TW201533268A - 表面處理溶液 - Google Patents

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Abstract

提供用於鍍金或金合金之表面處理溶液和處理方法，其有效抑制從形成於該金或金合金鍍膜上之針孔腐蝕下方金屬或基板金屬。 [解決方式]使包含二硫化物之表面處理溶液接觸金或金合金之鍍膜。下式(2)所表示之化合物係較佳作為該二硫化物。 X1O3S-R3-S-S-R4-SO3X2 (2)於該式中，R3和R4獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之伸烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀伸烷基基團、或伸苯基基團，R3和R4可獨立經一個或多個選自烷基基團、鹵素原子、羥基基團、或烷氧基基團之取代基取代，以及X1和X2表示單價陽離子。

Description

表面處理溶液
本發明係關於用於形成在金屬上之鍍金或金合金之表面處理方法以及用於此方法之表面處理溶液。更具體而言，本發明係關於一種用於金或金合金鍍膜之密封方法，其有效抑制從形成於該金或金合金鍍膜上之針孔腐蝕下方金屬以及密封劑。
近年來，因為其焊料(solder)之濕潤延展性(wetting spreadability)、電氣性質、抗腐蝕性、抗磨性等，鍍金或金合金已被廣泛使用於電子設備及電子組件中，尤其用於保護電子組件之連接端子等。鍍金亦被使用作為半導體元件之電極端子之表面處理，以及作為電子組件如連接電子設備之連接器(connector)之表面處理。考慮到連接電子設備之連接器之應用性，被使用作為表面處理之金鍍膜必須具有焊料濕潤延展性、抗腐蝕性、抗磨性及導電性。
然而，由於金價昂貴，其用量必須維持於低用量。儘管如此，當為了維持低的金用量而使金鍍膜變薄時，於金鍍膜中之針孔會增加。這些針孔導致諸如因水、氯化物和其他此類腐蝕性物質之滲透所致金鍍膜之基板腐 蝕、接觸電阻提高及可靠度降低之問題。
實施為了避免腐蝕之被稱為密封(sealing)的處理以解決此問題。例如，日本公開第2003-129257號(JP Kokai 2003-129257)中描述一種水系(water-based)之密封劑，其包含：選自苯并三唑化合物、巰基苯并噻唑(mercaptobenzothiazole)化合物、或三硫醇(triazinethiol)化合物之抑制劑，介面活性劑，以及胺類化合物。日本公開第2000-17483號中描述一種方法，係使表面擁有含金金屬膜之基板接觸含有苯并噻唑或其衍生物之水溶液，並於該基板表面形成抗腐蝕性之膜。日本公開第2000-15743號中描述一種藉由於金或金合金鍍層上形成由包含硫醇基基團(-SH)之有機化合物所組成之有機材料鍵結層，並亦於其頂部形成潤滑層所獲得之鍍覆材料。
然而，這些方法不具有足夠的抗腐蝕效果，並且需要具有更高抗腐蝕效果之表面處理試劑。
因此，本發明之目標係為提供用於金或金合金鍍膜之表面處理試劑，其係比起先前技術具有較好之抗腐蝕效果，同時不對如焊料濕潤延展性、抗腐蝕性、抗磨性、導電性等造成傷害，以及表面處理方法。
由於深入研究的結果，本發明之發明人發現，包含至少一種二硫化物之表面處理溶液，可藉由使其與形成在金屬上之金或金合金鍍膜接觸而有效地避免下方金屬之腐蝕且不對鍍金或金合金之特性造成傷害，從而完 善本發明。
具體而言，本發明之一個具體實施例係關於形成在金屬上之金或金合金鍍膜之表面處理方法，其中該表面處理方法包括使該金或金合金鍍膜接觸包含至少一種二硫化物之表面處理試劑之步驟。
