TW201514462A

TW201514462A - 帶電粒子束裝置

Info

Publication number: TW201514462A
Application number: TW103128092A
Authority: TW
Inventors: Xin Man; Atsushi Uemoto; Tatsuya Asahata
Original assignee: Hitach High Tech Science Corp
Priority date: 2013-09-02
Filing date: 2014-08-15
Publication date: 2015-04-16
Also published as: JP2015050068A; TWI638987B; US20150060668A1; KR20150026970A; US9245713B2; JP6271189B2; KR102169574B1

Abstract

提供一種可將試料即時觀察且容易加工成針狀的帶電粒子束裝置。一種將試料的先端部加工成針狀的帶電粒子束裝置，具備：將離子束照射在前述先端部的離子束照射部、及將電子束照射在前述先端部的電子束照射部、及藉由前述電子束的照射來檢出從前述先端部發生的二次電子的二次電子檢出部、及藉由前述電子束的照射來檢出從前述先端部發生的繞射電子的EBSD檢出部。

Description

帶電粒子束裝置

本發明，是有關於帶電粒子束裝置。

原子探針分析法，是從金屬和半導體等的試料表面使離子電場蒸發，藉由測量此離子入射至規定的質量分析器為止的時間及入射時的電壓來識別離子的分析法。在原子探針分析法中，可以將試料表面的各原子直接觀察，並且可以每次觀察1層試料表面的原子層，將組成識別。

另一方面，在由原子探針分析法所產生的分析中，要求製作先端的直徑為100nm程度的針狀試料。因此，以往藉由各式各樣的手法進行了針狀試料的測量。近年來已知，使用聚焦離子束(FIB：Focused Ion Beam)從薄膜將針狀的試料作成的技術(例如專利文獻1參照)。

進一步，近年來已知，將集束離子束及電子束對於試料垂直交叉照射，藉由集束離子束將試料加工成針狀，且藉由檢出由電子束的照射發生的二次電子，就可以即時地將試料觀察且將試料加工成針狀的技術。

〔習知技術文獻〕〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2009-294235號公報

但是針狀的試料的先端被先銳化的話，因為藉由：由電子束照射而在試料表面附著污穢物(污染物)、和由伴隨先銳化加工的形狀變化使對於試料的電子束的入射角度變化，使對比減少，所以具有將檢出結果取得困難的問題。因此，即時將試料觀察且將試料加工成針狀是成為困難。

鑑於如以上的狀況，本發明的目的是提供一種可將試料即時地觀察且容易加工成針狀的帶電粒子束裝置。

本發明的帶電粒子束裝置，是將試料的先端部加工成針狀的帶電粒子束裝置，具備：將離子束照射在前述先端部的離子束照射部、及將電子束照射在前述先端部的電子束照射部、及藉由前述電子束的照射來檢出從前述先端部發生的二次電子的二次電子檢出部、及藉由前述電子束的照射檢出從前述先端部發生的後方散亂電子和透過散亂電子的繞射電子的EBSD檢出部。

依據本發明的話，即使伴隨先端部的先銳化，藉由：由電子束照射在試料表面附著污穢物(污染物)、和由伴隨先銳化加工的試料表面的形狀變化使對於試料的電子束的入射角度變化，而成為將二次電子檢出部中的檢出結果取得困難的情況，也可藉由電子束的照射將從先端部發生的繞射電子在EBSD檢出部檢出。EBSD檢出部，因為是藉由高的加速電壓的電子束可以將試料的結晶方位測量，所以與較低的加速電壓的電子束的情況相比在試料表面污穢物(污染物)附著困難，且，因為由試料表面的形狀變化所產生的影響少，所以成為可使用由EBSD檢出部所產生的檢出結果將試料的觀察畫像取得。且，藉由將由EBSD檢出部所產生的測量及由離子束照射部所產生的先銳化加工交互地進行，就可以將試料的先端部的加工狀態(對象位置、形狀等)一邊確認一邊加工。由此，將試料即時觀察且加工成針狀是成為容易。

對於上述帶電粒子束裝置，前述離子束照射部及前述電子束照射部，是使前述離子束及前述電子束垂直交叉地配置。

依據本發明的話，因為對於使用離子束照射部的試料的加工部位，使可以將電子束垂直地照射，所以對於加工中的觀察所需要的用途成為最佳的構成。

對於上述帶電粒子束裝置，前述EBSD檢出部，是具有朝向前述先端部檢出前述繞射電子的檢出面，前述檢出面，是被配置於從前述先端部所見與前述離子束及前述電子束的雙方垂直交叉的方向上。

