TW201509877A - 芳族物的烷基化方法 - Google Patents

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Abstract

在一種芳族物的烷基化方法中,將包含可烷基化芳族烴、至少150重量ppm之水及至少一種有機氮雜質的芳族烴原料供應至從該芳族烴原料去除水之脫水區,以提供水含量不超過20重量ppm之經脫水芳族原料。然後在包括低於130℃之溫度的條件下使該經脫水芳族原料與黏土吸附劑接觸,以使該吸附劑去除至少部分包含在原料中之該有機氮雜質,且產生經處理芳族原料。然後將該經處理芳族原料供應至烷基化反應區及/或轉烷化反應區。

Description

芳族物的烷基化方法
本發明關於一種芳族物的烷基化方法。
芳族物的烷基化方法,例如在乙苯及異丙苯之製造中,具有重大商業重要性。此等方法通常包含反應部分(section)及分離部分。在該反應部分中,芳族化合物(諸如苯)與烷基化劑(諸如乙烯、丙烯、丁烯、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇或丁醇)係在烷基化觸媒之存在下反應以產生經烷基化芳族化合物。該分離部分亦包括提供藉由在轉烷化觸媒存在下與額外芳族化合物反應而將任何多烷基化物質轉化成額外單烷基化產物。然後在分離部分中收集來自該反應部分之未轉化芳族化合物並將之再循環回該反應部分。新鮮芳族化合物可進料至該反應部分或該分離部分。
在最新烷基化方法中,反應部分中所使用之酸觸媒為結晶分子篩,諸如MCM-22或β沸石。烷基化反應可以氣相、液相或混合相進行。然而,近來以至少部分 液相進行烷基化反應備受關注,原因係此往往減少產生不想要的副產物。
在用於烷基化反應之芳族原料(尤其是在苯原料中)中經常發現水。因此,商業苯進料經常為水飽和,例如當該等進料係從苯乙烯單體單元再循環時。然而,存在高水含量會降低分子篩烷基化觸媒之活性。因此,通常在芳族原料用於烷基化方法之前對彼等進行乾燥步驟。例如,美國專利第5,030,786號揭示藉由使芳族原料通過分子篩乾燥劑將芳族原料脫水至水含量不超過100ppm,較佳為50ppm或更低之液相芳族物轉化方法。
芳族烷基化反應器之進料中存在之其他雜質包括鹼性化合物,諸如鹼性有機氮化合物。由於此等鹼性化合物可中和在該分子篩觸媒上之活性酸性部位,從而負面影響觸媒性能及觸媒壽命,因此彼等產生特別問題。即使該進料中非常低之氮濃度亦會使觸媒必須再生以去除累積之氮化合物的頻率提高。在芳族物轉化反應中使用更活性沸石觸媒時,必須更小心控制該原料中因氮雜質所造成的觸媒壽命下降。因此大部分芳族物的烷基化方法提供芳族進料之預處理以去除鹼性有機氮化合物。例如,美國專利第6,297,417號揭示一種芳族物的烷基化方法,其包括在介於約130℃與約300℃之間的溫度下之預處理區中使苯原料與固態酸(諸如酸性黏土或酸性沸石)接觸以去除雜質(諸如有機氮化合物),從而改善該烷基化觸媒之壽命。
美國專利第8,013,199號揭示一種用以烷基化具有雜質之芳族烴流的方法,其中使烴原料與包含林得X型(Linde type X)分子篩且Si/Al莫耳比小於約5之第一分子篩接觸,以去除至少一部分該等雜質及製造部分經處理之芳族烴流;然後使該部分經處理之烴流與包含Y沸石且Si/Al莫耳比大於約5之第二分子篩接觸,以實質上去除所有剩餘部分之該等雜質以產生雜質數量減少的完全經處理之烴原料。在烷基化條件下於烷基化觸媒存在下使該完全經處理之烴原料與烷基化劑接觸以產生經烷基化之芳族烴流。
美國專利第6,894,201號揭示用於從烷基化基質(諸如苯)去除氮化合物之方法及裝置。慣用吸附劑床(諸如於周圍溫度至38℃之黏土或樹脂)可用以吸附鹼性有機氮化合物,及於120℃或高於120℃之酸性分子篩的熱吸附劑床可吸附弱鹼性氮化合物(諸如腈)。水據稱能促進弱鹼性氮化合物之吸附,因此通常利用分餾塔將該熱吸附劑床之水濃度調整為20至500ppmw。
從前述說明將暸解,芳族烴原料之純化使芳族物的烷基化方法增加顯著成本及複雜性。因此持續關注能簡化整體烷基化方法或減少或消除對於昂貴的分子篩吸附劑之需求而不會降低觸媒性能的替代純化方案之發展。根據本發明,現已發現在特定條件下,黏土處理可用以減少或避免對於用以從芳族烴原料去除有機氮化合物之較昂貴分子篩吸附的需求。亦已發現,藉由處理從該分離部分 再循環至反應部分之未轉化芳族物流,可消少或消除對於處理新鮮芳族烴進料之需求。該再循環芳族物流通常具有比新鮮烴進料更高之溫度及及更低之水含量。此二差異均改善特定吸附劑(諸如黏土)之性能,使得比起新鮮烴進料更有利於處理該再循環芳族物流。
