TWI477661B

TWI477661B - 防止銀失澤之方法

Info

Publication number: TWI477661B
Application number: TW102106659A
Authority: TW
Inventors: 阿道夫福耶; 王章貝林格; 麥可Ｐ圖本; 瓊納斯辜貝
Original assignee: 羅門哈斯電子材料有限公司
Priority date: 2012-02-29
Filing date: 2013-02-26
Publication date: 2015-03-21
Also published as: JP6108870B2; KR20190129801A; US9145616B2; US20130224515A1; CN103361682B; KR102173930B1; KR20130099879A; JP2013181248A; CN103361682A; EP2634292B1; EP2634292A1; TW201343980A

Description

防止銀失澤之方法

本發明係有關一種經由於銀上電鍍銦金屬而防止銀失澤(tarnishing)之方法。更具體地，本發明係有關一種經由於銀上鍍覆銦金屬而防止銀失澤並提供高導電度之銦和銀複合材料層之方法。

銀失澤係通過多種機制而發生。一般，此種銀失澤導致銀表面上之視覺上所不能接受之不美觀層。銀失澤之主要產物為經由硫化物之存在(諸如存在大氣中之硫化氫)而造成之硫化銀。其反應機制為8Ag+4HS^- 4Ag₂ S+2H₂ +4e^- 及O₂ +2H₂ O+4e^- 4OH^- 。咸信第一個反應發生於銀表面上之水薄膜中。在乾燥空氣中，不會發生失澤。第二個反應中，氧作為陰極物質並如方程式中所示消耗電子。較高濃度之硫化氫增加失澤。雖然失澤速率隨著失澤層的增厚而逐漸下降，但是即使在嚴重失澤的表面上反應仍進行著，因為，由於其粗糙之結構，硫化銀並未形成對抗表面腐蝕之保護層。當相對濕度(rh)在5及50%之間時，表面上之吸收水量約為固定且反應速率穩定。然而，在70及80%rh之間時，表面濕度增加而迅速地加快反應。

多年來珠寶及電子產業曾做過多種嘗試以解決銀失澤之問題。U.S.1,934,730揭露一種經由形成55.5%之銀、36%之銦及8.5%之金之合金而防止銀失澤之方法。因為銀與銦之合金通常會使合金形成不理想的藍色調，所以添加金作為合金金屬之一。然而，因為金的高價，產業上不鼓勵使用此種合金。許多常用的方法將銀塗佈一層來自六價鉻電解質之鉻。然而，此種方法由於鉻對產業工人以及環境之危險性及毒性之特質而受到嚴格限制。有機抗失澤膜(諸如自組裝之有機硫醇化分子(諸如正烷基硫醇及硫基芳香族分子(thioaromatic molecules)))之單層已在某些實例中作為取代者使用但是其通常缺乏熱安定性且有機膜之潤滑性質進一步限制其之用途諸如在施用溫度相對較高或不想要潤滑效果之情況。例如，射頻(RF)連接器之應用中潤滑效果可能造成兩配件間非所欲的振動。

U.S.2011/0151276揭露一種經由物理或化學之氣相沉積法沉積90至99wt%之銀及1至10wt%之銦之銀和銦合金而抑制銀失澤之方法。可將SiO₂ 、TiO₂ 或Al₂ O₃ 之氧化物層塗佈於銀和銦合金上而進一步改善失澤之抑制。經由物理或化學之氣相沉積法沉積金屬的缺點為在具有不規則幾何形狀之部件(諸如管的內表面)上沉積金屬是困難。此外，經由物理或化學之氣相沉積法沉積金屬比經由鍍覆昂貴。

TW 201103177揭露一種經由在銀上面鍍覆銦層，隨後於150℃至600℃溫度加熱而形成銀和銦合金而抑制銀失澤之製程。

雖然有抑制銀失澤之方法，仍然需要有抑制銀失澤之改善方法。

一種方法，其包括提供包含銀層之基材；及相鄰於該銀層電鍍銦層，而於該基材上形成銦和銀複合材料，該複合材料具有5 mOhms或較少之接觸電阻。

一種物件，其包含由相鄰於銀層之5至50nm厚之銦層所構成之複合材料層，該複合材料層之接觸電阻為5 mOhms或較少。

銦層抑制銀層失澤而同時不會有損銀之美學方面、延展性、耐磨性或電學特性。該方法將實質上純之銦金屬層電鍍於銀上面。銦層未改變銀之顏色或形態，因此該複合材料在含有銀的珠寶製作上是所欲的。此外，銦和銀複合材料具有低接觸電阻。據此，其於下列者中係高度理想：於使用在電子元件中，該電子元件通常使用銀，及於失澤會抵損電器裝置，諸如電源連接器、發光二極體及RF連接器之電學性能之情況中。

