TW201607969A

TW201607969A - 全芳族液晶聚酯樹脂

Info

Publication number: TW201607969A
Application number: TW104126079A
Authority: TW
Inventors: Motoya Okazaki; Masatoshi Ando; Nozomi Akiyama; Gosuke Washino
Original assignee: Jx Nippon Oil & Energy Corp
Priority date: 2014-08-19
Filing date: 2015-08-11
Publication date: 2016-03-01
Also published as: TWI675862B; WO2016027446A1; JP6470295B2; JPWO2016027446A1

Abstract

本發明提供一種高熔點且低相對介電係數之全芳族液晶聚酯樹脂，其係包含下式所示之芳族羥羧酸、芳族二醇及芳族二羧酸由來之構成單位，合計100莫耳%而成；芳族羥羧酸由來之構成單位是由化學式(1)組成； [化1]□芳族二醇由來之構成單位是由化學式(2)、化學式(3)及/或化學式(4)組成； [化2]□[化3]□[化4]□芳族二羧酸由來之構成單位是由化學式(5)、或化學式(5)及化學式(6)組成； [化5]□[化6]□且前述各構成單位之莫耳%(合計100莫耳%)關係如下：化學式(1)之構成單位之組成為預定的莫耳%範圍，化學式(2)、(3)、(4)之構成單位之組成總和為預定的莫耳%範圍，化學式(5)、(6)之構成單位之組成總和為預定的莫耳%範圍。

Description

全芳族液晶聚酯樹脂

本發明係關於一種具有低相對介電係數之全芳族液晶聚酯樹脂。

包含全芳族液晶聚酯樹脂而成之樹脂組成物係焊錫耐熱性、高剛性等機械特性、薄肉成型性、低翹曲性等成型特性優良，被作為各種電子零件構造體之射出成型材料使用。近年來，資訊機器之小型化、高性能化、高功能化進展，個人電腦及其周邊機器、數位通訊機器等之訊號傳播速度持續高速化。又，就達到驚人普及率的行動電話、輸入板型終端裝置而言，由於高功能化，預測所使用的頻率會逐漸轉為高頻域波帶。進而言之，近年來在汽車用途方面亦發展電子化，預測車用導航器、自動駕駛用感測器、防衝撞用雷達等會出現、高速傳輸化的需求。伴隨於此，對於作為該類資訊機器中之電子零件(例如高速傳輸用連接器或CPU插槽、印刷電路基板、絕緣膜等)構成材料使用的全芳族液晶聚酯樹脂組成物及薄膜，要求低相對介電係數。

對於這類課題的解決手段提案，大致區分為兩種領域，藉由與中空體的複合化(專利文獻1～3)、及氟系單體(專利文獻4)的使用來進行。

作為與該等提案完全不同的手法，本發明人藉由從全芳族液晶聚酯構成單體之芳族羥羧酸、芳族二醇及芳族二羧酸之中，於芳族二醇中使用4,4’‒二羥聯苯衍生物，終至完成本發明。

習知4,4’‒二羥聯苯衍生物可為全芳族液晶聚酯樹脂之構成單體，又，專利文獻5係就構成單位中包含乙二醇之液晶聚酯樹脂(非全芳族液晶聚酯)，提案使用四甲基聯苯酚作為聯苯酚烷基衍生物之具體例。然而，該等事實或揭示並未意識到近年來資訊通訊機器構件之低相對介電係數要求的課題，完全未暗示藉由在全芳族液晶聚酯中使用4,4’‒二羥聯苯衍生物所帶來的低相對介電係數的效果。先行技術文獻專利文獻

[專利文獻1]日本特開2004-027021號公報 [專利文獻2]日本特開2004-143270號公報 [專利文獻3]日本特開2009-114418號公報 [專利文獻4]日本特開平7-010978號公報 [專利文獻5]日本特開2000-026743號公報

發明所欲解決之問題

本發明之目的在於提供一種可使用於資訊通訊機器之全芳族液晶聚酯樹脂，其藉由指定芳族二醇成分，使全芳族液晶聚酯樹脂之相對介電係數降低，可為高速傳輸用連接器或CPU插槽、印刷電路基板、防衝撞用雷達等之構成材料等。解決問題之技術手段

