KR20150118905A - 전극 기판, 표시 장치, 입력 장치 및 전극 기판의 제조 방법 - Google Patents

전극 기판, 표시 장치, 입력 장치 및 전극 기판의 제조 방법 Download PDF

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KR20150118905A
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Abstract

본 발명의 과제는, 전극을 덮도록 보호막을 형성할 때, 보호막의 단부 위치를 고정밀도로 조정하는 것이다.
전극 기판(ES)은, 제2 기판(31)과, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR1)부터, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR2)을 거쳐, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR3)까지, 제2 기판(31) 상에 연속적으로 형성된 검출 전극(TDL)을 갖는다. 또한, 전극 기판(ES)은, 영역(AR2)에서, 검출 전극(TDL) 또는 제2 기판(31)에 형성된 요철 패턴(UE1)과, 영역(AR1) 및 영역(AR2)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 형성된 보호막(33)을 갖는다. 그리고, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부가, 요철 패턴(UE1) 상에 위치하고 있다.

Description

전극 기판, 표시 장치, 입력 장치 및 전극 기판의 제조 방법{ELECTRODE SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE, INPUT DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF ELECTRODE SUBSTRATE}
본 발명은, 전극 기판, 표시 장치, 입력 장치 및 전극 기판의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 들어, 표시 장치의 표시면측에, 터치 패널 또는 터치 센서라고 불리는 입력 장치를 설치하고, 터치 패널에 손가락이나 터치펜 등의 입력 부재 등을 접촉시켜서 입력 동작을 행했을 때, 입력 위치를 검출하여 출력하는 기술이 있다. 이러한 터치 패널을 갖는 표시 장치는, 컴퓨터 이외에, 휴대 전화기 등의 휴대 정보 단말기 등에서 널리 사용되고 있다.
터치 패널에 손가락 등이 접촉된 접촉 위치를 검출하는 검출 방식의 하나로서, 정전 용량 방식이 있다. 정전 용량 방식을 사용한 터치 패널에서는, 터치 패널의 면 내에, 유전층을 사이에 두고 대향 배치된 한 쌍의 전극, 즉 구동 전극 및 검출 전극을 포함하는 복수의 용량 소자가 설치되어 있다. 그리고, 손가락이나 터치펜 등의 입력 부재를 용량 소자에 접촉시켜서 입력 동작을 행했을 때, 용량 소자의 정전 용량이 변화되는 것을 이용하여 입력 위치를 검출한다.
이러한 터치 패널 등의 입력 장치가 설치된 표시 장치에서는, 검출 성능을 향상시키기 위해서 검출 전극의 전기 저항을 저감시키는 것이 바람직하고, 검출 전극의 재료로서 금속막 등의 도전막을 사용하는 경우가 있다. 그로 인해, 표시 장치에 포함되고, 기판과, 기판 상에 형성된 검출 전극을 포함하는 전극 기판에 있어서, 검출 전극이 부식되는 것을 방지하기 위해서, 검출 전극을 덮도록 보호막이 형성된다. 이 때, 예를 들어 기판 상에 형성된 검출 전극을 덮도록, 잉크젯법을 이용하여 도포액을 도포하고, 도포된 도포액을 포함하는 도포막을 경화시킴으로써, 보호막이 형성된다.
상기한 잉크젯법을 이용하여 도포액을 도포하는 방법으로서, 예를 들어 일본 특허 공개 평8-227012호 공보(특허문헌 1) 및 일본 특허 공개 평9-203803호 공보(특허문헌 2)에는, 액정 표시 장치의 컬러 필터를 잉크젯법에 의해 형성하는 방법이 기재되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2008 -183489호 공보(특허문헌 3)에는, 기판의 표면에, 친액 영역과 발액 영역을 형성하고, 잉크젯법을 이용하여 기판의 표면에 액적을 토출함으로써, 원하는 패턴을 형성하는 방법이 기재되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 제2011-145535호 공보(특허문헌 4)에는, 액정 표시 장치의 배향막을 잉크젯법에 의해 형성하는 방법이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 평8-227012호 공보 일본 특허 공개 평9-203803호 공보 일본 특허 공개 제2008-183489호 공보 일본 특허 공개 제2011-145535호 공보
그런데, 기판 상에 잉크젯법에 의해 도포액을 도포한 경우, 기판 상에서 퍼지는 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정하는 것은 곤란하다. 그로 인해, 도포된 도포막을 경화시킴으로써 형성되는 보호막의 단부 위치를 고정밀도로 조정하는 것은 곤란하다. 따라서, 검출 전극 중 보호막으로부터 노출된 부분의 면적이 복수의 검출 전극의 사이에서 변동될 우려가 있다.
상기한 검출 전극 중 보호막으로부터 노출된 부분은, 배선 기판과 전기적으로 접속된다. 따라서, 검출 전극 중 보호막으로부터 노출된 부분의 면적이 변동됨으로써, 검출 전극과 배선 기판의 사이의 접속 저항이, 복수의 검출 전극의 사이에서 변동되어, 전극 기판으로서의 성능이 저하될 우려가 있다.
본 발명은, 상술한 바와 같이 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 전극 기판에 있어서, 전극을 덮도록 보호막을 형성할 때, 보호막의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있는 전극 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본원에서 개시되는 발명 중, 대표적인 것의 개요를 간단하게 설명하면, 다음과 같다.
본 발명의 일형태로서의 전극 기판은, 제1 기판과, 제1 기판의 제1 주면의 제1 영역부터, 제1 기판의 제1 주면의 제2 영역을 거쳐서, 제1 기판의 제1 주면의 제3 영역까지, 제1 기판 상에 연속적으로 형성된 제1 전극을 갖는다. 또한, 당해 전극 기판은, 제2 영역에서, 제1 전극 또는 제1 기판에 형성된 요철 패턴과, 제1 영역 및 제2 영역에서, 제1 전극을 덮도록 형성된 보호막을 갖는다. 그리고, 보호막의 제3 영역측의 단부가, 요철 패턴 상에 위치하고 있다.
또한, 본 발명의 일형태로서의 전극 기판의 제조 방법은, (a)제1 기판을 준비하는 공정, (b)제1 기판의 제1 주면의 제1 영역부터, 제1 기판의 제1 주면의 제2 영역을 거쳐서, 제1 기판의 제1 주면의 제3 영역까지, 제1 기판 상에 연속적으로 제1 전극을 형성하는 공정을 갖는다. 또한, 당해 전극 기판의 제조 방법은, (c)제2 영역에서, 제1 전극 또는 제1 기판에 요철 패턴을 형성하는 공정, (d)(c)공정 후, 제1 영역 및 제2 영역에서, 제1 전극을 덮도록 보호막을 형성하는 공정을 갖는다. 그리고, (d)공정에서 형성된 보호막의 제3 영역측의 단부가, 요철 패턴 상에 위치한다.
도 1은, 실시 형태 1의 표시 장치 일구성예를 도시하는 블록도이다.
도 2는, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 및 근접하고 있지 않은 상태를 나타내는 설명도이다.
도 3은, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 및 근접하고 있지 않은 상태의 등가 회로의 예를 나타내는 설명도이다.
도 4는, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 또는 근접한 상태를 나타내는 설명도이다.
도 5는, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 또는 근접한 상태의 등가 회로의 예를 나타내는 설명도이다.
도 6은, 구동 신호 및 검출 신호의 파형 일례를 나타내는 도면이다.
도 7은, 실시 형태 1의 표시 장치를 실장한 모듈의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 8은, 실시 형태 1의 표시 장치를 실장한 모듈의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 9는, 실시 형태 1의 표시 장치에서의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스를 도시하는 단면도이다.
도 10은, 실시 형태 1의 표시 장치에서의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스를 나타내는 회로도이다.
도 11은, 실시 형태 1의 표시 장치 구동 전극 및 검출 전극의 일구성예를 도시하는 사시도이다.
도 12는, 실시 형태 1의 전극 기판을 도시하는 평면도이다.
도 13은, 실시 형태 1의 전극 기판을 도시하는 단면도이다.
도 14는, 실시 형태 1의 전극 기판을 도시하는 단면도이다.
도 15는, 실시 형태 1의 전극 기판을 도시하는 사시도이다.
도 16은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴을 도시하는 평면도이다.
도 17은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 18은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 다른 예를 도시하는 단면도이다.
도 19는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제1 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 20은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제2 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 21은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제3 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 22는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제4 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 23은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제5 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 24는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제6 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 25는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제7 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 26은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제8 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 27은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제9 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 28은, 실시 형태 1의 전극 기판의 제조 공정중의 단면도이다.
도 29는, 실시 형태 1의 전극 기판의 제조 공정중의 단면도이다.
도 30은, 실시 형태 1의 전극 기판의 제조 공정중의 사시도이다.
도 31은, 실시 형태 1의 전극 기판의 제조 공정중의 단면도이다.
도 32는, 실시 형태 1의 전극 기판의 제조 공정중의 단면도이다.
도 33은, 비교예의 전극 기판을 도시하는 평면도이다.
도 34는, 비교예의 전극 기판을 도시하는 사시도이다.
도 35는, 유리 기판 상에서의 도포액의 형상을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 36은, 유리 기판 상에 형성된 검출 전극의 주변에서의 도포액의 형상을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 37은, 실시 형태 2의 표시 장치에서의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스를 도시하는 단면도이다.
도 38은, 실시 형태 2의 제1 변형예로서의 입력 장치를 도시하는 단면도이다.
도 39는, 자기 용량 방식에서의 검출 전극의 전기적인 접속 상태를 나타내는 설명도이다.
도 40은, 자기 용량 방식에서의 검출 전극의 전기적인 접속 상태를 나타내는 설명도이다.
도 41은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 텔레비전 장치의 외관을 도시하는 사시도이다.
도 42는, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 디지털 카메라의 외관을 도시하는 사시도이다.
도 43은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 노트북형 퍼스널 컴퓨터의 외관을 도시하는 사시도이다.
도 44는, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 비디오 카메라의 외관을 도시하는 사시도이다.
도 45는, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 휴대 전화기의 외관을 도시하는 정면도이다.
도 46은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 휴대 전화기의 외관을 도시하는 정면도이다.
도 47은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 스마트폰의 외관을 도시하는 정면도이다.
이하에, 본 발명의 각 실시 형태에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.
또한, 개시는 어디까지나 일례에 지나지 않으며, 당업자에게 있어서, 발명의 주지를 유지해도 적절히 변경에 대해서 용이하게 상도할 수 있는 것에 대해서는, 당연히 본 발명의 범위에 함유되는 것이다. 또한, 도면은 설명을 보다 명확히 하기 위해서, 실시의 형태에 비해, 각 부의 폭, 두께, 형상 등에 대해서 모식적으로 표현되는 경우가 있지만, 어디까지나 일례이며, 본 발명의 해석을 한정하지 않는다.
또한, 본 명세서와 각 도면에 있어서, 이미 나온 도면에 대해서 상술한 것과 동일한 요소에는, 동일한 부호를 부여하여, 상세한 설명을 적절히 생략하는 경우가 있다.
또한, 실시 형태에서 사용하는 도면에 있어서는, 구조물을 구별하기 위해서 넣은 해칭(망점)을 도면에 따라서 생략하는 경우도 있다.
또한, 이하의 실시 형태에 있어서, A 내지 B로 하여 범위를 나타내는 경우에는, 특히 명시한 경우를 제외하고, A 이상 B 이하를 나타내는 것으로 한다.
(실시 형태 1)
우선, 실시 형태 1로서, 입력 장치로서의 터치 패널을 구비한 표시 장치를, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치에 적용한 예에 대해서 설명한다. 또한, 본원 명세서에서는, 입력 장치란, 적어도 전극에 대하여 근접 또는 접촉하는 물체의 용량에 따라서 변화하는 정전 용량을 검출하는 입력 장치이다. 여기서, 정전 용량을 검출하는 방식으로서는, 2개의 전극의 사이의 정전 용량을 검출하는 상호 용량 방식뿐만 아니라, 1개의 전극의 정전 용량을 검출하는 자기 용량 방식도 포함된다. 또한, 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치란, 표시부를 형성하는 제1 기판 및 제2 기판 중 어느 한쪽에 터치 검출용의 검출 전극이 설치된 액정 표시 장치이다. 또한, 본 실시 형태 1에 있어서는, 또한 공통 전극이, 표시부의 구동 전극으로서 동작하고, 또한 입력 장치의 구동 전극으로서 동작하도록 설치되어 있다는 특징을 갖는 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 액정 장치에 대해서 설명한다.
<전체 구성>
우선, 도 1을 참조하여, 실시 형태 1의 표시 장치 전체 구성에 대해서 설명한다. 도 1은, 실시 형태 1의 표시 장치의 일구성예를 도시하는 블록도이다.
표시 장치(1)는, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)와, 제어부(11)와, 게이트 드라이버(12)와, 소스 드라이버(13)와, 구동 전극 드라이버(14)와, 터치 검출부(40)를 구비하고 있다.
터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 표시 디바이스(20)와, 터치 검출 디바이스(30)를 갖는다. 표시 디바이스(20)는, 본 실시예에서는, 표시 소자로서 액정 표시 소자를 사용한 표시 디바이스로 한다. 터치 검출 디바이스(30)는 정전 용량 방식의 터치 검출 디바이스, 즉 정전 용량형의 터치 검출 디바이스이다. 그로 인해, 표시 장치(1)는, 터치 검출 기능을 갖는 입력 장치를 구비한 표시 장치이다. 또한, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 액정 표시 디바이스(20)와, 터치 검출 디바이스(30)를 일체화한 표시 디바이스이며, 터치 검출 기능을 내장한 표시 디바이스, 즉 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스이다.
또한, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 표시 디바이스(20) 상에, 터치 검출 디바이스(30)를 장착한 표시 디바이스이어도 된다. 또한, 표시 디바이스(20)는, 액정 표시 소자를 사용한 표시 디바이스 대신에, 예를 들어 유기 EL(Electroluminescence) 표시 디바이스가 사용되어도 된다.
표시 디바이스(20)는, 게이트 드라이버(12)로부터 공급되는 주사 신호(Vscan)에 따라, 표시 영역에 있어서, 1수평 라인씩 순차 주사를 행함으로써 표시를 행한다. 터치 검출 디바이스(30)는, 후술하는 바와 같이, 정전 용량형 터치 검출의 원리에 기초하여 동작하고, 검출 신호(Vdet)를 출력한다.
제어부(11)는, 외부로부터 공급된 영상 신호(Vdisp)에 기초하여, 게이트 드라이버(12), 소스 드라이버(13), 구동 전극 드라이버(14) 및 터치 검출부(40)에 대하여 각각 제어 신호를 공급하고, 이들이 서로 동기하여 동작하도록 제어하는 회로이다.
게이트 드라이버(12)는, 제어부(11)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)의 표시 구동의 대상이 되는 1수평 라인을 순차 선택하는 기능을 갖고 있다.
소스 드라이버(13)는, 제어부(11)로부터 공급되는 화상 신호(Vsig)의 제어 신호에 기초하여, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)에 포함된 부화소(SPix)(후술하는 도 10 참조)에, 화소 신호(Vpix)를 공급하는 회로이다.
구동 전극 드라이버(14)는, 제어부(11)로부터 공급되는 제어 신호에 기초하여, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)에 포함된 공통 전극(COML)(후술하는 도 7 또는 도 8 참조)에, 구동 신호(Vcom)를 공급하는 회로이다.
터치 검출부(40)는, 제어부(11)로부터 공급되는 제어 신호와, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)의 터치 검출 디바이스(30)로부터 공급된 검출 신호(Vdet)에 기초하여, 터치 검출 디바이스(30)에 대한 손가락이나 터치펜 등의 입력 부재의 터치, 즉 후술하는 접촉 또는 근접의 상태 유무를 검출하는 회로이다. 그리고, 터치 검출부(40)는, 터치가 있는 경우에서 터치 검출 영역에서의 그 좌표, 즉 입력 위치 등을 구하는 회로이다. 터치 검출부(40)는, 터치 검출 신호 증폭부(42)와, A/D(Analog/Digital) 변환부(43)와, 신호 처리부(44)와, 좌표 추출부(45)와, 검출 타이밍 제어부(46)를 구비하고 있다.
터치 검출 신호 증폭부(42)는, 터치 검출 디바이스(30)로부터 공급되는 검출 신호(Vdet)를 증폭한다. 터치 검출 신호 증폭부(42)는, 검출 신호(Vdet)에 포함되는 높은 주파수 성분, 즉 노이즈 성분을 제거하고, 터치 성분을 취출하여 각각 출력하는 저역 통과 아날로그 필터를 구비하고 있어도 된다.
<정전 용량형 터치 검출의 원리>
이어서, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 본 실시 형태 1의 표시 장치(1)에서의 터치 검출의 원리에 대해서 설명한다. 도 2는, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 및 근접하고 있지 않은 상태를 나타내는 설명도이다. 도 3은, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 및 근접하고 있지 않은 상태의 등가 회로의 예를 나타내는 설명도이다. 도 4는, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 또는 근접한 상태를 나타내는 설명도이다. 도 5는, 터치 검출 디바이스에 손가락이 접촉 또는 근접한 상태의 등가 회로의 예를 나타내는 설명도이다. 도 6은, 구동 신호 및 검출 신호의 파형 일례를 나타내는 도면이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 정전 용량형 터치 검출에 있어서는, 터치 패널 또는 터치 센서라고 불리는 입력 장치는, 유전체(D)를 사이에 두고 서로 대향 배치된 구동 전극(E1) 및 검출 전극(E2)을 갖는다. 이들 구동 전극(E1) 및 검출 전극(E2)에 의해 용량 소자(C1)가 형성되어 있다. 도 3에 도시한 바와 같이, 용량 소자(C1)의 일단부는, 구동 신호원인 교류 신호원(S)에 접속되고, 용량 소자(C1)의 타단부는, 터치 검출부인 전압 검출기(DET)에 접속된다. 전압 검출기(DET)는, 예를 들어 도 1에 도시하는 터치 검출 신호 증폭부(42)에 포함되는 적분 회로이다.
교류 신호원(S)으로부터 용량 소자(C1)의 일단부, 즉 구동 전극(E1)에, 예를 들어 몇kHz 내지 몇백kHz 정도의 주파수를 갖는 교류 구형파(Sg)가 인가되면, 용량 소자(C1)의 타단부, 즉 검출 전극(E2)측에 접속된 전압 검출기(DET)를 개재하여, 출력 파형인 검출 신호(Vdet)가 발생한다. 또한, 이 교류 구형파(Sg)는, 예를 들어 도 6에 나타내는 구동 신호(Vcom)에 상당하는 것이다.
도 2에 도시된, 손가락이 접촉 및 근접하고 있지 않은 상태, 즉 비접촉 상태에서는, 도 3에 도시한 바와 같이, 용량 소자(C1)에 대한 충방전에 수반하여, 용량 소자(C1)의 용량값에 따른 전류(I0)가 흐른다. 전압 검출기(DET)는, 교류 구형파(Sg)에 따른 전류(I0)의 변동을, 전압의 변동으로 변환한다. 이 전압의 변동은, 도 6에 있어서, 실선의 파형(V0)으로 나타내고 있다.