本發明另一個具體實施例係關於處理形成在金屬上之金或金合金鍍膜之表面之表面處理溶液，其中該表面處理溶液之特徵在於包含至少一種由下式(1)所表示之二硫化物R1-S-S-R2 (1)其中R1和R2獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀烷基基團、具有6至10個碳原子之芳基基團、或N,N-二烷基胺硫甲醯基(N,N-dialkylthiocarbamoyl)基團，R1和R2可獨立經一個或多個選自烷基基團(例如具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈之烷基基團)，鹵素原子，羥基基團，烷氧基基團(例如具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈之烷氧基基團)，磺酸酯基團或其鹽之取代基取代。
本發明又另一個具體實施例為於形成在金屬上之金或金合金鍍膜之表面上形成膜之方法，其中該方法之特徵在於包括使金或金合金鍍膜接觸包含至少一種二硫化物之表面處理溶液之步驟。
於本說明書中，℃意指攝氏溫度；g/L意指每公升公克數；mg/L意指每公升毫克數；μm意指微米；ASD意指A/dm2意為每公寸安培數以及mA意指毫安培。此外，百分比(%)意指重量百分比(wt%)，除非於本說明書中另有註明。本說明書中，“烷基”和“伸烷基”包括具有直鏈、分支鏈或環狀部分(moiety)或此些部分之組合之飽和烴基團。
本發明之表面處理方法之特徵在於：於形成在金屬上之金或金合金鍍膜和包含至少一種二硫化物之表面處理溶液間產生接觸。本發明之表面處理可為金或金合金鍍膜之密封。本發明之表面處理可為金或金合金鍍膜之下方金屬之抗腐蝕處理。下方金屬之實例包括鎳及其合金。
二硫化物意指具有-S-S-鍵結之有機化合物。至少一種二硫化物之使用使得能獲得較之透過雜環化合物或具有硫醇基基團之化合物之使用來得更好之抗腐蝕效果。
由以下通式(1)表示之化合物為二硫化物中較佳者。
R1-S-S-R2 (1)
於該式中，R1和R2獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀烷基基團、具有6至10個碳原子之芳基基團、或N,N-二烷 基胺硫甲醯基基團，R1和R2可獨立經一個或多個選自烷基基團(例如具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈之烷基基團)，鹵素原子，羥基基團，烷氧基基團(例如具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈之烷氧基基團)，磺酸酯基團或其鹽之取代基取代。R1和R2之烷基基團較佳具有1至6個碳原子。鍵結至該N,N-二烷基胺硫甲醯基基團之N之二個烷基基團為具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈烷基基團；此二個烷基可為相同或不同。
R1和R2之實例包括甲基基團、乙基基團、丙基基團、丁基基團、戊基基團、己基基團、環己基基團、辛基基團、癸基基團、和其他此類烷基基團；羥甲基基團、羥乙基基團、羥丙基基團、羥丁基基團、羥己基基團、羥基環己基基團、羥辛基基團、羥癸基基團、和其他此類經羥基基團取代之烷基基團；苯基基團、苄基基團、3-甲基苯基基團、4-甲基苯基基團、和其他此類芳基基團；其中上述之芳基基團中之部分已經羥基基團取代之芳基基團；磺甲基基團、磺乙基基團、磺丙基基團、磺丁基基團、3-苯基磺酸酯基團、4-苯基磺酸酯基團、和其他此類經磺酸酯基團取代之烷基或芳基基團；N,N-二甲基胺硫甲醯基基團、N,N-二乙基胺硫甲醯基基團、和其他此類N,N-二烷基胺硫甲醯基基團。
較佳地，R1和R2中至少一者經磺酸酯基團或其鹽取代。磺酸之鹽意指鈉鹽、鉀鹽、鈣鹽、鋇鹽等鹽類。再者，R1和R2皆較佳經磺酸酯基團或其鹽取代。
由下通式(2)所表示之二硫化物可作為當R1和R2皆經磺酸酯基團或其鹽取代時之實例。
X1O3S-R3-S-S-R4-SO3X2 (2)
