TW201605616A - 玻璃積層體及電子裝置之製造方法 - Google Patents

玻璃積層體及電子裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201605616A
TW201605616A TW104113306A TW104113306A TW201605616A TW 201605616 A TW201605616 A TW 201605616A TW 104113306 A TW104113306 A TW 104113306A TW 104113306 A TW104113306 A TW 104113306A TW 201605616 A TW201605616 A TW 201605616A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
inorganic layer
glass
glass substrate
layer
substrate
Prior art date
Application number
TW104113306A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI647099B (zh
Inventor
Takeshi Okato
Reo Usui
Tomomi Abe
Toshio Suzuki
Kyon-Hun Min
Yosuke Akita
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Publication of TW201605616A publication Critical patent/TW201605616A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI647099B publication Critical patent/TWI647099B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04—Interconnection of layers
    • B32B7/06—Interconnection of layers permitting easy separation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B43/00—Operations specially adapted for layered products and not otherwise provided for, e.g. repairing; Apparatus therefor
    • B32B43/006—Delaminating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B40/00—Preventing adhesion between glass and glass or between glass and the means used to shape it, hold it or support it
    • C03B40/02—Preventing adhesion between glass and glass or between glass and the means used to shape it, hold it or support it by lubrication; Use of materials as release or lubricating compositions
    • C03B40/033—Means for preventing adhesion between glass and glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

本發明之目的在於提供一種可容易地剝離玻璃基板之玻璃積層體。本發明係關於一種玻璃積層體，其包括：附有無機層之支持基板，其具有支持基板及配置於上述支持基板上之無機層；及玻璃基板，其可剝離地積層於上述無機層上；且上述無機層包含含有F之含F無機層。

Description

玻璃積層體及電子裝置之製造方法
本發明係關於一種玻璃積層體及電子裝置之製造方法。
近年來，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL(Electroluminescence，電致發光)面板(OLED)等電子裝置(電子機器)之薄型化、輕量化正不斷發展，用於該等電子裝置之玻璃基板之薄板化正不斷進展。另一方面，若因薄板化導致玻璃基板之強度不足，則於電子裝置之製造步驟中，玻璃基板之處理性降低。
因此，最近，為了應對上述問題，提出如下方法：準備於附有無機薄膜之支持玻璃之無機薄膜上積層有玻璃基板之積層體，於積層體之玻璃基板上實施元件之製造處理後，自積層體分離玻璃基板(專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2011-184284號公報
本發明者等人就專利文獻1所具體記載之於包含金屬氧化物之附有無機薄膜之支持玻璃之無機薄膜上配置有玻璃基板的積層體進行研究時，發現有無法自積層體剝離玻璃基板之情形。
本發明係鑒於以上方面而成者，其目的在於提供一種可容易地 剝離玻璃基板之玻璃積層體。
本發明者等人為了達成上述目的而進行努力研究，結果發現藉由於支持基板上形成特定之無機層，可容易地剝離玻璃基板，從而完成本發明。
即，本發明提供以下之(1)~(10)。
(1)一種玻璃積層體，其具備：附有無機層之支持基板，其具有支持基板及配置於上述支持基板上之無機層；及玻璃基板，其可剝離地積層於上述無機層上；且上述無機層包含含有F之含F無機層。
(2)一種玻璃積層體，其依序具備支持基板、無機層、脆弱層、及玻璃基板，上述無機層包含含有F之含F無機層，上述脆弱層為含有Al及Si之無機層，且上述脆弱層中之Al與Si之原子比Y(Al/Si)相對於上述玻璃基板中之Al與Si之原子比X(Al/Si)的比(Y/X)為1.2以上。
(3)如上述(2)記載之玻璃積層體，其中剝離上述玻璃基板時之剝離強度為2.0N/25mm以下。
(4)如上述(1)至(3)中任一項記載之玻璃積層體，其中上述含F無機層含有選自由金屬氟化物及摻氟金屬氧化物所組成之群中之至少1種。
(5)如上述(4)記載之玻璃積層體，其中上述金屬氟化物之熔點為800℃以上。
(6)如上述(4)或(5)記載之玻璃積層體，其中上述金屬氟化物含有選自由鹼金屬、鹼土金屬、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及鑭系元素所組成之群中之至少1種元素。
(7)如上述(4)記載之玻璃積層體，其中上述摻氟金屬氧化物為摻氟氧化錫。
(8)如上述(1)至(7)中任一項記載之玻璃積層體，其中上述無機層 之表面粗糙度為2nm以下。
(9)如上述(1)至(8)中任一項記載之玻璃積層體，其中上述支持基板為玻璃板。
(10)一種電子裝置之製造方法，其具備：構件形成步驟，其係於如上述(1)至(9)中任一項記載之玻璃積層體所具備之上述玻璃基板之與上述無機層側為相反側之表面上形成電子裝置用構件，獲得附有電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自上述附有電子裝置用構件之積層體剝離上述無機層及上述支持基板，獲得具有上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置。
根據本發明，可提供一種可容易地剝離玻璃基板之玻璃積層體。
10‧‧‧玻璃積層體
11‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基板
14‧‧‧無機層
14a‧‧‧第1主面(無機層之與支持基板側為相反側之表面)
16‧‧‧附有無機層之支持基板