在一態樣中,本發明關於芳族物的烷基化方法,其包括:(a)提供包含可烷基化芳族烴、至少150重量ppm之水及至少一種有機氮雜質的芳族烴原料;(b)在脫水區中從該芳族烴原料去除水以提供水含量不超過20重量ppm之經脫水芳族原料;(c)然後在包括低於130℃之溫度的條件下使該經脫水芳族原料與黏土吸附劑接觸,以使該吸附劑去除至少部分包含在原料中之該有機氮雜質,且產生經處理芳族原料;以及(d)將該經處理芳族原料供應至烷基化反應區及/或轉烷化反應區。
在一實施態樣中,該脫水區包含蒸餾塔。
合宜地,該方法亦包括:(e)將來自烷基化反應區及/或轉烷化反應區之流出物進料至蒸餾塔以從該流出物去除未經反應芳族烴;及(f)將該未經反應芳族烴與脫水原料一起供應至處 理單元。
在另一態樣中,本發明關於芳族物的烷基化方法,其包括:(a)在使黏土吸附劑去除至少部分芳族烴進料中所含之雜質及產生經處理芳族烴流的條件下,使包含再循環芳族烴流及隨意的新鮮芳族烴之芳族烴進料通過含有黏土吸附劑的處理單元;(b)將至少部分該經處理芳族烴流供應至烷基化區;(c)在該烷基化區中,於酸性烷基化觸媒存在下且在使至少一部分烷基化劑與經處理芳族烴流反應的條件下,使該經處理芳族烴流與烷基化劑接觸以產生含有經烷基化芳族化合物及未經反應芳族烴之烷基化流出物;(d)將該烷基化流出物供應至該分離部分以收集至少一部分該未經反應芳族烴;及(e)將至少部分於(d)中收集之該未經處理芳族烴再循環作為(a)中之該再循環芳族烴流。
在又另一態樣中,本發明關於芳族物的烷基化方法,其包括:(a)在使黏土吸附劑去除至少部分芳族烴進料中所含之雜質及產生經處理芳族烴流的條件下,使包含再循環芳族烴流及隨意的新鮮芳族烴之芳族烴進料通過含有黏土吸附劑的處理單元;(b)將至少部分該經處理芳族烴流供應至轉烷化區;(c)在該轉烷化區中,於酸性轉烷化觸媒存在下且在 使至少部分多烷基芳族烴與該經處理芳族烴流反應的條件下,使該經處理芳族烴流與該多烷基芳族烴流接觸以產生含有經烷基化芳族化合物、未經反應多烷基芳族烴及未經反應芳族烴之轉烷化流出物;(d)將該轉烷化流出物供應至該分離部分以收集至少一部分該未經反應芳族烴;及(e)將至少部分於(d)中收集之該未經處理芳族烴再循環作為(a)中之該再循環芳族烴流。
在又另一態樣中,本發明關於芳族物的烷基化方法,其包括:(a)提供包含可烷基化芳族烴、至高達400重量ppm之水、至少0.01重量%之至少一種經烷基化芳族烴及至少一種有機氮雜質的原料;(b)在包括40℃至低於130℃之溫度的條件下使至少部分該原料通過含有黏土吸附劑之處理單元,以使該吸附劑去除至少部分包含在原料中之該有機氮雜質,邊產生經處理原料;及(c)將至少部分來自該經處理原料之該可烷基化芳族烴供應至烷基化反應區及/或轉烷化反應區。
在一實施態樣中,其中將至少部分經烷基化芳族烴引入從烷基化反應區及/或轉烷化反應區再循環之未經反應可烷基化芳族烴之原料。
在另一實施態樣中,至少部分經烷基化芳族烴存在供應至該方法的新鮮可烷基化芳族烴中。
11、35‧‧‧烷基化部分
12、13、14、16、17、18、19、22、24、31、31、34、36、38、39、41、43、44、45‧‧‧管線
15、42‧‧‧分離部分
21、33‧‧‧黏土處理單元
23、37‧‧‧轉烷化部分
32‧‧‧乾燥部分
圖1為根據本發明第一實施態樣之芳族物的烷基化方法之流程圖。
圖2為根據本發明第二實施態樣之芳族物的烷基化方法之流程圖。
本發明提供一種芳族物的烷基化方法,其中使可烷基化芳族化合物(諸如苯)與烷基化劑(諸如乙烯或丙烯)反應以產生經烷基化芳族化合物(諸如乙苯或異丙苯。本發明中,使用黏土吸附劑從一或多道在烷基化及/或轉烷化之前的芳族物程序流吸附存在芳族進料中之有害雜質(諸如以有機氮為底質之化合物)。在一些實施態樣中,代替或除了處理新鮮芳族烴原料,對通常比該新鮮芳族烴原料具有較高溫度及較低水含量之再循環芳族烴流進行雜質去除。以此方式,可改善雜質去除程序之效率。
可烷基化芳族烴
應暸解表示此處可使用之可烷基化化合物的「芳族物」一詞係根據其技術領域認可範圍,此用詞包括經烷基與未經取代單核及多核化合物。只要在所選用之反應條件下不成為觸媒毒物,亦可使用具有雜原子之芳族特徵的化合物。
本文中可被烷基化之經取代芳族化合物必須具有至少一個與該芳核直接鍵結之氫原子。該芳環可經一或更多個烷基、芳基、烷芳基、烷氧基、芳氧基、環烷基、鹵根基、及/或不會干擾烷基化反應之其他基團。
適用之芳族烴包括苯、萘、蒽、稠四苯、苝、蔻及菲,以苯為佳。
通常可存在作為該芳族化合物上之取代基的烷基含有約1至22個碳原子,且經常為約1至8個碳原子,最常為約1至4個碳原子。
