TW201535088A - 電壓調節器 - Google Patents
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Abstract
提供具備可抑制高溫時之輸出電晶體的漏電流的影響，且常溫時可低消費電流化的漏電流汲取電路的電壓調節器。
作為具備將基準電壓電路所輸出的基準電壓與對輸出電晶體輸出之輸出電壓進行分壓的分壓電路所輸出的分壓電壓此兩者的差，予以放大並輸出，控制輸出電晶體的閘極的誤差放大電路，與連接於輸出端子，在常溫時並不動作，僅在高溫時抑制來自輸出電晶體的漏電流之影響的漏電流汲取電路的構造。
Description
本發明係關於具備可抑制高溫時輸出電晶體的漏電流，且常溫時可低消費電流化的漏電流汲取電路的電壓調節器。
於圖6揭示先前之抑制輸出電晶體的漏電流的電壓調節器。先前的電壓調節器，係具備基準電壓電路103、差動放大電路104、輸出電晶體105、分壓電路106、漏電流汲取電路107。
差動放大電路104係比較基準電壓電路103所輸出的基準電壓VREF與分壓電路106所輸出的回授電壓VFB，以輸出端子102的輸出電壓VOUT保持所定電壓之方式控制輸出電晶體105的閘極電壓。
輸出電壓VOUT係以式(1)所示般，不依存於電源電壓而成為一定。
VOUT=(RS+RF)/RS×VREF…(1)
在此，RS表示電阻122的電阻值，RF表示電阻121
的電阻值。
在輸出端子102未連接負載的狀態，或連接輕負載的狀態下，差動放大電路104係以僅流通保持分壓電路106的輸出所需之電流，或者，可流通其電流加算輕負載電流分量的電流之方式，將輸出電晶體105的閘極-源極間電壓，以輸出電晶體105幾乎成為OFF狀態之方式進行控制。此時，流通於分壓電路106的電流Ifb，理想是成為式(2)。
Ifb=VREF/RS…(2)
使用流通於分壓電路106的電流Ifb，表現輸出電壓VOUT的話，則為式(3)。
VOUT=(RS+RF)×Ifb…(3)
但是，在高溫時，會流通輸出電晶體105的漏電流Ileak。漏電流Ileak係伴隨溫度的增加而指數性增加，所以無法無視，在輸出端子102未連接負載的狀態，或連接輕負載的狀態下，最後流入分壓電路106。
所以，式(3)係在高溫時成為式(4)。
VOUT=(RS+RF)×(Ifb+Ileak)…(4)
所以，因為漏電流Ileak的影響而輸出電壓VOUT上升，電壓調節器無法正常動作。因此，使用以空乏型NMOS電晶體111與NMOS電晶體112構成的漏電流汲取電路107，減低漏電流的影響(例如，參照專利文獻
1)。
[專利文獻1]日本特開2012-226421號公報
然而，先前的電壓調節器係常溫時也從輸出端子102流通電流至漏電流汲取電路107，所以有無法低消費電流化的課題。
本發明係有鑑於前述課題所發明者，提供具備可抑制高溫時之輸出電晶體的漏電流的影響，且常溫時可低消費電流化的漏電流汲取電路的電壓調節器。
為了解決先前的課題，本發明的電壓調節器如以下的構造。
具備：誤差放大電路，係將基準電壓電路所輸出的基準電壓，與對輸出電晶體輸出之輸出電壓進行分壓的分壓電路所輸出的回授電壓此兩者的差，予以放大並輸出，控制前述輸出電晶體的閘極；及漏電流汲取電路，係連接於電壓調節器的輸出端子，且具有溫度檢測手段，與流通藉由溫度檢測手段的輸出訊號所控制之漏電流的電晶體，在
常溫時並不動作，僅在高溫時從前述輸出端子抑制前述輸出電晶體之漏電流的影響。
本發明之具備漏電流汲取電路的電壓調節器，係常溫時不動作而可低消費電流化，高溫時汲取來自輸出電晶體的漏電流，可抑制漏電流的影響。又，藉由將構成漏電流汲取電路的元件，以NMOS電晶體與空乏型NMOS電晶體來統一組成，可抑制製程中的公差。
100‧‧‧接地端子
101‧‧‧電源端子
102‧‧‧輸出端子
103‧‧‧基準電壓電路
104‧‧‧差動放大電路
105‧‧‧輸出電晶體
106‧‧‧分壓電路
107‧‧‧漏電流汲取電路
111‧‧‧空乏型NMOS電晶體
112‧‧‧NMOS電晶體
113‧‧‧反相器
114‧‧‧NMOS電晶體
115‧‧‧空乏型NMOS電晶體
121‧‧‧電阻
122‧‧‧電阻
131‧‧‧空乏型NMOS電晶體
132‧‧‧NMOS電晶體
201‧‧‧NMOS電晶體
202‧‧‧NMOS電晶體
203‧‧‧保險絲
204‧‧‧保險絲
[圖1]揭示第一實施形態的電壓調節器的電路圖。
[圖2]揭示第二實施形態的電壓調節器的電路圖。
[圖3]揭示第三實施形態的電壓調節器的電路圖。
[圖4]揭示第四實施形態的電壓調節器的電路圖。