本發明人經銳意檢討的結果，發現針對構成全芳族液晶聚酯樹脂之單體而言，若於芳族二醇中，以特定態樣使用4,4’‒二羥聯苯衍生物並予以聚縮合反應，可得到顯示低介電特性之全芳族液晶聚酯樹脂組成物及薄膜，終至完成本發明。

本發明之第一態樣是有關一種全芳族液晶聚酯樹脂，其包含以下化學式所示之芳族羥羧酸、芳族二醇及芳族二羧酸(包含衍生物)由來之各構成單位，合計100莫耳%而成；芳族羥羧酸由來之構成單位是由化學式(1)組成； [化1]

芳族二醇由來之構成單位是由化學式(2)、化學式(3)及/或化學式(4)組成； [化2](式中，R1為氫原子或碳數2以下之烷基，且R1中至少有一者為碳數2以下之烷基。又，R2為氫原子或碳數2以下之烷基，且R2中至少有一者為碳數2以下之烷基。)

[化3]

[化4]

芳族二羧酸由來之構成單位是由化學式(5)、或化學式(5)及化學式(6)組成； [化5]

[化6]

且該等重複單位之莫耳%關係(全部合計100莫耳%)如下： 15莫耳%≦化學式(1)組成≦65莫耳%； 15莫耳%≦[化學式(2)組成+化學式(3)組成+化學式(4)組成]≦45莫耳%；其中化學式(2)組成(莫耳%)≧[化學式(3)組成+化學式(4)組成](莫耳%)； 15莫耳%≦[化學式(5)組成+化學式(6)組成]≦45莫耳%；其中化學式(5)組成(莫耳%)≧化學式(6)組成(莫耳%)。

本發明之第二態樣是有關本發明第一態樣之全芳族液晶聚酯樹脂，前述全芳族液晶聚酯樹脂之熔點為310℃以上，且10GHz時之相對介電係數為3.3以下。

本發明之第三態樣是有關本發明第一態樣之全芳族液晶聚酯樹脂，其中於化學式(2)所示之構成單位，R1之一者為甲基，其他三者之R1為氫原子，且R2之一者為甲基，其他三者之R2為氫原子。

本發明之第四態樣是有關一種全芳族液晶聚酯樹脂製造方法，其係將芳族羥羧酸、芳族二醇及芳族二羧酸合計100莫耳%予以聚縮合，而前述全芳族液晶聚酯樹脂之熔點為310℃以上，且10GHz時之相對介電係數為3.3以下；芳族羥羧酸是由化學式(7)組成； [化7]

芳族二醇是由化學式(8)、化學式(9)及/或化學式(10)組成； [化8](式中，R1為氫原子或碳數2以下之烷基，且R1中至少有一者為碳數2以下之烷基。又，R2為氫原子或碳數2以下之烷基，且R2中至少有一者為碳數2以下之烷基。)

[化9]

[化10]

芳族二羧酸是由化學式(11)、或化學式(11)及化學式(12)組成；

[化11]

[化12]

且前述各單體由來之構成單位之莫耳%關係(全部合計100莫耳%)如下： 15莫耳%≦化學式(7)由來之構成單位之組成≦65莫耳%； 15莫耳%≦[化學式(8)由來之構成單位之組成+化學式(9)由來之構成單位之組成+化學式(10)由來之構成單位之組成]≦45莫耳%；其中化學式(8)由來之構成單位之組成(莫耳%)≧[化學式(9)由來之構成單位之組成+化學式(10)由來之構成單位之組成](莫耳%)； 15莫耳%≦[化學式(11)由來之構成單位之組成+化學式(12)由來之構成單位之組成]≦45莫耳%；其中化學式(11)由來之構成單位之組成(莫耳%)≧化學式(12)由來之構成單位之組成(莫耳%)；且包含對於(7)、(8)、(9)、(10)中之所有羥基，使1.05～1.15莫耳當量之醋酸酐存在而於醋酸回流下進行熔融聚縮合的步驟。

本發明之第五態樣是有關本發明第四態樣之全芳族液晶聚酯樹脂製造方法，其中於化學式(8)所示之芳族二醇，R1之一者為甲基，其他三者之R1為氫原子，且R2之一者為甲基，其他三者之R2為氫原子。

