TW201539282A - 電極基板、顯示裝置、輸入裝置及電極基板之製造方法 - Google Patents

電極基板、顯示裝置、輸入裝置及電極基板之製造方法 Download PDF

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Koji Ishizaki
Daisuke Sonoda
Toshimasa Ishigaki
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Abstract

本發明之目的在於以覆蓋電極之方式形成保護膜時，可精度良好地調整保護膜之端部位置。 電極基板ES包含：第2基板31；及檢測電極TDL，其於第2基板31上，自第2基板31之上表面之區域AR1、經由第2基板31之上表面之區域AR2、至第2基板31上表面之區域AR3而連續形成。又，電極基板ES包含：凹凸圖案UE1，其於區域AR2，形成於檢測電極TDL或第2基板31；及保護膜33，其以覆蓋檢測電極TDL之方式，形成於區域AR1及區域AR2。又，保護膜33之區域AR3側之端部位於凹凸圖案UE1上。

Description

電極基板、顯示裝置、輸入裝置及電極基板之製造方法
本發明係關於電極基板、顯示裝置、輸入裝置及電極基板之製造方法。
近年來，具有一種於顯示裝置之顯示面側安裝稱為觸控面板或觸控式感應器之輸入裝置，於使手指或觸控筆等輸入工具等接觸觸控面板而執行輸入動作時，檢測輸入位置並將其輸出之技術。具有此種觸控面板之顯示裝置，除電腦外亦廣泛使用於如行動電話等行動資訊終端等。
作為檢測手指等接觸觸控面板之接觸位置之檢測方式之一，有靜電電容方式。使用靜電電容方式之觸控面板中，於觸控面板之面內設置有包含隔著介電層而對向配置之一對電極，亦即驅動電極及檢測電極之複數個電容元件。因此，使手指或觸控筆等輸入工具接觸電容元件而執行輸入動作時，利用電容元件之靜電容之變化而檢測輸入位置。
於安裝有此種觸控面板等輸入裝置之顯示裝置中，為提高檢測性能，期望減低檢測電極之電阻，而有使用金屬膜等之導電膜作為檢測電極之材料之情況。因此，於顯示裝置中所含之包含基板與形成於基板上之檢測電極之電極基板中，為防止檢測電極被腐蝕，而以覆蓋檢測電極之方式形成保護膜。此時，例如以覆蓋形成於基板上之檢測電極之方式，利用噴墨法(ink-jet method)塗佈塗佈液，使包含所塗佈 之塗佈液之塗佈膜硬化，而形成保護膜。
作為上述之使用噴墨法塗佈塗佈液之方法，例如於日本特開平8-227012號公報(專利文獻1)及日本特開平9-203803號公報(專利文獻2)，揭示有利用噴墨法形成液晶顯示裝置之彩色濾光片之方法。又，於日本特開2008-183489號公報(專利文獻3)，揭示有於基板表面形成親液區域與撥液區域，利用噴墨法對基板表面噴出液滴，而形成所期望圖案的方法。進而，於日本特開2011-145535號公報(專利文獻4)，揭示有利用噴墨法形成液晶顯示裝置之配向膜之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平8-227012號公報
[專利文獻2]日本特開平9-203803號公報
[專利文獻3]日本特開2008-183489號公報
[專利文獻4]日本特開2011-145535號公報
然而，利用噴墨法於基板上塗佈塗佈液之情形，難以精度良好地調整於基板上漫流之塗佈液之端部位置。因此，精度良好地調整使所塗佈之塗佈膜硬化而形成之保護膜之端部位置亦非易事。故而存在檢測電極中之自保護膜露出之部分的面積於複數個檢測電極之間變動之虞。
上述檢測電極中之自保護膜露出之部分係與配線基板電性連接。因此，由於檢測電極中之自保護膜露出之部分之面積變動，引起檢測電極與配線基板之間之連接電阻於複數個檢測電極之間變動，而有導致作為電極基板之性能降低之虞。
本發明係為解決如上述之先前技術之問題點而完成者，其目的 在於提供一種於以覆蓋電極之方式於電極基板形成保護膜時，可精度良好地調整保護膜之端部位置的電極基板。
若對本申請案所揭示之發明中具代表性者之概要進行簡單說明，則如下所述。
作為本發明之一態樣之電極基板，其包含：第1基板；及第1電極，其係於第1基板上，自第1基板之第1主表面之第1區域、經由第1基板之第1主表面之第2區域、至第1基板之第1主表面之第3區域而連續形成。又，該電極基板包含：凹凸圖案，其於第2區域，形成於第1電極或第1基板；及保護膜，其以覆蓋第1電極之方式形成於第1區域及第2區域。而且，保護膜之第3區域側之端部位於凹凸圖案上。
又，作為本發明之一態樣之電極基板之製造方法，其包含如下步驟：(a)準備第1基板；及(b)自第1基板之第1主表面之第1區域，經由第1基板之第1主表面之第2區域至第1基板之第1主表面之第3區域，於第1基板上連續形成第1電極。又，該電極基板之製造方法亦包含如下步驟：(c)於第2區域，於第1電極或第1基板形成凹凸圖案之步驟；(d)於(c)步驟之後，於第1區域及第2區域，以覆蓋第1電極之方式形成保護膜。而且，於(d)步驟形成之保護膜之第3區域側之端部位於凹凸圖案上。
1‧‧‧顯示裝置
2‧‧‧像素電極
3‧‧‧對向基板
6‧‧‧液晶層
10‧‧‧附觸控檢測功能之顯示器件
11‧‧‧控制部
12‧‧‧閘極驅動器
13‧‧‧源極驅動器
14‧‧‧驅動電極驅動器
19A‧‧‧COG
19B‧‧‧COG
20‧‧‧液晶顯示器件(顯示器件)
21‧‧‧第1基板
22‧‧‧像素電極
24‧‧‧絕緣膜
25‧‧‧偏光板
30‧‧‧觸控檢測器件
31‧‧‧第2基板
32‧‧‧彩色濾光片
32B‧‧‧顏色區域
32G‧‧‧顏色區域
32R‧‧‧顏色區域
33‧‧‧保護膜
34‧‧‧偏光板
34a‧‧‧第3基板
35‧‧‧絕緣膜
40‧‧‧觸控檢測部
42‧‧‧觸控檢測信號放大部
43‧‧‧A/D轉換部
44‧‧‧信號處理部
45‧‧‧座標擷取部
46‧‧‧檢測時序控制部
51‧‧‧噴頭
52‧‧‧塗佈液
53‧‧‧塗佈膜
511‧‧‧前面板
512‧‧‧濾光玻璃
513‧‧‧影像顯示畫面部
522‧‧‧顯示部
523‧‧‧選單切換
524‧‧‧快門按鈕
531‧‧‧本體
532‧‧‧鍵盤
533‧‧‧顯示部
541‧‧‧本體部
542‧‧‧鏡頭
543‧‧‧開始/停止開關
544‧‧‧顯示部
551‧‧‧上側殼體
552‧‧‧下側殼體
553‧‧‧連結部(鉸鏈部)
554‧‧‧顯示器
555‧‧‧次顯示器
556‧‧‧閃光燈
557‧‧‧照相機
561‧‧‧殼體
562‧‧‧觸控螢幕
Ad‧‧‧顯示區域
AR1‧‧‧區域
AR2‧‧‧區域
AR3‧‧‧區域
C1‧‧‧電容元件
C2‧‧‧電容元件
CC1‧‧‧凹部
CC2‧‧‧凹部
CC3‧‧‧凹部
CC4‧‧‧凹部
CC21‧‧‧凹部
CC31‧‧‧延伸部
CC32‧‧‧延伸部
CC41‧‧‧延伸部
CC42‧‧‧延伸部
CCG2‧‧‧凹部群
CF1‧‧‧各向異性導電性膜
CF2‧‧‧導電膜
COML‧‧‧共用電極
COML1‧‧‧共用電極
Cr1‧‧‧靜電電容
Cx‧‧‧靜電電容
CV1‧‧‧凸部
CV2‧‧‧凸部
CV3‧‧‧凸部
CV21‧‧‧凸部
CV31‧‧‧凸部
CVG2‧‧‧凸部群
D‧‧‧介電層
DET‧‧‧電壓檢測器
DR1‧‧‧方向
DR2‧‧‧方向
DRVL‧‧‧驅動電極
DS1‧‧‧間隔
DS2‧‧‧最短距離
DS3‧‧‧最短距離
E1‧‧‧驅動電極
E2‧‧‧檢測電極
EG12‧‧‧端部
EG3‧‧‧端部
EG4‧‧‧端部
EG21‧‧‧端部
EL1‧‧‧曝光光
ES‧‧‧電極基板
ET1‧‧‧電極端子
ET2‧‧‧電極端子
EP1‧‧‧端部
EP2‧‧‧端部
GCL‧‧‧掃描線
HE1‧‧‧上端部
HE2‧‧‧上端部
HL1‧‧‧上層部
HP1‧‧‧高位部
HS1‧‧‧側面部
HS2‧‧‧側面部
LS1‧‧‧側面部
LS2‧‧‧側面部
LC‧‧‧液晶元件
LE1‧‧‧下端部
LE2‧‧‧下端部
LL1‧‧‧下層部
LP1‧‧‧低位部
MP1‧‧‧本體部
NC1‧‧‧切槽部
NC11‧‧‧切槽部
NC12‧‧‧切槽部
Pix‧‧‧像素
PJ1‧‧‧突出部
PJ111‧‧‧突出部
PJ112‧‧‧突出部
PJ121‧‧‧突出部
PJ122‧‧‧突出部
PJ2‧‧‧突出部
PJ211‧‧‧突出部
PJ212‧‧‧突出部
PJ221‧‧‧突出部
PJ222‧‧‧突出部
PJ3‧‧‧突出部
PJ31‧‧‧突出部
PJ32‧‧‧突出部
PR1‧‧‧部分
PR2‧‧‧部分
PR3‧‧‧部分
PR21‧‧‧部分
PR22‧‧‧部分
Q1‧‧‧電荷量
Q2‧‧‧電荷量
Reset‧‧‧期間
RF1‧‧‧抗蝕劑膜
RP1‧‧‧抗蝕劑圖案
S‧‧‧交流信號源
SC1‧‧‧檢測電路
Scan‧‧‧掃描方向
Sg‧‧‧交流矩形波
SGL‧‧‧信號線
SH1‧‧‧肩部
SP1‧‧‧遮光圖案
SPix‧‧‧次像素
SS1‧‧‧側面部
SS2‧‧‧側面部
ST1‧‧‧階差部
TDL‧‧‧檢測電極
TDL1‧‧‧檢測電極
TDL2‧‧‧檢測電極
TH1‧‧‧厚度
TH2‧‧‧厚度
Tr‧‧‧TFT元件
UE1‧‧‧凹凸圖案
UE11‧‧‧凹凸圖案
UE111‧‧‧凹凸圖案
UE112‧‧‧凹凸圖案
UE12‧‧‧凹凸圖案
UE121‧‧‧凹凸圖案
UE122‧‧‧凹凸圖案
Vcom‧‧‧驅動信號
Vdd‧‧‧電源
Vdet‧‧‧檢測信號
Vdisp‧‧‧影像信號
Vout‧‧‧信號輸出
Vpix‧‧‧像素信號
Vscan‧‧‧掃描信號
Vsig‧‧‧圖像信號
WD1‧‧‧寬度
WD2‧‧‧寬度
WD3‧‧‧寬度
WS1‧‧‧配線基板
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向
圖1係表示實施形態1之顯示裝置之一構成例之方塊圖。
圖2係表示手指未接觸或接近觸控檢測器件之狀態之說明圖。
圖3係表示手指未接觸或接近觸控檢測器件之狀態之等效電路之例的說明圖。
圖4係表示手指接觸或接近觸控檢測器件之狀態之說明圖。
圖5係表示手指接觸或接近觸控檢測器件之狀態之等效電路之例 的說明圖。
圖6係表示驅動信號及檢測信號之波形之一例之圖。
圖7係表示安裝實施形態1之顯示裝置之模組之一例的俯視圖。
圖8係表示安裝實施形態1之顯示裝置之模組之一例的俯視圖。
圖9係表示實施形態1之顯示裝置之附有觸控檢測功能之顯示器件之剖面圖。
圖10係表示實施形態1之顯示裝置之附有觸控檢測功能之顯示器件之電路圖。
圖11係表示實施形態1之顯示裝置之驅動電極及檢測電極之一構成例之立體圖。
圖12係表示實施形態1之電極基板之俯視圖。
圖13係表示實施形態1之電極基板之剖面圖。
圖14係表示實施形態1之電極基板之剖面圖。
圖15係表示實施形態1之電極基板之立體圖。
圖16係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之俯視圖。
圖17係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之另一例之剖面圖。
圖18係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之另一例之剖面圖。
圖19係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第1變化例之俯視圖。
圖20係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第2變化例之俯視圖。
圖21係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第3變化例之俯視圖。
圖22係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第4變化例之俯 視圖。
圖23係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第5變化例之俯視圖。
圖24係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第6變化例之俯視圖。
圖25係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第7變化例之俯視圖。
圖26係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第8變化例之俯視圖。
圖27係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第9變化例之俯視圖。
圖28(a)~(d)係表示實施形態1之電極基板之製造步驟中之剖面圖。
圖29(e)~(h)係表示實施形態1之電極基板之製造步驟中之剖面圖。
圖30係表示實施形態1之電極基板之製造步驟中之立體圖。
圖31係表示實施形態1之電極基板之製造步驟中之剖面圖。
圖32係表示實施形態1之電極基板之製造步驟中之剖面圖。
圖33係表示比較例之電極基板之俯視圖。
圖34係表示比較例之電極基板之立體圖。
圖35係示意性表示玻璃基板上之塗佈液之形狀之剖面圖。
圖36係示意性表示形成於玻璃基板上之檢測電極之周邊之塗佈液形狀之剖面圖。
圖37係表示實施形態2之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件之剖面圖。
圖38係表示作為實施形態2之第1變化例之輸入裝置之剖面圖。
圖39係表示自電容方式之檢測電極之電性連接狀態之說明圖。
圖40係表示自電容方式之檢測電極之電性連接狀態之說明圖。
圖41係表示作為實施形態3之電子機器之一例之電視裝置之外觀的立體圖。
圖42係表示作為實施形態3之電子機器之一例之數位相機之外觀的立體圖。
圖43係表示作為實施形態3之電子機器之一例之筆記型個人電腦之外觀的立體圖。
圖44係表示作為實施形態3之電子機器之一例之攝錄影機之外觀的立體圖。
圖45係表示作為實施形態3之電子機器之一例之行動電話之外觀的前視圖。
圖46係表示作為實施形態3之電子機器之一例之行動電話之外觀的前視圖。
圖47係表示作為實施形態3之電子機器之一例之智慧型手機之外觀的前視圖。
以下，一面參照圖式，一面對本發明之各實施形態進行說明。
另，所揭示者不過為一例，對於由本領域技術者在確保發明主旨之基礎上進行恰當變更而容易地設想者，當然為本發明之範圍所包含者。再者，為使說明更加明確，雖存在相較於實施態樣，圖式對各部之寬度、厚度及形狀等以示意性顯示之情形，但其終究為一例，而並非限定本發明之解釋者。
再者，在本說明書與各圖中，有對關於既有圖式所上述者相同之要素附加相同之符號，並適當省略相關詳細說明之情形。
進而，實施形態所使用之圖式中，亦有根據圖式需要而省略掉 用以區別構造物而附加之陰影線(網格)之情形。
再者，於以下實施形態中，如以A~B表示範圍之情形，除特別明示之情形外，皆設為表示A以上且B以下者。
(實施形態1)
