TW201512149A - 發光輔助層用材料、有機電場發光元件、顯示裝置以及照明裝置 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種有效地利用TTF現象而提高發光效率的有機EL元件。本發明設置有機電場發光元件中的發光層與電子傳輸層之間的發光輔助層，由在茀的2個苯環中的任一個上縮合有1個~3個苯環的環縮合茀化合物及/或茀化合物、例如下述式(1)~式(3)所表示的苯并茀化合物或茀化合物來形成所述發光輔助層，從而提供一種提高了發光效率的有機EL元件。 □(各式中，R1及R2為可經取代的芳基或者可經取代的苯基或縮合環系芳基等，而且，R3及R4為可經取代的烷基或可經取代的 芳基等)

Description

環縮合茀化合物或含有茀化合物的發光輔助層用材 料

本發明是有關於一種環縮合茀化合物及/或茀化合物，特別是有關於一種含有苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及/或茀化合物的發光輔助層用材料，使用其的有機電場發光元件及顯示裝置等。

有機電場發光元件(以下亦稱為「有機電致發光(Electroluminescent，EL)元件」)為自發光型的發光元件，作為顯示用或照明用的發光元件而受到期待。以前，使用進行電場發光的發光元件的顯示裝置由於可實現省電力化或薄型化，故已進行了各種研究，進而，包含有機材料的有機EL元件容易實現輕量化或大型化，故已進行了活躍的研究。特別是關於具有以作為光的三原色之一的藍色為代表的發光特性的有機材料的開發，及具有電洞、電子等的電荷傳輸能力(可能形成半導體或超電導體)的有機材料的開發，無論高分子化合物、低分子化合物，迄今為止均已進行了活躍的研究。

有機EL元件具有包含以下構件的結構：包含陽極及陰極的一對電極、及配置於該一對電極間且由有機化合物所形成的發光層等。若對有機EL元件依據其發光原理進行分類，則可分為螢光型與磷光型兩種。若對有機EL元件施加電壓，則自陽極注入電洞且自陰極注入電子，該等在發光層中再結合而形成激子。根據電子自旋(electron spin)的統計規則，以25%：75%的比例生成單重態激子與三重態激子。螢光型因使用由單重態激子所得的發光，故可謂內部量子效率的極限為25%。

然而，與螢光型元件的高效率化技術相關，已揭示有若干種自迄今為止未有效應用的三重態激子取出發光的技術。例如專利文獻1中，對於通常的有機分子而言，存在雖然最低三重態激發狀態(T1)低於最低單重態激發狀態(S1)、但高的三重態激發狀態(T2)高於S1的情形，於此種情形時，引起由T2向S1的躍遷，藉此可獲得自單重態激發狀態的發光。另外，於非專利文獻1中，對主體材料使用蒽系化合物的非摻雜(non-dope)元件進行分析，兩個三重態激子碰撞融合由此生成單重態激子，結果螢光發光增加。尤其，該因兩個三重態激子的碰撞融合而生成單重態激子的現象被稱為三重態-三重態融合(Triplet-Triplet Fusion，TTF)現象。

進而於專利文獻2中，研究了由有效地引起所述TTF現象所得的螢光元件的高效率化。具體而言，使螢光元件中可使用的主體材料與螢光發光性摻雜材料的三重態能量具有特定的關 係，進而於發光層的陰極側界面上具備由三重態能量大的材料所形成的障壁層，於該情形時，將三重態激子封閉於發光層內，可有效地引起TTF現象而實現螢光元件的高效率與長壽命。

於專利文獻2中，作為障壁層中所使用的材料，記載有烴芳香族化合物(申請專利範圍第4項)、例如萘、菲、屈(chrysene)、1,2-苯并苊(fluoranthene)、聯伸三苯等的衍生物(段落[0073]~段落[0094])，具體而言研究了1,2-苯并苊系化合物或苯并屈系化合物的EL特性。

另外，於專利文獻3中記載有使用經芳基或胺基取代的苯并茀系化合物來製作有機EL元件，但未提及與TTF現象的相關性或三重態能量，另外，僅確認了使用該苯并茀系化合物作為發光層用材料的情形的EL特性。

另外，已知使用二苯并茀化合物作為發光層用材料(專利文獻4)、使用茚并聯伸三苯化合物作為發光層用材料(專利文獻5、專利文獻6)、或使用茚并芘化合物作為有機EL元件中的各層用材料的例子(專利文獻7、專利文獻8)。

[現有技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2004-214180號公報

[專利文獻2]國際公開2010/134350號

[專利文獻3]日本專利特開2008-291006號公報

[專利文獻4]國際公開2011/081403號

[專利文獻5]中國專利申請案公開103508835號

[專利文獻6]國際公開2012/086366號

[專利文獻7]日本專利特開2011-079822號公報

[專利文獻8]國際公開2010/053210號

[非專利文獻]

[非專利文獻1]「應用物理期刊(Journal of Applied Physics)」(102，114504 (2007))

於此種狀況下，期望開發出一種可有效地利用TTF現象的有機EL元件、即、可獲得該元件的化合物。

本發明者為了解決所述課題而進行了努力研究，結果發現，藉由利用環縮合茀化合物及/或茀化合物、特別是某種特定的苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及/或茀化合物來形成有機EL元件中的設置於發光層與電子傳輸層之間的發光輔助層，可高效地利用TTF現象，可獲得提高了內部量子效率及外部量子效率的有機EL元件。

[1]一種發光輔助層用材料，其為有機電場發光元件中的發光層與電子傳輸層之間的發光輔助層中所用的發光輔助層用材料，且含有於茀的2個苯環中的任一個上縮合有1個~3個苯環而成的環縮合茀化合物及/或茀化合物，並且 所述環縮合茀化合物及茀化合物的五員環可由可經取代的烷基及/或可經取代的芳基所取代，於2個取代基取代於五員環上的情形時，所述取代基亦可鍵結而形成環，所述環縮合茀化合物的苯環及/或縮合部位的至少一部分是由可經取代的芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，而且，所述茀化合物的苯環的至少一部分是由可經取代的苯基或縮合環系芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，於對所述苯基或縮合環系芳基的取代基為芳基的情形時，所述芳基為苯基或縮合環系芳基。

[2]如所述[1]所記載的發光輔助層用材料，其中所述發光輔助層用材料為含有苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及/或茀化合物的發光輔助層用材料，所述苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及茀化合物的五員環可由可經取代的烷基及/或可經取代的芳基所取代，於2個取代基取代於五員環上的情形時，所述取代基亦可鍵結而形成環，所述苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物及茚并芘化合物的苯環及/或縮合部位的至少一部分可由可經取代的芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，而且，所述茀化合物的苯環的至少一部分可由可經取代的苯基或縮 合環系芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，於對所述苯基或縮合環系芳基的取代基為芳基的情形時，所述芳基為苯基或縮合環系芳基。

[3]如所述[2]所記載的發光輔助層用材料，其中所述茀化合物是由下述通式(1)所表示，所述苯并茀化合物是由下述通式(2)或下述通式(3)所表示，所述二苯并茀化合物是由下述通式(4)所表示，所述茚并聯伸三苯化合物是由下述通式(5)或下述通式(6)所表示，所述茚并芘化合物是由下述通式(7)所表示，

(所述式(2)~式(7)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的烷基、可經取代的環烷基或可經取代的芳基，R¹及R²中的 至少一個為可經取代的芳基，所述式(1)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的烷基、可經取代的環烷基或者可經取代的苯基或縮合環系芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的苯基或縮合環系芳基，於對所述苯基或縮合環系芳基的取代基為芳基的情形時，所述芳基為苯基或縮合環系芳基，而且，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴分別獨立地為可經取代的烷基或可經取代的芳基，R³及R⁴亦可鍵結而形成環)。

[4]如所述[3]所記載的發光輔助層用材料，其中所述式(2)~式(7)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的碳數1~24的烷基、可經取代的碳數3~12的環烷基或可經取代的碳數6~30的芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的碳數6~30的芳基，所述式(1)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的碳數1~24的烷基、可經取代的碳數3~12的環烷基或者可經取代的碳數6~30的苯基或縮合環系芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的碳數6~30的苯基或縮合環系芳基，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴分別獨立地為可經取代的碳數1~24的烷基或可經取代的碳數6~30的芳基，R³及R⁴亦可鍵結而形成環，所述式(2)~式(7)的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~24的烷基、碳數3~12的環烷基或碳數6~30的芳基， 所述式(1)的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~24的烷基、碳數3~12的環烷基或碳數6~30的苯基或縮合環系芳基，而且，所述式(1)~式(7)的R³及R⁴的取代基分別獨立地為碳數1~24的烷基、碳數3~12的環烷基或碳數6~30的芳基。

[5]如所述[3]所記載的發光輔助層用材料，其中所述式(2)~式(7)中的R¹及R²為可經取代的碳數6~24的芳基，所述式(1)中的R¹及R²為可經取代的碳數6~24的苯基或縮合環系芳基，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴分別獨立地為可經取代的碳數1~12的烷基或可經取代的碳數6~16的芳基，於R³及R⁴為芳基的情形時，芳基彼此亦可鍵結而形成環，所述式(2)~式(7)的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~12的烷基、碳數3~6的環烷基或碳數6~20的芳基，所述式(1)的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~12的烷基、碳數3~6的環烷基或碳數6~20的苯基或縮合環系芳基，而且，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴的取代基分別獨立地為碳數1~12的烷基、碳數3~6的環烷基或碳數6~20的芳基。

[6]如所述[3]所記載的發光輔助層用材料，其為所述通式(2)或通式(3)所表示的苯并茀化合物，並且R¹及R²為可經取代的碳數6~20的芳基， R³及R⁴分別獨立地為可經取代的碳數1~6的烷基或可經取代的碳數6~12的芳基，於R³及R⁴為芳基的情形時，芳基彼此亦可鍵結而形成環，而且，R¹、R²、R³及R⁴的取代基分別獨立地為甲基、乙基、丙基、第三丁基、環丁基、環戊基、環己基、苯基、聯苯基或萘基。

[7]如所述[3]所記載的發光輔助層用材料，其為所述通式(2)或通式(3)所表示的苯并茀化合物，並且R¹及R²分別獨立地為苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基或菲基，而且，R³及R⁴分別獨立地為甲基、乙基、丙基、第三丁基、苯基或聯苯基，苯基或聯苯基彼此亦可鍵結而形成環。

[8]如所述[3]所記載的發光輔助層用材料，其是由下述式(2-1)、式(2-2)、式(2-3)、式(2-4)及式(2-5)的任一個所表示，

[9]如所述[3]所記載的發光輔助層用材料，其是由下述式(1-1)、式(1-71)、式(2-21)、式(2-41)、式(2-61)、式(2-62)、式(2-85)、式(2-87)、式(3-5)、式(3-6)、式(3-8)、式(5-7)及式(6-9)的任一個所表示，

[10]一種有機電場發光元件，具有包含陽極及陰極的一對電極、配置於所述一對電極間的發光層、配置於所述陰極與所述發光層之間的電子傳輸層、及配置於所述發光層與所述電子傳輸層之間的發光輔助層，並且所述發光輔助層是由所述[1]至[9]中任一項所記載的發光輔助層用材料所形成。

[11]如所述[10]所記載的有機電場發光元件，其中所述發光層包含主體材料、及於發光波長為400nm~500nm的範圍內具有峰值的螢光發光性的摻雜材料， 所述主體材料的三重態能量E^T _h小於所述發光輔助層用材料的三重態能量E^T _a。

[12]如所述[10]或[11]所記載的有機電場發光元件，其中所述發光層包含主體材料、及於發光波長為400nm~500nm的範圍內具有峰值的螢光發光性的摻雜材料，所述摻雜材料的三重態能量E^T _d大於所述主體材料的三重態能量E^T _h。

[13]如所述[10]至[12]中任一項所記載的有機電場發光元件，其中所述發光層包含主體材料、及於發光波長為400nm~500nm的範圍內具有峰值的螢光發光性的摻雜材料，所述主體材料含有選自由蒽衍生物及芘衍生物所組成的組群中的至少一種，所述摻雜材料含有選自由含胺的苯并茀衍生物、含胺的芘衍生物、不含胺的芘衍生物、含胺的屈衍生物及含胺的苯乙烯基衍生物所組成的組群中的至少一種。

[14]如所述[10]至[13]中任一項所記載的有機電場發光元件，其中所述電子傳輸層用材料含有含雜環的化合物。

[15]如所述[14]所記載的有機電場發光元件，其中所述含雜環的化合物為選自由吡啶衍生物、噻唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、啡啉衍生物及膦氧化物衍生物所組成的組群中的至少一種。

[16]如所述[10]至[15]中任一項所記載的有機電場發 光元件，其中所述發光輔助層用材料的親和力A_a及形成所述電子傳輸層的電子傳輸層用材料的親和力A_e的關係為A_a>A_e-0.8eV。

[17]一種顯示裝置，具備如所述[10]至[16]中任一項所記載的有機電場發光元件。

[18]一種照明裝置，具備如所述[10]至[16]中任一項所記載的有機電場發光元件。

根據本發明的較佳態樣，可高效地利用發光層內產生的TTF現象，可提供一種提高了外部量子效率的有機EL元件。另外，藉由提高外部量子效率，可高效地利用所施加的電荷，故抑制有機EL元件的劣化，進而可提供一種提高了元件壽命的有機EL元件。

100‧‧‧有機EL元件

101‧‧‧基板

102‧‧‧陽極

103‧‧‧電洞注入層

104‧‧‧電洞傳輸層

105‧‧‧發光層

106‧‧‧電子傳輸層

107‧‧‧電子注入層

108‧‧‧陰極

110‧‧‧發光輔助層

圖1為表示本實施形態的有機EL元件的概略剖面圖。

1.有機電場發光元件

根據圖式對使用本發明的發光輔助層用材料的有機EL元件加以詳細說明。圖1為表示本實施形態的有機EL元件的概略剖面圖。

<有機EL元件的結構>

圖1所示的有機EL元件100具有基板101、設置於基板101 上的陽極102、設置於陽極102之上的電洞注入層103、設置於電洞注入層103之上的電洞傳輸層104、設置於電洞傳輸層104之上的發光層105、設置於發光層105之上的發光輔助層110、設置於發光輔助層110之上的電子傳輸層106、設置於電子傳輸層106之上的電子注入層107、及設置於電子注入層107之上的陰極108。

再者，有機EL元件100亦可將製作順序顛倒而設定為例如以下構成：具有基板101、設置基板101上的陰極108、設置於陰極108之上的電子注入層107、設置於電子注入層107之上的電子傳輸層106、設置於電子傳輸層106之上的發光輔助層110、設置於發光輔助層110之上的發光層105、設置於發光層105之上的電洞傳輸層104、設置於電洞傳輸層104之上的電洞注入層103、及設置於電洞注入層103之上的陽極102。

所述各層並非必須全部存在，將最小構成單位設定為包含陽極102、發光層105、發光輔助層110、電子傳輸層106及陰極108的構成，電洞注入層103、電洞傳輸層104及電子注入層107為可任意設置的層。另外，所述各層可分別包含單一層，亦可包含多層。

構成有機EL元件的層的態樣除了所述「基板/陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/電子注入層/陰極」的構成態樣以外，亦可為「基板/陽極/電洞傳輸層/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/電洞注入層/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/電子注入層/陰極」、「基板/ 陽極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/陰極」、「基板/陽極/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/電子注入層/陰極」、「基板/陽極/電洞傳輸層/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/陰極」、「基板/陽極/電洞注入層/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/陰極」及「基板/陽極/發光層/發光輔助層/電子傳輸層/陰極」的構成態樣。

2.發光輔助層

發光輔助層的作用首先在於抑制或防止發光層中生成的三重態激子向電子傳輸層擴散(將三重態激子封閉於發光層內)，於發光層中有效地產生TTF現象。另外，發光輔助層的其次的作用在於自陰極向發光層高效地注入電子。該作用原本是由電子傳輸層(及電子注入層)所發揮，但由於發光輔助層是配置於發光層與電子傳輸層之間，故較佳為不會大幅度地降低或阻礙自電子傳輸層向發光層的電子注入性。

<發光輔助層用材料>

本申請案發明的發光輔助層用材料含有環縮合茀化合物(於茀的2個苯環中的任一個上縮合有1個~3個苯環的化合物)及/或茀化合物、特別是某種特定的苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及/或茀化合物，所述環縮合茀化合物及/或茀化合物、特別是苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及茀化合物中， 其五員環可由可經取代的烷基及/或可經取代的芳基所取代，於2個取代基取代於五員環上的情形時，該些取代基亦可鍵結而形成環，所述環縮合茀化合物的苯環(茀的2個苯環中的苯環未縮合者)及/或縮合部位的至少一部分是由可經取代的芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，而且，所述茀化合物的苯環(茀的2個苯環中的任一者或兩者)的至少一部分是由可經取代的苯基或縮合環系芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，於對所述苯基或縮合環系芳基的取代基為芳基的情形時，該芳基為苯基或縮合環系芳基。

環縮合茀化合物為於茀的2個苯環中的任一個上縮合有1個~3個苯環的化合物。另外，縮合於茀的2個苯環中的任一個上的苯環的個數可為1個~3個，較佳為1個或2個，更佳為1個。所謂「縮合」，除了以下作為例子進行圖式說明般於茀骨架上直接縮合的形態以外，亦包括於直接縮合於茀的苯環上進一步縮合的形態。所謂「縮合部位」，是指以下作為例子進行圖式說明般於茀骨架上縮合而成的包含來源於茀的苯環的環的集合部分。環縮合茀化合物中，最佳為於茀的單側的苯環上縮合1個苯環而成的化合物、即苯并茀化合物。

可用作發光輔助層用材料的環縮合茀化合物及茀化合物、特別是苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及茀化合物如上所述，其結構中的五員環、屬於茀骨架的苯環、及於茀骨架上縮合苯環而成的縮合部位可經各種取代基所取代，該些取代基可引用後述通式(1)~通式(3)及式(4)~式(7)中說明者。另外，關於對苯環及縮合部位的取代基的個數、取代基的組合或取代位置，只要不存在以下情況則並無特別限定：完全無法防止三重態激子向電子傳輸層的擴散，或大幅度地阻礙自電子傳輸層向發光層的電子注入性。

可用作發光輔助層用材料的苯并茀化合物及茀化合物尤佳為下述通式(1)~通式(3)所表示者。

可用作發光輔助層用材料的二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物及茚并芘化合物尤佳為下述通式(4)~通式(7)所表示者。

通式(1)中，R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的烷基、可經取代的環烷基或者可經取代的苯基或縮合環系芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的苯基或縮合環系芳基，而且，R³及R⁴分別獨立地為可經取代的烷基或可經取代的芳基，R³及R⁴亦可鍵結而形成環。

通式(2)~通式(7)中，R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的烷基、可經取代的環烷基或可經取代的芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的芳基，而且，R³及R⁴分別獨立地為可經取代的烷基或可經取代的芳基，R³及R⁴亦可鍵結而形成環。

通式(1)的R¹及R²的「可經取代的苯基或縮合環系芳基」的「苯基或縮合環系芳基」例如可列舉碳數6~30的苯基或縮合環系芳基。R¹及R²的「苯基或縮合環系芳基」較佳為碳數6~24的苯基或縮合環系芳基，更佳為碳數6~20的苯基或縮合環系芳基，進而佳為碳數6~12的苯基或縮合環系芳基。

通式(2)~通式(7)的R¹及R²的「可經取代的芳基」的「芳基」例如可列舉碳數6~30的芳基。R¹及R²的「芳基」較佳為碳數6~24的芳基，更佳為碳數6~20的芳基，進而佳為碳數6~12的芳基。

通式(1)~通式(7)的R³及R⁴的「可經取代的芳基」的「芳基」例如可列舉碳數6~30的芳基。R³及R⁴的「芳基」較佳為碳數6~16的芳基，更佳為碳數6~12的芳基。

