TW201520315A - 聚合性液晶化合物、液晶性聚合物、液晶性組成物及單層塗佈型水平配向薄膜 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供式[1]所表示之聚合性液晶化合物,及含有式[2a]及[2b]所表示之重覆單位的液晶性聚合物,含有該液晶性聚合物之液晶性組成物,及由該組成物所得的單層塗佈型水平配向薄膜。 □ (式中,p為2~9之整數)。 □ [式中,X為式[3]或[4]所表示之基;M為式[5]所表示之基;m及n為符合0≦m<100、0<n≦100、m+n≦100之數;p及q為各自獨立的2~9之整數, □ (式中,R1為氫原子或甲基;虛線為鍵結鍵) □ (式中,s1及s2為1或2;G1為單鍵結、-COO-或-OCO-;R2為氫原子、鹵素、氰基、烷基或烷氧基;虛線為鍵結鍵)]。

Description

聚合性液晶化合物、液晶性聚合物、液晶性組成物及單層塗佈型水平配向薄膜
本發明係有關聚合性液晶化合物、液晶性聚合物、含有該聚合物之組成物及單層塗佈型水平配向薄膜。更詳細為,係有關具有適用於顯示裝置及記錄材料等之用途的光學特性之材料,特別是適用於液晶顯示器用之偏光板及相位差板等之光學補償薄膜的聚合性液晶化合物、液晶性聚合物、含有該聚合物之組成物、及由該組成物所得的單層塗佈型水平配向薄膜。
隨著液晶顯示裝置要求提升顯示品質及輕量化等,在偏光板或相位差板等之光學補償薄膜方面,對於可控制內部分子配向結構之高分子薄膜之要求更為提升。為了回應該要求曾開發利用聚合性液晶化合物所具有的光學各向異性之薄膜。
此時所使用的聚合性液晶化合物一般為具有聚合性基與液晶結構部位(具有間隔部與晶源部之結構部位)之液晶化合物,該聚合性基係廣泛使用丙烯酸基。
該類聚合性液晶化合物一般係由照射紫外線等之放射線而聚合之方法所得的聚合物(薄膜)。
例如已知的,將具有丙烯酸基之特定的聚合性液晶化合物附載於支撐物之間,使該化合物保持液晶狀態的同時照射放射線而得聚合物之方法(專利文獻1),及將光聚合引發劑加入二種具有丙烯酸基之聚合性液晶化合物的混合物或在該混合物中混入手徵液晶所得之組成物後,照射紫外線而得聚合物之方法(專利文獻2)。
又曾報告使用無需液晶配向膜之聚合性液晶化合物或聚合物的配向薄膜(專利文獻3、4)、使用含有光交聯部位之聚合物的配向薄膜(專利文獻5、6)等各種單層塗佈型配向薄膜。但該等薄膜所使用的聚合物之溶解性較低,需使用N-甲基-2-吡咯烷酮、氯仿、氯苯等溶解力優良之溶劑,因此會有由該溶液所得之薄膜的折射率各向異性(Δn)、霧化值等特性較差之問題。
又目前為止尚無藉由簡單步驟可得具有較低霧化值之配向薄膜的材料。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:特開昭62-70407號公報
專利文獻2:特開平9-208957號公報
專利文獻3:歐洲專利申請公開第1090325號說明書
專利文獻4:國際公開第2008/031243號
專利文獻5:特開2008-164925號公報
專利文獻6:特開平11-189665號公報
有鑑於上述問題,本發明之目的為,提供可以更簡單步驟製作具有低霧化值之單層塗佈型水平配向薄膜的聚合性液晶化合物、液晶性聚合物、含有該液晶性聚合物之液晶性組成物,及由該組成物所得的單層塗佈型水平配向薄膜。
本發明者們為了解決上述課題經專心檢討後發現,使用主鏈含有γ-丁內酯骨架,且由內酯環之γ位延伸的支鏈上具有肉桂酸結構之液晶性聚合物,於低曝光量之偏光紫外線曝光後可形成安定的網路結構,因此既使未使用液晶配向膜,仍可得具有Δn之水平配向薄膜,及低溫條件下可製作具有低霧化值之水平配向薄膜,而完成本發明。
即,本發明係提供下述聚合性液晶化合物、液晶性聚合物、液晶性組成物,及單層塗佈型水平配向薄膜。
1.一種聚合性液晶化合物,其特徵為下述式[1]所表 示, (式中,p表示2~9之整數)。