한편, 도 4에 도시된, 손가락이 접촉 또는 근접한 상태, 즉 접촉 상태에서는, 손가락에 의해 형성되는 정전 용량의 영향을 받아, 용량 소자(C2)가 용량 소자(C1)에 직렬로 추가된 형태가 된다. 이 상태에서는, 용량 소자(C1, C2)에 대한 충방전에 수반하여, 도 5에 도시하는 등가 회로에서 보면, 용량 소자(C1)에 전류(I1)가 흐른다. 전압 검출기(DET)는, 교류 구형파(Sg)에 따른 전류(I1)의 변동을 전압의 변동으로 변환한다. 이 전압의 변동은, 도 6에 있어서, 파선의 파형(V1)으로 나타내고 있다. 이 경우, 파형(V1)은, 상술한 파형(V0)에 비해 진폭이 작아진다. 이에 의해, 파형(V0)과 파형(V1)의 전압 차분의 절대값(|ΔV|)은, 손가락 등의 외부로부터 근접하는 물체의 영향에 따라 변화하게 된다. 또한, 전압 검출기(DET)는, 파형(V0)과 파형(V1)의 전압 차분의 절대값(|ΔV|)을 고정밀도로 검출하기 위해서, 회로 내의 스위칭에 의해, 교류 구형파(Sg)의 주파수에 맞추어서 콘덴서의 충방전을 리셋하는 기간(Reset)을 설치한 동작으로 하는 것이 바람직하다.
도 1에 도시하는 예에서는, 터치 검출 디바이스(30)는, 구동 전극 드라이버(14)로부터 공급되는 구동 신호(Vcom)에 따라, 1개 또는 복수의 공통 전극(COML)에 대응한 1개의 검출 블럭마다 터치 검출을 행한다. 즉, 터치 검출 디바이스(30)는, 1개 또는 복수의 공통 전극(COML)의 각각에 대응한 1개의 검출 블럭마다, 도 3 또는 도 5에 도시하는 전압 검출기(DET)를 개재하여, 검출 신호(Vdet)를 출력하고, 출력한 검출 신호(Vdet)를, 터치 검출부(40)의 터치 검출 신호 증폭부(42)에 공급한다.
A/D 변환부(43)는, 구동 신호(Vcom)에 동기한 타이밍에서, 터치 검출 신호 증폭부(42)로부터 출력되는 아날로그 신호를 각각 샘플링하여 디지털 신호로 변환하는 회로이다.
신호 처리부(44)는, A/D 변환부(43)의 출력 신호에 포함되는, 구동 신호(Vcom)를 샘플링한 주파수 이외의 주파수 성분, 즉 노이즈 성분을 저감시키는 디지털 필터를 구비하고 있다. 신호 처리부(44)는, A/D 변환부(43)의 출력 신호에 기초하여, 터치 검출 디바이스(30)에 대한 터치 유무를 검출하는 논리 회로이다. 신호 처리부(44)는, 손가락에 의한 차분의 전압만을 취출하는 처리를 행한다. 이 손가락에 의한 차분의 전압은, 상술한 파형(V0)과 파형(V1)의 차분의 절대값(|ΔV|)이다. 신호 처리부(44)는, 1개의 검출 블럭당의 절대값(|ΔV|)을 평균화하는 연산을 행하여, 절대값(|ΔV|)의 평균값을 구해도 된다. 이에 의해, 신호 처리부(44)는, 노이즈에 의한 영향을 저감시킬 수 있다. 신호 처리부(44)는, 검출한 손가락에 의한 차분의 전압을 소정의 임계값 전압과 비교하여, 이 임계값 전압 이상이면, 외부로부터 근접하는 외부 근접 물체의 접촉 상태라고 판단하고, 임계값 전압 미만이면, 외부 근접 물체의 비접촉 상태라고 판단한다. 이와 같이 하여, 터치 검출부(40)에 의한 터치 검출이 행하여진다.
좌표 추출부(45)는, 신호 처리부(44)에서 터치가 검출되었을 때, 터치가 검출된 위치의 좌표, 즉 터치 패널에서의 입력 위치를 구하는 논리 회로이다. 검출 타이밍 제어부(46)는, A/D 변환부(43)와, 신호 처리부(44)와, 좌표 추출부(45)가 동기하여 동작하도록 제어한다. 좌표 추출부(45)는, 터치 패널 좌표를 신호 출력(Vout)으로서 출력한다.
<모듈>
도 7 및 도 8은, 실시 형태 1의 표시 장치를 실장한 모듈의 일례를 도시하는 평면도이다. 도 7에 도시하는 예에서는, 제1 기판(21) 상에, 상술한 구동 전극 드라이버(14)가 형성되어 있다.
도 7에 도시한 바와 같이, 표시 장치(1)는, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)와, 구동 전극 드라이버(14)와, COG(Chip On Glass)(19A)와, 제1 기판(21)을 갖는다.
터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 복수의 공통 전극(COML)과, 복수의 검출 전극(TDL)을 갖는다. 여기서, 제1 기판(21)의 주면으로서의 상면 내에서, 서로 교차, 적합하게는 직교하는 2개의 방향을, X축 방향 및 Y축 방향이라 한다. 이 때, 복수의 공통 전극(COML)은, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 또한, 복수의 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 각각 연장되고, 또한 X축 방향으로 배열되어 있다. 바꿔 말하면, 복수의 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때, 복수의 공통 전극(COML)과 각각 교차하고, 또한 X축 방향으로 배열되어 있다. 따라서, 복수의 검출 전극(TDL)의 각각은, 평면에서 볼 때, 복수의 공통 전극(COML)과 교차하고 있다.
도 9 및 도 10을 통하여 후술하는 바와 같이, 복수의 공통 전극(COML)의 각각은, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 배열된 복수의 부화소(SPix)와 겹치도록 설치되어 있다. 즉, 1개의 공통 전극(COML)은, 복수의 부화소(SPix)에 대하여 공통의 전극으로서 설치되어 있다.
또한, 본원 명세서에서는, 「평면에서 볼 때」란, 제1 기판(21) 또는 후술하는 대향 기판(3)에 포함되는 제2 기판(31)의 주면으로서의 상면에 수직인 방향에서 본 경우를 의미한다.
도 7에 도시하는 예에서는, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 서로 대향하는 2개의 변과, Y축 방향으로 각각 연장되고, 또한 서로 대향하는 2개의 변을 구비하고, 직사각형 형상을 갖는다. Y축 방향에서의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)의 한쪽의 측에는, 배선 기판(WS1)이 설치되어 있다. 검출 전극(TDL)은, 배선 기판(WS1)을 개재하여, 이 모듈의 외부에 실장된 터치 검출부(40)와 접속되어 있다. 도 12 및 도 13을 통하여 후술하지만, 배선 기판(WS1)으로서 플렉시블 프린트 배선판을 사용할 수 있다. 또한, 검출 전극(TDL)과 배선 기판(WS1)의 접속 구조에 대해서도, 도 12 및 도 13을 통하여 후술한다.
구동 전극 드라이버(14)는, 제1 기판(21)에 형성되어 있다. COG(19A)는, 제1 기판(21)에 실장된 칩이며, 도 1에 도시한 제어부(11), 게이트 드라이버(12), 소스 드라이버(13) 등, 표시 동작에 필요한 각 회로를 내장한 것이다.
또한, 제1 기판(21)으로서, 예를 들어 투명성이 있는 유리 기판, 또는, 예를 들어 수지를 포함하는 필름 등, 각종 기판을 사용할 수 있다.
한편, 표시 장치(1)는, COG에 구동 전극 드라이버(14)를 내장해도 된다. COG에 구동 전극 드라이버(14)가 내장된 예를, 도 8에 도시하였다. 도 8에 도시한 예에서는, 표시 장치(1)는, 모듈은 COG(19B)를 갖는다. 도 8에 도시하는 COG(19B)에는, 상술한 표시 동작에 필요한 각 회로 외에, 구동 전극 드라이버(14)가 또한 내장되어 있다.
또한, 도 7 및 도 8에 도시한 바와 같이, 제2 기판(31)의 평면 형상을, 제1 기판(21)의 평면 형상과 대략 동일하게 할 수 있다.
<터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스>
이어서, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)의 구성예를 상세하게 설명한다. 도 9는, 실시 형태 1의 표시 장치에서의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스를 도시하는 단면도이다. 도 10은, 실시 형태 1의 표시 장치에서의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스를 나타내는 회로도이다.
터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 화소 기판(2)과, 대향 기판(3)과, 액정층(6)을 갖는다. 대향 기판(3)은, 화소 기판(2)의 주면으로서의 상면과, 대향 기판(3)의 주면으로서의 하면이 대향하도록 배치되어 있다. 액정층(6)은, 화소 기판(2)과 대향 기판(3)의 사이에 설치되어 있다.
화소 기판(2)은, 제1 기판(21)을 갖는다. 도 10에 도시한 바와 같이, 표시 영역(Ad)에서, 제1 기판(21)에는, 복수의 주사선(GCL), 복수의 신호선(SGL) 및 복수의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT)인 TFT 소자(Tr)가 형성되어 있다. 또한, 도 9에서는, 주사선(GCL), 신호선(SGL) 및 TFT 소자(Tr)의 도시는 생략한다.
도 10에 도시한 바와 같이, 복수의 주사선(GCL)은, 표시 영역(Ad)에서, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 복수의 신호선(SGL)은, 표시 영역(Ad)에서, Y축 방향으로 각각 연장되고, 또한 X축 방향으로 배열되어 있다. 따라서, 복수의 신호선(SGL)의 각각은, 평면에서 볼 때, 복수의 주사선(GCL)과 교차한다. 이와 같이, 평면에서 볼 때, 서로 교차하는 복수의 주사선(GCL)과 복수의 신호선(SGL)의 교점에, 부화소(SPix)가 배치되고, 복수의 상이한 색의 부화소(SPix)에 의해 1개의 화소(Pix)가 형성된다. 즉, 제1 기판(21) 상에서, 표시 영역(Ad)에 있어서, 부화소(SPix)는, X축 방향 및 Y축 방향으로 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 바꿔 말하면, 부화소(SPix)는, 제1 기판(21)의 표면측의 표시 영역(Ad)에서, X축 방향 및 Y축 방향으로 매트릭스 형상으로 배열되어 있다.
평면에서 볼 때, 복수의 주사선(GCL)의 각각과 복수의 신호선(SGL)의 각각이 교차하는 교차부에는, TFT 소자(Tr)가 형성되어 있다. 따라서, 표시 영역(Ad)에서, 제1 기판(21) 상에는, 복수의 TFT 소자(Tr)가 형성되어 있고, 이들 복수의 TFT 소자(Tr)는, X축 방향 및 Y축 방향으로 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 즉, 복수의 부화소(SPix)의 각각에는, TFT 소자(Tr)가 설치되어 있다. 또한, 복수의 부화소(SPix)의 각각에는, TFT 소자(Tr) 외에, 액정 소자(LC)가 설치되어 있다.
TFT 소자(Tr)는, 예를 들어 ｎ채널형의 MOS(Metal Oxide Semiconductor)로서의 박막 트랜지스터를 포함한다. TFT 소자(Tr)의 게이트 전극은, 주사선(GCL)에 접속되어 있다. TFT 소자(Tr)의 소스 전극 또는 드레인 전극의 한쪽은, 신호선(SGL)에 접속되어 있다. TFT 소자(Tr)의 소스 전극 또는 드레인 전극의 다른 쪽은, 액정 소자(LC)의 일단부에 접속되어 있다. 액정 소자(LC)는, 예를 들어 일단부가 TFT 소자(Tr)의 소스 전극 또는 드레인 전극에 접속되고, 타단부가 공통 전극(COML)에 접속되어 있다.
도 9에 도시한 바와 같이, 화소 기판(2)은, 복수의 공통 전극(COML)과, 절연막(24)과, 복수의 화소 전극(22)을 갖는다. 복수의 공통 전극(COML)은, 제1 기판(21)의 표면측의 표시 영역(Ad)(도 7 또는 도 8 참조)에서, 제1 기판(21) 상에 설치되어 있다. 복수의 공통 전극(COML)의 각각의 표면을 포함하여 제1 기판(21) 상에는, 절연막(24)이 형성되어 있다. 표시 영역(Ad)에서, 절연막(24) 상에는, 복수의 화소 전극(22)이 형성되어 있다. 따라서, 절연막(24)은, 공통 전극(COML)과 화소 전극(22)을 전기적으로 절연한다.
도 10에 도시한 바와 같이, 복수의 화소 전극(22)은, 제1 기판(21)의 표면측의 표시 영역(Ad)에서, X축 방향 및 Y축 방향으로 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 부화소(SPix)의 각각의 내부에 각각 형성되어 있다. 따라서, 복수의 화소 전극(22)은, X축 방향 및 Y축 방향으로 매트릭스 형상으로 배열되어 있다.
도 9에 도시한 예에서는, 복수의 공통 전극(COML)의 각각은, 제1 기판(21)과 화소 전극(22)의 사이에 형성되어 있다. 또한, 도 10에서 모식적으로 도시된 바와 같이, 복수의 공통 전극(COML)의 각각은, 평면에서 볼 때, 복수의 화소 전극(22)과 겹치도록 설치되어 있다. 그리고, 복수의 화소 전극(22)의 각각과 복수의 공통 전극(COML)의 각각의 사이에 전압이 인가되고, 복수의 부화소(SPix)의 각각에 설치된 액정 소자(LC)에 전압이 인가됨으로써, 표시 영역(Ad)에 화상이 표시된다.
이와 같이, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)가 액정 표시 디바이스(20)를 포함하는 경우에는, 액정 소자(LC)와, 복수의 화소 전극(22)과, 공통 전극(COML)과, 복수의 주사선(GCL)과, 복수의 신호선(SGL)에 의해, 화상의 표시를 제어하는 표시 제어부가 형성된다. 표시 제어부는, 화소 기판(2)과 대향 기판(3)의 사이에 설치되어 있다. 또한, 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 액정 표시 장치로서의 액정 표시 디바이스(20) 대신에, 유기 EL 표시 장치 등 각종 표시 장치로서의 표시 디바이스를 포함해도 된다.
또한, 복수의 공통 전극(COML)의 각각은, 화소 전극(22)을 사이에 두고 제1 기판(21)과 반대측에 형성되어 있어도 된다. 또한, 도 9에 도시하는 예에서는, 공통 전극(COML)과 화소 전극(22)의 배치가, 횡전계 모드로서의 FFS(Fringe Field Switching) 모드에서의 배치로 되어 있다. 그러나, 공통 전극(COML)과 화소 전극(22)의 배치는, 공통 전극(COML)과 화소 전극(22)이 평면에서 볼 때 겹치지 않는, 횡전계 모드로서의 IPS(In Plane Switching) 모드에서의 배치이어도 된다. 또는, 공통 전극(COML)과 화소 전극(22)의 배치는, 종전계 모드로서의 TN(Twisted Nematic) 모드 또는 VA(Vertical Alignment) 모드에서의 배치이어도 된다.
액정층(6)은, 전계의 상태에 따라서 그곳을 통과하는 광을 변조하는 것이며, 예를 들어 상술한 FFS 모드 또는, IPS 모드 등의 횡전계 모드에 대응한 액정층이 사용된다. 즉, 액정 표시 디바이스(20)로서, FFS 모드 또는 IPS 모드 등의 횡전계 모드에 의한 액정 표시 디바이스가 사용된다. 또는, 상술한 바와 같이, TN 모드 또는 VA 모드 등의 종전계 모드에 의한 액정 표시 디바이스가 사용되어도 된다. 또한, 도 9에 도시하는 액정층(6)과 화소 기판(2)의 사이 및, 액정층(6)과 대향 기판(3)의 사이에는, 각각 배향막이 설치되어 있어도 된다.
도 10에 도시한 바와 같이, X축 방향으로 배열된 복수의 부화소(SPix), 즉 액정 표시 디바이스(20)의 동일한 행에 속하는 복수의 부화소(SPix)는, 주사선(GCL)에 의해 서로 접속되어 있다. 주사선(GCL)은, 게이트 드라이버(12)(도 1 참조)와 접속되고, 게이트 드라이버(12)에 의해 주사 신호(Vscan)(도 1 참조)가 공급된다. 또한, Y축 방향으로 배열된 복수의 부화소(SPix), 즉 액정 표시 디바이스(20)의 동일한 열에 속하는 복수의 부화소(SPix)는, 신호선(SGL)에 의해 서로 접속되어 있다. 신호선(SGL)은, 소스 드라이버(13)(도 1 참조)와 접속되고, 소스 드라이버(13)에 의해 화소 신호(Vpix)(도 1 참조)가 공급된다. 또한, X축 방향으로 배열된 복수의 부화소(SPix), 즉 액정 표시 디바이스(20)의 동일한 행에 속하는 복수의 부화소(SPix)는, 공통 전극(COML)에 의해 서로 접속되어 있다.
공통 전극(COML)은, 구동 전극 드라이버(14)(도 1 참조)와 접속되고, 구동 전극 드라이버(14)에 의해 구동 신호(Vcom)(도 1 참조)가 공급된다. 즉, 도 10에 도시하는 예에서는, 동일한 행에 속하는 복수의 부화소(SPix)가 1개의 공통 전극(COML)을 공유하도록 되어 있다. 복수의 공통 전극(COML)은, 표시 영역(Ad)에서, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 상술한 바와 같이, 복수의 주사선(GCL)은, 표시 영역(Ad)에서, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있으므로, 복수의 공통 전극(COML)의 각각이 연장되는 방향은, 복수의 주사선(GCL)의 각각이 연장되는 방향과 평행하다. 단, 복수의 공통 전극(COML)의 각각이 연장되는 방향은 한정되지 않고, 예를 들어 복수의 공통 전극(COML)의 각각이 연장되는 방향은, 복수의 신호선(SGL)의 각각이 연장되는 방향과 평행한 방향이어도 된다.
도 1에 도시하는 게이트 드라이버(12)는, 주사 신호(Vscan)를, 도 10에 도시하는 주사선(GCL)을 거쳐서, 각 부화소(SPix)의 TFT 소자(Tr)의 게이트 전극에 인가함으로써, 액정 표시 디바이스(20)에서 매트릭스 형상으로 형성된 부화소(SPix) 중 1행, 즉 1수평 라인을 표시 구동의 대상으로서 순차 선택한다. 도 1에 도시하는 소스 드라이버(13)는, 화소 신호(Vpix)를, 도 10에 도시하는 신호선(SGL)을 거쳐서, 게이트 드라이버(12)에 의해 순차 선택되는 1수평 라인을 구성하는 복수의 부화소(SPix)에 각각 공급한다. 그리고, 1수평 라인을 구성하는 복수의 부화소(SPix)에 있어서, 공급되는 화소 신호(Vpix)에 따른 표시가 행하여진다.
도 1에 도시하는 구동 전극 드라이버(14)는, 구동 신호(Vcom)를 인가하고, 1개 또는 복수의 공통 전극(COML)에 대응한 1개의 검출 블럭마다 공통 전극(COML)을 구동한다.
액정 표시 디바이스(20)에 있어서는, 게이트 드라이버(12)가 주사선(GCL)을 시분할적으로 순차 주사하도록 구동함으로써, 부화소(SPix)가, 1수평 라인씩 순차 선택된다. 또한, 액정 표시 디바이스(20)에 있어서는, 1수평 라인에 속하는 부화소(SPix)에 대하여, 소스 드라이버(13)가 화소 신호(Vpix)를 공급함으로써, 1수평 라인씩 표시가 행하여진다. 이 표시 동작을 행할 때, 구동 전극 드라이버(14)는, 그 1수평 라인에 대응한 공통 전극(COML)을 포함하는 검출 블럭에 대하여, 구동 신호(Vcom)를 인가한다.
