TW201537288A - 光酸產生共聚物及相關之光阻組成物、經塗覆基板及形成電子裝置之方法 - Google Patents

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Abstract

共聚物係包括衍生自下列之重複單元：酸不穩定單體；脂族且含內酯之單體；(甲基)丙烯酸C1-12烷基酯，其中，該C1-12烷基係包括特定之鹼溶性基團；光酸產生單體，其係包括脂族陰離子；以及，具有下式之中性芳族單體： □ 其中，R1、R2、R3、X、m、及Ar係如文中定義者。該共聚物係用作光阻組成物之組分。本發明亦揭示包括該光阻組成物之層之經塗覆之基板、以及使用該經塗覆之基板形成電子裝置的方法。

Description

光酸產生共聚物及相關之光阻組成物、經塗覆基板及形成電子裝置之方法
本揭露係關於可用作光阻組成物之組分的光酸產生共聚物。
當將一化合物曝露於電子束或極紫外輻射時其降解產生酸，則該化合物亦被認知為光酸產生劑，其係微電子加工用之化學增幅型光阻組成物中聚合物進行化學增幅性去保護或交聯的基礎。該等光酸產生劑係作為獨立之化合物或作為共聚物之重複單元而併入光阻組成物中。現有光阻組成物係提供輻射敏度、解析度、及線寬粗糙度的可用之平衡。惟，對於顯現增加之極限解析度、降低之斑點化(頂部粗糙度)及增加之聚焦深度而實質上不傷害輻射敏度及/或線寬粗糙度的光阻存在需求。
一個態樣係共聚物，其係包含衍生自下列 之重複單元：酸不穩定單體；脂族且含內酯之單體；包含1,1,1,3,3,3-六氟-2-羥基丙-2-基取代基或-NH-S(O)2-Rb取代基之鹼溶性單體，其中，Rb係C1-4全氟烷基；包含脂族陰離子之光酸產生單體；以及，具有下式之中性芳族單體： 其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、鹵素、C1-6烷基、或鹵化之C1-6烷基；m係0或1；X係-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)2-、-S(O)2-N(R4)-、-N(R4)-S(O)2-、C1-12伸烴基、-O-(C1-12伸烴基)-、-(C1-12伸烴基)-O-、或-C(O)-O-(C1-12伸烴基)-，其中，R4係C1-6烷基；以及，Ar係未經取代或經取代之C6-24芳基，其中，當Ar為經取代之C6-24芳基時，其係經選自鹵素、C1-12烴基、及鹵化C1-12烴基所組成之群組的一個或多個基團取代；其中，該等重複單元係衍生自包含不超過55莫耳%之包含芳基之單體的單體。
另一態樣係光阻組成物，其係包含本文所揭示之任何共聚物。
另一態樣係經塗覆之基板，其係包含：(a)其表面上具有一層或多層待圖案化之層的基板；以及(b)位於該一層或多層待圖案化之層上之如申請專利範圍第9項所述的光阻組成物層。
另一態樣係形成電子裝置之方法，其係包 含：(a)將光阻組成物之層施用於基板上；(b)將該光阻組成物層圖案式地曝光於極紫外或電子束活化輻射；以及(c)將經曝光之光阻組成物層顯影以提供阻劑浮雕影像。
此等及其他態樣係詳述如下。
第1圖係分別顯示比較例1及2之光阻組成物的24奈米接觸孔、以及22奈米與17奈米(半節距)線/空間(line/space)性能。
第2圖係比較例1及2之光阻組成物的溶解速率作為曝光劑量之函數的繪圖。
第3圖係顯示，於極紫外(EUV)圖案化之後，於26奈米臨界維度的比較例3之自上而下掃描電子顯微(SEM)影像，以及於21奈米臨界維度之比較例6、比較例7、實施例1、實施例5及實施例7之自上而下掃描電子顯微(SEM)影像。
第4圖之左側係顯示實施例2及4之本發明之光阻組成物及比較例8之比較性光阻組成物的26奈米線/空間性能；右側係相應之臨界維度(CD；nm)對焦距所作之圖，其係作為劑量(mJ/cm2)之函數並以不同類型之線條示之。
第5圖之左側係顯示實施例2、實施例4、實施例6及比較例8之22奈米線/空間性能；右側係相應之臨界維度(CD；nm)對焦距所作之圖，其係作為劑量(mJ/cm2)之函數。
本發明人等業經確定，本文所揭示之共聚物係提供具有增加之極限解析度、降低之斑點化(頂部粗糙度)及增加之聚焦深度而實質上不傷害輻射敏度及/或線寬粗糙度的光阻組成物。
一個態樣係共聚物，其係包含衍生自下列之重複單元：酸不穩定單體；脂族且含內酯之單體；(甲基)丙烯酸C1-12烷基酯，其中，該C1-12烷基係包含1,1,1,3,3,3-六氟-2-羥基丙-2-基取代基或-NH-S(O)2-Rb取代基，其中，Rb係C1-4全氟烷基；包含脂族陰離子之酸產生單體；以及，具有下式之中性芳族單體： 其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、鹵素、C1-6烷基、或鹵化之C1-6烷基；m係0或1；X係-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)2-、-S(O)2-N(R4)-、-N(R4)-S(O)2-、C1-12伸烴基、-O-(C1-12伸烴基)-、-(C1-12伸烴基)-O-、或-C(O)-O-(C1-12伸烴基)-，其中，R4係C1-6烷基；以及，Ar係未經取代或經取代之C6-24芳基，其中，當Ar為經取代之C6-24芳基時，其係經選自鹵素、C1-12烴基、及鹵化C1-12烴基所組成之群組的一個或多個基團取代。
除非特別另行指明者，「經取代」應理解為意指包括至少一個取代基如鹵素(亦即，F、Cl、Br、I)、羥 基、胺基、巰基、羧基、羧酸酯、酯(包括丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、及內酯)、醯胺、腈、硫醚、二硫醚、硝基、C1-18烷基、C1-18烯基(包括降莰烯基)、C1-18烷氧基、C2-18烯氧基(包括乙烯基醚)、C6-18芳基、C6-18芳氧基、C7-18烷基芳基、或C7-18烷基芳氧基。於中性芳族單體Ar基之語述中，「經取代」應理解為意指經選自鹵素、C1-12烴基、及鹵化C1-12烴基所組成之群組的一個或多個基團取代。
