 ~Ar4 同樣也可更具有取代基，如此之取代基宜彼此獨立而存在較佳，但也可介隔單鍵、也可以有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環。
又，通式(4)中，L2 ~L4 表示2個芳胺骨架鍵結之橋聯基，為單鍵、或下列結構式(B’)表示之2價基、或和通式(3)之式(C)、(D)、(E)、(F)或(G)表示之2價基為同樣之基。
【化32】式中，n2為1~3之整數。
上述通式(4)表示之三芳胺衍生物之具體例，可列舉具圖100~圖103表示之結構式之化合物(4-1)~(4-17)。
本發明中，上述例示之各種三芳胺衍生物，可依本身公知之方法合成(例如參照日本特開平7-126615號、日本特開平08-048656號、日本特開2005-108804號)。
使用如上三芳胺衍生物形成之第一電洞輸送層4之厚度t1與使用通式(1)之芳胺化合物形成之第二電洞輸送層5之厚度t2的總厚度(t1＋t2)，此總厚度宜為20~300nm之範圍，更宜為50~200nm之範圍，尤宜為50~150nm之範圍。
具上述結構之本發明之有機EL元件，係將電洞及電子之注入・輸送性能、薄膜安定性、耐久性優異之有機EL元件用材料考量載子均衡性之組合，故比起習知之有機EL元件，從電洞輸送層向發光層之電洞輸送效率改善，從電子輸送層向發光層之電子輸送效率也改善。再者，電洞輸送層為第一電洞輸送層與第二電洞輸送層之2層結構時，載子均衡性更改善，發光效率也進一步改善、驅動電壓更降低，此有機EL元件之耐久性更改善。 如此，依照本發明可達成高效率、低驅動電壓、長壽命之有機EL元件。 [實施例]
本發明依以下的實驗例説明。
＜實施例1＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基聯苯-3-基)胺(化合物1-1)之合成＞ (第1步驟) 於經氮氣取代之反應容器中加入N,N-雙(聯苯-4-基)胺40.5g、3-溴聯苯28.0g、第三丁醇鈉 13.7g、甲苯 400mL， 邊照射30分鐘超音波邊通入氮氣。 其次，加入乙酸鈀0.54g、第三丁基膦之50%(w/v)甲苯溶液1.46g，加熱並於95℃攪拌4小時。 利用過濾去除不溶物後加熱，於100℃實施使用矽膠之吸附精製並趁熱過濾。邊攪拌濾液邊冷卻至室溫、過濾析出之固體以收集，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(聯苯-3-基)胺之綠白色固體50.2g(產率88%)。
(第2步驟) 於經氮氣取代之反應容器中加入上述獲得之三芳胺50.0g、二甲基甲醯胺500mL，以冰浴冷卻。 然後，緩慢添加N-溴琥珀醯亞胺22.1g，攪拌4小時。之後，加入甲醇，以過濾收集析出之粗製物。 然後實施使用乙酸乙酯之回流洗滌，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺之桃色粉體40.2g(產率69%)。
(第3步驟) 然後於經氮氣取代之反應容器中，加入上述獲得之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺11.8g、甲苯94mL、苯基硼酸2.7g、預先溶解碳酸鉀5.9g於水36mL之水溶液，邊照射30分鐘超音波邊通入氮氣。 之後加入肆三苯基膦鈀0.74g並加熱，於72℃攪拌18小時。冷卻至室溫，利用分液操作收集有機層。依序實施使用水之洗滌、使用飽和食鹽水之洗滌後，使用無水硫酸鎂乾燥並濃縮以獲得粗製物。
然後實施使用管柱層析之精製以獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基聯苯-3-基)胺之白色粉體8.4g(產率72%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-1)。 【化33】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖2。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下31個氫的信號。 δ(ppm)＝7.56-7.68(7H)    　　　 7.45-7.52(4H)    　　　 7.14-7.41(20H)
＜實施例2＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(萘基-1-基)聯苯-3-基｝胺(化合物1-2)之合成＞ 將實施例1之第3步驟使用之苯基硼酸替換為1-萘基硼酸，除此以外以和實施例1同樣的條件實施反應，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(萘基-1-基)聯苯-3-基｝胺之白色粉體9.2g (產率61%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-2)。 【化34】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖3。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下33個氫的信號。 δ(ppm)＝7.84-7.87(3H)                7.67-83(6H)                7.26-7.64(18H)                7.02-7.04(6H)
＜實施例3＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(9,9-二甲基茀-2-基)聯苯-3-基｝胺(化合物1-3)之合成＞ 將實施例1之第3步驟使用之苯基硼酸替換為(9,9-二甲基茀-2-基)硼酸，除此以外以和實施例1同樣的條件實施反應，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(9,9-二甲基茀-2-基)聯苯-3-基｝胺之白色粉體9.0g(產率57%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-3)。 【化35】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖4。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.56-7.64(10H) 　             7.26-50(18H)              　7.02-7.16(5H)              　1.26(6H)
＜實施例4＞ ＜N,N-雙(6-苯基聯苯-3-基)-N-(聯苯-4-基)胺(化合物1-94)之合成＞ (第1步驟) 於經氮氣取代之反應容器中，裝入苯甲醯胺13.0g、3-溴聯苯52.5g、碳酸鉀44.5g、亞硫酸氫鈉 3.4g、啡啉一水合物2.2g、銅粉0.68g、十二基苯13mL、甲苯30mL，邊攪拌邊加熱，邊去除甲苯，進行19小時回流。冷卻並加入甲苯後，利用過濾去除不溶物。依序實施使用水之洗滌、使用飽和食鹽水之洗滌後，使用無水硫酸鎂乾燥並濃縮以獲得粗製物。 然後實施使用管柱層析之精製以獲得N,N-雙(聯苯-3-基)苯甲醯胺之黃色黏性物41.7g(產率91%)。
(第2步驟) 於反應容器裝入上述獲得之N,N-雙(聯苯-3-基)苯甲醯胺41.7g、異戊醇36mL、水12mL、氫氧化鉀7.6g，邊攪拌邊加熱，回流48小時。冷卻至室溫，加入水、甲苯後利用分液操作收集有機層。依序實施使用水之洗滌、使用飽和食鹽水之洗滌後，使用無水硫酸鎂乾燥並濃縮以獲得粗製物。 然後實施使用管柱層析之精製以獲得N,N-雙(聯苯-3-基)胺之褐色黏性物25.3g(產率80%)。
(第3步驟) 於經氮氣取代之反應容器中，加入上述獲得之N,N-雙(聯苯-3-基)胺25.2g、甲苯250mL、4-溴聯苯20.5g、第三丁醇鈉 9.0g，邊照射30分鐘超音波邊通入氮氣。 其次，加入乙酸鈀0.35g、第三丁基膦之50%(w/v)甲苯溶液0.95g並加熱，於95℃攪拌14小時。利用過濾去除不溶物後，依序實施使用水之洗滌、使用飽和食鹽水之洗滌後，使用無水硫酸鎂乾燥並濃縮以獲得粗製物。 然後實施使用管柱層析之精製以獲得N,N-雙(聯苯-3-基)-N-(聯苯-4-基)胺之黃白色粉體31.6g(產率85%)。
(第4步驟) 於經氮氣取代之反應容器中，加入上述獲得之N,N-雙(聯苯-3-基)-N-(聯苯-4-基)胺31.5g、二甲基甲醯胺320mL，以冰浴冷卻。 然後緩慢加入N-溴琥珀醯亞胺26.0g，攪拌5小時。加水，以過濾收集析出之粗製物。實施使用甲醇之洗滌後，實施使用管柱層析之精製以獲得N,N-雙(6-溴聯苯-3-基)-N-(聯苯-4-基)胺之白色粉體36.9g(產率88%)。
(第5步驟) 將實施例1之第3步驟使用之雙(聯苯-4-基)-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為上述獲得之N,N-雙(6-溴聯苯-3-基)-N-(聯苯-4-基)胺，除此以外和實施例1之第3步驟為同樣地實施反應以獲得N,N-雙(6-苯基聯苯-3-基)-N-(聯苯-4-基)胺之白色粉體10.2g(產率73%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-94)。 【化36】對位間位取代苯環：2
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖5。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下35個氫的信號。 δ(ppm)＝7.57-7.66(4H)             　7.10-7.49(31H)
＜實施例5＞ ＜參(6-苯基聯苯-3-基)胺(化合物1-129)之合成＞ (第1步驟) 於經氮氣取代之反應容器中加入3-胺基聯苯10.4g、甲苯250mL、3-溴聯苯30.0g、第三丁醇鈉 13.1g，邊照射30分鐘超音波邊通入氮氣。 然後，加入參二亞苄基丙酮鈀2.25g、第三丁基膦之50%(w/v)甲苯溶液1.50g並加熱，於95℃攪拌3小時。利用過濾去除不溶物，然後依序實施使用水之洗滌、使用飽和食鹽水之洗滌後，使用無水硫酸鎂乾燥並濃縮以獲得粗製物。 再者，實施使用管柱層析之精製以獲得參(聯苯-3-基)胺之白色粉體24.6g(產率85%)。
(第2步驟) 於經氮氣取代之反應容器中加入上述參(聯苯-3-基)胺24.5g、二甲基甲醯胺245mL，以冰浴冷卻。 然後緩慢加入N-溴琥珀醯亞胺30.4g，攪拌7小時。加入甲苯後依序實施使用水之洗滌、使用飽和食鹽水之洗滌後，使用無水硫酸鎂乾燥並濃縮以獲得粗製物。 實施使用管柱層析之精製以獲得參(6-溴聯苯-3-基)胺之白色粉體33.6g(產率92%)。
(第3步驟) 將實施例1之第3步驟使用之雙(聯苯-4-基)-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為上述獲得之參(6-溴聯苯-3-基)胺，除此以外和實施例1之第3步驟為同樣地實施反應以獲得參(6-苯基聯苯-3-基)胺之白色粉體11.1g(產率75%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-129)。 【化37】對位間位取代苯環：3
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖6。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.35-7.42(6H) 　            7.15-7.35(33H)