2.一種液晶性聚合物,其特徵為含有下述式[2a]及[2b]所表示的重覆單位, [式中,X為下述式[3]或[4]所表示之基, (式中,R1為氫原子或甲基;虛線為鍵結鍵)M為下述式[5]所表示之基, (式中,s1及s2為各自獨立的1或2;G1為單鍵結、-COO-或-OCO-;R2為氫原子、鹵原子、氰基、碳數1~10之烷基或碳數1~10之烷氧基;虛線為鍵結鍵) m及n為各自符合0≦m<100、0<n≦100,且m+n≦100之數;p及q為各自獨立的2~9之整數]。
3.一種液晶性組成物,其為含有2之聚合物與有機溶劑。
4.一種單層塗佈型水平配向薄膜,其為將3之液晶性組成物塗佈於基板上,其次照射偏光而硬化所得。
5.如4之單層塗佈型水平配向薄膜,其中上述偏光為直線偏光紫外線。
6.一種光學構件,其為備有4或5之單層塗佈型水平配向薄膜。
本發明之液晶性聚合物為主鏈含有γ-丁內酯骨架。因此藉由塗佈含有該聚合物之組成物,室溫下照射低曝光量之直線偏光後,進行事後烘焙之步驟,可製作具有較低霧化值之單層塗佈型水平配向薄膜。
實施發明之形態 [聚合性液晶化合物]
本發明的聚合性液晶化合物為下述式[1]所表示。
式中,p表示2~9之整數,較佳為3~6。
式[1]所表示的聚合性液晶化合物之合成方法如後述。
[液晶性聚合物]
本發明的液晶性聚合物為,含有下述式[2a]及[2b]所表示的重覆單位。
式[2a]中,X為下述式[3]或[4]所表示之基。
(式中,R1為氫原子或甲基。虛線為鍵結鍵)。
式[2a]中,M為下述式[5]所表示之基。
(式中,s1及s2為各自獨立的1或2。G1為單鍵結、-COO-或-OCO-,R2為氫原子、鹵原子、氰基、碳數1~10之烷基或碳數1~10之烷氧基。虛線為鍵結鍵)。
此時鹵原子如氟、氯、溴、碘原子,但本發明較佳為氟原子。
烷基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中任一種,其碳數無特別限定。上述烷基之具體例如,甲基、乙基、n-丙基、異丙基、環丙基、n-丁基、異丁基、s-丁基、t-丁基、環丁基、n-戊基、環戊基、n-己基、環己基、n-庚基、n-辛基、n-壬基、n-癸基等。其中較佳為直鏈狀之碳數1~10之烷基,更佳為碳數1~3之烷基,特佳為甲基、乙基等。
烷氧基可為直鏈狀、支鏈狀、環狀中任一種,其碳數無特別限定。上述烷氧基之具體例如,甲氧基、乙氧基、n-丙氧基、異丙氧基、n-丁氧基、異丁氧基、s-丁氧基、t-丁氧基、n-戊氧基、n-己氧基、n-庚氧基、n-辛氧基、n-壬氧基、n-癸氧基等。其中較佳為直鏈狀之碳數1~10之烷氧基,更佳為碳數1~3之烷氧基,特佳為甲氧基、乙氧基等。
又,上述烷基、烷氧基中部分或全部之氫原子可被氟原子等之鹵原子取代。
R2特佳為氫原子、氟原子、氰基、甲基、甲氧基等。
G1較佳為-COO-或-OCO-。
式[2a]及[2b]中,m及n表示各重覆單位之含 有比例(mol%),各自符合0≦m<100、0<n≦100,且m+n≦100之數,但就提升Δn及提升聚合物之溶解性等觀點,較佳為各自符合0<m≦90、10≦n<100之數,更佳為各自符合0<m≦50、50≦n<100之數。
又,式[2a]及[2b]中,p及q為各自獨立的2~9之整數,較佳為3~6,特別是以q為5或6更佳。
本發明的液晶性聚合物之重量平均分子量(Mw)較佳為3,000~200,000,又以4,000~150,000為佳,更佳為5,000~100,000。Mw超過200,000時會降低相對於溶劑之溶解性而降低處理性,Mw未達3,000時會使熱硬化時硬化不足而降低溶劑耐性及耐熱性。
又,Mw為來自凝膠滲透色譜(GPC)之聚苯乙烯換算測定值。
又,本發明的液晶性聚合物於無損本發明之效果下,可含有式[2a]及[2b]以外之其他重覆單位。賦予上述其他重覆單位之聚合性化合物如,丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、丙烯醯胺化合物、丙烯腈、馬來酸酐、苯乙烯化合物等。
上述其他重覆單位之含有比例較佳為全部重覆單位中之0~10mol%。上述其他重覆單位之含有比例過大時,會降低本發明之聚合物的特性,例如液晶性等之特性。
又,本發明的液晶性聚合物可為無規共聚 物、交互共聚物、嵌段共聚物中任一種。
[合成液晶性聚合物]
本發明的液晶性聚合物係由式[1]所表示之聚合性液晶化合物及式[6]所表示之聚合性化合物聚合所得。