「經氟化」應理解為意指具有併入該基團之一個或多個氟原子。舉例而言，對於C1-18氟烷基，則該氟烷基可包括一個或多個氟原子，例如，1個氟原子、2個氟原子(如，1,1-二氟乙基)、3個氟原子(如，2,2,2-三氟乙基)、或於碳之每一自由價位均為氟原子(如，全氟基團如-CF3、-C2F5、-C3F7、或-C4F9)。
本文中，術語「烷基」係包括線性烷基，分支鏈烷基，環狀烷基，以及組合線性基團、分支鏈基團及環狀基團之兩種方式及三種方式之組合的烷基。該等烷基可未經取代或經取代。烷基之具體實例係包括甲基、乙基、1-丙基、2-丙基、環丙基、1-丁基、2-丁基、2-甲基-1-丙基、第三丁基、環丁基、1-甲基環丙基、2-甲基環丙基、1-戊基、2-戊基、3-戊基、2-甲基-1-丁基、3-甲基-1-丁基、2-甲基-2-丁基、3-甲基-2-丁基、2,2-二甲基-1-丙基(新戊基)、環戊基、1-甲基環丁基、2-甲基環丁基、3-甲基環丁基、1,2-二甲基環丙基、2,2-二甲基環丙基、2,3-二甲基環丙基、1-己基、2-己基、3-己基、2-甲基-1-戊基、3-甲基-1- 戊基、4-甲基-1-戊基、2-甲基-2-戊基、4-甲基-2-戊基、2-甲基-3-戊基、3-甲基-2-戊基、3-甲基-3-戊基、2,2-二甲基-1-丁基、3,3-二甲基-1-丁基、3,3-二甲基-2-丁基、2,3-二甲基-1-丁基、2,3-二甲基-2-丁基、1,2,2-三甲基環丙基、2,2,3-三甲基環丙基、(1,2-二甲基環丙基)甲基、(2,2-二甲基環丙基)甲基、1,2,3-三甲基環丙基、(2,3-二甲基環丙基)甲基、2,2-二甲基環丁基、2,3-二甲基環丁基、(1-甲基環丁基)甲基、1,2-二甲基環丁基、2,3-二甲基環丁基、(2-甲基環丁基)甲基、1,3-二甲基環丁基、2,4-二甲基環丁基、(3-甲基環丁基)甲基、1-甲基環戊基、2-甲基環戊基、環戊基甲基、環己基、1-降莰基、2-降莰基、3-降莰基、1-金剛烷基、2-金剛烷基、八氫-1-并環戊二烯基(pentalenyl)、八氫-2-并環戊二烯基、八氫-3-并環戊二烯基、八氫-1-苯基-1-并環戊二烯基、八氫-2-苯基-2-并環戊二烯基、八氫-1-苯基-3-并環戊二烯基、八氫-2-苯基-3-并環戊二烯基、十氫-1-萘基、十氫-2-萘基、十氫-3-萘基、十氫-1-苯基-1-萘基、十氫-2-苯基-2-萘基、十氫-1-苯基-3-萘基、及十氫-2-苯基-3-萘基。
該共聚物係包含衍生自酸不穩定單體之重複單元。於內文中，「酸不穩定」係意指，該單體對衍生自光酸產生劑之酸具反應性。酸不穩定單體係包括羧酸酯、縮醛及縮酮。
例示性酸不穩定羧酸酯係包括下列未經取代及經取代之(甲基)丙烯酸三級烴基酯： 及其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3。
例示性經酸不穩定縮醛取代之單體及經酸不穩定縮酮取代之單體係包括： 及其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3。
於某些態樣中，該共聚物包含之衍生自酸不穩定單體之重複單元的量，以該共聚物之總重量為基準計，為5至40重量%，具體係10至35重量%，更具體係10至30重量%。
該共聚物除了包含衍生自酸不穩定單體之重複單元外，亦包含脂族且含內酯之單體。脂族且含內酯之單體的例示性實例係包括： 及其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3。
於某些態樣中，該共聚物包含之衍生自脂族且含內酯之單體之重複單元的量，以該共聚物之總重量為基準計，為10至70重量%，具體係20至60重量%，更 具體係25至50重量%。
該共聚物復包含衍生自包含1,1,1,3,3,3-六氟-2-羥基丙-2-基取代基或-NH-S(O)2-Rb取代基之鹼溶性單體的重複單元，其中，Rb係C1-4全氟烷基。此等單體之例示性實例係包括： 及其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3；以及，Rb係C1-4全氟烷基。
於某些態樣中，該共聚物包含之衍生自鹼溶性單體之重複單元的量，以該共聚物之總重量為基準計，為3至40重量%，具體係5至35重量%，更具體係10至30重量%。
該共聚物復包含衍生自包含脂族陰離子之光酸產生單體的重複單元。於某些態樣中，該光酸產生單體係下式者： 其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3；Q係含酯或不含酯之氟化或未經氟化之C1-20伸烷基，或C3-20伸環烷基；Z-係包含磺酸根、磺醯胺根(磺醯胺之陰離子)、或磺醯亞胺根(磺醯胺之陰離子)之陰離子性部分；以及，G+係硫鎓或碘鎓陽離子。
此等單體之例示性實例係包括： 及其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3。
於某些態樣中，該共聚物包含之衍生自該酸產生單體之重複單元的量，以該共聚物之總重量為基準計，為2至30重量%，具體係2至28重量%，更具體係3至25重量%。