適用之經烷基芳族化合物包括甲苯、二甲苯、異丙苯、正丙苯、α-甲基萘、乙苯、1,3,5-三甲苯、杜烯、異丙甲苯類、丁苯、假異丙苯、鄰二乙苯、間二乙苯、對二乙苯、異戊苯、異己苯、五乙苯、五甲苯;1,2,3,4-四乙苯;1,2,3,5-四甲苯;1,2,4-三乙苯;1,2,3-三甲苯;間丁基甲苯;對丁基甲苯;3,5-二乙基甲苯;鄰乙基甲苯;對乙基甲苯;間丙基甲苯;4-乙基間二甲苯、二甲基萘;乙基萘;2,3-二甲基蒽;9-乙基蒽;2-甲基蒽;鄰甲基蒽;9,10-二甲基菲;及3-甲基菲。高分子量烷基芳族烴亦可用作起始材料,且包括芳族烴,諸如藉由以烯烴寡聚物烷基化芳族烴所製造者。此等產物在本技術中經常被稱為烷基化物,且包括己基苯、壬基苯、十二烷基苯、十五烷基苯、己基甲苯、壬基甲苯、十二烷基甲苯、十五烷基甲苯等。極常獲得是為高沸點餾分之烷基化物,其中接附在芳族核之烷基接附的大小從約C6至約C12
含有大量苯、甲苯及/或二甲苯之重組物或其餾份構成對於本發明烷基化方法特別有用之芳族進料。
本烷基化方法之其他適用芳族進料為苯乙烯設備中所產生的苯/甲苯副產物。
烷基化劑
適用於本方法之烷基化劑可為具有一或更多個可與苯反應之可用烷基化脂族基的任何脂族或芳族有機化合物。適用之烷基化劑的實例包括烯,諸如乙烯及丙烯;醇(包括單醇、二醇、三醇等)諸如甲醇、乙醇、異丙醇及正丙醇;醛,諸如丙醛;及鹵化物,諸如氯乙烷及氯丙烷。
在一實施態樣中,該烷基化劑包括烯,其可以實質上純烯進料形式存在或以含有至少一種烷之稀釋進料形式存在,且通常至少一種烷具有與該烯相同之碳原子數。例如,該烯為乙烯,該烷可為乙烷。通常,該稀釋烯進料包含至少10重量%之該烯,諸如約10至約80重量%,例如約40至約80重量%之該烯。特別有用之進料為從石油精煉之流體催化裂解單元的廢氣所獲得之稀釋乙烯流。
應理解烷基化劑進料源亦在進料至本方法之前進行純化。此等純化技術為熟悉本技術之人士詳知。
在一實施態樣中,新鮮芳族烴原料包含苯,烷基化劑包含丙烯及/或異丙醇,及經烷基化芳族化合物 包含異丙苯。在其他實施態樣中,新鮮芳族烴原料包含苯,烷基化劑包含乙烯及/或乙醇,及經烷基化芳族化合物包含乙苯。
在一實施態樣中,包含轉烷化,新鮮芳族烴原料包含苯,多烷基芳族烴流包含二異丙苯,及經烷基化芳族化合物包含異丙苯。在其他實施態樣中,新鮮芳族烴原料包含苯,多烷基芳族烴流包含二乙苯,及經烷基化芳族化合物包含乙苯。
芳族物的烷基化方法
在本方法中,使可烷基化芳族化合物與烷基化劑(例如烯原料)於烷基化反應系統中反應。該反應系統包含一或複數個串聯連接之烷基化反應區,該等反應區各含有烷基化觸媒且通常各位於單一反應容器中。該烷基化反應系統中之該或各烷基化反應區較佳係在藉由烷基化劑有效導致該可烷基化芳族化合物烷基化,同時確保該可烷基化芳族化合物至少部分或主要呈液相的條件下操作。在一實施態樣中,當該可烷基化芳族化合物包括苯,該烯包括乙烯且該烷基芳族化合物包括乙苯時,該或各烷基化反應區中之條件包括溫度為約120℃至約270℃,及壓力為約500kPa至約8,300kPa。在其他實施態樣中,當該可烷基化芳族化合物包括苯,該烷基化劑包括丙烯及/或異丙醇且該烷基芳族化合物包括異丙苯時,該或各烷基化反應區中之條件包括溫度為約40℃至約300℃,及壓力為約 500kPa至約8,300kPa。通常,各烷基化反應區中之可烷基化芳族化合物對烷基化劑的莫耳比係在100:1至0.3:1之範圍內。
在一實施態樣中,該烷基化反應系統之該或各烷基化反應區中所使用的烷基化觸媒包含至少一種約束指數為2至12之中孔分子篩(如美國專利第4,016,218號所界定)。適用之中孔分子篩包括ZSM-5、ZSM-11、ZSM-12、ZSM-22、ZSM-23、ZSM-35與ZSM-48。ZSM-5係詳細描述於美國專利第3,702,886號與再審第29,948號。ZSM-11係詳細描述於美國專利第3,709,979號。ZSM-12係描述於美國專利第3,832,449號。ZSM-22係描述於美國專利第4,556,477號。ZSM-23係描述於美國專利第4,076,842號。ZSM-35係描述於美國專利第4,016,245號。ZSM-48更明確描述於美國專利第4,234,231號。