[式中,R2、G1、p、q、s1及s2與上述相同。X’為下述式[7]或[8]所表示之聚合性基, (式中,R1與上述相同)]。
式[1]所表示之聚合性液晶化合物及式[6]所表示之聚合性化合物可藉由組合有機合成化學中之方法而合成,該合成法無特別限定。
例如可使用Talaga等(P.Talaga,M.Schaeffer,C.Benezra and J.L.Stampf,Synthesis,530(1990))所提案之方法合成。該方法如下述合成流程A1所表示,使用SnCl2使2-(溴甲基)丙烯酸與醛或酮反應 之方法。又,2-(溴甲基)丙烯酸可由Ramarajan等所提案之方法而得(K.Ramarajan,K.Kamalingam,D.J.O’Donnell and K.D.Berlin,Organic Synthesis,vol.61,pp.56-59(1983))。
(式中,R’表示一價之有機基。Amberlyst(登記商標)15為羅門哈斯公司(Rohm and Haas Co.)製離子交換樹脂。THF表示四氫呋喃。Et表示乙基)。
又,使用SnCl2之2-(溴甲基)丙烯酸的反 應中,藉由對應的縮醛或縮酮取代醛或酮進行反應,也可得α-伸甲基-γ-丁內酯結構。縮醛或縮酮如,具有二甲基縮醛基、二乙基縮醛基、1,3-二噁烷基、1,3-二氧雜環戊烷等之化合物。下述合成流程A2係表示使用縮醛或縮酮時之合成法及保護基。
(式中,R’與上述相同)。
藉由應用上述合成流程A1或A2之方法的下述合成流程B的方法,可合成式[1]所表示之化合物。
(式中,p與上述相同)。
式[6]所表示之聚合性化合物如,由下述方法所製造。
G1為-COO-時如下述流程所表示,藉由溶劑中縮合劑之存在下,使式[9]所表示之苯甲酸衍生物與苯酚衍生物縮合所得。
(式中,R2、X’、q、s1及s2與上述相同。DCC表示N,N’-二環己基碳化二亞胺,DMAP表示N,N-二甲基-4-胺基吡啶)。
G1為-OCO-時如下述流程所表示,藉由溶劑中縮合劑之存在下使式[10]所表示之苯酚衍生物與苯甲酸衍生物縮合所得。
(式中,R2、X’、q、s1及s2與上述相同)。
式[9]及[10]所表示之化合物為,X’為式[7]所表示之基時,可由SYNTHON Chemicals公司或綠化學公司(股)之市售品取得。
又,式[9]及[10]所表示之化合物為,X’為式[8]所表示之基時可藉由應用上述合成流程A1或A2之方法的下述合成流程C或D之方法而合成。
(式中,q及s1與上述相同。Me表示甲基。PCC表示吡啶鎓氯鉻酸酯)。
(式中,q及s1與上述相同)。
合成本發明的液晶性聚合物之方法無特別限 定,可採用自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等。其中特佳為自由基聚合,具體上可於溶劑中聚合引發劑之存在下,加熱聚合上述聚合性化合物。
聚合引發劑可由先前已知之物中適當選擇使 用。例如,過氧化苯醯、枯烯氫過氧化物、t-丁基氫過氧 化物等之過氧化物;過硫酸鈉、過硫酸鉀、過硫酸銨等之過硫酸鹽;偶氮雙異丁腈(AIBN)、偶氮雙甲基丁腈、偶氮雙異戊腈等之偶氮系化合物等。該等可一種單獨或二種以上組合使用。
聚合引發劑之使用量相對於聚合性化合物1mol較佳為0.01~0.05mol。
反應溫度可由0℃至所使用之溶劑的沸點中適當設定,較佳為20~100℃。反應時間較佳為0.1~30小時。
聚合反應所使用的溶劑無特別限定,可由上述聚合反應中一般所使用的各種溶劑中適當選擇使用。具體如,水;甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、i-丁醇、t-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、3-戊醇、i-戊醇、t-戊醇、1-己醇、1-庚醇、2-庚醇、3-庚醇、2-辛醇、2-乙基-1-己醇、苄醇、環己醇等之醇;二乙基醚、二異丙基醚、二丁基醚、環戊基甲基醚、四氫呋喃、1,4-二噁烷等之醚;氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳等之鹵化烴;甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