본 실시 형태 1의 표시 장치(1)에서의 공통 전극(COML)은, 액정 표시 디바이스(20)의 구동 전극으로서 동작하고, 또한 터치 검출 디바이스(30)의 구동 전극으로서 동작한다. 도 11은, 실시 형태 1의 표시 장치 구동 전극 및 검출 전극의 일구성예를 도시하는 사시도이다.
터치 검출 디바이스(30)는, 화소 기판(2)에 설치된 복수의 공통 전극(COML)과, 대향 기판(3)에 설치된 복수의 검출 전극(TDL)을 갖는다. 복수의 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때, 복수의 공통 전극(COML)의 각각이 연장되는 방향과 교차하는 방향으로 각각 연장된다. 바꿔 말하면, 복수의 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때 복수의 공통 전극(COML)과 각각 겹치도록, 서로 간격을 두고 설치되어 있다. 그리고, 복수의 검출 전극(TDL)의 각각은, 화소 기판(2)에 포함되는 제1 기판(21)의 표면에 수직인 방향에 있어서, 공통 전극(COML)과 대향하고 있다. 복수의 검출 전극(TDL)의 각각은, 터치 검출부(40)의 터치 검출 신호 증폭부(42)(도 1 참조)에 각각 접속되어 있다. 복수의 공통 전극(COML)의 각각과 복수의 검출 전극(TDL)의 각각의 평면에서 볼 때의 교차부에는, 정전 용량이 발생한다. 그리고, 복수의 공통 전극(COML)의 각각과 복수의 검출 전극(TDL)의 각각의 사이의 정전 용량에 기초하여, 입력 위치가 검출된다. 즉, 검출 전극(TDL)이 형성된 제2 기판(31)(도 9 참조)과 같은 전극 기판과, 공통 전극(COML)에 의해, 입력 위치를 검출하는 검출부, 즉 입력 장치가 형성된다.
또한, 본 실시 형태 1에서의 전극 기판은, 대향 기판(3)으로서 사용되는 경우에 한정되지 않고, 예를 들어 도 38을 통하여 후술하는 바와 같이, 입력 장치 단체를 형성할 수 있다.
이와 같은 구성에 의해, 터치 검출 디바이스(30)에서는, 터치 검출 동작을 행할 때, 구동 전극 드라이버(14)에 의해, 스캔 방향(Scan)에 1개 또는 복수의 공통 전극(COML)에 대응한 1개의 검출 블럭이 순차 선택된다. 그리고, 선택된 검출 블럭에 있어서, 공통 전극(COML)에는, 공통 전극(COML)과 검출 전극(TDL)의 사이의 정전 용량을 측정하기 위한 구동 신호(Vcom)가 입력되고, 검출 전극(TDL)으로부터, 입력 위치를 검출하기 위한 검출 신호(Vdet)가 출력된다. 이와 같이 터치 검출 디바이스(30)는, 1검출 블럭마다 터치 검출이 행하여지도록 되어 있다. 즉, 1개의 검출 블럭은, 상술한 터치 검출의 원리에서의 구동 전극(E1)에 대응하고, 검출 전극(TDL)은, 검출 전극(E2)에 대응하고 있다.
또한, 표시 동작 시의 검출 블럭의 범위와, 터치 검출 동작 시의 검출 블럭의 범위는, 공통이어도 되고, 상이해도 된다.
도 11에 도시한 바와 같이, 평면에서 볼 때, 서로 교차한 복수의 공통 전극(COML)과 복수의 검출 전극(TDL)은, 매트릭스 형상으로 배열된 정전 용량식 터치 센서를 형성한다. 따라서, 터치 검출 디바이스(30)의 터치 검출면 전체를 주사함으로써, 손가락 등이 접촉 또는 근접한 위치를 검출하는 것이 가능하다.
도 9에 도시한 바와 같이, 대향 기판(3)은, 제2 기판(31)과, 컬러 필터(32)와, 검출 전극(TDL)과, 보호막(33)을 갖는다. 제2 기판(31)은, 주면으로서의 상면과, 상면과 반대측의 주면으로서의 하면을 갖고 있다. 컬러 필터(32)는, 제2 기판(31)의 한쪽의 주면으로서의 하면에 형성되어 있다. 검출 전극(TDL)은, 터치 검출 디바이스(30)의 검출 전극이며, 제2 기판(31)의 다른 쪽 주면으로서의 상면 상에 형성되어 있다. 보호막(33)은, 제2 기판(31)의 상면 상에 검출 전극(TDL)을 덮도록 형성되어 있다. 또한, 전극으로서의 검출 전극(TDL) 및 보호막(33)의 형상에 대해서는 후술한다.
컬러 필터(32)로서, 예를 들어 빨강(R), 초록(G) 및 파랑(B)의 3색으로 착색된 컬러 필터가 X축 방향으로 배열된다. 이에 의해, 도 10에 도시한 바와 같이, R, G 및 B의 3색의 색 영역(32R, 32G 및 32B)의 각각에 각각 대응한 복수의 부화소(SPix)가 형성되고, 1쌍의 색 영역(32R, 32G 및 32B)의 각각에 각각 대응한 복수의 부화소(SPix)에 의해 1개의 화소(Pix)가 형성된다. 화소(Pix)는, 주사선(GCL)이 연장되는 방향(X축 방향) 및 신호선(SGL)이 연장되는 방향(Y축 방향)을 따라, 매트릭스 형상으로 배열되어 있다. 또한, 화소(Pix)가 매트릭스 형상으로 배열된 영역이, 예를 들어 상술한 표시 영역(Ad)이다. 또한, 표시 영역(Ad)의 주변에, 더미 화소가 설치된 더미 영역이 설치되어 있어도 된다.
컬러 필터(32)의 색의 조합으로서, R, G 및 B 이외의 다른 색을 포함하는 복수의 색의 조합이어도 된다. 또한, 컬러 필터(32)는, 설치되어 있지 않아도 된다. 또는, 1개의 화소(Pix)가, 컬러 필터(32)가 설치되어 있지 않은 부화소(SPix), 즉 백색의 부화소(SPix)를 포함해도 된다. 또한, COA(Color filter On Array) 기술에 의해, 컬러 필터가 화소 기판(2)에 설치되어 있어도 된다.
또한, 도 9에 도시한 바와 같이, 화소 기판(2)을 사이에 두고 대향 기판(3)과 반대측에는, 편광판(25)이 설치되어 있어도 된다. 또한, 대향 기판(3)을 사이에 두고 화소 기판(2)과 반대측에는, 편광판(34)이 설치되어 있어도 된다.
<전극 기판의 구성>
이어서, 도 12 내지 도 15를 참조하여, 전극 기판의 구성에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태 1에서는, 전극 기판으로서, 입력 장치가 구비된 표시 장치에서 검출 전극이 형성되는 대향 기판으로서 사용되는 전극 기판을 예시하여 설명한다.
도 12는, 실시 형태 1의 전극 기판을 도시하는 평면도이다. 도 13 및 도 14는, 실시 형태 1의 전극 기판을 도시하는 단면도이다. 도 15는, 실시 형태 1의 전극 기판을 도시하는 사시도이다. 도 13은 도 12의 A-A선을 따른 단면도이며, 도 14는 도 12의 B-B선을 따른 단면도이다. 또한, 도 12에서는, 배선 기판(WS1) 및 이방성 도전 필름(CF1)을 제거하여 투시한 상태를 도시하고 있고, 배선 기판(WS1) 및 이방성 도전 필름(CF1)의 외주를 이점 쇄선으로 나타내고 있다. 또한, 도 15에서는, 배선 기판(WS1)의 도시를 생략하고 있다. 또한, 도 15에서는, 도 19를 통하여 후술하는 요철 패턴(UE1)의 제1 변형예와 유사한 예를 도시하고 있다.
대향 기판(3)으로서의 전극 기판(ES)은, 제2 기판(31)과, 검출 전극(TDL)과, 보호막(33)과, 요철 패턴(UE1)을 갖는다.
또한, 본원 명세서에서는, 「요철 패턴」이란, 오목부를 포함하는 패턴, 볼록부를 포함하는 패턴 또는 오목부 및 볼록부를 포함하는 패턴을 의미한다.
제2 기판(31)은, 제2 기판(31)의 주면으로서의 상면의 영역으로서, 영역(제1 영역)(AR1), 영역(제2 영역)(AR2), 및 영역(제3 영역)(AR3)을 갖는다. 이하에서는 제2 기판(31)의 주면으로서의 상면 내에서, 서로 교차, 적합하게는 직교하는 2개의 방향을, X축 방향 및 Y축 방향이라 한다. 이 때, 영역(AR1, AR2 및 AR3)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 순서대로 배치되어 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 본원 명세서에서는, 「평면에서 볼 때」란, 제1 기판(21)(도 9 참조) 또는 제2 기판(31)의 주면으로서의 상면에 수직인 방향에서 본 경우를 의미한다.
또한, 제2 기판(31)으로서, 예를 들어 투명성이 있는 유리 기판, 또는, 예를 들어 수지를 포함하는 필름 등, 각종 기판을 사용할 수 있다.
검출 전극(TDL)은, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR1)부터, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR2)을 거쳐, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR3)에 걸쳐서, 제2 기판(31) 상에 연속적으로 형성되어 있다. 적합하게는, 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장되어 있다.
검출 전극(TDL) 중 영역(AR1)에 형성된 부분을 부분PR1이라 한다. 부분(PR1)은, 검출 전극(TDL)의 본체부(MP1)이다. 또한, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분을 부분PR2라 한다. 또한, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분을 부분PR3이라 한다. 부분(PR3)은, 배선 기판(WS1)과 전기적으로 접속되는 전극 단자(ET1)이다. 바꿔 말하면, 부분(PR3)은, 배선 기판(WS1)과 전기적으로 접속되는 전극 패드이다. 검출 전극(TDL)은, 도전막을 포함한다.
적합하게는, 검출 전극(TDL)은, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 금속층 또는 합금층을 포함하는 도전막의 단층 또는 복수층의 막을 포함한다. 이에 의해, 검출 전극(TDL)의 도전성을 향상시킬 수 있으므로, 검출 전극(TDL)에 의한 검출 감도 또는 검출 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태 1에서는, 부분(PR2)이, 전극 단자(ET1) 중 본체부(MP1)측의 부분으로서, 전극 단자(ET1)에 포함되어 있는 예에 대해서 나타낸다. 그러나, 부분(PR2)은, 본체부(MP1) 중 전극 단자(ET1)측의 부분으로서, 본체부(MP1)에 포함되어 있어도 된다.
또한, 도 12에 도시하는 예에서는, 전극 단자(ET1)의 평면 형상은 직사각형 형상인데, 전극 단자(ET1)의 평면 형상은, 예를 들어 원형 형상 등, 각종 형상이어도 된다.
검출 전극(TDL)은, 영역(AR1)에 있어서, X축 방향으로 배열된 복수의 도전선을 포함해도 된다. 이 때, 복수의 도전선의 각각은, 평면에서 볼 때, 교대로 역방향으로 굴곡하면서 전체적으로 Y축 방향으로 연장하는 지그재그 형상을 갖고 있어도 되다. 또는, 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때, 복수의 도전선에 의해 형성된 메쉬 형상을 갖고 있어도 된다.
대향 기판(3)은, 복수의 검출 전극(TDL)을 갖는다. 복수의 검출 전극(TDL)은, 예를 들어 X축 방향으로 배열되어 있다.
보호막(33)은, 영역(AR1 및 AR2)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 형성되어 있다. 보호막(33)은, 검출 전극(TDL)에 예를 들어 공기중의 수분이나 산성의 유기물 등이 접촉되지 않도록 함으로써, 도전막을 포함하는 검출 전극(TDL)이 부식되지 않도록 보호한다. 보호막(33)으로서, 예를 들어 아크릴 수지, 에폭시 수지 또는 폴리이미드 수지 등을 포함하는, 자외선(Ultraviolet;UV) 경화성 수지 또는 열경화성 수지 또는 그 양쪽을 포함하는 수지를 포함하는 수지막을 사용할 수 있다. 또한, 보호막(33)은, 검출 전극(TDL)이 형성된 제2 기판(31)의 상면을 평탄화하는 기능도 갖는다.
요철 패턴(UE1)은, 부분(PR2)의 표면에 형성되거나, 또는, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서 제2 기판(31) 상에 형성되어 있다. 바꿔 말하면, 요철 패턴(UE1)은, 영역(AR2)에서, 검출 전극(TDL) 또는 제2 기판(31)에 형성되어 있다.
또한, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부는, 요철 패턴(UE1) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상에 위치하고 있다.
상술한 바와 같이, 요철 패턴(UE1)은, 예를 들어 오목부 또는 볼록부 등을 포함한다. 즉, 요철 패턴(UE1)은, 고위부와 저위부를 포함하는 단차부를 포함한다. 영역(AR1 및 AR2)에 보호막 형성용의 도포액이 도포될 때, 도포액은, 단차부를 따라 퍼지기 쉽지만, 단차부와 교차하는 방향으로는 퍼지기 어렵다. 그로 인해, 요철 패턴(UE1)의 형상을 조정함으로써, 단차부의 길이를 조정할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다. 즉, 요철 패턴(UE1)은, 보호막(33)의 단부 위치를 조정하는 위치 조정 패턴이다.
도 14에 도시한 바와 같이, 보호막(33)의 두께(TH1)를 검출 전극(TDL)의 두께(TH2)보다도 두껍게 할 수 있고, 예를 들어 검출 전극(TDL)의 두께(TH2)를 10 내지 2000nm로 하고, 보호막(33)의 두께(TH1)를 500 내지 10000nm로 할 수 있다. 또한, 보호막(33)의 두께(TH1), 즉 보호막 형성용의 도포액 두께가, 검출 전극(TDL)의 두께(TH2)의 2배 이상일 때는, 요철 패턴(UE1)이 설치됨으로써, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있는 효과가 커진다.
또한, 도 12에 도시하는 예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서 제2 기판(31) 상에 형성되어 있다. 또한, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에 위치하고 있다.
여기서, X축 방향과 Y축 방향은 서로 직교하는 것으로 하고, 부분(PR1)의 X축 방향에서의 폭을 폭WD1이라 하고, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭을 폭WD2라 하고, 부분(PR3)의 X축 방향에서의 폭을 폭WD3이라 한다. 이 때, 적합하게는, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭(WD2)은, 부분(PR1)의 X축 방향에서의 폭(WD1)보다도 크다. 이에 의해, 부분(PR2)은 견부(SH1)를 갖고, 견부(SH1)에 의해, 영역(AR1)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR2)에 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
또한, 도 12에서는, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭(WD2)이, 부분(PR1)의 X축 방향에서의 폭(WD1)보다도 큰 예를 도시하고, 도 15에서는, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭(WD2)이, 부분(PR1)의 X축 방향에서의 폭(WD1)과 동등한 예를 도시하고 있다. 또한, 도 12에서는, 부분(PR3)의 X축 방향에서의 폭(WD3)이, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭(WD2)과 동등한 예를 도시하고, 도 15에서는, 부분(PR3)의 X축 방향에서의 폭이, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭과 동등한 예를 도시하고 있다.
예를 들어 도 12에 도시하는 경우, 즉 폭(WD2)이, 폭(WD1)보다도 크고 또한 폭(WD3)과 동등한 경우, 폭(WD2 및 WD3)은, 예를 들어 50 내지 1000㎛이다. 또한, 예를 들어 도 12에 도시하는 경우, 서로 인접하는 2개의 전극 단자(ET1)의 간격(DS1)은, 예를 들어 50 내지 1000㎛이다. 간격(DS1)이 이러한 범위 내에 있음으로써, 서로 인접하는 2개의 전극 단자(ET1)가, 후술하는 이방성 도전 필름(CF1)에 의해 단락되는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
또한, 대향 기판(3)으로서의 전극 기판(ES)은, 이방성 도전 필름(Anisotropic Conductive Film; ACF)(CF1)과, 배선 기판(WS1)을 가져도 된다. 이방성 도전 필름(CF1)은, 영역(AR2 및 AR3)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 배치되어 있다. 배선 기판(WS1)은, 이방성 도전 필름(CF1) 상에 배치되어 있다. 배선 기판(WS1)으로서, 예를 들어 연성 인쇄 회로 기판(Flexible Printed Circuits; FPC)이라고도 칭해지는 플렉시블 프린트 배선판을 사용할 수 있다. 이하에서는, 배선 기판(WS1)으로서 FPC를 사용한 예에 대해서 설명한다.
배선 기판(WS1)의 주면으로서의 하면에는, 복수의 전극 단자(ET2)가 형성되어 있다. 즉, 배선 기판(WS1)은, 배선 기판(WS1)의 주면으로서의 하면에 형성된 복수의 전극 단자(ET2)를 포함한다. 복수의 전극 단자(ET2)의 각각은, 복수의 검출 전극(TDL)의 각각의 전극 단자(ET1)에 각각 대응하여 배치되어 있다. 배선 기판(WS1)은, 복수의 전극 단자(ET2)의 각각이, 복수의 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분인 각각의 전극 단자(ET1) 각각과 이방성 도전 필름(CF1)을 개재하여 대향하도록, 이방성 도전 필름(CF1) 상에 배치되어 있다.
이방성 도전 필름(CF1)은, 열경화성 수지에 도전성을 갖는 미세한 금속 입자를 혼합한 것을, 막 형상으로 성형한 필름이다. 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1)와 배선 기판(WS1)의 전극 단자(ET2)의 사이에 이방성 도전 필름(CF1)을 끼운 상태에서, 예를 들어 열처리하면서 배선 기판(WS1)을 제2 기판(31)에 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 필름(CF1) 내의 금속 입자가 이방성 도전 필름(CF1)의 두께 방향에 접촉하여, 이방성 도전 필름(CF1)의 두께 방향으로 도전 경로가 형성된다. 그리고, 서로 대향한 전극 단자(ET1)과 전극 단자(ET2)은, 이방성 도전 필름(CF1)을 개재하여 전기적으로 접속된다.
적합하게는, 이방성 도전 필름(CF1)의 영역(AR1)측의 단부(EP2)는, 보호막(33) 상에 올라앉아 있고, 보호막(33) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 이방성 도전 필름(CF1)의 영역(AR1)측의 단부(EP2)가, 보호막(33) 상에 위치하고 있다.
이에 의해, 부분(PR2)의 어느 부분도, 보호막(33) 또는 이방성 도전 필름(CF1) 중 어느 하나에 의해 덮이게 되고, 부분(PR2)의 어느 부분에도 공기중의 수분이 접촉하지 않도록 할 수 있으므로, 도전막을 포함하는 검출 전극(TDL)이 부식되지 않도록 확실하게 보호할 수 있다.
<요철 패턴>
도 16은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴을 도시하는 평면도이다.
도 16에 도시한 바와 같이, 본 실시 형태 1에서는, 요철 패턴(UE1)은, 돌출부(PJ1)를 포함한다. 돌출부(PJ1)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 X축 방향으로 돌출되어 연장하도록 형성되어 있다. 따라서, 요철 패턴(UE1)은, 부분(PR2)의 측면에 형성되어 있고, 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에 위치하고 있다. 또한, 돌출부(PJ1)는, 제2 기판(31) 상에 형성된 볼록부이기도 하다.
