TW201541629A - Oled發光裝置及其製造方法 - Google Patents
Oled發光裝置及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201541629A TW201541629A TW103120090A TW103120090A TW201541629A TW 201541629 A TW201541629 A TW 201541629A TW 103120090 A TW103120090 A TW 103120090A TW 103120090 A TW103120090 A TW 103120090A TW 201541629 A TW201541629 A TW 201541629A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- planarization layer
- electrode
- oled
- light
- bent portion
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 18
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 15
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 8
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 6
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 or the like Chemical compound 0.000 description 5
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 4
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I antimony(5+);pentachloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)(Cl)(Cl)Cl VMPVEPPRYRXYNP-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 150000001716 carbazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O diazynium Chemical class [NH+]#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- MORCTKJOZRLKHC-UHFFFAOYSA-N lithium;oxoboron Chemical compound [Li].O=[B] MORCTKJOZRLKHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 2
- 238000010023 transfer printing Methods 0.000 description 2
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 2
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CZOITHITCAIDAB-UHFFFAOYSA-N [O-2].[K+].[O-2].[Ce+3] Chemical compound [O-2].[K+].[O-2].[Ce+3] CZOITHITCAIDAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N azanylidynecerium Chemical compound [Ce]#N BCZWPKDRLPGFFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- ZIPBZEQFCVWIQB-UHFFFAOYSA-N potassium strontium oxygen(2-) Chemical compound [K+].[O-2].[Sr+2] ZIPBZEQFCVWIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
- F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
- F21S2/005—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction of modular construction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
- H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
- H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2105/00—Planar light sources
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