、異丙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二乙二醇單丁基醚等之醚醇;丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮等之酮;乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酸乙酯、溶纖劑乙酸酯等之酯;n-戊烷、n-己烷、n-庚烷、n-辛烷、n-壬烷、n-癸烷、環戊烷、甲基環戊烷、環己烷、甲基環己烷、苯、甲苯、二甲苯、乙基苯、茴香醚等之脂肪族或芳香族烴;甲縮醛、二乙基縮醛等之縮醛;甲酸、乙酸、丙酸等之脂肪酸;硝基丙烷、硝基苯、二甲基 胺、單乙醇胺、吡啶、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、乙腈等。該等可一種單獨或二種以上混合使用。
本發明的液晶性聚合物含有式[2a]及[2b]以外 之其他重覆單位時,其合成方法方面,只要在上述聚合時係於賦予上述其他重覆單位之聚合性化合物共存下進行聚合即可。
[液晶性組成物]
本發明的液晶性組成物可藉由混合上述液晶性聚合物中至少一種與有機溶劑而得。
有機溶劑如,四氫呋喃、二噁烷等之醚; 苯、甲苯、二甲苯等之芳香族烴;N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮等之極性溶劑;乙酸乙酯、乙酸丁酯、乳酸乙酯等之酯;3-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、2-乙氧基丙酸乙酯等之烷氧酯;乙二醇二甲基醚、丙二醇二甲基醚等之乙二醇二烷基醚;二乙二醇二甲基醚、二乙二醇二乙基醚、二乙二醇甲基乙基醚、二丙二醇二甲基醚等之二乙二醇二烷基醚;乙二醇單甲基醚、乙二醇單乙基醚、丙二醇單甲基醚、丙二醇單乙基醚等之乙二醇單烷基醚;二乙二醇單甲基醚、二乙二醇單乙基醚、二丙二醇單甲基醚、二丙二醇單乙基醚等之二乙二醇單烷基醚;丙二醇單甲基醚乙酸酯、卡必醇乙酸酯、乙基溶纖 劑乙酸酯等之乙二醇單烷基醚酯;環己酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、2-庚酮等之酮等。該等有機溶劑可一種單獨或二種以上混合使用。
其中較佳為丙二醇單甲基醚、丙二醇單甲基 醚乙酸酯、乳酸乙酯、環己酮等。
有機溶劑之使用量較佳為組成物中之60~95質量%左右。
又,本發明的液晶性組成物為了提升與基板 之親和性,可添加表面活性劑。表面活性劑無特別限定,例如氟系表面活性劑、聚矽氧系表面活性劑、非離子系表面活性劑等。其中較佳為提高與基板之親和性改善效果較高的氟系表面活性劑。
氟系表面活性劑之具體例如(以下為商品 名),耶佛特(登記商標)EF 301、EF 303、EF 352(三菱綜合材料電子化成(股))、美加凡(登記商標)F171、F 173、R-30(DIC(股)製)、FLUORAD(登記商標)FC 430、FC 431(3M公司製)、艾薩西(登記商標)AG 710(旭硝子(股)製)、薩佛隆(登記商標)S-382、SC 101、SC 102、SC 103、SC 104、SC 105、SC 106(AGC清美化學(股)製)等,但非限定於該等。 又,表面活性劑可一種單獨或二種以上組合使用,其添加量相對於聚合物100質量份較佳為5質量份以下。
又,本發明的液晶性組成物為了提升與基板 之密合性,可添加密合促進劑。
密合促進劑如,三甲基氯矽烷、二甲基乙烯 基氯矽烷、甲基二苯基氯矽烷、氯甲基二甲基氯矽烷等之氯矽烷化合物;三甲基甲氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、甲基二甲氧基矽烷、二甲基乙烯基乙氧基矽烷、二苯基二甲氧基矽烷、苯基三乙氧基矽烷等之烷氧基矽烷化合物;六甲基二矽氮烷、N,N’-雙(三甲基矽烷基)脲、二甲基三甲基矽烷基胺、三甲基矽烷基咪唑等之矽氮烷化合物;乙烯基三氯矽烷、3-氯丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-哌啶基)丙基三甲氧基矽烷等之矽烷化合物;苯并三唑、苯并咪唑、吲唑、咪唑、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、尿唑、硫尿嘧啶、巰基咪唑、巰基嘧啶等之雜環式化合物;1,1-二甲基脲、1,3-二甲基脲等之尿素化合物;硫尿素化合物等。
