TW201511969A - 阻障性積層體、氣體阻障膜、以及元件 - Google Patents

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Abstract

藉由本發明而提供一種阻障性積層體、包含所述阻障性積層體的氣體阻障膜、以及包含所述阻障性積層體的元件，所述阻障性積層體是包含無機層與第1有機層的阻障性積層體，所述無機層與第1有機層互相直接相接，第1有機層是藉由包含聚合性化合物、聚合起始劑、及下述通式(1)(式中，R2表示鹵元素或烷基，R3表示氫原子或烷基，L表示2價連結基，n表示0至2的任意整數)所表示的矽烷偶合劑的聚合性組成物的硬化而形成的層，第1有機層包含氧化鈦微粒子，所述無機層是藉由化學氣相沈積法而形成於第1有機層表面的層。本發明的阻障性積層體具有高的阻障性以及透明性。 □

Description

阻障性積層體、氣體阻障膜、以及元件
本發明是有關於一種阻障性積層體、及包含阻障性積層體的氣體阻障膜。而且，本發明是有關於包含阻障性積層體或氣體阻障膜的各種元件。
作為具有阻斷水蒸氣或氧等的功能的氣體阻障膜，自各種觀點考慮，開發包含阻障性積層體(所述阻障性積層體於成為基材的塑膠膜上積層了有機層與無機層)的阻障膜作為具有高阻障性的膜。
例如，於專利文獻1中，作為具有高的阻障性以及透明性且生產性高的阻障膜，揭示了在使用聚矽氮烷而形成的無機阻障層上包含有機層(所述有機層含有無機奈米粒子)的阻障膜。亦已知在將無機奈米粒子添加於有機層中時，藉由矽烷偶合劑對無機奈米粒子進行表面處理的方法(專利文獻2)。
而且，於專利文獻3及專利文獻4中，揭示了藉由在用以形成有機層的聚合性組成物中添加矽烷偶合劑及聚合性酸性化合物而提高有機層與無機層的密接性。
[現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-73417號公報
[專利文獻2]日本專利特開2013-77585號公報
[專利文獻3]日本專利特開2011-201064號公報
[專利文獻4]日本專利特開2010-200780號公報
本發明的課題在於提供具有高的阻障性以及透明性的阻障性積層體及氣體阻障膜。
本發明者嘗試與專利文獻1及專利文獻2中所記載的方法同樣地將無機奈米粒子添加於有機層中而提高阻障積層體的透明度，結果產生無機層與有機層剝離的問題。認為該不良情况是由於無機層與有機層的界面的密接力不足、有機層變得容易凝聚引起的。因此，本發明者對進一步加入有機層形成用組成物的矽烷偶合劑及形成於有機層表面的無機層進一步反覆研究，從而完成本發明。
亦即，本發明提供以下的[1]~[15]。
[1]一種阻障性積層體，其是包含無機層與第1有機層的阻障性積層體，所述無機層與第1有機層互相直接相接，第1有機層是藉由 包含聚合性化合物、聚合起始劑、及下述通式(1)所表示的矽烷偶合劑的聚合性組成物的硬化而形成的層：
式中，R2表示鹵元素或烷基，R3表示氫原子或烷基，L表示2價連結基，n表示0至2的任意整數，第1有機層包含氧化鈦微粒子，所述無機層是藉由化學氣相沈積法而形成於第1有機層表面的層。
[2]如[1]所述之阻障性積層體，其中，所述矽烷偶合劑的質量相對於所述聚合性化合物與所述聚合起始劑與所述矽烷偶合劑的合計質量的比率為2.5質量%以上、不足50質量%。
[3]如[1]或[2]所述之阻障性積層體，其更包含第2有機層，所述無機層與第2有機層互相直接相接， 第2有機層是藉由包含聚合性化合物、聚合起始劑、及通式(1)所表示的矽烷偶合劑的聚合性組成物的硬化而形成的層，第2有機層包含氧化鈦微粒子。
[4]如[3]所述之阻障性積層體，其中，第1有機層中的所述矽烷偶合劑的質量相對於所述聚合性化合物與所述聚合起始劑與所述矽烷偶合劑的合計質量的比率為10質量%~30質量%，且第2有機層中的所述矽烷偶合劑的質量相對於所述聚合性化合物與所述聚合起始劑與所述矽烷偶合劑的合計質量的比率為5質量%~30質量%。
[5]如[3]或[4]所述之阻障性積層體，其中，形成第1有機層所使用的聚合性組成物與形成第2有機層所使用的聚合性組成物相同。
[6]如[1]~[5]中任一項所述之阻障性積層體，其中，所述無機層是包含氮化矽或氮氧化矽的層。
[7]如[6]所述之阻障性積層體，其中，所述無機層的膜厚為15nm~50nm，所述無機層的自第1有機層側的相反側的表面起5nm以內的區域的氧含量比率高於所述無機層的其他區域的氧含量比率。
[8]如[1]~[7]中任一項所述之阻障性積層體，其中，用以形成第1有機層的聚合性組成物不含無聚合性基的矽烷偶合劑。
[9]如[1]~[8]中任一項所述之阻障性積層體，其中，以體積比計而言，於所述有機層中包含15%以上、50%以下的所述氧化鈦 微粒子。
[10]如[1]~[9]中任一項所述之阻障性積層體，其具有至少2層有機層與至少2層無機層交互積層的結構。
[11]如[1]~[10]中任一項所述之阻障性積層體，其中，所述聚合性化合物是丙烯酸酯系化合物。
[12]如[1]~[11]中任一項所述之阻障性積層體，其中，所述聚合性化合物是具有至少2官能以上的聚合性基的多官能丙烯酸酯系化合物。
[13]一種氣體阻障膜，其包含基材及如[1]~[12]中任一項所述之阻障性積層體。
[14]一種元件，其包含基板，所述基板包含如[1]~[12]中任一項所述之阻障性積層體。
[15]一種元件，其使用如[1]~[12]中任一項所述之阻障性積層體而密封。