首先，關於實施形態1，對將包含作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置適用於內嵌型(In-cell type)之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例進行說明。另，於本案說明書中，所謂輸入裝置，係指至少檢測根據對於電極接近或接觸之物體之電容而變化之靜電電容的輸入裝置。此處，作為檢測靜電電容之方式，不僅包含檢測2個電極間之靜電電容之相互電容方式，亦包含檢測1個電極之靜電電容之自電容方式。又，附觸控檢測功能之液晶顯示裝置，係指形成顯示部之第1基板及第2基板中之任一者設置有觸控檢測用之檢測電極之液晶顯示裝置。又，於本實施形態1中，進而對具有設有共用電極作為顯示部之驅動電極而動作且作為輸入裝置之驅動電極而動作之特徵之內嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置進行闡述。
<全體構成>
首先，參照圖1，對實施形態1之顯示裝置之全體構成進行說明。圖1係顯示實施形態1之顯示裝置之一構成例之方塊圖。
顯示裝置1包含：附觸控檢測功能之顯示器件10、控制部11、閘極驅動器12、源極驅動器13、驅動電極驅動器14、及觸控檢測部40。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有顯示器件20與觸控檢測器件30。於本實施例中，顯示器件20係使用液晶顯示元件作為顯示元件之顯示器件。觸控檢測器件30係靜電電容方式之觸控檢測器件，亦即靜電電容型之觸控檢測器件。因此，顯示裝置1係包含具有觸控檢測功能之輸入裝置之顯示裝置。又，附觸控檢測功能之顯示器件10係將液晶顯示器件20與觸控檢測器件30一體化而成之顯示器件，係內建觸控 檢測功能之顯示器件，亦即內嵌型之附觸控檢測功能之顯示器件。
另，附觸控檢測功能之顯示器件10亦可為於顯示器件20上安裝觸控檢測器件30之顯示器件。而且，顯示器件20亦可例如使用有機EL(Electroluminescence：電致發光)顯示器件，替代使用液晶顯示元件之顯示器件。
顯示器件20係根據自閘極驅動器12供給之掃描信號Vscan，藉由在顯示區域依序逐一掃描每1條水平線而進行顯示。如後述般，觸控檢測器件30係基於靜電電容型觸控檢測之原理而動作，並輸出檢測信號Vdet。
控制部11係基於自外部所供給之影像信號Vdisp，分別對閘極驅動器12、源極驅動器13、驅動電極驅動器14、及觸控檢測部40供給控制信號，並以使此等相互同步動作之方式進行控制之電路。
閘極驅動器12具有基於自控制部11供給之控制信號，依序選擇成為附觸控檢測功能之顯示器件10之顯示驅動對象之1條水平線之功能。
源極驅動器13係基於自控制部11供給之圖像信號Vsig之控制信號，對附觸控檢測功能之顯示器件10所包含之次像素SPix(參照後述之圖10)供給像素信號Vpix之電路。
驅動電極驅動器14係基於自控制部11供給之控制信號，對附觸控檢測功能之顯示器件10所包含之共用電極COML(參照後述之圖7或圖8)供給驅動信號Vcom之電路。
觸控檢測部40係基於自控制部11供給之控制信號，與自附觸控檢測功能之顯示器件10之觸控檢測器件30供給之檢測信號Vdet，檢測有無手指或觸控筆等輸入工具對觸控檢測器件30之觸控，亦即檢測有無後述之接觸或接近狀態之電路。又，觸控檢測部40係於存在觸控之情形時，求得觸控檢測區域中之觸控座標，亦即輸入位置等之電路。觸 控檢測部40包含：觸控檢測信號放大部42、A/D(Analog/Digital：類比/數位)轉換部43、信號處理部44、座標擷取部45、及檢測時序控制部46。
觸控檢測信號放大部42將自觸控檢測器件30供給之檢測信號Vdet放大。觸控檢測信號放大部42亦可包含低通類比濾波器，其去除檢測信號Vdet所包含之較高頻率成分，亦即雜訊成分，擷取觸控成分並將其分別輸出。
<靜電電容型觸控檢測之原理>
接著，參照圖1至圖6，對本實施形態1之顯示裝置1之觸控檢測原理進行說明。圖2係表示手指未接觸或接近觸控檢測器件之狀態之說明圖。圖3係表示手指未接觸或接近觸控檢測器件之狀態之等效電路之例的說明圖。圖4係表示手指接觸或接近觸控檢測器件之狀態之說明圖。圖5係表示手指接觸或接近觸控檢測器件之狀態之等效電路之例的說明圖。圖6係表示驅動信號及檢測信號之波形之一例的圖。
如圖2所示，靜電電容型之觸控檢測中，稱為觸控面板或觸控式感應器之輸入裝置具有隔著介電體D而彼此對向配置之驅動電極E1及檢測電極E2。由該等驅動電極E1及檢測電極E2形成電容元件C1。如圖3所示，電容元件C1之一端連接於驅動信號源即交流信號源S，電容元件C1之另一端連接於觸控檢測部即電壓檢測器DET。電壓檢測器DET例如為圖1所示之觸控檢測信號放大部42所包含之積分電路。
若自交流信號源S對電容元件C1之一端即驅動電極E1施加例如具有數kHz~數百kHz左右之頻率之交流矩形波Sg，則經由連接於電容元件C1之另一端即檢測電極E2側之電壓檢測器DET，產生輸出波形即檢測信號Vdet。另，該交流矩形波Sg係例如相當於圖6所示之驅動信號Vcom者。
於圖2所示之手指未接觸或接近之狀態即非接觸狀態中，如圖3 所示，伴隨對電容元件C1之充放電而流動有與電容元件C1之電容值相應之電流I0。電壓檢測器DET將與交流矩形波Sg相應之電流I0之變動轉換為電壓變動。該電壓變動在圖6中以實線之波形V0表示。
另一方面，圖4所示之手指已接觸或接近之狀態，即接觸狀態中，受因手指而形成之靜電電容之影響，成為電容元件C2串聯追加至電容元件C1之狀態。於該狀態中，伴隨對電容元件C1、C2之充放電，自圖5所示之等效電路來看，電容元件C1中流動有電流I1。電壓檢測器DET將與交流矩形波Sg相應之電流I1之變動轉換為電壓變動。該電壓變動在圖6中以虛線之波形V1表示。該情形時，波形V1相較於上述波形V0振幅更小。藉此，波形V0與波形V1之電壓差值之絕對值|△V |將根據手指等自外部接近之物體之影響而變化。另，為精度良好地檢測波形V0與波形V1之電壓差值之絕對值|△V |，電壓檢測器DET宜成為藉由電路內之切換，配合交流矩形波Sg之頻率而設置重設電容器之充放電之期間Reset而動作。
於圖1所示之例中，觸控檢測器件30根據自驅動電極驅動器14供給之驅動信號Vcom，對與1個或複數個共用電極COML對應之每1個檢測區塊進行觸控檢測。即，觸控檢測器件30係對與1個或複數個共用電極COML各者對應之每1個檢測區塊，經由圖3或圖5所示之電壓檢測器DET，輸出檢測信號Vdet，將輸出之檢測信號Vdet供給至觸控檢測部40之觸控檢測信號放大部42。
A/D轉換部43係於與驅動信號Vcom同步之時序，分別對自觸控檢測信號放大部42輸出之類比信號進行取樣，並將其轉換為數位信號之電路。
信號處理部44包含數位濾波器，其減低A/D轉換部43之輸出信號中包含之對驅動信號Vcom採樣所得之頻率以外之頻率成分，亦即雜訊成分。信號處理部44係基於A/D轉換部43之輸出信號，檢測有無對 觸控檢測器件30觸控之邏輯電路。信號處理部44進行僅擷取因手指而產生之差值電壓之處理。該因手指而產生之差值電壓係上述波形V0與波形V1之差值之絕對值|△V |。信號處理部44亦可進行對每1個檢測區塊之絕對值|△V |予以平均化之運算，而求得絕對值|△V |之平均值。藉此，信號處理部44可減低雜訊造成之影響。信號處理部44將檢測出之因手指而產生之差值電壓與特定之臨限值電壓加以比較，若為該臨限值電壓以上，則判定為自外部接近之外部接近物體之接觸狀態，若小於臨限值電壓，則判定為外部接近物體之非接觸狀態。如此地進行觸控檢測部40之觸控檢測。
座標擷取部45係於信號處理部44檢測出觸控時，求得檢測出觸控之位置之座標即觸控面板之輸入位置的邏輯電路。檢測時序控制部46係以使A/D轉換部43、信號處理部44、及座標擷取部45同步動作之方式進行控制。座標擷取部45將觸控面板座標作為信號輸出Vout輸出。
<模組>
圖7及圖8係表示安裝有實施形態1之顯示裝置之模組之一例的俯視圖。於圖7所示之例中，於第1基板21上形成有上述驅動電極驅動器14。
如圖7所示，顯示裝置1具有附觸控檢測功能之顯示器件10、驅動電極驅動器14、COG(Chip On Glass，玻璃覆晶)19A、及第1基板21。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有：複數個共用電極COML與複數個檢測電極TDL。此處，將於作為第1基板21之主表面之上表面內，相互交叉且較佳為正交之2個方向設為X軸方向及Y軸方向。此時，複數個共用電極COML俯視下分別於X軸方向延伸，且排列於Y軸方向。而且，複數個檢測電極TDL俯視下係分別於Y軸方向延伸， 且排列於X軸方向。換言之，複數個檢測電極TDL各者俯視下係與複數個共用電極COML相互交叉，且排列於X軸方向。因此，複數個檢測電極TDL各者俯視下係與複數個共用電極COML交叉。
如利用圖9及圖10所後述，複數個共用電極COML各者係以俯視下與沿X軸方向排列之複數個次像素SPix重合之方式而設。即，1個共用電極COML係作為供複數個次像素SPix共同使用之電極而設。
另，於本案說明書中，所謂「俯視下」係指自垂直於作為第1基板21或後述之對向基板3所包含之第2基板31之主表面之上表面之方向觀察時之情形。
於圖7所示之例中，附觸控檢測功能之顯示器件10具有俯視下包含分別於X軸方向延伸且彼此對向之2邊，及分別於Y軸方向延伸且彼此對向之2邊之矩形形狀。於Y軸方向上之附觸控檢測功能之顯示器件10之一側設置有配線基板WS1。檢測電極TDL經由配線基板WS1而與安裝於該模組外部之觸控檢測部40連接。雖將利用圖12及圖13後述，但可使用可撓性印刷配線板作為配線基板WS1。又，關於檢測電極TDL與配線基板WS1之連接構造，亦將利用圖12及圖13後述。
驅動電極驅動器14形成於第1基板21。COG19A係安裝於第1基板21之晶片，且內建有圖1所示之控制部11、閘極驅動器12、源極驅動器13等顯示動作所需之各電路。
另，作為第1基板21，例如可使用有透明性之玻璃基板或例如包含樹脂之膜等各種基板。
另一方面，顯示裝置1中亦可於COG內建驅動電極驅動器14。於COG內建驅動電極驅動器14之例顯示於圖8。於圖8所示之例中，顯示裝置1其模組具有COG19B。於圖8所示之COG19B中，除上述顯示動作所需之各電路外，進而內建有驅動電極驅動器14。
另，如圖7及圖8所示，可將第2基板31之平面形狀設為與第1基 板21之平面形狀大致相同。
<附觸控檢測功能之顯示器件>
接著，詳細說明附觸控檢測功能之顯示器件10之構成例。圖9係顯示實施形態1之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件之剖面圖。圖10係顯示實施形態1之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件之電路圖。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有像素基板2、對向基板3、及液晶層6。對向基板3係以作為像素基板2之主表面之上表面與作為對向基板3之主表面之下表面相對向之方式配置。液晶層6設於像素基板2與對向基板3之間。
像素基板2具有第1基板21。如圖10所示，在顯示區域Ad，於第1基板21，形成有複數條掃描線GCL、複數條信號線SGL、及複數個薄膜電晶體(Thin Film Transistor；TFT)即TFT元件Tr。另，圖9中省略掃描線GCL、信號線SGL及TFT元件Tr之圖示。
如圖10所示，複數條掃描線GCL於顯示區域Ad，分別於X軸方向延伸且排列於Y軸方向。複數條信號線SGL於顯示區域Ad，分別於Y軸方向延伸且排列於X軸方向。因此，複數條信號線SGL各者俯視下係與複數條掃描線GCL交叉。如此，俯視下，於相互交叉之複數條掃描線GCL與複數條信號線SGL之交點，配置次像素SPix，由複數個不同顏色之次像素SPix形成1個像素Pix。即，於第1基板21上，在顯示區域Ad中，次像素SPix沿X軸方向及Y軸方向以矩陣狀排列。換言之，次像素SPix於第1基板21之表面側之顯示區域Ad，沿X軸方向及Y軸方向以矩陣狀排列。
俯視下，於藉複數條掃描線GCL各者與複數條信號線SGL各者交叉之交叉部，形成有TFT元件Tr。因此，在顯示區域Ad，於第1基板21上形成有複數個TFT元件Tr，該等複數個TFT元件Tr沿X軸方向及Y 軸方向以矩陣狀排列。即，於複數個次像素SPix各者設置有TFT元件Tr。而且，除TFT元件Tr以外，亦於複數個次像素SPix各者設置有液晶元件LC。
TFT元件Tr例如包含作為n通道型MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)之薄膜電晶體。TFT元件Tr之閘極電極連接於掃描線GCL。TFT元件Tr之源極電極或汲極電極一者連接於信號線SGL。TFT元件Tr之源極電極或汲極電極之另一者連接於液晶元件LC之一端。液晶元件LC例如其一端連接於TFT元件Tr之源極電極或汲極電極，另一端連接於共用電極COML。
如圖9所示，像素基板2具有複數個共用電極COML、絕緣膜24、及複數個像素電極22。複數個共用電極COML，係於第1基板21之表面側之顯示區域Ad(參照圖7或圖8)，設置於第1基板21上。包含複數個共用電極COML各者之表面在內之第1基板21上形成有絕緣膜24。在顯示區域Ad，於絕緣膜24上形成有複數個像素電極22。由此，絕緣膜24使共用電極COML與像素電極22電性絕緣。
如圖10所示，複數個像素電極22，係於第1基板21之表面側之顯示區域Ad，分別形成於沿X軸方向及Y軸方向以矩陣狀排列之複數個次像素SPix各者之內部。因此，複數個像素電極22係沿X軸方向及Y軸方向以矩陣狀排列。
於圖9所示之例中，複數個共用電極COML各者形成於第1基板21與像素電極22之間。又，如圖10之示意性所示，複數個共用電極COML各者係以俯視下與複數個像素電極22重合之方式而設。因此，藉由對複數個像素電極22各者與複數個共用電極COML各者之間施加電壓，對設置於複數個次像素SPix各者之液晶元件LC施加電壓，而於顯示區域Ad顯示圖像。
如此，於附觸控檢測功能之顯示器件10包含液晶顯示器件20 時，由液晶元件LC、複數個像素電極22、共用電極COML、複數條掃描線GCL及複數條信號線SGL形成控制圖像顯示之顯示控制部。顯示控制部設置於像素基板2與對向基板3之間。另，附觸控檢測功能之器件10亦可包含有機EL顯示裝置等作為各種顯示裝置之顯示器件，替代作為液晶顯示裝置之液晶顯示器件20。
另，複數個共用電極COML各者亦可隔著像素電極22而形成於與第1基板21相反之側。又，於圖9所示之例中，共用電極COML與像素電極22之配置為作為橫向電場模式之FFS(Fringe Field Switching：邊緣場切換)模式之配置。但共用電極COML與像素電極22之配置亦可為共用電極COML與像素電極22俯視下不重合之作為橫向電場模式之IPS(In Plane Switching：平面內切換)模式之配置。或者，共用電極COML與像素電極22之配置亦可為作為縱向電場模式之TN(Twisted Nematic：扭轉向列)模式或VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式之配置。
液晶層6係根據電場狀態而變調通過其之光者，例如可使用與上述FFS模式或IPS模式等橫向電場模式對應之液晶層。即，作為液晶顯示器件20，可使用利用FFS模式或IPS模式等橫向電場模式之液晶顯示器件。或者，亦可使用如上所述之利用TN模式或VA模式等縱向電場模式之液晶顯示器件。另，亦可於圖9所示之液晶層6與像素基板2之間，及液晶層6與對向基板3之間分別設置配向膜。