이와 같이, 단차부로서의 돌출부(PJ1)에 의해 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 외주 길이를 길게 할 수 있고, 단차부의 측벽으로서의 돌출부(PJ1)에 의해 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면 면적을 크게 할 수 있다. 즉, 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측에 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
적합하게는, 요철 패턴(UE1)은, 복수의 돌출부(PJ1)를 포함한다. 복수의 돌출부(PJ1)는, 영역(AR2)에서, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 X축 방향으로 각각 돌출되어 연장하도록 형성되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 이에 의해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다.
또한, 본 실시 형태 1에서는, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향에 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)으로서, 검출 전극(TDL1 및 TDL2)이 설치되어 있다. 도 12 및 도 13에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 영역(AR1 및 AR2)에서, 2개의 검출 전극(TDL)을 덮도록, 또한 2개의 검출 전극(TDL)의 사이에 위치하는 부분의 제2 기판(31)을 덮도록 형성되어 있다.
검출 전극(TDL1)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE111)은, 돌출부(PJ1)로서의 돌출부(PJ111)를 복수개 포함하고, 검출 전극(TDL1)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE112)은, 돌출부(PJ1)로서의 돌출부(PJ112)를 복수개 포함한다. 복수의 돌출부(PJ111)는, 검출 전극(TDL1) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)으로서의 부분(PR21)의 검출 전극(TDL2)측과 반대측의 측면으로부터 검출 전극(TDL2)측과 반대측으로 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 복수의 돌출부(PJ112)는, 부분(PR21)의 검출 전극(TDL2)측의 측면으로부터 검출 전극(TDL2)측으로 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다.
또한, 검출 전극(TDL2)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE121)은, 돌출부(PJ1)로서의 돌출부(PJ121)를 복수개 포함하고, 검출 전극(TDL2)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE122)은, 돌출부(PJ1)로서의 돌출부(PJ122)를 복수개 포함한다. 복수의 돌출부(PJ121)는, 검출 전극(TDL2) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)으로서의 부분(PR22)의 검출 전극(TDL1)측의 측면으로부터 검출 전극(TDL1)측으로 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 복수의 돌출부(PJ122)는, 부분(PR22)의 검출 전극(TDL1)측과 반대측의 측면으로부터 검출 전극(TDL1)측과 반대측으로 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 또한, 도 19를 통하여 후술하는 예와 마찬가지로, 복수의 돌출부(PJ112)와 복수의 돌출부(PJ121)가, Y축 방향으로 지그재그 형상으로 배치되어 있어도 된다.
도 16에 도시한 바와 같이, 돌출부(PJ112)와 돌출부(PJ121)가 설치되는 경우에는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL1 및 TDL2)의 최단 거리는, X축 방향에서의 돌출부(PJ112)와 돌출부(PJ121)의 최단 거리(DS2)와 동일하다. 이러한 경우, 적합하게는, X축 방향에서의 돌출부(PJ112)와 돌출부(PJ121)의 최단 거리(DS2)는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경보다도 크다. 이에 의해, 돌출부(PJ112)와 돌출부(PJ121)가, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자에 의해 단락되는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
보다 적합하게는, X축 방향에서의 돌출부(PJ112)와 돌출부(PJ121)의 최단 거리(DS2)는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경의 3배 이상이다. 또는, 도전 입자의 평균 입경이, 예를 들어 5000nm 미만일 때, 적합하게는, X축 방향에서의 돌출부(PJ112)와 돌출부(PJ121)의 최단 거리(DS2)는, 예를 들어 15000 내지 50000nm이다. 이에 의해, 돌출부(PJ112)와 돌출부(PJ121)가, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자에 의해 단락되는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있다.
또한, 예를 들어 복수의 돌출부(PJ112)가 설치되지만, 복수의 돌출부(PJ121)가 설치되지 않을 경우에는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL1 및 TDL2)의 최단 거리는, 검출 전극(TDL2)의 검출 전극(TDL1)측의 측면과 돌출부(PJ112)의, X축 방향에서의 최단 거리와 동일하다. 이러한 경우도, 적합하게는, 검출 전극(TDL2)의 검출 전극(TDL1)측의 측면과 돌출부(PJ112)의 X축 방향에서의 최단 거리는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경보다도 크다. 또한, 보다 적합하게는, 검출 전극(TDL2)의 검출 전극(TDL1)측의 측면과 돌출부(PJ112)의 X축 방향에서의 최단 거리는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경의 3배 이상이다.
이와 같이, 인접하는 검출 전극(TDL1 및 TDL2)에 대해서, X축 방향 및 Y축 방향에 한하지 않고, 어느 쪽의 방향에서의 어느 부분끼리의 최단 거리도, 동일한 거리가 비도록 배치되는 것이 바람직하다.
또한, 도 12를 통하여 설명한 것과 마찬가지로, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭(WD2)은, 부분(PR1)의 X축 방향에서의 폭(WD1)보다도 크다. 이에 의해, 견부(SH1)에 의해, 영역(AR1)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR2)에 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
도 17 및 도 18은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 다른 예를 도시하는 단면도이다. 도 17 및 도 18은, 돌출부(PJ1)가 연장되는 방향에서 본 경우의 단면도이다. 또한, 도 17 및 도 18에서는, 보호막(33)의 도시를 생략하고 있다.
도 17 및 도 18에 도시한 바와 같이, 볼록부로서의 돌출부(PJ1)는, 평면에서 볼 때, 예를 들어 X축 방향과 직교하는 Y축 방향의 한쪽의 측(도 17 중 좌측)에 위치하는 측면부(SS1)를 포함하고, 측면부(SS1)의 상단부(HE1)는, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS1)의 하단부(LE1)보다도 한쪽의 측(도 17 중 좌측)에 위치한다. 또한, 돌출부(PJ1)는, 평면에서 볼 때, 예를 들어 X축 방향과 직교하는 Y축 방향의 다른 쪽 측(도 17 중 우측)에 위치하는 측면부(SS2)를 포함하고, 측면부(SS2)의 상단부(HE2)는, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS2)의 하단부(LE2)보다도 다른 쪽 측(도 17 중 우측)에 위치한다.
도 17에 도시하는 예에서는, 돌출부(PJ1)는, 제2 기판(31) 상에 형성된 하층부(LL1)와, 하층부(LL1) 상에 형성된 상층부(HL1)를 갖는다. 하층부(LL1)의 Y축 방향의 한쪽 측(도 17 중 좌측)의 측면부(LS1)는, Y축 방향에 있어서, 상층부(HL1)의 Y축 방향의 한쪽 측(도 17 중 좌측)의 측면부(HS1)보다도 한쪽 측(도 17 중 좌측)과 반대측으로 후퇴하고 있다. 또한, 하층부(LL1)의 Y축 방향의 다른 쪽 측(도 17 중 우측)의 측면부(LS2)는, Y축 방향에 있어서, 상층부(HL1)의 Y축 방향의 다른 쪽 측(도 17 중 우측)의 측면부(HS2)보다도 다른 쪽 측(도 17 중 우측)과 반대측으로 후퇴하고 있다. 이에 의해, 측면부(SS1)의 상단부(HE1)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS1)의 하단부(LE1)보다도 한쪽 측(도 17 중 좌측)에 위치하고, 측면부(SS2)의 상단부(HE2)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS2)의 하단부(LE2)보다도 다른 쪽 측(도 17 중 우측)에 위치하게 된다.
또한, 도 18에 도시하는 예에서는, 돌출부(PJ1)가 연장되는 방향에 수직인 단면 형상은 역사다리꼴 형상이다. 즉, 돌출부(PJ1)가 연장되는 방향에 수직인 단면에 있어서, 돌출부(PJ1)의 폭이, 돌출부(PJ1)의 상면부터 돌출부(PJ1)의 하면을 향하여 감소하도록, 돌출부(PJ1)의 양측면 중 어느 한쪽 또는 양쪽이 경사져 있다.
볼록부로서의 돌출부(PJ1)가 이러한 단면 형상을 가짐으로써, 도 31을 통하여 후술하는 단차부(ST1)의 상측에서 도포액을 멈출 수 있는 효과가 커진다. 그로 인해, 도포액의 단부 위치를, 또한 고정밀도로 조정할 수 있다.
도 17에 도시하는 예에서는, 예를 들어 어떤 에천트에 대한 하층부(LL1)의 에칭 속도가, 그 에천트에 대한 상층부(HL1)의 에칭 속도보다도 커지도록, 하층부(LL1) 및 상층부(HL1)가 적층된 후, 그 에천트를 사용하여 에칭을 행한다. 이에 의해, 측면부(SS1)의 상단부(HE1)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS1)의 하단부(LE1)보다도 한쪽 측(도 17 중 좌측)에 위치하고, 측면부(SS2)의 상단부(HE2)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS2)의 하단부(LE2)보다도 다른 쪽 측(도 17 중 우측)에 위치하도록, 돌출부(PJ1)를 형성할 수 있다(이하의 각 변형예에서도 마찬가지).
또는, 돌출부(PJ1)의 측면 중, 상단부 이외의 부분의 일부에, 잘록한 부분이 있어도 된다(이하의 각 변형예에서도 마찬가지).
<요철 패턴의 제1 변형예>
도 19는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제1 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 19에 도시한 바와 같이, 본 제1 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 돌출부(PJ2)를 포함한다. 돌출부(PJ2)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 X축 방향으로 돌출되어 연장하도록 형성되어 있다. 따라서, 요철 패턴(UE1)은, 부분(PR2)의 측면에 형성되어 있고, 도 12, 도 13 및 도 15에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에 위치하고 있다. 또한, 돌출부(PJ2)는, 제2 기판(31) 상에 형성된 볼록부이기도 하다.
이와 같이, 단차부로서의 돌출부(PJ2)에 의해 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 외주 길이를 길게 할 수 있고, 단차부의 측벽으로서의 돌출부(PJ2)에 의해 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면 면적을 크게 할 수 있다. 즉, 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
적합하게는, 요철 패턴(UE1)은, 복수의 돌출부(PJ2)를 포함한다. 복수의 돌출부(PJ2)는, 영역(AR2)에서, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 X축 방향으로 각각 돌출되어 연장하도록 형성되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 이에 의해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다.
또한, 본 제1 변형예에서는, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향에 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)으로서, 검출 전극(TDL1 및 TDL2)이 설치되어 있다. 도 12, 도 13 및 도 15에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 영역(AR1 및 AR2)에서, 2개의 검출 전극(TDL)을 덮도록, 또한 2개의 검출 전극(TDL)의 사이에 위치하는 부분의 제2 기판(31)을 덮도록 형성되어 있다.
검출 전극(TDL1)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE111)은, 돌출부(PJ2)로서의 돌출부(PJ211)를 복수개 포함하고, 검출 전극(TDL1)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE112)은, 돌출부(PJ2)로서의 돌출부(PJ212)를 복수개 포함한다. 복수의 돌출부(PJ211)는, 검출 전극(TDL1) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)으로서의 부분(PR21)의 검출 전극(TDL2)측과 반대측의 측면으로부터 검출 전극(TDL2)측과 반대측으로 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 복수의 돌출부(PJ212)는, 부분(PR21)의 검출 전극(TDL2)측의 측면으로부터 검출 전극(TDL2)측에 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다.
또한, 검출 전극(TDL2)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE121)은, 돌출부(PJ2)로서의 돌출부(PJ221)를 복수개 포함하고, 검출 전극(TDL2)에 대응하여 설치된 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE122)은, 돌출부(PJ2)로서의 돌출부(PJ222)를 복수개 포함한다. 복수의 돌출부(PJ221)는, 검출 전극(TDL2) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)으로서의 부분(PR22)의 검출 전극(TDL1)측의 측면으로부터 검출 전극(TDL1)측으로 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 복수의 돌출부(PJ222)는, 부분(PR22)의 검출 전극(TDL1)측과 반대측의 측면으로부터 검출 전극(TDL1)측과 반대측으로 각각 돌출되어 X축 방향으로 연장하고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다.
본 제1 변형예에서는, 도 19에 도시한 바와 같이, 돌출부(PJ212)의 검출 전극(TDL2)측의 단부(EG12)는, X축 방향에 있어서, 돌출부(PJ221)의 검출 전극(TDL1)측의 단부(EG21)보다도 검출 전극(TDL2)측에 배치되어 있다. 또한, 복수의 돌출부(PJ212) 각각과, 복수의 돌출부(PJ221) 각각은, Y축 방향을 따라서 교대로 배치되어 있다. 따라서, 복수의 돌출부(PJ212) 및 복수의 돌출부(PJ221)는, Y축 방향에 지그재그 형상으로 배치되어 있다.
이에 의해, 영역(AR2) 중 서로 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)의 사이에 위치하는 부분의 제2 기판(31)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼질 때, 교차하는 단차부의 수가 증가한다. 이에 의해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다.
도 19에 도시한 바와 같이, 돌출부(PJ212)와 돌출부(PJ221)가 설치되는 경우에는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL1 및 TDL2)의 최단 거리는, Y축 방향에서의 돌출부(PJ212)와 돌출부(PJ221)의 최단 거리(DS3)와 동일하다. 이러한 경우, 적합하게는, Y축 방향에서의 돌출부(PJ212)와 돌출부(PJ221)의 최단 거리(DS3)는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경보다도 크다. 이에 의해, 돌출부(PJ212)와 돌출부(PJ221)가, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자에 의해 단락되는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
보다 적합하게는, Y축 방향에서의 돌출부(PJ212)와 돌출부(PJ221)의 최단 거리(DS3)는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경의 3배 이상이다. 또는, 도전 입자의 평균 입경이, 예를 들어 5000nm 미만일 때, 적합하게는, Y축 방향에서의 돌출부(PJ212)와 돌출부(PJ221)의 최단 거리(DS3)는, 예를 들어 15000 내지 50000nm이다. 이에 의해, 돌출부(PJ212)와 돌출부(PJ221)가, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자에 의해 단락되는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있다.
또한, 예를 들어 복수의 돌출부(PJ212)가 설치되지만, 복수의 돌출부(PJ221)가 설치되지 않을 경우에는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL1 및 TDL2)의 최단 거리는, 검출 전극(TDL2)의 검출 전극(TDL1)측의 측면과 돌출부(PJ212)의, X축 방향에서의 최단 거리와 동일해진다. 이러한 경우도, 적합하게는, 검출 전극(TDL2)의 검출 전극(TDL1)측의 측면과 돌출부(PJ212)의 X축 방향에서의 최단 거리는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경보다도 크다. 또한, 보다 적합하게는, 검출 전극(TDL2)의 검출 전극(TDL1)측의 측면과 돌출부(PJ212)의 X축 방향에서의 최단 거리가, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경의 3배 이상이다.
이와 같이, 인접하는 검출 전극(TDL1 및 TDL2)에 대해서, X축 방향 및 Y축 방향에 한하지 않고, 어느 쪽의 방향에서의 어느 부분끼리의 최단 거리도, 동일한 거리가 비도록 배치되는 것이 바람직하다.
본 제1 변형예(1)에서는, 돌출부(PJ212)의 검출 전극(TDL2)측의 단부(EG12)가, X축 방향에 있어서, 돌출부(PJ221)의 검출 전극(TDL1)측의 단부(EG21)보다도 검출 전극(TDL2)측에 배치되어 있다. 그로 인해, 돌출부(PJ112)의 검출 전극(TDL2)측의 단부(EG12)가, X축 방향에 있어서, 돌출부(PJ121)의 검출 전극(TDL1)측의 단부(EG21)보다도 검출 전극(TDL1)측에 배치된 실시 형태 1(도 16 참조)에 비해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제하는 효과가 더욱 커진다.
또한, 본 제1 변형예에서도, 도 12를 통하여 설명한 실시 형태 1과 마찬가지로, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 폭(WD2)은, 부분(PR1)의 X축 방향에서의 폭(WD1)보다도 크다. 이에 의해, 견부(SH1)에 의해, 영역(AR1)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR2)으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있다(폭(WD1 및 WD2)의 도시는 생략하지만, 이하의 각 변형예에서도 마찬가지).
<요철 패턴의 제2 변형예>
도 20은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제2 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 20에 도시한 바와 같이, 본 제2 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 돌출되어 형성된 돌출부(PJ3)를 포함한다. 따라서, 요철 패턴(UE1)은, 부분(PR2)의 측면에 형성되어 있고, 도 12, 도 13 및 도 15에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에 위치하고 있다. 또한, 돌출부(PJ3)는, 제1 기판(21) 상에 형성된 볼록부이기도 하다.
이와 같이, 단차부로서의 돌출부(PJ3)에 의해 부분(PR2)의 외주 길이를 길게 할 수 있고, 단차부로서의 돌출부(PJ3)의 측면 면적에 의해 부분(PR2)의 측면 면적을 크게 할 수 있다. 즉, 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
적합하게는, 요철 패턴(UE1)은, 복수의 돌출부(PJ3)를 포함한다. 복수의 돌출부(PJ3)는, 영역(AR2)에서, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 각각 돌출되어 형성되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 이에 의해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다.
본 제2 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE11)은, 돌출부(PJ3)로서의 돌출부(PJ31)를 복수개 포함하고, 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE12)은, 돌출부(PJ3)로서의 돌출부(PJ32)를 복수개 포함한다. 복수의 돌출부(PJ31) 각각은, 평면에서 볼 때, 교대로 역방향으로 굴곡하면서 전체적으로 X축 방향으로 연장해도 된다. 또는, 복수의 돌출부(PJ31) 각각은, 도중에 1회 굴곡하는 것만이어도 된다. 또한, 복수의 돌출부(PJ32) 각각은, 평면에서 볼 때, X축 방향 및 Y축 방향의 어느 것과도 교차하는 방향으로 연장해도 된다.
<요철 패턴의 제3 변형예>
도 21은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제3 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 21에 도시한 바와 같이, 본 제3 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE11)은, 복수의 오목부(CC1)를 갖는다. 복수의 오목부(CC1)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면에 형성되어 있다. 복수의 오목부(CC1)는, Y축 방향으로 배열되어 있다.
또한, 본 제3 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE12)은, 복수의 볼록부(CV1)를 갖는다. 복수의 볼록부(CV1)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면에 형성되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다.
이와 같이, 단차부로서의 오목부(CC1)에 의해 부분(PR2)의 외주 길이를 길게 할 수 있고, 단차부로서의 오목부(CC1)의 측면 면적에 의해 부분(PR2)의 측면 면적을 크게 할 수 있다. 즉, 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다.
<요철 패턴의 제4 변형예>
도 22는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제4 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 22에 도시한 바와 같이, 본 제4 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 절단부(NC1)를 포함한다. 절단부(NC1)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 절입되어 형성되어 있다. 따라서, 요철 패턴(UE1)은, 부분(PR2)의 측면 및 상면에 형성되어 있고, 도 12, 도 13 및 도 15에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에 위치하고 있다. 또한, 절단부(NC1)는, 검출 전극(TDL)의 상면에 형성된 오목부이기도 하다.
이와 같이, 단차부로서의 절단부(NC1)에 의해 부분(PR2)의 외주 길이를 길게 할 수 있고, 단차부로서의 절단부(NC1)의 측면 면적에 의해 부분(PR2)의 측면 면적을 크게 할 수 있다. 즉, 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
적합하게는, 요철 패턴(UE1)은, 복수의 절단부(NC1)를 포함한다. 복수의 절단부(NC1)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 측면으로부터 절입되어 형성되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있다. 이에 의해, 단차부로서의 부분(PR2)의 외주 길이를 더욱 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다.