依據本發明的話，因為EBSD檢出部的檢出面朝向先端部，並且被配置於從先端部所見與離子束及電子束及彼此之間垂直交叉的方向上，所以可以將來自被先銳化的試料的繞射電子有效率地檢出。

上述帶電粒子束裝置，是進一步具備檢出從前述先端部發生的X線的EDS檢出部。

依據本發明的話，藉由使用EDS檢出部的檢出結果，就可以監控將試料之中組成不同的界面作為加工對象的情況的加工的樣子。

上述帶電粒子束裝置，是進一步具備檢出透過前述先端部的透過電子的STEM檢出部。

依據本發明的話，在STEM檢出部藉由將透過試料的透過電子檢出，就可以獲得結晶及組成資訊。由此，可以監控將試料加工成針狀時的加工的樣子。

對於上述帶電粒子束裝置，前述試料，是使用原子探針分析。

依據本發明的話，因為容易將試料即時地觀察且加工成針狀，所以使用於原子探針分析之先端的直徑是100nm程度的針狀試料也可以容易地製作。

上述帶電粒子束裝置，是進一步具備在前述離子束及前述電子束的交點配置前述先端部的方式將前述試料的位置固定的試料保持部。

依據本發明的話，藉由在離子束及電子束的交點配置先端部就容易對於試料的加工部位將電子束確實地照射。由此，對於加工中的觀察所需要的用途成為最佳的構成。

上述帶電粒子束裝置，是進一步具備至少可顯示前述二次電子檢出部的檢出結果及前述EBSD檢出部的檢出結果的顯示部。

依據本發明的話，在顯示部，因為成為可顯示二次電子檢出部的檢出結果及EBSD檢出部的檢出結果，所以成為容易將試料即時觀察且加工成針狀。

依據本發明的話，因為藉由將由EBSD檢出部所產生的測量及由離子束照射部所產生的先銳化加工交互地進行，就可以將試料的先端部的加工對象位置一邊確認一邊加工，所以將試料即時觀察且加工成針狀是成為容易。

CB‧‧‧真空室

CBa‧‧‧內部

CR‧‧‧控制部

DP‧‧‧顯示部

E‧‧‧繞射電子

EB‧‧‧電子束

Ed‧‧‧繞射電子

Er‧‧‧反射電子

Es‧‧‧二次電子

Et‧‧‧透過電子

FB‧‧‧集束離子束

HD‧‧‧試料保持部

IP‧‧‧輸入部

Mb‧‧‧錐面

S‧‧‧試料

Sa‧‧‧先端部

T‧‧‧試料

Ta‧‧‧測量面

10‧‧‧離子束照射部

11‧‧‧離子束鏡筒

11a‧‧‧射出口

12‧‧‧離子束發生源

13‧‧‧離子束光學系

20‧‧‧電子束照射部

20A‧‧‧電子束照射部

21‧‧‧電子束鏡筒

21a‧‧‧射出口

22‧‧‧電子束發生源

23‧‧‧電子束光學系

24，30‧‧‧二次電子檢出部

40‧‧‧EBSD檢出部

40A‧‧‧EBSD檢出部

40a‧‧‧檢出面

50‧‧‧EDS檢出部

60‧‧‧STEM檢出部

100‧‧‧帶電粒子束裝置

[第1圖]顯示實施例的帶電粒子束裝置100的構成的意示圖。

[第2圖]帶電粒子束裝置100的概略剖面圖。

[第3圖](a)是顯示電子線後方散亂繞射法的原理的圖，(b)是顯示將對於實施例中的試料S的先端部Sa照射電子束EB的情況時發生的繞射電子Ed藉由EBSD檢出部40檢出時的樣子的圖。