- F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公開涉及一種OLED發光裝置及其製造方法。一種OLED發光裝置包括：一基板；一平坦化層，位于所述基板上，其中所述平坦化層具有複數個彼此間隔開的彎曲部；以及複數個發光單元，位於所述平坦化層上，每一所述複數個發光單元位于所述彎曲部上且具有與所述彎曲部相應的形狀，其中每一所述複數個發光單元包括：一第一電極；一發光結構，位於所述第一電極上；以及一第二電極，位於所述發光結構上。本公開通過在發光單元與平坦化層的接觸處設置彎曲部，將發光單元由平坦表面變更爲彎曲表面，大幅度提高有機發光二極體的開口率，增大發光面積，從而提高有機二極體的發光亮度，降低功耗並延長産品使用壽命。
Description
本公開涉及一種發光裝置，特別涉及一種OLED發光裝置及其製造方法。
OLED(Organic Light Emitting Diode 有機發光二極體)是有機電致發光裝置，其通過將有機發光材料夾在透明陽極和金屬反射陰極之間，對有機薄膜施加電壓來進行發光，既可以用作顯示裝置也可以用作照明裝置。
OLED 的發光單元主要由金屬陰極、電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層、空穴注入層和透明陽極組成。因爲OLED 發光面是由複數個有效發光單元和像素定義層構成的，並不是整個表面均能發光，因此才有開口率概念。開口率是指有效發光單元的表面積和整個發光面的面積的比值。一般來講，對於照明OLED産品，開口率一般在80%以上。而對於OLED顯示産品，因爲在其表面除了像素定義層還有像素存儲電容和TFT，因此開口率一般在50%左右。
圖1示出了一種傳統OLED發光裝置的結構，OLED主要包括基板1、平坦化層2、發光單元3和像素定義層4。發光單元3和像素定義層4設置在平坦化層2上，發光單元3的表面爲平坦表面。
爲了提高OLED的亮度，通常採用的做法是提高有機材料的發光效率，或者提高開口率。提高有機材料的發光效率需要進行很多試驗，優化出最佳的發光器件結構，並且發光效率的提高有一個限度。而提高OLED的開口率需要减小輔助電極、TFT、電容等不發光面的面積。目前一般來講開口率最高只能做到60%左右，而現在OLED作爲一種常用的照明以及顯示材料，具有較大的使用量，因此目前的OLED的開口率不太能滿足使用的需求。
另外，當OLED顯示面板分辨率愈高時，像素的開口面積會愈小，像素亮度也會降低。
因此，需要一種在不降低分辨率的情况下能够提高像素亮度的裝置和方法。
在所述背景技術部分公開的上述信息僅用於加强對本公開的背景的理解，因此它可以包括不構成對本領域普通技術人員已知的現有技術的信息。
針對上述問題，發明人經過長期的深入研究，在發光單元與基板之間設置包含彎曲部的平坦化層，從而增大發光面積，提高發光亮度。
根據本公開的一方面，提供一種OLED發光裝置，包括： 一基板； 一平坦化層，位于所述基板上，其中所述平坦化層具有複數個彼此間隔開的彎曲部；以及 複數個發光單元，位於所述平坦化層上，每一所述複數個發光單元位于所述彎曲部上且具有與所述彎曲部相應的形狀，其中每一所述複數個發光單元包括： 一第一電極； 一發光結構，位於所述第一電極上；以及 一第二電極，位於所述發光結構上。
根據本公開的一個示範實施方式，更包括一像素定義層，位於相鄰的所述彎曲部之間。
根據本公開的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層上的凸出部。
根據本公開的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部與所述平坦化層包括相同材料。
根據本公開的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部與所述平坦化層一體形成。
根據本公開的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部包括一光致抗蝕劑材料。
根據本公開的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層中的凹陷部。
根據本公開的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部具有多重凹凸狀表面。
根據本公開的另一個示範實施方式，其中所述第一電極和所述第二電極之一爲陽極，且另一個爲陰極。
根據本公開的另一方面，提供一種OLED發光裝置的製造方法，包括： 在一基板之上形成一平坦化層，其中所述平坦化層上包括複數個彼此間隔開的彎曲部； 在所述彎曲部上形成一第一電極；以及 在所述第一電極上形成一發光結構及一第二電極。
根據本公開製造方法的一個示範實施方式，更包括在形成所述第一電極之後形成一像素定義層，所述像素定義層位於相鄰的所述彎曲部之間並暴露出所述第一電極的至少部分表面。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層上的凸出部。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部與所述平坦化層包括相同材料。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部與所述平坦化層一體形成。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部包括光致抗蝕劑材料。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中形成所述平坦化層上複數個彼此間隔開的所述彎曲部的步驟包括： 利用灰度掩模對所述平坦化層執行一光刻工藝；以及 對所述平坦化層執行一顯影工藝，並進行烘烤固化，從而形成所述彎曲部。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層中的凹陷部。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中形成所述平坦化層上複數個彼此間隔開的所述彎曲部的步驟包括： 利用灰度掩模對所述平坦化層執行一光刻工藝；以及 對所述平坦化層執行一顯影工藝，並進行烘烤固化，從而形成所述彎曲部。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中所述彎曲部具有多重凹凸狀表面。