關於通式(1)的R¹及R²的具體的「縮合環系芳基」可列舉：作為縮合二環系芳基的(1-、2-)萘基，作為縮合三環系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、茀-(1-、2-、3-、4-、9-)基、萉-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作為縮合四環系芳基的聯伸三 苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、稠四苯-(1-、2-、5-)基，作為縮合五環系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、稠五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

關於通式(2)~通式(7)的R¹及R²的具體的「芳基」可列舉：作為單環系芳基的苯基，作為二環系芳基的(2-、3-、4-)聯苯基，作為縮合二環系芳基的(1-、2-)萘基，作為三環系芳基的聯三苯基(間聯三苯-2'-基、間聯三苯-4'-基、間聯三苯-5'-基、鄰聯三苯-3'-基、鄰聯三苯-4'-基、對聯三苯-2'-基、間聯三苯-2-基、間聯三苯-3-基、間聯三苯-4-基、鄰聯三苯-2-基、鄰聯三苯-3-基、鄰聯三苯-4-基、對聯三苯-2-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-4-基)，作為縮合三環系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、茀-(1-、2-、3-、4-、9-)基、萉-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作為四環系芳基的聯四苯基(5'-苯基-間聯三苯-2-基、5'-苯基-間聯三苯-3-基、5'-苯基-間聯三苯-4-基、間聯四苯)，作為縮合四環系芳基的聯伸三苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、稠四苯-(1-、2-、5-)基，作為縮合五環系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、稠五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

關於通式(1)~通式(7)的R³及R⁴的具體的「芳基」可列舉：作為單環系芳基的苯基，作為二環系芳基的(2-、3-、4-)聯苯基，作為縮合二環系芳基的(1-、2-)萘基，作為三環系芳基的聯三苯基(間聯三苯-2'-基、間聯三苯-4'-基、間聯三苯-5'-基、鄰聯三苯-3'-基、鄰聯三苯-4'-基、對聯三苯-2'-基、間聯三苯-2-基、 間聯三苯-3-基、間聯三苯-4-基、鄰聯三苯-2-基、鄰聯三苯-3-基、鄰聯三苯-4-基、對聯三苯-2-基、對聯三苯-3-基、對聯三苯-4-基)，作為縮合三環系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、茀-(1-、2-、3-、4-、9-)基、萉-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作為四環系芳基的聯四苯基(5'-苯基-間聯三苯-2-基、5'-苯基-間聯三苯-3-基、5'-苯基-間聯三苯-4-基、間聯四苯)，作為縮合四環系芳基的聯伸三苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、稠四苯-(1-、2-、5-)基，作為縮合五環系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、稠五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

通式(1)的R¹及R²的尤佳的「苯基或縮合環系芳基」為苯基、萘基及菲基，該等中，較佳為苯基、1-萘基、2-萘基及9-菲基。另外，R¹及R²可相同亦可不同，較佳為R¹及R²相同。

通式(2)~通式(7)的R¹及R²的尤佳的「芳基」為苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基及菲基，該等中，較佳為苯基、4-聯苯基、1-萘基、2-萘基及9-菲基。另外，R¹及R²可相同亦可不同，較佳為R¹及R²相同。

另外，通式(1)的R¹及R²的「縮合環系芳基」或通式(2)~通式(7)的R¹及R²的「芳基」亦可為通式(1)~通式(7)的化合物(其中去掉R¹及R²的結構部分)，該情形成為通式(1)~通式(7)的化合物中的任2個直接鍵結而成的化合物。

R³及R⁴的尤佳的「芳基」為苯基、4-聯苯基、1-萘基及2-萘基，R³及R⁴可相同亦可不同，較佳為R³及R⁴相同。

通式(1)~通式(3)及通式(4)~通式(7)的R¹、R²、R³及R⁴的「可經取代的烷基」的「烷基」可為直鏈及分支鏈的任一種，例如可列舉碳數1~24的直鏈烷基或碳數3~24的分支鏈烷基。較佳的「烷基」為碳數1~18的烷基(碳數3~18的分支鏈烷基)。更佳的「烷基」為碳數1~12的烷基(碳數3~12的分支鏈烷基)。進而佳的「烷基」為碳數1~6的烷基(碳數3~6的分支鏈烷基)。尤佳的「烷基」為碳數1~4的烷基(碳數3~4的分支鏈烷基)。

具體的「烷基」可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、第三辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一烷基、1-甲基癸基、正十二烷基、正十三烷基、1-己基庚基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正二十烷基等。

通式(1)~通式(3)及通式(4)~通式(7)的R¹及R²的「可經取代的環烷基」的「環烷基」例如可列舉碳數3~12的環烷基。較佳的「環烷基」為碳數3~10的環烷基。更佳的「環烷基」為碳數3~8的環烷基。進而佳的「環烷基」為碳數3~6的環烷基。

具體的「環烷基」可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環戊基、環庚基、甲基環己基、環辛基或二甲基環己基等。

通式(1)的R¹及R²的「取代基」可列舉烷基、環烷基、苯基或縮合環系芳基，該等的較佳基團分別可列舉：與所述「烷基」的欄中說明的基團、所述「環烷基」的欄中說明的基團、通式(1)的R¹及R²的「苯基或縮合環系芳基」的欄中說明的基團相同的基團。

通式(2)~通式(7)的R¹及R²的「取代基」可列舉烷基、環烷基、芳基，該等的較佳基團分別可列舉：與所述「烷基」的欄中說明的基團、所述「環烷基」的欄中說明的基團、所述「芳基」的欄中說明的基團相同的基團。

通式(1)~通式(7)的R³及R⁴的「取代基」可列舉烷基、環烷基、芳基，該等的較佳基團分別可列舉：與所述「烷基」的欄中說明的基團、所述「環烷基」的欄中說明的基團、所述「芳基」的欄中說明的基團相同的基團。

另外，通式(1)~通式(7)的R¹及R²的「取代基」亦可為通式(1)~通式(7)的化合物(其中去掉R¹及R²的結構部分)，該情形成為通式(1)~通式(7)的化合物的任2個經由「芳基」或「苯基或縮合環系芳基」連結而成的化合物。

R¹、R²、R³及R⁴的「取代基」具體可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、 正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、正庚基、正辛基、第三辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基等烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基；苯基、聯苯基(對通式(1)的R¹及R²的取代基除外)、萘基、聯三苯基(對通式(1)的R¹及R²的取代基除外)、菲基等芳基；甲基苯基、乙基苯基、第二丁基苯基、第三丁基苯基、1-甲基萘基、2-甲基萘基、1,6-二甲基萘基、2,6-二甲基萘基、4-第三丁基萘基等烷基芳基等。取代基的個數例如為可取代的最大數，較佳為0個~3個，更佳為0個~2個，進而佳為0個(未經取代)。

R¹及R²中的至少一個是選擇可經取代的芳基或者可經取代的苯基或縮合環系芳基，較佳為R¹及R²兩者為可經取代的芳基或者可經取代的苯基或縮合環系芳基，於該情形時，更佳為R¹及R²兩者選擇相同的基團。

R³及R⁴亦可鍵結而形成環，結果，亦可於茀骨架或苯并茀骨架的5員環上螺環鍵結環丁烷、環戊烷、環戊烯、環戊二烯、環己烷、茀或茚等。

另外，構成通式(1)~通式(3)及通式(4)~通式(7)所表示的化合物的茀環、苯并茀環、二苯并茀環、茚并聯伸三苯環或茚并芘環中的氫原子及作為取代基的R¹~R⁴的氫原子的全部或一部分亦可為氘。

<發光輔助層用材料的三重態能量>

發光輔助層的作用首先在於：抑制或防止發光層中生成的三重態激子向電子傳輸層擴散(將三重態激子封閉於發光層內)，於發光層中有效地產生TTF現象。本申請案發明不受特定原理的束縛，但為了達成該作用，例如較佳為發光輔助層用材料的三重態能量E^T _a大於發光層的主體材料的三重態能量E^T _h。另外，如後述，較佳為形成發光層的主體材料與摻雜材料的三重態能量的關係滿足E^T _h<E^T _d的關係，故更佳為發光輔助層用材料的三重態能量E^T _a大於發光層的摻雜材料的三重態能量E^T _d。若如此般設定，則可於發光層內由主體的三重態激子有效地生成單重態激子，可使該單重態激子移動至螢光發光性摻雜物上而以光學方式進行能量失活。

再者，本申請案說明書中，三重態能量是指最低激發三重態狀態的能量與基態的能量之差，單重態能量(有時亦稱為能隙)是指最低激發單重態狀態的能量與基態的能量之差。

作為本申請案發明的發光輔助層用材料的環縮合茀化合物及/或茀化合物、特別是苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及茀化合物具有來源於如上所述的特定結構的相對較高的三重態能量E^T _a，故與通常被用作有機EL元件用的主體材料及螢光發光性摻雜材料的大部分材料相比較，可抑制或防止發光層中生成的三重態激子向電子傳輸層擴散。結果，可於發光層中有效地產生TTF現象。另外，尤其可藉 由與後述特定的主體材料及螢光發光性摻雜材料組合而提高該效果。

<發光輔助層用材料的親和力>

發光輔助層的其次的作用在於自陰極向發光層高效地注入電子。該作用原本是由電子傳輸層(及電子注入層)所發揮，但由於發光輔助層是配置於發光層與電子傳輸層之間，故較佳為不會大幅度地降低或阻礙自電子傳輸層向發光層的電子注入性。於對發光層的電子注入性大幅度地降低等情形時，發光層中的電子-電洞的再結合減少，由此三重態激子的密度變小，三重態激子的碰撞頻率減少，結果並未高效地引起TTF現象。本申請案發明不受特定原理的束縛，但為了達成該作用，例如較佳為以發光輔助層用材料的親和力A_a及電子傳輸層用材料的親和力A_e的關係滿足A_a>A_e-0.8eV的方式設定。該關係更佳為滿足A_a>A_e-0.6eV，進而佳為滿足A_a>A_e-0.5eV。於假設自電子傳輸層向發光輔助層的電子注入大幅度地受損的情形時，可能電子蓄積於電子傳輸層中而引起高電壓化，並且蓄積電子與三重態激子碰撞而使能量淬滅。

作為本申請案發明的發光輔助層用材料的環縮合茀化合物及/或茀化合物、特別是苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及茀化合物具有來源於如上所述的特定結構的相對較大的親和力A_a，故與通常用作有機EL元件用的電子傳輸材料的大部分材料相比較，不會大幅度地降低或阻礙自電子傳輸層向發光層的電子注入性。另外，尤其可藉由與 後述特定的電子傳輸層用材料組合而提高該效果。

<發光輔助層用材料的具體化合物>

發光輔助層用材料的具體例可列舉由以下所示的中心骨架、與取代基R¹或取代基R²、及取代基R³或取代基R⁴的組合所得的所有化合物。其中，不選擇下述式(5)~式(12)作為下述式(1)的中心骨架(茀骨架)的取代基R¹或取代基R²。

即，發光輔助層用材料的具體化合物可列舉：於選自所述式(1)~式(3)及式(4)~式(7)的任一個中的中心骨架上，鍵結選自所述式(1)~式(8)及式(13)~式(19)的任一個中的取代基R¹或取代基R²(R¹及R²可不同亦可相同)，且鍵結選自所述式(1)~式(10)的任一個中的取代基R³或取代基 R⁴(R³及R⁴可不同亦可相同)的化合物。其中，不選擇下述式(5)~式(12)作為下述式(1)的中心骨架(茀骨架)的取代基R¹或取代基R²。再者，所述式中，取代基R³或取代基R⁴的較佳例的式(5)表示於中心骨架的5員環上螺環鍵結式(5)的結構中的5員環的形態，「Me」表示甲基，「Et」表示乙基，「tBu」表示第三丁基，「Hexyl」表示己基，「Octyl」表示辛基。

尤其通式(1)的茀化合物較佳為下述式的任一個所表示的化合物。

尤其通式(2)的苯并茀化合物較佳為下述式的任一個所表示的化合物。

尤其通式(3)的苯并茀化合物較佳為下述式的任一個所表示的化合物。

尤其通式(4)的二苯并茀化合物較佳為下述式的任一個所表示的化合物。

尤其通式(5)的茚并聯伸三苯化合物較佳為下述式的任一個所表示的化合物。

尤其通式(6)的茚并聯伸三苯化合物較佳為下述式的任一個所表示的化合物。

尤其通式(7)的茚并芘化合物較佳為下述式的任一個所表示的化合物。

更佳的化合物為以下的化合物。

式(1-1)、式(1-3)、式(1-5)、式(1-7)~式(1-9)、式(1-11)；式(1-21)、式(1-23)、式(1-25)、式(1-27)~式(1-29)、式(1-31)； 式(1-41)、式(1-43)、式(1-45)、式(1-47)~式(1-49)、式(1-51)；式(1-63)、式(1-67)、式(1-73)、式(1-77)、式(1-81)、式(1-83)、式(1-87)；式(2-1)、式(2-3)、式(2-5)、式(2-7)~式(2-9)、式(2-11)；式(2-21)、式(2-23)、式(2-25)、式(2-27)~式(2-29)、式(2-31)；式(2-41)、式(2-43)、式(2-45)、式(2-47)~式(2-49)、式(2-51)；式(2-62)~式(2-68)；式(2-72)~式(2-78)；式(2-82)~式(2-88)；式(2-91)、式(2-93)、式(2-97)、式(2-101)、式(2-103)、式(2-107)、式(2-111)、式(2-113)、式(2-117)；式(3-1)、式(3-3)、式(3-5)、式(3-7)~式(3-9)、式(3-11)；式(4-1)、式(4-3)、式(4-5)、式(4-7)~式(4-9)、式(4-11)；式(5-41)、式(5-43)、式(5-45)、式(5-47)~式(5-49)、式(5-51)；式(6-1)、式(6-3)、式(6-5)、式(6-7)~式(6-9)、式(6-11)；式(7-1)、式(7-3)、式(7-5)、式(7-7)~式(7-9)、及式(7-11)。

<發光輔助層用材料的製造方法>

通式(2)所表示的苯并茀化合物例如可利用鈴木偶合反應般的已知的合成法來製造。鈴木偶合反應為於鹼的存在下使用鈀觸媒，使芳香族鹵化物或三氟甲磺酸酯與芳香族硼酸或芳香族硼酸酯偶合的方法。利用該方法獲得通式(2)的反應路徑的具體例如下述(流程1~流程3)。再者，各流程中的R¹~R⁴與上文所述相同，TfO為三氟甲磺酸酯。

該反應中所用的鈀觸媒的具體例為Pd(PPh₃)₄、PdCl₂(PPh₃)₂、Pd(OAc)₂、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)氯仿錯合物、雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)等。為了促進反應，視情況亦可於該些鈀化合物中添加膦化合物。該膦化合物的具體例為三(第三丁基)膦、三環己基膦、1-(N,N-二甲基胺基甲基)-2-(二第三丁基膦基)二茂鐵、1-(N,N-二丁基胺基甲基)-2-(二第三丁基膦基)二茂鐵、1-(甲氧基甲基)-2-(二第三丁基膦基)二茂鐵、1,1'-雙(二第三丁基膦基)二茂鐵、2,2'-雙(二第三丁基膦基)-1,1'-聯萘、2-甲氧基-2'-(二第三丁基膦基)-1,1'-聯萘等。

該反應中所用的鹼的具體例為碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸銫、碳酸氫鈉、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋇、乙醇鈉、第三丁醇鈉、乙酸鈉、磷酸三鉀、氟化鉀等。

進而，該反應中所用的溶劑的具體例為苯、甲苯、二甲苯、N,N-二甲基甲醯胺、四氫呋喃、二乙醚、第三丁基甲基醚、1,4-二噁烷、甲醇、乙醇、異丙醇等。該些溶劑可根據進行反應的芳香族鹵化物、三氟甲磺酸酯、芳香族硼酸酯及芳香族硼酸的結構而適當選擇。溶劑可單獨使用，亦能以混合溶劑的形式使用。

另外，關於通式(2)所表示的苯并茀化合物中R³及R⁴鍵結而形成環(例如脂肪族環或芳香族環)的化合物，例如可參考日本專利特開2009-184993號公報中記載的具有螺環結構的苯并茀化合物的製造方法來製造。該公報的段落[0055]中記載有於苯并茀環的五員環上螺環鍵結茀環的化合物的製造方法(流程 1c)，若參考該製造方法，則可依照下述流程4來製造本申請案的通式(2)所表示的苯并茀化合物。再者，下述流程中的M為Li、MgCl、MgBr或MgI。

以上為通式(2)所表示的苯并茀化合物的製造方法，但通式(3)所表示的苯并茀化合物或通式(1)所表示的茀化合物亦可同樣地製造。另外，本申請案發明的化合物中亦包括至少一部分氫原子經氘取代的化合物，此種化合物可藉由使用所需部位經氘化的原料而與上文所述同樣地製造。

另外，關於通式(4)所表示的二苯并茀化合物，亦可藉由代替苯并茀化合物而將原料設定為二苯并茀化合物，而參考所述流程(1)~流程(4)同樣地製造。另外，亦可參考所述專 利文獻4(國際公開2011/081403號)中記載的製造方法。

另外，關於通式(5)或通式(6)所表示的茚并聯伸三苯化合物，亦可藉由代替苯并茀化合物而將原料設定為茚并聯伸三苯化合物，而參考所述流程(1)~流程(4)同樣地製造。另外，亦可參考所述專利文獻5(中國專利申請案公開103508835號)或文獻6(國際公開2012/086366號)中記載的製造方法。

另外，關於通式(7)所表示的茚并芘化合物，亦可藉由代替苯并茀化合物而將原料設定為茚并芘化合物，而參考所述流程(1)~流程(4)同樣地製造。另外，亦可參考所述專利文獻7(日本專利特開2011-079822號公報)或文獻8(國際公開2010/053210號)中記載的製造方法。

<其他發光輔助層用材料>

其他發光輔助層用材料例如可列舉：專利文獻2(國際公開第2010/134350號)的段落[0079]~段落[0093]中記載的萘衍生物、菲衍生物、苯并菲衍生物、二苯并菲衍生物、屈衍生物、苯并屈衍生物、1,2-苯并苊衍生物及聯伸三苯衍生物等，亦可與作為本申請案發明的發光輔助層用材料的苯并茀化合物及茀化合物併用。

3.有機EL元件的基板

基板101成為有機EL元件100的支撐體，通常可使用石英、玻璃、金屬、塑膠等。基板101是根據目的而形成為板狀、膜狀或片狀，例如可使用玻璃板、金屬板、金屬箔、塑膠膜或塑膠片等。其中，較佳為玻璃板及聚酯、聚甲基丙烯酸酯、聚碳酸酯、 聚碸等透明的合成樹脂製板。若為玻璃基板，則可使用鈉鈣玻璃(soda lime glass)或無鹼玻璃等，另外，厚度亦只要有確保機械強度的充分厚度即可，故例如只要為0.2mm以上即可。厚度的上限值例如為2mm以下，較佳為1mm以下。關於玻璃的材質，由於自玻璃的溶出離子以少為佳，故較佳為無鹼玻璃，但實施有SiO₂等的阻障塗層(barrier coat)的鹼石灰玻璃亦有市售，故亦可加以使用。另外，於基板101上，為了提高阻氣性，亦可至少於單面上設置緻密的矽氧化膜等阻氣膜，尤其於使用阻氣性低的合成樹脂製的板、膜或片作為基板101的情形時，較佳為設置阻氣膜。

4.有機EL元件的陽極

陽極102發揮對發光層105注入電洞的作用。再者，於在陽極102與發光層105之間設有電洞注入層103及/或電洞傳輸層104的情形時，經由該些層對發光層105注入電洞。

形成陽極102的材料可列舉無機化合物及有機化合物。無機化合物例如可列舉：金屬(鋁、金、銀、鎳、鈀、鉻等)、金屬氧化物(銦的氧化物、錫的氧化物、銦-錫氧化物(Indium Tin Oxide，ITO)等)、鹵化金屬(碘化銅等)、硫化銅、碳黑、ITO玻璃或奈塞玻璃(NESA glass)等。有機化合物例如可列舉：聚(3-甲基噻吩)等聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等導電性聚合物等。此外，亦可自被用作有機EL元件的陽極的物質中適當選擇而使用。

