TW201515826A - 高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法 - Google Patents

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Zhi-Hong Zhu
Ying-Chang Wu
zhen-hui Zhong
Jun-Xing Lv
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Abstract

一種高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，係利用氧化鋁摻雜少量碳黑或石墨所製成的含碳氧化鋁墊片，作為薄型氧化鋯-氧化鋁複合陶瓷生胚燒結的軟墊及覆蓋床，再以攝氏1530度(℃)至1610度(℃)溫度燒結，以製得具有優越機械強度、高反射率特性及良好表面平整性之薄型氧化鋯-氧化鋁複合陶瓷基板，作為提供後續製程的高可靠性操作與相關發光二極體(LED)元件良好的散熱性與反射性者。

Description

高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法
本發明是有關一種陶瓷基板的製備方法，特別是指氧化鋯-氧化鋁之薄型複合陶瓷基板的製備方法。
隨著電子元件的快速開發，元件基板明顯朝向輕、薄、短小的趨勢發展，使得過去長期以來使用的氧化鋁陶瓷基板，在逐步輕薄化的同時，材料本身的機械強度特性已逐漸無法負荷。
傳統氧化鋁陶瓷基板是以純度達99.95%以上的氧化鋁與100ppm以下的氧化鈣(Calcia)或氧化鎂(Magnesia)等組成物燒結而成，該氧化鋁陶瓷具有優越的電絕緣特性與接近400百萬帕(Mpa)的三點抗彎強度。
然而，隨著大面積尺寸元件之薄型化製程的發展，基板的厚度由原來的0.38毫米(mm)驟降至0.10毫米(mm)以下，使得原來之氧化鋁陶瓷基板的機械特性大幅降低，難以再提供後續相關濺鍍、蝕刻及電鍍等製程的操作，甚至無法滿足產品元件之薄型化需求。
有鑑於此，本發明人乃開始進行研究，以期開發出符合後製程操作可靠性及兼顧表面平整性之薄型化基 板，而經長時研究改進，終有本發明產生。
因此，本發明旨在提供一種高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，使製得的薄型陶瓷基板，具有優越的機械強度、高反射率特性及良好表面平整性者。
依本發明之高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，其薄型陶瓷基板是利用氧化鋁摻雜少量碳黑或石墨而製成的含碳氧化鋁墊片，作為薄型氧化鋯-氧化鋁複合陶瓷生胚燒結的軟墊及覆蓋床，再以攝氏1530度(℃)至1610度(℃)溫度燒結所製成，為本發明之次一目的。
依本發明之高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，其製得的薄型陶瓷基板，不僅具有優異的機械性能，同時兼具良好的熱傳導率、高反射率及絕緣特性等性質，此為本發明之再一目的。
依本發明之高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，其製得的薄型陶瓷基板，可有效提供後續製程的高可靠性操作與相關發光二極體(LED)元件良好的散熱性與反射性，此為本發明之又一目的。
依本發明之高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，係將氧化鋁及氧化鋯兩種折射率差異大的原料均勻混合、成型及燒結，製成可見光入射後能產生大量反射光之相對高反射率的氧化鋯-氧化鋁緻密複合陶瓷 基板，可供提升薄膜線路製程的可靠度，並能有效提升相關發光二極體(LED)元件的發光效率，此為本發明之又一目的。
至於本發明之詳細構成，應用原理，作用與功效，則請參照下列依附圖所作之說明即可得到完全了解。
1‧‧‧燒結胚體
100‧‧‧純氧化鋁生胚
200‧‧‧含碳有機物氧化鋁生胚墊材
300‧‧‧氧化鋯-氧化鋁複合生胚
400‧‧‧含碳有機物氧化鋁生胚墊材
500‧‧‧純氧化鋁生胚
第一圖為本發明之製造流程圖。
第二圖為本發明之燒結基板疊層結構示意圖。
第三圖為本發明之實施例製程之基板三點彎曲強度測試值比較圖。
第四圖為本發明實施例製程之基板反射率量測比較圖。
本發明之高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，如第一圖所示，其製程包括：混合步驟：將氧化鋁粉體組成物和氧化鋯粉體組成物混合；球磨步驟：將混合的氧化鋁粉體組成物和氧化鋯粉體組成物，在室溫下，於有機溶劑中，以球磨機進行球磨混合分散製程；PVB調合步驟：依一定重量比例範圍調製氧化 鋁/氧化鋯混合漿料，並加入聚乙烯醇縮丁醛(PVB)作黏結劑；除氣步驟：將氧化鋁/氧化鋯混合漿料放入真空除氣脫泡桶，進行多餘溶劑脫除，直至漿料的黏度達到設定的範圍值；薄帶成型步驟：以刮刀成型製程，生產厚度為0.14毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化鋁複合陶瓷生胚卷；沖片步驟：在薄型氧化鋯-氧化鋁複合陶瓷生胚卷上進行沖片，使形成特定尺寸；疊層步驟：將特定尺寸之生胚片，以含碳的氧化鋁墊材相對夾合，堆疊成三明治型待燒結之燒結胚體；燒結步驟：於一定溫度範圍對燒結胚體進行燒結；平坦化步驟：將燒結後的成型品進行平坦化處理；檢查步驟：對完成平坦化處理的成型品進行細部檢查；最後製得均勻緻密化的複合基板。