또한, 본 제4 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE11)은, 절단부(NC1)로서의 절단부(NC11)를 복수개 포함하고, 요철 패턴(UE1)으로서의 요철 패턴(UE12)은, 절단부(NC1)로서의 절단부(NC12)를 복수개 포함한다. 복수의 절단부(NC11) 각각은, 평면에서 볼 때, X축 방향 및 Y축 방향의 어느 쪽과도 교차하는 방향으로 연장해도 된다. 또한, 복수의 절단부(NC12) 각각은, 평면에서 볼 때, 교대로 역방향으로 굴곡하면서 전체적으로 X축 방향으로 연장해도 된다. 또는, 복수의 절단부(NC12) 각각은, 도중에 1회 굴곡하는 것만이어도 된다.
<요철 패턴의 제5 변형예 및 제6 변형예>
도 23은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제5 변형예를 도시하는 평면도이다. 도 24는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제6 변형예를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 23에서는, 보호막(33)의 단부를 이점 쇄선에 의해 나타내고 있다.
도 23 및 도 24에 도시한 바와 같이, 본 제5 변형예 및 본 제6 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 오목부(CC2)를 포함한다. 오목부(CC2)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 상면에 형성되어 있다. 따라서, 요철 패턴(UE1)은, 부분(PR2)의 상면에 형성되어 있고, 도 23에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상에 위치하고 있다.
이와 같이, 오목부(CC2)에 의해, 요철 패턴(UE1)에 포함되는 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
또한, 오목부(CC2)로서, 부분(PR2)의 두께 방향 도중까지 달하는 오목부가 형성되어도 되고, 부분(PR2)을 관통하여 제2 기판(31)의 표면에 달하는 오목부가 형성되어도 된다.
적합하게는, 요철 패턴(UE1)은, 복수의 오목부(CC2)를 포함한다. 복수의 오목부(CC2)는, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 상면에 각각 형성되어 있다. 또한, 복수의 오목부(CC2)는, X축 방향으로 지그재그 형상으로 배치되어 있다. 바꿔 말하면, 복수의 오목부(CC2)에 의해, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 배열된 오목부군(CCG2)이 형성되고, 이 오목부군(CCG2)이, X축 방향 및 Y축 방향의 어느 쪽과도 교차하는 방향으로 복수개 배열되어 있다. 즉, 복수의 오목부군(CCG2)은, Y축 방향에서 서로 인접하는 2개의 오목부군(CCG2)의 사이에서, X축 방향에서의 오목부(CC2)의 위치가 상이하도록 배열되어 있다.
이에 의해, 부분(PR2)의 상면 중, 어떤 오목부군(CCG2)에 포함되고, X축 방향에서 서로 인접하는 2개의 오목부(CC2)의 사이의 부분을 통과하여 Y축 방향에서의 영역(AR3)측으로 퍼지는 도포액이, 그 오목부군(CCG2)보다도 Y축 방향에서 영역(AR3)측에 위치하는 오목부군(CCG2)에 포함되는 오목부(CC2)에 의해 멈춰진다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다. 또한, 복수의 오목부(CC2)가 X축 방향으로 각각 연속적으로 연장되는 경우에 비해, X축 방향에서 서로 인접하는 2개의 오목부(CC2)의 사이의 부분을 통과하여 전류가 Y축 방향으로 흐르기 쉽다.
또한, 도 23에 도시한 바와 같이, 본 제5 변형예에서는, 복수의 오목부(CC2) 각각은, 평면에서 볼 때, 직사각형 형상을 갖고 있다. 한편, 도 24에 도시한 바와 같이, 본 제6 변형예에서는, 복수의 오목부(CC2) 각각은, 평면에서 볼 때, 원형 형상을 갖고 있다. 단, 도 24에 도시하는 제6 변형예에 비해, 도 23에 도시하는 제5 변형예 쪽이, 요철 패턴(UE1)에 포함되는 단차부 중, X축 방향으로 연장하는 부분의 길이가 길어진다. 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로, 즉 Y축 방향으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제하는 관점에서는, 요철 패턴(UE1)에 포함되는 단차부 중, X축 방향으로 연장하는 부분의 길이가 긴 편이 바람직하다. 따라서, 도 24에 도시하는 제6 변형예에 비해, 도 23에 도시하는 제5 변형예에 있어서, 영역(AR2)에 도포된 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제하는 효과가 보다 커진다.
또한, 복수의 오목부(CC2) 각각 평면에서 볼 때의 형상은, 원형 형상 외에, 예를 들어 타원 형상 또는 다각형 형상 등 각종 형상이어도 된다.
또한, 도 23의 일부에 오목부(CC21)로서 도시한 바와 같이, 복수의 오목부(CC2)는, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 각각 연속적으로 연장되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있는 것만이어도 된다. 단, 복수의 오목부(CC2)가 X축 방향으로 지그재그 형상으로 배치되어 있는 쪽이, Y축 방향을 따라서 전류가 흐르기 쉽다는 관점에서, 전극 기판의 성능을 향상시키는 효과가 크다.
<요철 패턴의 제7 변형예>
도 25는, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제7 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 25에 도시한 바와 같이, 본 제7 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 오목부(CC3) 및 오목부(CC4)를 포함한다. 오목부(CC3) 및 오목부(CC4)는, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 상면에 형성되어 있다. 따라서, 요철 패턴(UE1)은, 부분(PR2)의 상면에 형성되어 있고, 도 23에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상에 위치하고 있다.
또한, 오목부(CC3) 및 오목부(CC4) 각각으로서, 부분(PR2)의 두께 방향의 도중까지 달하는 오목부가 형성되어도 되고, 부분(PR2)을 관통하여 제2 기판(31)의 표면에 달하는 오목부가 형성되어도 된다.
오목부(CC3)는, 연장부(CC31)와, 복수의 연장부(CC32)를 포함한다. 연장부(CC31)는, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 한쪽 측(도 25 중 좌측)의 상면에 형성되고, 또한 Y축 방향으로 연장하는 오목부이다. 복수의 연장부(CC32)는, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향으로 배열된 오목부이다. 복수의 연장부(CC32)는, 연장부(CC31)의 X축 방향에서의 다른 쪽 측(도 25 중 우측)에 배치되어 있고, 복수의 연장부(CC32)의 각각 X축 방향에서의 한쪽 측(도 25 중 좌측)의 단부는, 연장부(CC31)와 접속되어 있다.
오목부(CC4)는, 연장부(CC41)와, 복수의 연장부(CC42)를 포함한다. 연장부(CC41)는, 부분(PR2)의 X축 방향에서의 다른 쪽 측(도 25 중 우측)의 상면에 형성되고, 또한 Y축 방향으로 연장하는 오목부이다. 복수의 연장부(CC42)는, X축 방향으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향에 배열된 오목부이다. 복수의 연장부(CC42)는, 연장부(CC41)의 X축 방향에서의 한쪽 측(도 25 중 좌측)에 배치되어 있고, 복수의 연장부(CC42)의 각각 X축 방향에서의 다른 쪽 측(도 25 중 우측)의 단부는, 연장부(CC41)와 접속되어 있다.
연장부(CC32)와 연장부(CC42)는, Y축 방향을 따라서 교대로 배치되어 있다. 또한, 연장부(CC32)의 X축 방향에서의 다른 쪽 측(도 25 중 우측)의 단부(EG3)는, 연장부(CC42)의 X축 방향에서의 한쪽 측(도 25 중 좌측)의 단부(EG4)보다도 X축 방향에서의 다른 쪽 측(도 25 중 우측)에 배치되어 있다.
복수의 연장부(CC32) 및 복수의 연장부(CC42)에 의해, 요철 패턴(UE1)에 포함되는 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
한편, 연장부(CC31 및 CC41)에 의해, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분의 제2 기판(31) 상에 도포된 도포액이, 검출 전극(TDL) 중 부분(PR2) 상에 올라앉는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
또한, 도 25에 도시한 바와 같이, 연장부(CC31 및 CC41)가, 영역(AR2)부터 영역(AR3)에 걸쳐서 형성되어 있어도 된다. 즉, 연장부(CC31 및 CC41)가, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 상면부터, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분(PR3)의 상면에 걸쳐서 형성되어 있어도 된다.
<요철 패턴의 제8 변형예>
도 26은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제8 변형예를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 26에서는, 보호막(33)의 단부를 이점 쇄선에 의해 나타내고 있다.
도 26에 도시하는 예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 볼록부(CV2)를 포함한다. 볼록부(CV2)는, 영역(AR2) 중, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서, 제2 기판(31) 상에 검출 전극(TDL)과 이격되어 형성되어 있다. 바꿔 말하면, 볼록부(CV2)는, 영역(AR2) 중 서로 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)의 사이에 위치하는 부분에서, 제2 기판(31) 상에, 이들 2개의 검출 전극(TDL)의 어느 것으로부터도 이격되어 형성되어 있다. 따라서, 요철 패턴(UE1)은, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서 제2 기판(31) 상에 형성되어 있고, 도 26에 도시한 바와 같이, 보호막(33)은, 요철 패턴(UE1) 상 및 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2) 상에서 종단되어 있다. 바꿔 말하면, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상 및 부분(PR2) 상에 위치하고 있다.
이와 같이, 볼록부(CV2)에 의해, 요철 패턴(UE1)에 포함되는 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
적합하게는, 요철 패턴(UE1)은, 복수의 볼록부(CV2)를 포함한다. 복수의 볼록부(CV2)는, 영역(AR2) 중, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서, 제2 기판(31) 상에 검출 전극(TDL)과 이격되어 각각 형성되어 있다. 또한, 복수의 볼록부(CV2)는, X축 방향으로 지그재그 형상으로 배치되어 있다. 바꿔 말하면, 복수의 볼록부(CV2)에 의해, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 배열된 볼록부군(CVG2)이 형성되고, 이 볼록부군(CVG2)이, X축 방향 및 Y축 방향의 어느 쪽과도 교차하는 방향에 복수개 배열되어 있다. 즉, 복수의 볼록부군(CVG2)은, Y축 방향에서 서로 인접하는 2개의 볼록부군(CVG2)의 사이에서, X축 방향에서의 볼록부(CV2)의 위치가 상이하도록 배열되어 있다.
이에 의해, 제2 기판(31)의 상면 중, 어떤 볼록부군(CVG2)에 포함되고, X축 방향에서 서로 인접하는 2개의 볼록부(CV2)의 사이의 부분을 통과하여 Y축 방향에서의 영역(AR3)측으로 퍼지는 도포액이, 그 볼록부군(CVG2)보다도 Y축 방향에서 영역(AR3)측에 위치하는 볼록부군(CVG2)에 포함되는 볼록부(CV2)에 의해 멈춰진다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 용이하게 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다. 또한, 복수의 볼록부(CV2)가 X축 방향으로 각각 연속적으로 연장되는 경우에 비해, 서로 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)이, 볼록부(CV2)를 거쳐서 단락되기 어렵다.
적합하게는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)이 단락되지 않도록, 볼록부(CV2)가, 볼록부(CV2)를 통하여 전류가 흐르지 않는, 도전성이 낮은 물질에 의해 형성된다. 또는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)이 단락되지 않도록, 적합하게는, 볼록부(CV2)끼리의 사이의 최단 거리, 또는, 검출 전극(TDL)과 볼록부(CV2)의 사이의 최단 거리는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경의 3배 이상으로 한다.
또한, 도 26의 일부에 볼록부(CV21)로서 도시한 바와 같이, 복수의 볼록부(CV2)는, 평면에서 볼 때, X축 방향으로 각각 연속적으로 연장되고, 또한 Y축 방향으로 배열되어 있는 것만이어도 된다. 단, 복수의 볼록부(CV2)가 X축 방향으로 지그재그 형상으로 배치되어 있는 쪽이, 서로 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)이 단락되기 어렵다는 관점에서, 전극 기판의 성능을 향상시키는 효과가 크다.
또한, 상기한 실시 형태 1 및 제1 변형예 내지 제8 변형예의 각종 요철 패턴 중, 복수종을 조합하여 사용할 수도 있다. 이에 의해, 조합된 각종 요철 패턴에 의한 효과가 중첩되어, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 더욱 용이하게 방지 또는 억제할 수 있다.
<요철 패턴의 제9 변형예>
도 27은, 실시 형태 1의 전극 기판에서의 요철 패턴의 제9 변형예를 도시하는 평면도이다.
도 27에 도시한 바와 같이, 본 제9 변형예에서도, 도 26에 도시하는 제8 변형예와 마찬가지로, 요철 패턴(UE1)은, 복수의 볼록부(CV3)를 포함한다. 복수의 볼록부(CV3)는, 영역(AR2) 중, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하는 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서, 제2 기판(31) 상에 검출 전극(TDL)과 이격되어 형성되어 있다.
한편, 도 27에 도시하는 제9 변형예에서는, 도 26에 도시하는 제8 변형예와 달리, 복수의 볼록부(CV3)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 각각 연장되고, 또한 X축 방향으로 배열되어 있다.
보호막 형성용의 도포액으로서, 극히 유동성이 작은 것도 있다. 이러한 경우, 영역(AR1 및 AR2)에서 검출 전극(TDL)을 덮도록 제2 기판(31) 상에 도포된 도포액이, Y축 방향에서의 원하는 위치까지 퍼지지 않고, 보호막(33)의 단부가, 영역(AR2)에서 Y축 방향에서의 원하는 위치보다도 영역(AR1)측에 위치할 우려가 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 있어서, 검출 전극(TDL) 중 필요 이상의 부분이 보호막(33)으로부터 노출될 우려가 있다.
한편, 도 27에 도시하는 제9 변형예에서는, Y축 방향으로 각각 연장되고, 또한 X축 방향으로 배열된 복수의 볼록부(CV3)를 포함하는 요철 패턴(UE1)이, 영역(AR2)에 있어서, X축 방향에 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)의 사이에 형성되어 있다. 이에 의해, 요철 패턴(UE1)이 형성되지 않는 경우에 비해, Y축 방향에서의 도포액의 유동성을 증가시킬 수 있다. 그로 인해, 영역(AR1 및 AR2)에서 검출 전극(TDL)을 덮도록 제2 기판(31) 상에 도포된 도포액이, Y축 방향에서의 원하는 위치까지 퍼지기 쉬워지므로, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
적합하게는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)이 단락되지 않도록, 볼록부(CV3)가, 볼록부(CV3)를 통하여 전류가 흐르지 않는, 도전성이 낮은 물질에 의해 형성된다. 또는, 인접하는 2개의 검출 전극(TDL)이 단락되지 않도록, 적합하게는, 볼록부(CV3)끼리의 사이의 최단 거리, 또는, 검출 전극(TDL)과 볼록부(CV3)의 사이의 최단 거리는, 이방성 도전 필름(CF1)(도 12 및 도 13 참조)에 함유되는 도전 입자의 평균 입경의 3배 이상으로 한다.
또한, 도 27의 일부에 볼록부(CV31)로서 도시한 바와 같이, 복수의 볼록부(CV3)는, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연속적으로 형성되어 있지 않아도 되고, Y축 방향을 따라서 예를 들어 2개로 분할되어 있어도 된다.
또한, 도 16, 도 19, 도 20, 도 22, 도 23 및 도 25 내지 도 27에서는, 요철 패턴(UE1)이, 평면에서 볼 때, 직사각형 형상을 갖는 경우를 예시하여 설명하였다. 그러나, 도 16, 도 19, 도 20, 도 22, 도 23 및 도 25 내지 도 27을 통하여 설명한, 실시 형태 1 및 실시 형태 1의 각 변형예에서는, 요철 패턴(UE1)은, 일부 또는 전부의 변이 만곡되어 있어도 된다.
<전극 기판의 제조 방법>
이어서, 도 28 내지 도 32를 참조하여, 전극 기판의 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 28, 도 29, 도 31 및 도 32는, 실시 형태 1의 전극 기판의 제조 공정중의 단면도이다. 도 30은, 실시 형태 1의 전극 기판의 제조 공정중의 사시도이다. 도 31 및 도 32에서는, 요철 패턴에 포함되는 단차부의 주변을 확대하여 도시하고 있다.
먼저, 도 28의 (a)에 도시한 바와 같이, 제2 기판(31)을 준비한다. 제2 기판(31)은, 제2 기판(31)의 주면으로서의 상면의 영역으로서, 영역(AR1, AR2 및 AR3)을 갖는다. 영역(AR1, AR2 및 AR3)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 순서대로 배치되어 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 제2 기판(31)으로서, 예를 들어 투명성이 있는 유리 기판, 또는, 예를 들어 수지를 포함하는 필름 등, 각종 기판을 사용할 수 있다.
이어서, 도 28의 (b) 내지 도 29의 (g)에 도시한 바와 같이, 검출 전극(TDL)을 형성한다. 이 검출 전극(TDL)을 형성하는 공정에서는, 먼저, 도 28의 (b)에 도시한 바와 같이, 제2 기판(31) 상에 도전막(CF2)을 성막한다. 이 도전막(CF2)을 성막하는 공정에서는, 예를 들어 금속막을 포함하는 도전막을, 예를 들어 스퍼터링법 또는 화학 기상 성장(Chemical Vapor Deposition; CVD)법에 의해 성막할 수 있다. 적합하게는, 도전막(CF2)으로서, 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr) 및 텅스텐(W)으로 이루어지는 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 금속층 또는 합금층을 포함하는 도전막이며, 단층 또는 복수층의 막을 포함하는 도전막을 성막할 수 있다.
또한, 도전막을 성막하는 공정을 행한 후, 후술하는 패턴 처리를 행하기 전에, 잉크젯법 또는 전계 제트법에 의해 도포되는 도포액의 습윤성을 균일하게 하기 위해서, 도전막이 성막된 기판에 대하여 표면 처리를 행할 수도 있다. 이러한 표면 처리로서, UV광에 의한 표면 처리, 대기압(Atmospheric Pressure; AP) 플라즈마에 의한 표면 처리, 또는, 헥사메틸디실록산(Hexamethyldisiloxane; HMDS)에 의한 표면 처리 등을 행할 수 있다.
이어서, 도전막(CF2)을 패터닝한다. 이 도전막(CF2)을 패터닝하는 공정에서는, 예를 들어 포토리소그래피 기술 및 에칭 기술을 사용하여 도전막(CF2)을 패터닝할 수 있다. 또한, 이하에서는, 도 24에 도시한 실시 형태 1의 제6 변형예의 오목부(CC2)를 포함하는 요철 패턴(UE1)을 형성하는 경우이며, 또한 검출 전극(TDL)을 형성하는 공정과 동일한 공정에 의해, 오목부(CC2)를 포함하는 요철 패턴(UE1)을 형성하는 경우를 예시하여 설명한다. 또한, 이하에서는, 오목부(CC2)가, 도전막(CF2)을 관통하여 제2 기판(31)의 표면에 달하는 경우를 예시하여 설명한다.
구체적으로는, 먼저, 도 28의 (c)에 도시한 바와 같이, 도전막(CF2) 상에 레지스트막(RF1)을 도포한다. 이어서, 도 28의 (d)에 도시한 바와 같이, 예를 들어 검출 전극(TDL)이 형성되는 영역이며, 오목부(CC2)가 형성되는 영역 이외의 영역에 차광 패턴(SP1)이 형성된 포토마스크를 사용하여, 레지스트막(RF1)을 노광광(EL1)에 의해 패턴 노광한다. 또한, 도 28의 (d)에서는, 포토마스크 중, 차광 패턴(SP1)만을 도시하고 있다.
