TW201544637A - 用以滿足具有改良之流動不均勻性／氣體傳導性之可變處理容積的對稱腔室本體設計架構 - Google Patents

用以滿足具有改良之流動不均勻性／氣體傳導性之可變處理容積的對稱腔室本體設計架構 Download PDF

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Abstract

本揭示案一般相關於具有模組性設計的處理腔室，以提供多種處理容積及改良的流動傳導性及均勻性。根據本揭示案的模組性設計以簡化的腔室結構達成改良的處理均勻性及對稱性。模組性設計根據本揭示案進一步藉由取代模組性處理腔室中的一個或更多個模組，而提供實施多種處理或處理多種大小的基板的彈性。

Description

用以滿足具有改良之流動不均勻性/氣體傳導性之可變處理容積的對稱腔室本體設計架構
本揭示案的實施例相關於用於處理半導體基板的設備及方法。更特定地，本揭示案之實施例相關於具有模組性設計的處理腔室，以提供多種處理容積及改良的流動傳導性及均勻性。
電子裝置(例如平板顯示器及積體電路)一般由一系列的處理製成，在處理中於基板上沉積層且所沉積材料被蝕刻成所欲圖案。該等處理一般包含：物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)、電漿增強化學氣相沉積(PECVD)、及其他電漿處理。特定地，電漿處理包含供應處理氣體混合物至真空腔室，且應用射頻電源(RF power)以激發處理氣體進入電漿狀態。電漿將氣體混合物分解為可實施所欲沉積或蝕刻處理的離子種類。
在電漿處理期間遭遇的一個問題係相關聯於處理期間建立遍及基板表面的均勻電漿密度之困難度，而導致基板的中央區域及邊緣區域之間的不均勻處理。可藉由自然電流中的偏斜(skew)、氣體流動、及導因於物理處理腔室設計中的非對稱性之熱分佈而造成建立均勻電漿密度中的困難度。該等偏斜不僅導致不均勻的電漿密度，也使得使用其他處理變數或「旋鈕(knobs)」以控制中央至邊緣電漿均勻性為困難的。
針對不同處理的最佳處理參數(例如處理容積、基板及氣體分佈噴淋頭之間的距離)一般為不同的。例如，在蝕刻導體層、蝕刻介電層或剝除光阻層時，需要不同的處理容積。為了滿足不同處理，可需要多個處理腔室而增加所有權的成本。
因此，有針對致能多種處理容積、改良的流動傳導性、及改良的處理均勻性的處理腔室的需求。
本揭示案之實施例相關於具有模組性設計的處理腔室，以提供多種處理容積、改良的流動傳導性、及改良的處理均勻性。
一個實施例提供用於處理一基板的設備。該設備包括：一處理模組，該處理模組封閉一處理區域；及一流動模組，該流動模組接合至該處理模組。該流動模組界定排氣通道及一大氣容積。該等排氣通道連接該處理模組之該處理區域及接合至該流動模組的一排放系統。該設備進一步包含一基板支撐組件，該基板支撐組件包括一支撐板及一軸件。該 支撐板設置於該處理區域中，以支撐在該處理區域中的一基板，且該軸件由該處理模組的該處理區域延伸至該流動模組的該大氣容積。
另一實施例提供用於提供對稱流動路徑至處理腔室的流動模組。該流動模組包含：一外壁，該外壁被塑形以連接該處理腔室的一腔室本體；一內壁；兩對或更多對徑向壁，該等兩對或更多對徑向壁於該外壁及該內壁之間連接；及一底壁。該等兩對或更多對徑向壁的該內壁及該外壁之間界定兩個或更多個排氣通道。該底壁耦合至該內壁及該等兩對或更多對徑向壁。藉由該內壁、該底壁、及該等兩對或更多對徑向壁界定一大氣容積。