18‧‧‧玻璃基板
18a‧‧‧第1主面(玻璃基板之無機層側之表面)
18b‧‧‧第2主面(玻璃基板之與無機層側為相反側之表面)
20‧‧‧電子裝置用構件
22‧‧‧附有電子裝置用構件之積層體
24‧‧‧電子裝置(附有電子裝置用構件之玻璃基板)
26‧‧‧脆弱層
圖1係表示本發明之玻璃積層體之第1態樣之模式性剖視圖。
圖2係表示本發明之玻璃積層體之第2態樣之模式性剖視圖。
圖3(A)及(B)係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之較佳實施態樣之各步驟的模式性剖視圖。
以下，就本發明之玻璃積層體及電子裝置之製造方法之較佳形態參照圖式進行說明，但本發明並不受以下實施形態限制，可不脫離本發明之範圍而對以下實施形態加以各種變化及置換。
再者，本說明書中，“重量%”及“質量%”、“重量百分率”及“質量百分率”分別為相同含義。
以下，首先，詳細說明玻璃積層體之較佳態樣(第1態樣及第2態樣)，其後，就使用該玻璃積層體之電子裝置之製造方法之較佳態樣進行詳細說明。
[玻璃積層體(第1態樣及第2態樣)]
圖1係表示本發明之玻璃積層體之第1態樣之模式性剖視圖。
如圖1所示，第1態樣之玻璃積層體10具有包含支持基板12及無機層14之附有無機層之支持基板16、及玻璃基板18。
於玻璃積層體10中，將附有無機層之支持基板16之無機層14之第1主面14a(無機層14之與支持基板12側為相反側之表面)、及玻璃基板18之第1主面18a(玻璃基板18之無機層14側之表面)作為積層面，附有無機層之支持基板16及玻璃基板18係可剝離地積層。
即，無機層14之一面固定於支持基板12之層，且其另一面與玻璃基板18之第1主面18a相接，無機層14與玻璃基板18之界面係可剝離地密接。換言之，無機層14對於玻璃基板18之第1主面18a具備易剝離性。
玻璃積層體10係使用至下述構件形成步驟為止。即，玻璃積層體10係使用至於玻璃基板18之第2主面18b(玻璃基板18之與無機層14側為相反側之表面)上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件為止。
其後，附有無機層之支持基板16之層於與玻璃基板18之層之界面剝離，附有無機層之支持基板16之層不成為構成電子裝置之構件。可於經分離之附有無機層之支持基板16積層新的玻璃基板18，作為新的玻璃積層體10再利用。
本發明中，關於上述固定與上述(可剝離之)密接，剝離強度(即，剝離所需要之應力)有所不同，固定意味著相對於密接剝離強度較大。具體而言，無機層14與支持基板12之界面之剝離強度大於玻璃積層體10中之無機層14與玻璃基板18之界面之剝離強度。
又，所謂可剝離之密接，意味著可剝離，並且亦意味著可不產生固定之面之剝離而進行剝離。即，意味著玻璃積層體10中，於進行分離玻璃基板18與支持基板12之操作之情形時，於密接之面(無機層 14與玻璃基板18之界面)剝離，於固定之面不剝離。因此，若進行將玻璃積層體10分離為玻璃基板18及支持基板12之操作，則玻璃積層體10分離為玻璃基板18及附有無機層之支持基板16二者。
圖2係表示本發明之玻璃積層體之第2態樣之模式性剖視圖。
如圖2所示，第2態樣之玻璃積層體11依序具備支持基板12、無機層14、脆弱層26、及玻璃基板18，於附有無機層之支持基板16之無機層14與玻璃基板18之間具有脆弱層26。詳細情況於下文說明，具有脆弱層26之玻璃積層體11係藉由將第1態樣之玻璃積層體10暴露於高溫條件下(例如400℃以上)而獲得。
以下，首先，就構成玻璃積層體10(11)之附有無機層之支持基板16及玻璃基板18進行詳細說明，其後，就玻璃積層體10(11)之製造程序進行詳細說明。於該程序之詳細說明中，亦進行對構成玻璃積層體11之脆弱層26之說明。
[附有無機層之支持基板]
附有無機層之支持基板16具備支持基板12、及配置(固定)於其表面上之無機層14。無機層14以與下述玻璃基板18可剝離地密接之方式配置於附有無機層之支持基板16中之最外側。
以下，就支持基板12、及無機層14之態樣進行詳細說明。
<支持基板>
支持基板12係如下基板，其具有第1主面及第2主面，與配置於第1主面上之無機層14協動，支持玻璃基板18並對其進行補強，於下述構件形成步驟(製造電子裝置用構件之步驟)中於電子裝置用構件之製造時防止玻璃基板18之變形、損傷、破損等。
作為支持基板12，例如可使用玻璃板、塑膠板、不鏽鋼(SUS)板等金屬板等。支持基板12於構件形成步驟伴隨熱處理之情形時，較佳為以與玻璃基板18之線膨脹係數之差較小之材料形成，更佳為以與玻 璃基板18相同之材料形成，較佳為支持基板12為玻璃板。尤佳為支持基板12為包含與玻璃基板18相同之玻璃材料之玻璃板。
支持基板12之厚度可厚於下述玻璃基板18，亦可薄於玻璃基板18。較佳為基於玻璃基板18之厚度、無機層14之厚度、及下述玻璃積層體10(11)之厚度，選擇支持基板12之厚度。
例如，現行之構件形成步驟係以處理厚度0.5mm之基板之方式設計者，於玻璃基板18之厚度及無機層14之厚度之和為0.1mm之情形時，將支持基板12之厚度設為0.4mm。於通常之情形時，支持基板12之厚度較佳為0.2~5.0mm。
於支持基板12為玻璃板之情形時，就容易處理、不易破裂等原因而言，玻璃板之厚度較佳為0.08mm以上。又，就於在電子裝置用構件形成後剝離時，期望不破裂而適度彎曲之剛性之原因而言，玻璃板之厚度較佳為1.0mm以下。
支持基板12與玻璃基板18於25~300℃下之平均線膨脹係數(以下，簡稱為「平均線膨脹係數」)之差較佳為500×10-7/℃以下，更佳為300×10-7/℃以下，進而較佳為200×10-7/℃以下。若差過大，則有於構件形成步驟中之加熱冷卻時，玻璃積層體10(11)劇烈地彎曲之虞。於玻璃基板18之材料與支持基板12之材料相同之情形時，可抑制產生此種問題。
再者，本說明書中，平均線膨脹係數可依照JIS R3102(1995年)測定。
<無機層>
無機層14係於玻璃積層體10中，配置(固定)於支持基板12之主面上，與玻璃基板18之第1主面18a直接接觸之層。此種無機層14包含含有F之含F無機層。無機層14可僅由含F無機層構成，亦可為含有含F無機層以外之無機層之複數層。再者，於無機層14為複數層之情形 時，無機層14之厚度方向上之含F無機層以外之位置並無特別限定，較佳為與玻璃基板18之第1主面18a相接之最表層。
又，無機層14所含有之含F無機層較佳為含有選自由金屬氟化物及摻氟金屬氧化物所組成之群中之至少1種。
於無機層14含有摻氟金屬氧化物之情形時，作為摻氟金屬氧化物，例如可列舉：摻氟氧化錫、摻氟氧化鋅、摻氟氧化鈦、摻氟氧化鋁、摻氟氧化矽、摻氟石英等，該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。該等之中，較佳為摻氟氧化錫。
於無機層14含有金屬氟化物之情形時，就玻璃基板18之剝離性更優異之方面而言，較佳為無機層14含有之金屬氟化物之化學穩定性較高。作為化學穩定性之指標，可使用金屬氟化物之熔點。
即，金屬氟化物之熔點較佳為800℃以上，更佳為900℃以上，進而較佳為1000℃以上。
再者，於無機層14中亦可含有2種以上之金屬氟化物。
無機層14所含有之金屬氟化物之組成並無特別限制，就玻璃基板18之剝離性更優異之方面而言，較佳為含有選自由鹼金屬、鹼土金屬、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及鑭系元素所組成之群中之至少1種。
此處，作為鹼金屬，例如可列舉Li、Na、K、Rb、Cs。
又，作為鹼土金屬，例如可列舉Mg、Ca、Sr、Ba。
又，鑭系元素為La至Lu，例如可列舉La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm等。
再者，可藉由改變上述金屬/氟元素比，而調整無機層14表面之OH基數或表面平坦度，控制無機層14與玻璃基板18之間之密接力。
無機層14所含有之金屬氟化物之一部分亦可經氧化。即，無機層14中亦可含有氧原子(氧元素)(O)。