密合促進劑可一種單獨或二種以上組合使 用,其添加量相對於聚合物100質量份較佳為1質量份以下。
[單層塗佈型水平配向薄膜]
藉由棒塗佈、旋轉塗佈、流動塗佈、輥塗佈、縫隙塗佈、縫隙塗佈後之旋轉塗佈、噴墨印刷法、印刷法等之方法將上述所說明的本發明之液晶性組成物塗佈於基板(例如被覆矽/二氧化矽之基板、矽氯化物基板、被覆金屬, 例如鋁、鉬、鉻等之基板、玻璃基板、石英基板、ITO基板等)或薄膜(例如三乙醯纖維素(TAC)薄膜、環烯烴聚合物薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、丙烯酸薄膜等之樹脂薄膜)等上,形成塗膜後以熱板或烤箱等加熱乾燥,可形成膜。
加熱乾燥之條件例如可採用由40~100℃及0.1~60分鐘之範圍內適當選擇的加熱溫度及加熱時間。上述加熱溫度及加熱時間較佳為40~80℃下0.1~2分鐘。
相對於由此形成之膜,藉由照射直線偏光及事後烘焙可得單層塗佈型水平配向薄膜。
直線偏光之照射方法為,一般係使用波長150~450nm之紫外線~可視光線,於室溫或加熱之狀態下照射直線偏光之方法進行。照射線量會因所使用之光線而不同,但較佳約為1~500mJ/cm2
又,事後烘焙可為以熱板或烤箱等進行加熱,其溫度及時間較佳為90~200℃下2~20分鐘,更佳為90~150℃下5~20分鐘。
本發明的單層塗佈型水平配向薄膜之膜厚可於考量所使用之基板的高低差及光學、電氣性質而適當選擇,例如較佳為0.1~3μm。
由此所得的本發明之單層塗佈型水平配向薄膜為,具有適用於顯示裝置或記錄材料等之用途的光學特性之材料,特別是適用為液晶顯示器用之偏光板及相位差 板等之光學補償薄膜。
實施例
下面將舉合成例、實施例及比較例更具體說明本發明,但本發明非限定於下述實施例。又,實施例中各物性之測定方法及測定條件如下所述。
[1]1H-NMR
將化合物溶解於氘化氯仿(CDCl3)後,使用核磁共振裝置(300MHz、JEOL公司製)測定1H-NMR。
[2]測定平均分子量
使用昭和電工(股)製Shodex GPC-101(溶劑:四氫呋喃,檢量線:標準聚苯乙烯),測定數平均分子量(Mn)及重量平均分子量(Mw)。
[3]霧化值
使用東京電色(有限公司)製Spectral Haze Meter(TC-1800H)測定薄膜之霧化值。
[4]薄膜之相位差值(Δnd)
使用相位差測定裝置(RETS-100,大塚電子(股)製)測定波長550nm之Δnd。
[5]偏光顯微鏡觀察
確認液晶相時係以熱台(MATS-2002S,東海Hit(股)製)加熱試料後,使用偏光顯微鏡(E600-Pol,尼康(股)製)進行觀察。
[合成例1]合成聚合性化合物(M2)
室溫下攪拌4-(6-丙烯醯氧基-1-己氧基)苯甲酸(SYNTHON Chemicals公司製)29.2g(100mmol)、4-羥基聯苯17.0g(100mmol)、DMAP 0.6g及少量之BHT,使其懸浮於二氯甲烷200mL後,加入DCC 24.0g(116mmol)溶解於二氯甲烷100mL所得之溶液進行整夜攪拌。濾除所析出的DCC脲後,依序以0.5mol/L鹽酸150mL、飽和碳酸氫鈉水溶液150mL、飽和食鹽水150mL洗淨該濾液2次,以硫酸鎂乾燥後餾去溶劑,再以乙醇再結晶精製,得目的之聚合性化合物(M2)39.6g(產率89%)。NMR之測定結果如下所示。
1H-NMR(CDCl3)δ:1.57(m,4H),1.70(m,2H),1.86(m,2H),4.00(m,2H),4.19(m,2H),5.82(m,1H),6.12(m,1H),6.39(m,1H),6.97 (d,2H),7.29(m,2H),7.36(m,1H),7.47(m,2H),7.62(m,4H),8.18(m,2H)。