藉由本發明而提供具有高的阻障性以及透明性的阻障性積層體及氣體阻障膜。本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜在有機電子元件等元件中利用時，可並不由於反射而損及光利用效率、而且賦予高的阻障性。
1‧‧‧第1有機層
2‧‧‧無機層
3‧‧‧第2有機層
4‧‧‧基材
圖1是表示本發明的阻障性積層體(氣體阻障膜)的一例的 剖面概略圖。
圖2是表示實施例的標準步驟無機層氧化膜的組成的圖。
圖3是改變氧化鈦微粒子於有機層中的含量，測定折射率的變化的圖表。
圖4是表示有機層的折射率對阻障積層體的透明度的影響的圖表。
圖5是不含氧化鈦微粒子的有機層與包含氧化鈦微粒子的有機層的表面的原子力顯微鏡影像。
以下對本發明的內容加以詳細說明。另外，於本申請案說明書中，所謂「~」是以包含其前後所記載的數值作為下限值及上限值的含義而使用。而且，本發明中的「有機EL元件」是指有機電致發光元件。於本說明書中，「(甲基)丙烯酸酯」的記載表示「丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯的任意一者或兩者」的含義。「(甲基)丙烯酸」等亦同樣。
本發明的阻障性積層體的特徵在於：包含無機層、與設於該無機層表面的有機層，所述有機層是藉由包含聚合性化合物、下述通式(1)所表示的矽烷偶合劑、聚合起始劑的聚合性組成物的硬化而形成的層，且所述有機層包含氧化鈦微粒子。
(阻障性積層體)
阻障性積層體包含至少1層有機層與至少1層無機層，亦可為2層以上有機層與2層以上無機層交互積層而成者。
阻障性積層體亦可於不脫離本發明的主旨的範圍內包含傾斜材料層，所謂傾斜材料層是構成阻障性積層體的組成在膜厚方向上，有機區域與無機區域連續變化。傾斜材料的例子可列舉：金等人的論文「真空科學與技術雜誌，A輯，第23卷，第971頁~第977頁(2005年刊、美國真空學會)(Journal of Vacuum Science and Technology A Vol.23 p971-977(2005 American Vacuum Society))」中所記載的材料、或如美國公開專利2004-46497號說明書中所揭示的有機區域與無機區域並不具有界面的連續的層等。以後，為了簡略化，將有機層與有機區域記述為「有機層」，將無機層與無機區域記述為「無機層」。
於本說明書中，有時將其表面設有無機層的有機層稱為「第1有機層」，將設於無機層表面的有機層稱為「第2有機層」。
較佳的是本發明的阻障性積層體包含第1有機層、設於第1有機層表面的無機層。亦較佳的是於無機層表面包含第2有機層。而且，作為氣體阻障膜，較佳的是於基材上設置第1有機層，於第1有機層表面設置無機層的構成，亦較佳的是於無機層表面進一步包含第2有機層。圖1是表示本實施形態的阻障性積層體(氣體阻障膜)的一例的剖面概略圖，1表示第1有機層，2表示無機層，3表示第2有機層，4表示基材。
關於構成阻障性積層體的層數，並無特別限制，典型的是較佳的是2層~30層，更佳的是3層~20層。而且，亦可包含有機層及無機層以外的其他構成層。
(矽烷偶合劑)
於本發明的阻障積層體中，特別是使用以下通式(1)所表示的矽烷偶合劑即可。
式中，R2表示鹵元素或烷基，R3表示氫原子或烷基，L表示2價連結基，n表示0至2的任意整數。
鹵元素可列舉氯原子、溴原子、氟原子、及碘原子。
烷基、或後述的取代基中的包含烷基的取代基中的烷基的碳數較佳的是1~12，更佳的是1~9，進一步更佳的是1~6。烷基的具體例可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基。烷基可為直鏈狀亦可為分支狀亦可為環狀，較佳的是直鏈烷基。
2價連結基較佳的是包含1個~20個碳的連結基。若為 包含較佳的是1個~12個、更佳的是1個~6個碳的連結基即可。2價連結基的例子可列舉：伸烷基(例如伸乙基、1,2-伸丙基、2,2-伸丙基(亦稱為2,2-亞丙基、1,1-二甲基亞甲基)、1,3-伸丙基、2,2-二甲基-1,3-伸丙基、2-丁基-2-乙基-1,3-伸丙基、1,6-伸己基、1,9-伸壬基、1,12-伸十二烷基、1,16-伸十六烷基等)、伸芳基(例如伸苯基、伸萘基)、醚基、亞胺基、羰基、磺醯基、及該些2價基多個串列鍵結而成的2價殘基(例如聚伸乙基氧基伸乙基、聚伸丙基氧基伸丙基、2,2-伸丙基伸苯基等)。該些基亦可具有取代基。而且，亦可為該些基的2個以上多個串列鍵結而形成的連結基。其中，較佳的是伸烷基、伸芳基及該些多個串列鍵結而成的2價基，更佳的是未經取代的伸烷基、未經取代的伸芳基及該些多個串列鍵結而成的2價基。取代基可列舉烷基、烷氧基、芳基、芳氧基等。
矽烷偶合劑較佳的是相對於聚合性組成物的固體成分而言包含1質量%~30質量%，更佳的是包含5質量%~20質量%。
而且，於本發明中，亦可包含2種以上矽烷偶合劑，在這種情況下，該些的合計量成為所述範圍。
以下表示矽烷偶合劑的具體例，但並不限定於該些。
矽烷偶合劑的質量相對於聚合性化合物與聚合起始劑與矽烷偶合劑的合計質量的比率較佳的是2.5質量%以上、不足50質量%，更佳的是5質量%~30質量%，進一步更佳的是10質量%~30質量%。藉由設為此種範圍，存在更有效地發揮本發明的效果的傾向。