本發明之第六態樣是有關一種成型體，其係由本發明之第一～本發明之第三態樣中任一項所記載的全芳族液晶聚酯樹脂組成。

本發明之第七態樣是有關一種薄膜，其係由本發明之第一～本發明之第三態樣中任一項所記載的全芳族液晶聚酯樹脂組成。

本發明之第八態樣是有關一種電子零件，其係由本發明之第一～本發明之第三態樣中任一項所記載的全芳族液晶聚酯樹脂組成。發明之效果

本發明之全芳族液晶聚酯樹脂是具有耐焊錫耐熱性(熔點超過310℃)及低相對介電係數特性之全芳族聚酯，與電子零件等之成型材料，尤其與各種填充材料複合化後，作為射出成型材料極為有用。

本發明之全芳族液晶聚酯可採用示差掃描熱量計(DSC)之熱解析來檢測其熔點，依據發明人的酌見，若以同法測定的熔點超過310℃，即具有充分的耐焊錫耐熱性。

用以實施發明之形態

本發明之全芳族聚酯樹脂係將芳族羥羧酸、芳族二醇及芳族二羧酸(包含該等之衍生物。以下同。)合計100莫耳%予以聚縮合而成。

本發明之全芳族聚酯樹脂中由來自芳族羥羧酸之構成單位為化學式(1)，此可藉由使用例如對羥苯甲酸(化學式(7))來獲得。

[化13]

[化14]

於本發明之全芳族聚酯中，該構成單位(化學式(1))設為15莫耳%～65莫耳%(包含臨限值，以下同)。宜為20莫耳%～65莫耳%，進而宜為25莫耳%～60莫耳%。未符合該範圍時，耐熱性有時不足，超過範圍時，需要高成型溫度，在射出成型機內有時引起熱分解，因此射出成型安定性不佳。

本發明之全芳族聚酯樹脂中由來自芳族二醇之構成單位有3種，以化學式(2)、化學式(3)、化學式(4)表示。該等分別可藉由使用例如4,4’‒二羥聯苯衍生物(化學式(8))、4,4’‒二羥聯苯衍生物(化學式(9))、對苯二酚(化學式(10))而獲得。

[化15]

[化16]

[化17]

[化18](式中，R1為氫原子或碳數2以下之烷基，且R1中至少有一者為碳數2以下之烷基。又，R2為氫原子或碳數2以下之烷基，且R2中至少有一者為碳數2以下之烷基。)

[化19]

[化20]

本發明之全芳族聚酯中，該等化學式(2)、(3)、(4)所示之構成單位設為合計15莫耳%～45莫耳%，更宜為20莫耳%～40莫耳%。未符合該範圍時，介電係數未充分降低，超過前述範圍時，耐焊錫耐熱性有時不足。

又，無論在任何情況下，本發明之全芳族聚酯樹脂中，將化學式(2)所示之構成單位的莫耳數，設為化學式(3)及化學式(4)所示之構成單位各自的莫耳數總和以上。未符合臨限值時，低相對介電係數之標準值，即10GHz時之相對介電係數有時無法低於3.3。

本發明之全芳族聚酯中由來自芳族羧酸之構成單位為化學式(5)、化學式(6)，此可藉由使用例如對苯二甲酸(化學式(11))、間苯二甲酸(化學式(12))而獲得。

[化21]

[化22]

[化23]

[化24]

本發明之全芳族聚酯樹脂中，化學式(5)所示之構成單位設為15莫耳%～45莫耳%。小於15莫耳%時，射出成型時之成型性不良，超過45莫耳%時，耐焊錫耐熱性有時會降低。又，化學式(5)之構成單位之組成≧化學式(6)之構成單位之組成](莫耳%)。超過該臨限值時，耐焊錫耐熱性有時會降低。

又，本發明之全芳族聚酯樹脂之特徵在於，熔點為310℃以上，且10GHz時之相對介電係數為3.3以下。熔點值例如藉由SEICO電子工業股份有限公司製之示差掃描熱量計(DSC)，作為基準利用a‒氧化鋁來測定。此時，以升溫速度20℃/分，從室溫升溫到390℃，使聚合物完全熔解後，以降溫速度10℃/分，降溫到50℃，進一步以20℃/分之升溫速度，升溫到420℃時所得之吸熱峰值之最高點，可測定作為熔點。