[合成例2]合成聚合性化合物(M3)
(1)合成中間體化合物(P2)
將雙酚18.6g(100mmol)、2-(4-溴-1-丁基)-1,3-二氧雜環戊烷10.0g(48mmol)、碳酸鉀13.8g(100mmol)及丙酮200mL加入附冷卻管之500mL茄型燒瓶內形成混合物,64℃下攪拌24小時的同時進行反應。結束反應後,將反應液注入純水500mL中,得白色固體。混合該固體與甲醇後進行過濾,餾去溶劑後得白色固體。其次混合該固體與氯仿後進行過濾,餾去溶劑後得白色固體7.2g。以NMR測定該固體之結果如下所示。由該結果確認該白色固體為中間體化合物(P2)(產率48%)。
1H-NMR(CDCl3)δ:1.62(m,2H),1.76(m,2H),1.87(m,2H),3.85(m,2H),4.00(m,4H),4.90(m,1H),6.87(m,4H),7.42(m,4H)。
(2)合成中間體化合物(Q2)
其次將中間體化合物(P2)7.2g(23 mmol)、2-(溴甲基)丙烯酸4.1g(25mmol)、THF 60mL、氯化錫(II)4.7g(25mmol)及10質量% HCl水溶液19mL加入附冷卻管之300mL茄型燒瓶內形成混合物,70℃下攪拌5小時進行反應。結束反應後將反應液注入純水200mL中,得白色固體6.1g。以NMR測定該固體之結果如下所示。由該結果確認該白色固體為中間體化合物(Q2)(產率78%)。
1H-NMR(CDCl3)δ:1.60-1.95(m,6H),2.64(m,1H),3.11(s,1H),4.02(t,2H),4.60(m,1H),4.82(s,1H),5.64(s,1H),6.24(s,1H),6.88(d,2H),6.94(d,2H),7.44(m,4H)。
(3)合成聚合性化合物(M3)
室溫下攪拌中間體化合物(Q2)3.4g(10 mmol)、4-甲氧基肉桂酸1.8g(10mmol)、DMAP 0.08g及少量之BHT使其懸浮於二氯甲烷30mL後,加入DCC 2.6g(13mmol)溶解於二氯甲烷15mL所得之溶液整夜攪拌。濾除所析出的DCC脲後,依序以0.5mol/L鹽酸50mL、飽和碳酸氫鈉水溶液50mL、飽和食鹽水50mL洗淨該濾液2次,以硫酸鎂乾燥後餾去溶劑,再以甲醇再結晶精製,得目的之聚合性化合物(M3)4.3g(產率86%)。NMR之測定結果如下所示。
1H-NMR(CDCl3)δ:1.60-1.90(m,6H),2.63(m,1H),3.09(m,1H),3.87(s,3H),4.03(m,2H),4.57(m,1H),5.64(m,1H),6.24(d,1H),6.54(d,1H),6.95(m,4H),7.26(m,2H),7.44(m,2H),7.57(m,4H),7.86(d,1H)。
[實施例1]合成聚合性液晶化合物(M1)
(1)合成中間體化合物(P1)
將甲基4-羥基肉桂酸酯3.6g(20.0 mmol)、2-(4-溴-1-丁基)-1,3-二氧雜環戊烷4.2g(20.0mmol)、碳酸鉀5.5g(40mmol)及丙酮50mL加入附冷卻管之100mL茄型燒瓶內形成混合物後,64℃下攪拌24小時進行反應。結束反應後將反應液注入純水500mL中,得白色固體6.0g。以NMR測定該固體之結果如下所示,由該結果確認該白色固體為中間體化合物(P1)(產率98%)。
1H-NMR(CDCl3)δ:1.62(m,2H),1.76(m,2H),1.87(m,2H),3.79(s,3H),3.85(m,2H),4.00(m,4H),4.90(m,1H),6.29(d,1H),6.90(d,2H),7.45(d,2H),7.64(d,1H)。
(2)合成中間體化合物(Q1)
其次將中間體化合物(P1)6.0g(20mmol)、2-(溴甲基)丙烯酸3.3g(20mmol)、THF 55.0mL、氯化錫(II)4.3g(23mmol)及10質量% HCl水溶液17.0 mL加入附冷卻管之200mL茄型燒瓶內形成混合物後,70℃下攪拌20小時進行反應。結束反應後減壓過濾反應液再混合純水40mL,其後加入氯仿50mL進行萃取。進行3次萃取。