該共聚物復包含衍生自具有下式之中性芳族單體的重複單元： 其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、鹵素、C1-6烷基、或鹵化之C1-6烷基；m係0或1；X係-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)2-、-S(O)2-N(R4)-、-N(R4)-S(O)2-、C1-12伸烴基、-O-(C1-12伸烴基)-、-(C1-12伸烴基)-O-、或-C(O)-O-(C1-12伸烴基)-，其中，R4係C1-6烷基；以及，Ar係未經取代或經取代之C6-24芳基，其中，當Ar為經取代之C6-24芳基時，其係經選自鹵素、C1-12烴基、及鹵化之C1-12烴基所組成之群組的一個或多個基團取代。於某些態樣中，該中性芳族單體係具有2.5至6之計算LogP值(cLogP)。於此範圍內，cLogP值可係2.5至5。P係界於1-辛醇與水之間的單體之分配比。舉例而言，cLogP值可使用MOLINSPIRATION CHEMINFORMATICS(http：//www.molinspiration.com)計算之。簡便起見，「中性芳族單體」可指代為「芳族單體」。該芳族單體之結構業經定義為其不含在酸性介質中被質子化或會反應之基團，不含在鹼性介質中被離子化或會反應之基團。故，於光產生之酸的存在下及於鹼性顯影劑如2.38重量%氫氧化四甲基銨中，該共聚物之衍生自該脂族單體的重複單元將係實質上電中性且化學惰性。
於該芳族單體之某些態樣中，R1與R2係 氫；R3係-H、-F、-CH3或-CF3；X係-O-、-C(O)-O-、-(C1-12伸烴基)-、-O-(C1-12伸烴基)-、-(C1-12伸烴基)-O-、或-C(O)-O-(C1-12伸烴基)-；以及，Ar係未經取代或經取代之苯基、或經取代或未經取代之萘基。
中性芳族單體之例示性實例係包括： 或其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3；Rc之每次出現係獨立為鹵素、C1-12烴基、C2-10烯基、C1-6全氟烷基、或C3-6全氟環烷基；Rd係C1-10烷基、C3-10環烷基、C1-6全氟烷基、C3-6全氟環烷基、C1-10烯基、C3-10環烯基、或C6-12芳基；Re之每次出現係獨立為C1-10伸烷基或C3-10伸環烷基；n係0或1；以及，q係0、1、2、3、4、或5。
於某些態樣中，該共聚物包含衍生自該中性芳族單體之重複單元的量，以該共聚物之總重量為基準計，為1至30重量%，具體為2至25重量%，更具體為2 至20重量%。
用於形成該共聚物之單體係包含不超過55莫耳%之包含芳基的單體。於此限制下，包含芳基之單體的含量可係5至55莫耳%，更具體係10至50莫耳%，特佳係10至45莫耳%。
於某些態樣中，用以製備該共聚物之單體係排除包含茀基酯基團的單體。此等單體係揭示於Hatakeyama等人之美國專利第8,450,042 B2號中。
於某些態樣中，用以製備該共聚物之單體係排除同時具有下述兩種基團之單體：產生鹼溶性基團之酸不穩定基(如，(甲基)丙烯酸三級烷基酯)；以及產生具有增加之鹼性顯影劑中溶解度之基團的鹼不穩定基(如，經內酯取代之(甲基)丙烯酸烷基酯)。此等單體係揭示於Hirano等人之美國專利申請案公開第2012/0076997 A1號中。由於大體積之側鏈，預期該等單體之聚合具有挑戰性。
於某些態樣中，該共聚物係具有重量平均分子量為1,000至50,000原子質量單位，具體係2,000至30,000原子質量單位，更具體係3,000至20,000原子質量單位，再更具體係3,000至10,000原子質量單位。於某些態樣中，該共聚物之分散度，其係重量平均分子量與數量平均分子量之比，為1.1至3，具體係1.1至2。分子量值係藉由凝膠滲透色層分析術使用聚苯乙烯標準品測得。
於該共聚物之一個非常具體之態樣中，該酸不穩定單體係包含： 該脂族且含內酯之(甲基)丙烯酸酯係包含： 其中該C1-12烷基係包含1,1,1,3,3,3-六氟-2-羥基丙-2-基取代基或-NH-S(O)2-Rb取代基的該(甲基)丙烯酸C1-12烷基酯係包含： 該光酸產生單體係包含： ；以及該中性芳族單體係包含： 或其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3；Rc係鹵素、C1-12烴基、C1-6全氟烷基、或C3-6全氟環烷基；Rd係C1-10烷基、C3-10環烷基、C1-6全氟烷基、C3-6全氟環烷基、C1-10烯基、C3-10環烯基、或C6-12芳基；Re係C1-10伸烷基或C3-10伸環烷基；n係0或1；以及，q係0、1、2、3、4、或5。
一個態樣係光阻組成物，其係包含其上揭變體之任一者的共聚物。該光阻組成物含有之共聚物的量可係，以該光阻組成物中之固體(不包括溶劑)之總重量為 基準計，可為50至99.9重量%。於此範圍內，該光阻之共聚物含量可係55至99.9重量%，具體係65至99.9重量%。
該光阻組成物可復包括一種或多種光活性組分如光酸產生劑、光鹼產生劑、光起始劑、具有或不具有經鍵結之光酸產生劑的額外之(甲基)丙烯酸酯系聚合物、具有或不具有經鍵結之光酸產生劑的羥基苯乙烯系聚合物、及其組合。該光阻組成物可復包含除(甲基)丙烯酸系聚合物及羥基苯乙烯系聚合物外的聚合物如，舉例而言，於2013年7月16日遞交之美國非臨時專利申請案編號13/943,169中揭示之芳族聚縮醛。