[第4圖]顯示藉由離子束照射部10將先端部Sa加工的樣子的圖。

[第5圖](a)是顯示使用二次電子檢出部24的檢出結果的觀察畫像的圖，(b)是顯示使用EBSD檢出部40的檢出結果的觀察畫像的圖。

[第6圖](a)是顯示使用二次電子檢出部24的檢出結果的觀察畫像的圖，(b)是顯示使用EBSD檢出部40的檢出結果的觀察畫像的圖。

[第7圖](a)是顯示使用二次電子檢出部24的檢出結果的觀察畫像的圖，(b)是顯示使用EBSD檢出部40的檢出結果的觀察畫像的圖。

[第8圖](a)是顯示使用二次電子檢出部24的檢出結果的觀察畫像的圖，(b)是顯示使用EBSD檢出部40的檢出結果的觀察畫像的圖。

以下，說明本發明的實施例。

第1圖，是顯示本實施例的帶電粒子束裝置100的構成的意示圖。

第1圖所示的帶電粒子束裝置100，是製作原子探針分析法所使用的針狀的試料S。試料S的構成材料，是可舉例例如金屬和半導體等。試料S，是藉由帶電粒子束裝置100，使先端部Sa的直徑成為100nm程度的方式被先銳化。

如第1圖所示，帶電粒子束裝置100，是具有：將集束離子束FB照射的離子束照射部10、及將電子束EB照射的電子束照射部20、及二次電子檢出部30、及EBSD檢出部40、及EDS檢出部50、及STEM檢出部60、及將試料S保持的試料保持部HD、及真空室CB、及控制部CR、及顯示部DP。

帶電粒子束裝置100之中，對於離子束照射部10、電子束照射部20、二次電子檢出部30、EBSD檢出部40、EDS檢出部50、STEM檢出部60及試料保持部HD，是一部分或是全部被配置於真空室CB的內部。在真空室CB中，設有未圖示的真空泵，可將內部CBa排氣至高真空氣氛為止。

第2圖，是帶電粒子束裝置100的概略剖面圖。第2圖，是只有顯示對於離子束照射部10、電子束照射部20及真空室CB的剖面構成，對於其他的構成是示意地顯示。又，在第2圖中使用XYZ座標系說明圖中的方向。在此XYZ座標系中，將從離子束照射部10被照射的集束離子束FB的照射方向作為X方向，將從電子束照射部20被照射的電子束EB的照射方向作為Y方向，將與X方向及Y方向垂直交叉的方向作為Z方向。對於X方向、Y方向及Z方向，圖中的箭頭的方向是表記為+ 方向，與箭頭的方向相反的方向是表記為-方向。且，對於繞X軸周圍的方向是表記為θX方向。

如第2圖所示，離子束照射部10，是具備：離子束鏡筒11、及離子束發生源12、及離子束光學系13。離子束鏡筒11，是形成圓筒狀，中心軸是與X方向平行配置。離子束發生源12及離子束光學系13，是被配置於離子束鏡筒11的內部。離子束照射部10，是將由離子束發生源12發生的離子的束由離子束光學系13細縮徑而成為集束離子束FB，將該集束離子束FB從配置於鏡筒11的+X側端部的射出口11a朝+X方向射出的構成。

電子束照射部20，是具備電子束鏡筒21、及電子束發生源22、及電子束光學系23。電子束鏡筒21，是形成圓筒狀，中心軸是與Y方向平行配置。電子束發生源22及電子束光學系23，是被配置於鏡筒21的內部。電子束照射部20，是將由電子束發生源22發生的電子的束由電子束光學系23細縮徑而成為電子束EB，將該電子束EB從被配置於電子束鏡筒21的+Y側端部的射出口21a朝+Y方向射出的構成。又，在鏡筒21的內部中，設有檢出由試料S的先端部Sa發生並到達該鏡筒21的內部的反射電子Er的二次電子檢出部24。

如此，離子束照射部10及電子束照射部20，是朝與集束離子束FB及電子束EB垂直交叉的方向被照射地配置。試料保持部HD，是在集束離子束FB及電子束EB的交叉的位置或是其附近配置有試料S的先端部Sa 的方式將試料S保持。

在本實施例中，試料保持部HD，是使試料S不會移動的方式將該試料S保持。試料保持部HD，是使試料S的先端部Sa朝向-X方向的方式將試料S保持。因此，集束離子束FB，是成為從試料S的先端側朝先端部Sa被照射。且，電子束EB，因為是朝與集束離子束FB垂直交叉的方向被照射，所以可以對於集束離子束FB被照射的先端部Sa將電子束EB照射。因此成為可觀察由集束離子束FB所產生的加工中的先端部Sa。