如圖10所示，排列於X軸方向之複數個次像素SPix，即液晶顯示器件20之屬於相同列之複數個次像素SPix係藉由掃描線GCL而相互連接。掃描線GCL與閘極驅動器12(參照圖1)連接，由閘極驅動器12供給掃描信號Vscan(參照圖1)。又，排列於Y軸方向之複數個次像素SPix，即液晶顯示器件20之屬於相同行之複數個次像素SPix係藉由信號線SGL而相互連接。信號線SGL與源極驅動器13(參照圖1)連接，由 源極驅動器13供給像素信號Vpix(參照圖1)。進而，排列於X軸方向之複數個次像素SPix，即液晶顯示器件20之屬於相同列之複數個次像素SPix經由共用電極COML而相互連接。
共用電極COML與驅動電極驅動器14(參照圖1)連接，由驅動電極驅動器14供給驅動信號Vcom(參照圖1)。即，於圖10所示之例中，屬於相同列之複數個次像素SPix共用1個共用電極COML。複數個共用電極COML在顯示區域Ad，分別於X軸方向延伸，且排列於Y軸方向。如上所述，因複數條掃描線GCL在顯示區域Ad，分別於X軸方向延伸且排列於Y軸方向，故複數個共用電極COML各者所延伸之方向與複數條掃描線GCL各者所延伸之方向平行。而且，複數個驅動電極COML各者所延伸之方向並未限定，例如，複數個共用電極COML各者所延伸之方向亦可為與複數條信號線SGL各者所延伸之方向平行之方向。
圖1所示之閘極驅動器12藉由將掃描信號Vscan經由圖10所示之掃描線GCL而施加至各次像素SPix之TFT元件Tr之閘極電極，而依序將液晶顯示器件20之以矩陣狀形成之次像素SPix中之1列，即1條水平線選作顯示驅動對象。圖1所示之源極驅動器13將像素信號Vpix經由圖10所示之信號線SGL，而分別供給至構成由閘極驅動器12依序選定之1條水平線之複數個次像素SPix。接著，由構成1條水平線之複數個次像素SPix進行與所供給之像素信號Vpix相應之顯示。
圖1所示之驅動電極驅動器14施加驅動信號Vcom，對與1個或複數個共用電極COML對應之每1個檢測區塊，驅動共用電極COML。
液晶顯示器件20，係藉由閘極驅動器12以分時依序掃描掃描線GCL之方式進行驅動，使次像素SPix依序逐個選擇1條水平線。且，液晶顯示器件20，係藉由源極驅動器13對屬於同一條水平線之次像素SPix供給像素信號Vpix，而按照每條水平線逐一進行顯示。進行該顯 示動作時，驅動電極驅動器14對包含與該1條水平線對應之共用電極COML之檢測區塊，施加驅動信號Vcom。
本實施形態1之顯示裝置1之共用電極COML係作為液晶顯示器件20之驅動電極動作，並作為觸控檢測器件30之驅動電極動作。圖11係表示實施形態1之顯示裝置之驅動電極及檢測電極之一構成例的立體圖。
觸控檢測器件30具有設置於像素基板2之複數個共用電極COML、與設置於對向基板3之複數個檢測電極TDL。複數個檢測電極TDL俯視下分別朝與複數個共用電極COML各者所延伸之方向交叉之方向延伸。換言之，複數個檢測電極TDL係以俯視下與複數個共用電極COML相互重合之方式，相互空出間隔而設。因此，複數個檢測電極TDL各者係於垂直於像素基板2所包含之第1基板21之表面之方向，與共用電極COML對向。複數個檢測電極TDL各者分別連接於觸控檢測部40之觸控檢測信號放大部42(參照圖1)。於複數個共用電極COML各者與複數個檢測電極TDL各者之俯視下之交叉部，產生靜電電容。接著，基於複數個共用電極COML各者與複數個檢測電極TDL各者之間之靜電電容而檢測出輸入位置。亦即，由如形成有檢測電極TDL之第2基板31(參照圖9)之電極基板與共用電極COML形成檢測輸入位置之檢測部，即輸入裝置。
另，本實施形態1之電極基板並非限定於用作對向基板3之情形，而例如亦可如利用圖38所後述，形成輸入裝置單體。
根據此種構成，於觸控檢測器件30進行觸控檢測動作時，由驅動電極驅動器14沿掃描方向Scan依序選擇與1個或複數個共用電極COML對應之1個檢測區塊。接著，於選定之檢測區塊，對共用電極COML輸入用於測定共用電極COML與檢測電極TDL之間之靜電電容之驅動信號Vcom，自檢測電極TDL輸出用於檢測輸入位置之檢測信 號Vdet。如此觸控檢測器件30以對每1個檢測區塊進行觸控檢測。亦即，1個檢測區塊係與上述觸控檢測原理之驅動電極E1對應，檢測電極TDL係與檢測電極E2對應。
另，顯示動作時之檢測區塊之範圍與觸控檢測動作時之檢測區塊之範圍可相同，亦可不同。
如圖11所示，俯視下相互交叉之複數個共用電極COML與複數個檢測電極TDL形成以矩陣狀排列之靜電電容式觸控感應器。因此，藉由掃描整個觸控檢測器件30之觸控檢測面，可檢測手指等所接觸或接近之位置。
如圖9所示，對向基板3具有：第2基板31、彩色濾光片32、檢測電極TDL、及保護膜33。第2基板31具有作為主表面之上表面與作為與上表面相反側之主表面之下表面。彩色濾光片32形成於第2基板31之作為一主表面之下表面。檢測電極TDL係觸控檢測器件30之檢測電極，形成於第2基板31之作為另一主表面之上表面。保護膜33以覆蓋檢測電極TDL之方式，形成於第2基板31之上表面上。另，關於作為電極之檢測電極TDL及保護膜33之形狀，將於後敘述。
沿X軸方向排列有例如著色成紅(R)、綠(G)、及藍(B)三色之彩色濾光片，作為彩色濾光片32。藉此，如圖10所示，形成分別與R、G及B三色之顏色區域32R、32G及32B各者對應之複數個次像素SPix，由分別與一組顏色區域32R、32G及32B各者對應之複數個次像素SPix形成1個像素Pix。像素Pix係沿掃描線GCL所延伸之方向(X軸方向)及信號線SGL所延伸之方向(Y軸方向)，以矩陣狀排列。再者，像素Pix以矩陣狀排列而成之區域係例如上述顯示區域Ad。另，亦可於顯示區域Ad之周邊，設置設有虛擬像素之虛擬區域。
作為彩色濾光片32之顏色組合，亦可為包含R、G及B以外之其他顏色之複數種顏色之組合。且亦可不設置彩色濾光片32。或者，1個 像素Pix亦可包含未設置彩色濾光片32之次像素SPix，即白色次像素SPix。又，亦可利用COA(Color filter On Array：陣列上彩色濾光片)技術，將彩色濾光片設置於像素基板2。
另，如圖9所示，亦可隔著像素基板2，於與對向基板3相反之側設置偏光板25。又，亦可隔著對向基板3，於與像素基板2相反之側設置偏光板34。
<電極基板之構成>
接著，參照圖12至圖15，對電極基板之構成進行說明。另，於本實施形態1中，例示以作為附有輸入裝置之顯示裝置之形成有檢測電極之對向基板而使用之電極基板作為電極基板進行說明。
圖12係表示實施形態1之電極基板之俯視圖。圖13及圖14係表示實施形態1之電極基板之剖面圖。圖15係表示實施形態1之電極基板之立體圖。圖13係沿著圖12之A-A線之剖面圖；圖14係沿著圖12之B-B線之剖面圖。另，圖12顯示去除配線基板WS1及各向異性導電性膜CF1之透視狀態，以兩點鏈線表示配線基板WS1及各向異性導電性膜CF1之外周。又，圖15省略配線基板WS1之圖示。進而，圖15顯示類似於利用圖19所後述之凹凸圖案UE1之第1變化例之例。
作為對向基板3之電極基板ES具有：第2基板31、檢測電極TDL、保護膜33、及凹凸圖案UE1。
另，於本案說明書中，所謂「凹凸圖案」，係指包含凹部之圖案、包含凸部之圖案，或包含凹部及凸部之圖案。
第2基板31具有區域(第1區域)AR1、區域(第2區域)AR2及區域(第3區域)AR3，作為第2基板31之主表面亦即上表面之區域。以下，將於作為第2基板31之主表面亦即上表面內相互交叉且較佳為正交之2個方向設為X軸方向及Y軸方向。此時，區域AR1、AR2及AR3俯視下依序配置於Y軸方向。
另，如上所述，於本案說明書中，所謂「俯視下」係指自垂直於作為第1基板21(參照圖9)或第2基板31之主表面亦即上表面之方向觀察時之情形。
又，可使用例如有透明性之玻璃基板，或例如包含樹脂之膜等各種基板，作為第2基板31。
檢測電極TDL於第2基板31上，自第2基板31之上表面之區域AR1經由第2基板31之上表面之區域AR2連續形成至第2基板31之上表面之區域AR3。較佳為，檢測電極TDL俯視下係於Y軸方向延伸。
將檢測電極TDL中之形成於區域AR1之部分設為部分PR1。部分PR1係檢測電極TDL之本體部MP1。又，將檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分設為部分PR2。進而，將檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分設為PR3。部分PR3係與配線基板WS1電性連接之電極端子ET1。換言之，部分PR3係與配線基板WS1電性連接之電極焊墊。檢測電極TDL包含導電膜。
較佳為，檢測電極TDL包含單層或複數層之導電膜之膜，且該導電膜含有自包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)及鎢(W)之群選出之1種以上之金屬的金屬層或合金層。藉此，由於可提高檢測電極TDL之導電性，故可提高檢測電極TDL之檢測靈敏度或檢測速度。
另，於本實施形態1中，顯示部分PR2作為電極端子ET1中之本體部MP1側之部分而包含於電極端子ET1之例。但部分PR2亦可作為本體部MP1中之電極端子ET1側之部分而包含於本體部MP1。
又，於圖12所示之例中，電極端子ET1之平面形狀為矩形形狀，但電極端子ET1之平面形狀例如亦可為圓形形狀等各種形狀。
檢測電極TDL亦可包含在區域AR1中於X軸方向排列之複數根導電線。此時，複數根導電線各者俯視下具有交替朝相反方向彎曲且全 體朝Y軸方向延伸之Z字形狀。或者，檢測電極TDL亦可具有俯視下由複數根導電線形成之網格形狀。
對向基板3具有複數個檢測電極TDL。複數個檢測電極TDL例如於X軸方向排列。
保護膜33以覆蓋檢測電極TDL之方式，形成於區域AR1及AR2。保護膜33藉由防止檢測電極TDL與例如空氣中之水分或酸性有機物等接觸，而可保護包含導電膜之檢測電極TDL不被腐蝕。作為保護膜33，例如可使用含有包含丙烯酸樹脂、環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂等之紫外線(Ultraviolet：UV)硬化性樹脂、熱硬化性樹脂，或包含含有該兩者之樹脂之樹脂膜。另，保護膜33亦具有將形成有檢測電極TDL之第2基板31之上表面平坦化之功能。
凹凸圖案UE1形成於部分PR2之表面，或於區域AR2中之位於檢測電極TDL周邊之部分形成於第2基板31上。換言之，凹凸圖案UE1於區域AR2，形成於檢測電極TDL或第2基板31。
又，保護膜33之區域AR3側之端部係終止於凹凸圖案UE1上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上。
如上所述，凹凸圖案UE1例如包含凹部或凸部等。即，凹凸圖案UE1包含具有高位部與低位部之階差部。於對區域AR1及AR2塗佈保護膜形成用之塗佈液時，塗佈液可沿階差部順暢擴展，但難以於與階差部交叉之方向擴展。因此，可藉由調整凹凸圖案UE1之形狀而調整階差部之長度，從而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。亦即，凹凸圖案UE1係調整保護膜33之端部位置之位置調整圖案。
如圖14所示，可將保護膜33之厚度TH1設定得厚於檢測電極TDL之厚度TH2，例如，可將檢測電極TDL之厚度TH2設為10~2000nm，將保護膜33之厚度TH1設為500~10000nm。又，於保護膜33之厚度 TH1，亦即保護膜形成用之塗佈液之厚度為檢測電極TDL之厚度TH2之2倍以上時，藉由設置凹凸圖案UE1，可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置之效果變大。
另，於圖12所示之例中，凹凸圖案UE1於區域AR2中之位於檢測電極TDL周邊之部分，形成於第2基板31上。又，保護膜33係終止於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。
此處，將X軸方向與Y軸方向設為相互正交者，將部分PR1之X軸方向之寬度設為寬度WD1，將部分PR2之X軸方向之寬度設為寬度WD2，將部分PR3之X軸方向之寬度設為寬度WD3。此時，較佳為，部分PR2之X軸方向之寬度WD2大於部分PR1之X軸方向之寬度WD1。藉此，部分PR2具有肩部SH1，可藉由肩部SH1防止或抑制被塗佈於區域AR1之保護膜形成用之塗佈液向區域AR2擴展。故而，可精度良好地調整被塗佈至區域AR2之塗佈液之端部位置。
另，圖12顯示部分PR2之X軸方向之寬度WD2大於部分PR1之X軸方向之寬度WD1之例，圖15顯示部分PR2之X軸方向之寬度WD2與部分PR1之X軸方向之寬度WD1相等之例。又，圖12顯示部分PR3之X軸方向之寬度WD3與部分PR2之X軸方向之寬度WD2相等之例，圖15顯示部分PR3之X軸方向之寬度與部分PR2之X軸方向之寬度相等之例。
例如圖12所示之情形，亦即寬度WD2大於寬度WD1並與寬度WD3相等之情形，寬度WD2及WD3例如為50~1000μm。又，例如圖12所示之情形，彼此相鄰之2個電極端子ET1之間隔DS1例如為50~1000μm。藉由間隔DS1在該範圍內，可防止或抑制彼此相鄰之2個電極端子ET1因後述之各向異性導電性膜CF1而短路。
又，作為對向基板3之電極基板ES亦可具有各向異性導電性膜(Anisotropic Conductive Film：ACF)CF1與配線基板WS1。各向異性 導電性膜CF1係以覆蓋檢測電極TDL之方式，配置於區域AR2及AR3。配線基板WS1配置於各向異性導電性膜CF1上。作為配線基板WS1，例如可使用亦稱為可撓性印刷電路基板(Flexible Printed Circirts：FPC)之可撓性印刷配線板。以下對將FPC用作配線基板WS1之例進行說明。
於作為配線基板WS1之主表面之下表面，形成有複數個電極端子ET2。即，配線基板WS1包含形成於作為配線基板WS1之主表面之下表面之複數個電極端子ET2。複數個電極端子ET2各者係與複數個檢測電極TDL各者之電極端子ET1相互對應而配置。配線基板WS1係以複數個電極端子ET2各者與複數個檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分即各電極端子ET1各者，介隔各向異性導電性膜CF1而對向之方式，配置於各向異性導電性膜CF1上。
各向異性導電性膜CF1係將熱硬化性樹脂中混合具有導電性之微細金屬粒子者成型為膜狀之膜。以檢測電極TDL之電極端子ET1與配線基板WS1之電極端子ET2之間介隔各向異性導電性膜CF1之狀態，例如一面進行熱處理，一面將配線基板WS1按壓至第2基板31。藉此，各向異性導電性膜CF1內之金屬粒子於各向異性導電性膜CF1之厚度方向接觸，而於各向異性導電性膜CF1之厚度方向形成導電路徑。又，相互對向之電極端子ET1與電極端子ET2係藉由各向異性導電性膜CF1而電性連接。
較佳為，各向異性導電性膜CF1之區域AR1側之端部EP2漫延至保護膜33上而終止於保護膜33上。換言之，各向異性導電性膜CF1之區域AR1側之端部EP2位於保護膜33上。
藉此，部分RP2之任一部分均被保護膜33或各向異性導電性膜CF1中之任一者覆蓋，由於可避免部分PR2之任意一部分接觸到空氣中之水分，可對包含導電膜之檢測電極TDL確實保護而防止其被腐 蝕。
<凹凸圖案>