又，相對介電係數值例如可將本發明之液晶聚酯樹脂，採用壓縮沖壓成型法(成型溫度熔點+20℃)予以薄膜化(50mm´50mm´1mm)，於Agilent Technologies製之網路分析儀(8510C)，使用QWED製之治具，採SPDR法(23℃，10GHz)來測定。

以上已敘述有關各個構成單位，俯瞰分子構造時，本發明之全芳族聚酯樹脂係對芳族羥羧酸、及芳族二羧酸兩者由來之構成單位中，嵌入至少具有一個芳環族以產生主鏈剛性強的構造，僅於芳族二醇由來之構成單位，配置可自由旋轉之碳‒碳結合，及碳數2以下之具有取代基之芳環。

本發明者等人認為藉由該等差異化，可有效率且達到平衡地發揮如下兩種效果：起因於芳族羥羧酸及芳族二羧酸由來部分(moiety)而形成結晶或液晶元，從而帶來成型體之耐熱性及熔融體之高流動性；及起因於芳族二醇取代基之膨鬆性(亦可稱為自由體積的增加或緊束性的緩和)之介電係數下降。本發明之全芳族聚酯樹脂之密度不會超過1.36。

關於主導上述效果顯現之芳族二醇(化學式(8))，除了其構成單位莫耳%以外，取代基亦有較佳範圍。從膨鬆性(自由體積的增加)的觀點來看，取代基之碳數越多越好，但宜在製造全芳族液晶聚酯之聚縮合反應中不構成立體障礙的範圍。從該觀點來看，取代基之碳數為2以下，碳數1之甲基更適宜，取代基之數目亦宜為2以下。亦即，最宜為4,4’‒二羥聯苯衍生物之二甲基衍生物。可舉出例如3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯。

本發明之全芳族液晶聚酯樹脂製造方法，可採用習知之液晶聚酯樹脂之製造方法，可利用僅藉由熔融聚合之製造方法，或藉由熔融聚合與固相聚合之二階段聚合之製造方法。

該等方法中，從可效率良好地得到本發明之全芳族聚酯化合物的觀點來看，宜以預定的調配，使化學式(7)～化學式(12)之各構成單位合計100莫耳%，對於該等化合物中化學式(7)～化學式(10)之所有羥基，存在1.05～1.15莫耳當量之醋酸酐而於醋酸回流下進行熔融聚縮合。

再者，若添加之醋酸酐之莫耳當量大幅超過上述範圍時，反應有時不容易進行，亦或耐熱性有時會降低。

針對藉由熔融聚合所得到的聚合物，進一步進行固相聚合時，將藉由熔融聚合所得到的預聚合物，於冷卻固化後予以粉碎，製成粉狀或片狀後，宜選擇習知之固相聚合方法，例如於氮等惰性氣氛下，以200～350℃的溫度範圍，將預聚合物樹脂予以熱處理1～30小時等方法。固相聚合可一面攪拌一面進行，或不攪拌，於靜置的狀態下進行亦可。

於聚合反應，使用或不使用觸媒均可。作為所使用的觸媒，可使用以往習知作為聚酯之聚縮合用觸媒，可舉出醋酸鎂、醋酸第一錫、鈦酸四丁酯、醋酸鉛、醋酸鈉、醋酸鉀、三氧化二銻等金屬鹽觸媒、N‒甲咪唑等含氮雜環化合物等、有機化合物觸媒等。

熔融聚合之聚合反應裝置並未特別限定，宜使用一般高黏度流體反應所用的反應裝置。該等反應裝置之例子可舉出例如攪拌型聚合反應裝置、或捏合機、輥磨機、班布瑞密閉式混合機等一般使用於樹脂混練之混合裝置等，而前述攪拌型聚合反應裝置是具有錨型、多段型、螺旋帶型、螺旋軸型等，或將該等予以變形之各種形狀的攪拌翼之攪拌裝置。

將本發明之全芳族聚酯樹脂作為射出成型用材料使用時，按照常例，熔融混練10～40重量部之研磨玻璃纖維、滑石、雲母、玻璃片、黏土、絹雲母、碳酸鈣、矽酸鈣、二氧化矽、氧化鋁、氫氧化鋁、氫氧化鈣、石墨、非晶碳、鈦酸鉀、碳纖維、各種晶鬚等填充材料，製成樹脂組成物之後使用亦可。除了前述以外，亦可添加其他填充材料、著色劑、分散劑、可塑劑、抗氧化劑、阻燃劑等。