離子束照射部10，是可以將集束離子束FB的照射位置對於試料S的先端部Sa移動。

在試料S的先端部Sa若電子束EB被照射的話，二次電子Es和後方散亂電子Ed等的帶電粒子會從先端部Sa發生。且，X線R會從先端部Sa被放出。另一方面，透過先端部Sa的透過電子Et也發生。且，將集束離子束FB照射的話，二次電子和二次離子等會從先端部Sa發生。

二次電子檢出部30，是檢出由試料S的先端部Sa發生的二次電子Es。二次電子檢出部30，是檢出二次電子Es之中與二次電子檢出部24不同角度的電子。藉由使用由二次電子檢出部30所產生的檢出結果，就可以將先端部Sa的凹凸形狀等觀察。

EBSD檢出部40，是檢出由試料S的先端部Sa發生的繞射電子Ed。EBSD檢出部40，是進行依據電子線後方散亂繞射法的原理的檢出。電子線後方散亂繞射法，是將藉由電子束EB的照射發生的繞射電子的繞射圖型解析的手法。對於具有結晶性的試料將電子束照射的話，如上述繞射電子會發生。此繞射電子，是藉由試料的結晶格子面被繞射。被繞射的電子，是在規定的面上形成帶狀的繞射圖型。藉由檢出此繞射圖型，就可以求得結晶構造和結晶方位。

EBSD檢出部40，是具有形成繞射圖型用的檢出面40a。

EBSD檢出部40，是可檢出形成於檢出面40a的繞射電子的繞射圖型。檢出面40a，是形成平面狀，朝向-Z側。檢出面40a，是Z方向視為圓形。檢出面40a，是從試料S的先端部Sa所見被配置於+Z方向上。

第3圖(a)，是顯示電子線後方散亂繞射法的原理的圖。

如第3圖(a)所示，在電子線後方散亂繞射法中，對於具有規定的測量面Ta的試料T的該測量面Ta，從電子束照射部20A由α1(約70°)的入射角將電子束EB照射。此情況，由試料T的結晶格子面被繞射的繞射電子E，是由規定的角度β1(約70°)被放射。EBSD檢出部40A，是檢出此時被放射的繞射電子E的繞射圖型。

第3圖(b)，是顯示將對於本實施例中的試料S的先端部Sa照射電子束EB的情況時發生的繞射電子Ed藉由EBSD檢出部40檢出時的樣子的圖。如第3圖 (b)所示，試料S的先端部Sa，因為是被加工成針狀，所以成為具有錐面Mb的形狀。

電子束EB，是在X方向視對於先端部Sa被照射。藉由電子束EB的照射，從先端部Sa使繞射電子Ed發生。EBSD檢出部40，是檢出從先端部Sa朝向+Z側朝規定的角度範圍(約70°)的方向進行的繞射電子Ed的繞射圖型。

EDS檢出部50，是檢出由試料S的先端部Sa發生的X線R。X線R，是各元素不同的特性X線。在EDS檢出部50中，因為可檢出這種特性X線，所以成為可檢出被包含於先端部Sa的元素。又，EDS檢出部50，是因為檢出結果的方位依存性較低，所以檢出面是朝向試料S側即可。藉由使用EDS檢出部50，就可以觀察將先端部Sa之中組成不同的界面加工的情況中的加工的樣子。

STEM檢出部60，是檢出透過了試料S的先端部Sa的透過電子Et。在STEM檢出部60中，可將先端部Sa的結晶狀態和組成資訊等檢出。且，在控制部CR中，依據STEM檢出部60的檢出結果，可獲得先端部Sa的三次元的資訊。在先端部Sa未被充分地加工的階段中，先端部Sa的徑因為大，所以透過電子Et減少，檢出精度不會很高。另一方面，先端部Sa的加工進行的話，先端部Sa的徑因為變小(接近100nm)，所以透過電子Et變多，檢出精度變高。因此，在本實施例中，使用於先端部 Sa的加工的途中之後(例如最終階段)最佳。

控制部CR，是可以將上述的各構成部總合地控制，並且可以使離子束照射部10的鏡筒11及電子束照射部20的鏡筒21的加速電壓和束電流變化。控制部CR，是藉由使離子束照射部10的加速電壓和束量變化，就可以將集束離子束FB的束徑自由地調整。由此，不是只有取得觀察畫像，也可以將試料S局部地蝕刻加工。且，蝕刻加工時，藉由調整束徑就可從粗加工至精加工加工為止使加工精度自由地被改變。