關於透明電極的電阻，只要可對發光元件的發光供給充分的電流，則並無特別限定，就發光元件的消耗電力的觀點而言， 理想的是低電阻。例如若為300Ω/□以下的ITO基板則作為元件電極而發揮功能，但由於目前亦可提供10Ω/□左右的基板，故例如特別理想的是使用100Ω/□~5Ω/□、較佳為50Ω/□~5Ω/□的低電阻品。ITO的厚度可根據電阻值而任意選擇，通常大多於100nm~300nm之間使用。

5.有機EL元件的電洞注入層及電洞傳輸層

電洞注入層103發揮以下作用：將自陽極102移動而來的電洞高效地注入至發光層105內或電洞傳輸層104內。電洞傳輸層104發揮以下作用：將自陽極102注入的電洞或自陽極102經由電洞注入層103注入的電洞高效地傳輸至發光層105。電洞注入層103及電洞傳輸層104分別藉由將一種或兩種以上的電洞注入/傳輸材料積層、混合而形成，或藉由電洞注入/傳輸材料與高分子黏結劑的混合物而形成。另外，亦可於電洞注入/傳輸材料中添加氯化鐵(III)般的無機鹽而形成層。

電洞注入/傳輸性物質必須於被賦予了電場的電極間高效地注入/傳輸來自正極的電洞，理想的是電洞注入效率高，高效地傳輸所注入的電洞。因此較佳為以下物質：電離電位小，而且電洞遷移率大，進而穩定性優異，於製造時及使用時不易產生成為陷阱(trap)的雜質。

作為形成電洞注入層103及電洞傳輸層104的材料，可自以下化合物中選擇使用任意者：於光導電材料中作為電洞的電荷傳輸材料而自先前以來慣用的化合物、p型半導體、有機EL元 件的電洞注入層及電洞傳輸層中使用的公知的化合物。該等的具體例為咔唑衍生物(N-苯基咔唑、聚乙烯基咔唑等)，雙(N-芳基咔唑)或雙(N-烷基咔唑)等雙咔唑衍生物，三芳基胺衍生物(於主鏈或側鏈上具有芳香族三級胺基的聚合物、1,1-雙(4-二-對甲苯基胺基苯基)環己烷、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二胺基聯苯、N,N'-二苯基-N,N'-二萘基-4,4'-二胺基聯苯(以下簡稱為NPD)、N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、N,N'-二萘基-N,N'-二苯基-4,4'-二苯基-1,1'-二胺、4,4',4"-三(3-甲基苯基(苯基)胺基)三苯基胺等三苯基胺衍生物)，星爆狀胺(starburst amine)衍生物等，二苯乙烯衍生物，酞菁衍生物(無金屬酞菁、銅酞菁等)，吡唑啉衍生物、腙系化合物、苯并呋喃衍生物或噻吩衍生物、噁二唑衍生物、卟啉(porphyrin)衍生物等雜環化合物，聚矽烷等。聚合物系中，較佳為於側鏈上具有所述單體的聚碳酸酯或苯乙烯衍生物、聚乙烯基咔唑及聚矽烷等，只要為形成製作發光元件所必需的薄膜、自陽極注入電洞、進而可傳輸電洞的化合物，則並無特別限定。

另外，亦已知有機半導體的導電性受到所述摻雜的強烈影響。此種有機半導體基質物質包含供電子性良好的化合物、或受電子性良好的化合物。為了摻雜供電子物質，已知有四氰基醌二甲烷(Tetracyanoquinone dimethane，TCNQ)或2,3,5,6-四氟四氰基-1,4-苯醌二甲烷(2,3,5,6-tetrafluorotetracyano-1,4-benzoquinone dimethane， F4TCNQ)等強的受電子體(例如參照文獻「M.Pfeiffer,A.Beyer,T.Fritz,K.Leo,《應用物理學快報(Appl.Phys.Lett.)》、73(22)、3202-3204(1998)」及文獻「J.Blochwitz,M.Pheiffer,T.Fritz,K.Leo,《應用物理學快報(Appl.Phys.Lett.)》、73(6)、729-731(1998)」)。該等藉由供電子型基質物質(電洞傳輸物質)中的電子移動製程而生成所謂電洞。基質物質的傳導性視電洞的個數及遷移率而相當大幅度地變化。具有電洞傳輸特性的基質物質例如已知有聯苯胺衍生物(N,N'-雙(3-甲基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺(N,N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine，TPD)等)或星爆狀胺衍生物(4,4',4"-三(N,N-聯苯基胺基)三苯胺(4,4',4"-tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine，TDATA)等)、或特定的金屬酞菁(特別是鋅酞菁ZnPc等)(日本專利特開2005-167175號公報)。

6.有機EL元件的發光層

發光層105藉由以下方式而發光：於被賦予了電場的電極間，使自陽極102注入的電洞與自陰極108注入的電子再結合。形成發光層105的材料只要為藉由電洞與電子的再結合受到激發而發光的化合物(發光性化合物)即可，較佳為可形成穩定的薄膜形狀、且於固體狀態下顯示強的螢光發光效率的化合物。

發光層可為單一層或包含多層均可，分別是藉由發光材料(主體材料、摻雜材料)而形成，其為主體材料與摻雜材料的混合物、或單獨的主體材料均可。即，發光層的各層中，可僅使 主體材料或摻雜材料發光，主體材料與摻雜材料亦可均發光。主體材料與摻雜材料分別為一種或多種的組合均可。摻雜材料含有於主體材料整體中、或局部地含有於主體材料中均可。摻雜物的使用量視摻雜物而不同，只要根據該摻雜物的特性來決定即可。摻雜物的使用量的標準較佳為發光材料總體的0.001重量%~50重量%，更佳為0.1重量%~10重量%，進而佳為1重量%~5重量%。摻雜方法可藉由與主體材料的共蒸鍍法來形成，亦可與主體材料預先混合後同時蒸鍍。

尤其較佳為由主體材料與於發光波長為400nm~500nm範圍內具有峰值的螢光發光性的摻雜材料來形成發光層(峰值波長是指於濃度為10^-5莫耳/升~10^-6莫耳/升的甲苯溶液中測定的發光光譜中發光強度達到最大的發光光譜的峰值波長)。自陽極注入的電洞通過電洞注入/傳輸層而被注入至發光層中，自陰極注入的電子通過電子注入/傳輸層及發光輔助層而被注入至發光層中。其後，電洞與電子於發光層中再結合，生成單重態激子及三重態激子。

於該情形時，再結合有於主體分子上引起的情形與於摻雜物分子上引起的情形兩種。此處，較佳為摻雜材料的三重態能量E^T _d大於主體材料的三重態能量E^T _h。藉由設定為該能量關係(E^T _h<E^T _d)，於主體上再結合而產生的三重態激子不會移動至具有更高的三重態能量的摻雜物，另外，摻雜物分子上再結合而產生的三重態激子迅速地能量移動至主體分子上。即，可提高主體 上的三重態激子的密度，藉由在主體上使三重態激子彼此有效地碰撞，可有效地生成單重態激子(有效的TTF現象)。進而，由於摻雜物的單重態能量E^S _d小於主體的單重態能量E^S _h，故藉由TTF現象所生成的單重態激子自主體向摻雜物能量移動而有助於摻雜物的螢光性發光。原本對於螢光型元件中所用的摻雜物而言，自激發三重態狀態向基態的躍遷受到禁止，此種躍遷的情況下三重態激子不會發生光學能量失活，而發生熱失活。然而，藉由如上文所述般設定主體與摻雜物的三重態能量的關係，可於三重態激子發生熱失活之前藉由彼此的碰撞而有效地生成單重態激子，提高發光效率。

另外，關於考慮到發光輔助層的三重態能量的主體材料及摻雜材料的選擇，由於如上文所述般作為本申請案發明的發光輔助層用材料的苯并茀化合物及茀化合物具有相對較高的三重態能量E^T _a，故若選擇作為有機EL元件用的主體材料及螢光發光性摻雜材料而通常使用的材料，則可將發光層中生成的三重態激子封閉於發光層內而有效地產生TTF現象。

為了更有效地產生TTF現象，雖然本申請案發明不受特定原理的束縛，但主體材料較佳為選擇其三重態能量E^T _h小於發光輔助層用材料的三重態能量E^T _a的材料。另外，摻雜材料亦較佳為選擇其三重態能量E^T _d小於發光輔助層用材料的三重態能量E^T _a的材料。

<主體材料>

主體材料例如可列舉蒽衍生物及芘衍生物等。

<作為主體材料的蒽衍生物>

蒽衍生物例如為下述式(H1)所表示的化合物。

所述式(H1)中，R¹¹~R¹⁸分別獨立地為氫、烷基(較佳為碳數1~12的烷基)、環烷基(較佳為碳數3~12的環烷基)或芳基(較佳為碳數6~30的芳基)，Ar¹¹及Ar¹²分別獨立地為可經取代的芳基(較佳為可經取代的碳數6~30的芳基)，n為1~3的整數，於n為2以上的情形時，方括弧內所示的各蒽結構可相同亦可不同，而且，蒽衍生物的至少一個氫可經氘取代。

Ar¹¹及Ar¹²分別獨立地為可經取代的芳基(較佳為可經取代的碳數6~30的芳基)，Ar¹¹與Ar¹²可不同亦可相同。較佳的 芳基為碳數6~18的芳基，更佳為碳數6~14的芳基，進而佳為碳數6~12的芳基。

具體的「碳數6~30的芳基」可列舉：作為單環系芳基的苯基，作為縮合二環系芳基的(1-、2-)萘基，作為縮合三環系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、茀-(1-、2-、3-、4-、9-)基、萉-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作為縮合四環系芳基的聯伸三苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、稠四苯-(1-、2-、5-)基，作為縮合五環系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、稠五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

較佳的「碳數6~30的芳基」可列舉苯基、萘基、菲基、屈基或聯伸三苯基等，進而佳可列舉苯基、1-萘基、2-萘基或菲基，尤佳可列舉苯基、1-萘基或2-萘基。

對「碳數6~30的芳基」的取代基只要可獲得所需特性，則並無特別限定，較佳為可列舉碳數1~12的烷基、碳數3~12的環烷基或碳數6~18的芳基等。

關於作為所述取代基的「碳數1~12的烷基」，可為直鏈及分支鏈的任一種。即，為碳數1~12的直鏈烷基或碳數3~12的分支鏈烷基。更佳為碳數1~6的烷基(碳數3~6的分支鏈烷基)，進而佳為碳數1~4的烷基(碳數3~4的分支鏈烷基)。具體例可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基或2-乙基丁基 等，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基或第三丁基，更佳為甲基、異丙基或第三丁基。

另外，關於作為所述取代基的「碳數3~12的環烷基」，具體例可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環戊基、環庚基、甲基環己基、環辛基或二甲基環己基等。該等中，較佳為環戊基或環己基。

另外，關於作為所述取代基的「碳數6~18的芳基」，較佳為碳數6~14的芳基，尤佳為碳數6~10的芳基。具體例為苯基、(2-、3-、4-)聯苯基、(1-、2-)萘基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基、(1-、2-)聯伸三苯基等。

Ar¹¹及Ar¹²(碳數6~30的芳基)中較佳為不存在「取代基」者，於具有取代基的情形時，取代基的個數例如為可取代的最大數，較佳為1個~3個，更佳為1個~2個，進而佳為1個。

R¹¹~R¹⁸分別獨立地表示氫、烷基(較佳為碳數1~12的烷基)、環烷基(較佳為碳數3~12的環烷基)或芳基(較佳為碳數6~30的芳基)。

作為R¹¹~R¹⁸的「碳數1~12的烷基」、「碳數3~12的環烷基」及「碳數6~30的芳基」的具體說明可引用所述Ar¹¹及Ar¹²的欄中的說明。

n為1~3的整數。於n為2以上的情形時，方括弧內所示的各蒽結構可相同亦可不同。較佳的n為1或2，更佳的n為1。

所述式(H1)所表示的蒽衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造(例如參照日本專利特開2012-104806號公報)。

另外，蒽衍生物較佳為下述式(H2)所表示的化合物。

所述式(H2)中，R¹¹~R¹⁸、Ar¹¹及n可引用式(H1)的R¹¹~R¹⁸、Ar¹¹及n的說明，A分別獨立地為氫、碳數1~4的烷基、碳數3~6的環烷基、苯基或萘基，m為1~5的整數，而且，蒽衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

再者，關於碳數1~4的烷基及碳數3~6的環烷基，可引用式(H1)的說明。

所述式(H2)所表示的蒽衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造(例如參照日本專利特開2012-104806號 公報)。

所述式(H1)及式(H2)所表示的蒽衍生物的具體例例如可列舉以下所示的化合物。

<作為主體材料的芘衍生物>

芘衍生物例如為下述式(H3)所表示的化合物。

所述式(H3)中，R¹¹~R¹⁸、Ar¹¹、Ar¹²及n可引用式(H1)的R¹¹~R¹⁸、Ar¹¹、Ar¹²及n的說明，而且，芘衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

所述式(H3)所表示的芘衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

另外，芘衍生物較佳為下述式(H4)所表示的化合物。

所述式(H4)中，R¹¹~R¹⁸、Ar¹¹及Ar¹²的任一個為與Φ的結合基，其他可引用 式(H1)的R¹¹~R¹⁸、Ar¹¹及Ar¹²的說明，Φ為n價的芳基環(較佳為n價的苯環、萘環、蒽環、茀環、苯并茀環、萉環、菲環或聯伸三苯環)，n為1~4的整數，而且，芘衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

所述式(H4)所表示的芘衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

<其他主體材料>

其他主體材料例如可列舉：以三(8-羥基喹啉)鋁為代表的金屬螯合化類咢辛(oxinoid)化合物、雙苯乙烯基蒽衍生物或二苯乙烯基苯衍生物等雙苯乙烯基衍生物、四苯基丁二烯衍生物、香豆素衍生物、噁二唑衍生物、吡咯并吡啶衍生物、紫環酮(perinone)衍生物、環戊二烯衍生物、噻二唑並吡啶衍生物、吡咯并吡咯衍生物、茀衍生物、苯并茀衍生物，聚合物系中的聚苯乙炔衍生物、聚對苯衍生物、聚噻吩衍生物、以及化學工業2004年6月號13頁及其中列舉的參考文獻等中記載的化合物等，亦可與上文所述的主體材料併用。

<摻雜材料>

摻雜材料例如可列舉：含胺的苯并茀衍生物、含胺的芘衍生物、不含胺的芘衍生物、含胺的屈衍生物及含胺的苯乙烯基衍生物等。

<作為摻雜材料的含胺的苯并茀衍生物>

含胺的苯并茀衍生物例如為下述式(D1)所表示的化合物。

所述式(D1)中，R¹¹及R¹²分別獨立地為烷基(較佳為碳數1~12的烷基)、環烷基(較佳為碳數3~12的環烷基)或芳基(較佳為碳數6~30的芳基)，Ar¹¹~Ar¹⁴分別獨立地為可經取代的芳基(較佳為可經取代的碳數6~30的芳基)，Ar¹¹與Ar¹³或Ar¹²與Ar¹⁴亦可鍵結而形成環，而且，含胺的苯并茀衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

另外，所述式(D1)中示出經2個胺基(-N(Ar)₂)取代的例子，亦可為任一者成為氫原子的含胺的苯并茀衍生物、即僅經一個胺基(-N(Ar)₂)取代的含胺的苯并茀衍生物。

Ar¹¹~Ar¹⁴分別獨立地為可經取代的芳基(較佳為可經取代的碳數6~30的芳基)，Ar¹¹~Ar¹⁴全部可不同亦可相同。較佳的芳基為碳數6~18的芳基，更佳為碳數6~14的芳基，進而佳為碳數6~12的芳基。

具體的「碳數6~30的芳基」可列舉：作為單環系芳基 的苯基，作為縮合二環系芳基的(1-、2-)萘基，作為縮合三環系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、茀-(1-、2-、3-、4-、9-)基、萉-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作為縮合四環系芳基的聯伸三苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、稠四苯-(1-、2-、5-)基，作為縮合五環系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、稠五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

較佳的「碳數6~30的芳基」可列舉苯基、萘基、菲基、屈基或聯伸三苯基等，進而佳可列舉苯基、1-萘基、2-萘基或菲基，尤佳可列舉苯基、1-萘基或2-萘基。

Ar¹¹與Ar¹³或Ar¹²與Ar¹⁴亦可鍵結而形成環，例如於Ar¹¹與Ar¹³(或Ar¹²與Ar¹⁴)為苯基的情形時，藉由該些基團鍵結，而含有含胺的苯并茀衍生物中的「N(氮原子)」而形成咔唑環，於其中一者或兩者為萘基的情形時形成苯并咔唑環或二苯并咔唑環。

對「碳數6~30的芳基」的取代基只要可獲得所需特性，則並無特別限定，較佳可列舉烷基、環烷基、芳基、經取代的矽烷基、氰基、氟。

具體的取代基可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、正庚基、正辛基、第三辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基等烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基；苯基、聯苯基、萘基、 聯三苯基、菲基等芳基；甲基苯基、乙基苯基、第二丁基苯基、第三丁基苯基、1-甲基萘基、2-甲基萘基、1,6-二甲基萘基、2,6-二甲基萘基、4-第三丁基萘基等烷基芳基；氰基；氟等。

於取代基為烷基、且於Ar¹¹(或Ar¹²~Ar¹⁴)上取代2個的情形時，該些基團亦可鍵結而形成環，該環例如可列舉環戊烷環或環己烷環等。

於取代基為「經取代的矽烷基」的情形時，可列舉矽烷基中的3個氫分別獨立地經甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、環丁基、環戊基、環己基、苯基、聯苯基或萘基等所取代的基團。

具體的「經取代的矽烷基」可列舉：三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、三丁基矽烷基、三第二丁基矽烷基、三第三丁基矽烷基、乙基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、異丙基二甲基矽烷基、丁基二甲基矽烷基、第二丁基二甲基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、甲基二乙基矽烷基、丙基二乙基矽烷基、異丙基二乙基矽烷基、丁基二乙基矽烷基、第二丁基二乙基矽烷基、第三丁基二乙基矽烷基、甲基二丙基矽烷基、乙基二丙基矽烷基、丁基二丙基矽烷基、第二丁基二丙基矽烷基、第三丁基二丙基矽烷基、甲基二異丙基矽烷基、乙基二異丙基矽烷基、丁基二異丙基矽烷基、第二丁基二異丙基矽烷基、第三丁基二異丙基矽烷基等三烷基矽烷基。另外可列舉：苯基二甲基矽烷基、苯基二乙基矽烷基、苯基二第三丁基矽烷基、 甲基二苯基矽烷基、乙基二苯基矽烷基、丙基二苯基矽烷基、異丙基二苯基矽烷基、丁基二苯基矽烷基、第二丁基二苯基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、三苯基矽烷基等。

關於R¹¹及R¹²的「碳數1~12的烷基」，可為直鏈及分支鏈的任一種。即，為碳數1~12的直鏈烷基或碳數3~12的分支鏈烷基。更佳為碳數1~6的烷基(碳數3~6的分支鏈烷基)，進而佳為碳數1~4的烷基(碳數3~4的分支鏈烷基)。具體例可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基或2-乙基丁基等，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基或第三丁基，更佳為甲基、異丙基或第三丁基。

關於R¹¹及R¹²的「碳數3~12的環烷基」，具體例可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環戊基、環庚基、甲基環己基、環辛基或二甲基環己基等。該些基團中，較佳為環戊基或環己基。