又，亦可採習知方法，將本發明之全芳族聚酯樹脂予以薄膜化。薄膜化方法可採吹膨成型、熔融押出成型、溶液澆鑄成型等任一方法，直接使用樹脂，或添加上述添加劑等亦可。然後，成型之薄膜為單層薄膜或與異種材料組成之多層薄膜均可。再者，以改良尺寸安定性、機械特性為目的，將熔融押出成型、溶液澆鑄成型之薄膜以單軸或雙軸予以延伸處理亦可。又，以去除該等薄膜之各向異性為目的進行熱處理亦可。

又，於本發明，在不損及本發明效果的範圍，可使用所謂芳族多官能性單體，其使用於液晶聚酯的合成。尤其將對羥苯甲酸的一部分取代為6‒羥基‒2‒萘甲酸，具有可降低成型加工溫度的效果。

又，於本發明，亦可在不損及本發明效果的範圍，與其他樹脂混合。其他樹脂可舉出聚對苯二甲酸乙二酯、聚奈二甲酸二乙酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醯胺、聚醯亞胺、聚醚碸、聚醚醚酮、聚苯硫醚、聚四氟乙烯等。

本發明之液晶聚酯可於電氣‧電子產業、通訊機器產業等領域，作為低介電材料、絕緣材料來使用。可舉出例如高速傳輸用連接器或CPU插槽、電路基板、可撓性電路基板、積層用電路基板、防衝撞用雷達、RFID標籤、電容器、反向器零件、絕緣薄膜、鋰離子電池等二次電池之絕緣材料、揚聲器振動板等。 [實施例]

以下藉由實施例，進一步具體說明本發明，但本發明不限定於以下實施例。

＜全芳族液晶聚酯樹脂之製造＞ (實施例1：全芳族液晶聚酯樹脂(A)) 於具有攪拌翼之200ml三頸燒瓶，放入對羥苯甲酸(化學式(7))0.24莫耳(40莫耳%)、3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯(化學式(8))0.12莫耳(20莫耳%)、對苯二酚(化學式(10))0.06莫耳(10莫耳%)、對苯二甲酸(化學式(11))0.18莫耳(30莫耳%)、作為觸媒之醋酸鉀0.15g及醋酸鎂0.015g，進行3次燒瓶之減壓─氮注入以進行氮置換後，進一步添加醋酸酐66.15g(相對於羥基為1.08莫耳當量)，將攪拌翼之旋轉速度設為200rpm，升溫到160℃，於回流狀態下進行2小時乙醯化反應。

乙醯化結束後，以0.5℃/分升溫醋酸餾出狀態之燒瓶，於槽內之熔融體溫度成為307℃時，抽出聚合物予以冷卻固化。將所得到的聚合物粉碎成通過孔隙1.0mm之篩具的大小，得到預聚合物。

接著，將上述得到之預聚合物，填充於柴田科學製玻璃管烤箱，一面旋轉，一面從室溫以20℃/小時升溫後，於290℃將溫度保持1小時，進行固相聚縮合。其後，一面旋轉槽，一面於室溫下自然散熱，得到全芳族液晶聚酯樹脂A。於偏光顯微鏡下觀察同樹脂之熔融狀態，從光學各向異性確認液晶性。

(實施例2：全芳族液晶聚酯樹脂(B)) 將實施例1之單體備製，變更為對羥苯甲酸0.36莫耳(60莫耳%)、3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯0.12莫耳(20莫耳%)、對苯二甲酸0.12莫耳(20莫耳%)，以下同樣地進行操作，得到液晶聚酯樹脂，與上述同樣地確認液晶性。

(實施例3：全芳族液晶聚酯樹脂(C)) 將實施例1之單體備製，變更為對羥苯甲酸0.15莫耳(25莫耳%)、3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯0.12莫耳(20莫耳%)、對苯二酚0.105莫耳(17.5莫耳%)、對苯二甲酸0.225莫耳(37.5莫耳%)，以下同樣地進行操作，得到液晶聚酯樹脂，與上述同樣地確認液晶性。