上述氧化鋁粉體組成物及氧化鋯粉體組成物，是由次微米氧化鋁粒子形成的矩陣(matrix)相與由分散在矩陣相中的次微米氧化鋯粒子所形成的第二相所組成。該矩陣相的氧化鋁粒子以矩陣相為主，分散在矩陣相中的 氧化鋯粒子在由正方晶氧化鋯構成的含量中，其中含有作為安定劑的三氧化二釔。
其中，所述氧化鋁粉體組成物及氧化鋯粉體組成物，係使用純度為99.8%的氧化鋁粉末，其中包含氧化鎂含量0.05%、氧化納0.04%，氧化鋁粉體的中位粒徑D50為0.45微米(μm)，粉體比表面積為7.2m2g-1；氧化鋯粉體的中位粒徑D50為0.5微米(μm)，粉體比表面積為9.46m2g-1；其中使用氧化釔為穩定劑，氧化釔的含量為2.75莫耳百分比(mole%)；有機化學黏結劑是溶劑型聚乙烯醇縮丁醛(Polyvinyl butyral，簡稱PVB(C8H14O2)n)，主要包含縮醛基含量76~82重量百分比(wt.%)、羥基含量18~21重量百分比(wt.%)、醋酸基含量不超過3重量百分比(wt.%)及分子量分布51,000~57,000；使用己二酸醚酯系為塑化劑，其比重為1.02cm3g-1、折射率為1.446及室溫黏度為20cP；鯡魚魚油(C12H28N2O6)，比重為0.993cm3g-1及分子量296作為粉體分散劑使用。
其中氧化鋯(ZrO2)粉體組成物包含：99莫耳百分比(mole%)-95莫耳百分比(mole%)的氧化鋯(ZrO2)，1莫耳百分比(mole%)-5莫耳百分比(mole%)作為穩定劑的氧化釔；其中氧化鋯粉體中位粒徑D50小於1微米(μm)且均勻分散在中位粒徑同樣不超過1微米(μm)的氧化鋁粒子中。
上述次微米氧化鋯和次微米氧化鋁的複合粉體，其平均粒徑為0.3~0.5微米(μm)，純度高於99%以上，複合粉體中的第二相含量最好是10~20重量百分比(wt.%)，氧化鋯粒子的一部分最好是分散在氧化鋁粒子的內部。
上述有機溶劑係以包含碳原子的有機化合物溶劑為主，可分為極性質子性溶劑和非極性溶劑，該極性質子性溶劑較佳者係選自甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇等組群，非極性溶劑則選自己烷、苯、甲苯、氯仿、四氫呋喃等組群。
其中燒結胚體1的組成為：如第二圖所示，先將一片純氧化鋁生胚100置於最底部；再以一片含碳有機物氧化鋁生胚墊材200放置在純氧化鋁生胚100的上方；接著，放置一片氧化鋯-氧化鋁複合生胚300在該含碳有機物氧化鋁生胚墊材200的上方；再以一片含碳有機物氧化鋁生胚墊材400覆蓋在氧化鋯-氧化鋁複合生胚300的上方，於依序堆疊至少二層以上後，最後再以一片純氧化鋁生胚500覆蓋在最上方，以構成三明治式的疊層結構。
其中，將薄型陶瓷基板和含碳氧化鋁墊材夾合堆疊後，以高於攝氏1500度(℃)的溫度燒結，燒結時間應長達1小時以上，獲得的燒結體視密度達4.12g/cm3(相對密度98%以上)。燒結後的微結構組織中，氧化鋁晶粒大小 不超過3微米(μm)，分散相氧化鋯晶粒不超過1.5微米(μm)。
上述含碳氧化鋁墊材的氧化鋁粉體之平均粒徑在30~45微米(μm)，含量在99.9~70重量百分比(wt.%)，其餘碳含量最好在0.1~30重量百分比(wt.%)。其組成物包含：固含量佔重量百分比為45%-80%，該粉體中含有99重量百分比(wt.%)-70重量百分比(wt.%)的氧化鋁(Al2O3)、1重量百分比(wt.%)-30重量百分比(wt.%)的氧化鋯(ZrO2)；多種含水率總和不超過1%的有機溶劑混合液；分散劑為鯡魚魚油；塑化劑為磷酸酯類，其含量佔粉體0.1-5.0重量百分比(wt.%)；以及黏結劑，係選自聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，佔粉體4-12重量百分比(wt.%)。
依本發明之製備方法所製得的薄型陶瓷基板，於厚度小於0.12毫米(mm)時，基板三點彎曲強度值可達800兆帕(MPa)以上；於厚度小於0.25毫米(mm)時，基板反射率值可達90%以上。
以下利用各實施例說明本發明：
[實施例1]
將氧化鋯/氧化鋁之重量比例為15/85之氧化鋯-氧化鋁複合生胚卷進行沖片，該生胚外徑尺寸以預先測試燒結收縮率計算沖片生胚尺寸達5.7吋×5.7吋，以預先設計之特定含碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋯-氧化鋁複合 生胚三明治堆疊，該特定含碳黑-氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1578度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度為0.1毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化鋁複合基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試之測試值可達1055百萬帕(Mpa)。