於通式(2)中，R3和R4獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之伸烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀伸烷基基團、或伸苯基基團，R3和R4可獨立經一個或多個選自烷基基團(例如具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈之烷基基團)，鹵素原子，羥基基團，或烷氧基基團(例如具有1至5個碳原子之直鏈或分支鏈之烷氧基基團)之取代基取代。當R3和R4為伸烷基基團時，其較佳具有1至6個碳原子，更佳為1至4個。當R3和R4為環狀伸烷基基團時，其較佳具有3至6個碳原子，更佳為3或4個。R3和R4之實例包括亞甲基、伸乙基、伸丙基和伸丁基。X1和X2表示單價陽離子；實例包括氫離子、鈉離子、鉀離子等。
較佳二硫化物之實例包括雙-(3-磺丙基)二硫化物(bis-(3-sulfopropyl)disulfide)和其鈉鹽或鉀鹽、2-羥乙基二硫化物、甲基丙基二硫化物、甲基苯基二硫化物和類似物。雙-(3-磺丙基)二硫化物和其鈉鹽或鉀鹽為這些當中最佳者。一種或多種二硫化物亦可混合使用。
本發明之表面處理溶液可藉由將二硫化物溶解於溶劑中而製備。該溶劑只需可溶解該二硫化物，對之並無特別限定。可使用水或水和有機溶劑之混合溶劑。水或水和可與水混溶之有機溶劑之混合溶劑為較佳。甚至 更佳之溶劑為水。
本發明之表面處理溶液中二硫化物之含量較佳為0.01g/L或更高，更佳為0.1g/L或更高，以及理想為0.5g/L或更高。二硫化物之含量亦較佳為30g/L或更低，更佳為10g/L或更低，以及理想為5g/L或更低。
本發明之該表面處理溶液亦可包含一種或多種介面活性劑、pH調整劑或其他此類視需要之組成分。
雖任何種類之介面活性劑可被使用，然非離子型介面活性劑為較佳。介面活性劑主要扮演本發明之表面處理溶液中潤濕劑之角色。較佳非離子型介面活性劑之實例包括聚乙二醇、聚氧伸烷基單丁基醚(polyoxyalkylene monobutyl ether)、聚氧伸丙基二醇(polyoxypropylene glycol)以及乙二醇-丙二醇嵌段聚合物(block polymers)。
pH調整劑係用於調整本發明之表面處理溶液至期望之pH值。可使用任何pH調整劑，如鹽酸、硝酸、硫酸、磷酸、檸檬酸、氫氧化鉀或氫氧化鈉或其他此類金屬氫氧化物、碳酸鈉、其他此類碳酸鹽類和類似物。
本發明之表面處理溶液之pH值較佳為3或更高、更佳為4或更高。本發明之表面處理溶液之pH值亦較佳為14或更低，更佳為12或更低。
本發明之表面處理期間之溫度較佳為10℃或更高，更佳為20℃或更高，以及較佳為60℃或更低，更佳為45℃或更低。
本發明之表面處理溶液與金或金合金鍍膜 間之接觸時間較佳為0.1秒或更多，更佳為1秒或更多，以及較佳為300秒或更少，更佳為60秒或更少。
本發明之表面處理溶液之接觸可利用任何方法完成。例如，表面處理溶液可被施用至或噴灑至金或金合金鍍膜上。或者，金或金合金鍍膜可被浸於表面處理溶液中。雖然如日本公開第2003-129257號中所描述，電解可於本發明之表面處理溶液和金或金合金鍍膜間接觸期間進行，於使用本發明之表面處裡溶液之方法中電解並非必要，且僅藉由接觸無須電解即可獲得足夠的效果。
本發明之表面處理溶液和金或金合金鍍膜間接觸之後，其較佳係在使用空氣槍或例如其係不經水或類似物清洗者除去該表面處理溶劑之後，實施乾燥。
本發明之施用之對象之實例為在下方層或基板中具有鎳或其合金之金或金合金鍍覆層。當有在表面之金或金合金鍍膜上之針孔中出現水、氯化物、硫化物、氰化物、氮化物、銨鹽或其他此類腐蝕性物質之此類情形時，作為下方金屬或基板金屬之鎳或鎳合金或類似物會被洗出(腐蝕)，且經腐蝕之材料沉積於該表面，可能傷害該外觀、降低焊料濕潤性、提高接觸電阻以及導致其他此類問題。本發明係對避免此類問題有效。