該方法亦提供更有效及環保的方式來解決銀失澤之問題。可避免使用六價鉻之高危險性鉻塗佈方法。亦可避免使用物理及化學之氣相沉積製程以銦塗佈銀之較昂貴及複雜的方法。不再需要昂貴之氣相沉積設備，反而而以成本較低之電鍍設備作為替代。該方法亦使銦和銀複合材料在高溫下比缺乏熱安定性之常見有機抗失澤膜更安定。

如本說明書全文中所使用者，除了內文中有明確另行指出者之外，下文給出之縮寫具有下列意義：℃=攝氏度；g=公克；mg=毫克；L=公升；m=公尺；A=安培；dm=分米；μm=微米(micro)=微米(micrometer)；cN=厘牛頓；ppm=百萬分率；ppb=十億分率；mm=毫米；M=莫耳濃度；mOhms=毫歐姆=電阻；LIP=光誘導電鍍；XRF=X射線螢光；IC=積體電路；及EO=環氧乙烷。

本說明書全文中，術語“電鍍”及“鍍覆”可互換地使用。除非另有說明，全部量為重量百分率及所有比率以重量計。全部數值範圍係包括邊值且可以任意次序組合，除了邏輯上此等數值範圍之加和受限為100%。

相鄰於銀電鍍銦金屬層而形成區別銦層與區別銀層之複合材料，並且防止或抑制銀層失澤。銦層無減損銀之顏色及形態方面。複合材料係均勻的及實質上平滑如經電鍍之純銀。據此，可使用經銦塗佈之銀於保護珠寶及其他用於審美目的之含銀物件。此外，銦層無減損銀之電學特性。銀廣泛地使用為電子裝置，諸如電源連接器、發光二極體(LED)及RF連接器、印刷電路板、汽車零件、航空系統及其他電子裝置之組件。在此種電氣組件及裝置之最佳性能中有效之導電度是關鍵。一般，銦和銀複合材料層之接觸電阻為5 mOhms或較少，較佳為銦和銀複合材料之接觸電阻為1 mOhm至5 mOhms。在高溫150℃及更高溫(通常為150℃至300℃)下，，銦和銀複合材料保持其電氣特性。據此，含有銦和銀複合材料之物件或組件可用在可能暴露於高溫環境之電子裝置中。

通常銀為在基材上的薄層或塗層，該基材諸如金屬、金屬合金、半導體晶圓、經由一種或多種所屬領域所熟知之常用方法作成導電性之電介質或非導電材料。可取決於物件或組件而經由常用之方法將銀沉積於基材上。常用之方法包含，但不限於，電鍍、LIP或光輔助電鍍、無電鍍覆、浸鍍及物理或化學之氣相沉積。當沉積銀於基材上時，可使用常用之銀浴和調配物沉積銀，該等銀浴和調配物中之多種類型調配物為所屬領域周知。較佳，經由鍍覆，諸如電鍍、無電電鍍或浸鍍，而沉積銀。更佳，經由電鍍而沉積銀。銀調配物之具體類型可依基材類型、沉積方式及所需銀沉積物之厚度而變化。一般，銀層厚度可在0.05μm至1mm之間。

相鄰於銀層之銦層的厚度在5至50nm厚之間。較佳，銦層為10至20nm厚。更佳，銦層為10至15nm厚。較佳，自低濃度銦離子浴電鍍銦。低濃度銦離子浴較佳，因為其使得電鍍所需厚度之銦層於銀上而形成複合材料之較好的控制成為可能。銦電鍍浴包含一種或多種可溶於水性環境之銦離子來源。