藉由使有機層形成用聚合性組成物包含矽烷偶合劑，即使在組入至元件中之後，亦可保持高的密接性，達成高的水蒸氣阻障性。矽烷偶合劑較佳的是包含聚合性基，特佳的是包含(甲基)丙烯酸酯基。矽烷偶合劑一般情況下折射率為1.5左右，與藉由(甲基)丙烯酸酯的聚合而形成的聚合物層的折射率相比而言較低，因此若使矽烷偶合劑的含量變多，則存在有機層的折射率降低的傾向。認為高的密接性是由於矽烷偶合劑對聚合性基起作用，因此 較佳的是有機層形成用聚合性組成物實質上不含不包括聚合性基的矽烷偶合劑。特佳的是實質上不含通式(1)所表示的矽烷偶合劑以外的矽烷偶合劑。所謂「實質上不含」，是指例如為聚合性組成物的所有成分的0.1質量%以下。
(有機層)
有機層較佳的是可使包含聚合性化合物、矽烷偶合劑、聚合起始劑的聚合性組成物成為層狀之後，進行硬化而形成。
作為使聚合性組成物成為層狀的方法，通常於基材或無機層等支撐體上應用聚合性組成物而形成。作為應用方法，可例示浸塗法、氣刀塗佈法、簾塗法、輥塗法、線棒塗佈法、凹版塗佈法、滑動塗佈法、或美國專利第2681294號說明書中所記載的使用料斗的擠出塗佈法，其中可較佳地採用擠出塗佈。
(聚合性化合物)
本發明中所使用的聚合性化合物是於末端或側鏈具有乙烯性不飽和鍵的化合物、及/或於末端或側鏈具有環氧或氧雜環丁烷的化合物。該些中較佳的是於末端或側鏈具有乙烯性不飽和鍵的化合物。於末端或側鏈具有乙烯性不飽和鍵的化合物的例子可列舉(甲基)丙烯酸酯系化合物、丙烯醯胺系化合物、苯乙烯系化合物、馬來酸酐等，較佳的是(甲基)丙烯酸酯系化合物，特佳的是丙烯酸酯系化合物。
(甲基)丙烯酸酯系化合物較佳的是(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸胺基甲酸酯或聚酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯 等。
苯乙烯系化合物較佳的是苯乙烯、α-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、二乙烯基苯、4-羥基苯乙烯、4-羧基苯乙烯等。
以下表示(甲基)丙烯酸酯系化合物的具體例，但本發明並不限定於該些。
另外，於本發明中，亦可較佳地採用下述通式(2)所表示的甲基丙烯酸酯系化合物。
(通式(2)中，R11表示取代基，可分別相同亦可不同。m表示0~5的整數，可分別相同亦可不同。其中，R11的至少1個包含聚合性基)
R11可列舉包含-CR22-(R22是氫原子或取代基)、-CO-、-O-、伸苯基、-S-、-C≡C-、-NR23-(R23是氫原子或取代基)、-CR24=CR25-(R24、R25分別為氫原子或取代基)的1個以上與聚合性基的組合的基，較佳的是包含-CR22-(R22是氫原子或取代基)、-CO-、-O-及伸苯基的1個以上與聚合性基的組合的基。R22是氫原子或取代基，較佳的是氫原子或羥基。
較佳的是R11的至少1個包含羥基。藉由包含羥基，可使有機層的硬化率提高。較佳的是R11的至少1個的分子量為10~250，更佳的是70~150。作為R11所鍵結的位置，較佳的是至少鍵結於對位。
m表示0~5的整數，較佳的是0~2的整數，更佳的是0或1，進一步更佳的是均為1。
通式(2)所表示的化合物較佳的是R11的至少2個為相同結構。另外，更佳的是m均為1，且4個R11的至少每2個分別相同的結構，進一步更佳的是m均為1，且4個R11相同的結構。通式(2)所具有的聚合性基較佳的是(甲基)丙烯醯基或環氧基，更佳的是(甲基)丙烯醯基。通式(2)所具有的聚合性基數較佳的是2個以上，更佳的是3個以上。而且，上限並無特別限定，較佳的是8個以下，更佳的是6個以下。
通式(2)所表示的化合物的分子量較佳的是600~1400，更佳的是800~1200。
於本發明中，可包含僅1種通式(2)所表示的化合物，亦可包含2種以上。在包含2種以上的情況下，例如可例示如下的組成物，所述組成物包含：包含相同結構的R11、且R11數不同的化合物及該些的異構體。
以下表示通式(2)所表示的化合物的具體例，但本發明並不由此而受到限定。而且，於下述化合物中，例示了通式(2)的4個m均為1的情況，但亦可例示通式(2)的4個m中，1個或2個或3個m為0的化合物(例如2官能或3官能化合物等)、或通式(2)的4個m中，1個或2個或3個以上m為2個以上的化合物(在1個環上鍵結有2個以上R11的化合物，例如5官能或6官能化合物等)作為本發明的較佳的化合物。
所述通式(2)所表示的化合物可作為市售品而獲得。而且，所述化合物亦可藉由公知的方法而合成。例如，環氧丙烯酸酯可藉由環氧化合物與丙烯酸的反應而獲得。該些化合物通常在反應時亦生成2官能、3官能、5官能或其異構體等。在欲分離該些異構體的情況下，可藉由管柱層析法而分離，於本發明中亦可作為混合物而使用。
(聚合起始劑)
本發明中的聚合性組成物通常包含聚合起始劑。在使用聚合起始劑的情況下，其含量較佳的是參與聚合的化合物的合計量的 0.1mol%以上，更佳的是0.5mol%~2mol%。藉由設為此種組成，可適宜地控制經由活性成分生成反應的聚合反應。光聚合起始劑的例子可列舉由汽巴精化股份有限公司市售的Irgacure系列(例如Irgacure 651、Irgacure 754、Irgacure 184、Irgacure 2959、Irgacure 907、Irgacure 369、Irgacure 379、Irgacure 819等)、Darocure系列(例如Darocure TPO、Darocure 1173等)、Quantacure PDO，由寧柏迪(Lamberti)公司市售的Ezacure系列(例如Ezacure TZM、Ezacure TZT、Ezacure KTO46等)等。