圖16係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之俯視圖。
如圖16所示，於本實施形態1中，凹凸圖案UE1包含突出部PJ1。突出部PJ1俯視下係以自於Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面，朝X軸方向突出而延伸之方式形成。因此，凹凸圖案UE1形成於部分PR2之側面，如圖12及圖13所示，保護膜33終止於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。另，突出部PJ1亦具有形成於第2基板31上之凸部。
如此般，可藉由作為階差部之突出部PJ1，增長檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之外周之長度，可藉由作為階差部之側壁之突出部PJ1，增大檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面面積。亦即可增長階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
較佳為，凹凸圖案UE1包含複數個突出部PJ1。複數個突出部PJ1於區域AR2，以俯視下自於Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面，分別朝X軸方向突出而延伸之方式形成，且於Y軸方向排列。藉此，可容易地防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展。故而可精確地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
又，於本實施形態1中，設置有檢測電極TDL1及TDL2，作為俯視下分別於X軸方向延伸且於Y軸方向相鄰之2個檢測電極TDL。如圖12及圖13所示，保護膜33係以覆蓋2個檢測電極TDL且覆蓋位於2個檢測電極TDL之間之一部分之第2基板31之方式，形成於區域AR1及 AR2。
作為與檢測電極TDL1對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE111，包含複數個作為突出部PJ1之突出部PJ111；作為與檢測電極TDL1對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE112，包含複數個作為突出部PJ1之突出部PJ112。複數個突出部PJ111係自作為檢測電極TDL1中形成於區域AR2之部分PR2之部分PR21之與檢測電極TDL2側相反側之側面，分別朝與檢測電極TDL2側相反之側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。複數個突出部PJ112，係自部分PR21之檢測電極TDL2側之側面分別朝檢測電極TDL2側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。
且，作為與檢測電極TDL2對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE121，包含複數個作為突出部PJ1之突出部PJ121；作為與檢測電極TDL2對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE122，包含複數個作為突出部PJ1之突出部PJ122。複數個突出部PJ121係自作為檢測電極TDL2中形成於區域AR2之部分PR2之部分PR22之與檢測電極TDL1側相反側之側面，分別朝與檢測電極TDL1側相反之側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。複數個突出部PJ122係自部分PR22之與檢測電極TDL1側為相反側之側面分別朝與檢測電極TDL1側為相反側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。另，與利用圖19所後述之例相同，複數個突出部PJ112與複數個突出部PJ121亦可於Y軸方向以錯位狀配置。
如圖16所示，於設置有突出部PJ112與突出部PJ121之情形時，相鄰之2個檢測電極TDL1及TDL2之最短距離係與X軸方向上之突出部PJ112與突出部PJ121之最短距離DS2相等。此情況時，較佳為X軸方向上之突出部PJ112與突出部PJ121之最短距離DS2大於各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑。藉此，可 防止或抑制突出部PJ112與突出部PJ121因各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子而短路。
更佳為X軸方向上之突出部PJ112與突出部PJ121之最短距離DS2為各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑之3倍以上。或者，於導電粒子之平均粒徑未達例如5000nm時，較佳為X軸方向上之突出部PJ112與突出部PJ121之最短距離DS2例如為15000~50000nm。藉此，可容易地防止或抑制突出部PJ112與突出部PJ121因各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子而短路。
另，於例如設置複數個突出部PJ112，但並未設置複數個突出部PJ121之情形，相鄰之2個檢測電極TDL1及TDL2之最短距離係與檢測電極TDL2之檢測電極TDL1側之側面與突出部PJ112之X軸方向上之最短距離相等。此情況亦較佳為檢測電極TDL2之檢測電極TDL1側之側面與突出部PJ112之X軸方向上之最短距離，大於各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑。又，更佳為檢測電極TDL2之檢測電極TDL1側之側面與突出部PJ112之X軸方向上之最短距離為各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑之3倍以上。
如此，關於相鄰之檢測電極TDL1及TDL2，較佳配置為不限於X軸方向及Y軸方向，而是任意方向之任意部分彼此之最短距離均空開同樣距離。
另，與利用圖12所說明之情形同樣地，部分PR2之X軸方向之寬度WD2大於部分PR1之X軸方向之寬度WD1。藉此，可藉由肩部SH1，防止被塗佈於區域AR1之保護膜形成用之塗佈液向區域AR2擴展。
圖17及圖18係顯示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之另一例之 剖面圖。圖17及圖18係自突出部PJ1所延伸之方向觀察時之剖面圖。又，圖17及圖18省略保護膜33之圖示。
如圖17及圖18所示，作為凸部之突出部PJ1包含俯視下例如位於與X軸方向正交之Y軸方向之一側(圖17中為左側)之側面部SS1，側面部SS1之上端部HE1於Y軸方向位於較側面部SS1之下端部LE1更靠一側(圖17中為左側)。又，突出部PJ1包含俯視下例如位於與X軸方向正交之Y軸方向之另一側(圖17中為右側)之側面部SS2，側面部SS2之上端部HE2於Y軸方向位於較側面部SS2之下端部LE2更靠另一側(圖17中為右側)。
於圖17所示之例中，突出部PJ1具有形成於第2基板31上之下層部LL1、及形成於下層部LL1上之上層部HL1。下層部LL1之Y軸方向之一側(圖17中為左側)之側面部LS1於Y軸方向較上層部HL1之Y軸方向之一側(圖17中為左側)之側面部HS1，更朝與一側(圖17中為左側)相反之側後退。又，下層部LL1之Y軸方向之另一側(圖17中為右側)之側面部LS2於Y軸方向較上層部HL1之Y軸方向之另一側(圖17中為右側)之側面部HS2，更朝與另一側(圖17中為右側)相反之側後退。藉此，側面部SS1之上端部HE1於Y軸方向位於較側面部SS1之下端部LE1更靠一側(圖17中為左側)；側面部SS2之上端部HE2於Y軸方向位於較側面部SS2之下端部LE2更靠另一側(圖17中為右側)。
又，於圖18所示之例中，突出部PJ1之與所延伸之方向垂直之剖面形狀為倒梯形形狀。即，關於突出部PJ1之與延伸之方向垂直之剖面，係以突出部PJ1之寬度自突出部PJ1之上表面向突出部PJ1之下表面變窄之方式，使突出部PJ1之兩個側面中之任一者或兩者傾斜。
藉由使作為凸部之突出部PJ1具有此種剖面形狀，將塗佈液攔截於利用圖31所後述之階差部ST1之上側之效果變大。因此，可更精度良好地調整塗佈液之端部位置。
於圖17所示之例中，例如於以下層部LL1相對於某種蝕刻劑之蝕刻速度大於上層部HL1相對於該蝕刻劑之蝕刻速度之方式，將下層部LL1及上層部HL1積層後，利用該蝕刻劑進行蝕刻。藉此，可以側面部SS1之上端部HE1於Y軸方向位於較側面部SS1之下端部LE1更靠近一側(圖17中為左側)，側面部SS2之上端部HE2於Y軸方向位於較側面部SS2之下端部LE2更靠近另一側(圖17中為右側)之方式，形成突出部PJ1(以下之各變化例亦相同)。
亦或者，突出部PJ1之側面中之上端部以外之部分之一部分亦可存在中間變細之部分(以下之各變化例亦相同)。
<凹凸圖案之第1變化例>
圖19係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第1變化例之俯視圖。
如圖19所示，於該第1變化例中，凹凸圖案UE1包含突出部PJ2。突出部PJ2，係以俯視下自於Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面，朝X軸方向突出而延伸之方式形成。因此，凹凸圖案UE1形成於部分PR2之側面，如圖12、圖13及圖15所示，保護膜33終止於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。另，突出部PJ2亦具有形成於第2基板31上之凸部。
如此，可藉由作為階差部之突出部PJ2，增長檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之外周之長度，可藉由作為階差部之側壁之突出部PJ2，增大檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面面積。亦即可增長階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
較佳為，凹凸圖案UE1包含複數個突出部PJ2。複數個突出部PJ2 於區域AR2，係以俯視下自於Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面，分別朝X軸方向突出而延伸方式形成，且於Y軸方向排列。藉此，可容易地防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展。故而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
又，於該第1變化例中，設置有檢測電極TDL1及TDL2，作為俯視下分別於X軸方向延伸且於Y軸方向相鄰之2個檢測電極TDL。如圖12、圖13及圖15所示，保護膜33係以覆蓋2個檢測電極TDL及覆蓋位於2個檢測電極TDL之間之部分之第2基板31之方式，形成於區域AR1及AR2。
作為與檢測電極TDL1對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE111，包含複數個作為突出部PJ2之突出部PJ211；作為與檢測電極TDL1對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE112，包含複數個作為突出部PJ2之突出部PJ212。複數個突出部PJ211係自作為檢測電極TDL1中之形成於區域AR2之部分PR2之部分PR21之與檢測電極TDL2側相反側之側面，分別朝與檢測電極TDL2側相反之側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。複數個突出部PJ212係自部分PR21之檢測電極TDL2側之側面，分別朝檢測電極TDL2側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。
又，作為與檢測電極TDL2對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE121，包含複數個作為突出部PJ2之突出部PJ221；作為與檢測電極TDL2對應而設之凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE122，包含複數個作為突出部PJ2之突出部PJ222。複數個突出部PJ221係自作為檢測電極TDL2中之形成於區域AR2之部分PR2之部分PR22之檢測電極TDL1側之側面，分別朝檢測電極TDL1側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。複數個突出部PJ222係自部分PR22之與檢測電極TDL1側相反側之 側面，分別朝與檢測電極TDL1側相反側突出地於X軸方向延伸，且於Y軸方向排列。
於該第1變化例中，如圖19所示，突出部PJ212之檢測電極TDL2側之端部EG12於X軸方向配置於較突出部PJ221之檢測電極TDL1側之端部EG21更靠近檢測電極TDL2側。又，複數個突出部PJ212各者與複數個突出部PJ221各者係沿Y軸方向交替配置。因此，複數個突出部PJ212及複數個突出部PJ221於Y軸方向以錯位狀配置。
藉此，被塗佈於區域AR2內之位於彼此相鄰之2個檢測電極TDL之間之部分之第2基板31之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展時，交叉之階差部數增加。藉此，可容易地防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展。故而，可容易且精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
如圖19所示，於設置突出部PJ212與突出部PJ221之情形時，相鄰之2個檢測電極TDL1及TDL2之最短距離係與Y軸方向之突出部PJ212與突出部PJ221之最短距離DS3相等。於此種情形時，較佳為Y軸方向之突出部PJ212與突出部PJ221之最短距離DS3大於各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑。藉此，可防止或抑制突出部PJ212與突出部PJ221因各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子而短路。
更佳為，Y軸方向之突出部PJ212與突出部PJ221之最短距離DS3係各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑的3倍以上。或者，於導電粒子之平均粒徑例如未達5000nm時，較佳為Y軸方向之突出部PJ212與突出部PJ221之最短距離DS3例如為15000~50000nm。藉此，可容易地防止或抑制突出部PJ212與突出部PJ221因各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子而短路。