銦離子來源包含，但不限於，烷基磺酸類及芳香族磺酸類(諸如甲烷磺酸、乙烷磺酸、丁烷磺酸、苯磺酸及甲苯磺酸)之銦鹽類、胺基磺酸鹽類、硫酸鹽類、銦之氯化物及溴化物鹽類、硝酸鹽類、氫氧化物鹽類、氧化銦類、氟硼酸鹽類、羧酸(諸如，檸檬酸、乙醯乙酸、乙醛酸、丙酮酸、乙醇酸、丙二酸、氧肟酸、亞胺基二乙酸、水楊酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、羥丁酸)之銦鹽類、胺基酸(諸如精胺酸、天門冬胺酸、天門冬醯胺酸、麩胺酸、甘胺酸、麩醯胺酸、白胺酸、離胺酸、蘇胺酸、異白胺酸及纈胺酸)之銦鹽類。通常，銦離子來源為硫酸、烷基磺酸類、芳香族磺酸類及羧酸類之一種或多種銦鹽。更典型地，銦離子來源為硫酸及烷基磺酸之一種或多種銦鹽類。

電鍍浴中包含足夠量之水溶性銦鹽，以提供有所需厚度及複合材料表面電阻率之銦沉積物。雖然浴中可包含水溶性銦鹽以提供0.5 g/L至100 g/L量之銦離子(3⁺ )，較佳為電鍍浴中包含水溶性銦鹽以提供0.5 g/L至10 g/L量之銦離子(3⁺ )，更佳為1 g/L至6 g/L。較佳之較低銦離子濃度使於銀上鍍覆銦之電鍍方法得到較佳控制變得可能，以提供有所需厚度及複合材料表面電阻率之銦沉積物。

銦電鍍浴亦包含一種或多種添加物。銦浴中包含此種添加物以調整浴，而幫助提供有所需厚度及表面形態之銦層。

銦浴中包含之緩衝劑或導電鹽類可為一種或多種酸類而提供pH 0至5，較佳為pH 0.5至3(更佳1至1.5)。此種酸類包含，但不限於，烷基磺酸類、芳基磺酸類，諸如甲烷磺酸、乙烷磺酸、苯磺酸、甲苯磺酸、胺基磺酸、硫酸、鹽酸、氫溴酸、氟硼酸、硼酸、羧酸類諸如檸檬酸、乙醯乙酸、乙醛酸、丙酮酸、乙醇酸、丙二酸、氧肟酸、亞胺基二乙酸、水楊酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸及羥丁酸、胺基酸類(諸如精胺酸、天門冬胺酸、天門冬醯胺酸、麩胺酸、甘胺酸、麩醯胺酸、白胺酸、離胺酸、蘇胺酸、異白胺酸及纈胺酸)。亦可使用該等酸類之一種或多種相對應鹽類。通常，使用一種或多種硫酸、烷基磺酸類、芳基磺酸類及羧酸類作為緩衝劑或導電鹽。更典型地，使用一種或多種硫酸、烷基磺酸類及芳基磺酸類或其之相對應鹽類。

使用足夠量之緩衝劑或導電鹽，以提供組成物所需pH。通常，緩衝劑或導電之使用量為5 g/L至50 g/L，或諸如10 g/L至40 g/L，或諸如15 g/L至30 g/L浴。

較佳為銦電鍍浴中包含一種或多種氫抑制劑，以抑制銦金屬電鍍期間之氫氣形成。氫抑制劑為驅使水分解之電位(水分解為氫氣之來源)來到更陰極之電位之化合物而使得銦金屬可在無排放氫氣之同時電鍍。這增加在陰極銦鍍覆之電流效率，而且使形成外觀平滑及均勻之銦層。可使用所屬領域及文獻周知之循環伏安法(CV)研究，以顯示此製程。通常，不含一種或多種氫抑制劑之水性銦電鍍浴形成外觀粗糙且不平整之銦沉積物。此種沉積物不適用於電子裝置。通常沒有銦沉積物是由此種電鍍浴所形成。

氫抑制劑為表鹵代醇共聚物。表鹵代醇包含表氯醇及表溴醇。通常，使用表氯醇共聚物。此種共聚物為表氯醇或表溴醇及一種或多種包含氮、硫、氧原子或其組合之有機化合物之水溶性聚合產物。

可與表鹵代醇共聚的含氮有機化合物包含，但不限於：(1)脂肪鏈胺類；(2)具有至少兩個反應性氮位置之未經取代之雜環氮化合物；及，(3)具有至少兩個反應性氮位置及具有1至2個選自烷基、芳基、硝基、鹵素及胺基之取代基之經取代之雜環氮化合物。脂肪鏈胺類包含，但不限於，二甲胺、乙胺、甲胺、二乙胺、三乙胺、乙二胺、二伸乙基三胺、丙胺、丁胺、戊胺、己胺、庚胺、辛胺、2-乙基己胺、異辛胺、壬胺、異壬胺、癸胺、十一胺、十二胺、十三胺及烷醇胺類。