當將光酸產生劑曝露於活化輻射如EUV輻射(如，於193奈米)、電子束輻射、及其他輻射源時，其可產生酸。光酸產生劑通常係包括彼等適用於製備光阻之目標的光酸產生劑。光酸產生劑係包括，舉例而言，非離子性肟及多種鎓離子鹽。鎓離子係包括，舉例而言，未經取代及經取代之銨離子、未經取代及經取代之鏻離子、未經取代及經取代之鉮離子、未經取代及經取代之銻離子、未經取代及經取代之鉍離子、未經取代及經取代之氧鎓離子、未經取代及經取代之硫鎓離子、未經取代及經取代之硒鎓離子、未經取代及經取代之碲鎓離子、未經取代及經取代之氟鎓離子、未經取代及經取代之氯鎓離子、未經取代及經取代之溴鎓離子、未經取代及經取代之碘鎓離子、未經取代及經取代之胺基二唑鎓離子(經取代之疊氮化氫)、未經取代及經取代之氫氰鎓離子(經取代之氰化氫)、 未經取代及經取代之疊氮鎓離子(RN=N+R2)、未經取代及經取代之亞胺鎓離子(R2C=N+R2)、具有兩個經雙鍵鍵結之取代基之四級銨離子(R=N+=R)、硝基鎓離子(NO2 +)、雙(三芳基磷)亞胺鎓離子((Ar3P)2N+)、未經取代或經取代之具有一個經三鍵鍵結之取代基之三級銨離子(R≡NH+)、未經取代及經取代之腈鎓離子(RC≡NR+)、未經取代及經取代之重氮鎓離子(N≡N+R)、具有兩個經部分雙鍵鍵結之之取代基的三級銨離子(RN+HR)、未經取代及經取代之吡啶鎓離子、具有一個經三鍵鍵結之取代基及一個經單鍵鍵結之取代基之四級銨離子(R≡N+R)、具有一個經三鍵鍵結之取代基之三級氧鎓離子(R≡O+)、亞硝基鎓離子(N≡O+)、具有兩個經部分雙鍵鍵結之取代基的三級氧鎓離子(RO+ R)、哌喃鎓離子(C5H5O+)、具有一個經三鍵鍵結之取代基之三級硫鎓離子(R≡S+)、具有兩個經部分雙鍵鍵結之取代基的三級硫鎓離子(RS+ R)、及硫代亞硝基鎓離子(N≡S+)。於某些態樣中，該鎓離子係選自未經取代及經取代之單芳基碘鎓離子、未經取代及經取代之二芳基碘鎓離子、未經取代及經取代之單芳基硫鎓離子、未經取代及經取代之二芳基硫鎓離子、及未經取代及經取代之三芳基硫鎓離子。適宜之鎓鹽的實例可見於Crivello等人之美國專利第4,442,197號、Crivello之美國專利第4,603,101號、及Zweifel等人之美國專利第4,624,912號。
適宜之光酸產生劑係化學增幅型光阻之技術領域中所習知者，且係包括，舉例而言：鎓鹽，舉例而 言，三氟甲磺酸三苯基硫鎓、三氟甲磺酸(對-第三丁氧基苯基)二苯基硫鎓、三氟甲磺酸參(對-第三丁氧基苯基)硫鎓、對甲苯磺酸三苯基硫鎓；硝基苄基衍生物，舉例而言，對甲苯磺酸2-硝基苄酯、對甲苯磺酸2,6-二硝基苄酯、及對甲苯磺酸2,4-二硝基苄酯；磺酸酯，舉例而言，1,2,3-參(甲磺醯氧基)苯、1,2,3-參(三氟甲磺醯氧基)苯、及1,2,3-參(對甲苯磺醯氧基)苯；重氮甲烷衍生物，舉例而言，雙(苯磺醯基)重氮甲烷、雙(對甲苯磺醯基)重氮甲烷；乙二肟(glyoxime)衍生物，舉例而言，雙-O-(對甲苯磺醯基)-α-二甲基乙二肟、及雙-O-(正丁磺醯基)-α-二甲基乙二肟；N-羥基醯亞胺化合物之磺酸酯衍生物，舉例而言，N-羥基琥珀醯亞胺甲磺酸酯、N-羥基琥珀醯亞胺三氟甲磺酸酯；以及，含鹵素之三化合物，舉例而言，2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三、及2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三。對於具體實例之適宜之光酸產生劑係進一步揭示於Hashimoto等人之美國專利第8,431,325號第37欄第11至47行及第41至91欄中。
兩種具體之PAG係下述PAG1及PAG2，其製備方法係揭示於2012年9月15日遞交之第61/701,588號美國專利申請案中。
其他適宜之磺酸酯類PAG係包括磺酸化酯及磺醯氧基酮。參見，J.of Photopolymer Science and Technology,4(3)：337-340(1991)，其揭露了適宜之磺酸酯PAG，包括苯偶姻甲苯磺酸酯、α-(對甲苯磺醯氧基)-醋酸第三丁基苯酯、及α-(對甲苯磺醯氧基)-醋酸第三丁酯。較佳之磺酸酯PAG亦揭露於Sinta等人之美國專利第5,344,742號中。
其他有用之光酸產生劑係包括硝基苄基酯之家族及s-三衍生物。舉例而言，適宜之s-三類光酸產生劑係揭露於美國專利第4,189,323號。
光酸產生劑復包括光可毀性鹼類。光可毀性鹼類係包括與弱酸(pKa>2)之陰離子配對的光可分解之陽離子，且較佳係彼等可用於製備PAG者，該弱酸係諸如，舉例而言，C1-20羧酸。例示性此等羧酸係包括甲酸、醋酸、丙酸、酒石酸、琥珀酸、環己基甲酸、苯甲酸、柳酸、及其他此等羧酸。例示性光可毀性鹼類係包括彼等組合下述結構之陽離子與陰離子者，其中，該陽離子係三苯基硫鎓或下列之一者： 其中，R係獨立為H、C1-20烷基、C6-20芳基、或C6-20烷基芳基；且該陰離子係、RC(=O)-O-、或-OH，其中，R係獨立為H、C1-20烷基、C1-20烷氧基、C6-20芳基、或C6-20烷基芳基。
該光阻可包括光鹼產生劑，包括彼等基於非離子性光可分解發色團如，舉例而言，2-硝基苄基及苯偶姻基團者。例示性光鹼產生劑係胺基甲酸鄰硝基苄酯。
該光阻可包括光起始劑。光起始劑係用於該光阻組成物中，藉由產生自由基而引發交聯劑之聚合反應。適宜之自由基光起始劑係包括，舉例而言，偶氮化合物、含硫化合物、金屬鹽及錯合物、肟、胺、多核化合物、有機羰基化合物、及其混合物，如於美國專利第4,343,885號第13欄第26行至第17欄第18行中揭示者；9,10-蒽醌；1-氯蒽醌；2-氯蒽醌；2-甲基蒽醌；2-乙基蒽醌；2-第三丁基蒽醌；八甲基蒽醌；1,4-萘醌；9,10-菲醌；1,2-苯并蒽醌；2,3-苯并蒽醌；2-甲基-1,4-萘醌；2,3-二氯萘醌；1,4-二甲基蒽醌；2,3-二甲基蒽醌；2-苯基蒽醌；2,3-二苯基蒽醌；3-氯-2-甲基蒽醌；惹烯醌；7,8,9,10-四氫萘醌；及1,2,3,4- 四氫苯并(a)蒽-7,12-二酮。其他光起始劑係揭示於美國專利第2,760,863號中，其係包括近縮酮酮醇(vicinal ketaldonyl alcohol)如，苯偶姻、第三戊偶姻(pivaloin)、醯偶姻醚類，如苯偶姻甲醚及苯偶姻乙醚；及α-烴-取代之芳族醯偶姻，包括α-甲基苯偶姻、α-烯丙基苯偶姻及α-苯基苯偶姻。亦可使用下述者作為光起始劑：光還原性染料及還原劑，如於美國專利第2,850,445號、第2,875,047號及第3,097,096號中揭示者；以及啡類、類及醌類染料；二苯甲酮、具有氫供體之2,4,5-三苯基咪唑基二聚物、及其混合物，如於美國專利第3,427,161號、第3,479,185號及第3,549,367號中揭示者。