[實施例2]
將氧化鋯/氧化鋁之重量比例為15/85之氧化鋯-氧化鋁複合生胚外徑尺寸面積為5.7吋×5.7吋之氧化鋯-氧化鋁複合生胚片，以預先設計之特定含石墨+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋯-氧化鋁複合生胚堆疊，該特定氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1578度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度為0.1毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化鋁複合基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試之測試值可達943百萬帕(MPa)。
[實施例3]
將氧化鋯/氧化鋁之重量比例為15/85之氧化鋯-氧化鋁複合生胚外徑尺寸面積為5.7吋×5.7吋之氧化鋯-氧化鋁複合生胚片，以預先設計之特定碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋯-氧化鋁複合生胚堆疊，該特定氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板 表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1582度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度為0.1毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化鋁複合基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試的測試值可達1003百萬帕(MPa)。
[實施例4]
將氧化鋯/氧化鋁之重量比例為15/85之氧化鋯-氧化鋁複合生胚外徑尺寸面積為5.7吋×5.7吋之氧化鋯-氧化鋁複合生胚片，以預先設計之特定石墨+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋯-氧化鋁複合生胚堆疊，該特定氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1555度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度0.1毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化鋁複合基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試的測試值可達886百萬帕(MPa)。
[實施例5]
將氧化鋯/氧化鋁之重量比例為5/95之氧化鋯-氧化鋁複合生胚外徑尺寸面積為5.7吋×5.7吋之氧化鋯-氧化鋁複合生胚片，以預先設計之特定碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋯-氧化鋁複合生胚堆疊，該特定氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1588度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度0.1毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化 鋁複合基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試的測試值可達565百萬帕(MPa)。
[實施例6]
將氧化鋯/氧化鋁之重量比例為10/90之氧化鋯-氧化鋁複合生胚外徑尺寸面積為5.7吋×5.7吋之氧化鋯-氧化鋁複合生胚片，以預先設計之特定碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋯-氧化鋁複合生胚堆疊，該特定氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1588度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度0.1毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化鋁複合基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試的測試值可達646百萬帕(MPa)。