在其他實施態樣中,該烷基化反應系統之該或各烷基化反應區中所使用的烷基化觸媒包含至少一種MCM-22家族分子篩。如本文所使用之「MCM-22家族分子篩」(或「MCM-22家族之材料」或「MCM-22家族材料」或「MCM-22家族沸石」)一語包括以下一或更多者:‧從常見第一級結晶建構塊單位晶胞製成之分子篩,該單位晶胞具有MWW架構拓樸。(單位晶胞係原子的空間排列,其於以三維空間鋪排時描繪該結晶結構。此種結晶結構詳述於"Atlas of Zeolite Framework Types"(第5版,2001年),該書完整內容係以引用的方式併入本文中);‧ 從常見第二級建構塊製成之分子篩,是為此種MWW架構拓樸單位晶胞之二維鋪排,形成一單位晶胞厚度之單層,較佳為一c-單位晶胞厚度;‧ 從常見第二級建構椎製成之分子篩,是為一或大於一單位晶胞厚度之層,其中該大於一單位晶胞厚度之層係藉由堆疊、堆砌、黏合至少兩層一單位晶胞厚度之單層而製成。此種第二級建構塊之堆疊可為規律方式、不規律方式、隨機方式或其任何組合;及‧ 藉由任何具有MWW架構拓樸之單位晶胞的規律或隨機二維或三維組合製成的分子篩。
MCM-22家族分子篩包括所具有之X射線繞射圖案包括晶面間距最大值在12.4±0.25、6.9±0.15、3.57±0.07及3.42±0.07埃之分子篩。用以表示該材料之特徵的X射線繞射資料係使用銅之K-α雙重線作為入射輻射之標準技術以及配備有閃爍計數器之繞射計與結合之電腦作為收集系統所獲得。
MCM-22家族之材料包括MCM-22(描述於美國專利第4,954,325號)、PSH-3(描述於美國專利第4,439,409號)、SSZ-25(描述於美國專利第4,826,667號)、ERB-1(描述於歐洲專利第0293032號)、ITQ-1(描述於美國專利第6,077,498號)、ITQ-2(描述於國際 專利公告第WO97/17290號)、MCM-36(描述於美國專利第5,250,277號)、MCM-49(描述於美國專利第5,236,575號)、MCM-56(描述於美國專利第5,362,697號)及其混合物。相關沸石UZM-8亦適於用作本烷基化觸媒。
在另一實施態樣中,該烷基化反應系統之該或各烷基化反應區中所使用的烷基化觸媒包含一或更多種約束指數小於2之大孔分子篩。適用之大孔分子篩包括β沸石、Y沸石、超穩定性Y沸石(USY)、脫鋁Y沸石(Deal Y)、絲光沸石、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-18及ZSM-20。沸石ZSM-14係描述於美國專利第3,923,636號。沸石ZSM-20係描述於美國專利第3,972,983號。β沸石係描述於美國專利第3,308,069號與再審第28,341號。低鈉超穩定性Y沸石(USY)係描述於美國專利第3,293,192號與再審第3,449,070號。脫鋁Y沸石(Deal Y)可以美國專利第3,442,795號中所發現之方法製備。沸石UHP-Y係描述於美國專利第4,401,556號。絲光沸石係天然材料,但亦可購得呈合成形式者,諸如TEA-絲光沸石(即,從包含四乙銨導向劑之反應混合物製備之合成絲光沸石)。TEA-絲光沸石係詳細描述於美國專利第3,766,093號與再審第3,894,104號。
用於烷基化反應之較佳分子篩包含β沸石、約束指數為2至12之分子篩,尤其是ZSM-5,及MCM-22家族分子篩。
上述分子篩可在無任何黏合劑或基質的情況下(即,呈所謂自黏合形式)用作烷基化觸媒。或者,該分子篩可與其他耐烷基化反應中所使用之溫度與其他條件的材料混合。此等材料包括活性與惰性材料和合成或天然沸石,以及無機材料,諸如黏土及/或氧化物,諸如氧化鋁、氧化矽、氧化矽-氧化鋁、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎂或該等與其他氧化物的混合物。後者可為天然或呈凝膠狀沉澱物或包括氧化矽與金屬氧化物之凝膠的形式。亦可包括具有該氧化物類型黏合劑之黏土以修改該觸媒之機械性質或促進其製造。合併使用一種本身具有催化活性的材料與該分子篩,即與該分子篩結合或於該分子篩合成期間存在,可改變該轉化作用及/或觸媒之選擇性。惰性材料適於作為稀釋劑以控制轉化之量,因此可經濟地且有序地獲得產物,而毋需使用控制反應速率的其他手段。此等材料可併入天然黏土,例如膨土與高嶺土,以改善在商業操作條件下該觸媒的壓碎強度,及作為該觸媒黏合劑或基質。該分子篩與無機氧化物基質的相對比例非常廣泛,該篩含量從約1至約90重量百分比,特別是該複合物係製備成微珠形式時,更常在該複合物的約2至約80重量百分比範圍內。
烷基化流出物分離
除了所需之烷基芳族產物以外,來自烷基化反應之流出物往往含有大量未經反應可烷基化芳族化合物 (例如苯),及在一些情況下,亦可含有多烷基化芳族化合物(例如二-及三-異丙苯)。如此,流出物通至產物分離系統(諸如蒸餾列(distillation train)),該產物分離系統不只用以收集未經反應芳族化合物及所需之單烷基化產物,亦分離多烷基化物質。該未經反應芳族化合物於處理之後再循環至烷基化部分及/或轉烷化部分以去除有害雜質(諸如下述以氮為底質之化合物)。在一實施態樣中,該再循環芳族烴流含有0.01至少於15重量%,例如0.1至10重量%之經烷基化芳族化合物。