另一實施例提供電漿處理腔室。該電漿處理腔室包含：一處理模組，該處理模組包括：一腔室本體，該腔室本體封閉一處理容積；一基板支撐組件，該基板支撐組件沿著一中央軸設置。該電漿處理腔室進一步包含一來源模組，設置該來源模組覆蓋於該處理腔室上方的該腔室本體。該來源模組包括相對於該基板支撐組件的一上方電極。該電漿處理腔室進一步包含設置於該處理模組下方的流動模組及及接合至該流動模組的排放模組。該流動模組界定排氣通道及一大氣容積。該等排氣通道連接至該處理模組之該處理區域。該大氣容積接收該基板支撐組件的一軸件。該排放模組與該流動模組的該等排氣通道流體溝通。
100‧‧‧電漿處理腔室
102‧‧‧來源模組
104‧‧‧處理模組
106‧‧‧流動模組
107‧‧‧高度
108‧‧‧排放模組
110‧‧‧中央軸
112‧‧‧處理區域
114‧‧‧排氣通道
116‧‧‧基板
118‧‧‧基板支撐組件
120‧‧‧上方電極
122‧‧‧絕緣器
124‧‧‧射頻電源
126‧‧‧氣體入口管
128‧‧‧噴淋頭板
130‧‧‧熱傳輸板
132‧‧‧氣體來源
134‧‧‧凸緣
136‧‧‧凸緣
138‧‧‧螺栓
140‧‧‧腔室本體
142‧‧‧狹縫閥開口
144‧‧‧狹縫閥
146‧‧‧上方襯墊組件
148‧‧‧開口
150‧‧‧冷卻通道
152‧‧‧密封
154‧‧‧底盤
154a‧‧‧下方表面
154b‧‧‧溝槽
156‧‧‧密封
158‧‧‧中央開口
160‧‧‧外壁
162‧‧‧內壁
164‧‧‧徑向壁
164a‧‧‧上方表面
164b‧‧‧溝槽
166‧‧‧底壁
168‧‧‧大氣容積
170‧‧‧穿孔
172‧‧‧射頻接地墊片
174‧‧‧支撐板
176‧‧‧底板
178‧‧‧中空軸件
180‧‧‧對稱流動閥
182‧‧‧真空幫浦
184‧‧‧風箱
186‧‧‧電極
187‧‧‧偏壓電源
188‧‧‧加熱元件
189‧‧‧加熱電源
190‧‧‧冷卻通道
191‧‧‧冷卻流體來源
192‧‧‧致動器組件
194‧‧‧升降銷致動器
196‧‧‧升降銷
198‧‧‧電漿螢幕
199‧‧‧基板支撐襯墊
202‧‧‧凸緣
204‧‧‧對齊孔洞
206‧‧‧對齊孔洞
208‧‧‧溝槽
210‧‧‧對齊孔洞
302‧‧‧碟狀本體
304‧‧‧翼部
306‧‧‧升降銷孔洞
308‧‧‧踏板
310‧‧‧對齊孔洞
400‧‧‧腔室組件
402‧‧‧處理模組
403‧‧‧基板支撐組件
404‧‧‧流動模組
406‧‧‧高度
408‧‧‧直徑
410‧‧‧腔室組件
412‧‧‧流動模組
414‧‧‧高度
420‧‧‧腔室組件
422‧‧‧處理模組
424‧‧‧直徑
426‧‧‧基板支撐組件
於是上述本揭示案特徵的方式可以詳細理解，可藉 由參考實施例而具有本揭示案的更特定描述(簡短總結如上)，其中一些圖示於所附圖式中。然而，注意所附圖式僅圖式本揭示案典型的實施例，因此不考慮限制其範圍，因為本揭示案可允許其他等效實施例。
第1A圖為根據本揭示案的一個實施例之電漿處理腔室之示意截面視圖。
第1B圖為第1A圖之電漿處理腔室之示意部分分解視圖，展示了處理模組及流動模組。
第1C圖為移除基板支撐組件的處理模組及流動模組之示意俯視視圖。
第2A圖為根據本揭示案的一個實施例之流動模組之示意透視俯視視圖。
第2B圖為第2A圖之流動模組之示意透視仰視視圖。
第3圖為根據本揭示案的一個實施例之底盤之示意透視視圖。
第4A至4C圖為根據本揭示案的實施例之由多種模組組裝的處理腔室的示意截面視圖。
為了便於理解，盡可能使用相同元件符號，以標示圖式中常見的相同元件。思量揭露於一個實施例中的元件可有利地利用於其他實施例，而無須特定敘述。