包含矽烷偶合劑、聚合性化合物、聚合起始劑的聚合性組成物若可藉由光(例如紫外線)、電子束、或熱射線而硬化即可，較佳的是藉由光而硬化。特佳的是在對聚合性組成物施加25℃以上的溫度(例如30℃~130℃)而進行加熱後，使其硬化。藉由設為此種構成，可使矽烷偶合劑的水解反應進行，使聚合性組成物有效地硬化，且並不對基材等造成損傷地進行成膜。
聚合性組成物中的聚合性化合物的聚合率較佳的是60質量%以上，更佳的是70質量%以上，進一步更佳的是80質量%以上，特佳的是90質量%以上。於有機層表面形成無機層時，存在有機層受到損傷的情况，例如由於化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition，CVD)法中所使用的電漿，有機層表面被蝕刻而粗面化，其結果存在阻障性降低的情况。在可提高聚合性化合物的聚合率的情況下，容易抑制此種損傷。若於聚合性化合物中使用丙烯酸酯系化合物，則存在聚合率變高的傾向而較佳。
照射的光通常是高壓水銀燈或低壓水銀燈的紫外線。照射能量較佳的是0.1J/cm2以上，更佳的是0.5J/cm2以上。作為聚合性化合物，在採用(甲基)丙烯酸酯系化合物的情況下，由於空氣中的氧而受到聚合阻礙，因此較佳的是使聚合時的氧濃度或氧分壓變低。在藉由氮氣置換法使聚合時的氧濃度降低的情況下，氧濃度較佳的是2%以下，更佳的是0.5%以下。在藉由減壓法使聚合時的氧分壓降低的情況下，較佳的是總壓為1000Pa以下，更佳的是100Pa以下。而且，特佳的是在100Pa以下的減壓條件下照射0.5J/cm2以上的能量而進行紫外線聚合。
有機層較佳的是平滑、且膜硬度高。有機層的平滑性較佳的是1μm見方的平均粗糙度(Ra值)不足1nm，更佳的是不足0.5nm。單體的聚合率較佳的是85%以上，更佳的是88%以上，進一步更佳的是90%以上，特佳的是92%以上。此處所謂的「聚合率」是表示單體混合物中的所有聚合性基(例如丙烯醯基及甲基丙烯醯基)中，反應的聚合性基的比率。聚合率可藉由紅外線吸收法而定量。
關於有機層的膜厚，並無特別限定，若過薄，則變得難以獲得膜厚的均一性；若過厚，則由於外力而產生裂痕，阻障性降低。自該觀點考慮，有機層的厚度較佳的是50nm~3000nm，更佳的是200nm~2000nm。
要求在有機層的表面並無顆粒等異物、突起。因此，有機層的成膜較佳的是於無塵室內進行。潔淨度較佳的是級別10000以 下，更佳的是級別1000以下。
較佳的是有機層的硬度高。可知若有機層的硬度高，則可平滑地進行無機層成膜，其結果阻障能力提高。有機層的硬度可表示為基於奈米壓痕(nanoindentation)法的微小硬度。有機層的微小硬度較佳的是100N/mm以上，更佳的是150N/mm以上。
(氧化鈦微粒子)
本發明的阻障積層體中的有機層的特徵在於包含氧化鈦微粒子。
若有機層與鄰接的層的折射率差變大，則阻障積層體的反射率變高，透光率降低。藉由(甲基)丙烯酸酯的聚合而形成的聚合物層的折射率最高n=1.6。另一方面，包含氮化矽或氮氧化矽等的無機層的膜密度高，可實現高的阻障性能，另一方面折射率高，為1.9左右(另外，空氣的折射率為1.0、基材的平均折射率為1.6)。藉由於有機層中含有氧化鈦微粒子，可提高有機層的折射率，減低由於與無機層的折射率差而源自反射的透射率降低或由於多重干涉的色斑。
有機層的折射率較佳的是1.6至2.0，更佳的是1.7至1.9。
有機層特佳的是包含進行了光觸媒惰性處理的氧化鈦微粒子。進行了光觸媒惰性處理的氧化鈦微粒子若具有光觸媒活性則並無特別限制，可根據目的而適宜選擇，可列舉(1)藉由氧化鋁、二氧化矽、及氧化鋯的至少1種包覆氧化鈦微粒子表面的氧化鈦微粒子、(2)於(1)的進行了包覆的氧化鈦微粒子的包覆 表面包覆樹脂而成的氧化鈦微粒子等。樹脂例如可列舉聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。
進行了光觸媒惰性處理的氧化鈦微粒子並不具有光觸媒活性的確認例如可藉由亞甲基藍法而進行。
進行了光觸媒惰性處理的氧化鈦微粒子中的氧化鈦微粒子並無特別限制，可視目的適宜選擇，晶體結構較佳的是金紅石、金紅石/銳鈦礦的混晶、銳鈦礦為主成分，特佳的是金紅石結構為主成分。
氧化鈦微粒子亦可為添加氧化鈦以外的金屬氧化物進行複合化而成者。
作為可使氧化鈦微粒子複合化的金屬氧化物，較佳的是選自Sn、Zr、Si、Zn、及Al的至少1種的金屬氧化物。
金屬氧化物相對於鈦的添加量較佳的是1mol%~40mol%，更佳的是2mol%~35mol%，進一步更佳的是3mol%~30mol%。
氧化鈦微粒子的一次平均粒徑較佳的是1nm~30nm，更佳的是1nm~25nm，進一步更佳的是1nm~20nm。藉由將一次平均粒徑設為30nm以下，可防止分散液白濁、或沈降的產生。而且，藉由將一次平均粒徑設為1nm以上，可並不成為非晶體地保持晶體結構，防止隨時間經過而凝膠化。
一次平均粒徑例如可藉由如下方式而測定：由藉由X射線繞射裝置所測定的繞射圖案的半值寬的計算，或由電子顯微鏡(TEM)攝影圖像的直徑的統計計算等。
氧化鈦微粒子的形狀並無特別限制，可視目的而適宜選擇，例如較佳的是米粒狀、球形狀、立方體狀、紡錘形狀、或不定形狀。氧化鈦微粒子可單獨使用1種，亦可併用2種以上而使用。
進行了光觸媒惰性處理的氧化鈦微粒子的折射率為2.2以上、3.0以下，更佳的是2.2以上、2.8以下，進一步更佳的是2.2以上、2.6以下。折射率若為2.2以上，則可有效地提高有機層的折射率，若折射率為3.0以下，則並無進行了光觸媒惰性處理的氧化鈦微粒子著色等不良情况，因此較佳。