根據本公開製造方法的另一個示範實施方式，其中形成所述平坦化層上複數個彼此間隔開的所述彎曲部的步驟包括： 利用灰度掩模對所述平坦化層執行一光刻工藝；以及 對所述平坦化層執行一顯影工藝，並進行烘烤固化，從而形成所述彎曲部。
本公開通過在發光單元與平坦化層的接觸處設置彎曲部，將發光單元由平坦表面變更爲彎曲表面，大幅度提高有機發光二極體的開口率，增大發光面積，從而提高有機二極體的發光亮度，降低功耗並延長産品使用壽命。
現在將參考附圖更全面地描述示例實施方式。然而，示例實施方式能够以多種形式實施，且不應被理解爲限於在此闡述的實施方式；相反，提供這些實施方式使得本公開將全面和完整，並將示例實施方式的構思全面地傳達給本領域的技術人員。在圖中，爲了清晰，誇大了區域和層的厚度。在圖中相同的附圖標記表示相同或類似的結構，因而將省略它們的詳細描述。
所描述的特徵、結構或特性可以以任何合適的方式結合在一個或更多實施方式中。在下面的描述中，提供許多具體細節從而給出對本公開的實施方式的充分理解。然而，本領域技術人員將意識到，可以實踐本公開的技術方案而沒有所述特定細節中的一個或更多，或者可以採用其它的方法、組元、材料等。在其它情况下，不詳細示出或描述公知結構、材料或者操作以避免模糊本公開的各方面。
現參照圖2，以說明依據本公開一個實施方式的OLED顯示裝置。
如圖2所示，其示出OLED顯示裝置100，具有基板102。基板102可包括如玻璃、塑膠或陶瓷的透明絕緣材料。
在基板102上設置有平坦化層104。平坦化層104可通過如旋轉塗布法形成。平坦化層104的材料爲例如光致抗蝕劑材料或旋塗玻璃(spin on glass，SOG)，且其材料皆可作光刻工藝。
平坦化層104上設置有具有複數個彼此間隔開的彎曲部104a，彎曲部104a爲形成在平坦化層104上的凸出部，彎曲部104a的一截面整體上具有弧形輪廓。彎曲部104a可爲平坦化層104經過光刻、顯影工藝或者蝕刻工藝後，並進行烘烤固化後形成，可利用例如灰度掩模進行光刻或者刻蝕。彎曲部104a與平坦化層104可包括相同材料或一體形成。彎曲部104a更可包括光致抗蝕劑材料。
平坦化層104上設置有複數個發光單元106，每個發光單元106都位於彎曲部104a上且具有與彎曲部104a相應的形狀。每一複數個發光單元106包括第一電極106a、發光結構106b和第二電極106c。
第一電極106a大體覆蓋了平坦化層104的彎曲部104a，相對使第一電極106a亦具有彎曲表面與平坦化層104的彎曲部104a對應。第一電極可爲陽極或陰極，所採用的導電材料例如爲鋁、銀、鎂、鈀、鉑等金屬材料，或者爲銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)或氧化鋅(ZnO)的金屬氧化物等透光材料，其可單獨地或結合地使用。當器件爲底部發光時，第一電極106a使用如爲鋁、銀、鎂、鈀、鉑等金屬材料時，其示範地具有5~200埃(Å)的厚度，以提供大於50%的透光率。當器件爲頂部發光時，第一電極可結合使用如鋁、銀、鎂、鈀、鉑等金屬材料及銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)或氧化鋅(ZnO)的金屬氧化物，其示範地具有100~3000埃(Å)的厚度。另外，第一電極106a的導電材料可通過濺鍍法、電子束蒸鍍法、熱蒸鍍法、化學氣相鍍膜法及噴霧熱裂解法所形成。
在第一電極106a上設置有發光結構106b和第二電極106c，發光結構106b和第二電極106c均具有彎曲表面與平坦化層104的彎曲部104a對應。
發光結構106b可包括電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和空穴注入層，其中電子注入層可以爲氧化鋰、氧化鋰硼、矽氧化鉀、碳酸銫或鹼金屬氟化物，如氟化鋰、氟化鉀、氟化銫中的一種。
電子傳輸層要求具有較高的電子遷移率、較高的玻璃轉變溫度和熱穩定性、並且可經由熱蒸鍍形成均勻、無微孔的薄膜，可爲噁唑衍生物、金屬螯合物喹啉衍生物、喔啉衍生物、二氮蒽衍生物、二氮菲衍生物、含矽的雜環化合物中的一種。
發光層可包括有機材料或無機材料，例如爲小分子材料、聚合物材料或有機金屬配合物，其可通過熱真空蒸鍍、旋轉塗布、噴墨、雷射轉印或網版印刷等方式形成。
空穴傳輸層要求具有較高的電子遷移率、具有高的熱穩定性並能真空蒸鍍形成無針孔的薄膜；可選取的空穴傳輸材料爲成對偶聯的二胺類化合物，如TPD、TAPC、NPB、β-NPB、α-NPD；三苯胺化合物，如TDAB、TDAPB、PTDATA、spiro-mTTB ；或某些三芳胺聚合物、哢唑類化合物中的一種。
空穴注入層要求與陽極和相鄰的空穴傳輸層的能級匹配度良好，可以爲但不限於CuPc、TNATA、PEDOT。一種示範的方案爲空穴注入層採用P型摻雜結構，將空穴傳輸材料摻雜氧化劑如SbCl5、FeCl3、碘、F4-TCNQ或TBAHA。當然還可以採用量子阱結構等其他任何可以提高空穴注入的結構。
第二電極106c可爲陰極或陽極，所採用的導電材料例如爲鋁、銀、鎂、鈀、鉑的金屬材料，或者爲銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或氧化鋅的金屬氧化物等透光材料，其可單獨地或結合地使用，並可通過濺鍍或蒸鍍等方式形成。
平坦化層104上還設置有像素定義層108，露出第一電極106a與彎曲部104a形狀相應的表面，其材料例如爲氧化矽、氮化矽、氧化氮矽、有機非導電聚合物或其組合，且可通過如物理氣相沉積法、化學氣相沉積法及旋轉塗布的製造方法所形成。像素定義層108位於平坦化層104上的彎曲部之外，並將複數個發光單元106間隔開來。