該光阻組成物可復包括界面活性劑。例示性界面活性劑係包括經氟化及未經氟化之界面活性劑，且較佳係非離子性。例示性經氟化之非離子性界面活性劑包括全氟C4界面活性劑，如可自3M公司購得之FC-4430及FC-4432界面活性劑；以及氟二醇類，如自奧諾華公司(Omnova)獲得之POLYFOXTM PF-636、PF-6320、PF-656及PF-6520氟界面活性劑。
該光阻組成物可復包括猝滅劑，其係非光可毀性鹼。此等係包括，舉例而言，彼等基於氫氧化物、羧酸鹽、胺、亞胺及醯胺者。此等猝滅劑係包括C1-30有機胺、亞胺或醯胺；強鹼(如，氫氧化物或烷氧化物)或弱鹼(如，羧酸鹽)之C1-30四級銨鹽。例示性猝滅劑包括胺類，如三丙基胺、十二烷基胺、參(2-羥基丙基)胺、肆(2-羥基 丙基)伸乙二胺；芳基胺類，如二苯基胺、三苯基胺、胺基苯酚、及2-(4-胺基苯基)-2-(4-羥基苯基)丙烷、晁格爾鹼(Troger's base)；受阻胺類，如二氮雜雙環十一烯(DBU)、二氮雜雙環壬烯(DBN)、及四羥基異丙基二胺及第三丁基-4-羥基-1-哌啶二烯羧酸酯；離子性猝滅劑，包括四級烷基銨鹽，如羥基四丁基銨(TBAH)、2-羥基苯甲酸四甲基銨(TMA OHBA)、及乳酸四丁基銨。適宜之猝滅劑係於Hashimoto等人之美國專利第8,431,325號中進一步揭示。
該等光阻組分典型係溶解於溶劑中，以茲分注及塗覆。例示性溶劑係包括苯甲醚；醇類，包括1-甲氧基-2-丙醇及1-乙氧基-2-丙醇；酯類，包括醋酸正丁酯、乳酸乙酯、醋酸1-甲氧基-2-丙酯、丙酸甲氧基乙氧基酯、丙酸乙氧基乙氧基酯、2-羥基異丁酸甲酯；酮類，包括環己酮及2-庚酮；及其組合。該溶劑之量，舉例而言，以該光阻組成物之總重量為基準計，可為70至99重量%，具體係85至98重量%。
本發明之光阻組成物亦可含有其他材料。舉例而言，其他視需要之添加劑係包括光化及對比染料、抗條紋劑、塑化劑、增速劑及敏化劑。此等視需要之添加劑典型將以小濃度存在於光阻組成物中。
於某些態樣中，溶液中之光阻組成物包含聚合物，以固體之總重量為基準計，其量為50至99.9重量%，具體係55至99.9重量%，更具體係65至99.9重量%。應理解，於光阻中組分之語境中使用的「聚合物」可 意指僅為本文揭露之共聚物，或係該共聚物與另一個有用於光阻之聚合物的組合。該光可毀性鹼於該光阻中存在之量，以固體之總重量為基準計，可為0.01至5重量%，具體係0.1至4重量%，更具體係0.2至3重量%。所包括之界面活性劑的量，以固體之總重量為基準計，可為0.01至5重量%，具體係0.1至4重量%，更具體係0.2至3重量%。所包括之光酸產生劑的量，以固體之總重量為基準計，可為0至50重量%，具體係1.5至45重量%，更具體係2至40重量%。可以相對小量而包括猝滅劑，舉例而言，以固體之總重量為基準計，可為0.03至5重量%。所包括之其他添加劑的量，以固體之總重量為基準計，可為小於或等於50重量%，具體係小於或等於35重量%，或更具體係小於或等於25重量%。該光阻組成物之總固體含量可係0.5至50重量%，具體係1至45重量%，更具體係2至40重量%，且再更具體係5至30重量%。應理解，總固體係包括聚合物、光可毀性鹼、猝滅劑、界面活性劑、添加之任何PAG、及其他視需要之添加劑，但不包括溶劑。
另一態樣係包含該共聚物之負調光阻。較佳之負作用組成物包含曝光於酸時會固化、交聯或硬化之材料與一種、兩種或更多種本文揭露之光酸產生劑的混合物。較佳之負作用組成物包含聚合物粘合劑，如酚系或非芳族聚合物、交聯劑組分、及本發明之光活性組分。此等組成物及其用途業經揭示於Feely之歐洲專利申請案第EP0164248 A2號及Thackeray等人之美國專利第5,128,232 號中。用作該聚合物黏合劑組分之較佳之酚系聚合物係包括酚醛清漆及聚(乙烯基苯酚)類。較佳之交聯劑係包括胺系材料，包括蜜胺、甘脲、苯并胍胺(benzoquanamine)系材料、及脲系材料。蜜胺-甲醛聚合物往往係尤其適宜者。此等交聯劑係可商購者，如蜜胺聚合物、甘脲聚合物、脲系聚合物及苯并胍胺聚合物如彼等由氰特公司(Cytec)於商品名CYMELTM 301、303、1170、1171、1172、1123及1125以及BEETLETM 60、65及80販售者。
另一態樣係經塗覆之基板，其係包含：(a)其表面上具有一層或多層待圖案化之層的基板；以及(b)位於該一層或多層待圖案化之層上的光阻組成物層。
該基板之材料可係諸如半導體，如矽或複合半導體(如，III-V或II-VI)、玻璃、石英、陶瓷、銅等。典型地，該基板可係半導體晶圓，如單晶矽或複合半導體晶圓，其表面上形成有一層或多層及經圖案化之特徵。視需要，舉例而言，當所欲者係於下方基底基板材料中形成溝槽時，該下方基底基板材料本身可經圖案化。於該基底基板材料上方形成之層可包括，舉例而言，一層或多層導電層如鋁、銅、鉬、鉭、鈦、鎢、及此等金屬之合金、氮化物或矽化物之層；經摻雜之非晶形矽或經摻雜之多晶矽；一層或多層介電層，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或金屬氧化物之層；半導體層，如單晶矽；下方層；抗反射層，如底部抗反射層；及其組合。該等層可藉由多種技術形成之，舉例而言，化學氣相沉積(CVD)如電漿增強CVD、 低壓CVD或磊晶生長，物理氣相沉積(PVD)如濺射或蒸鍍、電鍍或旋塗。
本發明復包括形成電子裝置之方法，其係包含：(a)將本文所揭示之任何光阻組成物之層施用至基板上；(b)將該光阻組成物之層圖案式曝光於活性(如，紫外或電子束)輻射；(c)顯影經曝光之光阻組成物之層以提供阻劑浮雕影像。該方法可視需要復包括(d)將該阻劑浮雕圖案蝕刻到該下方基板。