(實施例4：全芳族液晶聚酯樹脂(D)) 將實施例1之單體備製，變更為對羥苯甲酸0.12莫耳(20莫耳%)、3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯0.12莫耳(20莫耳%)、4,4’‒二羥聯苯(化學式(9))0.12莫耳(20莫耳%)、對苯二甲酸0.24莫耳(40莫耳%)，以下同樣地進行操作，得到液晶聚酯樹脂，與上述同樣地確認液晶性。

(實施例5：全芳族液晶聚酯樹脂(E)) 將實施例1之單體備製，變更為對羥苯甲酸0.12莫耳(20莫耳%)、4,4’‒二羥聯苯0.12莫耳(20莫耳%)、3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯0.12莫耳(20莫耳%)、對苯二甲酸0.15莫耳(25莫耳%)、間苯二甲酸(化學式(11))0.09莫耳(15莫耳%)，以下同樣地進行操作，得到液晶聚酯樹脂，與上述同樣地確認液晶性。

(實施例6：全芳族液晶聚酯樹脂(F)) 將實施例1之單體備製，變更為對羥苯甲酸0.12莫耳(20莫耳%)、3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯0.135莫耳(22.5莫耳%)、對苯二酚0.105莫耳(17.5莫耳%)、對苯二甲酸0.24莫耳(40莫耳%)，以下同樣地進行操作，得到液晶聚酯樹脂，與上述同樣地確認液晶性。

(實施例7：全芳族液晶聚酯樹脂(G)) 將實施例1之單體備製，變更為對羥苯甲酸0.15莫耳(25莫耳%)、3,3’‒二甲基‒4,4’‒二羥聯苯0.135莫耳(22.5莫耳%)、對苯二酚0.09莫耳(15莫耳%)、對苯二甲酸0.225莫耳(37.5莫耳%)，以下同樣地進行操作，得到液晶聚酯樹脂，與上述同樣地確認液晶性。

(比較例1：全芳族液晶聚酯樹脂(H)) 將實施例1之單體備製，變更為對羥苯甲酸0.36莫耳(60莫耳%)、4,4’‒二羥聯苯0.12莫耳(20莫耳%)、對苯二甲酸0.09莫耳(15莫耳%)、間苯二甲酸0.03莫耳(5莫耳%)，以下同樣地進行操作，得到液晶聚酯樹脂，與上述同樣地確認液晶性。

(特性測定) (液晶性確認) 使用備有JAPAN HIGH TECH製之顯微鏡用冷卻加熱台10002型之OLYMPUS股份有限公司製偏光顯微鏡BH‒2，於顯微鏡加熱台上，使聚酯試料加熱熔解，於熔融時以100倍、200倍之倍率觀察，從光學各向異性之有無確認液晶性。

(熔點測定) 液晶聚酯樹脂之熔點係藉由SEICO電子工業股份有限公司製之示差掃描熱量計(DSC)，作為基準利用a‒氧化鋁來測定。此時，以升溫速度20℃/分，從室溫升溫到390℃，使聚合物完全熔解後，以降溫速度10℃/分，降溫到50℃，進一步以20℃/分之升溫速度，升溫到420℃時所得之吸熱峰值之最高點，可測定作為熔點。

(相對介電係數、介電正切之測定) 採用壓縮沖壓成型法(成型溫度熔點+20℃)，將液晶聚酯樹脂A～H予以薄膜化(50mm´50mm´1mm)，於Agilent Technologies製之網路分析儀(8510C)，使用QWED製之治具，採SPDR法(23℃，10GHz)進行測定。

(密度測定) 針對上述製成之成型薄膜，使用島津製作所股份有限公司製AUW220比重測定裝置進行測定。

於表1表示結果。可知本發明之全芳族液晶聚酯樹脂保有耐焊錫耐熱性，同時具有3.3以下之優異的相對介電係數。

[表1]產業上之可利用性

本發明之全芳族液晶聚酯樹脂之耐焊錫耐熱性及低相對介電係數特性優良，可適用作為全芳族液晶聚酯樹脂組成物之基礎樹脂，應用於高功能資訊機器之各種零件，例如高速傳輸用連接器或CPU插槽、電路基板用薄膜、防衝撞用雷達、RFID標籤、電容器、反向器零件、絕緣薄膜、鋰離子電池等二次電池之絕緣材料、揚聲器振動板之構成材料。