再者，可藉由金屬氟化物、氧原子之添加量而調整無機層14表面之OH基數或表面平坦度，控制無機層14與玻璃基板18之間之密接力。
更具體而言，作為無機層14含有金屬氟化物之金屬氟化物，例如可列舉：RF、R'F2、ScF3、VF3、CrF3、MnF2、FeF3、CoF2、NiF2、CuF2、ZnF2、AlF3、GaF3、InF3及LF3等。此處，R意指鹼金屬、R'意指鹼土金屬、L意指鑭系元素。
無機層14之平均線膨脹係數並無特別限制，於使用玻璃板作為支持基板12之情形時，其平均線膨脹係數較佳為10×10-7~200×10-7/℃。若為該範圍，則與玻璃板之平均線膨脹係數之差變小，可進一步抑制高溫環境下之玻璃基板18與附有無機層之支持基板16之位置偏移。
無機層14較佳為含有選自由金屬氟化物及摻氟金屬氧化物所組成之群中之至少1種作為主成分。此處，所謂主成分，意指金屬氟化物之總含量相對於無機層14總量為90質量%以上，較佳為98質量%以上，更佳為99質量%以上，尤佳為99.999質量%以上。
無機層14之厚度並無特別限制，就維持耐擦傷性之方面而言，較佳為5~5000nm，更佳為10~500nm。
無機層14於圖1中係以單層表示，但亦可為2層以上之積層。於為2層以上之積層之情形時，亦可每層為不同之組成。於該情形時，「無機層之厚度」意指全部層之合計厚度。
無機層14通常如圖1所示，設置於支持基板12之一主面整體，但亦可於不損害本發明之效果之範圍內，設置於支持基板12表面上之一部分。
無機層14之第1主面14a之表面粗糙度(Ra)較佳為2.0nm以下，更佳為1.2nm以下。下限值並無特別限制，較佳為0。若為上述範圍， 則與玻璃基板18之密接性變得更良好，可進一步抑制玻璃基板18之位置偏移等，且玻璃基板18之剝離性亦更優異。
Ra係依照JIS B 0601(2001年修訂)測定。
然而，若無機層14僅含有含F無機層，則有於無機層14積層玻璃基板18時之積層性(積層容易度)較差之情形。即，不僅有即便將無機層14與玻璃基板18重疊亦不會自然地密接之情形，而且亦有即便機械加壓亦不會密接，或容易地剝離之情形。
因此，無機層14中，較佳為將供玻璃基板18積層之第1主面14a之水接觸角設為0~40°。藉此，無機層14與玻璃基板18之積層性優異。
再者，水接觸角係依據JIS R 3257：1999，使用市售之接觸角計測定。
<附有無機層之支持基板之製造方法>
作為於支持基板12上形成無機層14之方法，例如可適當採用蒸鍍法等PVD(Physical Vapor Deposition，物理氣相沈積)法；熱CVD法、電漿CVD法等CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法等，又，製造條件係根據所使用之材料，適當選擇最佳之條件。
並且，較佳為於形成無機層14後，實施將無機層14之第1主面14a之水接觸角控制為0~40°之處理。作為此種處理，例如可列舉親水化處理，作為其具體例，可列舉鹼處理、電漿處理、UV(ultraviolet，紫外線)處理等，較佳為鹼處理。
作為鹼處理，例如可列舉使鹼處理液接觸於無機層14之第1主面14a之處理。
作為用於鹼處理之鹼處理液，例如較佳為含有氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨等鹼之溶液。鹼處理液之pH值超過7，較佳為8~14。
作為鹼處理之方法，例如可列舉：使用噴霧器等將鹼處理液吹送至無機層14之第1主面14a之方法、將附有無機層之支持基板16浸漬 於鹼處理液中之方法等。
再者，較佳為於鹼處理之後，利用純水沖洗，利用氣刀等將無機層14之第1主面14a乾燥。
再者，若因於大氣中保管附有無機層之支持基板16，而使第1主面14a之水接觸角上升至例如50~150°之範圍，則有無機層14與玻璃基板18之積層性較差之情形。
因此，較佳為於實施將無機層14之第1主面14a之水接觸角控制為0~40°之處理後，以儘量短之時間將玻璃基板18積層。自實施上述處理至積層前之時間並無特別限制，較佳為1小時以內，更佳為30分鐘以內。又，若於實施上述處理後，於大氣中保管，至積層前之時間變長，則亦有環境中之塵埃等異物吸附於表面，積層性變差之虞。
再者，此外，為了控制形成於支持基板12上之無機層14之表面性狀(例如表面粗糙度Ra)，亦可視需要實施切削無機層14之表面之處理，作為此種處理，例如可列舉研磨、離子濺鍍法等。
[玻璃基板]
作為玻璃基板18，使用以氧化物基準，至少含有SiO2及Al2O3之玻璃板。即，玻璃基板18至少含有Si(矽元素)及Al(鋁元素)。
作為上述玻璃板，例如可列舉含有SiO2作為主成分(最多之成分)，進而含有Al2O3、B2O3、MgO、CaO、SrO、BaO等作為其他成分之玻璃板。此時，作為次於SiO2較多之成分，較佳為Al2O3。即，較佳為於玻璃基板18中，除O(氧元素)以外，含量最多之第1元素為Si，含量次於第1元素較多之第2元素為Al。
作為用於此種玻璃基板18之玻璃板，例如可列舉無鹼玻璃板，作為其具體例，可列舉以氧化物基準之質量百分率表示，含有SiO2：54~73%、Al2O3：10~23%、B2O3：0~13.0%、MgO：0~12%、CaO：0~15%、SrO：0~16%、BaO：0~15%、及MgO+CaO+SrO +BaO：8~26%之無鹼玻璃板。
關於玻璃基板18之種類，若為滿足上述條件者，則可為通常者，例如，可列舉LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板18之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，係使用JIS R 3102(1995年修訂)所規定之線膨脹係數。
玻璃基板18係將玻璃原料熔融，使熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為通常者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板係藉由將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形溫度，利用延伸等方法進行拉伸使其變薄之方法(再曳引法)成形而獲得。
玻璃基板18之玻璃只要為滿足上述條件者，則除上述無鹼硼矽酸玻璃以外，例如亦可使用硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主成分之氧化物系玻璃等。作為氧化物系玻璃，較佳為藉由氧化物換算之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板18之玻璃，係採用適於裝置之種類或其製造步驟之玻璃。例如，液晶面板用之玻璃基板由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故包含實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但通常含有鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板18之玻璃係基於應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
玻璃基板18之厚度並無特別限定，就玻璃基板18之薄型化及/或輕量化之觀點而言，例如為0.8mm以下，較佳為0.3mm以下，更佳為0.15mm以下。於超過0.8mm之情形時，有不滿足玻璃基板18之薄型化及/或輕量化之要求之情形。於0.3mm以下之情形時，可對玻璃基板18賦予良好之可撓性。於0.15mm以下之情形時，可將玻璃基板18捲取為捲筒狀。又，就玻璃基板18之製造較容易，玻璃基板18之處理較容易等原因而言，玻璃基板18之厚度較佳為0.03mm以上。
玻璃基板18亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為異種材料。於該情形時，「玻璃基板之厚度」意指全部層之合計厚度。