＜實施例6＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-4)之合成＞ 將實施例1之第3步驟使用之苯基硼酸替換為4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1同樣的條件實施反應，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體8.4g(產率76%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-4)。 【化38】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖7。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下35個氫的信號。 δ(ppm)＝7.60-7.68(10H) 　            7.45-50(9H) 　            7.30-7.39(8H) 　            7.22-7.28(8H)
＜實施例7＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’：4’’，1’’’-聯四苯-4-基)胺(化合物1-9)之合成＞ 將實施例1之第3步驟使用之苯基硼酸替換為對聯三苯基硼酸頻哪醇酯，除此以外以和實施例1同樣的條件實施反應，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’：4’’，1’’’-聯四苯-4-基)胺之白色粉體7.6g(產率75%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-9)。 【化39】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖8。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.40-7.55(20H) 　            7.30-39(7H) 　            7.19-7.29(12H)
＜實施例8＞ ＜N-4-聯苯-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-56)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)- N-(9,9-二甲基茀-2-基)胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應，獲得N-4-聯苯-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體17.8g(產率89%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-56)。 【化40】(1-56)                                                                   對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖9。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.57-7.70(7H) 　            7.18-52(26H) 　            1.52(6H)
＜實施例9＞ ＜N-4-聯苯-N-(1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-68)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(4-溴苯基)胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N-4-聯苯-N-(1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體6.4g(產率55%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-68)。 【化41】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖10。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.58-7.79(15H) 　             7.42-7.53(9H) 　             7.20-7.40(15H)
＜實施例10＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺(化合物1-90)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺之白色粉體6.8g(產率84%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-90)。 【化42】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖11。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下35個氫的信號。 δ(ppm)＝7.58-7.66(10H) 　            7.34-7.48(17H) 　            7.20-7.28(8H)
＜實施例11＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1,1’：2’,1’’-聯三苯-3-基)胺(化合物1-92)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴-1,1’：2’,1’’-聯三苯-3-基)胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應，獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-苯基-1，1’：2’,1’’-聯三苯-3-基)胺之白色粉體4.8g(產率40%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-92)。 【化43】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖12。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下35個氫的信號。 δ(ppm)＝7.62-7.68(4H)             　7.46-7.58(8H) 　            7.09-7.39(19H)             　6.84-6.91(4H)
＜實施例12＞ ＜N-4-聯苯-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-134)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N-4-聯苯-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體7.5g(產率60%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-134)。 【化44】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖13。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下37個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08-8.12(1H) 　            7.86-7.98(2H) 　            7.21-7.64(34H)
＜實施例13＞ ＜N-4-聯苯-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’：4’’，1’’’-聯四苯-4-基)胺(化合物1-135)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)- N-｛4-(萘-1-基)苯基｝胺及對聯三苯基硼酸頻哪醇酯，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N-4-聯苯-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’：4’’，1’’’-聯四苯-4-基)胺之白色粉體9.0g(產率56%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-135)。 【化45】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖14。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下41個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08-8.12(1H) 　            7.86-7.98(2H) 　            7.22-7.71(38H)
＜實施例14＞ ＜N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-136)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N- (6-溴聯苯-3-基)胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N- (6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體10.6g(產率79%)。 此胺化合物為下式表示之化合物(1-136)。 【化46】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖15。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08-8.14(2H)             　7.88-7.96(4H)             　7.24-7.64(33H)
＜實施例15＞ ＜N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-｛6-苯基-4’’-(萘-1-基)聯苯-4-基｝胺(化合物1-137)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N- (6-溴聯苯-3-基)胺及4-(萘-2-基)苯基硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-｛6-苯基-4’’-(萘-1-基)聯苯-4-基｝胺之白色粉體9.7g(產率74%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-137)。 【化47】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖16。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下41個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08-8.14(3H) 　            7.66-7.97(8H) 　            7.28-7.66(30H)