如此，發光單元106內的第一電極106a、發光結構106b和第二電極106c均具有與彎曲部104a相應的形狀，通過如此的設置型態，有助於提升發光單元106的發光面積，從而提高發光亮度。
現參照圖3，以說明依據本公開另一個實施方式的OLED顯示裝置。
如圖3所示，其示出OLED顯示裝置200，具有基板202。基板202的材料與上一實施方式相同。
在基板202上設置有平坦化層204。平坦化層204的材料及形成方法與上一實施方式相同。
平坦化層204上設置有具有複數個彼此間隔開的彎曲部204a，彎曲部204a爲形成在平坦化層204上的凹陷，彎曲部204a的一截面整體上具有弧形輪廓。彎曲部204a的形成可例如爲在平坦化層204塗布光致抗蝕劑，對光致抗蝕劑進行光刻、顯影工藝或者蝕刻工藝，並進行烘烤固化後形成，可利用例如灰度掩模進行光刻或者刻蝕。
平坦化層204上設置有複數個發光單元206，每個發光單元206都位於彎曲部204a上且具有與彎曲部204a相應的形狀。每一複數個發光單元206包括第一電極206a、發光結構206b和第二電極206c。
第一電極206a大體覆蓋了平坦化層204的彎曲部204a，相對使第一電極206a亦具有彎曲表面與平坦化層204的彎曲部204a對應。第一電極206a的材料與形成方法與上一實施方式相同。
在第一電極206a上設置有發光結構206b和第二電極206c，發光結構206b和第二電極206c均具有彎曲表面與平坦化層204的彎曲部204a對應。發光結構206b和第二電極206c的材料和形成方法與上一實施方式相同。
平坦化層204上還設置有像素定義層208，露出第一電極206a與彎曲部204a形狀相應的表面，像素定義層208位於平坦化層204上的彎曲部之外，並將複數個發光單元206間隔開來。像素定義層208的材料和形成方法與上一實施方式相同。
如此，發光單元206內的第一電極206a、發光結構206b和第二電極206c均具有與彎曲部204a相應的形狀，通過如此的設置型態，有助於提升發光單元206的發光面積，從而提高發光亮度。
現參照圖4，以說明依據本公開另一個實施方式的OLED顯示裝置。
如圖4所示，其示出OLED顯示裝置300，具有基板302。基板302的材料和形成方法與上一實施方式相同。
在基板302上設置有平坦化層304。平坦化層304的材料和形成方法與上一實施方式相同。
平坦化層304上設置有具有複數個彼此間隔開的彎曲部304a，彎曲部304a具有多重凹凸表面，彎曲部304a的一截面整體上具有弧形輪廓。彎曲部304a可爲平坦化層304經過光刻、顯影工藝或者蝕刻工藝後，並進行烘烤固化後形成，可利用例如灰度掩模進行光刻或者刻蝕。
平坦化層304上設置有複數個發光單元306，每個發光單元306都位於彎曲部304a上且具有與彎曲部304a相應的形狀。每一複數個發光單元306包括第一電極306a、發光結構306b和第二電極306c。
第一電極306a大體覆蓋了平坦化層304的彎曲部304a，相對使第一電極306a亦具有與平坦化層304的彎曲部304a相對應的彎曲表面。第一電極306的材料和形成方法與上一實施方式相同。
在第一電極306a上設置有發光結構306b和第二電極306c，發光結構306b和第二電極306c均具有彎曲表面與平坦化層304的彎曲部304a對應。發光結構306b和第二電極306c的材料和形成方法與上一實施方式相同。
平坦化層304上還設置有像素定義層308，露出第一電極306a與彎曲部304a形狀相應的表面，像素定義層308位於平坦化層304上的彎曲部之外，並將複數個發光單元306間隔開來。像素定義層308的材料和形成方法與上一實施方式相同。
如此，發光單元306內的第一電極306a、發光結構306b和第二電極306c均具有與彎曲部304a相應的形狀，通過如此的設置型態，有助於提升發光單元306的發光面積，從而提高發光亮度。
現參照圖5，以說明依據本公開方法的一個實施方式製造OLED發光裝置。
如圖5所示，首先是步驟S01，形成平坦化層於基板上。基板可包括如玻璃、塑膠或陶瓷的透明絕緣材料。平坦化層可通過如旋轉塗布法形成。平坦化層的材料爲例如光致抗蝕劑材料、或旋塗玻璃(spin on glass，SOG)。
其次步驟S02，形成複數個彼此間隔開的彎曲部於平坦化層上。彎曲部可爲形成在平坦化層上的凸起部、凹陷或者具有多重凹凸表面，彎曲部的一截面整體上具有弧形輪廓。彎曲部與平坦化層可包括相同材料或一體形成。形成彎曲部的具體步驟可包括於平坦化層上形成光致抗蝕劑層，並利用灰度掩模通過光刻與顯影工藝，在光致抗蝕劑層內形成開口；接著施行表面處理工藝，採用光致抗蝕劑層爲掩模，進而表面處理爲光致抗蝕劑層所露出的平坦化層的表面並予以烘烤固化，並使之形成彎曲部，上述表面處理工藝例如爲等離子體蝕刻工藝或爲搭配適當掩模（例如灰度掩模）的等離子體蝕刻工藝等製作方法，但本公開不限於此。例如，平坦化層可包括光致抗蝕劑材料，利用灰度掩模對光致抗蝕劑材料執行光刻工藝，然後執行顯影工藝並予以烘烤固化，從而得到所述彎曲部。其中烘烤固化優選爲在150~350℃的烤箱中進行烘烤，從而讓光阻流平而形成平滑的凹凸曲面。
再次步驟S03，形成第一電極於彎曲部上，並具有與彎曲部相應的形狀。在去除光致抗蝕劑層之後，於平坦化層的表面形成一層導電材料，上述導電材料順應地形成於平坦化層之上並填入彎曲部，接著施行光刻與蝕刻工藝以圖案化此層導電材料，在平坦化層的部分表面上留下了導電材料，以作爲發光裝置的第一電極。第一電極大體覆蓋了平坦化層的彎曲部，相對使第一電極亦具有與彎曲部對應的形狀。在此，第一電極所包括的導電材料例如爲鋁、銀、鎂、鈀、鉑等金屬材料，或者爲銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或氧化鋅的金屬氧化物等透光材料，其可單獨地或結合地使用。當器件爲底部發光時，第一電極106a使用如爲鋁、銀、鎂、鈀、鉑等金屬材料時，其示範地具有5~200埃(Å)的厚度，以提供大於50%的透光率。當器件爲頂部發光時，第一電極可結合使用如鋁、銀、鎂、鈀、鉑等金屬材料及銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、鋁鋅氧化物(AZO)或氧化鋅(ZnO)的金屬氧化物，其示範地具有100~3000埃(Å)的厚度。另外，第一電極106a的導電材料可通過濺鍍法、電子束蒸鍍法、熱蒸鍍法、化學氣相鍍膜法及噴霧熱裂解法所形成。