[實施例7]
將99.8%純氧化鋁起始粉體在室溫下，於有機溶劑中進行球磨混合分散，將此分散漿料進行除氣脫泡，直至漿料黏度達設定範圍值，再以刮刀成形生胚卷之厚度為0.14毫米(mm)。將所得之生胚外徑尺寸5.7吋×5.7吋之氧化鋁生胚片，以預先設計之特定碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋁生胚堆疊，該特定含碳氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。該堆疊生胚經燒結溫度攝氏1555度(℃)燒成4.5吋×4.5吋，厚度為0.1毫米(mm)之薄型氧化鋁基板，以ASTM D790進 行三點彎曲強度測試的測試值可達404百萬帕(MPa)。
[實施例8]
將氧化鋁和4重量百分比(wt.%)助燒劑等起始粉體在室溫下，於有機溶劑中進行球磨混合分散，將此分散漿料進行除氣脫泡，直至漿料黏度達設定範圍值，再以刮刀成形生胚卷之厚度為0.14毫米(mm)。將所得之生胚外徑尺寸5.7吋×5.7吋之96%氧化鋁生胚片，以預先設計之特定碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋁生胚堆疊，該特定含碳氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1555度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度為0.1毫米(mm)之薄型氧化鋁基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試的測試值可達271百萬帕(MPa)。
[實施例9]
將上述所得之生胚外徑尺寸為5.7吋×5.7吋之氧化鋯-氧化鋁複合生胚片，以預先設計之特定碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋯-氧化鋁複合生胚堆疊，該特定氧化鋁生胚提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1582度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度為0.25毫米(mm)之薄型氧化鋯-氧化鋁複合基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試的測試值可達1003百萬帕(MPa)；以反射率量測儀進行 基板反射率(波長400nm)測試的測試值可達92%以上(如第四圖所示)。
[實施例10]
將99.8%純氧化鋁起始粉體在室溫下，於有機溶劑中進行球磨混合分散，將此分散漿料進行除氣脫泡，直至漿料黏度達設定範圍值，再以刮刀成形生胚卷之厚度為0.14毫米(mm)。將所得之生胚外徑尺寸為5.7吋×5.7吋之氧化鋁生胚片，以預先設計之特定碳黑+氧化鋁生胚墊片和上述氧化鋁生胚堆疊，該特定含碳氧化鋁生胚可提供確保多層複合生胚堆疊脫脂完全及燒結後之基板表面平整性。堆疊生胚經燒結溫度攝氏1555度(℃)燒成面積為4.5吋×4.5吋，厚度為0.1毫米(mm)之薄型氧化鋁基板，以ASTM D790進行三點彎曲強度測試的測試值可達404百萬帕(MPa)；以反射率量測儀進行基板反射率(波長450nm)測試的測試值可達83%以上(如第四圖所示)。
本發明各實施例和傳統未使用生胚墊片之對照例的比對結果如下表：
第三圖係表示，傳統96%氧化鋁基材經攝氏1625度(℃)之溫度燒結後，其基板三點彎曲強度值為350百萬帕(MPa)，但以本發明之製備方法所製得的氧化鋯-氧化鋁複合基板，搭配含碳氧化鋁墊材燒結成型的複合基板，經攝氏1578度(℃)下燒結，其基板三點彎曲強度值可達1055百萬帕(MPa)；搭配含碳氧化鋁墊材燒結成型的複合基板，經攝氏1578度(℃)燒結，其基板三點彎曲強度值可達1055百萬帕(MPa)；搭配含石墨氧化鋁墊材燒結成型 的複合基板，經攝氏1578度(℃)燒結，其基板三點彎曲強度值可達943百萬帕(MPa)；搭配含碳氧化鋁墊材燒結成型的複合基板，經攝氏1578度(℃)下燒結，其基板三點彎曲強度值可達1055百萬帕(MPa)；搭配含碳氧化鋁墊材燒結成型的複合基板，經攝氏1582度(℃)燒結，其基板三點彎曲強度值可達1003百萬帕(MPa)；搭配含石墨氧化鋁墊材燒結成型的複合基板，經攝氏1582度(℃)燒結，其基板三點彎曲強度值可達866百萬帕(MPa)。
第四圖表示本發明之氧化鋯-氧化鋁複合基板(1)和傳統使用99.6%氧化鋁之基板(2)，在各種不同波長的反射率。
從該圖可以清楚看出，傳統之99.6%氧化鋁之基板，在波長為400奈米(nm)下，反射率的測試值僅為85%，但在同樣波長下，本發明之氧化鋯-氧化鋁複合基板之反射率的測試值可達到93%；傳統之99.6%氧化鋁之基板，在波長為700奈米(nm)下，反射率的測試值僅為80%，但在同樣波長下，本發明之氧化鋯-氧化鋁複合基板之反射率的測試值可達到88%，由此可知，經由本發明之製備方法所製得的氧化鋯-氧化鋁複合基板，確實具備高強度及高反射率之特性。