可藉由任何適宜之方法實施該光阻組成物至基板之施用，包括旋塗、噴塗、浸塗及刀塗。於某些態樣中，光阻組成物層之施用係藉由使用塗覆軌旋塗溶劑中之該光阻而實施，其中，該光阻組成物係分散於旋轉之晶圓上。於分散過程中，該晶圓可以最高每分鐘4,000轉(rpm)之速度旋轉，具體係500至3,000rpm，且更具體係1,000至2,500rpm。旋轉經塗覆之晶圓以移除溶劑，並於熱板上烘烤以自該膜移除殘留之溶劑及自由體積，以令其均勻緊緻。
隨後使用曝光工具如步進器進行圖案式曝光，其中，係透過圖案光罩輻射照射該膜而將該膜圖案式曝光。於某些態樣中，該方法係使用產生能達成高解析度之波長之活性輻射如極紫外(EUV)或電子束(e-beam)輻射的先進曝光工具。應知悉，使用活性輻射進行曝光係分解經曝光區域內之PAG並產生酸及分解副產物，且該酸係隨後在曝光後烘烤(PEB)步驟中影響聚合物中之化學改變(去封 阻該酸敏性基團以產生鹼溶性基團，或者，催化經曝光區域內的交聯反應)。此等曝光工具之解析度可係低於30奈米。
隨後，藉由以可選擇性移除該膜之經曝光部分(其中，該光阻係正調)或移除該膜之未曝光部分(其中，該光阻於經曝光區域內可交聯，亦即，負調)的適宜之顯影劑處理經曝光之層，而實施經曝光之光阻層的顯影。於某些態樣中，該光阻係基於具有酸敏性(可去保護)基團之聚合物的正調，且該顯影劑較佳係無金屬離子之氫氧化四烷基銨溶液，例如，舉例而言，0.26N氫氧化四甲基銨水溶液。或者，可藉由使用適宜之有機溶劑顯影劑進行負調顯影(NTD)。由於彼等區域之極性反轉，NTD係導致光阻層未曝光區域之移除，留下經曝光之區域。適宜之NTD顯影劑係包括，舉例而言，酮、酯、醚、烴、及其混合物。其他適宜之溶劑係包括用於光阻組成物中之彼等。於某些態樣中，該顯影劑係2-庚酮或醋酸丁酯如醋酸正丁酯。無論該顯影為正調或負調，皆藉由顯影形成圖案。
當該光阻用於一種或多種此等圖案形成製程時，其可用以製造電子裝置及光電裝置，如記憶體裝置、處理器晶片(包括中央處理單元或CPU)、圖形晶片、及其他此等裝置。
本發明係藉由下述實施例進一步例示性說明。
[實施例]
於此等實施例中使用之單體的首字母縮寫及化學結構係表述於表1中。
(比較性)PPMA/α-GBLMA/DiHFA/TBPPDBT-F2共聚物之合成。將PPMA(41.2公克)、α-GBLMA(45.35公克)、DiHFA(28.48公克)及TBP PDBTS-F2(13.96公克)溶解 於130.8公克之乳酸乙酯與γ-丁內酯之30：70(v/v)混合物中，作成饋料溶液。將PPMA(2.69公克)、α-GBLMA(2.24公克)、DiHFA(3.92公克)及TBPPDBTS-F2(2.13公克)溶解於86.5公克之乳酸乙酯與γ-丁內酯之30：70(v/v)混合物中，製備基料溶液(heel solution)。將14.6公克之偶氮起始劑2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(作為V-65自Wako Pure Chemical Industries,Ltd.獲得)溶解於14.6公克之乙腈與四氫呋喃(THF)之2：1(v/v)混合物中，製備起始劑溶液。
於配備水冷凝器及監控燒瓶內反應之溫度計的2公升三頸圓底燒瓶中進行聚合反應。使用頂部攪拌器攪拌該內容物。將該基料溶液充填入反應器中，並將該等內容物加熱至75℃。使用注射泵以4小時期間將該饋料溶液及該起始劑溶液饋入反應器內。隨後將該等內容物繼續攪拌2小時，之後，使用氫醌(2.0公克)猝滅反應。將該等內容物冷卻至室溫，以THF稀釋至25重量%，於10倍(以重量計)之二異丙醚(IPE)與甲醇(MeOH)的95：5(w/w)混合物中沉澱兩次。於每一沉澱步驟後，於50℃真空下乾燥所得聚合物24小時，得到99公克之PPMA/α-GBLMA/DiHFA/TBPPDBT-F2共聚物，各重複單元之莫耳比係34：50：10：6，且該共聚物之重量平均分子量為5,300原子質量單位。該共聚物係標記為共聚物1。
(比較性)CF3PPMA/α-GBLMA/DiHFA/PDBT-F2共聚物之合成。使用類似步驟製備CF3PPMA/α-GBLMA/DiHFA/PDBT-F2共聚物，各重複單元之莫耳比係36：47：11： 6，且該共聚物之重量平均分子量為5,000原子質量單位。該共聚物係標記為共聚物2。
PPMA/α-GBLMA/DiHFA/TBPPDBT-F2共聚物及CF3PPMA/α-GBLMA/DiHFA/PPDBT-F2共聚物之微影性評估。表2總結了該等組成物，及併入該PPMA/α-GBLMA/DiHFA/TBPPDBT-F2共聚物及CF3PPMA/α-GBLMA/DiHFA/PDBT-F2共聚物之光阻的加工條件。於表2中，組分之量係以不包括溶劑之總固體為基準計且以重量%表現之。於表2中，光酸產生劑DiMADMeOAC PDBT-ADOH係具有化學結構：
又，於表2中，「PDQ」係可光分解性猝滅劑。該PDQ TBPPDBT-ADCA係具有化學結構：
猝滅劑THIPDA係具有化學結構： 自奧諾華公司(OMNOVA SOLUTIONS INC.)獲得之界面活性劑POLYFOXTM PF-656係具有化學結構： 其中，x+y平均約為6。「EL」係乳酸乙酯，「HBM」係2-羥基丁酸甲酯。
第1圖係顯示比較例1之光阻的接觸孔及線/空間性能，其係經最優化用於接觸孔曝光；以及比較例2之光阻的接觸孔及線/空間性能，其係經最優化用於線曝光。對於比較例1，係於51毫焦耳(mJ)/平方公分(cm2)良好地印製臨界維度均一度(CDU)為2.82奈米的30奈米接觸孔(第1a圖)。惟，當評估相同阻劑之線/空間應用時，解析度因受限於圖案崩潰而為22奈米半節距(第1b圖)。對於比較例2，係獲得17奈米解析度之線/空間(第1c圖)，但接觸孔特性(第1d圖)顯著劣於比較例1。