＜實施例16＞ ＜N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’：4’’，1’’’-聯四苯-4-基)胺(化合物1-138)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N- (6-溴聯苯-3-基)胺及對聯三苯基硼酸頻哪醇酯，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N- (6-苯基-1,1’：4’,1’’：4’’，1’’’-聯四苯-4-基)胺之白色粉體6.2g(產率63%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-138)。 【化48】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖17。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下43個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08-8.14(3H) 　            7.89-7.95(4H) 　            7.25-7.71(36H)
＜實施例17＞ ＜N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：3’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-139)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N- (6-溴聯苯-3-基)胺及3-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N,N-雙｛4-(萘-1-基)苯基｝-N- (6-苯基-1,1’：3’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體4.9g(產率48%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-139)。 【化49】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖18。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08-8.12(2H) 　            7.86-7.94(4H) 　            7.00-7.57(29H) 　            6.63-6.75(4H)
＜實施例18＞ ＜N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-140)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體4.9g(產率44%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-140)。 【化50】(1-140)                                                  對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖19。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下37個氫的信號。 δ(ppm)＝7.73(1H) 　            7.61-7.70(3H) 　            7.54-7.58(1H) 　            7.19-7.52(32H)
＜實施例19＞ ＜N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺(化合物1-141)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-溴-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺之白色粉體5.8g(產率56%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-141)。 【化51】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖20。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下37個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08(1H) 　            7.81-7.96(3H) 　            7.79-7.81(1H) 　            7.21-7.73(32H)
＜實施例20＞ ＜N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-｛6-苯基-4’-(萘-2-基)聯苯-3-基｝胺(化合物1-142)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-｛6-溴-4’-(萘-2-基)聯苯-3-基｝胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣之條件實施反應，以獲得N-4-聯苯-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-｛6-苯基-4’-(萘-2-基)聯苯-3-基｝胺之白色粉體10.0g(產率81%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-142)。 【化52】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖21。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝8.04-8.10(2H) 　            7.78-7.96(8H) 　            7.24-7.65(29H)
＜實施例21＞ ＜N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基聯苯-3-基｝胺(化合物1-143)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二苯基茀-2-基)胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應，以獲得N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基聯苯-3-基｝胺之白色粉體11.0g(產率61%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-143)。 【化53】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖22。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.60-7.74(4H) 　            7.14-7.52(33H) 　            7.00-7.03(2H)
＜實施例22＞ ＜N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基｝胺(化合物1-144)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二苯基茀-2-基)胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體6.5g(產率71%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-144)。 【化54】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖23。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下43個氫的信號。 δ(ppm)＝7.61-7.77(6H)             　7.20-7.51(34H)             　7.06-7.11(3H)
＜實施例23＞ ＜N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：3’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-145)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)- N-(9,9-二苯基茀-2-基)胺及3-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：3’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體8.0g(產率87%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-145)。 【化55】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖24。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下43個氫的信號。 δ(ppm)＝7.70-7.76(2H) 　            7.63-7.65(2H) 　            7.18-7.54(36H) 　            7.08-7.12(3H)
＜實施例24＞ ＜N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：2’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-146)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二苯基茀-2-基)胺及2-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-4-聯苯-N-(9,9-二苯基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：2’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體5.2g(產率57%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-146)。 【化56】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖25。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下43個氫的信號。 δ(ppm)＝7.60-7.74(4H) 　            6.95-7.49(35H) 　            6.68-6.71(2H) 　            6.54-6.57(2H)