接著，形成像素定義層於平坦化層上，像素定義層位於相鄰的彎曲部之間並暴露出第一電極的至少部分表面。像素定義層位於平坦化層上的彎曲部之外，並將複數個發光單元間隔開來。像素定義層的材料例如爲氧化矽、氮化矽、氧化氮矽、有機非導電聚合物或其組合，且可通過如物理氣相沉積法、化學氣相沉積法及旋轉塗布的製造方法所形成。之後，通過光刻與蝕刻工藝並配合光致抗蝕劑圖案的使用，以圖案化此像素定義層並露出陽極的彎曲表面。
最後步驟S04，依序形成發光結構與第二電極於第一電極上。發光結構包括電子注入層、電子傳輸層、發光層、空穴傳輸層和空穴注入層，並通過光刻與蝕刻工藝，形成堆叠的發光結構以及陰極。電子注入層可爲氧化鋰、氧化鋰硼、矽氧化鉀、碳酸銫或鹼金屬氟化物，如氟化鋰、氟化鉀、氟化銫中的一種。電子傳輸層要求具有較高的電子遷移率、較高的玻璃轉變溫度和熱穩定性、並且可經由熱蒸鍍形成均勻、無微孔的薄膜，可爲噁唑衍生物、金屬螯合物喹啉衍生物、喔啉衍生物、二氮蒽衍生物、二氮菲衍生物、含矽的雜環化合物中的一種。發光層可包括有機材料或無機材料，例如爲小分子材料、聚合物材料或有機金屬配合物，其可通過熱真空蒸鍍、旋轉塗布、噴墨、雷射轉印或網版印刷等方式形成。空穴傳輸層要求具有較高的電子遷移率、具有高的熱穩定性並能真空蒸鍍形成無針孔的薄膜，可選取的空穴傳輸材料爲成對偶聯的二胺類化合物，如TPD、TAPC、NPB、β-NPB、α-NPD；三苯胺化合物，如TDAB、TDAPB、PTDATA、spiro-mTTB；或某些三芳胺聚合物、哢唑類化合物中的一種。空穴注入層要求與陽極和相鄰的空穴傳輸層的能級匹配度良好，可以爲但不限於CuPc、TNATA、PEDOT。一種示範的方案爲空穴注入層採用P 型摻雜結構，將空穴傳輸材料摻雜氧化劑如SbCl5、FeCl3、碘、F4-TCNQ或TBAHA。當然還可以採用量子阱結構等其他任何可以提高空穴注入的結構。第二電極的導電材料例如爲鋁、銀、鎂、鈀、鉑的金屬材料，或者爲銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物或氧化鋅的金屬氧化物等透光材料，其可單獨地或結合地使用，並可通過濺鍍或蒸鍍等方式形成。
綜上所述，本公開通過在發光單元與平坦化層的接觸處設置彎曲部，將發光單元由平坦表面變更爲彎曲表面，大幅度提高有機發光二極體的開口率，增大發光面積，從而提高有機二極體的發光亮度，降低功耗並延長産品使用壽命。
本領域技術人員應當注意的是，本公開所描述的實施方式僅僅是示範性的，可在本公開的範圍內作出各種其他替換、改變和改進。因而，本公開不限於上述實施方式，而僅由申請專利範圍限定。
100、200、300‧‧‧OLED發光裝置
1、102、202、302‧‧‧基板
2、104、204、304‧‧‧平坦化層
104a、204a、304a‧‧‧彎曲部
3、106、206、306‧‧‧發光單元
106a、206a、306a‧‧‧第一電極
106b、206b、306b‧‧‧發光結構
106c、206c、306c‧‧‧第二電極
4、108、208、308‧‧‧像素定義層
S01~S04‧‧‧方法步驟
1、102、202、302‧‧‧基板
2、104、204、304‧‧‧平坦化層
104a、204a、304a‧‧‧彎曲部
3、106、206、306‧‧‧發光單元
106a、206a、306a‧‧‧第一電極
106b、206b、306b‧‧‧發光結構
106c、206c、306c‧‧‧第二電極
4、108、208、308‧‧‧像素定義層
S01~S04‧‧‧方法步驟
圖1爲傳統的OLED發光裝置的結構示意圖； 圖2爲根據本公開一個實施方式的OLED發光裝置的結構示意圖； 圖3爲根據本公開另一個實施方式的OLED發光裝置的結構示意圖； 圖4爲根據本公開另一個實施方式的OLED發光裝置的結構示意圖； 圖5爲根據本公開方法的一個實施方式的工藝流程圖。
100‧‧‧OLED發光裝置
102‧‧‧基板
104‧‧‧平坦化層
104a‧‧‧彎曲部
106‧‧‧發光單元
106a‧‧‧第一電極
106b‧‧‧發光結構
106c‧‧‧第二電極
108‧‧‧像素定義層
Claims (20)
- 一種TFT陣列基板的製造方法，包括步驟： 一基板； 一平坦化層，位于所述基板上，其中所述平坦化層具有複數個彼此間隔開的彎曲部；以及 複數個發光單元，位於所述平坦化層上，每一所述複數個發光單元位於所述彎曲部上且具有與所述彎曲部相應的形狀，其中每一所述複數個發光單元包括： 一第一電極； 一發光結構，位於所述第一電極上；以及 一第二電極，位於所述發光結構上。
- 如申請專利範圍第1項所述之OLED發光裝置，更包括一像素定義層，位於相鄰的所述彎曲部之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之OLED發光裝置，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層上的凸出部。
- 如申請專利範圍第3項所述之OLED發光裝置，其中所述彎曲部與所述平坦化層包括相同材料。
- 如申請專利範圍第4項所述之OLED發光裝置，其中所述彎曲部與所述平坦化層一體形成。
- 如申請專利範圍第5項所述之OLED發光裝置，其中所述彎曲部包括一光致抗蝕劑材料。
- 如申請專利範圍第1項所述之OLED發光裝置，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層中的凹陷部。