이어서, 도 29의 (e)에 도시한 바와 같이, 패턴 노광된 레지스트막(RF1)을 현상함으로써 검출 전극(TDL)이 형성되는 영역이며, 오목부(CC2)가 형성되는 영역 이외의 영역에 남겨진 레지스트막(RF1)을 포함하는 레지스트 패턴(RP1)을 형성한다. 이어서, 도 29의 (f)에 도시한 바와 같이, 레지스트 패턴(RP1)을 에칭 마스크로서 사용하여 도전막(CF2)을 에칭하고, 그 후, 도 29의 (g)에 도시한 바와 같이, 예를 들어 애싱을 행함으로써, 레지스트 패턴(RP1)을 제거한다. 이에 의해, 도전막(CF2)을 포함하는 검출 전극(TDL)과, 검출 전극(TDL)의 상면에 형성된 오목부(CC2)를 형성한다.
검출 전극(TDL)은, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR1)부터, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR2)을 거쳐, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR3)에 걸쳐서, 제2 기판(31) 상에 연속적으로 형성된다. 적합하게는, 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장한다.
검출 전극(TDL) 중 영역(AR1)에 형성된 부분을 부분PR1이라 한다. 부분(PR1)은, 검출 전극(TDL)의 본체부(MP1)(도 12 참조)이다. 또한, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분을 부분PR2라 한다. 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 상면에는, 오목부(CC2)가 형성된다. 또한, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분을 부분PR3이라 한다. 부분(PR3)은, 배선 기판(WS1)(도 12 참조)과 전기적으로 접속되는 전극 단자(ET1)이다. 또한, 도 29의 (g)에 도시하는 예에서는, 부분(PR2)도, 전극 단자(ET1)의 일부에 포함되어 있다.
또한, 도 28의 (b) 내지 도 29의 (g)에 도시하는 예에서는, 검출 전극(TDL)을 형성하는 공정과 동일한 공정에 의해, 도 24에 도시한 오목부(CC2)를 포함하는 요철 패턴(UE1)을 형성한다. 또는, 도 24에 도시한 요철 패턴 대신에, 도 16, 도 19 내지 도 23 및 도 25 내지 도 27 중 어느 하나에 도시한 요철 패턴(UE1)을 형성할 수도 있다. 이 요철 패턴(UE1)을 형성하는 공정에서는, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 표면에, 요철 패턴(UE1)을 형성하거나, 또는, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서, 제2 기판(31) 상에, 요철 패턴(UE1)을 형성한다. 바꿔 말하면, 영역(AR2)에서, 검출 전극(TDL) 또는 제2 기판(31)에, 요철 패턴(UE1)을 형성한다.
이 때, 요철 패턴(UE1)으로서, 검출 전극(TDL)에 포함되는 도전막(CF2)과 동일층에 형성된 도전막을 포함하는 요철 패턴(UE1)을 형성하게 된다. 또한, 검출 전극(TDL)을 형성하는 공정과 동일한 공정에서, 요철 패턴(UE1)을 형성함으로써, 제조 공정수를 삭감할 수 있다. 또한, 검출 전극(TDL)을 형성하는 공정과 동일한 공정이 아니어도, 검출 전극(TDL)을 형성하는 공정과 동일한 공정을 행하여 도전막(CF2)을 패터닝함으로써, 도 16 및 도 19 내지 도 27 중 어느 하나에 도시한 요철 패턴(UE1)을 형성할 수도 있다.
또한, 도 28의 (b) 내지 도 29의 (g)에 도시하는 예에서는, 요철 패턴(UE1)으로서, 검출 전극(TDL)에 포함되는 도전막과 동일층에 형성된 도전막을 포함하는 요철 패턴(UE1)을 형성하는 예를 도시하였지만, 검출 전극(TDL)에 포함되는 도전막과 상이한 종류의 막을 포함하는 요철 패턴(UE1)을 형성할 수도 있다.
이어서, 도 29의 (h)에 도시한 바와 같이, 보호막(33)을 형성한다. 이 보호막(33)을 형성하는 공정에서는, 먼저, 보호막 형성용의 도포액을 도포한다. 이 도포액을 도포하는 공정에서는, 도포법에 의해 도포액을 도포한다. 적합하게는, 용제를 포함하는 도포액을 부분적으로 도포하는 인쇄 방법에 의해 도포액을 도포한다. 바꿔 말하면, 용액을 부분적으로 도포하는 인쇄 방식에 의해, 보호막(33)을 형성한다. 즉, 보호막(33)을 형성하는 방법으로서, 용제를 포함하여 부분적으로 성막하는 인쇄 방법 전반을 적용할 수 있다. 이러한 인쇄 방법으로서, 잉크젯법, 전계 제트법, 스크린 인쇄, 플렉소 인쇄, 오프셋 인쇄 또는 요판 인쇄 등의 각종 인쇄 방법을 이용할 수 있다. 또한, 이하에서는, 보호막 형성용의 도포액을, 잉크젯법 또는 전계 제트법에 의해 도포하는 경우를 예시하여 설명한다.
보호막(33)으로서, 예를 들어 아크릴 수지, 에폭시 수지 또는 폴리이미드 수지 등을 포함하는, UV 경화성 수지 또는 열경화성 수지를 포함하는 수지막을 형성할 수 있다. 따라서, 보호막 형성용의 도포액으로서, 상기한 UV 경화성 수지 또는 열경화성 수지를 함유한 도포액을 사용할 수 있다.
잉크젯법 또는 전계 제트법에 의해 도포액을 도포할 경우, 도 30에 도시한 바와 같이, 제2 기판(31)에 대하여 상대 이동 가능하게 설치된 노즐 헤드(51)를 제2 기판(31)에 대하여 상대 이동시키면서, 노즐 헤드(51)에 설치된 노즐로부터 도포액(52)을 토출한다. 이에 의해, 영역(AR1 및 AR2)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 도포액(52)을 도포한다.
또한, 도 30에 도시한 바와 같이, 소정의 방향으로 배열된 복수의 노즐을 갖는 노즐 헤드(51)를 사용하여, 동시에 복수의 노즐로부터 도포액(52)을 토출함으로써, 도포액(52)을 도포하는 공정에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
즉, 검출 전극(TDL)을 덮도록, 제2 기판(31) 상에 도포액(52)을 잉크젯법 또는 전계 제트법을 이용하여 도포해서 도포막(53)을 형성한 후, 형성된 도포막(53)을 경화시킴으로써, 제조 공정수를 증가시키지 않고, 원하는 패턴을 갖는 보호막을 형성할 수 있다.
또한, 잉크젯법 또는 전계 제트법 등의 인쇄 방법을 이용하여 도포액을 도포할 경우, 도포액이 도포되어 형성되는 도포막을 포함하는 패턴을 예를 들어 포토리소그래피 및 에칭을 사용하여 형성하기 위해서 포토마스크를 준비할 필요가 없고, 원하는 패턴을 그때마다 형성할 수 있다. 또한, 잉크젯법 또는 전계 제트법 등의 인쇄 방법을 이용하여 도포액을 도포할 경우, 도포액을 효율적으로 이용할 수 있으므로, 제조 비용을 저감시킬 수 있다. 또한, 잉크젯법 또는 전계 제트법 등의 인쇄 방법을 이용할 경우, 대기압 하에서의 성막이 가능하고, 진공 챔버를 구비한 성막 장치를 사용할 필요가 없으므로, 성막 장치를 소형화할 수 있다.
본 실시 형태 1에서는, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 표면에 요철 패턴(UE1)이 형성되거나, 또는, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서, 제2 기판(31) 상에 요철 패턴(UE1)이 형성된다. 바꿔 말하면, 영역(AR2)에서, 검출 전극(TDL) 또는 제2 기판(31)에, 요철 패턴(UE1)이 형성된다. 이에 의해, 영역(AR2)에 형성되는 단차부의 길이를 길게 할 수 있다. 그로 인해, 영역(AR2)에 도포된 보호막 형성용의 도포액이 영역(AR3)측으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 영역(AR2)에 도포된 도포액의 단부 위치를 용이하게 고정밀도로 조정할 수 있다.
도 31에 도시한 바와 같이, 요철 패턴(UE1)에 포함되고, 예를 들어 돌출부(PJ1) 등을 포함하는 고위부(HP1)와 저위부(LP1)에 의해 형성되는 단차부(ST1)가, 도포액(52)이 퍼지는 방향(DR1)과 교차하는 방향(DR2)으로 연장되는 경우를 생각한다. 이러한 경우, 고위부(HP1)를 방향(DR1)으로 퍼져 온 도포액(52)은, 예를 들어 고위부(HP1)의 주연, 즉 단차부(ST1)의 상측에서 멈춰지고, 저위부(LP1)에까지 퍼지지 않는다. 따라서, 도포액(52)이 단차부(ST1)를 넘어서 더욱 방향(DR1)으로 퍼지는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
즉, 도포액(52)을 도포하는 공정에서는, 도포된 도포액(52)이, 요철 패턴(UE1) 상에서 종단되도록 도포액(52)을 도포한다. 바꿔 말하면, 도포액(52)을 도포하는 공정에서는, 도포된 도포액(52)의 영역(AR3)측의 단부가, 요철 패턴(UE1) 상에 위치하도록 도포액(52)을 도포한다.
여기서, 요철 패턴(UE1)에 포함되는 볼록부로서의 돌출부(PJ1)의 단면 형상이, 도 17 및 도 18을 통하여 상술한 바와 같은 단면 형상인 경우를 생각한다. 즉, 측면부(SS1)의 상단부(HE1)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS1)의 하단부(LE1)보다도 한쪽 측에 위치하고, 측면부(SS2)의 상단부(HE2)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS2)의 하단부(LE2)보다도 다른 쪽 측에 위치하는 단면 형상인 경우를 생각한다. 도 32에서는, 예를 들어 돌출부(PJ1)가 연장되는 방향(DR2)에 수직인 단면 형상이 역사다리꼴 형상인 경우를 도시하고 있다. 이러한 경우, 고위부(HP1)를 방향(DR1)으로 퍼져 온 도포액(52)이, 단차부(ST1)의 상측에서 멈춰지는 효과가 커진다. 그로 인해, 도포액(52)의 단부 위치를, 더욱 고정밀도로 조정할 수 있다.
또한, 이러한 단면 형상을 갖는 돌출부(PJ1)를 형성하는 경우, 도 28의 (b)을 통하여 설명한 도전막(CF2)을 성막하는 공정에 있어서, 하층부(LL1)(도 17 참조)와 상층부(HL1)(도 17 참조)를 갖는 도전막(CF2)을 성막한다. 이 때, 도 17을 통하여 설명한 바와 같이, 예를 들어 어떤 에천트에 대한 하층부(LL1)의 에칭 속도가, 그 에천트에 대한 상층부(HL1)의 에칭 속도보다도 커지도록 하층부(LL1) 및 상층부(HL1)를 적층한다. 그 후, 도 29의 (f)를 통하여 설명한 도전막(CF2)을 에칭하는 공정에 있어서, 그 에천트를 사용하여 에칭을 행한다. 이에 의해, 측면부(SS1)의 상단부(HE1)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS1)의 하단부(LE1)보다도 한쪽 측(도 17 중 좌측)에 위치하고, 측면부(SS2)의 상단부(HE2)가, Y축 방향에 있어서, 측면부(SS2)의 하단부(LE2)보다도 다른 쪽 측(도 17 중 우측)에 위치하도록, 돌출부(PJ1)를 형성할 수 있다.
이어서, 도포된 도포액(52)을 포함하는 도포막(53)을 경화시킴으로써 보호막(33)을 형성한다. 도포액(52)으로서 UV 경화성 수지를 함유한 도포액을 사용한 경우, 형성된 도포막(53)에 UV를 포함하는 광, 즉 UV광을 조사함으로써, 도포막(53)을 경화시킨다. 또는, 도포액(52)으로서 열경화성 수지를 함유한 도포액을 사용한 경우, 형성된 도포막(53)을 열처리함으로써, 도포막(53)을 경화시킨다. 이에 의해, 도 29의 (h)에 도시한 바와 같이, 경화된 도포막(53)을 포함하는 보호막(33)이 형성된다.
여기서, 상술한 바와 같이, 도포된 도포액(52)이, 요철 패턴(UE1) 상에서 종단되어 있는 경우, 즉, 형성된 도포막(53)이 요철 패턴(UE1) 상에서 종단되어 있는 경우에는, 경화된 도포막(53)을 포함하는 보호막(33)도 요철 패턴(UE1) 상에서 종단하게 된다. 바꿔 말하면, 도포막(53)의 영역(AR3)측의 단부가 요철 패턴(UE1) 상에 위치하고 있는 경우에는, 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)도 요철 패턴(UE1) 상에 위치하게 된다.
이어서, 배선 기판(WS1)(도 13 참조)을 전기적으로 접속한다. 이 배선 기판(WS1)을 전기적으로 접속하는 공정에서는, 제2 기판(31) 상에, 이방성 도전 필름(ACF)(CF1)(도 13 참조)을 개재하여 배선 기판(WS1)을 배치한다. 배선 기판(WS1)의 주면으로서의 하면에는, 복수의 전극 단자(ET2)(도 13 참조)가 형성되어 있다. 복수의 전극 단자(ET2)(도 13 참조) 각각은, 복수의 검출 전극(TDL) 각각의 전극 단자(ET1)에 각각 대응하여 배치되어 있다. 상술한 바와 같이, 배선 기판(WS1)으로서, 예를 들어 연성 인쇄 회로 기판(FPC)이라고도 칭해지는 플렉시블 프린트 배선판을 사용할 수 있다.
이방성 도전 필름(CF1)은, 영역(AR2 및 AR3)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 배치된다. 또한, 배선 기판(WS1)은, 복수의 전극 단자(ET2) 각각이, 복수의 전극 단자(ET1) 각각과 이방성 도전 필름(CF1)을 개재하여 대향하도록, 이방성 도전 필름(CF1)을 개재하여 제2 기판(31) 상에 배치된다.
이방성 도전 필름(CF1)은, 열경화성 수지에 도전성을 갖는 미세한 금속 입자를 혼합한 것을, 막 형상으로 성형한 필름이다. 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1)와 배선 기판(WS1)의 전극 단자(ET2)의 사이에 이방성 도전 필름(CF1)을 끼운 상태에서, 예를 들어 열처리하면서 배선 기판(WS1)을 제2 기판(31)에 가압한다. 이에 의해, 이방성 도전 필름(CF1) 내의 금속 입자가 이방성 도전 필름(CF1)의 두께 방향으로 접촉하여, 이방성 도전 필름(CF1)의 두께 방향에 도전 경로가 형성된다. 그리고, 서로 대향한 전극 단자(ET1)와 전극 단자(ET2)는, 이방성 도전 필름(CF1)을 개재하여 전기적으로 접속된다.
<보호막의 단부 위치 조정에 대해서>
이어서, 보호막의 단부 위치 조정에 대해서, 비교예에서의 보호막의 단부 위치 조정과 대비하면서 설명한다.
도 33은, 비교예의 전극 기판을 도시하는 평면도이다. 도 34는, 비교예의 전극 기판을 도시하는 사시도이다. 도 35는, 유리 기판 상에서의 도포액의 형상을 모식적으로 도시하는 단면도이다. 도 36은, 유리 기판 상에 형성된 검출 전극의 주변에서의 도포액의 형상을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
비교예에서는, 대향 기판(103)으로서의 전극 기판(ES)(100)은, 제2 기판(31)과, 검출 전극(TDL)과, 보호막(33)을 갖는다. 또한, 제2 기판(31)은, 제2 기판(31)의 주면으로서의 상면의 영역으로서, 영역(AR1, AR2 및 AR3)을 갖는다. 영역(AR1, AR2 및 AR3)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 순서대로 배치되어 있다.
비교예에서도, 검출 전극(TDL)은, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR1)부터, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR2)을 거쳐, 제2 기판(31)의 상면 영역(AR3)에 걸쳐서, 제2 기판(31) 상에 연속적으로 형성되어 있다. 또는, 검출 전극(TDL)은, 평면에서 볼 때, Y축 방향으로 연장하고 있다.
비교예에서도, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR1)에 형성된 부분을 부분PR1이라 한다. 부분(PR1)은, 검출 전극(TDL)의 본체부(MP1)이다. 또한, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분을 부분PR2라 한다. 또한, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분을 부분PR3이라 한다. 부분(PR3) 및 부분(PR2)은, 배선 기판(WS1)에 형성된 전극 단자(ET2)와 전기적으로 접속되는 전극 단자(ET1)이다.
보호막(33)은, 영역(AR1 및 AR2)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 형성되어 있다. 또한, 비교예에서도, 잉크젯법 또는 전계 제트법에 의해 도포액을 도포함으로써, 제2 기판(31) 상에 보호막(33)을 형성한다.
한편, 비교예에서는, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 표면에는, 요철 패턴은 형성되어 있지 않다. 또한, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서, 제2 기판(31) 상에도, 요철 패턴은 형성되어 있지 않다.
그런데, 제2 기판(31) 상에 잉크젯법 또는 전계 제트법에 의해 도포액을 도포한 경우, 제2 기판(31) 상에서 퍼지는 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정하는 것은 곤란하다.
예를 들어, 제2 기판(31)의 표면에 잉크젯법 또는 전계 제트법에 의해 도포액을 도포하는 경우이며, 제2 기판(31)의 표면이 도포액에 대하여 어느 정도의 친액성을 가질 때는, 제2 기판(31)의 표면에 도포된 도포액은 퍼지므로, 도포액의 단부 위치를 고정밀도로 조정하는 것은 곤란하다. 이러한 제2 기판(31) 상에 도포된 도포액이 쉽게 퍼지는 것은, 도포액에 작용하는 표면 장력에 의존하여 변화한다.
예를 들어 액상과 기상의 사이, 또는, 액상과 고상의 사이 등의 계면에서 작용하는 힘으로서 계면 장력이 존재한다. 예를 들어, 평탄한 기판의 표면에 적하한 물방울이 반구 상태가 되어 머무는 것은, 물방울 내의 물분자끼리가 반데르발스 힘에 의해 내측으로 인장됨으로써, 물방울의 표면적을 작게 하도록 계면 장력이 작용하기 때문이다. 또한, 계면으로서의 표면의 면적을 작게 하도록 작용하는 계면 장력이 액체에 작용하고 있는 경우에는, 이 계면 장력을, 그 액체의 표면 장력이라고도 칭한다.
이러한 액체의 표면 장력은, 액체의 반데르발스 힘이 클수록 커지므로, 그 액체에 포함되는 물질의 원자량이나 분자량이 클수록 커진다. 따라서, 제2 기판(31) 상에 도포된 도포액의 표면 장력은, 도포액의 종류에 의존하여 변화한다.
한편, 제2 기판(31) 상에 도포된 도포액이 쉽게 퍼지는 것은, 도포액의 종류 이외에도, 제2 기판(31)의 표면 형상에도 의존하여 변화한다.