＜實施例25＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-苯基-4’-(萘-1-基)聯苯-3-基｝胺(化合物1-147)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-溴-4’- (萘-1-基)聯苯-3-基｝胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-苯基-4’-(萘-1-基)聯苯-3-基｝胺之白色粉體5.4g(產率33%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-147)。 【化57】(1-147)                                                對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖26。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下37個氫的信號。 δ(ppm)＝7.84-7.95(3H) 　            7.24-7.67(34H)
＜實施例26＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(聯苯-4-基)-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺(化合物1-148)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟同樣的條件實施反應以獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(聯苯-4-基)-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺之白色粉體9.4g(產率84%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-148)。 【化58】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖27。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.58-7.66(12H) 　            7.23-7.54(27H)
＜實施例27＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(聯苯-3-基)-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺(化合物1-149)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺及3-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(聯苯-3-基)-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺之白色粉體9.6g(產率86%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-149)。 【化59】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖28。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.58-7.66(10H) 　            7.26-7.52(29H)
＜實施例28＞ ＜N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(聯苯-2-基)-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺(化合物1-150)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺及2-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟同樣的條件實施反應以獲得N,N-雙(聯苯-4-基)-N-｛6-(聯苯-2-基)-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基｝胺之白色粉體9.6g(產率86%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-150)。 【化60】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖29。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.54-7.66(10H) 　            7.08-7.49(25H) 　            6.63-6.74(4H)
＜實施例29＞ ＜N,N-雙(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-151)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N,N-雙(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N,N-雙(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體16.7g(產率92%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-151)。 【化61】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖30。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下43個氫的信號。 δ(ppm)＝7.62-7.70(6H) 　            7.19-7.52(25H) 　            1.50(12H)
＜實施例30＞ ＜N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基聯苯-3-基)-N-(1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-152)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基聯苯-3-基)-N-(1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體18.3g(產率74%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-152)。 【化62】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖31。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝7.61-7.69(10H) 　            7.12-7.52(23H) 　            1.51(6H)
＜實施例31＞ ＜N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基聯苯-3-基)胺(化合物1-153)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基聯苯-3-基)胺之白色粉體8.8g(產率63%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-153)。 【化63】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖32。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下37個氫的信號。 δ(ppm)＝8.08(1H) 　            7.76-7.94(4H) 　            7.60-7.71(4H) 　            7.13-7.54(22H) 　            1.52(6H)
＜實施例32＞ ＜N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-154)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體10.4g(產率67%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-154)。 【化64】(1-154) 　                                                對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖33。 針對獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下41個氫的信號。 δ(ppm)＝8.12(1H) 　            7.78-7.92(4H) 　            7.60-7.71(6H) 　            7.21-7.54(24H) 　            1.53(6H)
＜實施例33＞ ＜N-4-聯苯-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基-4’-(萘-1-基)聯苯-4-基)胺(化合物1-155)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)- N-(9,9-二甲基茀-2-基)胺及4-(萘-1-基)苯基硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-4-聯苯-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-(6-苯基-4’-(萘-1-基)聯苯-4-基)胺之白色粉體17.8g(產率89%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-155)。 【化65】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖34。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下41個氫的信號。 δ(ppm)＝7.85-7.96(3H) 　            7.18-74(32H) 　            1.53(6H)
＜實施例34＞ ＜N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基聯苯-3-基)胺(化合物1-156)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝胺，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基聯苯-3-基)胺之白色粉體17.8g(產率89%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-156)。 【化66】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖35。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下37個氫的信號。 δ(ppm)＝8.10-8.13(1H) 　            7.86-7.94(2H) 　            7.72-7.75(2H) 　            7.14-7.58(26H) 　            1.54(6H)