經由以上所述可知，本發明能提供滿足薄型化 元件製程的操作性，透過添加次微米氧化鋯粒子改變其微觀組織，進而提升基板的抗彎強度，作為提供下世代薄型化元件製程的載板。
以本發明之製備方法所製得的高強度與高反射率薄型陶瓷基板，具有如下特性：
1.具高緻密性，外觀表面平整且內部微結構組織晶粒大小均勻無孔隙之燒結體。
2.具高強度特性，提供後製程濺鍍、電鍍及蝕刻程序的高可靠性使用。
3.具高反射率特性，提供LED相關元件在發光效率上的明顯提升。
綜上所述，本發明高強度與高反射率之薄型基板的製備方法，依其方法所製得的氧化鋯-氧化鋁複合陶瓷基板，其特性明顯優於傳統氧化鋁陶瓷基板，可達到基板後製程操作的可靠性與終端產品元件的穩定性要求之目的與功效，故本發明確有符合發明專利之申請要件，爰依法提出發明專利之申請，懇請惠予審查，並早日賜准專利，則實感德馨。
惟以上所述乃是本發明較佳具體的實施例，若依本發明之構想所作之改變，其產生之功能作用，仍未超出說明書與圖示所涵蓋之精神時，均應在本發明之範圍內，合予陳明。
1‧‧‧燒結胚體
100‧‧‧純氧化鋁生胚
200‧‧‧含碳有機物氧化鋁生胚墊材
300‧‧‧氧化鋯-氧化鋁複合生胚
400‧‧‧含碳有機物氧化鋁生胚墊材
500‧‧‧純氧化鋁生胚

Claims (8)

  1. 一種具有高強度與高反射率之薄型陶瓷基板的製備方法，係以一氧化鋯-氧化鋁複合生胚作為中間層，在氧化鋯-氧化鋁複合生胚的上方及下方各設一含碳有機物氧化鋁生胚墊材，再於上方含碳有機物氧化鋁生胚墊材的上方及下方含碳有機物氧化鋁生胚墊材的下方各設一純氧化鋁生胚，整體疊層後再以高於攝氏1500度(℃)的溫度燒結，以製得燒結體視密度達4.12g/cm3(相對密度98%以上)之薄型陶瓷基板。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的製備方法，其中氧化鋯-氧化鋁複合生胚，是以氧化鋁粉體組成物和氧化鋯粉體組成物，在室溫下，於有機溶劑中進行球磨混合分散，依一定重量比例範圍調製氧化鋁/氧化鋯混合漿料，再將此漿料，以真空除氣脫泡桶進行多餘溶劑脫除，直至漿料黏度達設定範圍值，再以刮刀成型製得。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的製備方法，其中氧化鋯-氧化鋁複合生胚的厚度以0.14毫米(mm)為較佳。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的製備方法，其中氧化鋁粉體組成物包含：99莫耳百分比(mole%)-95莫耳百分比(mole%)氧化鋯(ZrO2)、1莫耳百分比(mole%)-5莫耳百 分比(mole%)作為穩定劑之氧化釔，該氧化鋯粉體的中位粒徑D50小於1微米(μm)且均勻分散在中位粒徑同樣不超過1微米(μm)的氧化鋁粒子中
  5. 如申請專利範圍第2項所述的製備方法，其中氧化鋯粉體和氧化鋁粉體的組成物係包含：陶瓷粉體固含量，佔有之重量百分比為45%-80%，而該陶瓷粉體含有99重量百分比(wt.%)-70重量百分比(wt.%)氧化鋁(Al2O3)、1重量百分比(wt.%)-30重量百分比(wt.%)氧化鋯(ZrO2)；多種含水率總和不超過1%的有機溶劑混合液；分散劑為鯡魚魚油，塑化劑為磷酸酯類，其含量以粉體重量為基準，含有0.1-5.0重量百分比(wt.%)；以及黏結劑選自聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，佔粉體之4-12重量百分比(wt.%)。
  6. 如申請專利範圍第2項所述的製備方法，其中有機溶劑係包含碳原子的有機化合物溶劑，可為極性質子性溶劑和非極性溶劑，其極性質子性溶劑係選自甲醇、乙醇、異丙醇、正丁醇組群；非極性溶劑係選自己烷、苯、甲苯、氯仿、四氫呋喃組群。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的製備方法，其中含碳氧化鋁墊材之組成物係包含：陶瓷粉體，佔有之固體重量 百分率為45%-80%，而該陶瓷粉體含有99重量百分比(wt.%)-70重量百分比(wt.%)之氧化鋁(Al2O3)，1重量百分比(wt.%)-30重量百分比(wt.%)添加物(碳有機物)；多種含水率總和不超過1%的有機溶劑混合液；分散劑為鯡魚魚油；塑化劑為磷酸酯類，其含量以粉體重量為基準，含有0.1-5.0重量百分比(wt.%)；以及黏結劑，選自聚乙烯醇縮丁醛(PVB)，佔粉體含量之4-12重量百分比(wt.%)。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的製備方法，其中燒結後的微結構組織中，氧化鋁晶粒大小不超過3微米(μm)且分散相氧化鋯晶粒不超過1.5微米(μm)。
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