[圖5]揭示第五實施形態的電壓調節器的電路圖。
[圖6]揭示先前的電壓調節器的電路圖。
以下，針對本實施形態，參照圖面來進行說明。
圖1係揭示第一實施形態的電壓調節器的電路圖。第一實施形態的電壓調節器，係以基準電壓電路103、差動放大電路104、輸出電晶體105、分壓電路106、漏電流汲取電路107、接地端子100、電源端子101、輸出端子102構成。基準電壓電路103係以空乏型NMOS電晶體131與NMOS電晶體132構成。分壓電路106係以電阻121、122構成。漏電流汲取電路107係以空乏型NMOS電晶體111及115、NMOS電晶體112及114、反相器113構成。
空乏型NMOS電晶體131係閘極與源極連接於NMOS電晶體132的閘極及汲極與差動放大電路104的反轉輸入端子，汲極連接於電源端子101。NMOS電晶體132係源極連接於接地端子100。差動放大電路104係輸出端子連接於輸出電晶體105的閘極，非反轉輸入端子連接於電阻121之一方的端子與電阻122之一方的端子的連接點。輸出電晶體105係源極連接於電源端子101，汲極連接於輸出端子102及電阻121之另一方的端子。電阻122之另一方的端子連接於接地端子100。空乏型NMOS電晶體111係閘極連接於接地端子100，汲極連接於輸出端子102，源極連接於NMOS電晶體112的汲極與反相器113的輸入端子。NMOS電晶體112係閘極及源極連接於接地端子100。NMOS電晶體114係閘極連接於反相器113的輸出，汲極連接於輸出端子102，源極連接於空乏型NMOS電晶體115的汲極。空乏型NMOS電晶體115
係閘極及源極連接於接地端子100。
接著，針對第一實施形態的電壓調節器的動作進行說明。
常溫時，藉由NMOS電晶體112，輸出端子102與接地端子100之間不流通電流，空乏型NMOS電晶體111係在形成通道之狀態下啟動，所以，反相器113的輸入端子被輸入High。然後，反相器113輸出Low，使NMOS電晶體114成為OFF。如此一來，常溫時，漏電流汲取電路107不會流通消費電流。
高溫時，空乏型NMOS電晶體111係流通接面漏電流與NMOS電晶體112的截止漏電流，故反相器113的輸入端子的電壓降低，輸入Low。然後，反相器113係輸出High，使NMOS電晶體114成為ON，以可流通於空乏型NMOS電晶體115的電流分量，汲取來自輸出電晶體105的漏電流。如此一來，僅高溫時汲取輸出電晶體105的漏電流，可抑制漏電流的影響。
再者，空乏型NMOS電晶體的臨限值與NMOS電晶體的臨限值，係藉由在相同裝置中使用相同離子，改變濃度來進行注入，在因為裝置的離差而臨限值離差時，可抑制製程公差。
又，基準電壓電路103係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
又，雖未圖示，但是於NMOS電晶體112的汲極，串聯連接至少1個以上的連接閘極與汲極的空乏型
NMOS電晶體亦可。
又，反相器113的電源端子，係連接電源端子101或輸出端子102任一方亦可。
根據以上內容，第一實施形態的電壓調節器，係常溫時不使漏電流汲取電路107動作而可低消費電流化，且高溫時使漏電流汲取電路107動作而汲取輸出電晶體105的漏電流，可抑制漏電流的影響。
又，藉由將構成漏電流汲取電路107的元件，以空乏型NMOS電晶體與NMOS電晶體來統一組成，可抑制製程中的公差。
圖2係揭示第二實施形態的電壓調節器的電路圖。與圖1的不同，是在NMOS電晶體114的汲極連接於空乏型NMOS電晶體116的源極，空乏型NMOS電晶體116的閘極連接於接地端子100，汲極連接於輸出端子102之處。即使是此種構造，也可與第一實施形態同樣地動作。
再者，雖未圖示，但是，空乏型NMOS電晶體111的閘極連接於源極也可同樣地動作。又，基準電壓電路103係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
根據以上內容，第二實施形態的電壓調節器，係常溫時不使漏電流汲取電路107動作而可低消費電流化，且高溫時使漏電流汲取電路107動作而汲取漏電
流，可抑制漏電流的影響。又，藉由將構成漏電流汲取電路107的元件，以空乏型NMOS電晶體與NMOS電晶體來統一組成，可抑制製程中的公差。
圖3係揭示第三實施形態的電壓調節器的電路圖。與圖2的不同，是在空乏型NMOS電晶體116的源極與NMOS電晶體114的汲極之間插入電阻118，空乏型NMOS電晶體116的閘極連接於NMOS電晶體114的汲極之處。
接著，針對第三實施形態的電壓調節器的動作進行說明。