再者，於玻璃積層體10中，無機層14之第1主面14a與玻璃基板18之第1主面18a直接接觸。即，較佳為於玻璃基板18之第1主面18a(無機層14側之面)上未設置無機薄膜層，尤其是未設置包含金屬氟化物之無機薄膜層。
於在玻璃基板之第1主面上例如設置有包含金屬氟化物之層之情形時，附有金屬氟化物層之玻璃基板與附有無機層之支持基板之密接性於高溫處理後變差，兩者自發地剝離，無法作為玻璃積層體使用。
如此，關於玻璃基板於高溫處理後自發地剝離，無法人為地實施剝離之行為之情形，本發明中亦作為剝離性較差處理。
[玻璃積層體之製造方法]
玻璃積層體10之製造方法並無特別限制，具體而言，可列舉於常壓環境下將附有無機層之支持基板16與玻璃基板18重疊後，使用輥或壓機進行壓接之方法。藉由利用輥或壓機進行壓接，附有無機層之支持基板16與玻璃基板18更加密接，故而更佳。又，藉由利用輥或壓機之壓接，混入至附有無機層之支持基板16與玻璃基板18之間之氣泡可相對容易地被去除，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可較佳地抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。藉由於真空下進行壓接，亦有即便於殘存微小氣泡之情形時，氣泡亦不因加熱而成長，不易引起變形缺陷之優點。
於使附有無機層之支持基板16與玻璃基板18可剝離地密接時，較佳為將無機層14及玻璃基板18之相互接觸側之面充分地清洗，於清潔度較高之環境下積層。
進而，藉由對所獲得之玻璃積層體10(參照圖1)實施例如400℃以上之高溫條件下之處理，可獲得具有脆弱層26之高溫處理後之玻璃積層體11，即依序具有支持基板12、無機層14、脆弱層26、及玻璃基板18之玻璃積層體11(參照圖2)。
再者，高溫處理之溫度條件之上限並無特別限定，通常多數情況為700℃以下。
此處，就脆弱層26進行詳細說明。
首先，認為於使附有無機層之支持基板16與玻璃基板18積層前，於附有無機層之支持基板16所具有之無機層14之露出面即第1主面14a吸附有水(吸附水)而產生OH基。認為於此種無機層14之第1主面14a重疊玻璃基板18，獲得玻璃積層體10後，將所獲得之玻璃積層體10暴露於高溫條件下，藉此，吸附水(H2O)自無機層14之第1主面14a脫離，以氣體之形式存在於無機層14與玻璃基板18之界面。此時，於無機層14包含含有例如氟化鎂(MgF2)之含F無機層之情形時，認為吸附水藉由下述反應式而脫離。
2Mg-OH→Mg-O-Mg+H2O
繼而，認為於高溫條件下之無機層14與玻璃基板18之界面，無機層14之第1主面14a與吸附水(H2O)如下述反應式般進行反應，產生氟化氫(HF)。
MgF2+H2O→MgO+2HF
繼而，認為產生之HF如下述反應式般，與構成玻璃基板18之第1主面18a之SiO2進行反應，以H2SiF6之形式揮散。
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O
如此，藉由對玻璃積層體10實施高溫條件下之處理，而於玻璃基板18之第1主面18a側之區域(無機層14側之區域)形成脆弱層26。即，脆弱層26為源自玻璃基板18之層，因H2SiF6之揮散，應構成層之 Si逃逸而變得脆弱，容易凝聚破壞。因此，於下述分離步驟中，於脆弱層26產生凝聚破壞，可將玻璃基板18容易地剝離。
脆弱層26為源自玻璃基板18之層，故其組成等基本而言依存於玻璃基板18，與玻璃基板18同樣地至少含有Si及Al。又，較佳為除O(氧元素)以外，含量最多之第1元素為Si，含量次於第1元素較多之第2元素為Al。
又，脆弱層26為玻璃基板18之Si揮散而形成之層，故相較於玻璃基板18，層中之Si量相對變少。因此，關於層中之Al相對於Si之原子比(Al/Si)，玻璃基板18小於脆弱層26。
更詳細而言，脆弱層26中之Al與Si之原子比Y(Al/Si)相對於玻璃基板18中之Al與Si之原子比X(Al/Si)的比(Y/X)為1.2以上，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為1.3以上，更佳為1.5以上。上限並無特別限定，通常多數情況下為4.0以下。
再者，上述原子比例如可藉由X射線光電子分光(X-ray Photoelectron Spectroscopy；XPS)法測定。
脆弱層26之厚度並無特別限定，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為30nm以上，更佳為50nm以上。上限並無特別限定，通常多數情況為500nm以下。
玻璃積層體10(11)可用於各種用途，例如，可列舉製造下述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，多數情況下玻璃積層體10係於高溫條件(例如，400℃以上)下暴露(例如，10分鐘以上)。
此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。
[電子裝置及其製造方法]
其次，就電子裝置及其製造方法之較佳實施態樣進行詳細說明。
圖3(A)及(B)係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之較佳實施態樣之各步驟的模式性剖視圖，圖3(A)表示構件形成步驟，圖3(B)表示分離步驟。即，本發明之電子裝置之製造方法具備構件形成步驟及分離步驟。
以下，一面參照圖3(A)及(B)一面就各步驟中所使用之材料及其程序進行詳細說明。首先，就構件形成步驟進行詳細說明。
[構件形成步驟]
構件形成步驟為於玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件之步驟。
更具體而言，如圖3(A)所示，於玻璃基板18之第2主面18b上形成電子裝置用構件20，製造附有電子裝置用構件之積層體22。
首先，就本步驟所使用之電子裝置用構件20進行詳細說明，其後，就步驟之程序進行詳細說明。
<電子裝置用構件(功能性元件)>
電子裝置用構件20為形成於玻璃基板18之第2主面18b上，構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件20，可列舉用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、於表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等之構件。作為顯示裝置用面板，包括液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
例如，作為太陽電池用構件，矽型中，可列舉正極之氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，此外可列舉對應化合物型、色素增感型、量子點型等之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，鋰離子型中，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之 金屬、作為密封層之樹脂等，此外，可列舉對應鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等之各種構件等。
又，作為電子零件用構件，CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補金屬氧化物半導體)中，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，此外，可列舉壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或對應剛性印刷基板、可撓性印刷基板、剛性可撓性印刷基板等之各種構件等。
<步驟之程序>
上述附有電子裝置用構件之積層體22之製造方法並無特別限定，根據電子裝置用構件之構成構件之種類，利用先前公知之方法，於玻璃基板18之第2主面18b之表面上形成電子裝置用構件20。