為了解決線/空間曝光中接觸孔阻劑為何失敗，及接觸孔曝光中線/空間阻劑為何失敗之問題，藉由在 248奈米曝光下監控光阻組成物於氫氧化四甲基銨顯影劑(0.26N氫氧化四甲基銨，用於正調顯影中之標準顯影劑)中之溶解速率(DR)而分析之。使用溶解速率監控工具LTJ ARM 800，採用470奈米監控波長，產生繪製於第2圖中之溶解速率數據。於第2圖中，x-軸係曝光劑量，以毫焦耳/平方公分為單位表示之，並以對數規格作圖；y-軸係溶解速率，以奈米/秒為單位表示之，並以對數規格作圖。比較例1之光阻係顯現較高之Rmax值(約7586奈米/秒)及較陡之對比(Tan θ)。反之，比較例2之光阻的特徵係平緩得多的溶解對比、以及較低之Rmax及Rmin。此等阻劑性能間的差異係與溶解速率間之差異一致。
由於溶解速率會依賴於共聚物中酸不穩定基之含量，合成三種具有不同水準之酸不穩定單體的PPMA/α-GBLMA/DiHFA/PDBT-F2共聚物，並總結於表3中。36/45/11/5共聚物係具有36莫耳%之酸不穩定單體的對照系統。另兩種共聚物係合成為具有26莫耳%及21莫耳%之酸不穩定單體。每一共聚物係具有約5,000原子質量單位之重量平均分子量。
如表4中總結者，配製含有共聚物3至5之光阻組成物，其中，組分至量係以不包括溶劑之總固體為基準計。
光微影結果係表示於表5中，其中，「UFTL」係未曝光膜厚損失，以埃表示之；「Rmin」係以奈米/秒表示之未曝光阻劑的溶解速率；「Rmax」係以奈米/秒表示之完全曝光之阻劑的溶解速率；而「248nm E0」係以毫焦耳/平方公分表示之達到清除的248奈米曝光劑量。結果顯示，具有較低酸不穩定單體含量之共聚物係顯現Rmax之顯著下降。由於比較例4及5的UFTL值顯著提升，並未藉由EUV微影評估他們。高UFTL會於顯影循環後潛在地賦予嚴重之頂部損失(斑點化)並降低深寬比。
合成額外之共聚物，以探究併入中性芳族單體苯乙烯、PFBzMA及BzMA之效應。該等共聚物組成係總結於表6中。聚合物8係如下述者合成。將PPMA(0.37公克)、α-GBLMA(0.31公克)、DiHFA(0.54公克)及TBPPDBT-F2(0.3公克)溶解於14公克之γ-丁內酯與乳酸乙酯之70：30(v/v)混合物中，作成饋料溶液。將PPMA(4.14公克)、α-GBLMA(6.51公克)、DiHFA(4.34公克)、苯乙烯(0.88公克)及TBPPDBT-F2(2.04公克)溶解於18.13公克之γ-丁內酯與乳酸乙酯之70：30(v/v)混合物中，作成基料溶液。將2.1公克之偶氮起始劑2,2’-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)(自Wako Pure Chemical Industries,Ltd.獲得)溶解於2.01公克之乙腈與四氫呋喃之2：1(v/v)混合物中，作成起始劑溶液。於配備水冷凝器及用以監控燒瓶內反應溫度之溫度計的300毫升三頸圓底燒瓶中進行聚合反應。將該基料溶液充填入反應器中，並將該等內容物加熱至75℃。使用注射泵以4小時期間將該饋料溶液及起始劑溶液饋入該反應器中。隨後將該內容物再攪拌2小時，之後使用氫醌 (0.2公克)猝滅反應。將該等內容物冷卻至室溫，以THF稀釋至25重量%，於10倍(以重量計)之二異丙醚與甲醇之95：5(w/w)混合物中沉澱兩次。於每一沉澱步驟後，所得聚合物皆於50℃真空下乾燥24小時，得到8公克之PPMA/α-GBLMA/DiHFA/苯乙烯/TBPPDBT-F2共聚物。以類似途徑合成表6中列述之其他聚合物，但改變所採用之中性單體的類型及/或含量。
如表7中總結者，配製含有共聚物6至12之光阻組成物，其中，組分之量係以不包括溶劑之總固體為基準計。光酸產生劑TBPPDBT DHC係具有化學結構： 表7中之全部製劑係使用乳酸乙酯與γ-丁內酯之70：30(w/w)混合物作為溶劑。該阻劑係於110℃軟烘烤90秒，並於100℃進行60秒之曝光後烘烤而加工。藉由將該阻劑塗覆於60奈米厚之有機抗反射層(陶氏電子材料公司(Dow Electronic Materials)之ARTM 9-900)上而產生248奈米之對比曲線。該阻劑係於Canon TELACT工具上於248奈米曝光。於曝光後烘烤後，使用0.26N氫氧化四甲基銨溶液將該阻劑顯影60秒。膜厚度值係使用KLA Tencore OPTIPROBETM 7341熱波工具量測之。
表7之光阻組成物的光微影結果係總結於表8中。於表8中，「EUV Es」係於26奈米臨界維度使用極紫外曝光之尺寸化能量，以毫焦耳/平方公分表示之。對 於未添加PAG之光阻組成物(比較例6及7，以及實施例1、3、5及7)，實施例1、3、5及7之本發明之光阻係併入有具有衍生自中性芳族單體之重複單元的共聚物。此等光阻係顯現低於比較例6(其中，共聚物未併入中性芳族單體)及比較例7(其中，共聚物未併入中性芳族單體但確實具有較低之酸不穩定基團含量)的Rmax值。亦觀察到，併入有中性芳族單體者，甚至在具有較低之酸不穩定基含量下，仍獲得不顯著高於比較例7中光阻者的UFTL。這一結果不同於表5中所示者，表5中，該共聚物中酸不穩定基含量之降低係與UFTL之顯著增加有關。對於製劑中係含有添加之PAG的比較例8、實施例2、實施例4及實施例6之光阻組成物，共聚物中併入有中性芳族單體的實施例2、實施例4及實施例6之本發明的光阻係顯現較之於比較例8低得多的Rmax值。與不添加PAG之組成物的低UFTL及Rmin相反，全部含有添加之PAG的製劑中皆觀察到較高之UFTL及Rmin。