R¹¹及R¹²的「碳數6~30的芳基」的具體說明可引用所述Ar¹¹~Ar¹⁴的欄中的說明。

所述式(D1)所表示的含胺的苯并茀衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

<作為摻雜材料的含胺的芘衍生物>

含胺的芘衍生物例如為下述式(D2)所表示的化合物。

所述式(D2)中，R¹¹~R¹⁸分別獨立地為氫、可經取代的烷基(較佳為可經取代的碳數1~12的烷基)、可經取代的環烷基(較佳為可經取代的碳數3~12的環烷基)、可經取代的芳基(較佳為可經取代的碳數6~30的芳基)、或可經取代的雜芳基(較佳為可經取代的成環原子數5~30的雜芳基)，Ar¹¹~Ar¹⁴分別獨立地為可經取代的芳基(較佳為可經取代的碳數6~30的芳基)、或可經取代的雜芳基(較佳為可經取代的成環原子數5~30的雜芳基)，而且，含胺的芘衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

另外，所述式(D2)中示出經2個胺基(-N(Ar)₂)取代的例子，但亦可為任一者成為氫原子的含胺的芘衍生物、即僅經一個胺基(-N(Ar)₂)取代的含胺的芘衍生物。

Ar¹¹~Ar¹⁴的「可經取代的芳基」的「芳基」為碳數6 ~30的芳基，較佳的「芳基」為碳數6~16的芳基，更佳為碳數6~12的芳基。

具體的「芳基」可列舉：作為單環系芳基的苯基，作為縮合二環系芳基的(1-、2-)萘基，作為縮合三環系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、茀-(1-、2-、3-、4-、9-)基、萉-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作為縮合四環系芳基的聯伸三苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、稠四苯-(1-、2-、5-)基，作為縮合五環系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、稠五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

Ar¹¹~Ar¹⁴的尤佳的「芳基」為苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基及菲基，該些基團中，較佳為苯基、4-聯苯基、1-萘基、2-萘基。

Ar¹¹~Ar¹⁴的「可經取代的雜芳基」的「雜芳基」為成環原子數5~30的雜芳基，較佳的「雜芳基」為成環原子數5~24的雜芳基，更佳為成環原子數5~18的雜芳基，尤佳為成環原子數5~12的雜芳基。

另外，「雜芳基」例如可列舉：除了碳以外含有1個~5個選自氧、硫及氮中的雜原子作為構成環的原子的雜環基等，例如可列舉芳香族雜環基等。

「雜環基」例如可列舉：吡咯基、噁唑基、異噁唑基、噻唑基、異噻唑基、咪唑基、噁二唑基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡唑基、吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、吡嗪基、三嗪基、吲哚基、異吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻 唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基(cinnolyl)、喹唑啉基(quinazolyl)、喹噁啉基、酞嗪基(phthalazinyl)、萘啶基(naphthyridinyl)、嘌呤基、喋啶基(pteridinyl)、咔唑基、吖啶基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、啡嗪基、吲嗪基(indolizinyl)等，較佳為咪唑基、吡啶基、咔唑基等。

「芳香族雜環基」例如可列舉：呋喃基、噻吩基、吡咯基、噁唑基、異噁唑基、噻唑基、異噻唑基、咪唑基、吡唑基、噁二唑基、呋呫基、噻二唑基、三唑基、四唑基、吡啶基、嘧啶基、噠嗪基、吡嗪基、三嗪基、苯并呋喃基、異苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯并[b]噻吩基、二苯并噻吩基、吲哚基、異吲哚基、1H-吲唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、1H-苯并三唑基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹噁啉基、酞嗪基、萘啶基、嘌呤基、喋啶基、咔唑基、吖啶基、啡噁嗪基、啡噻嗪基、啡嗪基、啡噁噻基(phenoxathiinyl)、噻嗯基(thianthrenyl)、吲嗪基等，較佳為噻吩基、咪唑基、吡啶基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等。

R¹¹~R¹⁸的「可經取代的烷基」的「烷基」可為直鏈及分支鏈的任一種。即，為碳數1~12的直鏈烷基或碳數3~12的分支鏈烷基。更佳為碳數1~6的烷基(碳數3~6的分支鏈烷基)，進而佳為碳數1~4的烷基(碳數3~4的分支鏈烷基)。具體例可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、 1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基或2-乙基丁基等，較佳為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基或第三丁基，更佳為甲基、異丙基或第三丁基。

R¹¹~R¹⁸的「可經取代的環烷基」的「環烷基」為碳數3~12的環烷基，較佳的「環烷基」為碳數3~10的環烷基。更佳的「環烷基」為碳數3~8的環烷基。進而佳的「環烷基」為碳數3~6的環烷基。

具體的「環烷基」可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環戊基、環庚基、甲基環己基、環辛基或二甲基環己基等。

作為R¹¹~R¹⁸的「可經取代的芳基」及「可經取代的雜芳基」的具體說明可引用所述Ar¹¹~Ar¹⁴的欄中的說明。

Ar¹¹~Ar¹⁴及R¹¹~R¹⁸的「可經取代的~」的取代基可列舉烷基、環烷基、芳基、經取代的矽烷基、氰基、氟，該等的較佳基團分別可列舉：R¹¹~R¹⁸的「烷基」、「環烷基」的欄中說明的基團，Ar¹¹~Ar¹⁴的「芳基」的欄中說明的基團。

Ar¹¹~Ar¹⁴及R¹¹~R¹⁸中較佳為不具有「取代基」者，於具有取代基的情形時，具體可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、正庚基、正辛基、第三辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基等烷基；環丙基、環丁基、環戊基、環己基、環庚基、環辛基等環烷基；苯基、聯苯基、萘 基、聯三苯基、菲基等芳基；甲基苯基、乙基苯基、第二丁基苯基、第三丁基苯基、1-甲基萘基、2-甲基萘基、1,6-二甲基萘基、2,6-二甲基萘基、4-第三丁基萘基等烷基芳基；氰基；氟等。

於「取代基」為烷基，且於Ar¹¹(或Ar¹²~Ar¹⁴)上取代2個的情形時，該些基團亦可鍵結而形成環，該環例如可列舉環戊烷環或環己烷環等。

於「可經取代的~」的取代基為「經取代的矽烷基」的情形時，可列舉：矽烷基中的3個氫分別獨立地經甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、第二丁基、第三丁基、環丁基、環戊基、環己基、苯基、聯苯基或萘基等所取代的基團。

具體的「經取代的矽烷基」可列舉：三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三異丙基矽烷基、三丁基矽烷基、三第二丁基矽烷基、三第三丁基矽烷基、乙基二甲基矽烷基、丙基二甲基矽烷基、異丙基二甲基矽烷基、丁基二甲基矽烷基、第二丁基二甲基矽烷基、第三丁基二甲基矽烷基、甲基二乙基矽烷基、丙基二乙基矽烷基、異丙基二乙基矽烷基、丁基二乙基矽烷基、第二丁基二乙基矽烷基、第三丁基二乙基矽烷基、甲基二丙基矽烷基、乙基二丙基矽烷基、丁基二丙基矽烷基、第二丁基二丙基矽烷基、第三丁基二丙基矽烷基、甲基二異丙基矽烷基、乙基二異丙基矽烷基、丁基二異丙基矽烷基、第二丁基二異丙基矽烷基、第三丁基二異丙基矽烷基等三烷基矽烷基。另外可列舉：苯基二甲基矽烷基、苯基二乙基矽烷基、苯基二第三丁基矽烷基、 甲基二苯基矽烷基、乙基二苯基矽烷基、丙基二苯基矽烷基、異丙基二苯基矽烷基、丁基二苯基矽烷基、第二丁基二苯基矽烷基、第三丁基二苯基矽烷基、三苯基矽烷基等。

Ar¹¹~Ar¹⁴及R¹¹~R¹⁸中較佳為不具有「取代基」者，於具有取代基的情形時，取代基的個數例如為可取代的最大數，較佳為1個~3個，更佳為1個~2個，進而佳為1個。另外，含胺的芘衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

所述式(D2)所表示的含胺的芘衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

<作為摻雜材料的不含胺的芘衍生物>

不含胺的芘衍生物例如為下述式(D3)所表示的化合物。

所述式(D3)中，R¹¹~R¹⁶可引用式(D2)中的R¹¹~R¹⁸的說明，Ar¹¹~Ar¹⁴可引用式(D2)中的Ar¹¹~Ar¹⁴的說明，而且， 不含胺的芘衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

所述式(D3)所表示的不含胺的芘衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

<作為摻雜材料的含胺的屈衍生物>

含胺的屈衍生物例如為下述式(D4)所表示的化合物。

所述式(D4)中，R¹¹~R¹⁸可引用式(D2)中的R¹¹~R¹⁸的說明，Ar¹¹~Ar¹⁴可引用式(D2)中的Ar¹¹~Ar¹⁴的說明，而且，含胺的屈衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

另外，所述式(D4)中示出經2個胺基(-N(Ar)₂)取代的例子，亦可為任一者成為氫原子的含胺的屈衍生物、即僅經一個胺基(-N(Ar)₂)取代的含胺的屈衍生物。

所述式(D4)所表示的含胺的屈衍生物可使用公知的 原料及公知的合成方法來製造。

<作為摻雜材料的含胺的苯乙烯基衍生物>

含胺的苯乙烯基衍生物例如為下述式(D5)所表示的化合物。

所述式(D5)中，Ar¹¹~Ar¹⁴分別獨立地為可經取代的芳基或可經取代的雜芳基，Ar¹⁵~Ar¹⁷分別獨立地為可經取代的伸芳基或可經取代的伸雜芳基，l、m及n分別獨立地為1~3的整數，p為0~2的整數，於l為2以上的情形時，Ar¹⁵可分別相同亦可不同，於m為2以上的情形時，Ar¹⁶可分別相同亦可不同，於p為1以上、n為2以上的情形時，Ar¹⁷可分別相同亦可不同，於p為2以上、n為1的情形時，Ar¹⁷可分別相同亦可不同，Ar¹¹~Ar¹⁷的取代基為鹵素、烷基、芳基、雜芳基、可經取代的矽烷基或氰基。

另外，所述式(D5)中示出經2個胺基(-N(Ar)₂)取代的例子，但亦可為任一者成為氫原子的含胺的苯乙烯基衍生物、即僅 經一個胺基(-N(Ar)₂)取代的含胺的苯乙烯基衍生物。

Ar¹¹~Ar¹⁷的可經取代的芳基及可經取代的雜芳基可引用式(D2)中的Ar¹¹~Ar¹⁴的說明，作為Ar¹¹~Ar¹⁷的取代基的烷基、芳基、雜芳基及可經取代的矽烷基可引用作為式(D2)中的Ar¹¹~Ar¹⁴及R¹¹~R¹⁸的取代基而說明的基團。

更具體的含胺的苯乙烯基衍生物例如為下述式(D6)所表示的化合物。

所述式(D6)中，Arⁱ¹~Ar¹⁴可引用式(D2)中的Ar¹¹~Ar¹⁴的說明，而且，含胺的苯乙烯基衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

另外，所述式(D6)中示出經2個胺基(-N(Ar)₂)取代的例子，亦可為任一者成為氫原子的含胺的苯乙烯基衍生物、即僅經一個胺基(-N(Ar)₂)取代的含胺的苯乙烯基衍生物。

所述式(D5)及式(D6)所表示的含胺的苯乙烯基衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

其他含胺的苯乙烯基衍生物例如可列舉：N,N,N',N'-四(4-聯苯基)-4,4'-二胺基二苯乙烯、N,N,N',N'-四(1-萘基)-4,4'-二胺 基二苯乙烯、N,N,N',N'-四(2-萘基)-4,4'-二胺基二苯乙烯、N,N'-二(2-萘基)-N,N'-二苯基-4,4'-二胺基二苯乙烯、N,N'-二(9-菲基)-N,N'-二苯基-4,4'-二胺基二苯乙烯、4,4'-雙[4"-雙(二苯基胺基)苯乙烯基]-聯苯、1,4-雙[4'-雙(二苯基胺基)苯乙烯基]-苯、2,7-雙[4'-雙(二苯基胺基)苯乙烯基]-9,9-二甲基茀、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-聯苯、4,4'-雙(9-苯基-3-咔唑乙烯基)-聯苯等。另外，亦可使用日本專利特開2003-347056號公報及日本專利特開2001-307884號公報等中記載的含胺的苯乙烯基衍生物。

<其他摻雜材料>

其他摻雜材料例如可列舉：苝衍生物、硼烷衍生物、芳香族胺衍生物及香豆素衍生物、進而化學工業2004年6月號13頁及其中列舉的參考文獻等中記載的化合物等，亦可與上文所述的摻雜材料併用。

苝衍生物例如可列舉：3,10-雙(2,6-二甲基苯基)苝、3,10-雙(2,4,6-三甲基苯基)苝、3,10-二苯基苝、3,4-二苯基苝、2,5,8,11-四-第三丁基苝、3,4,9,10-四苯基苝、3-(1'-芘基)-8,11-二(第三丁基)苝、3-(9'-蒽基)-8,11-二(第三丁基)苝、3,3'-雙(8,11-二(第三丁基)苝基)等。另外，亦可使用日本專利特開平11-97178號公報、日本專利特開2000-133457號公報、日本專利特開2000-26324號公報、日本專利特開2001-267079號公報、日本專利特開2001-267078號公報、日本專利特開2001-267076號公報、日本專利特開2000-34234號公報、日本專利特開2001-267075號公報、及日本 專利特開2001-217077號公報等中記載的苝衍生物。

硼烷衍生物例如可列舉：1,8-二苯基-10-(二-2,4,6-三甲苯基硼基)蒽、9-苯基-10-(二-2,4,6-三甲苯基硼基)蒽、4-(9'-蒽基)二-2,4,6-三甲苯基硼基萘、4-(10'-苯基-9'-蒽基)二-2,4,6-三甲苯基硼基萘、9-(二-2,4,6-三甲苯基硼基)蒽、9-(4'-聯苯基)-10-(二-2,4,6-三甲苯基硼基)蒽、9-(4'-(N-咔唑基)苯基)-10-(二-2,4,6-三甲苯基硼基)蒽等。另外，亦可使用國際公開第2000/40586號等中記載的硼烷衍生物。

芳香族胺衍生物例如可列舉：N,N,N,N-四苯基蒽-9,10-二胺、9,10-雙(4-二苯基胺基-苯基)蒽、9,10-雙(4-二(1-萘基胺基)苯基)蒽、9,10-雙(4-二(2-萘基胺基)苯基)蒽、10-二-對甲苯基胺基-9-(4-二-對甲苯基胺基-1-萘基)蒽、10-二苯基胺基-9-(4-二苯基胺基-1-萘基)蒽、10-二苯基胺基-9-(6-二苯基胺基-2-萘基)蒽、[4-(4-二苯基胺基-苯基)萘-1-基]-二苯基胺、[4-(4-二苯基胺基-苯基)萘-1-基]-二苯基胺、[6-(4-二苯基胺基-苯基)萘-2-基]-二苯基胺、4,4'-雙[4-二苯基胺基萘-1-基]聯苯、4,4'-雙[6-二苯基胺基萘-2-基]聯苯、4,4"-雙[4-二苯基胺基萘-1-基]-對聯三苯、4,4"-雙[6-二苯基胺基萘-2-基]-對聯三苯等。另外，亦可使用日本專利特開2006-156888號公報等中記載的芳香族胺衍生物。

香豆素衍生物可列舉香豆素-6、香豆素-334等。另外，亦可使用日本專利特開2004-43646號公報、日本專利特開2001-76876號公報、及日本專利特開平6-298758號公報等中記載 的香豆素衍生物。

7.有機EL元件的電子注入層及電子傳輸層

電子注入層107發揮以下作用：將自陰極108移動而來的電子高效地注入至電子傳輸層106內。電子傳輸層106發揮以下作用：將自陰極108注入的電子或自陰極108經由電子注入層107注入的電子高效地傳輸至發光輔助層110。電子傳輸層106及電子注入層107分別藉由將一種或兩種以上的電子傳輸/注入材料積層、混合而形成，或藉由電子傳輸/注入材料與高分子黏結劑的混合物而形成。

所謂電子注入/傳輸層，是指發揮自陰極注入電子、進而傳輸電子的功能的層，理想的是電子注入效率高，且高效地傳輸所注入的電子。因此較佳為以下物質：電子親和力大，而且電子遷移率大，進而穩定性優異，於製造時及使用時不易產生成為陷阱的雜質。然而，於考慮到電洞與電子的傳輸平衡的情形時，於主要發揮可高效地阻止來自陽極的電洞並未再結合而流向陰極側的作用的情形時，即便電子傳輸能力並不那麼高，亦具有與電子傳輸能力高的材料同等的提高發光效率的效果。因此，本實施形態中的電子注入/傳輸層亦可包含以下功能：可高效地阻止電洞的移動的層的功能。

本申請案發明中，來自電子傳輸層的電子經由發光輔助層而被傳輸至發光層中，故於自電子傳輸層向發光輔助層的電子傳輸遲滯由此導致對發光層的電子注入性大幅度地降低等的情形 時，發光層中的電子-電洞的再結合減少，由此三重態激子的密度變小，三重態激子的碰撞頻率減少，結果並未高效地引起TTF現象。於假設自電子傳輸層向發光輔助層的電子注入大幅度地受損的情形時，可能電子於電子傳輸層中蓄積而引起高電壓化，並且蓄積電子與三重態激子碰撞而能量淬滅。

作為本申請案發明的發光輔助層用材料的苯并茀化合物及茀化合物具有來源於上文所述的特定結構的相對較大的親和力A_a，故與通常被用作有機EL元件用的電子傳輸材料的大部分的材料相比較，不會大幅度地降低或阻礙自電子傳輸層向發光層的電子注入性。

為了更有效地自電子傳輸層向發光層注入電子，雖然本申請案發明不受特定原理的束縛，但電子傳輸材料較佳為選擇其親和力A_e與發光輔助層用材料的親和力A_a滿足A_a>A_e-0.8eV的關係的材料。該關係更佳為滿足A_a>A_e-0.6eV，進而佳為滿足A_a>A_e-0.5eV。

<電子傳輸層用材料>

電子傳輸層用材料較佳為含雜環的化合物，例如可列舉：吡啶衍生物、噻唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、啡啉衍生物及膦氧化物衍生物等。再者，該些材料亦可用作電子注入層用的材料。

<作為電子傳輸層用材料的吡啶衍生物>

吡啶衍生物例如為下述式(ET1)~式(ET3)所表示的化合 物。

所述式(ET1)中，Φ為n價的芳基環(較佳為n價的苯環、萘環、蒽環、茀環、苯并茀環、萉環、菲環或聯伸三苯環)，n為1~4的整數，所述式(ET2)中，R¹¹~R¹⁸分別獨立地為氫、烷基(較佳為碳數1~24的烷基)、環烷基(較佳為碳數3~12的環烷基)或芳基(較佳為碳數6~30的芳基)，所述式(ET3)中， R¹¹及R¹²分別獨立地為氫、烷基(較佳為碳數1~24的烷基)、環烷基(較佳為碳數3~12的環烷基)或芳基(較佳為碳數6~30的芳基)，R¹¹及R¹²亦可鍵結而形成環，所述式(ET1)~式(ET3)中，「吡啶系取代基」為下述式(Py-1)~式(Py-15)的任一個，吡啶系取代基可分別獨立地經碳數1~4的烷基取代，而且，各吡啶衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

另外，所述式(ET2)及式(ET3)中的2個「吡啶系取代基」中的一個可經芳基取代。

R¹¹~R¹⁸的「烷基」可為直鏈及分支鏈的任一種，例如可列舉碳數1~24的直鏈烷基或碳數3~24的分支鏈烷基。較佳的「烷基」為碳數1~18的烷基(碳數3~18的分支鏈烷基)。更佳的「烷基」為碳數1~12的烷基(碳數3~12的分支鏈烷基)。進而佳的「烷基」為碳數1~6的烷基(碳數3~6的分支鏈烷基)。尤佳的「烷基」為碳數1~4的烷基(碳數3~4的分支鏈烷基)。

具體的「烷基」可列舉：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、正己基、1-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、正庚基、1-甲基己基、正辛基、第三辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、2,6-二甲基-4-庚基、3,5,5-三甲基己基、正癸基、正十一烷基、1-甲基癸基、正十二烷基、正十三烷基、1-己基庚基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正二十烷基等。