新鮮芳族烴原料(例如苯)可進料至烷基化部分、轉烷化部分或分離部分。在一些實施態樣中,新鮮芳族原料係供應至產物分離系統以將該原料之水含量減少至少於20重量ppm,諸如10重量ppm。如此,通過該處理單元之芳族烴流可含有新鮮以及再循環之芳族烴原料。
轉烷化
從烷基化流出物收集之多烷基化物質可進料至轉烷化反應器,該轉烷化反應器通常與烷基化反應器分開。在該轉烷化反應器中,藉由使多烷基化物質與額外之芳族化合物於轉烷化觸媒存在下反應而產生額外單烷基化產物。通常,該轉烷化反應器係在使多烷基化芳族化合物與可烷基化芳族化合物至少部分或主要呈液相之條件下操作。
以多乙苯進行苯之轉烷化的適用條件可包括 溫度為約100℃至約300℃,壓力為8,000kPa或更低,根據送至反應區之總液態進料的重量的WHSV為約0.5至約100hr-1及苯對多乙苯之莫耳比為約1:1至約30:1。以多異丙苯進行苯之轉烷化的特別條件可包括溫度為約100℃至約300℃,壓力為8,000kPa或更低,根據送至反應區之總液態進料的重量的WHSV為約0.1至約50hr-1及苯對多異丙苯之莫耳比為約1:1至約20:1。以多異丁苯進行苯之轉烷化的特別條件可包括溫度為100℃至300℃,壓力為500至8,000kPa,根據總進料計每小時之重量空間速度為0.1至50hr-1,及苯對多異丁苯之莫耳比為1:1至20:1。
轉烷化觸媒可包含前文關於烷基化系統中所討論之分子篩中的任一或多者,且可與或不與黏合劑或基質併用。然而,該轉烷化觸媒通常選自β沸石、Y沸石、超穩定性Y沸石(USY)、脫鋁Y沸石(Deal Y)、絲光沸石、ZSM-3、ZSM-4、ZSM-5、ZSM-11、ZSM-18、ZSM-20、MCM-22、PSH-3、SSZ-25、ERB-1、ITQ-1、ITQ-2、MCM-36、MCM-49、MCM-56、UZM-8及其混合物。
轉烷化流出物分離
來自該轉烷化系統之流出物往往含有單烷基化芳族化合物、未經反應多烷基芳族烴及未經反應芳族烴。如此,該流出物通至不只用以收集未經反應芳族化合 物及所需之經烷基化芳族化合物亦分離該經反應多烷基芳族烴之產物分離系統。通常,使用同一產物分離系統以分離該烷基化流出物及該轉烷化流出物。該未經反應芳族化合物可再循環以供處理以去除有害雜質(諸如下述以氮為底質之化合物)。在一實施態樣中,從該轉烷化流出物分離之未經反應芳族化合物係與從該烷基化流出物分離之未經反應芳族化合物組合且再循環以供處理以去除有害雜質(諸如下述以氮為底質之化合物)。
芳族烴處理
如上述,大部分市售芳族烴原料含有大量(至高達以氮之重量計為10ppm)的有機氮雜質,諸如N-甲基吡咯啶酮(NMP)、N-甲醯基嗎啉(NFM)、吡啶及二甲基甲醯胺(DMF)。例如,烷基化級苯通常含有至高達20重量ppm,諸如0.05至2重量ppm(以氮計)之有機氮雜質。此外,芳族烴原料亦經常以水飽和,意指彼等可含有500至1000重量ppm的水。例如,來自苯乙烯設備之苯/甲苯副產物流通常含有約70%之甲苯、25%之苯、至高達5%之乙苯、約300ppm之水、及高含量(通常為0.5至10ppmw(以氮計))之氮化合物。
由於該等雜質及尤其是該等有機氮化合物會對烷基化觸媒具有有害影響,因此當存在時,必須降低在接觸該(等觸媒)中之總反應混合物中的該轉烷化觸媒之含量。在本方法中,至少部分該等雜質含量之所需減少係 藉由在原料供應至烷基化反應區及/或轉烷化反應區之前使新鮮芳族原料(隨意地在乾燥之後及隨意地與芳族再循環流組合)通過含有一或多種黏土吸附劑的黏土處理單元而獲致。該黏土處理通常係在低於130℃,諸如40℃至低於130℃,例如50℃至125℃之溫度進行。在該等條件下,黏土處理有效去除大部分有害氮雜質而不會促成不想要的副反應。例如,在異丙苯設備中,通過該黏土處理器之後該苯流中的殘餘異丙苯可異構化成正丙苯,該正丙苯難以從異丙苯產物分離出來。如隨後實例中所示,發現本黏土處理程序使異丙苯成為正丙苯之異構最小化。
該黏土處理單元可包含任何慣用反應器設計,包括連續及間歇流、批式和固定床反應器。該處理單元可構造為串聯至烷基化/轉烷化反應器之分離反應器。或者,該處理單元可只包含一個兼具處理和烷基化或轉烷化區之反應器部分。或者,可使用多床反應器,其中該第一床包含處理單元,其中烷基化/轉烷化劑係在第二床處引入及沿著多床鏈(chain)之其他床處引入,及其中轉烷化反應器可沿該鏈更遠處放置。