另，於例如設置有複數個突出部PJ212，但未設置複數個突出部PJ221之情形時，相鄰之2個檢測電極TDL1及TDL2之最短距離係與檢測電極TDL2之檢測電極TDL1側之側面與突出部PJ212之於X軸方向之最短距離相等。此種情形亦較佳為檢測電極TDL2之檢測電極TDL1側之側面與突出部PJ212之於X軸方向之最短距離大於各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑。又，更佳為，檢測電極TDL2之檢測電極TDL1側之側面與突出部PJ212之於X軸方向之最短距離係各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑之3倍以上。
如此，關於相鄰之檢測電極TDL1及TDL2，較佳設置為不限於X軸方向及Y軸方向，而是任意方向之任意部分相互間之最短距離一空出同樣距離。
於該第1變化例1中，突出部PJ212之檢測電極TDL2側之端部EG12於X軸方向配置於較突出部PJ221之檢測電極TDL1側之端部EG21更靠近檢測電極TDL2側。因此，相較於突出部PJ112之檢測電極TDL2側之端部EG12於X軸方向配置於較突出部PJ121之檢測電極TDL1側之端部EG21更靠近檢測電極TDL1側之實施形態1(參照圖16)，其防止被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展之效果進一步變大。
另，該第1變化例亦與利用圖12所說明之實施形態1同樣地，部分PR2之X軸方向之寬度WD2大於部分PR1之X軸方向之寬度WD1。藉此，可藉由肩部SH1，防止或抑制被塗佈於區域AR1之保護膜形成用之塗佈液向區域AR2擴展(省略寬度WD1及WD2之圖示，以下各變化例亦同)。
<凹凸圖案之第2變化例>
圖20係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第2變化例之俯 視圖。
如圖20所示，於該第2變化例中，凹凸圖案UE1包含俯視下自於Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面突出而形成之突出部PJ3。因此，凹凸圖案UE1形成於部分PR2之側面；如圖12、圖13及圖15所示，保護膜33終止於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。另，突出部PJ3亦具有形成於第1基板21上之凸部。
如此，可藉由作為階差部之突出部PJ3，增長部分PR2之外周之長度，可藉由作為階差部之突出部PJ3之側面面積，增大部分PR2之側面面積。亦即可增長階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
較佳為，凹凸圖案UE1包含複數個突出部PJ3。複數個突出部PJ3於區域AR2，以俯視下分別自朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面突出而形成，且於Y軸方向排列。藉此，可容易地防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展。故而，可容易且精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
於該第2變化例中，作為凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE11包含複數個作為突出部PJ3之突出部PJ31，作為凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE12包含複數個作為突出部PJ3之突出部PJ32。複數個突出部PJ31各者亦可俯視下交替於相反方向上彎曲且全體朝X軸方向延伸。亦或者，複數個突出部PJ31各者可僅於中途彎曲一次。又，複數個突出部PJ32各者亦可俯視下朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向延伸。
<凹凸圖案之第3變化例>
圖21係顯示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第3變化例之俯 視圖。
如圖21所示，於該第3變化例中，作為凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE11具有複數個凹部CC1。複數個凹部CC1俯視下形成於朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面。複數個凹部CC1沿Y軸方向排列。
又，於該第3變化例中，作為凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE12具有複數個凸部CV1。複數個凸部CV1俯視下形成於朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面，且於Y軸方向排列。
如此，可藉由作為階差部之凹部CC1，增長部分PR2之外周之長度，可藉由作為階差部之凹部CC1之側面面積，增大部分PR2之側面面積。亦即可增長階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可容易且精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
<凹凸圖案之第4變化例>
圖22係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第4變化例之俯視圖。
如圖22所示，於該第4變化例中，凹凸圖案UE1包含切槽部NC1。切槽部NC1係以俯視下自朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面切入而形成。因此，凹凸圖案UE1形成於部分PR2之側面及上表面；如圖12、圖13及圖15所示，保護膜33終止於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。另，切槽部NC1亦具有形成於檢測電極TDL之上表面之凹部。
如此，可藉由作為階差部之切槽部NC1，增長部分PR2之外周之長度，可藉由作為階差部之切槽部NC1之側面面積，增大部分PR2之 側面面積。亦即可增長階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
較佳為，凹凸圖案UE1包含複數個切槽部NC1。複數個切槽部NC1俯視下係自朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之側面切入而形成，且於Y軸方向排列。藉此，可進一步增長作為階差部之部分PR2之外周之長度。因此，可容易地防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可容易且精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
另，於該第4變化例中，作為凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE11包含複數個作為切槽部NC1之切槽部NC11，作為凹凸圖案UE1之凹凸圖案UE12包含複數個作為切槽部NC1之切槽部NC12。複數個切槽部NC11各者亦可俯視下朝與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向延伸。又，複數個切槽部NC12各者亦可俯視下交替於相反方向上彎曲並且全體於X軸方向延伸。或者，複數個切槽部NC12各者亦可僅於中途彎曲一次。
<凹凸圖案之第5變化例及第6變化例>
圖23係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第5變化例之俯視圖。圖24係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第6變化例之俯視圖。另，圖23係以兩點鏈線表示保護膜33之端部。
如圖23及圖24所示，於該第5變化例及該第6變化例中，凹凸圖案UE1包含凹部CC2。凹部CC2俯視下形成於朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之上表面。因此，凹凸圖案UE1形成於部分PR2之上表面，如圖23所示，保護膜33終止於凹凸圖案UE1上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上。
如此，可藉由凹部CC2，增長凹凸圖案UE1所包含之階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
另，作為凹部CC2，亦可形成為到達至部分PR2之厚度方向之中途之凹部，亦可形成為貫通部分PR2而到達至第2基板31之表面之凹部。
較佳為，凹凸圖案UE1包含複數個凹部CC2。複數個凹部CC2分別形成於朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之上表面。又，複數個凹部CC2於X軸方向以錯位狀配置。換言之，由複數個凹部CC2形成俯視下於X軸方向排列之凹部群CCG2，該凹部群CCG2沿與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向排列有複數個。亦即，複數個凹部群CCG2係以X軸方向之凹部CC2之位置於Y軸方向彼此相鄰之2個凹部群CCG2之間不同之方式排列。
如此，可藉由位於較該凹部群CCG2更靠近Y軸方向之區域AR3側之凹部群CCG2所包含之凹部CC2，攔截經由部分PR2之上表面中之某凹部群CCG2所包含之於X軸方向彼此相鄰之2個凹部CC2之間之部分而向Y軸方向之區域AR3側擴展之塗佈液。故而，可容易防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可容易且精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。又，相較於複數個凹部CC2分別於X軸方向連續延伸之情形，電流更容易經由於X軸方向上彼此相鄰之2個凹部CC2之間之部分而向Y軸方向流動。
另，如圖23所示，於該第5變化例中，複數個凹部CC2各者俯視下具有矩形形狀。另一方面，如圖24所示，於該第6變化例中，複數個凹部CC2各者俯視下具有圓形形狀。然而，與圖24所示之第6變化 例相比，圖23所示之第5變化例之凹凸圖案UE1所包含之階差部中之於X軸方向延伸之部分之長度較長。自防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側亦即向Y軸方向擴展之觀點而言，較佳為凹凸圖案UE1所包含之階差部中之於X軸方向延伸之部分之長度較長。因此，與圖24所示之第6變化例相比，圖23所示之第5變化例其防止或抑制被塗佈於區域AR2之塗佈液向區域AR3側擴展之效果較大。
另，複數個凹部CC2各者之俯視下之形狀除圓形形狀以外，亦可為例如橢圓形狀或多邊形形狀等各種形狀。
又，如圖23之一部分作為凹部CC21所示，複數個凹部CC2俯視下只要分別於X軸方向連續延伸且於Y軸方向排列即可。然而，自複數個凹部CC2於X軸方向以錯位狀配置，使電流易於沿Y軸方向流動之觀點而言，其提高電極基板性能之效果更大。
<凹凸圖案之第7變化例>
圖25係表示實施形態1之第1電極基板之凹凸圖案之第7變化例之俯視圖。
如圖25所示，於該第7變化例中，凹凸圖案UE1包含凹部CC3及凹部CC4。凹部CC3及凹部CC4形成於檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之上表面。因此，凹凸圖案UE1形成於部分PR2之上表面；如圖23所示，保護膜33終止於凹凸圖案UE1上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上。
另，作為凹部CC3及凹部CC4各者，可形成為到達至部分PR2之厚度方向之中途之凹部，亦可形成貫通部分PR2而到達至第2基板31表面之凹部。
凹部CC3包含延伸部CC31與複數個延伸部CC32。延伸部CC31係形成於部分PR2之X軸方向之一側(圖25中為左側)之上表面，且於Y軸 方向延伸之凹部。複數個延伸部CC32係分別於X軸方向延伸且於Y軸方向排列之凹部。複數個延伸部CC32配置於延伸部CC31之X軸方向之另一側(圖25中為右側)；複數個延伸部CC32各者之X軸方向之一側(圖25中為左側)之端部與延伸部CC31連接。
凹部CC4包含延伸部CC41與複數個延伸部CC42。延伸部CC41係形成於部分PR2之X軸方向之另一側(圖25中為右側)之上表面，且於Y軸方向延伸之凹部。複數個延伸部CC42係分別於X軸方向延伸且於Y軸方向排列之凹部。複數個延伸部CC42配置於延伸部CC41之X軸方向之另一側(圖25中為左側)；複數個延伸部CC42各者之X軸方向之另一側(圖25中為右側)之端部與延伸部CC41連接。
延伸部CC32與延伸部CC42係沿著Y軸方向交替配置。又，延伸部CC32之X軸方向之另一側(圖25中為右側)之端部EG3配置於較延伸部CC42之X軸方向之一側(圖25中為左側)之端部EG4，更靠近X軸方向之另一側(圖25中為右側)。
可藉由複數個延伸部CC32及複數個延伸部CC42，增長凹凸圖案UE1所包含之階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之塗佈液向區域AR3側擴散。
另一方面，可藉由延伸部CC31及CC41，防止或抑制被塗佈於區域AR2中之位於檢測電極TDL周邊之部分之第2基板31上之塗佈液漫延到檢測電極TDL中之部分PR2上。
另，如圖25所示，延伸部CC31及CC41亦可自區域AR2形成至區域AR3。即，延伸部CC31及CC41亦可自檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之上表面，形成至檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分PR3之上表面。
<凹凸圖案之第8變化例>
圖26係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第8變化例之俯 視圖。另，圖26係以兩點鏈線表示保護膜33之端部。
於圖26所示之例中，凹凸圖案UE1包含凸部CV2。凸部CV2於區域AR2中之俯視下位於朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL周邊之部分且於第2基板31上，與檢測電極TDL隔開而形成。換言之，凸部CV2於區域AR2內之位於彼此相鄰之2個檢測電極TDL之間之部分且於第2基板31上，與該等2個檢測電極TDL兩者隔開形成。故而，凹凸圖案UE1形成於區域AR2內之位於檢測電極TDL周邊之部分且於第2基板31上；如圖26所示，保護膜33終止於凹凸圖案UE1上及檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2上。換言之，保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上及部分PR2上。