取代於吡啶系取代基上的碳數1~4的烷基可引用所述烷基的說明。

R¹¹~R¹⁸的「環烷基」例如可列舉碳數3~12的環烷基。較佳的「環烷基」為碳數3~10的環烷基。更佳的「環烷基」為碳數3~8的環烷基。進而佳的「環烷基」為碳數3~6的環烷基。

具體的「環烷基」可列舉：環丙基、環丁基、環戊基、環己基、甲基環戊基、環庚基、甲基環己基、環辛基或二甲基環 己基等。

關於R¹¹~R¹⁸的「芳基」，較佳的芳基為碳數6~30的芳基，更佳的芳基為碳數6~18的芳基，進而佳為碳數6~14的芳基，尤佳為碳數6~12的芳基。

具體的「碳數6~30的芳基」可列舉：作為單環系芳基的苯基，作為縮合二環系芳基的(1-、2-)萘基，作為縮合三環系芳基的苊-(1-、3-、4-、5-)基、茀-(1-、2-、3-、4-、9-)基、萉-(1-、2-)基、(1-、2-、3-、4-、9-)菲基，作為縮合四環系芳基的聯伸三苯-(1-、2-)基、芘-(1-、2-、4-)基、稠四苯-(1-、2-、5-)基，作為縮合五環系芳基的苝-(1-、2-、3-)基、稠五苯-(1-、2-、5-、6-)基等。

較佳的「碳數6~30的芳基」可列舉苯基、萘基、菲基、屈基或聯伸三苯基等，進而佳可列舉苯基、1-萘基、2-萘基或菲基，尤佳可列舉苯基、1-萘基或2-萘基。

所述式(ET3)中的R¹¹及R¹²亦可鍵結而形成環，結果，亦可於茀骨架的5員環上螺環鍵結環丁烷、環戊烷、環戊烯、環戊二烯、環己烷、茀或茚等。

所述式(ET1)~式(ET3)中，「吡啶系取代基」為所述式(Py-1)~式(Py-15)的任一個，該等中，較佳為下述式(Py-21)~式(Py-44)的任一個。

所述式(ET1)~式(ET3)所表示的吡啶衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

<作為電子傳輸層用材料的噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物>

噻唑衍生物例如為下述式(ET4)所表示的化合物。

苯并噻唑衍生物例如為下述式(ET5)所表示化合物。

所述式(ET4)或式(ET5)中，Φ為n價的芳基環(較佳為n價的苯環、萘環、蒽環、茀環、苯并茀環、萉環、菲環或聯伸三苯環)，n為1~4的整數，「噻唑系取代基」或「苯并噻唑系取代基」為將所述式(ET1)~式(ET3)的「吡啶系取代基」中的吡啶基替換為噻唑基或苯并噻唑基而成者，噻唑衍生物及苯并噻唑衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

Φ進而佳為蒽環或茀環，該情形的結構可引用所述式(ET2)或(ET3)的結構，各式中的R¹¹~R¹⁸可引用所述式(ET2)或式(ET3)中說明的基團。另外，所述式(ET2)或式(ET3) 中以鍵結有2個吡啶系取代基的形態來進行說明，於將該些基團替換成噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)時，可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)來替換兩個吡啶系取代基(即n=2)，亦可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)替換任一個吡啶系取代基且由R¹¹~R¹⁸替換另一吡啶系取代基(即n=1)。進而，例如亦可由噻唑系取代基(或苯并噻唑系取代基)替換所述式(ET2)中的R¹¹~R¹⁸的至少一個且由R¹¹~R¹⁸替換「吡啶系取代基」。

所述式(ET4)及式(ET5)所表示的噻唑衍生物或苯并噻唑衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

<作為電子傳輸層用材料的苯并咪唑衍生物>

苯并咪唑例如為下述式(ET6)所表示的化合物。

所述式(ET6)中，Φ為n價的芳基環(較佳為n價的苯環、萘環、蒽環、茀環、苯并茀環、萉環、菲環或聯伸三苯環)，n為1~4的整數，「苯并咪唑系取代基」為將所述式(ET1)~式(ET3)中的「吡啶系取代基」中的吡啶基替換為苯并咪唑基而成者，苯并咪唑衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

所述苯并咪唑基中的R¹¹為氫、碳數1~24的烷基、碳數3~12的環烷基或碳數6~30的芳基，可引用所述式(ET2)及式(ET3)中的R¹¹的說明。

Φ更佳為蒽環或茀環，該情形的結構可引用所述式(ET2)或式(ET3)的結構，各式中的R¹¹~R¹⁸可引用所述式(ET2)或(ET3)中說明的基團。另外，所述式(ET2)或式(ET3)是以鍵結有2個吡啶系取代基的形態進行說明，於將該些基團替換為苯并咪唑系取代基時，可由苯并咪唑系取代基來替換兩個吡啶系取代基(即n=2)，亦可由苯并咪唑系取代基來替換任一個吡啶系取代基且由R¹¹~R¹⁸來替換另一個吡啶系取代基置(即n=1)。進而，例如亦可由苯并咪唑系取代基來替換所述式(ET2)中的R¹¹~R¹⁸的至少一個且由R¹¹~R¹⁸來替換「吡啶系取代基」。

所述式(ET6)所表示的苯并咪唑衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

苯并咪唑衍生物的具體例為1-苯基-2-(4-(10-苯基蒽-9-基)苯基)-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(3-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并 [d]咪唑、5-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(10-(萘-2-基)蒽-9-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并[d]咪唑、1-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-2-苯基-1H-苯并[d]咪唑、5-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)-1,2-二苯基-1H-苯并[d]咪唑。

<作為電子傳輸層用材料的啡啉衍生物>

啡啉衍生物例如為下述式(ET7)或式(ET8)所表示的化合物。

所述式(ET8)中，Φ為n價的芳基環(較佳為n價的苯環、萘環、蒽環、茀環、苯并茀環、萉環、菲環或聯伸三苯環)，n為1~4的整數，所述式(ET7)及式(ET8)中，R¹¹~R¹⁸分別獨立地為氫、烷基(較佳為碳數1~24的烷基)、環烷基(較佳為碳數3~12的環烷基)或芳基(較佳為碳數6~30的芳基)， 各啡啉衍生物中的至少一個氫可經氘取代。

R¹¹~R¹⁸的烷基、環烷基及芳基可引用所述式(ET1)中的R¹¹~R¹⁸的說明。另外，Φ除了上文所述者以外，例如可列舉以下的結構式。再者，下述結構式中的R分別獨立地為氫、甲基、乙基、異丙基、環己基、苯基、1-萘基、2-萘基、聯苯基或聯三苯基。

所述式(ET7)或式(ET8)所表示的啡啉衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

啡啉衍生物的具體例可列舉：4,7-二苯基-1,10-啡啉、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉、9,10-二(1,10-啡啉-2-基)蒽、2,6-二(1,10-啡啉-5-基)吡啶、1,3,5-三(1,10-啡啉-5-基)苯、9,9'-二氟- 雙(1,10-啡啉-5-基)、2,9-二甲基-4,7-聯苯-1,10-啡啉(bathocuproin)或1,3-雙(2-苯基-1,10-啡啉-9-基)苯等。

<作為電子傳輸層用材料的膦氧化物衍生物>

膦氧化物衍生物例如為下述式(ET9)所表示的化合物。

所述式(ET9)中，R¹~R³可相同亦可不同，是選自氫、烷基、環烷基、芳烷基、烯基、環烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、芳基醚基、芳基硫醚基、芳基、雜環基、鹵素、氰基、醛基、羰基、羧基、胺基、硝基、矽烷基及與鄰接取代基之間所形成的縮合環中。

Ar¹及Ar²可相同亦可不同，為芳基或雜芳基。其中，Ar¹及Ar²中的至少一個具有取代基，或與鄰接取代基之間形成縮合環。n為1~3的整數，於n為3時，R¹不存在。

該些取代基中，所謂烷基，例如表示甲基、乙基、丙基、丁基等飽和脂肪族烴基，其可未經取代亦可經取代。經取代的情形時的取代基並無特別限制，例如可列舉烷基、芳基、雜環基等，該方面於以下的記載中亦共同。另外，烷基的碳數並無特別限定， 就獲取的容易性或成本的方面而言，通常為1~20的範圍。

另外，所謂環烷基，例如表示環丙基、環己基、降冰片基、金剛烷基等飽和脂環式烴基，其可未經取代亦可經取代。烷基部分的碳數並無特別限定，通常為3~20的範圍。

另外，所謂芳烷基，例如表示苄基、苯基乙基等經由脂肪族烴的芳香族烴基，脂肪族烴及芳香族烴均可未經取代亦可經取代。脂肪族部分的碳數並無特別限定，通常為1~20的範圍。

另外，所謂烯基，例如表示乙烯基、烯丙基、丁二烯基等含有雙鍵的不飽和脂肪族烴基，其可未經取代亦可經取代。烯基的碳數並無特別限定，通常為2~20的範圍。

另外，所謂環烯基，例如表示環戊烯基、環戊二烯基、環己烯基等含有雙鍵的不飽和脂環式烴基，其可未經取代亦可經取代。

另外，所謂炔基，例如表示乙炔基等含有三鍵的不飽和脂肪族烴基，其可未經取代亦可經取代。炔基的碳數並無特別限定，通常為2~20的範圍。

另外，所謂烷氧基，例如表示甲氧基等經由醚鍵的脂肪族烴基，脂肪族烴基可未經取代亦可經取代。烷氧基的碳數並無特別限定，通常為1~20的範圍。

另外，所謂烷硫基，是指將烷氧基的醚鍵的氧原子替換成硫原子而成的基團。

另外，所謂芳基醚基，例如表示苯氧基等經由醚鍵的芳 香族烴基，芳香族烴基可未經取代亦可經取代。芳基醚基的碳數並無特別限定，通常為6~40的範圍。

另外，所謂芳基硫醚基，是指將芳基醚基的醚鍵的氧原子替換成硫原子而成的基團。

另外，所謂芳基，例如表示苯基、萘基、聯苯基、菲基、聯三苯基、芘基等芳香族烴基。芳基可未經取代亦可經取代。芳基的碳數並無特別限定，通常為6~40的範圍。

另外，所謂雜環基，例如表示呋喃基、噻吩基、噁唑基、吡啶基、喹啉基、咔唑基等具有碳以外的原子的環狀結構基，其可未經取代亦可經取代。雜環基的碳數並無特別限定，通常為2~30的範圍。

所謂鹵素，表示氟、氯、溴、碘。

醛基、羰基、胺基中，亦可包括經脂肪族烴、脂環式烴、芳香族烴、雜環等取代的基團。

另外，脂肪族烴、脂環式烴、芳香族烴、雜環可未經取代亦可經取代。

所謂矽烷基，例如表示三甲基矽烷基等矽化合物基，其可未經取代亦可經取代。矽烷基的碳數並無特別限定，通常為3~20的範圍。另外，矽數通常為1~6。

所謂與鄰接取代基之間形成的縮合環，例如是指於Ar¹與R²、Ar¹與R³、Ar²與R²、Ar²與R³、R²與R³、Ar¹與Ar²等之間形成共軛或非共軛的縮合環。此處，於n為1的情形時，2個 R¹彼此亦可形成共軛或非共軛的縮合環。該些縮合環亦可於環內結構中含有氮、氧、硫原子，進而亦可與其他環縮合。

所述式(ET9)所表示的膦氧化物衍生物可使用公知的原料及公知的合成方法來製造。

<其他電子傳輸材料>

電子傳輸層及電子注入層中所用的其他材料可自以下化合物中任意選擇而使用：於光導電材料中作為電子傳送化合物而自先前以來慣用的化合物、有機EL元件的電子注入層及電子傳輸層中使用的公知的化合物。亦可與上文所述的電子傳輸層用材料併用。

具體可列舉：萘衍生物、蒽衍生物、紫環酮衍生物、香豆素衍生物、萘二醯亞胺衍生物、蒽醌衍生物、聯苯醌(diphenoquinone)衍生物、二苯基醌衍生物、苝衍生物、噻吩衍生物、噻二唑衍生物、喹噁啉衍生物、喹噁啉衍生物的聚合物、吲哚(benzazole)類化合物、吡唑衍生物、全氟苯衍生物、三嗪衍生物、吡嗪衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并噁唑衍生物、苯并噻唑衍生物、喹啉衍生物、醛連氮(aldazine)衍生物、咔唑衍生物、吲哚衍生物、雙苯乙烯基衍生物等。另外可列舉：噁二唑衍生物(1,3-雙[(4-第三丁基苯基)1,3,4-噁二唑基]苯等)、三唑衍生物(N-萘基-2,5-二苯基-1,3,4-三唑等)、苯并喹啉衍生物(2,2'-雙(苯并[h]喹啉-2-基)-9,9'-螺環雙茀等)、萘啶衍生物(雙(1-萘基)-4-(1,8-萘啶-2-基)苯基膦氧化物等)等。該些材料可單獨使用，亦可與不同的材料混合而使用。

另外，亦可使用具有受電子性氮的金屬錯合物，例如可列舉：羥喹啉(quinolinol)系金屬錯合物或羥基苯基噁唑錯合物等羥基唑錯合物、甲亞胺錯合物、托酚酮(tropolone)金屬錯合物、黃酮醇金屬錯合物及苯并喹啉金屬錯合物等。該些材料可單獨使用，亦可與不同的材料混合而使用。

羥喹啉系金屬錯合物為下述通式(E-1)所表示的化合物。

式中，R¹~R⁶為氫或取代基，M為Li、Al、Ga、Be或Zn，n為1~3的整數。

羥喹啉系金屬錯合物的具體例可列舉：8-羥喹啉鋰、三(8-羥基喹啉)鋁、三(4-甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(5-甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(3,4-二甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(4,5-二甲基-8-羥基喹啉)鋁、三(4,6-二甲基-8-羥基喹啉)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2-甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(3-甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2-苯基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(3-苯基苯酚) 鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2,3-二甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2,6-二甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(3,4-二甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(3,5-二甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(3,5-二-第三丁基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2,6-二苯基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2,4,6-三苯基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2,4,6-三甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2,4,5,6-四甲基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(1-萘酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)(2-萘酚)鋁、雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)(2-苯基苯酚)鋁、雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)(3-苯基苯酚)鋁、雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)(4-苯基苯酚)鋁、雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)(3,5-二甲基苯酚)鋁、雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)(3,5-二-第三丁基苯酚)鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁-μ-氧代-雙(2-甲基-8-羥基喹啉)鋁、雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)鋁-μ-氧代-雙(2,4-二甲基-8-羥基喹啉)鋁、雙(2-甲基-4-乙基-8-羥基喹啉)鋁-μ-氧代-雙(2-甲基-4-乙基-8-羥基喹啉)鋁、雙(2-甲基-4-甲氧基-8-羥基喹啉)鋁-μ-氧代-雙(2-甲基-4-甲氧基-8-羥基喹啉)鋁、雙(2-甲基-5-氰基-8-羥基喹啉)鋁-μ-氧代-雙(2-甲基-5-氰基-8-羥基喹啉)鋁、雙(2-甲基-5-三氟甲基-8-羥基喹啉)鋁-μ-氧代-雙(2-甲基-5-三氟甲基-8-羥基喹啉)鋁、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹等。

電子傳輸層或電子注入層中亦可更含有以下物質，該物質可將形成電子傳輸層或電子注入層的材料還原。該還原性物質只要具有一定的還原性，則可使用各種物質，例如可較佳地使用 選自由鹼金屬、鹼土金屬、稀土金屬、鹼金屬的氧化物、鹼金屬的鹵化物(例如LiF等)、鹼土金屬的氧化物、鹼土金屬的鹵化物、稀土金屬的氧化物、稀土金屬的鹵化物、鹼金屬的有機錯合物、鹼土金屬的有機錯合物及稀土金屬的有機錯合物所組成的組群中的至少一種。

較佳的還原性物質可列舉：Na(功函數為2.36eV)、K(功函數為2.28eV)、Rb(功函數為2.16eV)或Cs(功函數為1.95eV)等鹼金屬，或Ca(功函數為2.9eV)、Sr(功函數為2.0eV~2.5eV)或Ba(功函數為2.52eV)等鹼土金屬，尤佳為功函數為2.9eV以下者。該等中，更佳的還原性物質為K、Rb或Cs的鹼金屬，進而佳為Rb或Cs，最佳為Cs。該些鹼金屬的還原能力特別高，可藉由以相對較少的量添加至形成電子傳輸層或電子注入層的材料中，而實現有機EL元件的發光亮度的提高或長壽命化。另外，功函數為2.9eV以下的還原性物質亦較佳為該等中的兩種以上的鹼金屬的組合，尤佳為含有Cs的組合，例如Cs與Na、Cs與K、Cs與Rb、或Cs與Na與K的組合。藉由含有Cs，可有效地發揮還原能力，可藉由添加至形成電子傳輸層或電子注入層的材料中，而實現有機EL元件的發光亮度的提高或長壽命化。

8.有機EL元件的陰極

陰極108發揮以下作用：經由電子注入層107、電子傳輸層106及發光輔助層110，對發光層105注入電子。

形成陰極108的材料只要為可將電子高效地注入至有 機層中的物質，則並無特別限定，可使用與形成陽極102的材料相同者。其中，較佳為錫、鎂、銦、鈣、鋁、銀、銅、鎳、鉻、金、鉑、鐵、鋅、鋰、鈉、鉀、銫及鎂等金屬或該等的合金(鎂-銀合金、鎂-銦合金、氟化鋰/鋁等鋁-鋰合金等)等。為了提高電子注入效率而提昇元件特性，有效的是鋰、鈉、鉀、銫、鈣、鎂或含有該些低功函數金屬的合金。然而，該些低功函數金屬通常大多情況下於大氣中不穩定。為了改善此方面，例如已知有以下方法：於有機層中摻雜微量的鋰、銫或鎂，使用穩定性高的電極。其他摻雜物亦可使用氟化鋰、氟化銫、氧化鋰及氧化銫般的無機鹽。然而，並不限定於該些物質。

進而，可列舉以下情況作為較佳例：為了保護電極，而積層鉑、金、銀、銅、鐵、錫、鋁及銦等金屬或使用該些金屬的合金，以及二氧化矽、二氧化鈦及氮化矽等無機物，聚乙烯醇，氯乙烯，烴系高分子化合物等。該些電極的製作法只要為電阻加熱、電子束、濺鍍、離子鍍敷及塗佈等可實現導通的方法，則亦並無特別限制。

9.有機EL元件的製作方法

構成有機EL元件的各層可藉由以下方式形成：藉由蒸鍍法、電阻加熱蒸鍍、電子束蒸鍍、濺鍍、分子積層法、使用噴墨方式等的印刷法、旋塗法或澆鑄法、塗佈法等方法，將應構成各層的材料製成薄膜。如此而形成的各層的膜厚並無特別限定，可根據材料的性質而適當設定，通常為2nm~5000nm的範圍。膜厚通 常可利用石英震盪式膜厚測定裝置等來測定。

例如於使用蒸鍍法來製成薄膜的情形時，其蒸鍍條件視材料的種類、膜的目標結晶結構及締合結構等而不同。蒸鍍條件通常較佳為於舟皿加熱溫度為+50℃~+400℃、真空度為10^-6Pa~10^-3Pa、蒸鍍速度為0.01nm/s~50nm/s、基板溫度為-150℃~+300℃、膜厚為2nm~5μm的範圍內適當設定。