藉由使未經反應可烷基化芳族化合物通過處理單元,進料至烷基化反應器及/或轉烷化反應器之芳族進料中的有機含氮雜質之含量可減少到低於0.03重量ppm,較佳係減少到低於可測量含量。
如附圖中所示之實施態樣中的說明,本發明之黏土處理程序可用於各種構造以降低芳族烷基化原料中 的含氮雜質之含量。例如,當該芳族進料為在苯乙烯設備中產生之苯/甲苯副產物流時,該流可(a)經黏土處理以去除氮化合物,然後在將該苯流送至乙苯設備之前經蒸餾以收集苯作為新鮮苯進料之一部分,(b)經蒸餾及乾燥以收集經乾燥之苯,然後該經乾燥之苯在送至乙苯設備之前係經黏土處理以去除氮化合物,或(c)經蒸餾以收集苯然後將該苯送至乙苯設備,以及經黏土處理作為新鮮苯進料之一部分以去除氮化合物。
參考圖1,在本發明第一實施態樣之芳族物的烷基化方法中,烷基化部分11經由管線12接收經黏土處理之芳族烴及經由管線13接收烷基化劑流。烷基化部分11包含一或多個反應區,其中在使至少部分烷基化劑與芳族烴反應之條件下使該經黏土處理之芳族烴流及該烷基化劑與酸性烷基化觸媒接觸以產生包含所需之經烷基化芳族化合物、未經反應芳族烴及通常一些多烷基芳族化合物的烷基化流出物。通常,該烷基化部分11中之條件使該芳族烴至少部分呈液相。
藉由管線14將來自烷基化部分11之流出物進料至分離部分15,該分離部分15亦經由管線16接收含有有機氮雜質及至少150重量ppm之水,通常至多達400重量ppm之水的新鮮芳族烴原料。該分離部分15通常包括包含用以分離新鮮及在管線17中之未經反應芳族烴的第一蒸餾塔、用以收集管線18中之所需經烷基化芳族化合物的第二蒸餾塔、以及用以分離管線19中之多烷 基芳族化合物的第三蒸餾塔之蒸餾鏈。通常,操作該第一蒸餾塔以去除該新鮮芳族烴原料中所引入的水雜質,因此於管線16中之離開該分離部分15的芳族烴流含有少於20重量ppm的水,諸如少於10重量pppm的水。在另一實施態樣(未圖示)中,新鮮芳族烴原料在供應至分離部分15之前係通過分開的乾燥部分。
管線17中之芳族物流含有與新鮮芳族烴原料一起引入之有機氮雜質,且係通過以50℃至125℃之溫度操作的黏土處理單元21。該黏土處理單元使芳族物流中之有機含氮雜質的含量降至少於0.03重量ppm,如此經由管線22離開該黏土處理單元21之經處理芳族物流可經由管線12直接進料至該烷基化部分11。
在所示實施態樣中,經由管線22離開該黏土處理單元21之經處理芳族物流的一部分亦可與管線19中之多烷基芳族化合物一起供應至轉烷化部分23。轉烷化部分23包含一或多個反應區,其中在使至少部分多烷基芳族烴與該經處理芳族烴流反應的條件下,使該經處理芳族烴及該多烷基芳族烴與酸性轉烷化觸媒接觸以產生含有所需之經烷基化芳族化合物、未經反應多烷基芳族烴及未經反應芳族烴的轉烷化流出物。通常,該轉烷化部分23中之條件使該芳族烴至少部分呈液相。該轉烷化流出物係藉由管線24進料至用以收集管線18中之所需經烷基化芳族化合物及分離分別於管線17及19中之未經反應芳族烴及未經反應多烷基芳族烴的分離部分15。
本發明之第二實施態樣係示於圖2,其中藉由管線31將含有水及有機氮雜質之新鮮芳族烴原料進料通過隨意的乾燥部分32至黏土處理單元33。該黏土處理單元33係在50℃至125℃之溫度操作且使芳族原料中之有機含氮雜質含量減少,以使經由管線34離開該黏土處理單元33之經處理芳族物流含有少於0.03重量ppm之此等雜質。該經處理芳族物流係藉由管線34進料至烷基化部分35(其亦接收管線36中之烷基化劑),及轉烷化部分37(其亦經由管線38接收多烷基芳族烴)。烷基化及轉烷化部分35、37係參考圖1所述操作以產生所需之經烷基化芳族化合物。來自烷基化及轉烷化部分35、37之流出物係藉由管線39、41供應至分離部分42,於該處經由管線43收集所需之經烷基化芳族化合物及經由管線38去除未經反應多烷基芳族烴。未經反應芳族烴亦在分離部分42中分離,且可經由管線44再循環經過黏土處理單元33或經由管線45再循環至烷基化及轉烷化部分35、37。
茲參考以下實例更具體描述本發明。
實施例1
測試係在固定床處理單元中進行,該固定床處理單元係由直徑為1/2英吋(1.3cm)且總長度為24英吋(61cm)之Schedule 40不鏽鋼316管製成。該處理單元係容納在熱油夾套中以將該進料預熱至所需入口溫度及維持該處理單元溫度。為芳族進料使用貯存槽及使用正排 量泵將該芳族進料進料至該處理單元。該芳族進料之流率係由泵設定所訂定,且由電子秤監測。該處理單元操作條件係受自動控制系統所控制與監測。該原料及處理單元流出物係藉由Hewlett Packard 5890 Series II氣相層析儀分析,該氣相層析儀配備有火焰離子化偵測器(FID)及內徑為0.25mm、膜厚度為0.5μm且長度為60米之Chrompack CP-Wax 52CB管柱。