本揭示案一般相關於具有模組性設計的處理腔室，以提供多種處理容積、改良的流動傳導性、及/或處理均勻性。 根據本揭示案的模組性設計以簡化的腔室結構達成改良的處理均勻性及對稱性。模組性設計進一步藉由取代模組性處理腔室的一個或更多個模組，而提供針對實施多種處理或處理多種大小的基板的彈性。
第1A圖為根據本揭示案的一個實施例之電漿處理腔室100之示意截面視圖。電漿處理腔室100可為電漿蝕刻腔室、電漿加強化學氣相沉積腔室、物理氣相沉積腔室、電漿加工腔室、離子佈植腔室、或其他合適的真空處理腔室。
電漿處理腔室100可由多個模組組裝成。模組性設計致能電漿處理腔室100符合多種處理需求。如第1A圖中所展示，電漿處理腔室100可包含來源模組102、處理模組104、流動模組106、及排放模組108。來源模組102、處理模組104及流動模組106整體封閉出處理區域112。在操作期間，可放置基板116於基板支撐組件118上且曝露於處理環境，例如處理區域112中產生的電漿。可在電漿處理腔室100中實施的示範性處理可包含蝕刻、化學氣相沉積、物理氣相沉積、佈植、電漿退火、電漿加工、減量(abatement)或其他電漿處理。可藉由自排放模組108經由排氣通道114之吸力而維持處理區域112中的真空，排氣通道114由流動模組106界定。
處理區域112及排氣通道114實質繞著中央軸110對稱，以提供對稱電流、氣體流動、及熱流動以建立均勻的處理條件。
在一個實施例中，如第1A圖中所展示，來源模組102可為電容耦合電漿來源。來源模組102可包含上方電極 120(或正極)，上方電極120藉由絕緣器122與處理模組104絕緣且受處理模組104支撐。上方電極120可包含接合至熱傳輸板130的噴淋頭板128。上方電極120可經由氣體入口管126連接至氣體來源132。噴淋頭板128、熱傳輸板130、及氣體入口管126全部可由射頻(RF)傳導性材料製成，例如鋁或不鏽鋼。上方電極120可經由傳導性氣體入口管126耦合至RF電源124。傳導性氣體入口管126可與電漿處理腔室100的中央軸110同軸，使得對稱提供RF電源及處理氣體兩者。
雖然上方描述係電容性電漿來源，來源模組102可為根據處理需求之任何合適的氣體/電漿來源。例如，來源模組102可為電感性耦合電漿來源、遠距電漿來源、或微波電漿來源。
處理模組104耦合至來源模組102。處理模組104可包含封閉處理區域112的腔室本體140。腔室本體140可由對處理環境具阻抗之傳導性材料製成，例如鋁或不鏽鋼。基板支撐組件118可於腔室本體140內中央地設置，且放置以在繞著中央110對稱的處理區域112中支撐基板116。
可穿過腔室本體140形成狹縫閥開口142，以允許基板116的通路。可設置狹縫閥144於腔室本體140外部，以選擇地開啟及關閉狹縫閥開口142。
在一個實施例中，可設置上方襯墊組件146於腔室本體140的上方部分內而屏蔽腔室本體140隔絕處理環境。上方襯墊組件146可包含對應於形成於腔室本體140中的狹縫閥開口142之開口148。在一個實施例中，上方襯墊組件 146可包含繞著中央軸110對稱形成的兩個或更多個開口148，以補償由狹縫閥開口142造成的腔室本體140的不對稱性，因此產生電漿處理腔室100內的處理區域112中的對稱性。例如，上方襯墊組件146可為具有三個相互間隔120度而形成的相同開口148的圓柱壁。上方襯墊組件146可由導電的、處理可相容的材料組成，例如鋁、不鏽鋼、及/或氧化釔(例如，塗覆鋁的氧化釔)。
在一個實施例中，可在腔室本體140中形成冷卻通道150，以對腔室本體140及上方襯墊組件146提供溫度控制，以加強電漿處理腔室100內的熱對稱性及處理區域112中提供之電漿的對稱性。