將硫酸鎂酐加入萃取後之有機層中進行乾燥,再由減壓過濾後之溶液餾去溶劑,得黏稠性液體4.3g。以NMR測定該黏稠性液體之結果如下所示。由該結果確認該黏稠性液體為中間體化合物(Q1)(產率65%)。
1H-NMR(CDCl3)δ:1.5-1.9(m,6H),2.63(m,1H),3.07(s,1H),3.80(s,3H),4.03(t,2H),4.58(m,1H),5.64(m,1H),6.23(m,1H),6.30(d,1H),6.90(d,2H),7.45(d,2H),7.64(d,1H)。
(3)合成聚合性液晶化合物(M1)
將乙醇60mL、中間體化合物(Q1)4.3g (13mmol)及10質量%氫氧化鈉水溶液15mL加入附冷卻管之200mL茄型燒瓶內形成混合物後,85℃下攪拌5小時進行反應。結束反應後將水300mL與反應液加入500mL燒杯內,室溫下攪拌30分鐘後,滴入10質量% HCl水溶液15mL再過濾,得白色固體。
其次將所得的白色固體、10質量% HCl水溶液15mL及四氫呋喃60.0mL加入附冷卻管之50mL茄型燒瓶內形 成混合物後,70℃下攪拌5小時進行反應。結束反應後將反應液注入純水500mL中,得白色固體。將該白色固體再結晶(己烷/四氫呋喃=2/1)精製後,得白色固體3.0g。以NMR測定該固體之結果如下所示。由該結果確認該白色固體為目的之聚合性液晶化合物(M1)(產率73%)。
1H-NMR(DMSO-d6)δ:1.45(m,2H),1.53(m,2H),1.74(m,2H),2.62(m,1H),3.12(m,1H),4.04(m,2H),4.60(m,1H),5.70(s,1H),6.03(s,1H),6.97(d,2H),7.52(d,1H),7.63(d,2H),12.22(s,1H)。
又,觀察聚合性液晶化合物(M1)之液晶 相,結果升溫時85℃下會相轉移為向列相(113℃下熱聚合)。
[實施例2]合成聚合物(1)
將實施例1所得的聚合性液晶化合物(M1) 0.64g(2.0mmol)、NMP 6.0g及AIBN 4mg放入備有冷卻管之燒瓶內,以氮取代燒瓶內部後,60℃下攪拌20小時進行反應。將所得的反應溶液投入300mL之甲醇內,使白色粉末沈澱。過濾該白色粉末後,室溫下進行真空乾燥,得聚合物(1)0.35g(產率55%)。
所得聚合物(1)之Mn為18,640,Mw為35,975(Mw/Mn=1.93)。
[實施例3]合成聚合物(2)
將實施例1所得的聚合性液晶化合物(M1) 0.50g(1.6mmol)、合成例1所得的聚合性化合物(M2)0.36g(0.8mmol)、NMP 9.0g及AIBN 4mg放入備有冷卻管之燒瓶內,以氮取代燒瓶內部後,60℃下攪拌20小時進行反應。將所得的反應溶液投入600mL之甲醇中,使白色粉末沈澱。過濾該白色粉末後,室溫下進行真空乾燥,得聚合物(2)0.65g(產率76%)。
所得聚合物(2)之Mn為10,162,Mw為30,786(Mw/Mn=3.0)。
[實施例4]合成聚合物(3)
將實施例1所得的聚合性液晶化合物(M1) 0.32g(1.0mmol)、合成例1所得的聚合性化合物(M2)0.44g(1.0mmol)、NMP 8.0g及AIBN 3mg放 入備有冷卻管之燒瓶內,以氮取代燒瓶內部後,60℃下攪拌20小時進行反應。將所得的反應溶液投入600mL之甲醇中,使白色粉末沈澱。過濾該白色粉末後,室溫下進行真空乾燥,得聚合物(3)0.6g(產率79%)。
所得聚合物(3)之Mn為3,271,Mw為4,907(Mw/Mn=1.5)。
[實施例5]合成聚合物(4)
將實施例1所得的聚合性液晶化合物(M1) 0.30g(0.95mmol)、合成例1所得的聚合性化合物(M2)0.98g(2.2mmol)、NMP 12.0g及AIBN 5mg放入備有冷卻管之燒瓶內,以氮取代燒瓶內部後,60℃下攪拌20小時進行反應。將所得的反應溶液投入600mL之甲醇中,使白色粉末沈澱。過濾該白色粉末後,室溫下進行真空乾燥,得聚合物(4)1.1g(產率86%)。
所得聚合物(4)之Mn為7,539,Mw為16,586(Mw/Mn=2.2)。