另外，例如於噴墨印刷法、即使用含有有機EL材料的溶液來形成有機EL元件的各層的方法的情況下，可對有機EL材料選擇良溶劑製備均勻溶液後使用，亦可使用不良溶劑、或使用良溶劑與不良溶劑的混合溶劑製備分散液後使用。其中，為了抑制對噴頭的噴嘴堵塞，較佳為使用良溶劑。例如，大多為良溶劑者可列舉芳香族系溶劑、鹵素系溶劑、醚系溶劑等，大多為不良溶劑者可列舉醇系溶劑、酮系溶劑、石蠟系溶劑或碳數4以上的烷基苯衍生物等。更具體而言，大多為良溶劑者可列舉：甲苯、二甲苯、2,4,6-三甲苯等芳香族系溶劑，氯苯等鹵素系溶劑，二苯醚等醚系溶劑等，大多為不良溶劑者可列舉：碳數1~20的直鏈或分支醇即甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、壬醇、癸醇等醇系溶劑，苄醇衍生物，羥基烷基苯衍生物，直鏈或分支的丁基苯、十二烷基苯、四氫萘、環己基苯等烷基苯衍生物等。溶劑的使用量可考慮有機EL材料的量或種類、有機薄膜層的厚度等而適當調整。

繼而，作為製作有機EL元件的方法的一例，對包含陽 極/電洞注入層/電洞傳輸層/包含主體材料與摻雜材料的發光層/發光輔助層/電子傳輸層/電子注入層/陰極的有機EL元件的製作法加以說明。於適當的基板上藉由蒸鍍法等形成陽極材料的薄膜而製作陽極後，於該陽極上形成電洞注入層及電洞傳輸層的薄膜。於其上將主體材料與摻雜材料共蒸鍍而形成薄膜作為發光層，於該發光層上形成發光輔助層、電子傳輸層及電子注入層，進而藉由蒸鍍法等形成包含陰極用物質的薄膜作為陰極，藉此可獲得目標有機EL元件。再者，於上文所述的有機EL元件的製作中，亦可將製作順序顛倒而以陰極、電子注入層、電子傳輸層、發光輔助層、發光層、電洞傳輸層、電洞注入層以及陽極的順序製作。

於對如此而獲得的有機EL元件施加直流電壓的情形時，只要使陽極為正(+)極性、陰極為負(-)極性而施加直流電壓即可，若施加2V~40V左右的電壓，則自透明或半透明的電極側(陽極或陰極及兩者)觀測到發光。另外，該有機EL元件於施加脈波電流或交流電流的情形時亦發光。再者，所施加的交流的波形可為任意。

10.有機EL元件的應用例

另外，本發明亦可應用於具備有機EL元件的顯示裝置或具備有機EL元件的照明裝置等。具備有機EL元件的顯示裝置或照明裝置可藉由將本實施形態的有機EL元件與公知的驅動裝置連接等公知的方法來製造，可適當使用直流驅動、脈波驅動、交流驅動等公知的驅動方法來驅動。

顯示裝置例如可列舉：彩色平板顯示器等面板顯示器、可撓性彩色有機EL顯示器等可撓性顯示器等(例如參照日本專利特開平10-335066號公報、日本專利特開2003-321546號公報、日本專利特開2004-281086號公報等)。另外，顯示器的顯示方式例如可列舉矩陣及/或分段(segment)方式等。再者，矩陣顯示與分段顯示亦可於相同的面板中共存。

所謂矩陣，是指將用以進行顯示的畫素以格子狀或馬賽克(mosaic)狀等二維地配置而成，以畫素的集合來顯示文字或圖像。畫素的形狀或尺寸是根據用途來決定。例如於個人電腦(personal computer)、監視器(monitor)、電視(television)的圖像及文字顯示中，通常使用一邊為300μm以下的四角形的畫素，另外於顯示面板般的大型顯示器的情況下，使用一邊為毫米(mm)級的畫素。單色顯示的情況下只要排列同色的畫素即可，彩色顯示的情況下排列紅色、綠色、藍色的畫素而進行顯示。於該情形時，典型而言有三角型(delta type)與條紋型(stripe type)。而且，該矩陣的驅動方法可為線序驅動方法或主動式矩陣的任一種。線序驅動的情況下有結構簡單的優點，於考慮到運作特性的情形時，有時主動式矩陣的情況下更優異，因此該驅動方法亦必須根據用途而區分使用。

於分段方式(型)中，以顯示預先決定的資訊的方式形成圖案，使所決定的區域發光。例如可列舉：數位鐘錶或溫度計的時刻或溫度顯示、音頻設備(audio equipment)或電磁爐等的運 作狀態顯示及汽車的面板顯示等。

照明裝置例如可列舉：室內照明等照明裝置、液晶顯示裝置的背光等(例如參照日本專利特開2003-257621號公報、日本專利特開2003-277741號公報、日本專利特開2004-119211號公報等)。背光主要是以提高並不自發光的顯示裝置的視覺辨認度為目的而使用，可用於液晶顯示裝置、鐘錶、音頻裝置、汽車面板、顯示板及標識等中。特別是作為液晶顯示裝置、其中薄型化成為課題的個人電腦用途的背光，現有方式的背光由於包含螢光燈或導光板故薄型化困難，若考慮到此方面，使用本實施形態的有機EL元件的背光的薄型且輕量成為特徵。

[實施例]

<光輔助層用材料的合成例>

以下，對式(2-1)~式(2-5)、式(2-21)、式(2-41)、式(2-61)、式(2-62)、式(2-85)、式(2-87)、式(1-1)、式(1-71)、式(3-5)、式(3-6)、式(3-8)、式(5-7)、式(6-9)及式(EAL-1)所表示的化合物的合成例加以說明。再者，化合物(EAL-1)為比較化合物。

<化合物(2-1)的合成例>

於氮氣環境下，使7,7-二苯基-5,9-雙(三氟甲磺醯氧基)-7H-苯并[c]茀(6.66g)、2-萘硼酸(5.16g)溶解於四氫呋喃與異丙醇的混合溶劑(100ml，四氫呋喃/異丙醇=1/4(體積比))中，添加四(三苯基膦)鈀(0)(1.16g)並攪拌5分鐘，其後添加磷酸鉀(12.7g)進行4小時回流。反應後，將溶劑去除50ml。添加水100ml，將沈澱過濾。進而以水及甲醇清洗沈澱，獲得化合物(2-1)的粗產品。利用矽膠對該粗產品進行管柱純化(溶劑：庚烷/甲苯=3/1(體積比))後，進行昇華純化，獲得目標化合物(2-1)5.0g(產率：80.5%)。

藉由質譜(Mass Spectrometry，MS)光譜及核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance，NMR)測定來確認化合物(2-1)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.93(d,1H),8.53(d,1H),8.06~8.04(m,2H),7.93~7.21(m,28H).

<化合物(2-2)的合成例>

於氮氣環境下，將5,9-二溴-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀(2.2g)、1-萘硼酸(1.6g)、四(三苯基膦)鈀(0)(Pd(PPh₃)₄)(0.1g)、磷酸鉀(3.6g)及甲苯(21ml)放入至燒瓶中並攪拌5分鐘。其後，添加水(4ml)進行4小時回流。加熱結束後將反應液冷卻，添加水(10ml)。以甲苯萃取該反應混合液，以無水硫酸鈉加以乾燥後，將乾燥劑去除，將溶劑減壓蒸餾去除，利用矽膠對所得的粗產品進行短管柱純化(溶劑：甲苯)。其後，以乙酸乙酯進行再結晶，進而進行昇華純化，獲得目標化合物(2-2)「5,9-二(萘-1-基)-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀」0.8g(產率：31%)。

藉由MS光譜及NMR測定來確認化合物(2-2)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.96(d,1H),8.56(d,1H),7.94~7.84(m,5H),7.69~7.63(m,4H),7.57~7.26(m,15H),7.20~7.17(m,6H).

<化合物(2-3)的合成例>

於氮氣環境下，使5,9-二溴-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀(5.26g)、4-聯苯硼酸(4.36g)溶解於甲苯與乙醇的混合溶劑(50ml，甲苯/乙醇=4/1(體積比))中，添加四(三苯基膦)鈀(0)(0.69g)並攪拌5分鐘，其後，添加2M的碳酸鈉水溶液20ml進行8小時回流。加熱結束後將反應混合物冷卻，分取有機層，以飽和食鹽水將其清洗後，以無水硫酸鎂加以乾燥。將乾燥劑去除，將溶劑減壓蒸餾去除，利用矽膠對所得的固體進行管柱純化(溶劑：庚烷/甲苯=3/1(體積比))後，進行昇華純化，獲得目標化合物(2-3)3.9g(產率：58%)。

藉由MS光譜及NMR測定來確認化合物(2-3)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.91(d,1H),8.49(d,1H),8.11(d,1H),7.79~7.77(m,2H),7.73~7.20(m,31H).

<化合物(2-4)的合成例>

於氮氣環境下，將5,9-二溴-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀(2.2g)、9-菲硼酸(2.3g)、四(三苯基膦)鈀(0)(Pd(PPh₃)₄)(0.1g)、磷酸鉀(3.6g)及甲苯(21ml)放入至燒瓶中並攪拌5分鐘。其後，添加水(4ml)進行4小時回流。加熱結束後將反應液冷卻，添加水(20ml)。以甲苯萃取該反應混合液，以無水硫酸鈉加以乾燥後，將乾燥劑去除，將溶劑減壓蒸餾去除，利用矽膠對所得的粗產品進行管柱純化(溶劑：庚烷/甲苯=3/1(體積比))。進而進行昇華純化，獲得目標化合物(2-4)「5,9-二(菲-9-基)-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀」1.6g(產率：53%)。

藉由MS光譜及NMR測定來確認化合物(2-4)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.99(d,1H),8.80~8.76(m,3H),8.72(d,1H),8.61(d,1H),7.97(d,1H),7.92~7.87(q,2H),7.77~7.60(m,13),7.51~7.48(m,2H),7.40~7.33(m,6H),7.21~7.17(m,6H).

<化合物(2-5)的合成例>

首先，於氮氣環境下於化合物(2-5a)「5-甲氧基-2-(4-甲氧基萘-1-基)-苯甲酸甲酯」(21.0g)中添加甲磺酸(130mL)，於65℃下進行1.5小時加熱攪拌。將反應混合物添加至冰水中，藉由過濾將析出的固體分離，以甲醇進行清洗。藉由再結晶(溶劑：乙酸乙酯)對所得的固體(22.5g)進行純化，獲得中間體化合物(2-5c)(14.6g)(產率為77%)。

繼而，於氮氣環境下，於中間體化合物(2-5c)(13.2g)的四氫呋喃(Tetra Hydro Furan，THF)(120mL)懸浮液中，於0℃下滴加使用2-溴聯苯(17.0g)、鎂(1.77g)及THF(150mL)所製備的2-聯苯溴化鎂的THF溶液後，進而於回流溫度下進行1.5小時加熱攪拌。於反應混合物中添加水，以甲苯萃取目標成分，將有機層濃縮而獲得固體狀的目標成分的粗產品(25.4g)。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：甲苯/乙酸乙酯=9/1(體積比))對所得的固體進行純化，獲得中間體化合物(2-5e)(17.4g)(產率為86%)。

繼而，於氮氣環境下，於中間體化合物(2-5e)(17.4g)的乙酸(230mL)懸浮液中於室溫下添加濃硫酸(0.1mL)後，進而於100℃下進行3小時加熱攪拌。於反應混合物中添加水，藉由過濾將析出的固體分離。以甲醇將所得的固體清洗，獲得中間體化合物(2-5f1)(16.2g)(產率為97%)。

繼而，於氮氣環境下，於中間體化合物(2-5f1)(16.2g)的二氯甲烷(250mL)溶液中於0℃下滴加1mol/L的三溴化硼/二氯甲烷溶液(100mL)後，進而於室溫下攪拌整夜。於反應混合物中添加水，以乙酸乙酯萃取目標成分，將有機層濃縮而獲得固體狀的目標成分的粗產品。以庚烷將所得的固體清洗，獲得中間體化合物(2-5f2)(15.1g)(產率100%)。

繼而，於氮氣環境下，於中間體化合物(2-5f2)(15.1g)的吡啶(200mL)溶液中於0℃下滴加三氟甲磺酸酐(32.2g)後，進而於室溫下攪拌整夜。於反應混合物中添加水，藉由過濾將析出的固體分離。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：甲苯)將所得的固體純化，獲得中間體化合物(2-5f3)「5,9-雙(三氟甲磺醯氧基)-7H-苯并[c]茀-7-螺環-9'-茀」(23.6g)(產率為94%)。

最後，於氮氣環境下，於中間體化合物(2-5f3)(6.63g)、2-萘硼酸(3.78g)、磷酸鉀(12.7g)、四氫呋喃(20mL)及異丙醇(80mL)的混合溶液中添加四(三苯基膦)鈀(0)(1.16g)，於回流溫度下進行7.5小時加熱攪拌。於反應混合物中添加水，以甲苯萃取目標成分，將有機層濃縮而獲得固體狀的目標成分的粗 產品(8.90g)。藉由矽膠管柱層析法(展開溶劑：庚烷/甲苯=2/1(體積比))及再結晶(溶劑：乙酸乙酯)對所得的固體進行純化，獲得化合物(2-5)(2.28g)(產率為37%)。

所得的化合物的玻璃轉移溫度(Tg)為164℃。另外，藉由NMR測定來確認所得的化合物(2-5)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=6.86~6.87(m,3H),7.12~7.17(m,3H),7.37~7.53(m,8H),7.62~7.64(dd,1H),7.76~7.93(m,12H),8.02~8.04(d,1H),8.58~8.60(d,1H),8.99~9.01(d,1H).

<化合物(2-21)的合成例>

首先，合成藉由使1-萘硼酸及2-溴-5-氯苯甲酸甲酯進行鈴木偶合而獲得的中間體化合物(2-21a)。使利用正丁基鋰將2-溴萘加以鋰化所得者與所得的中間體化合物(2-21a)反應，由此製成中間體化合物(2-21b)，進而藉由硫酸進行環化，由此獲 得中間體化合物(2-21c)。利用N-溴代琥珀醯亞胺(N-bromobutanimide，NBS)將所得的中間體化合物(2-21c)溴化，由此獲得中間體化合物(2-21d)「5-溴-9-氯-7,7-二(萘-2-基)-7H-苯并[c]茀」。

繼而，於氮氣環境下，將放入有中間體化合物(2-21d)(3.82g)、2-萘硼酸(2.48g)、Pd(dba)₂(0.38g)、三環己基膦(0.28g)、磷酸三鉀(8.40g)、甲苯(24ml)、乙醇(6ml)及水(3ml)的燒瓶於回流溫度下加熱攪拌6小時。將反應液冷卻至室溫，藉由抽吸過濾來採取所析出的沈澱，以水將所得的沈澱清洗。進而利用活性炭管柱層析法(甲苯)加以純化後，自甲苯/異丙醇(isopropyl alcohol，IPA)=1混合溶劑中進行再結晶，由此獲得目標化合物(2-21)1.78g(產率為39%)。

<化合物(2-41)的合成例>

於氮氣環境下，將5,9-二溴-7,7-二甲基-7H-苯并[c]茀(6.00g)、2-萘硼酸(5.65g)、碳酸鉀(6.19g)、溴化四丁基銨(TBAB)(0.96g)、Pd(PPh₃)₂Cl₂(0.31g)、甲苯(30ml)及水(15mL)的混合溶液於回流溫度下加熱攪拌3小時。於反應混合物中添加水，以甲苯萃取目標成分後，將有機層濃縮。利用矽膠 管柱層析法(展開溶劑：庚烷/甲苯=3/1(體積比))將所得的固體純化，進而以乙酸乙酯進行清洗，由此獲得化合物(2-41)1.60g(產率為22%)。

<化合物(2-61)的合成例>

於氮氣環境下，將5-溴-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀(2.3g)、雙(頻哪醇根基)二硼(1.3g)、[1，1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)(0.4g)、乙酸鉀(3.0g)及二甲基亞碸(50ml)放入至燒瓶中，於80℃下進行5小時加熱。其後，回到室溫，添加5-溴-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀(1.8g)、雙(頻哪醇根基)二硼(0.15g)、[1,1'-雙(二苯基膦基)二茂鐵]二氯鈀(II)(0.15g)，進而於80℃下加熱12小時。結束後將反應液冷卻，添加水(50ml)。以甲苯萃取該反應混合液，將溶劑減壓蒸餾去除，利用矽膠對所得的粗產品進行短管柱純化(溶劑：甲苯)。其後，利用矽膠藉由管柱純化(溶劑：甲苯/庚烷=1/4(體積比))進行純化。利用真空泵將溶劑去除後，進而進行昇華純化，獲得目標化合物(2-61)0.7g(產率為20%)。

<化合物(2-62)的合成例>

首先，使藉由使1-萘硼酸及2-溴-5-氯苯甲酸甲酯進行鈴木偶合而獲得的中間體化合物(2-62a)與苯基鋰反應，由此製成中間體化合物(2-62b)，進而藉由硫酸進行環化，由此獲得中間體化合物(2-62c)「9-氯-7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀」。

繼而，於氮氣環境下，將放入有中間體化合物(2-62c)(3.0g)、雙頻哪醇根基二硼(0.95g)、Pd(dba)₂(0.21g)、三環己基膦(0.21g)、磷酸三鉀(4.74g)及二甲氧基乙烷(15ml)的燒瓶於回流溫度下加熱攪拌2.5小時。確認到雙頻哪醇根基二硼經消耗後，添加二甲苯(30.0ml)，一面回流一面將二甲氧基乙烷去除。進而於回流溫度下進行9小時加熱攪拌後，將反應液冷卻至室溫，添加甲醇，藉由抽吸過濾來採取所析出的沈澱，以水將所得的沈澱清洗。進而利用矽膠短程(short-path)管柱(氯苯) 進行純化後，自甲苯進行再結晶，由此獲得目標化合物(2-62)0.79g(產率為37%)。

<化合物(2-85)的合成例>

首先，利用NBS將7,7-二苯基-7H-苯并[c]茀加以溴化，使所得的中間體化合物(2-85a)與雙頻哪醇根基二硼反應，由此獲得中間體的硼酸酯(2-85b)「2-(7,7-二甲基-7H-苯并[c]茀-5-基)-4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氮雜硼烷」。

繼而，於氮氣環境下，將中間體化合物(2-85b)(4.00g)、4,4'-二溴-1,1'-聯苯(1.69g)、Pd-132(0.15g)、磷酸三鉀(2.87g)、TBAB(0.17g)、甲苯(40ml)及水(5ml)的混合溶液於回流溫度下加熱攪拌4.5小時。將反應液冷卻至室溫，藉由抽吸過濾來採取所析出的沈澱，以水及甲醇清洗所得的沈澱。進而自鄰二氯苯進行再結晶，由此獲得目標化合物(2-85)0.52g(產率為15%)。

<化合物(2-87)的合成例>

於氮氣環境下，將所述中間體化合物(2-85b)(4.00g)、2,6-二溴萘(1.40g)、Pd-132(0.07g)、磷酸三鉀(2.61g)、甲苯(40ml)、異丙醇(10ml)及水(5ml)的混合溶液於回流溫度下加熱攪拌4.5小時。將反應液冷卻至室溫，藉由抽吸過濾來採取所析出的沈澱，以水及甲醇清洗所得的沈澱。自氯苯/乙酸乙酯混合溶劑中進行再沈澱後，進而自鄰二氯苯進行再結晶，由此獲得目標化合物(2-87)1.43g(產率為48%)。

<化合物(1-1)的合成例>

於氮氣環境下，將2,7-二溴-9,9-二苯基-9H-茀(3.00g)、2-萘硼酸(2.38g)、碳酸鉀(2.61g)、TBAB(0.20g)、Pd(PPh₃)₂Cl₂(0.13g)、甲苯(30ml)及水(15mL)的混合溶液於回流溫度下加熱攪拌2小時。於反應混合物中添加水，以甲苯 萃取目標成分後，將有機層濃縮。藉由抽吸過濾來採取濃縮中析出的結晶，自氯苯進行再結晶，由此獲得目標化合物(1-1)0.57g(產率為16%)。