流動模組106接合至處理模組104。流動模組106提供處理模組104中界定的處理區域112及排放模組108之間的流動路徑。流動模組106也提供基板支撐組件118及電漿處理腔室100外部的大氣環境之間的介面。
第1B圖為電漿處理腔室100之示意部分分解視圖，展示了處理模組104及流動模組106的組件。第1C圖為移除基板支撐組件118的處理模組104及流動模組106之示意俯視視圖。流動模組106具有高度107。高度107可根據處理需求所要求的多種容積的垂直移動量或程度來選擇。根據地，在建造用於特定處理的處理腔室時，可選擇具有合適高度的流動模組以符合處理需求。在配置用於不同處理的處理腔室時，可針對具有不同高度的另一流動模組交換流動模組。
流動模組106包含外壁160、內壁162、於內壁162 及外壁160之間連接的兩對或更多對徑向壁164、接合至內壁162及兩對或更多對徑向壁164的底壁166。外壁160包含形成於各對徑向壁164之間的兩個或更多個穿孔170。可密封地設置底盤154覆蓋於內壁162及兩對或更多對徑向壁164。穿孔170連接由內壁162界定的大氣容積106與外部環境，因此接納設施連接，例如電性連接、氣體連接、冷卻流體連接。底盤154可包含用於接收基板支撐組件118的中央開口158。
流動模組106的外壁160被塑形以匹配處理模組104的腔室本體140。在一個實施例中，外壁160可包含對應於腔室本體140上的凸緣134的凸緣136。可使用複數個螺栓138以固定凸緣134及凸緣136以耦合流動模組106至處理模組104。在一個實施例中，可於腔室本體140的凸緣134及外壁160的凸緣136之間設置密封152，以形成其間的真空密封。密封152可為O型環或其他類型的密封。在一個實施例中，針對均勻且對稱的RF接地返回路徑，可設置RF接地墊片172於流動模組106及處理模組104之間，以提供其間的固體接觸。
內壁162、底壁166、徑向壁164及底盤154將外壁160內部的容積分割成排氣通道114及大氣容積168。排氣通道114連接處理模組104的處理區域112。底盤154的下方表面154a可包含溝槽154b，溝槽154b匹配形成於內壁160的上方表面164a及兩對或更多對徑向壁164上的溝槽164b(展示於第1C圖中)。可設置密封156於溝槽154b、164b中以提供排氣通道114及大氣容積168之間的真空密封。密封156 可為O型環或其他類型的密封。
外壁160及內壁162可被安置為同心地圓柱壁。在已組裝時，外壁160及內壁162的中央軸與電漿處理腔室100的中央軸110相符。兩對或更多對徑向壁164被安置於內壁162及外壁160之間，以將內壁162及外壁160之間的空間分割成排氣通道114及穿孔170。在一個實施例中，安置兩對或更多對徑向壁164使得排氣通道114繞著中央軸110對稱。如第1C圖中所展示，流動模組106可包含相互間隔120度設置而形成對稱於中央軸110的三個排氣通道114的三對徑向壁164。排氣通道114的對稱安置促使氣體由處理區域112對稱移除，而造成跨過基板116的氣體對稱流動。此外，排氣通道114及徑向壁164的對稱位置促成電漿處理腔室100中的熱分佈及電性傳導性中的對稱性。
排放模組108包含對稱流動閥180及接合至對稱流動閥180的真空幫浦182。對稱流動閥180連接至排氣通道114以提供電漿處理腔室100中的對稱且均勻的流動。
基板支撐組件118沿著中央軸110放置，以將基板116繞著中央軸110對稱放置。基板支撐組件118受底盤154支撐。基板支撐組件118包含支撐板174、設置於處理區域112中的底板176、及穿過底盤154的中央開口158設置的中空軸件178。風箱184可連接於底板176及底盤154之間且環繞中空軸件178。風箱184允許基板支撐組件118沿著中央軸110垂直移動，且提供流動模組106中的大氣容積168及處理模組104中的處理區域112之間的真空密封。