常溫時，藉由NMOS電晶體112，輸出端子102與接地端子100之間不流通電流，空乏型NMOS電晶體111係在形成通道之狀態下啟動，所以，反相器113的輸入端子被輸入High。然後，反相器113輸出Low，使NMOS電晶體114成為OFF。如此一來，常溫時，漏電流汲取電路107不會流通消費電流。
高溫時，空乏型NMOS電晶體111係流通接面漏電流與NMOS電晶體112的截止漏電流，故反相器113的輸入端子的電壓降低，輸入Low。然後，反相器113係輸出High，使NMOS電晶體114成為ON，以可流通於空乏型NMOS電晶體116的電流分量，汲取來自輸出電晶體105的漏電流。如此一來，僅高溫時汲取漏電流，
可抑制漏電流的影響。然後，汲取的電流量係利用修整來調整電阻118，可更高精度地抑制漏電流的影響。
再者，串聯連接代替電阻118連接有閘極與汲極之以非飽和動作的空乏型NMOS電晶體亦可。
又，基準電壓電路103係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
根據以上內容，第三實施形態的電壓調節器，係常溫時不使漏電流汲取電路107動作而可低消費電流化，且高溫時使漏電流汲取電路107動作而汲取漏電流，可抑制漏電流的影響。然後，利用修整電阻118，可更高精度地抑制漏電流的影響。
圖4係揭示第四實施形態的電壓調節器的電路圖。與圖1的不同，是在將NMOS電晶體114變更為PMOS電晶體119，刪除反相器113，於PMOS電晶體119的閘極連接於NMOS電晶體112的汲極之處。
接著，針對第四實施形態的電壓調節器的動作進行說明。
常溫時，藉由NMOS電晶體112，輸出端子102與接地端子100之間不流通電流，空乏型NMOS電晶體111係在形成通道之狀態下啟動，所以，PMOS電晶體119的閘極被輸入High，使PMOS電晶體119成為OFF。如此一來，常溫時，漏電流汲取電路107不會流通消費電流。
高溫時，空乏型NMOS電晶體111係流通接面漏電流與NMOS電晶體112的截止漏電流，故PMOS電晶體119的閘極的電壓降低，使PMOS電晶體119成為ON。然後，以可流通於空乏型NMOS電晶體115的電流分量，汲取來自輸出電晶體105的漏電流。如此一來，僅高溫時汲取漏電流，可抑制漏電流的影響。利用以PMOS電晶體119的閘極直接接受來自NMOS電晶體112的訊號，伴隨溫度增加而截止漏電流也會增加，PMOS電晶體119閘極-源極間電壓開啟，可流通從非飽和狀態汲取的電流。因此，可從溫度更低的狀態逐漸一點點汲取漏電流。又，元件數量會減少，故也可縮小面積。
再者，基準電壓電路103係只要是滿足本發明的動作者，不限定構造而作為任何構造亦可。
根據以上內容，第四實施形態的電壓調節器，係常溫時不使漏電流汲取電路107動作而可低消費電流化，且高溫時使漏電流汲取電路107動作而汲取漏電流，可抑制漏電流的影響。
圖5係揭示本發明的電壓調節器之其他例的電路圖。與圖1的不同，是追加NMOS電晶體201、202與保險絲203、204之處。
NMOS電晶體201係閘極及源極連接於接地端子100，汲極連接於保險絲203的一方的端子。保險絲203的另一方的端子連接於反相器113的輸入端子。NMOS電晶體202係閘極及源極連接於接地端子100，汲
極連接於保險絲204的一方的端子。保險絲204的另一方的端子連接於反相器113的輸入端子。其他與圖1相同。
圖5所示之電壓調節器，係利用修整保險絲203、204，可使漏電流汲取電路107與輸出電晶體105的相同溫度時所流通的漏電流成為最佳值，可調整汲取來自輸出電晶體105的漏電流的溫度。
再者，NMOS電晶體201、202、112係並聯連接3個，但是，並不是限定為3個，並聯連接4個以上亦可。又，圖5所示之構造係即使構成為圖2至圖4所示之電路，也可發揮相同的效果。
如以上所說明般，本發明的電壓調節器，係常溫時不使漏電流汲取電路107動作而可低消費電流化，且高溫時使漏電流汲取電路107動作而汲取來自輸出電晶體105的漏電流，可抑制漏電流的影響。
100‧‧‧接地端子
101‧‧‧電源端子
102‧‧‧輸出端子
103‧‧‧基準電壓電路
104‧‧‧差動放大電路
105‧‧‧輸出電晶體
106‧‧‧分壓電路
107‧‧‧漏電流汲取電路
111‧‧‧空乏型NMOS電晶體
112‧‧‧NMOS電晶體
113‧‧‧反相器
114‧‧‧NMOS電晶體
115‧‧‧空乏型NMOS電晶體
121‧‧‧電阻
122‧‧‧電阻
131‧‧‧空乏型NMOS電晶體
132‧‧‧NMOS電晶體
Claims (4)