此處，難以測定如氧化鈦微粒子那樣的折射率高(1.8以上)、平均一次粒徑為1nm~100nm左右的微粒子的折射率，但可如下所述地測定折射率。於折射率已知的樹脂材料中摻雜氧化鈦微粒子，將分散有氧化鈦微粒子的樹脂材料在Si基板、或石英基板上形成塗佈膜。藉由橢圓偏光計測定塗佈膜的折射率，根據構成塗佈膜的樹脂材料與氧化鈦微粒子的體積分率判斷氧化鈦微粒子的折射率。
進行了光觸媒惰性處理的氧化鈦微粒子的含量(包含包覆物或複合化的金屬氧化物的含量)若相對於有機層形成用聚合性組成物(成膜後：不含溶劑的體積)而言為15體積%以上、50體積%以下即可，更佳的是20體積%以上、40體積%以下，進一步更佳的是25體積%以上、35體積%以下。若含量為50體積%以上，則有機層中的氧化鈦微粒子的佔有率上升，與無機層的接著性降低而欠佳。若為15體積%以下，則存在無法充分獲得折射率 提高的效果的可能性。
(無機層)
無機層通常是包含金屬化合物的薄膜的層。無機層的形成方法若藉由化學氣相沈積法(Chemical Vapor Deposition，CVD)進行即可。其原因在於CVD法對於具有凹凸的基材而言，覆蓋(coverage)能力高。特佳的是電漿CVD法。無機層中所含的成分若為滿足所述性能者則並無特別限定，例如為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬氮氧化物或金屬碳氧化物，可較佳地使用包含選自Si、Al、In、Sn、Zn、Ti、Cu、Ce、或Ta的1種以上金屬的氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物、碳氧化物等。該些中較佳的是選自Si、Al、In、Sn、Zn、Ti的金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物，更佳的是Si或Al的氧化物、氮化物或氮氧化物，特佳的是氮化矽或氮氧化矽。該些亦可含有其他元素作為次要的成分。
無機層由於例如金屬的氧化物、氮化物或氮氧化物包含氫，亦可包含很少的氫，較佳的是前方拉塞福散射的氫濃度為30%以下。
藉由本發明而形成的無機層的平滑性較佳的是1μm見方的平均粗糙度(Ra值)不足1nm，更佳的是0.5nm以下。無機層的成膜較佳的是於無塵室內進行。潔淨度較佳的是級別10000以下，更佳的是級別1000以下。
關於無機層的厚度，並無特別限定，對於1層而言，通 常為5nm~500nm的範圍內，較佳的是10nm~200nm，更佳的是15nm~50nm。無機層亦可為包含多個分層(sublayer)的積層結構。在這種情況下，各分層可為相同組成亦可為不同的組成。
無機層可藉由於成膜後暴露於空氣中，提高最表面的氧含量，而使與其後所設的第2有機層中所含的矽烷偶合劑的結合變良好，容易獲得穩定性。所謂最表面是表示自表面(無機層的與第1有機層側的相反側的表面、無機層與空氣的界面、第2有機層形成後無機層與第2有機層的界面)起10nm以內的區域，較佳的是5nm以內的區域。具體而言，例如在無機層的膜厚為15nm~50nm的情況下，較佳的是所述無機層的自第1有機層側的相反側的表面起5nm以內的區域的氧含量比率高於所述無機層的其他區域的氧含量比率。
(有機層與無機層的積層)
有機層與無機層的積層可根據所期望的層構成順次反覆製膜有機層與無機層而進行。
特別是在本發明中，較佳的是於第1有機層表面形成無機層。
(功能層)
本發明的阻障性積層體亦可具有功能層。關於功能層，於日本專利特開2006-289627號公報的段落編號0036~段落編號0038中有所詳細記載。作為該些以外的功能層的例子，可列舉消光劑層、保護層、耐溶劑層、抗靜電層、平滑化層、密接改良層、遮光層、抗反射層、硬塗層、應力緩和層、防霧層、防污層、被印 刷層、易接著層等。
(阻障性積層體的用途)
本發明的阻障性積層體通常設於支撐體上，但藉由選擇該支撐體，可於各種用途中使用。支撐體上，除了基材以外，亦包含各種元件、光學構件等。具體而言，本發明的阻障性積層體可作為氣體阻障膜的阻障層而使用。而且，本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜可於要求阻障性的元件的密封中使用。本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜亦可應用於光學構件中。以下，對該些加以詳細說明。
<氣體阻障膜>
氣體阻障膜包含基材、形成於該基材上的阻障性積層體。於氣體阻障膜中，本發明的阻障性積層體可僅僅設於基材的單面，亦可設於兩個面上。本發明的阻障性積層體較佳的是自基材側起順次積層第1有機層、無機層、第2有機層。本發明的阻障性積層體的最上層可為無機層亦可為有機層。
氣體阻障膜可作為包含阻障層的膜基板而使用，所述阻障層具有阻斷大氣中的氧、水分、氮氧化物、硫氧化物、臭氧等的功能。
氣體阻障膜亦可包含阻障性積層體、基材以外的構成成分(例如易接著層等功能性層)。功能性層可設於阻障性積層體上、阻障性積層體與基材之間、基材上未設置阻障性積層體之側(背面)的任意者。
(塑膠膜)