支撐板174可為具有夾具電極186的靜電吸座。支撐板174也可包含處理期間用於加熱基板116的加熱元件188。底板176可包含形成於底板176中的冷卻通道190。夾具電極186可穿過中空軸件178、大氣容積168及其中一個穿孔170而連接至偏壓電源187。加熱元件188可穿過中空軸件178、大氣容積168及其中一個穿孔170而連接至加熱電源189。冷卻通道190可穿過中空軸件178、大氣容積168及其中一個穿孔170而連接至冷卻流體來源191。
在一個實施例中，致動器組件192可耦合至中空軸件178以垂直移動基板支撐組件118。可設置致動器組件192於大氣容積168中。可設置升降銷致動器194於大氣容積168中以移動升降銷196。
可設置電漿螢幕198於處理區域112及排氣通道114之間，以限制電漿於處理區域112內。可繞著基板支撐組件118設置基板支撐襯墊199，以屏蔽基板支撐組件118免於處理化學。
在操作期間，來自氣體來源132的一個或更多個處理氣體可經由噴淋頭板128進入處理區域112。可應用RF電源於上方電極120及基板支撐組件118之間，以點火及維持處理區域112中的一個或更多個處理氣體。藉由電漿處理設置於基板支撐組件118上的基板116。可連續供應一個或更多個處理氣體至處理區域112，且真空幫浦182經由對稱流動閥180及流動模組106操作以產生覆蓋基板116的對稱及均勻氣體流動。
藉由將處理區域112及排氣通道114界定於分開的模組中，本揭示案之實施例以簡化的腔室結構提供均勻及對稱的處理環境，因而減低製造成本。
第2A圖為根據本揭示案的一個實施例之流動模組106之示意透視俯視視圖。第2B圖為流動模組106之示意透視仰視視圖。外壁160可包含上方端處的凸緣136以連接處理模組104及下方端處的凸緣202以連接排放模組108。可沿著凸緣136及凸緣202均勻分佈對齊孔洞204、206以個別對齊處理模組及排放模組。可於凸緣136上形成溝槽208以接收密封。可形成一個或更多個對齊孔洞210於上方表面164a上以對齊底盤，例如底盤154。
第3圖為根據本揭示案的一個實施例之底盤154之示意透視視圖。底盤154提供流動模組(例如流動模組106)及基板支撐組件(例如基板支撐組件118)之間的介面。底盤154可包含具有向外延伸的翼部304之碟狀本體302。底盤154可耦合至流動模組(例如流動模組106)以將流動模組分割成用於排氣的流動通道及連接至外部環境的大氣容積。碟狀本體302包含用於接收基板支撐組件(例如基板支撐組件118)的中央開口158。踏板308可在中央開口158的下方端處形成。踏板308處可固定風箱以達成環繞中央開口158的真空密封。碟狀本體302可具有對應於流動模組106的內壁162之外直徑的一外直徑。翼部306對應於成對的徑向壁164。在一個實施例中，可將三個翼部306間隔120度而放置。可穿過各翼部306以形成升降銷孔洞306以接收其中的基板升降銷。可 穿過各翼部306以形成對齊孔洞310以對齊流動模組106的對齊孔洞210。
除了改良處理對稱性及均勻性以外，本揭示案之實施例也提供彈性。例如，藉由改變一個或更多個模組，電漿處理腔室可經配置以實施多種處理或處理多種大小的基板。
第4A至4C圖為根據本揭示案的實施例之由多種模組組裝的腔室組件的示意截面視圖。腔室組件可組合多種電漿模組及排放模組而形成多種處理腔室。