＜實施例35＞ ＜N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺(化合物1-157)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-(6-溴聯苯-3-基)-N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝胺及4-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟と同樣的條件實施反應以獲得N-(9,9-二甲基茀-2-基)-N-｛4-(萘-1-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-4-基)胺之白色粉體19.9g(產率89%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-157)。 【化67】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖36。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下41個氫的信號。 δ(ppm)＝8.07-8.13(1H) 　            7.88-7.96(2H) 　            7.16-7.72(32H) 　            1.54(6H)
＜實施例36＞ ＜N-4-聯苯-N-｛4-(9,9-二甲基茀-2-基)苯基｝-N-｛6-苯基-1,1’：3’,1’’-聯三苯-4-基｝胺(化合物1-158)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺及苯基硼酸替換為使用N-4-聯苯-N-(6-溴聯苯-3-基)- N-｛4-(9,9-二甲基茀-2-基)苯基｝胺及3-聯苯硼酸，除此以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N-4-聯苯-N-｛4-(9,9-二甲基茀-2-基)苯基｝-N-｛6-苯基-1,1’：3’,1’’-聯三苯-4-基｝胺之白色粉體8.7g(產率49%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-158)。 【化68】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖37。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下43個氫的信號。 δ(ppm)＝7.74-7.82(2H) 　            7.58-7.76(6H) 　            7.16-7.48(29H) 　            1.57(6H)
＜實施例37＞ ＜N,N-雙｛4-(萘-2-基)苯基｝-N-(6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺(化合物1-159)之合成＞ 將實施例1之第3步驟之N,N-雙(聯苯-4-基)-N-(6-溴聯苯-3-基)胺替換為使用N,N-雙｛4-(萘-2-基)苯基｝-N- (6-溴-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺，除以以外以和實施例1之第3步驟為同樣的條件實施反應以獲得N,N-雙｛4-(萘-2-基)苯基｝-N- (6-苯基-1,1’：4’,1’’-聯三苯-3-基)胺之白色粉體5.1g(產率65%)。
此胺化合物為下式表示之化合物(1-159)。 【化69】對位間位取代苯環：1
針對上述獲得之白色粉體使用NMR鑑別結構。其NMR圖表示於圖38。1 H-NMR(CDCl3 )檢測到以下39個氫的信號。 δ(ppm)＝8.10(1H) 　            7.87-7.96(6H) 　            7.71-7.84(6H) 　            7.22-7.60(26H)
＜實施例38＞ 針對實施例合成之通式(1)表示之各種芳胺化合物，利用高感度差示掃描熱量計(Bruker AXS製，DSC3100S)求取玻璃轉移點，結果如以下所示。 此玻璃轉移點係成為薄膜狀態之安定性、耐熱性之指標的參數。
玻璃轉移點　 化合物(1-2)：實施例2　　　　　　　103℃ 化合物(1-3)：實施例3　　　　　　　115℃ 化合物(1-94)：實施例4             　　　　　101℃ 化合物(1-129)：實施例5　　　　　　 112℃ 化合物(1-4)：實施例6　                         104℃ 化合物(1-9)：實施例7　                          117℃ 化合物(1-56)：實施例8                                  116℃ 化合物(1-68)：實施例9                                  116℃ 化合物(1-90)：實施例10　                      106℃ 化合物(1-134)：實施例12                         109℃ 化合物(1-135)：實施例13                         121℃ 化合物(1-136)：實施例14                         117℃ 化合物(1-137)：實施例15                          120℃ 化合物(1-138)：實施例16                          125℃ 化合物(1-139)：實施例17                       107℃ 化合物(1-140)：實施例18                       110℃ 化合物(1-141)：實施例19                       112℃ 化合物(1-142)：實施例20                       119℃ 化合物(1-147)：實施例25                       111℃ 化合物(1-148)：實施例26                       119℃ 化合物(1-149)：實施例27                       107℃ 化合物(1-150)：實施例28                       110℃ 化合物(1-151)：實施例29                       114℃ 化合物(1-153)：實施例31                       108℃ 化合物(1-154)：實施例32                       122℃ 化合物(1-155)：實施例33                       119℃ 化合物(1-156)：實施例34                       109℃ 化合物(1-157)：實施例35                       122℃ 化合物(1-158)：實施例36                       112℃ 化合物(1-159)：實施例37                       116℃
由上述結果可判別:通式(1)表示之芳胺化合物有100℃以上之玻璃轉移點且薄膜狀態安定。
＜實施例39＞ 針對實施例合成之通式(1)表示之各種芳胺化合物，在ITO基板之上製作膜厚100nm之蒸鍍膜並以游離電位測定裝置(住友重機械工業(股)公司製，PYS-202型)測定功函數，結果如下所示。 功函數係成為電洞輸送性之指標的參數。
功函數 化合物(1-1)：實施例1　            5.68eV 化合物(1-2)：實施例2　            5.72eV 化合物(1-3)：實施例3　            5.66eV 化合物(1-94)：實施例4                    5.72eV 化合物(1-129)：實施例5           5.75eV 化合物(1-4)：實施例6　            5.67eV 化合物(1-9)：實施例7　            5.70eV 化合物(1-56)：實施例8                    5.62eV 化合物(1-68)：實施例9                    5.66eV 化合物(1-90)：實施例10　        5.71eV 化合物(1-92)：實施例11　        5.70eV 化合物(1-134)：實施例12          5.71eV 化合物(1-135)：實施例13          5.71eV 化合物(1-136)：實施例14          5.72eV 化合物(1-137)：實施例15          5.72eV 化合物(1-138)：實施例16          5.73eV 化合物(1-139)：實施例17         5.73eV 化合物(1-140)：實施例18         5.69eV 化合物(1-141)：實施例19         5.70eV 化合物(1-142)：實施例20         5.71eV 化合物(1-143)：實施例21         5.66eV 化合物(1-144)：實施例22         5.67eV 化合物(1-145)：實施例23         5.68eV 化合物(1-146)：實施例24         5.67eV 化合物(1-147)：實施例25         5.72eV 化合物(1-148)：實施例26         5.70eV 化合物(1-149)：實施例27         5.71eV 化合物(1-150)：實施例28         5.72eV 化合物(1-151)：實施例29         5.55eV 化合物(1-152)：實施例30         5.61eV 化合物(1-153)：實施例31         5.62eV 化合物(1-154)：實施例32         5.62eV 化合物(1-155)：實施例33         5.63eV 化合物(1-156)：實施例34         5.62eV 化合物(1-157)：實施例35         5.63eV 化合物(1-158)：實施例36         5.64eV 化合物(1-159)：實施例37         5.69eV
由上述結果可知:通式(1)表示之芳胺化合物比起NPD、TPD等一般的電洞輸送材料帶有之功函數5.4eV，呈更理想的能量準位，有良好的電洞輸送能力。
＜實施例40＞ 圖1表示之結構之有機EL元件、在透明基板(玻璃基板)1上按順序形成了透明陽極(ITO電極)2、電洞注入層3、第一電洞輸送層4、第二電洞輸送層5、發光層6、電子輸送層7、電子注入層8、陰極(鋁電極)9之有機EL元件，係依下列程序以蒸鍍製作。
首先，準備在玻璃基板(透明基板1)上已形成膜厚150nm之ITO電極(透明陽極2)的附ITO之玻璃基板。 將此玻璃基板1在異丙醇中進行20分鐘超音波洗滌後，於加熱到200℃之熱板上進行10分鐘乾燥。之後，進行UV臭氧處理15分鐘後，將此附ITO之玻璃基板安裝在真空蒸鍍機內，減壓到0.001Pa以下。 然後，以被覆透明陽極2之方式將下列結構式之化合物(HIM-1)形成膜厚5nm以作為電洞注入層3。
【化70】
在此電洞注入層3之上，將下列結構式之分子中具有2個三芳胺骨架之芳胺化合物(3-1)形成膜厚60nm以作為第一電洞輸送層4。 【化71】