- 一種電壓調節器，其特徵為具備：誤差放大電路，係將基準電壓電路所輸出的基準電壓，與對輸出電晶體輸出之輸出電壓進行分壓的分壓電路所輸出的回授電壓此兩者的差，予以放大並輸出，控制前述輸出電晶體的閘極；及漏電流汲取電路，係連接於電壓調節器的輸出端子，且具有溫度檢測手段，與流通藉由前述溫度檢測手段的輸出訊號所控制之漏電流的電晶體，在常溫時並不動作，僅在高溫時從前述輸出端子抑制前述輸出電晶體之漏電流的影響。
- 如申請專利範圍第1項所記載之電壓調節器，其中，前述漏電流汲取電路，係以以下方式構成：前述溫度檢測手段係具備：第一電晶體，係閘極與源極連接於接地端子；及第二電晶體，係閘極連接於接地端子，汲極連接於前述輸出端子，源極連接於前述第一電晶體的汲極；流通前述漏電流的電晶體係具備：第三電晶體，係因應前述第二電晶體之源極的電壓而ON/OFF；及第四電晶體，係連接於前述第三電晶體，從前述輸出端子流通漏電流。
- 如申請專利範圍第2項所記載之電壓調節器，其 中，前述第四電晶體，係汲極連接於前述輸出端子，閘極與源極之間連接電阻，閘極連接於前述第三電晶體的汲極。
- 如申請專利範圍第2項或第3項所記載之電壓調節器，其中，前述第一電晶體，係可利用修整來調整電晶體尺寸。
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| JP3825300B2 (ja) * | 2001-10-31 | 2006-09-27 | Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 | 内部降圧回路 |
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| JP2004152092A (ja) * | 2002-10-31 | 2004-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電圧源回路 |
| JP2005011133A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Mitsumi Electric Co Ltd | ボルテージレギュレータ |
| US7221213B2 (en) * | 2005-08-08 | 2007-05-22 | Aimtron Technology Corp. | Voltage regulator with prevention from overvoltage at load transients |
| JP4836599B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-12-14 | 株式会社リコー | ボルテージレギュレータ |
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| US7573323B2 (en) * | 2007-05-31 | 2009-08-11 | Aptina Imaging Corporation | Current mirror bias trimming technique |
| TWI377460B (en) * | 2008-09-02 | 2012-11-21 | Faraday Tech Corp | Reference current generator circuit for low-voltage applications |
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| US8710812B1 (en) * | 2009-01-27 | 2014-04-29 | Xilinx, Inc. | Regulating a supply voltage provided to a load circuit |
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| US9280169B2 (en) * | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Epcos Ag | Voltage regulator and a method for reducing an influence of a threshold voltage variation |
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