將20克之新鮮BASF F-24黏土裝入該處理單元。在純苯中加熱該處理單元,且在125℃下乾燥該黏土4天。然後引入含有95.5重量%之苯、4.5重量%之異丙苯、每百萬重量份為25份(重量ppm)之水及每百萬重量份為10份(重量ppm)之正丙苯(NPB)的芳族進料。該芳族進料之組成與異丙苯設備中的再循環苯流之組成相似,該再循環苯流除了在新鮮苯中之雜質外通常含有一些烷基芳族物(例如在異丙苯設備中之再循環苯通常含有約0.1至約10重量%之異丙苯)。進料之每小時之重量空間速度(WHSV)為5hr-1,該處理單元溫度在95與183℃之間變化,且該處理單元出口壓力維持在介於420與450PSIG之間。定期收集及分析該處理單元流出物。該處理單元流出物中之NPB的濃度列於下表1。
注意到在該處理單元中製成的NPB之數量隨著處理單元溫度提高而迅速增加。由於NPB之沸點非常接近異丙苯,一旦形成NPB,則無法經濟地將之與異丙苯分離。因此該處理單元中製成的任何NPB會污染異丙苯產物並降低該異丙苯產物的純度。視異丙苯設備之設計及操作而定,每1重量ppm之該處理單元中所製成的NPB可使該異丙苯產物中之NPB濃度提高2至4重量ppm,且使該異丙苯產物純度降低相同量。各處理單元溫度之異丙苯產物中的NPB含量預估增加亦列於上表1。
如此,有利的是在低溫(較佳為125℃或更低)操作處理單元,以避免該處理單元中過度產生NPB及對於異丙苯產物純度的顯著負面影響。
實施例2
實施例1中所述之相同實驗裝置及控制系統亦用於本實施例。此外,亦對原料及處理單元流出物進行 氮分析。
將20克之新鮮BASF F-24黏土裝入該處理單元。在純苯中加熱該處理單元,且在125℃下乾燥該黏土4天。然後引入含有98重量%之苯、2重量%之異丙苯、6重量ppm之NPB、25重量ppm之水、5.8重量ppm之吡啶、3.8重量ppm之N-甲基吡咯啶酮(NMP)及4.4重量ppm之N-甲醯基嗎啉(NFM)之芳族進料。進料之WHSV為5hr-1,該處理單元溫度維持在123與125℃之間,且該處理單元出口壓力維持在介於420與450PSIG之間。定期收集及分析該處理單元流出物之NPB及氮物種。在該處理單元流出物中所偵測到的NPB及氮物種之濃度係列於下表2。
如上述資料所說明,本發明能長時間期間有效去除芳族原料中之含氮毒物。該實例亦說明該進料中並無可偵測含量之從異丙苯製成的NPB。
雖然已說明本發明並參考特定實施態樣作為例證,熟悉本技術之人士將明暸本發明本身可應用於不一定於本文舉例說明的變化。因此,應僅參考用於決定本發明範圍之附錄申請專利範圍。
11‧‧‧烷基化部分
12、13、14、16、17、18、19、22、24‧‧‧管線
15‧‧‧分離部分
21‧‧‧黏土處理單元
23‧‧‧轉烷化部分

Claims (18)

  1. 一種芳族物的烷基化方法,其包括:(a)提供包含可烷基化芳族烴、至少150重量ppm之水及至少一種有機氮雜質的芳族烴原料;(b)在脫水區中從該芳族烴原料去除水以提供水含量不超過20重量ppm之經脫水芳族原料;(c)然後在包括低於130℃之溫度的條件下使該經脫水芳族原料與黏土吸附劑接觸,以使該吸附劑去除至少部分包含在原料中之該有機氮雜質,且產生經處理芳族原料;以及(d)將該經處理芳族原料供應至烷基化反應區及/或轉烷化反應區。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該接觸步驟(c)中之該等條件包括溫度為50℃至125℃。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之方法,其中該脫水區包含蒸餾塔。
  4. 如申請專利範圍第3項之方法,其中將該經處理芳族原料供應至烷基化反應區,且該方法另外包括:(e)在該烷基化區中,於酸性烷基化觸媒存在下且在使至少一部分烷基化劑與可烷基化芳族烴流反應的條件下,使該經處理芳族原料與烷基化劑接觸以產生含有經烷基化芳族化合物及未經反應芳族烴之烷基化流出物;(f)將該烷基化流出物供應至該蒸餾塔以收集至少一部分該未經反應芳族烴;及 (g)使在(f)中收集之該未經反應芳族烴連同該經脫水芳族原料與(c)中之該黏土吸附劑接觸。