在第4A圖中，腔室組件400包含處理模組402及流動模組404。處理模組402可相似於上述處理模組104。流動模組404可相似於上述處理模組106。處理模組402可包含經設計以支撐具有直徑408的基板之基板支撐組件403。流動模組404可根據處理需求具有滿足基板的垂直移動範圍或處理模組402中的處理容積之變化度的高度406。
在第4B圖中，腔室組件410被組裝形成處理模組402及流動模組412。流動模組412具有較腔室組件400的流動模組404之高度406矮的高度414。在處理需要較矮高度的基板垂直動作或基板不會垂直移動時，可使用帶有較矮高度的流動模組412。帶有較矮高度的流動模組412佔據較少空間，因而提供技術優勢。基板不會垂直移動的流動模組412可顯著地減低系統之共謀關係，因而減低製造及維護的成本。
在第4C圖中，腔室組件420被組裝形成處理模組422及流動模組412。處理模組422包含經設計以支撐具有直徑424的基板之基板支撐組件426。直徑424較處理模組402 的直徑408大。藉由選擇設計用於較大基板的處理模組，可使用腔室組件420以處理較大基板而不需要增加其他模組的直徑。此允許使用針對較大基板的相對較小容積，因此，不僅減低腔室成本，也減低幫浦大小需求且減低允許較大基板生產量的抽吸次數。
儘管描述本揭示案的實施例相關聯於電容性耦合電漿腔室，可使用本揭示案的實施例以改良任何處理腔室中的對稱性及減低偏斜。
前述係本揭示案之實施例，可修改本揭示案之其他及進一步的實施例而不遠離其基本範圍，且該範圍由隨後的申請專利範圍來決定。
100‧‧‧電漿處理腔室
102‧‧‧來源模組
104‧‧‧處理模組
106‧‧‧流動模組
107‧‧‧高度
108‧‧‧排放模組
110‧‧‧中央軸
112‧‧‧處理區域
114‧‧‧排氣通道
116‧‧‧基板
118‧‧‧基板支撐組件
120‧‧‧上方電極
122‧‧‧絕緣器
124‧‧‧射頻電源
126‧‧‧氣體入口管
128‧‧‧噴淋頭板
130‧‧‧熱傳輸板
132‧‧‧氣體來源
140‧‧‧腔室本體
142‧‧‧狹縫閥開口
144‧‧‧狹縫閥
146‧‧‧上方襯墊組件
148‧‧‧開口
150‧‧‧冷卻通道
152‧‧‧密封
154‧‧‧底盤
156‧‧‧密封
158‧‧‧中央開口
160‧‧‧外壁
162‧‧‧內壁
164‧‧‧徑向壁
166‧‧‧底壁
168‧‧‧大氣容積
170‧‧‧穿孔
172‧‧‧射頻接地墊片
174‧‧‧支撐板
176‧‧‧底板
178‧‧‧中空軸件
180‧‧‧對稱流動閥
182‧‧‧真空幫浦
184‧‧‧風箱
186‧‧‧電極
187‧‧‧偏壓電源
188‧‧‧加熱元件
189‧‧‧加熱電源
190‧‧‧冷卻通道
191‧‧‧冷卻流體來源
192‧‧‧致動器組件
194‧‧‧升降銷致動器
196‧‧‧升降銷
198‧‧‧電漿螢幕
199‧‧‧基板支撐襯墊

Claims (20)

  1. 一種用於處理一基板的設備，包括：一處理模組，該處理模組封閉一處理區域；一流動模組，該流動模組連接至該處理模組，其中該流動模組界定排氣通道及一大氣容積，且該等排氣通道連接該處理模組之該處理區域及接合至該流動模組的一排放系統；及一基板支撐組件，該基板支撐組件包括一支撐板及一軸件，其中該支撐板設置於該處理區域中，以支撐在該處理區域中的一基板，且該軸件由該處理模組的該處理區域延伸至該流動模組的該大氣容積。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該流動模組包括：一外壁；一內壁；兩對或更多對徑向壁，該等兩對或更多對徑向壁於該外壁及該內壁之間連接，其中藉由該等兩對或更多對徑向壁於該內壁及該外壁之間界定該等排氣通道；及一底壁，該底壁耦合至該內壁及該等兩對或更多對徑向壁，其中藉由該內壁、該底壁、及該等兩對或更多對徑向壁界定該大氣容積。