且控制部CR，可以將由二次電子檢出部24、二次電子檢出部30、EBSD檢出部40、EDS檢出部50及STEM檢出部60的各部被檢出的檢出結果轉換成訊號，生成觀察畫像資料。控制部CR，是生成觀察畫像資料之後，可以依據此觀察畫像資料朝顯示部DP將觀察畫像輸出。

且在控制部CR中，連接有操作者可輸入的輸入部IP。控制部CR，可依據藉由輸入部IP被輸入的訊號將各構成品控制。例如，操作者，可透過輸入部IP，調整集束離子束FB及電子束EB的照射位置和束徑。此情況，操作者，可以在先端部Sa之中所期的領域將集束離子束FB照射地進行蝕刻加工，或在所期的領域將電子束EB照射地觀察。

接著說明，使用如此構成的帶電粒子束裝置100，將試料S加工成針狀的試料作成方法。在開始，將試料S保持在試料保持部HD，並且進行將真空室CB內設定成真空狀態的初期設定。此初期設定終了之後，進行朝試料S將集束離子束FB照射將試料S的先端部Sa加工成針狀的過程。

控制部CR，是將試料保持部HD動作來調整試料S的先端部Sa的位置。

其後，控制部CR，是從離子束照射部10朝向試料S將集束離子束FB照射。

第4圖，是顯示藉由離子束照射部10將先端部Sa加工的樣子的圖。

如第4圖所示，離子束照射部10，是對於先端部Sa朝+X方向將集束離子束FB照射。此時，集束離子束FB，是在X方向視朝從先端部Sa的中心部偏離的位置被照射。先端部Sa之中集束離子束FB被照射的部分，是藉由集束離子束FB選擇性地被蝕刻。

在先端部Sa的一部分集束離子束FB被照射之後，控制部CR，是將集束離子束FB的照射位置朝θX方向錯開地照射集束離子束FB。如此，將集束離子束FB的照射領域一邊朝θX方向偏離一邊進行上述的蝕刻。藉由將此處理反覆進行，試料S的先端部Sa，是漸漸地被先銳化，形成針狀。

對於試料S的旋轉角度和集束離子束FB的束徑、照射時間等，是藉由操作者設定也可以，使預先規定的值被設定，使用該規定值也可以。規定值被設定的情況，將規定值變更也可以。

且將試料S加工時，欲確認觀察畫像的情況時，可適宜從電子束照射部20將電子束EB照射即可。在第4圖中，顯示藉由電子束EB發生的繞射電子Ed是藉由EBSD檢出部40的檢出面40a被檢出的樣子。不限定於此，可以藉由電子束EB的照射發生的二次電子Es和反射電子Er、透過電子Et，將X線R等由各種感測器(二次電子檢出部24、二次電子檢出部30、EDS檢出部50及STEM檢出部60)檢出。

控制部CR，是生成依據此各檢出部中的檢出結果的觀察畫像資料，將觀察畫像顯示在顯示部DP。操作者，是藉由被顯示在顯示部DP的觀察畫像，就可以觀察試料S的先端部Sa的狀態。且，操作者，可以選擇是否將那感測器的觀察畫像顯示在顯示部DP。

第5圖~第8圖，是顯示(a)使用二次電子檢出部24的檢出結果的觀察畫像、及(b)使用EBSD檢出部40的檢出結果的觀察畫像的圖。在第5圖~第8圖中，試料S是使用鐵鋼材料的情況時，顯示對於先端部Sa的規定領域(在各圖中由虛線的橢圓包圍的領域)的結晶粒界者。

由集束離子束FB所產生的加工是初期階段的情況，例如第5圖(a)及第5圖(b)所示，由二次電子檢出部24所產生的觀察畫像及由EBSD檢出部40所產生的觀察畫像的其中任一，皆可以觀察先端部Sa的規定領域的結晶粒界。且，即使加工進行至某程度的狀態，如第6圖(a)及第6圖(b)所示，也可由：由二次電子檢出部24所產生的觀察畫像、及由EBSD檢出部40所產生的觀察畫像的雙方，觀察規定領域的結晶粒界。