- 如申請專利範圍第1項所述之OLED發光裝置，其中所述彎曲部具有多重凹凸狀表面。
- 如申請專利範圍第1項所述之OLED發光裝置，其中所述第一電極和所述第二電極之一爲陽極，且另一個爲陰極。
- 一種OLED發光裝置的製造方法，包括： 在一基板之上形成一平坦化層，其中所述平坦化層上包括複數個彼此間隔開的彎曲部； 在所述彎曲部上形成一第一電極；以及 在所述第一電極上形成一發光結構及一第二電極。
- 如申請專利範圍第10項所述之OLED發光裝置的製造方法，更包括在形成所述第一電極之後形成一像素定義層，所述像素定義層位於相鄰的所述彎曲部之間並暴露出所述第一電極的至少部分表面。
- 如申請專利範圍第10項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層上的凸出部。
- 如申請專利範圍第12項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中所述彎曲部與所述平坦化層包括相同材料。
- 如申請專利範圍第13項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中所述彎曲部與所述平坦化層一體形成。
- 如申請專利範圍第14項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中所述彎曲部包括光致抗蝕劑材料。
- 如申請專利範圍第15項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中形成所述平坦化層上複數個彼此間隔開的所述彎曲部的步驟包括： 利用灰度掩模對所述平坦化層執行一光刻工藝；以及 對所述平坦化層執行一顯影工藝，並進行烘烤固化，從而形成所述彎曲部。
- 如申請專利範圍第10項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中所述彎曲部爲形成在所述平坦化層中的凹陷部。
- 如申請專利範圍第17項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中形成所述平坦化層上複數個彼此間隔開的所述彎曲部的步驟包括： 利用一灰度掩模對所述平坦化層執行一光刻工藝；以及 對所述平坦化層執行一顯影工藝，並進行烘烤固化，從而形成所述彎曲部。
- 如申請專利範圍第10項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中所述彎曲部具有多重凹凸狀表面。
- 如申請專利範圍第19項所述之OLED發光裝置的製造方法，其中形成所述平坦化層上複數個彼此間隔開的彎曲部的步驟包括： 利用一灰度掩模對所述平坦化層執行一光刻工藝；以及 對所述平坦化層執行一顯影工藝，並進行烘烤固化，從而形成所述彎曲部。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410155846.2A CN103928626A (zh) | 2014-04-17 | 2014-04-17 | Oled发光装置及其制造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201541629A true TW201541629A (zh) | 2015-11-01 |
Family
ID=51146774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103120090A TW201541629A (zh) | 2014-04-17 | 2014-06-10 | Oled發光裝置及其製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2015207545A (zh) |
| KR (1) | KR20150120311A (zh) |
| CN (1) | CN103928626A (zh) |
| TW (1) | TW201541629A (zh) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104362257B (zh) * | 2014-10-22 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备 |
| CN104465708B (zh) | 2014-12-24 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 |
| CN104952884B (zh) * | 2015-05-13 | 2019-11-26 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Amoled背板结构及其制作方法 |
| US10243175B2 (en) * | 2016-02-02 | 2019-03-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting apparatus fabricated using a fluoropolymer and method of manufacturing the same |
| CN105576145B (zh) * | 2016-02-29 | 2018-11-30 | Tcl集团股份有限公司 | 一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法 |