本發明之表面處理方法和表面處理溶液可被使用於具有形成在金屬上之金或金合金鍍覆膜之物品之表面處理。本發明所施用之物品之實例包括具有金鍍覆膜或金合金鍍覆膜之連接器(connectors)、開關和印刷電路板。
操作實施例
現基於以下操作實施例說明本發明，但這些操作實施例絕不限制本發明之範疇於此。
測試方法 1.硝酸通氣測試(Nitric acid aeration test)
硝酸通氣測試係依據美國國家標準協會電子工業聯盟之EIA/ECA-364-26B測試規範(Electronic Industries Alliance(EIA)of the United States standard EIA/ECA-364-26B)實施。具體而言，於具有60%或更少之濕度和23±2℃之室溫之環境中，於乾燥器中(AS ONE公司製造)，將70%硝酸(日本關東化學有限公司(Kanto Chemical Co.,Ltd.)製造，保證級試劑)以50mL/L之量置於乾燥器中，關上蓋子並允許靜置30±5分鐘。該測試樣品接著被安置於樣品座並快速地放入該乾燥器中。靜置在該乾燥器中2小時±5分鐘後，將其移出，隨即放入125±5℃空氣循環烘箱(愛思佩克公司(Espec Corp.)製造，型號IPHH-201)中，並靜置等待10至15分鐘。該樣品被移出該烘箱，冷卻至室溫，並於一小時內評估。於評估中，藉由顯微鏡(由奧林巴斯製造，型號BX51M)於10×放大倍率下，測量1公分×1公分範圍中可辨認的腐蝕。
2.焊料濕潤延展性測試
將測試樣品置於回流熔爐(日本脈衝技術研究所(Japan Pulse Laboratories,Inc)製造，型號RF-330)中以260℃加熱一分鐘，執行三次以引發加速衰退(accelerated degradation)。 將經施用惰性松香助焊劑(rosin flux)之測試樣品浸入包含96.5%錫、3.0%銀和0.5%銅且加熱至245℃之焊料槽中4秒。藉由檢查暴露之焊料範圍和下方層範圍之比例而評估該樣品。
3.接觸電阻測試
製備未經熱處理以及經熱處理(於回流熔爐中260℃ 1分鐘三次)之測試樣品。使用接觸電阻測量系統MS880(K.S.Electric Parts Institute製造)固定該些樣品並於1mA電流值，1g荷重(load)下測量。
操作實施例1和2以及比較例1至6 流程
將具有鍍鎳於其表面之銅板(100mm×67mm，厚度0.3mm，用於赫耳電池之負極板(negative plate)，山本鍍金試驗器股份有限公司(Yamamoto-MS Co.,Ltd.)製造)切割成25mm×67mm，厚度0.3mm。使用Ronovel CS-200(金電鍍溶液，陶氏電子公司(Dow Electronics)製造)於20A/dm，60℃進行電鍍7秒，並形成0.38μm厚之金鍍膜。於室溫下以純水清洗一分鐘後，將該板於25℃浸入如下所列之各操作實施例或比較例之表面處理溶液中5秒。
移出該經處理片後，該液體係藉由空氣槍以0.2MP之壓力移除，並其後使用乾燥機乾燥5秒。
使處理後所得之該金鍍膜接受下列測試。
表面處理之實施係根據上述流程，使用藉由將該下表1中所列化合物溶解於水中而得所稱濃度後獲 得之表面處理溶液。使所得之經處理之金鍍膜接受硝酸通氣測試。該結果呈現於表1。
經雙-(3-磺丙基)二硫化二鈉(操作實施例1)和二乙基二硫代胺甲酸酯硫基丙烷磺酸(操作實施例2)表面處理者，相較於未經表面處理溶液表面處理者(比較例1)，該腐蝕數量顯著減少。本發明之表面處理溶液亦被理解比起先前技術參考文獻中所述使用巰基苯并噻唑(比較例2)所得者具有較好之腐蝕抑制效果。
操作實施例3
製備下列組成物之表面處理溶液。
表面處理溶液A
(水溶液pH=11)
於如上流程所描述之鍍金期間以5,10,20,30,40和50 ASD(安培/平方公寸)電流密度生產測試樣品，並依照以上流程使用表面處理溶液A執行表面處理。
使經處理後之金鍍膜接受硝酸通氣測試。該結果顯示於表2。
比較例7
執行如操作實施例3之該相同程序，除了操作實施例3之該表面處理溶液未被使用。該結果係顯示於表2。