具有至少兩個反應性氮位置之未經取代之雜環氮化合物包含，但不限於，咪唑、咪唑啉、吡唑、1,2,3-三唑、四唑、噠嗪(pyradazine)、1,2,4-三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-噻二唑及1,3,4-噻二唑。

具有至少兩個反應性氮位置及具有1至2 個取代基之經取代雜環氮化合物包含，但不限於，苯并咪唑、1-甲基咪唑、2-甲基咪唑、1,3-二甲基咪唑、4-羥基-2-胺基咪唑、5-乙基-4-羥基咪唑、2-苯基咪唑啉及2-甲苯基咪唑啉。

通常，表鹵代醇共聚物是使用一種或多種併入1或2個選自甲基、乙基、苯基及胺基之取代基之化合物形成，該等化合物係選自下列者：咪唑、吡唑、咪唑啉、1,2,3-三唑、四唑、噠嗪、1,2,4-三唑、1,2,3-噁二唑、1,2,4-噻二唑及1,3,4-噻二唑及其衍生物。

某些表鹵代醇共聚物可購自市售者，諸如，購自Raschig GmbH,Ludwigshafen Germany及購自BASF,Wyandotte,MI,USA，或可經由文獻所揭露之方法製造。咪唑/表氯醇共聚物之市售實例為可購自BASF之Lugalvan^TM IZE。

可在任何適當之反應條件下，使表鹵代醇與上述含氮、硫或氧之化合物反應而形成表鹵代醇共聚物。例如，於一種方法中，將兩種材料以適當濃度溶於互溶劑體中並在其中反應，例如，45至240分鐘。經由蒸餾除去溶劑而單離該反應之水性溶液化學產物，然後將其添加入水體中，而一旦銦鹽溶解於該水體中即可作為電鍍液。於另一方法中，將兩種材料置於水中，並在不停的激烈攪拌下加熱至60℃，直至彼等隨著反應而溶解於水中。

可使用大範圍之反應化合物與表鹵代醇之比率，諸如0.5：1至2：1。通常，比率為0.6：1至2：1，更典型地比率為0.7至1：1，最典型地比率為1：1。

此外，可在經由添加銦鹽而完成電鍍組成物前，使反應產物進一步與一種或多種試劑反應。因此，上述產物可再與氨、脂肪族胺、聚胺及聚亞胺中之至少一種試劑反應。通常，試劑為氨、乙二胺、四伸乙基戊胺及具有至少150之分子量之聚伸乙基亞胺中之至少一種，雖然可使用其他種符合本文所提出之定義之。該反應可在水中攪拌下發生。

例如，表鹵代醇與上述含氮有機化合物之反應產物及一種或多種選自氨、脂肪族胺及芳基胺或聚亞胺之試劑間可發生反應，而該反應可在，例如，30℃至60℃之溫度，例如，45至240分鐘而進行。含氮化合物-表氯醇反應之反應產物與試劑間之莫耳比通常為1：0.3至1。

組成物中之表鹵代醇共聚物之含量為5 g/L至100 g/L。較佳，表鹵代醇共聚物之含量為5 g/L至50 g/L。

銦浴中亦可包含其他添加物以將銦浴調節至適合於電鍍條件，及電鍍銦至塗佈銀之基材上。此種添加物包含，但不限於，一種或多種使用於銦電鍍調配物之界面活性劑、鉗合劑、整平劑、抑制劑(載體)及其他常用添加物。

可使用與銦浴中之其他組分相容之任何界面活性劑。通常，該界面活性劑為低泡或無泡之界面活性劑。此種界面活性劑包含，但不限於，非離子性界面活性劑諸如含有12莫耳EO之乙氧基化聚苯乙烯化酚、含有5 莫耳EO之乙氧基化丁醇、含有16莫耳EO之乙氧基化之丁醇、含有8莫耳EO之乙氧基化丁醇、含有12莫耳EO之乙氧基化辛醇、含有12莫耳EO之乙氧基化辛基酚、乙氧基化/丙氧基化丁醇、含有13莫耳EO之乙氧基化β-萘酚、含有10莫耳EO之乙氧基化β-萘酚、含有10莫耳EO之乙氧基化雙酚A、含有13莫耳EO之乙氧基化雙酚A、含有30莫耳EO之硫酸化乙氧基化雙酚A及含有8莫耳EO之乙氧基化雙酚A。此種界面活性劑之含量為慣用量。通常，其在組成物中之含量為0.1 g/L至20 g/l，或諸如0.5 g/L至10 g/L。其可購自市售及可從文獻所揭露之方法製備。