| CN106024807B (zh) * | 2016-06-07 | 2019-11-29 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| KR20180030365A (ko) * | 2016-09-13 | 2018-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102423192B1 (ko) * | 2017-09-06 | 2022-07-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴딩 가능한 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
| CN107731879A (zh) | 2017-10-31 | 2018-02-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、制备方法、显示面板及显示装置 |
| CN109192765A (zh) * | 2018-09-17 | 2019-01-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机发光二极管显示器及其制作方法 |
| US20200135799A1 (en) * | 2018-10-24 | 2020-04-30 | Innolux Corporation | Display device |
| CN109638020A (zh) * | 2018-12-06 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示模组 |
| CN109524448B (zh) * | 2018-12-26 | 2020-11-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性oled显示面板及其制备方法 |
| CN110071120A (zh) * | 2019-04-16 | 2019-07-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110649084B (zh) * | 2019-10-12 | 2022-04-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110752313B (zh) * | 2019-10-30 | 2023-01-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN111799384B (zh) * | 2020-07-20 | 2023-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111862816B (zh) * | 2020-07-29 | 2023-08-18 | 视涯科技股份有限公司 | 一种显示面板 |
| DE112022003316T5 (de) * | 2021-06-30 | 2024-04-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren einer Anzeigevorrichtung |
| CN113990899A (zh) * | 2021-09-28 | 2022-01-28 | 北海惠科光电技术有限公司 | 显示面板制备方法及显示面板 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002008870A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2003243152A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| US6670772B1 (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
| CN1648733A (zh) * | 2004-01-20 | 2005-08-03 | 鸿扬光电股份有限公司 | 液晶显示器的高光增益穿透反射板及其制造工艺 |
| CN100525558C (zh) * | 2004-04-30 | 2009-08-05 | 三洋电机株式会社 | 发光显示器 |
| JP4645064B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| WO2006025473A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| TWI396464B (zh) * | 2007-01-22 | 2013-05-11 | Innolux Corp | 有機電致發光顯示裝置及其製作方法 |
| EP2270896B1 (en) * | 2008-02-28 | 2014-12-24 | Panasonic Corporation | Organic el display panel |
| JP2010097697A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、及び電子機器 |
| JP2011018468A (ja) * | 2009-07-07 | 2011-01-27 | Sharp Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2011228229A (ja) * | 2010-04-23 | 2011-11-10 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
| GB201105364D0 (en) * | 2011-03-30 | 2011-05-11 | Cambridge Display Tech Ltd | Surface planarisation |