  3. 如請求項2所述之設備，其中該外壁包含兩個或更多個穿孔，且各穿孔位於一對徑向壁之間。
  4. 如請求項2所述之設備，其中該外壁及該內壁同心繞著一中央軸，且該基板支撐組件沿著該中央軸設置。
  5. 如請求項4所述之設備，其中該外壁及該內壁實質為圓柱狀。
  6. 如請求項5所述之設備，其中該等兩對或更多對徑向壁於該內壁及該外壁之間均勻地分佈，且其中該等排氣通道繞著該中央軸對稱。
  7. 如請求項2所述之設備，進一步包括：一底盤，設置該底盤覆蓋於該流動模組的該內壁及該等兩對或更多對徑向壁，該底盤包含一中央開口，該中央開口經配置以接收該基板支撐組件的該軸件。
  8. 如請求項7所述之設備，其中該底盤包括一碟狀本體，該碟狀本體具有向外延伸的翼部。
  9. 如請求項1所述之設備，進一步包括：一來源模組，設置該來源模組覆蓋於該處理模組，其中該來源模組經配置以傳遞一個或更多個處理氣體至該處理區域。
  10. 如請求項1所述之設備，進一步包括一射頻(RF)墊片，該RF墊片設置於該處理模組及該流動模組之間。
  11. 一種在一處理腔室中用於提供對稱流動路徑的流動模組，該流動模組包括：一外壁，該外壁被塑形以連接該處理腔室的一腔室本體；一內壁；兩對或更多對徑向壁，該等兩對或更多對徑向壁連接該外壁及該內壁，其中藉由該等兩對或更多對徑向壁於該內壁及該外壁之間界定兩個或更多個排氣通道；及一底壁，該底壁耦合至該內壁及該等兩對或更多對徑向壁，其中藉由該內壁、該底壁、及該等兩對或更多對徑向壁界定一大氣容積。
  12. 如請求項11所述之流動模組，其中該外壁包含兩個或更多個穿孔，各穿孔位於一對徑向壁之間。
  13. 如請求項11所述之流動模組，其中該外壁及該內壁同心繞著一中央軸。
  14. 如請求項13所述之流動模組，其中該外壁及該內壁實質為圓柱狀。
  15. 如請求項14所述之流動模組，其中該等兩對或更多對徑 向壁於該內壁及該外壁之間均勻地分佈，且該等排氣通道繞著該中央軸對稱。
  16. 如請求項11所述之流動模組，進一步包括：一底盤，設置該底盤覆蓋於該內壁及該等兩對或更多對徑向壁，該底盤包含一中央開口，該中央開口經配置以接收一基板支撐組件的一軸件。
  17. 如請求項16所述之流動模組，其中該底盤包括一碟狀本體，該碟狀本體具有向外延伸的翼部。
  18. 一種電漿處理腔室，包括：一處理模組，該處理模組包括：一腔室本體，該腔室本體封閉一處理容積；及一基板支撐組件，該基板支撐組件沿著一中央軸設置；一來源模組，設置該來源模組覆蓋於該處理腔室上方的該腔室本體，其中該來源模組；一流動模組，該流動模組設置於該處理模組下方，其中該流動模組界定排氣通道及一大氣容積，且該等排氣通道連接該處理模組之該處理區域，且該大氣容積接收該基板支撐組件的一軸件；及一排放模組，該排放模組接合至該流動模組，其中該排放模組與該流動模組的該等排氣通道流體溝通。
  19. 如請求項18所述之電漿處理腔室，其中該流動模組包括：一外壁；一內壁；兩對或更多對徑向壁，該等兩對或更多對徑向壁連接該外壁及該內壁，其中藉由該等兩對或更多對徑向壁於該內壁及該外壁之間界定該等排氣通道；及一底壁，該底壁耦合至該內壁及該等兩對或更多對徑向壁，藉由該內壁、該底壁、及該等兩對或更多對徑向壁界定該大氣容積。
  20. 如請求項19所述之電漿處理腔室，進一步包括一RF墊片，該RF墊片設置於該處理模組的該腔室本體及該流動模組的該外壁之間。
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