在如此形成之第一電洞輸送層4之上，將實施例1合成之芳胺化合物(1-1)形成膜厚5nm以作為第二電洞輸送層5。 在此第二電洞輸送層5之上，將下列結構式之芘衍生物(EMD-1)與下列結構式之蒽衍生物(EMH-1)以蒸鍍速度比成為EMD-1：EMH-1＝5：95之蒸鍍速度進行二元蒸鍍成膜厚20nm，以作為發光層6。
【化72】【化73】
在此發光層6之上，將下列結構式之蒽衍生物(2a-1)與下列結構式之化合物(ETM-1)以蒸鍍速度比成為化合物2a-1：ETM-1＝50：50的蒸鍍速度進行二元蒸鍍，形成膜厚30nm之電子輸送層7。 【化74】(2a-1) 【化75】
在此電子輸送層7之上形成膜厚1nm之氟化鋰以作為電子注入層8。 最後蒸鍍鋁100nm而形成陰極9。
針對如此製作為有機EL元件，在大氣中，常溫實施特性測定。製作之有機EL元件之層結構如表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。 又，上述特性測定中，元件壽命係測定設發光開始時之發光亮度(初始亮度)為2000cd/m2 ，實施定電流驅動時，發光亮度衰減成1900cd/m2 (相當於設初始亮度為100%時之95%：95%衰減)為止之時間。
＜實施例41＞ 將化合物(1-1)改為使用實施例6合成之化合物(1-4)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行，製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件，於大氣中，常溫進行特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例42＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例7合成之化合物(1-9)，並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件，於大氣中，常溫進行特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例43＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例8合成之化合物(1-56)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例44＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例9合成之化合物(1-68)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行，製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1、施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例45＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例10合成之化合物(1-90)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例46＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例11合成之化合物(1-92)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例47＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例12合成之化合物(1-134)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例48＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例13合成之化合物(1-135)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例49＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例14合成之化合物(1-136)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例50＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例15合成之化合物(1-137)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例51＞ 將化合物(1-1)改為使用實施例16合成之化合物(1-138)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例52＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例17合成之化合物(1-139)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例53＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例18合成之化合物(1-140)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例54＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例19合成之化合物(1-141)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例55＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例20合成之化合物(1-142)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例56＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例21合成之化合物(1-143)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例57＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例22合成之化合物(1-144)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表1，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表4。
＜實施例58＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例23合成之化合物(1-145)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例59＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例24合成之化合物(1-146)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例60＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例25合成之化合物(1-147)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例61＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例26合成之化合物(1-148)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例62＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例27合成之化合物(1-149)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例63＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例28合成之化合物(1-150)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例64＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例29合成之化合物(1-151)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例65＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例30合成之化合物(1-152)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例66＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例31合成之化合物(1-153)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例67＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例32合成之化合物(1-154)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例68＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例33合成之化合物(1-155)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例69＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例34合成之化合物(1-156)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例70＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例35合成之化合物(1-157)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例71＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例36合成之化合物(1-158)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例72＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例37合成之化合物(1-159)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例73＞ 將蒽衍生物(2a-1)替換為使用下列結構式之蒽衍生物(2c-23)，並將此蒽衍生物(2c-23)與化合物(ETM-1)以成為(2c-23)：(ETM-1)＝50：50之蒸鍍速度進行二元蒸鍍，形成膜厚30nm之電子輸送層7，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 【化76】