再者，電子裝置用構件20亦可並非為於玻璃基板18之第2主面18b最終形成之構件之全部(以下稱為「全部構件」)，而為全部構件之一部分(以下稱為「部分構件」)。亦可將附有部分構件之玻璃基板於其後之步驟中製成附有全部構件之玻璃基板(相當於下述電子裝置)。又，附有全部構件之玻璃基板亦可於其剝離面(第1主面)形成其他電子裝置用構件。又，亦可組裝附有全部構件之積層體，其後，自附有全部構件之積層體剝離附有無機層之支持基板16(無機層及支持基板)，製造電子裝置。進而，亦可使用2片附有全部構件之積層體組裝電子裝置，其後，自附有全部構件之積層體剝離2片附有無機層之支持基板16，製造電子裝置。
例如，舉出製造OLED之情形為例，為了於玻璃基板18之第2主面18b之表面上形成有機EL結構體，而進行形成透明電極、進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等、形成背面電極、使用密封板進行密封等各種層形成或處理。 作為該等層形成或處理，具體而言，可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如，TFT-LCD之製造方法具有如下等各種步驟：TFT形成步驟，其係於玻璃積層體10之玻璃基板18之第2主面18b上，使用抗蝕液，於藉由CVD法及濺鍍法等通常之成膜法所形成之金屬膜及金屬氧化膜等形成圖案，形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，其係於另一玻璃積層體10之玻璃基板18之第2主面18b上，將抗蝕液用於圖案形成，形成彩色濾光片(CF)；以及貼合步驟，其係將附有TFT之裝置基板及附有CF之裝置基板積層。
TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用眾所周知之光微影技術或蝕刻技術等，於玻璃基板18之第2主面18b形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，於形成TFT或CF前，亦可視需要清洗玻璃基板18之第2主面18b。作為清洗方法，可使用眾所周知之乾式清洗或濕式清洗。
貼合步驟中，係於附有TFT之積層體與附有CF之積層體之間注入液晶材料，而進行積層。作為注入液晶材料之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
再者，構件形成步驟中，例如實施400℃以上之高溫條件下之處理。因此，藉由經歷構件形成步驟，如圖3(A)所示，於無機層14與玻璃基板18之間形成脆弱層26。即，形成包含支持基板12、無機層14、脆弱層26、玻璃基板18、及電子裝置用構件20之玻璃積層體(附有電子裝置用構件之積層體22)。
[分離步驟]
分離步驟係自上述構件形成步驟所獲得之附有電子裝置用構件之積層體22剝離附有無機層之支持基板16(無機層及支持基板)，獲得包含電子裝置用構件20及玻璃基板18之電子裝置24(附有電子裝置用 構件之玻璃基板)的步驟。即，係將附有電子裝置用構件之積層體22分離為附有無機層之支持基板16(無機層及支持基板)及電子裝置24之步驟。再者，此時，多數情況下係因於脆弱層26產生凝聚破壞而分離為附有無機層之支持基板16及電子裝置24。
於剝離時之玻璃基板18上之電子裝置用構件20為必需之全部構成構件之形成之一部分之情形時，亦可於分離後，使剩餘構成構件形成於玻璃基板18上。
分離為附有無機層之支持基板16及電子裝置24之方法並無特別限定。例如，可於位於無機層14與玻璃基板18之間之脆弱層26附近插入銳利之刀具狀者而賦予剝離之開端，然後吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。較佳為以附有電子裝置用構件之積層體22之支持基板12成為上側、電子裝置用構件20側成為下側之方式設置於平台上，使電子裝置用構件20側真空吸附於平台上(於兩面積層有支持基板之情形時係依序進行)，於該狀態下，首先於脆弱層26附近插入刀具。並且，其後利用複數個真空吸附墊吸附支持基板12側，自插入刀具之處附近依序使真空吸附墊上升。若如此，則於脆弱層26產生凝聚破壞，可容易地剝離附有無機層之支持基板16。
剝離電子裝置24時之剝離強度並無特別限制，就工業上之方面而言，較佳為2.0N/25mm以下，更佳為1.2N/25mm以下。
再者，剝離電子裝置24時之剝離強度亦可換稱為剝離玻璃基板18時之剝離強度。即，自包含支持基板12、無機層14、脆弱層26、及玻璃基板18之玻璃積層體(視需要包含電子裝置用構件20)11剝離玻璃基板18時之剝離強度較佳為上述範圍。
再者，本說明書中，可藉由下述實施例1所記載之剝離試驗求出剝離強度。
藉由上述步驟獲得之電子裝置24較佳用於行動電話、智慧型手 機、平板型PC(Personal Computer，個人電腦)等移動終端所使用之小型顯示裝置之製造。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包括TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Emission，場發射)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場效應)型、VA(Vertical Alignment，垂直配向)型等。基本而言，於被動驅動型、主動驅動型之任一顯示裝置之情形均可應用。
再者，亦可於以上述程序分離之附有無機層之支持基板16積層新的玻璃基板18，製成新的玻璃積層體10。
實施例
以下，藉由實施例等具體地說明本發明，但本發明並不受該等例之限定。
以下實施例及比較例中，作為玻璃基板，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱100mm、橫100mm、板厚0.2mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製造之商品名「AN100」)。
又，作為支持基板，使用同樣包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱100mm、橫100mm、板厚0.5mm、線膨脹係數38×10-7/℃、旭硝子公司製造之商品名「AN100」)。
再者，用作玻璃基板及支持基板之無鹼硼矽酸玻璃之組成(以氧化物基準之質量百分率表示)如以下所述。
SiO2：59.8%
Al2O3：17.2%
B2O3：7.9%
MgO：3.3%
CaO：4.0%
SrO：7.7%
BaO：0.1%
<實施例1>
將支持基板之一主面用純水清洗，其後用鹼清洗，將其淨化。無機層之形成係使用真空蒸鍍裝置(昭和真空公司製造、SEC-16CM)。蒸鍍源係使用MgF2(氟化鎂)之顆粒，排氣至10-5Torr以下後，於室溫下進行製膜。無機層之厚度係藉由將晶體振子作為膜厚感測器之膜厚監視器及觸針式膜厚計測定(以下相同)。於經淨化之面藉由蒸鍍法形成厚度30nm之MgF2層(相當於無機層)，獲得玻璃積層體A1用之附有無機層之支持基板。
所獲得之附有無機層之支持基板之無機層之第1主面之表面粗糙度(Ra)為0.3nm。再者，表面粗糙度(Ra)係使用AFM(Atomic Force Microscopy，原子力顯微鏡，機種：L-trace(Nanonavi)、Hitachi High-Technologies公司製造)，依據JIS B 0601(2001年修訂)測定(以下相同)。
其次，對所獲得之附有無機層之支持基板之無機層之第1主面實施鹼處理。具體而言，首先，對無機層之第1主面以40℃之氫氧化鉀水溶液(氫氧化鉀3質量%、pH值12以上)進行噴淋清洗。其次藉由25℃之純水將氫氧化鉀水溶液充分地去除。其後，藉由空氣壓去除純水。藉此，將無機層之第1主面之水接觸角設為4°。
再者，水接觸角係使用協和界面科學公司製造之接觸角計CA-X型，依據JIS R 3257：1999進行測定(以下相同)。