예를 들어 검출 전극(TDL)으로부터 이격된 부분의 제2 기판(31) 상에 도포된 도포액(52)에는, 도 35의 단면도에 도시한 바와 같이, 도포액(52)의 주위로부터 균일하게 표면 장력이 가해지므로, 도포액(52)은 상대적으로 퍼지기 어려워진다. 한편, 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분의 제2 기판(31) 상에 도포되고, 검출 전극(TDL)의 측면에 접하는 도포액(52)에는, 도 36의 단면도에 도시한 바와 같이, 도포액(52)의 편측으로부터 표면 장력이 가해지는 것뿐이므로, 도포액(52)은 검출 전극(TDL)의 측면을 따라서 퍼지기 쉬워진다.
이와 같이, 검출 전극(TDL)의 측면을 따라서 도포액(52)이 퍼지기 쉬워지면, 검출 전극(TDL)의 상면 중 측면에 가까운 부분 상에서도 도포액(52)이 퍼지기 쉬워진다.
그로 인해, 도포된 도포액(52)을 포함하는 도포막이 경화되어 형성된 보호막(33)은, 부분(PR2) 상에서 종단되지 않고, 부분(PR1) 상부터, 부분(PR2) 상을 거쳐, 부분(PR3) 상에 걸쳐서 형성된다.
즉, 비교예에서는, 영역(AR2)에 도포된 도포액(52)의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 없다. 그로 인해, 도포된 도포액(52)을 포함하는 도포막을 경화시킴으로써 형성되는 보호막(33)의 단부(EP1)의 위치를 고정밀도로 조정하는 것은 곤란하다. 따라서, 형성된 보호막(33)의 단부(EP1)가, 원하는 위치를 초과하거나, 또는, 원하는 위치에 달하지 않을 우려가 있다. 즉, 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1) 중 보호막(33)으로부터 노출된 부분의 면적이, 복수의 검출 전극(TDL)의 사이에서 변동될 우려가 있다.
비교예에서도, 실시 형태 1과 마찬가지로, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분(PR3)은, 배선 기판(WS1)에 형성된 전극 단자(ET2)와, 이방성 도전 필름(CF1)을 개재하여 전기적으로 접속된다. 즉, 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1) 중 보호막(33)으로부터 노출된 부분은, 배선 기판(WS1)과 전기적으로 접속된다.
따라서, 상술한 바와 같이, 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1) 중 보호막(33)으로부터 노출된 부분의 면적이, 복수의 검출 전극(TDL)의 사이에서 변동하면, 검출 전극(TDL)과 배선 기판(WS1)의 사이의 접속 저항이, 복수의 검출 전극(TDL)의 사이에서 변동하여, 전극 기판으로서의 성능이 저하될 우려가 있다.
예를 들어, 보호막(33)의 단부(EP1)가, 원하는 위치를 초과한 경우, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분(PR3) 상에 보호막(33)이 형성되고, 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1) 중 보호막(33)으로부터 노출된 부분의 면적이 작아진다. 이러한 경우, 검출 전극(TDL)과 배선 기판(WS1)의 사이의 접속 저항이 커져, 전극 기판으로서의 성능이 저하될 우려가 있다.
한편, 도포액의 종류에 따라서는, 도포액이 유동하기 어려운 경우, 보호막(33)의 단부(EP1)가, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 원하는 위치에 달하지 않을 우려가 있다. 이러한 경우, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 일부가, 배선 기판(WS1) 및 보호막(33)의 어느 것으로부터도 노출되므로, 노출한 부분의 검출 전극(TDL)에 예를 들어 공기중의 수분이 침입함으로써, 검출 전극(TDL)이 부식될 우려가 있다.
상기 특허문헌 1 내지 특허문헌 3에 기재된 기술에서는, 도포된 도포액의 확대를 조정하기 위해서, 기판의 표면에 친액 영역과 발액 영역을 형성할 필요가 있고, 이들 친액 영역과 발액 영역을 형성하기 위한 공정을 행함으로써, 제조 공정수가 증가할 우려가 있다. 또한, 기판 상에 형성된 전극의 표면에 친액 영역과 발액 영역을 용이하게 형성할 수 없으므로, 기판 상에 형성된 전극의 표면에 도포된 도포액의 확대를 고정밀도로 조정할 수 없다.
상기 특허문헌 4에 기재된 기술에서는, 건조가 빠른 막을 스토퍼로서 프레임 형상으로 도포하고, 그 후, 건조는 늦지만 레벨링 효과가 우수한 막을 도포하므로, 제조 공정수가 증가될 우려가 있다. 또한, 원하는 건조 속도를 얻기 위해서 도포액의 재료가 제약되므로, 실제의 제조 공정에 널리 적용할 수 없다.
또한, 예를 들어 공통 전극(COML)이 형성되는 제1 기판(21)을 포함하여, 기판 상에 형성된 전극의 일부를 덮도록, 잉크젯법 또는 전계 제트법에 의해 도포액을 도포함으로써, 보호막이 형성되는 각종 전극 기판에 있어서도, 도포된 도포액의 단부 위치를 조정하는 것은 곤란하다.
<본 실시 형태의 주요한 특징과 효과>
한편, 본 실시 형태 1에서는, 전극 기판(ES)은, 요철 패턴(UE1)을 갖는다. 요철 패턴(UE1)은, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 표면에 형성되거나, 또는, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서 제2 기판(31) 상에 형성되어 있다. 즉, 요철 패턴(UE1)은, 영역(AR2)에서, 검출 전극(TDL) 또는 제2 기판(31)에 형성되어 있다. 또한, 영역(AR1 및 AR2)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 형성된 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상에 위치하고 있다.
이에 의해, 검출 전극(TDL)을 덮도록 보호막(33)을 형성할 때, 보호막(33)의 단부(EP1)의 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다. 따라서, 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1) 중 보호막(33)으로부터 노출된 부분의 면적이, 복수의 검출 전극(TDL)의 사이에서 변동하는 것을 방지 또는 억제할 수 있다. 그로 인해, 검출 전극(TDL)과 배선 기판(WS1)의 사이의 접속 저항이, 복수의 검출 전극(TDL)의 사이에서 변동하는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 전극 기판으로서의 성능을 향상시킬 수 있다. 그리고, 이러한 전극 기판을 구비한 표시 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.
예를 들어, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR3)에 형성된 부분(PR3) 상에 보호막(33)이 형성되는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 검출 전극(TDL)의 전극 단자(ET1) 중 보호막(33)으로부터 노출된 부분의 면적이 작아지는 것을 방지 또는 억제할 수 있다. 그로 인해, 검출 전극(TDL)과 전극 단자(ET2)의 사이의 접속 저항이 커지는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 전극 기판으로서의 성능을 향상시킬 수 있다.
한편, 도포액이 유동되기 어려운 경우에도, 요철 패턴(UE1)이 형성됨으로써, 보호막(33)의 단부(EP1)의 위치가, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 원하는 위치에 달하도록 보호막(33)을 형성할 수 있다. 따라서, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 일부가, 배선 기판(WS1) 및 보호막(33)의 어느 것으로부터도 노출되는 것을 방지 또는 억제할 수 있고, 노출된 부분의 검출 전극(TDL)에 예를 들어 공기중의 수분이 침입함으로써, 검출 전극(TDL)이 부식되는 것을 방지 또는 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태 1에서는, 도포된 도포액의 확대를 조정하기 위해서, 제2 기판(31)의 표면에 친액 영역과 발액 영역을 형성할 필요가 없다. 그로 인해, 친액 영역과 발액 영역을 형성하기 위한 공정을 행할 필요가 없어, 제조 공정수를 삭감할 수 있다.
또한, 본 실시 형태 1에서는, 건조가 빠른 막을 스토퍼로서 프레임 형상으로 도포하고, 그 후, 건조는 늦지만 레벨링 효과가 우수한 막을 도포할 필요가 없으므로, 제조 공정수를 삭감할 수 있다. 또한, 원하는 건조 속도를 얻기 위해서 도포액의 재료가 제약되는 경우가 없어, 실제의 제조 공정에 널리 적용할 수 있다.
또한, 상기 실시 형태 1에서는, 전극 기판(ES)으로서, 입력 장치가 구비된 표시 장치에서 검출 전극(TDL)이 형성되는 대향 기판(3)으로서 사용되는 전극 기판을 예시하여 설명하였다. 그러나, 상기 실시 형태 1에서의 전극 기판(ES)은, 예를 들어 공통 전극(COML)이 형성되는 제1 기판(21)을 포함하여, 기판 상에 형성된 전극의 일부를 덮도록, 잉크젯법 또는 전계 제트법 등의 인쇄 방법에 의해 도포액을 도포함으로써, 보호막이 형성되는 각종 전극 기판에도 적용 가능하다(이하의 각 실시 형태에서도 마찬가지).
(실시 형태 2)
실시 형태 1에서는, 입력 장치로서의 터치 패널을 구비한 표시 장치를, 표시 장치의 공통 전극(COML)이 입력 장치의 구동 전극을 겸한, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치에 적용한 예에 대해서 설명하였다. 그것에 대하여, 실시 형태 2에서는, 입력 장치로서의 터치 패널을 구비한 표시 장치를, 표시 장치의 공통 전극(COML)과 입력 장치의 구동 전극이 따로따로 형성된, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치에 적용한 예에 대해서 설명한다.
또한, 본 실시 형태 2의 표시 장치는, 액정 표시 장치를 비롯하여, 유기 EL 표시 장치 등의 각종 표시 장치에 일체로서 입력 장치가 구비된 인셀 타입의 표시 장치에 적용할 수 있다.
<터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스>
도 37은, 실시 형태 2의 표시 장치에서의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스를 도시하는 단면도이다.
본 실시 형태 2의 표시 장치 중, 대향 기판(3)의 단면 구조 이외의 각 부분, 예를 들어 평면에서 보면 요철 패턴(UE1)(도 12 참조)의 형상 및 배치 등에 대해서는, 실시 형태 1의 표시 장치 중, 대향 기판(3)의 단면 구조 이외의 각 부분과 동일하므로, 그러한 설명을 생략한다. 따라서, 이하에서는, 도 37을 참조하여, 실시 형태 1에서 도 9 및 도 10을 통하여 설명한 부분과 상이한 부분을 주로 설명한다.
터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)는, 화소 기판(2)과, 대향 기판(3)과, 액정층(6)을 갖는다. 대향 기판(3)은, 화소 기판(2)의 주면으로서의 상면과, 대향 기판(3)의 주면으로서의 하면이 대향하도록 배치되어 있다. 액정층(6)은, 화소 기판(2)과 대향 기판(3)의 사이에 형성되어 있다.
본 실시 형태 2에서는, 화소 기판(2)은, 공통 전극(COML1)을 갖는다. 공통 전극(COML1)은, 액정 표시 디바이스(20)(도 1 참조)의 구동 전극으로서는 동작하는데, 터치 검출 디바이스(30)(도 1 참조)의 구동 전극으로서는 동작하지 않는다. 따라서, 실시 형태 1과 달리, 공통 전극(COML1)으로서, 복수의 공통 전극이 설치되어 있지 않아도 되고, 예를 들어 실시 형태 1의 공통 전극(COML)이 결합하여 일체화된 1개의 공통 전극이 설치되어 있어도 된다.
본 실시 형태 2의 표시 장치에서의 화소 기판(2) 및 액정층(6) 중 공통 전극(COML1) 이외의 부분에 대해서는, 실시 형태 1의 표시 장치에서의 화소 기판(2) 및 액정층(6)의 각 부분과 동일하며, 그것들의 설명을 생략한다. 또한, 본 실시 형태 2의 표시 장치 복수의 화소에 대응한 회로도에 대해서는, 공통 전극(COML) 대신에, 공통 전극(COML1)이 설치되어 있는 점을 제외하고, 도 10에 도시한 실시 형태 1의 표시 장치 복수의 화소에 대응한 회로도와 동일하다. 그로 인해, 본 실시 형태 2의 표시 장치 중, 실시 형태 1에서 도 10을 통하여 설명한 부분과 동일한 부분의 설명을 생략한다.
본 실시 형태 2에서는, 대향 기판(3)은, 제2 기판(31)과, 컬러 필터(32)와, 구동 전극(DRVL)과, 절연막(35)과, 검출 전극(TDL)과, 보호막(33)을 갖는다. 제2 기판(31)은, 주면으로서의 상면과, 상면과 반대측의 주면으로서의 하면을 갖고 있다. 컬러 필터(32)는, 제2 기판(31)의 한쪽 주면으로서의 하면에 형성되어 있다. 구동 전극(DRVL)은, 터치 검출 디바이스(30)의 구동 전극이며, 제2 기판(31)의 다른 쪽 주면으로서의 상면에 형성되어 있다. 절연막(35)은, 제2 기판(31)의 상면 상에 구동 전극(DRVL)을 덮도록 형성되어 있다. 검출 전극(TDL)은, 터치 검출 디바이스(30)의 검출 전극이며, 절연막(35) 상에 형성되어 있다. 즉, 검출 전극(TDL)은, 제2 기판(31)의 다른 쪽 주면으로서의 상면 상에 구동 전극(DRVL) 및 절연막(35)을 개재하여 형성되어 있다. 보호막(33)은, 절연막(35) 상에 검출 전극(TDL)을 덮도록 형성되어 있다.
본 실시 형태 2에서의 검출 전극(TDL) 및 요철 패턴(UE1)(도 12 참조)에 대해서는, 검출 전극(TDL) 및 요철 패턴(UE1)이 절연막(35) 상에 형성되어 있는 점을 제외하고, 실시 형태 1에서의 검출 전극(TDL) 및 요철 패턴(UE1)과 동일하게 할 수 있다. 또한, 본 실시 형태 2에서의 보호막(33)에 대해서도, 보호막(33)이 절연막(35) 상에 형성되어 있는 점을 제외하고, 실시 형태 1에서의 보호막(33)과 동일하게 할 수 있다.
본 실시 형태 2에서는, 공통 전극(COML1)은, 액정 표시 디바이스(20)의 구동 전극으로서 동작하는데, 터치 검출 디바이스(30)의 구동 전극으로서는 동작하지 않는다. 구동 전극(DRVL)은, 터치 검출 디바이스(30)의 구동 전극으로서 동작하는데, 액정 표시 디바이스(20)의 구동 전극으로서는 동작하지 않는다. 이로 인해, 공통 전극(COML1)에 의한 표시 동작과, 구동 전극(DRVL)에 의한 터치 검출 동작을, 독립적으로 병행하여 행할 수 있다.
또한, 요철 패턴이, 구동 전극(DRVL)의 전극 단자 중, 구동 전극(DRVL)의 본체부측의 부분의 표면에 형성되어 있어도 된다. 또는, 요철 패턴이, 구동 전극(DRVL)의 전극 단자 중, 구동 전극(DRVL)의 본체부측의 부분의 주변에 위치하는 부분의 제2 기판(31) 상에 형성되어 있어도 된다. 이 때, 보호막으로서의 절연막(35)의 단부가, 요철 패턴 상에 위치한다. 이와 같이, 요철 패턴이 설치됨으로써, 절연막(35)을 형성할 때, 절연막(35)의 단부 위치를 고정밀도로 조정할 수 있다.
<본 실시 형태의 주요한 특징과 효과>
본 실시 형태 2에서도, 실시 형태 1과 마찬가지로, 전극 기판(ES)은, 요철 패턴(UE1)을 갖는다. 요철 패턴(UE1)은, 검출 전극(TDL) 중 영역(AR2)에 형성된 부분(PR2)의 표면에 형성되거나, 또는, 영역(AR2) 중 검출 전극(TDL)의 주변에 위치하는 부분에서 제2 기판(31) 상에 형성되어 있다. 즉, 요철 패턴(UE1)은, 영역(AR2)에서, 검출 전극(TDL) 또는 제2 기판(31)에 형성되어 있다. 또한, 영역(AR1 및 AR2)에서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 형성된 보호막(33)의 영역(AR3)측의 단부(EP1)가, 요철 패턴(UE1) 상에 위치하고 있다.
이에 의해, 검출 전극(TDL)을 덮도록 보호막(33)을 형성할 때, 보호막(33)의 단부(EP1)의 위치를 고정밀도로 조정할 수 있고, 검출 전극(TDL)과 전극 단자(ET2)의 사이의 접속 저항이, 복수의 검출 전극(TDL)의 사이에서 변동하는 것을 방지 또는 억제할 수 있는 등, 실시 형태 1과 동일한 효과가 얻어진다. 그리고, 실시 형태 1과 마찬가지로, 이러한 전극 기판을 구비한 표시 장치의 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태 2에서는, 표시 장치의 공통 전극(COML1)과 입력 장치의 구동 전극(DRVL)이 따로따로 형성되어 있다. 이에 의해, 공통 전극(COML1)에 의해 표시 동작을 행하는 표시 기간과, 구동 전극(DRVL)에 의해 터치 검출 동작을 행하는 터치 검출 기간을 분할할 필요가 없어지므로, 외관 상 터치 검출의 검출 속도를 향상시킬 수 있는 등, 터치 검출의 검출 성능을 향상시킬 수 있다.
또한, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서는, 입력 장치로서의 터치 패널을 구비한 표시 장치를, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치에 적용한 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 입력 장치로서의 터치 패널을 구비한 표시 장치를, 온셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치에 적용할 수도 있다. 온셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치란, 터치 패널에 포함되는 구동 전극 및 검출 전극 모두가, 액정 표시 장치에 내장되어 있지 않은 터치 검출 기능을 구비한 액정 표시 장치를 의미한다.
<입력 장치>
도 38은, 실시 형태 2의 제1 변형예로서의 입력 장치를 도시하는 단면도이다. 도 38에 도시하는 예에서는, 입력 장치는, 도 37에 도시한 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스 중, 제2 기판(31) 및 제2 기판(31)보다도 상방에 위치하는 부분과 대략 동일한 구성을 갖는다.
도 38에 도시한 바와 같이, 실시 형태 2의 제1 변형예로서의 입력 장치는, 제2 기판(31)과, 구동 전극(DRVL)과, 절연막(35)과, 검출 전극(TDL)과, 보호막(33)을 갖는다. 또한, 도 38에서는, 도 37에 도시하는 편광판(34) 대신에, 커버 유리를 포함하는 제3 기판(34a)이 설치되어 있다. 또한, 도 38에서는 도시는 생략하고 있지만, 검출 전극(TDL)과는, 예를 들어 도 1에 도시하는 터치 검출부(40)에 접속되어 있다. 따라서, 실시 형태 2의 제1 변형예로서의 입력 장치는, 제2 기판(31)과, 구동 전극(DRVL)과, 검출 전극(TDL)과, 예를 들어 도 1에 도시하는 터치 검출부(40)와 같은 검출 회로와, 보호막(33)과, 제3 기판(34a)을 갖는다.
이러한 입력 장치에서도, 검출 전극(TDL)을 덮도록 보호막(33)을 형성할 때, 보호막(33)의 단부(EP1)의 위치를 고정밀도로 조정할 수 있으므로, 실시 형태 2의 표시 장치가 갖는 효과와 동일한 효과를 갖는다.
<자기 용량 방식의 터치 검출 기능>
실시 형태 1, 실시 형태 2 및 실시 형태 2의 제1 변형예에서는, 터치 패널로서, 구동 전극으로서 동작하는 공통 전극과, 검출 전극이 설치된, 상호 용량 방식의 터치 패널을 적용한 예에 대해서 설명하였다. 그러나, 터치 패널로서, 검출 전극만이 설치된, 자기 용량 방식의 터치 패널을 적용할 수도 있다.