| JP5835770B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2015-12-24 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 表示パネルの製造方法および表示パネル |
| JP2013140679A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-18 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 有機ｅｌ光源 |
-
2014
- 2014-04-17 CN CN201410155846.2A patent/CN103928626A/zh active Pending
- 2014-06-10 TW TW103120090A patent/TW201541629A/zh unknown
- 2014-08-19 JP JP2014166283A patent/JP2015207545A/ja active Pending
-
2015
- 2015-04-16 KR KR1020150053913A patent/KR20150120311A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2015207545A (ja) | 2015-11-19 |
| CN103928626A (zh) | 2014-07-16 |
| KR20150120311A (ko) | 2015-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201541629A (zh) | Oled發光裝置及其製造方法 | |
| US9024305B2 (en) | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same | |
| US9627645B2 (en) | Mask plate, organic light-emitting diode (OLED) transparent display panel and manufacturing method thereof | |
| US10411223B2 (en) | Organic electroluminescence device and illumination device | |
| TWI500144B (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
| US9172060B2 (en) | Organic light-emitting display and method of manufacturing the same | |
| WO2016155456A1 (zh) | 阵列基板及其制作方法、有机发光显示装置 | |
| TWI401992B (zh) | 影像顯示裝置、影像顯示系統及其製造方法 | |
| CN110571361B (zh) | 有机发光显示面板及制作方法、显示装置 | |
| JP5677434B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| US10418592B2 (en) | Organic electroluminescence device, production method for organic electroluminescence device, illumination device and display device | |
| US20090152533A1 (en) | Increasing the external efficiency of light emitting diodes | |
| WO2012001727A1 (ja) | 有機発光素子とその製造方法、有機表示パネル、有機表示装置 | |
| WO2018112992A1 (zh) | 有机发光器件及其制作方法 | |
| US20140077182A1 (en) | Organic electroluminescent display and method of manufacturing the same | |
| US10573691B2 (en) | Display backboard, method for fabricating the same, and display device | |
| TW201423982A (zh) | 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 | |
| WO2012017499A1 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JP2011018468A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| WO2015149465A1 (zh) | 一种woled背板及其制作方法 | |
| TW200903798A (en) | Organic EL device | |
| WO2016188247A1 (zh) | Oled器件及其制备方法、显示装置 | |
| JP4853605B2 (ja) | 有機ｅｌディスプレイ | |
| WO2015125308A1 (ja) | 有機電界発光素子、照明装置、および照明システム | |
| JP2019091640A (ja) | 有機ｅｌ表示パネル、窓ガラス貼付用シート、および、窓ガラス |