<化合物(1-71)的合成例>

使用歐傑克(Ohjec)股份有限公司製造的市售品(產品編號LT-E411 BSBF)。

<化合物(3-5)的合成例>

利用日本專利特開2009-184993號公報中記載的合成法進行合成。

<化合物(3-6)的合成例>

利用日本專利特開2009-184993號公報中記載的合成法進行合成。

<化合物(3-8)的合成例>

利用日本專利特開2009-184993號公報中記載的合成法進行合成。

<化合物(5-7)的合成例>

首先，於氮氣環境下，將1-羥基-2-萘甲酸甲酯(25g)溶解於二氯甲烷(200ml)中。添加吡啶(15ml)後，冷卻至-20℃，添加三氟甲磺酸酐(44g)。於室溫下進行10小時攪拌後，於反應混合液中添加水，以二氯甲烷進行析出。將萃取液濃縮後利用矽膠管柱(甲苯/庚烷=2/1(體積比))進行純化。將溶劑去除而獲得中間體化合物(5-7a)28g(產率為67%)。

繼而，於氮氣環境下，使中間體化合物(5-7a)(8.7g)、1-萘硼酸(5.0g)溶解於甲苯與水的混合溶劑(100ml，甲苯/水=1/1(體積比))中，添加四(三苯基膦)鈀(0)(1.0g)及磷酸鉀(14.5g)並進行6小時回流。反應後，將水去除，將溶液濃縮。利用矽膠對粗產品進行管柱純化(溶劑：乙酸乙酯/甲苯=1/10(體積比))，獲得油狀的中間體化合物(5-7b)5.7g(產率：70%)。

繼而，於氮氣環境下，使中間體化合物(5-7b)(5.7g)溶解於四氫呋喃(100ml)中，冷卻至-70℃。添加苯基鋰/二丁醚溶液(2.0mol/ml)(45ml)，於室溫下攪拌10小時。反應後，添加氯化銨水溶液將過剩的苯基鋰淬滅。利用矽膠對收集有機層並加以濃縮所得的粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯)，獲得油狀的中間體化合物(5-7c)5.1g(產率為67%)。

繼而，使中間體化合物(5-7c)(5.1g)溶解於乙酸(50ml)中，滴加幾滴濃硫酸，於80℃下加熱並攪拌1小時。利用矽膠對添加水而析出的粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯)，以白色 固體的形式獲得中間體化合物(5-7d)3.6g(產率為73%)。

繼而，於氮氣環境下，使中間體化合物(5-7d)(3.6g)溶解於乙酸/二氯甲烷的混合溶劑(100ml，乙酸/二氯甲烷=1/1(體積比))中，添加氯化鋅(3.1g)，於55℃下進行加熱。自滴液漏斗中滴加三溴化苄基三甲基銨/二氯甲烷溶液(10.6g/25ml)後，加熱至55℃，保持該狀態進行5小時攪拌。於反應混合液中添加水，以氯仿進行萃取。利用矽膠對將溶劑減壓去除所得的粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯/庚烷=1/1(體積比))，以淡黃色固體的形式獲得中間體化合物(5-7e)2.8g(產率為52%)。

最後，於氮氣環境下，使中間體化合物(5-7e)(2.8g)及苯基硼酸(1.3g)溶解於甲苯/乙醇的混合溶劑(50ml，甲苯/乙醇=4/1(體積比))中，添加四(三苯基膦)鈀(0)(1.0g)及碳酸鈉水溶液(4.1g/20ml)並進行6小時回流。反應後，添加水將鹽溶解，收集有機層並將溶液濃縮。利用矽膠對粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯)。進而進行甲苯再結晶後，進行昇華純化，獲得目標化合物(5-7)「5,7,7,9-四苯基-7H-二苯并[c,g]茀」0.58g(產率為20%)。

<化合物(6-9)的合成例>

首先，於氮氣環境下，使中間體化合物(5-7a)(8.7g)、2-萘硼酸(5.0g)溶解於甲苯/乙醇/水的混合溶劑(50ml/15ml/15ml(體積比))中，添加四(三苯基膦)鈀(0)(1.0g)及磷酸鉀(14.5g)並進行6小時回流。反應後，將水去除，將溶液濃縮。利用矽膠對粗產品進行管柱純化(溶劑：庚烷/甲苯=1/1(體積比))，獲得油狀的中間體化合物(6-9a)8.0g(產率為99%)。

繼而，於氮氣環境下，使中間體化合物(6-9a)(8.0g)溶解於四氫呋喃(80ml)中，冷卻至-70℃。添加苯基鋰/二丁醚溶液(2.0mol/ml)(38ml)，於室溫下攪拌10小時。反應後，添加氯化銨水溶液使過剩的苯基鋰淬滅。利用矽膠對收集有機層並加以濃縮所得的粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯)，將溶劑去除。以白色固體的形式獲得中間體化合物(6-9b)9.3g(產率為96%)。

繼而，使中間體化合物(6-9b)(9.3g)溶解於乙酸(50 ml)中，滴加幾滴濃硫酸，於80℃下加熱並攪拌1小時。以碳酸氫鈉水溶液、水、進而甲醇對添加水而析出的固體進行清洗，以白色固體的形式獲得中間體化合物(6-9c)8.8g(產率為99%)。

繼而，於氮氣環境下，使中間體化合物(6-9c)(3.3g)溶解於乙酸/氯仿的混合溶劑(100ml，乙酸/氯仿=2/3(體積比))中，添加氯化鋅(1.3g)，冷卻至-30℃。添加三溴化苄基三甲基銨(3.4g)後，於室溫下進行2小時攪拌。於反應混合液中添加水，以氯仿進行萃取。利用矽膠對將溶劑減壓去除所得的粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯)，以淡黃色固體的形式獲得中間體化合物(6-9d)3.5g(產率為92%)。

最後，於氮氣環境下，使中間體化合物(6-9d)(2.7g)及2-萘基硼酸(1.0g)溶解於甲苯/乙醇的混合溶劑(50ml，甲苯/乙醇=4/1(體積比))中，添加四(三苯基膦)鈀(0)(0.1g)及碳酸鈉水溶液(2.3g/10ml)並進行6小時回流。反應後，添加水將鹽溶解，收集有機層並將溶液濃縮。利用矽膠對粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯/庚烷=1/4(體積比))。進而進行甲苯再結晶後，進行昇華純化，獲得目標化合物(6-9)1.0g(產率為33%)。

<比較化合物(EAL-1)的合成例>

利用國際公開2010/074087號中記載的合成法進行合成。

<主體材料的合成例>

以下，對式(BH-1)~式(BH-5)所表示的化合物的合成例加以說明。

<化合物(BH-1)的合成例>

式(BH-1)所表示的化合物為韓國公開專利公報第10-2010-0007552號(2010年1月22日公開)中記載的化合物1(參照公報的第4頁)，為公知的化合物。式(BH-1)所表示的化合物是參考該公報中記載的合成方法進行合成。

<化合物(BH-2)的合成例>

式(BH-2)所表示的化合物為國際公開公報第2007/065548號(2007年6月14日公開)中記載的化合物H1(參照公報的第10頁)，為公知的化合物。式(BH-2)所表示的化合物是參考該公報中記載的合成方法進行合成。

<化合物(BH-3)的合成例>

首先，於氮氣環境下，將萘-2,7-二基雙(三氟甲磺酸酯)(31.8g)、2-萘硼酸(12.9g)、四(三苯基膦)鈀(0)(Pd(PPh₃)₄)(1.73g)、磷酸鉀(31.8g)、及四氫呋喃(THF)與異丙醇(IPA)的混合溶劑(300ml，THF/IPA=4/1(體積比))放入至燒瓶中，進行5小時回流。於加熱結束後將反應液冷卻，添加水，以甲苯萃取目標成分。進而，利用矽膠對將有機層減壓濃縮所得的粗產品進行管柱純化(溶劑：庚烷)，獲得作為中間體化合物的三氟甲磺酸[2,2'-聯萘]-7-基酯13.4g(產率：44%)。

繼而，於氮氣環境下，將三氟甲磺酸[2,2'-聯萘]-7-基酯(10g)、(10-苯基蒽-9-基)硼酸(7.4g)、四(三苯基膦)鈀(0)(0.57g，Pd(PPh₃)₄)、磷酸鉀(10.55g)、及甲苯與乙醇的混合溶劑(100ml，甲苯/乙醇=4/1(體積比))放入至燒瓶中並攪拌5分鐘。其後，添加水10ml並進行3小時回流。加熱結束後將反應液冷卻，添加甲醇60ml，將沈澱過濾。進而以甲醇及水清洗沈澱，獲得目標的式(BH-3)所表示的化合物的粗產品。利用矽膠對該粗產品進行短管柱純化(溶劑：甲苯)後，以甲醇與乙酸乙酯的混合溶劑(甲醇/乙酸乙酯=4/1(體積比))進行清洗，以甲苯進行再結晶，進而進行昇華純化，獲得目標的(BH-3)化合物即9-([2,2'-聯萘]-7-基)-10-苯基蒽6.6g(產率：53%)。

藉由MS光譜及NMR測定來確認目標化合物(BH-3)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.24(s,1H),8.22(s,1H),8.15~8.08(q,2H),8.08(s,1H),8.02~7.89(m,5H),7.78~7.73(m,4H),7.65~7.50(m,8H),7.37~7.31(m,4H).

目標化合物(BH-3)的玻璃轉移溫度(Tg)為116.0℃。

[測定設備：金剛石(Diamond)示差掃描熱量分析儀(Differential Scanning Calorimetry，DSC)(帕金-艾爾瑪(PERKIN-ELMER)公司製造)；測定條件：冷卻速度200℃/Min.、升溫速度10℃/Min.]

<化合物(BH-4)的合成例>

式(BH-4)所表示的化合物是使用由機光科技股份有限公司(Luminescence Technology Corp.)所市售的產品(產品名：LT-N473 m-Bpye，產品資訊中的Tg=97℃)。

<化合物(BH-5)的合成例>

利用日本專利特開2012-104806號公報中記載的合成法來合成。

<摻雜材料的合成例>

以下，對式(BD-1)~式(BD-8)所表示的化合物的合成例加以說明。

<化合物(BD-1)的合成例>

於氮氣環境下，使5,9-二溴-7,7-二甲基-7H-苯并[c]茀(9.5g)及苯胺(4.5g)溶解於脫水甲苯(80ml)中，添加雙(二亞苄基丙酮)鈀(140mg)、第三丁醇鈉(7.0g)以及三(第三丁基)膦(0.15g)並於50℃下加熱2小時。反應後，添加1-溴-4-(三甲基矽烷基)苯(11g)、乙酸鈀(27mg)、第三丁醇鈉(7.0g)，於80℃下進行4小時加熱。添加水100ml，使用分液漏斗，對有機層進行水洗。將水層去除後，收集有機層，利用旋轉蒸發器進行濃縮而獲得粗產品。利用矽膠對該粗產品進行管柱純化(溶劑：庚烷/甲苯=5/1(體積比))後，進行昇華純化，獲得化合物(BD-1)3.1g(產率為18%)。

藉由MS光譜及NMR測定來確認化合物(BD-1)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.68(d,1H),8.15(d,1H),8.05(d,1H),7.56(t,1H,J=8Hz),7.45-6.94(m,32H),1.41(s,6H),0.27(s,9H),0.22(s,9H).

<化合物(BD-2)的合成例>

於氮氣環境下，使5,9-二溴-7,7-二甲基-7H-苯并[c]茀(8.0g)及對甲基苯胺鹽酸鹽(5.7g)溶解於脫水甲苯(200ml)中，添加雙(二亞苄基丙酮)鈀(115mg)、第三丁醇鈉(15g)以及(4-(二甲基胺基)苯基)雙第三丁基膦(0.160g)並於80℃下進行2小時加熱。反應後，添加1-溴-4-(三甲基矽烷基)苯(10g)，於80℃下進行4小時加熱。於其中添加水100ml，使用分液漏斗，對有機層進行水洗。將水層去除後，收集有機層，利用旋轉蒸發器進行濃縮而獲得粗產品。利用氧化鋁對該粗產品進行管柱純化(溶劑：庚烷/甲苯=5/1(體積比))後，進行昇華純化，獲得化合物(BD-2)6.9g(產率為46%)。

藉由NMR測定來確認化合物(BD-2)的結構。

¹H-NMR(甲苯-d8)：δ=8.67(d,1H),8.30(d,1H),8.00(d,1H),7.52(t,1H,J=8Hz),7.42-6.83(m,20H),2.13(s,3H),2.06(s,3H),1.16(s,6H),0.24(s,9H),0.20(s,9H).

<化合物(BD-3)的合成例>

於氬氣環境下，使5,9-二碘-7,7-二甲基-7H-苯并[c]茀(6.1g)及苯胺(2.3g)溶解於脫水二甲苯(100ml)中，添加雙(二亞苄基)鈀(0.12g)、第三丁醇鈉(7.2g)及(4-(二甲基胺基)苯基)二第三丁基膦(0.16g)，於70℃下進行2小時加熱。進而於其中添加1-溴-萘(5.2g)，於100℃下進行3小時加熱。冷卻至室溫後，添加水100ml後，使用分液漏斗，對有機層進行水洗。將水層去除後，收集有機層，利用旋轉蒸發器進行濃縮而獲得粗產品。利用氧化鋁對該粗產品進行管柱純化(溶劑：甲苯)而去掉著色成分後，進而利用矽膠進行管柱純化(溶劑：甲苯/庚烷=1/3(體積比))。進而以甲苯/庚烷進行再結晶後，將其昇華純化，獲得化合物(BD-3)1.9g(產率為23%)。

藉由MS光譜及NMR測定來確認化合物(BD-3)的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.62(d,1H),8.14(d,1H),8.07(d,1H),7.96(d,1H),7.88(t,1H),7.77(d,1H),7.66(d,1H),7.52-6.73(m,25H),1.27(s,6H).

<化合物(BD-4)的合成例>

利用日本專利特開2011-37837號公報中記載的合成法進行合成。

<化合物(BD-5)的合成例>

利用日本專利特開2013-080961號公報中記載的合成法進行合成。

<化合物(BD-6)的合成例>

利用美國申請案公開2010-0141124號中記載的合成法進行合成。

<化合物(BD-7)的合成例>

利用國際公開2004/044088號中記載的合成法進行合成。

<化合物(BD-8)的合成例>

利用國際公開2002/020459號中記載的合成法進行合成。

<電子傳輸材料的合成例>

以下，對式(ETL-1)及式(ETL-6)所表示的化合物的合成例加以說明。

<化合物(ETL-1)的合成例>

首先，將2-氯蒽(5.00g)、苯基硼酸(4.3g)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(538mg)、三環己基膦(494mg)、磷酸三鉀(9.98g)及甲苯(75ml)放入至燒瓶中，於氬氣環境下於回流溫度下進行2小時攪拌。加熱結束後，於反應液中添加1.5升的甲苯，冷卻至室溫後加以過濾分離，藉由移動層使用甲苯的矽膠管柱層析法(移動相：甲苯)將濾液純化。將溶劑減壓蒸餾去除， 將濃縮物自甲苯進行再結晶，獲得2-苯基蒽(5.0g)。

繼而，於氮氣環境下的燒瓶中將2-苯基蒽(3.32g)溶解於400ml的二氯甲烷中。於其中用15分鐘滴加將5.00g的溴溶解於30ml的四氯化碳中所得的物品。滴加結束後，於室溫下攪拌2小時，利用硫代硫酸鈉水溶液使反應停止。利用分液漏斗來萃取有機層，利用蒸發器進行濃縮。以甲苯(50ml)對濃縮物進行再結晶，獲得9,10-二溴-2-苯基蒽(4.4g)。

繼而，將9,10-二溴-2-苯基蒽(10.0g)、雙(頻哪醇根基)二硼(14.8g)、雙(二亞苄基丙酮)鈀(0)(838mg)、三環己基膦(1.02g)、乙酸鉀(7.15g)及1,4-二噁烷(50ml)放入至燒瓶中，於氬氣環境下於回流溫度下攪拌8小時。加熱結束後，於反應液中添加甲苯，冷卻至室溫後加以過濾分離，藉由蒸發器將濾液濃縮。藉由移動層使用甲苯的矽膠管柱層析法將濃縮物純化後，利用四氫呋喃/庚烷混合溶液進行再結晶，獲得9,10-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氮雜硼烷基)-2-苯基蒽(8.3g)。

最後，將9,10-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氮雜硼烷基)-2-苯基蒽(0.80g)、5-溴-2,2'-聯吡啶(0.83g)、三(二亞苄基丙酮)二鈀(0)(88mg)、三環己基膦(81mg)、磷酸三鉀(1.36g)、甲苯(35ml)放入至燒瓶中，於氬氣環境下於回流溫度下攪拌27.5小時。加熱結束後，將反應液冷卻至室溫並添加純水，萃取有機層。藉由蒸發器將有機層濃縮，藉由移動層使用甲苯的活性氧化鋁管柱層析法將濃縮物純化。利用氯仿/乙酸乙酯混合溶劑進行再 結晶，獲得化合物(ETL-1)「9,10-雙(2,2'-聯吡啶-5-基)-2-苯基蒽」(198mg)。

藉由NMR測定來確認所得的化合物的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=7.3(t,1H),7.4(m,6H),7.6(d,2H),7.7(m,3H),7.8(d,1H),7.9(m,3H),8.0(m,2H),8.6(d,2H),8.7(d,2H),8.8(m,2H),8.9(m,2H).

<化合物(ETL-2)的合成例>

將9,10-雙(4,4,5,5-四甲基-1,3,2-二氮雜硼烷基)-2-苯基蒽(5.0g)、4-(2-吡啶基)溴苯(5.0g)、四(三苯基膦)鈀(0)(0.57g)、甲苯(20ml)、乙醇(7mL)、碳酸鉀水溶液(碳酸鉀4.2g-水7ml)放入至燒瓶中，於氬氣環境下於回流溫度下攪拌14.5小時。加熱結束後，將反應液冷卻至室溫，進行過濾。以水、甲醇將所得的粗產物清洗後，以氯苯進行再結晶，獲得化合物(ETL-2)「9,10-雙(4-(2-吡啶基)苯基)-2-苯基蒽」(3.5g)。所得的化合物的玻璃轉移溫度(Tg)為134℃。

藉由NMR測定來確認所得的化合物的結構。

¹H-NMR(CDCl₃)：δ=8.8(d,2H),8.3(d,4H),8.0~7.7(m,8H),7.6~7.4(m,5H),7.4(d,2H)7.4~7.3(m,7H).