[比較例1]合成聚合物(5)
將合成例1所得的聚合性化合物(M2)0.62 g(1.4mmol)、合成例2所得的聚合性化合物(M3)0.30g(0.6mmol)、NMP 8.3g及AIBN 17mg放入備有冷卻管之燒瓶內,以氮取代燒瓶內部後,60℃下攪拌20小時進行反應。將所得的反應溶液投入200mL之甲醇中,使白色粉末沈澱。過濾該白色粉末後,室溫下進行真空乾燥,得聚合物(5)0.65g(產率71%)。
所得聚合物(5)之Mn為10,975,Mw為19,206(Mw/Mn=1.75)。
[調製組成物及製作、評估薄膜]
使用上述實施例、比較例所得的聚合物調製組成物,再以下述條件製作薄膜,檢討其特性。
薄膜製作條件:旋轉塗佈:300rpm/5sec、1000rpm/20sec
預烘焙:55℃/30sec(熱板)
曝光:直線偏光紫外線,垂直照射,波長313nm
[實施例6]
將聚合物(2)150mg及R-30(DIC(股)製表面活性劑,以下相同)0.3mg溶解於環己酮850mg中,得聚合物(2)之溶液。
藉由旋轉塗佈將該溶液塗佈於玻璃基板上,預烘焙後放冷至室溫。此時基板上所得之膜為透明狀。
其次以照射線量5mJ/cm2使玻璃基板上所形成的塗膜曝光,再進行140℃/15分鐘(熱板上)事後烘焙。所得薄膜之膜厚為1.0μm,以偏光顯微鏡觀察,結果確認薄膜相對於基板面為水平配向。又,其Δnd為36nm,霧化值為0.07%。
[實施例7]
將聚合物(3)150mg及R-30 0.3mg溶解於環己酮850mg中,得聚合物(3)之溶液。
藉由旋轉塗佈將該溶液塗佈於玻璃基板上,預烘焙後放冷至室溫。此時基板上所得之膜為透明狀。
其次以照射線量5mJ/cm2使玻璃基板上所形成的塗膜曝光後,進行110℃/15分鐘(熱板上)事後烘焙。所得薄膜之膜厚為0.8μm,以偏光顯微鏡觀察,結果確認薄膜相對於基板面為水平配向。又,其Δnd為58nm,霧化值為0.06%。
[實施例8]
將聚合物(4)150mg及R-30 0.3mg溶解於環己酮850mg中,得聚合物(4)之溶液。
藉由旋轉塗佈將該溶液塗佈於玻璃基板上,預烘烤後放冷至室溫。此時基板上所得之膜為透明狀。
其次以照射線量5mJ/cm2使玻璃基板上所形成的塗膜曝光後,進行110℃/15分鐘(熱板上)事後烘焙。所 得薄膜之膜厚0.8μm,以偏光顯微鏡觀察,結果確認薄膜相對於基板面為水平配向。又,其Δnd為33nm,霧化值為0.34%。
[比較例2]
將聚合物(5)150mg及R-30 0.3mg溶解於環己酮850mg中,得聚合物(5)之溶液。
藉由旋轉塗佈將該溶液塗佈於玻璃基板上,預烘焙後放冷至室溫。此時基板上所得之膜為透明狀。
其次以照射線量500mJ/cm2使玻璃基板上所形成的塗膜曝光後,進行100℃/10分鐘(熱板上)事後烘焙。所得薄膜之膜厚為0.8μm,以偏光顯微鏡觀察,結果確認薄膜相對於基板面為水平配向。又,其Δnd為62nm,霧化值為2.1%。
以上結果合併為下述表1所示。

Claims (6)

  1. 一種聚合性液晶化合物,其特徵為下述式[1]所表示, (式中,p表示2~9之整數)。
  2. 一種液晶性聚合物,其特徵為含有下述式[2a]及[2b]所表示的重覆單位, [式中,X為下述式[3]或[4]所表示之基, (式中,R1為氫原子或甲基;虛線為鍵結鍵);M為下述式[5]所表示之基, (式中,s1及s2為各自獨立的1或2;G1為單鍵結、 -COO-或-OCO-;R2為氫原子、鹵原子、氰基、碳數1~10之烷基或碳數1~10之烷氧基;虛線為鍵結鍵);m及n為各自符合0≦m<100、0<n≦100,且m+n≦100之數;p及q為各自獨立的2~9之整數]。
  3. 一種液晶性組成物,其為含有如請求項2之聚合物與有機溶劑。
  4. 一種單層塗佈型水平配向薄膜,其為藉由將如請求項3之液晶性組成物塗佈於基板上,其次照射偏光而硬化所得。
  5. 如請求項4之單層塗佈型水平配向薄膜,其中上述偏光為直線偏光紫外線。
  6. 一種光學構件,其為具備如請求項4或5之單層塗佈型水平配向薄膜。
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