本發明中的氣體阻障膜通常使用塑膠膜作為基材。所使用的塑膠膜若為可保持有機層、無機層等阻障性積層體的膜，則材質、厚度等並無特別限制，可根據使用目的等而適宜選擇。塑膠膜具體而言可列舉聚酯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、甲基丙烯酸-馬來酸共聚物、聚苯乙烯樹脂、透明氟樹脂、聚醯亞胺、氟化聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、醯化纖維素樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚碳酸酯樹脂、脂環式聚烯烴樹脂、聚芳酯樹脂、聚醚碸樹脂、聚碸樹脂、環烯烴共聚物、茀環改質聚碳酸酯樹脂、脂環改質聚碳酸酯樹脂、茀環改質聚酯樹脂、丙烯醯基化合物等熱塑性樹脂。
在將本發明的氣體阻障膜作為後述的有機EL元件等元件的基板而使用的情況下，較佳的是塑膠膜包含具有耐熱性的原材料。具體而言，較佳的是包含玻璃轉移溫度(Tg)為100℃以上及/或線熱膨脹係數為40ppm/℃以下且耐熱性高的透明原材料。Tg或線膨脹係數可藉由添加劑等而調整。此種熱塑性樹脂例如可列舉聚萘二甲酸乙二酯(PEN；120℃)、聚碳酸酯(PC；140℃)、脂環式聚烯烴(例如日本瑞翁股份有限公司製造的ZEONOR1600；160℃)、聚芳酯(PAr；210℃)、聚醚碸(PES；220℃)、聚碸(PSF；190℃)、環烯烴共聚物(COC；日本專利特開2001-150584號公報的化合物；162℃)、聚醯亞胺(例如三菱瓦斯化學股份有限公司的NEOPULIM；260℃)、茀環改質聚碳酸 酯(BCF-PC；日本專利特開2000-227603號公報的化合物；225℃)、脂環改質聚碳酸酯(IP-PC；日本專利特開2000-227603號公報的化合物；205℃)、丙烯醯基化合物(日本專利特開2002-80616號公報的化合物；300℃以上)(括號內表示Tg)。特別是在要求透明性的情況下，較佳的是使用脂環式聚烯烴等。
在將本發明的氣體阻障膜與偏光板組合使用的情況下，較佳的是使氣體阻障膜的阻障性積層體朝向單元的內側，配置於最內側(與元件鄰接)。此時，變得藉由偏光板而於單元的內側配置氣體阻障膜，因此氣體阻障膜的延遲值變重要。此種態樣下的氣體阻障膜的使用形態較佳的是將使用延遲值為10nm以下的基材的氣體阻障膜與圓偏光板(1/4波片+(1/2波片)+直線偏光板)積層而使用，或者於氣體阻障膜(所述氣體阻障膜可作為1/4波片而使用，其使用延遲值為100nm~180nm的基材)上組合使用直線偏光板。
作為延遲為10nm以下的基材，可列舉三醋酸纖維素(富士軟片股份有限公司；FUJITAC)、聚碳酸酯(帝人化成股份有限公司；PURE-ACE、卡尼卡(Kaneka)股份有限公司；ELMEC)、環烯烴聚合物(JSR股份有限公司；ARTON、日本瑞翁股份有限公司；ZEONOR)、環烯烴共聚物(三井化學股份有限公司；APEL(顆粒)、寶理塑膠股份有限公司；Topas(顆粒))、聚芳酯(尤尼吉可股份有限公司；U100(顆粒))、透明聚醯亞胺(三菱瓦斯化學股份有限公司；NEOPULIM)等。
而且，1/4波片可使用藉由對所述膜進行適宜延伸而調整為所期望的延遲值的膜。
本發明的氣體阻障膜可用作有機EL元件等元件，因此塑膠膜透明，亦即透光率通常為80%以上、較佳的是85%以上、更佳的是90%以上。透光率可藉由JIS-K7105中所記載的方法、亦即使用積分球式透光率測定裝置而測定總透光率及散射光量，自總透光率減去漫透射率而算出。
在將本發明的氣體阻障膜用於顯示器用途的情況下，在未設置於觀察側的情況等，未必要求透明性。因此，在此種情況下，亦可使用不透明的材料作為塑膠膜。不透明的材料例如可列舉聚醯亞胺、聚丙烯腈、公知的液晶聚合物等。
本發明的氣體阻障膜中所使用的塑膠膜的厚度可根據用途而適宜選擇，因此並無特別限制，典型的是1μm~800μm，較佳的是10μm~200μm。該些塑膠膜亦可包含透明導電層、底塗層等功能層。關於功能層，除上述者以外，亦可較佳地採用日本專利特開2006-289627號公報的段落編號0036~段落編號0038中所記載者。
本發明的阻障性積層體可較佳地用於元件(所述元件由於水或氧等，即使在常溫常壓下使用亦可經年劣化)的密封中。例如可列舉有機電致發光(electroluminescence，EL)元件、液晶顯示元件、太陽電池、觸控面板等。
本發明的阻障性積層體還可以用於元件的膜密封。亦 即，將元件自身作為支撐體，於其表面設置本發明的阻障性積層體的方法。於設置阻障性積層體之前，亦可藉由保護層覆蓋元件。
本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜亦可作為元件的基板或用於固體密封法的密封的膜而使用。所謂「固體密封法」是指在元件上形成保護層後，重疊接著劑層、阻障性積層體及氣體阻障膜而進行硬化的方法。接著劑並無特別限制，可例示熱硬化性環氧樹脂、光硬化性丙烯酸酯樹脂等。
(有機EL元件)
使用氣體阻障膜的有機EL元件的例子在日本專利特開2007-30387號公報中有所詳細記載。於有機EL元件的製造步驟中，存在氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)的蝕刻步驟後的乾燥步驟或濕度高的條件下的步驟，故使用本發明的氣體阻障膜極其佔優勢。
(太陽電池)