如此，可藉由凸部CV2，增長凹凸圖案UE1所包含之階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
較佳為，凹凸圖案UE1包含複數個凸部CV2。複數個凸部CV2於區域AR2內之俯視下位於朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL周邊之部分且於第2基板31上，與檢測電極TDL隔開而分別形成。又，複數個凸部CV2沿X軸方向以錯位狀配置。換言之，由複數個凸部CV2形成俯視下於X軸方向排列之凸部群CVG2；該凸部群CVG2沿與X軸方向及Y軸方向兩者交叉之方向排列有複數個。亦即，複數個凸部群CVG2係以X軸方向之凸部CV2之位置不同之方式，排列在於Y軸方向彼此相鄰之2個凸部群CVG2之間。
如此，可藉由位於較該凸部群CVG2更靠近Y軸方向之區域AR3側之凸部群CVG2所包含之凸部CV2，攔截塗佈液經由第2基板31上表面中之某凸部群CVG2所包含之於X軸方向彼此相鄰之2個凸部CV2之間之部分而向Y軸方向之區域AR3側擴展。因此，可容易地防止或抑 制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可容易且精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。又，相較於複數個凸部CV2分別於X軸方向連續延伸之情形，彼此相鄰之2個檢測電極TDL不易透過凸部CV2而短路。
為防止相鄰之2個檢測電極TDL短路，較佳為由導電性較低之物質形成凸部CV2以使電流不流經凸部CV2。或者，為防止相鄰之2個檢測電極TDL短路，較佳為，凸部CV2相互間之最短距離，或檢測電極TDL與凸部CV2間之最短距離為各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑之3倍以上。
另，如圖26之一部分作為凸部CV21所示，複數個凸部CV2俯視下只要分別於X軸方向連續延伸且於Y軸方向排列即可。然而，複數個凸部CV2於X軸方向以錯位狀配置時，基於不易使彼此相鄰之2個檢測電極TDL產生短路之觀點而言，提高電極基板性能之效果較大。
又，亦可將上述實施形態1及第1變化例至第8變化例之各種凹凸圖案中之複數種組合使用。藉此，組合後之各種凹凸圖案之效果重疊，而可更容易地防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展。
<凹凸圖案之第9變化例>
圖27係表示實施形態1之電極基板之凹凸圖案之第9變化例之俯視圖。
如圖27所示，該第9變化例亦與圖26所示之第8變化例同樣地，凹凸圖案UE1包含複數個凸部CV3。複數個凸部CV3於區域AR2內之俯視下位於朝Y軸方向延伸之檢測電極TDL周邊之部分於第2基板31上，與檢測電極TDL隔開形成。
另一方面，圖27所示之第9變化例與圖26所示之第8變化例不同之處在於，複數個凸部CV3俯視下分別於Y軸方向延伸且於X軸方向 排列。
作為保護膜形成用之塗佈液，亦有流動性非常低者。於此種情形時，會有如下之虞：以覆蓋區域AR1及AR2中之檢測電極TDL之方式，塗佈於第2基板31上之塗佈液並未擴展至Y軸方向之所期望位置，而使保護膜33之端部位於較區域AR2之Y軸方向之所期望位置，更靠近區域AR1側。因此，會有在區域AR2內檢測電極TDL中之必要以上之部分自保護膜33露出之虞。
另一方面，於圖27所示之第9變化例中，包含分別於Y軸方向延伸且於X軸方向排列之複數個凸部CV3之凹凸圖案UE1係於區域AR2，形成於X軸方向上相鄰之2個檢測電極TDL之間。藉此，相較於未形成凹凸圖案UE1之情形，可增強Y軸方向之塗佈液之流動性。因此，以覆蓋區域AR1及區域AR2內之檢測電極TDL之方式，塗佈於第2基板31上之塗佈液容易擴展至Y軸方向之所期望位置，故可精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
為防止相鄰之2個檢測電極TDL短路，較佳為由導電性較低之物質形成凸部CV3以使電流不流經凸部CV3。或者，為防止相鄰之2個檢測電極TDL短路，較佳為，凸部CV3相互間之最短距離或檢測電極TDL與凸部CV3間之最短距離為各向異性導電性膜CF1(參照圖12及圖13)所含有之導電粒子之平均粒徑之3倍以上。
另，如圖27之一部分作為凸部CV31所示，複數個凸部CV3亦可而並非於Y軸方向連續形成，而係俯視下沿Y軸方向例如分割為2個，。
又，圖16、圖19、圖20、圖22、圖23及圖25至圖27已例示說明凹凸圖案UE1俯視下具有矩形形狀之情形。然而，於利用圖16、圖19、圖20、圖22、圖23及圖25至圖27所說明之實施形態1及實施形態1之各變化例中，凹凸圖案UE1之一部分的邊或所有邊亦可彎曲。
<電極基板之製造方法>
接著，參照圖28至圖32，對電極基板之製造方法進行說明。
圖28、圖29、圖31及圖32係實施形態1之電極基板之製造步驟中之剖面圖。圖30係實施形態1之電極基板之製造步驟中之立體圖。圖31及圖32將凹凸圖案所包含之階差部之周邊予以放大顯示。
首先，如圖28之(a)所示，準備第2基板31。第2基板31具有區域AR1、AR2及AR3作為成為第2基板31之主表面之上表面之區域。區域AR1、AR2及AR3俯視下依序配置於Y軸方向。
另，如上所述，作為第2基板31，可使用例如有透明性之玻璃基板或例如包含樹脂之膜等各種基板。
接著，如圖28之(b)至圖29之(g)所示，形成檢測電極TDL。形成該檢測電極TDL之步驟係首先如圖28之(b)所示，於第2基板31上成膜導電膜CF2。該成膜導電膜CF2之步驟可利用例如濺鍍法或化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition：CVD)，成膜例如包含金屬膜之導電膜。較佳為，可成膜包含單層或複數層之膜之導電膜作為導電膜CF2，該導電膜係具有含有自包含鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鉬(Mo)、鉻(Cr)及鎢(W)之群選出之1種以上之金屬的金屬層或合金層之導電膜。
另，進行成膜導電膜之步驟後，於進行後述之圖案處理之前，為了將以噴墨法或電場噴射法塗佈之塗佈液之潤濕性均勻化，亦可對成膜有導電膜之基板進行表面處理。作為此種表面處理，可進行利用UV光之表面處理，利用大氣壓(Atmospheric Pressure：AP)電漿之表面處理，或利用六甲基二矽氧烷(Hexamethyldisiloxane：HMDS)之表面處理等。
其次，對導電膜CF2實施圖案化。蝕刻該導電膜CF2之步驟可利用例如光微影技術及蝕刻技術對導電膜CF2實施圖案化。另，以下例 示形成圖24所示之實施形態1之第6變化例之包含凹部CC2之凹凸圖案UE1之情況，且藉由與形成檢測電極TDL之步驟相同之步驟，形成包含凹部CC2之凹凸圖案UE1之情形而進行說明。又，以下例示凹部CC2貫通導電膜CF2而到達至第2基板31表面之情形進行說明。
具體而言，首先，如圖28之(c)所示，於導電膜CF2上塗佈抗蝕劑膜RF1。接著，如圖28之(d)所示，使用於例如欲形成檢測電極TDL之區域且欲形成凹部CC2之區域以外之區域形成遮光圖案SP1之光罩，使用曝光光EL1對抗蝕劑膜RF1進行圖案曝光。另，圖28之(d)僅圖示光罩中之遮光圖案SP1。
接著，如圖29之(e)所示，藉由對圖案曝光後之抗蝕劑膜RF1進行顯影，而形成包含殘留在欲形成檢測電極TDL之區域且欲形成凹部CC2之區域以外之區域之抗蝕劑膜RF1之抗蝕劑圖案RP1。接著，如圖29之(f)所示，以抗蝕劑圖案RP1作為蝕刻遮罩而蝕刻導電膜CF2，其後，如圖29之(g)所示，例如藉由進行灰化而去除抗蝕劑圖案RP1。藉此形成包含導電膜CF2之檢測電極TDL與設置於檢測電極TDL之上表面之凹部CC2。
檢測電極TDL於第2基板31上，自第2基板31之上表面之區域AR1，經由第2基板31之上表面之區域AR2而連續形成至第2基板31之上表面之區域AR3。較佳為，檢測電極TDL俯視下係於Y軸方向延伸。
將檢測電極TDL中之形成於區域AR1之部分設為部分PR1。部分PR1係檢測電極TDL之本體部MP1(參照圖12)。又，將檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分設為部分PR2。於檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之上表面，形成有凹部CC2。進而，將檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分設為部分PR3。部分PR3係與配線基板WS1(參照圖12)電性連接之電極端子ET1。另，於圖29之(g)所示之 例中，部分PR2亦包含於電極端子ET1之一部分。
又，於圖28之(b)至圖29之(g)所示之例中，藉由與形成檢測電極TDL之步驟相同之步驟，形成圖24所示之包含凹部CC2之凹凸圖案UE1。或者，亦可形成圖16、圖19至圖23及圖25至圖27之任一者所示之凹凸圖案UE1，替代圖24所示之凹凸圖案。形成該凹凸圖案UE1之步驟，係於檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之表面，形成凹凸圖案UE1，或於區域AR2內之位於檢測電極TDL周邊之部分，於第2基板31上，形成凹凸圖案UE1。換言之，在區域AR2，於檢測電極TDL或第2基板31形成凹凸圖案UE1。
此時，形成包含與檢測電極TDL所含有之導電膜CF2同層而形成之導電膜之凹凸圖案UE1，作為凹凸圖案UE1。另，藉由利用與形成檢測電極TDL之步驟同步驟形成凹凸圖案UE1，可削減製造步驟數。另，即使非與形成檢測電極TDL之步驟同步驟，亦可藉由進行與形成檢測電極TDL之步驟相同之步驟對導電膜CF2實施圖案化，而形成圖16及圖19至圖27之任一者所示之凹凸圖案UE1。
又，於圖28之(b)至圖29之(g)所示之例中，已揭示形成包含與檢測電極TDL所含之導電膜同層形成之導電膜之凹凸圖案UE1，作為凹凸圖案UE1之例，但亦可形成包含與檢測電極TDL所含之導電膜為不同種類之導電膜之凹凸圖案UE1。
接著，如圖29之(h)所示，形成保護膜33。於形成保護膜33之步驟中，首先，塗佈保護膜形成用之塗佈液。塗佈該塗佈液之步驟係利用塗佈法塗佈塗佈液。較佳為，採用局部塗佈含溶劑之塗佈液的印刷方法進行塗佈液之塗佈。換言之，採用局部塗佈溶液之印刷方式形成保護膜33。亦即，作為形成保護膜33之方法，可利用包含溶液進行局部成膜之所有印刷方法。作為此種印刷方法，可使用噴墨法、電場噴射法、網版印刷、柔版印刷(flexography)、平版(offset)印刷或凹版印 刷等各種印刷方法。又，以下例示藉由噴墨法或電場噴射法塗佈保護膜形成用之塗佈液之情形而進行說明。
可形成含有例如包含丙烯酸樹脂、環氧樹脂或聚醯亞胺樹脂等之UV硬化性樹脂或熱硬化性樹脂之樹脂膜，作為保護膜33。因此，可使用含有上述UV硬化性樹脂或熱硬化性樹脂之塗佈液作為保護膜形成用之塗佈液。
於利用噴墨法或電場噴射法塗佈塗佈液之情形，如圖30所示，一面使設置為可相對於第2基板31相對移動之噴頭51對於第2基板31相對移動，一面自設置於噴頭51之噴嘴噴射塗佈液52。藉此，於區域AR1及AR2，以覆蓋檢測電極TDL之方式塗佈塗佈液52。
又，如圖30所示，利用具有於某方向排列之複數個噴嘴之噴頭51，自複數個噴嘴同時噴射塗佈液52，藉此可縮短塗佈塗佈液52之步驟所需之時間。
亦即，藉由以覆蓋檢測電極TDL之方式，利用噴墨法或電場噴射法於第2基板31上塗佈塗佈液52而形成塗佈膜53後，使形成之塗佈膜53硬化，無須增加製造步驟數，即可形成具有所期望圖案之保護膜。
又，於利用噴墨法或電場噴射法等印刷方法塗佈塗佈液之情形，則無需準備於使用例如光微影及蝕刻形成包含塗佈塗佈液所形成之塗佈膜的圖案所用之光罩，即可能於每次形成所期望圖案。又，於利用噴墨法或電場噴射法等印刷方法塗佈塗佈液之情形，由於可有效利用塗佈液，故可減少製造成本。進而，於利用噴墨法或電場噴射法等印刷方法之情形，由於可進行大氣壓下之成膜，而無須使用具備真空腔室之成膜裝置，故可將成膜裝置小型化。
本實施形態1，係於檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之表面形成凹凸圖案UE1，或於區域AR2內之位於檢測電極TDL周邊之部分，於第2基板31上，形成凹凸圖案UE1。換言之，在區域 AR2，於檢測電極TDL或第2基板31形成凹凸圖案UE1。藉此，可增長形成於區域AR2之階差部之長度。因此，可防止或抑制被塗佈於區域AR2之保護膜形成用之塗佈液向區域AR3側擴展，從而可容易且精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液之端部位置。
如圖31所示，係考慮於凹凸圖案UE1所含之由例如包含突出部PJ1等之高位部HP1與低位部LP1形成之階差部ST1朝與塗佈液52所擴展之方向DR1交叉之方向DR2延伸之情況。於此情形下，沿方向DR1擴展至高位部HP1之塗佈液52例如被攔截在高位部HP1周邊，亦即階差部ST1之上側，並未擴展至低位部LP1。因此，可防止或抑制塗佈液52越過階差部ST1繼續沿方向DR1擴展。
亦即，塗佈塗佈液52之步驟係以所塗佈之塗佈液52終止於凹凸圖案UE1上之方式，塗佈塗佈液52。換言之，塗佈塗佈液52之步驟係以所塗佈之塗佈液52之區域AR3側之端部位於凹凸圖案UE1上之方式，塗佈塗佈液52。
此處，考慮作為凹凸圖案UE1所含之凸部的突出部PJ1之剖面形狀係如利用圖17及圖18所上述之剖面形狀的情形。亦即，考慮於側面部SS1之上端部HE1於Y軸方向位於較側面部SS1之下端部LE1更靠近一側，側面部SS2之上端部HE2於Y軸方向位於較側面部SS2之下端部LE2更靠近另一側之剖面形狀之情況。圖32顯示例如突出部PJ1之與所延伸之方向DR2垂直之剖面形狀為倒梯形形狀之情形。於此情形下，將沿方向DR1擴展至高位部HP1之塗佈液52攔截在階差部ST1之上側之效果變大。因此，可更精度良好地調整塗佈液52之端部位置。
另，於形成具有此種剖面形狀之突出部PJ1之情形，於利用圖28之(b)所說明之成膜導電膜CF2之步驟中，成膜具有下層部LL1(參照圖17)與上層部HL1(參照圖17)之導電膜CF2。此時，如利用圖17所說明般，例如以下層部LL1相對於某蝕刻劑之蝕刻速度大於上層部HL1相 對於該蝕刻劑之蝕刻速度之方式，積層下層部LL1及上層部HL1。其後，於利用圖29之(f)所說明之蝕刻導電膜CF2之步驟中，利用該蝕刻劑進行蝕刻。藉此，可以側面部SS1之上端部HE1於Y軸方向位於較側面部SS1之下端部LE1更靠近一側(圖17中為左側)，側面部SS2之上端部HE2於Y軸方向位於較側面部SS2之下端部LE2更靠近另一側(圖17中為右側)之方式，形成突出部PJ1。