其次，將玻璃基板之一主面用純水清洗，其後用鹼清洗，將其淨化。繼而，將附有無機層之支持基板之無機層之第1主面、及玻璃基板之經淨化之第1主面於室溫下藉由真空加壓而貼合，獲得玻璃積層體A1。
再者，自鹼處理後至玻璃基板之積層前之時間為5分鐘。
於所獲得之玻璃積層體A1中，附有無機層之支持基板與玻璃基板不產生氣泡而密接，亦無變形狀缺點，平滑性亦良好。
對玻璃積層體A1於氮氣環境下以550℃實施10分鐘加熱處理。藉此，於無機層與玻璃基板之間形成脆弱層。脆弱層之厚度為140nm。再者，脆弱層之厚度係使用掃描型電子顯微鏡測定(以下相同)。
其次，進行以下剝離試驗，測定玻璃基板之剝離強度(N/25mm)。
測定方法為準備寬25mm、長70mm之玻璃積層體A1，使用自動立體測圖儀AG-20/50kNXDplus(島津製作所)，並進行玻璃基板之剝離。
此時，於加熱處理後之玻璃積層體A1之脆弱層附近插入厚度0.1mm之不鏽鋼製之刀，形成剝離之缺口部後，將玻璃基板完全地固定，提拉支持基板，藉此進行強度之測定。再者，剝離速度為30mm/min。將檢測到荷重之地點設為0，將自該位置提拉2.0mm之位置之剝離強度設為測定值。此時之剝離強度為0.18N/25mm。再者，根據該結果，確認無機層與支持基板之層之界面之剝離強度大於無機層與玻璃基板之界面之剝離強度。
於該剝離時，脆弱層凝聚破壞。確認於剝離之附有無機層之支持基板之無機層之第1主面上附著經凝聚破壞之脆弱層。因此，對附著於無機層之第1主面上之脆弱層測定脆弱層中之Al與Si之原子比Y(Al/Si)，結果其值為0.48。
同樣地，測定玻璃基板中之Al與Si之原子比X(Al/Si)，其值為0.19。
因此，原子比Y相對於原子比X之比(Y/X)為2.53(將小數點第三位四捨五入)。
再者，原子比之測定係使用X射線光電子分光裝置(PHI5000 VersaProbe、ULVAC-PHI公司製造)(以下相同)。
<實施例2~3>
依照以下之程序分別製作CeF3(氟化鈰)層(實施例2)、或SnO2．F(摻氟氧化錫)層(實施例3)代替形成MgF2層，除此以外，依照與實施例1相同之程序，製造玻璃積層體A2~A3。
《CeF3層之製作程序》
將支持基板之一主面用純水清洗，其後，用鹼清洗，將其淨化。進而，於經淨化之面藉由蒸鍍法形成厚度30nm之CeF3層(相當於無機層)，獲得玻璃積層體A2用之附有無機層之支持基板。(實施例2)
《SnO2．F層之製作程序》
將支持基板之一主面用純水清洗，其後，用鹼清洗，將其淨化。進而，於經淨化之面藉由大氣壓熱CVD法，於550℃下同時吹送單丁基三氯化錫(MBTC)、H2O、O2及HF，形成厚度10nm之SnO2．F層(相當於無機層)，獲得玻璃積層體A3用之附有無機層之支持基板。
(實施例3)
所獲得之玻璃積層體A2~A3之附有無機層之支持基板與玻璃基板不產生氣泡而密接，亦無變形狀缺點，平滑性亦良好。
對玻璃積層體A2~A3依照與實施例1相同之程序實施加熱處理。藉此，於無機層與玻璃基板之間形成脆弱層。其次，以與實施例1相同之方式實施加熱處理後之玻璃基板之剝離，結果可剝離(分離)為附有無機層之支持基板及玻璃基板。
於該剝離時，脆弱層凝聚破壞。確認於經剝離之附有無機層之支持基板之無機層之第1主面上附著經凝聚破壞之脆弱層。因此，實施例2~3中，亦與實施例1同樣地測定脆弱層之原子比Y(Al/Si)、玻璃基板之原子比X(Al/Si)、及原子比Y相對於原子比X之比(Y/X)。
又，以與實施例1相同之方式測定剝離玻璃基板時之剝離強度(單 位：N/25mm)。
將結果均示於下述表1。
<比較例1>
依照以下程序製作CeO2(氧化鈰)代替形成MgF2層，除此以外，依照與實施例1相同之程序製造玻璃積層體B1。
《CeO2層之製作程序》
將支持基板之一主面用純水清洗，其後用鹼清洗，將其淨化。進而，於經淨化之面藉由磁控濺鍍法形成厚度30nm之CeO2層，獲得玻璃積層體B1用之附有無機層之支持基板。
關於所獲得之玻璃積層體B1，附有無機層之支持基板與玻璃基板不產生氣泡而密接，亦無變形狀缺點，平滑性亦良好。
對玻璃積層體B1依照與實施例1相同之程序實施加熱處理，所獲得之玻璃積層體B1中，附有無機層之支持基板與玻璃基板雖部分產生氣泡，但密接。但於加熱處理後之玻璃積層體B1中，無法確認於無機層與玻璃基板之間形成脆弱層。
其次，對加熱處理後之玻璃積層體B1依照與實施例1相同之程序插入刀，嘗試玻璃基板之剝離，但無法剝離玻璃基板。
<比較例2>
依照以下程序製作ITO(氧化銦錫層)代替形成MgF2層，除此以外，依照與實施例1相同之程序製造玻璃積層體B2。
《ITO層之製作程序》
將支持基板之一主面用純水清洗，其後，用鹼清洗，將其淨化。進而，於經淨化之面藉由磁控濺鍍法(加熱溫度300℃、成膜壓力5mTorr、功率密度4.9W/cm2)，形成厚度30nm之ITO層(氧化銦錫層)，獲得玻璃積層體B2用之附有無機層之支持基板。
所獲得之玻璃積層體B2之附有無機層之支持基板與玻璃基板不 產生氣泡而密接，亦無變形狀缺點，平滑性亦良好。
對玻璃積層體B2依照與實施例1相同之程序實施加熱處理，於所獲得之玻璃積層體B2中，附有無機層之支持基板與玻璃基板雖部分地產生氣泡，但密接。但於加熱處理後之玻璃積層體B2中，無法確認於無機層與玻璃基板之間形成脆弱層。
其次，對加熱處理後之玻璃積層體B2依照與實施例1相同之程序，插入刀，嘗試玻璃基板之剝離，但無法剝離玻璃基板。
將上述實施例1~3及比較例1~2之結果匯總示於以下之表1。
再者，實施例1~3中，根據上述玻璃基板之剝離之結果，確認無機層與支持基板之層之界面之剝離強度大於無機層與玻璃基板之界面之剝離強度。
以下之表1中，於「無機層」之「種類」之欄，記載配置(固定)於支持基板上之無機層之種類，於「熔點」之欄，記載其熔點。
又，以下之表1中，於比(Y/X)之欄中，於未確認到脆弱層之形成之情形時，記載「-」。
又，以下之表1中，於「評價」之「積層性」之欄中，記載製作玻璃積層體時之結果。於附有無機層之支持基板與玻璃基板不產生氣泡而密接，亦無變形狀缺點，平滑性亦良好之情形時，視為積層性優異者，記載「○」，於其以外之情形時記載「×」。
又，以下之表1中，於「評價」之「剝離性」之欄中，於加熱處理後可將玻璃基板剝離之情形時視為剝離性優異者，記載「○」，於無法剝離之情形時視為剝離性較差者，記載「×」。
又，以下之表1中，於「評價」之「剝離強度」之欄中，於未測定剝離強度之情形時，記載「-」。
[表1]
如表1所示，實施例1~3中，支持基板上之無機層與玻璃基板之積層性優異，且高溫條件下之處理後之玻璃積層體可容易地剝離玻璃基板。
與此相對，使用CeO2層或ITO層作為無機層之比較例1及2之積層性良好，但剝離性較差。
<實施例4>
本例中，使用實施例1中製造之加熱處理前之玻璃積層體A1製作OLED。再者，作為以下製程中之加熱處理溫度，實施400℃以上之處理。
更具體而言，於玻璃積層體A1中之玻璃基板之第2主面上藉由濺鍍法使鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極電極。其次，藉由電漿CVD法，於設有閘極電極之玻璃基板之第2主面側進而依序使氮化矽、真性非晶矽、n型非晶矽成膜，繼而藉由濺鍍法使鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻，形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。其次，藉由電漿CVD法，於玻璃基板之第2主面側進而使氮化矽成膜，形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻，形成像素電極。
繼而，於玻璃基板之第2主面側進而藉由蒸鍍法依序使作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘- 1,5-二甲腈(BSN-BCN)40體積%而成者、作為電子傳輸層之Alq3成膜。其次，於玻璃基板之第2主面側藉由濺鍍法使鋁成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成對向電極。其次，於形成有對向電極之玻璃基板之第2主面上，經由紫外線硬化型之接著層貼合另一片玻璃基板加以密封。依照上述程序所獲得之於玻璃基板上具有有機EL結構體之玻璃積層體相當於附有電子裝置用構件之積層體。