針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例74＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例6合成之化合物(1-4)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例73同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜實施例75＞ 將化合物(1-1)替換為使用實施例7合成之化合物(1-9)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例73同樣進行而製作有機EL元件。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表2，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表5。
＜比較例1＞ 將化合物(1-1)替換為使用分子中具有2個三苯胺結構之芳胺化合物(3-1)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 此時第一電洞輸送層4與第二電洞輸送層5係作為一體之電洞輸送層(厚度65nm)的作用。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表3，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表6。
＜比較例2＞ 將化合物(1-1)替換為使用下列結構式之化合物(HTM-1)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 【化77】針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表3，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表6。
＜比較例3＞ 將前述芳胺化合物(3-1)替換為使用下列結構式之芳胺化合物(HTM-2)並形成膜厚60nm之第一電洞輸送層4，將化合物(1-1)替換為使用上述芳胺化合物(HTM-2)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層5，除此以外和實施例40同樣進行而製作有機EL元件。 此時，第一電洞輸送層4與第二電洞輸送層5係作為一體之電洞輸送層(厚度65nm)而作用。 【化78】針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表3，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表6。
＜比較例4＞ 將前述化合物(1-1)替換為使用前述芳胺化合物(HTM-2)並形成膜厚5nm之第二電洞輸送層4，除此以外和實施例73同樣進行而製作有機EL元件。 此時，第一電洞輸送層4與第二電洞輸送層5係作為一體之電洞輸送層(厚度65nm)而作用。 針對如此製作之有機EL元件於大氣中，常溫實施特性測定。製得之有機EL元件之層結構示於表3，施加直流電壓時之發光特性之測定結果整理於表6。
【表1】
【表2】
【表3】
【表4】
【表5】
【表6】
從上述實驗結果可理解:如表1~6所示，流過電流密度10mA/cm2 之電流時之發光效率，於比較例1~4之有機EL元件為6.51~7.21cd/A，相對於此，實施例40~75為7.47~8.83cd/A之皆為高效率。 又，關於電力效率，比較例1~4為5.37~5.79lm/W，相對於此，實施例40~75為6.01~7.04lm/W之皆為高效率。 再者，可知:元件壽命(95%衰減)中，比較例1~4為54~78小時，相對於此，於實施40~75為115~229小時，壽命大幅延長。 [產業利用性]
使用了通式(1)表示之具特定結構之芳胺化合物的本發明之有機EL元件，除了發光效率提高也能改善有機EL元件之耐久性，可開展例如在家庭電化製品、照明之用途。
1‧‧‧透明基板
2‧‧‧透明電極(陽極)
3‧‧‧電洞注入層
4‧‧‧第一電洞輸送層
5‧‧‧第二電洞輸送層
6‧‧‧發光層
7‧‧‧電子輸送層
8‧‧‧電子注入層
9‧‧‧陰極
圖1顯示本發明之有機EL元件之實施例採用之理想層結構。 圖2顯示實施例1之化合物(1-1)之1 H-NMR圖表。 圖3顯示實施例2之化合物(1-2)之1 H-NMR圖表。 圖4顯示實施例3之化合物(1-3)之1 H-NMR圖表。 圖5顯示實施例4之化合物(1-94)之1 H-NMR圖表。 圖6顯示實施例5之化合物(1-129)之1 H-NMR圖表。 圖7顯示實施例6之化合物(1-4)之1 H-NMR圖表。 圖8顯示實施例7之化合物(1-9)之1 H-NMR圖表。 圖9顯示實施例8之化合物(1-56)之1 H-NMR圖表。 圖10顯示實施例9之化合物(1-68)之1 H-NMR圖表。 圖11顯示實施例10之化合物(1-90)之1 H-NMR圖表。 圖12顯示實施例11之化合物(1-92)之1 H-NMR圖表。 圖13顯示實施例12之化合物(1-134)之1 H-NMR圖表。 圖14顯示實施例13之化合物(1-135)之1 H-NMR圖表。 圖15顯示實施例14之化合物(1-136)之1 H-NMR圖表。 圖16顯示實施例15之化合物(1-137)之1 H-NMR圖表。 圖17顯示實施例16之化合物(1-138)之1 H-NMR圖表。 圖18顯示實施例17之化合物(1-139)之1 H-NMR圖表。 圖19顯示實施例18之化合物(1-140)之1 H-NMR圖表。 圖20顯示實施例19之化合物(1-141)之1 H-NMR圖表。 圖21顯示實施例20之化合物(1-142)之1 H-NMR圖表。 圖22顯示實施例21之化合物(1-143)之1 H-NMR圖表。 圖23顯示實施例22之化合物(1-144)之1 H-NMR圖表。 圖24顯示實施例23之化合物(1-145)之1 H-NMR圖表。 圖25顯示實施例24之化合物(1-146)之1 H-NMR圖表。 圖26顯示實施例25之化合物(1-147)之1 H-NMR圖表。 圖27顯示實施例26之化合物(1-148)之1 H-NMR圖表。 圖28顯示實施例27之化合物(1-149)之1 H-NMR圖表。 圖29顯示實施例28之化合物(1-150)之1 H-NMR圖表。 圖30顯示實施例29之化合物(1-151)之1 H-NMR圖表。 圖31顯示實施例30之化合物(1-152)之1 H-NMR圖表。 圖32顯示實施例31之化合物(1-153)之1 H-NMR圖表。 圖33顯示實施例32之化合物(1-154)之1 H-NMR圖表。 圖34顯示實施例33之化合物(1-155)之1 H-NMR圖表。 圖35顯示實施例34之化合物(1-156)之1 H-NMR圖表。 圖36顯示實施例35之化合物(1-157)之1 H-NMR圖表。 圖37顯示實施例36之化合物(1-158)之1 H-NMR圖表。 圖38顯示實施例37之化合物(1-159)之1 H-NMR圖表。 圖39顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-1)~(1-5)之結構式。 圖40顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-6)~(1-9)之結構式。 圖41顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-10)~(1-13)之結構式。 圖42顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-14)~(1-17)之結構式。 圖43顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-18)~(1-21)之結構式。 圖44顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-22)~(1-26)之結構式。 圖45顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-27)~(1-31)之結構式。 圖46顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-32)~(1-36)之結構式。 圖47顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1~37)~(1-41)之結構式。 圖48顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-42)~(1-46)之結構式。 圖49顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-47)~(1-51)之結構式。 圖50顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-52)~(1-55)之結構式。 圖51顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-56)~(1-59)之結構式。 圖52顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-60)~(1-64)之結構式。 圖53顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-65)~(1-69)之結構式。 圖54顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-70)~(1-74)之結構式。 圖55顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-75)~(1-78)之結構式。 圖56顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-79)~(1-82)之結構式。 圖57顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-83)~(1-86)之結構式。 圖58顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-87)~(1-90)之結構式。 圖59顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-91)~(1-94)之結構式。 圖60顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-95)~(1-98)之結構式。 圖61顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-99)~(1-103)之結構式。 圖62顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-104)~(1-108)之結構式。 圖63顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-109)~(1-112)之結構式。 圖64顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-113)~(1-116)之結構式。 圖65顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-117)~(1-120)之結構式。 圖66顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-121)~(1-124)之結構式。 圖67顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-125)~(1-126)之結構式。 