其次，藉由使包含所塗佈之塗佈液52之塗佈膜53硬化而形成保護膜33。於使用含有UV硬化性樹脂之塗佈液作為塗佈液52之情形時，藉由對所形成之塗佈膜53照射包含UV之光亦即UV光，而使塗佈膜53硬化。亦或者，於使用含有熱硬化性樹脂之塗佈液作為塗佈液52之情形時，藉由對所形成之塗佈膜53進行熱處理，而使塗佈膜53硬化。藉此，如圖29之(h)所示，可形成包含硬化後之塗佈膜53之保護膜33。
此處，如上所述，於所塗佈之塗佈液52終止於凹凸圖案UE1上之情形，即所形成之塗佈膜53終止於凹凸圖案UE1上之情形，則包含硬化後之塗佈膜53之保護膜33亦終止於凹凸圖案UE1上。換言之，於塗佈膜53之區域AR3側之端部位於凹凸圖案UE1上時，保護膜33之區域AR3側之端部EP1亦位於凹凸圖案UE1上。
其次，電性連接配線基板WS1(參照圖13)。電性連接該配線基板WS1之步驟，係於第2基板31上介隔各向異性導電性膜(ACF)CF1(參照圖13)而配置配線基板WS1。於作為配線基板WS1之主表面之下表面，形成有複數個電極端子ET2(參照圖13)。複數個電極端子ET2(參照圖13)各者係與複數個檢測電極TDL各者之電極端子ET1相互對應配置。如上所述，可使用例如亦稱為可撓性印刷電路基板(FPC)之可撓性印刷配線板，作為配線基板WS1。
各向異性導電性膜CF1係以覆蓋檢測電極TDL之方式，配置於區 域AR2及AR3。又，配線基板WS1係以複數個電極端子ET2各者與複數個電極端子ET1各者介隔各向異性導電性膜CF1而對向之方式，介隔各向異性導電性膜CF1而配置於第2基板31上。
各向異性導電性膜CF1係將於熱硬化性樹脂內混合具有導電性之微細金屬粒子者成型為膜狀之膜。以檢測電極TDL之電極端子ET1與配線基板WS1之電極端子ET2之間隔著各向異性導電性膜CF1之狀態，例如一面進行熱處理，一面將配線基板WS1按壓至第2基板31。藉此，各向異性導電性膜CF1內之金屬粒子於各向異性導電性膜CF1之厚度方向接觸，而於各向異性導電性膜CF1之厚度方向形成導電路徑。又，相互對向之電極端子ET1與電極端子ET2係藉由各向異性導電性膜CF1而電性連接。
<關於保護膜端部位置之調整>
接著，一面與比較例之保護膜之端部位置調整進行比較，一面對保護膜之端部位置調整進行說明。
圖33係表示比較例之電極基板之俯視圖。圖34係表示比較例之電極基板之立體圖。圖35係示意性表示玻璃基板上之塗佈液形狀之剖面圖。圖36係示意性表示形成於玻璃基板上之檢測電極周邊之塗佈液形狀之剖面圖。
於比較例中，作為對向基板103之電極基板ES100具有：第2基板31、檢測電極TDL及保護膜33。又，第2基板31具有區域AR1、AR2及AR3，作為成為第2基板31之主表面之上表面之區域。區域AR1、AR2及AR3俯視下依序配置於Y軸方向。
比較例中，檢測電極TDL亦於第2基板31上，自第2基板31之上表面之區域AR1，經由第2基板31之上表面之區域AR2而連續形成至第2基板31之上表面之區域AR3。或者，檢測電極TDL俯視下係沿Y軸方向延伸。
比較例中，同樣將檢測電極TDL中之形成於區域AR1之部分設為部分PR1。部分PR1係檢測電極TDL之本體部MP1。又，將檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分設為部分PR2。進而，將檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分設為PR3。部分PR3及部分PR2係與形成於配線基板WS1之電極端子ET2電性連接之電極端子ET1。
保護膜33係以覆蓋檢測電極TDL之方式，形成於區域AR1及AR2。又，比較例中，亦藉由利用噴墨法或電場噴射法塗佈塗佈液，而於第2基板31上形成保護膜33。
另一方面，於比較例中，檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之表面並未形成凹凸圖案。又，於區域AR2中之位於檢測電極TDL周邊之部分，於第2基板31上亦未形成凹凸圖案。
然而，於利用噴墨法或電場噴射法對第2基板31上塗佈塗佈液之情形，則難以精度良好地調整於第2基板31上擴展之塗佈液之端部位置。
例如，於利用噴墨法或電場噴射法對第2基板31之表面塗佈塗佈液時，且第2基板31之表面對塗佈液具有某種程度之親液性時，則被塗佈於第2基板31之表面之塗佈液擴展，而難以精度良好地調整塗佈液之端部位置。如此被塗佈於第2基板31上之塗佈液之擴展性係根據作用於塗佈液之表面張力而變化。
例如，作為於液相與氣相間或液相與固相間等之界面發揮作用之力有界面張力。例如，滴落至平坦基板表面之水滴之所以停留為半球狀態，係由於水滴內之水分子間被凡得瓦力向內側牽引，而使界面張力發揮作用以使水滴表面積縮小之故。又，當界面張力作用於液體而使作為界面之表面面積減小時，該界面張力亦稱為該液體之表面張力。
由於此種液體表面張力係液體之凡得瓦力越大則越大，故該液 體所含之物質之原子量或分子量越大則越大。因此，被塗佈於第2基板31上之塗佈液之表面張力係根據塗佈液之種類而變化。
另一方面，被塗佈於第2基板31上之塗佈液之擴展性除根據塗佈液之種類而變化以外，亦根據第2基板31之表面形狀而變化。
例如，如圖35之剖面圖所示，對於與檢測電極TDL隔開之部分之第2基板31上所塗佈之塗佈液52由於一樣自塗佈液52周圍施加表面張力，故塗佈液52相對較難以擴展。另一方面，如圖36之剖面圖所示，對於位於檢測電極TDL周邊之部分之第2基板31上所塗佈且接觸於檢測電極TDL之側面之塗佈液52由於僅自塗佈液52之一側施加表面張力，故塗佈液52易於沿檢測電極TDL之側面擴展。
如此，若塗佈液52易沿檢測電極TDL之側面擴展，則塗佈液52即使於檢測電極TDL之上表面中之靠近於側面之部分上亦易於擴展。
因此，使包含所塗佈之塗佈液52之塗佈膜硬化而形成之保護膜33不終止於部分PR2上，而是自部分PR1上經由部分PR2上形成至部分PR3上。
亦即，於比較例中，無法精度良好地調整被塗佈於區域AR2之塗佈液52之端部位置。因此，亦難以精度良好地調整藉由使包含所塗佈之塗佈液52之塗佈膜硬化而形成之保護膜33之端部EP1之位置。故而，有所形成之保護膜33之端部EP1超過所期望位置或未到達至所期望位置之虞。亦即，有檢測電極TDL之電極端子ET1中之自保護膜33露出之部分之面積於複數個檢測電極TDL之間變動之虞。
比較例亦與實施形態1同樣地，檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分PR3與形成於配線基板WS1之電極端子ET2係藉由各向異性導電性膜CF1而電性連接。即，檢測電極TDL之電極端子ET1中之自保護膜33露出之部分係與配線基板WS1電性連接。
因此，如上所述，若檢測電極TDL之電極端子ET1中之自保護膜 33露出之部分的面積於複數個檢測電極TDL之間變動，則檢測電極TDL與配線基板WS1之間之連接電阻於複數個檢測電極TDL之間變動，而有作為電極基板之性能降低之虞。
例如，於保護膜33之端部EP1超過所期望位置時，於檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分PR3上形成保護膜33，檢測電極TDL之電極端子ET1中之自保護膜33露出之部分的面積變小。於此種情形下，檢測電極TDL與配線基板WS1之間之連接電阻變大，而有作為電極基板之性能降低之虞。
另一方面，根據塗佈液之種類而定，於塗佈液不易流動時，有保護膜33之端部EP1未到達至檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之所期望位置之虞。於此種情形下，由於檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之一部分自配線基板WS1及保護膜33兩者露出，故有因空氣中之水分侵入至露出部分之檢測電極TDL，導致檢測電極TDL被腐蝕之虞。
於上述專利文獻1至專利文獻3所記載之技術中，為調整所塗佈之塗佈液之擴展，有必要於基板表面形成親液區域與撥液區域，因進行用於形成該等親液區域與撥液區域之步驟，而有製造步驟數增加之虞。又，由於無法容易地於形成於基板上之電極表面形成親液區域與撥液區域，故而無法精度良好地調整被塗佈於基板上所形成之電極表面之塗佈液之擴展。
於上述專利文獻4所記載之技術中，係將易乾燥之膜塗佈成框狀作為止擋層，並於其後塗佈不易乾燥但平流效果優良之膜，故有製造步驟數增加之虞。而且為了獲得所期望之乾燥速度而使塗佈液材料受到限制，故無法廣泛應用於實際之製造步驟中。
另，於例如包含形成有共用電極COML之第1基板21，以覆蓋於基板上形成之電極之一部分之方式，利用噴墨法或電場噴射法塗佈塗 佈液而形成保護膜之各種電極基板，欲調整所塗佈之塗佈液之端部位置亦非易事。
<本實施形態之主要特徵及效果>
另一方面，於第1實施形態1中，電極基板ES具有凹凸圖案UE1。凹凸圖案UE1形成於檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之表面，或於區域AR2中之位於檢測電極TDL周邊之部分，形成於第2基板31上。亦即，凹凸圖案UE1於區域AR2，形成於檢測電極TDL或第2基板31。又，於區域AR1及AR2，以覆蓋檢測電極TDL之方式形成之保護膜33之區域AR3側之端部EP1位於凹凸圖案UE1上。
藉此，於以覆蓋檢測電極TDL之方式形成保護膜33時，可精度良好地調整保護膜33之端部EP1之位置。因此，可防止或抑制檢測電極TDL之電極端子ET1中之自保護膜33露出之部分的面於複數個檢測電極TDL之間變動。因此，可防止或抑制檢測電極TDL與配線基板WS1之間之連接電阻於複數個檢測電極TDL之間變動，從而可提高作為電極基板之性能。進而，可提高具備此種電極基板之顯示裝置之性能。
例如，可防止或抑制於檢測電極TDL中之形成於區域AR3之部分PR3上形成保護膜33，從而可防止或抑制檢測電極TDL之電極端子ET1中之自保護膜33露出之部分之面積減小。因此，可防止或抑制檢測電極TDL與電極端子ET2間之連接電阻增大，提高作為電極基板之性能。
另一方面，於塗佈液不易流動之情形，藉由形成凹凸圖案UE1，亦可以保護膜33之端部EP1之位置到達至檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之所期望位置之方式，形成保護膜33。因而，可防止或抑制檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之一部分自配線基板WS1及保護膜33中之任一者露出，從而可防止或抑制例如因空氣中之水分侵入至露出部分之檢測電極TDL而導致檢測電極TDL被腐 蝕。
又，於本實施形態1中，無需為了調整所塗佈之塗佈液之擴展而於第2基板31之表面形成親液區域與撥液區域。因此，無須進行用於形成親液區域與撥液區域之步驟，從而可削減製造步驟數。
進而，於本實施形態1中，由於無須進行將易乾燥之膜塗佈成框狀作為止擋層，並於其後塗佈不易乾燥但平流效果優良之膜，故可削減製造步驟數。而且，亦不會因為了獲得所期望之乾燥速度而使塗佈液材料受限制，故可廣泛應用於實際之製造步驟中。
另，於上述實施形態1中，作為電極基板ES，已例示作為附輸入裝置之顯示裝置中之形成有檢測電極TDL之對向基板3使用之電極基板而進行說明。然而，上述實施形態1之電極基板ES亦可使用例如包含形成有共用電極COML之第1基板21，以覆蓋於基板上形成之電極之一部分之方式，利用噴墨法或電場噴射法等印刷方法塗佈塗佈液，而形成保護膜之各種電極基板(以下各實施形態亦同)。
(實施形態2)
於實施形態1中，已對將具備作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置用於顯示裝置之共用電極COML兼用作輸入裝置之驅動電極之內嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例進行說明。相對於此，實施形態2中係對將具備作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置用於顯示裝置之共用電極COML及輸入裝置之驅動電極分開形成之內嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例進行說明。
另，本實施形態2之顯示裝置可以液晶顯示裝置為代表，而應用在有機EL顯示裝置等之各種顯示裝置中一體包含輸入裝置之外嵌型之顯示裝置。
<附觸控檢測功能之顯示器件>
圖37係表示實施形態2之顯示裝置之附觸控檢測功能之顯示器件 之剖面圖。
由於本實施形態2之顯示裝置中之對向基板3之剖面構造以外之各部分，例如俯視下之凹凸圖案UE1(參照圖12)之形狀及配置等係與實施形態1之顯示裝置中之對向基板3之剖面構造以外之各部分相同，故省略其等之說明。因此，以下參照圖37主要說明與實施形態1之利用圖9及圖10所說明之部分不同之部分。
附觸控檢測功能之顯示器件10具有：像素基板2、對向基板3、及液晶層6。對向基板3係以作為像素基板2之主表面之上表面與作為對向基板3之主表面之下表面對向之方式配置。液晶層6設置於像素基板2與對向基板3之間。
於本實施形態2中，像素基板2具有共用電極COML1。共用電極COML1係作為液晶顯示器件20(參照圖1)之驅動電極動作，但不作為觸控檢測器件30(參照圖1)之驅動電極動作。因此，有別於實施形態1，亦可不設置複數個共用電極作為共用電極COML1，而可設置例如將實施形態1之共用電極COML結合、一體化而成之1個共用電極。
關於本實施形態2之顯示裝置之像素基板2及液晶層6中除共用電極COML1以外之部分，因與實施形態1之顯示裝置之像素基板2及液晶層6之各部分相同，故省略其等之說明。再者，關於與本實施形態2之顯示裝置之複數個像素對應之電路圖，除設置共用電極COML1而替代共用電極COML之點外，其他與圖10所示之實施形態1之顯示裝置之複數個像素對應之電路圖相同。因此，對本實施形態2之顯示裝置中之與實施形態1中利用圖10所說明之部分相同之部分省略說明。
於本實施形態2中，對向基板3具有：第2基板31、彩色濾光片32、驅動電極DRVL、絕緣膜35、檢測電極TDL、及保護膜33。第2基板31具有作為主表面之上表面、與作為與上表面相反側之主表面之下表面。彩色濾光片32形成於作為第2基板31之一主表面之下表面。驅 動電極DRVL係觸控檢測器件30之驅動電極，其形成於作為第2基板31之另一主表面之上表面。絕緣膜35係以覆蓋驅動電極DRVL之方式形成於第2基板31之上表面上。檢測電極TDL係觸控檢測器件30之檢測電極，其形成於絕緣膜35上。亦即，檢測電極TDL介隔驅動電極DRVL及絕緣膜35，而形成於作為第2基板31之另一主表面之上表面上。保護膜33係以覆蓋檢測電極TDL之方式形成於絕緣膜35上。
關於本實施形態2之檢測電極TDL及凹凸圖案UE1(參照圖12)，除檢測電極TDL及凹凸圖案UE1形成於絕緣膜35上之點外，其他可與實施形態1之檢測電極TDL及凹凸圖案UE1相同。又，關於本實施形態2之保護膜33，除保護膜33形成於絕緣膜35上之點外，其他亦可與實施形態1之保護膜33相同。
於本實施形態2中，共用電極COML1作為液晶顯示器件20之驅動電極動作，但不作為觸控檢測器件30之驅動電極動作。驅動電極DRVL作為觸控檢測器件30之驅動電極動作，但不作為液晶顯示器件20之驅動電極動作。因此，可獨立並行進行共用電極COML1之顯示動作，與驅動電極DRVL之觸控檢測動作。