本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜亦可作為太陽電池元件的密封膜而使用。此處，本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜較佳的是以接著層成為接近太陽電池元件之側的方式進行密封。太陽電池要求耐受某種程度的熱與濕度，本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜適宜。作為較佳地使用本發明的阻障性積層體及氣體阻障膜的太陽電池元件，並無特別限制，例如可列舉單晶矽系太陽電池元件、多晶矽系太陽電池元件、包含單接合型或串列結構型等的非晶矽系太陽電池元件、砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP) 等III-V族化合物半導體太陽電池元件、碲化鎘(CdTe)等II-VI族化合物半導體太陽電池元件、銅/銦/硒系(所謂的CIS系)、銅/銦/鎵/硒系(所謂的CIGS系)、銅/銦/鎵/硒/硫系(所謂的CIGSS系)等I-III-VI族化合物半導體太陽電池元件、色素增感型太陽電池元件、有機太陽電池元件等。其中，於本發明中，所述太陽電池元件較佳的是銅/銦/硒系(所謂的CIS系)、銅/銦/鎵/硒系(所謂的CIGS系)、銅/銦/鎵/硒/硫系(所謂的CIGSS系)等I-III-VI族化合物半導體太陽電池元件。
(其他)
其他的應用例可列舉日本專利特表平10-512104號公報中所記載的薄膜電晶體，日本專利特開平5-127822號公報、日本專利特開2002-48913號公報等中所記載的觸控面板，日本專利特開2000-98326號公報中所記載的電子紙等。
而且，可將聚乙烯膜或聚丙烯膜等樹脂膜與本發明的阻障性積層體或氣體阻障膜加以積層而用作密封用袋。關於該些的詳細情况，可參考日本專利特開2005-247409號公報、日本專利特開2005-335134號公報等的記載。
<光學構件>
作為使用本發明的氣體阻障膜的光學構件的例子，可列舉圓偏光板等。
(圓偏光板)
可將本發明中的氣體阻障膜作為基板，將λ/4板與偏光板積層 而製作圓偏光板。在這種情況下，以λ/4板的慢軸與偏光板的吸收軸成為45°的方式進行積層。此種偏光板較佳的是使用在相對於長度方向(MD)而言為45°的方向上延伸而成者，例如可適宜使用日本專利特開2002-865554號公報中所記載者。
[實施例]
以下，列舉實施例對本發明加以更具體的說明。作為以下的實施例中所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等，只要不脫離本發明的主旨，則可適宜變更。因此，本發明的範圍並不限定於以下所示的具體例。
(評價1)第1有機層的評價
有機層形成用聚合性組成物
氧化鈦微粒子使用氧化鈦分散甲苯(商品名：高透明性氧化鈦漿料HTD-760T)。為表面經氧化鋁及氧化鋯包覆的氧化鈦分散液，分散有平均直徑為15nm的氧化鈦的奈米粒子。折射率為2.45。將該氧化鈦分散甲苯，以相對於除去所述有機層形成用聚合組成物的溶劑的體積而言，表面經氧化鋁及氧化鋯包覆的氧化鈦成為30體積%的方式，添加於所述有機層形成用聚合組成物中。 藉由輥式混合機、攪拌器對混合物進行攪拌而使其溶解，進一步藉由超音波(Sonifier)使其分散，獲得分散液。
藉由旋塗法將所述分散液以2μm的厚度塗佈於PET基材(東洋紡公司製造、膜厚100μm)上，然後於120℃下進行4分鐘的乾燥，藉由紫外線進行約2J的曝光，形成第1有機層。於所製作的第1有機層的表面，使用SiH4：H2：NH3(1：5：2.4)作為原料氣體，藉由電漿CVD法形成50nm的氮化矽層而製作阻障積層體。
將所製作的阻障積層體的密接性的評價結果表示於表1中。所製作的阻障積層體的密接性的評價可藉由100格膠帶剝離試驗而進行，對殘存格數進行計數。表中的添加量是相對於化合物1與聚合起始劑及矽烷偶合劑的合計的質量比率。
第1有機層在將矽烷偶合劑導入至10%的階段可見密接性的提高。然而，若為並無聚合性基的矽烷偶合劑，則並未發現密接性的提高(實施例1至實施例6、比較例1至比較例6)。
若將矽烷偶合劑以超過50%的重量比率與單體加以混合，則變得產生偏析、白濁化。
(評價2)
第2有機層的評價
與所述同樣地製作第1有機層及無機層。在空氣中暴露1小時後，藉由旋塗法而於所述無機層上以1μm的厚度塗佈所述分散液，於120℃下進行4分鐘的乾燥，藉由紫外線進行約2J的曝光而製作第2有機層。與所述同樣地進行密接性的評價。
第2有機層在將矽烷偶合劑導入至5%的階段可見密接性的提高。然而，若為並無聚合性基的矽烷偶合劑，則並未發現密接性的提高(實施例7至實施例12、比較例7至比較例12)。
於第2有機層的評價中，在無機層成膜不久後，將暴露於空氣中的時間減少至1分鐘以內，改變矽烷偶合劑的量而同樣 地製作於氮氣環境下藉由旋塗法塗佈分散液而成的阻障積層體，評價密接性(比較例13~比較例18)。密接性降低，不均一亦變大。
(評價3)
使用所製作的阻障積層體(實施例6)，一面藉由Ar離子進行蝕刻，一面藉由ESCA進行無機層的深度方向的組成分析。
將結果表示於圖2中。由圖2可知：於標準條件下，無機層在成膜後充分地暴露於大氣中，因此最表面的0nm~5nm被氧化。
(評價4)
改變氧化鈦微粒子於第2有機層中的含量，測定折射率的變化。使用在所述有機層形成用聚合性組成物中，將矽烷偶合劑的添加量設為5%質量份者，與所述同樣地形成第2有機層。
將結果表示於圖3中。化合物1雖然單體的折射率為1.58，但隨著氧化鈦微粒子的體積比率增加，折射率上升。
為了研究對元件的影響，在包含OCA(光學用接著片)與在PET上形成了有機層、無機層、有機層的圖4中所示的折射率的各層的阻障積層體中，使第2有機層的折射率於1.5~2變化時，以400nm~700nm、500nm~600nm的平均算出透射率，將其結果表示於圖4中。