圖68顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-127)~(1-130)之結構式。 圖69顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-131)~(1-133)之結構式。 圖70顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-134)~(1-138)之結構式。 圖71顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-139)~(1-142)之結構式。 圖72顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-143)~(1-146)之結構式。 圖73顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-147)~(1-150)之結構式。 圖74顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-151)~(1-155)之結構式。 圖75顯示通式(1)之芳胺化合物之化合物No.(1-156)~(1-159)之結構式。 圖76顯示通式(2a)之蒽衍生物之化合物No.(2a-1)~(2a-5)之結構式。 圖77顯示通式(2a)之蒽衍生物之化合物No.(2a-6)~(2a-10)之結構式。 圖78顯示通式(2a)之蒽衍生物之化合物No.(2a-11)~(2a-15)之結構式。 圖79顯示通式(2a)之蒽衍生物之化合物No.(2a-16)~(2a-20)之結構式。 圖80顯示通式(2b)之蒽衍生物之化合物No.(2b-1)~(2b-5)之結構式。 圖81顯示通式(2b)之蒽衍生物之化合物No.(2b-6)~(2b-10)之結構式。 圖82顯示通式(2b)之蒽衍生物之化合物No.(2b-11)~(2b-15)之結構式。 圖83顯示通式(2b)之蒽衍生物之化合物No.(2b-16)之結構式。 圖84顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-1)~(2c-4)之結構式。 圖85顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-5)~(2c-8)之結構式。 圖86顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-9)~(2c-12)之結構式。 圖87顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-13)~(2c-16)之結構式。 圖88顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-17)~(2c-20)之結構式。 圖89顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-21)~(2c-24)之結構式。 圖90顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-25)~(2c-28)之結構式。 圖91顯示通式(2c)之蒽衍生物之化合物No.(2c-29)~(2c-30)之結構式。 圖92顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-1)~(3-5)之結構式。 圖93顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-6)~(3-10)之結構式。 圖94顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-11)~(3-15)之結構式。 圖95顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-16)~(3-20)之結構式。 圖96顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-21)~(3-25)之結構式。 圖97顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-26)~(3-31)之結構式。 圖98顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-32)~(3-37)之結構式。 圖99顯示通式(3)之三芳胺衍生物之化合物No.(3-38)~(3-41)之結構式。 圖100顯示通式(4)之三芳胺衍生物之化合物No.(4-1)~(4-5)之結構式。 圖101顯示通式(4)之三芳胺衍生物之化合物No.(4-6)~(4-10)之結構式。 圖102顯示通式(4)之三芳胺衍生物之化合物No.(4-11)~(4-15)之結構式。 圖103顯示通式(4)之三芳胺衍生物之化合物No.(4-16)~(4-17)之結構式。
無

Claims (14)

  1. 一種有機電致發光元件，按順序具有陽極、電洞輸送層、發光層、電子輸送層及陰極， 該電洞輸送層含有下列通式(1)表示之芳胺化合物； 　　【化1】式中， Ar1 ~Ar4 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
  2. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該芳胺化合物以下列通式(1a)表示； 　　【化2】式中， Ar1 ~Ar3 表示同前述基， Ar5 及Ar6 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
  3. 如申請專利範圍第2項之有機電致發光元件，其中，該芳胺化合物以下列通式(1b)表示； 　　【化3】式中， Ar1 、Ar2 、Ar5 及Ar6 如該式(1)或式(1a)所示， Ar7 及Ar8 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
  4. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該電子輸送層含有下列通式(2)表示之蒽衍生物； 　　【化4】式中， A表示2價芳香族烴基、2價芳香族雜環基或單鍵， B表示1價芳香族雜環基， C表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基， D為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、或碳數1至6之烷基， p及q之條件為兩者之合計為9，p為7或8之整數，q為1或2之整數。
  5. 如申請專利範圍第4項之有機電致發光元件，其中，該蒽衍生物以下列通式(2a)表示； 　　【化5】(2a) 式中， A同該式(2)所示， Ar9 、Ar10 及Ar11 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基， R1 ~R7 各為氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基，且該等基也可介由單鍵、亦可有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環， X1 、X2 、X3 及X4 之條件是該等中僅有任一者為氮原子，各為碳原子或氮原子，且於該氮原子未鍵結氫也未鍵結R1 ~R4 中之任一者。
  6. 如申請專利範圍第4項之有機電致發光元件，其中，該蒽衍生物以下列通式(2b)表示； 　　【化6】(2b) 式中， A同該式(2)所示， Ar12 、Ar13 及Ar14 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
  7. 如申請專利範圍第4項之有機電致發光元件，其中，該蒽衍生物以下列通式(2c)表示； 　　【化7】(2c) 式中， A同該式(2)所示， Ar15 、Ar16 及Ar17 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基， R8 表示氫原子、氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基。
  8. 如申請專利範圍第1項之有機電致發光元件，其中，該電洞輸送層具有第一電洞輸送層及第二電洞輸送層之2層結構，該第二電洞輸送層位在該發光層側且含有該芳胺化合物。
  9. 如申請專利範圍第8項之有機電致發光元件，其中，該第一電洞輸送層含有和該第二電洞輸送層所含之芳胺化合物為不同之三芳胺衍生物，該三芳胺衍生物為具有2個三芳胺骨架以單鍵或2價烴基連結而得之分子結構且就分子全體而言具2個~6個三芳胺骨架之化合物。
  10. 如申請專利範圍第9項之有機電致發光元件，其中，該第一電洞輸送層所含之三芳胺衍生物以下列通式(3)表示； 　　【化8】該式中， r9 、r10 、r13 及r14 各為0~5之整數， r11 及r12 各為0~4之整數， R9 ~R14 各為氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基，且該等基有多數存在同一苯環時，該等基也可介由單鍵、亦可有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環， L1 表示單鍵、或下列結構式(B)、(C)、(D)、(E)、(F)或(G)表示之2價基， 【化9】式中，n1為1~4之整數， 【化10】【化11】【化12】【化13】【化14】。
  11. 如申請專利範圍第9項之有機電致發光元件，其中，該第一電洞輸送層所含之三芳胺衍生物以下列通式(4)表示； 【化15】式中， r15 、r16 、r19 、r22 、r25 及r26 各為0~5之整數， r17 、r18 、r20 、r21 、r23 及r24 各為0~4之整數， R15 ~R26 各表示氘原子、氟原子、氯原子、氰基、硝基、碳數1至6之烷基、碳數5至10之環烷基、碳數2至6之烯基、碳數1至6之烷氧基、碳數5至10之環烷氧基、1價芳香族烴基、1價芳香族雜環基或芳氧基，且該等基有多數存在同一苯環時，該等基也可介由單鍵、亦可有取代基之亞甲基、氧原子或硫原子而彼此鍵結形成環， L2 、L3 及L4 表示單鍵、或下列結構式(B’)、(C)、(D)、(E)、(F)或(G)表示之2價基， 【化16】(B’) 式中，n2為1~3之整數， 【化17】【化18】【化19】【化20】【化21】。
  12. 一種芳胺化合物，以下列通式(1)表示；          【化22】式中， Ar1 ~Ar4 各表示1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基。
  13. 如申請專利範圍第請求項12項之芳胺化合物，其中，該通式(1)之基Ar4 為具有2個取代基即Ar5 及Ar6 之苯基，取代基Ar5 及Ar6 各為1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基，且取代基Ar5 相對於氮原子鍵結於苯環之對位，取代基Ar6 鍵結於和取代基Ar5 相鄰的位置。
  14. 如申請專利範圍第13項之芳胺化合物，其中，該通式(1)之基Ar3 為具有2個取代基即Ar7 及Ar8 之苯基，取代基Ar7 及Ar8 各為1價芳香族烴基或1價芳香族雜環基，取代基Ar7 相對於氮原子鍵結於苯環之對位，取代基Ar8 鍵結於和取代基Ar7 相鄰之位置。
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