另，凹凸圖案亦可形成於驅動電極DRVL之電極端子中之驅動電極DRVL之本體部側之部分的表面。又，凹凸圖案亦可形成於驅動電極DRVL之電極端子中之位於驅動電極DRVL之本體部側之部分周邊之部分的第2基板31上。此時，作為保護膜之絕緣膜35之端部位於凹凸圖案上。如此，藉由設置凹凸圖案，可精度良好地調整形成保護膜35時之保護膜35之端部位置。
<本實施形態之主要特徵及效果>
本實施形態2亦與實施形態1同樣地，電極基板ES具有凹凸圖案UE1。凹凸圖案UE1形成於檢測電極TDL中之形成於區域AR2之部分PR2之表面，或於區域AR2中之位於檢測電極TDL周邊之部分，形成 於第2基板31上。亦即，凹凸圖案UE1於區域AR2，形成於檢測電極TDL或第2基板31。又，於區域AR1及AR2，以覆蓋檢測電極TDL之方式形成之保護膜33之區域AR3側之端部EP1，位於凹凸圖案UE1上。
藉此，於以覆蓋檢測電極TDL之方式形成保護膜33時，可精度良好地調整保護膜33之端部EP1之位置，可防止或抑制檢測電極TDL與電極端子ET2間之連接電阻於複數個檢測電極TDL之間變動等，從而可獲得與實施形態1相同之效果。又，與實施形態1同樣地，可提高具備此種電極基板之顯示裝置之性能。
進而，本實施形態2中係分開形成顯示裝置之共用電極COML1與輸入裝置之驅動電極DRVL。藉此，由於無需分割由共用電極COML1進行顯示動作之顯示期間，與由驅動電極DRVL進行觸控檢測動作之觸控檢測期間，故表觀上，可提高觸控檢測之檢測速度等，可提高觸控檢測之檢測性能。
另，於實施形態1及實施形態2中，已對將包含作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置應用於內嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例予以說明。然而，亦可將包含作為輸入裝置之觸控面板之顯示裝置應用於外嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置之例。所謂外嵌型之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置，意指觸控面板所包含之驅動電極及檢測電極中之任一者並非內建於液晶顯示裝置之附觸控檢測功能之液晶顯示裝置。
<輸入裝置>
圖38係表示作為實施形態2之第1變化例之輸入裝置之剖面圖。於圖38所示之例中，輸入裝置具有與圖37所示之附觸控檢測功能之顯示器件中之第2基板31及位於較第2基板31更上方之部分大致相同之構成。
如圖38所示，作為實施形態2之第1變化例之輸入裝置具有：第2 基板31、驅動電極DRVL、絕緣膜35、檢測電極TDL、及保護膜33。又，於圖38中，設置包含保護玻璃之第3基板34a，替代圖37所示之偏光板34。又，雖圖38省略圖示，但檢測電極TDL連接於例如圖1所示之觸控檢測部40。因此，作為實施形態2之第1變化例之輸入裝置具有：第2基板31、驅動電極DRVL、檢測電極TDL、例如如圖1所示之觸控檢測部40之檢測電路、保護膜33、及第3基板34a。
即便為此種輸入裝置，因於以覆蓋檢測電極TDL之方式形成保護膜33時，亦可精度良好地調整保護膜33之端部EP1之位置，故具有與實施形態2之顯示裝置所具有之效果相同之效果。
<自電容方式之觸控檢測功能>
於實施形態1、實施形態2及實施形態2之第1變化例中，已對應用設置有作為驅動電極而動作之共用電極與檢測電極之互電容方式之觸控面板作為觸控面板之例予以說明。然而，亦可應用僅設置有檢測電極之自電容方式之觸控面板作為觸控面板。
圖39及圖40係表示自電容方式之檢測電極之電性連接狀態之說明圖。
如圖39所示，自電容方式之觸控面板中，於具有靜電電容Cx之檢測電極TDL自具有靜電電容Cr1之檢測電路SC1切離而與電源Vdd電性連接時，於具有靜電電容Cx之檢測電極TDL中累積有電荷量Q1。接著，如圖40所示，於具有靜電電容Cx之檢測電極TDL自電源Vdd切離而與具有靜電電容Cr1之檢測電路SC1電性連接時，檢測出流出至檢測電路SC1之電荷量Q2。
此處，當手指接觸或接近檢測電極TDL時，因手指之電容使檢測電極TDL之靜電電容Cx產生變化，於檢測電極TDL與檢測電路SC1連接時，流出至檢測電路SC1之電荷量Q2亦產生變化。因此，藉由由檢測電路SC1測定流出之電荷量Q2而檢測檢測電極TDL之靜電電容Cx之 變化，可判斷手指是否接觸或接近檢測電極TDL。
於使用圖38所說明之輸入裝置係具備自電容方式之觸控檢測功能之輸入裝置時，則設置檢測電極TDL替代驅動電極DRVL。若將此種具備自電容方式之觸控檢測功能之輸入裝置設為實施形態2之第2變化例之輸入裝置，則實施形態2之第2變化例之輸入裝置具有：第2基板31、檢測電極TDL、例如如圖1所示之觸控檢測部40之檢測電路、保護膜33、及第3基板34a。又，實施形態2之第2變化例之輸入裝置亦可具有分別朝X軸方向(參照圖7)延伸且於Y軸方向(參照圖7)上空出間隔而排列之複數個檢測電極TDL，與分別朝Y軸方向延伸且於X軸方向上空出間隔而排列之複數個檢測電極TDL。此情形時，藉由檢測朝各方向延伸之複數個檢測電極TDL之靜電電容Cx之變化，可二維地檢測輸入位置。
即便為此種輸入裝置，因於以覆蓋檢測電極TDL之方式形成保護膜33時，亦可精度良好地調整保護膜33之端部EP1之位置，故具有與實施形態2之顯示裝置具有之效果相同之效果。
(實施形態3)
接著，參照圖41至圖47，對作為實施形態1及實施形態2所說明之顯示裝置之應用例之電子機器進行說明。實施形態1及實施形態2各者之顯示裝置可應用於如HUD(Head Up Display：抬頭顯示器)或導航裝置之車載用裝置、電視裝置、數位相機、筆記型個人電腦、行動電話等之行動終端裝置或攝錄影機等之所有領域之電子機器。換言之，實施形態1及實施形態2各者之顯示裝置可應用於將自外部所輸入之影像信號或在內部產生之影像信號作為圖像或影像進行顯示之所有領域之電子機器。
<電視裝置>
圖41係表示作為實施形態3之電子機器之一例之電視裝置之外觀 的立體圖。此電視裝置例如具有包含前面板511及濾光玻璃512之影像顯示畫面部513。且影像顯示畫面部513包含實施形態1及實施形態2所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<數位相機>
圖42係表示作為實施形態3之電子機器之一例之數位相機之外觀的立體圖。此數位相機例如具有顯示部522、選單切換523及快門按鈕524。且顯示部522包含實施形態1及實施形態2所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<筆記型個人電腦>
圖43係表示作為實施形態3之電子機器之一例之筆記型個人電腦之外觀的立體圖。此筆記型個人電腦例如具有本體531、用於文字等之輸入操作之鍵盤532及顯示圖像之顯示部533。且顯示部533包含實施形態1及實施形態2所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<攝錄影機>
圖44係表示作為實施形態3之電子機器之一例之攝錄影機之外觀的立體圖。此攝錄影機例如具有本體部541、設置於該本體部541之前面之被攝體攝影用之鏡頭542、攝影時之開始/停止開關543及顯示部544。且顯示部544包含實施形態1及實施形態2所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
<行動電話>
圖45及圖46表示作為實施形態3之電子機器之一例之行動電話之外觀的前視圖。圖46顯示圖45所示之行動電話折疊之狀態。此行動電話係例如將上側殼體551與下側殼體552以連結部(鉸鏈部)553連結者，具有顯示器554、次顯示器555、閃光燈556及照相機557。且顯示 器554或次顯示器555係由實施形態1及實施形態2各者之附觸控檢測功能之顯示裝置等構成。
<智慧型手機>
圖47係表示作為實施形態3之電子機器之一例之智慧型手機之外觀的前視圖。此智慧型手機例如具有殼體561與觸控螢幕562。觸控螢幕562係由例如作為輸入裝置之觸控面板與作為顯示部之液晶面板構成，且包含實施形態1及實施形態2所說明之內嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置，或外嵌型之附觸控檢測功能之顯示裝置。
觸控螢幕562之觸控面板係例如設置於利用圖1所說明之顯示裝置1之附觸控檢測功能之顯示器件10之觸控檢測器件30。若使用者以手指或使用觸控筆等對觸控面板進行觸控操作或拖曳操作等動態操作，則觸控螢幕562之觸控面板檢測出與該動態操作對應之位置之座標，並將其輸出至未圖示之控制部。
觸控螢幕562之液晶面板係設置於利用圖1所說明之顯示裝置1之附觸控檢測功能之顯示器件10之液晶顯示器件20。而且，包含顯示裝置1之觸控螢幕562之液晶面板例如具有利用圖1所說明之顯示裝置1之驅動電極驅動器14。驅動電極驅動器14例如藉由按一定時序分別對設置於矩陣狀排列之複數個次像素SPix(參照圖10)各者內部之像素電極22(參照圖9)施加作為圖像信號之電壓，而執行顯示。
<本實施形態之主要特徵與效果>
於本實施形態3中，可使用實施形態1及實施形態2各者之顯示裝置，作為上述各種電子機器所具備之顯示裝置。藉此，可獲得於上述各種電子機器所具備之顯示裝置中，於以覆蓋檢測電極TDL之方式形成保護膜33時，可精度良好地調整保護膜33之端部EP1之位置等之與實施形態1及實施形態2所說明之各效果同樣之效果。因此，可提高上述各種電子機器之性能或削減上述各種電子機器之製造步驟數。
以上，雖已基於實施形態具體說明由本發明者完成之發明，但毋庸贅言，本發明並非限定於上述實施形態者，而可在不脫離發明主旨之範圍內進行各種變更。
再者，上述實施形態中，雖已例示液晶顯示裝置之情形作為發明例，但作為其他應用例，亦可舉出有機EL顯示裝置、其他自發光型顯示裝置或具有電泳元件等之電子紙型顯示裝置等之所有平面面板型之顯示裝置。且，毋庸贅言，對中小型乃至大型電子機器，亦可無特別限定地予以應用。
應理解，在本發明之思想範疇內，若為本領域技術人員，則可聯想出各種變更例及修正例，該等變更例及修正例亦均屬於本發明之範圍內。
例如，對上述各實施形態，本領域技術人員適當進行構成要素追加、削減或設計變更者，或進行步驟追加、刪減或條件變更者，只要其包含本發明之要旨，則均包含在本發明之範圍內。
[產業上之可利用性]
本發明可有效應用於電極基板、顯示裝置、輸入裝置及電極基板之製造方法。
3‧‧‧對向基板
31‧‧‧第2基板
33‧‧‧保護膜
AR1‧‧‧區域
AR2‧‧‧區域
AR3‧‧‧區域
ES‧‧‧電極基板
ET1‧‧‧電極端子
MP1‧‧‧本體部
PR1‧‧‧部分
PR2‧‧‧部分
RP3‧‧‧部分
TDL‧‧‧檢測電極
UE1‧‧‧凹凸圖案
X‧‧‧方向
Y‧‧‧方向

Claims (17)

  1. 一種電極基板，其包含：第1基板；第1電極，其於上述第1基板上，自上述第1基板之第1主表面之第1區域、經由上述第1基板之上述第1主表面之第2區域、至上述第1基板之上述第1主表面之第3區域而連續形成；凹凸圖案，其於上述第2區域，形成於上述第1電極或上述第1基板；及保護膜，其以覆蓋上述第1電極之方式，形成於上述第1區域及上述第2區域；且上述保護膜之上述第3區域側之端部位於上述凹凸圖案上。
  2. 如請求項1之電極基板，其中上述第1區域、上述第2區域及上述第3區域俯視下依序配置於第1方向；且上述第1電極係於上述第1方向延伸。
  3. 如請求項2之電極基板，其中上述凹凸圖案包含形成於上述第1電極之上表面之凹部。
  4. 如請求項2之電極基板，其中上述凹凸圖案包含凸部，其與上述第1電極分開形成於位於上述第1電極周邊之部分之上述第1基板上；且上述保護膜之上述第3區域側之端部位於上述第1電極中形成於上述第2區域之部分上。
  5. 如請求項2之電極基板，其中上述凹凸圖案包含突出部，其自上述第1電極之側面突出而形成；且 上述保護膜之上述第3區域側之端部位於上述第1電極中形成於上述第2區域之部分上。
  6. 如請求項2之電極基板，其中上述凹凸圖案包含自上述第1電極之側面切入而形成之切槽部。
  7. 如請求項1之電極基板，其中包含：各向異性導電性膜，其以覆蓋上述第1電極之方式，形成於上述第2區域及上述第3區域；及配線基板，其配置於上述各向異性導電性膜上；上述配線基板包含第2電極，其形成於上述配線基板之第2主表面；上述第2電極係以與上述第1電極中形成於上述第3區域之部分介隔上述各向異性導電性膜而對向之方式配置；相互對向之上述第1電極及上述第2電極係藉由上述各向異性導電性膜而電性連接；且上述各向異性導電性膜之上述第1區域側之端部位於上述保護膜上。
  8. 如請求項2之電極基板，其中上述第1電極中形成於上述第2區域之部分之與上述第1方向正交之第2方向之寬度，大於上述第1電極中形成於上述第1區域之部分之上述第2方向之寬度。
  9. 如請求項2之電極基板，其中上述凹凸圖案包含形成於上述第1基板之複數個凸部；且上述複數個凸部分別於與上述第1方向交叉之第2方向延伸，且於上述第1方向排列。
  10. 如請求項2之電極基板，其中上述凹凸圖案包含形成於上述第1電極之複數個凹部；且上述複數個凹部分別於與上述第1方向交叉之第2方向延伸， 且於上述第1方向排列。
  11. 如請求項2之電極基板，其中上述凹凸圖案包含形成於上述第1基板之凸部；上述凸部俯視下於與上述第1方向交叉之第2方向延伸；上述凸部包含俯視下位於上述第1方向之第1側之第1側面部；上述第1側面部之上端部於上述第1方向上，位於較上述第1側面部之下端部更靠上述第1側。
  12. 如請求項1之電極基板，其中上述凹凸圖案係調整上述保護膜之上述第3區域側之端部的位置之位置調整圖案。
  13. 如請求項1之電極基板，其中包含：對向基板，其與上述電極基板對向；及顯示控制部，其設置於上述對向基板與上述電極基板之間。
  14. 一種輸入裝置，其係包含如請求項1之電極基板者，上述電極基板具有複數個上述第1電極；且上述輸入裝置進而包含檢測部，該檢測部基於上述複數個第1電極各者之靜電電容而檢測輸入位置。
  15. 一種電極基板之製造方法，其包含以下步驟：(a)準備第1基板；(b)於上述第1基板上，自上述第1基板之第1主表面之第1區域，經由上述第1基板之第1主表面之第2區域，直至上述第1基板之第1主表面之第3區域而連續形成第1電極；(c)於上述第2區域，於上述第1電極或上述第1基板上形成凹凸圖案；及(d)於上述(c)步驟之後，於上述第1區域及上述第2區域，以覆蓋上述第1電極之方式形成保護膜；且於上述(d)步驟形成之上述保護膜之上述第3區域側之端部位於 上述凹凸圖案上。
  16. 如請求項15之電極基板之製造方法，其中上述(d)步驟中，利用塗佈溶液之印刷方式，於上述第1區域及上述第2區域，以覆蓋上述第1電極之方式塗佈塗佈液，藉此形成上述保護膜。
  17. 如請求項16之電極基板之製造方法，其中上述(d)步驟包含如下步驟：(d1)利用塗佈溶液之印刷方式，於上述第1區域及上述第2區域，以覆蓋上述第1電極之方式塗佈上述塗佈液；及(d2)藉由使所塗佈之上述塗佈液硬化而形成上述保護膜；且上述(d1)步驟中，以所塗佈之上述塗佈液之上述第3區域側之端部位於上述凹凸圖案上之方式，塗佈上述塗佈液。
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