其他界面活性劑包含，但不限於，兩性界面活性劑諸如烷基二伸乙基三胺乙酸及四級銨化合物及胺類。此種界面活性劑為所屬領域中周知，且許多可購自市售。其可以慣用量使用。通常在浴中之含量為0.1 g/L至20 g/L，或諸如0.5 g/L至10 g/L。通常，使用的界面活性劑為四級銨化合物。

鉗合劑包含，但不限於，羧酸類(諸如丙二酸及酒石酸)、羥基羧酸類(諸如檸檬酸及蘋果酸)及其鹽。亦可使用較強的鉗合劑，諸如乙二胺四乙酸(EDTA)。鉗合劑可單獨使用，或可使用鉗合劑之組合。例如，可使用不同量之相對強的鉗合劑，諸如EDTA與不同量之一種或多種較弱的鉗合劑諸如丙二酸、檸檬酸、蘋果酸及酒石酸之組合來控制可用於電鍍之銦量。鉗合劑可以慣用量使用。通常，鉗合劑之使用量為0.001M至3M。

整平劑包含，但不限於，聚伸烷基二醇醚類。此種醚類包含，但不限於，二甲基聚乙二醇醚、二-第三丁基聚乙二醇醚、聚伸乙基/聚伸丙基二甲基醚(混合或嵌段共聚物)及辛基單甲基聚伸烷基醚(混合或嵌段共聚物)。此種整平劑之含量為慣用量。通常此種整平劑之含量為100ppb至500ppb。

抑制劑包含，但不限於，二氮雜菲(phenantroline)及其衍生物，諸如1,10-二氮雜菲、三乙醇胺及其衍生物，諸如三乙醇胺十二烷基硫酸鹽、十二烷基硫酸鈉及乙氧基化十二烷基硫酸銨、聚伸乙基亞胺及其衍生物(諸如羥丙基聚伸乙亞胺(HPPEI-200))及烷氧基化聚合物。此種抑制劑以慣用量包含於銦浴中。通常，抑制劑含量為200ppm至2000ppm。

使用在相鄰於基材之銀層電鍍銦金屬的裝置為常用之裝置。可使用常用之電極。通常，使用可溶性電極。更典型地，使用可溶性銦電極作為陽極。欲鍍覆銦金屬之基材為陰極或工作電極。如需要，可使用任何適合之參考電極。通常，參考電極為氯化銀/銀電極。電流密度可在0.05 A/dm² 至9 A/dm² 之範圍。較佳，電流密度為0.05 A/dm² 至3 A/dm² 之範圍。

銦金屬電鍍期間銦浴之溫度在室溫至50℃之範圍。通常，溫度在20℃至40℃之範圍。

相鄰於銀而電鍍銦之後，不施加熱或退火處理於銀及銦層上而形成完全複合材料。較佳，該方法排除熱處理。因此，該方法可減少加工步驟之數目，以達成在基材上所欲銦和銀複合材料層。

銦層抑制銀失澤而同時不會有損銀之美學方面、機械或電氣特性。該方法相鄰於銀金屬層電鍍實質上純之銦金屬層。銦層未改變銀之顏色或形態，因此該複合材料在含有銀的珠寶製作上是所欲。此外，區別銦層及區別銀層之複合材料具有低接觸電阻。據此，其於下列情況係高度理想：使用在典型使用銀金屬之電子組件中；及其中失澤會抵損電氣裝置之電氣性能處。

該方法亦提供更有效及環保的方式來解決銀失澤之問題。可避免使用六價鉻之高危險性鉻塗佈方法。亦可避免使用物理及化學之氣相沉積製程而用銦塗佈銀之較昂貴及複雜的方法。不再需要昂貴之氣相沉積設備，而是以成本較低之電鍍設備作取代。該方法亦使銦和銀複合材料在更高溫下比缺乏熱安定性之常見有機抗失澤膜更安定。