操作實施例4至6以及比較例8
製備該下列組成物之表面處理溶液。
表面處理溶液B
(水溶液pH=11)
表面處理溶液C
(水溶液pH=11)
除了改使用表面處理溶液A(操作實施例5)、表面處理溶液B(操作實施例4)或表面處理溶液C(操作實施例6)外，經如操作實施例1相同程序處理金鍍膜後，焊料濕潤延展性和接觸電阻係以上述測試方法測量。結果顯示於表3和4。該焊料濕潤延展性亦使用根據以上描述於操作實施例1中之流程其中鍍金之鍍覆時間0.8秒(金鍍膜厚度0.0254μm)之樣品測試。其中未實施表面處理之樣品被當作比較例8。該結果呈現於表3和4。
自表3中顯而易見，本發明之該表面處理溶液具有和未處理者相當的焊料濕潤延展性，且被理解其不會抑制焊料濕潤能力(wettability)。自表4中亦顯而易見，經本發明之表面處理溶液處理者雖然該接觸電阻為12mΩ較高於未處理者，但仍理解為充分地在實用範圍內。

Claims (7)

  1. 一種形成在金屬上之金或金合金鍍膜之表面處理方法，其中該表面處理方法包括使該金或金合金鍍膜接觸包含至少一種二硫化物之表面處理溶液之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理方法，其中該二硫化物係由下列式(1)表示：R1-S-S-R2 (1)該式中，R1和R2獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀烷基基團、具有6至10個碳原子之芳基基團、或N,N-二烷基胺硫甲醯基基團，R1和R2可獨立經一個或多個選自烷基基團、鹵素原子、羥基基團、烷氧基基團、磺酸酯基團或其鹽之取代基取代。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之表面處理方法，其中該二硫化物係由下列式(2)所表示：X1O3S-R3-S-S-R4-SO3X2 (2)該式中，R3和R4獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之伸烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀伸烷基基團、或伸苯基基團，R3和R4可獨立經一個或多個選自烷基基團、鹵素原子、羥基基團、或烷氧基基團之取代基取代，以及X1和X2表示單價陽離子。
  4. 一種處理形成在方法上之金或金合金鍍膜之表面之表面處理溶液，其中該表面處理溶液之特徵在於包含至少一種由下列式(1)所表示之二硫化物： R1-S-S-R2 (1)該式中，R1和R2獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀烷基基團、具有6至10個碳原子之芳基基團、或N,N-二烷基胺硫甲醯基基團，R1和R2可獨立經一個或多個選自烷基基團、鹵素原子、羥基基團、烷氧基基團、磺酸酯基團或其鹽之取代基取代。
  5. 一種處理形成在金屬上之金或金合金鍍膜之表面之表面處理溶液，其中該表面處理溶液之特徵在於包含至少一種由下列式(2)所表示之二硫化物：X1O3S-R3-S-S-R4-SO3X2 (2)該式中，R3和R4獨立表示具有1至10個碳原子之直鏈或分支鏈之伸烷基基團、具有3至10個碳原子之環狀伸烷基基團、或伸苯基基團，R3和R4可獨立經一個或多個選自烷基基團、鹵素原子、羥基基團、或烷氧基基團之取代基取代，以及X1和X2表示單價陽離子。
  6. 如申請專利範圍第4或5項所述之表面處理溶液，其復包含一種或多種非離子型介面活性劑。
  7. 一種於形成在金屬之表面上之金或金合金鍍膜之表面上形成膜之方法，其中該方法之特徵在於包括於該金或金合金鍍膜和包含二硫化物之表面處理溶液間產生接觸之步驟。
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