繼而，將所獲得之玻璃積層體之密封體側真空吸附於平台，並且於玻璃積層體之角部之脆弱層附近插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具，將附有無機層之支持基板分離，獲得OLED面板(相當於電子裝置，以下稱為面板A)。於所製作之面板A連接IC(Integrated Circuit，積體電路)驅動器，於常溫常壓下驅動，結果於驅動範圍內未確認到顯示不均。
<實施例5>
本例中，使用實施例1所製造之加熱處理前之玻璃積層體A1，製作LCD。再者，作為以下製程中之加熱處理溫度，實施400℃以上之處理。
準備2片玻璃積層體A1，首先，於一玻璃積層體A1之玻璃基板之第2主面上，藉由濺鍍法使鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極電極。其次，藉由電漿CVD法於設有閘極電極之玻璃基板之第2主面側，進而依序使氮化矽、真性非晶矽、n型非晶矽成膜，繼而藉由濺鍍法使鉬成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成閘極絕緣膜、半導體元件部及源極/汲極電極。其次，藉由電漿CVD法，於玻璃基板之第2主面側進而使氮化矽成膜，形成鈍化層後，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，藉由使用光微影法之蝕刻，形成像素電極。其次，於形成有像素電極之玻璃基板之第2主面上，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成配向層，進行摩擦。將所獲得之玻璃積層體稱為玻璃積 層體X1。
其次，於另一玻璃積層體A1之玻璃基板之第2主面上，藉由濺鍍法使鉻成膜，藉由使用光微影法之蝕刻形成遮光層。其次，於設有遮光層之玻璃基板之第2主面側進而藉由模嘴塗佈法塗佈彩色光阻，藉由光微影法及熱硬化形成彩色濾光片層。其次，於玻璃基板之第2主面側進而藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，形成對向電極。其次，於設有對向電極之玻璃基板之第2主面上藉由模嘴塗佈法塗佈紫外線硬化樹脂液，藉由光微影法及熱硬化形成柱狀間隔件。其次，於形成有柱狀間隔件之玻璃基板之第2主面上，藉由輥塗法塗佈聚醯亞胺樹脂液，藉由熱硬化形成配向層，進行摩擦。其次，於玻璃基板之第2主面側藉由分配法將密封用樹脂液描繪為框狀，於框內藉由分配法滴加液晶後，使用上述玻璃積層體X1，將2片玻璃積層體之玻璃基板之第2主面側彼此貼合，藉由紫外線硬化及熱硬化獲得具有LCD面板之積層體。將此處之具有LCD面板之積層體以下稱為附有面板之積層體X2。
其次，以與實施例1相同之方式自附有面板之積層體X2剝離兩面之附有無機層之支持基板，獲得包含形成有TFT陣列之基板及形成有彩色濾光片之基板之LCD面板B(相當於電子裝置)。
於所製作之LCD面板B連接IC驅動器，於常溫常壓下驅動，結果於驅動範圍內未確認到顯示不均。
將本發明詳細地，又，參照特定之實施態樣進行了說明，但業者明瞭可不脫離本發明之精神及範圍加以各種變更或修正。本申請案係基於2014年4月25日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2014-091460)者，其內容係作為參照編入本文。
10‧‧‧玻璃積層體
12‧‧‧支持基板
14‧‧‧無機層
14a‧‧‧第1主面(無機層之與支持基板側為相反側之表面)
16‧‧‧附有無機層之支持基板
18‧‧‧玻璃基板
18a‧‧‧第1主面(玻璃基板之無機層側之表面)
18b‧‧‧第2主面(玻璃基板之與無機層側為相反側之表面)

Claims (10)

  1. 一種玻璃積層體，其包括：附有無機層之支持基板，其具有支持基板及配置於上述支持基板上之無機層；及玻璃基板，其可剝離地積層於上述無機層上；且上述無機層包含含有F之含F無機層。
  2. 一種玻璃積層體，其依序包括支持基板、無機層、脆弱層、及玻璃基板，上述無機層包含含有F之含F無機層，上述脆弱層為含有Al及Si之無機層，且上述脆弱層中之Al與Si之原子比Y(Al/Si)相對於上述玻璃基板中之Al與Si之原子比X(Al/Si)的比(Y/X)為1.2以上。
  3. 如請求項2之玻璃積層體，其中剝離上述玻璃基板時之剝離強度為2.0N/25mm以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之玻璃積層體，其中上述含F無機層含有選自由金屬氟化物及摻氟金屬氧化物所組成之群中之至少1種。
  5. 如請求項4之玻璃積層體，其中上述金屬氟化物之熔點為800℃以上。
  6. 如請求項4或5之玻璃積層體，其中上述金屬氟化物含有選自由鹼金屬、鹼土金屬、Sc、Y、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In及鑭系元素所組成之群中之至少1種元素。
  7. 如請求項4之玻璃積層體，其中上述摻氟金屬氧化物為摻氟氧化錫。
  8. 如請求項1至7中任一項之玻璃積層體，其中上述無機層之表面粗糙度為2nm以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之玻璃積層體，其中上述支持基板為玻 璃板。
  10. 一種電子裝置之製造方法，其包括：構件形成步驟，其係於如請求項1至9中任一項之玻璃積層體所具備之上述玻璃基板之與上述無機層側為相反側之表面上形成電子裝置用構件，而獲得附有電子裝置用構件之積層體；及分離步驟，其係自上述附有電子裝置用構件之積層體剝離上述無機層及上述支持基板，而獲得具有上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置。
TW104113306A 2014-04-25 2015-04-24 Glass laminate and method of manufacturing electronic device TWI647099B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014091460 2014-04-25
JP2014-091460 2014-04-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201605616A true TW201605616A (zh) 2016-02-16
TWI647099B TWI647099B (zh) 2019-01-11

Family

ID=54332301

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104113306A TWI647099B (zh) 2014-04-25 2015-04-24 Glass laminate and method of manufacturing electronic device

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2015163134A1 (zh)
KR (1) KR20160146712A (zh)
CN (1) CN106232351A (zh)
TW (1) TWI647099B (zh)
WO (1) WO2015163134A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI827806B (zh) * 2019-02-26 2024-01-01 日商Ａｇｃ股份有限公司 濾光器、濾光器之搬送支撐體、濾光器之製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10543662B2 (en) 2012-02-08 2020-01-28 Corning Incorporated Device modified substrate article and methods for making