Claims

一種全芳族液晶聚酯樹脂，其包含以下化學式所示之芳族羥羧酸、芳族二醇及芳族二羧酸(包含衍生物)由來之各構成單位，合計100莫耳%而成；芳族羥羧酸由來之構成單位是由化學式(1)組成； [化1]芳族二醇由來之構成單位是由化學式(2)、化學式(3)及/或化學式(4)組成； [化2](式中，R1為氫原子或碳數2以下之烷基，且R1中至少有一者為碳數2以下之烷基。又，R2為氫原子或碳數2以下之烷基，且R2中至少有一者為碳數2以下之烷基。) [化3][化4]芳族二羧酸由來之構成單位是由化學式(5)、或化學式(5)及化學式(6)組成； [化5][化6]且前述各構成單位之莫耳%關係(全部合計100莫耳%)如下： 15莫耳%≦化學式(1)組成≦65莫耳%； 15莫耳%≦[化學式(2)組成+化學式(3)組成+化學式(4)組成]≦45莫耳%；其中化學式(2)組成(莫耳%)≧[化學式(3)組成+化學式(4)組成](莫耳%)； 15莫耳%≦[化學式(5)組成+化學式(6)組成]≦45莫耳%；其中化學式(5)組成(莫耳%)≧化學式(6)組成(莫耳%)。
如申請專利範圍第1項之全芳族液晶聚酯樹脂，其中前述全芳族液晶聚酯樹脂之熔點為310℃以上，且10GHz時之相對介電係數為3.3以下。
如申請專利範圍第1項之全芳族液晶聚酯樹脂，其中於化學式(2)所示之構成單位，R1之一者為甲基，其他三者之R1為氫原子，且R2之一者為甲基，其他三者之R2為氫原子。
一種全芳族液晶聚酯樹脂製造方法，其係將芳族羥羧酸、芳族二醇及芳族二羧酸合計100莫耳%予以聚縮合，而前述全芳族液晶聚酯樹脂之熔點為310℃以上，且10GHz時之相對介電係數為3.3以下；芳族羥羧酸是由化學式(7)組成； [化7]芳族二醇是由化學式(8)、化學式(9)及/或化學式(10)組成； [化8](式中，R1為氫原子或碳數2以下之烷基，且R1中至少有一者為碳數2以下之烷基。又，R2為氫原子或碳數2以下之烷基，且R2中至少有一者為碳數2以下之烷基。) [化9][化10]芳族二羧酸是由化學式(11)、或化學式(11)及化學式(12)組成； [化11][化12]且前述各單體由來之構成單位之莫耳%關係(全部合計100莫耳%)如下： 15莫耳%≦化學式(7)由來之構成單位之組成≦65莫耳%； 15莫耳%≦[化學式(8)由來之構成單位之組成+化學式(9)由來之構成單位之組成+化學式(10)由來之構成單位之組成]≦45莫耳%；其中化學式(8)由來之構成單位之組成(莫耳%)≧[化學式(9)由來之構成單位之組成+化學式(10)由來之構成單位之組成](莫耳%)； 15莫耳%≦[化學式(11)由來之構成單位之組成+化學式(12)由來之構成單位之組成]≦45莫耳%；其中化學式(11)由來之構成單位之組成(莫耳%)≧化學式(12)由來之構成單位之組成(莫耳%)；且包含對於(7)、(8)、(9)、(10)中之所有羥基，使1.05～1.15莫耳當量之醋酸酐存在而於醋酸回流下進行熔融聚縮合的步驟。
如申請專利範圍第4項之全芳族液晶聚酯樹脂製造方法，其中於化學式(8)所示之芳族二醇，R1之一者為甲基，其他三者之R1為氫原子，且R2之一者為甲基，其他三者之R2為氫原子。
一種成型體，其係由申請專利範圍第1項至第3項中任一項之全芳族液晶聚酯樹脂組成。
一種薄膜，其係由申請專利範圍第1項至第3項中任一項之全芳族液晶聚酯樹脂組成。
一種電子零件，其係由申請專利範圍第1項至第3項中任一項之全芳族液晶聚酯樹脂組成。