도 39 및 도 40은, 자기 용량 방식에서의 검출 전극의 전기적인 접속 상태를 도시하는 설명도이다.
자기 용량 방식에서의 터치 패널에서는, 도 39에 도시한 바와 같이, 정전 용량(Cx)을 갖는 검출 전극(TDL)이, 정전 용량(Cr1)을 갖는 검출 회로(SC1)로부터 분리되고, 전원(Vdd)과 전기적으로 접속되었을 때, 정전 용량(Cx)을 갖는 검출 전극(TDL)에 전하량(Q1)이 축적된다. 이어서, 도 40에 도시한 바와 같이, 정전 용량(Cx)을 갖는 검출 전극(TDL)이 전원(Vdd)으로부터 분리되고, 정전 용량(Cr1)을 갖는 검출 회로(SC1)와 전기적으로 접속되었을 때, 검출 회로(SC1)에 흘러나오는 전하량(Q2)을 검출한다.
여기서, 검출 전극(TDL)에 손가락이 접촉 또는 근접한 경우, 손가락에 의한 용량에 따라, 검출 전극(TDL)의 정전 용량(Cx)이 변화하고, 검출 전극(TDL)이 검출 회로(SC1)와 접속되었을 때, 검출 회로(SC1)에 흘러나오는 전하량(Q2)도 변화한다. 따라서, 흘러나오는 전하량(Q2)을 검출 회로(SC1)에 의해 측정하여 검출 전극(TDL)의 정전 용량(Cx)의 변화를 검출함으로써, 검출 전극(TDL)에 손가락이 접촉 또는 근접했는지 여부를 판정할 수 있다.
도 38을 통하여 설명한 입력 장치가, 자기 용량 방식의 터치 검출 기능을 구비한 입력 장치인 경우, 구동 전극(DRVL) 대신에, 검출 전극(TDL)이 설치된다. 이러한 자기 용량 방식의 터치 검출 기능을 구비한 입력 장치를, 실시 형태 2의 제2 변형예의 입력 장치로 하면, 실시 형태 2의 제2 변형예의 입력 장치는, 제2 기판(31)과, 검출 전극(TDL)과, 예를 들어 도 1에 도시하는 터치 검출부(40)와 같은 검출 회로와, 보호막(33)과, 제3 기판(34a)을 갖는다. 또한, 실시 형태 2의 제2 변형예의 입력 장치에서는, X축 방향(도 7 참조)으로 각각 연장되고, 또한 Y축 방향(도 7 참조)으로 간격을 두고 배열된 복수의 검출 전극(TDL)과, Y축 방향으로 각각 연장되고, 또한 X축 방향으로 간격을 두고 배열된 복수의 검출 전극(TDL)을 가져도 된다. 이러한 경우, 제각기 방향으로 연장되는 복수의 검출 전극(TDL)의 정전 용량(Cx)의 변화를 검출함으로써, 입력 위치를 이차원적으로 검출할 수 있다.
이러한 입력 장치에서도, 검출 전극(TDL)을 덮도록 보호막(33)을 형성할 때, 보호막(33)의 단부(EP1)의 위치를 고정밀도로 조정할 수 있으므로, 실시 형태 2의 표시 장치가 갖는 효과와 동일한 효과를 갖는다.
(실시 형태 3)
이어서, 도 41 내지 도 47을 참조하여, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서 설명한 표시 장치의 적용예로서의 전자 기기에 대해서 설명한다. 실시 형태 1 및 실시 형태 2의 각각 표시 장치는, HUD(Head Up Display)나 내비게이션 장치와 같은 차량 탑재용 장치, 텔레비전 장치, 디지털 카메라, 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화기 등의 휴대 단말 장치 또는 비디오 카메라 등의 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다. 바꾸어 말하면, 실시 형태 1 및 실시 형태 2의 각각 표시 장치는, 외부로부터 입력된 영상 신호 또는 내부에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다.
<텔레비전 장치>
도 41은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 텔레비전 장치의 외관을 도시하는 사시도이다. 이 텔레비전 장치는, 예를 들어 프론트 패널(511) 및 필터 유리(512)를 포함하는 영상 표시 화면부(513)를 갖고 있다. 그리고, 영상 표시 화면부(513)는, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서 설명한, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치 또는 온셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 포함한다.
<디지털 카메라>
도 42는, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 디지털 카메라의 외관을 도시하는 사시도이다. 이 디지털 카메라는, 예를 들어 표시부(522), 메뉴 스위치(523) 및 셔터 버튼(524)을 갖고 있다. 그리고, 표시부(522)는, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서 설명한, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치 또는 온셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 포함한다.
<노트북형 퍼스널 컴퓨터>
도 43은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 노트북형 퍼스널 컴퓨터의 외관을 도시하는 사시도이다. 이 노트북형 퍼스널 컴퓨터는, 예를 들어 본체(531), 문자 등의 입력 조작을 위한 키보드(532) 및 화상을 표시하는 표시부(533)를 갖고 있다. 그리고, 표시부(533)는, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서 설명한, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치 또는 온셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 포함한다.
<비디오 카메라>
도 44는, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 비디오 카메라의 외관을 도시하는 사시도이다. 이 비디오 카메라는, 예를 들어 본체부(541), 이 본체부(541)의 전방면에 설치된 피사체 촬영용의 렌즈(542), 촬영 시의 스타트/스톱 스위치(543) 및 표시부(544)를 갖고 있다. 그리고, 표시부(544)는, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서 설명한, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치 또는 온셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 포함한다.
<휴대 전화기>
도 45 및 도 46은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 휴대 전화기의 외관을 도시하는 정면도이다. 도 46은, 도 45에 도시하는 휴대 전화기가 접힌 상태를 도시한다. 이 휴대 전화기는, 예를 들어 상측 하우징(551)과 하측 하우징(552)을 연결부(힌지부)(553)로 연결한 것이며, 디스플레이(554), 서브 디스플레이(555), 픽처 라이트(556) 및 카메라(557)를 갖고 있다. 그리고, 디스플레이(554) 또는 서브 디스플레이(555)는, 실시 형태 1 및 실시 형태 2의 각각 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치 등에 의해 구성되어 있다.
<스마트폰>
도 47은, 실시 형태 3의 전자 기기의 일례로서의 스마트폰의 외관을 도시하는 정면도이다. 이 스마트폰은, 예를 들어 하우징(561)과 터치 스크린(562)을 갖고 있다. 터치 스크린(562)은, 예를 들어 입력 장치로서의 터치 패널과 표시부로서의 액정 패널로 구성되어 있고, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서 설명한, 인셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치 또는 온셀 타입의 터치 검출 기능을 구비한 표시 장치를 포함한다.
터치 스크린(562)의 터치 패널은, 예를 들어 도 1을 통하여 설명한 표시 장치(1)의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)에 설치된 터치 검출 디바이스(30)이다. 유저가 손가락 또는 터치펜을 사용하여 터치 패널에 터치 조작이나 드래그 조작 등의 제스처 조작을 하면, 터치 스크린(562)의 터치 패널은, 이 제스처 조작에 대응하는 위치의 좌표를 검출하여 도시하지 않은 제어부에 출력한다.
터치 스크린(562)의 액정 패널은, 예를 들어 도 1을 통하여 설명한 표시 장치(1)의 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스(10)에 설치된 액정 표시 디바이스(20)이다. 또한, 표시 장치(1)를 포함하는 터치 스크린(562)의 액정 패널은, 예를 들어 도 1을 통하여 설명한 표시 장치(1)의 구동 전극 드라이버(14)를 갖는다. 구동 전극 드라이버(14)는, 예를 들어 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 부화소(SPix)(도 10 참조) 각각의 내부에 설치된 화소 전극(22)(도 9 참조)에, 각각 일정한 타이밍에 화상 신호로서의 전압을 인가함으로써, 표시를 실행시킨다.
<본 실시 형태의 주요한 특징과 효과>
본 실시 형태 3에서는, 상기한 각종 전자 기기에 구비되는 표시 장치로서, 실시 형태 1 및 실시 형태 2의 각각의 표시 장치를 사용할 수 있다. 이에 의해, 상기한 각종 전자 기기에 구비된 표시 장치에 있어서, 검출 전극(TDL)을 덮도록 보호막(33)을 형성할 때, 보호막(33)의 단부(EP1)의 위치를 고정밀도로 조정할 수 있는 것 등, 실시 형태 1 및 실시 형태 2에서 설명한 각각의 효과와 동일한 효과가 얻어진다. 따라서, 상기한 각종 전자 기기의 성능을 향상시킬 수 있거나, 또는, 상기한 각종 전자 기기의 제조 공정수를 삭감할 수 있다.
이상, 본 발명자에 의해 이루어진 발명을 그 실시 형태에 기초하여 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되지 않고, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 종종 변경 가능한 것은 말할 필요도 없다.
또한, 상기 실시 형태에 있어서는, 개시예로서 액정 표시 장치의 경우를 예시했지만, 그 밖의 적용예로서, 유기 EL 표시 장치, 기타의 자발광형 표시 장치, 또는 전기 영동 소자 등을 갖는 전자 페이퍼형 표시 장치 등, 모든 플랫 패널형의 표시 장치를 들 수 있다. 또한, 중소형부터 대형까지, 특별히 한정하지 않고 적용이 가능한 것은 말할 필요도 없다.
본 발명의 사상 범주에 있어서, 당업자라면 각종 변경예 및 수정예에 상도할 수 있는 것이며, 그들 변경예 및 수정예에 대해서도 본 발명의 범위에 속하는 것이라고 이해된다.
예를 들어, 상술한 각 실시 형태에 대하여, 당업자가 적절히, 구성 요소의 추가, 삭제 또는 설계 변경을 행한 것, 또는, 공정의 추가, 생략 또는 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 요지를 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
본 발명은, 전극 기판, 표시 장치, 입력 장치 및 전극 기판의 제조 방법에 적용하여 유효하다.
1 : 표시 장치
2 : 화소 기판
3 : 대향 기판
6 : 액정층
10 : 터치 검출 기능을 구비한 표시 디바이스
11 : 제어부
12 : 게이트 드라이버
13 : 소스 드라이버
14 : 구동 전극 드라이버
19A, 19B : COG
20 : 액정 표시 디바이스(표시 디바이스)
21 : 제1 기판
22 : 화소 전극
24 : 절연막
25 : 편광판
30 : 터치 검출 디바이스
31 : 제2 기판
32 : 컬러 필터
32B, 32G, 32R : 색 영역
33 : 보호막
34 : 편광판
34a : 제3 기판
35 : 절연막
40 : 터치 검출부
42 : 터치 검출 신호 증폭부
43 : A/D 변환부
44 : 신호 처리부
45 : 좌표 추출부
46 : 검출 타이밍 제어부
51 : 노즐 헤드
52 : 도포액
53 : 도포막
511 : 프론트 패널
512 : 필터 유리
513 : 영상 표시 화면부
522 : 표시부
523 : 메뉴 스위치
524 : 셔터 버튼
531 : 본체
532 : 키보드
533 : 표시부
541 : 본체부
542 : 렌즈
543 : 스타트/스톱 스위치
544 : 표시부
551 : 상측 하우징
552 : 하측 하우징
553 : 연결부(힌지부)
554 : 디스플레이
555 : 서브 디스플레이
556 : 픽처 라이트
557 : 카메라
561 : 하우징
562 : 터치 스크린
Ad : 표시 영역
AR1, AR2, AR3 : 영역
C1, C2 : 용량 소자
CC1, CC2, CC21, CC3, CC4 : 오목부
CC31, CC32, CC41, CC42 : 연장부
CCG2 : 오목부군
CF1 : 이방성 도전 필름
CF2 : 도전막
COML, COML1 : 공통 전극
Cr1, Cx : 정전 용량
CV1, CV2, CV21, CV3, CV31 : 볼록부
CVG2 : 볼록부군
D : 유전체
DET : 전압 검출기
DR1, DR2 : 방향
DRVL : 구동 전극
DS1 : 간격
DS2, DS3 : 최단 거리
E1 : 구동 전극
E2 : 검출 전극
EG12, EG21, EG3, EG4, EP1, EP2 : 단부
EL1 : 노광광
ES : 전극 기판
ET1, ET2 : 전극 단자
GCL : 주사선
HE1, HE2 : 상단부
HL1 : 상층부
HP1 : 고위부
HS1, HS2, LS1, LS2 : 측면부
LC : 액정 소자
LE1, LE2 : 하단부
LL1 : 하층부
LP1 : 저위부
MP1 : 본체부
NC1, NC11, NC12 : 절단부
Pix : 화소
PJ1, PJ111, PJ112, PJ121, PJ122 : 돌출부
PJ2, PJ211, PJ212, PJ221, PJ222 : 돌출부
PJ3, PJ31, PJ32 : 돌출부
PR1, PR2, PR21, PR22, PR3 : 부분
Q1, Q2 : 전하량
Reset : 기간
RF1 : 레지스트막
RP1 : 레지스트 패턴
S : 교류 신호원
SC1 : 검출 회로
Scan : 스캔 방향
Sg : 교류 구형파
SGL : 신호선
SH1 : 견부
SP1 : 차광 패턴
SPix : 부화소
SS1, SS2 : 측면부
ST1 : 단차부
TDL, TDL1, TDL2 : 검출 전극
TH1, TH2 : 두께
Tr : TFT 소자
UE1, UE11, UE111, UE112 : 요철 패턴
UE12, UE121, UE122 : 요철 패턴
Vcom : 구동 신호
Vdd : 전원
Vdet : 검출 신호
Vdisp : 영상 신호
Vout : 신호 출력
Vpix : 화소 신호
Vscan : 주사 신호
Vsig : 화상 신호
WD1, WD2, WD3 : 폭
WS1 : 배선 기판

Claims (17)

  1. 제1 기판과,
    상기 제1 기판의 제1 주면의 제1 영역부터, 상기 제1 기판의 상기 제1 주면의 제2 영역을 거쳐서, 상기 제1 기판의 상기 제1 주면의 제3 영역까지, 상기 제1 기판 상에 연속적으로 형성된 제1 전극과,
    상기 제2 영역에서, 상기 제1 전극 또는 상기 제1 기판에 형성된 요철 패턴과,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서, 상기 제1 전극을 덮도록 형성된 보호막을 갖고,
    상기 보호막의 상기 제3 영역측의 단부가, 상기 요철 패턴 상에 위치하고 있는, 전극 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은, 평면에서 볼 때, 제1 방향으로 순서대로 배치되고,
    상기 제1 전극은, 상기 제1 방향으로 연장되는, 전극 기판.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 제1 전극의 상면에 형성된 오목부를 포함하는, 전극 기판.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 제1 전극의 주변에 위치하는 부분의 상기 제1 기판 상에, 상기 제1 전극과 이격되어 형성된 볼록부를 포함하고,
    상기 보호막의 상기 제3 영역측의 단부가, 상기 제1 전극 중 상기 제2 영역에 형성된 부분 상에 위치하고 있는, 전극 기판.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 제1 전극의 측면으로부터 돌출되어 형성된 돌출부를 포함하고,
    상기 보호막의 상기 제3 영역측의 단부가, 상기 제1 전극 중 상기 제2 영역에 형성된 부분 상에 위치하고 있는, 전극 기판.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 제1 전극의 측면으로부터 절입되어 형성된 절입부를 포함하는, 전극 기판.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에서, 상기 제1 전극을 덮도록 형성된 이방성 도전 필름과,
    상기 이방성 도전 필름 상에 배치된 배선 기판을 갖고,
    상기 배선 기판은, 상기 배선 기판의 제2 주면에 형성된 제2 전극을 포함하고,
    상기 제2 전극은, 상기 제1 전극 중 상기 제3 영역에 형성된 부분과, 상기 이방성 도전 필름을 개재하여 대향하도록 배치되고,
    서로 대향한 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은, 상기 이방성 도전 필름을 개재하여 전기적으로 접속되고,
    상기 이방성 도전 필름의 상기 제1 영역측의 단부가, 상기 보호막 상에 위치하고 있는, 전극 기판.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극 중 상기 제2 영역에 형성된 부분의, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향에서의 폭은, 상기 제1 전극 중 상기 제1 영역에 형성된 부분의, 상기 제2 방향에서의 폭보다도 큰, 전극 기판.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 제1 기판에 형성된 복수의 볼록부를 포함하고,
    상기 복수의 볼록부는, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 각각 연장되고, 또한 상기 제1 방향으로 배열되어 있는, 전극 기판.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 제1 전극에 형성된 복수의 오목부를 포함하고,
    상기 복수의 오목부는, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 각각 연장되고, 또한 상기 제1 방향으로 배열되어 있는, 전극 기판.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 제1 기판에 형성된 볼록부를 포함하고,
    상기 볼록부는, 평면에서 볼 때, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장하고,
    상기 볼록부는, 평면에서 볼 때, 상기 제1 방향의 제1 측에 위치하는 제1 측면부를 포함하고,
    상기 제1 측면부의 상단부는, 상기 제1 방향에 있어서, 상기 제1 측면부의 하단부보다도, 상기 제1 측에 위치하는, 전극 기판.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 요철 패턴은, 상기 보호막의 상기 제3 영역측의 단부의 위치를 조정하는 위치 조정 패턴인, 전극 기판.
  13. 제1항에 기재된 전극 기판과,
    상기 전극 기판에 대향하는 대향 기판과,
    상기 대향 기판과 상기 전극 기판의 사이에 설치된 표시 제어부를 구비하는, 표시 장치.
  14. 제1항에 기재된 전극 기판을 구비하는 입력 장치에 있어서,
    상기 전극 기판은, 복수의 상기 제1 전극을 갖고,
    상기 입력 장치는 또한 상기 복수의 제1 전극의 각각의 정전 용량에 기초하여 입력 위치를 검출하는 검출부를 구비하는, 입력 장치.
  15. (a) 제1 기판을 준비하는 공정,
    (b) 상기 제1 기판의 제1 주면의 제1 영역으로부터, 상기 제1 기판의 상기 제1 주면의 제2 영역을 거쳐, 상기 제1 기판의 상기 제1 주면의 제3 영역까지, 상기 제1 기판 상에 연속적으로 제1 전극을 형성하는 공정,
    (c) 상기 제2 영역에서, 상기 제1 전극 또는 상기 제1 기판에, 요철 패턴을 형성하는 공정,
    (d) 상기 (c) 공정 후, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서, 상기 제1 전극을 덮도록 보호막을 형성하는 공정을 갖고,
    상기 (d) 공정에서 형성된 상기 보호막의 상기 제3 영역측의 단부가, 상기 요철 패턴 상에 위치하는, 전극 기판의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 (d) 공정에서는, 용액을 도포하는 인쇄 방식에 의해, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서, 상기 제1 전극을 덮도록 도포액을 도포함으로써, 상기 보호막을 형성하는, 전극 기판의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 (d) 공정은,
    (d1) 용액을 도포하는 인쇄 방식에 의해, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에서, 상기 제1 전극을 덮도록 상기 도포액을 도포하는 공정,
    (d2) 도포된 상기 도포액을 경화시킴으로써 상기 보호막을 형성하는 공정을 포함하고,
    상기 (d1) 공정에서는, 도포된 상기 도포액의 상기 제3 영역측의 단부가, 상기 요철 패턴 상에 위치하도록, 상기 도포액을 도포하는, 전극 기판의 제조 방법.
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