下列實施例進一步說明本發明，但並非意欲限制本發明之範疇。

實施例1

經由將乾淨之經銀塗佈之黃銅試件之一部分浸入含2wt%硫化鉀之水溶液中10分鐘，而進行加速失澤試驗。然後將試驗之試件自試驗溶液中移出，以水沖洗，以及於室溫乾燥。試件浸入硫化鉀溶液之該部分變成暗褐色，表示嚴重失澤。

實施例2

製備以下水性銦電鍍浴：

將乾淨之經銀塗佈之黃銅基材浸入銦電鍍浴中。將可溶性銦陽極及經銀塗佈之黃銅基材連接於整流器。電鍍期間，將電鍍浴溫度維持在25℃。於銦金屬沉積期間，連續地攪拌電鍍組成物。於整個電鍍期間，將電流密度維持於0.5 A/dm² 。銦組成物保持安定，即電鍍期間無可見混濁。進行銦電鍍15秒鐘而於銀上鍍覆50nm厚之銦金屬層。使用Helmut Fischer GmbH,Germany製造之Fischercope X-ray，型號XDV-SD，經由XRF分析測定厚度。銦層未改變銀之形態及顏色方面。表面看來就如同銦電鍍前之銀層般平滑。

然後將銦電鍍試件浸入含2wt%硫化鉀之水溶液中10分鐘。然後將試驗之試件自試驗溶液中移出，並以水沖洗且於室溫乾燥。該試件未顯示任何顏色改變，表示銦層抑制銀失澤。

實施例3

使用WSK Mess-und datentechnik GmbH,Germany製造之KOWI 3000版本0.9，經由常用之DIN EN 60512方法測量經銀塗佈之試件及有50nm銦金屬層之經銀塗佈之試件之接觸電阻。除了電鍍浴中之銦離子濃度為1 g/L，共聚物之濃度為40 g/L，甲烷磺酸為25 g/L及電鍍浴溫度為30℃外，如實施例2所說明相鄰於銀而電鍍銦。電鍍浴之pH為1.2。在電流密度1 A/dm² 完成銦電鍍。測量及比較銀接觸材料之接觸電阻的常用試驗，通常施加100 cN或較大的力量於試驗樣品。此種試驗力量比許多市售商品所見者更大。在此比較試驗中，將100 cN之力量施加於各試驗樣品，並測量其接觸電阻。經銀塗佈之試件及經銦與銀塗佈之試件間之接觸電阻無差異。這表示銦抗失澤層未影響銀之接觸電阻。

實施例4

提供經銀塗佈之黃銅試件及黃銅上之經銦塗佈之銀試件。除了銦離子濃度為2 g/L，共聚物之濃度為20 g/L，甲烷磺酸為20 g/L及電鍍浴溫度為35℃外，經由上文實施例1所說明之方法於銀上電鍍銦。電鍍浴之pH為2。在電流密度2 A/dm² 完成銦電鍍。將各試件置於150℃之Memmert烘箱(Memmert GmbH & Co.,Germany製造)1 小時，而測驗熱對試驗樣品之影響。

1小時後，將試件從烘箱移出，並允許冷卻至室溫。然後，在加速失澤之試驗中將各試件浸入2wt%硫化鉀之溶液中10分鐘而測試失澤。取出試件，而經銀塗佈之黃銅試件呈暗褐色。經銦塗佈之銀試件未顯示任何顏色改變，表示甚至在暴露於熱後，銦層仍能抑制銀失澤。

實施例5

重複實施例3所說明之方法，除了在測量各試件之接觸電阻前，如實施例4熱處理該等試件。讓試件冷卻至室溫後，根據DIN EN 60512方法試驗各試件之接觸電阻。經銀塗佈之試件及經銦與銀塗佈之試件間之接觸電阻無差異。這表示銦抗失澤層甚至在熱處理後亦未影響銀之接觸電阻。

Claims

一種防止銀失澤之方法，其包括：(a)提供包括銀層之基材；及(b)相鄰於該銀層電鍍銦層，而於該基材上形成銦和銀複合材料，其中，不施加熱至該銦和銀複合材料，以及該複合材料具有5毫歐姆(mOhms)或較少之接觸電阻。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該接觸電阻為1至5mOhms。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該銦金屬層具有0.5至50nm之厚度。
如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該銦係自具有銦離子濃度為0.5至10g/L之銦電鍍浴電鍍。
如申請專利範圍第4項所述之方法，其中，該基材係選自珠寶及電子元件。