另一方面，進行對於試料S的先端部Sa的加工，使針狀的先端部Sa被先銳化的話，因為藉由在試料表面將電子束照射而發生的污穢物(污染物)、和藉由伴隨先銳化的表面形狀變化使電子束的入射角變化使二次電子檢出部24和二次電子檢出部30等的像對比減少，所以觀察畫像的取得成為困難。例如，如第7圖(a)所示，在由二次電子檢出部24所產生的觀察畫像中，規定領域的結晶粒界是成為無法確認。且，從第7圖(a)所示的狀態至進一步加工進行的第8圖(a)的狀態，也成為無法從由二次電子檢出部24所產生的觀察畫像確認規定領域的結晶粒界。如此，在加工進行，先端部Sa被先銳化的階段中，因為只有使用二次電子檢出系，所以即時將試料觀察且將試料加工成針狀是成為困難。

對於此，在本實施例中，對於被先銳化的先端部Sa從二次電子檢出系中的檢出結果將觀察畫像取得困難的情況，也可以在EBSD檢出部40檢出藉由電子束EB的照射從先端部Sa發生的繞射電子Ed。EBSD檢出部40，因為可以藉由例如30kV以上的高的加速電壓的電子束將試料的結晶方位測量，所以由試料表面的污穢物(污染物)和表面形狀變化所產生的影響少，而可以使用 EBSD檢出部40中的檢出結果獲得先端部Sa的觀察畫像。例如，如第7圖(b)及第8圖(b)所示，在EBSD檢出部40的檢出結果中，規定領域的結晶粒界被明確顯示。

因此，藉由交互地進行由EBSD檢出部40所產生的測量及由離子束照射部10所產生的先端部Sa的加工，就可以將先端部Sa的加工狀態(對象位置、形狀等)一邊確認一邊加工。且，即使不是交互進行，也容易將試料S觀察且加工成針狀。

在此，說明具有所期的結晶粒界的先銳的針狀試料的製作。

藉由將試料旋轉，將集束離子束照射，漸漸地使先端部先銳化。

因為藉由先銳化使先端部變小，所以所期的結晶粒界也具有可由集束離子束照射進行蝕刻加工。在此，藉由EBSD測量來測量所期的結晶粒界，使該結晶粒界殘留在試料的方式繼續加工。此時，因為即使將試料旋轉也可觀察結晶粒界，所以不會看不見觀察對象。由此，可以將包含所期的觀察對象的被先銳化的針狀試料正確地製作。

且離子束照射部10及電子束照射部20，是使集束離子束FB及電子束EB垂直交叉地配置。由此，對於使用離子束照射部10的試料S的加工部位，因為可以將電子束EB垂直地照射，所以對於加工中的觀察所需要的用途成為最佳的構成。

且EBSD檢出部40，是具有朝向先端部Sa檢出繞射電子Ed的檢出面40a，檢出面40a，是從先端部Sa所見被配置於與集束離子束FB及電子束EB的雙方垂直交叉的方向上。因此，可以將來自先端部Sa的繞射電子Ed有效率地檢出。

且藉由EDS檢出部50檢出從先端部Sa發生的X線R，藉由使用檢出結果，就可以監控將試料S之中組成不同的界面作為加工對象的情況的加工的樣子。

且藉由STEM檢出部60檢出透過先端部Sa的透過電子Et，藉由使用檢出結果，就可以獲得結晶及組成資訊。由此，可以監控將試料S加工成針狀時的加工的樣子。

且在本實施例中，因為容易將試料S即時地觀察且加工成針狀，所以也可以容易地製作使用於原子探針分析之先端的直徑為100nm程度的針狀試料。

且因為藉由試料保持部HD，使在集束離子束FB及電子束EB的交點配置有先端部Sa的方式使試料S的位置被固定，所以成為容易對於試料S的加工部位將電子束EB確實地照射。由此，對於加工中的觀察所需要的用途成為最佳的構成。

且因為成為可在顯示部DP，顯示二次電子檢出部24、30的檢出結果及EBSD檢出部40的檢出結果，所以成為容易將試料S即時地觀察且加工成針狀。

本發明的技術範圍不限定於上述實施例，在未脫離本發明的範圍內可以適宜地加上變更。

例如，在上述實施例中，雖舉例說明了觀察由鐵鋼材料所構成的試料S的先端部Sa的結晶粒界的情況的例，但是不限定於此。例如，使用由半導體所構成的試料S的情況時，可以觀察不純物的分布等。