<化合物(ETL-3)的合成例>

利用國際公開2012/060374號中記載的合成法進行合成。

<化合物(ETL-4)的合成例>

利用國際公開2010/137678號中記載的合成法進行合成。

<化合物(ETL-5)的合成例>

利用國際公開2003/060956號中記載的合成法進行合成。

<化合物(ETL-6)的合成例>

利用國際公開2004/080975號中記載的合成法進行合成。

藉由適當選擇原料的化合物，可利用依據所述合成例的方法來合成其他茀化合物、苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物。

<用於電場發光元件的情形的特性>

以下，為了更詳細地說明本發明，示出使用本發明的化合物的有機EL元件的實施例，但本發明不限定於該些實施例。

製作實施例1~實施例11、實施例12~實施例31及比較例1~比較例6的有機EL元件，分別測定作為1000cd/m²發光時的特性的電壓(V)、發光波長(nm)、國際照明學會(Commission Internationale de L'Eclairage，CIE)色度(x，y)、外部量子效率(%)，繼而對保持初期亮度的80%(800cd/m²)以上的亮度的時間(h)進行測定。再者，於一部分例中對保持初期亮度的90%(900cd/m²)以上的亮度的時間(h)進行測定。

再者，發光元件的量子效率中有內部量子效率與外部量子效率，表示將以電子(或電洞)的形式注入至發光元件的發光層中的外部能量純粹地轉變成光子的比例的量子效率為內部量子效率。另一方面，根據將該光子釋放至發光元件的外部的量所算出的量子效率為外部量子效率，發光層中產生的光子的一部分於發光元件的內部持續被吸收或反射，並未釋放至發光元件的外部，故外部量子效率低於內部量子效率。

外部量子效率的測定方法如下。使用愛德萬測試(Advantest)公司製造的電壓/電流產生器R6144，施加元件的亮度達到1000cd/m²的電壓而使元件發光。使用拓普康(TOPCON)公司製造的分光放射亮度計SR-3AR，對發光面自垂直方向測定可見光範圍的分光放射亮度。假定發光面為完全擴散面，所測定的各波長成分的分光放射亮度的值除以波長能量並乘以π所得的數值為各波長下的光子數。繼而，於觀測的整個波長範圍內將光子數累計，作為自元件放出的總光子數。將施加電流值除以元電荷(elementary charge)所得的數值作為對元件注入的載子數，自元件放出的總光子數除以對元件注入的載子數所得的數值為外部量子效率。

將所製作的實施例1~實施例11的有機EL元件的各層的材料構成、及EL特性資料示於下述表1中。另外，將所製作的實施例12~實施例31及比較例1~比較例6的有機EL元件的各層的材料構成、及EL特性資料示於下述表2中。

表1中，「HI」(電洞注入層材料)為N⁴,N^4'-二苯基-N⁴,N^4'-雙(9-苯基-9H-咔唑-3-基)-[1,1'-聯苯]-4,4'-二胺，「HT」(電洞傳輸層材料)為N-([1,1'-聯苯]-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-茀-2-胺。以下示出化學結構。

<實施例1>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

將以下玻璃基板作為透明支撐基板：將藉由濺鍍而製成厚度180nm的膜的ITO研磨至150nm的26mm×28mm×0.7mm的玻璃基板(光電子科學(Optoelectronics science)(股)製造)。將該透明支撐基板固定於市售的蒸鍍裝置(昭和真空(股)製造)的基板固持器(holder)上，安裝放入有HI(電洞注入層材料)的鉬製蒸鍍用舟皿(boat)、放入有HT(電洞傳輸層材料)的鉬製蒸鍍用舟皿、放入有BH-1的鉬製蒸鍍用舟皿、放入有BD-1的鉬製蒸鍍用舟皿、放入有化合物(2-1)的鉬製蒸鍍用舟皿、放入有ETL-1的鉬製蒸鍍用舟皿、放入有LiF(電子注入層材料)的鉬製蒸鍍用 舟皿及放入有Al(陰極材料)的鉬製蒸鍍用舟皿。

於透明支撐基板的ITO膜上依序形成下述各層。將真空槽減壓至5×10^-4Pa為止，首先對放入有HI(電洞注入層材料)的蒸鍍用舟皿進行加熱，以膜厚成為40nm的方式進行蒸鍍而形成電洞注入層，繼而對放入有HT(電洞傳輸層材料)的蒸鍍用舟皿進行加熱，以膜厚成為30nm的方式進行蒸鍍而形成電洞傳輸層。繼而，將放入有BH-1的蒸鍍用舟皿與放入有BD-1的蒸鍍用舟皿同時加熱，以膜厚成為30nm的方式進行蒸鍍而形成發光層。以BH-1與BD-1之重量比大致成為95比5的方式調節蒸鍍速度。繼而，對放入有化合物(2-1)的蒸鍍用舟皿進行加熱，以膜厚成為20nm的方式進行蒸鍍而形成發光輔助層。繼而，對放入有ETL-1的蒸鍍用舟皿進行加熱，以膜厚成為10nm的方式進行蒸鍍而形成電子傳輸層。進而，對放入有LiF(電子注入層材料)的蒸鍍用舟皿進行加熱，以膜厚成為1nm的方式進行蒸鍍而形成電子注入層。以上的蒸鍍速度為0.01nm/s~1nm/s。

其後，對放入有Al(陰極材料)的蒸鍍用舟皿進行加熱，以膜厚成為100nm的方式進行蒸鍍而形成陰極。此時，以蒸鍍速度成為0.1nm~10nm的方式形成陰極而獲得有機電場發光元件。

將ITO電極作為陽極、Al電極作為陰極來施加直流電壓，測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為 4.90V，外部量子效率為5.61%。另外，保持初期亮度的80%(800cd/m²)以上的亮度的時間為400小時。

<實施例2>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為電子傳輸層用材料的ETL-1換成ETL-2以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長455nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.54V，外部量子效率為5.90%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為356小時。

<實施例3>

<發光輔助層中使用化合物(2-2)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-2)以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長455nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為6.71V，外部量子效率為3.82%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為554小時。

<實施例4>

<發光輔助層中使用化合物(2-3)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-3)以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加 直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長455nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.17V，外部量子效率為5.55%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為407小時。

<實施例5>

<發光輔助層中使用化合物(2-4)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-4)以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長455nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為6.49V，外部量子效率為4.03%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為335小時。

<實施例6>

<發光輔助層中使用化合物(2-5)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-5)以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長454nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.08V，外部量子效率為4.90%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為530小時。

<實施例7>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1換成BH-2以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.130)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.07V，外部量子效率為5.17%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為570小時。

<實施例8>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1換成BH-3以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長455nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.86V，外部量子效率為5.15%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為591小時。

<實施例9>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1換成BH-3、作為摻雜材料的BD-1換成BD-2以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長466nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.200)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.98V，外部量子效率為5.43%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為748小時。

<實施例10>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1換成BH-3、作為摻雜材料的BD-1換成BD-3以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長459nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.150)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.41V，外部量子效率為3.79%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為408小時。

<實施例11>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1換成BH-4以外，利用依據實施例1的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長460nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.140)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.61V，外部量子效率為6.20%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為312小時。

<實施例12>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

與實施例1同樣地獲得有機電場發光元件。將ITO電極作為陽極、Al電極作為陰極，施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長454nm、CIE色度(x，y)=(0.143，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.80V，外部量子效率為6.42%。另外，保持初期亮度的80%(800cd/m²)以上的亮度的時間為560小時。

<比較例1>

<發光輔助層中使用化合物(EAL-1)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(EAL-1)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長453nm、CIE色度(x，y)=(0.143，0.121)的藍色發光。另外，驅動電壓為3.72V，外部量子效率為6.99%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為244小時。

<實施例13>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為電子傳輸層用材料的ETL-1換成ETL-5以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長454nm、CIE色度(x，y)=(0.143，0.121)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.95V，外部量子效率為5.12%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為463小時。

<實施例14>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為電子傳輸層用材料的ETL-1換成ETL-3以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長454nm、CIE色度(x，y)=(0.143，0.118)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.38V，外部量子效率為7.40%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的 時間為155小時。

<實施例15>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為電子傳輸層用材料的ETL-1換成ETL-6以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長454nm、CIE色度(x，y)=(0.142，0.117)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.62V，外部量子效率為5.96%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為232小時。

<實施例16>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-5及BD-6以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長457nm、CIE色度(x，y)=(0.139，0.099)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.74V，外部量子效率為5.44%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為219小時。

<實施例17>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-5及BD-4以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得 波長460nm、CIE色度(x，y)=(0.139，0.143)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.99V，外部量子效率為6.74%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為500小時。

<比較例2>

<發光輔助層中使用化合物(EAL-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-5及BD-4、且將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(EAL-1)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長460nm、CIE色度(x，y)=(0.139，0.143)的藍色發光。另外，驅動電壓為3.78V，外部量子效率為7.54%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為301小時。

<實施例18>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-5及BD-7以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長454nm、CIE色度(x，y)=(0.142，0.101)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.95V，外部量子效率為5.22%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為258小時。

<實施例19>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-5及BD-8以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長455nm、CIE色度(x，y)=(0.144，0.157)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.64V，外部量子效率為6.34%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為439小時。

<比較例3>

<發光輔助層中使用化合物(EAL-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-5及BD-8、且將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(EAL-1)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長455nm、CIE色度(x，y)=(0.147，0.158)的藍色發光。另外，驅動電壓為3.59V，外部量子效率為6.61%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為174小時。

<實施例20>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-4及BD-6以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長460nm、CIE色度(x，y)=(0.135，0.115)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.47V，外部量子效率為7.19%。另外，保持初 期亮度的80%以上的亮度的時間為180小時。

<比較例4>

<發光輔助層中使用化合物(EAL-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-4及BD-6、且將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(EAL-1)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長460nm、CIE色度(x，y)=(0.135，0.118)的藍色發光。另外，驅動電壓為3.60V，外部量子效率為7.39%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為94小時。

<實施例21>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-4及BD-5以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長461nm、CIE色度(x，y)=(0.135，0.125)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.44V，外部量子效率為7.07%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為350小時。

<比較例5>

<發光輔助層中使用化合物(EAL-1)的元件>

除了將作為主體材料的BH-1及作為摻雜材料的BD-1分別換成BH-4及BD-5、且將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換 成化合物(EAL-1)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長462nm、CIE色度(x，y)=(0.134，0.128)的藍色發光。另外，驅動電壓為3.58V，外部量子效率為7.58%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為109小時。

<實施例22>

<發光輔助層中使用化合物(2-62)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-62)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長457nm、CIE色度(x，y)=(0.139，0.126)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.63V，外部量子效率為6.29%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為360小時。

<實施例23>

<發光輔助層中使用化合物(2-21)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-21)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.117)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.77V，外部量子效率為6.96%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為396小時。

<實施例24>

<發光輔助層中使用化合物(2-41)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-41)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長459nm、CIE色度(x，y)=(0.137，0.135)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.38V，外部量子效率為5.84%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為600小時。

<實施例25>

<發光輔助層中使用化合物(2-1)的元件>

與實施例1同樣地獲得有機電場發光元件。將ITO電極作為陽極、Al電極作為陰極，施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.90V，外部量子效率為5.61%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為400小時。

<實施例26>

<發光輔助層中使用化合物(2-3)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-3)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.17V，外部量子效率為5.55%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為407小時。

<實施例27>

<發光輔助層中使用化合物(2-5)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-5)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.120)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.08V，外部量子效率為5.00%。另外，保持初期亮度的80%以上的亮度的時間為530小時。

<比較例6>

<發光輔助層中使用化合物(EAL-1)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(EAL-1)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.143，0.121)的藍色發光。另外，驅動電壓為3.72V，外部量子效率為6.99%。另外，保持初期亮度的90%(900cd/m²)以上的亮度的時間為65小時。

<實施例28>

<發光輔助層中使用化合物(3-5)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(3-5)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長457nm、CIE色度(x，y)=(0.139，0.124)的藍色發光。另外，驅 動電壓為5.32V，外部量子效率為6.63%。另外，保持初期亮度的90%以上的亮度的時間為228小時。

<實施例29>

<發光輔助層中使用化合物(3-8)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(3-8)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.121)的藍色發光。另外，驅動電壓為7.50V，外部量子效率為5.00%。另外，保持初期亮度的90%以上的亮度的時間為258小時。

<實施例30>

<發光輔助層中使用化合物(1-1)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(1-1)以外，利用依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長457nm、CIE色度(x，y)=(0.139，0.127)的藍色發光。另外，驅動電壓為5.89V，外部量子效率為6.29%。另外，保持初期亮度的90%以上的亮度的時間為331小時。

<實施例31>

<發光輔助層中使用化合物(2-87)的元件>

除了將作為發光輔助層用材料的化合物(2-1)換成化合物(2-87)、作為電子傳輸層用材料的ETL-1換成ETL-4以外，利用 依據實施例12的方法獲得有機EL元件。施加直流電壓並測定1000cd/m²發光時的特性，結果可獲得波長456nm、CIE色度(x，y)=(0.140，0.123)的藍色發光。另外，驅動電壓為4.64V，外部量子效率為6.28%。另外，保持初期亮度的90%以上的亮度的時間為131小時。

[產業上之可利用性]

根據本發明的較佳態樣，可高效地利用發光層內產生的TTF現象，可提供一種提高了外部量子效率的有機EL元件、具備其的顯示裝置及具備其的照明裝置等。

100‧‧‧有機EL元件

101‧‧‧基板

102‧‧‧陽極

103‧‧‧電洞注入層

104‧‧‧電洞傳輸層

105‧‧‧發光層

106‧‧‧電子傳輸層

107‧‧‧電子注入層

108‧‧‧陰極

110‧‧‧發光輔助層

Claims (18)

1. 一種發光輔助層用材料，其為有機電場發光元件中的發光層與電子傳輸層之間的發光輔助層中所用的發光輔助層用材料，且含有於茀的2個苯環中的任一個上縮合有1個~3個苯環的環縮合茀化合物及/或茀化合物，所述環縮合茀化合物及茀化合物的五員環可由可經取代的烷基及/或可經取代的芳基所取代，於2個取代基取代於五員環上的情形時，所述取代基亦可鍵結而形成環，所述環縮合茀化合物的苯環及/或縮合部位的至少一部分是由可經取代的芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，而且，所述茀化合物的苯環的至少一部分是由可經取代的苯基或縮合環系芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，於對所述苯基或縮合環系芳基的取代基為芳基的情形時，所述芳基為苯基或縮合環系芳基。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光輔助層用材料，其中所述發光輔助層用材料為含有苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及/或茀化合物的發光輔助層用材料，所述苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物、茚并芘化合物及茀化合物的五員環可由可經取代的烷基及/或可經取代的芳基所取代，於2個取代基取代於五員環上的情形時，所 述取代基亦可鍵結而形成環，所述苯并茀化合物、二苯并茀化合物、茚并聯伸三苯化合物及茚并芘化合物的苯環及/或縮合部位的至少一部分是由可經取代的芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，而且，所述茀化合物的苯環的至少一部分是由可經取代的苯基或縮合環系芳基所取代，亦可進一步由可經取代的烷基及/或可經取代的環烷基所取代，於對所述苯基或縮合環系芳基的取代基為芳基的情形時，所述芳基為苯基或縮合環系芳基。
3. 如申請專利範圍第2項所述的發光輔助層用材料，其中所述茀化合物是由下述通式(1)所表示，所述苯并茀化合物是由下述通式(2)或下述通式(3)所表示，所述二苯并茀化合物是由下述通式(4)所表示，所述茚并聯伸三苯化合物是由下述通式(5)或下述通式(6)所表示，所述茚并芘化合物是由下述通式(7)所表示， (所述式(2)~式(7)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的烷基、可經取代的環烷基或可經取代的芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的芳基，所述式(1)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的烷基、可經取代的環烷基或者可經取代的苯基或縮合環系芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的苯基或縮合環系芳基，於對所述苯基或縮合環系芳基的取代基為芳基的情形時，所述芳基為苯基或縮合環系芳基，而且，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴分別獨立地為可經取代的烷基或可經取代的芳基，R³及R⁴亦可鍵結而形成環)。
4. 如申請專利範圍第3項所述的發光輔助層用材料，其中所述式(2)~式(7)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的碳 數1~24的烷基、可經取代的碳數3~12的環烷基或可經取代的碳數6~30的芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的碳數6~30的芳基，所述式(1)中的R¹及R²分別獨立地為氫、可經取代的碳數1~24的烷基、可經取代的碳數3~12的環烷基或者可經取代的碳數6~30的苯基或縮合環系芳基，R¹及R²中的至少一個為可經取代的碳數6~30的苯基或縮合環系芳基，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴分別獨立地為可經取代的碳數1~24的烷基或可經取代的碳數6~30的芳基，R³及R⁴亦可鍵結而形成環，所述式(2)~式(7)的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~24的烷基、碳數3~12的環烷基或碳數6~30的芳基，所述式(1)的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~24的烷基、碳數3~12的環烷基或者碳數6~30的苯基或縮合環系芳基，而且，所述式(1)~式(7)的R³及R⁴的取代基分別獨立地為碳數1~24的烷基、碳數3~12的環烷基或碳數6~30的芳基。
5. 如申請專利範圍第3項所述的發光輔助層用材料，其中所述式(2)~式(7)中的R¹及R²為可經取代的碳數6~24的芳基，所述式(1)中的R¹及R²為可經取代的碳數6~24的苯基或縮合環系芳基，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴分別獨立地為可經取代的 碳數1~12的烷基或可經取代的碳數6~16的芳基，於R³及R⁴為芳基的情形時，芳基彼此亦可鍵結而形成環，所述式(2)~式(7)中的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~12的烷基、碳數3~6的環烷基或碳數6~20的芳基，所述式(1)的R¹及R²的取代基分別獨立地為碳數1~12的烷基、碳數3~6的環烷基或者碳數6~20的苯基或縮合環系芳基，而且，所述式(1)~式(7)中的R³及R⁴的取代基分別獨立地為碳數1~12的烷基、碳數3~6的環烷基或碳數6~20的芳基。
6. 如申請專利範圍第3項所述的發光輔助層用材料，其為所述通式(2)或通式(3)所表示的苯并茀化合物，並且R¹及R²為可經取代的碳數6~20的芳基，R³及R⁴分別獨立地為可經取代的碳數1~6的烷基或可經取代的碳數6~12的芳基，於R³及R⁴為芳基的情形時，芳基彼此亦可鍵結而形成環，而且，R¹、R²、R³及R⁴的取代基分別獨立地為甲基、乙基、丙基、第三丁基、環丁基、環戊基、環己基、苯基、聯苯基或萘基。
7. 如申請專利範圍第3項所述的發光輔助層用材料，其為所述通式(2)或通式(3)所表示的苯并茀化合物，並且R¹及R²分別獨立地為苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基或菲基，而且，R³及R⁴分別獨立地為甲基、乙基、丙基、第三丁基、苯基或 聯苯基，苯基或聯苯基彼此亦可鍵結而形成環。
8. 如申請專利範圍第3項所述的發光輔助層用材料，其是由下述式(2-1)、式(2-2)、式(2-3)、式(2-4)及式(2-5)的任一個所表示，
9. 如申請專利範圍第3項所述的發光輔助層用材料，其是由下述式(1-1)、式(1-71)、式(2-21)、式(2-41)、式(2-61)、式(2-62)、式(2-85)、式(2-87)、式(3-5)、式(3-6)、式(3-8)、式(5-7)及式(6-9)的任一個所表示，
10. 一種有機電場發光元件，具有包含陽極及陰極的一對電極、配置於所述一對電極間的發光層、配置於所述陰極與所述發光層之間的電子傳輸層、及配置於所述發光層與所述電子傳輸層之間的發光輔助層，並且所述發光輔助層是由如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述的發光輔助層用材料所形成。
11. 如申請專利範圍第10項所述的有機電場發光元件，其中所述發光層包含主體材料、及於發光波長為400nm~500nm的範圍內具有峰值的螢光發光性的摻雜材料， 所述主體材料的三重態能量E^T _h小於所述發光輔助層用材料的三重態能量E^T _a。
12. 如申請專利範圍第10項或第11項所述的有機電場發光元件，其中所述發光層包含主體材料、及於發光波長為400nm~500nm的範圍內具有峰值的螢光發光性的摻雜材料，所述摻雜材料的三重態能量E^T _d大於所述主體材料的三重態能量E^T _h。
13. 如申請專利範圍第10項至第12項中任一項所述的有機電場發光元件，其中所述發光層包含主體材料、及於發光波長為400nm~500nm的範圍內具有峰值的螢光發光性的摻雜材料，所述主體材料含有選自由蒽衍生物及芘衍生物所組成的組群中的至少一種，所述摻雜材料含有選自由含胺的苯并茀衍生物、含胺的芘衍生物、不含胺的芘衍生物、含胺的屈衍生物及含胺的苯乙烯基衍生物所組成的組群中的至少一種。
14. 如申請專利範圍第10項至第13項中任一項所述的有機電場發光元件，其中所述電子傳輸層用材料含有含雜環的化合物。
15. 如申請專利範圍第14項所述的有機電場發光元件，其中所述含雜環的化合物為選自由吡啶衍生物、噻唑衍生物、苯并噻唑衍生物、苯并咪唑衍生物、啡啉衍生物及膦氧化物衍生物所組成的組群中的至少一種。
16. 如申請專利範圍第10項至第15項中任一項所述的有機電 場發光元件，其中所述發光輔助層用材料的親和力A_a及形成所述電子傳輸層的電子傳輸層用材料的親和力A_e的關係為A_a>A_e-0.8eV。
17. 一種顯示裝置，具備如申請專利範圍第10項至第16項中任一項所述的有機電場發光元件。
18. 一種照明裝置，具備如申請專利範圍第10項至第16項中任一項所述的有機電場發光元件。