  5. 如申請專利範圍第3項之方法,其中將該經處理芳族原料供應至轉烷化反應區,且該方法另外包括:(h)在該轉烷化區中,於酸性轉烷化觸媒存在下且在使至少部分多烷基芳族化合物與該可烷基化芳族烴流反應的條件下,使該經處理芳族原料與多烷基芳族化合物接觸以產生含有經烷基化芳族化合物及未經反應芳族烴之轉烷化流出物;(i)將該轉烷化流出物供應至該蒸餾塔以收集至少一部分該未經反應芳族烴;及(j)使在(i)中收集之該未經反應芳族烴連同該經脫水芳族原料與(c)中之該黏土吸附劑接觸。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法,其中將該芳族烴原料在無先前處理的情況下供應至該脫水區以去除有機氮雜質。
  7. 一種芳族物的烷基化方法,其包括:(a)在使黏土吸附劑去除芳族烴進料中所含之雜質及產生經處理芳族烴流的條件下,使包含再循環芳族烴流及隨意的新鮮芳族烴之芳族烴進料通過含有黏土吸附劑的處理單元;(b)將至少部分該經處理芳族烴流供應至烷基化區;(c)在該烷基化區中,於酸性烷基化觸媒存在下且在使至少一部分烷基化劑與經處理芳族烴流反應的條件下, 使該經處理芳族烴流與烷基化劑接觸以產生含有經烷基化芳族化合物及未經反應芳族烴之烷基化流出物;(d)將該烷基化流出物供應至該分離部分以收集至少一部分該未經反應芳族烴;及(e)將至少部分於(d)中收集之該未經處理芳族烴再循環作為(a)中之該再循環芳族烴流。
  8. 如申請專利範圍第7項之方法,其中該芳族烴進料包含已乾燥至水含量不超過20重量ppm的新鮮芳族烴。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之方法,其中(c)中之該等條件包括溫度為50℃至125℃。
  10. 如申請專利範圍第7項之方法,其中多烷基芳族烴流係從步驟(d)之分離部分收集,該方法另外包括:(f)將至少部分該經處理芳族烴流供應至轉烷化區;(g)在該轉烷化區中,於酸性轉烷化觸媒存在下且在使至少部分步驟(d)之從該分離部分收集之多烷基芳族烴與該經處理芳族烴流反應的條件下,使該經處理芳族烴流與該多烷基芳族烴流接觸以產生含有經烷基化芳族化合物、未經反應多烷基芳族烴及未經反應芳族烴之轉烷化流出物;(h)將該轉烷化流出物供應至該分離部分以從該轉烷化流出物收集至少一部分該未經反應芳族烴;及(i)將至少部分於(h)中收集之該未經處理芳族烴再循環作為(a)中之該再循環芳族烴流。
  11. 一種芳族物的烷基化方法,其包括:(a)在使黏土吸附劑去除至少部分芳族烴進料中所含之雜質及產生經處理芳族烴流的條件下,使包含再循環芳族烴流及隨意的新鮮芳族烴之芳族烴進料通過含有黏土吸附劑的處理單元;(b)將至少部分該經處理芳族烴流供應至轉烷化區;(c)在該轉烷化區中,於酸性轉烷化觸媒存在下且在使至少部分多烷基芳族烴與該經處理芳族烴流反應的條件下,使該經處理芳族烴流與該多烷基芳族烴流接觸以產生含有經烷基化芳族化合物、未經反應多烷基芳族烴及未經反應芳族烴之轉烷化流出物;(d)將該轉烷化流出物供應至該分離部分以收集至少一部分該未經反應芳族烴;及(e)將至少部分於(d)中收集之該未經處理芳族烴再循環作為(a)中之該再循環芳族烴流。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法,其中該芳族烴進料包含已乾燥至水含量不超過20重量ppm的新鮮芳族烴。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之方法,其中(c)中之該等條件包括溫度為50℃至125℃。
  14. 一種芳族物的烷基化方法,其包括:(a)提供包含可烷基化芳族烴、至高達400重量ppm之水、至少0.01重量%之至少一種經烷基化芳族烴及至少一種有機氮雜質的原料; (b)在包括40℃至低於130℃之溫度的條件下使至少部分該原料通過含有黏土吸附劑之處理單元,以使該吸附劑去除至少部分包含在原料中之該有機氮雜質,以產生經處理原料;及(c)將至少部分來自該經處理原料之該可烷基化芳族烴供應至烷基化反應區及/或轉烷化反應區。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法,其另外包括:在脫水區中從該原料去除水,以使供應至步驟(b)中之處理單元的該原料其餘部分含有不超過20重量ppm的水。
  16. 如申請專利範圍第14或15項之方法,其中將至少部分該經烷基化芳族烴作為從該烷基化反應區及/或該轉烷化反應區再循環之未經反應可烷基化芳族烴引入該原料。
  17. 如申請專利範圍第14或15項之方法,其中至少部分該經烷基化芳族烴存在供應至該方法的新鮮可烷基化芳族烴中。
  18. 如申請專利範圍第1或7或11或14項之方法,其中該可烷基化芳族烴包含苯。
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