US10086584B2 (en) 2012-12-13 2018-10-02 Corning Incorporated Glass articles and methods for controlled bonding of glass sheets with carriers
US9340443B2 (en) 2012-12-13 2016-05-17 Corning Incorporated Bulk annealing of glass sheets
TWI617437B (zh) 2012-12-13 2018-03-11 康寧公司 促進控制薄片與載體間接合之處理
US10014177B2 (en) 2012-12-13 2018-07-03 Corning Incorporated Methods for processing electronic devices
US10510576B2 (en) 2013-10-14 2019-12-17 Corning Incorporated Carrier-bonding methods and articles for semiconductor and interposer processing
KR102353030B1 (ko) 2014-01-27 2022-01-19 코닝 인코포레이티드 얇은 시트와 캐리어의 제어된 결합을 위한 물품 및 방법
KR20160145062A (ko) 2014-04-09 2016-12-19 코닝 인코포레이티드 디바이스 변경된 기판 물품 및 제조 방법
EP3297824A1 (en) 2015-05-19 2018-03-28 Corning Incorporated Articles and methods for bonding sheets with carriers
CN117534339A (zh) 2015-06-26 2024-02-09 康宁股份有限公司 包含板材和载体的方法和制品
TW202216444A (zh) 2016-08-30 2022-05-01 美商康寧公司 用於片材接合的矽氧烷電漿聚合物
JP6981812B2 (ja) * 2016-08-31 2021-12-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TWI810161B (zh) 2016-08-31 2023-08-01 美商康寧公司 具以可控制式黏結的薄片之製品及製作其之方法
CN107857480A (zh) * 2016-09-21 2018-03-30 旭硝子株式会社 玻璃板和玻璃基板的制造方法
CN111615567B (zh) 2017-12-15 2023-04-14 康宁股份有限公司 用于处理基板的方法和用于制备包括粘合片材的制品的方法
CN109461844B (zh) 2018-10-09 2020-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 柔性基板的制造方法
CN113079600B (zh) * 2020-01-06 2023-01-24 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 复合材料、电器和制备复合材料的方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5200538B2 (ja) * 2005-08-09 2013-06-05 旭硝子株式会社 薄板ガラス積層体及び薄板ガラス積層体を用いた表示装置の製造方法
WO2011034034A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの製造方法及びガラスフィルムの処理方法並びにガラスフィルム積層体
WO2012060199A1 (ja) * 2010-11-05 2012-05-10 旭硝子株式会社 積層体、支持板付き表示装置用パネル、表示装置用パネル、および表示装置
JP2013172033A (ja) * 2012-02-21 2013-09-02 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 分離方法及び積層構造体
CN104349894B (zh) * 2012-05-29 2016-06-08 旭硝子株式会社 玻璃层叠体和电子器件的制造方法
JP6176067B2 (ja) * 2013-11-11 2017-08-09 旭硝子株式会社 ガラス積層体および電子デバイスの製造方法
JP6119567B2 (ja) * 2013-11-11 2017-04-26 旭硝子株式会社 ガラス積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI827806B (zh) * 2019-02-26 2024-01-01 日商Ａｇｃ股份有限公司 濾光器、濾光器之搬送支撐體、濾光器之製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015163134A1 (ja) 2015-10-29
CN106232351A (zh) 2016-12-14
KR20160146712A (ko) 2016-12-21
TWI647099B (zh) 2019-01-11
JPWO2015163134A1 (ja) 2017-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI647099B (zh) Glass laminate and method of manufacturing electronic device
TWI622493B (zh) Method for manufacturing glass laminate and method for manufacturing electronic device
TWI645979B (zh) Glass laminate and method of manufacturing electronic device
TWI465409B (zh) 玻璃膜的製造方法與玻璃膜的處理方法以及玻璃膜積層體
TWI580566B (zh) A manufacturing method of an electronic device, and a method for manufacturing a glass laminate
JP2013184346A (ja) ガラス積層体、電子デバイスの製造方法
WO2012144499A1 (ja) 積層体、その製造方法及び用途
JP6136909B2 (ja) 樹脂層付き支持基板の製造方法、ガラス積層体の製造方法、電子デバイスの製造方法
TWI720817B (zh) 載體基板、積層體、電子裝置之製造方法
JP7070425B2 (ja) 積層基板および電子デバイスの製造方法
JP6943249B2 (ja) 積層体、電子デバイスの製造方法、積層体の製造方法
KR20150065606A (ko) 전자 디바이스의 제조 방법
TW201704020A (zh) 玻璃積層體及電子裝置之製造方法
WO2016017649A1 (ja) ガラス積層体、無機層付き支持基板、電子デバイスの製造方法及び、無機層付き支持基板の製造方法
TW201601902A (zh) 附有樹脂層之支持基板及其製造方法、玻璃積層體、與電子裝置之製造方法
JP2017164903A (ja) ガラス積層体、無機層付き支持基板、電子デバイスの製造方法、無機層付き支持基板の製造方法