由圖4可知：於此種構成中，有機層的折射率適宜的是1.7至1.9。用以實現該折射率的表面被氧化鋁及氧化鋯包覆的氧化鈦的體積分率是10%至40%。可知若表面被氧化鋁及氧化鋯包 覆的氧化鈦超過60%，則變得容易凝聚剝離，較佳的是於60%以下使用，至於工業生產，為了進行具有餘裕的設計，較佳的是設為50%以下。
(評價5)
將對於如下的有機層，藉由濺鍍於表面形成有Al2O3的無機層者與藉由CVD而形成有SiN的無機層者的阻障性加以比較：所述有機層是與由所述有機層形成用聚合性組成物而形成第1有機層的方法同樣地製作的有機層(與實施例6的有機層對應)、除了使用並未加入氧化鈦分散甲苯的所述有機層形成用聚合性組成物以外與實施例6的有機層同樣地製作的有機層。阻障性的測定於40℃、90%下進行，藉由膜康(Mocon)法而進行。將結果表示於表2中。
而且，將觀測所述2個有機層表面的原子力顯微鏡(atomic force microscope，AFM)影像的結果表示於圖5中。由圖5可知：藉由添加TiO2，有機層表面的表面變粗糙。根據表2與圖5所示的結果可知：由於變粗糙的有機層表面的表面而降低的阻障性可由於藉由CVD法而形成的無機層維持不降低。
1‧‧‧第1有機層
2‧‧‧無機層
3‧‧‧第2有機層
4‧‧‧基材

Claims (15)

  1. 一種阻障性積層體，其是包含無機層與第1有機層的阻障性積層體，所述無機層與所述第1有機層互相直接相接，所述第1有機層是藉由包含聚合性化合物、聚合起始劑、及下述通式(1)所表示的矽烷偶合劑的聚合性組成物的硬化而形成的層： 式中，R2表示鹵元素或烷基，R3表示氫原子或烷基，L表示2價連結基，n表示0至2的任意整數，所述第1有機層包含氧化鈦微粒子，所述無機層是藉由化學氣相沈積法而形成於所述第1有機層表面的層。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之阻障性積層體，其中，所述矽烷偶合劑的質量相對於所述聚合性化合物與所述聚合起始劑與 所述矽烷偶合劑的合計質量的比率為2.5質量%以上、不足50質量%。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之阻障性積層體，其更包含第2有機層，所述無機層與所述第2有機層互相直接相接，所述第2有機層是藉由包含聚合性化合物、聚合起始劑、及通式(1)所表示的矽烷偶合劑的聚合性組成物的硬化而形成的層，所述第2有機層包含氧化鈦微粒子。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之阻障性積層體，其中，所述第1有機層中的所述矽烷偶合劑的質量相對於所述聚合性化合物與所述聚合起始劑與所述矽烷偶合劑的合計質量的比率為10質量%~30質量%，且所述第2有機層中的所述矽烷偶合劑的質量相對於所述聚合性化合物與所述聚合起始劑與所述矽烷偶合劑的合計質量的比率為5質量%~30質量%。
  5. 如申請專利範圍第3項所述之阻障性積層體，其中，形成所述第1有機層所使用的聚合性組成物與形成所述第2有機層所使用的聚合性組成物相同。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之阻障性積層體，其中，所述無機層是包含氮化矽或氮氧化矽的層。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之阻障性積層體，其中，所述無機層的膜厚為15nm~50nm，所述無機層的自所述第1有機層側的相反側的表面起5nm以內的區域的氧含量比率高於所述無機 層的其他區域的氧含量比率。
  8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之阻障積層體，其中，用以形成所述第1有機層的聚合性組成物不含無聚合性基的矽烷偶合劑。
  9. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之阻障積層體，其中，以體積比計而言，於所述有機層中包含15%以上、50%以下的所述氧化鈦微粒子。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之阻障性積層體，其具有至少2層有機層與至少2層無機層交互積層的結構。
  11. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之阻障性積層體，其中，所述聚合性化合物是丙烯酸酯系化合物。
  12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之阻障性積層體，其中，所述聚合性化合物是具有至少2官能以上的聚合性基的多官能丙烯酸酯系化合物。
  13. 一種氣體阻障膜，其包含基材及如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之阻障性積層體。
  14. 一種元件，其包含基板，所述基板包含如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之阻障性積層體。
  15. 一種元件，其使用如申請專利範圍第1項至第12項中任一項所述之阻障性積層體而密封。
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