使用勞倫斯伯克利國家實驗室(Lawrence Berkeley National Laboratory,LBNL)eMET工具評估實施例1、實施例3、實施例7、比較例6及比較例7之光阻的線/空間性能。該等光阻係以50奈米之厚度塗覆於業經預塗覆25奈米厚之矽(Si)系抗反射層之矽晶圓上。以Albany eMET工具評估實施例2、實施例4、實施例6及比較例8之光阻的線/空間特性。該等光阻係以40奈米之厚度塗覆於業經預塗覆25奈米厚之聚酯系抗反射層之矽晶圓上。該阻劑係於110℃軟烘烤90秒，之後使用EUV光圖案式曝光。於100℃進行60秒之曝光後烘烤後，以0.26N氫氧化四甲基 銨顯影該阻劑30秒。第3圖係顯示實施例1、5及7之本發明之光阻以及比較例6及7之比較性光阻的26奈米線/空間特性。實施例1、5及7之本發明之光阻的自上而下掃描電子顯微照片顯現過度曝光時斑點化之降低。
第4圖係顯示實施例2及4之本發明之光阻及比較例8之比較性光阻的26奈米線/空間性能。實施例2及4之本發明之光阻係顯現降低之斑點化及增加之聚焦深度。
第5圖係顯示實施例2、4及6及比較例8的22奈米線/空間性能。實施例2、4及6之本發明之光阻係顯現降低之斑點化及增加之聚焦深度。
由於本案的圖為實驗結果數據，並非本案的代表圖。故本案無指定代表圖。

Claims (11)

  1. 一種共聚物，其係包含衍生自下列之重複單元：酸不穩定單體；脂族且含內酯之單體；包含1,1,1,3,3,3-六氟-2-羥基丙-2-基取代基或-NH-S(O)2-Rb取代基之鹼溶性單體，其中，Rb係C1-4全氟烷基；包含脂族陰離子之光酸產生單體；以及具有下式之中性芳族單體： 其中，R1、R2、及R3係各自獨立為氫、鹵素、C1-6烷基、或鹵化之C1-6烷基；m係0或1；X係-O-、-C(O)-、-C(O)-O-、-S-、-S(O)-、-S(O)2-、-S(O)2-N(R4)-、-N(R4)-S(O)2-、C1-12伸烴基、-O-(C1-12伸烴基)-、-(C1-12伸烴基)-O-、或-C(O)-O-(C1-12伸烴基)-，其中，R4係C1-6烷基；以及，Ar係未經取代或經取代之C6-24芳基，其中，當Ar為經取代之C6-24芳基時，其係經選自鹵素、C1-12烴基、及鹵化C1-12烴基所組成之群組的一個或多個基團取代；其中，該等重複單元係衍生自包含不超過55莫耳%之包含芳基之單體的單體。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之共聚物，其中，該中性芳族單體係具有2.5至6之脂水分配系數cLogP。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之共聚物，其中，該酸不穩定單體係包含：包含下列之未經取代或經取代之(甲基)丙烯酸三級烴基酯， 或其組合；其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項所述之共聚物，其中，該鹼溶性單體包含： 或其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3；以及，Rb係C1-4全氟烷基。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之共聚物，其中，該光酸產生單體包含： 或其組合；其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3。
  6. 如申請專利範圍第1項中任一項所述之共聚物，其中，R1與R2係氫；R3係-H、-F、-CH3、或-CF3；X係-O-、-C(O)-O-、-(C1-12伸烴基)、-O-(C1-12伸烴基)、-(C1-12伸烴基)-O-、或-C(O)-O-(C1-12伸烴基)；以及，Ar係未經取代或經取代之苯基、或未經取代或經取代之萘基。
  7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述之共聚物，其中，該中性芳族單體包含： 或其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3；Rc之每次出現係獨立為鹵素、C1-12烴基、C2-10烯基、C1-6全氟烷基、或C3-6全氟環烷基；Rd係C1-10烷基、C3-10環烷基、C1-6全氟烷基、C3-6全氟環烷基、C1-10烯基、C3-10環烯基、或C6-12芳基；Re之每次出現係獨立為C1-10伸烷基或C3-10伸環烷基；n係0或1；以及，q係0、1、2、3、4、或5。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之共聚物，其中，該酸不穩定單體包含： 其中，該脂族且含內酯之(甲基)丙烯酸酯包含： 其中，該鹼溶性單體包含： 其中，該光酸產生單體包含：；以及其中，該中性芳族單體包含： 或其組合，其中，Ra係-H、-F、-CH3、或-CF3；Rc係鹵素、C1-12烴基、C1-6全氟烷基、或C3-6全氟環烷基；Rd係C1-10烷基、C3-10環烷基、C1-6全氟烷基、C3-6全氟環烷基、C1-10烯基、C3-10環烯基、或C6-12芳基；Re係C1-10伸烷基或C3-10伸環烷基；n係0或1；以及，q係0、1、2、3、4、或5。
  9. 一種光阻組成物，係包含如申請專利範圍第1至8項中任一項所述之共聚物。
  10. 一種經塗覆之基板，係包含：(a)其表面上具有一層或多層待圖案化之層的基板；以及(b)位於該一層或多層待圖案化之層上的如申請專利範圍第9項所述之光阻組成物的層。
  11. 一種形成電子裝置之方法，係包含： (a)將如申請專利範圍第9項所述之光阻組成物之層施用於基板上；(b)將該光阻組成物之層圖案式曝光於極紫外或電子束活化輻射；以及(c)將經曝光之光阻組成物之層顯影以提供阻劑浮雕影像。
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